JP2001266325A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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- JP2001266325A JP2001266325A JP2000075498A JP2000075498A JP2001266325A JP 2001266325 A JP2001266325 A JP 2001266325A JP 2000075498 A JP2000075498 A JP 2000075498A JP 2000075498 A JP2000075498 A JP 2000075498A JP 2001266325 A JP2001266325 A JP 2001266325A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録密度の高い信号（周波数の高い信号）に
対して高いＳ／Ｎ比が得られる垂直磁気記録層を成膜し
た垂直磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｎｂの４元系合金を
主成分とする最密六方晶構造（ｈｃｐ）からなり、且
つ、ｃ軸が膜面に対して略垂直方向を向いた垂直磁気記
録層を少なくとも非磁性基板上に成膜した垂直磁気記録
媒体において、前記垂直磁気記録層のＣｒの組成比を２
０ａｔ％（原子％）以下にすることで、該垂直磁気記録
層の飽和磁化Ｍｓが４００ｋＡ／ｍより大きい値となる
ことを特徴とする垂直磁気記録媒体を提供する。
対して高いＳ／Ｎ比が得られる垂直磁気記録層を成膜し
た垂直磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｎｂの４元系合金を
主成分とする最密六方晶構造（ｈｃｐ）からなり、且
つ、ｃ軸が膜面に対して略垂直方向を向いた垂直磁気記
録層を少なくとも非磁性基板上に成膜した垂直磁気記録
媒体において、前記垂直磁気記録層のＣｒの組成比を２
０ａｔ％（原子％）以下にすることで、該垂直磁気記録
層の飽和磁化Ｍｓが４００ｋＡ／ｍより大きい値となる
ことを特徴とする垂直磁気記録媒体を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ
−Ｎｂの４元系合金を成膜した垂直磁気記録層のＣｒの
組成比を２０ａｔ％（原子％）以下にすることで、該垂
直磁気記録層の飽和磁化Ｍｓが４００ｋＡ／ｍより大き
い値となる垂直磁気記録媒体に関するものである。
−Ｎｂの４元系合金を成膜した垂直磁気記録層のＣｒの
組成比を２０ａｔ％（原子％）以下にすることで、該垂
直磁気記録層の飽和磁化Ｍｓが４００ｋＡ／ｍより大き
い値となる垂直磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、磁気テープ，磁気カード，磁
気ディスクなどに適用されている垂直磁気記録媒体は、
テープ状又はカード状もしくは円盤状などの非磁性基板
に垂直磁気記録層を少なくとも膜付けして、この垂直磁
気記録層に映像，音声，ディジタルデータなどの情報信
号を略垂直に記録することで高密度記録ができるので注
目されており、近年活発に研究開発が行われている。こ
の種の垂直磁気記録層としては、Ｃｏ−Ｃｒ系合金薄膜
が、強い垂直磁気異方性を有し良好な磁気記録特性が得
られることから最も精力的に検討されている。上記した
Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜の結晶構造は最密六方晶構造（ｈｃ
ｐ）をとり、磁化容易軸であるｃ軸が薄膜面に対して略
垂直方向に配向することにより強い垂直磁気異方性が得
られる。
気ディスクなどに適用されている垂直磁気記録媒体は、
テープ状又はカード状もしくは円盤状などの非磁性基板
に垂直磁気記録層を少なくとも膜付けして、この垂直磁
