JPH05266438A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
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- JPH05266438A JPH05266438A JP6006792A JP6006792A JPH05266438A JP H05266438 A JPH05266438 A JP H05266438A JP 6006792 A JP6006792 A JP 6006792A JP 6006792 A JP6006792 A JP 6006792A JP H05266438 A JPH05266438 A JP H05266438A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】磁気抵抗効果型ヘッドに関し、磁気抵抗効果型
ヘッドにおける再生波形の裾引きを防止し、磁気バイア
ス効果を向上させることを目的とする。 【構成】２つの金属強磁性材で形成した磁気シールド層
１，１′の間に、絶縁層２，２′を介して磁気抵抗効果
素子３を配置した磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記
２つの磁気シールド層１，１′はそれぞれ飽和磁化の値
が異なり、かつ、透磁率が比較的高くて等しい材料を用
いた磁気抵抗効果型ヘッド。
ヘッドにおける再生波形の裾引きを防止し、磁気バイア
ス効果を向上させることを目的とする。 【構成】２つの金属強磁性材で形成した磁気シールド層
１，１′の間に、絶縁層２，２′を介して磁気抵抗効果
素子３を配置した磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記
２つの磁気シールド層１，１′はそれぞれ飽和磁化の値
が異なり、かつ、透磁率が比較的高くて等しい材料を用
いた磁気抵抗効果型ヘッド。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、たとえばコンピュー
タの外部記憶装置として利用される磁気ディスク装置あ
るいは磁気テ−プ装置などに用いられる磁気抵抗効果型
ヘッドに関するものである。
タの外部記憶装置として利用される磁気ディスク装置あ
るいは磁気テ−プ装置などに用いられる磁気抵抗効果型
ヘッドに関するものである。
【０００２】近年、コンピュータの外部記憶装置である
磁気記憶装置の大容量化に伴い、高性能磁気ヘッドが要
求されている。この要求を満足させるものとして、磁気
記録媒体の速度に依存せず、小径の磁気ディスクに対し
ても利用でき、高い出力が得られる磁気抵抗効果型ヘッ
ドが注目されている。
磁気記憶装置の大容量化に伴い、高性能磁気ヘッドが要
求されている。この要求を満足させるものとして、磁気
記録媒体の速度に依存せず、小径の磁気ディスクに対し
ても利用でき、高い出力が得られる磁気抵抗効果型ヘッ
ドが注目されている。
【０００３】
【従来の技術】一般に磁気抵抗効果型ヘッドは、図３の
（Ａ）に示すような構造である。すなわち、２１は矩形
状の磁気抵抗効果素子で、図３の（Ｂ）に破線矢印で示
すように、その長手方向（図３の（Ａ）におけるｙ軸方
向）に磁化方向が一致するように矩形に形成されてい
る。
（Ａ）に示すような構造である。すなわち、２１は矩形
状の磁気抵抗効果素子で、図３の（Ｂ）に破線矢印で示
すように、その長手方向（図３の（Ａ）におけるｙ軸方
向）に磁化方向が一致するように矩形に形成されてい
る。
【０００４】この磁気抵抗効果素子２１にセンス電流Ｉ
を流すために、磁気抵抗効果素子２１の長手方向に対し
て所定幅（磁気ディスクのトラック幅に相当）で切除さ
