JP3257917B2 - 薄膜磁気ヘッドスライダ及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドスライダ及びその製造方法Info
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- JP3257917B2 JP3257917B2 JP04157495A JP4157495A JP3257917B2 JP 3257917 B2 JP3257917 B2 JP 3257917B2 JP 04157495 A JP04157495 A JP 04157495A JP 4157495 A JP4157495 A JP 4157495A JP 3257917 B2 JP3257917 B2 JP 3257917B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置に用
いられる薄膜磁気ヘッドスライダ及びその製造方法に関
する。
いられる薄膜磁気ヘッドスライダ及びその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気ディスク装置の小型化、高性
能化、低価格化に伴い、高性能かつ低価格の薄膜磁気ヘ
ッドの開発が望まれている。この要求を満たす方式とし
て、薄膜パターン成膜面を、浮上面と平行としたホリゾ
ンタルヘッド（プレーナヘッド）が提案されている。そ
の理由は、ホリゾンタルヘッドは、特定の形状を有する
浮上レールの形成が容易であるために安定して低浮上の
ヘッドを実現しやすい、機械加工部を減らしやすいため
に低価格を実現しやすい等による。
能化、低価格化に伴い、高性能かつ低価格の薄膜磁気ヘ
ッドの開発が望まれている。この要求を満たす方式とし
て、薄膜パターン成膜面を、浮上面と平行としたホリゾ
ンタルヘッド（プレーナヘッド）が提案されている。そ
の理由は、ホリゾンタルヘッドは、特定の形状を有する
浮上レールの形成が容易であるために安定して低浮上の
ヘッドを実現しやすい、機械加工部を減らしやすいため
に低価格を実現しやすい等による。
【０００３】従来のホリゾンタルヘッドスライダの例を
以下に示す。図１はIEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS,
vol.25, p.3190, 1989, 「新薄膜ヘッド形成（A New Th
in Film Head Geueration)」、J. P. Lazzari 及びP. D
eroux-Dauphin,に開示されている例を示す。図１におい
て、１はシリコン基板、２はスルーホール、３は導電
層、４は絶縁層、５は磁性層、６はギャップ層、７はコ
イル、８はエアベアリング面、９はトラック幅を示す。
以下に示す。図１はIEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS,
vol.25, p.3190, 1989, 「新薄膜ヘッド形成（A New Th
in Film Head Geueration)」、J. P. Lazzari 及びP. D
eroux-Dauphin,に開示されている例を示す。図１におい
て、１はシリコン基板、２はスルーホール、３は導電
層、４は絶縁層、５は磁性層、６はギャップ層、７はコ
イル、８はエアベアリング面、９はトラック幅を示す。
【０００４】図１の例は、シリコン基板、表面にエッチ
ングにより窪みを形成し、その窪みに薄膜磁気ヘッド素
子を形成している。シリコン基板表面が記録媒体に対向
する浮上面となるため、ヘッドの端子をスライダ背面に
取り出すために、シリコン基板を貫通するスルーホール
２を形成して端子を引き出している。また、スライダ外
形は機械加工により形成している。
ングにより窪みを形成し、その窪みに薄膜磁気ヘッド素
子を形成している。シリコン基板表面が記録媒体に対向
する浮上面となるため、ヘッドの端子をスライダ背面に
取り出すために、シリコン基板を貫通するスルーホール
２を形成して端子を引き出している。また、スライダ外
形は機械加工により形成している。
【０００５】図２はIEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS,
vol.25, p.3686, 1989, 「薄膜ヘッドスライダ装置の製
造に関する新研究（A New Approach to Making Thin Fi
lm Head-Slider Deuices) 」, Daniel W.Chapman, に開
示されている例を示す。図２の例は、基板上１１に浮上
面側から先に薄膜磁気ヘッド素子１２を形成し、絶縁膜
を平坦化後、スルーホールを貫通させたガラス基板１３
をボンディングさせてスライダ本体部を形成する。その
後基板１１をエッチング除去した後、スライダ外形を機
械加工で切断する。
vol.25, p.3686, 1989, 「薄膜ヘッドスライダ装置の製
造に関する新研究（A New Approach to Making Thin Fi
lm Head-Slider Deuices) 」, Daniel W.Chapman, に開
示されている例を示す。図２の例は、基板上１１に浮上
面側から先に薄膜磁気ヘッド素子１２を形成し、絶縁膜
を平坦化後、スルーホールを貫通させたガラス基板１３
をボンディングさせてスライダ本体部を形成する。その
後基板１１をエッチング除去した後、スライダ外形を機
械加工で切断する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図１，図２の従来例で
は、スライダ外形の形成は機械加工に頼っていること、
端子をスライダ背面に取り出すために、シリコン基板や
ガラス基板に貫通穴（スルーホール）を形成して導体を
埋め込むこと、ガラス基板をボンディングすること等の
工程が必要となり、工程が複雑である。
は、スライダ外形の形成は機械加工に頼っていること、
端子をスライダ背面に取り出すために、シリコン基板や
ガラス基板に貫通穴（スルーホール）を形成して導体を
