JPH0512624A - ボンデイングパツドの形成方法 - Google Patents
ボンデイングパツドの形成方法Info
- Publication number
- JPH0512624A JPH0512624A JP875191A JP875191A JPH0512624A JP H0512624 A JPH0512624 A JP H0512624A JP 875191 A JP875191 A JP 875191A JP 875191 A JP875191 A JP 875191A JP H0512624 A JPH0512624 A JP H0512624A
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- terminal
- resist layer
- bonding pad
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 形成する端子の高さよりも厚くレジスト層を
形成し、導体を析出して端子を形成し、レジスト層を取
り除いた後に保護膜を成膜し、上面を研摩して端子を所
定量露出させてボンディングパッドを形成する。 【効果】 端子が柱状に形成されるとともに、その大き
さが規定できるので、保護膜の成膜状態が良く、端子が
不必要に大きくなることもなく、露出面積を一定に保ち
易い。
形成し、導体を析出して端子を形成し、レジスト層を取
り除いた後に保護膜を成膜し、上面を研摩して端子を所
定量露出させてボンディングパッドを形成する。 【効果】 端子が柱状に形成されるとともに、その大き
さが規定できるので、保護膜の成膜状態が良く、端子が
不必要に大きくなることもなく、露出面積を一定に保ち
易い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気ヘッドなどに用
いられているボンディングパッドの形成方法に関するも
のである。
いられているボンディングパッドの形成方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは半導体製造プロセスに
使用される薄膜技術を利用して製造される磁気ヘッドで
あって、半導体プロセスレベルのパターン精度で製造さ
れるので、記録密度を格段に高くできる特徴をもってい
る。
使用される薄膜技術を利用して製造される磁気ヘッドで
あって、半導体プロセスレベルのパターン精度で製造さ
れるので、記録密度を格段に高くできる特徴をもってい
る。
【０００３】このような薄膜磁気ヘッドの一例を図５に
示す。薄膜磁気ヘッド１０はその本体を形成するスライ
ダ１２と、このスライダ１２の下方側に長手方向に形成
された突起状の２つの浮上レール１４,１６とを有して
いる。浮上レール１４,１６は、例えば磁気ディスクの
ような回転する磁気記録媒体(図示せず)に対向し、記録
再生時には浮上関係になるようになっている。またスラ
イダ１２の一側面には電磁変換素子１８,２０が形成さ
れている。そして電磁変換素子１８,２０から導出され
た各引出端子２２,２４,２６,２８は同一平面上に形成
された複数のワイヤ接続部すなわちボンディングパッド
３２,３４,３６,３８に接続されている。尚、電磁変換
素子１８,２０とボンディングパッド３２,３４,３６,３
８はスライダ１２の同一側面に形成され、この側面の中
央を境として左右対象に配置された構成となっている。
示す。薄膜磁気ヘッド１０はその本体を形成するスライ
ダ１２と、このスライダ１２の下方側に長手方向に形成
された突起状の２つの浮上レール１４,１６とを有して
いる。浮上レール１４,１６は、例えば磁気ディスクの
ような回転する磁気記録媒体(図示せず)に対向し、記録
再生時には浮上関係になるようになっている。またスラ
イダ１２の一側面には電磁変換素子１８,２０が形成さ
れている。そして電磁変換素子１８,２０から導出され
た各引出端子２２,２４,２６,２８は同一平面上に形成
された複数のワイヤ接続部すなわちボンディングパッド
３２,３４,３６,３８に接続されている。尚、電磁変換
素子１８,２０とボンディングパッド３２,３４,３６,３
８はスライダ１２の同一側面に形成され、この側面の中
央を境として左右対象に配置された構成となっている。
【０００４】このように構成された薄膜磁気ヘッドにあ
っては、例えば各引出端子２２,２４,２６,２８を導通
させて電磁変換素子１８,２０の先端から発生する磁界
によって磁気記録媒体に情報の記録を行い、また磁気記
録媒体から発生する磁界を電磁変換素子１８,２０で拾