れて、磁気抵抗効果素子２１の両端部に金などの引き出
し導電体２２，２２′が接続され、この引き出し導電体
２２，２２′の間の磁気抵抗効果素子２１の部分が信号
検知領域２１ａとなっている。前記磁気抵抗効果素子２
１および引き出し導電体２２，２２′は、非磁性絶縁層
２３（図４参照）を介して金属強磁性材の磁気シールド
層２４，２４′の間（再生ギャップに相当）に配置され
ている。
を流すために、磁気抵抗効果素子２１の長手方向に対し
て所定幅（磁気ディスクのトラック幅に相当）で切除さ
れて、磁気抵抗効果素子２１の両端部に金などの引き出
し導電体２２，２２′が接続され、この引き出し導電体
２２，２２′の間の磁気抵抗効果素子２１の部分が信号
検知領域２１ａとなっている。前記磁気抵抗効果素子２
１および引き出し導電体２２，２２′は、非磁性絶縁層
２３（図４参照）を介して金属強磁性材の磁気シールド
層２４，２４′の間（再生ギャップに相当）に配置され
ている。
【０００５】そして、この引き出し導電体２２，２２′
を介して磁気抵抗効果素子２１にセンス電流Ｉを流し、
この信号検知領域２１ａに図３の（Ａ）において磁気抵
抗効果素子２１の下方をｘ方向に移動する磁気記録媒体
（図示しない）から信号磁界が入ると、この信号検知領
域２１ａの部分の電気抵抗が変化し、磁気抵抗効果素子
２１の両端の電圧が変化する。この電圧変化を磁気記録
媒体からの信号出力として検出する。
を介して磁気抵抗効果素子２１にセンス電流Ｉを流し、
この信号検知領域２１ａに図３の（Ａ）において磁気抵
抗効果素子２１の下方をｘ方向に移動する磁気記録媒体
（図示しない）から信号磁界が入ると、この信号検知領
域２１ａの部分の電気抵抗が変化し、磁気抵抗効果素子
２１の両端の電圧が変化する。この電圧変化を磁気記録
媒体からの信号出力として検出する。
【０００６】磁気記録媒体すなわち磁気テープや磁気デ
ィスクに記録された磁気記録情報を前記のような磁気抵
抗効果型ヘッドを用いて再生するためには、図３の
（Ｂ）に示すように、磁気抵抗効果素子２１に流すセン
ス電流Ｉと磁気抵抗効果素子２１の磁化方向のなす角度
θ（磁気バイアス角度）を実線で示すように４５度程度
傾けて、磁気抵抗効果素子の線型性および再生効率を向
上させる必要がある。磁気抵抗効果素子の磁化を傾ける
ことを磁気バイアス（磁気バイアス法）と呼ぶ。
ィスクに記録された磁気記録情報を前記のような磁気抵
抗効果型ヘッドを用いて再生するためには、図３の
（Ｂ）に示すように、磁気抵抗効果素子２１に流すセン
ス電流Ｉと磁気抵抗効果素子２１の磁化方向のなす角度
θ（磁気バイアス角度）を実線で示すように４５度程度
傾けて、磁気抵抗効果素子の線型性および再生効率を向
上させる必要がある。磁気抵抗効果素子の磁化を傾ける
ことを磁気バイアス（磁気バイアス法）と呼ぶ。
【０００７】前記磁気バイアス法にはさまざまな方法が
考えられるが、その一例を図４によって説明する。ま
ず、図４の（Ａ）に示すように、磁気抵抗効果素子２１
にセンス電流Ｉが、紙面に垂直に手前から向こうに流れ
ると、この磁気抵抗効果素子２１の回りに矢印で示す方
向の磁界Ｈ1 が生じ、金属強磁性材の磁気シールド層２
４，２４′は太い矢印で示す方向に磁化される。
考えられるが、その一例を図４によって説明する。ま
ず、図４の（Ａ）に示すように、磁気抵抗効果素子２１
にセンス電流Ｉが、紙面に垂直に手前から向こうに流れ
ると、この磁気抵抗効果素子２１の回りに矢印で示す方
向の磁界Ｈ1 が生じ、金属強磁性材の磁気シールド層２
４，２４′は太い矢印で示す方向に磁化される。
【０００８】そうすると図４の（Ｂ）において矢印で示
すように、この磁気シールド層２４，２４′の磁化によ
って発生する、互いに反対方向の磁界Ｈ2 ，Ｈ3 が磁気
