JP2602021Y2 - 薄膜磁気ヘッドの支持装置 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの支持装置Info
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- JP2602021Y2 JP2602021Y2 JP1993062396U JP6239693U JP2602021Y2 JP 2602021 Y2 JP2602021 Y2 JP 2602021Y2 JP 1993062396 U JP1993062396 U JP 1993062396U JP 6239693 U JP6239693 U JP 6239693U JP 2602021 Y2 JP2602021 Y2 JP 2602021Y2
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- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は薄膜磁気ヘッドに関わ
り、特に外部への電気的な接続をとるための電極パッド
の構造、ヘッド支持装置の構造に関する。
り、特に外部への電気的な接続をとるための電極パッド
の構造、ヘッド支持装置の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜磁気ヘッドの構造及びヘッド
支持装置の構造を図５、図６、を用いて説明する。図５
は従来の薄膜磁気ヘッドの断面構造を示した図である。
セラミック基板１０上にアルミナよりなる下部保護膜１
１を形成した後、下部磁極層１２、ギャップ層１３、レ
ジストを焼成した下部の絶縁層１４、Ｃｕよりなるコイ
ル層１５Ａ、１５Ｂ、上部の絶縁層１４、上部磁極層１
６を順次成膜、所望のパターンにパターン化する。
支持装置の構造を図５、図６、を用いて説明する。図５
は従来の薄膜磁気ヘッドの断面構造を示した図である。
セラミック基板１０上にアルミナよりなる下部保護膜１
１を形成した後、下部磁極層１２、ギャップ層１３、レ
ジストを焼成した下部の絶縁層１４、Ｃｕよりなるコイ
ル層１５Ａ、１５Ｂ、上部の絶縁層１４、上部磁極層１
６を順次成膜、所望のパターンにパターン化する。
【０００３】その後上部磁極層成膜時と同時に形成した
コイル層に接続された引き出し電極１７上に電極パッド
１８を素子高さより充分に厚く形成し、更に素子全体を
覆い隠すようにアルミナよりなる上部保護膜１９を堆積
させる。
コイル層に接続された引き出し電極１７上に電極パッド
１８を素子高さより充分に厚く形成し、更に素子全体を
覆い隠すようにアルミナよりなる上部保護膜１９を堆積
させる。
【０００４】保護膜成膜後上面は図５中の破線のように
なり、その後素子上面の機械的ラップを電極パッド面が
露出する（図中Ｃ−Ｃ´面）まで行い、Ｃｕよりなる該
電極パッド露出部上面にＡｕメッキにより被膜１８´を
施し、ワイヤボンディングにより外部への電気的接続が
可能となる。スライダはまず図中Ａ−Ａ´面、Ｂ−Ｂ´
面で切断され素子が横一列に並んだローと呼ばれる形状
とする。ＡＡ´−ＢＢ´間の距離がスライダの厚みとな
る。スライダにした時、浮上させるためのエアベアリン
グ面加工をし、さらにＡ−Ａ´面を所定の位置まで研磨
しポールハイト加工を行い、その後スライダ両側面位置
で切断し、各スライダが形成される。
なり、その後素子上面の機械的ラップを電極パッド面が
露出する（図中Ｃ−Ｃ´面）まで行い、Ｃｕよりなる該
電極パッド露出部上面にＡｕメッキにより被膜１８´を
施し、ワイヤボンディングにより外部への電気的接続が
可能となる。スライダはまず図中Ａ−Ａ´面、Ｂ−Ｂ´
面で切断され素子が横一列に並んだローと呼ばれる形状
とする。ＡＡ´−ＢＢ´間の距離がスライダの厚みとな
る。スライダにした時、浮上させるためのエアベアリン
グ面加工をし、さらにＡ−Ａ´面を所定の位置まで研磨
しポールハイト加工を行い、その後スライダ両側面位置
で切断し、各スライダが形成される。
【０００５】ワイヤボンディング後、スライダがジンバ
ルに接着されたヘッド支持装置の斜視図を図６に示す。
表面に薄膜ヘッドを形成した基板はスライダ２０形状に
加工され、ジンバル２１に接着される。電極パッド１８
にボンディングされたワイヤ２２はジンバル上を引き回
し、リードライトＩＣの方へ接続される。
ルに接着されたヘッド支持装置の斜視図を図６に示す。
表面に薄膜ヘッドを形成した基板はスライダ２０形状に
