JPH07503337A - 軟磁性材料を用いた磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

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Description

【発明の詳細な説明】 軟磁性材料を用いた磁気記録媒体 発明の背景 発明の分野 本発明は磁気記録媒体に関し、より詳しくは、高透磁率材料を用いた多層水平記 録媒体に関する。

関連技術の説明 慣用的な記録媒体として、記録ディスク、テープ及び「フロッピ」ディスクがあ り、一般に多層構造をなしている。磁気記録媒体のベースは、１層以上の磁性材 料を機械的に支持する基板、一般には、亜燐酸ニッケルめっきアルミニウムディ スク、又は熱可塑性テープ又はフィルムである。最後に、磁気ヘッド又は腐食に よる磁性材料の磨耗を防止するため、保護層が設けられる。

データは、磁気ヘッド及び電流を用いて磁気層内に磁化ゾーンのパターンを形成 することにより記録媒体上に磁気的に記憶される。磁気層内の磁束反転により形 成されるゾーン境界がデータを表す。従って、記憶されるデータ量は、大部分が 、近接間隔を隔てた個々の磁束反転を支持する磁性材料の能力に基づいている。

磁性材料は、磁化容易軸の配向により特徴付けられる。この配向は、磁気層内の 磁気双極子の配向と関連するエネルギ密度を最小にする磁性材料の結晶構造内の 方向である。垂直記録媒体の場合には、磁化容易軸は磁性材料の層の表面に対し て垂直である。水平記録媒体の場合には、磁化容易軸は磁気層の表面に対して平 行である。慣用的なディスクドライブ（ディスク駆動装置）に現在使用されてい る水平記録媒体は、一般に、１インチ（約２５．４ｍｎ）当たり約４５．０００ 個の磁束変化（４５ｋｆｃｉ）のリニアビット密度を達成する。

垂直記録材料（媒体）はかなり高密度の記録を約束する。なぜならば、水平記録 媒体の層平面とは異なり、垂直記録媒体は、磁気記録層の表面に対して垂直な磁 化ゾーンのパターン内に、理論的により多くのデータをパックできるからである 。しかしながら、垂直記録材料を使用する磁気記録ディスクの商業的利益をもた らす開発が困難なため、水平記録材料が大きな商業的意味をもつものとなってい る。

適当な磁性材料の選択は、加えられる磁界Ｈにより形成される、この材料のヒス テリシスすなわちｒ　１３　ＨＪループに関連して補助される。例えば、磁性材 料に誘導された磁化の程度及び磁性材料内に記憶されたデータの対応する信号強 度は、磁気記録フィルムとして、大きな磁気モーメントをもつ材料を使用するこ とにより増大できる。従って所与の磁気記録ディスクでは、比較的大きな磁気モ ーメントをもつ磁性材料の比較的薄い層が、比較的小さな磁気モーメントをもつ 磁性材料の厚い層と同じ強さの信号を与える。大きな磁気モーメントの材料の使 用により実現できる他の利益は、より均一な磁界強度がヘッドにより検出される こと、及びよりシャープに形成される磁気転移により記録されるデータ密度が高 められることである。

磁気記録材料の方形性（ｓｑｕａｒｅｎｅｓｓ）　、及び磁気飽和に対する残留 磁化の比率は、付与された磁界がひとたび減少又は除去されたときに磁性材料中 に保有されている信号の潜在的大きさを間接的に評価する。

ＢＨ小ループ表される磁性材料の別の重要な特徴は、飽和保磁力Ｈｅである。

コバルト合金及びクロムと鉄との幾つかの酸化物等の磁性材料のように、飽和保 磁力Ｈｅが数百エルステッド（Ｏｅ）より大きい場合には、［ハード（ｈａｒｄ ）　（硬質）」であるとみなされる。これらの材料は、誘導磁化を保持し、材料 を磁気記録材料として適したものにする。幾つかのニッケルー鉄合金のような「 ソフト（ｓｏｆｔ）　」な磁性材料（即ち、軟磁性材料）については、飽和保磁 力Ｈｃは数エルステッド程度である。このような材料は、比較的弱い磁界で容易 に再磁化されるため、磁気ヘッドに有効に使用されている。飽和保磁力は、磁性 材料を減磁するのに必要な磁界を評価し、且つ漂遊磁界に出合うときの自発消去 を回避すると同時に比較的容易にデータを重ね書きできる大きさであるのが好ま しい。

製造方法も、磁気記録媒体の特性の評価に大きな役割を演じる。例えば、ディス クの組織化（ｔｅｘｔｕｒｉｚａｔｉｏｎ）のような基板の表面処理、及び磁気 層の蒸着（ｄ−ｅｐｏｓｉ　１ｉｏｎ）の方法及びパラメータは、磁気記録特性 を許容し且つ向上させる顕微鏡構造の開発にとってしばしば重要である。

高性能の磁気記録媒体（特に、垂直記録フィルムによる磁気記録媒体）及びこれ によりもたらされるであろう磁気信号処理装置のコスト低減を図ることへの要望 は、これらを開発する研究に駆り立てた。１つの研究領域は、垂直媒体の磁気記 録特性を向上させるための軟磁性材料を用いることに焦点を絞ったものである。

例えば米国特許第４．７１７．５９２号及び第４．６５７．８１９号は、ニー／ ケル−鉄　（ＮｉＦｅ）合金（例えばｒＰＥＲＭＡＬＬＯＹ」の商標で市販され ている）のような軟磁性材料からなるフィルムを用いた２フィルム垂直記録媒体 を開示している。前者の特許では、垂直配録層の蒸着前のフィルムからのガス発 生及びフィルムの熱劣化を抑制するため、異なる厚さの２つのＮｉＦｅ層を熱可 塑性フィルム基板の両面に蒸着する。後者の特許は、磁気異方性誘導信号変動（ ｍｇｎｅｔｉｃ　ａｎｉｏｓｔｒｏｐｙ−ｉｎｄｕｃｅｄ　ｓｉｇｎａｌｆｌｕ ｃｔｕａｔｉｏｎｓ）を低減するため、垂直記録層の下に設けるＮｉＦｅ層（３ ，０００〜１０、０００人）の配合調節を開示している。

