JPH07502365A - 集積バイアス及び磁気シールド層を有する磁気抵抗性ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 集積バイアス及び磁気シールド層を有する磁気抵抗性ヘッド発明の背景 １、　発明の分野 本発明は磁気記録及び再生ヘッド、並びに特に磁気抵抗性（＊ａｇｎｅｔｏｒｅ ｓｉｔｉｖｅ）　）ランスデューサー素子を利用した再生ヘッドに関連する。

２、従来技術の詳細 磁気抵抗性（ＭＲ）再生ヘッドは当業者によく知られており、おそらくは米国特 許第３．４９３．６９４号（Ｈｕｎｔ）により初めて述べられ、そしてその後に 数多くの観点で改善且つ向上されている。従って、例えば米国特許第３，８８１ ，１９０号に記載の磁気抵抗性ヘッド構築体がよく知られており、そのバイアス 場は磁気抵抗層の隣りに導性層を含ませ、その導性層にわたって電流を流してＭ Ｒ素子がより線形応答を生じせしめるようにバイアスする磁場をもたらしめるこ とにより供される。’１９０号の特許は更に、磁気シールド層の間に■素子をサ ンドインチして、ＭＲ素子における突き出しくｅｘｔｅｎｄｅｄ）スロート高の 利用を可能とし、これにより短波の記録にとって有用な構造を供する所望性を開 示している。真人な数のかかる構築体の改良物がその後開示されている。かかる 改良物の一つは、絶縁体、ＭＲ素子、バイアスコンタリター、追加のシート層等 の連続薄膜を上に載せることのできうる基体としてフェライトを採用しており、 このフェライトシールドは従って単一のシールド素子として事実上動いている。

隣接するＭＲ層のオペレーションをバイアスする電流を搬送するのに機能する追 加のＭＲ層を施すことも知られている。

発明の概要 かかる従来技術の構築体とは異なり、本発明は、ＭＲ素子を磁気シールドする及 びバイアスする機能が少なくとも一枚層の中で組合さっているシールド型ＭＲヘ ッドに向けられている。本発明のヘッドはそれ故、記録媒体伝いに間隔の置かれ た磁化領域において記録された情報との相互作用を目的とする。

このヘッドは多重層の薄膜構築体であり、そして−組の薄膜の磁気透過性部材（ その少なくとも一方は導電性でもある）の間に置かれた磁気抵抗作用を示す少な くとも一層の材料を含む、薄膜の磁気抵抗トランスデユース素子を含んで成る。

この−組の磁気透過性層は、最も短い波長の前記の記録情報の桁であり、且つそ れより短い一定距離で間隔の置かれた対立面を有する。この二枚の透過層のうち の媒体に最も近い各々の先端はこの媒体に最も近いＭＲ素子の先端と同一面内に ある。

導電性材料の磁気透過性層は従ってＭＲ素子のための関連の磁性バイアス場を生 じせしめるためにそれにわたって電流が流れることを可能とし、その際に、短波 の記録の再生を可能とするようにその素子を磁気シールドもする。この磁気透過 層の厚みは、その透過部材間の固定距離の３倍より薄くなく、従って、ＭＲ素子 を適度にシールドすることを満足せしめる磁気材料の存在を確実とする。

最後に、このへンドは磁気バイアス場をもたらしめるように電流が通しることを 可能とする、導電性磁気透過層に接触している手段を更に含んで成る。

好適な態様において、ＭＲ材料の層は前述した面から突き出た所望のスロート高 を有するような形態となっており、そして各磁気透過層は、曲素子のストライブ 高の１〜１０倍に範囲してその面から突き出た高さを有するような形態となって おり、これにより、前記の導電性磁気透過層及び前記トランスデユース素子の付 近において得られるバイアス場の両方を通過する電流を集約する。

典型的には、このヘッドは少なくとも一枚の導性層より成るセンスリードも含み 、そのうちの２つの領域が互いに電気的に隔離しており、且つセンス電流が流れ ることを可能とするように磁気抵抗性素子と接しており、それらの領域の一端は 前述の面内に属してもいる。従って、その面でそれらの領域間の距離は、磁気抵 抗性作用箇所の長さを規定している。

