JPS63187412A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS63187412A JPS63187412A JP1951587A JP1951587A JPS63187412A JP S63187412 A JPS63187412 A JP S63187412A JP 1951587 A JP1951587 A JP 1951587A JP 1951587 A JP1951587 A JP 1951587A JP S63187412 A JPS63187412 A JP S63187412A
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は磁気ディスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッド
の製造方法において、酸化し易い銅（Ｃｕ）等からなる
導体コイル、８５４ｉＪ体コイルの引出し導体及び接続
端子を形成した直後の表面に、酸化防止膜を直ちに被覆
するようにして、その後、それらの各表面上に形成する
八βｚ（ｈ 、或いは５ｉ０２などからなる絶縁層、ま
たは保護膜との密着不良を防止したものである。
の製造方法において、酸化し易い銅（Ｃｕ）等からなる
導体コイル、８５４ｉＪ体コイルの引出し導体及び接続
端子を形成した直後の表面に、酸化防止膜を直ちに被覆
するようにして、その後、それらの各表面上に形成する
八βｚ（ｈ 、或いは５ｉ０２などからなる絶縁層、ま
たは保護膜との密着不良を防止したものである。
本発明は磁気ディスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッド
の製造方法に係り、特に薄１漠磁気ヘッドの製造過程に
おける酸化し易い銅（Ｃｕ）等からなる導体コイル、該
導体コイルの引出し導体、或いは接続端子の形成方法に
関するものである。
の製造方法に係り、特に薄１漠磁気ヘッドの製造過程に
おける酸化し易い銅（Ｃｕ）等からなる導体コイル、該
導体コイルの引出し導体、或いは接続端子の形成方法に
関するものである。
磁気ディスク装置においては、高記録密度化に伴って高
性能で信頼性の高い磁気ヘッドが要求されている。、薄
膜磁気ヘッドの製造においては、導体コイル、該導体コ
イルの引出し導体、或いは接続端子などが酸化し易い銅
（Ｃｕ）等からなる薄膜、またはメッキ層によって形成
されているため、これらの表面上に絶縁層、または保護
膜を形成する際に、該表面の酸化により被着された前記
絶縁層、または保護膜との間に密着不良が生じる問題を
容易に解消する方法が必要とされている。
性能で信頼性の高い磁気ヘッドが要求されている。、薄
膜磁気ヘッドの製造においては、導体コイル、該導体コ
イルの引出し導体、或いは接続端子などが酸化し易い銅
（Ｃｕ）等からなる薄膜、またはメッキ層によって形成
されているため、これらの表面上に絶縁層、または保護
膜を形成する際に、該表面の酸化により被着された前記
絶縁層、または保護膜との間に密着不良が生じる問題を
容易に解消する方法が必要とされている。
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法としては、第２図の平
面図及び該第２図に示すｎ−ｔｔ”切断線に沿った第３
図の断面図に示すように、スライダとなる基板１上に、
既に周知の方法により下部磁極層２、ギャップ層３、絶
縁層４で挟まれた導体コイル５、上部磁極層６、そして
該導体コイル５より導出する引出し導体７を所定パター
ンで順次形成する。
面図及び該第２図に示すｎ−ｔｔ”切断線に沿った第３
図の断面図に示すように、スライダとなる基板１上に、
既に周知の方法により下部磁極層２、ギャップ層３、絶
縁層４で挟まれた導体コイル５、上部磁極層６、そして
該導体コイル５より導出する引出し導体７を所定パター
ンで順次形成する。
その後、該引出し導体７を含む基板１上の全面に第４図
（ａｌの要部断面図に示すように％１ｌ（Ｃｕ）からな
るメッキ用下地膜８を形成し、引続きその表面に該引き
出し導体７に対する接続端子形成予定領域を画定する開
口部１０を有するレジストパターン９を形成する。
（ａｌの要部断面図に示すように％１ｌ（Ｃｕ）からな
るメッキ用下地膜８を形成し、引続きその表面に該引き
出し導体７に対する接続端子形成予定領域を画定する開
口部１０を有するレジストパターン９を形成する。
次に第４図（ｂ）に示すように前記間１１部１０を有す
るレジストパターン９をマスクにして露出するメッキ用
下地膜８上に電解メッキ法により、端子用銅（Ｃｕ）メ
ッキ層１１を形成する。
るレジストパターン９をマスクにして露出するメッキ用
下地膜８上に電解メッキ法により、端子用銅（Ｃｕ）メ
ッキ層１１を形成する。
