JP2510541B2 - 磁気デイスク用磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気デイスク用磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
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- JP2510541B2 JP2510541B2 JP61284328A JP28432886A JP2510541B2 JP 2510541 B2 JP2510541 B2 JP 2510541B2 JP 61284328 A JP61284328 A JP 61284328A JP 28432886 A JP28432886 A JP 28432886A JP 2510541 B2 JP2510541 B2 JP 2510541B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/012—Recording on, or reproducing or erasing from, magnetic disks
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/488—Disposition of heads
- G11B5/4886—Disposition of heads relative to rotating disc
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Moving Of Head For Track Selection And Changing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気デイスク装置およびフロツピー装置に
係り、特に、情報記録面を複数の磁気ヘツドで記録再生
する装置に好適な磁気ヘツドに関する。
係り、特に、情報記録面を複数の磁気ヘツドで記録再生
する装置に好適な磁気ヘツドに関する。
〔従来の技術〕 磁気抵抗効果膜（MR膜）を用いた磁気ヘツド（以下MR
ヘツドと略す）が磁気記憶装置の再生ヘツドとして用い
られつつある。MRヘツドは極薄の磁気抵抗効果膜（たと
えば、パーマロイ膜）が磁化されることによつて起こる
抵抗変化を用いるものである。このMR膜はその感度を高
めるために極薄の軟磁性膜（通常1000Å以下）が用いら
れている。従つて、強い磁界中に置かれるとMR膜が完全
に磁化し、MR膜の抵抗値は一定の値となる、いわゆる飽
和が発生する。このような状態では外部の磁界に対して
その抵抗値は変化せず、このようなMR膜を磁気記憶装置
に用いると記録媒体からの信号磁界に対してその抵抗値
は一定となり、忠実な信号再生が出来なくなる。
ヘツドと略す）が磁気記憶装置の再生ヘツドとして用い
られつつある。MRヘツドは極薄の磁気抵抗効果膜（たと
えば、パーマロイ膜）が磁化されることによつて起こる
抵抗変化を用いるものである。このMR膜はその感度を高
めるために極薄の軟磁性膜（通常1000Å以下）が用いら
れている。従つて、強い磁界中に置かれるとMR膜が完全
に磁化し、MR膜の抵抗値は一定の値となる、いわゆる飽
和が発生する。このような状態では外部の磁界に対して
その抵抗値は変化せず、このようなMR膜を磁気記憶装置
に用いると記録媒体からの信号磁界に対してその抵抗値
は一定となり、忠実な信号再生が出来なくなる。
一方、磁気記憶装置の中には記録媒体が円板上の磁気
デイスク装置やフロツピー装置があり、これらの装置は
円板の内周側の記録トラツクも外周側の記録トラツクも
同一の記録クロツク基準として情報を記録するため、外
周側は内周側よりも記録密度が低く、従つて強い磁化が
残つている。このような装置に用いるMRヘツドとして例
えば、特公昭59−35088号に記載されているような記録
ヘツドと一体化したもの、あるいは特開昭59−121617号
などが提案されている。しかし、これらの公知例では前
述した、記録円板上の外周側でのより強い信号磁界によ
るMR膜の飽和は何ら考慮されていなかつた。
デイスク装置やフロツピー装置があり、これらの装置は
円板の内周側の記録トラツクも外周側の記録トラツクも
同一の記録クロツク基準として情報を記録するため、外
周側は内周側よりも記録密度が低く、従つて強い磁化が
残つている。このような装置に用いるMRヘツドとして例
えば、特公昭59−35088号に記載されているような記録
ヘツドと一体化したもの、あるいは特開昭59−121617号
などが提案されている。しかし、これらの公知例では前
述した、記録円板上の外周側でのより強い信号磁界によ
るMR膜の飽和は何ら考慮されていなかつた。
本発明の目的は、デイスク一面当り複数個の記録再生
ヘツドを持ち、同心円状にデータ領域を分割する装置用
の磁気ヘツドとして好適なMRヘツドを提供することにあ
る。
ヘツドを持ち、同心円状にデータ領域を分割する装置用
の磁気ヘツドとして好適なMRヘツドを提供することにあ
る。
上記目的は、第２図の如く円板の同一面を記録再生す
る複数個（第２図は２個として記載）の磁気ヘツドに用
いられているMR膜を、外周側の磁気ヘツドのMR膜を内周
側の磁気ヘツドのMR膜よりも厚くすることで達成され
る。
る複数個（第２図は２個として記載）の磁気ヘツドに用
いられているMR膜を、外周側の磁気ヘツドのMR膜を内周
側の磁気ヘツドのMR膜よりも厚くすることで達成され
る。
MR素子を第３図に示す如く配置した時のMR素子の抵抗
率は式（１）の如く記述される。
率は式（１）の如く記述される。
ρ＝ρ０＋Δρ｛１−（By/Bs）２｝ …（１） ここで、 ρ0;固有抵抗率 Δρ；磁気抵抗率 Bs;MR膜の飽和磁束密度（容易軸はｘ方向） By;外部磁界によつて生じたMR膜の磁束密度のｙ方向成