米国特許第５．０４１．９２２号（以下、ｒ’　９２２号特許Ｊと呼ぶ）及び「 ゼロ再生間隔損失を有する高解像度フライング磁気ディスク記録装置（Ａ　Ｉｌ ｌｇｈ　ＲｅｓｏｌｕｔｉｏｎＦｌｙｉｎｇ　１ｍｇｎｅｔｉｃ　Ｄｉｓｋ　Ｒ ｅｃｏｒｄｉｎｇ　５ｙｓｔｅａ＋　ｗｉｔｈ　Ｚｅｒｏ　Ｒｅｐｒｏｄｕｃｅ 　Ｓｐａｃ奄獅■@Ｌｏｓｓ）Ｊ という題名の関連技術論文（１９９１年６月のＩＥ［！Ｅ国際磁気学会議）は、 「キーパ」として７００人のＮｉＦｅ層の使用を開示している。これらの刊行物 は、磁気層上に直接スパッタリングされたＮｉＦｅ層を備えた磁気記録媒体の一 形状を開示している。°９２２号特許では、１，０００エルステツドの無電解コ バルト−燐磁気フィルム上に設けられた７００人のＮｉＦｅ層が、物理的空間す なわち読取り工程時のヘッドと磁気記録媒体との間のエアギャップによる出力信 号の損失を有効に低減できることが報告されている。より詳しくは、間隔及び再 生ギャップ損失の低減は、ＮｉＦｅ層と磁気記録層との間に必要な直接接触によ ることが明白である。従って、直ぐ下の磁気フィルムに記憶されたデータからの 磁束は、上に設けられたＮｉＦｅ層によって保持すなわち「キーパ」される。い かなる磁束もヘッドにより検出されず、従っていかなる信号も読み取られない。

しかしながら、論文は、ヘッドにバイアスをかけると、ヘッドの下のＮｉＦｅ層 が飽和されることを述べている。この飽和が、これらの領域の透磁率を低下させ る。この結果、磁束が飽和Ｎ１ｃｅ領域を容易に透過し、且つ磁束誘導信号がＮ ｉＦｅ層の不飽和領域及びディスクとヘッドとの間の普通のエアギャップを通っ てヘッドに導かれ、この場合には合成信号が検出される。

これらの刊行物に記載されているように、慣用的な磁気記録媒体の構造を単に変 えるだけで１つの利益が得られる。すなわち、ソフトな磁気層を磁気記録層上に 直接蒸着し且つ飽和バイアス磁束（ｓａｔｕｒａｔｉｎｇ　ｂｉａｓ　ｆｌｕｘ ）を付与することにより、間隔及び再生ギャップ損失を充分に減少させて、実際 のヘッドフライング高さを低減させることなく又は小さなギャップをもつヘッド を必要とすることなくして大きなデータ密度を得ることができる。

磁気記録ディスクの、特に、高データ解像度の達成に関する商業的実用性は、デ ィスクに使用される磁気記録材料とヘッド及び他のディスク駆動電子部品との協 働を必要とする。解像度は、符号量干渉レベルを最小にすることに大きな影響を 受ける。

このため、ヘッドと磁性材料との間の相互作用の改善についての研究も、ヘッド の構造に焦点が合わされている。前述のように、磁気記録ディスクに対するヘッ ドの構造は、復唱信号（ｒｅａｄｂａｃｋ　ｓｉｇｎａｌ）の強さに強い影響を 与える。より詳しくは、フライングヘッドとディスクの表面との間の物理的分離 は、出力信号の損失に寄与する。例えば、「間隔損失」は、特定ビットから、分 離が増大するときにヘッドにより検出される出力信号への磁束の寄与を減少させ る。

ヘッドの構造自体は、前に記録されたデータを表す信号の成功裏の再生に重要な 役割を演じる。薄フィルム（ＴＦ）又はハードディスクドライブに使用される有 限磁極ヘッド（ｆｉｎｉｔｅ　ｐｏｌｅ　ｈｅａｄｓ）では、例えば、出力信号 の損失の一原因は有限磁極効果による。これらの効果は、ヘッドが特定の磁気転 移を読み取るべく該磁気転移を横切ってスィーブするときに役割を演じるように なる。この運動中、ヘッド磁極の縁部は、隣接する磁気転移からの信号を感知で き、読み取られることを意図した磁気転移すなわち［ビットＪからの信号と干渉 する。出力信号のこの損失は、磁気転移（ｍｇｎｅｔｉｃ　ｔｒａｎｓｉｔｉｏ ｎ）のサイズが減少するとき、すなわちデータ密度が低下するときに周期的に繰 り返される傾向を有する。従って、曲線は、減少する出力信号（データ密度は増 大）を表す滑らかな曲線ではなく、磁気転移の長さが磁極厚さくｐｏｌｅ　ｔｈ ｉｃｋｎｅｓｓ）の長さを近似する「ヘッドバンプ」を表す。有限磁極効果を低 減させるのに、例えばフィルタの付加のように、重要なディスクドライブ電子部 品を専用化するという高価な解決策が用いられている。

現在及び将来のディスクドライブにおけるＴＦヘッドの使用の増大及び高データ 密度への趨勢により、有限磁極効果による出力信号の損失は重大な問題を意味し ている。

ギャップ長さ効果すなわちギャップ「ゼロ」効果はまた、信号の重要な損失を引 き起こす。隣接するデータビットを表す２つの磁気転移の長さがヘッドの磁極間 のギャップ長さに近づくと、磁極は、各ビットを表す信号を有効に識別しないそ ればかりか、再生時に、１つのビットからの信号が、隣接するビットからの信号 を殆どキャンセルしてしまう。なぜならば、これらの信号の建設的及び破壊的位 相干渉の合成効果のためである。この結果、データ密度が増大するとき、これら の点で出力信号は事実上無くなりゼロとなり、ディスクドライブの誤り率の増大 に寄与する。

間隔損失及びギャップゼロ効果による損失は、高密度記録の達成に対する２つの 最大制限を代表する。上記議論により示唆されるように、磁気記録媒体自体の磁 気記録特性を改善することにより、信号品質の幾分かの改善をなし得るけれども 、優れた記録性能を得るための最大の可能性は間隔損失の低減にある。

磁気テープ記録性能に関する間隔損失の大きさは、次式すなわち、間隔損失＝５ ５ｄ／λで先ず説明される。ここで、ｄはヘッドと記録媒体との間の距離、λは 記録信号の波長である。この式は、フロッピディスク及び［［ハードディスク等 の他の磁気記録媒体についての間隔損失を予想するための基礎として使用されて いる。

発明の要約 本発明の広い目的は、優れた磁気記録特性をもつ磁気記録媒体を提供することに ある。

本発明によれば、上記目的は、基板と、該基板上に設けられる磁気記録層と、該 磁気記録層上に直接設けられる非磁気層と、該非磁気層上に設けられるソフトな 磁気層とを有する磁気記録媒体を提供することにより達成される。好ましい実施 例では、飽和バイアス磁束を付与すると、特定ビットに記憶されたデータ（該デ ータは、飽和バイアス磁束が付与されない場合には、閉経路の形態をなすビット 上のソフトな磁気材料（軟磁性材料）の層により保持されている）からの磁束線 が開き、ソフトな磁気材料の層に沿って且つヘッドに向かって「漏洩」する。

