JPH05210823A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
- Publication number
- JPH05210823A JPH05210823A JP5211491A JP5211491A JPH05210823A JP H05210823 A JPH05210823 A JP H05210823A JP 5211491 A JP5211491 A JP 5211491A JP 5211491 A JP5211491 A JP 5211491A JP H05210823 A JPH05210823 A JP H05210823A
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- Japan
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- magnetic layer
- alloy
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜磁気ヘッドの上部磁性層の軟磁気特性が
劣化することなく、確実にパターン形成できる薄膜磁気
ヘッドの製造方法を提供する。 【構成】 絶縁性基板４上に銅薄膜５を被着する。ポジ
型レジスト６で磁性層となる反転パターンを形成し、レ
ジストパターンの上にオーバーハングするように磁性層
の２倍程度の膜厚を持つ銅メッキ膜７を形成する。Ｆｅ
−Ｎｉ合金８ａを被着し銅薄膜５をエッチングして銅薄
膜５上のＦｅ−Ｎｉ合金８ａを除去すると上部磁性層８
ｂが形成される。 【効果】 Ｆｅ−Ｎｉ合金を被着するときに、銅メッキ
膜からはＦｅ−Ｎｉ合金の軟磁気特性を劣化させるよう
なガスは出ないので安定した膜特性が得られる。また銅
メッキ膜のパターンエッジはオーバーハング形状を持つ
ため被着されたＦｅ−Ｎｉ合金をリフトオフしやすい。
劣化することなく、確実にパターン形成できる薄膜磁気
ヘッドの製造方法を提供する。 【構成】 絶縁性基板４上に銅薄膜５を被着する。ポジ
型レジスト６で磁性層となる反転パターンを形成し、レ
ジストパターンの上にオーバーハングするように磁性層
の２倍程度の膜厚を持つ銅メッキ膜７を形成する。Ｆｅ
−Ｎｉ合金８ａを被着し銅薄膜５をエッチングして銅薄
膜５上のＦｅ−Ｎｉ合金８ａを除去すると上部磁性層８
ｂが形成される。 【効果】 Ｆｅ−Ｎｉ合金を被着するときに、銅メッキ
膜からはＦｅ−Ｎｉ合金の軟磁気特性を劣化させるよう
なガスは出ないので安定した膜特性が得られる。また銅
メッキ膜のパターンエッジはオーバーハング形状を持つ
ため被着されたＦｅ−Ｎｉ合金をリフトオフしやすい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁路となる上部磁性層
をスパッタリング法を用いて形成する薄膜磁気ヘッドの
製造方法に関する。
をスパッタリング法を用いて形成する薄膜磁気ヘッドの
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の薄膜磁気ヘッドは磁束を
伝達する磁気コアが厚さ数ミクロンのＦｅ−Ｎｉ合金等
の磁性薄膜で形成されており、バルクタイプに比べ低イ
ンダクタンスにできることが特徴の一つであるが、その
電磁変換特性には磁性薄膜（以下磁性層と称す）の軟磁
気特性が大きく影響を与えている。Ｆｅ−Ｎｉ合金等の
磁性層の被着方法として、物理蒸着法，電解メッキ法，
スパッタリング法，イオンプレーティング法等がある
が、磁性層の膜組成を容易に制御でき、ばらつきを少な
くできることや膜の結晶性が良いことからスパッタリン
グ法が用いられる。上部，下部の磁性層をスパッタリン
グ法を用いて形成する方法には、（１）Ｆｅ−Ｎｉ合金
等の磁性層被着後にレジスト等をマスクに用いてイオン
ミリング装置等でエッチングすることにより形状をつく
る方法と、（２）Ｆｅ−Ｎｉ合金等の磁性層被着前にレ
ジスト等で磁性層形状の反転パターンを形成してから磁
性層を被着し、その後レジスト等を除去してレジスト上
のＦｅ−Ｎｉ合金をリフトオフして形状をつくる方法等
がある。
伝達する磁気コアが厚さ数ミクロンのＦｅ−Ｎｉ合金等
の磁性薄膜で形成されており、バルクタイプに比べ低イ