更なる好適な態様において、全ての磁気透過層は導電性であり、そして接触手段 はそれにわたる対立方向における電流を可能とするために全ての導性磁気透過層 と接触しており、得られる磁場は付加的となっている。このヘッドは複数の電気 的に隔離した領域を有する形態をとり、複数の間隔の置かれたトランスデユース 素子を形成しているＭＲ材料の層を含んでよく、各領域は同一面内にある先端を 有し、且つそれにわたる独立のセンス電流を可能とする手段を有している。

図面の簡単な説明 図１は、本発明の薄膜磁気抵抗性へシトの一態様の部分破断透視図であり； 図２は、図１の線分２−２に沿ったヘッドの断面図であり；図３は、図１及び２ それぞれに示すヘッドの一部の部分透視図であり、その中で、上部及び低部シー ルド、ＭＲ素子、センスリード、並びに一体化絶縁層はわかり易さのために独立 の形態で示しており；そして 図４は、別の方向から見たときの、且つ単一のトランスデユース素子を中心とす る好適な電極形態をわかり易くするために分解した、図１に示しているのと類似 ヘッドの部分破断及び分解図である。

詳細な説明 複数の独立した間隔の置かれたトランスデユース素子を含んで成る本発明の好適 な態様の部分破断分解図を図１に示す。ここでわかる通り、へノド１０は基体１ ２の上に順次付着した数枚の様々な層より成る。典型的には、基体１２は、関連 の薄膜層の付着にとって適切な研磨面を下記に記載の通り有するＡｂＯｓ−Ｔｉ Ｃ等の如きの微粉砕セラミックより成ることが所望される。典型的なＡｈ（１＋ −ＴｊＣセラミックは、得られるヘッドに性能を授けるのに十分に導性であるた め、第一薄膜絶縁層１４は、例えば酸化アルミニウム（Ａｌｉａｓ）の層を、６ ０，０００〜ｉｏｏ、ｏｏｏ人の範囲において、そして研磨後に１０，０００〜 ６０，０００人の厚みの層を供するようにまず付着させてよい。

絶縁体１４の上にはバックシールド層１６を形成せしめてよく、その層は磁性、 且つ導性であり、得られるヘッドを外部磁場からシールドし、そしてその層に電 流が流れるとき、磁気抵抗センサー素子２０及び２０′より成る得られるトラン スデユーサ−のための磁気バイアスを供する。かかるシールド層１６は従って好 ましくは鉄−ニッケル合金、実質的には低い保磁力及び高い透過度を有しながら ２０〜２８マイクロオーム−センチメーターの範囲における導電率をも有する８ ２％のＮｉと１８％のＦｅとのパーマロイ組成に相当するものを含んで成る。

この層は所望するには３０，０００〜４０，０００人の範囲の厚みを有するよう に付着している。トランスデユースセンサー素子２０破断において示す通り、バ ンクシールド層１６は、トランスデユースセンサー素子の作動領域の隣りのシー ルド電流からフラックスを集約しながら、次の薄膜層が付着できうる平面を供す るように、センスリード間にある領域が除去した形となっている。

シールド層１６の上には、隣りの導性フィルムのショートを防ぐために、例えば ２．０００人の４１ｔ０３のフィルムの如きの絶縁薄層１８が載っていてよい。

この絶縁薄層１日の上には磁気抵抗センサー素子２ｏ及び２０′が載っていてよ く、これは短いセクションの低保磁力、高透過性合金、例えば８２％のＮｉと１ ８％のＦｅの合金を含んで成り、ががるフィルムは約１００〜５００人の厚みで 載っている。好適な態様は、１０ミクロンを超える高さを有する３００人の厚み のフィルムより成り、この超えた分は最終ヘッド形成工程の際に除去して、１０ ミクロンまでのストライプ高が供されるようにする。