埋め込むこと、ガラス基板をボンディングすること等の
工程が必要となり、工程が複雑である。
【０００７】そこで、本発明の目的は、高性能で低価格
の薄膜磁気ヘッドスライダを得ること、並びにスルーホ
ールを形成することやガラス基板を使用することを必要
せず容易に薄膜磁気ヘッドスライダを製造できる方法を
提供することである。
の薄膜磁気ヘッドスライダを得ること、並びにスルーホ
ールを形成することやガラス基板を使用することを必要
せず容易に薄膜磁気ヘッドスライダを製造できる方法を
提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１によれば、記録
媒体に対して浮上又は接触する浮上面を有し、該浮上面
と平行に薄膜磁気ヘッド素子の薄膜成膜面が形成されて
いる薄膜磁気ヘッドスライダにおいて、浮上面を形成す
る浮上面層及び薄膜磁気ヘッド素子の浮上面と反対側の
面上に、導体から成り且つ剛性をもったスライダ本体部
及び導体から成る少なくとも１つ以上の端子引き出しパ
ッド部が、浮上面と平行な方向に所定の間隔を有して配
置され、該間隔に溝ないし空隙が形成されていることを
特徴とする薄膜磁気ヘッドスライダが提供される。
媒体に対して浮上又は接触する浮上面を有し、該浮上面
と平行に薄膜磁気ヘッド素子の薄膜成膜面が形成されて
いる薄膜磁気ヘッドスライダにおいて、浮上面を形成す
る浮上面層及び薄膜磁気ヘッド素子の浮上面と反対側の
面上に、導体から成り且つ剛性をもったスライダ本体部
及び導体から成る少なくとも１つ以上の端子引き出しパ
ッド部が、浮上面と平行な方向に所定の間隔を有して配
置され、該間隔に溝ないし空隙が形成されていることを
特徴とする薄膜磁気ヘッドスライダが提供される。
【０００９】請求項２によれば、スライダ本体部はスラ
イダの外周部に形成され、該スライダ本体部に囲まれた
内部に、１つ以上の端子引き出しパッド部が、パッド部
相互間及びパッド部とスライダ本体部との間に浮上面と
平行な方向に所定の間隔を有して形成されていることを
特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドスライダが
提供される。
イダの外周部に形成され、該スライダ本体部に囲まれた
内部に、１つ以上の端子引き出しパッド部が、パッド部
相互間及びパッド部とスライダ本体部との間に浮上面と
平行な方向に所定の間隔を有して形成されていることを
特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドスライダが
提供される。
【００１０】請求項３によれば、パッド部相互間又はパ
ッド部とスライダ本体部との間の空隙にポリイミド又は
フォトレジスト等の樹脂あるいはダイヤモンドライクカ
ーボン等の無機材等からなる絶縁体が配置されているこ
とを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜磁気ヘッド
スライダが提供される。請求項４によれば、スライダ本
体部も端子引き出しパッドを兼ねることを特徴とする請
求項１〜３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドスラ
イダが提供される。
ッド部とスライダ本体部との間の空隙にポリイミド又は
フォトレジスト等の樹脂あるいはダイヤモンドライクカ
ーボン等の無機材等からなる絶縁体が配置されているこ
とを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜磁気ヘッド
スライダが提供される。請求項４によれば、スライダ本
体部も端子引き出しパッドを兼ねることを特徴とする請
求項１〜３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドスラ
イダが提供される。
【００１１】請求項５によれば、端子引き出しパッドが
板状の支持ばねの端子部に接続されるように、スライダ
本体部及び端子引き出しパッドが支持ばねにボンディン
グ接着されていることを特徴とする請求項１に記載の薄
膜磁気ヘッドスライダが提供される。請求項６によれ
ば、スライダ本体部が板状の支持ばねに接着され、端子
引き出しパッドがワイヤを介して支持ばねの端子部にボ
ンディング接着されていることを特徴とする請求項１に
記載の薄膜磁気ヘッドスライダが提供される。
板状の支持ばねの端子部に接続されるように、スライダ
本体部及び端子引き出しパッドが支持ばねにボンディン
グ接着されていることを特徴とする請求項１に記載の薄
膜磁気ヘッドスライダが提供される。請求項６によれ
ば、スライダ本体部が板状の支持ばねに接着され、端子
引き出しパッドがワイヤを介して支持ばねの端子部にボ
ンディング接着されていることを特徴とする請求項１に
記載の薄膜磁気ヘッドスライダが提供される。
【００１２】請求項７によれば、前記浮上面層は、Ｓｉ
Ｏ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，又はカーボン、又はこれらの組成物
から成り、導体の前記スライダ本体部及び端子引き出し
パッド部は、Ｎｉ，ＮｉＦｅ，Ａｕ又はＣｕ又はこれら
の合金から成ることを特徴とする請求項１に記載の薄膜
磁気ヘッドスライダが提供される。請求項８によれば、
記録媒体に対して浮上又は接触する浮上レールを設けた
浮上面を有し、該浮上面と平行に薄膜磁気ヘッド素子の
薄膜成膜面が形成されている請求項１に記載の薄膜磁気
ヘッドスライダを製造する方法において、基板上に犠牲
層で前記浮上面の形状を形成するあるいは浮上面形状を
形成した層上に犠牲層を形成する工程と、該犠牲層上に
無機材料からなる浮上レールを形成する工程と、該犠牲
層上にスライダ本体部及び端子引き出しパッド部をめっ
きにより形成する工程と、該スライダ部を犠牲層のエッ
チングにより基板から分離する工程とを含むことを特徴
とする薄膜磁気ヘッドスライダの製造方法が提供され
る。
Ｏ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，又はカーボン、又はこれらの組成物
から成り、導体の前記スライダ本体部及び端子引き出し