いあげ、情報の再生が行なわれる。またこの時の情報は
電磁変換素子１８,２０から各引出端子２２,２４,２６,
２８を経てボンディングパッド３２,３４,３６,３８に
通じ、さらにボンディングパッド３２,３４,３６,３８
から外部回路にリード線等で送られる。
っては、例えば各引出端子２２,２４,２６,２８を導通
させて電磁変換素子１８,２０の先端から発生する磁界
によって磁気記録媒体に情報の記録を行い、また磁気記
録媒体から発生する磁界を電磁変換素子１８,２０で拾
いあげ、情報の再生が行なわれる。またこの時の情報は
電磁変換素子１８,２０から各引出端子２２,２４,２６,
２８を経てボンディングパッド３２,３４,３６,３８に
通じ、さらにボンディングパッド３２,３４,３６,３８
から外部回路にリード線等で送られる。
【０００５】さらにこの種の薄膜磁気ヘッドに用いられ
ているボンディングパッドの断面図を図６に示す。図６
に示すボンディングパッドは下部端子４０とその上に形
成された上部端子４２から概略構成され、下部端子４０
は、基板３０上に積層された第１保護膜４４上で、電磁
変換素子１８から導出されている引出端子２２上に形成
され、かつ第２保護膜４６に囲まれている。また引出端
子２２と下部端子４０の間には下地膜５０が、下部端子
４０と上部端子４２の間にも下地膜５２が形成されてい
る。そして上部端子４２にリード線４８が接続され、こ
れが外部回路につながっている。
ているボンディングパッドの断面図を図６に示す。図６
に示すボンディングパッドは下部端子４０とその上に形
成された上部端子４２から概略構成され、下部端子４０
は、基板３０上に積層された第１保護膜４４上で、電磁
変換素子１８から導出されている引出端子２２上に形成
され、かつ第２保護膜４６に囲まれている。また引出端
子２２と下部端子４０の間には下地膜５０が、下部端子
４０と上部端子４２の間にも下地膜５２が形成されてい
る。そして上部端子４２にリード線４８が接続され、こ
れが外部回路につながっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記ボンディングパッ
ドの形成方法を図７ないし図１０を用いて説明する。下
地膜５０上に、下部端子部５６を最終的に形成される下
部端子４０よりも一回り小さくなるようにレジスト層５
４(膜厚約５μm)をパターニングする。その後、下部端
子部５６に、下部端子部５６からあふれるように銅メッ
キを行い、これが下部端子４０となる。(図７)
ドの形成方法を図７ないし図１０を用いて説明する。下
地膜５０上に、下部端子部５６を最終的に形成される下
部端子４０よりも一回り小さくなるようにレジスト層５
４(膜厚約５μm)をパターニングする。その後、下部端
子部５６に、下部端子部５６からあふれるように銅メッ
キを行い、これが下部端子４０となる。(図７)
【０００７】そしてレジスト層５４を除去し(図８)、新
たに第２保護膜４６をスパッタ等で成膜し(図９)、その
上面を研摩して図１０に示すように下部端子４０が所定
量露出するようにする。この後、下地膜５２と上部端子
４２を形成してボンディングパッドが構成される。
たに第２保護膜４６をスパッタ等で成膜し(図９)、その
上面を研摩して図１０に示すように下部端子４０が所定
量露出するようにする。この後、下地膜５２と上部端子
４２を形成してボンディングパッドが構成される。
【０００８】しかしながら上記方法では、下部端子４０
の周縁部の下側の部位５８等のステップカバレッジが悪
く、第２保護膜４６が良好に形成されず、空洞等ができ
てしまい、ヘッドの信頼性が劣るものであった。
の周縁部の下側の部位５８等のステップカバレッジが悪
く、第２保護膜４６が良好に形成されず、空洞等ができ
てしまい、ヘッドの信頼性が劣るものであった。
【０００９】また下部端子４０の幅が大きく、ボンディ
ングパッドの形成されるスライダ１２の小型化を妨げる
ものであった。
ングパッドの形成されるスライダ１２の小型化を妨げる
ものであった。
【００１０】さらに第２保護膜４６を研摩して下部端子
４０を露出させる際、下部端子４０の横断面積が一定で
はなく、下部端子４０の露出面積を一定にすることが困
難で、ワイヤーボンディングが不安定になるおそれがあ
った。
４０を露出させる際、下部端子４０の横断面積が一定で
はなく、下部端子４０の露出面積を一定にすることが困
難で、ワイヤーボンディングが不安定になるおそれがあ
った。
【００１１】本発明は前記課題を解決するためになされ
たもので、下部端子よりもレジスト層を厚く形成するこ
とで、下部端子を柱状に形成し、周囲に形成される保護