加工され、ジンバル２１に接着される。電極パッド１８
にボンディングされたワイヤ２２はジンバル上を引き回
し、リードライトＩＣの方へ接続される。
【０００６】
【考案が解決しようとする課題】近年、コンピュータの
小型化、大容量化に伴い磁気ディスク装置内の磁気ヘッ
ドスライダサイズにも小型化、薄型化への要求が強く望
まれている。しかし薄膜ヘッドにおいては小型化、薄型
化を進めると磁気回路が小さくなるが、集積度は大幅に
は上げられないためコイル巻き数の減少を余儀なくされ
る。そこで薄膜コイルの多層化を行ってコイル巻き数を
多くし、再生出力を補償することが行われている。ここ
において薄膜ヘッド素子の薄型化を妨げる要因として電
極パッドの存在がある。電極パッドは外部への接続をと
るためには必要不可欠であり、またワイヤボンディング
を行うためある程度充分な大きさが必要である。さらに
今後の主流技術と見られる磁気抵抗効果型ヘッド（以下
ＭＲヘッドと称す）では記録は誘導型、再生はＭＲ型と
記録再生分離型の複合ヘッドとなるため、電極パッドは
最低４箇所必要となり、小型化に対しては大きな制約と
なる。
小型化、大容量化に伴い磁気ディスク装置内の磁気ヘッ
ドスライダサイズにも小型化、薄型化への要求が強く望
まれている。しかし薄膜ヘッドにおいては小型化、薄型
化を進めると磁気回路が小さくなるが、集積度は大幅に
は上げられないためコイル巻き数の減少を余儀なくされ
る。そこで薄膜コイルの多層化を行ってコイル巻き数を
多くし、再生出力を補償することが行われている。ここ
において薄膜ヘッド素子の薄型化を妨げる要因として電
極パッドの存在がある。電極パッドは外部への接続をと
るためには必要不可欠であり、またワイヤボンディング
を行うためある程度充分な大きさが必要である。さらに
今後の主流技術と見られる磁気抵抗効果型ヘッド（以下
ＭＲヘッドと称す）では記録は誘導型、再生はＭＲ型と
記録再生分離型の複合ヘッドとなるため、電極パッドは
最低４箇所必要となり、小型化に対しては大きな制約と
なる。
【０００７】また従来のヘッド支持装置の構造では図６
に示すようにワイヤ２２の引き回しによりサービスルー
プとよばれるワイヤの折曲げ部２２´が存在し、ワイヤ
の剛性によりスライダーに余計な負荷がかかり浮上量に
悪影響をおよぼす。
に示すようにワイヤ２２の引き回しによりサービスルー
プとよばれるワイヤの折曲げ部２２´が存在し、ワイヤ
の剛性によりスライダーに余計な負荷がかかり浮上量に
悪影響をおよぼす。
【０００８】従って本考案の目的は、薄型のスライダが
実現でき、更にセンサ素子の相対的面積を広げるため
に、より効率の高い素子を同じ大きさのスライダに配置
することを可能とすることを目的とする。
実現でき、更にセンサ素子の相対的面積を広げるため
に、より効率の高い素子を同じ大きさのスライダに配置
することを可能とすることを目的とする。
【０００９】更に本考案の他の目的は薄膜ヘッドの製造
プロセスを簡略化し、歩留まりを向上させることであ
る。
プロセスを簡略化し、歩留まりを向上させることであ
る。
【００１０】更に本考案の他の目的はワイヤがヘッドの
浮上に悪影響を与えるサービスループのないヘッド支持
装置を提供することにある。
浮上に悪影響を与えるサービスループのないヘッド支持
装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
本考案では外部への電気的接続に必要な電極パッドを素
子面でなくスライダ上面に形成する。またジンバル先端
部に穴を設けその穴を通してワイヤなどで外部への電気
的接続をとる。
本考案では外部への電気的接続に必要な電極パッドを素
子面でなくスライダ上面に形成する。またジンバル先端
部に穴を設けその穴を通してワイヤなどで外部への電気
的接続をとる。
【００１２】
【実施例】本考案の実施例を説明する。図１は本考案の
薄膜ヘッドの断面構造を示す図であり、基本的な構成及
び形成方法は従来技術と同様であり、セラミック基板１
０上にアルミナよりなる下部保護膜１１を形成した後、
下磁極層１２、ギャップ材１３、レジストを焼成した下
部の絶縁層１４、Ｃｕよりなるコイル層１５、上部の絶
縁層１４、上部磁極層１６を順次周知の薄膜形成技術、
フォトリソグラフィー技術、微細エッチング技術を用い
て成膜、所望のパターンにパターン化する。
薄膜ヘッドの断面構造を示す図であり、基本的な構成及
び形成方法は従来技術と同様であり、セラミック基板１