トランスデユースセンサー素子に至る適切な接続を可能としながら化学腐蝕電位 を下げるため、チタンの如きの５００−１０００人の導性フィルムを含んで成る センスリード２２が次に磁気抵抗性素子２０及び２０′のそれぞれの対立端の上 に載っていてよく、センスリード２２の対応対それぞれの間の距離は得られるト ランスデユースセンサー素子の長さを規定している。磁気抵抗性素子に対立する センスリード２２の先端にはパッドが施されており、その上にはトランスデユー ス／センサー素子に至る外部接続を可能とする接触リード２４が形成されていて よい。この接触部２４は例えばＣｕ又はＡｕより成りうる。これらの導性部材に は薄い絶縁層２６、例えばＡｌ２Ｏ３の２．０００人の厚さの第二層がカバーし ていてよい。最後に、高透過性低保磁力導性フィルム、例えば約３０，０００− ４０，０００人の８２−１８％のニッケルー鉄合金のトップシールド２８がこの 第二絶縁層２６の上に載っていてよい。図１かられかる通り、トップシールド層 ２８はジグザグ形態において形成されてもおり、従ってその層を通過する電流に よりもたらされるフラックスは磁気抵抗性センサー素子２０及び２０′の領域に おいて集約する。

シールド層１６と２８との間の距離は従って、磁気抵抗性センサー素子２０及び ２０′が間に位置しているギャップを規定する。このギヤ・ノブ距離は所望する には、再生すべき記録情報の最短波長、即ち、約５．０００人より小さい。従っ て、上記の態様において、そのギャップは２枚の厚さ２．０００人のＡｌｚＯ： ＋層１８と２６、及びセンサー層２０により規定されており、これにより約４， ０００人の幅のギャップが供されている。更に、センサーリード２２の各対間の 距離はセンサー領域の有効な長さを規定する。

６０．０００人のＡ１□０．のフィルムの如きの厚い絶縁層３０がトップシール ド層２８の上に載っていてよく、そして次にその層の上にカバー素子２２がクラ ンプ又は接着されていてよく、これは薄膜へ・ノド技術において慣用である。

各シールド層１６及び２８が十分なるフラックスを集約せしめながら必須の磁気 シートをも供するように、これらの対応層のそれぞれの厚みがギャップ幅の３倍 未満でないことが所望される。従って、前述した通り、そのギャップは５，００ ０人の範囲にあることが好ましいことがあり、その際、シールド層１６及び２８ のそれぞれは２５，０００〜５０．０００人の範囲にあることが好ましい。特に 、約３０，０００人の厚みが好ましい。

カバー３２の付加による集成の完了に基づき、次にその完成した集成体の底面を みがいて研磨してエアーヘアリング（大気接触）面にある適当な断面形を供し、 それ伝いに、間隔の置かれた磁化領域３５において記録した情報を有する磁気記 録媒体３３が移動できうるようにする。

図１に示すヘッドの、線分２−２伝いの断面図を図２に示す。これらでわかる通 り、基体１２の上にはまず酸化アルミニウムの如きの絶縁体の比較的厚みのある フィルム１４が載っている。その層の上には、底部シールド層１６が載っており 、これは得られるエアーベアリング表面から、約１３０マイクロメーターの距離 で突き出している。

絶縁薄膜１８及び２６、磁気抵抗性センサー素子２０、並びにセンスリード２２ が適当な順序で載っている。絶縁外層２６にはその上にトップシールド層２８が 載っており、そして任意カバー３２がその集成体を完成せしめるために最終的に クランプ又は接着されている。従って、底部シールド層１６は磁気抵抗性センサ ー素子２０及びセンサーリード２２のための構造的プラットホームを担っている 。底部シールド１６の上のセンスリード２２が、破綻することなくエアーベアリ ング面に対応する端において接続される必要性のため、厚めのリードがシールド 層１６の外端を乗り超えるようにインターコネクトが必要である。このような厚 みのあるリードは従って接触リード２４により担われる。

ところで、接触リード２４が下にあるシールド１６によりショートしてしまうこ とをも防くため、シールド層１６の背端に沿って絶縁材の追加の層３４を供する ことが好ましく、これにより接触体２４はシールド層１６の背端から隔離して位 置し続ける。かかる層３４は硬化された、しかしながら未除去のホトレジスト等 のフィルムにより供されるのが所望されるであろう。