抵抗効果素子２１に印加される。ここで磁気抵抗効果素
子２１と磁気シールド層２４，２４′間の距離Ｇ1 ，Ｇ
2 が等しくないか、または前記距離Ｇ1 ，Ｇ2 が等しく
ても磁気シールド層２４，２４′の透磁率および飽和磁
束密度が等しくなければ、一方の磁気シールド層からの
磁界が他方の磁気シールド層からの磁界に打ち勝ち、磁
気抵抗効果素子２１に磁気抵抗効果素子が本来有してい
る磁化方向を傾ける磁気バイアスがかかる。
すように、この磁気シールド層２４，２４′の磁化によ
って発生する、互いに反対方向の磁界Ｈ2 ，Ｈ3 が磁気
抵抗効果素子２１に印加される。ここで磁気抵抗効果素
子２１と磁気シールド層２４，２４′間の距離Ｇ1 ，Ｇ
2 が等しくないか、または前記距離Ｇ1 ，Ｇ2 が等しく
ても磁気シールド層２４，２４′の透磁率および飽和磁
束密度が等しくなければ、一方の磁気シールド層からの
磁界が他方の磁気シールド層からの磁界に打ち勝ち、磁
気抵抗効果素子２１に磁気抵抗効果素子が本来有してい
る磁化方向を傾ける磁気バイアスがかかる。
【０００９】従来、磁気抵抗効果素子を磁気シールド層
のどちらかに偏位させて配置し、磁気抵抗効果素子に磁
気バイアスがかかるように磁気抵抗効果型ヘッドを構成
する技術や、両磁気シールド層の中間に磁気抵抗効果素
子を配置し、両磁気シールド層の透磁率および飽和磁束
密度を変えて磁気抵抗効果素子に磁気バイアスがかかる
ように磁気抵抗効果型ヘッドを構成する技術が先行技術
として存在する。両磁気シールド層の透磁率および飽和
磁束密度を変えて磁気抵抗効果型ヘッドを構成する技術
は、特開昭６２−１４３２２３号公報に、図５に示すよ
うに開示されている。
のどちらかに偏位させて配置し、磁気抵抗効果素子に磁
気バイアスがかかるように磁気抵抗効果型ヘッドを構成
する技術や、両磁気シールド層の中間に磁気抵抗効果素
子を配置し、両磁気シールド層の透磁率および飽和磁束
密度を変えて磁気抵抗効果素子に磁気バイアスがかかる
ように磁気抵抗効果型ヘッドを構成する技術が先行技術
として存在する。両磁気シールド層の透磁率および飽和
磁束密度を変えて磁気抵抗効果型ヘッドを構成する技術
は、特開昭６２−１４３２２３号公報に、図５に示すよ
うに開示されている。
【００１０】この図５に示す磁気抵抗効果型ヘッドにお
いては、下部の磁気シールド層３１として強磁性体のMn
-Zn 層（厚さ２ｍｍ、飽和磁束密度が５ＫＧ、透磁率が
４００（１ＭＨｚ））を形成し、その上に下部ギャップ
層３２として厚さ４５０ｎｍのアルミナ絶縁層を形成し
た後、磁気抵抗効果素子３３として厚さ３５ｎｍのパー
マロイ層を形成する。次いで上部ギャップ層３２′とし
て厚さ４００ｎｍのアルミナ絶縁層を形成した後、上部
の磁気シールド層３４として強磁性体のNi-Zn層（厚さ
２ｍｍ、飽和磁束密度が３．５ＫＧ、透磁率が２０００
（１ＭＨｚ））を形成した構成である。なお、磁気抵抗
効果素子３３と磁気シールド層３１，３４間の距離
Ｇ1 ，Ｇ2 はほぼ等しい。
いては、下部の磁気シールド層３１として強磁性体のMn
-Zn 層（厚さ２ｍｍ、飽和磁束密度が５ＫＧ、透磁率が
４００（１ＭＨｚ））を形成し、その上に下部ギャップ
層３２として厚さ４５０ｎｍのアルミナ絶縁層を形成し
た後、磁気抵抗効果素子３３として厚さ３５ｎｍのパー
マロイ層を形成する。次いで上部ギャップ層３２′とし
て厚さ４００ｎｍのアルミナ絶縁層を形成した後、上部
の磁気シールド層３４として強磁性体のNi-Zn層（厚さ
２ｍｍ、飽和磁束密度が３．５ＫＧ、透磁率が２０００
（１ＭＨｚ））を形成した構成である。なお、磁気抵抗
効果素子３３と磁気シールド層３１，３４間の距離
