JPH03245324A - 連続磁性薄膜媒体 - Google Patents

連続磁性薄膜媒体

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JPH03245324A
JPH03245324A JP4172290A JP4172290A JPH03245324A JP H03245324 A JPH03245324 A JP H03245324A JP 4172290 A JP4172290 A JP 4172290A JP 4172290 A JP4172290 A JP 4172290A JP H03245324 A JPH03245324 A JP H03245324A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
recording
layer
durability
magnetic
medium
Prior art date
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Pending
Application number
JP4172290A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayuki Kimura
昌行 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokin Corp
Original Assignee
Tokin Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokin Corp filed Critical Tokin Corp
Priority to JP4172290A priority Critical patent/JPH03245324A/ja
Publication of JPH03245324A publication Critical patent/JPH03245324A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ0発明の目的 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高分子フィルム上に垂直磁気記録層を形成し
て垂直磁気記録を行う、垂直磁気記録用の連続磁性薄膜
媒体に関するものである。
以下余白 〔従来の技術〕 近年、磁気記録の高密度化の要求に伴い、減磁界の影響
が少なく、飛躍的に記録密度の向上が期特出来る垂直磁
気記録方式の研究が盛んに行われている。
この垂直磁気記録方式の具体的な応用として、ハイビジ
ョンに代表される高画質映像の記録再生がある。このよ
うな高画質の映像を記録するためには大量の記録容量を
必要とし、従来の長手記録方式による磁気テープでは短
時間しか録音出来ない。このため高密度記録が行える垂
直磁気記録媒体の実用化が待たれている。
一方、最近では2″フロツピーデイスクに静止画を記録
し、テレビのモニターで再生することが出来るスチルビ
デオシステム(以下S■と省略する)がある。従来、長
手記録方式の2″フロツピーデイスクが市販されている
が、銀塩写真と比較して、静止画として満足出来る解像
度はまだ得られておらず、ここでも、より高画質の画像
を得るために、飛躍的に記録密度の向上が期特出来る垂
直磁気記録媒体が必要とされている。そこで磁性層が磁
性材料のみによって形成される、いわゆる連続磁性薄膜
型の垂直磁気記録媒体の検討が、このSVシステムにお
いて特に行われている。ここで、従来一般の垂直磁気記
録用の連続磁性薄膜媒体の断面図は第4図のごとく、高
分子フィルム11」二に垂直磁気記録用の磁性層12を
形成し、その表面に保護膜13を形成したもので、この
場合の磁性層12の膜厚をパラメータとした再生出力−
記録密度特性の関係は、第5図に磁性層膜厚0,2μm
記録密度特性14、磁性層膜厚0.3μm記録密度特性
15及び磁性層膜厚0.5μm記録密度特性16にそれ
ぞれ示すように磁性層12の膜厚が薄いほど、高密度記
録が可能となる。またS■システムで静止画として満足
出来る解像度が得られるような記録密度特性を得るには
、磁性層12の膜厚は0.2μm以下である必要がある
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、磁性層12の膜厚をパラメータとした再
生用カーパス数特性のいわゆるパスウェア耐久性の関係
について調べてみると、第6図に第4図の如き従来の連
続磁性薄膜媒体の磁性層12の膜厚0.2μm耐久特性
