JP3749460B2 - 磁気記録媒体及びこれを用いた磁気記憶装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気記録媒体及び磁気記憶装置に係り、特に高密度記録であり、かつ高速での記録及び再生が可能である磁気記録媒体及び磁気記憶装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
情報処理技術の発達に伴い、磁気記録媒体に対する高密度化の要求が高まっている。この要求を満たす磁気記録媒体に求められる特性は、例えばハードディスクでは低ノイズ化と熱安定性の向上がある。
【0003】
磁気ディスク等の水平磁気記録媒体の記録密度は、媒体ノイズの低減及び磁気抵抗効果型ヘッド及びスピンバルブヘッド等の開発により、著しく増大した。代表的な磁気記録媒体は、基板と、下地層と、磁性層と、保護層とがこの順序で積層された構造を有する。下地層は、Cr又はCr系合金からなり、磁性層は、Co系合金からなる。
【0004】
媒体ノイズを低減する方法は、今までに各種の提案がなされている。例えば、Okamoto et al. ,”Rigid Disk Medium For 5Gbit/ in2 Recording”,AB- 3,Intermag’96 Digestには、CrMoからなる適切な下地層を用いて磁性層の膜厚を減少させることで、磁性層の粒子サイズ及びサイズ分布を減少させることが提案されている。又、米国特許第5,693,426号では、NiAlからなる下地層を用いることが提案されている。更に、Hosoe et al. , ”Experimental Study of Thermal Decayin High- Density Magnetic RecordingMedia”, IEEE Trans. Magn. Vol. 33, 1528(1997)では、CrTiからなる下地層を用いることが提案されている。上記の如き下地層は、磁性層の面内配向を促し残留磁化及びビットの熱安定性を増加させる。磁性層の膜厚を減少させて、解像度を高くする、或いは、書き込まれたビット間の遷移幅を減少させることも提案されている。更に、CoCr系合金からなる磁性層のCr偏析を促進させ、粒子間の交換結合を減少させることも提案されている。この考えを発展させて、リソグラフィなどの加工により、磁気単位記録部間を人工的に切り離したパターン化媒体(パターンドメディア)も提案されている。
【0005】
しかし、磁性層の粒子が小さくなり互いに磁気的により孤立するにつれ、書き込まれたビットは、線密度に応じて増加する減磁界と熱活性化とにより不安定になる。Lu et al. , ”Thermal Instability at 10 Gbit/ in2 Magnetic Recording”, IEEE Trans. Magn. Vol. 30, 4230(1994)では、マイクロマグネティックシミュレーションにより、直径が10nmで400kfciビットでKu V/ kB T〜60なる比の各粒子の交換結合を抑制された媒体では、大幅な熱的緩和を受けやすいことが発表されている。ここで、Kuは磁気異方性の定数、Vは磁性粒子の平均体積、kBはボルツマン定数、Tは温度を示す。尚、Ku V/kB Tなる比は、熱安定性係数とも呼ばれる。
【0006】
Abarra et al. , ”Thermal Stability of Narrow Track Bits in a 5 Gbit/ in2
Medium”, IEEE Trans. Magn. Vol. 33,2995(1997)では、粒子間の交換相互作用の存在が書き込まれたビットを安定化させることが、5Gbit/ in2 のCoCrPtTa/ CrMo媒体のアニールされた200kfciビットのMFM(磁気間力顕微鏡)解析により報告されている。ところが、20Gbit/ in2 以上の記録密度では、更なる粒子間の磁気的結合の抑制が必須となる。
【0007】
これに対する順当な解決策は、磁性層の磁気異方性を増加させることであった。しかし、磁性層の磁気異方性を増加させるには、ヘッドの書き込み磁界に大きな負荷がかかってしまう。
【0008】
また、熱的に不安定な磁気記録媒体の保磁力は、He et al. ,”High Speed Switching in Magnetic Recording Media”, J. Magn. Magn. Mater. Vol.155, 6(1996)において磁気テープ媒体について、そして、J.H. Richter, ”Dynamic Coercivity Effects in Thin Film Media”, IEEE Trans. Magn. Vol.34, 1540(1997)において磁気ディスク媒体について報告されているように、スイッチ時間の減少に応じて急激に増加する。このため、データ速度に悪影響が生じてしまう。つまり、磁性層にどれくらい速くデータを書き込めるか、及び、磁性粒子の磁化を反転させるのに必要なヘッドの磁界強度が、スイッチ時間の減少に応じて急激に増加する。
【0009】
他方、熱安定性を向上させる他の方法として、磁性層の下の基板に適切なテクスチャ処理を施すことにより、磁性層の配向率を増加させる方法も提案されている。例えば、発行中のAkimoto et al. , ”Magnetic
Relaxation in Thin Film Media as a Function of Orientation”, J. Magn. Magn. Mater. (1999)では、マイクロマグネティックシミュレーションにより、実効的なKu V/kB T値が配向率の僅かな増加により増大することが報告されている。この結果、Abarra et al., ”The