気記録層に映像，音声，ディジタルデータなどの情報信
号を略垂直に記録することで高密度記録ができるので注
目されており、近年活発に研究開発が行われている。こ
の種の垂直磁気記録層としては、Ｃｏ−Ｃｒ系合金薄膜
が、強い垂直磁気異方性を有し良好な磁気記録特性が得
られることから最も精力的に検討されている。上記した
Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜の結晶構造は最密六方晶構造（ｈｃ
ｐ）をとり、磁化容易軸であるｃ軸が薄膜面に対して略
垂直方向に配向することにより強い垂直磁気異方性が得
られる。
【０００３】上記したＣｏ−Ｃｒ系合金薄膜として従来
いくつかの方法が提案されており、Ｃｏ−ＣｒにＴａ，
Ｚｒ，Ｎｂ，Ｐｔなどの第３元素を添加する方法が検討
されている。例えば、Ｃｏ−ＣｒにＰｔを１０ａｔ％以
上添加することにより高い保磁力Ｈｃが得られ、また、
Ｐｔ以外の上記した第３元素を添加した場合にはＰｔを
添加した時よりも保磁力Ｈｃが僅かに低いものの実用に
十分な高い保磁力Ｈｃが得られている。
いくつかの方法が提案されており、Ｃｏ−ＣｒにＴａ，
Ｚｒ，Ｎｂ，Ｐｔなどの第３元素を添加する方法が検討
されている。例えば、Ｃｏ−ＣｒにＰｔを１０ａｔ％以
上添加することにより高い保磁力Ｈｃが得られ、また、
Ｐｔ以外の上記した第３元素を添加した場合にはＰｔを
添加した時よりも保磁力Ｈｃが僅かに低いものの実用に
十分な高い保磁力Ｈｃが得られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、情報信号へ
のディジタル化の進展に伴って、垂直磁気記録層として
Ｃｏ−Ｃｒ系合金薄膜を成膜した垂直磁気記録媒体を用
いて情報信号を更により高密度に記録することが要求さ
れている。この場合、とくに、記録密度の高い信号（周
波数の高い信号）に対して周波数特性が良好で高いＳ／
Ｎ（Ｓｉｇａｌ／Ｎｏｉｓｅ）比が得られることが必要
であるものの、この必要要件を十分に満たすように成膜
したＣｏ−Ｃｒ系合金薄膜は現時点で見当たらず、研究
の課題になっている。
のディジタル化の進展に伴って、垂直磁気記録層として
Ｃｏ−Ｃｒ系合金薄膜を成膜した垂直磁気記録媒体を用
いて情報信号を更により高密度に記録することが要求さ
れている。この場合、とくに、記録密度の高い信号（周
波数の高い信号）に対して周波数特性が良好で高いＳ／
Ｎ（Ｓｉｇａｌ／Ｎｏｉｓｅ）比が得られることが必要
であるものの、この必要要件を十分に満たすように成膜
したＣｏ−Ｃｒ系合金薄膜は現時点で見当たらず、研究
の課題になっている。
【０００５】更に、従来の一例の方法において、Ｃｏ−
ＣｒにＰｔを１０ａｔ％以上添加する方法では、Ｐｔが
高価な材料であるため、必然的に垂直磁気記録媒体がコ
スト高になってしまう。また、Ｃｏ−ＣｒにＰｔ以外の
上記した第３元素を添加する方法では、垂直磁気記録層
を成膜する際に垂直磁気記録媒体の基板温度を４００°
Ｃ以上にする必要があり、耐熱性の高い非磁性基板材料
に制約されてしまうと共に、非磁性基板を加熱するため
に大電力を必要とし、加熱，冷却のための新たなプロセ
スを要するなどの問題点がある。
ＣｒにＰｔを１０ａｔ％以上添加する方法では、Ｐｔが
高価な材料であるため、必然的に垂直磁気記録媒体がコ
スト高になってしまう。また、Ｃｏ−ＣｒにＰｔ以外の
上記した第３元素を添加する方法では、垂直磁気記録層
を成膜する際に垂直磁気記録媒体の基板温度を４００°
Ｃ以上にする必要があり、耐熱性の高い非磁性基板材料
に制約されてしまうと共に、非磁性基板を加熱するため
に大電力を必要とし、加熱，冷却のための新たなプロセ
スを要するなどの問題点がある。
【０００６】そこで、記録密度の高い信号に対して高い
Ｓ／Ｎ比が得られ、更に、各元素材料も高価な材料を使
用せずに低コストで製作できる垂直磁気記録媒体が望ま
れている。
