JP2003263714A - 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 - Google Patents
磁気記録媒体及び磁気記憶装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は磁気記録媒体及び磁気記憶装置に関
し、分解能やＮＬＴＳを劣化させることなく熱安定性の
改善を行なうことが可能とすることを目的とする。 【解決手段】 飽和磁化Ｍｓ１及び膜厚ｔ１を有する第
１の磁性層と、第１の磁性層上に設けられた第１の非磁
性層と、第１の非磁性層上に設けられ飽和磁化Ｍｓ２及
び膜厚ｔ２を有する第２の磁性層と、第２の磁性層上に
設けられた第２の非磁性層と、第２の非磁性層上に設け
られ飽和磁化Ｍｓ３及び膜厚ｔ３を有する第３の磁性層
とを備え、外部磁界が印加されていない状態で、第１、
第２及び第３の磁性層の磁化が交互に反平行に結合して
おり、Ｍｓ２×ｔ２＜（Ｍｓ１×ｔ１+Ｍｓ３×ｔ３）
なる関係が成立するように構成する。
し、分解能やＮＬＴＳを劣化させることなく熱安定性の
改善を行なうことが可能とすることを目的とする。 【解決手段】 飽和磁化Ｍｓ１及び膜厚ｔ１を有する第
１の磁性層と、第１の磁性層上に設けられた第１の非磁
性層と、第１の非磁性層上に設けられ飽和磁化Ｍｓ２及
び膜厚ｔ２を有する第２の磁性層と、第２の磁性層上に
設けられた第２の非磁性層と、第２の非磁性層上に設け
られ飽和磁化Ｍｓ３及び膜厚ｔ３を有する第３の磁性層
とを備え、外部磁界が印加されていない状態で、第１、
第２及び第３の磁性層の磁化が交互に反平行に結合して
おり、Ｍｓ２×ｔ２＜（Ｍｓ１×ｔ１+Ｍｓ３×ｔ３）
なる関係が成立するように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体及び
磁気記憶装置に係り、特に高密度記録に適した磁気記録
媒体及び磁気記憶装置に関する。
磁気記憶装置に係り、特に高密度記録に適した磁気記録
媒体及び磁気記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置等の磁気記憶装置で使
用される水平磁気記録媒体の記録密度は、媒体ノイズの
低減及び磁気抵抗効果型ヘッドやスピンバルブヘッド等
の開発により著しく増大した。媒体技術に関して言え
ば、媒体ノイズの低減のためには、微細磁性粒子の集合
体である磁気記録媒体の粒子の更なる微細化や粒子間に
残存する磁気的結合力の低減が必須である。
用される水平磁気記録媒体の記録密度は、媒体ノイズの
低減及び磁気抵抗効果型ヘッドやスピンバルブヘッド等
の開発により著しく増大した。媒体技術に関して言え
ば、媒体ノイズの低減のためには、微細磁性粒子の集合
体である磁気記録媒体の粒子の更なる微細化や粒子間に
残存する磁気的結合力の低減が必須である。
【０００３】このような技術によって、記録媒体の粒子
が磁気的に孤立化するに従って、記録状態が時間経過と
共に乱される熱ゆらぎ現象が近年問題となっている。熱
ゆらぎ現象は、微細粒子の中に一軸的な磁化容易軸に本
来固着されているべき磁化方向が、熱によって乱され、
時に容易軸から外れることによって生じる。
が磁気的に孤立化するに従って、記録状態が時間経過と
共に乱される熱ゆらぎ現象が近年問題となっている。熱
ゆらぎ現象は、微細粒子の中に一軸的な磁化容易軸に本
来固着されているべき磁化方向が、熱によって乱され、
時に容易軸から外れることによって生じる。
【０００４】熱ゆらぎ現象を低減するためには、磁化容
易軸に沿って、磁化を固着するエネルギー（異方性エネ
ルギー）を増大させるか、或いは、体積エネルギーの増
大のために粒子を肥大化させる必要がある。しかしなが
ら、異方性エネルギーを増大すると、磁化を反転しにく
くなり、異方性エネルギーの増大の上限は、主にヘッド
の発生磁界によって制約を受ける。一方、粒子の体積を
増大させる方法は、媒体ノイズの増大につながるので望
ましくない。
易軸に沿って、磁化を固着するエネルギー（異方性エネ
ルギー）を増大させるか、或いは、体積エネルギーの増
大のために粒子を肥大化させる必要がある。しかしなが
ら、異方性エネルギーを増大すると、磁化を反転しにく
くなり、異方性エネルギーの増大の上限は、主にヘッド
の発生磁界によって制約を受ける。一方、粒子の体積を
増大させる方法は、媒体ノイズの増大につながるので望
ましくない。
【０００５】近年、熱ゆらぎ問題を回避するために、新
しい媒体技術が特開２００１−５６９２４号公報等にて
提案されている。この提案されている媒体技術では、２
つの磁性膜をＲｕ等の非磁性薄層で分断し、分断された
磁性層間を交換結合力で反結合させる。図1は、この提
案されている媒体技術で採用した磁気記録媒体の構造を
示す図である。同図中、Ｒｕ等からなる交換結合層１２
で分断された磁性層１１と磁性層１３は、交換結合力に
よって反平行の磁化結合を取る。磁性層１１，１３の磁
化量、即ち、飽和磁化と膜厚との積を、アンバランスに
することによって、リードヘッドは磁性層１３と磁性層
１１の差分の磁化量を記録磁化として検出する。差分の
磁化量は、等価的に記録層として機能する磁性層１３の
膜厚を薄くすることになるので、線記録密度を増大させ
ることができる。尚、同図中、１０は、基板上に下地層
が設けられた積層構造を示す。
しい媒体技術が特開２００１−５６９２４号公報等にて
提案されている。この提案されている媒体技術では、２
つの磁性膜をＲｕ等の非磁性薄層で分断し、分断された
磁性層間を交換結合力で反結合させる。図1は、この提
案されている媒体技術で採用した磁気記録媒体の構造を
示す図である。同図中、Ｒｕ等からなる交換結合層１２
で分断された磁性層１１と磁性層１３は、交換結合力に
よって反平行の磁化結合を取る。磁性層１１，１３の磁
化量、即ち、飽和磁化と膜厚との積を、アンバランスに
することによって、リードヘッドは磁性層１３と磁性層
１１の差分の磁化量を記録磁化として検出する。差分の
磁化量は、等価的に記録層として機能する磁性層１３の
膜厚を薄くすることになるので、線記録密度を増大させ
ることができる。尚、同図中、１０は、基板上に下地層
が設けられた積層構造を示す。
【０００６】尚、図１では、概念的に磁性粒１５をも示
している。同図に示すように、一個の磁性粒１５中で
は、交換結合層１２を介し、交換結合層１２の上方及び
下方で磁化が反結合している。上述の如く、リードヘッ
ドから見た場合、磁気記録媒体からの漏洩磁界量は、磁
性層１１と磁性層１３の相殺効果によって、実効膜厚ｔ
ｅ分しか検知されない。しかしながら、磁性粒１５の体
積は実際の膜厚ｔａ分のＶ１で定義されるため、実効的
には記録層が薄い磁気記録媒体であるにもかかわらず、
記録層の体積を増大できるため、熱ゆらぎ耐性の高い磁
気記録媒体を実現できる。
している。同図に示すように、一個の磁性粒１５中で
は、交換結合層１２を介し、交換結合層１２の上方及び
下方で磁化が反結合している。上述の如く、リードヘッ
ドから見た場合、磁気記録媒体からの漏洩磁界量は、磁
性層１１と磁性層１３の相殺効果によって、実効膜厚ｔ
ｅ分しか検知されない。しかしながら、磁性粒１５の体
積は実際の膜厚ｔａ分のＶ１で定義されるため、実効的
には記録層が薄い磁気記録媒体であるにもかかわらず、
記録層の体積を増大できるため、熱ゆらぎ耐性の高い磁
気記録媒体を実現できる。
【０００７】上記の如き交換結合を用いることで、熱耐
性の高い磁気記録媒体が実現でき、従来は超常磁性減少
によって４０Ｇｂ／ｉｎ２程度の記録密度が限界である
とされていた水平磁気記録の記録密度が、１００Ｇｂ／
ｉｎ２程度まで増大可能であることが実証されている。
性の高い磁気記録媒体が実現でき、従来は超常磁性減少
によって４０Ｇｂ／ｉｎ２程度の記録密度が限界である
とされていた水平磁気記録の記録密度が、１００Ｇｂ／
ｉｎ２程度まで増大可能であることが実証されている。
【０００８】しかしながら、交換結合を用いる磁気記録
媒体においては、実効膜厚ｔｅから予測されるよりも分
解能が低下したり、ノンリニヤビットシフトが大きくな
ったりすることが本発明者により確認された。以下に、
図２及び図３を用いて、交換結合を用いる磁気記録媒体
で発生する上記問題について説明する。
媒体においては、実効膜厚ｔｅから予測されるよりも分
解能が低下したり、ノンリニヤビットシフトが大きくな
ったりすることが本発明者により確認された。以下に、
図２及び図３を用いて、交換結合を用いる磁気記録媒体
で発生する上記問題について説明する。
【０００９】図２は、図１に示す磁気記録媒体における
ヒステリシスループを示す図である。図２中、縦軸は磁
化を任意単位で示し、横軸は保磁力を任意単位で示す。
又、ループに併置して、磁性層１１，１３の磁化方向を
示す。このループは、振動試料型磁力計等の、磁界の変
化に数十分を有する測定装置を用いて得られたものであ
る。図２からも分かるように、残留磁化状態である状態
ＳＴ１又は状態ＳＴ２においては、磁化は反結合してい
る。
ヒステリシスループを示す図である。図２中、縦軸は磁
化を任意単位で示し、横軸は保磁力を任意単位で示す。
又、ループに併置して、磁性層１１，１３の磁化方向を
示す。このループは、振動試料型磁力計等の、磁界の変
化に数十分を有する測定装置を用いて得られたものであ
る。図２からも分かるように、残留磁化状態である状態
ＳＴ１又は状態ＳＴ２においては、磁化は反結合してい
る。
【００１０】図３及び図４は、図１に示す磁気記録媒体
にビットが記録される状況を概念的に説明する図であ
る。図２に示すヒステリシスループを有する磁気記録媒
体では、磁性層１１に磁気異方性を有する材料を採用す
ることによって、磁気記録媒体全体の熱安定性のパラメ
ータとなるＫｕＶ／ｋＴ値を高め、より高い熱安定性を
得ることができる。ここで、Ｋｕは磁気異方性の定数、
Ｖは磁性粒子の平均体積、ｋはボルツマン定数、Ｔは温
度を示す。ＫｕＶ／ｋＴは、熱安定性係数とも呼ばれ
る。
にビットが記録される状況を概念的に説明する図であ
る。図２に示すヒステリシスループを有する磁気記録媒
体では、磁性層１１に磁気異方性を有する材料を採用す
ることによって、磁気記録媒体全体の熱安定性のパラメ
ータとなるＫｕＶ／ｋＴ値を高め、より高い熱安定性を
得ることができる。ここで、Ｋｕは磁気異方性の定数、
Ｖは磁性粒子の平均体積、ｋはボルツマン定数、Ｔは温
度を示す。ＫｕＶ／ｋＴは、熱安定性係数とも呼ばれ
る。
【００１１】一般に、磁気記録媒体の保磁力Ｈｃが高速
の交流磁界によって増大することは良く知られている。
このように増大する保磁力Ｈｃは、動的保磁力Ｈｃ’
（或いはダイナミックＨｃ）と呼ばれ、面内磁気記録媒
体のオーバーライト特性を特徴付けるものである。この
ような現象は、物理的に磁性層１１においても発生する
であろうことは容易に類推できる。
の交流磁界によって増大することは良く知られている。
このように増大する保磁力Ｈｃは、動的保磁力Ｈｃ’
（或いはダイナミックＨｃ）と呼ばれ、面内磁気記録媒
体のオーバーライト特性を特徴付けるものである。この
ような現象は、物理的に磁性層１１においても発生する
であろうことは容易に類推できる。
【００１２】図３及び図４は、ライトヘッドの書き込み
によって生じた磁化の状態を示す。図３（ａ）は、磁性
層１１の動的保磁力Ｈｃ’がライトヘッドの書き込み過
程における時間域でもあまり大きくならない場合を示
し、αで示す磁性層１１の反転過程は、負磁界領域にあ