他の全てのビットからの磁束線はキーパされた状態に維持される。漏洩した磁束 は、ディスクとヘッドとの間の距離に比べて大きい距離でも、ヘッドとカップリ ングする。

本発明の長所は、慣用的な磁気記録媒体に比べて大きなデータ記憶容量をもつ磁 気記録媒体が得られることである。

本発明の他の長所は、慣用的な記録媒体から得られる信号強度に比べて改善され た信号強度をもつ磁気記録媒体が得られることである。

本発明の他の長所は、優れた信号対雑音特性をもつ磁気記録媒体が得られること である。

本発明の他の長所は、間隔損失の小さくできることである。

本発明の他の長所は、読取り及び書込み作動時の磁気記録ヘッドの効率を改善で きることである。

本発明の他の長所は、本発明の磁気記録媒体がビットパターンの非常に小さな位 相干渉を呈することである。

本発明の他の長所は、本発明の磁気記録媒体が、有限磁極効果及びギャップゼロ 効果により出力信号の小さな損失を呈することである。

本発明の他の長所は、本発明の磁気記録媒体が優れたビットシフト特性をもつこ とである。

本発明の池の長所は、ソフトな磁性材料の薄層を含む多層磁気記録媒体に相容性 の大きな付加層を設けることにより、磁気記録媒体の磁気記録特性を実質的に向 上させたことである。

本発明の他の長所は、ソフトな磁性材料と水平磁気記録媒体との間に薄い非磁気 層を介在させることにより、磁気記録媒体の磁気記録特性を実質的に向上させた ことである。

本発明の更に別の長所は、出力信号が、磁気記録媒体の粗さから生じるヘッドフ ライング高さの変動を殆ど感じないことである。

本発明は、種々の水平又は垂直記録材料、ソフトな磁性材料、非磁性材料及び基 板に実施できる。また、本発明の磁気記録媒体の製造には、慣用的な蒸着方法を 使用できる。更に、上記長所は、既存の製造技術及び設備を用いて、薄い低コス トの非磁気層を付加することにより達成される。

図面の簡単な説明 本発明は、添付図面を参照することにより良く理解されるであろう。尚、全図面 を通じて、同類部品には同一の参照番号が使用されている。

第１図は、従来技術において説明されているように、磁気記録層がソフトな磁気 層に直接接触している磁気記録媒体を示す断面図である。

第２図は、従来技術に従って製造され且つ試験された磁気記録媒体についての報 告された周波数応答を示すものである。

第３図は、従来技術の報告のように製造された磁気記録媒体についての観察され た周波数応答を示すものである。

第４図は、本発明による磁気記録媒体を示す断面図である。

第５図及び第６図は、慣用的な磁気記録媒体の周波数応答と本発明による磁気記 録媒体の周波数応答との比較を示すものである。

第７図は、慣用的な磁気記録媒体と本発明による磁気記録媒体についての間隔損 失関係を示すものである。

第８図は、慣用的な磁気記録媒体の騒音特性を示すものである。

第９図は、本発明による磁気記録媒体の騒音特性を示すものである。

第１０図は、慣用的な磁気記録媒体のビットシフト特性を示すものである。

第１１図は、本発明による磁気記録媒体のビットシフト特性を示すものである。

第１２図は、慣用的な磁気記録媒体の隔離パルスプロットを示すものである。

第１３図は、本発明による磁気記録媒体の隔離パルスプロットを示すものである 。

第１４図は、慣用的なＴＦヘッドと、慣用的な磁気記録媒体及び本発明による磁 気記録層上に設けられたソフトな磁気層を備えた磁気記録媒体との相互作用の研 究に使用した２次元コンピュータモデルを示す概略図である。

第１５Ａ図及び第１５Ｂ図は、ＴＦヘッドと慣用的な磁気記録媒体との間の磁気 交換カップリングを示す拡大図である。

第１６Ａ図及び第１６Ｂ図は、ＴＦヘッドと本発明による記録層上に設けられた ソフトな磁気層を備えた磁気記録媒体との間の磁気交換カップリングを示す拡大 図である。

第１７図は、慣用的な磁気記録媒体のＢＨ小ループ示すものである。

第１８図は、本発明による磁気記録媒体のＢＨ小ループ示すものである。

第１９図は、ソフトな磁気層が非磁気層及び磁気記録層の下に設けられた、本発 明による磁気記録媒体を示す断面図である。

第２０図は、ＴＦヘッドと、本発明による磁気記録層の下に設けられたソフトな 磁気層を備えた磁気記録媒体との相互作用の研究に使用した２次元コンピュータ モデルを示す概略図である。

第２１Ａ図及び第２１Ｂ図は、ＴＦヘッドと磁気記録層の下に設けられたソフト な磁気層を備えた本発明による磁気記録媒体との間の磁気交換カップリングを示 す拡大図である。

好ましい実施例の説明 ここに開示する実施例は、優れた磁気記録特性をもち且つ特に騒音及び強さに関 して優れた信号品質をつくることができる磁気記録媒体である。この結果、有効 な信号レベルを維持することにより高データ密度を達成できる。全体的信号品質 を改善するためのディスクドライブの高価な電子部品を用いる必要性も首尾よく 低減できる。また、本発明の磁気記録媒体は、進歩した電子部品と協働してデー タ記憶容量を大幅に増大できる。°９２２号特許は、第１図に示すように、基板 １２と、ソフトな磁気層Ｉ８に直接接触している磁気記録層Ｉ６とを備えた磁気 記録媒体（ここでは、「直接接触」構造ｌＯと呼ぶ）を開示している。報告され た構造は、高周波数での優れた信号強さを有し、且つ磁気記録層とソフトな磁気 層との間の直接接触による間隔損失及び再生ギャップ損失を低減している。関連 する技術論文から抜粋した第２図は、「直接接触」構造に飽和バイアスをかけた 磁気記録媒体の高データ密度での出力信号の報告された改善を示している。約７ ０Ｍｃｉにおいてギャップゼロが明瞭に表れている。

この構造に基づく磁気記録特性の改善は再生できるとは考えられない。第３図に 示すように、これらの結果を確認する１つの試みは、直接接触構造１０の場合に は、信号増幅は、慣用的な磁気記録媒体の信号増幅と比較して、低データ密度で は僅かに改善されるけれども、高データ密度では大幅に損なわれてしまうことを 示している。°９２２号特許及び技術論文において示唆されているように、バイ アスも信号増幅を改善することはない。