パッド部は、Ｎｉ，ＮｉＦｅ，Ａｕ又はＣｕ又はこれら
の合金から成ることを特徴とする請求項１に記載の薄膜
磁気ヘッドスライダが提供される。請求項８によれば、
記録媒体に対して浮上又は接触する浮上レールを設けた
浮上面を有し、該浮上面と平行に薄膜磁気ヘッド素子の
薄膜成膜面が形成されている請求項１に記載の薄膜磁気
ヘッドスライダを製造する方法において、基板上に犠牲
層で前記浮上面の形状を形成するあるいは浮上面形状を
形成した層上に犠牲層を形成する工程と、該犠牲層上に
無機材料からなる浮上レールを形成する工程と、該犠牲
層上にスライダ本体部及び端子引き出しパッド部をめっ
きにより形成する工程と、該スライダ部を犠牲層のエッ
チングにより基板から分離する工程とを含むことを特徴
とする薄膜磁気ヘッドスライダの製造方法が提供され
る。
【００１３】請求項９によれば、基板上に犠牲層で浮上
面の形状を形成する際、浮上レールの流入端テーパ部に
相当する部分は、犠牲層あるいは犠牲層の下に設けた層
の膜厚が徐々に変化するようにテーパ状に形成すること
を特徴とする請求項８に記載の薄膜磁気ヘッドスライダ
の製造方法が提供される。請求項１０によれば、前記犠
牲層のテーパ状の部分は、該犠牲層の上に形成したフォ
トレジストへの露光量を調整することによりレジスト膜
の厚さを変化させてテーパ状とし、該フォトレジストを
マスクとして該犠牲層をドライエッチングすることによ
り形成することを特徴とする請求項９に記載の薄膜磁気
ヘッドスライダの製造方法が提供される。
面の形状を形成する際、浮上レールの流入端テーパ部に
相当する部分は、犠牲層あるいは犠牲層の下に設けた層
の膜厚が徐々に変化するようにテーパ状に形成すること
を特徴とする請求項８に記載の薄膜磁気ヘッドスライダ
の製造方法が提供される。請求項１０によれば、前記犠
牲層のテーパ状の部分は、該犠牲層の上に形成したフォ
トレジストへの露光量を調整することによりレジスト膜
の厚さを変化させてテーパ状とし、該フォトレジストを
マスクとして該犠牲層をドライエッチングすることによ
り形成することを特徴とする請求項９に記載の薄膜磁気
ヘッドスライダの製造方法が提供される。
【００１４】請求項１１によれば、前記犠牲層のテーパ
状の部分は、基板上にフォトレジストあるいはポリイミ
ドを形成し、該フォトレジストあるいはポリイミドへの
露光量を調整することによりレジスト膜ポリイミド膜の
厚さを変化させてテーパ状とし、該フォトレジストある
いはポリイミドを熱硬化又は紫外線硬化させて犠牲層と
するもしくはレジスト上に犠牲層を設けることを特徴と
する請求項９に記載の磁気ヘッドスライダの製造方法が
提供される。
状の部分は、基板上にフォトレジストあるいはポリイミ
ドを形成し、該フォトレジストあるいはポリイミドへの
露光量を調整することによりレジスト膜ポリイミド膜の
厚さを変化させてテーパ状とし、該フォトレジストある
いはポリイミドを熱硬化又は紫外線硬化させて犠牲層と
するもしくはレジスト上に犠牲層を設けることを特徴と
する請求項９に記載の磁気ヘッドスライダの製造方法が
提供される。
【００１５】請求項１２によれば、前記スライダ本体部
及び端子引き出しパッド部は絶縁材のめっきマスクを用
いて同時に前記浮上面層上に成膜されることを特徴とす
る請求項８に記載の磁気ヘッドスライダの製造方法が提
供される。請求項１３によれば、基板上に多数の薄膜磁
気ヘッドスライダを形成する工程と、基板を少なくとも
複数の薄膜磁気ヘッドスライダを含むブロックに切断す
る工程と、該ブロック上の複数のスライダを複数の支持
ばねに同時にボンディング接続する工程と、該ブロック
の犠牲層をエッチングにより除去することにより各スラ
イダを分離することを特徴とする請求項８に記載の薄膜
磁気ヘッドスライダの製造方法が提供される。
及び端子引き出しパッド部は絶縁材のめっきマスクを用
いて同時に前記浮上面層上に成膜されることを特徴とす
る請求項８に記載の磁気ヘッドスライダの製造方法が提
供される。請求項１３によれば、基板上に多数の薄膜磁
気ヘッドスライダを形成する工程と、基板を少なくとも
複数の薄膜磁気ヘッドスライダを含むブロックに切断す
る工程と、該ブロック上の複数のスライダを複数の支持
ばねに同時にボンディング接続する工程と、該ブロック
の犠牲層をエッチングにより除去することにより各スラ
イダを分離することを特徴とする請求項８に記載の薄膜
磁気ヘッドスライダの製造方法が提供される。
【００１６】
【作用】請求項１によれば、浮上面を形成する無機材料
部及び薄膜磁気ヘッド素子上に、めっき工程により、ス
ライダ本体部と複数の端子引き出しパッド部を形成でき
るので、製造が容易となる。請求項２によれば、スライ
ダ本体部がスライダの外周部に形成されるので、十分な
剛性をもち、スライダを安定的に維持することができ
る。
部及び薄膜磁気ヘッド素子上に、めっき工程により、ス
ライダ本体部と複数の端子引き出しパッド部を形成でき
るので、製造が容易となる。請求項２によれば、スライ
ダ本体部がスライダの外周部に形成されるので、十分な
剛性をもち、スライダを安定的に維持することができ
る。
【００１７】請求項３によれば、パッド部相互間又はパ
ッド部とスライダ本体部との間の空隙にポリイミド又は
フォトレジスト等の絶縁体が配置されているので、パッ
ド部の短絡等が有効に防止するとともに、浮上面部材の
機械的強度を向上させる。請求項４によれば、スライダ
本体部も端子引き出しパッドを兼ねるようにしたので、
パッドの数を実質的に減ずることが出来る。
ッド部とスライダ本体部との間の空隙にポリイミド又は
フォトレジスト等の絶縁体が配置されているので、パッ
ド部の短絡等が有効に防止するとともに、浮上面部材の
機械的強度を向上させる。請求項４によれば、スライダ
本体部も端子引き出しパッドを兼ねるようにしたので、
パッドの数を実質的に減ずることが出来る。
【００１８】請求項５によれば、スライダ本体部及び端
子引き出しパッドが支持ばねにボンディング接着され、
支持ばねに保持された状態のスライダが得られる。請求
項６によれば、スライダはその本体部により支持ばねに
