JPH0441412B2 - - Google Patents
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- JPH0441412B2 JPH0441412B2 JP59000456A JP45684A JPH0441412B2 JP H0441412 B2 JPH0441412 B2 JP H0441412B2 JP 59000456 A JP59000456 A JP 59000456A JP 45684 A JP45684 A JP 45684A JP H0441412 B2 JPH0441412 B2 JP H0441412B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G11B5/332—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using thin films
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は垂直磁気記録媒体に記録された信号
磁化の再生に好適な磁気抵抗効果型の再生用の薄
膜磁気ヘツドに関するものである。
磁化の再生に好適な磁気抵抗効果型の再生用の薄
膜磁気ヘツドに関するものである。
従来例の構成とその問題点
垂直磁気記録は従来の長手方向磁気記録より本
質的に高密度記録に適していることが知られてい
る。しかし、再生過程においてはまだいろいろ問
題があつた。例えば、電磁誘導による巻線型磁気
ヘツドで再生する場合には、単磁極型ヘツドや、
リング型ヘツドが提案されている。リング型ヘツ
ドで再生する場合、垂直磁気記録の特徴である短
波長信号を再生するためには、ギヤツプ長を極端
に小さくする必要があり、その場合磁気ヘツドの
磁気回路能率が非常に悪くなる。再生感度を上げ
るために巻線数を増やしていくと、ヘツドインダ
クタンスの増大により自己共振周波数が低下す
る。一方、記録波長の短波長化に伴い信号周波数
は高くなるため、磁気ヘツドの自己共振周波数の
低下は信号再生において、極めて不都合であつ
た。また、単磁極型ヘツドにおいても、巻線型で
あるため、同様の問題をもつている。電磁誘導型
ヘツドで共通したさらに大きい問題は、ヘツドと
記録媒体間の相対速度が小さい場合、再生出力電
圧が小さくなり、上記問題を大きくする。一方、
磁気ヘツドを多数並設するマルチトラツク構成に
おいては、巻線スペースが問題となる。さらに、
薄膜技術で構成する場合には、巻線数が限られ、
高感度な再生ヘツドを実現できない。
質的に高密度記録に適していることが知られてい
る。しかし、再生過程においてはまだいろいろ問
題があつた。例えば、電磁誘導による巻線型磁気
ヘツドで再生する場合には、単磁極型ヘツドや、
リング型ヘツドが提案されている。リング型ヘツ
ドで再生する場合、垂直磁気記録の特徴である短
波長信号を再生するためには、ギヤツプ長を極端
に小さくする必要があり、その場合磁気ヘツドの
磁気回路能率が非常に悪くなる。再生感度を上げ
るために巻線数を増やしていくと、ヘツドインダ
クタンスの増大により自己共振周波数が低下す
る。一方、記録波長の短波長化に伴い信号周波数
は高くなるため、磁気ヘツドの自己共振周波数の
低下は信号再生において、極めて不都合であつ
た。また、単磁極型ヘツドにおいても、巻線型で
あるため、同様の問題をもつている。電磁誘導型
ヘツドで共通したさらに大きい問題は、ヘツドと
記録媒体間の相対速度が小さい場合、再生出力電
圧が小さくなり、上記問題を大きくする。一方、
磁気ヘツドを多数並設するマルチトラツク構成に
おいては、巻線スペースが問題となる。さらに、
薄膜技術で構成する場合には、巻線数が限られ、
高感度な再生ヘツドを実現できない。
これらの問題を解決するために、最近、磁気抵
抗効果（以下MRと略記する）ヘツドが注目され
ている。従来のMRヘツドは、例えば、短冊状
MR素子の長手方向に電流を流し、記録媒体に
MR素子を垂直に配置し、信号磁界が素子面内
に、長手方向と直角に入る素子単体型MRヘツド
がある。このタイプのMRヘツドでは、ヘツド構
造のみに起因する波長応答特性はMR素子幅ｗに
よつて決定されることが知られている。この波長
損失を充分小さくするためには素子幅ｗを波長λ
程度にする必要があり、これは短波長指向のヘツ
ドにとつては極めて不利である。一方、MR素子
の厚さ方向の両側に高透磁率の磁性体を配置した
シールド型MRヘツドがある。このタイプのMR
ヘツドは従来のリング型巻線ヘツドと略同じ波長
応答を示し、かなり短波長まで高感度に使用でき