分でBy＝μ（HEX−Hd）,Hd＝反磁界，μ；磁化率 従つて外部磁界に対するその抵抗変化は第４図の如く
上に凸な自乗曲線となり、外部磁界が大きい部分ではMR
膜内の反磁界が働き抵抗の変化は小さくなる。
分でBy＝μ（HEX−Hd）,Hd＝反磁界，μ；磁化率 従つて外部磁界に対するその抵抗変化は第４図の如く
上に凸な自乗曲線となり、外部磁界が大きい部分ではMR
膜内の反磁界が働き抵抗の変化は小さくなる。
MR素子の抵抗変化を外部磁界に対して線型に保つた
め、通常一定の直流磁界をあらかじめ印加しておく。こ
れをバイアス磁界Hbと呼び、その大きさは抵抗が変化す
る範囲の1/2程度が最も良い。
め、通常一定の直流磁界をあらかじめ印加しておく。こ
れをバイアス磁界Hbと呼び、その大きさは抵抗が変化す
る範囲の1/2程度が最も良い。
MR素子再生用磁気ヘツドとして用いる場合、その動作
範囲は抵抗変化の線型領域に入つていることが必要であ
る。デイスク装置（フロツピーも同じ）の外周側は前述
の如く強い記録磁化が残されている。この強い磁化を再
生する時、MR膜の厚みを厚くすれば式（１）のByがその
分だけ小さくでき、MR素子が飽和することを防ぐことが
可能となる。しかしながら、抵抗変化量を大きくする
（高感度とする）ためにはMR膜そのものの抵抗を上げる
必要があり、このためにはMR膜は薄くすることが望まし
い。
範囲は抵抗変化の線型領域に入つていることが必要であ
る。デイスク装置（フロツピーも同じ）の外周側は前述
の如く強い記録磁化が残されている。この強い磁化を再
生する時、MR膜の厚みを厚くすれば式（１）のByがその
分だけ小さくでき、MR素子が飽和することを防ぐことが
可能となる。しかしながら、抵抗変化量を大きくする
（高感度とする）ためにはMR膜そのものの抵抗を上げる
必要があり、このためにはMR膜は薄くすることが望まし
い。
本発明を直径14インチの磁気デイスク装置用の磁気ヘ
ツドに適用した実施例について第２図により説明する。
本実施例では第２図に示す如く、アイビーエム，ジヤー
ナルオブリサーチアンドデイベロツプメント（IBM J.Re
s.Develop.）Nob.1974,p495に記載されているような、
デイスク５の一面を１本のヘツドアーム10に搭載した２
ケの記録再生用20,30でデイスク一面５を内外周に分離
して記録再生を行う。ヘツド20が外周側の1/2のトラツ
ク（図示せず）を、ヘツド30が内周側の1/2のトラツク
をそれぞれ記録再生する。
ツドに適用した実施例について第２図により説明する。
本実施例では第２図に示す如く、アイビーエム，ジヤー
ナルオブリサーチアンドデイベロツプメント（IBM J.Re
s.Develop.）Nob.1974,p495に記載されているような、
デイスク５の一面を１本のヘツドアーム10に搭載した２
ケの記録再生用20,30でデイスク一面５を内外周に分離
して記録再生を行う。ヘツド20が外周側の1/2のトラツ
ク（図示せず）を、ヘツド30が内周側の1/2のトラツク
をそれぞれ記録再生する。
この各々のヘツドは第１図に示す如く、基本構造は特
公昭59−35088号に示されているように、図（ａ）に示
すスライダ40の一端に磁気回路50とコイル60で構成され
る記録ヘツドと同図（ｂ）に一部を拡大して示すMR膜70
（厚さtMR）とバイアス膜80とで構成されたMR素子90を
シールド100ではさんだ再生用ヘツドで構成されてい
る。磁気回路50とシールド100とは一部を共用してい
る。本構造のヘツドは、特公昭59−35088号に記載され
ている方法と同じ方法で作製している。前述したバイア
ス膜80は厚さ0.15μｍ程度のチタン膜を通常の蒸着法に
よつて被着させ、シヤントバイアスMR素子を構成してい
る。ヘツドは保護膜110により保護されている。MR膜70
の厚さは、本発明を適用することでヘツド20と30で変え
てある。
公昭59−35088号に示されているように、図（ａ）に示
すスライダ40の一端に磁気回路50とコイル60で構成され
る記録ヘツドと同図（ｂ）に一部を拡大して示すMR膜70
（厚さtMR）とバイアス膜80とで構成されたMR素子90を
シールド100ではさんだ再生用ヘツドで構成されてい
る。磁気回路50とシールド100とは一部を共用してい
る。本構造のヘツドは、特公昭59−35088号に記載され
ている方法と同じ方法で作製している。前述したバイア
ス膜80は厚さ0.15μｍ程度のチタン膜を通常の蒸着法に
よつて被着させ、シヤントバイアスMR素子を構成してい
る。ヘツドは保護膜110により保護されている。MR膜70
の厚さは、本発明を適用することでヘツド20と30で変え
てある。
本実施例で使用した磁気デイスクの周波数特性を従来
の巻線型ヘツドを用いて測定した結果を第５図に示す。
同図は出力振幅のデイスク速度の違いは補正してある。
デイスク中央周は内側の磁気ヘツドが再生する最も外側
のトラツクに相当する。この磁気デイスクを変調方式MF
M（Modified FM）で用いると各データに対応して同図の
矢印の密度での振幅が再生される。この時“1010"のデ
ータパターンが最も記録密度が低く、従つて最も強い磁
化が残つていることになる。デイスク中央周と最外周の
出力比がそのままデイスクの残留磁化の強度とみなせ
る。従つて外周側のヘツドは内周側よりも3.7dB（1.5
倍）強い磁界を受けることになる。このため本実施例で
は外周側ヘツドのMRの膜厚を内周側よりも1.5倍厚くし
た。具体的には内周側は320Å、外周側は480Åとして、
内周側ではMRヘツドの感度を向上させ、外周側では再生
波形の歪を防いだ。
の巻線型ヘツドを用いて測定した結果を第５図に示す。
同図は出力振幅のデイスク速度の違いは補正してある。
デイスク中央周は内側の磁気ヘツドが再生する最も外側
のトラツクに相当する。この磁気デイスクを変調方式MF