る。他方、図４（ａ）は、磁性層１１の動的保磁力Ｈ
ｃ’がライトヘッドの書き込み過程における時間域で大
きくなる場合を示す。つまり、図４（ａ）の場合には、
十分に時間をかけて、磁界を変化させたときに得られる
ヒステリシスループが図２のようなヒステリシスループ
を示していても、磁性層１１の動的保磁力Ｈｃ’がライ
トヘッドの書き込み過程における時間域で増大する場合
には、βで示すように磁性層１１の反転過程が正磁界領
域まで侵入することがある。図３（ａ）及び図４（ａ）
中、縦軸は磁化を任意単位で示し、横軸は磁界を任意単
位で示す。
によって生じた磁化の状態を示す。図３（ａ）は、磁性
層１１の動的保磁力Ｈｃ’がライトヘッドの書き込み過
程における時間域でもあまり大きくならない場合を示
し、αで示す磁性層１１の反転過程は、負磁界領域にあ
る。他方、図４（ａ）は、磁性層１１の動的保磁力Ｈ
ｃ’がライトヘッドの書き込み過程における時間域で大
きくなる場合を示す。つまり、図４（ａ）の場合には、
十分に時間をかけて、磁界を変化させたときに得られる
ヒステリシスループが図２のようなヒステリシスループ
を示していても、磁性層１１の動的保磁力Ｈｃ’がライ
トヘッドの書き込み過程における時間域で増大する場合
には、βで示すように磁性層１１の反転過程が正磁界領
域まで侵入することがある。図３（ａ）及び図４（ａ）
中、縦軸は磁化を任意単位で示し、横軸は磁界を任意単
位で示す。
【００１３】図３（ａ）の場合、即ち、磁性層１１の動
的保磁力Ｈｃ’の時間依存性があまり大きくなく、高速
の磁界変化においてもＬ１の磁化反転過程が負磁界領域
に留まっている場合の磁化遷移領域の形成状況を図３
（ｂ）に示す。図３（ｂ）中、ライトヘッドのロレーリ
ングエッジ１９は、同図中左から右へと移動するものと
する。図３（ｂ）に示す状態で、ライトヘッドのトレー
リングエッジ１９よりも右側の領域が、ライトギャップ
の下方の位置に対応する。図３（ｂ）に示す状態におい
て、ヘッド磁界をこの瞬間に反転させることで、磁性層
１３に遷移領域が書き込まれる。図３（ｂ）中に示す点
線は、ヘッドからの磁界を概念的に示したものであり、
矢印はヘッド磁界が反転した後の磁界の方向を表す。磁
性層１３において、遷移領域より右側の領域では、図３
（ａ）に示すループ上でＢの磁界領域にあり、磁化は右
方向に記録されている。一方、磁性層１１においては、
ヘッドから発生する磁界はギャップよりも左側の領域で
は、図３（ａ）に示すループ上でＡの磁界領域にあり、
磁性層１１は図３（ｂ）に示すようにギャップよりも左
側の領域で、磁化が右方向に記録されている。このよう
に、図３（ｂ）からも明らかなように、この磁気記録媒
体の場合、トレーリングエッジ１９の近傍においては，
磁性層１３のみに遷移領域が形成される。
的保磁力Ｈｃ’の時間依存性があまり大きくなく、高速
の磁界変化においてもＬ１の磁化反転過程が負磁界領域
に留まっている場合の磁化遷移領域の形成状況を図３
（ｂ）に示す。図３（ｂ）中、ライトヘッドのロレーリ
ングエッジ１９は、同図中左から右へと移動するものと
する。図３（ｂ）に示す状態で、ライトヘッドのトレー
リングエッジ１９よりも右側の領域が、ライトギャップ
の下方の位置に対応する。図３（ｂ）に示す状態におい
て、ヘッド磁界をこの瞬間に反転させることで、磁性層
１３に遷移領域が書き込まれる。図３（ｂ）中に示す点
線は、ヘッドからの磁界を概念的に示したものであり、
矢印はヘッド磁界が反転した後の磁界の方向を表す。磁
性層１３において、遷移領域より右側の領域では、図３
（ａ）に示すループ上でＢの磁界領域にあり、磁化は右
方向に記録されている。一方、磁性層１１においては、
ヘッドから発生する磁界はギャップよりも左側の領域で
は、図３（ａ）に示すループ上でＡの磁界領域にあり、
磁性層１１は図３（ｂ）に示すようにギャップよりも左
側の領域で、磁化が右方向に記録されている。このよう
に、図３（ｂ）からも明らかなように、この磁気記録媒
体の場合、トレーリングエッジ１９の近傍においては，
磁性層１３のみに遷移領域が形成される。
【００１４】他方、磁性層１１の動的保磁力Ｈｃ’の時
間依存性が大きい場合には、高速の磁界変化において、
磁気記録媒体のヒステリシスループは図４（ａ）中、実
線で示すようになる。この磁気記録媒体の磁化遷移領域
の形成状況を図４（ｂ）に示す。ライトヘッドは、図３
（ｂ）で用いたのと同じものを使用するものとする。図
４（ｂ）中、ライトヘッドのトレーリングエッジ１９
は、同図中左から右へと移動するものとする。図４
（ｂ）に示す状態で、ライトヘッドのトレーリングエッ
ジ１９よりも右側の領域が、ライトギャップの下方の位
置に対応する。図４（ｂ）に示す状態において、ヘッド
磁界をこの瞬間に反転させることで、磁性層１３に遷移
領域が書き込まれる。図４（ｂ）中に示す点線は、ヘ
ッドからの磁界を概念的に示したものであり、矢印はヘ
ッド磁界が反転した後の磁界の方向を表す。磁性層１３
において、遷移領域より右側の領域では、図４（ａ）
に示すループ上でＣの磁界領域にあり、磁化は右方向に
記録されている。一方、磁性層１１においては、遷移領
域よりも左側の領域では、ヘッドの磁界範囲として
は、ＢからＡの領域にあり、磁性層は左方向に磁化され
たままとなっている。一方、図４（ａ）に示すヒステリ
シスループを示す磁気記録媒体において、磁性層１１の
動的保磁力Ｈｃ’は時間依存性を有し、時期記憶装置に
おける高速書き込み時間領域において、磁性層１１の動
的保磁力Ｈｃ’が増大する。これに伴って、長い時間を
かけて振動試料方磁力計等で計測したときに観察される
磁性層１１の磁化反転が図４（ａ）中、α’の位置から
高速書き込み時にβの位置に移動する。このため、磁性
層１１の磁化は、図３（ａ）に示すヒステリシスループ
を示す磁気記録媒体に比べて複雑となる。
間依存性が大きい場合には、高速の磁界変化において、
磁気記録媒体のヒステリシスループは図４（ａ）中、実
線で示すようになる。この磁気記録媒体の磁化遷移領域
の形成状況を図４（ｂ）に示す。ライトヘッドは、図３
（ｂ）で用いたのと同じものを使用するものとする。図
４（ｂ）中、ライトヘッドのトレーリングエッジ１９
は、同図中左から右へと移動するものとする。図４
（ｂ）に示す状態で、ライトヘッドのトレーリングエッ
ジ１９よりも右側の領域が、ライトギャップの下方の位
置に対応する。図４（ｂ）に示す状態において、ヘッド
磁界をこの瞬間に反転させることで、磁性層１３に遷移
領域が書き込まれる。図４（ｂ）中に示す点線は、ヘ
ッドからの磁界を概念的に示したものであり、矢印はヘ
ッド磁界が反転した後の磁界の方向を表す。磁性層１３
において、遷移領域より右側の領域では、図４（ａ）
に示すループ上でＣの磁界領域にあり、磁化は右方向に
記録されている。一方、磁性層１１においては、遷移領
域よりも左側の領域では、ヘッドの磁界範囲として
は、ＢからＡの領域にあり、磁性層は左方向に磁化され
たままとなっている。一方、図４（ａ）に示すヒステリ
シスループを示す磁気記録媒体において、磁性層１１の
動的保磁力Ｈｃ’は時間依存性を有し、時期記憶装置に
おける高速書き込み時間領域において、磁性層１１の動
的保磁力Ｈｃ’が増大する。これに伴って、長い時間を
かけて振動試料方磁力計等で計測したときに観察される
磁性層１１の磁化反転が図４（ａ）中、α’の位置から
高速書き込み時にβの位置に移動する。このため、磁性
層１１の磁化は、図３（ａ）に示すヒステリシスループ
を示す磁気記録媒体に比べて複雑となる。
【００１５】即ち、トレーリングエッジ１９から左側に
遠ざかるにつれて、図４（ｂ）中に点線矢印で示すヘッ
ド磁界が弱まる。この磁界が図４（ａ）中βでで示す磁
界となったところで、磁化遷移領域が磁性層１１中に
形成される。更に左側に遠ざかるにつれて、ヘッド磁界
が弱まると共に、トレーリングエッジ１９よりも左側の
領域では、点線矢印の磁界と反対方向の磁界を経験して
いるため、図４（ａ）中α”で示す磁性層１１の反転に
よって、ある程度の広がりを持った磁化遷移領域が形
成される。
遠ざかるにつれて、図４（ｂ）中に点線矢印で示すヘッ
ド磁界が弱まる。この磁界が図４（ａ）中βでで示す磁
界となったところで、磁化遷移領域が磁性層１１中に
形成される。更に左側に遠ざかるにつれて、ヘッド磁界
が弱まると共に、トレーリングエッジ１９よりも左側の
領域では、点線矢印の磁界と反対方向の磁界を経験して
いるため、図４（ａ）中α”で示す磁性層１１の反転に
よって、ある程度の広がりを持った磁化遷移領域が形
成される。
【００１６】磁性層１１においては、遷移領域の真下
から遷移領域にかけての範囲では、図４（ａ）中Ｂの
範囲でヘッド磁界が作用している。又、磁性層１１にお
いては、遷移領域から遷移領域にかけての範囲で
は、図４（ａ）中Ａの範囲でヘッド磁界が作用してい
る。遷移領域，，の位置関係は、磁気記録媒体の
磁気特性、磁気ディスクドライブ等の磁気記憶装置のデ
ータ転送速度、ヘッドの発生磁界強度によって様々に変
化するが、おおよそのところでは、４０Ｇｂ／ｉｎ ２あ
たりの記録を行なった場合、磁化遷移領域と磁化遷移
領域の間隔は２０ｎｍ程度と、４０Ｇｂ／ｉｎ２記録
における最短ビット間隔（約４０ｎｍ）よりも狭まって
いるのに対して、磁化遷移領域と磁化遷移領域の間
隔は３００ｎｍであり、磁化遷移領域と磁化遷移領域
は最短ビット間隔の４０ｎｍに比較して遠く離れてい
る。
から遷移領域にかけての範囲では、図４（ａ）中Ｂの
範囲でヘッド磁界が作用している。又、磁性層１１にお
いては、遷移領域から遷移領域にかけての範囲で
は、図４（ａ）中Ａの範囲でヘッド磁界が作用してい
る。遷移領域，，の位置関係は、磁気記録媒体の
磁気特性、磁気ディスクドライブ等の磁気記憶装置のデ
ータ転送速度、ヘッドの発生磁界強度によって様々に変
化するが、おおよそのところでは、４０Ｇｂ／ｉｎ ２あ
たりの記録を行なった場合、磁化遷移領域と磁化遷移
領域の間隔は２０ｎｍ程度と、４０Ｇｂ／ｉｎ２記録
における最短ビット間隔（約４０ｎｍ）よりも狭まって
いるのに対して、磁化遷移領域と磁化遷移領域の間
隔は３００ｎｍであり、磁化遷移領域と磁化遷移領域
は最短ビット間隔の４０ｎｍに比較して遠く離れてい
る。
【００１７】ここまでの議論で明らかなように、図３
（ａ）に示すヒステリシスループを有する磁気記録媒体
では、図３（ｂ）に示すようにトレーリングエッジ１９
の近傍では、磁性層１１に磁化遷移領域が形成されない
のに対して、図４（ａ）に示すヒステリシスループを有
する磁気記録媒体では、図４（ｂ）に示すようにトレー
リングエッジ１９の近傍で磁性層１１に磁化遷移領域が
形成される。
（ａ）に示すヒステリシスループを有する磁気記録媒体
では、図３（ｂ）に示すようにトレーリングエッジ１９
の近傍では、磁性層１１に磁化遷移領域が形成されない
のに対して、図４（ａ）に示すヒステリシスループを有
する磁気記録媒体では、図４（ｂ）に示すようにトレー
リングエッジ１９の近傍で磁性層１１に磁化遷移領域が
形成される。
【００１８】磁気記録媒体に２番目のビットを記録する
場合に、先行して記録されたビットから発生する磁界に
よってヘッドの書き込み磁界が強まり、２番目のビット
が本来記録されるべき位置よりも最初に記録したビット
に近寄って記録される現象が発生し、これをＮＬＴＳ
（Ｎｏｎ−Ｌｉｎｅａｒ Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ Ｓｈ
ｉｆｔ：非線形トランジションシフト）と呼んでいる。