Effect of Orientation Ratio on the Dynamic Coercivity of Media for >15Gbit/ in2 Recording”, EB- 02, Intermag ’99,Koreaにおいて報告されているように、磁気記録媒体のオーバーライト性能を向上する保磁力の時間依存性をより弱めることができる。
【0010】
更に、熱安定性を向上するための、キーパ磁気記録媒体も提案されている。キーパ層は、磁性層と平行な軟磁性層からなる。この軟磁性層は、磁性層の上又は下に配置される。多くの場合、Cr磁気絶縁層が軟磁性層と磁性層との間に設けられる。軟磁性層は、磁性層に書き込まれたビットの減磁界を減少させる。しかし、磁性記録層と連続的に交換結合する軟磁性層の結合により、磁性層の粒子の減結合という目的が達成されなくなってしまう。その結果、媒体ノイズが増大する。
【0011】
上記問題を解決する手法として、本出願人は先に関連の特許出願をしている(特願平11−161329号、平成11年6月8日)。この提案では、少なくとも1つの交換層構造と、該交換層構造上に設けられた磁性層とを備え、該交換層構造は、強磁性層と、該強磁性層上で、且つ、該磁性層下に設けられた非磁性交換層とからなり、該磁性層及び該強磁性層は互いに磁化方向が反平行となる磁気記録媒体が示されている。このような磁気記録媒体であれば、書き込まれたビットの熱安定性を向上し、媒体ノイズを低減し、磁気記録媒体の性能に悪影響を及ぼすことなく信頼性の高い高密度記録を実現できる。
【0012】
すなわち、この提案の構造は第1磁性層となる前記強磁性層と第2磁性層となる前記磁性層が非磁性交換層(本明細書では非磁性結合層と称する)を間に介して形成された構造を有する。この磁化方向が反平行である2つの第1及び第2磁性層からなる構造の場合、互いに磁化の一部を打消し合うため、磁気記録媒体の有効粒子サイズは、解像度に実質的な影響を及ぼすことなく増加させることができる。したがって、粒子体積から見ると熱安定性の良い媒体を実現できるように磁性層の見掛け上の膜厚を増加させることができる。
【0013】
よって、上記関連特許出願では強磁性層(第1磁性層)と磁性層(第2磁性層)との全体で熱安定性を向上させ、かつ媒体ノイズを低減するための基本的な構成を提案している。
【0014】
そして、上記磁気記録媒体では記録磁界が外部から供給されると第1磁性層及び第2磁性層が共に一度、平行状態となり、その後、記録磁界が減じて無くなったとき(残留磁化状態)では第1磁性層の磁化方向が反転して、第2磁性層の磁化方向と反平行状態となる。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、高記録密度化及び信号転送速度の高速化に伴って、記録及び再生のスピードを増加させることも必要となってきている。記録後において上記第1磁性層に磁化反転が生じるのを待つことは、高速記録、再生を実現する上で障害となることが今後予想される。
【0016】
すなわち、上記磁気記録媒体の第1磁性層と第2磁性層とは残留磁化状態で反平行状態にあり、ここに外部から記録磁界が供給されると第1磁性層及び第2磁性層が一度、平行状態となる。そして、その後、記録磁界が減じて消滅し再び残留磁化状態になると、第1磁性層の磁化方向が反転して第2磁性層の磁化方向と反平行状態となる。この過程では、第1磁性層が自然に磁化反転するのを待つことになる。
【0017】
ところが、記録速度を高め、上記第1磁性層が反転する前に隣のビットへの記録がなされると、平行状態のビットからの反磁界により、書き込もうとしているビット位置がずれ、非線形遷移シフト(Non Linear Transition Shift:NLTS)が劣化して記録に悪影響を及ぼすという問題を生じる。
【0018】
また、記録から再生までの時間が短くなるように高速化した場合に、第1磁性層が平行状態から反転して反平行状態となる前に再生が実行されると異常な信号となり正常な再生を行えないという問題も生じる。
【0019】
したがって、本発明は、熱安定性の向上及び媒体ノイズの低減を実現するように形成した反平行の第1及び第2の磁性層を含む磁気記録媒体を、より高速で磁気記録及び再生ができるように改良することを目的とする。
【0020】
【課題を解決するための手段】
上記目的は請求項1に記載の如く、第1磁性層と、第2磁性層とが非磁性結合層を間に介して、磁気的に反平行状態で結合した構造を含む磁気記録媒体であって、
前記第1磁性層の交換結合磁界Hex1は、当該第1磁性層の保磁力Hc1より大きく、かつ該第1の磁性層と該第2の磁性層とが積層された状態で該第2の磁性層が反転するのに要する磁界より大きく設定されている磁気記録媒体よって達成される。
【0021】
請求項1に記載の発明によれば、第1磁性層と第2磁性層との反平行状態を維持するように作用する交換結合磁界Hex1が、第1磁性層の保磁力Hc1より大きく、かつ該第1の磁性層と該第2の磁性層とが積層された状態で該第2の磁性層が反転するのに要する磁界より大きく設定されているので、残留磁化状態でこれらを安定的に反平行とすることができる。
【0022】
すなわち、本発明の場合には、従来の場合のように第1磁性層の磁化方向が第2磁性層の磁化方向と一度、平行となってから反平行となる過程がなく、書き込みと同時に最終の磁化位置が達成される。よって、より高速での記録及び再生が可能な高密度記録化した磁気記録媒体となる。
【0023】
なお、本発明では、第1磁性層と前記第2磁性層との間にこれらを磁気的に反平行状態に結合する非磁性結合層を介した構造となるので、第1磁性層と前記第2磁性層との磁化方向が反平行である形態を確実に形成できる。
【0024】