Ｓ／Ｎ比が得られ、更に、各元素材料も高価な材料を使
用せずに低コストで製作できる垂直磁気記録媒体が望ま
れている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題に鑑み
てなされたものであり、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｎｂの４元
系合金を主成分とする最密六方晶構造（ｈｃｐ）からな
り、且つ、ｃ軸が膜面に対して略垂直方向を向いた垂直
磁気記録層を少なくとも非磁性基板上に成膜した垂直磁
気記録媒体において、前記垂直磁気記録層のＣｒの組成
比を２０ａｔ％（原子％）以下にすることで、該垂直磁
気記録層の飽和磁化Ｍｓが４００ｋＡ／ｍより大きい値
となることを特徴とする垂直磁気記録媒体である。
てなされたものであり、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｎｂの４元
系合金を主成分とする最密六方晶構造（ｈｃｐ）からな
り、且つ、ｃ軸が膜面に対して略垂直方向を向いた垂直
磁気記録層を少なくとも非磁性基板上に成膜した垂直磁
気記録媒体において、前記垂直磁気記録層のＣｒの組成
比を２０ａｔ％（原子％）以下にすることで、該垂直磁
気記録層の飽和磁化Ｍｓが４００ｋＡ／ｍより大きい値
となることを特徴とする垂直磁気記録媒体である。
【０００８】また、上記発明の垂直磁気記録媒体は、前
記垂直磁気記録層のＴａ及びＮｂの組成比がそれぞれ
０．６ａｔ％〜２．０ａｔ％の範囲であることを特徴と
するものである。
記垂直磁気記録層のＴａ及びＮｂの組成比がそれぞれ
０．６ａｔ％〜２．０ａｔ％の範囲であることを特徴と
するものである。
【０００９】更に、上記発明の垂直磁気記録媒体は、前
記垂直磁気記録層の下に、Ｃｏ−Ｚｒ系アモルファス軟
磁性下地層を成膜し、且つ、前記Ｃｏ−Ｚｒ系アモルフ
ァス軟磁性下地層と前記非磁性基板との間に該Ｃｏ−Ｚ
ｒ系アモルファス軟磁性下地層の磁区をピンニングする
ための硬磁性ピンニング層を成膜したことを特徴とする
ものである。
記垂直磁気記録層の下に、Ｃｏ−Ｚｒ系アモルファス軟
磁性下地層を成膜し、且つ、前記Ｃｏ−Ｚｒ系アモルフ
ァス軟磁性下地層と前記非磁性基板との間に該Ｃｏ−Ｚ
ｒ系アモルファス軟磁性下地層の磁区をピンニングする
ための硬磁性ピンニング層を成膜したことを特徴とする
ものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に本発明に係る垂直磁気記録
媒体の一実施例を図１乃至図５を参照して詳細に説明す
る。
媒体の一実施例を図１乃至図５を参照して詳細に説明す
る。
【００１１】本発明に係る垂直磁気記録媒体は磁気テー
プ又は磁気カードもしくは磁気ディスクなどに適用され
るものであり、テープ状又はカード状もしくは円盤状な
どの非磁性基板上に、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｎｂの４元系
合金を主成分とする最密六方晶構造（ｈｃｐ）からな
り、且つ、ｃ軸が膜面に対して略垂直方向を向いた（ｃ
軸分散角Δθ50が７ｄｅｇ．以下）垂直磁気記録層を少
なくとも膜付けした垂直磁気記録媒体において、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｔａ−Ｎｂを成膜した垂直磁気記録層のＣｒの組
成比を２０ａｔ％（原子％）以下にすることで、垂直磁
気記録層の飽和磁化Ｍｓが４００ｋＡ／ｍより大きい値
となり、記録分解能が高くなり、且つ、記録密度の高い
信号（周波数の高い信号）に対して再生出力の低下が小
さく、高いＳ／Ｎ比が得られるものである。更に、上記
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｎｂを成膜した垂直磁気記録層のＴ
ａ及びＮｂの組成比をそれぞれ０．６ａｔ％〜２．０ａ