保持され、端子引き出しパッドはワイヤを介して支持ば
ねの端子部にボンディングしているので、支持ばねの端
子部を任意の位置に設けることが出来る。
子引き出しパッドが支持ばねにボンディング接着され、
支持ばねに保持された状態のスライダが得られる。請求
項６によれば、スライダはその本体部により支持ばねに
保持され、端子引き出しパッドはワイヤを介して支持ば
ねの端子部にボンディングしているので、支持ばねの端
子部を任意の位置に設けることが出来る。
【００１９】請求項７によれば、無機材料部の材質を特
定することにより、適切なスライダ本体が得られ、また
導体のスライダ本体部及び端子引き出しパッド部の金属
材質を特定することにより、めっきの容易な導体部が得
られる。請求項８によれば、犠牲層を設けることによ
り、めっきによる成膜が容易になる。
定することにより、適切なスライダ本体が得られ、また
導体のスライダ本体部及び端子引き出しパッド部の金属
材質を特定することにより、めっきの容易な導体部が得
られる。請求項８によれば、犠牲層を設けることによ
り、めっきによる成膜が容易になる。
【００２０】請求項９〜１１によれば、浮上レールの流
入端テーパ部の形成を容易に行うことが出来る。請求項
１２によれば、前記スライダ本体部及び端子引き出しパ
ッド部は、マスクを用いて同時に成膜することが出来
る。請求項１３によれば、多数のスライダ支持ばねに装
着させた状態で同時に得ることが出来る。
入端テーパ部の形成を容易に行うことが出来る。請求項
１２によれば、前記スライダ本体部及び端子引き出しパ
ッド部は、マスクを用いて同時に成膜することが出来
る。請求項１３によれば、多数のスライダ支持ばねに装
着させた状態で同時に得ることが出来る。
【００２１】
【実施例】図３（ａ）〜（ｃ）に本発明の薄膜磁気ヘッ
ドスライダの実施例を示す。図３（ａ）は支持ばね３０
に装着する前のスライダ２０を背面（浮上面とは反対側
の面）から見た斜視図であり、図３（ｂ）は支持ばね３
０に装着したスライダ２０を浮上面の側から見た斜視図
であり、図３（ｃ) は図３（ａ）の線Ａ−Ａ′における
断面を示す図である。
ドスライダの実施例を示す。図３（ａ）は支持ばね３０
に装着する前のスライダ２０を背面（浮上面とは反対側
の面）から見た斜視図であり、図３（ｂ）は支持ばね３
０に装着したスライダ２０を浮上面の側から見た斜視図
であり、図３（ｃ) は図３（ａ）の線Ａ−Ａ′における
断面を示す図である。
【００２２】スライダ２０は、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等
から成る浮上面部２１の背面にＮｉ等の導体から成るス
ライダ本体部２２を形成したものである。スライダ本体
部２２は、その中央部に端子引き出しパッド部２３と外
周部２４とから成り、パッド部２３はディスクの進行方
向Ｂと平行な方向及びそれと直交する方向に複数配列さ
れ、各パッド部２３間及びパッド部２３と外周部２４と
の間は所定間隔の空隙２５を有する。端子ないし端子引
き出しパッド部２３は２組、４個あり、１組はリードヘ
ッド素子（ＭＲ素子）用、１組はライトヘッド素子（イ
ンダクティブヘッド素子）用である。尚、リード／ライ
トヘッド素子を兼用した場合は、端子は１組、２個で良
い。これらの空隙２５内には、浮上面部２１の背面を覆
うようにポリイミド等の樹脂２６が配置されている。な
お、スライダ本体部２２の外周部２４が端子引き出しパ
ッド部の１つを兼ねていてもよい。
から成る浮上面部２１の背面にＮｉ等の導体から成るス
ライダ本体部２２を形成したものである。スライダ本体
部２２は、その中央部に端子引き出しパッド部２３と外
周部２４とから成り、パッド部２３はディスクの進行方
向Ｂと平行な方向及びそれと直交する方向に複数配列さ
れ、各パッド部２３間及びパッド部２３と外周部２４と
の間は所定間隔の空隙２５を有する。端子ないし端子引
き出しパッド部２３は２組、４個あり、１組はリードヘ
ッド素子（ＭＲ素子）用、１組はライトヘッド素子（イ
ンダクティブヘッド素子）用である。尚、リード／ライ
トヘッド素子を兼用した場合は、端子は１組、２個で良
い。これらの空隙２５内には、浮上面部２１の背面を覆
うようにポリイミド等の樹脂２６が配置されている。な
お、スライダ本体部２２の外周部２４が端子引き出しパ
ッド部の１つを兼ねていてもよい。
【００２３】スライダ２０はその背面の側が、図３
（ａ）に示すように、支持ばね３０に装着される。スラ
イダ２０の浮上面部２１の側には、図３（ｂ）に示すよ
うに、ディスクの進行方向Ｂに略平行な２本の両側レー
ル２７、流入端中央部に中心レール２８、薄膜ヘッド２
９が形成されている。また、両側レール２７および中心
レール２８の流入端にはテーパ部２７ａ，２８ａが形成
されている。
（ａ）に示すように、支持ばね３０に装着される。スラ
イダ２０の浮上面部２１の側には、図３（ｂ）に示すよ
うに、ディスクの進行方向Ｂに略平行な２本の両側レー
ル２７、流入端中央部に中心レール２８、薄膜ヘッド２
９が形成されている。また、両側レール２７および中心
レール２８の流入端にはテーパ部２７ａ，２８ａが形成
されている。
【００２４】図４に薄膜磁気ヘッドスライダの変形例を
示す。図３の実施例では、スライダ本体部２２の外周部
２４の導体がパッド部２３を囲んでいたのに対し、本変
形例ではスライダ２０の本体部２２の骨組を導体で形成
し、端子引き出しパッド部２３はその外側に配置した例
である。このように、端子引き出しパッド部２３はスラ
イダ２０内の任意の位置に配置可能である。また、浮上
レール２７，２８（図３（ｂ））の形状に応じて、剛性
を確保するためにスライダ本体部２２の形状を任意に変
化させることが可能である。
示す。図３の実施例では、スライダ本体部２２の外周部
２４の導体がパッド部２３を囲んでいたのに対し、本変
形例ではスライダ２０の本体部２２の骨組を導体で形成
し、端子引き出しパッド部２３はその外側に配置した例
である。このように、端子引き出しパッド部２３はスラ
イダ２０内の任意の位置に配置可能である。また、浮上
レール２７，２８（図３（ｂ））の形状に応じて、剛性