ＮＬＴＳが大きいと、分解能の低下が発生し、高密度記
録能力が低下する。図３（ａ），（ｂ）に示す磁気記録
媒体に対して、図４（ａ），（ｂ）に示す磁気記録媒体
では、磁化遷移領域が余計に形成されるため、ＮＬＴ
Ｓが劣化する。尚、磁化遷移領域は、磁化遷移領域
から遠く離れているので、ＮＬＴＳには殆ど影響を与え
ない。
場合に、先行して記録されたビットから発生する磁界に
よってヘッドの書き込み磁界が強まり、２番目のビット
が本来記録されるべき位置よりも最初に記録したビット
に近寄って記録される現象が発生し、これをＮＬＴＳ
（Ｎｏｎ−Ｌｉｎｅａｒ Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ Ｓｈ
ｉｆｔ：非線形トランジションシフト）と呼んでいる。
ＮＬＴＳが大きいと、分解能の低下が発生し、高密度記
録能力が低下する。図３（ａ），（ｂ）に示す磁気記録
媒体に対して、図４（ａ），（ｂ）に示す磁気記録媒体
では、磁化遷移領域が余計に形成されるため、ＮＬＴ
Ｓが劣化する。尚、磁化遷移領域は、磁化遷移領域
から遠く離れているので、ＮＬＴＳには殆ど影響を与え
ない。
【００１９】本発明者が図３（ａ）に示すタイプの磁気
記録媒体と図４（ａ）に示すタイプの磁気記録媒体を検
証したことろ、図４（ａ）に示すタイプの磁気記録媒体
では分解能が３〜５％程度劣化し、ＮＬＴＳが３０％程
度劣化することが確認された。しかしながら、磁性層１
１に磁気異方性の大きい材料を使用した図４（ａ）に示
すタイプの磁気記録媒体では、図３（ａ）に示すタイプ
の磁気記録媒体に比べて優れた耐熱ゆらぎ性を示すこと
も確認された。
記録媒体と図４（ａ）に示すタイプの磁気記録媒体を検
証したことろ、図４（ａ）に示すタイプの磁気記録媒体
では分解能が３〜５％程度劣化し、ＮＬＴＳが３０％程
度劣化することが確認された。しかしながら、磁性層１
１に磁気異方性の大きい材料を使用した図４（ａ）に示
すタイプの磁気記録媒体では、図３（ａ）に示すタイプ
の磁気記録媒体に比べて優れた耐熱ゆらぎ性を示すこと
も確認された。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】上記の如く、図１に示
すような交換結合を採用する磁気記録媒体では、磁性層
１１の動的保磁力Ｈｃ’の振舞いによっては、優れた熱
安定性が得られる反面、分解能やＮＬＴＳが劣化してし
まうという問題点があった。
すような交換結合を採用する磁気記録媒体では、磁性層
１１の動的保磁力Ｈｃ’の振舞いによっては、優れた熱
安定性が得られる反面、分解能やＮＬＴＳが劣化してし
まうという問題点があった。
【００２１】そこで、本発明は、分解能やＮＬＴＳを劣
化させることなく熱安定性の改善を行なうことが可能
な、交換結合を採用する磁気記録媒体及び磁気記憶装置
を提供することを目的とする。
化させることなく熱安定性の改善を行なうことが可能
な、交換結合を採用する磁気記録媒体及び磁気記憶装置
を提供することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、飽和磁化
Ｍｓ１及び膜厚ｔ１を有する第１の磁性層と、該第１の
磁性層上に設けられた第１の非磁性層と、該第１の非磁
性層上に設けられ、飽和磁化Ｍｓ２及び膜厚ｔ２を有す
る第２の磁性層と、該第２の磁性層上に設けられた第２
の非磁性層と、該第２の非磁性層上に設けられ、飽和磁
化Ｍｓ３及び膜厚ｔ３を有する第３の磁性層とを備え、
外部磁界が印加されていない状態で、該第１、第２及び
第３の磁性層の磁化が交互に反平行に結合しており、Ｍ
ｓ２×ｔ２＜（Ｍｓ１×ｔ１+Ｍｓ３×ｔ３）なる関係
が成立することを特徴とする、磁気記録媒体によって達
成できる。
Ｍｓ１及び膜厚ｔ１を有する第１の磁性層と、該第１の
磁性層上に設けられた第１の非磁性層と、該第１の非磁
性層上に設けられ、飽和磁化Ｍｓ２及び膜厚ｔ２を有す
る第２の磁性層と、該第２の磁性層上に設けられた第２
の非磁性層と、該第２の非磁性層上に設けられ、飽和磁
化Ｍｓ３及び膜厚ｔ３を有する第３の磁性層とを備え、
外部磁界が印加されていない状態で、該第１、第２及び
第３の磁性層の磁化が交互に反平行に結合しており、Ｍ
ｓ２×ｔ２＜（Ｍｓ１×ｔ１+Ｍｓ３×ｔ３）なる関係
が成立することを特徴とする、磁気記録媒体によって達
成できる。
【００２３】上記の課題は、飽和磁化Ｍｓ１及び膜厚ｔ
１を有する第１の磁性層と、該第１の磁性層上に設けら
れた第１の非磁性層と、該第１の非磁性層上に設けら
れ、飽和磁化Ｍｓ２及び膜厚ｔ２を有する第２の磁性層
と、該第２の磁性層上に設けられた第２の非磁性層と、
該第２の非磁性層上に設けられ、飽和磁化Ｍｓ３及び膜
厚ｔ３を有する第３の磁性層とを備え、外部磁界が印加
されていない状態で、該第１、第２及び第３の磁性層の
磁化が交互に反平行に結合しており、｜Ｍｓ１×ｔ１-
Ｍｓ３×ｔ３｜／（Ｍｓ１×ｔ１+Ｍｓ３×ｔ３）／２
＜０．３なる関係が成立することを特徴とする磁気記録
媒体によっても達成できる。
１を有する第１の磁性層と、該第１の磁性層上に設けら
れた第１の非磁性層と、該第１の非磁性層上に設けら
れ、飽和磁化Ｍｓ２及び膜厚ｔ２を有する第２の磁性層
と、該第２の磁性層上に設けられた第２の非磁性層と、
該第２の非磁性層上に設けられ、飽和磁化Ｍｓ３及び膜
厚ｔ３を有する第３の磁性層とを備え、外部磁界が印加
されていない状態で、該第１、第２及び第３の磁性層の
磁化が交互に反平行に結合しており、｜Ｍｓ１×ｔ１-
Ｍｓ３×ｔ３｜／（Ｍｓ１×ｔ１+Ｍｓ３×ｔ３）／２
＜０．３なる関係が成立することを特徴とする磁気記録
媒体によっても達成できる。
【００２４】上記の課題は、保磁力Ｈｃ１を有する第１
の磁性層と、該第１の磁性層上に設けられた第１の非磁
性層と、該第１の非磁性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ２
を有する第２の磁性層と、該第２の磁性層上に設けられ
た第２の非磁性層と、該第２の非磁性層上に設けられ、
保磁力Ｈｃ３を有する第３の磁性層とを備え、外部磁界
が印加されていない状態で、該第１、第２及び第３の磁
性層の磁化が交互に反平行に結合しており、Ｈｃ２＜Ｈ
ｃ１、且つ、Ｈｃ２＜Ｈｃ３なる関係が成立することを
特徴とする磁気記録媒体によっても達成できる。
の磁性層と、該第１の磁性層上に設けられた第１の非磁
性層と、該第１の非磁性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ２
を有する第２の磁性層と、該第２の磁性層上に設けられ
た第２の非磁性層と、該第２の非磁性層上に設けられ、
保磁力Ｈｃ３を有する第３の磁性層とを備え、外部磁界
が印加されていない状態で、該第１、第２及び第３の磁
性層の磁化が交互に反平行に結合しており、Ｈｃ２＜Ｈ
ｃ１、且つ、Ｈｃ２＜Ｈｃ３なる関係が成立することを
特徴とする磁気記録媒体によっても達成できる。
【００２５】上記の課題は、保磁力Ｈｃ１を有する第１
の磁性層と、該第１の磁性層上に設けられた第１の非磁
性層と、該第１の非磁性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ２
を有する第２の磁性層と、該第２の磁性層上に設けられ
た第２の非磁性層と、該第２の非磁性層上に設けられ、
保磁力Ｈｃ３を有する第３の磁性層とを備え、外部磁界
が印加されていない状態で、該第１、第２及び第３の磁
性層の磁化が交互に反平行に結合しており、｜Ｈｃ１-
Ｈｃ３｜／（Ｈｃ１+Ｈｃ３）／２＜０．３なる関係が
成立することを特徴とする磁気記録媒体によっても達成
できる。
の磁性層と、該第１の磁性層上に設けられた第１の非磁
性層と、該第１の非磁性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ２
を有する第２の磁性層と、該第２の磁性層上に設けられ
た第２の非磁性層と、該第２の非磁性層上に設けられ、
保磁力Ｈｃ３を有する第３の磁性層とを備え、外部磁界
が印加されていない状態で、該第１、第２及び第３の磁
性層の磁化が交互に反平行に結合しており、｜Ｈｃ１-
Ｈｃ３｜／（Ｈｃ１+Ｈｃ３）／２＜０．３なる関係が
成立することを特徴とする磁気記録媒体によっても達成
できる。
【００２６】上記の課題は、１又は複数の磁気記録媒体
と、該磁気記録媒体に対して情報の書き込み及び／又は
読み出しを行なう記録再生手段とを備え、該磁気記録媒
体は、飽和磁化Ｍｓ１及び膜厚ｔ１を有する第１の磁性
層と、該第１の磁性層上に設けられた第１の非磁性層
と、該第１の非磁性層上に設けられ、飽和磁化Ｍｓ２及
び膜厚ｔ２を有する第２の磁性層と、該第２の磁性層上
に設けられた第２の非磁性層と、該第２の非磁性層上に
設けられ、飽和磁化Ｍｓ３及び膜厚ｔ３を有する第３の
磁性層とを備え、外部磁界が印加されていない状態で、
該第１、第２及び第３の磁性層の磁化が交互に反平行に
結合しており、Ｍｓ２×ｔ２＜（Ｍｓ１×ｔ１+Ｍｓ３
×ｔ３）なる関係が成立することを特徴とする磁気記憶
装置によっても達成できる。
と、該磁気記録媒体に対して情報の書き込み及び／又は
読み出しを行なう記録再生手段とを備え、該磁気記録媒
体は、飽和磁化Ｍｓ１及び膜厚ｔ１を有する第１の磁性
層と、該第１の磁性層上に設けられた第１の非磁性層
と、該第１の非磁性層上に設けられ、飽和磁化Ｍｓ２及
び膜厚ｔ２を有する第２の磁性層と、該第２の磁性層上
に設けられた第２の非磁性層と、該第２の非磁性層上に
設けられ、飽和磁化Ｍｓ３及び膜厚ｔ３を有する第３の
磁性層とを備え、外部磁界が印加されていない状態で、
該第１、第２及び第３の磁性層の磁化が交互に反平行に
結合しており、Ｍｓ２×ｔ２＜（Ｍｓ１×ｔ１+Ｍｓ３
×ｔ３）なる関係が成立することを特徴とする磁気記憶
装置によっても達成できる。
【００２７】上記の課題は、１又は複数の磁気記録媒体
と、該磁気記録媒体に対して情報の書き込み及び／又は
読み出しを行なう記録再生手段とを備え、該磁気記録媒
体は、飽和磁化Ｍｓ１及び膜厚ｔ１を有する第１の磁性
層と、該第１の磁性層上に設けられた第１の非磁性層
と、該第１の非磁性層上に設けられ、飽和磁化Ｍｓ２及
び膜厚ｔ２を有する第２の磁性層と、該第２の磁性層上
に設けられた第２の非磁性層と、該第２の非磁性層上に
設けられ、飽和磁化Ｍｓ３及び膜厚ｔ３を有する第３の
磁性層とを備え、外部磁界が印加されていない状態で、
該第１、第２及び第３の磁性層の磁化が交互に反平行に
結合しており、｜Ｍｓ１×ｔ１-Ｍｓ３×ｔ３｜／（Ｍ
ｓ１×ｔ１+Ｍｓ３×ｔ３）／２＜０．３なる関係が成
立することを特徴とする磁気記憶装置によっても達成で
きる。
と、該磁気記録媒体に対して情報の書き込み及び／又は
読み出しを行なう記録再生手段とを備え、該磁気記録媒
体は、飽和磁化Ｍｓ１及び膜厚ｔ１を有する第１の磁性
層と、該第１の磁性層上に設けられた第１の非磁性層
と、該第１の非磁性層上に設けられ、飽和磁化Ｍｓ２及
び膜厚ｔ２を有する第２の磁性層と、該第２の磁性層上
に設けられた第２の非磁性層と、該第２の非磁性層上に
設けられ、飽和磁化Ｍｓ３及び膜厚ｔ３を有する第３の
磁性層とを備え、外部磁界が印加されていない状態で、
該第１、第２及び第３の磁性層の磁化が交互に反平行に
結合しており、｜Ｍｓ１×ｔ１-Ｍｓ３×ｔ３｜／（Ｍ
ｓ１×ｔ１+Ｍｓ３×ｔ３）／２＜０．３なる関係が成
立することを特徴とする磁気記憶装置によっても達成で
きる。
【００２８】上記の課題は、１又は複数の磁気記録媒体
