JPS63317915A - ヨ−ク型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
ヨ−ク型薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPS63317915A JPS63317915A JP15371387A JP15371387A JPS63317915A JP S63317915 A JPS63317915 A JP S63317915A JP 15371387 A JP15371387 A JP 15371387A JP 15371387 A JP15371387 A JP 15371387A JP S63317915 A JPS63317915 A JP S63317915A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｍｌしヒｑ利」」
本発明はヨーク型薄膜磁気ヘッドに関し、詳しくは磁気
比例感知型素子である磁気抵抗効果素子を使用した再生
専用のヨーク型薄膜磁気ヘッドに関するものである。
比例感知型素子である磁気抵抗効果素子を使用した再生
専用のヨーク型薄膜磁気ヘッドに関するものである。
従来■荻逝
例えば外部から加えられる磁界の変化で磁気抵抗値が変
化する磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と称す）を使用
した薄膜磁気ヘッドには大別して２タイプがある。１タ
イプは磁気テープ走行による磁界変化をＭＲ素子に直接
的に導くシールド型のもので、他の１タイプは上記磁気
テープ走行による磁界変化を強磁性体のヨークを介して
ＭＲ素子に導くヨーク型のものである。上記前者タイプ
のシールド型薄膜磁気ヘッドは構造が簡単で所望の再生
出力が得やすい反面、素子は磁気テープと摺動して走行
させるので、ＭＲ素子が摩耗したり、大気中の水分や摺
動時に生じるガスでＭＲ素子の特性が劣化し易く、ＭＲ
素子の耐摩耗性や耐環境性が劣る。またＭＲ素子は熱に
よんで特性劣化が生じ、ＭＲ素子への通電時に発生ずる
熱が、磁気テープ走行により非定常状態となってザーマ
ルノイズが発生する欠点があった。従って現在では、磁
気テープとＭＲ素子間にヨークを介在させるために上記
磁気テープ走行によるＭＲ素子の摩耗がなく耐環境性が
優れ、またＭＲ素子への通電時に発生する熱が、ＭＲ素
子までは影響う及ぼさないので、サーマルノイズも発生
しない後者タイプのヨーク型薄膜磁気ヘッドが主流とな
っている。
化する磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と称す）を使用
した薄膜磁気ヘッドには大別して２タイプがある。１タ
イプは磁気テープ走行による磁界変化をＭＲ素子に直接
的に導くシールド型のもので、他の１タイプは上記磁気
テープ走行による磁界変化を強磁性体のヨークを介して
ＭＲ素子に導くヨーク型のものである。上記前者タイプ
のシールド型薄膜磁気ヘッドは構造が簡単で所望の再生
出力が得やすい反面、素子は磁気テープと摺動して走行
させるので、ＭＲ素子が摩耗したり、大気中の水分や摺
動時に生じるガスでＭＲ素子の特性が劣化し易く、ＭＲ
素子の耐摩耗性や耐環境性が劣る。またＭＲ素子は熱に
よんで特性劣化が生じ、ＭＲ素子への通電時に発生ずる
熱が、磁気テープ走行により非定常状態となってザーマ
ルノイズが発生する欠点があった。従って現在では、磁
気テープとＭＲ素子間にヨークを介在させるために上記
磁気テープ走行によるＭＲ素子の摩耗がなく耐環境性が
優れ、またＭＲ素子への通電時に発生する熱が、ＭＲ素
子までは影響う及ぼさないので、サーマルノイズも発生
しない後者タイプのヨーク型薄膜磁気ヘッドが主流とな
っている。
上記ヨーク型薄膜磁気ヘッドの従来構造例を第８図及び
第９図を参照しながら説明する。同図に示す磁気ヘッド
は、Ｍｎ −Ｚｎフェライト等の強磁性体からなる基板
（１）上に、ギャップスペーサとなる５ｉ０２等の第１
の絶縁膜（２）、Ｎｉ−Ｆｅ合金等のＭＲ素子（３）、
パーマロイやセンダスト等の金属強磁性体からなるフロ