ンダクタンスにできることが特徴の一つであるが、その
電磁変換特性には磁性薄膜（以下磁性層と称す）の軟磁
気特性が大きく影響を与えている。Ｆｅ−Ｎｉ合金等の
磁性層の被着方法として、物理蒸着法，電解メッキ法，
スパッタリング法，イオンプレーティング法等がある
が、磁性層の膜組成を容易に制御でき、ばらつきを少な
くできることや膜の結晶性が良いことからスパッタリン
グ法が用いられる。上部，下部の磁性層をスパッタリン
グ法を用いて形成する方法には、（１）Ｆｅ−Ｎｉ合金
等の磁性層被着後にレジスト等をマスクに用いてイオン
ミリング装置等でエッチングすることにより形状をつく
る方法と、（２）Ｆｅ−Ｎｉ合金等の磁性層被着前にレ
ジスト等で磁性層形状の反転パターンを形成してから磁
性層を被着し、その後レジスト等を除去してレジスト上
のＦｅ−Ｎｉ合金をリフトオフして形状をつくる方法等
がある。
【０００３】後者のいわゆるリフトオフ法と呼ばれる磁
性層の形成方法について図２を用いて説明する。（ａ）
に示すようにセラミック基板１上にネガ型レジスト２を
塗布し、磁性層形状の反転パターンの形状をつくる。こ
のネガ型レジスト２の厚みは磁性層の厚みの少なくとも
２倍程度にする。つぎに（ｂ）に示すようにＦｅ−Ｎｉ
合金３ａをスパッタリングする。それからアセトン等の
溶剤で超音波洗浄を行ない、レジスト２を除去するとと
もにレジスト２上のＦｅ−Ｎｉ合金３ａを除去すると、
（ｃ）のように上部磁性層３ｂを得る。
性層の形成方法について図２を用いて説明する。（ａ）
に示すようにセラミック基板１上にネガ型レジスト２を
塗布し、磁性層形状の反転パターンの形状をつくる。こ
のネガ型レジスト２の厚みは磁性層の厚みの少なくとも
２倍程度にする。つぎに（ｂ）に示すようにＦｅ−Ｎｉ
合金３ａをスパッタリングする。それからアセトン等の
溶剤で超音波洗浄を行ない、レジスト２を除去するとと
もにレジスト２上のＦｅ−Ｎｉ合金３ａを除去すると、
（ｃ）のように上部磁性層３ｂを得る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
のリフトオフ法による製造方法では、レジスト２で磁性
層形状の反転パターンを形成し、その後Ｆｅ−Ｎｉ合金
３ａをスパッタリングするが、Ｆｅ−Ｎｉ合金３ａ等の
結晶質の軟磁性材料をスパッタリングするときには付着
力の観点からもセラミック基板１をある程度加熱するの
が普通であり、上部磁性層３ｂ形状の反転パターンをレ
ジストで形成すると、Ｆｅ−Ｎｉ合金３ａをスパッタリ
ングするときにレジスト２に元々含まれているガスが出
て上部磁性層３ｂの軟磁気特性が劣化するという欠点が
あった。この対策としてスパッタリング前にレジスト２
からガスが出ないように充分なベーキングを行なうと、
レジスト２が除去されないという問題があった。
のリフトオフ法による製造方法では、レジスト２で磁性
層形状の反転パターンを形成し、その後Ｆｅ−Ｎｉ合金
３ａをスパッタリングするが、Ｆｅ−Ｎｉ合金３ａ等の
結晶質の軟磁性材料をスパッタリングするときには付着
力の観点からもセラミック基板１をある程度加熱するの
が普通であり、上部磁性層３ｂ形状の反転パターンをレ
ジストで形成すると、Ｆｅ−Ｎｉ合金３ａをスパッタリ
ングするときにレジスト２に元々含まれているガスが出
て上部磁性層３ｂの軟磁気特性が劣化するという欠点が
あった。この対策としてスパッタリング前にレジスト２
からガスが出ないように充分なベーキングを行なうと、
レジスト２が除去されないという問題があった。
【０００５】本発明は上記従来の問題を解決するもの
で、被着された上部磁性層の軟磁気特性が劣化すること
なく、確実にパターン形成できる薄膜磁気ヘッドの製造
方法を提供することを目的とする。
で、被着された上部磁性層の軟磁気特性が劣化すること
なく、確実にパターン形成できる薄膜磁気ヘッドの製造
方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、メッキするときの電極となる銅薄膜をスパ
ッタリングした上面に前記下部磁性層または上部磁性層
の形状を予めポジ型レジストで形成し、銅メッキ膜を前
記ポジ型レジストより厚く電解メッキで被着した後、溶
剤等で前記ポジ型レジストを除去してから、イオンミリ