と、該磁気記録媒体に対して情報の書き込み及び／又は
読み出しを行なう記録再生手段とを備え、該磁気記録媒
体は、保磁力Ｈｃ１を有する第１の磁性層と、該第１の
磁性層上に設けられた第１の非磁性層と、該第１の非磁
性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ２を有する第２の磁性層
と、該第２の磁性層上に設けられた第２の非磁性層と、
該第２の非磁性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ３を有する
第３の磁性層とを備え、外部磁界が印加されていない状
態で、該第１、第２及び第３の磁性層の磁化が交互に反
平行に結合しており、Ｈｃ２＜Ｈｃ１、且つ、Ｈｃ２＜
Ｈｃ３なる関係が成立することを特徴とする磁気記憶装
置によっても達成できる。
と、該磁気記録媒体に対して情報の書き込み及び／又は
読み出しを行なう記録再生手段とを備え、該磁気記録媒
体は、保磁力Ｈｃ１を有する第１の磁性層と、該第１の
磁性層上に設けられた第１の非磁性層と、該第１の非磁
性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ２を有する第２の磁性層
と、該第２の磁性層上に設けられた第２の非磁性層と、
該第２の非磁性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ３を有する
第３の磁性層とを備え、外部磁界が印加されていない状
態で、該第１、第２及び第３の磁性層の磁化が交互に反
平行に結合しており、Ｈｃ２＜Ｈｃ１、且つ、Ｈｃ２＜
Ｈｃ３なる関係が成立することを特徴とする磁気記憶装
置によっても達成できる。
【００２９】上記の課題は、１又は複数の磁気記録媒体
と、該磁気記録媒体に対して情報の書き込み及び／又は
読み出しを行なう記録再生手段とを備え、該磁気記録媒
体は、保磁力Ｈｃ１を有する第１の磁性層と、該第１の
磁性層上に設けられた第１の非磁性層と、該第１の非磁
性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ２を有する第２の磁性層
と、該第２の磁性層上に設けられた第２の非磁性層と、
該第２の非磁性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ３を有する
第３の磁性層とを備え、外部磁界が印加されていない状
態で、該第１、第２及び第３の磁性層の磁化が交互に反
平行に結合しており、｜Ｈｃ１-Ｈｃ３｜／（Ｈｃ１+Ｈ
ｃ３）／２＜０．３なる関係が成立することを特徴とす
る磁気記憶装置によっても達成できる。
と、該磁気記録媒体に対して情報の書き込み及び／又は
読み出しを行なう記録再生手段とを備え、該磁気記録媒
体は、保磁力Ｈｃ１を有する第１の磁性層と、該第１の
磁性層上に設けられた第１の非磁性層と、該第１の非磁
性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ２を有する第２の磁性層
と、該第２の磁性層上に設けられた第２の非磁性層と、
該第２の非磁性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ３を有する
第３の磁性層とを備え、外部磁界が印加されていない状
態で、該第１、第２及び第３の磁性層の磁化が交互に反
平行に結合しており、｜Ｈｃ１-Ｈｃ３｜／（Ｈｃ１+Ｈ
ｃ３）／２＜０．３なる関係が成立することを特徴とす
る磁気記憶装置によっても達成できる。
【００３０】従って、本発明によれば、分解能やＮＬＴ
Ｓを劣化させることなく熱安定性の改善を行なうことが
可能な、交換結合を採用する磁気記録媒体及び磁気記憶
装置を実現することができる。
Ｓを劣化させることなく熱安定性の改善を行なうことが
可能な、交換結合を採用する磁気記録媒体及び磁気記憶
装置を実現することができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下に、本発明になる磁気記録媒
体及び本発明になる磁気記憶装置の各実施例を、図５以
降と共に説明する。
体及び本発明になる磁気記憶装置の各実施例を、図５以
降と共に説明する。
【００３２】
【実施例】図５は、本発明になる磁気記録媒体の第１実
施例の要部を示す断面図である。同図に示すように、磁
気記録媒体は、例えばガラスやＡｌ等の代表的なハード
ディスク媒体用の基板２１上に、Ｃｒ等のｈｃｐ構造か
らなる磁性層のc軸を面内に配向させるための下地層２
２を介して、第１の磁性層２３、第２の磁性層２５及び
第３の磁性層２７が形成されている。下地層２２は、例
えばアモルファスシード層上に、ＢＣＣ構造を有すると
共に基板面に（００２）面が平行に配向しているＣｒＭ
ｏ合金等からなる下地層が形成された多層膜で構成され
ていても良い。第１、第２及び第３の磁性層２３，２
５，２７は、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｎｉ合金、Ｆｅ合金及
びＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ−Ｍを含
むＣｏ合金からなるグループから選択された材料からな
り、Ｍ＝Ｂ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｃｕ，Ｃ又はこれ
らの合金である。第１の磁性層２３及び第３の磁性層２
７の磁化容易軸は、基板２１と平行な面内にある。
施例の要部を示す断面図である。同図に示すように、磁
気記録媒体は、例えばガラスやＡｌ等の代表的なハード
ディスク媒体用の基板２１上に、Ｃｒ等のｈｃｐ構造か
らなる磁性層のc軸を面内に配向させるための下地層２
２を介して、第１の磁性層２３、第２の磁性層２５及び
第３の磁性層２７が形成されている。下地層２２は、例
えばアモルファスシード層上に、ＢＣＣ構造を有すると
共に基板面に（００２）面が平行に配向しているＣｒＭ
ｏ合金等からなる下地層が形成された多層膜で構成され
ていても良い。第１、第２及び第３の磁性層２３，２
５，２７は、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｎｉ合金、Ｆｅ合金及
びＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ−Ｍを含
むＣｏ合金からなるグループから選択された材料からな
り、Ｍ＝Ｂ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｃｕ，Ｃ又はこれ
らの合金である。第１の磁性層２３及び第３の磁性層２
７の磁化容易軸は、基板２１と平行な面内にある。
【００３３】第１の磁性層２３と第２の磁性層２５の間
及び第２の磁性層２５と第３の磁性層２７の間には、各
磁性層を反結合させるための第１及び第２の非磁性層２
４，２６が夫々形成されている。第１及び第２の非磁性
層２４，２６は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ合金、Ｒｈ合
金及びＩｒ合金からなるグループから選択された材料か
らなり、膜厚は０．４ｎｍ〜２．０ｎｍ程度であるが、
通常はＲｕを用いるのが好ましい。第１及び第２の非磁
性層２４，２６を構成するＲｕの膜厚を０．８ｎｍ程度
に選定すると、図６に示す如きヒステリシスループが得
られる。
及び第２の磁性層２５と第３の磁性層２７の間には、各
磁性層を反結合させるための第１及び第２の非磁性層２
４，２６が夫々形成されている。第１及び第２の非磁性
層２４，２６は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ合金、Ｒｈ合
金及びＩｒ合金からなるグループから選択された材料か
らなり、膜厚は０．４ｎｍ〜２．０ｎｍ程度であるが、
通常はＲｕを用いるのが好ましい。第１及び第２の非磁
性層２４，２６を構成するＲｕの膜厚を０．８ｎｍ程度
に選定すると、図６に示す如きヒステリシスループが得
られる。
【００３４】第３の磁性層２７の上には、保護層２８が
形成されている。保護層２８は、例えばＣからなる膜上
に、潤滑膜が形成された多層膜で構成されていても良
い。
形成されている。保護層２８は、例えばＣからなる膜上
に、潤滑膜が形成された多層膜で構成されていても良
い。
【００３５】以下の説明では、第１、第２及び第３の磁
性層２３，２５，２７の膜厚を夫々ｔ１，ｔ２，ｔ３と
し、飽和磁化を夫々Ｍｓ１，Ｍｓ２，Ｍｓ３とし、保磁
力を夫々Ｈｃ１，Ｈｃ２，Ｈｃ３とする。第１及び第２
の磁性層２３，２５の間、及び効果的に本実施例の磁気
記録媒体を機能させるためには、次の条件を満足するこ
とが好ましい。 Ｍｓ１×ｔ１＋Ｍｓ３×ｔ３ ＞ Ｍｓ２×ｔ２ Ｍｓ１×ｔ１とＭｓ３×ｔ３は、必ずしも同じ値である
必要はないが、近い値にすれば、保磁力Ｈｃ１と保磁力
Ｈｃ３の値も近くなり、図６に示すようなヒステリシス
のＨｃで示す付近の傾きが急峻となり、高密度記録に適
した磁気記録媒体となることがわかる。図６は、本実施
例の磁気記録媒体におけるヒステリシスループを示す図
である。同図中、縦軸は磁化を任意単位で示し、横軸は
保磁力を任意単位で示す。
性層２３，２５，２７の膜厚を夫々ｔ１，ｔ２，ｔ３と
し、飽和磁化を夫々Ｍｓ１，Ｍｓ２，Ｍｓ３とし、保磁
力を夫々Ｈｃ１，Ｈｃ２，Ｈｃ３とする。第１及び第２
の磁性層２３，２５の間、及び効果的に本実施例の磁気
記録媒体を機能させるためには、次の条件を満足するこ
とが好ましい。 Ｍｓ１×ｔ１＋Ｍｓ３×ｔ３ ＞ Ｍｓ２×ｔ２ Ｍｓ１×ｔ１とＭｓ３×ｔ３は、必ずしも同じ値である
必要はないが、近い値にすれば、保磁力Ｈｃ１と保磁力
Ｈｃ３の値も近くなり、図６に示すようなヒステリシス
のＨｃで示す付近の傾きが急峻となり、高密度記録に適
した磁気記録媒体となることがわかる。図６は、本実施
例の磁気記録媒体におけるヒステリシスループを示す図
である。同図中、縦軸は磁化を任意単位で示し、横軸は
保磁力を任意単位で示す。
【００３６】又、図６では見えないが、保磁力Ｈｃ２が
ある程度大きな材料を第２の磁性層２５に用いることに
より、Ａ及びＢの付近にループの開きが発生することが
ある。図７は、この状況を概念的に示す図である。図７
に示すループの開きは、本実施例の磁気記録媒体におい
て、次に述べる使用前提のもとに磁気記録を行えば、信
号体雑音比（ＳＮＲ）やＮＬＴＳ等の各種磁気記録特性
を大きく変えるものではない。図７中、縦軸は磁化を任
意単位で示し、横軸は保磁力を任意単位で示す。
ある程度大きな材料を第２の磁性層２５に用いることに
より、Ａ及びＢの付近にループの開きが発生することが
ある。図７は、この状況を概念的に示す図である。図７
に示すループの開きは、本実施例の磁気記録媒体におい
て、次に述べる使用前提のもとに磁気記録を行えば、信
号体雑音比（ＳＮＲ）やＮＬＴＳ等の各種磁気記録特性
を大きく変えるものではない。図７中、縦軸は磁化を任
意単位で示し、横軸は保磁力を任意単位で示す。
【００３７】次に、図７を用いて、本実施例の磁気記録
媒体の基本的な使い方について説明する。同図におい
て、実線のヒステリシスループは、振動試料型磁力計等
で長時間かけて磁界を変化させたときに求められるヒス
テリシスループである。一方、同図中の破線は、ライト
ヘッドにおける高速書き込みの場合に観察されるヒステ
リシスループである。同図に示すＨαとＨβの間にライ
トヘッド磁界の最大値が来るような使い方をする。この