17、膜厚0.3μm耐久特性18、膜厚0.4μm耐
久特性19及び膜厚0.5μm耐久特性20にそれぞれ
示すように、高密度記録の可能な磁性層12の膜厚が0
.2μmの媒体では、S■システムに従来から長手方向
記録で用いられている市販媒体耐久特性21のもつ20
0万パスを越えるパスウェア耐久性は得られない。
このように高画質用のS Ifシステムに必要な高密度
記録を行うためには、磁性層12の厚さが0.2μm以
下でなければならず、又200万パス以I−の耐久性を
得るためには磁性層12の厚さが0.5μm程度必要で
あり、記録密度特性も耐久特性も十分な連続磁性薄膜媒
体の作製は不可能であった。
本発明は、このような問題を解決し、高密度記録が可能
で且つ充分な耐久性を持つ垂直磁気記録用の連続磁性薄
膜媒体を提供しようとするものである。
以F余白 口1発明の構成 〔課題を解決するための手段〕 本発明は、高分子フィルムにスパッタリング法により作
製される連続磁性薄膜媒体において、前記高分子フィル
ム上に非磁性層としてIr、 Os、 Cr、 Bi。
W、 Ru、 No、 Be、 Rhのいずれかの層を
厚さ0.2tt、m以上設け、その11に垂直磁気記録
層を形成することを特徴とした連続磁性薄膜媒体である
〔作用〕
垂直磁気記録媒体(以下垂直媒体と称す)において、パ
スウェア耐久性の確保のためには磁性層自身の強度の確
保が必要であることが木材らにより報告されている1″
。しかし垂直媒体の強度を上げるために磁性層を厚くす
ると、パスウェア耐久性は十分であるが、第5図に見ら
れるように高密度では再生出力が低下する。これは磁性
層が厚いために高密度域では飽和記録がなされず再生出
力の低下が起きたと考えられる。
そこで、磁性層は薄いままで、全体の膜厚を厚くし、強
度を高めるために、磁性層と高分子フィルムの間に非磁
性層を設けた。この非磁性層は椙料強度を示すヤング率
が磁性層(Co系合金)よりも大きな値を示すIr、 
Os、 Bi、 W、 Ru、 Mo、 Be、 Rh
とした。
このような対策により全体の膜厚を厚くし強度を持たせ
、パスウェア耐久性を確保し、また磁性層厚さを0.2
μmにすることにより、高記録密度が可能な垂直媒体の
作製が可能となる。
〔実施例〕
以下に、本発明による比較例及び実施例について実験し
た結果を、図を参照しながら詳しく説明する。本発明の
実施例は、第1図に示すように高分子フィルム上上に非
磁性層2を形成し、更にその土に垂直磁気記録用の磁性
層3を形成し、その表面に保護膜4を形成したものであ
る。以下実験の内容について順を追って説明する。
(比較例) 第4図に示した従来の垂直磁気記録用の連続磁性薄膜媒
体として、高分子フィルム11である厚さ30μmのポ
リイミドフィルム上に、マグネトロンスパッタリング法
により垂直磁気記録用の磁性層12であるCoCr (
Cr : 17wt%、Co:bal)の膜厚0.2μ
mを形成し、その上に保護膜13としてCを200人形
成した。
(実施例1) 第1図に示した本発明の垂直磁気記録用の連続磁性薄膜
媒体として、高分子フィルム1である厚さ30μmのポ
リイミドフィルム上に、マグネトロンスパッタ法により
非磁性層2であるMo (単体)の膜厚0.1μmを形
成し、更にその上に垂直磁気記録用の磁性層3としてC
oCr(Cr:17wt%、 Co:bal)の膜厚0
.2μmを形成し、その表面に保護膜4を200人形成
した。
(実施例2) 実施例1においてMoの膜厚を0.2μmとした。
(実施例3) 実施例1においてMOの膜厚を0.3μmとした。
(実施例4) 実施例1においてMOの膜厚を0.4μmとした。
(実施例5) 実施例]においてMoの膜厚を0.5μmとした。
以下余白 (実施例6) 実施例1においてMoの膜厚を0.6μmとした。
(実施例7) 実施例1においてMoをIrとした。
(実施例8) 実施例1においてMOをOsとした。
(実施例9) 実施例1においてMOをCrとした。
(実施例10) 実施例1においてMOをBiとした。
(実施例11) 実施例1においてMOをWとした。
(実施例12) 実施例1においてMOをRuとした。
(実施例13) 実施例1においてMOをBeとした。
(実施例14) 実施例1においてMOをRhとした。
実施例1〜6及び比較例における試料の、MOの非磁性
層2の膜厚をパラメータとするパスウェア耐久性の関係
を第2図に示す。これは市販のSV記録再生機を用い、
記録周波数10MHzで試験を行った。
第2図において比較例耐久特性5、実施例1耐久特性6
、実施例2耐久特性7及び実施例3〜6耐久特性8をそ
れぞれ比較すれば分かるように、M。