ング，ケミカルエッチャント等で前記銅薄膜を除去した
後、物理蒸着法，スパッタリング法，イオンプレーティ
ング法等によりＦｅ−Ｎｉ合金を被着し、前記銅薄膜と
銅メッキ膜をケミカルエッチャントで除去し、銅メッキ
膜上のＦｅ−Ｎｉ合金を除去して上部磁性層を形成する
ものである。
するために、メッキするときの電極となる銅薄膜をスパ
ッタリングした上面に前記下部磁性層または上部磁性層
の形状を予めポジ型レジストで形成し、銅メッキ膜を前
記ポジ型レジストより厚く電解メッキで被着した後、溶
剤等で前記ポジ型レジストを除去してから、イオンミリ
ング，ケミカルエッチャント等で前記銅薄膜を除去した
後、物理蒸着法，スパッタリング法，イオンプレーティ
ング法等によりＦｅ−Ｎｉ合金を被着し、前記銅薄膜と
銅メッキ膜をケミカルエッチャントで除去し、銅メッキ
膜上のＦｅ−Ｎｉ合金を除去して上部磁性層を形成する
ものである。
【０００７】
【作用】銅メッキ膜をポジ型レジストの厚みにより磁性
層の厚み分の少なくとも２倍程度に厚くすることによ
り、形成された磁性層形状の反転パターンのエッジはオ
ーバーハング形状になっているため、磁性層をスパッタ
リングした後、磁性層形状の反転パターンである銅メッ
キ膜をエッチングして銅メッキ膜上のＦｅ−Ｎｉ合金を
リフトオフして上部磁性層を形成する。
層の厚み分の少なくとも２倍程度に厚くすることによ
り、形成された磁性層形状の反転パターンのエッジはオ
ーバーハング形状になっているため、磁性層をスパッタ
リングした後、磁性層形状の反転パターンである銅メッ
キ膜をエッチングして銅メッキ膜上のＦｅ−Ｎｉ合金を
リフトオフして上部磁性層を形成する。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図１を参照
しながら説明する。図１（ａ）に示すように、セラミッ
ク基板４上に電極となる銅薄膜５をスパッタし、その上
面にポジ型レジスト６を塗布し、磁性層形状にパターン
ニングする。その後、（ｂ）のように銅メッキ膜７を形
成するが、ポジ型レジスト６の厚みにより、磁性層の厚
みの２倍程度に厚くメッキする。そして、ポジ型レジス
ト６を除去すると、ポジ型レジスト６のパターンエッジ
形状にほぼ沿って銅メッキされるため、銅メッキ膜７の
パターンエッジ形状はオーバーハング形状となる。その
後イオンミリング法で全面をエッチングして露出してい
る銅薄膜５の一部を除去する。そして（ｃ）のように磁
性層となるＦｅ−Ｎｉ合金８ａをスパッタする。さらに
（ｄ）のように、銅メッキ膜７をＮａＯＨにてpHを７〜
１０に調整する。そして、Ｆｅ−Ｎｉ合金８ａをエッチ
ングしない水溶液｛例えば、（ＮＨ4）２Ｓ2Ｏ8＋Ｈ
2Ｏ｝でケミカルエッチングして銅メッキ膜７上のＦｅ
−Ｎｉ合金８ａをリフトオフすると上部磁性層８ｂが得
られる、上部磁性層８ｂの反転パターンとなっている銅
メッキパターンの厚みが上部磁性層８ｂの厚みの２倍程
度あることや銅メッキのパターンエッジ形状がオーバー
ハングしていることにより銅メッキ膜７上のＦｅ−Ｎｉ
合金８ａを容易にリフトオフすることが可能である。
しながら説明する。図１（ａ）に示すように、セラミッ
ク基板４上に電極となる銅薄膜５をスパッタし、その上
面にポジ型レジスト６を塗布し、磁性層形状にパターン
ニングする。その後、（ｂ）のように銅メッキ膜７を形
成するが、ポジ型レジスト６の厚みにより、磁性層の厚
みの２倍程度に厚くメッキする。そして、ポジ型レジス
ト６を除去すると、ポジ型レジスト６のパターンエッジ
形状にほぼ沿って銅メッキされるため、銅メッキ膜７の
パターンエッジ形状はオーバーハング形状となる。その
後イオンミリング法で全面をエッチングして露出してい
る銅薄膜５の一部を除去する。そして（ｃ）のように磁
性層となるＦｅ−Ｎｉ合金８ａをスパッタする。さらに
（ｄ）のように、銅メッキ膜７をＮａＯＨにてpHを７〜
１０に調整する。そして、Ｆｅ−Ｎｉ合金８ａをエッチ
ングしない水溶液｛例えば、（ＮＨ4）２Ｓ2Ｏ8＋Ｈ
2Ｏ｝でケミカルエッチングして銅メッキ膜７上のＦｅ
−Ｎｉ合金８ａをリフトオフすると上部磁性層８ｂが得
られる、上部磁性層８ｂの反転パターンとなっている銅
メッキパターンの厚みが上部磁性層８ｂの厚みの２倍程
度あることや銅メッキのパターンエッジ形状がオーバー
