JPS5971120A - 垂直磁化再生方法およびそのための磁気抵抗効果形ヘツド - Google Patents

垂直磁化再生方法およびそのための磁気抵抗効果形ヘツド

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JPS5971120A
JPS5971120A JP18072482A JP18072482A JPS5971120A JP S5971120 A JPS5971120 A JP S5971120A JP 18072482 A JP18072482 A JP 18072482A JP 18072482 A JP18072482 A JP 18072482A JP S5971120 A JPS5971120 A JP S5971120A
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permeable thin
magnetically
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JP18072482A
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Kiyoshi Sasaki
清志 佐々木
Kenji Kanai
金井 謙二
Takeshi Takahashi
健 高橋
Ryuji Sugita
龍二 杉田
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、垂直磁気記録媒体に記録された信号の再生方
法およびそれに好適な磁気抵抗効果形杵生ヘッドに関す
る。
従来例の構成とその問題点 垂直磁気記録は従来の長手方向磁気記録より本質的に高
密度記録に適していることが知られている。しかし、再
生過程においてはまだいろいろ問題があった。例えば、
電磁誘導による巻線形磁気ヘッドで再生する場合には、
単磁極形ヘッドや、リング形ヘッドが提案されている。
リング形ヘッドで再生する場合、垂直記録の特徴である
短波長信号を再生するためには、ギャップ長を極端に小
さくする必要があり、その場合磁気ヘッドの磁気回路能
率が非常に悪くなる。再生感度を上げるために巻線数を
増やしていくと、ヘッドインダクタンスの増大による自
己共振周波数が低下する。一方、記録波長の短波長化に
伴い信号周波数が高くなるため、磁気ヘッドの自己共振
周波数の低下は信号再生において、極めて不都合であっ
た。また、単磁極形ヘッドにおいても、巻線形であるた
め、同様の問題をもっている。電磁誘導形ヘッドで共通
したさらに大きな問題は、ヘッドと記録媒体間51、− の相対速度が小さい場合、再生出力電圧が小さくなり、
その対策としては巻線数の増大と々す、上記問題を大き
くする。一方、磁気ヘッドを多数並設するマルチトラッ
ク構成においては、巻線スペーースが問題となる。さら
に、薄膜技術で構成する場合には、巻線数が限られ、高
感度な再生ヘッドを実現できない。
これらの問題を解決するために、最近、磁気抵抗効果(
以下MRと略記する)ヘッドが注目されている。従来の
MRヘッドは、例えば、短冊状MR素子の長手方向に電
流を流し、記録媒体[MR素子を垂直に配置し、信号磁
界が素子面内に、長手方向と直角に入る素子単体形MR
ヘッドがある。
このタイプのMRヘッドでは、ヘッド構造のみに起因す
る波長応答特性はMR素子幅w[よって決定されること
が知られている。この波長損失を充分小さくするために
は素子幅Wを波長λ程度にする必要があり、これは短波
長指向のヘッドにとっては極めて不利である。一方、M
R素子の厚さ方向の両側に高透磁率の磁性体を配置した
シールド6ベーシ 形MRヘッドがある。このタイプのMRヘッドは従来の
リング形巻線ヘッドと略同じ波長応答を示し、かなり短
波長まで高感度に使用できることが知られている。しか
し、MR素子と両側の高透磁率磁性体との間には磁気的
、電気的な絶縁を施す必要があり、この間の絶縁層厚q
1.q2が従来のリング形巻線ヘッドのギャップ長に相
当する。さらに、近似的にはqlのギャップ損失と92
のギャップ損失の積の形になるため、短波長におけるギ
ャップ損失を充分小さくするためには、ql、q2共極
端に小さくする必要があり、この状況下で、磁気的、電
気的にリークのない狭ギャップ長を形成することは極め