の非磁性層2が0.2μm及びそれ以上の試料である実
施例2〜6(実施例2耐久特性7及び実施例3〜6耐久
特性8)において、200万パス以上のパスウェア耐久
性が得られた。第3図は実施例7〜14の試料のパスウ
ェア耐久性において、出力が平坦部の80%以下になっ
た時のパス数を示したものである。どの非磁性層2にお
いても200万パス以上の耐久性が得られた。即ち上記
各々の非磁性層2の厚さ0.2μm以上を設け、その上
にCoCrの磁性層3を設けることにより、高密度記録
再生が可能で且つパスウェア耐久性の高い垂直磁気記録
用の連続磁性薄膜媒体が得られた。
尚本例では、磁性層3をCoCrとしたが、スパッタリ
ング法により形成される他の垂直磁気記録用の磁性層に
も、非磁性層の下地を形成することにより同様の効果が
あることは明らかであり、本実施例のみに制限されるも
のではない。
ハ1発明の効果 〔発明の効果〕 以上述べたように本発明によれば、高密度での記録再生
が可能で、且つパスウェア耐久性の高い垂直磁気記録用
の連続磁性薄膜媒体を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の実施例の連続磁性薄膜媒体の断面模
式図。 第2図は、本発明の実施例1〜6及び比較例のパスウェ
ア耐久性特性図。 第3図は、本発明の実施例7〜14のパスウェア耐久性
において、出力が平坦部の80%以下になった時のパス
数を示す図。 第4図は、従来(比較例)の連続磁性薄膜媒体の断面模
式図。 第5図は、従来の連続磁性薄膜媒体の磁性層膜0 厚をパラメータとした再生出力−記録密度特性図。 第6図は、従来の連続磁性薄膜媒体の磁性層膜厚をパラ
メータとしたパスウェア耐久性特性図である。 1・・・高分子フィルム、2・・・非磁性層、3・・磁
性層、4・・・保護膜、5・・・比較例耐久特性、6・
・・実施例]耐久特性、7・・・実施例2耐久特性、8
・・・実施例3〜6耐久特性、11・・・高分子フィル
ム、12・・・磁性層、13・・・保護膜、14・・・
磁性層膜厚0.2μm記録密度特性、15・・・磁性層
膜厚0.3μm記録密度特性、16・・・磁性層膜厚0
.5μm記録密度特性、17・・・膜厚0.2μm耐久
特性、18・・・膜厚0.3μm耐久特性、19・・・
膜厚0.4μm耐久特性、20・・・膜厚0.5μm耐
久特性、21・・・市販媒体耐久特性。 参考文献 1)Y、Motomura and K、Tagami
 IEEE Trans、Magn MAG−22(1
986)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、高分子フィルムにスパッタリング法により作製され
    る連続磁性薄膜媒体において、前記高分子フィルム上に
    非磁性層としてIr、Os、Cr、Bi、W、Ru、M
    o、Be、Rhのいずれかの層を厚さ0.2μm以上設
    け、その上に垂直磁気記録層を形成することを特徴とし
    た連続磁性薄膜媒体。
JP4172290A 1990-02-21 1990-02-21 連続磁性薄膜媒体 Pending JPH03245324A (ja)

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JP4172290A JPH03245324A (ja) 1990-02-21 1990-02-21 連続磁性薄膜媒体

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JP4172290A Pending JPH03245324A (ja) 1990-02-21 1990-02-21 連続磁性薄膜媒体

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JP (1) JPH03245324A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1293969B1 (en) * 2001-09-14 2006-06-14 Fuji Photo Film Co., Ltd. Magnetic recording medium

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1293969B1 (en) * 2001-09-14 2006-06-14 Fuji Photo Film Co., Ltd. Magnetic recording medium

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