とき、第１〜第３の磁性層２３〜２７までの磁化反転
は、常に隣り同士の磁性層２３，２５及び磁性層２５，
２７が反平行を保った状態で反転をする。
媒体の基本的な使い方について説明する。同図におい
て、実線のヒステリシスループは、振動試料型磁力計等
で長時間かけて磁界を変化させたときに求められるヒス
テリシスループである。一方、同図中の破線は、ライト
ヘッドにおける高速書き込みの場合に観察されるヒステ
リシスループである。同図に示すＨαとＨβの間にライ
トヘッド磁界の最大値が来るような使い方をする。この
とき、第１〜第３の磁性層２３〜２７までの磁化反転
は、常に隣り同士の磁性層２３，２５及び磁性層２５，
２７が反平行を保った状態で反転をする。
【００３８】更に、第１及び第３の磁性層２３，２７の
保磁力Ｈｃ１，Ｈｃ３は、｜Ｈｃ１-Ｈｃ３｜/(Ｈｃ１+
Ｈｃ３)／２＜０．３を満足するような範囲に選定する
ことが望ましい。保磁力Ｈｃ１，Ｈｃ３がこの範囲を超
えた場合、図７の中程のヒステリシスループから定義さ
れる保磁力角型比が０．６５を下回り、記録分解能を十
分に伸ばすことができない。
保磁力Ｈｃ１，Ｈｃ３は、｜Ｈｃ１-Ｈｃ３｜/(Ｈｃ１+
Ｈｃ３)／２＜０．３を満足するような範囲に選定する
ことが望ましい。保磁力Ｈｃ１，Ｈｃ３がこの範囲を超
えた場合、図７の中程のヒステリシスループから定義さ
れる保磁力角型比が０．６５を下回り、記録分解能を十
分に伸ばすことができない。
【００３９】又、第１の磁性層２３の飽和磁化と膜厚の
積Ｍｓ１×ｔ１と、第３の磁性層２７の飽和磁化と膜厚
の積Ｍｓ３×ｔ３は、｜Ｍｓ１×ｔ１- Ｍｓ３×ｔ３｜
/(Ｍｓ１×ｔ１+Ｍｓ３×ｔ３)/２＜０．３を満足する
ような範囲に選定することが、図７の中程のヒステリシ
スループから定義される角型比を０．６０以上に保つた
めの条件となり、第1の磁性層２３と、第３の磁性層２
７の夫々が略均等にヘッド出力に寄与するため、記録分
解能の改善を行う上で留意されるべき条件である。
積Ｍｓ１×ｔ１と、第３の磁性層２７の飽和磁化と膜厚
の積Ｍｓ３×ｔ３は、｜Ｍｓ１×ｔ１- Ｍｓ３×ｔ３｜
/(Ｍｓ１×ｔ１+Ｍｓ３×ｔ３)/２＜０．３を満足する
ような範囲に選定することが、図７の中程のヒステリシ
スループから定義される角型比を０．６０以上に保つた
めの条件となり、第1の磁性層２３と、第３の磁性層２
７の夫々が略均等にヘッド出力に寄与するため、記録分
解能の改善を行う上で留意されるべき条件である。
【００４０】更に、ｔ２＜ｔ１、且つ、ｔ２＜ｔ３なる
関係が成立することが好ましい。第２の磁性層２５が受
ける交換磁界強度をＨｅｘ２とすると、｜Ｈｅｘ２｜＞
Ｈｃ１、且つ、｜Ｈｅｘ２｜＞Ｈｃ３なる関係及び／又
は｜Ｈｅｘ２-Ｈｃ２｜＞Ｈｃ１、且つ、｜Ｈｅｘ２-Ｈ
ｃ２｜＞Ｈｃ３なる関係が成立することが好ましい。
関係が成立することが好ましい。第２の磁性層２５が受
ける交換磁界強度をＨｅｘ２とすると、｜Ｈｅｘ２｜＞
Ｈｃ１、且つ、｜Ｈｅｘ２｜＞Ｈｃ３なる関係及び／又
は｜Ｈｅｘ２-Ｈｃ２｜＞Ｈｃ１、且つ、｜Ｈｅｘ２-Ｈ
ｃ２｜＞Ｈｃ３なる関係が成立することが好ましい。
【００４１】動的保磁力が、磁気記録媒体に対して情報
を書き込むヘッドの書き込み周波数における交流磁界を
印加した場合に観察される保磁力を示すものとすると、
第１の磁性層２３の動的保磁力をＨｃ１’、第３の磁性
層２７の動的保磁力をＨｃ３’、第２の磁性層２５が受
ける交換磁界強度をＨｅｘ２とすると、｜Ｈｅｘ２｜＞
Ｈｃ１’、且つ、｜Ｈｅｘ２｜＞Ｈｃ３’なる関係及び
／又は｜Ｈｅｘ２-Ｈｃ２’｜＞Ｈｃ１’、且つ、｜Ｈ
ｅｘ２-Ｈｃ２’｜＞Ｈｃ３’なる関係が成立すること
が好ましい。
を書き込むヘッドの書き込み周波数における交流磁界を
印加した場合に観察される保磁力を示すものとすると、
第１の磁性層２３の動的保磁力をＨｃ１’、第３の磁性
層２７の動的保磁力をＨｃ３’、第２の磁性層２５が受
ける交換磁界強度をＨｅｘ２とすると、｜Ｈｅｘ２｜＞
Ｈｃ１’、且つ、｜Ｈｅｘ２｜＞Ｈｃ３’なる関係及び
／又は｜Ｈｅｘ２-Ｈｃ２’｜＞Ｈｃ１’、且つ、｜Ｈ
ｅｘ２-Ｈｃ２’｜＞Ｈｃ３’なる関係が成立すること
が好ましい。
【００４２】これにより、本実施例の磁気記録媒体で
は、リードヘッドから見たときの磁気記録媒体の記録層
の実効膜厚は、第２の磁性層２５の磁化が第１及び第３
の磁性層２３，２７に対して反対を向いていることによ
り相殺された値となるために、上記の如く瞬間的に磁気
記録媒体の記録状態が平行結合となるようなことがな
く、ＮＬＴＳや分解能が改善される。
は、リードヘッドから見たときの磁気記録媒体の記録層
の実効膜厚は、第２の磁性層２５の磁化が第１及び第３
の磁性層２３，２７に対して反対を向いていることによ
り相殺された値となるために、上記の如く瞬間的に磁気
記録媒体の記録状態が平行結合となるようなことがな
く、ＮＬＴＳや分解能が改善される。
【００４３】又、第１及び第３の磁性層２３，２７が上
下に分断されているために、単位面積あたりの磁性粒子
が２倍となり、原理的には媒体ノイズを１／√２に低減
できる。これは、ＳＮＲで言えば、約３ｄＢの大きな改
善である。
下に分断されているために、単位面積あたりの磁性粒子
が２倍となり、原理的には媒体ノイズを１／√２に低減
できる。これは、ＳＮＲで言えば、約３ｄＢの大きな改
善である。
【００４４】図２に示すヒステリシスループを有する磁
気記録媒体の場合、図４と共に説明した状態を避けるた
めに、図１に示す磁性層１１に十分に大きな異方性を有
する材料を用いることはできなかった。図１に示すよう
な磁気記録媒体においては、磁性層１１は薄いので、単
体での磁気異方性の評価は難しいが、磁性層１１の膜厚
が５ｎｍ程度では同じ材料が１０ｎｍ程度ある場合に比
べて、異方性エネルギーは半分程度になっていると推測
される。
気記録媒体の場合、図４と共に説明した状態を避けるた
めに、図１に示す磁性層１１に十分に大きな異方性を有
する材料を用いることはできなかった。図１に示すよう
な磁気記録媒体においては、磁性層１１は薄いので、単
体での磁気異方性の評価は難しいが、磁性層１１の膜厚
が５ｎｍ程度では同じ材料が１０ｎｍ程度ある場合に比
べて、異方性エネルギーは半分程度になっていると推測
される。
【００４５】これに対して、図７に示すヒステリシスル
ープを有する本実施例の磁気記録媒体では、第１及び第
３の磁性層２３，２７の膜厚を例えば１０ｎｍ程度と同
じように厚くできるため、第１の磁性層２３においても
十分な磁気異方性エネルギーを発現でき、効果的に耐熱
ゆらぎ性を増大できる。
ープを有する本実施例の磁気記録媒体では、第１及び第
３の磁性層２３，２７の膜厚を例えば１０ｎｍ程度と同
じように厚くできるため、第１の磁性層２３においても
十分な磁気異方性エネルギーを発現でき、効果的に耐熱
ゆらぎ性を増大できる。
【００４６】又、第２の磁性層２５には、第１の磁性層
２３からと第３の磁性層２７からの交換結合磁界が和と
して働き、その交換結合磁界を図７においてはＨｅｘで
示している。第２の磁性層２５は反結合層であるため、
第１及び第３の磁性層２３，２７に比べて膜厚が薄く、
交換結合磁界を上げるためにＣｏ濃度の高い合金を用て
いる。この交換結合磁界は、容易に５０００Ｏｅ以上に
することができる。第２の磁性層２５のＣｏ濃度を高め
ると、第２の磁性層２５の飽和磁化Ｍｓ２が増加するた
め、第１及び第２の磁性層２３，２７の磁化を大きく打
ち消さないように、第２の磁性層２５の膜厚はある程度
薄くする必要がある。第２の磁性層２５の膜厚は、約１
ｎｍ〜３ｎｍの範囲で選定されることが好ましい。この
ように、第２の磁性層２５の膜厚は十分に薄いことと、
第２の磁性層２５を貫く遷移幅を主にきめるのは上記交
換結合磁界Ｈｅｘであるため、第２の磁性層２５にはＣ
ｏ単体のような材料を用いても、これにより遷移幅が広
がることはなく、高い記録密度を実現できる。
２３からと第３の磁性層２７からの交換結合磁界が和と
して働き、その交換結合磁界を図７においてはＨｅｘで
示している。第２の磁性層２５は反結合層であるため、
第１及び第３の磁性層２３，２７に比べて膜厚が薄く、
交換結合磁界を上げるためにＣｏ濃度の高い合金を用て
いる。この交換結合磁界は、容易に５０００Ｏｅ以上に
することができる。第２の磁性層２５のＣｏ濃度を高め
ると、第２の磁性層２５の飽和磁化Ｍｓ２が増加するた
め、第１及び第２の磁性層２３，２７の磁化を大きく打
ち消さないように、第２の磁性層２５の膜厚はある程度
薄くする必要がある。第２の磁性層２５の膜厚は、約１
ｎｍ〜３ｎｍの範囲で選定されることが好ましい。この
ように、第２の磁性層２５の膜厚は十分に薄いことと、
第２の磁性層２５を貫く遷移幅を主にきめるのは上記交
換結合磁界Ｈｅｘであるため、第２の磁性層２５にはＣ
ｏ単体のような材料を用いても、これにより遷移幅が広
がることはなく、高い記録密度を実現できる。
【００４７】次に、上記実施例の磁気記録媒体の性能に
ついて説明する。ここでは、基板２１がガラスからな
り、下地層２２が、基板２１上に設けられたアモルファ
スシード層上に、ＢＣＣ構造を有すると共に基板面に
（００２）面が平行に配向しているＣｒＭｏ合金等から
なる下地層が形成された多層膜で構成されているものと
する。又、第１及び第３の磁性層２３，２７は同じ組成
のＣｏＣｒＰｔＢからなり、第２の磁性層２５はＣｒＣ
ｒからなり、第１及び第２の非磁性層２４，２６はＲｕ
からなるものとする。下地層２２を構成するアモルファ
スシード層の膜厚は２５ｎｍ、ＣｏＭｏ合金の下地層の
膜厚は１０ｎｍであり、第１及び第２の非磁性層２４，
２６の膜厚は夫々０．８ｎｍであるものとする。更に、
第１、第２及び第３の磁性層２３，２５，２７の膜厚
は、夫々１２ｎｍ，２ｎｍ，１２ｎｍであり、保護層２
８の膜厚は５ｎｍであるものとする。この磁気記録媒体
は、面内に良い磁気配向性を示すことが確認された。
ついて説明する。ここでは、基板２１がガラスからな
り、下地層２２が、基板２１上に設けられたアモルファ
スシード層上に、ＢＣＣ構造を有すると共に基板面に
（００２）面が平行に配向しているＣｒＭｏ合金等から
なる下地層が形成された多層膜で構成されているものと
する。又、第１及び第３の磁性層２３，２７は同じ組成
のＣｏＣｒＰｔＢからなり、第２の磁性層２５はＣｒＣ
ｒからなり、第１及び第２の非磁性層２４，２６はＲｕ
からなるものとする。下地層２２を構成するアモルファ
スシード層の膜厚は２５ｎｍ、ＣｏＭｏ合金の下地層の
膜厚は１０ｎｍであり、第１及び第２の非磁性層２４，
２６の膜厚は夫々０．８ｎｍであるものとする。更に、
第１、第２及び第３の磁性層２３，２５，２７の膜厚
は、夫々１２ｎｍ，２ｎｍ，１２ｎｍであり、保護層２
８の膜厚は５ｎｍであるものとする。この磁気記録媒体
は、面内に良い磁気配向性を示すことが確認された。
【００４８】この磁気記録媒体において観察されたヒス
テリシスループは、図６と同様であり、保磁力Ｈｃは約
３９００Ｏｅ、交換結合磁界Ｈｓｗは約８０００Ｏｅで
あった。又、この磁気記録媒体の残留面積磁化は約０．
３２Ｍｅｍｕ／ｃｍ２であった。この磁気記録媒体をＭ
ＥＤ１とする。
テリシスループは、図６と同様であり、保磁力Ｈｃは約
３９００Ｏｅ、交換結合磁界Ｈｓｗは約８０００Ｏｅで
あった。又、この磁気記録媒体の残留面積磁化は約０．
３２Ｍｅｍｕ／ｃｍ２であった。この磁気記録媒体をＭ
ＥＤ１とする。
【００４９】比較のために、第１及び第２の非磁性層２
４，２６と第２の磁性層２５を省略し、残留面積磁化と