ントヨーク（４）及びバンクヨーク（５）、八β２０３
等の第２の絶縁膜（６）を蒸着又はスパッタリングによ
り薄膜状に積層形成し、更にその上に結晶化ガラスやセ
ラミック環の保護板（７）を貼着固定したものである。
第９図を参照しながら説明する。同図に示す磁気ヘッド
は、Ｍｎ −Ｚｎフェライト等の強磁性体からなる基板
（１）上に、ギャップスペーサとなる５ｉ０２等の第１
の絶縁膜（２）、Ｎｉ−Ｆｅ合金等のＭＲ素子（３）、
パーマロイやセンダスト等の金属強磁性体からなるフロ
ントヨーク（４）及びバンクヨーク（５）、八β２０３
等の第２の絶縁膜（６）を蒸着又はスパッタリングによ
り薄膜状に積層形成し、更にその上に結晶化ガラスやセ
ラミック環の保護板（７）を貼着固定したものである。
第９図に示すようにＭＲ素子（３）の両端からは外部引
出し用のリード（８）（８）が導出される。この磁気ヘ
ッドのテープ摺動面（９）に露呈するフロントヨーク（
４）の一端と基板（１）の一端との間で磁気ギャップｇ
が形成される。上記フロントヨーク（４）は磁気ギャッ
プｇからＭＲ素子（３）の前端部上まで延び、バンクヨ
ーク（５）はＭＲ素子（３）の後端部上から延びて基板
（１）上に達して直接接続される。このフロントコーク
（４）の後方端部とＭＲ素子（３）の間、及びバンクヨ
ーク（５）の前方端部とＭＲ素子（３）の間に第１の絶
縁膜（２）が介在し、これにより上記両ヨーク（４）（
５）とＭＲ素子（３）とは電気的に絶縁された状態で磁
気的に結合される。
出し用のリード（８）（８）が導出される。この磁気ヘ
ッドのテープ摺動面（９）に露呈するフロントヨーク（
４）の一端と基板（１）の一端との間で磁気ギャップｇ
が形成される。上記フロントヨーク（４）は磁気ギャッ
プｇからＭＲ素子（３）の前端部上まで延び、バンクヨ
ーク（５）はＭＲ素子（３）の後端部上から延びて基板
（１）上に達して直接接続される。このフロントコーク
（４）の後方端部とＭＲ素子（３）の間、及びバンクヨ
ーク（５）の前方端部とＭＲ素子（３）の間に第１の絶
縁膜（２）が介在し、これにより上記両ヨーク（４）（
５）とＭＲ素子（３）とは電気的に絶縁された状態で磁
気的に結合される。
上記ＭＲ素子（３）にリード（８）（８）を介してＭＲ
素子（３）の磁気抵抗変化を検出するための電流を流し
、テープ摺動面（９）に沿って磁気テープ（１０）を走
行させる。これにより磁気テープ（１０）に書込まれた
情報である信号磁束が、フロントヨーク（４）−ＭＲ素
子（３）−バックヨーク（５）一基板（１）の破線で示
す閉磁路りを通り、上記ＭＲ素子（３）の電気抵抗値が
変化し、その変化に比例してこのＭＲ素子（３）両端の
電圧か変化するのを読み取り、磁気テープ（１０）の情
報が検出、すなわち再生が行われる。
素子（３）の磁気抵抗変化を検出するための電流を流し
、テープ摺動面（９）に沿って磁気テープ（１０）を走
行させる。これにより磁気テープ（１０）に書込まれた
情報である信号磁束が、フロントヨーク（４）−ＭＲ素
子（３）−バックヨーク（５）一基板（１）の破線で示
す閉磁路りを通り、上記ＭＲ素子（３）の電気抵抗値が
変化し、その変化に比例してこのＭＲ素子（３）両端の
電圧か変化するのを読み取り、磁気テープ（１０）の情
報が検出、すなわち再生が行われる。
ツ（”パシよ゛と−る口 占
ところで、従来のヨーク型薄膜磁気ヘッドでは、フロン
トヨーク（４）及びハックヨーク（５）を、パーマロイ
やセンダスト等の金属強磁性体の蒸着やスパッタリング
により薄膜状に形成している。そのためフロントヨーク
（４）及びバンクヨーク（５）は、その表面状態が良好
ではなく、磁気テープ（１ｏ）の信号磁束によりフロン
トヨーク（４）及びバックヨーク（５）が磁化されると
、その磁化が磁区ごとに不連続的に行われて磁壁が発生
し易く、その磁壁が瞬間的に不規則に移動してバルクハ
ウゼンノイズが発生し易くなるという問題があった。ま
た、上記フロントヨーク（４）及びバンクヨーク（５）
が金属薄膜であるため、テープ摺動面（９）に露呈する
フロントヨーク（４）の前方端部が、磁気テープ（１０