本発明は、ソフトな磁気層と磁気記録層との間に非磁気「遮断（ｂｒｅａｋ）Ｊ 層を介在させることにより、°９２２号特許に開示されたものを超える再生可能 な優れた磁気記録性能を獲得した。この構造は第４図に示されており、「遮断層 」構造３０と呼ぶことにする。より詳しくは、基板１２上に（及び好ましくは任 意の核層１４を介して）、磁気記録層１６が設けられており、磁気記録層１６と ソフトな磁気層１８との間には非磁気層２２が設けられている。ソフトな磁気層 １８上にはカーボンのような材料からなる保護層２ｏが設けられている。

第５図は、上方の曲線の遮断層構造３０と、下方の曲線の慣用的な磁気記録ディ スクとを比較するものである。上方の曲線は、全密度範囲に亘って下方の曲線と 比較した出力信号の実質的な利得（ゲイン）を示す。また、１　ｋｆｃｉ〜７０ ｋｆｃｉ又はこれ以上のデータ密度範囲に亘って、信号の有効利得が観察される 。以下に詳述するように、間隔損失及びギャップ長さが小さいため、高データ密 度でも使用可能な信号強度が得られる。

第６図の曲線は、狭いバンド幅に亘る高解像度での有限磁極効果の低減を示すも のである。上方の曲線（遮断層構造３０についての曲線）は滑らかであり且つ研 究した周波数範囲において大きなヘッドバンブは全く見られない。下方の曲線（ 慣用的な磁気記録媒体についての曲線）は、幾つかのへラドバンプ、及び２２ｋ ｆｃｉ、３５ｋｆｅｉ、４８ｋｆｃｉ及び６０ｋｆｃｉにおける出力信号の低下 を示している。

第７図は、全体的間隔損失の実質的な低減、すなわち、広範囲のヘッドフライン グ高さｄに亘って、遮断層構造３０を取り入れた磁気記録媒体により達成される 読取り間隔損失と書込み間隔損失との結合と、慣用的な磁気記録媒体との比較を 示すものである。信号は、２８．５マイクロインチの波長（λ）で記録された。

古典的なウォーレス間隔損失は、慣用媒体については１３３ｄ／λ、遮断層構造 ３０については７１ｄ／λであると測定された。これらの均等化（１３３対７１ ）の傾斜を比較すると、フライングヘッド高さの変化に対する信号悪魔がほぼ２ のファクタだけ低下していることを示している。感度のこの低下は、磁気記録デ ィスクを横切る表面粗さに変化があり且つこれに付随するフライング高さの変化 があっても、少なくとも充分な磁気記録性能が観察されることを意味している。

また、広範囲のフライング高さを横切って、慣用的な記録媒体の信号利得に比べ 、遮断層構造の信号利得力吠きいことが観察される。

第８図及び第９図は、それぞれ、遮断層構造３０から得られた信号対雑音比（Ｓ ＮＲ）及び慣用的な磁気記録ディスクから得られた信号対雑音比を質的に比較す るものである。両曲線を綿密に考察すると、遮断層構造３０を取り入れた磁気記 録媒体からは、出力信号の「床」より大きい雑音は殆ど検出されないことが明ら かになる（ここで、「床」は、使用測定機器により導入される信号中の雑音の大 きさにより定義される）。また、振幅は約１０ｄＢだけ大きく増大する。この結 果、各ビットからの有用信号の比率（ＳＮＲ）が増大する。

優れたピントシフトは、ヘッドと磁気記録媒体との間の優れた相互作用を示すも のである。第１Ｏ図及び第１Ｉ図は、それぞれ、慣用的な磁気記録媒体から得ら れたビットシフトデータ及び本発明の磁気記録媒体から得られた改善されたビッ トシフトデータを示すものである。より詳しくは、両曲線の比較により、遮断層 構造３０を取り入れた磁気記録媒体では、１０”ビット中の１ビツトのソフトな 誤り率であり、この誤り率では、５０ｋｆｃｉのデータ密度でも１０ナノ秒（ｎ ｓｅｃ）のビットシフトを維持できる。慣用的な磁気記録媒体では、このような データ密度で、ビットシフトがかなり大きな１３．３ｎｓｅｃまで増大する。

第１２図及び第１３図は、それぞれ、慣用的な磁気記録媒体及び遮断層構造３０ からの隔離信号パルスの最大高さの５０％でのパルス幅（ＰＷ５０）を示すもの である。第１２図では、ＰＷ５０は約７２ｎｓｅｃである。信号の「肩部」には 、幾つかの非対称性、ヘッドバンプ、及び［小刻み波動（ｗｉｇｇｌｅ）Ｊのよ うな他の雑音が表れている。対照的に、遮断層構造３ｏでは、非常に狭く且つき れいな信号が観察される。ＰＷ５０は約５５ナノ秒に減少し、信号にはへラドバ ンプ及び非対称性のいずれも示されず且つウィングには事実上雑音は全く見られ ない。

これらの累積結果から、遮断層構造３０では、約２のファクタだけデータ密度が 増大するという予期せぬ事実が判明した。

磁気記録特性において観察された改善点は、磁気記録層とソフトな磁気層との間 に遮断層を介在させることにより得られる、磁気交換カップリング効果を妨げる ことによるものである。より詳しくは、遮断層が、ソフトな磁気層と磁気記録層 との間の磁気交換カップリングを妨げ、ソフトな磁気層及び磁気記録層が、ヘッ ドのバイアス電流により誘導された磁束に対して別々に反応できることによると 思われる。

第１４図は、ソフトな磁気層Ｍ及び磁気記録層上に設けられた遮断層を備え且つ ビット４９を読み取るべく慣用的なＴＦヘッド４ｏにより走査される媒体にバイ アス電流を付与するときに生じる間隔損失の低減を研究するのに使用される２次 元コンピュータモデルを概略的に示すものである。間隔損失は、所与のビットか ら、僅かな（約１ｍＡ）ＤＣバイアス電流■、を付与したときの概略的に示すヘ ッドコア４５の存在及び作動を表す等価磁気抵抗を通る磁束のカップリングの変 化により質的に表示される。生じる信号は、電圧■、として検出できる。該モデ ルの他のパラメータは次の通りである。すなわち、５マイクロインチのヘッドフ ライング高さｄをもつ０．４４ミクロンのギャップで分離されたヘッド４ｏの磁 極４２Ａ、４２Ｂである。