上記のように第1磁性層と前記第2磁性層との磁化方向を反平行とする非磁性結合層は、Ru、Rh、Re、Ir、Cr、Cu、Ru系合金、Rh系合金、Re系合金、Ir系合金、Cr系合金,Cu系合金等により形成できる。
【0025】
また、上記第1磁性層と第2磁性層はどちらが上層、すなわち磁気ヘッド側に位置する構成でもよいが、記録を支配する側の磁性層を磁気ヘッド側に配置するようにするのが一般に望ましい。
【0026】
また、請求項2に記載の如く、請求項1に記載の磁気記録媒体において、前記第1磁性層の磁化方向を反転させ前記第2磁性層の磁化方向と平行状態とする反転磁界Hsw*が、前記交換結合磁界Hex1及び前記保磁力Hc1の和として設定することができる。
【0027】
交換結合磁界Hex1を第1磁性層及び第2磁性層の各々の保磁力Hc1及びHc2よりも大きく設定すると、第1磁性層の磁化方向を反転させ前記第2磁性層の磁化方向と平行状態とするように作用する反転磁界Hsw*は、この交換結合磁界Hex1よりもさらに大きくなる。すなわち、この反転磁界Hsw*は、第1磁性層の交換結合磁界Hex1とその保磁力Hc1との和とほぼ等しいと見ることができる。
【0028】
よって、請求項2に記載の発明によれば、前記第1磁性層の磁化方向を反転させ前記第2磁性層の磁化方向と平行状態とする反転磁界Hsw*が顕在化しないように外部からの記録磁界強度を規定できる。すなわち、記録磁界を反転磁界Hsw*が顕在化しない範囲内に記録磁界を設定することで、第1磁性層と第2磁性層との磁化方向を反平行状態に維持させながら回転する磁気記録媒体を確実に形成できる。
【0029】
また、請求項3に記載の如く、請求項1又は2に記載の磁気記録媒体において、前記第1磁性層の膜厚と磁化の積tMs1は、前記第2磁性層の膜厚と磁化の積tMs2より小さいこ構成とすることが好ましい。
【0030】
請求項3に記載の発明によれば、膜厚と磁化の積tMsが小さい第1磁性層への交換結合磁界Hex1がより大きくなり、交換結合磁界Hex1が第1磁性層の保磁力Hc及び第2磁性層の保磁力Hc2よりも大きい磁気記録媒体をより確実に実現できる。
【0031】
また、請求項4に記載の如く、請求項1から3のいずれかに記載の磁気記録媒体において、前記第1磁性層の保磁力Hc1は、前記第2磁性層の保磁力Hc2より小さい構成とすることが好ましい。
【0032】
請求項4に記載の発明によれば、このような設定が媒体設計において第1磁性層と第2磁性層の主従関係を決める1つの要因となる。つまり、保磁力を大きく設定した第2磁性層に主記録層としての役割を確実に与えることができる。
【0033】
また、請求項5に記載の如く、請求項1から4のいずれかに記載の磁気記録媒体において、前記第1磁性層と前記非磁性結合層との境界、及び前記第2磁性層と前記非磁性結合層との境界の少なくとも一方に、前記第1磁性層と前記第2磁性層との交換結合力を強化する結合強化領域を含む構成としてもよい。
【0034】
また、請求項6に記載の如く、請求項5に記載の磁気記録媒体において、前記結合強化領域が、Fe、Co、Ni及びこれらを含む合金からなる群から選択された材料で形成してもよい。
【0035】
請求項5及び6に記載の発明によれば、前記第1磁性層と前記第2磁性層との交換結合力を高めるような交換結合磁界Hexを確実に形成できる。
【0036】
また、請求項7に記載の如く、パターン化した記録用の各単位記録部に、請求項1から6のいずれかに記載の磁気記録媒体の構造を含む磁気記録媒体を採用してもよい。
【0037】
請求項7に記載の発明によれば、記憶容量が従来の磁気記録媒体より数倍大きとされる所謂、パターンドメディアの単位記録部を前記第1磁性層、非磁性結合層及び第2磁性層を少なくとも含む積層構造で形成するので、高記録密度で高速記録及び再生が可能な新規な磁気記録媒体を提供できる。
【0038】
そして、本発明の範疇には、請求項8に記載の如く、請求項1から7のいずれかに記載の磁気記録媒体を少なくとも1つ備えた磁気記憶装置も含む。
【0039】
請求項8に記載の発明によれば、高記録密度で高速記録及び再生が可能である磁気記憶装置を提供できる。
【0040】
また、請求項9に記載の如く、請求項8に記載の磁気記憶装置において、記録用ヘッドから前記記録媒体へ供給する記録磁界が、前記第2磁性層の保磁力Hc2よりも大きく、かつ前記反転磁界Hsw*よりも小さい範囲に設定されていることが好ましい。
【0041】
請求項9に記載の発明であれば、磁気記録媒体内の第1磁性層と前記第2磁性層との磁化方向を反平行状態に維持して記録が実行されるので、確実に高速記録を行うことができる。
【0042】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明する。
【0043】
図1は本発明に係る一実施例の磁気記録媒体10の要部概要を示す図である。図1において、磁気記録媒体10は非磁性基板11上に下から順に、シード層12、下地層13、非磁性中間層14、第1磁性層15、非磁性結合層16、第2磁性層17及び保護層18が積層された構造を有している。本磁気記録媒体10は例えばスパッタリング法を用いることにより製造することができ、上記保護層18上にはさらに潤滑層19を形成してもよい。
【0044】
上記非磁性基板11は、例えばAl基板、ガラス基板又はSi基板からなる。この基板表面にテクスチャ処理を施してもよい。
【0045】
上記シード層12にはNiP若しくはNiAlを用いることができる。特に非磁性基板11がAl、Al合金からなる場合には、例えばNiPを用いることができる。このシード層12にはテクスチャ処理又は酸化処理を施してもよい。また、シード層12は非磁性基板11が例えばガラスからなる場合には、NiAl、FeAl等のB2構造の合金を用いることができる。上記シード層12は、この上に形成される下地層13の(001)面又は(112)面の配向を良好にするために設けられている。下地層13には従来と同様にCr又はCr系合金を用いることができる。