を確保するためにスライダ本体部２２の形状を任意に変
化させることが可能である。
【００２５】図５には、本スライダ２０と支持ばね３０
の接続図を示す。本実施例では、スライダ２０上の端子
引き出しパッド部２３と本体外周部２４の背面にボンデ
ィング用金属３１を形成しておき、端子導体部３２を形
成した支持ばね３０と熱圧着、超音波圧着等のボンディ
ング（Ｃ）あるいは導電性接着剤によるボンディングを
行う。この際、端子引き出しパッド部２３と支持ばね３
０の接続部は電気的接続と機械的接続を兼ね、スライダ
本体部の外周部２４は機械的接続の役目を果たす。スラ
イダ本体部の外周部２４も端子引き出しパッドのひとつ
を兼ねている場合には、全ての接続部が電気的接続と機
械的接続を兼ねることとなる。
の接続図を示す。本実施例では、スライダ２０上の端子
引き出しパッド部２３と本体外周部２４の背面にボンデ
ィング用金属３１を形成しておき、端子導体部３２を形
成した支持ばね３０と熱圧着、超音波圧着等のボンディ
ング（Ｃ）あるいは導電性接着剤によるボンディングを
行う。この際、端子引き出しパッド部２３と支持ばね３
０の接続部は電気的接続と機械的接続を兼ね、スライダ
本体部の外周部２４は機械的接続の役目を果たす。スラ
イダ本体部の外周部２４も端子引き出しパッドのひとつ
を兼ねている場合には、全ての接続部が電気的接続と機
械的接続を兼ねることとなる。
【００２６】図６には、本スライダ２０と支持ばね３０
の接続方法の他の実施例を示す。スライダ２０と支持ば
ね３０を接着あるいは圧着し、端子引き出しパッド２３
は支持ばね３０の背面に設置した導体部３３とワイヤ３
４を介してボンディングや半田付け等で接続する。ある
いは、支持ばね３０に沿って配置されたリード線（図示
せず）を直線端子引き出しパッド２３に接続しても構わ
ない。
の接続方法の他の実施例を示す。スライダ２０と支持ば
ね３０を接着あるいは圧着し、端子引き出しパッド２３
は支持ばね３０の背面に設置した導体部３３とワイヤ３
４を介してボンディングや半田付け等で接続する。ある
いは、支持ばね３０に沿って配置されたリード線（図示
せず）を直線端子引き出しパッド２３に接続しても構わ
ない。
【００２７】図７（ａ）〜（ｅ）には、本スライダ２０
の製造工程を示す。なお、これらの図は図３におけるＡ
−Ａ′断面に対応する。まず、Ｓｉ基板４６上に、Ａ
ｌ，Ｔｉ，Ｔａ等の犠牲層をなす材料で浮上レール（両
側レール及び中心レール）の形状を形成する（図７
（ａ））。図８（ａ）は対応する斜視図である。図示の
ように、浮上レールとなる部分以外の部位がＡｌ等の犠
牲層で覆われる。なお、浮上レールのテーパ部の形成方
法については後述する。次に、上面の全面に犠牲層（Ａ
ｌ）を成膜する（図７（ｂ））。次に、記録再生ヘッド
素子を形成し、ＳｉＯ2 、ダイヤモンドライクカーボン
（カーボン）、Ａｌ2 Ｏ3 等で浮上面部を成膜する（図
７（ｃ））。なお、記録再生ヘッド素子を形成した後、
浮上面部を成膜する前に図８（ｂ）に示すように、ヘッ
ド素子４１と端子引き出しパッド形成部４２とを配線４
３にて接続しておく。次に、めっき用導電膜（図示せ
ず）を成膜し、かつフォトレジストでめっき用マスク
（図示せず）を形成後、Ｎｉ，ＮｉＦｅ，Ａｕ，Ｃｕ等
の金属をめっき成膜することによって端子引き出しパッ
ド部２３とスライダ本体部２２を形成する。めっき後、
フォトレジストおよびめっき膜の付着していない部分の
導電膜を除去する（図７（ｄ））。端子部２３およびス
ライダ本体部２２の背面側（表面）にＡｕ等のボンディ
ングメタル４５を成膜し、端子２３とスライダ本体２２
間にはポリイミド等の樹脂２６を埋める（図７
（ｅ））。なお、ダイヤモンドライクカーボン、ＳｉＯ
2 等の無機材料で埋めてもかまわない。その後、支持ば
ね３０とボンディング接続後に、犠牲層あるいは犠牲層
と基板をエッチングすることによって該スライダ２０を
Ｓｉの基板４６から分離する。なお、スライダ２０を基
板４６から分離した後、支持ばね３０と接続しても構わ
ないことはいうまでもない。
の製造工程を示す。なお、これらの図は図３におけるＡ
−Ａ′断面に対応する。まず、Ｓｉ基板４６上に、Ａ
ｌ，Ｔｉ，Ｔａ等の犠牲層をなす材料で浮上レール（両
側レール及び中心レール）の形状を形成する（図７
（ａ））。図８（ａ）は対応する斜視図である。図示の
ように、浮上レールとなる部分以外の部位がＡｌ等の犠
牲層で覆われる。なお、浮上レールのテーパ部の形成方
法については後述する。次に、上面の全面に犠牲層（Ａ
ｌ）を成膜する（図７（ｂ））。次に、記録再生ヘッド
素子を形成し、ＳｉＯ2 、ダイヤモンドライクカーボン
（カーボン）、Ａｌ2 Ｏ3 等で浮上面部を成膜する（図
７（ｃ））。なお、記録再生ヘッド素子を形成した後、
浮上面部を成膜する前に図８（ｂ）に示すように、ヘッ
ド素子４１と端子引き出しパッド形成部４２とを配線４
３にて接続しておく。次に、めっき用導電膜（図示せ
ず）を成膜し、かつフォトレジストでめっき用マスク
（図示せず）を形成後、Ｎｉ，ＮｉＦｅ，Ａｕ，Ｃｕ等
の金属をめっき成膜することによって端子引き出しパッ
ド部２３とスライダ本体部２２を形成する。めっき後、
フォトレジストおよびめっき膜の付着していない部分の
導電膜を除去する（図７（ｄ））。端子部２３およびス
ライダ本体部２２の背面側（表面）にＡｕ等のボンディ
ングメタル４５を成膜し、端子２３とスライダ本体２２
間にはポリイミド等の樹脂２６を埋める（図７
（ｅ））。なお、ダイヤモンドライクカーボン、ＳｉＯ
2 等の無機材料で埋めてもかまわない。その後、支持ば
ね３０とボンディング接続後に、犠牲層あるいは犠牲層
と基板をエッチングすることによって該スライダ２０を
Ｓｉの基板４６から分離する。なお、スライダ２０を基
板４６から分離した後、支持ばね３０と接続しても構わ
ないことはいうまでもない。
【００２８】図９（ａ）〜（ｃ）には、本発明のスライ
ダ２０と支持ばね３０の組立方法について示す。基板４
６上にスライダ２０を形成後、この基板４６を複数のス
ライダ２０を含むブロック４７に切断し、複数の支持ば
ね３０を短冊状に連結した連結体４８を該スライダブロ