）の走行により剥離したり、摩耗し易いという問題もあ
った。
トヨーク（４）及びハックヨーク（５）を、パーマロイ
やセンダスト等の金属強磁性体の蒸着やスパッタリング
により薄膜状に形成している。そのためフロントヨーク
（４）及びバンクヨーク（５）は、その表面状態が良好
ではなく、磁気テープ（１ｏ）の信号磁束によりフロン
トヨーク（４）及びバックヨーク（５）が磁化されると
、その磁化が磁区ごとに不連続的に行われて磁壁が発生
し易く、その磁壁が瞬間的に不規則に移動してバルクハ
ウゼンノイズが発生し易くなるという問題があった。ま
た、上記フロントヨーク（４）及びバンクヨーク（５）
が金属薄膜であるため、テープ摺動面（９）に露呈する
フロントヨーク（４）の前方端部が、磁気テープ（１０
）の走行により剥離したり、摩耗し易いという問題もあ
った。
そこで本発明の目的は上記不具合を解消したヨーク型薄
膜磁気ヘッドを提供することにある。
膜磁気ヘッドを提供することにある。
。 を ゛ るための
本発明は前記問題点に鑑みて提案されたもので、基板上
のフロントヨーク及びバックヨークをＮｉ−Ｚｎフェラ
イト等のバルク材を用いて基板に接着して後、薄膜に研
削して形成し、上記フロントヨークとバックヨークの間
に薄膜のＭＲ素子を電気的には絶縁した状態で磁気的に
結合して配置したヨーク型薄膜磁気ヘッドとするもので
ある。
のフロントヨーク及びバックヨークをＮｉ−Ｚｎフェラ
イト等のバルク材を用いて基板に接着して後、薄膜に研
削して形成し、上記フロントヨークとバックヨークの間
に薄膜のＭＲ素子を電気的には絶縁した状態で磁気的に
結合して配置したヨーク型薄膜磁気ヘッドとするもので
ある。
立朋
本発明によれば、フロントヨーク及びバックヨークをバ
ルク材で形成したから、上記フロントヨーク及びバック
ヨークの表面状態が良好で、磁気テープの信号磁束によ
り両ヨークが磁化されても磁壁が発生し難く、上記磁壁
の不規則な移動を可及的に抑制することが実現される。
ルク材で形成したから、上記フロントヨーク及びバック
ヨークの表面状態が良好で、磁気テープの信号磁束によ
り両ヨークが磁化されても磁壁が発生し難く、上記磁壁
の不規則な移動を可及的に抑制することが実現される。
また、上記バルク材にＮｉ−Ｚｎｎフシイ１−を使用ず
れば、Ｎｉ−Ｚｎフェライトが不導体であるため、ＭＲ
素子を絶縁膜を介在させて電気的に絶縁することなく、
フロントヨーク及びバックヨークに直接的に接続して磁
気的に結合させる、二とができ、磁気抵抗の低減化が図
耽る。
れば、Ｎｉ−Ｚｎフェライトが不導体であるため、ＭＲ
素子を絶縁膜を介在させて電気的に絶縁することなく、
フロントヨーク及びバックヨークに直接的に接続して磁
気的に結合させる、二とができ、磁気抵抗の低減化が図
耽る。
実り例一
本発明に係るヨーク型Ｎ膜磁気ヘッドの一実施例を第１
図乃至第７図を参照しながら説明する。尚、第１図及び
第２図は上記ヨーク型薄膜磁気ヘッドの構造例を、第３
図乃至第７図はその５！造方法を説明したものである。
図乃至第７図を参照しながら説明する。尚、第１図及び
第２図は上記ヨーク型薄膜磁気ヘッドの構造例を、第３
図乃至第７図はその５！造方法を説明したものである。
本発明の特徴はフロントヨ−ク及びバックヨークをバル
ク材で形成したことにある。第１図及び第２図に示す磁
気ヘッドは、Ｍｎ −Ｚｎフェライト等の強磁性体から
なる基板（１１）−ヒに、ギャップスペーサとなる５ｉ
０２の第１の絶縁膜（１２） 、Ｎｉ−Ｚｎフェライト
等のバルク材からなるフロントヨーク（１３）及びバッ
クヨーク（１４）を積層形成する。このフロントヨーク
（１３）とバンクヨーク（１４）間の空隙部分にはガラ
ス等の第２の絶縁膜（１５）を埋込形成し、上記フロン
トヨーク（１３）の後方端部とバンクヨーク（１４）の
前方端部に跨るようにＮｉ−Ｆｅ合金等のＭＲ素子（１
６）をフロントヨーク（１３）及びバックヨーク（１４
）に直接的に被着形成する。上記ＭＲ素子（１６）を両
ヨーク（１３） （１４）に直接的に被着形成できる
のは、両ヨーク（１３）（１４）がＮｉ−Ｚｎフェライ
トの強磁性の不導体によるからである。この両ヨーク（