保磁力Ｈｃを上記磁気記録媒体ＭＥＤ１に揃えた磁気記
録媒体ＭＥＤ２も用意した。残留保磁力の調整は第１及
び第３のＣｏＣｒＰｔＢ磁性層２３，２７の膜厚によっ
て行い、保磁力Ｈｃの調整は下地層２２を構成するＣｏ
ＣｒＭｏ下地層の膜厚とアモルファスシード層形成後の
加熱条件の調整によって行った。
４，２６と第２の磁性層２５を省略し、残留面積磁化と
保磁力Ｈｃを上記磁気記録媒体ＭＥＤ１に揃えた磁気記
録媒体ＭＥＤ２も用意した。残留保磁力の調整は第１及
び第３のＣｏＣｒＰｔＢ磁性層２３，２７の膜厚によっ
て行い、保磁力Ｈｃの調整は下地層２２を構成するＣｏ
ＣｒＭｏ下地層の膜厚とアモルファスシード層形成後の
加熱条件の調整によって行った。
【００５０】表１は、磁気記録媒体ＭＥＤ１及び磁気記
録媒体ＭＥＤ２の特性を示す。表１中、ＳＮＲは媒体Ｓ
ＮＲを示し、分解能は３２０ＫＦＣＩにおける孤立波高
比を示す。表１より明らかなように、磁気記録媒体ＭＥ
Ｄ１においてもＮＬＴＳが劣化することないことが確認
された。又、分解能はむしろ磁気記録媒体ＭＥＤ１の方
が改善されることも確認された。これは、高記録密度領
域では、磁気記録媒体ＭＥＤ２では、熱ゆらぎにより信
号が減衰しやすいことにも起因していると考えられる。
動的保磁力Ｈｃ’の計測によって得られる熱安定性の指
標を表すＫｕＶ／ｋＴ値は、磁気記録媒体ＭＥＤ１の場
合、熱安定性に十分な７０という高い値を示すことが確
認された。ここで、Ｋｕは磁気異方性の定数、Ｖは磁性
粒子の平均体積、ｋはボルツマン定数、Ｔは温度を示
す。他方、磁気記録媒体ＭＥＤ２の場合には、ＫｕＶ／
ｋＴ値は５０と低く、実用域で使うには低めの値となっ
てしまうことも確認された。 更に、媒体ノイズが、磁
気記録媒体ＭＥＤ１の場合には磁気記録媒体ＭＥＤ２よ
り２割程度低減され、ｓＮＲが２ｄＢ程度改善されるこ
とも確認された。
録媒体ＭＥＤ２の特性を示す。表１中、ＳＮＲは媒体Ｓ
ＮＲを示し、分解能は３２０ＫＦＣＩにおける孤立波高
比を示す。表１より明らかなように、磁気記録媒体ＭＥ
Ｄ１においてもＮＬＴＳが劣化することないことが確認
された。又、分解能はむしろ磁気記録媒体ＭＥＤ１の方
が改善されることも確認された。これは、高記録密度領
域では、磁気記録媒体ＭＥＤ２では、熱ゆらぎにより信
号が減衰しやすいことにも起因していると考えられる。
動的保磁力Ｈｃ’の計測によって得られる熱安定性の指
標を表すＫｕＶ／ｋＴ値は、磁気記録媒体ＭＥＤ１の場
合、熱安定性に十分な７０という高い値を示すことが確
認された。ここで、Ｋｕは磁気異方性の定数、Ｖは磁性
粒子の平均体積、ｋはボルツマン定数、Ｔは温度を示
す。他方、磁気記録媒体ＭＥＤ２の場合には、ＫｕＶ／
ｋＴ値は５０と低く、実用域で使うには低めの値となっ
てしまうことも確認された。 更に、媒体ノイズが、磁
気記録媒体ＭＥＤ１の場合には磁気記録媒体ＭＥＤ２よ
り２割程度低減され、ｓＮＲが２ｄＢ程度改善されるこ
とも確認された。
【００５１】
【表１】
次に、本発明になる磁気記録媒体の第２実施例を、図８
と共に説明する。図８は、磁気記録媒体の第２実施例の
要部を示す断面図である。同図中、図５と同一部分には
同一符号を付し、その説明は省略する。
と共に説明する。図８は、磁気記録媒体の第２実施例の
要部を示す断面図である。同図中、図５と同一部分には
同一符号を付し、その説明は省略する。
【００５２】図８に示すように、本実施例の磁気記録媒
体では、第２の磁性層２５が、非磁性層３１により分断
された複数、且つ、奇数の磁性層２５−１〜２５−Ｎ
（Ｎは３以上の奇数）からなり、第２の磁性層２５を構
成する各磁性層２５−１〜２５−Ｎの磁化は交互に反平
行に結合している点に特徴がある。本実施例によって
も、上記第１実施例と同様の効果を得ることができる。
体では、第２の磁性層２５が、非磁性層３１により分断
された複数、且つ、奇数の磁性層２５−１〜２５−Ｎ
（Ｎは３以上の奇数）からなり、第２の磁性層２５を構
成する各磁性層２５−１〜２５−Ｎの磁化は交互に反平
行に結合している点に特徴がある。本実施例によって
も、上記第１実施例と同様の効果を得ることができる。
【００５３】次に、本発明になる磁気記憶装置の一実施
例を、図９及び図１０と共に説明する。図９は、磁気記
憶装置の一実施例の要部を示す断面図であり、図１０
は、磁気記憶装置の一実施例の要部を示す平面図であ
る。
例を、図９及び図１０と共に説明する。図９は、磁気記
憶装置の一実施例の要部を示す断面図であり、図１０
は、磁気記憶装置の一実施例の要部を示す平面図であ
る。
【００５４】図７及び図８に示すように、磁気記憶装置
は大略ハウジング１１３からなる。ハウジング１１３内
には、モータ１１４、ハブ１１５、複数の磁気記録媒体
１１６、複数のライト・リードヘッド１１７、複数のサ
スペンション１１８、複数のアーム１１９及びアクチュ
エータユニット１２０が設けられている。磁気記録媒体
１１６は、モータ１１４により回転されるハブ１１５に
取り付けられている。ライト・リードヘッド１１７は、
インダクティブヘッド等のライトヘッドと、ＭＲヘッド
やＧＭＲヘッド等のリードヘッドとからなる。各ライト
・リードヘッド１１７は、対応するアーム１１９の先端
にサスペンション１１８を介して取り付けられている。
アーム１１９は、アクチュエータユニット１２０により
駆動される。この磁気記憶装置の基本構成自体は周知で
あり、その詳細な説明は本明細書では省略する。
は大略ハウジング１１３からなる。ハウジング１１３内
には、モータ１１４、ハブ１１５、複数の磁気記録媒体
１１６、複数のライト・リードヘッド１１７、複数のサ
スペンション１１８、複数のアーム１１９及びアクチュ
エータユニット１２０が設けられている。磁気記録媒体
１１６は、モータ１１４により回転されるハブ１１５に
取り付けられている。ライト・リードヘッド１１７は、
インダクティブヘッド等のライトヘッドと、ＭＲヘッド
やＧＭＲヘッド等のリードヘッドとからなる。各ライト
・リードヘッド１１７は、対応するアーム１１９の先端
にサスペンション１１８を介して取り付けられている。
アーム１１９は、アクチュエータユニット１２０により
駆動される。この磁気記憶装置の基本構成自体は周知で
あり、その詳細な説明は本明細書では省略する。
【００５５】磁気記憶装置の本実施例は、磁気記録媒体
１１６に特徴がある。各磁気記録媒体１１６は、図５又
は図８と共に説明した、上記磁気記録媒体の第１実施例
又は第２実施例の構造を有する。勿論、磁気記録媒体１
１６の数は３枚に限定されず、１枚でも、２枚又は４枚
以上であっても良い。
１１６に特徴がある。各磁気記録媒体１１６は、図５又
は図８と共に説明した、上記磁気記録媒体の第１実施例
又は第２実施例の構造を有する。勿論、磁気記録媒体１
１６の数は３枚に限定されず、１枚でも、２枚又は４枚
以上であっても良い。
【００５６】磁気記憶装置の基本構成は、図９及び図１
０に示すものに限定されるものではない。又、本発明に
なる磁気記憶装置で用いる磁気記録媒体は。磁気ディス
クに限定されず、磁気テープや磁気カード等の各種磁気
記録媒体を用いることができることは言うまでもない。
０に示すものに限定されるものではない。又、本発明に
なる磁気記憶装置で用いる磁気記録媒体は。磁気ディス
クに限定されず、磁気テープや磁気カード等の各種磁気
記録媒体を用いることができることは言うまでもない。
【００５７】尚、本発明は、以下に付記する発明をも包
含するものである。
含するものである。
【００５８】（付記１） 飽和磁化Ｍｓ１及び膜厚ｔ１
を有する第１の磁性層と、該第１の磁性層上に設けられ
た第１の非磁性層と、該第１の非磁性層上に設けられ、
飽和磁化Ｍｓ２及び膜厚ｔ２を有する第２の磁性層と、
該第２の磁性層上に設けられた第２の非磁性層と、該第
２の非磁性層上に設けられ、飽和磁化Ｍｓ３及び膜厚ｔ
３を有する第３の磁性層とを備え、外部磁界が印加され
ていない状態で、該第１、第２及び第３の磁性層の磁化
が交互に反平行に結合しており、Ｍｓ２×ｔ２＜（Ｍｓ
１×ｔ１+Ｍｓ３×ｔ３）なる関係が成立することを特
徴とする、磁気記録媒体。
を有する第１の磁性層と、該第１の磁性層上に設けられ
た第１の非磁性層と、該第１の非磁性層上に設けられ、
飽和磁化Ｍｓ２及び膜厚ｔ２を有する第２の磁性層と、
該第２の磁性層上に設けられた第２の非磁性層と、該第
２の非磁性層上に設けられ、飽和磁化Ｍｓ３及び膜厚ｔ
３を有する第３の磁性層とを備え、外部磁界が印加され
ていない状態で、該第１、第２及び第３の磁性層の磁化
が交互に反平行に結合しており、Ｍｓ２×ｔ２＜（Ｍｓ
１×ｔ１+Ｍｓ３×ｔ３）なる関係が成立することを特
徴とする、磁気記録媒体。
【００５９】（付記２） 飽和磁化Ｍｓ１及び膜厚ｔ１
を有する第１の磁性層と、該第１の磁性層上に設けられ
た第１の非磁性層と、該第１の非磁性層上に設けられ、
飽和磁化Ｍｓ２及び膜厚ｔ２を有する第２の磁性層と、
該第２の磁性層上に設けられた第２の非磁性層と、該第
２の非磁性層上に設けられ、飽和磁化Ｍｓ３及び膜厚ｔ
３を有する第３の磁性層とを備え、外部磁界が印加され
ていない状態で、該第１、第２及び第３の磁性層の磁化
が交互に反平行に結合しており、｜Ｍｓ１×ｔ１-Ｍｓ
３×ｔ３｜／（Ｍｓ１×ｔ１+Ｍｓ３×ｔ３）／２＜
０．３なる関係が成立することを特徴とする、磁気記録
媒体。
を有する第１の磁性層と、該第１の磁性層上に設けられ
た第１の非磁性層と、該第１の非磁性層上に設けられ、
飽和磁化Ｍｓ２及び膜厚ｔ２を有する第２の磁性層と、
該第２の磁性層上に設けられた第２の非磁性層と、該第
２の非磁性層上に設けられ、飽和磁化Ｍｓ３及び膜厚ｔ
３を有する第３の磁性層とを備え、外部磁界が印加され
ていない状態で、該第１、第２及び第３の磁性層の磁化
が交互に反平行に結合しており、｜Ｍｓ１×ｔ１-Ｍｓ
３×ｔ３｜／（Ｍｓ１×ｔ１+Ｍｓ３×ｔ３）／２＜
０．３なる関係が成立することを特徴とする、磁気記録
媒体。
【００６０】（付記３） 保磁力Ｈｃ１を有する第１の
磁性層と、該第１の磁性層上に設けられた第１の非磁性
層と、該第１の非磁性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ２を
有する第２の磁性層と、該第２の磁性層上に設けられた
第２の非磁性層と、該第２の非磁性層上に設けられ、保
磁力Ｈｃ３を有する第３の磁性層とを備え、外部磁界が
印加されていない状態で、該第１、第２及び第３の磁性
層の磁化が交互に反平行に結合しており、Ｈｃ２＜Ｈｃ
１、且つ、Ｈｃ２＜Ｈｃ３なる関係が成立することを特
徴とする、磁気記録媒体。
磁性層と、該第１の磁性層上に設けられた第１の非磁性
層と、該第１の非磁性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ２を
有する第２の磁性層と、該第２の磁性層上に設けられた
第２の非磁性層と、該第２の非磁性層上に設けられ、保
磁力Ｈｃ３を有する第３の磁性層とを備え、外部磁界が
印加されていない状態で、該第１、第２及び第３の磁性
層の磁化が交互に反平行に結合しており、Ｈｃ２＜Ｈｃ
１、且つ、Ｈｃ２＜Ｈｃ３なる関係が成立することを特
徴とする、磁気記録媒体。
【００６１】（付記４） 保磁力Ｈｃ１を有する第１の
磁性層と、該第１の磁性層上に設けられた第１の非磁性
層と、該第１の非磁性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ２を
有する第２の磁性層と、該第２の磁性層上に設けられた