M（Modified FM）で用いると各データに対応して同図の
矢印の密度での振幅が再生される。この時“1010"のデ
ータパターンが最も記録密度が低く、従つて最も強い磁
化が残つていることになる。デイスク中央周と最外周の
出力比がそのままデイスクの残留磁化の強度とみなせ
る。従つて外周側のヘツドは内周側よりも3.7dB（1.5
倍）強い磁界を受けることになる。このため本実施例で
は外周側ヘツドのMRの膜厚を内周側よりも1.5倍厚くし
た。具体的には内周側は320Å、外周側は480Åとして、
内周側ではMRヘツドの感度を向上させ、外周側では再生
波形の歪を防いだ。
本実施例はヘツド１面を内外周２ケのヘツドで記録再
生する場合について述べたが３ケ以上で構成する場合に
ついても内周側のMR膜厚を薄く、外周側をより厚くすれ
ば良いことは明白である。
生する場合について述べたが３ケ以上で構成する場合に
ついても内周側のMR膜厚を薄く、外周側をより厚くすれ
ば良いことは明白である。
また、本発明を14″の磁気デイスクについて述べた
が、同様の記録再生方法をとるフロツピーデイスク装置
についても同じように考えることが出来内周側を薄く、
外周側を厚くすれば良いことは明らかである。
が、同様の記録再生方法をとるフロツピーデイスク装置
についても同じように考えることが出来内周側を薄く、
外周側を厚くすれば良いことは明らかである。
さらに、本実施例ではMRヘツドのバイアス法はシヤン
トバイアスとしたが、本発明の効果はバイアス法に依ら
ないことも明らかである。
トバイアスとしたが、本発明の効果はバイアス法に依ら
ないことも明らかである。
本発明によれば、記録密度が高まり弱い信号磁化が磁
気デイスク上に残つている内周側のMRヘツドMR膜厚を薄
くして高感度を保ち、比較的強い信号磁化が残つている
外周側は、MR膜厚を厚くすることで線型性を確保するこ
とが出来る。
気デイスク上に残つている内周側のMRヘツドMR膜厚を薄
くして高感度を保ち、比較的強い信号磁化が残つている
外周側は、MR膜厚を厚くすることで線型性を確保するこ
とが出来る。
第１図は本発明を実施するヘツドを示す断面図、第２図
は本発明を実施するヘツド系全体を示す斜視図、第３図
はMRヘツドの動作の説明図、第４図はMR素子の抵抗変化
を説明するための図、第５図は本発明の実施例に用いた
磁気デイスクの再生特性を示す図である。 ５……磁気デイスク、10……ヘツドアーム、20……外周
側磁気ヘツド、30……内周側磁気ヘツド、40……スライ
ダ、50……記録ヘツド磁気回路、60……記録ヘツドコイ
ル、70……MR膜、80……バイアス膜、90……MR素子、10
0……シールド、110……保護膜。
は本発明を実施するヘツド系全体を示す斜視図、第３図
はMRヘツドの動作の説明図、第４図はMR素子の抵抗変化
を説明するための図、第５図は本発明の実施例に用いた
磁気デイスクの再生特性を示す図である。 ５……磁気デイスク、10……ヘツドアーム、20……外周
側磁気ヘツド、30……内周側磁気ヘツド、40……スライ
ダ、50……記録ヘツド磁気回路、60……記録ヘツドコイ
ル、70……MR膜、80……バイアス膜、90……MR素子、10
0……シールド、110……保護膜。
Claims (1)
- 【請求項１】磁気デイスクの一面を複数個の記録再生ヘ
ツドで同心円状に分割して記録再生を行い、再生用ヘツ
ドとして磁気抵抗効果型磁気ヘツドを用いる磁気デイス
ク装置において、外周側を再生する磁気抵抗効果型磁気
ヘツドの磁気抵抗効果膜の厚みを内周側を再生する磁気
抵抗効果型磁気ヘツドの磁気抵抗効果膜の厚みよりも厚
くしたことを特徴とする磁気デイスク用磁気抵抗効果型
磁気ヘツド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61284328A JP2510541B2 (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | 磁気デイスク用磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| US07/127,162 US4807074A (en) | 1986-12-01 | 1987-12-01 | Magnetoresistive head for magnetic disk |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61284328A JP2510541B2 (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | 磁気デイスク用磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63140411A JPS63140411A (ja) | 1988-06-13 |
| JP2510541B2 true JP2510541B2 (ja) | 1996-06-26 |
Family
ID=17677136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61284328A Expired - Lifetime JP2510541B2 (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | 磁気デイスク用磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4807074A (ja) |
| JP (1) | JP2510541B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03228207A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-09 | Hitachi Metals Ltd | 浮上型磁気ヘッド |