ック４７に一括ボンディングする（図９（ａ））。その
後、該スライダブロック４７の基板４６をエッチングに
より分離し（図９（ｂ））、各支持ばね３０を連結体４
８から切断して完成させる（図９（ｃ））。
ダ２０と支持ばね３０の組立方法について示す。基板４
６上にスライダ２０を形成後、この基板４６を複数のス
ライダ２０を含むブロック４７に切断し、複数の支持ば
ね３０を短冊状に連結した連結体４８を該スライダブロ
ック４７に一括ボンディングする（図９（ａ））。その
後、該スライダブロック４７の基板４６をエッチングに
より分離し（図９（ｂ））、各支持ばね３０を連結体４
８から切断して完成させる（図９（ｃ））。
【００２９】図１０（ａ）〜（ｄ）には、浮上レールの
テーパ部形成方法を示す。Ｓｉの基板４６上に犠牲層５
１（Ａｌ）を成膜後、フォトレジスト５２を塗布し、露
光する。その際、テーパ部の露光量を他の部分の露光量
より徐々に減らして露光を行う（図１０（ａ））。この
手法はフォトレジストパターンを立体形状を形成する方
法として一般的に適用されるもので、例えば特開昭６１
−１０７５１４や下記文献等に記載されている。
テーパ部形成方法を示す。Ｓｉの基板４６上に犠牲層５
１（Ａｌ）を成膜後、フォトレジスト５２を塗布し、露
光する。その際、テーパ部の露光量を他の部分の露光量
より徐々に減らして露光を行う（図１０（ａ））。この
手法はフォトレジストパターンを立体形状を形成する方
法として一般的に適用されるもので、例えば特開昭６１
−１０７５１４や下記文献等に記載されている。
【００３０】W. Henke, W. Hoppe, H. J. Quenzer, P.
Staudt-Fischbach and B. Wagner“Simulation and Exp
erimental Study of Gray-Tone Lithography for the F
abrication of arbitrarily Shaped Surfaces ”IEEE,
Micro Electro Mechanical Systems, p. 205, 1994 フォトレジストを現像してテーパ部５３を形成後（図１
０（ｂ））、イオンミリングやスパッタエッチング等に
より犠牲層をエッチングし（図１０（ｃ））、レジスト
５２を除去してテーパ部５４をもった犠牲層５１のパタ
ーンを完成する（図１０（ｄ））。その後、全面に犠牲
層を成膜後犠牲層５１上にＳｉＯ2 等からなる浮上レー
ル部（図示せず）を成膜する。
Staudt-Fischbach and B. Wagner“Simulation and Exp
erimental Study of Gray-Tone Lithography for the F
abrication of arbitrarily Shaped Surfaces ”IEEE,
Micro Electro Mechanical Systems, p. 205, 1994 フォトレジストを現像してテーパ部５３を形成後（図１
０（ｂ））、イオンミリングやスパッタエッチング等に
より犠牲層をエッチングし（図１０（ｃ））、レジスト
５２を除去してテーパ部５４をもった犠牲層５１のパタ
ーンを完成する（図１０（ｄ））。その後、全面に犠牲
層を成膜後犠牲層５１上にＳｉＯ2 等からなる浮上レー
ル部（図示せず）を成膜する。
【００３１】図１１（ａ）及び（ｂ）には、浮上レール
のテーパ形成方法の他の実施例を示す。この実施例で
は、図１０のようにＡｌの犠牲層５１を成膜することな
く、基板４６上フォトレジスト５２を塗布し、露光量を
調整してフォトレジスト５２の露光を行い（図１１
（ａ））、その後、該フォトレジスト５２を熱あるいは
紫外線により硬化させて犠牲層とする。もしくは、その
上に全面に犠牲層を成膜する。なお、硬化させたフォト
レジストはエッチング分離時に溶解されない材料でもか
まわない。また、テーパ部だけでなく、浮上レール形状
全体をフォトレジストで形成してもよい。
のテーパ形成方法の他の実施例を示す。この実施例で
は、図１０のようにＡｌの犠牲層５１を成膜することな
く、基板４６上フォトレジスト５２を塗布し、露光量を
調整してフォトレジスト５２の露光を行い（図１１
（ａ））、その後、該フォトレジスト５２を熱あるいは
紫外線により硬化させて犠牲層とする。もしくは、その
上に全面に犠牲層を成膜する。なお、硬化させたフォト
レジストはエッチング分離時に溶解されない材料でもか
まわない。また、テーパ部だけでなく、浮上レール形状
全体をフォトレジストで形成してもよい。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、端子引き出し部とスラ
イダ本体部を導体で同時にめっき形成することにより、
シリコン基板にスルーホールを形成したり、ガラス基板
を接着することなくスライダを構成でき、高性能で低価
格の薄膜磁気ヘッドスライダの提供が可能となる。
イダ本体部を導体で同時にめっき形成することにより、
シリコン基板にスルーホールを形成したり、ガラス基板
を接着することなくスライダを構成でき、高性能で低価
格の薄膜磁気ヘッドスライダの提供が可能となる。
【図１】従来知られている薄膜磁気ヘッドスライダの一
例を断面図で示す。
例を断面図で示す。
【図２】従来知られている薄膜磁気ヘッドスライダの他
の例を断面図で示す。
の例を断面図で示す。
【図３】本発明の薄膜磁気ヘッドスライダの実施例を示
し、（ａ）は支持ばねに接着する前のスライダを背面よ
り見た図、（ｂ）は支持ばねに接着後のスライダを浮上
面より見た面、（ｃ）は（ａ）のＡ−Ａ′断面図であ
る。
し、（ａ）は支持ばねに接着する前のスライダを背面よ
り見た図、（ｂ）は支持ばねに接着後のスライダを浮上
面より見た面、（ｃ）は（ａ）のＡ−Ａ′断面図であ
る。
【図４】本発明の薄膜磁気ヘッドスライダの変形例を示
す。
す。
【図５】支持ばねとスライダとの接続方法を示す概略図
である。
である。
【図６】支持ばねとスライダとの接続方法の他の例を示
す概略図である。
す概略図である。
【図７】本発明の薄膜磁気ヘッドスライダの構造工程を
示す図である。
示す図である。