第１５Ａ図及び第１５Ｂ図は、再生又は読取り作動中の、ＴＦヘッド４ｏと慣用 的な磁気記録媒体との相互作用を拡大して示すものである。周囲のビット５ｏ、 ５２からの磁束線４４．４６．４８は、ヘッドの磁極４２Ａ、４２Ｂと、該磁極 ４２Ａ、４２Ｂを相互連結するヘッドコア４５の等価磁気抵抗を通ってカップリ ングしているこれらのビットからの磁束とにカップリングしている。他の磁束線 ５４．５６は、隣接するビット５０．５２（これらも等価磁気抵抗を通ってカッ プリングしている）から出ている。この結果、ヘッドにより検出される出力信号 は１つ以上のビットからの磁束の成果である。

第１６Ａ図及び第１６Ｂ図は、ヘッド４０と遮断層構造３ｏを取り入れた磁気記 録媒体との相互作用を拡大して示すものである。磁気記録媒体は、基板と、７７ ５人の磁気記録層と、１００人のカーボン遮断層と、７００人のキーパ層と、２ ５０人のカーボン保護層とからなる。ヘッド４０からの飽和バイアス磁束を付与 すると、磁束線５６．５８（これらの磁束線は、飽和バイアス磁束を付与しない ときには、ビット４９上のキーパ層により保持されている）は、キーパ層に沿っ てヘッドに向かって「漏洩」する。磁束線５７．５９により示すように、他の全 てのビットからの磁束は、キーパされた状態に維持される。ヘッド４０と媒体と の間の距離に比べてキーパ層に沿う距離力吠きくでも、本質的に全ての漏洩磁束 が、磁極を連結する等価磁気抵抗を通ってヘッドと磁気的にカップリングする。

ヘッドにより検出された磁束のみが、読み取られるべき特定ビットからの磁束で あるので、この磁束はより効率的にカップリングされ、ヘッド効率が改善される 。

この改善された効率は、観察した改善された磁気記録特性において明らかに表れ ている。

これらの磁気記録媒体の磁気特性の質的比較により、磁気交換カップリングの理 論が支持される。第１７図及び第１８図は、それぞれ、慣用的な水平磁気記録媒 体及び遮断層構造３０のＢＨ小ループある。第１７図は典型的な形状のループで あり、これは、付与された磁界内で極性のサイクルが変化する間中、媒体が円滑 に切り替わることを示している。第１８図のＢＨ小ループ形状は、際立った対照 をなしている。ＢＨ小ループ高さは異なっており、ＢＨ小ループ全高さくすなわ ち、Ｂ軸に沿う寸法）は、ソフトな磁気層及び磁気記録層のモーメントの合計に 基づいている。ＢＨ小ループ観察される不連続性すなわち「バンブＪは、ＮｉＦ ｅ層１８及び磁気層１６の磁化が独立的に切り替わることを示唆している。不連 続性が、ソフトな磁気層と磁気層との間の磁気交換カップリングの遮断を明示し ているといえる。バンブの位置は、遮断層構造を取り入れた磁気記録媒体におけ るソフトな磁気層及び磁気記録雑音の相対比率を表示している。

遮断層構造３０を取り入れた本発明の磁気記録媒体の製造には、慣用的な材料を 使用できる。一般に、基板１２は、ウィンチェスタ形ハードディスクドライブ技 術に使用される亜燐酸ニッケルめっきアルミニウムディスク（ｎｉｃｋｅｌ−ｐ ｈｏｓｐｈ−ｏｒｕｓ−ｐｌａｔｅｄ　ａｌｕｍｉｎｕｍ　ｄｉｓｋ）である。

ガラス、カーボン及びセラミック材料等の非金属基板も適している。後の蒸着層 の接着性を高めるため、ディスク表面は洗浄又は他の処理をしておく必要がある 。また、後で蒸着する磁気記録層の所望の結晶形態を促進させるための、組織化 又は研摩等の表面処理は知られたものである。或いは、基板１２は、慣用的な磁 気テープ記録媒体に適したテープ（例えばポリ塩化ビニリデン）又は慣用的なフ ロッピディスクへの使用に適したポリエチレンテレフタレート等の熱可塑性材料 からなるシートで形成できる。後の蒸着を行うため、後者の基板の製造に他の表 面処理を用いることができる。

磁気記録層１６は、従来技術において良（知られているように、水平記録材料及 び垂直記録材料として有効な種々の磁気組成のうちの任意の磁気組成から形成で きる。本発明による磁気記録ディスクについては、磁気記録層１６の厚さは２０ ０〜１．０００人の範囲（最も好ましくは、３００〜７００人の範囲）に定める ことができる。

多結晶質の磁気記録材料は、磁気記録層１６の下に核層１４を蒸着して、所望の 形態成長及び結晶成長を促進させ、これにより磁気記録層１６の磁気特性の向上 させる必要がある。例えば、コバルトクロム（ＣｏＣｒ）又はコバルトニッケル （ＣｏＮｉ）等のコバルト合金をベースとする多結晶質磁気記録材料の場合には 、ＣｏＣｒ又はＣｏＮ　ｉの磁気記録層１６に必要な所望の稠密六方（ｈｃｐ） 成長を確立するため、基板１２と磁気層１６との間に設けられるクロム（Ｃ「） の層１４が必要になる。本発明による磁気記録ディスクの場合には、核層の厚さ は約１００〜２００人の範囲が好ましく、最も好ましくは約２００〜１．０００ 人の範囲である。

非磁気層２２は、磁気記録層及びソフトな磁気層とは混和せず且つ隣接磁気記録 層の結晶構造を阻害することのない広範囲の種類の非磁気材料から形成できる。

このような材料の例として、クロム、モリブデン及びタングステン等の金属、カ ーボン、シリコン及びゲルマニウム等のメタロイド（非金属）、これらの元素の 合金、ガラス、アルミナ及び他の耐火材料、ｒＰＡＲＡＬＥＮＥ」の商標で販売 されているようなエラストマ材料、更にはラッカーのような材料がある。非磁気 遮断層材料の結晶形態は、その選択の考察が重要である。なぜならば、その形態 がエピタクシ従って後の蒸着層の磁気特性に影響を与えるからである。このこと から、ソフトな磁気層又は磁気記録層のいずれかに特定の結晶形態を発揮させる べく磁気記録層とソフトな磁気層との間に付加非磁気層を導入することは、本発 明の範囲内のことであると考える。

非磁気遮断層の厚さは、磁気記録層とソフトな磁気層との間の磁気交換カップリ ングを充分に妨げる厚さにすべきである。しかしながら、例えば書込み工程時に 付加的な間隔損失に寄与することによる磁束誘導信号との干渉を回避するには、 非磁気層の厚さは充分に薄くすべきである。従って、一般的には、この効果を達 成するには薄層のみを必要とし、その厚さは約１５〜３００人で充分であり、約 ２５〜１５０人の厚さが好ましい。しかしながら、成る場合には、磁気記録層と ソフトな磁気層との間の磁気交換カップリングを完全に防止するのに充分な単一 層の厚さにほぼ等しい厚さの薄層を使用できる。