ることが知られている。しかし、MR素子と両側
の高透磁率磁性体との間には磁気的、電気的な絶
縁を施す必要があり。この間の絶縁層厚g1，g2が
従来のリング型巻線ヘツドのギヤツプ長に相当す
る。さらに、近似的にはg1のギヤツプ損失とg2の
ギヤツプ損失の積の形になるため、短波長におけ
るギヤツプ損失を充分小さくするためには、g1，
g2共極端に小さくする必要があり、この状況下
で、磁気的、電気的にリークのない狭ギヤツプ長
を形成することは極めて困難である。
抗効果（以下MRと略記する）ヘツドが注目され
ている。従来のMRヘツドは、例えば、短冊状
MR素子の長手方向に電流を流し、記録媒体に
MR素子を垂直に配置し、信号磁界が素子面内
に、長手方向と直角に入る素子単体型MRヘツド
がある。このタイプのMRヘツドでは、ヘツド構
造のみに起因する波長応答特性はMR素子幅ｗに
よつて決定されることが知られている。この波長
損失を充分小さくするためには素子幅ｗを波長λ
程度にする必要があり、これは短波長指向のヘツ
ドにとつては極めて不利である。一方、MR素子
の厚さ方向の両側に高透磁率の磁性体を配置した
シールド型MRヘツドがある。このタイプのMR
ヘツドは従来のリング型巻線ヘツドと略同じ波長
応答を示し、かなり短波長まで高感度に使用でき
ることが知られている。しかし、MR素子と両側
の高透磁率磁性体との間には磁気的、電気的な絶
縁を施す必要があり。この間の絶縁層厚g1，g2が
従来のリング型巻線ヘツドのギヤツプ長に相当す
る。さらに、近似的にはg1のギヤツプ損失とg2の
ギヤツプ損失の積の形になるため、短波長におけ
るギヤツプ損失を充分小さくするためには、g1，
g2共極端に小さくする必要があり、この状況下
で、磁気的、電気的にリークのない狭ギヤツプ長
を形成することは極めて困難である。
以上のようなMR素子幅損失やギヤツプ損失を
解消し、短波長領域で効率良く垂直磁化を再生す
ることができる薄膜磁気ヘツドが提案されてい
る。
解消し、短波長領域で効率良く垂直磁化を再生す
ることができる薄膜磁気ヘツドが提案されてい
る。
第１図および第２図はそれぞれ薄膜磁気ヘツド
の提案例を示す斜視図および断面図である。図に
示すように、フエライトなどの強磁性体１とガラ
ス、セラミクスなどの非磁性体２を接合し、その
表面３を鏡面に仕上げる。。このようにして仕上
げられた表面３上に例えばNi−Fe合金を蒸着手
段で500〓程度の厚さに被着し、写真食刻技術で
電極５，６をMR素子４の長手方向の両端に配置
しかつMR素子４が接合方向と平行になるように
配置した薄膜磁気検出部を形成する。MR素子４
の上端部は強磁性体１の下端部７と磁気結合し、
MR素子４の下端部は記録媒体１１と当接してい
る。記録媒体１１のうち、８はCo−Crなどの垂
直異方性膜、９はパーマロイなどの軟磁性薄膜、
１０はベース、また矢印１２は記録媒体１１の移
動方向である。
の提案例を示す斜視図および断面図である。図に
示すように、フエライトなどの強磁性体１とガラ
ス、セラミクスなどの非磁性体２を接合し、その
表面３を鏡面に仕上げる。。このようにして仕上
げられた表面３上に例えばNi−Fe合金を蒸着手
段で500〓程度の厚さに被着し、写真食刻技術で
電極５，６をMR素子４の長手方向の両端に配置
しかつMR素子４が接合方向と平行になるように
配置した薄膜磁気検出部を形成する。MR素子４
の上端部は強磁性体１の下端部７と磁気結合し、
MR素子４の下端部は記録媒体１１と当接してい
る。記録媒体１１のうち、８はCo−Crなどの垂
直異方性膜、９はパーマロイなどの軟磁性薄膜、
１０はベース、また矢印１２は記録媒体１１の移
動方向である。
このような構成にすることにより、垂直異方性
膜８に記録された信号磁化から発生する磁束は、
MR素子４の下端部から導かれてMR素子４を通
り、その上端部から強磁性体１の下端部７を通つ
て強磁性体１に流入し、非磁性体層２を介して広
い面積で対向している記録媒体１１の軟磁性薄膜
９に導かれて元の信号磁化にもどる。この結果、
従来問題となつていた単体型MRヘツドにおける
素子幅損失およびシールド型MRヘツドにおける
ギヤツプ損失を解消して効率良く垂直磁化を再生
し、波長応答特性上に凹凸の無い高密度特性の優
れた垂直磁化再生用の薄膜磁気ヘツドを実現でき
る。
膜８に記録された信号磁化から発生する磁束は、
MR素子４の下端部から導かれてMR素子４を通
り、その上端部から強磁性体１の下端部７を通つ
て強磁性体１に流入し、非磁性体層２を介して広
い面積で対向している記録媒体１１の軟磁性薄膜
９に導かれて元の信号磁化にもどる。この結果、
従来問題となつていた単体型MRヘツドにおける