【図８】本発明の薄膜磁気ヘッドスライダの製造工程の
途中の状態を示す。
途中の状態を示す。
【図９】複数の支持ばねと複数のスライダとを同時に接
続する方法を示す。
続する方法を示す。
【図１０】浮上レールのテーパ部の形成方法の一実施例
を示す。
を示す。
【図１１】浮上レールのテーパ部の形成方法の他の実施
例を示す。
例を示す。
２０…スライダ ２１…浮上面層 ２２…スライダ本体部 ２３…端子引き出しパッド部 ２４…外周部 ２６…絶縁材 ２７，２８…浮上レール ２７ａ，２８ａ…テーパ部 ３０…支持ばね ３２，３３…端子部 ３４…ワイヤボンディング ４６…基板 ４７…ブロック
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−101359（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−298806（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−221414（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−76809（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−267039（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−230306（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/31 G11B 5/60
Claims (13)
- 【請求項１】 記録媒体に対して浮上又は接触する浮上
面を有し、該浮上面と平行に薄膜磁気ヘッド素子の薄膜
成膜面が形成されている薄膜磁気ヘッドスライダにおい
て、浮上面を形成する浮上面層（２１）及び薄膜磁気ヘ
ッド素子（２９）の浮上面と反対側の面上に、導体から
成り且つ剛性をもったスライダ本体部（２２）及び導体
から成る少なくとも１つ以上の端子引き出しパッド部
（２３）が、浮上面と平行な方向に所定の間隔を有して
配置され、該間隔に溝ないし空隙が形成されていること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドスライダ。 - 【請求項２】 スライダ本体部（２２）はスライダ（２
０）の外周部（２４）に形成され、該スライダ本体部に
囲まれた内部に、１つ以上の端子引き出しパッド部（２
３）が、パッド部（２３）相互間及びパッド部（２３）
とスライダ本体部（２２）との間に浮上面と平行な方向
に所定の間隔を有して形成されていることを特徴とする
請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドスライダ。 - 【請求項３】 パッド部（２３）相互間又はパッド部
（２３）とスライダ本体部（２２）との間の空隙にポリ
イミド又はフォトレジスト等の樹脂あるいはダイヤモン
ドライクカーボン等の無機材等からなる絶縁材（２６）
が配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記
載の薄膜磁気ヘッドスライダ。 - 【請求項４】 スライダ本体部（２２）も端子引き出し
パッドを兼ねることを特徴とする請求項１〜３のいずれ
か１項に記載の薄膜磁気ヘッドスライダ。 - 【請求項５】 端子引き出しパッド（２３）が板状の支
持ばね（３０）の端子部（３２）に接続されるように、
スライダ本体部（２２）及び端子引き出しパッド（２
３）が支持ばね（３０）にボンディング接着されている
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドスラ
イダ。 - 【請求項６】 スライダ本体部（２２）が板状の支持ば
ね（３０）に接着され、端子引き出しパッド（２３）が
ワイヤ（３４）を介して支持ばね（３０）の端子部（３
３）にボンディング接着されていることを特徴とする請
求項１に記載の薄膜磁気ヘッドスライダ。 - 【請求項７】 前記浮上面層（２１）は、ＳｉＯ2 ，Ａ
ｌ2 Ｏ3 ，又はカーボン、又はこれらの組成物から成
り、導体の前記スライダ本体部（２２）及び端子引き出
しパッド部（２３）は、Ｎｉ，ＮｉＦｅ，Ａｕ又はＣｕ
又はこれらを含む合金から成ることを特徴とする請求項
１に記載の薄膜磁気ヘッドスライダ。 - 【請求項８】 記録媒体に対して浮上又は接触する浮上
レール（２７，２８）を設けた浮上面を有し、該浮上面
と平行に薄膜磁気ヘッド素子の薄膜成膜面が形成されて
いる請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドスライダを製造す
る方法において、 基板（４６）上に犠牲層で前記浮上面の形状を形成す
る、あるいは浮上面形状を形成した層上に犠牲層を形成
する工程と、 該犠牲層上に無機材料からなる浮上レール（２７，２
８）を形成する工程と、 該犠牲層上にスライダ本体部（２２）及び端子引き出し
パッド部（２３）をめっきにより形成する工程と、 該スライダ部（２０）を犠牲層のエッチングにより基板
（４６）から分離する工程とを含むことを特徴とする薄
膜磁気ヘッドスライダの製造方法。 - 【請求項９】 基板（４６）上に犠牲層で浮上面の形状
を形成する際、浮上レール（２７，２８）の流入端テー
パ部に相当する部分は、犠牲層あるいは犠牲層の下に設
けた層の膜厚が徐々に変化するようにテーパ状に形成す
ることを特徴とする請求項８に記載の薄膜磁気ヘッドス
ライダの製造方法。 - 【請求項１０】 前記犠牲層のテーパ状の部分は、該犠
牲層の上に形成したフォトレジストへの露光量を調整す
ることによりレジスト膜の厚さを変化させてテーパ状と
し、該フォトレジストをマスクとして該犠牲層をドライ
エッチングすることにより形成することを特徴とする請
求項９に記載の薄膜磁気ヘッドスライダの製造方法。 - 【請求項１１】 前記犠牲層のテーパ状の部分は、基板
（４６）上にフォトレジストあるいは感光性ポリイミド
を形成し、該フォトレジストへの露光量を調整すること