ソフトな磁気層１８はドライブヘッド製造技術において良く知られた広範囲の種 類のソフトな磁気材料から形成でき、これらの磁気材料として、純粋なＮｉ、　 Ｆｅ又はＣｏ或いはＮｉＦｅ　（ｒＰＥＲＭＡＬＬＯＹＪの商標で販売されてい る）を含むこれらの合金、又はアルミニウムー鉄−シリコン（ＡＩＦｅＳｌ、ｒ ｓＥＮＤＵｓＴ」の商標で販売されている）、コバルト−ジルコニウム−ニオビ ウム（ＣｏＺｒＮｂ）及び他の合金がある。

ソフトな磁気材料は耐食性のあるものが理想的である。ソフトな磁気層として使 用するのに適した他の材料は、はぼゼロの磁歪を有するアモルファス合金又は多 結晶質材料である。

一般に、ソフトな磁気層の厚さは、磁気記録層に記録されたデータからの全ての 磁束を充分に保持すなわちキーパできる厚さにすべきである。この効果は、単一 のソフトな磁気層、又は薄い非磁気遮断層により分離される１つ以上のソフトな 磁気材料の幾つかの層からなる積層により達成される。必要とされる実際の厚さ は、ソフトな磁気層として使用される材料のモーメントの関数である。例えば、 本発明による磁気記録ディスクについては、ＮｉＦｅからなるソフトな磁気層１ ８を約７００〜ｌ、　２００人（最も好ましくは約７５０人）の範囲の厚さにす ることができる。ＣｏＺｒＮｂからなるソフトな磁気層１８については、ＣｏＺ ｒＮｂのモーメントがＮ１ｃｅのモーメントの約２倍であると予想して、約３５ ０人の厚さで充分である。

遮断層構造３０は、ソフトな磁気層Ｉ８が磁気記録層１６の上に配置されたもの が図示されているけれども、本発明の範囲内において逆の構造のものを考えるこ とができる。すなわち、第１９図に示すように、ソフトな磁気層１８を基板１２ 及び核層１４上に直接蒸着させ、この磁気層１８上に非磁気層２２を、次に磁気 記録層１６を蒸着させた遮断層構造６０を製造することもできる。

第２０図は、遮断層構造６０を取り入れた磁気記録媒体のための２次元コンピュ ータモデルを概略的に示すものである。ソフトな磁気層Ｍは、ビット４９．５０ ．５２が設けられた磁気記録層の下にある。非磁気遮断層２２は、磁気記録層か らソフトな磁気層を分離している。その他の点では、モデルのパラメータは、第 １４図に関連して説明したものと同じである。

このモデルは、このような媒体が、ソフトな磁気層が磁気記録層の上に設けられ た遮断層構造３０を取り入れた媒体に観察される磁束カップリング及びヘッド効 率に少なくとも匹敵する大きさの磁束カップリング及びヘッド効率の改善を達成 できるものと予測する。

第２１Ａ図及び第２１Ｂ図は、読取り作動中のＴＦヘッド４０と媒体との相互作 用を拡大して示すものである。バイアス電流をかけた場合を再び説明すると、磁 束線５６．５８（これらは、バイアス電流をかけない場合にはビット４９の下の キーパ層により保持されている）は、キーパ層に沿ってヘッドに向かって「漏洩 」する。池の全てのビット５０．５２からの磁束は、磁束線５７．５９により示 すようにキーパされた状態に維持される。前述のように、ヘッド効率は、単一転 移からの磁束の増大したカップリング又はヘッド磁極をもつビット４９により改 善される。

最後の層２０は、摩擦効果及び磁気信号処理装置内に存在するあらゆる蒸気によ る腐食効果から本発明による磁気記録媒体を保護する。従来技術において知られ ているように、保護外層２０は、ロジウムを含む金属、又はカーボン等の非金属 材料、及び無機非金属カーバイド、窒化物及び酸化物（例えばシリカ又はアルミ ナ）で形成することができる。磁気記録ディスクの場合には、厚さは約２００〜 ３５０人にでき、カーボンの厚さは約２２５〜３５０人が最も好ましい。

遮断層構造３０を備えた磁気記録媒体は、基板１２上への各層の連続蒸着により 製造される。好ましい構造は、４００人のＣ「下層１４と、５００人のコバルト −クロムータンタル（ＣｏＣｒＴａ）層１６と、２５人のカーボン遮断層２２と 、７００人のＮｌｃｅ層１Ｂと、３００人の保護カーボン層２０を使用する。別 の好ましい構造は、４００人のＣ「下層１４と、５００人のＣｏＣｒＴａ層１６ と、２５人のシリコン遮断層と、４００人のＣｏＺｒＮｂ層１８と、３００人の 保護カーボン層２０とを使用する。

種々の層の蒸着（堆積）は、例えばスパッタリング、めっき、蒸着又は他の薄フ イルム蒸着方法等の従来技術において良く知られた手段を単独又は組み合わせる ことにより達成される。所望の薄フィルムを蒸着するのに、例えば化学酸化、コ ーティング、スピニング、ベーキング又は重合等の、慣用的な磁気記録ディスク 製造方法に比べて新しい他の手段を用いることができ、特にこれらの方法は非金 属材料に適用できる。

ソフトな磁気層と磁気記録層との磁気的スイッチングの観察された不連続性の重 要性を認めるとき、本発明で説明する構造の達成において重要なファクタは、次 の非磁気層１８の蒸着まで、磁気記録層１６の一体性を維持することである。

スパッタリング装置では、フィルムの一体性は、次の層を蒸着するまで各層の酸 化及び汚染を最小にする装置内の真空環境により非常に容易に維持される。本発 明の媒体の多層構造は、本願において援用する係属中の米国特許出願箱０７７６ ８１、８６６号に記載されているようなインラインＤＣマグネトロンスパッタリ ング方法及び装置（高度に真空化された多チャンバスパッタリング装置内で層間 の一体性が容易に維持される）で製造された。製造される磁気記録媒体の磁気特 性を適合させるべく、他の蒸着パラメータを選択して厚さ及び形態等のフィルム 特性を最適化することができる。例えば、このようなスパッタリング方法では、 スパッタリングされたフィルムの磁気特性を高める形態的構造（ｍｏｒｐｈｏｌ ｏｇｉｃａｌｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）にとって、比較的低いスパッタリング圧力（ 約２ミクロンアルゴン）が有効である。