素子幅損失およびシールド型MRヘツドにおける
ギヤツプ損失を解消して効率良く垂直磁化を再生
し、波長応答特性上に凹凸の無い高密度特性の優
れた垂直磁化再生用の薄膜磁気ヘツドを実現でき
る。
また、ヘツド基板を強磁性体１と耐摩耗性に優
れた非磁性体２をガラスなどにより接合すること
により、偏摩耗が無く、実用特性にも優れた薄膜
磁気ヘツドが得られる。
れた非磁性体２をガラスなどにより接合すること
により、偏摩耗が無く、実用特性にも優れた薄膜
磁気ヘツドが得られる。
第３図は提案例の薄膜磁気ヘツドと従来の磁気
ヘツドとの波長応答特性を比較したものである。
横軸に波長λの逆数、すなわち周波数に対応した
もので、横軸に相対出力をとつたものである。垂
直磁気記録媒体に記録された信号を素子単体型
MRヘツドおよびシールド型MRヘツドで再生し
た場合の波長応答特性をそれぞれ曲線イ，ロで示
す。また、提案例の薄膜磁気ヘツドで再生した場
合を曲線ハで示す。
ヘツドとの波長応答特性を比較したものである。
横軸に波長λの逆数、すなわち周波数に対応した
もので、横軸に相対出力をとつたものである。垂
直磁気記録媒体に記録された信号を素子単体型
MRヘツドおよびシールド型MRヘツドで再生し
た場合の波長応答特性をそれぞれ曲線イ，ロで示
す。また、提案例の薄膜磁気ヘツドで再生した場
合を曲線ハで示す。
しかし、第１図および第２図に示した薄膜磁気
ヘツドの提案例は、MR素子４がCo−Crなどの
導電性のよい記録媒体１１に直接当接しているた
め、MR素子４を流れる電流が記録媒体１１にリ
ークしてノイズを発生させるおそれがある。ま
た、MR素子４は耐摩耗性、耐食性が劣り、信頼
性の点でも問題がある。
ヘツドの提案例は、MR素子４がCo−Crなどの
導電性のよい記録媒体１１に直接当接しているた
め、MR素子４を流れる電流が記録媒体１１にリ
ークしてノイズを発生させるおそれがある。ま
た、MR素子４は耐摩耗性、耐食性が劣り、信頼
性の点でも問題がある。
発明の目的
この発明の目的は、薄膜磁気抵抗効果素子から
記録媒体へのリーク電流を抑止してノイズの発生
を防止し、かつ信頼性の高い薄膜磁気ヘツドを提
供することである。
記録媒体へのリーク電流を抑止してノイズの発生
を防止し、かつ信頼性の高い薄膜磁気ヘツドを提
供することである。
発明の構成
この発明の薄膜磁気ヘツドは、前面を記録媒体
に対向させた強磁性体とこの強磁性体の前面に付
着形成した非磁性体層と、一端が前記強磁性体の
側面に付着形成されて前記強磁性体と磁気結合す
るとともに他端が前記強磁性体の側面に連なる前
記非磁性体層の側面に付着形成さて前記記録媒体
に対向する薄膜磁気検出部とを備え、前記薄膜磁
気検出部は、一端部が前記強磁性体と磁気的に結
合した強磁性材よりなる薄膜磁気抵抗効果素子
と、この薄膜磁気抵抗効果素子の他端部に自己の
一端部が電気絶縁体を介して磁気的に結合しかつ
自己の他端部が前記記録媒体に面した強磁性薄膜
とで構成されていることを特徴とする。
に対向させた強磁性体とこの強磁性体の前面に付
着形成した非磁性体層と、一端が前記強磁性体の
側面に付着形成されて前記強磁性体と磁気結合す
るとともに他端が前記強磁性体の側面に連なる前
記非磁性体層の側面に付着形成さて前記記録媒体
に対向する薄膜磁気検出部とを備え、前記薄膜磁
気検出部は、一端部が前記強磁性体と磁気的に結
合した強磁性材よりなる薄膜磁気抵抗効果素子
と、この薄膜磁気抵抗効果素子の他端部に自己の
一端部が電気絶縁体を介して磁気的に結合しかつ
自己の他端部が前記記録媒体に面した強磁性薄膜
とで構成されていることを特徴とする。
この発明によれば、薄膜磁気検出部の近傍に非
磁性体層を介して大面積を記録媒体と対向する強
磁性体を配置することにより、高密度の垂直磁化
を効率良く再生し、凹凸の無い良好な記録密度特
性が得られる。
磁性体層を介して大面積を記録媒体と対向する強
磁性体を配置することにより、高密度の垂直磁化
を効率良く再生し、凹凸の無い良好な記録密度特
性が得られる。
また、薄膜磁気抵抗効果素子を直接記録媒体に
当接させるのではなく、薄膜磁気抵抗効果素子の
他端部に強磁性薄膜の一端部を電気絶縁体を介し
て磁気的に結合させ、かつ強磁性薄膜の他端部を
記録媒体に面した構造として、強磁性薄膜の他端
部を記録媒体に当接させるようにしているので、
磁気抵抗効果素子と記録媒体とを絶縁することが
でき、薄膜磁気抵抗効果素子から記録媒体へのリ
ーク電流を抑止してノイズの発生を防止すること
ができる。また、記録媒体に当接する強磁性体と
して、耐摩耗性、耐食性の優れた材質のものを選
択することができ、信頼性を向上させることがで
きる。