ハングしていることにより銅メッキ膜７上のＦｅ−Ｎｉ
合金８ａを容易にリフトオフすることが可能である。
【０００９】
【発明の効果】上記実施例から明らかなように本発明の
薄膜磁気ヘッドの製造方法は、メッキするときの電極と
なる銅薄膜をスパッタリングした上面に前記下部磁性層
または上部磁性層の形状を予めポジ型レジストで形成
し、銅メッキ膜を前記ポジ型レジストより厚く電解メッ
キで被着した後、溶剤等で前記ポジ型レジストを除去し
てから、イオンミリング，ケミカルエッチャント等で前
記銅薄膜を除去した後、物理蒸着法，スパッタリング
法，イオンプレーティング法等によりＦｅ−Ｎｉ合金を
被着し、前記銅薄膜と銅メッキ膜をケミカルエッチャン
トで除去し、銅メッキ膜上のＦｅ−Ｎｉ合金を除去して
上部磁性層を形成するものであり、この方法により、被
着された上部磁気層の軟磁気特性が劣化することなく確
実にパターン形成できる。
薄膜磁気ヘッドの製造方法は、メッキするときの電極と
なる銅薄膜をスパッタリングした上面に前記下部磁性層
または上部磁性層の形状を予めポジ型レジストで形成
し、銅メッキ膜を前記ポジ型レジストより厚く電解メッ
キで被着した後、溶剤等で前記ポジ型レジストを除去し
てから、イオンミリング，ケミカルエッチャント等で前
記銅薄膜を除去した後、物理蒸着法，スパッタリング
法，イオンプレーティング法等によりＦｅ−Ｎｉ合金を
被着し、前記銅薄膜と銅メッキ膜をケミカルエッチャン
トで除去し、銅メッキ膜上のＦｅ−Ｎｉ合金を除去して
上部磁性層を形成するものであり、この方法により、被
着された上部磁気層の軟磁気特性が劣化することなく確
実にパターン形成できる。
【図１】（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）本発明の一実
施例における薄膜磁気ヘッドの製造方法の工程図
施例における薄膜磁気ヘッドの製造方法の工程図
【図２】（ａ），（ｂ），（ｃ）従来の薄膜磁気ヘッド
の製造方法の工程図
の製造方法の工程図
４ セラミック基板（絶縁性基板） ５ 銅薄膜 ６ ポジ型レジスト ７ 銅メッキ膜 ８ａ Ｆｅ−Ｎｉ合金 ８ｂ 上部磁性層
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁性基板上に少なくとも下地層，下部磁
性層，ギャップ層コイル，絶縁層，上部磁性層，保護膜
を有する薄膜磁気ヘッドの前記上部磁性層を、メッキす
るときの電極となる銅薄膜をスパッタリングした上面に
前記下部磁性層または上部磁性層の形状を予めポジ型レ
ジストで形成し、銅メッキ膜を前記ポジ型レジストより
厚く電解メッキで被着した後、溶剤等で前記ポジ型レジ
ストを除去してから、イオンミリング，ケミカルエッチ
ャント等で前記銅薄膜を除去した後、物理蒸着法，スパ
ッタリング法，イオンプレーティング法等によりＦｅ−
Ｎｉ合金を被着し、前記銅薄膜と銅メッキ膜をケミカル
エッチャントで除去し、銅メッキ膜上のＦｅ−Ｎｉ合金
を除去して形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5211491A JPH05210823A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5211491A JPH05210823A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05210823A true JPH05210823A (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=12905842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5211491A Pending JPH05210823A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05210823A (ja) |
-
1991
- 1991-03-18 JP JP5211491A patent/JPH05210823A/ja active Pending
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