ｔ％の範囲にすることで、特に垂直磁気記録層の保磁力
Ｈｃが高くなり有効となるものである。
プ又は磁気カードもしくは磁気ディスクなどに適用され
るものであり、テープ状又はカード状もしくは円盤状な
どの非磁性基板上に、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｎｂの４元系
合金を主成分とする最密六方晶構造（ｈｃｐ）からな
り、且つ、ｃ軸が膜面に対して略垂直方向を向いた（ｃ
軸分散角Δθ50が７ｄｅｇ．以下）垂直磁気記録層を少
なくとも膜付けした垂直磁気記録媒体において、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｔａ−Ｎｂを成膜した垂直磁気記録層のＣｒの組
成比を２０ａｔ％（原子％）以下にすることで、垂直磁
気記録層の飽和磁化Ｍｓが４００ｋＡ／ｍより大きい値
となり、記録分解能が高くなり、且つ、記録密度の高い
信号（周波数の高い信号）に対して再生出力の低下が小
さく、高いＳ／Ｎ比が得られるものである。更に、上記
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｎｂを成膜した垂直磁気記録層のＴ
ａ及びＮｂの組成比をそれぞれ０．６ａｔ％〜２．０ａ
ｔ％の範囲にすることで、特に垂直磁気記録層の保磁力
Ｈｃが高くなり有効となるものである。
【００１２】＜実施例＞図１は本発明に係る垂直磁気記
録媒体の構造を示した図である。
録媒体の構造を示した図である。
【００１３】本発明に係る垂直磁気記録媒体を作製する
にあたって、非磁性基板に垂直磁気記録層を成膜する工
程は、全てマグネトロンスパッタ法で行った。
にあたって、非磁性基板に垂直磁気記録層を成膜する工
程は、全てマグネトロンスパッタ法で行った。
【００１４】この実施例では、非磁性基板として鏡面仕
上げの円盤状のガラス基板１を用いており、ガラス基板
１の基板温度を室温に設定した状態で、このガラス基板
１上にまずＣｏ８３−Ｓｍ１７膜（但し、数値はａｔ％
を示す）を１５０ｎｍ成膜して硬磁性ピンニング層２と
した。この硬磁性ピンニング層２は、下記するＣｏ−Ｚ
ｒ系アモルファス軟磁性下地層３の磁区をピンニングす
るものである。
上げの円盤状のガラス基板１を用いており、ガラス基板
１の基板温度を室温に設定した状態で、このガラス基板
１上にまずＣｏ８３−Ｓｍ１７膜（但し、数値はａｔ％
を示す）を１５０ｎｍ成膜して硬磁性ピンニング層２と
した。この硬磁性ピンニング層２は、下記するＣｏ−Ｚ
ｒ系アモルファス軟磁性下地層３の磁区をピンニングす
るものである。
【００１５】次に、上記と同様に基板温度を室温に設定
した状態で硬磁性ピンニング層２の上にＣｏ８８−Ｚｒ
７−Ｎｂ５膜（ａｔ％）を６００ｎｍ成膜してＣｏ−Ｚ
ｒ系アモルファス軟磁性下地層３とした。
した状態で硬磁性ピンニング層２の上にＣｏ８８−Ｚｒ
７−Ｎｂ５膜（ａｔ％）を６００ｎｍ成膜してＣｏ−Ｚ
ｒ系アモルファス軟磁性下地層３とした。
【００１６】この後、Ｃｏ−Ｚｒ系アモルファス軟磁性
下地層３の上に垂直磁気記録層４を直ちに成膜した。上
記垂直磁気記録層４は、基板温度を２５０°Ｃに設定し
た状態でＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｎｂの組成比（ａｔ％）を
種々変えて成膜したものを実験した。この際、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｔａ−Ｎｂを成膜した垂直磁気記録層４のＴａ及び
Ｎｂの各組成比をそれぞれ０．６ａｔ％〜２．０ａｔ％
の範囲に設定することで、垂直磁気記録層４の保磁力Ｈ
ｃが高くなった。
下地層３の上に垂直磁気記録層４を直ちに成膜した。上
記垂直磁気記録層４は、基板温度を２５０°Ｃに設定し
た状態でＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｎｂの組成比（ａｔ％）を