０上にアルミナよりなる下部保護膜１１を形成した後、
下磁極層１２、ギャップ材１３、レジストを焼成した下
部の絶縁層１４、Ｃｕよりなるコイル層１５、上部の絶
縁層１４、上部磁極層１６を順次周知の薄膜形成技術、
フォトリソグラフィー技術、微細エッチング技術を用い
て成膜、所望のパターンにパターン化する。
【００１３】その後上部磁極層成膜時と同時に形成し
た、コイル層に接続された引き出し電極１７上にメッキ
によりＣｕよりなる電極パッド１８をボンディング用ワ
イヤの径より十分に厚く形成し、更に素子全体を覆い隠
すようにアルミナよりなる上保護膜１９を堆積させる。
た、コイル層に接続された引き出し電極１７上にメッキ
によりＣｕよりなる電極パッド１８をボンディング用ワ
イヤの径より十分に厚く形成し、更に素子全体を覆い隠
すようにアルミナよりなる上保護膜１９を堆積させる。
【００１４】素子作成後スライダに加工する際、まず図
中のＡＡ′面、ＢＢ′面で切断し、素子が一列に並んだ
ローとよばれる形状とした。切断後の薄膜ヘッドの断面
図を図２に示す。図２（ａ）ではＢＢ′面において露出
したＣｕよりなる電極パッド部１８及びパーマロイより
なる引き出し電極１７上にワイヤボンディングを可能に
するため無電解メッキによりＡｕの被膜１８´を０．３
μｍ被覆した。スライダ加工時に該被膜の段差が悪影響
を与える場合は図２（ｂ）に示したようにＢＢ´面の酸
性溶液中での研磨、もしくは硫酸等に浸積するなどして
引き出し電極１７及び電極パッド部１８をエッチングし
た後Ａｕメッキにより被膜１８´を形成する。膜厚制御
もしくは成膜後の研磨工程によりＢＢ´の平坦化を行う
ことができる。その後ＡＡ′面を研磨により適切な位置
までポールハイト加工を行った。従来の構造と比較して
ＡＡ′−ＢＢ′間の距離、すなわちスライダの厚さを約
２０％短くできる。
中のＡＡ′面、ＢＢ′面で切断し、素子が一列に並んだ
ローとよばれる形状とした。切断後の薄膜ヘッドの断面
図を図２に示す。図２（ａ）ではＢＢ′面において露出
したＣｕよりなる電極パッド部１８及びパーマロイより
なる引き出し電極１７上にワイヤボンディングを可能に
するため無電解メッキによりＡｕの被膜１８´を０．３
μｍ被覆した。スライダ加工時に該被膜の段差が悪影響
を与える場合は図２（ｂ）に示したようにＢＢ´面の酸
性溶液中での研磨、もしくは硫酸等に浸積するなどして
引き出し電極１７及び電極パッド部１８をエッチングし
た後Ａｕメッキにより被膜１８´を形成する。膜厚制御
もしくは成膜後の研磨工程によりＢＢ´の平坦化を行う
ことができる。その後ＡＡ′面を研磨により適切な位置
までポールハイト加工を行った。従来の構造と比較して
ＡＡ′−ＢＢ′間の距離、すなわちスライダの厚さを約
２０％短くできる。
【００１５】また図５においてはコイルのラインとスペ
ースのピッチは中心を挟んで磁極側１５Ａと反対側１５
Ｂで異なっており、磁極側の方が密になっている。これ
は従来構造では電極パッドを確保するため反対側をそれ
ほど密にする必要がないからである。ところが本考案を
用いればスライダ厚みは電極パッドに制約されないた
め、図２（ｂ）に示すように磁極側１５Ａと反対側１５
Ｂのコイルパターンのピッチを同様に密にすることでス
ライダ厚さを従来の約３０％短くできる。
ースのピッチは中心を挟んで磁極側１５Ａと反対側１５
Ｂで異なっており、磁極側の方が密になっている。これ
は従来構造では電極パッドを確保するため反対側をそれ
ほど密にする必要がないからである。ところが本考案を
用いればスライダ厚みは電極パッドに制約されないた
め、図２（ｂ）に示すように磁極側１５Ａと反対側１５
Ｂのコイルパターンのピッチを同様に密にすることでス
ライダ厚さを従来の約３０％短くできる。
【００１６】さらに本考案のヘッド構造であれば素子上
面の保護膜研磨工程は必要としない。また上部保護膜の
厚みも従来はスライダー切断時や上面研磨時に素子部を
保護するため４０μｍ程度必要であったが、本電極構造
の場合加工プロセスが減るため、３０μｍ程度と従来の
構造の７５％程度の厚みで十分であることが確認され
た。以上のような理由により従来に比べ製造プロセスが
簡略化できる。
面の保護膜研磨工程は必要としない。また上部保護膜の
厚みも従来はスライダー切断時や上面研磨時に素子部を
保護するため４０μｍ程度必要であったが、本電極構造
の場合加工プロセスが減るため、３０μｍ程度と従来の
構造の７５％程度の厚みで十分であることが確認され
た。以上のような理由により従来に比べ製造プロセスが
