JPS594766B2 - タソシジキヘツド - Google Patents
タソシジキヘツドInfo
- Publication number
- JPS594766B2 JPS594766B2 JP15144575A JP15144575A JPS594766B2 JP S594766 B2 JPS594766 B2 JP S594766B2 JP 15144575 A JP15144575 A JP 15144575A JP 15144575 A JP15144575 A JP 15144575A JP S594766 B2 JPS594766 B2 JP S594766B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- head
- magnetic head
- recording
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は多素子磁気ヘッドにおける電力面での改良に関
するものである。
するものである。
通常、磁気ヘッドを用いて、磁気記録媒体に信号を記録
する場合、信号巻線に記録電流を流す必要があり、記録
方式がバイアス記録であつても無バイアス記録であつて
も、多素子磁気ヘッドの中５ の単位磁気ヘッドの数量
が多い場合、各単位磁気ヘッドを同時に記録動作をさせ
るためには記録に必要な電力も多くなる。
する場合、信号巻線に記録電流を流す必要があり、記録
方式がバイアス記録であつても無バイアス記録であつて
も、多素子磁気ヘッドの中５ の単位磁気ヘッドの数量
が多い場合、各単位磁気ヘッドを同時に記録動作をさせ
るためには記録に必要な電力も多くなる。
特に薄膜で構成された磁気ヘッドにおいては構造上磁芯
に捲回される巻線数が少ないために記録時の記録電流が
大きくなる１０ため、各巻線部の発熱が問題となつてい
た。本発明はこのような多素子磁気ヘッドの構成単位磁
気ヘッドを同時に全数駆動する際記録電流供給増幅器の
電力容量をできるだけ少なくし、発熱の少ない多素子磁
気ヘッドを実現することを目的１５とする。一般に記録
増幅器は周波数帯域の広いものを必要とし、高出力記録
増幅器を多数設けることは不経済な構成となる。
に捲回される巻線数が少ないために記録時の記録電流が
大きくなる１０ため、各巻線部の発熱が問題となつてい
た。本発明はこのような多素子磁気ヘッドの構成単位磁
気ヘッドを同時に全数駆動する際記録電流供給増幅器の
電力容量をできるだけ少なくし、発熱の少ない多素子磁
気ヘッドを実現することを目的１５とする。一般に記録
増幅器は周波数帯域の広いものを必要とし、高出力記録
増幅器を多数設けることは不経済な構成となる。
一方バイアス記録においては単一周波数のバイアス供給
増幅器があれば、信号Υ 増幅器は小規模でよく、さら
に第１図に示すように各単位磁気ヘッドのバイアス線４
を直列に接続した構造にするとｎ個の単位磁気ヘッドに
対し一系列のバイアス電流供給でよいため記録増幅器の
全容量を少なくできる。第１図の単位磁気ヘツドフ５
は磁芯１、空隙部２、信号巻線となる第１の導電体３、
バイアス線４より成り、これらを薄膜で構成する場合、
バイアス線に流す電流値が大きくなるため第２導電体素
子が発熱し、バイアス記録を充分行なわしめる電流を流
せない場合がある。９０このような問題を解決するため
の一具体例を第２図、そのＡ−Ａ’部での断面を第３図
に示す。
増幅器があれば、信号Υ 増幅器は小規模でよく、さら
に第１図に示すように各単位磁気ヘッドのバイアス線４
を直列に接続した構造にするとｎ個の単位磁気ヘッドに
対し一系列のバイアス電流供給でよいため記録増幅器の
全容量を少なくできる。第１図の単位磁気ヘツドフ５
は磁芯１、空隙部２、信号巻線となる第１の導電体３、
バイアス線４より成り、これらを薄膜で構成する場合、
バイアス線に流す電流値が大きくなるため第２導電体素
子が発熱し、バイアス記録を充分行なわしめる電流を流
せない場合がある。９０このような問題を解決するため
の一具体例を第２図、そのＡ−Ａ’部での断面を第３図
に示す。
非磁性基板５上に強磁性薄板６を被着し、必要に応じて
絶縁層７を介して端子部１２を含む第１導電体となる導
電体層８を強磁性薄板６上に配し、９５単位磁気ヘッド
体１３を形成し、全ての単位磁気ヘッド１３上に強磁性
体１０を磁気的に結合し、強磁性薄板６と閉磁気回路を
形成する。その閉磁ウ７−路の内側に具体的には強磁性
体１０に溝部１１を設けその中に第２の導電体となる導
電体９を埋設して多素子磁気ヘツドを構成する。