膜のステップカバレッジを良好にするともに、下部端子
の大きさを規定し得るものである。
たもので、下部端子よりもレジスト層を厚く形成するこ
とで、下部端子を柱状に形成し、周囲に形成される保護
膜のステップカバレッジを良好にするともに、下部端子
の大きさを規定し得るものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のボンディングパ
ッドの形成方法は、保護膜に囲まれてリード線を接続す
る端子を下地上に有したボンディングパッドの形成方法
において、下地上にレジスト層を前記端子の形成部分を
除き、かつ形成される端子の膜厚よりも厚く形成し、上
記下地上のレジスト層を形成していない部分に導電体か
らなる端子を形成し、前記レジスト層を取り除いた後に
保護膜を成膜し、次いでこの保護膜の上面を研摩して前
記端子を所定量露出することを特徴とするものである。
ッドの形成方法は、保護膜に囲まれてリード線を接続す
る端子を下地上に有したボンディングパッドの形成方法
において、下地上にレジスト層を前記端子の形成部分を
除き、かつ形成される端子の膜厚よりも厚く形成し、上
記下地上のレジスト層を形成していない部分に導電体か
らなる端子を形成し、前記レジスト層を取り除いた後に
保護膜を成膜し、次いでこの保護膜の上面を研摩して前
記端子を所定量露出することを特徴とするものである。
【００１３】
【作用】本発明のレジスト層の膜厚を厚くした形成方法
によれば、導電体をメッキして端子を形成する際に、導
電体をレジスト層で囲まれるパターン部分からあふれさ
せるものではなく、端子の膜厚よりも厚いレジスト層を
形成し、そのレジスト層に囲まれるパターン部分にのみ
に端子を形成するものなので、端子を柱状に形成するこ
とができる。
によれば、導電体をメッキして端子を形成する際に、導
電体をレジスト層で囲まれるパターン部分からあふれさ
せるものではなく、端子の膜厚よりも厚いレジスト層を
形成し、そのレジスト層に囲まれるパターン部分にのみ
に端子を形成するものなので、端子を柱状に形成するこ
とができる。
【００１４】このことにより、レジスト層を取り除いて
も端子の下部に空洞が形成されることはなく、その後に
成膜する保護膜のステップカバレッジを良好にすること
ができる。さらに端子の幅はレジスト層で規定されるの
で、端子の大きさを制限しやすい。さらにまた、端子は
柱状であるために、端子の横断面積は一定で端子の上面
への露出面積を一定に保つことができる。
も端子の下部に空洞が形成されることはなく、その後に
成膜する保護膜のステップカバレッジを良好にすること
ができる。さらに端子の幅はレジスト層で規定されるの
で、端子の大きさを制限しやすい。さらにまた、端子は
柱状であるために、端子の横断面積は一定で端子の上面
への露出面積を一定に保つことができる。
【００１５】
【実施例】本実施例のボンディングパッドの形成方法を
図１ないし図４を用いて説明する。下地５１上の下部端
子４１の形成される位置を除いてレジスト層５５をパタ
ーニングする。この時、レジスト層５５は下部端子４１
の最終的な高さ(本実施例では約６０μm)よりも厚くす
ることが必要である。即ちレジスト層５５の膜厚は７０
〜８０μmが好ましい。またレジストには感光性ドライ
フィルムレジスト(オーディル:ＳＥ２３８(東京応化工
業(株)))等が適用できる。またレジスト層の厚みが１層
では上記条件に対して不足の場合には、複数回の重ね塗
りをしてもかまわない。
図１ないし図４を用いて説明する。下地５１上の下部端
子４１の形成される位置を除いてレジスト層５５をパタ
ーニングする。この時、レジスト層５５は下部端子４１
の最終的な高さ(本実施例では約６０μm)よりも厚くす
ることが必要である。即ちレジスト層５５の膜厚は７０
〜８０μmが好ましい。またレジストには感光性ドライ
フィルムレジスト(オーディル:ＳＥ２３８(東京応化工
業(株)))等が適用できる。またレジスト層の厚みが１層
では上記条件に対して不足の場合には、複数回の重ね塗
りをしてもかまわない。
【００１６】その後、硫酸銅浴中で電解メッキにて銅を
析出させて図１に示すように下部端子４１をレジスト層
５５の間に形成する。
析出させて図１に示すように下部端子４１をレジスト層
５５の間に形成する。
【００１７】そしてレジスト層５５を溶剤で溶かして除
去し、図２のように柱状の下部端子４１を形成する。さ
らにアルミナなどをスパッタして第２保護膜４６を成膜
する。(図３)その後、上面を研摩して図４のように下部
端子４１を所定量露出させるとともに上面を平坦化す
る。