簡略化できる。
【００１７】露出した電極パッド部は本実施例において
は幅１００μｍ、長さ５０μｍであり、ここでの長さは
素子作製工程での引き出し電極及び電極パッド作製時に
メッキしたパーマロイ及びＣｕの膜厚に相当する。ボン
ディングにもちいたワイヤは直径３０μｍの金及び絶縁
被覆されたＣｕ線であり、ウェッジボンダで超音波加熱
し圧着させた。また該ボンディング部は保護のため極微
量の接着剤により固定した。図３には該スライダ２０の
パッド部１８にワイヤボンディングを行って外部への電
気的接続をとったスライダをジンバル２１に接着したヘ
ッド支持装置の斜視図を示す。引き出されたワイヤはチ
ューブを通してジンバル上を引き回し、リードライトＩ
Ｃの方へ接続される。この方向にワイヤを引き出す場
合、従来のようなサービスループと呼ばれるワイヤの折
り曲げ部が無い構造のため、ワイヤの剛性によりスライ
ダへ余分な負荷がかからず、浮上量に悪影響を与えるこ
ともない。
は幅１００μｍ、長さ５０μｍであり、ここでの長さは
素子作製工程での引き出し電極及び電極パッド作製時に
メッキしたパーマロイ及びＣｕの膜厚に相当する。ボン
ディングにもちいたワイヤは直径３０μｍの金及び絶縁
被覆されたＣｕ線であり、ウェッジボンダで超音波加熱
し圧着させた。また該ボンディング部は保護のため極微
量の接着剤により固定した。図３には該スライダ２０の
パッド部１８にワイヤボンディングを行って外部への電
気的接続をとったスライダをジンバル２１に接着したヘ
ッド支持装置の斜視図を示す。引き出されたワイヤはチ
ューブを通してジンバル上を引き回し、リードライトＩ
Ｃの方へ接続される。この方向にワイヤを引き出す場
合、従来のようなサービスループと呼ばれるワイヤの折
り曲げ部が無い構造のため、ワイヤの剛性によりスライ
ダへ余分な負荷がかからず、浮上量に悪影響を与えるこ
ともない。
【００１８】更に図４には例えばＭＲ−インダクティブ
複合ヘッドの様な４個の電極パッドをもつヘッドを同様
の方法で加工した後、スライダーをジンバルにアセンブ
リしたヘッド支持装置の斜視図を示す。ジンバル２１の
先端部には穴が開けられており、ジンバルにスライダ２
０を接着した際に丁度、電極パッド１８が上面から見え
る位置にくるように設計されており、ボンディングされ
たワイヤ２２はこの穴よりジンバル上を引き回してリー
ドライトＩＣの方へ接続される。この電極はスライダと
ジンバルの接着時の位置合わせのあわせマークとして使
用することもできる。
複合ヘッドの様な４個の電極パッドをもつヘッドを同様
の方法で加工した後、スライダーをジンバルにアセンブ
リしたヘッド支持装置の斜視図を示す。ジンバル２１の
先端部には穴が開けられており、ジンバルにスライダ２
０を接着した際に丁度、電極パッド１８が上面から見え
る位置にくるように設計されており、ボンディングされ
たワイヤ２２はこの穴よりジンバル上を引き回してリー
ドライトＩＣの方へ接続される。この電極はスライダと
ジンバルの接着時の位置合わせのあわせマークとして使
用することもできる。
【００１９】
【考案の効果】以上のように本考案の薄膜ヘッド構造、
すなわち、電極パッド部を素子面でなくスライダー上面
に露出させ、そこから電気的に引き出す構造をとること
により素子面から電極パッドを無くすことができるため
スライダーの薄型化、あるいは素子の高効率化に有効で
ある。
すなわち、電極パッド部を素子面でなくスライダー上面
に露出させ、そこから電気的に引き出す構造をとること
により素子面から電極パッドを無くすことができるため
スライダーの薄型化、あるいは素子の高効率化に有効で
ある。
【図１】本考案の薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図２】本考案実施例における薄膜磁気ヘッド支持装置
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】本考案の実施例における薄膜磁気ヘッド支持装
置を示す斜視図である。
置を示す斜視図である。
【図４】本考案の他の実施例を示す従来の薄膜磁気ヘッ
ドの斜視図である。
ドの斜視図である。
【図５】従来の薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図６】従来の構造の薄膜磁気ヘッド支持装置の構造を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
