JPS6132215A - 磁気抵抗効果型ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘツドInfo
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- JPS6132215A JPS6132215A JP15278284A JP15278284A JPS6132215A JP S6132215 A JPS6132215 A JP S6132215A JP 15278284 A JP15278284 A JP 15278284A JP 15278284 A JP15278284 A JP 15278284A JP S6132215 A JPS6132215 A JP S6132215A
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、磁気記録媒体の摺動面が形成された基板上に
、該摺動面からはなして磁気抵抗効果素子を設けた、い
わゆるリア型構造の磁気抵抗効果型ヘッドに関する。
、該摺動面からはなして磁気抵抗効果素子を設けた、い
わゆるリア型構造の磁気抵抗効果型ヘッドに関する。
従来、磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドは種々提案
されているが、その１例として、リア型構造の磁気抵抗
効果型ヘッドが日本応用磁気学会誌、Ｖｏｌ、８．ＮＯ
，１，１９８４，ｐｐ２８−３１ Ｋ開示される。
されているが、その１例として、リア型構造の磁気抵抗
効果型ヘッドが日本応用磁気学会誌、Ｖｏｌ、８．ＮＯ
，１，１９８４，ｐｐ２８−３１ Ｋ開示される。
第６図はその磁気抵抗効果型ヘッドを示す斜視図であっ
て、１は磁気抵抗効果型ヘッド、２は基板、２．は高透
磁率磁性体部、２２は非磁性体部、３は磁気抵抗や果素
子、４は高透磁率磁性薄膜、５は信号引出し線、６は磁
気テープである。
て、１は磁気抵抗効果型ヘッド、２は基板、２．は高透
磁率磁性体部、２２は非磁性体部、３は磁気抵抗や果素
子、４は高透磁率磁性薄膜、５は信号引出し線、６は磁
気テープである。
同図において、磁気抵抗効果型ヘッド１は、磁気テープ
６の摺動面が形成されている基板２上に、との摺動面側
から順に高透磁率磁性薄膜４、磁気抵抗効果素子３が配
置されてなり、高透磁率磁性薄膜４の端部も磁気テープ
６０摺動面をなしている。基板２は高透磁率磁性体部２
Ｉと非磁性体部２゜とからなり、これらの面が基板２の
上記摺動面をなしている。また、磁気抵抗効果素子３の
大部分と高透磁率磁性薄膜４とは非磁性体部２．上に設
けられているが、磁気抵抗効果素子３の一部は高透磁率
磁性体部２．上にある。
６の摺動面が形成されている基板２上に、との摺動面側
から順に高透磁率磁性薄膜４、磁気抵抗効果素子３が配
置されてなり、高透磁率磁性薄膜４の端部も磁気テープ
６０摺動面をなしている。基板２は高透磁率磁性体部２
Ｉと非磁性体部２゜とからなり、これらの面が基板２の
上記摺動面をなしている。また、磁気抵抗効果素子３の
大部分と高透磁率磁性薄膜４とは非磁性体部２．上に設
けられているが、磁気抵抗効果素子３の一部は高透磁率
磁性体部２．上にある。
高透磁率磁性薄膜４は磁気テープ６の磁化で生じた磁束
を磁気抵抗効果素子３Ｖｃ導くフラックスガイドであり
、磁気抵抗効果素子３を通った磁束は、さらに基板２の
高透磁率磁性体２ｍを介して磁気テープ６に戻り、この
ようにして閉磁路が形成される。そして、磁束量に応じ
た磁気抵抗効果素子３の抵抗値の変化は信号引出し線５
から取り出され、磁気テープ６に記録された所望の信号
が再生される。
を磁気抵抗効果素子３Ｖｃ導くフラックスガイドであり
、磁気抵抗効果素子３を通った磁束は、さらに基板２の