去し、図２のように柱状の下部端子４１を形成する。さ
らにアルミナなどをスパッタして第２保護膜４６を成膜
する。(図３)その後、上面を研摩して図４のように下部
端子４１を所定量露出させるとともに上面を平坦化す
る。
【００１８】本実施例の形成方法によれば、下部端子４
１の下部周縁に従来の部位５８のような凹部などがない
ので、第２保護膜４６をスパッタした場合に下部端子４
１の周縁下方に空洞が生じることがなく、第２保護膜４
６のステップカバレッジを良好にすることができ、ヘッ
ドの信頼性が高いものである。
１の下部周縁に従来の部位５８のような凹部などがない
ので、第２保護膜４６をスパッタした場合に下部端子４
１の周縁下方に空洞が生じることがなく、第２保護膜４
６のステップカバレッジを良好にすることができ、ヘッ
ドの信頼性が高いものである。
【００１９】また下部端子４１の幅が一定になっている
ために、必要以上に下部端子４１の幅が広がることはな
く、ボンディングパッドが複数形成された場合の各ボン
ディングパッド間の距離を狭めることが可能となり、ボ
ンディングパッドの形成されるスライダひいては薄膜磁
気ヘッドの小型化を実現できる。
ために、必要以上に下部端子４１の幅が広がることはな
く、ボンディングパッドが複数形成された場合の各ボン
ディングパッド間の距離を狭めることが可能となり、ボ
ンディングパッドの形成されるスライダひいては薄膜磁
気ヘッドの小型化を実現できる。
【００２０】さらに下地膜５０に平行な下部端子４１の
横断面は下部端子４１の高さに拘わらず一定であるため
に、下部端子４１の表面への露出面積を一定にすること
が容易であり、ワイヤとの接触面積を十分に確保するこ
とができるので、ワイヤボンディングをより安定化でき
る。
横断面は下部端子４１の高さに拘わらず一定であるため
に、下部端子４１の表面への露出面積を一定にすること
が容易であり、ワイヤとの接触面積を十分に確保するこ
とができるので、ワイヤボンディングをより安定化でき
る。
【００２１】尚、本実施例では薄膜磁気ヘッドに形成さ
れるボンディングパッドに適用したが、ＬＳＩ等の他の
電子機器等にも適用できることは勿論である。
れるボンディングパッドに適用したが、ＬＳＩ等の他の
電子機器等にも適用できることは勿論である。
【００２２】
【発明の効果】本発明のボンディングパッドの形成方法
は、レジスト層を端子の形成部分を除いて、かつ形成さ
れる端子の膜厚よりも厚く形成し、端子の形成部分に導
電体を析出して端子を形成し、レジスト層を取り除いた
後に保護膜を成膜し、上面を研摩して前記端子を所定量
露出するものなので、端子は柱状に形成され、レジスト
層を取り除いた際に、端子の下部に空洞が形成されるこ
とはなく、その後に成膜する保護膜のステップカバレッ
ジを良好にすることができ、成膜状態が優れるものであ
る。
は、レジスト層を端子の形成部分を除いて、かつ形成さ
れる端子の膜厚よりも厚く形成し、端子の形成部分に導
電体を析出して端子を形成し、レジスト層を取り除いた
後に保護膜を成膜し、上面を研摩して前記端子を所定量
露出するものなので、端子は柱状に形成され、レジスト
層を取り除いた際に、端子の下部に空洞が形成されるこ
とはなく、その後に成膜する保護膜のステップカバレッ
ジを良好にすることができ、成膜状態が優れるものであ
る。
【００２３】さらに端子の幅はレジスト層で規定されて
いるので、端子の大きさを制限しやすく、ボンディング
パッドが複数形成される場合にも各ボンディングパッド
間の距離を狭めることができ、ボンディングパッドの形
成される装置を小型化することができるものである。
いるので、端子の大きさを制限しやすく、ボンディング
パッドが複数形成される場合にも各ボンディングパッド
間の距離を狭めることができ、ボンディングパッドの形
成される装置を小型化することができるものである。
【００２４】さらにまた、端子は柱状であるために、上
面を研摩して端子を露出する際の上面への露出面積を一
定に保つことができ、ワイヤーボンディングを安定化す
るものである。
面を研摩して端子を露出する際の上面への露出面積を一
定に保つことができ、ワイヤーボンディングを安定化す
るものである。
【図１】本実施例のボンディングパッドの形成方法を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図２】本実施例のボンディングパッドの形成方法を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図３】本実施例のボンディングパッドの形成方法を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図４】本実施例のボンディングパッドの形成方法を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図５】薄膜磁気ヘッドの斜視図である。