絶縁層７を介して端子部１２を含む第１導電体となる導
電体層８を強磁性薄板６上に配し、９５単位磁気ヘッド
体１３を形成し、全ての単位磁気ヘッド１３上に強磁性
体１０を磁気的に結合し、強磁性薄板６と閉磁気回路を
形成する。その閉磁ウ７−路の内側に具体的には強磁性
体１０に溝部１１を設けその中に第２の導電体となる導
電体９を埋設して多素子磁気ヘツドを構成する。
次に、具体的構成について述べる。
非磁性基板５としてはガラス、シリコン、サフアイア等
よりなる研磨面上にＮｉ−Ｆｅ，Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金
または酸化物磁性体等よりなる強磁性体をマスク蒸着、
エツチング技術により強磁性薄板６を形成し、ＳｌＯ，
ＳｌＯ２，Ｓｉ３Ｎ４，Ａｌ２Ｏ３等の絶縁層７（強磁
性薄板６が非導電材または比抵抗が導電体層８の比抵抗
より高い場合、絶縁層７は必ずしも要らない）を介して
Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ等の導電体を蒸着、電着等で被着し、
エツチング技術で端子１２を含む導電体層８を形成する
。なおＣｕ，Ａｕ等の導電体を被着するときは被着力を
強くするためにＣｒを２００λ程度介在させると良好な
被着力をもつ導電体層が得られる。その上に第３図の断
面図に示すような溝部１１を有する酸化物磁性体等より
なる強磁性体１０を絶縁層７を介して強磁性薄板６と閉
磁路を形成するべく接着剤で固定し、記録媒体と当接又
は近接する面１４を研削仕上し、空隙長ｖの磁気空隙１
５を形成する。後部空隙１６も同時に形成されるのを避
けるために、導電体層の窓部１７に相当する部分の絶縁
層はマスク蒸着、エツチング等で被着しないようにし、
その部分に磁性薄板を導電体層８の厚さに略等しく被着
する構造にするとさらに良好な閉磁気回路が得られる。
この多素子磁気ヘツドを記録ヘツドとして動作させる場
合、第１導電体層８に信号電流に相当する個々の信号を
各単位磁気ヘツドに対応する各チヤンネルに流し、各単
位磁気ヘツド１３に共通な第２の導電体９にバイアス電
流となる高周波信号を流し、記録媒体の磁化反転のエネ
ルギーの大部分はこのバイアス磁界で供給される。
よりなる研磨面上にＮｉ−Ｆｅ，Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金
または酸化物磁性体等よりなる強磁性体をマスク蒸着、
エツチング技術により強磁性薄板６を形成し、ＳｌＯ，
ＳｌＯ２，Ｓｉ３Ｎ４，Ａｌ２Ｏ３等の絶縁層７（強磁
性薄板６が非導電材または比抵抗が導電体層８の比抵抗
より高い場合、絶縁層７は必ずしも要らない）を介して
Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ等の導電体を蒸着、電着等で被着し、
エツチング技術で端子１２を含む導電体層８を形成する
。なおＣｕ，Ａｕ等の導電体を被着するときは被着力を
強くするためにＣｒを２００λ程度介在させると良好な
被着力をもつ導電体層が得られる。その上に第３図の断
面図に示すような溝部１１を有する酸化物磁性体等より
なる強磁性体１０を絶縁層７を介して強磁性薄板６と閉
磁路を形成するべく接着剤で固定し、記録媒体と当接又
は近接する面１４を研削仕上し、空隙長ｖの磁気空隙１
５を形成する。後部空隙１６も同時に形成されるのを避
けるために、導電体層の窓部１７に相当する部分の絶縁
層はマスク蒸着、エツチング等で被着しないようにし、
その部分に磁性薄板を導電体層８の厚さに略等しく被着
する構造にするとさらに良好な閉磁気回路が得られる。
この多素子磁気ヘツドを記録ヘツドとして動作させる場
合、第１導電体層８に信号電流に相当する個々の信号を
各単位磁気ヘツドに対応する各チヤンネルに流し、各単
位磁気ヘツド１３に共通な第２の導電体９にバイアス電
流となる高周波信号を流し、記録媒体の磁化反転のエネ
ルギーの大部分はこのバイアス磁界で供給される。
バイアス記録方式においては信号電流値は通常バイアス
電流値の一〜−でよく、信号電流用導電体層８の断面積
は極端に大きくする必要はなく薄膜構成で充分実現でき
る。一方バイアス電流値はかなり大きな電流値を必要と
するためバイアス用導電体を薄膜で構成すると電流容量
不足で発熱が著しく問題となることが多く、このバイア
ス用第２導体として断面積の大きな導電体を用いること
により抵抗値が小さくでき、同一電流に対して発熱量を
小さくできる。以上のような構成にすることにより、磁
気ヘツドの中に２導電体を含む薄膜ヘツドにおいて一方