１３） （１４）上に１２０３等の第３の絶縁膜（１
７）を形成し、更にその上に接着材を介してセラミック
や結晶化ガラス製の保護板（１８）を貼着固定する。
ク材で形成したことにある。第１図及び第２図に示す磁
気ヘッドは、Ｍｎ −Ｚｎフェライト等の強磁性体から
なる基板（１１）−ヒに、ギャップスペーサとなる５ｉ
０２の第１の絶縁膜（１２） 、Ｎｉ−Ｚｎフェライト
等のバルク材からなるフロントヨーク（１３）及びバッ
クヨーク（１４）を積層形成する。このフロントヨーク
（１３）とバンクヨーク（１４）間の空隙部分にはガラ
ス等の第２の絶縁膜（１５）を埋込形成し、上記フロン
トヨーク（１３）の後方端部とバンクヨーク（１４）の
前方端部に跨るようにＮｉ−Ｆｅ合金等のＭＲ素子（１
６）をフロントヨーク（１３）及びバックヨーク（１４
）に直接的に被着形成する。上記ＭＲ素子（１６）を両
ヨーク（１３） （１４）に直接的に被着形成できる
のは、両ヨーク（１３）（１４）がＮｉ−Ｚｎフェライ
トの強磁性の不導体によるからである。この両ヨーク（
１３） （１４）上に１２０３等の第３の絶縁膜（１
７）を形成し、更にその上に接着材を介してセラミック
や結晶化ガラス製の保護板（１８）を貼着固定する。
尚、（１９） （１９）はＭＲ素子（１６）の両端か
ら導出されたＡｕｇの外部引出し用リードである。
ら導出されたＡｕｇの外部引出し用リードである。
この磁気ヘッドのテープ摺動面（２０）に露呈するフロ
ントヨーク（１３）の一端と基板（１１）の一端との間
で磁気ギャップｇが形成される。また上記フロントヨー
ク（１３）の後方端部とバックヨーク（１４）の前方端
部に直接的に被着形成されたＭＲ素子（１６）は、上記
両ヨーク（１３）（１４）がＮｉ−Ｚｎフェライトの不
導体であるため、両ヨーク（１３） （１４）に電気
的に絶縁された状態で磁気的に結合される。
ントヨーク（１３）の一端と基板（１１）の一端との間
で磁気ギャップｇが形成される。また上記フロントヨー
ク（１３）の後方端部とバックヨーク（１４）の前方端
部に直接的に被着形成されたＭＲ素子（１６）は、上記
両ヨーク（１３）（１４）がＮｉ−Ｚｎフェライトの不
導体であるため、両ヨーク（１３） （１４）に電気
的に絶縁された状態で磁気的に結合される。
上記ＭＲ素子（１６）に通電すると共にテープ摺動面（
２０）に沿って磁気テープ（２１）を走行させることに
より、上記磁気テープ（２１）の信号磁束が、フロント
ヨーク（１３） −ＭＲ素子（１６）−ハックヨーク（
１４）一基板（１１）の破線で示す閉磁路βを通り、上
記ＭＲ素子（１６）の電気抵抗値が変化してＭＲ素子（
１６）両端の電圧が変化するので、磁気テープ（２１）
の情報が読み取られて再生が行われる。尚、上記磁路ｌ
でば、バックヨーク （１４）と基板（１１）の間にギ
ャップスペーサとなる第１の絶縁膜（１２）が介在する
が、上記バックヨーク（１４）と基板（１１）との対向
部分が長くなっているのでその間での磁気抵抗は無視で
きる程度に小さい。上記磁気ヘッドによる再生時、Ｎｉ
−Ｚｎフェライトのバルク材からなるフロントヨーク（
１３）及びバックヨーク（１４）の表面状態が良好で、
磁気テープ（２１）の信号磁束により両ヨーク（１３）
（１４）が磁化されてもこの両ヨーク（１３） （１
４）自体が磁壁の発生がないものであるので、パーマロ
イやセンダスト等の金属強磁性体を蒸着又はスパッタリ
ングしてなるフロント及びバンクヨークを有する従来の
磁気ヘッドと比較して、磁壁の不規則な移動を可及的に
抑制できる。
２０）に沿って磁気テープ（２１）を走行させることに
より、上記磁気テープ（２１）の信号磁束が、フロント
ヨーク（１３） −ＭＲ素子（１６）−ハックヨーク（
１４）一基板（１１）の破線で示す閉磁路βを通り、上
記ＭＲ素子（１６）の電気抵抗値が変化してＭＲ素子（
１６）両端の電圧が変化するので、磁気テープ（２１）
の情報が読み取られて再生が行われる。尚、上記磁路ｌ
でば、バックヨーク （１４）と基板（１１）の間にギ
ャップスペーサとなる第１の絶縁膜（１２）が介在する
が、上記バックヨーク（１４）と基板（１１）との対向