種々変えて成膜したものを実験した。この際、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｔａ−Ｎｂを成膜した垂直磁気記録層４のＴａ及び
Ｎｂの各組成比をそれぞれ０．６ａｔ％〜２．０ａｔ％
の範囲に設定することで、垂直磁気記録層４の保磁力Ｈ
ｃが高くなった。
【００１７】また、上記各成膜時にスパッタ装置内で
は、マグネトロンの磁石によって、約５０ Ｏｅの磁界
がガラス基板１の半径方向に加えられており、硬磁性ピ
ンニング層２とＣｏ−Ｚｒ系アモルファス軟磁性下地層
３の磁化及び磁化容易軸は半径方向に揃えられる。
は、マグネトロンの磁石によって、約５０ Ｏｅの磁界
がガラス基板１の半径方向に加えられており、硬磁性ピ
ンニング層２とＣｏ−Ｚｒ系アモルファス軟磁性下地層
３の磁化及び磁化容易軸は半径方向に揃えられる。
【００１８】更に、垂直磁気記録層４の上の表面にカー
ボンを５ｎｍ成膜して保護層５とした。
ボンを５ｎｍ成膜して保護層５とした。
【００１９】なお、本発明に係る垂直磁気記録媒体は非
磁性基板１上に垂直磁気記録層４を単層で成膜する場合
でも有効であるが、実施例で説明したように、ｃ軸を膜
面に垂直方向に向けやすくし、かつ記録再生感度を高め
るためにＣｏ−Ｚｒ系アモルファス軟磁性下地層３を設
けるとより有効である。更に、Ｃｏ−Ｚｒ系アモルファ
ス軟磁性下地層３の磁壁の発生を抑えて低ノイズ化、高
信号安定化のために非磁性基板１とＣｏ−Ｚｒ系アモル
ファス軟磁性下地層３との間に硬磁性ピンニング層２を
設けると更に有効である。
磁性基板１上に垂直磁気記録層４を単層で成膜する場合
でも有効であるが、実施例で説明したように、ｃ軸を膜
面に垂直方向に向けやすくし、かつ記録再生感度を高め
るためにＣｏ−Ｚｒ系アモルファス軟磁性下地層３を設
けるとより有効である。更に、Ｃｏ−Ｚｒ系アモルファ
ス軟磁性下地層３の磁壁の発生を抑えて低ノイズ化、高
信号安定化のために非磁性基板１とＣｏ−Ｚｒ系アモル
ファス軟磁性下地層３との間に硬磁性ピンニング層２を
設けると更に有効である。
【００２０】この際、垂直磁気記録層４の組成は、この
垂直磁気記録層４のみを成膜したモニタ用のサンプルに
対してＩＣＰ発光分光分析により測定し、垂直磁気記録
層４に対して膜面垂直方向の保磁力Ｈｃの測定はカー効
果を用いた。また、ｃ面格子間隔はＸ線回析による（０
０２）面からの信号のピーク値で、ｃ軸分散角は（００
２）面のロッキングカーブの半値幅Δθ50として評価し
た。
垂直磁気記録層４のみを成膜したモニタ用のサンプルに
対してＩＣＰ発光分光分析により測定し、垂直磁気記録
層４に対して膜面垂直方向の保磁力Ｈｃの測定はカー効
果を用いた。また、ｃ面格子間隔はＸ線回析による（０
０２）面からの信号のピーク値で、ｃ軸分散角は（００
２）面のロッキングカーブの半値幅Δθ50として評価し
た。
【００２１】また、情報信号を垂直磁気記録層４に記録
する際には、トラック幅１０μｍ，主磁極厚０．２μ
ｍ，コイルターン数２６のインダクティブ単磁極（ＳＰ
Ｔ）ヘッドを用いた。一方、垂直磁気記録層４に記録し
た情報信号を再生する際には、トラック幅２．３μｍ，
シールドギャップ０．３μｍの磁気抵抗型（ＭＲ）ヘッ
ドを用いた。そして、ガラス基板１を回転させて、記録
再生時のトラックの線速度が７ｍ／ｓｅｃ、ヘッド浮上
量は約３０ｎｍの条件下で測定した。また、Ｓ／Ｎ特性
は、レゾリュ−ション帯域幅３０ｋＨｚの条件で、帯域
２５ＭＨｚに亘って積分して求め、信号Ｓはｐ−ｐ（ｐ
ｅａｋ ｔｏ ｐｅａｋ）値、ノイズＮはヘッドアンロ
ード時のノイズを差し引いた実効値（ｒｍｓ値）とし
た。
する際には、トラック幅１０μｍ，主磁極厚０．２μ
ｍ，コイルターン数２６のインダクティブ単磁極（ＳＰ
Ｔ）ヘッドを用いた。一方、垂直磁気記録層４に記録し
た情報信号を再生する際には、トラック幅２．３μｍ，