当接させるのではなく、薄膜磁気抵抗効果素子の
他端部に強磁性薄膜の一端部を電気絶縁体を介し
て磁気的に結合させ、かつ強磁性薄膜の他端部を
記録媒体に面した構造として、強磁性薄膜の他端
部を記録媒体に当接させるようにしているので、
磁気抵抗効果素子と記録媒体とを絶縁することが
でき、薄膜磁気抵抗効果素子から記録媒体へのリ
ーク電流を抑止してノイズの発生を防止すること
ができる。また、記録媒体に当接する強磁性体と
して、耐摩耗性、耐食性の優れた材質のものを選
択することができ、信頼性を向上させることがで
きる。
実施例の説明
第４図はこの発明の一実施例を示したものであ
り、薄膜磁気検出部の構成がMR素子４の上端部
は強磁性体１の下端部７と磁気的に結合してお
り、MR素子４の下端部は電気絶縁体を介して強
磁性薄膜１３の上端部と磁気的に結合しており、
強磁性薄膜１３の下端部が記録媒体１１と当接し
ている構造である。電気絶縁体としては、SiO，
SiO2などの絶縁薄膜を用いる。
り、薄膜磁気検出部の構成がMR素子４の上端部
は強磁性体１の下端部７と磁気的に結合してお
り、MR素子４の下端部は電気絶縁体を介して強
磁性薄膜１３の上端部と磁気的に結合しており、
強磁性薄膜１３の下端部が記録媒体１１と当接し
ている構造である。電気絶縁体としては、SiO，
SiO2などの絶縁薄膜を用いる。
このような構造にすることにより、MR素子４
を流れる電流がCo−Crなどの導電性の良い記録
媒体１２にリークするのを防ぐことができる。ま
た、強磁性薄膜１４としては、高透磁率・高飽和
磁束密度の磁性材料および耐摩耗性・耐食性に優
れた材料が望ましく、これらの条件に適したもの
として非晶質磁性材料を用いることにより高性能
の垂直磁化再生用の薄膜磁気ヘツドが実現でき
る。
を流れる電流がCo−Crなどの導電性の良い記録
媒体１２にリークするのを防ぐことができる。ま
た、強磁性薄膜１４としては、高透磁率・高飽和
磁束密度の磁性材料および耐摩耗性・耐食性に優
れた材料が望ましく、これらの条件に適したもの
として非晶質磁性材料を用いることにより高性能
の垂直磁化再生用の薄膜磁気ヘツドが実現でき
る。
また、図には示していないが、薄膜磁気検出部
の両側に前述の強磁性体を配置させることによ
り、外部からの誘導ノイズに強い薄膜磁気ヘツド
を実現できるとともに、再生効率を高めるという
効果も合せもつことになる。
の両側に前述の強磁性体を配置させることによ
り、外部からの誘導ノイズに強い薄膜磁気ヘツド
を実現できるとともに、再生効率を高めるという
効果も合せもつことになる。
発明の効果
以上のように、この発明による薄膜磁気ヘツド
は、従来の単体型MRヘツドにおける素子幅損失
や、シールド型MRヘツドにおけるギヤツプ損失
が無いため、高密度の垂直磁化をロスが少なく高
効率で再生することができる。さらに、ヘツド・
媒体間の相対速度が小さくても充分な再生出力が
得られると同時にヘツドインダクタンスが小さい
ために回路的な取扱いにおいて有利であり、さら
に今後予想されるマルチトラツク化においても好
適な構成である。また、構造が簡単であるため、
製造が容易で、高感度な再生ヘツドの量産が容易
に実現できる。
は、従来の単体型MRヘツドにおける素子幅損失
や、シールド型MRヘツドにおけるギヤツプ損失
が無いため、高密度の垂直磁化をロスが少なく高
効率で再生することができる。さらに、ヘツド・
媒体間の相対速度が小さくても充分な再生出力が
得られると同時にヘツドインダクタンスが小さい
ために回路的な取扱いにおいて有利であり、さら
に今後予想されるマルチトラツク化においても好
適な構成である。また、構造が簡単であるため、
製造が容易で、高感度な再生ヘツドの量産が容易
に実現できる。
また、薄膜磁気抵抗効果素子を直接記録媒体に当
接させるのではなく、薄膜磁気抵抗効果素子の他
端部に強磁性薄膜の一端部を電気絶縁体を介して
磁気的に結合させ、かつ強磁性薄膜の他端部を記
録媒体に面した構造として、強磁性薄膜の他端部
を記録媒体に当接させるようにしているので、磁
気抵抗効果素子と記録媒体とを絶縁することがで
き、薄膜磁気抵抗効果素子から記録媒体へのリー
ク電流を抑止してノイズの発生を防止することが
できる。また、記録媒体に当接する強磁性体とし
て、耐摩耗性、耐食性の優れた材質のものを選択
することができ、信頼性を向上させることができ
る。
接させるのではなく、薄膜磁気抵抗効果素子の他
端部に強磁性薄膜の一端部を電気絶縁体を介して
磁気的に結合させ、かつ強磁性薄膜の他端部を記
録媒体に面した構造として、強磁性薄膜の他端部
を記録媒体に当接させるようにしているので、磁
気抵抗効果素子と記録媒体とを絶縁することがで