Ｇ1 ，Ｇ2 はほぼ等しい。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図５に示すよ
うな磁気抵抗効果型ヘッドにおいては、下部の磁気シー
ルド層３１と上部の磁気シールド層３４の透磁率を変え
て両磁気シールド層の間隔の中央に磁気抵抗効果素子３
３を配置していたが、図６に示すように、透磁率の低い
Mn-Zn 層の磁気シールド層３１側の再生波形に裾引きが
生じ、なおかつ、バイアス効果があまりない、という問
題点があった。この発明は、磁気抵抗効果型ヘッドにお
ける再生波形の裾引きを防止し、バイアス効果を向上さ
せることを目的とするものである。
うな磁気抵抗効果型ヘッドにおいては、下部の磁気シー
ルド層３１と上部の磁気シールド層３４の透磁率を変え
て両磁気シールド層の間隔の中央に磁気抵抗効果素子３
３を配置していたが、図６に示すように、透磁率の低い
Mn-Zn 層の磁気シールド層３１側の再生波形に裾引きが
生じ、なおかつ、バイアス効果があまりない、という問
題点があった。この発明は、磁気抵抗効果型ヘッドにお
ける再生波形の裾引きを防止し、バイアス効果を向上さ
せることを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明は、前記目的を
達成するために、図１に示すように、２つの金属強磁性
材で形成した磁気シールド層１，１′の間に、絶縁層
２，２′を介して磁気抵抗効果素子３を配置した磁気抵
抗効果型ヘッドにおいて、前記２つの磁気シールド層
１，１′はそれぞれ飽和磁化の値が異なり、かつ、透磁
率が比較的高くて等しい材料を用いた磁気抵抗効果型ヘ
ッドとし、また前記２つの磁気シールド層１，１′は、
それぞれ飽和磁化の値が異なり、かつ、透磁率の大小関
係において、飽和磁化の値が大きい方が透磁率も高い磁
気シールド層を用いた磁気抵抗効果型ヘッドとし、また
は前記磁気抵抗効果素子３を、前記２つの磁気シールド
層１，１′の間で、飽和磁化が大きく、かつ、透磁率が
高い方の磁気シールド層に近づけて配置した磁気抵抗効
果型ヘッドとしたものである。
達成するために、図１に示すように、２つの金属強磁性
材で形成した磁気シールド層１，１′の間に、絶縁層
２，２′を介して磁気抵抗効果素子３を配置した磁気抵
抗効果型ヘッドにおいて、前記２つの磁気シールド層
１，１′はそれぞれ飽和磁化の値が異なり、かつ、透磁
率が比較的高くて等しい材料を用いた磁気抵抗効果型ヘ
ッドとし、また前記２つの磁気シールド層１，１′は、
それぞれ飽和磁化の値が異なり、かつ、透磁率の大小関
係において、飽和磁化の値が大きい方が透磁率も高い磁
気シールド層を用いた磁気抵抗効果型ヘッドとし、また
は前記磁気抵抗効果素子３を、前記２つの磁気シールド
層１，１′の間で、飽和磁化が大きく、かつ、透磁率が
高い方の磁気シールド層に近づけて配置した磁気抵抗効
果型ヘッドとしたものである。
【００１３】
【作用】この発明のように構成した磁気抵抗効果型ヘッ
ドでは、２つの金属強磁性材で形成した磁気シールド層
１，１′と磁気抵抗効果素子３との間の絶縁性を確保で
き、かつ、磁気シールド層１，１′による磁気抵抗効果
素子３にかかるバイアス効果を向上させ、さらに信号の
再生波形の裾引きを防止することが可能となる。
ドでは、２つの金属強磁性材で形成した磁気シールド層
１，１′と磁気抵抗効果素子３との間の絶縁性を確保で
き、かつ、磁気シールド層１，１′による磁気抵抗効果
素子３にかかるバイアス効果を向上させ、さらに信号の
再生波形の裾引きを防止することが可能となる。
【００１４】
【実施例】以下、この発明の磁気抵抗効果型ヘッドの各
実施例を図１および図２に従って詳細に説明する。図１
はこの発明の磁気抵抗効果型ヘッドの第１の実施例を示
すものであり、２つの金属強磁性材で形成した磁気シー