によりレジスト膜あるいはポリイミド膜の厚さを変化さ
せてテーパ状とし、該フォトレジストあるいはポリイミ
ドを熱硬化又は紫外線硬化させて犠牲層とする、あるい
は該フォトレジスト、ポリイミド上に犠牲層を形成する
ことを特徴とする請求項９に記載の磁気ヘッドスライダ
の製造方法。 - 【請求項１２】 前記スライダ本体部（２２）及び端子
引き出しパッド部（２３）は絶縁材のめっきマスクを用
いて同時に前記浮上面層上に成膜されることを特徴とす
る請求項８に記載の磁気ヘッドスライダの製造方法。 - 【請求項１３】 基板（４６）上に多数の薄膜磁気ヘッ
ドスライダ（２０）を形成する工程と、基板（４６）を
少なくとも複数の薄膜磁気ヘッドスライダ（２０）を含
むブロック（４７）に切断する工程と、該ブロック（４
７）上の複数のスライダ（２０）を複数の支持ばね（３
０）に同時にボンディング接続する工程と、該ブロック
（４７）の犠牲層をエッチングにより除去することによ
り各スライダ（２０）を分離することを特徴とする請求
項８に記載の薄膜磁気ヘッドスライダの製造方法。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04157495A JP3257917B2 (ja) | 1995-03-01 | 1995-03-01 | 薄膜磁気ヘッドスライダ及びその製造方法 |
| US08/603,257 US5920978A (en) | 1995-03-01 | 1996-02-20 | Method of making a thin film magnetic slider |
| DE19655040A DE19655040C2 (de) | 1995-03-01 | 1996-02-28 | Dünnfilm-Magnetkopfgleiter und elektrostatischer Stellantrieb für den Antrieb eines Kopfelementes desselben |
| DE19607379A DE19607379C2 (de) | 1995-03-01 | 1996-02-28 | Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilm-Magnetkopfgleiters |
| CNB961055200A CN1191567C (zh) | 1995-03-01 | 1996-03-01 | 薄膜磁头滑板的制造方法 |
| CNB200410003953XA CN1284141C (zh) | 1995-03-01 | 1996-03-01 | 薄膜磁头滑板以及用于驱动其磁头元件的静电致动器 |
| KR1019960005474A KR100235090B1 (ko) | 1995-03-01 | 1996-03-02 | 박막자기헤드 슬라이더 및 그 헤드소자 구동용 정전액추에이터 |
| US09/189,301 US6181531B1 (en) | 1995-03-01 | 1998-11-10 | Thin film magnetic head slider and electrostatic actuator for driving a head element thereof |
| US09/670,748 US6594119B1 (en) | 1995-03-01 | 2000-09-27 | Thin film magnetic head slider and electrostatic actuator for driving a head element thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04157495A JP3257917B2 (ja) | 1995-03-01 | 1995-03-01 | 薄膜磁気ヘッドスライダ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08235527A JPH08235527A (ja) | 1996-09-13 |
| JP3257917B2 true JP3257917B2 (ja) | 2002-02-18 |
Family
ID=12612221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04157495A Expired - Fee Related JP3257917B2 (ja) | 1995-03-01 | 1995-03-01 | 薄膜磁気ヘッドスライダ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3257917B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1196530A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-04-09 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘッドスライダ及びその製造方法 |
| JP3297358B2 (ja) * | 1997-09-19 | 2002-07-02 | 富士通株式会社 | ヘッドスライダおよびその形成方法 |
| JP2008065878A (ja) | 2006-09-05 | 2008-03-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気スライダとヘッド・ジンバル・アセンブリ及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-03-01 JP JP04157495A patent/JP3257917B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08235527A (ja) | 1996-09-13 |
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