高透磁率磁性体２ｍを介して磁気テープ６に戻り、この
ようにして閉磁路が形成される。そして、磁束量に応じ
た磁気抵抗効果素子３の抵抗値の変化は信号引出し線５
から取り出され、磁気テープ６に記録された所望の信号
が再生される。
かかる構造の磁気抵抗効果型ヘッドは、磁気抵抗効果素
子３が磁気テープ６を摺動しないために、安定かつＳ／
Ｎの良好な状態で信号再生を行なうことができる。
子３が磁気テープ６を摺動しないために、安定かつＳ／
Ｎの良好な状態で信号再生を行なうことができる。
しかし、その反面、基板２は１種類の素材によりて構成
されてはおらず、高透磁率磁性体部２．と非磁性体部２
．という２つの異なる素材の部分からなり、このために
、高透磁率磁性体部２．を形成した後これを高い精度で
加工し、さらに非磁性体部２、を形成して高い精度で加
工するなど製造プロセスが複雑となるし、また、製造に
手間がかかつて非常な時間を要することになる。したが
って、この磁気抵抗効果型ヘッドは量産性の点で問題が
あった。
されてはおらず、高透磁率磁性体部２．と非磁性体部２
．という２つの異なる素材の部分からなり、このために
、高透磁率磁性体部２．を形成した後これを高い精度で
加工し、さらに非磁性体部２、を形成して高い精度で加
工するなど製造プロセスが複雑となるし、また、製造に
手間がかかつて非常な時間を要することになる。したが
って、この磁気抵抗効果型ヘッドは量産性の点で問題が
あった。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解消し、量産
性に優れた磁気抵抗効果型ヘッドを提供するにある。
性に優れた磁気抵抗効果型ヘッドを提供するにある。
この目的を達成するために１本発明は、基板を非磁性の
単一の素材でもって構成し、該基板上に磁気記録媒体の
摺動面側から順に端部が該磁気記録媒体の摺動面をなす
第１の高透磁率磁性薄膜、磁気抵抗効果素子、第２の高
透磁率磁性薄膜を設け、該第２の高透磁率磁性薄膜によ
り、該磁気記録媒体からの磁束が通る閉磁路の磁気抵抗
を低減するようにした点に特徴がある。
単一の素材でもって構成し、該基板上に磁気記録媒体の
摺動面側から順に端部が該磁気記録媒体の摺動面をなす
第１の高透磁率磁性薄膜、磁気抵抗効果素子、第２の高
透磁率磁性薄膜を設け、該第２の高透磁率磁性薄膜によ
り、該磁気記録媒体からの磁束が通る閉磁路の磁気抵抗
を低減するようにした点に特徴がある。
第４図は本発明による磁気抵抗効果型ヘッドの原理を示
す模式図であって、２′は基板、７は高透磁率磁性薄膜
、８は保護層、９は磁化、１０は磁束であり、第６図に
対応する部分１ｃｔ２同一符号をつけている。
す模式図であって、２′は基板、７は高透磁率磁性薄膜
、８は保護層、９は磁化、１０は磁束であり、第６図に
対応する部分１ｃｔ２同一符号をつけている。
第４図において、基板２′は非磁性体のみからなって磁
気テープ６の摺動面が形成されており、この基板２′上
にこの摺動面側から順に端部が磁気テープ６の摺動面を
なす高透磁率磁性薄膜４、磁気抵抗効果素子３、高透磁
率磁性薄膜７が設けられ。
気テープ６の摺動面が形成されており、この基板２′上
にこの摺動面側から順に端部が磁気テープ６の摺動面を
なす高透磁率磁性薄膜４、磁気抵抗効果素子３、高透磁
率磁性薄膜７が設けられ。
さらに、これらの磁性薄膜を覆うように、非磁性の保護
層８が設けられている。
層８が設けられている。
磁気テープ６の磁化９から生じた矢印で示す磁束ＩＯは
、高透磁率磁性薄膜４から磁気抵抗効果素子３に導かれ
、さらに、高透磁率磁性薄膜７、基板２′を介して磁気
テープ６に戻る。高透磁率磁性薄膜４は、第６図に示し
た従来技術と同様に、磁束１０を磁気抵抗効果素子３に
導くためのフラックスガイドであり、高透磁率磁性薄膜