【0046】
なお、本磁気記録媒体10が磁気ディスクの場合、非磁性基板11又はNiP層を用いたシード層12に施されるテクスチャ処理は、ディスクの周方向、即ち、ディスク上のトラックが延在する方向に沿って行われる。
【0047】
上記非磁性中間層14は、この上に形成される第1磁性層15のエピタキシャル成長、粒子分布幅の減少、及び磁気記録媒体の記録面と平行な面に沿った第1磁性層15の異方性軸(磁化容易軸)の配向を促進するために設けられている。この非磁性中間層14は、例えばCoCr−M等のhcp構造を有する合金からなり、例えば1〜5nmの範囲に選定された膜厚を有する。ここで、M=B、Mo、Nb、Ta、W、Cu又はこれらの合金とすることができる。
【0048】
上記第1磁性層15は、Co、Ni、Fe、Co系合金、Ni系合金、Fe系合金等から適宜選択して採用することができる。例えば、CoCr、CoCrTa、CoCrPt、CoCrPt−Mを含むCo系合金を、第1磁性層15に用いることができる。ここで、M=B、Mo、Nb、Ta、W、Cu又はこれらの合金である。特に、Co合金を用いる場合は後述する交換結合磁界を大きくするためにCo濃度を高く設定することもできる。この第1磁性層15は、例えば2〜30nmの範囲に選定された膜厚とすることができる。
【0049】
上記非磁性結合層16は、Ru、Rh、Re、Ir、Cr、Cu、Ru系合金、Rh系合金、Re系合金、Ir系合金、Cr系合金,Cu系合金等とすることができる。この非磁性結合層16を例えばRuで形成する場合には、0.4〜1.0nmの範囲で選定された膜厚を有し、好ましくは約0.8nmの膜厚を有する。この非磁性結合層16の膜厚をこのような範囲に選定することにより、前記第1磁性層15と次に述べる第2磁性層17との磁化方向が互いに反平行となる関係を形成できる。
【0050】
第2磁性層17は、Co又はCoCr、CoCrTa、CoCrPt、CoCrPt−Mを含むCo系合金等から選択して採用できる。ここで、M=B,Mo、Nb、Ta、W、Cu又はこれらの合金である。第2磁性層17についても特にCo合金を用いる場合は、交換結合磁界を大きくするためにCo濃度を高く設定することもできる。第2磁性層17は、例えば2〜30nmの範囲に選定された膜厚を有する。勿論、第2磁性層17は、単一層構造のものに限定されず、多層構造からなる構成であってもよい。
【0051】
保護層18は例えばCからなる。また、潤滑層19は、磁気記録媒体10を例えばスピンバルブヘッド等の磁気トランスデューサと使用するための、有機物潤滑剤からなる。保護層18及び潤滑層19は、磁気記録媒体上の保護層構造を構成する。
【0052】
磁気記録媒体10としての層構造は、勿論図1に示すものに限定されない。例えば、下地層13はCr又はCr系合金からなり、基板11上に5〜40nmの範囲から選定した膜厚にして形成し、第1磁性層15はこのような下地層13上に設けてもよい。さらに、本実施例では反平行となる磁性層が1層ずつの場合を例示するが、下側の第1磁性層の下に、隣接する磁性層と反平行の磁化の磁性層を1層以上追加することも可能である。この場合も追加した各磁性層が既設の第1磁性層15及び第2磁性層17と一体となって磁化方向を回転するように、追加した磁性層の交換結合磁界Hexが第2磁性層の保磁力Hc2より大きくなるように設定する。
【0053】
そして、上記のような基本構造を有する磁気記録媒体10に関する特徴は、第1磁性層15と第2磁性層17とが記録時に反平行状態を維持して一体的に磁化方向を回転する点にある。そのために、第1磁性層15の磁化方向を反転させて第2磁性層17の磁化方向と平行状態にするように作用する反転磁界Hsw*が顕在化しない範囲で記録磁界を供給する構成とすることが好ましい。この反転磁界Hsw*の位置は、第1磁性層15と第2磁性層17とが交換結合した場合に生じた第1磁性層15の交換結合磁界Hex1と第1磁性層15の保磁力Hc1から知ることができる。この点については後に詳述する。
【0054】
なお、交換結合磁界Hexとは、第1磁性層15と第2磁性層17の交換結合により生じる磁界であり、第1磁性層15の交換結合磁界Hex1は、一般にHex1=J/tMs1で求められる。Jは交換結合定数である。同様に第2磁性層17にはHex2=J/tMs2が生じる。本明細書では、第1磁性層15に生じる交換結合磁界Hex1に着目して説明している。
【0055】
交換結合磁界Hex1が第1磁性層15の保磁力Hc1及び第2磁性層17の保磁力Hc2より大きく設定されていれば、第1磁性層15と第2磁性層17の磁化方向を互いに反平行とすることができる。そして、後述するように反転磁界Hsw*は、交換結合磁界Hex1と第1磁性層15の保磁力Hc1との和として求めることができるので、反転磁界Hsw*が顕在化しないように記録磁界を供給することで第1磁性層15と第2磁性層17の磁化方向を反平行に維持しながら記録を行うことができる。
【0056】
さらに、第1磁性層15の保磁力Hc1を大きくした場合には、第2磁性層17の保磁力Hc2と反転磁界Hsw*との差を大きくできるので、磁気記録媒体10を設計する際の自由度を増すことができる。
【0057】
なお、本明細書でいう反転磁界Hsw*は、第2磁性層17の保磁力Hc2が交換結合磁界Hex1より小さい場合において、外部から強度を増加させながら磁界を供給した際に、第1磁性層15の磁化方向を第2磁性層17の磁化方向と平行となるように反転させる磁界である。