第２の非磁性層と、該第２の非磁性層上に設けられ、保
磁力Ｈｃ３を有する第３の磁性層とを備え、外部磁界が
印加されていない状態で、該第１、第２及び第３の磁性
層の磁化が交互に反平行に結合しており、｜Ｈｃ１-Ｈ
ｃ３｜／（Ｈｃ１+Ｈｃ３）／２＜０．３なる関係が成
立することを特徴とする、磁気記録媒体。
磁性層と、該第１の磁性層上に設けられた第１の非磁性
層と、該第１の非磁性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ２を
有する第２の磁性層と、該第２の磁性層上に設けられた
第２の非磁性層と、該第２の非磁性層上に設けられ、保
磁力Ｈｃ３を有する第３の磁性層とを備え、外部磁界が
印加されていない状態で、該第１、第２及び第３の磁性
層の磁化が交互に反平行に結合しており、｜Ｈｃ１-Ｈ
ｃ３｜／（Ｈｃ１+Ｈｃ３）／２＜０．３なる関係が成
立することを特徴とする、磁気記録媒体。
【００６２】（付記５） 前記第１、第２及び第３の磁
性層は、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｎｉ合金、Ｆｅ合金及びＣ
ｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ−Ｍを含むＣ
ｏ合金からなるグループから選択された材料からなり、
Ｍ＝Ｂ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｃｕ，Ｃ又はこれらの
合金であることを特徴とする、付記１〜４のいずれか１
項記載の磁気記録媒体。
性層は、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｎｉ合金、Ｆｅ合金及びＣ
ｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ−Ｍを含むＣ
ｏ合金からなるグループから選択された材料からなり、
Ｍ＝Ｂ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｃｕ，Ｃ又はこれらの
合金であることを特徴とする、付記１〜４のいずれか１
項記載の磁気記録媒体。
【００６３】（付記６） 前記第１及び第２の非磁性層
は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ合金、Ｒｈ合金及びＩｒ合
金からなるグループから選択された材料からなることを
特徴とする、付記１〜５のいずれか１項記載の磁気記録
媒体。
は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ合金、Ｒｈ合金及びＩｒ合
金からなるグループから選択された材料からなることを
特徴とする、付記１〜５のいずれか１項記載の磁気記録
媒体。
【００６４】（付記７） 前記第１及び第２の非磁性層
は、０．４ｎｍ〜２．０ｎｍの膜厚を有することを特徴
とする、付記１〜６のいずれか１項記載の磁気記録媒
体。
は、０．４ｎｍ〜２．０ｎｍの膜厚を有することを特徴
とする、付記１〜６のいずれか１項記載の磁気記録媒
体。
【００６５】（付記８） ｔ２＜ｔ１、且つ、ｔ２＜ｔ
３なる関係が成立することを特徴とする、付記１〜７の
いずれか１項記載の磁気記録媒体。
３なる関係が成立することを特徴とする、付記１〜７の
いずれか１項記載の磁気記録媒体。
【００６６】（付記９） 前記第２の磁性層が、非磁性
層により分断された複数、且つ、奇数の磁性層からな
り、該第２の磁性層を構成する各磁性層の磁化は交互に
反平行に結合していることを特徴とする、付記１〜８の
いずれか１項記載の磁気記録媒体。
層により分断された複数、且つ、奇数の磁性層からな
り、該第２の磁性層を構成する各磁性層の磁化は交互に
反平行に結合していることを特徴とする、付記１〜８の
いずれか１項記載の磁気記録媒体。
【００６７】（付記１０） 前記第１の磁性層の保磁力
をＨｃ１、前記第３の磁性層の保磁力をＨｃ３、前記第
２の磁性層が受ける交換磁界強度をＨｅｘ２とすると、
｜Ｈｅｘ２｜＞Ｈｃ１、且つ、｜Ｈｅｘ２｜＞Ｈｃ３な
る関係が成立することを特徴とする、付記１〜９のいず
れか１項記載の磁気記録媒体。
をＨｃ１、前記第３の磁性層の保磁力をＨｃ３、前記第
２の磁性層が受ける交換磁界強度をＨｅｘ２とすると、
｜Ｈｅｘ２｜＞Ｈｃ１、且つ、｜Ｈｅｘ２｜＞Ｈｃ３な
る関係が成立することを特徴とする、付記１〜９のいず
れか１項記載の磁気記録媒体。
【００６８】（付記１１） 前記第１の磁性層の保磁力
をＨｃ１、前記第２の磁性層の保磁力をＨｃ２、前記第
３の磁性層の保磁力をＨｃ３、前記第２の磁性層が受け
る交換磁界強度をＨｅｘ２とすると、｜Ｈｅｘ２-Ｈｃ
２｜＞Ｈｃ１、且つ、｜Ｈｅｘ２-Ｈｃ２｜＞Ｈｃ３な
る関係が成立することを特徴とする、付記１〜９のいず
れか１項記載の磁気記録媒体。
をＨｃ１、前記第２の磁性層の保磁力をＨｃ２、前記第
３の磁性層の保磁力をＨｃ３、前記第２の磁性層が受け
る交換磁界強度をＨｅｘ２とすると、｜Ｈｅｘ２-Ｈｃ
２｜＞Ｈｃ１、且つ、｜Ｈｅｘ２-Ｈｃ２｜＞Ｈｃ３な
る関係が成立することを特徴とする、付記１〜９のいず
れか１項記載の磁気記録媒体。
【００６９】（付記１２） 前記第１の磁性層の動的保
磁力をＨｃ１’、前記第３の磁性層の動的保磁力をＨｃ
３’、前記第２の磁性層が受ける交換磁界強度をＨｅｘ
２とすると、｜Ｈｅｘ２｜＞Ｈｃ１’、且つ、｜Ｈｅｘ
２｜＞Ｈｃ３’なる関係が成立し、動的保磁力とは、前
記磁気記録媒体に対して情報を書き込むヘッドの書き込
み周波数における交流磁界を印加した場合に観察される
保磁力を示すことを特徴とする、付記１〜９のいずれか
１項記載の磁気記録媒体。
磁力をＨｃ１’、前記第３の磁性層の動的保磁力をＨｃ
３’、前記第２の磁性層が受ける交換磁界強度をＨｅｘ
２とすると、｜Ｈｅｘ２｜＞Ｈｃ１’、且つ、｜Ｈｅｘ
２｜＞Ｈｃ３’なる関係が成立し、動的保磁力とは、前
記磁気記録媒体に対して情報を書き込むヘッドの書き込
み周波数における交流磁界を印加した場合に観察される
保磁力を示すことを特徴とする、付記１〜９のいずれか
１項記載の磁気記録媒体。
【００７０】（付記１３） 前記第１の磁性層の動的保
磁力をＨｃ１’、前記第２の磁性層の動的保磁力をＨｃ
２’、前記第３の磁性層の動的保磁力をＨｃ３’、前記
第２の磁性層が受ける交換磁界強度をＨｅｘ２とする
と、｜Ｈｅｘ２-Ｈｃ２’｜＞Ｈｃ１’、且つ、｜Ｈｅ
ｘ２-Ｈｃ２’｜＞Ｈｃ３’なる関係が成立し、動的保
磁力とは、前記磁気記録媒体に対して情報を書き込むヘ
ッドの書き込み周波数における交流磁界を印加した場合
に観察される保磁力を示すことを特徴とする、付記１〜
９のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
磁力をＨｃ１’、前記第２の磁性層の動的保磁力をＨｃ
２’、前記第３の磁性層の動的保磁力をＨｃ３’、前記
第２の磁性層が受ける交換磁界強度をＨｅｘ２とする
と、｜Ｈｅｘ２-Ｈｃ２’｜＞Ｈｃ１’、且つ、｜Ｈｅ
ｘ２-Ｈｃ２’｜＞Ｈｃ３’なる関係が成立し、動的保
磁力とは、前記磁気記録媒体に対して情報を書き込むヘ
ッドの書き込み周波数における交流磁界を印加した場合
に観察される保磁力を示すことを特徴とする、付記１〜
９のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【００７１】（付記１４） 前記第１の磁性層の下方に
設けられた基板を更に備え、該第１の磁性層及び前記第
３の磁性層の磁化容易軸が該基板と平行な面内にあるこ
とを特徴とする、付記１〜１３のいずれか１項記載の磁
気記録媒体。
設けられた基板を更に備え、該第１の磁性層及び前記第
３の磁性層の磁化容易軸が該基板と平行な面内にあるこ
とを特徴とする、付記１〜１３のいずれか１項記載の磁
気記録媒体。
【００７２】（付記１５） 前記基板と前記第１の磁性
層との間に設けられた、１又は複数の下地層を更に備え
たことを特徴とする、付記１４記載の磁気記録媒体。
層との間に設けられた、１又は複数の下地層を更に備え
たことを特徴とする、付記１４記載の磁気記録媒体。
【００７３】（付記１６） １又は複数の磁気記録媒体
と、該磁気記録媒体に対して情報の書き込み及び／又は
読み出しを行なう記録再生手段とを備え、該磁気記録媒
体は、飽和磁化Ｍｓ１及び膜厚ｔ１を有する第１の磁性
層と、該第１の磁性層上に設けられた第１の非磁性層
と、該第１の非磁性層上に設けられ、飽和磁化Ｍｓ２及
び膜厚ｔ２を有する第２の磁性層と、該第２の磁性層上
に設けられた第２の非磁性層と、該第２の非磁性層上に
設けられ、飽和磁化Ｍｓ３及び膜厚ｔ３を有する第３の
磁性層とを備え、外部磁界が印加されていない状態で、
該第１、第２及び第３の磁性層の磁化が交互に反平行に
結合しており、Ｍｓ２×ｔ２＜（Ｍｓ１×ｔ１+Ｍｓ３
×ｔ３）なる関係が成立することを特徴とする、磁気記
憶装置。
と、該磁気記録媒体に対して情報の書き込み及び／又は
読み出しを行なう記録再生手段とを備え、該磁気記録媒
体は、飽和磁化Ｍｓ１及び膜厚ｔ１を有する第１の磁性
層と、該第１の磁性層上に設けられた第１の非磁性層
と、該第１の非磁性層上に設けられ、飽和磁化Ｍｓ２及
び膜厚ｔ２を有する第２の磁性層と、該第２の磁性層上
に設けられた第２の非磁性層と、該第２の非磁性層上に
設けられ、飽和磁化Ｍｓ３及び膜厚ｔ３を有する第３の
磁性層とを備え、外部磁界が印加されていない状態で、
該第１、第２及び第３の磁性層の磁化が交互に反平行に
結合しており、Ｍｓ２×ｔ２＜（Ｍｓ１×ｔ１+Ｍｓ３
×ｔ３）なる関係が成立することを特徴とする、磁気記
憶装置。
【００７４】（付記１７） １又は複数の磁気記録媒体
と、該磁気記録媒体に対して情報の書き込み及び／又は
読み出しを行なう記録再生手段とを備え、該磁気記録媒
体は、飽和磁化Ｍｓ１及び膜厚ｔ１を有する第１の磁性
層と、該第１の磁性層上に設けられた第１の非磁性層
と、該第１の非磁性層上に設けられ、飽和磁化Ｍｓ２及
び膜厚ｔ２を有する第２の磁性層と、該第２の磁性層上
に設けられた第２の非磁性層と、該第２の非磁性層上に
設けられ、飽和磁化Ｍｓ３及び膜厚ｔ３を有する第３の
磁性層とを備え、外部磁界が印加されていない状態で、
該第１、第２及び第３の磁性層の磁化が交互に反平行に
結合しており、 ｜Ｍｓ１×ｔ１-Ｍｓ３×ｔ３｜／（Ｍｓ１×ｔ１+Ｍｓ
３×ｔ３）／２＜０． ３なる関係が成立することを特徴とする、磁気記憶装
置。
と、該磁気記録媒体に対して情報の書き込み及び／又は
読み出しを行なう記録再生手段とを備え、該磁気記録媒
体は、飽和磁化Ｍｓ１及び膜厚ｔ１を有する第１の磁性
層と、該第１の磁性層上に設けられた第１の非磁性層
と、該第１の非磁性層上に設けられ、飽和磁化Ｍｓ２及
び膜厚ｔ２を有する第２の磁性層と、該第２の磁性層上
に設けられた第２の非磁性層と、該第２の非磁性層上に
設けられ、飽和磁化Ｍｓ３及び膜厚ｔ３を有する第３の
磁性層とを備え、外部磁界が印加されていない状態で、
該第１、第２及び第３の磁性層の磁化が交互に反平行に
結合しており、 ｜Ｍｓ１×ｔ１-Ｍｓ３×ｔ３｜／（Ｍｓ１×ｔ１+Ｍｓ
３×ｔ３）／２＜０． ３なる関係が成立することを特徴とする、磁気記憶装
置。
【００７５】（付記１８） １又は複数の磁気記録媒体
と、該磁気記録媒体に対して情報の書き込み及び／又は
読み出しを行なう記録再生手段とを備え、該磁気記録媒
体は、保磁力Ｈｃ１を有する第１の磁性層と、該第１の
磁性層上に設けられた第１の非磁性層と、該第１の非磁