次に第４図［Ｃ１に示すように前記レジストパターン９
及びメッキ用下地膜８を選択的に除去するごとにより、
前記引出し導体７の上に接続端子１２を形成する。
及びメッキ用下地膜８を選択的に除去するごとにより、
前記引出し導体７の上に接続端子１２を形成する。
引続いて前記上部磁極層６及び絶縁層４上を含めた接続
端子１２上に、スパッタリング法等によりＡｌ２Ｏ３、
或いはＳｉＯ□などからなる厚い保護膜１３を成膜した
後、第４図（ｄ）に示すように該接続端子１２上の保護
膜１３を平面研磨加工して、その端子１２面を露出させ
、外部リード線とのボンディング接続を可能にしている
。
端子１２上に、スパッタリング法等によりＡｌ２Ｏ３、
或いはＳｉＯ□などからなる厚い保護膜１３を成膜した
後、第４図（ｄ）に示すように該接続端子１２上の保護
膜１３を平面研磨加工して、その端子１２面を露出させ
、外部リード線とのボンディング接続を可能にしている
。
ところで上記した従来の薄膜磁気ヘッドの製造において
は、導体コイル５、該導体コイル５の引出し導体７、或
いは接続端子１２などが酸化し易い銅（Ｃｕ）等からな
る薄膜、またはメッキ層によって形成されているため、
これらの表面上に成膜された絶縁層４、或いは保護膜１
３との間に、酸化に起因する密着不良が発生し易い不都
合があった。
は、導体コイル５、該導体コイル５の引出し導体７、或
いは接続端子１２などが酸化し易い銅（Ｃｕ）等からな
る薄膜、またはメッキ層によって形成されているため、
これらの表面上に成膜された絶縁層４、或いは保護膜１
３との間に、酸化に起因する密着不良が発生し易い不都
合があった。
特に銅メッキ層からなる接続端子１２は酸化し易く、第
４図（ｄｌに示すように保護膜１３の剥離Ｂ、欠けＣや
、引出し導体７と接続端子１２、即ち同じ銅からなる導
体層同土間での層間剥離が顕著に発生するといった欠点
があった。
４図（ｄｌに示すように保護膜１３の剥離Ｂ、欠けＣや
、引出し導体７と接続端子１２、即ち同じ銅からなる導
体層同土間での層間剥離が顕著に発生するといった欠点
があった。
本発明は上記従来の欠点に鑑み、銅からなる導体コイル
、ＭＲ体コイルの引出し導体及び接続端子を形成した直
後の表面に、酸化防止膜を直ちに施すことにより、その
後、それらの各表面上に形成する絶縁層、導体膜、また
は保護膜との密着不良を防止した新規な薄膜磁気ヘッド
の製造方法を提供することを目的とするものである。
、ＭＲ体コイルの引出し導体及び接続端子を形成した直
後の表面に、酸化防止膜を直ちに施すことにより、その
後、それらの各表面上に形成する絶縁層、導体膜、また
は保護膜との密着不良を防止した新規な薄膜磁気ヘッド
の製造方法を提供することを目的とするものである。
本発明は上記目的を達成するため、スライダとなる基板
上に薄膜磁気ヘッドを形成する薄膜形成プロセスにおい
て、酸化し易い銅等からなる導体コイル、該導体コイル
の引出し導体及び接続端子を形成した直後の表面に、直
ちに耐酸化薄膜を被覆するようにする。
上に薄膜磁気ヘッドを形成する薄膜形成プロセスにおい
て、酸化し易い銅等からなる導体コイル、該導体コイル
の引出し導体及び接続端子を形成した直後の表面に、直
ちに耐酸化薄膜を被覆するようにする。
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、酸化し易い銅
等からなる導体コイル、該導体コイルの引出し導体及び
接続端子を形成した直後の表面に、銅などより表面酸化
が発生し難い耐酸化薄膜が引き続き被覆されているため
、その後、それらの表面上に形成された絶縁層、或いは
保護膜の密着性が向上し、この結果、剥離、欠は等の密
着不良が防止される。
等からなる導体コイル、該導体コイルの引出し導体及び
接続端子を形成した直後の表面に、銅などより表面酸化
が発生し難い耐酸化薄膜が引き続き被覆されているため
、その後、それらの表面上に形成された絶縁層、或いは
保護膜の密着性が向上し、この結果、剥離、欠は等の密
着不良が防止される。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの
製造において、導体コイルの引出し導体に対する特に表
面酸化が顕著な接続端子の形成方法の一実施例を工程順
に示す要部断面図である。
製造において、導体コイルの引出し導体に対する特に表
面酸化が顕著な接続端子の形成方法の一実施例を工程順
に示す要部断面図である。
先ず第１図（ａ）に示すように周知の方法により薄膜磁
気ヘッドの主要部（図示省略）及び導体コイルより導出
する２〜３μｍの膜ｊフの引出し導体７が形成されたス
ライダとなる基板ｌ上の全面に、ｉｌ：１（Ｃｕ）から
なるメッキ用下地膜８を０．１μｍの膜厚に蒸着法、或
いはスパッタリング法により形成する。