【0058】
以下、磁気記録媒体10に含まれる上記のような特徴的な構成をより具体的に説明する。
【0059】
本実施例では、例えば第2磁性層17の保磁力Hc2を約4kOe、第1磁性層15の保磁力Hc1を約0.5kOeとする。よって、第2磁性層17の保磁力Hc2は第1磁性層15の保磁力Hc1よりも十分に大きい。
【0060】
なお、第2磁性層17の膜厚と磁化の積tMs2は、第1磁性層15の膜厚と磁化の積tMs1よりも大きくなるように設定している、そのため第2磁性層17のtMs2から第1磁性層15のtMs1を差し引いた分が主として再生時での信号に寄与する。さらに、第1磁性層15の膜厚と磁化の積tMs1を小さくしているので、交換結合磁界Hex1が大きくなる効果がある。これは、先に示したようにHex1=J/tMs1で求められるからである。
【0061】
さらに、本実施例の磁気記録媒体10では、図1に示した基本構造に加え、第2磁性層17と第1磁性層15との交換結合力を強化する結合強化領域を設けることが好ましい。図2は、第1磁性層15及び第2磁性層17とその間の非磁性結合層16の部分を拡大して結合強化領域を設けた場合の層構成例を示した図である。
【0062】
図2に示す層構成例では、上記第1磁性層15と非磁性結合層16との境界、或いは第1磁性層17と非磁性結合層16との境界の少なくとも一方に、結合強化領域21、22が形成される。下部結合強化領域21は第1磁性層15と平行な磁化方向を有し、上部結合強化領域22は第2磁性層17と平行な磁化方向を有する。上部結合強化領域22及び下部結合強化領域21のそれぞれが、第1磁性層15又は第2磁性層17と一体化して、第1磁性層15と第2磁性層17との交換結合を強化する機能を果たす。上記結合強化領域21、22は、いずれか一方のみを形成した場合でも、第1磁性層15と第2磁性層17との交換結合力の強化を図ることができる。
【0063】
前記結合強化領域21、22は、前記第1磁性層15、前記非磁性結合層16及び前記第2磁性層17のいずれかの表面の一部として、すなわちこれらの表面に形成された界面として形成されてもよく、或いはある程度の厚さが確認できるように形成されてもよい。
【0064】
前記結合強化領域21、22を形成する材料は、例えばFe、Co、Ni及びこれらを含む合金からなる群から選択される。特に、これら結合強化領域21、22を構成する材料としては、Co、CoCr、CoCrTa等を用いることが推奨される。さらに、結合強化領域21、22を構成する材料としては、Co−X、CoCr−Y及びCoCrTa−Yで示される材料を選択して用いることもできる。ここで、X=Pt、Ta、B、Cu、W、Mo、Nb、Ru、Rh、Ir又はこれらの合金であり、Y=Pt、B、Cu、W、Mo、Nb、Ru、Rh、Ir又はこれらの合金である。
【0065】
前記結合強化領域21、22を形成する材料は、最大でも2nm程度までの厚さに制限することが好ましい。この材料は面状態ばかりでなく、分散状態でもよい。例えば、前記第1磁性層15上或いはその表面に、所望の材料が点状に分散した状態であっても前記交換結合強化の機能を十分に発揮する。よって、このように少ない材料が分散したような状態でも、全体として結合強化領域とすることができる。
【0066】
よって、結合強化領域内での材料の厚さは0〜2.0nm程度である。但し、この結合強化領域を形成するのに用いる材料により、磁気記録媒体10に要求される特性が変化するので、これらを総合的に勘案して結合強化領域21、22を形成させる材料の厚さを定めることが好ましい。
【0067】
結合強化領域21、22を形成する材料として好適なFe、Co、Ni及びこれらを含む合金等は、前記第1磁性層15或いは第2磁性層17を形成する材料としても用いることができる場合がある。よって、これらを形成する材料が互いに同一成分を有する場合や類似成分を有する場合があってもよいが、結合強化領域21、22を形成する側の材料についてはCo等の含有割合が所定以上(リッチ)であることが好ましい。例えば、一般的なCoを含む磁性層用材料よりもCo等の含有割合が10〜20(at%)以上高いものを用いることが好ましい。よって、第1磁性層15及び第2磁性層17に用いられる材料と結合強化領域21、22で用いる材料で、その構成成分が類似する場合でも、結合強化領域21、22側の材料に含有するCo等はリッチな状態とする。
【0068】
第1磁性層15或いは第2磁性層17を形成する材料として、前記のようなCo等がリッチである材料を用いることも可能である。この場合には、結合強化領域21、22は、第1磁性層15及び第2磁性層17に含まれることになり、第1磁性層15及び第2磁性層17の表面、すなわち非磁性結合層16との界面が実質的に結合強化領域21、22に相当することなる。この場合には、別途結合強化領域21、22を形成するための材料を準備する必要がない。
【0069】
以上のように、結合強化領域21、22は第2磁性層17と非磁性結合層16との境界、第1磁性層15と非磁性結合層16との境界に実質的に存在すればよい。
【0070】
本実施例の場合、上記結合強化領域21、22はそれぞれ1nmの厚さのCoにより形成している。このような結合強化領域を含む構成を採用することにより、交換結合力が強化され、第2磁性層17の保磁力Hc2と前記第1磁性層の保磁力Hc1及び交換結合磁界Hex1について保磁力Hc2と保磁力Hc1のそれぞれが交換結合磁界Hex1より小さくなる構成を実現している。この構成では、当然に保磁力Hc2<反転磁界Hsw*となる。
【0071】
図3は本実施例の磁気記録媒体10に関して、横軸に磁界、縦軸にカー効果による信号を設定した場合のヒステリシスループを示す図である。