７も同様に７ラツクスガイドであるが、次に説明するよ
うに、この高透磁率磁性薄膜７は、基板２′を非磁性体
のみで構成したことによる閉磁路の磁気抵抗の増加を低
減する作用をなすものである。なお、高透磁率磁性薄膜
４，７を、作用の面から表現して、以下、夫々をフロン
トフラックスガイド、リアフラックスガイドという。
、高透磁率磁性薄膜４から磁気抵抗効果素子３に導かれ
、さらに、高透磁率磁性薄膜７、基板２′を介して磁気
テープ６に戻る。高透磁率磁性薄膜４は、第６図に示し
た従来技術と同様に、磁束１０を磁気抵抗効果素子３に
導くためのフラックスガイドであり、高透磁率磁性薄膜
７も同様に７ラツクスガイドであるが、次に説明するよ
うに、この高透磁率磁性薄膜７は、基板２′を非磁性体
のみで構成したことによる閉磁路の磁気抵抗の増加を低
減する作用をなすものである。なお、高透磁率磁性薄膜
４，７を、作用の面から表現して、以下、夫々をフロン
トフラックスガイド、リアフラックスガイドという。
さて、いま、磁気抵抗効果素子３の磁気抵抗なＲｏ、フ
ロントフラックスガイド４と磁気抵抗効果素子３との間
の磁気抵抗をＲ１、リアフラックスガイド７と磁気抵抗
効果素子３との間の磁気抵抗なＲ３′、フロントフラッ
クスガイド４およびリアフラックスガイドケの磁気抵抗
を夫々Ｒ，、Ｒｔ、’ 、フロントフラックスガイド４
から直接流れ込んだ磁束が通る基板２′中の磁路の磁気
抵抗をＲ３、フロントフラックスガイド′４からこれと
磁気抵抗効果素子３との間の非磁性体部を介して流れ込
んだ磁束が通る基板２′中の磁路の磁気抵抗を′ｆＬ４
、磁気抵抗効果素子３からこれとリアフラックスガイド
７との間の非磁性体部を介して流れ込んだ磁束が通る基
板２′中の磁路の磁気抵抗をＲ６とする。
ロントフラックスガイド４と磁気抵抗効果素子３との間
の磁気抵抗をＲ１、リアフラックスガイド７と磁気抵抗
効果素子３との間の磁気抵抗なＲ３′、フロントフラッ
クスガイド４およびリアフラックスガイドケの磁気抵抗
を夫々Ｒ，、Ｒｔ、’ 、フロントフラックスガイド４
から直接流れ込んだ磁束が通る基板２′中の磁路の磁気
抵抗をＲ３、フロントフラックスガイド′４からこれと
磁気抵抗効果素子３との間の非磁性体部を介して流れ込
んだ磁束が通る基板２′中の磁路の磁気抵抗を′ｆＬ４
、磁気抵抗効果素子３からこれとリアフラックスガイド
７との間の非磁性体部を介して流れ込んだ磁束が通る基
板２′中の磁路の磁気抵抗をＲ６とする。
ここで、リアフラックスガイド７を設けない場合をみる
と、この場合、第４図の閉磁路の等価回路は第５図（ａ
）のように表わすことができる。この等価回路において
、磁気抵抗効果素子３を流れる磁束量は、Ｒ，、Ｒ４と
（Ｒｔ ＋ Ｒｔ ＋ Ｒ０＋ Ｒｓ ）の大小関係に
よって決まり、Ｒ，、Ｒ，に比べて（Ｒ１十ＰＬ、十Ｒ
６＋ｌＲ５）が小さいとき鉦は、磁気抵抗効果素子３に
流入する磁束量は多くなり、逆に、Ｒ３゜Ｒ，に比べて
（Ｒｔ ＋ Ｒｑ 十Ｒ８＋Ｒ，）が太きいときには、
磁気抵抗効果素子３に、流入する磁束量は少な（１゜ 磁気抵抗効果型ヘッドの再生効率を高めるためには、磁
気抵抗効果素子３に流入する磁束量を多くして磁束利用
率を高める必要があり、このためには、（ｆＬｔ ＋Ｒ
１＋ ＲＯ＋Ｒｓ ）を小さくする必要がある。しかし
ながら、リアフラックスガイド７が設けられていない場
合、磁気抵抗効果素子３を通った磁束が基板２′を通る
磁路の断面積は小さく、また、この磁路は非常に長いか
ら、第５図（ａ）の磁気抵抗Ｒ３は非常に大きく、磁気
抵抗効果素子３の磁束利用率は低いものとなっている。
と、この場合、第４図の閉磁路の等価回路は第５図（ａ
）のように表わすことができる。この等価回路において
、磁気抵抗効果素子３を流れる磁束量は、Ｒ，、Ｒ４と
（Ｒｔ ＋ Ｒｔ ＋ Ｒ０＋ Ｒｓ ）の大小関係に