また、センスリード２２の背端でのパッドにとって必要とされる微小サイズによ り、底部シールド１６は磁気抵抗性センサー素子２０に比してかなり大きい又は 背が高いことが必要である。

底部シールドをコンダクタ−としても有効に働かさせるため、それ故それに電流 が通るときにバイアス場をもたらしめるため、センスリードパッド間に中央破断 を導入して、その底部シールドが、センサー領域にわたって磁気抵抗性センサー 素子２０より若干わずかにのみ高いようにする。従って、例えば、磁気抵抗性セ ンサー素子２０が約１０ミクロンのスロート高を有するとき、底部シールドはそ の領域において約２０−２５ミクロンの高さを有しうる。同様に、トスプシ−ル ド２８はそのセンス領域において約１５ミクロンの高さを有しうる。

その磁気抵抗性中央領域でのトップ及び底部シールドの両者の小幅な断面は従っ て、両方のシールド層におけるバイアス電流がより高い電流密度に達することを 可能とし、それ故磁気抵抗性センス領域にわたってより強い横断バイアス磁場を 導入せしめる。好ましくは、両シールド層における電流のセンスは、得られる磁 場が磁気抵抗性センサーにわたって付加的である。

本発明にかかわる４素子型薄膜ヘツドの分解図を図３に示す。示している通り、 各トランスデユース素子は、個々の組のセンスリード２２を有する独立の磁気抵 抗性素子２０を含む。所望するなら、個々のトランスデユーサ−それぞれの片面 からのセンスリードは、共通のグラウンドリードを供するように組合さっていて もよい。個々の磁気抵抗性素子２０及びセンスリード２２のそれぞれは、絶縁薄 膜１８と２６との間でサンドインチされている。これらのフィルムは底部シール ド１６とトップシールド層２８との間にサンドインチされている。この図より、 シールドは組合さって、対応の端子３６及び３８に導入される電流が系列となっ て４個のトランスデユース素子それぞれに関係するシールドそれぞれにわたって 流れるようになっていることが特に認識できうる。

更に、トップシールド２８の寸法は底部シールド１６の全呼より若干小さく維持 され、これにより対応のフィルムの先端が互いに交差し合わないことが所望され ることも明らかであろう。

磁気フィルム１６及び２８に原因する得られる複合薄膜構築体における追加の厚 みを補うため、酸化アルミニウムの如きの適当な絶縁体の絶縁性スペーサーブロ ック４０を施すことが更に所望され、これにより、得られる素子がカハーブロッ クの追加により図１に示す通りに完成されたとき、より平板な複合体が得られる 。

エアーベアリング面から見た、先の図に示すものから若干改変したトランスデユ ース素子の拡大破断図を図４に更に示している。先に記載のＢ様のように、基体 １２がその研磨面、第一絶縁層１４の上に載っている。このフィルムの上には、 所望のキーホールスロット８Ｎ域を有する底部シールド１６が形成されており、 そしてこのシールドの上にはトランスデユース／センサー素子２０が載っている 。センスリード間の距離により規定されているセンサー素子のトラック幅を小さ くし、且つキーホールスロット領域のための室を可能とするために、次に載って いるセンサーリード２２は、シールド１６のキーホール領域の中心に部分的に突 き出た「Ｌ」型で形成されていることが好ましい。トランスデユース素子を絶縁 薄層２６、トップシールド層２８及び上部絶縁層３０の付加により完成したら、 対応のシールド層１６及び２８の高さは磁気抵抗性素子２０のそれより若干高い ことが明らかであり、トップシールド２８は底部シールド１６の寸法より若干小 さめの全呼を有する。

対応の図に示すヘッドの製造の例示的な方法は下記の通りである：１、　基体１ ２の表面を平らに磨き、そして清浄にする。

２、　酸化アルミニウムのフィルム１４をこの基体の表面に約６０　、０００〜 １００，０００人の厚みで載せ、次いで１０，０００〜６０，０００人に磨く。

３、　パーマロイ（８２％のニッケル、１８％の鉄、のフィルムＨ６を約３０， ０００人の厚みで載せる。所望するなら、このフィルムは磁場の中で載せて、そ の磁場においてドメインが得られるスロート高に対して垂直に並ぶようにしてよ い。