性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ２を有する第２の磁性層
と、該第２の磁性層上に設けられた第２の非磁性層と、
該第２の非磁性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ３を有する
第３の磁性層とを備え、外部磁界が印加されていない状
態で、該第１、第２及び第３の磁性層の磁化が交互に反
平行に結合しており、Ｈｃ２＜Ｈｃ１、且つ、Ｈｃ２＜
Ｈｃ３なる関係が成立することを特徴とする、磁気記憶
装置。
と、該磁気記録媒体に対して情報の書き込み及び／又は
読み出しを行なう記録再生手段とを備え、該磁気記録媒
体は、保磁力Ｈｃ１を有する第１の磁性層と、該第１の
磁性層上に設けられた第１の非磁性層と、該第１の非磁
性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ２を有する第２の磁性層
と、該第２の磁性層上に設けられた第２の非磁性層と、
該第２の非磁性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ３を有する
第３の磁性層とを備え、外部磁界が印加されていない状
態で、該第１、第２及び第３の磁性層の磁化が交互に反
平行に結合しており、Ｈｃ２＜Ｈｃ１、且つ、Ｈｃ２＜
Ｈｃ３なる関係が成立することを特徴とする、磁気記憶
装置。
【００７６】（付記１９） １又は複数の磁気記録媒体
と、該磁気記録媒体に対して情報の書き込み及び／又は
読み出しを行なう記録再生手段とを備え、該磁気記録媒
体は、保磁力Ｈｃ１を有する第１の磁性層と、該第１の
磁性層上に設けられた第１の非磁性層と、該第１の非磁
性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ２を有する第２の磁性層
と、該第２の磁性層上に設けられた第２の非磁性層と、
該第２の非磁性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ３を有する
第３の磁性層とを備え、外部磁界が印加されていない状
態で、該第１、第２及び第３の磁性層の磁化が交互に反
平行に結合しており、｜Ｈｃ１-Ｈｃ３｜／（Ｈｃ１+Ｈ
ｃ３）／２＜０．３なる関係が成立することを特徴とす
る、磁気記憶装置。
と、該磁気記録媒体に対して情報の書き込み及び／又は
読み出しを行なう記録再生手段とを備え、該磁気記録媒
体は、保磁力Ｈｃ１を有する第１の磁性層と、該第１の
磁性層上に設けられた第１の非磁性層と、該第１の非磁
性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ２を有する第２の磁性層
と、該第２の磁性層上に設けられた第２の非磁性層と、
該第２の非磁性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ３を有する
第３の磁性層とを備え、外部磁界が印加されていない状
態で、該第１、第２及び第３の磁性層の磁化が交互に反
平行に結合しており、｜Ｈｃ１-Ｈｃ３｜／（Ｈｃ１+Ｈ
ｃ３）／２＜０．３なる関係が成立することを特徴とす
る、磁気記憶装置。
【００７７】以上、本発明を実施例により説明したが、
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、種々の
変形及び改良が可能であることは、言うまでもない。
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、種々の
変形及び改良が可能であることは、言うまでもない。
【００７８】
【発明の効果】本発明によれば、分解能やＮＬＴＳを劣
化させることなく熱安定性の改善を行なうことが可能
な、交換結合を採用する磁気記録媒体及び磁気記憶装置
を実現することができる。媒体ノイズは、従来の磁気記
録媒体に比べて効果的に低減できるために、１００Ｇｂ
／ｉｎ２を超えるような高密度の磁気記録に供する磁気
記録媒体として好適である。
化させることなく熱安定性の改善を行なうことが可能
な、交換結合を採用する磁気記録媒体及び磁気記憶装置
を実現することができる。媒体ノイズは、従来の磁気記
録媒体に比べて効果的に低減できるために、１００Ｇｂ
／ｉｎ２を超えるような高密度の磁気記録に供する磁気
記録媒体として好適である。
【図１】提案されている媒体技術を採用した磁気記録媒
体の構造を示す図である。
体の構造を示す図である。
【図２】図１に示す磁気記録媒体におけるヒステリシス
ループを示す図である。
ループを示す図である。
【図３】図１に示す磁気記録媒体にビットが記録される
状況を概念的に説明する図である。
状況を概念的に説明する図である。
【図４】図１に示す磁気記録媒体にビットが記録される
状況を概念的に説明する図である。
状況を概念的に説明する図である。
【図５】本発明になる磁気記録媒体の第１実施例の要部
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図６】磁気記録媒体の第１実施例におけるヒステリシ
スループを示す図である。
スループを示す図である。
【図７】第２の磁性層に保磁力がある程度大きな材料を
用いた場合のヒステリシスループを示す図である。
用いた場合のヒステリシスループを示す図である。
【図８】本発明になる磁気記録媒体の第２実施例の要部
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図９】本発明になる磁気記憶装置の一実施例の要部を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１０】磁気記憶装置の一実施例の要部を示す平面図
である。
である。
２３ 第１の磁性層
２４ 第１の非磁性層
２５，２５−１〜２５−Ｎ 第２の磁性層
２６ 第２の非磁性層
２７ 第３の磁性層
３１ 非磁性層
１１６ 磁気記録媒体
１１７ ライト・リードヘッド
Claims (10)
- 【請求項１】 飽和磁化Ｍｓ１及び膜厚ｔ１を有する第
１の磁性層と、 該第１の磁性層上に設けられた第１の非磁性層と、 該第１の非磁性層上に設けられ、飽和磁化Ｍｓ２及び膜
厚ｔ２を有する第２の磁性層と、 該第２の磁性層上に設けられた第２の非磁性層と、 該第２の非磁性層上に設けられ、飽和磁化Ｍｓ３及び膜
厚ｔ３を有する第３の磁性層とを備え、 外部磁界が印加されていない状態で、該第１、第２及び
第３の磁性層の磁化が交互に反平行に結合しており、 Ｍｓ２×ｔ２＜（Ｍｓ１×ｔ１+Ｍｓ３×ｔ３）なる関
係が成立することを特徴とする、磁気記録媒体。 - 【請求項２】 飽和磁化Ｍｓ１及び膜厚ｔ１を有する第
１の磁性層と、 該第１の磁性層上に設けられた第１の非磁性層と、 該第１の非磁性層上に設けられ、飽和磁化Ｍｓ２及び膜
厚ｔ２を有する第２の磁性層と、 該第２の磁性層上に設けられた第２の非磁性層と、 該第２の非磁性層上に設けられ、飽和磁化Ｍｓ３及び膜
厚ｔ３を有する第３の磁性層とを備え、 外部磁界が印加されていない状態で、該第１、第２及び
第３の磁性層の磁化が交互に反平行に結合しており、 ｜Ｍｓ１×ｔ１-Ｍｓ３×ｔ３｜／（Ｍｓ１×ｔ１+Ｍｓ
３×ｔ３）／２＜０．３なる関係が成立することを特徴
とする、磁気記録媒体。 - 【請求項３】 保磁力Ｈｃ１を有する第１の磁性層と、 該第１の磁性層上に設けられた第１の非磁性層と、 該第１の非磁性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ２を有する
第２の磁性層と、 該第２の磁性層上に設けられた第２の非磁性層と、 該第２の非磁性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ３を有する
第３の磁性層とを備え、 外部磁界が印加されていない状態で、該第１、第２及び
第３の磁性層の磁化が交互に反平行に結合しており、 Ｈｃ２＜Ｈｃ１、且つ、Ｈｃ２＜Ｈｃ３なる関係が成立
することを特徴とする、磁気記録媒体。 - 【請求項４】 保磁力Ｈｃ１を有する第１の磁性層と、 該第１の磁性層上に設けられた第１の非磁性層と、 該第１の非磁性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ２を有する
第２の磁性層と、 該第２の磁性層上に設けられた第２の非磁性層と、 該第２の非磁性層上に設けられ、保磁力Ｈｃ３を有する
第３の磁性層とを備え、 外部磁界が印加されていない状態で、該第１、第２及び
第３の磁性層の磁化が交互に反平行に結合しており、 ｜Ｈｃ１-Ｈｃ３｜／（Ｈｃ１+Ｈｃ３）／２＜０．３な
る関係が成立することを特徴とする、磁気記録媒体。 - 【請求項５】 前記第２の磁性層が、非磁性層により分
断された複数、且つ、奇数の磁性層からなり、該第２の
磁性層を構成する各磁性層の磁化は交互に反平行に結合
していることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１
項記載の磁気記録媒体。 - 【請求項６】 前記第１の磁性層の保磁力をＨｃ１、前
記第３の磁性層の保磁力をＨｃ３、前記第２の磁性層が
受ける交換磁界強度をＨｅｘ２とすると、｜Ｈｅｘ２｜
＞Ｈｃ１、且つ、｜Ｈｅｘ２｜＞Ｈｃ３なる関係が成立
することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項７】 前記第１の磁性層の保磁力をＨｃ１、前
記第２の磁性層の保磁力をＨｃ２、前記第３の磁性層の
保磁力をＨｃ３、前記第２の磁性層が受ける交換磁界強
度をＨｅｘ２とすると、｜Ｈｅｘ２-Ｈｃ２｜＞Ｈｃ
１、且つ、｜Ｈｅｘ２-Ｈｃ２｜＞Ｈｃ３なる関係が成
立することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項
記載の磁気記録媒体。 - 【請求項８】 前記第１の磁性層の動的保磁力をＨｃ
１’、前記第３の磁性層の動的保磁力をＨｃ３’、前記
第２の磁性層が受ける交換磁界強度をＨｅｘ２とする
と、｜Ｈｅｘ２｜＞Ｈｃ１’、且つ、｜Ｈｅｘ２｜＞Ｈ
ｃ３’なる関係が成立し、動的保磁力とは、前記磁気記
録媒体に対して情報を書き込むヘッドの書き込み周波数
における交流磁界を印加した場合に観察される保磁力を
示すことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項９】 前記第１の磁性層の動的保磁力をＨｃ
１’、前記第２の磁性層の動的保磁力をＨｃ２’、前記
第３の磁性層の動的保磁力をＨｃ３’、前記第２の磁性
層が受ける交換磁界強度をＨｅｘ２とすると、｜Ｈｅｘ
２-Ｈｃ２’｜＞Ｈｃ１’、且つ、｜Ｈｅｘ２-Ｈｃ２’
｜＞Ｈｃ３’なる関係が成立し、動的保磁力とは、前記
磁気記録媒体に対して情報を書き込むヘッドの書き込み
周波数における交流磁界を印加した場合に観察される保
磁力を示すことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか
１項記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１０】 １又は複数の、請求項１〜９のいずれ
か１項記載の磁気記録媒体と、 該磁気記録媒体に対して情報の書き込み及び／又は読み
出しを行なう記録再生手段とを備えたことを特徴とす
る、磁気記憶装置。
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