ルド層１，１′の間に、絶縁層２，２′を介して磁気抵
抗効果素子３を配置した磁気抵抗効果型ヘッドにおい
て、前記２つの磁気シールド層１，１′は、磁気抵抗効
果素子３から等距離に位置し、それぞれ飽和磁化の値が
異なり、かつ、透磁率が比較的高くて等しい材料を用い
た磁気抵抗効果型ヘッドとしたものである。
実施例を図１および図２に従って詳細に説明する。図１
はこの発明の磁気抵抗効果型ヘッドの第１の実施例を示
すものであり、２つの金属強磁性材で形成した磁気シー
ルド層１，１′の間に、絶縁層２，２′を介して磁気抵
抗効果素子３を配置した磁気抵抗効果型ヘッドにおい
て、前記２つの磁気シールド層１，１′は、磁気抵抗効
果素子３から等距離に位置し、それぞれ飽和磁化の値が
異なり、かつ、透磁率が比較的高くて等しい材料を用い
た磁気抵抗効果型ヘッドとしたものである。
【００１５】さらに、このような磁気抵抗効果型ヘッド
の製法を詳しく説明すると、Al2O3付きAl2O3 −TiC 基
板４の上に、高周波スパッタリング法によって順次、Ni
Fe材により下部の磁気シールド層１を形成し、その上の
Al2O3 材などの絶縁層２を形成し、その上に磁気抵抗効
果素子３を形成し、その上に金などの引き出し導体層５
を形成し、その上にAl2O3 材などの絶縁層２′を形成
し、その上に前記下部の磁気シールド層１と透磁率が等
しい上部の磁気シールド層１′を形成する。
の製法を詳しく説明すると、Al2O3付きAl2O3 −TiC 基
板４の上に、高周波スパッタリング法によって順次、Ni
Fe材により下部の磁気シールド層１を形成し、その上の
Al2O3 材などの絶縁層２を形成し、その上に磁気抵抗効
果素子３を形成し、その上に金などの引き出し導体層５
を形成し、その上にAl2O3 材などの絶縁層２′を形成
し、その上に前記下部の磁気シールド層１と透磁率が等
しい上部の磁気シールド層１′を形成する。
【００１６】前記上部の磁気シールド層１′は、前記下
部の磁気シールド層１と透磁率が等しいNiFeにCr,Cu,Zr
等の第３元素を添加した材料を使用する。このNiFe膜
は、前記のような第３元素を添加することにより飽和磁
化をコントロール可能となる。飽和磁化の値を変えて、
磁気抵抗効果素子３に磁気バイアスがかかるようにする
には、磁気抵抗効果素子３のセンス電流まわりに発生す
る磁界により、磁気抵抗効果素子３の近傍における少な
くとも一方の磁気シールド層、すなわち、図１に示す実
施例においては、前記上部の磁気シールド層１′の、磁
気抵抗効果素子３と対向する表面１ａの磁化を飽和させ
て、前記上部の磁気シールド層１′と下部の磁気シール
ド層１との磁化の大きさに違いをもたせる。
部の磁気シールド層１と透磁率が等しいNiFeにCr,Cu,Zr
等の第３元素を添加した材料を使用する。このNiFe膜
は、前記のような第３元素を添加することにより飽和磁
化をコントロール可能となる。飽和磁化の値を変えて、
磁気抵抗効果素子３に磁気バイアスがかかるようにする
には、磁気抵抗効果素子３のセンス電流まわりに発生す
る磁界により、磁気抵抗効果素子３の近傍における少な
くとも一方の磁気シールド層、すなわち、図１に示す実
施例においては、前記上部の磁気シールド層１′の、磁
気抵抗効果素子３と対向する表面１ａの磁化を飽和させ
て、前記上部の磁気シールド層１′と下部の磁気シール
ド層１との磁化の大きさに違いをもたせる。
【００１７】この発明の他の実施例としては、磁気抵抗
効果型ヘッドの構成は図１と同じであるが、２つの金属
強磁性材で形成した磁気シールド層１，１′の間に、絶
縁層２，２′を介して磁気抵抗効果素子３を配置した磁
気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記２つの磁気シールド