シールドギャップ０．３μｍの磁気抵抗型（ＭＲ）ヘッ
ドを用いた。そして、ガラス基板１を回転させて、記録
再生時のトラックの線速度が７ｍ／ｓｅｃ、ヘッド浮上
量は約３０ｎｍの条件下で測定した。また、Ｓ／Ｎ特性
は、レゾリュ−ション帯域幅３０ｋＨｚの条件で、帯域
２５ＭＨｚに亘って積分して求め、信号Ｓはｐ−ｐ（ｐ
ｅａｋ ｔｏ ｐｅａｋ）値、ノイズＮはヘッドアンロ
ード時のノイズを差し引いた実効値（ｒｍｓ値）とし
た。
【００２２】次に、図２は本発明に係る垂直磁気記録媒
体において、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｎｂの４元系合金を成
膜した垂直磁気記録層の飽和磁化ＭｓのＣｒ組成依存性
を示した図である。図２において、横軸はＣｒ組成比
（ａｔ％）を示し、縦軸は飽和磁化Ｍｓ（ｋＡ／ｍ）を
示しており、図示から明らかなように、Ｃｒ組成比が減
少していくにつれて飽和磁化Ｍｓが増加する傾向にあ
り、とくに、２０ａｔ％以下のＣｒ含有量で飽和磁化Ｍ
ｓが４００ｋＡ／ｍより大きい値が得られることがわか
る。
体において、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｎｂの４元系合金を成
膜した垂直磁気記録層の飽和磁化ＭｓのＣｒ組成依存性
を示した図である。図２において、横軸はＣｒ組成比
（ａｔ％）を示し、縦軸は飽和磁化Ｍｓ（ｋＡ／ｍ）を
示しており、図示から明らかなように、Ｃｒ組成比が減
少していくにつれて飽和磁化Ｍｓが増加する傾向にあ
り、とくに、２０ａｔ％以下のＣｒ含有量で飽和磁化Ｍ
ｓが４００ｋＡ／ｍより大きい値が得られることがわか
る。
【００２３】次に、図３は本発明に係る垂直磁気記録媒
体において、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｎｂの４元系合金を成
膜した垂直磁気記録層の保磁力ＨｃのＣｒ組成依存性を
示した図である。図３において、横軸はＣｒ組成比（ａ
ｔ％）を示し、縦軸は保磁力Ｈｃ（ｋＡ／ｍ）を示して
おり、図示から明らかなように、Ｃｒ組成比が減少して
いくにつれて保磁力Ｈｃが増加する傾向にあり、とく
に、２０ａｔ％以下のＣｒ含有量で２４０ｋＡ／ｍを超
える高い保磁力Ｈｃが得られることがわかる。
体において、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｎｂの４元系合金を成
膜した垂直磁気記録層の保磁力ＨｃのＣｒ組成依存性を
示した図である。図３において、横軸はＣｒ組成比（ａ
ｔ％）を示し、縦軸は保磁力Ｈｃ（ｋＡ／ｍ）を示して
おり、図示から明らかなように、Ｃｒ組成比が減少して
いくにつれて保磁力Ｈｃが増加する傾向にあり、とく
に、２０ａｔ％以下のＣｒ含有量で２４０ｋＡ／ｍを超
える高い保磁力Ｈｃが得られることがわかる。
【００２４】次に、記録分解能を表す目安として、２ｋ
ｆｃ／ｍｍの低密度信号に対する６．７ｋｆｃ／ｍｍの
高密度信号出力比Ｒを各サンプルに対して求めた。図４
は本発明に係る垂直磁気記録媒体において、記録分解能
ＲのＣｒ含有量依存性を示した図である。図４におい
て、横軸はＣｒ組成比（ａｔ％）を示し、縦軸は記録分
解能Ｒ（％）を示しており、図示から明らかなように、
Ｃｒ組成比が減少していくにつれて記録分解能Ｒ（％）
が増加する傾向にあり、およそ２０ａｔ％以下のＣｒ含
有量で略６０％程度の高い記録分解能が得られることが
わかる。
ｆｃ／ｍｍの低密度信号に対する６．７ｋｆｃ／ｍｍの
高密度信号出力比Ｒを各サンプルに対して求めた。図４
は本発明に係る垂直磁気記録媒体において、記録分解能
ＲのＣｒ含有量依存性を示した図である。図４におい
て、横軸はＣｒ組成比（ａｔ％）を示し、縦軸は記録分
解能Ｒ（％）を示しており、図示から明らかなように、
Ｃｒ組成比が減少していくにつれて記録分解能Ｒ（％）
が増加する傾向にあり、およそ２０ａｔ％以下のＣｒ含