の導電体層が薄膜、他方がバルタ導電体で構成されるた
め導電体間の絶縁リークの問題が軽減され、導電体を包
む磁性体部分の対向距離が溝部１１て大きくなるためヘ
ツドコア能率向上に寄与し、高能率なヘツドが実現でき
る等の効果がある。
電流値の一〜−でよく、信号電流用導電体層８の断面積
は極端に大きくする必要はなく薄膜構成で充分実現でき
る。一方バイアス電流値はかなり大きな電流値を必要と
するためバイアス用導電体を薄膜で構成すると電流容量
不足で発熱が著しく問題となることが多く、このバイア
ス用第２導体として断面積の大きな導電体を用いること
により抵抗値が小さくでき、同一電流に対して発熱量を
小さくできる。以上のような構成にすることにより、磁
気ヘツドの中に２導電体を含む薄膜ヘツドにおいて一方
の導電体層が薄膜、他方がバルタ導電体で構成されるた
め導電体間の絶縁リークの問題が軽減され、導電体を包
む磁性体部分の対向距離が溝部１１て大きくなるためヘ
ツドコア能率向上に寄与し、高能率なヘツドが実現でき
る等の効果がある。
第１図は共通バイアス方式の多素子磁気ヘツドを示す結
線図、第２図は本発明の一実施例の多素子磁気ヘツドの
斜視図、第３図は本発明の一実施例の多素子磁気ヘツド
の断面図である。 ５・・・・・・非磁性基板、６・・・・・・強磁性薄板
、８・・・・・・導電体層、９・・・・・・導電体、１
０・・・・・・強磁性体、１１・・・・・・溝部、１２
・・・・・・端子部、１３・・・・・・単位磁気ヘツド
、１７・・・・・・窓部。
線図、第２図は本発明の一実施例の多素子磁気ヘツドの
斜視図、第３図は本発明の一実施例の多素子磁気ヘツド
の断面図である。 ５・・・・・・非磁性基板、６・・・・・・強磁性薄板
、８・・・・・・導電体層、９・・・・・・導電体、１
０・・・・・・強磁性体、１１・・・・・・溝部、１２
・・・・・・端子部、１３・・・・・・単位磁気ヘツド
、１７・・・・・・窓部。
Claims (1)
- １ 非磁性基板上に単位磁気ヘッドのトラック幅を形成
する磁性薄板および第１の導電性薄板を被着し、溝部を
有し、この溝部にてバルク状の第２の導電体が半巻回す
る強磁性体を該単位磁気ヘッドの全数にわたつて該磁性
薄板のすべてと磁気的に結合した多素子磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15144575A JPS594766B2 (ja) | 1975-12-17 | 1975-12-17 | タソシジキヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15144575A JPS594766B2 (ja) | 1975-12-17 | 1975-12-17 | タソシジキヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5274325A JPS5274325A (en) | 1977-06-22 |
| JPS594766B2 true JPS594766B2 (ja) | 1984-01-31 |
Family
ID=15518746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15144575A Expired JPS594766B2 (ja) | 1975-12-17 | 1975-12-17 | タソシジキヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS594766B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54116663A (en) * | 1978-03-03 | 1979-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic device |
| JPS5975422A (ja) * | 1982-10-25 | 1984-04-28 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
-
1975
- 1975-12-17 JP JP15144575A patent/JPS594766B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5274325A (en) | 1977-06-22 |
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