き、薄膜磁気抵抗効果素子から記録媒体へのリー
ク電流を抑止してノイズの発生を防止することが
できる。また、記録媒体に当接する強磁性体とし
て、耐摩耗性、耐食性の優れた材質のものを選択
することができ、信頼性を向上させることができ
る。
第１図は提案例の薄膜磁気ヘツドの斜視図、第
２図は第１図のＡ−A′断面図、第３図は従来例
と提案例の薄膜磁気ヘツドの波長応答特性を示す
特性図、第４図はこの発明の一実施例の薄膜磁気
ヘツドの断面図である。 １……強磁性体、２……非磁性体、４……MR
素子、５，６……電極、１３……強磁性薄膜。
２図は第１図のＡ−A′断面図、第３図は従来例
と提案例の薄膜磁気ヘツドの波長応答特性を示す
特性図、第４図はこの発明の一実施例の薄膜磁気
ヘツドの断面図である。 １……強磁性体、２……非磁性体、４……MR
素子、５，６……電極、１３……強磁性薄膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 前面を記録媒体に対向させた強磁性体と、こ
の強磁性体の前面に付着形成した非磁性体層と、
一端が前記強磁性体の側面に付着形成されて前記
強磁性体と磁気結合するとともに他端が前記強磁
性体の側面に連なる前記非磁性体層の側面に付着
形成されて前記記録媒体に対向する薄膜磁気検出
部とを備え、前記薄膜磁気検出部は、一端部が前
記強磁性体と磁気的に結合した強磁性材よりなる
薄膜磁気抵抗効果素子と、この薄膜磁気抵抗効果
素子の他端部に自己の一端部が電気絶縁体を介し
て磁気的に結合しかつ自己の他端部が前記記録媒
体に面した強磁性薄膜とで構成されていることを
特徴とする薄膜磁気ヘツド。 ２ 前記強磁性薄膜が非晶質磁性材料からなる特
許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘツド。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP45684A JPS60145521A (ja) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | 薄膜磁気ヘッド |
| US06/687,932 US4654739A (en) | 1984-01-05 | 1984-12-31 | Thin film magnetic head for reproducing perpendicular magnetization |
| DE3500159A DE3500159C2 (de) | 1984-01-05 | 1985-01-04 | Dünnfilm-Magnetkopf |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP45684A JPS60145521A (ja) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60145521A JPS60145521A (ja) | 1985-08-01 |
| JPH0441412B2 true JPH0441412B2 (ja) | 1992-07-08 |
Family
ID=11474293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP45684A Granted JPS60145521A (ja) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60145521A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6083213A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-11 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
-
1984
- 1984-01-05 JP JP45684A patent/JPS60145521A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6083213A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-11 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60145521A (ja) | 1985-08-01 |
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