有量で略６０％程度の高い記録分解能が得られることが
わかる。
【００２５】次に図５は異なる記録密度に対するＳ／Ｎ
比のＣｒ組成依存性を示した図である。図５において、
横軸はＣｒ組成比（ａｔ％）を示し、縦軸はＳ／Ｎ比
（ｄＢ）を示しており、図示から明らかなように、例え
ば記録密度が低い２ｋｆｃ／ｍｍの場合は、Ｃｒ組成比
の多いところでＳ／Ｎ比が最大になるのに対し、記録密
度が４ｋｆｃ／ｍｍ，６．７ｋｆｃ／ｍｍと順に高くな
るほど、最大のＳ／Ｎ比が得られるＣｒ組成比は少ない
方へずれる。これは、上記した図４において、Ｃｒ含有
量の少ない２０ａｔ％以下の領域で高い分解能を示すこ
とと対応している。図５において、図中で最も高い記録
密度６．７ｋｆｃ／ｍｍの信号に対しては２０ａｔ％前
後のＣｒ組成比で最大のＳ／Ｎ比が得られているが、更
に高い記録密度に対しては更にＣｒ組成の少ないところ
（少なくとも図４で高分解能が得られている１７ａｔ％
まで）で高いＳ／Ｎ比が得られるといえる。
比のＣｒ組成依存性を示した図である。図５において、
横軸はＣｒ組成比（ａｔ％）を示し、縦軸はＳ／Ｎ比
（ｄＢ）を示しており、図示から明らかなように、例え
ば記録密度が低い２ｋｆｃ／ｍｍの場合は、Ｃｒ組成比
の多いところでＳ／Ｎ比が最大になるのに対し、記録密
度が４ｋｆｃ／ｍｍ，６．７ｋｆｃ／ｍｍと順に高くな
るほど、最大のＳ／Ｎ比が得られるＣｒ組成比は少ない
方へずれる。これは、上記した図４において、Ｃｒ含有
量の少ない２０ａｔ％以下の領域で高い分解能を示すこ
とと対応している。図５において、図中で最も高い記録
密度６．７ｋｆｃ／ｍｍの信号に対しては２０ａｔ％前
後のＣｒ組成比で最大のＳ／Ｎ比が得られているが、更
に高い記録密度に対しては更にＣｒ組成の少ないところ
（少なくとも図４で高分解能が得られている１７ａｔ％
まで）で高いＳ／Ｎ比が得られるといえる。
【００２６】尚、図２〜図５中に示した垂直磁気記録層
４の各サンプルは全てｃ軸分散角Δθ50が７ｄｅｇ．以
下であり、ｃ軸が膜面に対して略垂直方向であることを
確認した。
４の各サンプルは全てｃ軸分散角Δθ50が７ｄｅｇ．以
下であり、ｃ軸が膜面に対して略垂直方向であることを
確認した。
【００２７】以上詳述したように、本発明に係る垂直磁
気記録媒体によると、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｎｂの４元系
合金を成膜した垂直磁気記録層のＣｒ組成を２０ａｔ％
以下にすることで、垂直磁気記録層の飽和磁化Ｍｓが４
００ｋＡ／ｍより大きいきい値となり、記録分解能が高
くなって記録密度の高い信号（周波数の高い信号）に対
して高いＳ／Ｎ比が得られる。
気記録媒体によると、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｎｂの４元系
合金を成膜した垂直磁気記録層のＣｒ組成を２０ａｔ％
以下にすることで、垂直磁気記録層の飽和磁化Ｍｓが４
００ｋＡ／ｍより大きいきい値となり、記録分解能が高
くなって記録密度の高い信号（周波数の高い信号）に対
して高いＳ／Ｎ比が得られる。
【００２８】
【発明の効果】以上詳述した本発明に係る垂直磁気記録
媒体によると、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｎｂの４元系合金を
成膜した垂直磁気記録層のＣｒ組成を２０ａｔ％（原子
％）以下にすることで、垂直磁気記録層の飽和磁化Ｍｓ
が４００ｋＡ／ｍより大きい値となり、記録分解能が高
くなって記録密度の高い信号（周波数の高い信号）に対
して高いＳ／Ｎ比が得られ、更に、各元素材料も高価な
材料を使用していないので垂直磁気記録媒体を低コスト
で提供できるものである。
媒体によると、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｎｂの４元系合金を
成膜した垂直磁気記録層のＣｒ組成を２０ａｔ％（原子