前述のように、読み取るべきビット領域のソフトな磁気層を飽和させるには、極 く僅かのバイアス電流を付与するだけでよい。付与される実際の電流は、使用さ れるＴＦヘッド、その効率、及び磁気記録媒体のソフトな磁気層の厚さに従って 変化する。しかしながら、飽和を達成するのに充分な大きさのバイアス電流のみ でよく、これは一般に約０．５〜１．５ｍＡの範囲である。この電流はＡＣ（交 流）又はＤＣ（直流）のいずれでもよいが、ＤＣの方が好ましい。

要約すれば、本発明の磁気記録媒体は、ソフトな磁気層と薄い磁気記録層との間 に介在される比較的薄い非磁気層を設けることにより磁気記録特性を改善する。

慣用的な磁気記録媒体で達成されるよりも実質的に高いデータ密度でも、全体的 信号強度及び品質を向上できる。本発明の新規な磁気記録媒体の製造には、広範 囲の慣用的な材料及び製造技術を使用できる。

ＩＯ’＝ζ ＦＩＧＵＲＥ　４ ○　ＫＰＣＩ　ｔｏ。

ヘッドバイアスｚ２．５ｍＡ （田９ρｉ！Ｊ、ｘ／：ｌｈ、： （日Ｐ）［−４田、−１”ｕ４＊ｍ 磁束変化と出力との関係 磁束変化（ｋｆｃｉ） 口　慣用的な磁気記録媒体 ＋遮断層構造 ＦＩＧＵＲＥ６ （日ρ）ｑ田Ａに・シト別計 周波数（ＭＨｚ　） ＦＩＧＵＲＥ８ 周波数（ＭＨｚ） ＦＩＧＵＲＥ　９ ＦＩＧＵＲＥｌｏ ＦＩＧＵＲＥ　／／ （△Ｗ）￥雷 （へ田）ｑ田 ＦＩＧＵＲＥ／４ ＦＩＧＵＲＥ　１５Ａ　（ＰＲＩＯＲＡＲＴ）ＦＩＧＵＲＥ　１５Ｂ　（ｐＲｔ ｏｐ　ｍｒ）ＦＩＧＵＲＥ　１６Ａ ＦＩＧＵＲＥ１６Ｂ Ｈ ＦＩＧＵＲＥ　／７　（ＰＲＩＯＲＡＲＴ）ＦＩＧＵＲＥｌＢ ＦＩＧＵＲＥ／９ ＦＩＧＵＲＥ　２０ ＦＩＧＵＲＥ２１Ａ ＦＩＧＵＲＥ２１Ｂ フロントページの続き （５１）　Ｉｎｔ、　Ｃ１，’　識別記号　庁内整理番号Ｃ２３Ｃ１４／３４　 Ｐ　８４１４−４ＫＧＬＩＢ　５１０２　Ａ　７４２６−５Ｄ５／８５　Ｃ７３ ０３−５Ｄ ＨＯＩ　Ｆ　１１００ １０１０８　８０１９−５Ｅ （７２）発明者　ホラース　デニス　アールアメリカ合衆国　カリフォルニア州 ９５０３０　ロス　ガスト　スカイヴイユーテラス　２３５５０ （７２）発明者　ズーベック　ロバート　ビーアメリカ合衆国　カリフォルニア 州 ９４０２４　ロス　アルトス　リサ　レーン（７２）発明者　リー　ヒュン　ジ ェイアメリカ合衆国　カリフォルニア州 ９５１３６　サン　ホセ　ワー　ワゴン　コート　５２ （７２）発明者　レイネン　フランク　アールアメリカ合衆国　カリフォルニア 州 ９５０１４　クーバーチイノ　レグナート　ロード　２１５７１ Ｉ （７２）発明者　ウォード　キース　エイアメリカ合衆国　カリフォルニア州 ９５１１８　サン　ホセ　ジョセフ　レーン（７２）発明者　クラット　モーリ ーン　ディーアメリカ合衆国　カリフォルニア州 ９５１３６　サン　ホセ　ヴアリー　フォージウェイ　３３９１ （７２）発明者　ホープ　ナンシー　エイアメリカ合衆国　カリフォルニア州 ９４０２５　メンロパーク　ヘンダーソン　アベニュー　１０１７ （７２）発明者　ハートマン　アルバート　エル　ダブリュアメリカ合衆国　カ リフォルニア州 ９４３０６　パロ　アルド　ベン　ロモンドドライブ　４０１３

Claims (27)