【0072】
なお、ST1からST4として上部に示す2つの矢印は、第1磁性層15と第2磁性層17の磁化方向を模式的に示している。また、図3に示すヒステリシスループには、中央に示すメイン−ヒステリシスループMARと、左右に1つずつあるサブ−ヒステリシスループSURが含まれている。
【0073】
中央の大きなメイン−ヒステリシスループMARは、第1磁性層15及び第2磁性層17が磁化方向を反平行に維持して一体に回転する状態、即ち、ST2の状態とST3の状態を繰り返す場合について示している。
【0074】
また、右側の小さいサブ−ヒステリシスループSURは、第1磁性層15の磁化方向が反平行から平行状態及びその逆になる状態について示している。なお、図3中での参照符号γは第1磁性層15の磁化方向が、反平行状態から平行状態となる反転磁界Hsw*の位置を示している。
【0075】
このサブ−ヒステリシスループSURは、第1磁性層15の磁化方向の状態を示すヒステリシスループ(マイナーループ)と見ることができる。すなわち、参照符号δで示す磁界が無い状態(残留磁化状態)から磁界をプラス(+10kOe)側へ供給した場合、γを通り右側のSUR−1を辿る。このときに第1磁性層15の磁化方向は、第2磁性層17の磁化方向と反平行なST3の状態から第1磁性層15の磁化を反転させた平行なST4の状態となる。また、その逆にST4の状態から磁界をマイナス(−10kOe)側へ供給した場合、左側のSUR−2を辿るときに第1磁性層15の磁化方向を反転させて反平行なST3の状態となる。
【0076】
よって、図3から明らかなように、γで示した反転磁界Hsw*より小さいメイン−ヒステリシスループMARの範囲内で、記録磁界を供給するようにすれば、第1磁性層15と第2磁性層17との反平行状態を維持できることが分かる。
【0077】
ここで、上記サブ−ヒステリシスループSURの略中央は、第1磁性層15の交換結合磁界Hex1を示している。また、メインループMAR中での前記参照符号βは、第1磁性層15及び第2磁性層17が反平行を維持して磁化方向を回転させるような磁界の強度を示す。これは第2磁性層17の保磁力Hc2に概ね相当する。
【0078】
よって、本磁気記録媒体10で、第1磁性層15と第2磁性層17とが反平行状態を維持して一体に磁化方向を回転させる条件は、少なくとも保磁力Hc2<交換結合磁界Hex1であり、反転磁界Hsw*より強い磁界を供給しないようにすることである。
【0079】
そして、前述したようにサブ−ヒステリシスループSURは第1磁性層15の磁化状態を示していると見ることができるので、第1磁性層15の交換結合磁界Hex1と反転磁界Hsw*との磁界強度の差は、第1磁性層15が有する保磁力Hc1と見ることができる。よって、反転磁界Hsw*=交換結合磁界Hex+保磁力Hc1である。
【0080】
図3による例示では、保磁力Hc2<交換結合磁界Hex1の条件を満たしている。そして、当然に保磁力Hc2<(交換結合磁界Hex1+保磁力Hc1)であり、保磁力Hc2<反転磁界Hsw*となる。この場合には交換結合磁界Hex1と保磁力Hc1を用いて反転磁界Hsw*の位置を規定できるので、媒体設計時の参考とすることができる。
【0081】
そして、保磁力Hc2<反転磁界Hsw*を満たす範囲、即ち図3でMTで示す記録磁界を用いることで、第1磁性層15と第2磁性層17とを反平行状態に維持しながら記録を実行できる。
【0082】
なお、上記説明では図3の右側を用いて説明したが、左側については原点に対してほぼ対称である。
【0083】
図3で数値を示してさらに具体的に説明する。本実施例の磁気記録媒体10では結合強化領域を設けて結合力の強化を図っている。よって、第1磁性層15と第2磁性層17との交換結合磁界Hexは約5kOeまで向上し、反転磁界Hsw*は5.5kOeである。
【0084】
ここで、交換結合磁界Hex1は第2磁性層17の保磁力Hc2より大きく設定され、第2磁性層17の保磁力Hc2と反転磁界Hsw*とは保磁力Hc2<反転磁界Hsw*となっている。
【0085】
このような関係が満たされていると参照符号αで示す残留磁化状態から記録磁界が供給され参照符号βで示す磁化反転をする間に常に第1磁性層15と第2磁性層17とを反平行状態に維持することが可能となる。つまり、磁界が無い状態(残留磁化状態α)では、第1磁性層15と第2磁性層17とは反平行なST2の状態であるが、このときに第2磁性層17の磁化と逆向きの記録磁界を供給すると、磁界が第2磁性層17の保磁力Hc2より大きくなったときに第2磁性層17が反転してST3の状態となる(ほぼ、参照符号βの位置)。
【0086】
その際、磁気記録媒体10で第2磁性層17の保磁力Hc2と交換結合磁界Hex1が、保磁力Hc2<交換結合磁界Hex1の関係を満たしているため、第1磁性層15は第2磁性層17とは強く結合しており、第1磁性層15は第2磁性層17と反平行を維持したまま、第2磁性層17と同時に反転する。記録磁界が消滅した残留磁化状態(参照符号δの位置)ではこの反平行状態が維持される。
【0087】
上記状態を簡単に説明するならば、外部から供給された記録磁界よりも2つの第1及び第2磁性層間を反平行に維持しようとする交換結合力の方が強い状態にあると言える。
【0088】
従って、図4(A)で示すようにある一定の記録磁界により1回の磁化反転(IからIII、又はその逆)で反転過程が完了する。よって、図4(B)に比較として示す従来の場合のように第1磁性層15の磁化方向が第2磁性層17の磁化方向に対して一度、平行になるという過程IIが存在しないので、より高速な磁化反転による記録を実現できる。
【0089】