層１，１′は、それぞれ飽和磁化の値が異なり、かつ、
透磁率の大小関係において、飽和磁化の値が大きい方が
透磁率も高い磁気シールド層を用いた磁気抵抗効果型ヘ
ッドとしたものである。
効果型ヘッドの構成は図１と同じであるが、２つの金属
強磁性材で形成した磁気シールド層１，１′の間に、絶
縁層２，２′を介して磁気抵抗効果素子３を配置した磁
気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記２つの磁気シールド
層１，１′は、それぞれ飽和磁化の値が異なり、かつ、
透磁率の大小関係において、飽和磁化の値が大きい方が
透磁率も高い磁気シールド層を用いた磁気抵抗効果型ヘ
ッドとしたものである。
【００１８】また、この発明の他の実施例としては、図
２に示すように、２つの金属強磁性材で形成した磁気シ
ールド層１，１′の間に、絶縁層２，２′を介して磁気
抵抗効果素子３を配置した磁気抵抗効果型ヘッドにおい
て、前記磁気抵抗効果素子３を、前記２つの磁気シール
ド層１，１′の間で、飽和磁化が大きく、かつ、透磁率
が高い方の磁気シールド層１に近づけて配置した磁気抵
抗効果型ヘッドとしたものである。
２に示すように、２つの金属強磁性材で形成した磁気シ
ールド層１，１′の間に、絶縁層２，２′を介して磁気
抵抗効果素子３を配置した磁気抵抗効果型ヘッドにおい
て、前記磁気抵抗効果素子３を、前記２つの磁気シール
ド層１，１′の間で、飽和磁化が大きく、かつ、透磁率
が高い方の磁気シールド層１に近づけて配置した磁気抵
抗効果型ヘッドとしたものである。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明は、２つ
の金属強磁性材で形成した磁気シールド層の間に、絶縁
層を介して磁気抵抗効果素子を配置した磁気抵抗効果型
ヘッドにおいて、前記２つの磁気シールド層はそれぞれ
飽和磁化の値が異なり、かつ、透磁率が比較的高くて等
しい材料を用いた磁気抵抗効果型ヘッドとし、また前記
２つの磁気シールド層は、それぞれ飽和磁化の値が異な
り、かつ、透磁率の大小関係において、飽和磁化の値が
大きい方が透磁率も高い磁気シールド層を用いた磁気抵
抗効果型ヘッドとし、または前記磁気抵抗効果素子を、
前記２つの磁気シールド層の間で、飽和磁化が大きく、
かつ、透磁率が高い方の磁気シールド層に近づけて配置
した磁気抵抗効果型ヘッドとしたので、２つの金属強磁
性材で形成した磁気シールド層と磁気抵抗効果素子との
間の絶縁性を確保でき、かつ、磁気シールド層による磁
気抵抗効果素子にかかるバイアス効果を向上させ、さら
に、信号の再生波形の裾引きを防止することが可能とな
る。
の金属強磁性材で形成した磁気シールド層の間に、絶縁
層を介して磁気抵抗効果素子を配置した磁気抵抗効果型
ヘッドにおいて、前記２つの磁気シールド層はそれぞれ
飽和磁化の値が異なり、かつ、透磁率が比較的高くて等
しい材料を用いた磁気抵抗効果型ヘッドとし、また前記
２つの磁気シールド層は、それぞれ飽和磁化の値が異な
り、かつ、透磁率の大小関係において、飽和磁化の値が
大きい方が透磁率も高い磁気シールド層を用いた磁気抵
抗効果型ヘッドとし、または前記磁気抵抗効果素子を、
前記２つの磁気シールド層の間で、飽和磁化が大きく、
かつ、透磁率が高い方の磁気シールド層に近づけて配置
した磁気抵抗効果型ヘッドとしたので、２つの金属強磁
性材で形成した磁気シールド層と磁気抵抗効果素子との
間の絶縁性を確保でき、かつ、磁気シールド層による磁
気抵抗効果素子にかかるバイアス効果を向上させ、さら
に、信号の再生波形の裾引きを防止することが可能とな
る。
【図１】この発明の磁気抵抗効果型ヘッドの一実施例の