４、　ホトレジスト層を層１６の上に付与し、所望のキーホール構造を規定する ように適当なマスクを介して露出し、不要のホトレジストを除去し、そしてその 磁気層１６の露出した不要領域をエツチング除去する。

５、　形成されたシールド層１６の−Ｆに酸化アルミニウムの絶縁薄膜１８を約 ２，０００人の厚みで載せる。

６、　約３００人の厚みを有し、そしてみがいて研磨した後に１〜１０ミクロン の得られるエアーヘアリング面の高さを有する磁気抵抗材料の薄膜２０を載セる 。

７、　最終的にセンスリード及びパ・ノド２２を形成する導性層を約７５０人の 厚みで載せる。その−Ｌにホトレジストの層を載せ、そのフィルムを適当な二次 元マスクを介して露出させ、不要のホトレジストを除去し、そして得られる不要 の領域を除去して、所望のセンスリード形態を形成する。

８、　約２，０００人の酸化アルミニウムの第二の絶縁薄膜２６を次に、形成さ れたトランスデユーザー素子の上に均一に載せる。

９、　パーマロイの約３０，０００〜４０．０００人のトップシールド層２８を 次に載せ、ホトレジストでカバーし、そのホトレジストを適当なマスクを介して 露出して所望のシールド形態を形成し、不要のホトレジストを除去し、そして不 要のパーマロイ材料をエンチング除去して得られるシールド形態を形成する。

１０、　ＭＲセンサー及びシールドの主要リードを次にホトレジストプロセスに より形成し、次いでＣｕの如きの導性材料を載せて、ＭＲセンサーとシールドと が接着バッドに接続されるようにする。

１１、　約６０，０００〜１００．０００人の酸化アルミニウムのトップ絶縁層 を次に載せ、そして１０，０００〜６０．０００人に研磨し、次いで）ｚ？）ジ ンク３２をクランプしてサゼ集成体を完成させる。

１２、最後に、完成したサブ集成体とノ幼ジングとのトップ面をみがいて研磨し て、エアーヘアリング面を規定する所望の断面形にする。

本発明にかかわるヘッドは１枚より多くの磁気抵抗層を利用して形成されうるこ とか理解でき、各層は適当な絶縁層により隣りのものから隔離されている。更に 、シールド層１６及び２８が両者とも導性である必要はない。従って、例えば、 それらの部材のうちの一つのみがバイアス電流を搬送し、他方、他の部材は電流 が適用できない磁気透過性の比較的非導性材料より成りうる。

上記の図面において、その磁気抵抗性素子は対応のトップと底部シールドとの間 のギャップ内にほぼ等間隔で配置されているが、シールドの一方に結合している 優先的な磁気にわたる磁気抵抗性素子のバイアスを高めるために、その磁気抵抗 性素子は非対称的に配置されていてよい。

本発明のへノドは、多重チャンネルヘッド形態であって、所望するだけ多（のト ランスデユース素子を設けることができ、一本のバイアス電流のみが系列的に接 続されたシールド素子にわたって流れるヘッド形態において特に有用である。単 一のかかるトランスデユース素子を同様に供することも本発明の範囲に属する。