気ヘッドの主要部（図示省略）及び導体コイルより導出
する２〜３μｍの膜ｊフの引出し導体７が形成されたス
ライダとなる基板ｌ上の全面に、ｉｌ：１（Ｃｕ）から
なるメッキ用下地膜８を０．１μｍの膜厚に蒸着法、或
いはスパッタリング法により形成する。
次にその表面に該引き出しＷ体７に対する接続端子形成
予定領域を画定する開口部１０を有するレジストパター
ン９を５μｍの膜厚に形成する。
予定領域を画定する開口部１０を有するレジストパター
ン９を５μｍの膜厚に形成する。
次に第１図（ｂ）に示すように前記レジストパターン９
をマスクにして開口部１０に露出するメッキ用下地膜８
上に電解メッキ法により、４０μｍ程度の膜厚の端子用
銅（Ｃｕ）メッキ層１１を形成する。ここ迄の工程は従
来の工程と同様である。
をマスクにして開口部１０に露出するメッキ用下地膜８
上に電解メッキ法により、４０μｍ程度の膜厚の端子用
銅（Ｃｕ）メッキ層１１を形成する。ここ迄の工程は従
来の工程と同様である。
次に第１図ｆｃ）に示すように上記形成直後の端子用！
１ｉＨｃｕ）メッキ層１１の表面に、前記開口部１０を
有するレジストパターン９をそのまま利用して直ちに、
表面酸化が発生し難い例えばＮｉ−Ｆｅ合金メッキ層、
またはニッケル（Ｎｉ）メッキ層等の耐酸化薄！１Ａ
２１を数／！ｌｌの厚さに鑞着形成する。
１ｉＨｃｕ）メッキ層１１の表面に、前記開口部１０を
有するレジストパターン９をそのまま利用して直ちに、
表面酸化が発生し難い例えばＮｉ−Ｆｅ合金メッキ層、
またはニッケル（Ｎｉ）メッキ層等の耐酸化薄！１Ａ
２１を数／！ｌｌの厚さに鑞着形成する。
以下従来と同様に第１図（ｄｌに示すように前記レジス
トパターン９を除去し、更に露出するメツ；１−用下地
膜８をイオンミリング法、或いはスパッタエツチング法
等により選択的に除去し、形成された接続端子２２上及
び前記した既に形成されている図示しない薄膜磁気ヘッ
ドの主要部上に、Ａ Ａ ２０３からなる保護膜１３を
スパッタリング法等により４０μｍの膜厚に成膜する。
トパターン９を除去し、更に露出するメツ；１−用下地
膜８をイオンミリング法、或いはスパッタエツチング法
等により選択的に除去し、形成された接続端子２２上及
び前記した既に形成されている図示しない薄膜磁気ヘッ
ドの主要部上に、Ａ Ａ ２０３からなる保護膜１３を
スパッタリング法等により４０μｍの膜厚に成膜する。
しかる後、第１図（ｅ）に示すように接続端子２２上の
保護膜１３を平面研磨加工工程により、その端子２２面
を露出させて外部リード線とのボンディング接続を可能
にする。
保護膜１３を平面研磨加工工程により、その端子２２面
を露出させて外部リード線とのボンディング接続を可能
にする。
このようにすれば、接続端子２２に対する保護膜１３の
密着性が向上し、剥離や欠は等の発生が解消される。
密着性が向上し、剥離や欠は等の発生が解消される。
尚、以上の実施例では最も表面酸化が発生し易い接続端
子の形成を対象とした場合の例について説明したが、本
発明はこの例に限定されるものではなく、同様に酸化し
易い銅等からなる導体コイルや、該導体コイルの引出し
導体を形成した直後の表面にも、引き続き耐酸化薄膜を
施すことにより同様の効果が得られる。
子の形成を対象とした場合の例について説明したが、本
発明はこの例に限定されるものではなく、同様に酸化し
易い銅等からなる導体コイルや、該導体コイルの引出し
導体を形成した直後の表面にも、引き続き耐酸化薄膜を
施すことにより同様の効果が得られる。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法によれば、酸化し易い銅等からなる導
体コイル、該導体コイルの引出し導体、或いは接続端子
を形成した直後の表面に、直ちに表面酸化の発生し難い
耐酸化薄膜をメッキ法により施すことによって、その後
、それらの表面上に形成された絶縁層、導体層、或いは
保８隻膜との密着性が向上し、剥離、欠は等の発生が防
止され、信頼性の良い薄膜磁気ヘッドが得られる優れた
効果を奏する。
ヘッドの製造方法によれば、酸化し易い銅等からなる導
体コイル、該導体コイルの引出し導体、或いは接続端子
を形成した直後の表面に、直ちに表面酸化の発生し難い
耐酸化薄膜をメッキ法により施すことによって、その後
、それらの表面上に形成された絶縁層、導体層、或いは
保８隻膜との密着性が向上し、剥離、欠は等の発生が防
止され、信頼性の良い薄膜磁気ヘッドが得られる優れた
効果を奏する。
第１図（ａｌ〜（ｅｌは本発明に係る薄膜磁気ヘッドの
製造における導体コイルの引出し導体 に対する接続端子の形成方法の一実施 例を工程順に示す要部断面図、 第２図は従来の薄膜磁気ヘッドの一例を示す要部平面図
、 第３図は第２図に示すｎ−ｎ’切断線に沿った断面図、 第４図（ａ）〜（ｄ）は従来の導体コイルの引出し導体