て困難である。
更に垂直磁気記録媒体としては通常CoCr 合金など
の金属薄膜が使用されるため、MR素子に流れる電流が
媒体側に漏洩するといわゆるリークノイズが発生し信号
検出にとって好ましくない。
以上のような問題点が解決したものとしてつぎのような
MRヘッドが提案されている。
このヘッドは、MR素子の両端に電極を有するN1−F
θ、 Ni −Co  などの強磁性体よりなるMR素
子の幅方向の一端に、記録媒体と接する透磁性体の一端
を磁気的に結合し、そのMR素子の幅方向の他端に、記
録媒体と接する透磁性薄膜を磁気的に結合し、MR素子
とその透磁性薄膜とを電気的に絶縁する構成であり、そ
の特徴は電磁変換特性に関与する磁気ギャップを有せず
、MR素子幅に起因する幅損失を解消し、導電性記録媒
体と組合せた場合においても安定な動作をすることであ
る。
以下にこの従来例について具体的に説明する。
第1図および第2図に示すようにフェライトのような絶
縁性磁性基板1の表面に切欠き溝2を設け、その切欠き
部に非磁性材3を充填し基板1の表面と同一面に仕上げ
られた新たな表面上に例えば、Ni−Fe合金を蒸着手
段で500人程鹿の厚さに被着し、写真食刻技術で電極
5,6’iiMR素子4の長手方向の両端に配置し、M
R素子4を切欠き溝2の長さ方向と平行に設けるOMR
素子4の上端部を磁性基板中に設けられた切欠き溝2の
上端部10と磁気的に結合し、MR素子4の下端部は略
同−厚さの透磁性薄膜7の上端部と電気的に絶縁され磁
気的に結合されている。その接合部12での具体例を、
第2図に示す。記録媒体8と当接する透磁性薄膜7を切
欠き溝2と平行に配置し、その上に絶縁層15を被着後
、MR素子4となる磁性薄膜を被着形成し、両者間の磁
気的接合部16を構成する。なお切欠き溝の媒体移動方
向寸法は媒体に記録された波長よりも充分大きい。
MR素子4と略直角な面11は記録媒体8と当接する面
であり、矢印9は媒体の移動方向である。
以上のようなMRヘッドによってその裏面に軟磁性層8
′の被着された垂直記録媒体8に記録された信号磁化に
よって発生した磁束はその透磁性薄膜7の下端部に導か
れ、その上端部からMR素子4の下端部に導かれ、その
上端部から基板1中の切欠き溝2の端部9に導かれ、基
板を通り、媒体8との当接面11に導かれ、媒体8に戻
り媒体裏面の軟磁性層8′ヲ介して透磁性薄膜7の下端
部に9/ 戻る閉路を通るため単体形MRヘッドにおける素子幅損
失がなくそして透磁性薄膜7の厚さiMR素子4と同程
度の厚さにすることにより、ギャップ損失に相当する素
子厚さ損失もなく、さらに、導電性記録媒体と組合せた
場合でも電気的リークの問題のない薄膜磁気ヘッドを実
現できた。
このMRヘッドは上記のように多くの利点があるが、一
つの大きな問題点は、信号磁束を導く透磁性薄膜とMR
素子とが空間的に分離されているため、記録媒体に直接
MR素子が接触する型の通常のMRヘッドに比べてMR
素子を通過する磁束量が低下しその結果、再生効率が低
下することである。第3図に、透磁性薄膜の厚みt4.
 M R素子の厚みt2が等しいときのヘッド断面の磁
束密度分布を示す。同図で縦軸はy方向の距離、横軸は
磁束密度を示す。これは、有限要素法により解析により
求められたものである。(実線)。この結果、記録媒体
に接する透磁性薄膜中の磁束密度はMR素子中の磁束密
度よりもかたり大きいことがわかる。上記解析では透磁
性薄膜およびMR素子1o4・−二・ のヒステリシスカーブの非線形性を考慮していないが、
当然実際には材料の最大磁束密度で飽和が生じる。例え
ば透磁性薄膜およびMR素子として、その最大磁束密度
が第3図中P点にあるような材料を選んだ場合には、透
磁性薄膜中の最大磁束密度がPで抑えられるため、透磁
性薄膜、さらIQ/IR素子に導かれる総磁束量が低下
するため、両者の磁束密度は第3図破線のように低下す
る。すな°わち、上記従来例においては、両者の材料定
数の関係を規定していないため場合により媒体上の信号
磁束が充分にMR素子に導かれず再生効率の低下する惧
れがあった。
発明の目的 本発明は、上記のように、電気的リークがなく幅損失、
ギャップ損失のない垂直磁化信号再生用MRヘッドにお
いて問題となっていたMR素子の磁束利用率の低下を解
消し、再生効率の良い上記MRヘッドを使用した垂直磁
化再生方法およびそのための磁気抵抗効果形ヘッドを提