本発明を、４トランスデユース素子の施された好適なａｍを特に参考にしながら 詳細に説明してきた。他の変更及び改良も本発明の範囲内で行えることが理解さ れる。

補正書の翻訳文提出書 （特許法第１８４条の８） 平成６年６月１７日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．記録媒体（３３）伝いに間隔を置いて位置する磁化領域（３５）において記 録された情報と相互作用するための薄膜磁気ヘッド（１０）であって、 磁気抵抗作用を示す材料の少なくとも一枚の層を含み、且つこの少なくとも一枚 の層のうちの媒体（３３）に最も近い先端が第一平面内にある磁気抵抗性トラン スデュース素子（２０）、一組の磁気透過性シールド層（１６，２８）（それぞ れ前記磁気抵抗性素子（２０）の対立面上におり、そして前記の記録された情報 の最短波長の桁、且つそれより小さい固定距離で離されている対立面を有し、そ の２枚の透過性層のそれぞれのうちの媒体に最も近い端が前記第一平面内にあり 、前記磁気透過性層の少なくとも一方は導電性材料より成り、これにより、それ を流れる電流が、この磁気抵抗性素子のための関連の磁気バイアス場を作り上げ ることが可能となっておりながら、短波の記録の再生が可能となるように前記磁 気抵抗性素子を磁気的にシールドもしており、前記磁気透過性層の厚みがその透 過性部材間の前記固定距離の３倍より小さくない）、並びに電流が流れるように するために前記導電性磁気透過性層に接触する手段（３６，３８）（得られる磁 場は前記磁気抵抗性素子をバイアスする）、 を含んで成る磁気ヘッド。 ２．前記磁気抵抗作用を示す材料の層が、前記平面から予め決定されたストライ プ高を有するような形態となっており、そしてここで前記磁気透過性層の組のそ れぞれが、前記ストライプ高の１〜１０倍の範囲において前記平面から突き出た 高さを有するような形態となっており、これにより、前記導電性磁気透過層と前 記トランスデュース素子付近において得られるバイアス場の両者を流れる電流を 集約する、請求項１記載の磁気ヘッド。 ３．前記ヘッドが、少なくとも一枚の導性層より成るセンスリード（２２）を更 に含んで成り、その２つの領域が互いから電気的に隔離しており、且つセンス電 流が流れることを可能とするように前記磁気抵抗性素子と接触しており、前記領 域の一端は前記平面内にもあり、そして前記平面での前記領域間の距離は磁気抵 抗作動箇所の長さを規定している、請求項２記載のヘッド。 ４．前記透過性層の一方の先端に近位する箇所に、その層の上及びその隣接端伝 いの両者を突き出た絶縁外層（３４）が施されており、これによりショートする ことなく前記センスリードがそれを通過することが可能となっている、請求項３ 記載のヘッド。 ５．前記トランスデュース素子と前記磁気透過性層との間に位置する非導性及び 非磁気絶縁材料の層（１８，２６）を更に含んで成る、請求項１記載の磁気ヘッ ド。 ６．前記トランスデユース素子が、１００〜５００Åの範囲の厚み及び１−１５ マイクロメーターの範囲における仕上げストライプ高を有している磁気抵抗性層 を含んで成り、そしてここで前記透過性シールド材料の層それぞれが２５，００ ０〜１００，０００Åの範囲における厚みを有している、請求項１記載のヘッド 。 ７．前記磁気透過性層の全てが導電性であり、そしてここで前記接触手段が対立 方向において電流が流れることを可能とするために前記導性層の全てと接触して おり、得られる磁場が付加的となっている、請求項１記載のヘッド。 ８．前記磁気抵抗性材料の層が、複数の間隔の置かれているトランスデュース素 子を形成する複数の電気的に隔離した領域を有しており、各領域が前記平面内に ある先端を有しており、且つ独立したセンス電流が流れることを可能にする手段 を有している、請求項１記載のヘッド。 ９．前記磁気透過性層の少なくとも一方が、前記領域の全てに隣接する連続的な 系列電流を供して、前記透過性層を流れる電流が前記トランスデュース素子のそ れぞれにとってのバイアス場をもたらしめるような形態である、請求項８記載の ヘッド。 １０．