なお、本実施例では結合強化領域を用いて交換結合力を向上させる構成例を示したが、磁気記録媒体10中の第1磁性層15と第2磁性層17との交換結合力はこれらと非磁性結合層16であるRuの界面の状態によっても調整できる。したがって、結合強化領域を設けなくても交換結合力の強化を図ることは可能である。例えば、第1磁性層15と第2磁性層17の組成と膜厚、或いは磁性粒の状態、さらにはRuとの界面の平滑性の改良などによっても交換結合力の強化を実現できる。より具体的に例示するならば磁性層を薄くする、磁性層のCo濃度を上げる、磁性粒子を大きくする等の手段を挙げることができる。
【0090】
一方、その逆に上記交換結合力を変更することなく(即ち、ほぼ一定に維持し)、第2磁性層17の保磁力Hc2を小さくして、前述した第2磁性層17の保磁力Hc2と交換結合磁界Hex1との関係を維持するように設計してもよい。具体的には第2磁性層17の保磁力Hc2は、第2磁性層の材料、添加物質、作製プロセスを変更して微細構造、結晶構造、磁区構造を変更することにより調整を実現できる。例えば、CoCrPtBで第2磁性層17を形成した場合は、Ptの含有量を抑制して保磁力Hc2を下げることができる。
【0091】
さらに、第1磁性層15の保磁力Hc1を増加させることも保磁力Hc2<Hex1+Hc1の関係を満たすための手法の1つである。しかし、この保磁力Hc1をあまり強化すると残留化状態で反平行を維持できなくなる場合がある。よって、保磁力Hc1は少なくとも交換結合磁界Hexより小さくなるように設計する必要がある。
【0092】
本実施例で示す磁気記録媒体10に関し重要な点は、第1磁性層15の交換結合磁界Hex1と第2磁性層17の保磁力Hc2、第1磁性層の保磁力Hc1を制御するさまざまな手法を用いて、保磁力Hc2よりも大きな記録磁界を供給して第1磁性層15と第2磁性層17との磁化方向を反平行に維持しながら回転させることである。その際、供給する記録磁界により、第1磁性層15の磁化方向を反転させる反転磁界Hsw*が顕在化させないようにすることである。これにより、第1磁性層15と第2磁性層17との磁化方向を互いに反平行を維持した状態で、その向きを反転するスイッチングプロセスを高速に行うことが可能となる。
【0093】
確認的に記載すると、図3から明らかなように記録磁界の大きさについて、反転磁界Hsw*より十分に大きな磁界を供給すると、第1磁性層15の磁化方向が第2磁性層17の磁化方向と平行な状態になるため好ましくない。よって、記録磁界の最大値は、保磁力Hc2より大きく、かつ反転磁界Hsw*より小さくする(図3で参照符号βとγとの間)ことが必要である。すなわち、記録用ヘッドからの磁界の最大値が、反転磁界Hsw*越えないように設定することが好ましい。
【0094】
以上のように、第2磁性層17の保磁力Hc2と交換結合磁界Hex1とが、次の関係、保磁力Hc2<交換結合磁界Hex1を満たし、記録ヘッドから供給する記録磁界が反転磁界Hsw*越えないように制御することにより、第1磁性層15と第2磁性層17とを反平行の維持したままで磁化反転させることが可能になる。よって、記録過程で従来のように第1磁性層15と第2磁性層17が平行になる状態が存在しないため、高速記録を実現できる。従って、先に従来の課題として指摘した原因による非線形遷移シフト(NLTS)の劣化という問題は生じない。また、記録直後の高速再生でも正常な再生を行うことができる。
【0095】
図5は、所謂、パターンドメディアの記録面の一部を拡大して示す図である。パターンドメディア30は、従来の磁気記録媒体より単位面積当たりの記憶容量が数倍大きく最近注目されている磁気記録媒体の1つである。このパターンドメディア30は、従来の磁気記録媒体の構造とは異なりリソグラフィ技術等を用いて、人工的に設計した微細な磁気記録領域を単位記録部31とする。パターンドメディは隣り合う単位記録部の境界を切り離してあるため低ノイズの化が可能となる。特に、偏析、粒径微細化を促進するCrなどの添加物を用いる必要がなくなる。したがって磁性層材料として添加物が少なくCo濃度が高い、即ちより大きな交換結合力が得られる材料を用いることができ、前記第1磁性層の交換結合磁界Hex1が、第1磁性層および第2磁性層の保磁力Hc1及び保磁力Hc2よりも大きく設定されている関係を満たすことが容易となる。したがって、このような単位記録部31に前述した関係を有する第1磁性層15、非磁性結合層16及び第2磁性層17を少なくとも含んでいる積層構造を形成すれば、更に高記録密度で高速記録及び再生が可能な新規な磁気記録媒体を形成できる。
【0096】
なお、上述した本実施例では下から第1磁性層15、非磁性結合層16、第2磁性層17としているが、このような層構成に限らず下から第2磁性層17、非磁性結合層16、第1磁性層15としもよい。
【0097】
次に、本発明になる磁気記憶装置の一実施例を、図6及び図7と共に説明する。図6は磁気記憶装置の一実施例の要部を示す断面図であり、図7は同装置の要部を示す平面図である。
【0098】
図6及び図7に示すように、磁気記憶装置は大略ハウジング43からなる。ハウジング43内には、モータ44、ハブ45、複数の磁気記録媒体46、複数の記録再生ヘッド47、複数のサスペンション48、複数のアーム49及びアクチュエータユニット41が設けられている。磁気記録媒体46はモータ44により回転されるハブ45に取付けられている。記録再生ヘッド47は、MRヘッドやGMRヘッド等の再生ヘッドと、インダクティブヘッド等の記録ヘッドとからな複合型の記録再生ヘッドである。各記録再生ヘッド47は、対応するアーム49の先端にサスペンション48を介して取付けられている。アーム49はアクチュエータユニット41により駆動される。この磁気記憶装置の基本構成自体は周知であり、その詳細な説明は本明細書では省略する。