よって決まり、Ｒ，、Ｒ，に比べて（Ｒ１十ＰＬ、十Ｒ
６＋ｌＲ５）が小さいとき鉦は、磁気抵抗効果素子３に
流入する磁束量は多くなり、逆に、Ｒ３゜Ｒ，に比べて
（Ｒｔ ＋ Ｒｑ 十Ｒ８＋Ｒ，）が太きいときには、
磁気抵抗効果素子３に、流入する磁束量は少な（１゜ 磁気抵抗効果型ヘッドの再生効率を高めるためには、磁
気抵抗効果素子３に流入する磁束量を多くして磁束利用
率を高める必要があり、このためには、（ｆＬｔ ＋Ｒ
１＋ ＲＯ＋Ｒｓ ）を小さくする必要がある。しかし
ながら、リアフラックスガイド７が設けられていない場
合、磁気抵抗効果素子３を通った磁束が基板２′を通る
磁路の断面積は小さく、また、この磁路は非常に長いか
ら、第５図（ａ）の磁気抵抗Ｒ３は非常に大きく、磁気
抵抗効果素子３の磁束利用率は低いものとなっている。
このように、磁気抵抗効果素子３の磁束利用率を高める
ためＫは、Ｒ３を充分小さくすることが必要であるが、
この鳥を実効的に小さくする方法としては、鳥に並列に
磁気抵抗を設ける方法が有効である。第４図のリアフラ
ックスガイド７はこの方法を具体化するために設けられ
たものであって、このリアフラックスガイド７を設ける
ことにより、第５図（ｂ）に示すように、リアフラック
スガイド７の磁気抵抗Ｒ７゛′とリアフラックスガイド
７、磁気抵抗効果素子３間の磁気抵抗Ｒ１′とが抵抗Ｒ
，，に並列に入り込み、（Ｒ２＋Ｒ，＋Ｒｏ＋Ｒｓ）が
実効的に減少する。このことは、磁気抵抗効果素子３か
ら流出した磁束が流れる基板２′中の磁路の断面積を大
きくするものであり、したがって、この磁路の磁気抵抗
が小さくなって磁気抵抗効果素子３に流れる磁束量が多
くなるのである。
ためＫは、Ｒ３を充分小さくすることが必要であるが、
この鳥を実効的に小さくする方法としては、鳥に並列に
磁気抵抗を設ける方法が有効である。第４図のリアフラ
ックスガイド７はこの方法を具体化するために設けられ
たものであって、このリアフラックスガイド７を設ける
ことにより、第５図（ｂ）に示すように、リアフラック
スガイド７の磁気抵抗Ｒ７゛′とリアフラックスガイド
７、磁気抵抗効果素子３間の磁気抵抗Ｒ１′とが抵抗Ｒ
，，に並列に入り込み、（Ｒ２＋Ｒ，＋Ｒｏ＋Ｒｓ）が
実効的に減少する。このことは、磁気抵抗効果素子３か
ら流出した磁束が流れる基板２′中の磁路の断面積を大
きくするものであり、したがって、この磁路の磁気抵抗
が小さくなって磁気抵抗効果素子３に流れる磁束量が多
くなるのである。
以下、本発明の実施例を図面について説明する。
第１図は本発明による磁気抵抗効果型ヘッドの一実施例
を示す要部断面図であって、 １１ 、１２は非磁性絶
縁薄膜、１３は導体薄膜、１４は摺動面であり、第２図
に対応する部分には同一符号をつけている。
を示す要部断面図であって、 １１ 、１２は非磁性絶
縁薄膜、１３は導体薄膜、１４は摺動面であり、第２図
に対応する部分には同一符号をつけている。
第１図において、摺動面１４が形成されたサファイヤか
らなる非磁性基板２′上に、摺動面１４側から順にフロ
ントフラックスガイド４、磁気抵抗効果素子３、リアフ
ラックスガイド７が設けられている。フロントフラック
スガイド４とリアフラックスガイド７は膜厚０．３μｍ
の高透磁率のパーマロイ薄膜であり、磁気抵抗効果素子
３は膜厚０．０４μｍのパーマロイ薄膜である。磁気抵
抗効果素子３には信号引出し線（図示せず）が接続され
ており、また、磁気抵抗効果素子３とフロントフラック
スガイド４、リアフラックスガイド７との間を充分電気
的に絶縁するために、Ｓｉｎ、からなる膜厚０．１μｍ
の非磁性絶縁薄膜１１が設けられている。
らなる非磁性基板２′上に、摺動面１４側から順にフロ
ントフラックスガイド４、磁気抵抗効果素子３、リアフ
ラックスガイド７が設けられている。フロントフラック