供することを目的とする。
11/’;−: 発明の構成 本発明は上記の目的を達成するために以下の部材によっ
て構成することを特徴とする。
fal  長手方向に電流を流され、記録媒体上の信号
磁化から発生した磁束によって磁気抵抗効果を示すMR
素子。
(b)  垂直磁気記録媒体に記録されている信号磁化
から発生する信号磁束をMR素子に導ひき、その厚みと
、材料自体の最大磁束密度がMR素子の厚みと最大磁束
密度の積よりも大きい透磁性薄膜。
(c)MR素子を通過した信号磁束を再び記録媒体に導
く透磁性体。
(d)  fa)、(b)の薄膜を電気的に絶縁する絶
縁体。
+e)  記録媒体に接する面でfb)の透磁性薄膜と
ICIの透磁性体を記録媒体上の再生すべき信号の波長
よりも充分長い距離にわたって磁気的に絶縁する非磁性
体。
(fl  (a1〜(θ)の部材からなる磁気抵抗効果
形再生ヘッド。
fcrl  垂直磁気記録された記録媒体。
本発明によれば二層膜垂直記録媒体に記録された信号磁
化によって発生した磁束は透磁性薄膜の下端部に導かれ
、その上端部からMR素子の下端部に導かれ、その上端
部から透磁性体を通り媒体裏面の軟磁性層に戻る閉路を
通るため、単体vMRヘッドにおける幅損失、シールド
形MRヘッドにおけるギャップ損失がない。さらに導電
性記録媒体と組み合わせた場合でも電気的リークの問題
がなく、また(b)の透磁性薄膜の厚みtlと最大磁束
密度Brn1の積t1Bm1ばfalのMR素子の厚み
t2と最大磁束密度BIT12の積t2Bm2よりも大
きいため(b)の透磁性薄膜の磁気飽和により(a)の
MR素子に流入する磁束量が低下する割合はt1Bm1
≦t2Bm2の場合にくらべ少ない。したがって、tl
Bml<t2B+1’12の場合に比べ高い再生効率が
得られる。
実施例の説明 構成は第1図および第2図に示すものと同一であり、透
磁性薄膜7の最大磁束密度Bm1とMR素子4の最大磁
束密度Bm2の間にBm1≧2Bm2の関13゜ 係がある。なおそれぞれの厚み11.12はほぼ等しい
以下に本実施例の作用を説明する。
基本的な動作は前記従来例と同様である。ここで切欠き
溝2の寸法は、このヘッドで再生すべき記録波長におい
ていわゆるシールド型MRヘッドのギャップの如き作用
をしない程度にしておく必要がある。具体的にはこのギ
ャップ長を記録波長の10倍程度以上にとるのが望まし
い。この範囲はギャップ損失を表わす一般的な式 q:ギャップ長 λ:記録波長 で、判るようにλ)qの場合に比べ30dB程度以上再
生出力の低下した領域に相当し実質的に再生ヘッドのギ
ャップとして作動していないと考えてよい。
第4図に透磁性薄膜7の磁気特性を示す。図でHsig
は信号磁界、B1は信号磁界が入力された時14ペー゛ の透磁性薄膜7中の最大磁束密度、B2はMR素子4中
の最大磁束密度である。B2と馬の間にはB2=kB1
の関係があり第3図に示すようにに=%である。
ここでMR素子4に磁気飽和寸前の大きな磁界が加わる
場合すなわちB2ユBm2の場合でも、B1ユ2B2ユ
2Bm2≦Bmiの関係が成り立ち、B1はBmlより
低く、透磁性薄膜7は磁気飽和を起すことがない。言い
かえれば、上記実施例ではMR素子4への磁束が透磁性
薄膜7によって制限されることがな(MR素子の磁束利
用率の低下がない。
なお、上記実施例ではBm1≧nBm2(n=2 )と
したが、1〈n〈2の場合でも上記実施例のような充分
な効果はないが、透磁性薄膜7とMR素子を同一材料(
たとえばパーマロイ)で作る( n=1)よりはMR素
子の磁束利用率の改善がなされることは明らかである。
さらに上記実施例でFi、t1=t2としたが、tl−
mt2m〉1とすれば、nはより小さい値で良い。
すなわち、透磁性薄膜7中を通過する総磁束量は161
− Φ1oct1.MR素子4中を通過する総磁束量はΦ2
 ” t2であるので、Φ2=にΦ1(k=、%)とす
れ効果がある。
比較して、1<n<2の場合も同様に充分ではないが改
善がある。
但し、tl、t2の値には次のような制限がある。
t2はMR素子の厚みであるが、これは3oo〜500
人程度のものが最もMR効果の大きいことが判っている
。またt、は、t2ニ比べ大きくするほどBmlは小さ
くても良いが、t、の寸法に対応してギャップ損失に対
応する厚み損失が生じるので、例えば、記録波長を0.