【0099】
上記磁気記憶装置の実施例で、各磁気記録媒体46として図1から図5で説明した構成を有する磁気記録媒体を用い、記録再生ヘッド47の記録ヘッド部から供給する記録磁界を第2磁性層の保磁力Hc2より大きく、かつ反転磁界Hsw*より小さく制御することで好ましい磁気記憶装置となる。勿論、磁気記録媒体46の数は3枚には限定されず、1枚でも、2枚又は4枚以上であってもよい。
【0100】
本磁気記憶装置の基本構成は、図6及び図7に示すものに限定されるものではない。また、本発明で用いる磁気記憶媒体は磁気ディスクに限定されるものではない。
【0101】
以上本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【0102】
【発明の効果】
以上詳述したところから明らかなように、請求項1に記載の発明によれば、従来の場合のように第1磁性層の磁化方向が第2磁性層の磁化方向と一度、平行となってから反平行となる過程がなく、書き込みと同時に最終の磁化位置が達成される。よって、より高速での記録及び再生が可能な高密度記録化した磁気記録媒体として提供できる。
【0103】
また、請求項2に記載の発明によれば、記録磁界を反転磁界Hsw*が顕在化しない範囲内に設定できるので、第1磁性層と第2磁性層との磁化方向を反平行状態に維持させながら磁化回転する磁気記録媒体を確実に形成できる。
【0104】
また、請求項3に記載の発明によれば、交換結合磁界Hex1が第1磁性層の保磁力Hc及び第2磁性層の保磁力Hc2よりも大きい磁気記録媒体をより確実に実現できる。
【0105】
また、請求項4に記載の発明によれば、保磁力を大きく設定した磁性層を主記録層として磁気記録媒体を設計できる。
【0106】
また、請求項5及び6に記載の発明によれば、前記第1磁性層と前記第2磁性層との交換結合力を高めるような交換結合磁界Hexを確実に形成できる。
【0107】
また、請求項7に記載の発明によれば、パターンドメディアの単位記録部を前記第1磁性層、非磁性結合層及び第2磁性層を少なくとも含む積層構造で形成するので、高記録密度で高速記録及び再生が可能な新規な磁気記録媒体を提供できる。
【0108】
そして、請求項8及び9に記載の発明によれば、高記録密度で高速記録及び再生が可能である磁気記憶装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る一実施例の磁気記録媒体の要部概要を示す図である。
【図2】図1に示す磁気記録媒体の第1磁性層及び第2磁性層とその間の非磁性結合層の部分を拡大して結合強化領域を形成した場合の層構成例を示す図である。
【図3】本実施例の磁気記録媒体に関して、横軸に磁界、縦軸にカー効果による信号を設定した場合のヒステリシスループを示す図である。
【図4】(A)は実施例の磁気記録媒体の磁化反転の様子を示す図、(B)は従来の磁気記録媒体の磁化反転の様子を示す図である。
【図5】パターンドメディアの一部を拡大して示す平面図である。
【図6】磁気記憶装置の一実施例の要部を示す断面図である。
【図7】図6に示した磁気記憶装置の要部を示す平面図である。
【符号の説明】
10 磁気記録媒体
11 非磁性基板
12 シード層
13 下地層
14 非磁性中間層
15 第1磁性層
16 非磁性結合層
17 第2磁性層
18 保護層
19 潤滑層
Claims (9)
- 第1磁性層と、第2磁性層とが非磁性結合層を間に介して、磁気的に反平行状態で結合した構造を含む磁気記録媒体であって、
前記第1磁性層の交換結合磁界Hex1は、当該第1磁性層の保磁力Hc1より大きく、かつ該第1の磁性層と該第2の磁性層とが積層された状態で該第2の磁性層が反転するのに要する磁界より大きく設定されていることを特徴とする磁気記録媒体。 - 請求項1に記載の磁気記録媒体において、
前記第1磁性層の磁化方向を反転させ前記第2磁性層の磁化方向と平行状態とする反転磁界Hsw*が、前記交換結合磁界Hex1及び前記保磁力Hc1の和として設定されていることを特徴とする磁気記録媒体。 - 請求項1又は2に記載の磁気記録媒体において、
前記第1磁性層の膜厚と磁化の積tMs1は、前記第2磁性層の膜厚と磁化の積tMs2より小さいことを特徴とする磁気記録媒体。 - 請求項1から3のいずれかに記載の磁気記録媒体において、
前記第1磁性層の保磁力Hc1は、前記第2磁性層の保磁力Hc2より小さいことを特徴とする磁気記録媒体。 - 請求項1から4のいずれかに記載の磁気記録媒体において、
前記第1磁性層と前記非磁性結合層との境界、及び前記第2磁性層と前記非磁性結合層との境界の少なくとも一方に、前記第1磁性層と前記第2磁性層との交換結合力を強化する結合強化領域を含むことを特徴とする磁気記録媒体。 - 請求項5に記載の磁気記録媒体において、
前記結合強化領域が、Fe、Co、Ni及びこれらを含む合金からなる群から選択された材料で形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。 - パターン化した記録用の各単位記録部に、請求項1から6のいずれかに記載の磁気記録媒体の構造を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
- 請求項1から7のいずれかに記載の磁気記録媒体を少なくとも1つ備えた磁気記憶装置。
- 請求項8に記載の磁気記憶装置において、
記録用ヘッドから前記記録媒体へ供給する記録磁界が、前記第2磁性層の保磁力Hc2よりも大きく、かつ前記反転磁界Hsw*よりも小さい範囲に設定されていることを特徴とする磁気記憶装置。
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