部分が長くなっているのでその間での磁気抵抗は無視で
きる程度に小さい。上記磁気ヘッドによる再生時、Ｎｉ
−Ｚｎフェライトのバルク材からなるフロントヨーク（
１３）及びバックヨーク（１４）の表面状態が良好で、
磁気テープ（２１）の信号磁束により両ヨーク（１３）
（１４）が磁化されてもこの両ヨーク（１３） （１
４）自体が磁壁の発生がないものであるので、パーマロ
イやセンダスト等の金属強磁性体を蒸着又はスパッタリ
ングしてなるフロント及びバンクヨークを有する従来の
磁気ヘッドと比較して、磁壁の不規則な移動を可及的に
抑制できる。
本発明のヨーク型薄膜磁気ヘッドは、多数の磁気ギャッ
プを有するマルチトラック方式タイプのものが一般的で
あり、その製造方法は以下に示す通りである。まず第３
図に示すようにＭｎ−７ｎフエライト等の強磁性体から
なる基板（１１）を用意し、この基板（１１）上にギャ
ップスペーサとなる５ｉ０２等の第１の絶縁膜（１２）
を蒸着或いはスパッタリングにより被着形成する。一方
、第４図に示すようにＮｉ−Ｚｎフェライトのバルク材
からなるヨーク板（２２）を用意し、１つのヨーク分離
用凹溝（２３）とこの凹溝（２３）と直交するように複
数のクロストーク防止用凹溝（２３’）（２３′）をイ
オンミリング等により形成する。そして上記ヨーク板（
２２）の凹溝（２３）（２３”）（２３’）にガラス等
を埋設して第２の絶縁膜（１５）（１５″）（１５″）
を形成した後、ヨーク板（２２）表面を研磨する。次に
第５図に示すように前記基板（１１）の第１の絶縁膜（
１２）形成面と、ヨーク板（２２）の凹溝（２３）
（２３’）（２３°）形成面とを衝合させた状態で基板
（１１）とヨーク板（２２）とを重合わせて接着固定す
る。この状態から第６図に示すようにヨーク板（２２）
の表面をヨーク板（２２）が所定の厚み、例えば７μｍ
程度となるまで研削して凹溝（２３）（２３’） （
２３’）内の第２の絶縁膜（１５） （１５’）（１
５’）を露呈させる。これにより上記ヨーク板（２２）
は凹溝（２３）内の第２の絶縁膜（１５）にてフロント
ヨーク（１３）とバックヨーク（１４）に分離される。
プを有するマルチトラック方式タイプのものが一般的で
あり、その製造方法は以下に示す通りである。まず第３
図に示すようにＭｎ−７ｎフエライト等の強磁性体から
なる基板（１１）を用意し、この基板（１１）上にギャ
ップスペーサとなる５ｉ０２等の第１の絶縁膜（１２）
を蒸着或いはスパッタリングにより被着形成する。一方
、第４図に示すようにＮｉ−Ｚｎフェライトのバルク材
からなるヨーク板（２２）を用意し、１つのヨーク分離
用凹溝（２３）とこの凹溝（２３）と直交するように複
数のクロストーク防止用凹溝（２３’）（２３′）をイ
オンミリング等により形成する。そして上記ヨーク板（
２２）の凹溝（２３）（２３”）（２３’）にガラス等
を埋設して第２の絶縁膜（１５）（１５″）（１５″）
を形成した後、ヨーク板（２２）表面を研磨する。次に
第５図に示すように前記基板（１１）の第１の絶縁膜（
１２）形成面と、ヨーク板（２２）の凹溝（２３）
（２３’）（２３°）形成面とを衝合させた状態で基板
（１１）とヨーク板（２２）とを重合わせて接着固定す
る。この状態から第６図に示すようにヨーク板（２２）
の表面をヨーク板（２２）が所定の厚み、例えば７μｍ
程度となるまで研削して凹溝（２３）（２３’） （
２３’）内の第２の絶縁膜（１５） （１５’）（１
５’）を露呈させる。これにより上記ヨーク板（２２）
は凹溝（２３）内の第２の絶縁膜（１５）にてフロント
ヨーク（１３）とバックヨーク（１４）に分離される。
その後、第７図に示すようにフロントヨーク（１３）の
後方端部とバックヨーク（１４）の前方端部とに跨るよ
うに、Ｎｉ−Ｆｅ合金等のＭＲ素子（１６）を蒸着又は
スパッタリングにより薄膜形成する。また上記ＭＲ素子
（１６）の両端から導出されたＡｕ製の外部引出し用リ
ード（１９） （１９）を蒸着或いはスパッタリング
により被着形成する。そして最後に図示しないが上記フ
ロント日−り（１３）及びバックヨーク（１４）上にＡ