％）以下にすることで、垂直磁気記録層の飽和磁化Ｍｓ
が４００ｋＡ／ｍより大きい値となり、記録分解能が高
くなって記録密度の高い信号（周波数の高い信号）に対
して高いＳ／Ｎ比が得られ、更に、各元素材料も高価な
材料を使用していないので垂直磁気記録媒体を低コスト
で提供できるものである。
【図１】本発明に係る垂直磁気記録媒体の構造を示した
図である。
図である。
【図２】本発明に係る垂直磁気記録媒体において、Ｃｏ
−Ｃｒ−Ｔａ−Ｎｂの４元系合金を成膜した垂直磁気記
録層の飽和磁化ＭｓのＣｒ組成依存性を示した図であ
る。
−Ｃｒ−Ｔａ−Ｎｂの４元系合金を成膜した垂直磁気記
録層の飽和磁化ＭｓのＣｒ組成依存性を示した図であ
る。
【図３】本発明に係る垂直磁気記録媒体において、Ｃｏ
−Ｃｒ−Ｔａ−Ｎｂの４元系合金を成膜した垂直磁気記
録層の保磁力ＨｃのＣｒ組成依存性を示した図である。
−Ｃｒ−Ｔａ−Ｎｂの４元系合金を成膜した垂直磁気記
録層の保磁力ＨｃのＣｒ組成依存性を示した図である。
【図４】本発明に係る垂直磁気記録媒体において、記録
分解能ＲのＣｒ含有量依存性を示した図である。
分解能ＲのＣｒ含有量依存性を示した図である。
【図５】異なる記録密度に対するＳ／Ｎ比のＣｒ組成依
存性を示した図である。
存性を示した図である。
１…非磁性基板（ガラス基板）、 ２…硬磁性ピンニング層、 ３…Ｃｏ−Ｚｒ系アモルファス軟磁性下地層、 ４…垂直磁気記録層、 ５…保護層。
Claims (3)
- 【請求項１】Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｎｂの４元系合金を主
成分とする最密六方晶構造（ｈｃｐ）からなり、且つ、
ｃ軸が膜面に対して略垂直方向を向いた垂直磁気記録層
を少なくとも非磁性基板上に成膜した垂直磁気記録媒体
において、 前記垂直磁気記録層のＣｒの組成比を２０ａｔ％（原子
％）以下にすることで、該垂直磁気記録層の飽和磁化Ｍ
ｓが４００ｋＡ／ｍより大きい値となることを特徴とす
る垂直磁気記録媒体。 - 【請求項２】前記垂直磁気記録層のＴａ及びＮｂの組成
比がそれぞれ０．６ａｔ％〜２．０ａｔ％の範囲である
ことを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項３】前記垂直磁気記録層の下に、Ｃｏ−Ｚｒ系
アモルファス軟磁性下地層を成膜し、且つ、前記Ｃｏ−
Ｚｒ系アモルファス軟磁性下地層と前記非磁性基板との
間に該Ｃｏ−Ｚｒ系アモルファス軟磁性下地層の磁区を
ピンニングするための硬磁性ピンニング層を成膜したこ
とを特徴とする請求項１又は請求項２記載の垂直磁気記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000075498A JP2001266325A (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000075498A JP2001266325A (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001266325A true JP2001266325A (ja) | 2001-09-28 |
Family
ID=18593383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000075498A Pending JP2001266325A (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001266325A (ja) |
-
2000
- 2000-03-17 JP JP2000075498A patent/JP2001266325A/ja active Pending
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