スガイド４とリアフラックスガイド７は膜厚０．３μｍ
の高透磁率のパーマロイ薄膜であり、磁気抵抗効果素子
３は膜厚０．０４μｍのパーマロイ薄膜である。磁気抵
抗効果素子３には信号引出し線（図示せず）が接続され
ており、また、磁気抵抗効果素子３とフロントフラック
スガイド４、リアフラックスガイド７との間を充分電気
的に絶縁するために、Ｓｉｎ、からなる膜厚０．１μｍ
の非磁性絶縁薄膜１１が設けられている。
フロントフラックスガイド４、リアフラックスガイド７
はＳｉｎ、からなる膜厚０．１μｍの非磁性絶縁薄膜１
２で覆われ、この非磁性絶縁薄膜１２上にＡＪからなる
膜厚２μｍの導体薄膜１３が設けられている。この導体
薄膜１３は、磁気抵抗効果素子３をバイアスするに必要
な磁界を発生するためのバイアス電流を流すためのもの
である。
はＳｉｎ、からなる膜厚０．１μｍの非磁性絶縁薄膜１
２で覆われ、この非磁性絶縁薄膜１２上にＡＪからなる
膜厚２μｍの導体薄膜１３が設けられている。この導体
薄膜１３は、磁気抵抗効果素子３をバイアスするに必要
な磁界を発生するためのバイアス電流を流すためのもの
である。
さらに、各薄膜を保護するために、保護層８が設けられ
ており、非磁性基板２′、保護層８、フロンドブラック
スガイド４、非磁性絶縁薄膜１１，１２の端部が成形加
工されて摺動面１４が形成されている。
ており、非磁性基板２′、保護層８、フロンドブラック
スガイド４、非磁性絶縁薄膜１１，１２の端部が成形加
工されて摺動面１４が形成されている。
第２図はこの実施例の再生出力の周波数依存性を上記従
来技術と対比して示した特性図であって。
来技術と対比して示した特性図であって。
Ａは従来技術の周波数特性、Ｂはこの実施例の周波数特
性であり、使用した磁気記録媒体は酸化物系の長手記録
用磁気テープである。
性であり、使用した磁気記録媒体は酸化物系の長手記録
用磁気テープである。
この実施例は、先に説明したように、非磁性基板１を用
いても、磁気抵抗効果素子２′の磁束利用率が高くて再
生効果が高く、第２図から明らかなように、従来の磁気
抵抗効果型ヘッドとほぼ同等の性能が得られることがわ
かる。なお、同図に示した周波数特性は、固定ヘッド型
ＤＡＴ仕様の周波数特性を満足するものである。
いても、磁気抵抗効果素子２′の磁束利用率が高くて再
生効果が高く、第２図から明らかなように、従来の磁気
抵抗効果型ヘッドとほぼ同等の性能が得られることがわ
かる。なお、同図に示した周波数特性は、固定ヘッド型
ＤＡＴ仕様の周波数特性を満足するものである。
次に、第１図に示した実施例の製造方法を第３図を用い
て説明する。なお、第３図において、第１図に対応する
部分には同一符号をつけている。
て説明する。なお、第３図において、第１図に対応する
部分には同一符号をつけている。
まず、サファイアの基板２′上に、ＤＣ対向スパッタリ
ング法により、０．０４μｍ厚のパーマロイ膜３′を形
成し、さらにその上に、真空蒸着法により、０．２μｍ
厚のＡ７薄膜１５′を形成する（第３図（ａ））。
ング法により、０．０４μｍ厚のパーマロイ膜３′を形
成し、さらにその上に、真空蒸着法により、０．２μｍ
厚のＡ７薄膜１５′を形成する（第３図（ａ））。
そして、通常のフォトエツチング法により、Ａ７薄膜１
５′トパーマロイ膜３′をパターニングし、磁気抵抗効
果素子３とこれに接続された信号引出し線１５とを形成
する（第３図（ｂ））。
５′トパーマロイ膜３′をパターニングし、磁気抵抗効
果素子３とこれに接続された信号引出し線１５とを形成
する（第３図（ｂ））。
次に、ＲＦスパッタリング法により、０．１μｍ厚のＳ
ｉｎ、の非磁性絶縁薄膜１１を形成しく第３図（Ｃ））
、さらに、ＤＣ対向スパッタリング法により。
ｉｎ、の非磁性絶縁薄膜１１を形成しく第３図（Ｃ））
、さらに、ＤＣ対向スパッタリング法により。