前記磁気透過性層の全てか導電性であり、そしてここで前記接触手段が対 立方向において電流が流れることを可能とするために前記導性層の全てと接触し ており、得られる磁場は付加的であり、そしてここで前記導電性磁気透過性層の 一方が、他方よりも小さい全すを有する形態となっており、これにより前記の小 さめの層における電流が大きめの層の先端に流れてしまうことが回避されている 、請求項９記載のヘッド。 １１．前記磁気抵抗層が、そのヘッドが作動する周波数において低い保磁力及び 高い透過度、並びに２０〜２８マイクロオームセンチメーターの範囲における導 電率を有するニッケルー鉄合金を含んで成る、請求項１記載のヘッド。 １２．前記磁気透過性層が、そのヘッドが作動する周波数において低い保磁力及 び高い透過度、並びに２０〜２８マイクロオームセンチメーターの範囲における 導電率を有するニッケルー鉄合金を含んで成る、請求項１記載のヘッド。 １３．前記磁気抵抗性層が、前記磁気透過層の間に非対称的に配置されており、 かかる層の一方に近位している、請求項１記載のヘッド。 １４．薄膜磁気抵抗記録ヘッドを作成するための方法であって、非導性非磁気面 を有する基体（１２）を用意する、前記基体表面の上に、導電性低保磁力、且つ 高透過性材料を載せて第一シールド層であって、磁気バイアス場を供するように 前記層にわたって電流が流れることを可能とする手段を有するような形態の層を 作り、 前記第一シールド層の上に第一薄膜絶縁層（１８）を載せ、前記第一薄膜絶縁層 の上に、低保磁力で高透過性の磁気抵抗材料の薄膜層（２０）を載せ、 前記磁気抵抗材料の層の上に、この磁気抵抗材料の膜に対して一組のセンスリー ドを供するような形態となっており（そのリード間の距離はこの磁気抵抗層によ り形成されるトランスデューサーの長さを規定する）、且つ外部接続を助長する 接触パッドを供するようにこの磁気抵抗層の第一端から突き出た導性材料の薄膜 （２２）を載せ、 前記導性薄膜の上に第二薄膜絶縁層（２６）を載せ、前記第二薄膜層の上に、導 電性低保磁力高透過性材料の第二薄膜層（２８）を載せて、流れる電流が前記バ イアス場に貢献することが可能となるための手段を有する形態の第二シールド層 を作り、ここで各磁気透過性層の厚みは磁気透過性層の対立面間の距離の３倍よ り小さくなく、そして 前記層全てに共通している前記端伝いの面を形成する（前記面から前記磁気抵抗 膜の対立端までの距離は前記トランスデューサーのスロート高を規定する） 段階を含んで成る方法。 １５．前記磁気抵抗作用を示す材料の層を、前記平面から予め決定されたストラ イプ高を有するような形態にし、そして前記磁気透過性層の組を、前記ストライ プ高の１〜１０倍の範囲において前記平面から突き出た高さを有するような形態 にし、これにより、前記導電性磁気透過層と前記トランスデユース素子付近にお いて得られるバイアス場の両者を流れる電波を集約する、請求項１４記載の方法 。 １６．前記透過性層の一方の先端に近位する箇所に、その層の上及びその隣接端 伝いに両者を突き出た絶縁外層を施し、これによりショートすることなく前記セ ンスリードがそれを通過することが可能とする、請求項１４記載の方法。 １７．前記磁気抵抗性膜が、１００〜５００Åの範囲の厚み及び１−１５マイク ロメーターの範囲におけるストライプ高を有するように施し、そして前記透過性 シールド材料の層それぞれが２５，０００〜１００，０００Åの範囲における厚 みを有するように施す、請求項１４記載の方法。 １８．前記磁気抵抗性材料の層が、複数の間隔の置かれているトランスデュース 素子を形成する複数の電気的に隔離した領域を有するように施し、各領域が前記 平面内にある先端を有しており、且つ独立したセンス電流か流れることを可能に する手段を有するようにする、請求項１４記載の方法。 １９．前記磁気透過性層の少なくとも一方が、前記領域の全てに隣接する連続的 な系列電流を供して、前記透過性層を流れる電流が前記トランスデュース素子の それぞれにとってのバイアス場をもたらしめるような形態となるようにする、請 求項１８記載の方法。 ２０．前記導電性磁気透過性層が、その上層が他方よりも小さい全すを有する形 態にし、これにより前記の小さめの層に流れる電流が大きめの層の端に流れてし まうことを回避することを含んで成る、請求項１４記載の方法。