6μmとすれば、tl>0.2μmにはできない。なお
MR素子4の材料としてはパーマロイが一般的である。
t 1) t 2としてBml:1:=Bm2とする場
合には透磁性材料7の材料としてもパーマロイが適当で
あるがt1ユt2としてもlllllnn1)8m2と
する場合には、Bmの大きい値の得られるアモルファス
材料が適当である。
またアモルファス材料にはパーマロイよりも耐摩耗の点
ですぐれたものがあり、この点でも媒体摺動部に使用す
ることは有利である。
発明の効果 以上のように本発明によれば、導電性記録媒体を用いた
場合でも電気的リークがなく、幅損失。
ギャップ損失がなく、MR素子の磁束利用率の高い再生
効率の良い垂直磁化信号再生が可能で、そのだめの再生
ヘッドを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、磁気抵抗効果形ヘッドの斜視図、第2図は、
第1図の要部を示す図、第3図は、本発明の一実施例に
おける要部の磁束密度分布を示す図、第4図は、透磁性
薄膜7の磁気特性と、入力信号磁界、該薄膜中の磁束密
度との関係を示す図である。 1・・・・・・透磁性体、3・・・・・・非磁性体、4
・・・・・・MR素子、7・・・・・・透磁性薄膜、8
・・・・・・記録媒体。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 (0 第3図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)  垂直磁気記録された媒体と、再生ヘッドに相
    対的運動を与え信号を再生する垂直磁化再生方法におい
    て、再生ヘッドが、厚みtl、最大磁束密度Bm、なる
    第1の透磁性薄膜の幅方向一端部を記録媒体に接する面
    と踵厚みt2.最大磁束密度Bm2なる磁気抵抗効果を
    有する第2の透磁性薄膜の長手方向に電流を流しその幅
    方向一端部を上記第1の透磁性薄膜の幅方向他端部と磁
    気的に結合し、上記第2の透磁性薄膜の幅方向他端部を
    透磁性体と磁気的に結合し、上記透磁性体の一端部が記
    録媒体に面する構造とし、上記第1の透磁性薄膜と上記
    第2の透磁性薄膜とを電気的に絶縁する絶縁体と、上記
    透磁性体の記録媒体に面する側で上記透磁性体と上記第
    1の透磁性薄膜とを記録媒体上の再生すべき信号の記録
    波長に比べて充分に長い27.、・ 距離にわたって磁気的に絶縁する非磁性体とを具備し、
    tlBml〉t2BrQ2  である磁気抵抗効果形再
    生ヘッドであることを特徴とする垂直磁化再生方法。 (匂 厚みtl、最大磁束密度Bm1々る第1の透磁性
    薄膜の幅方向一端部を記録媒体に接する面とし、厚みt
    2.最大磁束密度Bm2なる磁気抵抗素子よりなる第2
    の透磁性薄膜の長手方向に電流を流しその幅方向一端部
    を上記第1の透磁性薄膜の幅方向他端部と磁気的に結合
    し、上記第2の透磁性薄膜の幅方向他端部を透磁性体と
    磁気的に結合し、上記透磁性体の一端部が記録媒体に面
    する構造とし、上記第1の透磁性薄膜と上記第2の透磁
    性薄膜とを電気的に絶縁する絶縁体と上記透磁性体の記
    録媒体に面する側で上記透磁性体と上記第1の透磁性薄
    膜とを記録媒体上の再生すべき信号の記録波長に比べて
    充分に長い距離にわたって磁気的に絶縁する非磁性体と
    を具備し、tlBml〉128m2であることを特徴と
    する磁気抵抗効果形古生ヘッドー 3/  、 (3)  t、Bml)2t2Bm2であることを特徴
    とする特許請求の範囲第2項記載の磁気抵抗効果形弄中
    ヘッド0 (4)  t、= t2. Bm、 ) Bm2である
    ことを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の磁気抵抗
    効果形−ヘッド。 (5)  t1= t2. Bml>2Bm2であるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の磁気抵抗効
    果形外魂ヘッド。 (6)  第1の透磁性薄膜が、アモルファス材料、第
    2の透磁性薄膜がパーマロイからなることを特徴とする
    特許請求の範囲第2項記載の磁気抵抗効果@箒性ヘッド
    。 (7)第1および第2の透磁性薄膜がパーマロイからな
    ることを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の磁気抵
    抗効果Mンm4ヘッド。
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