＃２０３等の第３の絶縁膜（１７）を形成し、更にその
上に接着材を介してセラミックや結晶化ガラス製の保護
板（１８）を貼着固定する（第１図参照）。
後方端部とバックヨーク（１４）の前方端部とに跨るよ
うに、Ｎｉ−Ｆｅ合金等のＭＲ素子（１６）を蒸着又は
スパッタリングにより薄膜形成する。また上記ＭＲ素子
（１６）の両端から導出されたＡｕ製の外部引出し用リ
ード（１９） （１９）を蒸着或いはスパッタリング
により被着形成する。そして最後に図示しないが上記フ
ロント日−り（１３）及びバックヨーク（１４）上にＡ
＃２０３等の第３の絶縁膜（１７）を形成し、更にその
上に接着材を介してセラミックや結晶化ガラス製の保護
板（１８）を貼着固定する（第１図参照）。
尚、上記実施例ではフロントヨーク（１３）及びバック
ヨーク（１４）をＮｉ−Ｚｎフェライトで形成した場合
について説明したが、本発明はこれに限定されることな
く、その他に例えば、Ｍｎ −Ｚｎフェライト等の他の
バルク材で上記両ヨーク（１３） （１４）を形成し
てもよいのは勿論である。
ヨーク（１４）をＮｉ−Ｚｎフェライトで形成した場合
について説明したが、本発明はこれに限定されることな
く、その他に例えば、Ｍｎ −Ｚｎフェライト等の他の
バルク材で上記両ヨーク（１３） （１４）を形成し
てもよいのは勿論である。
金凱皮立果
本発明に係るヨーク型薄膜磁気ヘッドによれば、フロン
トヨーク及びバックヨークをバルク材で形成したから、
再生時、上記両ヨークが磁化されても磁壁の不規則な移
動が抑制されてバルクハウゼンノイズの発生を未然に防
止できる。またテープ摺動面でのフロントヨークの摩耗
も抑制できる。更に上記バルク材にＮｉ−Ｚｎフェライ
トを使用すれば、フロントヨーク及びバックヨークに直
接的にＭＲ素子を設けることができて磁気抵抗の低減化
が図れて磁気特性の良好な高品質の磁気ヘッドを提供で
きる。
トヨーク及びバックヨークをバルク材で形成したから、
再生時、上記両ヨークが磁化されても磁壁の不規則な移
動が抑制されてバルクハウゼンノイズの発生を未然に防
止できる。またテープ摺動面でのフロントヨークの摩耗
も抑制できる。更に上記バルク材にＮｉ−Ｚｎフェライ
トを使用すれば、フロントヨーク及びバックヨークに直
接的にＭＲ素子を設けることができて磁気抵抗の低減化
が図れて磁気特性の良好な高品質の磁気ヘッドを提供で
きる。
第１図は本発明に係るヨーク薄膜磁気ヘッドの一実施例
を示す断面図、第２図は第１図ヘッドの平面図、第３図
乃至第７図はその磁気ヘッドの製造各工程における各斜
視図である。 第８図はヨーク型薄膜磁気ヘッドの従来例を示す断面図
、第９図は第８図の平面図である。 （１１） 一基板、 （１３） −フロントヨー
ク、（１４） −バックヨーク、 （１６） −磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）。 第１図 第２図 ２１、〜１ Ｎ ■ Ｌ」 第８図 第４図 第５図
を示す断面図、第２図は第１図ヘッドの平面図、第３図
乃至第７図はその磁気ヘッドの製造各工程における各斜
視図である。 第８図はヨーク型薄膜磁気ヘッドの従来例を示す断面図
、第９図は第８図の平面図である。 （１１） 一基板、 （１３） −フロントヨー
ク、（１４） −バックヨーク、 （１６） −磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）。 第１図 第２図 ２１、〜１ Ｎ ■ Ｌ」 第８図 第４図 第５図
Claims (2)
- （１）基板上に形成されたフロントヨークとバックヨー
クの間に薄膜の磁気抵抗効果素子を電気的には絶縁した
状態で磁気的に結合して配置したものにおいて、 上記フロントヨーク及びバックヨークをバルク材を用い
て基板に接着して後、薄膜に研削して形成したことを特
徴とするヨーク型薄膜磁気ヘッド。 - （２）上記フロントヨーク及びバックヨークのバルク材
をＮｉ−Ｚｎフェライトとしたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のヨーク型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15371387A JP2505465B2 (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | ヨ−ク型薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15371387A JP2505465B2 (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | ヨ−ク型薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63317915A true JPS63317915A (ja) | 1988-12-26 |
| JP2505465B2 JP2505465B2 (ja) | 1996-06-12 |
Family
ID=15568471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15371387A Expired - Lifetime JP2505465B2 (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | ヨ−ク型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2505465B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0330108A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-08 | Nec Kansai Ltd | 磁気抵抗効果ヘッド |
| EP0600549A2 (en) * | 1992-12-01 | 1994-06-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Thin-film magnetic head and method of manufacturing the magnetic head |
| EP0617409A2 (en) * | 1993-03-22 | 1994-09-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a thin-film magnetic head, and magnetic head obtainable by means of said method |
| EP0617410A2 (en) * | 1993-03-22 | 1994-09-28 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken | Method of manufacturing a thin-film magnetic head, and magnetic head obtainable by means of said method |
| BE1006925A3 (nl) * | 1993-03-22 | 1995-01-24 | Koninkl Philips Electronics Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een dunnefilm magneetkop en magneetkop vervaardigd volgens de werkwijze. |
| US6150918A (en) * | 1995-05-03 | 2000-11-21 | Bc Components Holdings B.V. | Degaussing unit comprising one or two thermistors |
| KR100307860B1 (ko) * | 1992-12-01 | 2001-11-30 | 요트.게.아. 롤페즈 | 박막자기헤드및자기헤드제조방법 |
-
1987