０．３μｍ厚のパーマロイ膜を形成した後、通常のフォ
トエツチング法により、これをパターニングしてフロン
トスラックスガイド４とリアフラックスガイド７とを同
時に形成する（第３図（ｄ））。
トエツチング法により、これをパターニングしてフロン
トスラックスガイド４とリアフラックスガイド７とを同
時に形成する（第３図（ｄ））。
次イで、ＥＬＦスパッタリング法により、０．５μｍ厚
の８１０．の非磁性絶縁薄膜１２を形成した後（第３図
（ｅ） ） 、導体薄膜１３を形成しく第３図（ｆ））
、さらに、保護層８（第１図）を形成して所定のヘッド
加工を行なう。これによって、第１図に示した磁気抵抗
効果型ヘッドが得られる。
の８１０．の非磁性絶縁薄膜１２を形成した後（第３図
（ｅ） ） 、導体薄膜１３を形成しく第３図（ｆ））
、さらに、保護層８（第１図）を形成して所定のヘッド
加工を行なう。これによって、第１図に示した磁気抵抗
効果型ヘッドが得られる。
基板２′ハ、単一の素材（サファイア）でもって形成さ
れており、このために、第６図で示した従来の磁気抵抗
効果型ヘッドのよウニ、−の素材をもって形成した後、
所定の形状に加工してさらに他の素材を設けて基板を形
成するという工程を必要とせず、基板２′の製造工程が
大幅に簡略化できる。
れており、このために、第６図で示した従来の磁気抵抗
効果型ヘッドのよウニ、−の素材をもって形成した後、
所定の形状に加工してさらに他の素材を設けて基板を形
成するという工程を必要とせず、基板２′の製造工程が
大幅に簡略化できる。
なお、具体的な数値、材料をもって実施例を説明したが
、本発明はこれらに限定されるものではないことはいう
までもない。
、本発明はこれらに限定されるものではないことはいう
までもない。
以上説明したように、本発明によれば、基板を単一の非
磁性素材でもって形成し、しかも、磁気抵抗効果素子の
磁束利用率を高めることができるから、該基板の製造工
程を簡略化できて製造精度も高まり、量産性に優れた高
い再生効率の磁気抵抗効果型ヘッドを提案することがで
きる。
磁性素材でもって形成し、しかも、磁気抵抗効果素子の
磁束利用率を高めることができるから、該基板の製造工
程を簡略化できて製造精度も高まり、量産性に優れた高
い再生効率の磁気抵抗効果型ヘッドを提案することがで
きる。
第１図は本発明による磁気抵抗効果型ヘッドの一実施例
を示す要部断面図、第２図はこの実施例の再生出力特性
を従来の磁気抵抗効果型ヘッドと対比して示した特性図
、第３図はこの実施例の製造方法の一具体例を示す工程
図、第４図は本発明による磁気抵抗効果型ヘッドの原理
図、第５図は第４図の閉磁路の等価回路図、第６図は従
来の磁気抵抗効果型ヘッドの一例を示す斜視図である。 ２′・・・・・・基板、３・・・・・・磁気抵抗効果素
子、４，７・・・・・・高透磁率磁性薄膜、１１ 、１
２・・・・・・非磁性絶縁薄膜、１４・・・・・・摺動
面。 ＝ 第１図 第２図 屈這牧（ＫＨｚ） 第３図 第４図
を示す要部断面図、第２図はこの実施例の再生出力特性
を従来の磁気抵抗効果型ヘッドと対比して示した特性図
、第３図はこの実施例の製造方法の一具体例を示す工程
図、第４図は本発明による磁気抵抗効果型ヘッドの原理
図、第５図は第４図の閉磁路の等価回路図、第６図は従
来の磁気抵抗効果型ヘッドの一例を示す斜視図である。 ２′・・・・・・基板、３・・・・・・磁気抵抗効果素
子、４，７・・・・・・高透磁率磁性薄膜、１１ 、１
２・・・・・・非磁性絶縁薄膜、１４・・・・・・摺動
面。 ＝ 第１図 第２図 屈這牧（ＫＨｚ） 第３図 第４図
Claims (1)
- 磁気記録媒体の摺動面が形成された非磁性基板上に該摺
動面側から順に第１の高透磁率磁性薄膜、磁気抵抗効果
素子、第２の高透磁率磁性薄膜を設けてなり、該第１の
高透磁率磁性薄膜の端部を該磁気記録媒体の摺動面と一
致させたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15278284A JPS6132215A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15278284A JPS6132215A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6132215A true JPS6132215A (ja) | 1986-02-14 |
Family
ID=15548027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15278284A Pending JPS6132215A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 磁気抵抗効果型ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6132215A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61178335A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-11 | Fujitsu Ltd | 紙葉類繰出し方式 |
| US5646804A (en) * | 1991-05-21 | 1997-07-08 | Philips Electronics North America Corporation | Thin film magnetic head having polymer on broken flux guide sections, method of producing and integrated structure incorporating same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5924427A (ja) * | 1982-07-31 | 1984-02-08 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
-
1984
- 1984-07-25 JP JP15278284A patent/JPS6132215A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5924427A (ja) * | 1982-07-31 | 1984-02-08 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61178335A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-11 | Fujitsu Ltd | 紙葉類繰出し方式 |
| JPH0321460B2 (ja) * | 1985-01-31 | 1991-03-22 | Fujitsu Ltd | |
| US5646804A (en) * | 1991-05-21 | 1997-07-08 | Philips Electronics North America Corporation | Thin film magnetic head having polymer on broken flux guide sections, method of producing and integrated structure incorporating same |
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