構成図である。
構成図である。
【図２】この発明の磁気抵抗効果型ヘッドの他の実施例
の構成図である。
の構成図である。
【図３】従来一般の磁気抵抗効果型ヘッドの構造の概略
図である。
図である。
【図４】磁気抵抗効果型ヘッドの磁気バイアスの説明図
である。
である。
【図５】磁気抵抗効果型ヘッドの先行技術の構成図であ
る。
る。
【図６】磁気抵抗効果型ヘッドの先行技術の問題点の説
明図である。
明図である。
１ 磁気シールド層 １′ 磁気シールド層 １ａ 表面 ２ 絶縁層 ２′ 絶縁層 ３ 磁気抵抗効果素子 ４ Al2O3 −TiC 基板 ５ 引き出し導体層 ２１ 磁気抵抗効果素子 ２１ａ 信号検知領域 ２２ 引き出し導電体 ２２′ 引き出し導電体 ２３ 非磁性絶縁層 ２４ 磁気シールド層 ２４′ 磁気シールド層 ３１ 下部の磁気シールド層 ３２ 下部ギャップ層 ３２′ 上部ギャップ層 ３３ 磁気抵抗効果素子 ３４ 上部の磁気シールド層
Claims (3)
- 【請求項１】２つの金属強磁性材で形成した磁気シール
ド層（１），（１′）の間に、絶縁層（２，２′）を介
して磁気抵抗効果素子（３）を配置した磁気抵抗効果型
ヘッドにおいて、前記２つの磁気シールド層（１），
（１′）はそれぞれ飽和磁化の値が異なり、かつ、透磁
率が比較的高くて等しい材料を用いたことを特徴とする
磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項２】２つの金属強磁性材で形成した磁気シール
ド層（１），（１′）の間に、絶縁層（２，２′）を介
して磁気抵抗効果素子（３）を配置した磁気抵抗効果型
ヘッドにおいて、前記２つの磁気シールド層（１），
（１′）は、それぞれ飽和磁化の値が異なり、かつ、透
磁率の大小関係において、飽和磁化の値が大きい方が透
磁率も高い磁気シールド層を用いたことを特徴とする磁
気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項３】２つの金属強磁性材で形成した磁気シール
ド層（１），（１′）の間に、絶縁層（２，２′）を介
して磁気抵抗効果素子（３）を配置した磁気抵抗効果型
ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子（３）を、前記
２つの磁気シールド層（１），（１′）の間で、飽和磁
化が大きく、かつ、透磁率が高い方の磁気シールド層に
近づけて配置したことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6006792A JPH05266438A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6006792A JPH05266438A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05266438A true JPH05266438A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13131377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6006792A Pending JPH05266438A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05266438A (ja) |
-
1992
- 1992-03-17 JP JP6006792A patent/JPH05266438A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020417 |