- 1987-06-19 JP JP15371387A patent/JP2505465B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0330108A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-08 | Nec Kansai Ltd | 磁気抵抗効果ヘッド |
| EP0600549A2 (en) * | 1992-12-01 | 1994-06-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Thin-film magnetic head and method of manufacturing the magnetic head |
| EP0600549A3 (en) * | 1992-12-01 | 1996-06-26 | Koninkl Philips Electronics Nv | Thin-film magnetic head and method of manufacturing the magnetic head. |
| KR100307860B1 (ko) * | 1992-12-01 | 2001-11-30 | 요트.게.아. 롤페즈 | 박막자기헤드및자기헤드제조방법 |
| EP0617409A2 (en) * | 1993-03-22 | 1994-09-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a thin-film magnetic head, and magnetic head obtainable by means of said method |
| EP0617410A2 (en) * | 1993-03-22 | 1994-09-28 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken | Method of manufacturing a thin-film magnetic head, and magnetic head obtainable by means of said method |
| BE1006925A3 (nl) * | 1993-03-22 | 1995-01-24 | Koninkl Philips Electronics Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een dunnefilm magneetkop en magneetkop vervaardigd volgens de werkwijze. |
| EP0617410A3 (en) * | 1993-03-22 | 1996-12-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Manufacturing method of a thin film magnetic head and magnetic head produced thereafter. |
| EP0617409A3 (en) * | 1993-03-22 | 1996-12-27 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method for manufacturing a thin film magnetic head and magnetic head obtainable by this method. |
| US6150918A (en) * | 1995-05-03 | 2000-11-21 | Bc Components Holdings B.V. | Degaussing unit comprising one or two thermistors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2505465B2 (ja) | 1996-06-12 |
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