に対する接続端子の形成方法を工程順 に説明するだめの要部断面図である。 第１図（ａｌ〜（ｅ）において、 １は基板、７は引出し導体、８はメッキ用下地膜、９は
レジストパターン、１０は開口部、１１は端子用銅メッ
キ層、１３は保護膜、２１は耐酸化薄膜、２２は接続端
子を＜ｄ） （ｅ） ηシル鯖例Ｇ Ｉｊｒ福２蜘相を部跡面詔第１図 快未例１説哨↑）宇郁平ｆＤ囚 第２図 Ａ−Ａ’跡跡面 図３図
製造における導体コイルの引出し導体 に対する接続端子の形成方法の一実施 例を工程順に示す要部断面図、 第２図は従来の薄膜磁気ヘッドの一例を示す要部平面図
、 第３図は第２図に示すｎ−ｎ’切断線に沿った断面図、 第４図（ａ）〜（ｄ）は従来の導体コイルの引出し導体
に対する接続端子の形成方法を工程順 に説明するだめの要部断面図である。 第１図（ａｌ〜（ｅ）において、 １は基板、７は引出し導体、８はメッキ用下地膜、９は
レジストパターン、１０は開口部、１１は端子用銅メッ
キ層、１３は保護膜、２１は耐酸化薄膜、２２は接続端
子を＜ｄ） （ｅ） ηシル鯖例Ｇ Ｉｊｒ福２蜘相を部跡面詔第１図 快未例１説哨↑）宇郁平ｆＤ囚 第２図 Ａ−Ａ’跡跡面 図３図
Claims (2)
- （１）基板上に下部磁極層、ギャップ層、絶縁層で挟ま
れた導体コイル、上部磁極層及び該導体コイルの引出し
導体（７）を所定パターンで順次形成した後、該引出し
導体（７）の接続端子形成予定領域上にメッキ用下地膜
（８）を介してマスクメッキ法により接続端子（２２）
を形成し、該接続端子（２２）を含む前記基板（１）上
に保護膜（１３）を形成する薄膜磁気ヘッドの製造工程
において、 上記導体コイル、該導体コイルの引出し導体（７）及び
接続端子（２２）を形成した直後の表面に、耐酸化薄膜
（２１）を被覆するようにしたことを特徴とする薄膜磁
気ヘッドの製造方法。 - （２）上記耐酸化薄膜（２１）がメッキ法により形成さ
れたＮｉ−Ｆｅ合金膜からなることを特徴とする特許請
求の範囲第（１）項に記載した薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1951587A JPS63187412A (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1951587A JPS63187412A (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63187412A true JPS63187412A (ja) | 1988-08-03 |
Family
ID=12001489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1951587A Pending JPS63187412A (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63187412A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03252908A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-12 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| US6133801A (en) * | 1996-04-23 | 2000-10-17 | Nec Corporation | Crystal oscillation circuit |
| JP2009239970A (ja) * | 2000-07-17 | 2009-10-15 | Epson Toyocom Corp | 圧電発振器 |
-
1987
- 1987-01-28 JP JP1951587A patent/JPS63187412A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03252908A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-12 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| US6133801A (en) * | 1996-04-23 | 2000-10-17 | Nec Corporation | Crystal oscillation circuit |
| JP2009239970A (ja) * | 2000-07-17 | 2009-10-15 | Epson Toyocom Corp | 圧電発振器 |
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