| EP0452846B1 (en) * | 1990-04-16 | 1996-02-28 | Hitachi, Ltd. | Narrow track thin film magnetic head and fabrication method thereof |
| US5208715A (en) * | 1990-08-31 | 1993-05-04 | Seagate Technology, Inc. | Shield geometry for stabilizing magnetic domain structure in a magnetoresistive head |
| JP3106541B2 (ja) * | 1991-04-15 | 2000-11-06 | 日本電気株式会社 | 磁気ヘッド駆動回路 |
| MY107733A (en) * | 1991-05-21 | 1996-05-30 | Onstream Inc | Combined read/write magnetic head |
| JPH06251339A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びバイアス特性測定方法 |
| JPH06259714A (ja) * | 1993-03-09 | 1994-09-16 | Hitachi Ltd | 磁気ディスク装置 |
| US5412518A (en) * | 1993-12-16 | 1995-05-02 | International Business Machines Corporation | Individual MR transducer head/disk/channel adaptive bias current system |
| US5576908A (en) * | 1994-04-01 | 1996-11-19 | International Business Machines Corporation | Actuator and file level initialization of magnetoresistive transducers |
| US5774291A (en) * | 1996-03-28 | 1998-06-30 | International Business Machines Corporation | Voltage measurement circuit for a magnetoresistive head installed in a disk enclosure |
| US5764446A (en) * | 1996-05-01 | 1998-06-09 | International Business Machines Corporation | Magnetic head having an air bearing surface with short-resistant leads |
| US5767495A (en) * | 1996-07-29 | 1998-06-16 | Mag-Tek, Inc. | Reduced-power magnetic transducer system utilizing a magnetoresistive head |
| US6222702B1 (en) | 1997-08-15 | 2001-04-24 | Seagate Technology, Inc. | Magnetic read element shield having dimensions that minimize domain wall movement |
| US6195230B1 (en) * | 1998-04-27 | 2001-02-27 | Intel Corporation | Disk head assembly with multiple read and/or write transducers for improved performance |
| MY157029A (en) | 1999-03-31 | 2016-04-15 | Hoya Corp | Method of manufacturing glass substrate and information recording medium |
| US20040129914A1 (en) * | 2003-01-08 | 2004-07-08 | Leader Tek Precision Inc. | Ball valve |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5933554B2 (ja) * | 1982-08-19 | 1984-08-16 | 株式会社東芝 | 結晶成長装置 |
| US4547824A (en) * | 1982-12-17 | 1985-10-15 | International Business Machines Corporation | Dual biasing for integrated inductive MR head |
-
1986
- 1986-12-01 JP JP61284328A patent/JP2510541B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-12-01 US US07/127,162 patent/US4807074A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4807074A (en) | 1989-02-21 |
| JPS63140411A (ja) | 1988-06-13 |
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