２ 磁気記録媒体 １０ 基板 １１ 下部保護膜 １２ 下部磁極層 １３ ギャップ層 １４ 絶縁層 １５Ａ、１５Ｂ コイル層 １６ 上部磁極層 １７ 引き出し電極 １８ 電極パッド １９ 上部保護膜 ２０ スライダ ２１ ジンバル ２２ ワイヤ ２２´ ワイヤの折曲げ部 ２４ 開口部 ２６ インダクティブ素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−187612（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−12917（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−245312（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−230306（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/31,5/48 G11B 11/10 566
Claims (1)
- 【請求項１】 スライダと、該スライダの該磁気記録媒
体と垂直の面上に配設されたインダクティブ素子と、該
インダクティブ素子から外部に電気的接続を行うための
引出電極と、該引出電極上に配設された外部との接続が
可能な平坦な面を有する電極パッドとからなり、前記引
出電極は前記インダクティブ素子と同一面上に配設さ
れ、更に前記電極パッドの平坦な面が前記磁気記録媒体
と反対方向となるようなスライダの面上に配設されてな
る薄膜磁気ヘッドを先端部で遊着するためのジンバル
と、該ジンバル上に付設された電気信号を中継するワイ
ヤとからなる薄膜磁気ヘッドの支持装置において、前記
ジンバルに前記電極パッドと係合する位置に開口部を設
け、前記ワイヤが前記開口部を挿通されて前記電極パッ
ドに接合されてなることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの
支持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993062396U JP2602021Y2 (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | 薄膜磁気ヘッドの支持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993062396U JP2602021Y2 (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | 薄膜磁気ヘッドの支持装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0732705U JPH0732705U (ja) | 1995-06-16 |
| JP2602021Y2 true JP2602021Y2 (ja) | 1999-12-20 |
Family
ID=13198940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1993062396U Expired - Fee Related JP2602021Y2 (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | 薄膜磁気ヘッドの支持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2602021Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8411535B1 (en) * | 2011-11-30 | 2013-04-02 | HGST Netherlands B.V. | Electrical connection for a laser diode in a tar head |
-
1993
- 1993-11-19 JP JP1993062396U patent/JP2602021Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0732705U (ja) | 1995-06-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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