【特許請求の範囲】
1. １．ａ）基板と、 ｂ）薄い磁気記録層と、 ｃ）ソフトな磁気層と、 ｄ）磁気記録層とソフトな磁気層との間に介在された比較的薄い非磁気層とを有 することを特徴とする磁気記録媒体。
2. ２．前記磁気記録層の直ぐ下に位置する核層を更に有することを特徴とする請求 の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。
3. ３．ａ）ディスク基板と、 ｂ）該基板上に蒸着された薄い磁気記録層と、ｃ）該磁気記録層上に蒸着された 比較的薄い非磁気層と、ｄ）ソフトな磁気層とを有し、非磁気層が磁気記録層及 びソフトな磁気層と物理的に接触するように、ソフトな磁気層が非磁気層上に直 接蒸着されていることを特徴とする磁気記録媒体。
4. ４．ａ）周方向に組織化した表面を備えた亜燐酸ニッケルめっきアルミニウムデ ィスクと、 ｂ）前記表面上に直接蒸着された核層とを有し、該核層がクロムからなり、ｃ） 核層上に直接蒸着された薄い磁気記録層を有し、該磁気記録層が、ＣｏＮｉＣｒ 、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＮｉＰｔ及びＣｏＮｉＣｒＰｔからなる群 から選択されたコバルト合金からなり、 ｄ）磁気記録層上に直接蒸着された比較的薄い非磁気層を有し、該非磁気層がシ リコン、カーボン及びクロムからなる群から選択された材料からなり、ｅ）非磁 気層上に直接蒸着されたソフトな磁気層を有し、該ソフトな磁気層がＣｏＺｒＮ ｂ、ＡｌＦｅＳｉ及びＮｉＦｅからなる群から選択された材料からなり、ｆ）ソ フトな磁気層上に直接蒸着された保護層を更に有し、該保護層がカーボンからな ることを特徴とする磁気記録媒体。
5. ５．前記核層が約１００〜２，０００Åの間にあることを特徴とする請求の範囲 第４項に記載の磁気記録媒体。
6. ６．前記核層が約２００〜１，０００Åの間にあることを特徴とする請求の範囲 第５項に記載の磁気記録媒体。
7. ７．前記磁気記録層が約２００〜１，０００Åの間にあることを特徴とする請求 の範囲第４項に記載の磁気記録媒体。
8. ８．前記磁気記録媒体が約３００〜７００Åの間にあることを特徴とする請求の 範囲第７項に記載の磁気記録媒体。
9. ９．前記非磁気層が約１５〜３００Åの間にあることを特徴とする請求の範囲第 ４項に記載の磁気記録媒体。
10. １０．前記非磁気層が約２５〜１００Åの間にあることを特徴とする請求の範囲 第９項に記載の磁気記録媒体。
11. １１．前記ソフトな磁気層の厚さがキーパ層として作用するのに充分な厚さであ ることを特徴とする請求の範囲第４項に記載の磁気記録媒体。
12. １２．前記ソフトな磁気層が、約７００〜１，２００Åの間の厚さを有するＮｉ Ｆｅであることを特徴とする請求の範囲第１１項に記載の磁気記録媒体。
13. １３．前記ソフトな磁気層が、約７５０Åの厚さを有するＮｉＦｅであることを 特徴とする請求の範囲第１２項に記載の磁気記録媒体。
14. １４．前記ソフトな磁気層が、約２５０〜６００Åの間の厚さを有するＣｏＺｒ Ｎｂであることを特徴とする請求の範囲第４項に記載の磁気記録媒体。
15. １５．前記ソフトな磁気層が、約３５０Åの厚さを有するＣｏＺｒＮｂであるこ とを特徴とする請求の範囲第１４項に記載の磁気記録媒体。
16. １６．前記保護層が、約２００〜３５０Åの間にあることを特徴とする請求の範 囲第４項に記載の磁気記録媒体。
17. １７．前記保護層が、約２２５〜３５０Åの間にあることを特徴とする請求の範 囲第４項に記載の磁気記録媒体。
18. １８．ａ）基板を設け、 ｂ）該基板上に薄い磁気記録層を蒸着し、ｃ）該磁気記録層の一体性を維持し、 ｄ）磁気記録層上に比較的薄い非磁気層を直接蒸着し、ｅ）非磁気層上にソフト な磁気層を直接蒸着する工程を有し、非磁気層が磁気記録層及びソフトな磁気層 と物理的に接触していることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
19. １９．ａ）ディスク基板を設け、 ｂ）該ディスク基板上に薄い磁気記録層をスパッタリングし、ｃ）該磁気記録層 上に比較的薄い非磁気層を直接スパッタリングし、ｄ）該非磁気層上にソフトな 磁気層を直接スパッタリングする工程を有し、非磁気層が磁気記録層及びソフト な磁気層と物理的に接触していることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
20. ２０．ａ）亜燐酸ニッケルめっきアルミニウムディスク基板を設け、該基板が周 方向に組織化された表面を有し、 ｂ）該組織化された表面上に核層を直接スパッタリングし、ｃ）該核層上に薄い 磁気記録層を直接スパッタリングし、ｄ）該磁気記録層の一体性を維持し、 ｅ）磁気記録層上に比較的薄い非磁気層をスパッタリングし、ｆ）該非磁気層上 にソフトな磁気層をスパッタリングする工程を有し、非磁気層が磁気記録層とソ フトな磁気層との間に配置され且つこれらの両層と物理的に接触しており、 ｇ）ソフトな磁気層上に保護層をスパッタリングする工程を更に有することを特 徴とする磁気記録媒体の製造方法。
21. ２１．磁気記録媒体に付与されるバイアス磁束が信号伝達領域を形成する磁気記 録装置に使用する磁気記録媒体において、ａ）基板と、 ｂ）薄い磁気記録層と、 ｃ）該磁気記録層上に直接配置された比較的薄い非磁気層と、ｄ）該非磁気層上 に直接配置されたソフトな磁気層とを有し、該ソフトな磁気層が信号をキーパす るのに充分な厚さを有していることを特徴とする磁気記録媒体。
22. ２２．磁気記録媒体に付与されるバイアス磁束が信号伝達領域を形成する磁気記 録装置に使用する磁気記録媒体において、ａ）ディスク基板と、 ｂ）該基板上に直接配置された核層と、ｃ）該核層上に直接配置された薄い磁気 記録層と、ｄ）該磁気記録層上に直接配置された比較的薄い非磁気層と、ｅ）該 非磁気層上に直接配置されたソフトな磁気層とを有し、該ソフトな磁気層が信号 をキーパするのに充分な厚さを有し、ｄ）ソフトな磁気層上に直接配置された保 護層を更に有することを特徴とする磁気記録媒体。
23. ２３．前記非磁気遮断層が約２５〜３００Åの間の厚さを有することを特徴とす る請求の範囲第２１項に記載の磁気記録媒体。
24. ２４．前記非磁気遮断層が約２５〜１５０Åの間の厚さを有することを特徴とす る請求の範囲第２１項に記載の磁気記録媒体。
25. ２５．前記非磁気遮断層が、シリコン、カーボン、クロム、二酸化ケイ素及びア ルミナからなる群から選択された材料からなることを特徴とする請求の範囲第２ １項に記載の磁気記録媒体。
26. ２６．ａ）磁気信号を記憶し及び受けるための磁気的な高飽和性材料からなる薄 層と、ソフトな磁気材料の層と、これらの両層の間の比較的薄い非磁気層とを備 えた磁気記録媒体と、 ｂ）磁気トランスデューサとを有し、該磁気トランスデューサは、該磁気トラン スデューサが磁気記録媒体に磁気信号を記憶させ且つ磁気記録媒体から磁気信号 を受けるように磁気記録媒体に対して配置されており、ｃ）磁気記録媒体とヘッ ドとを相対移動させる手段と、ｄ）信号伝達をトランスデューサと磁気記録媒体 との間に指向させるべく、ソフトな磁気材料の層の領域を飽和させるトランスデ ューサ内にバイアス磁束を発生させる手段とを更に有することを特徴とする磁気 信号処理装置。
27. ２７．磁気信号を記憶し及び受けるための磁気トランスデューサ及び磁気信号が 伝達される隣接磁気記録媒体を用いて磁気信号を処理する方法において、ａ）磁 気的な高飽和性磁気記録層と、ソフトな磁気層と、これらの両層の間の比較的薄 い非磁気層とを備えた磁気記録媒体を設け、ｂ）磁気記録層の隣接領域内に記憶 されたデータからの磁束が磁気トランスデューサと磁気的にカップリングするよ うに、ソフトな磁気層の領域を飽和させるトランスデューサ内に磁気バイアス磁 束を発生させる工程を有することを特徴とする磁気信号処理方法。