【図６】従来例のボンディングパッドの断面図である。
【図７】従来例のボンディングパッドの形成方法を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
【図８】従来例のボンディングパッドの形成方法を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
【図９】従来例のボンディングパッドの形成方法を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
【図１０】従来例のボンディングパッドの形成方法を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
３２ ボンディングパッド ３４ ボンディングパッド ３６ ボンディングパッド ３８ ボンディングパッド ４０ 下部端子 ４１ 下部端子 ４６ 第２保護膜 ４８ リード線 ５１ 下地 ５４ レジスト層 ５５ レジスト層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 保護膜に囲まれてリード線を接続する端
子を下地上に有したボンディングパッドの形成方法にお
いて、下地上にレジスト層を前記端子の形成部分を除
き、かつ形成される端子の膜厚よりも厚く形成し、上記
下地上のレジスト層を形成していない部分に導電体から
なる端子を形成し、前記レジスト層を取り除いた後に保
護膜を成膜し、次いでこの保護膜の上面を研摩して前記
端子を所定量露出することを特徴とするボンディングパ
ッドの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP875191A JPH0512624A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | ボンデイングパツドの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP875191A JPH0512624A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | ボンデイングパツドの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0512624A true JPH0512624A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=11701634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP875191A Pending JPH0512624A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | ボンデイングパツドの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0512624A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63127411A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-31 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドのリ−ド端子形成方法 |
| JPH03154214A (ja) * | 1989-11-10 | 1991-07-02 | Fujitsu Ltd | 導体パターン形成方法と磁気ヘッドの製造方法 |
-
1991
- 1991-01-28 JP JP875191A patent/JPH0512624A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63127411A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-31 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドのリ−ド端子形成方法 |
| JPH03154214A (ja) * | 1989-11-10 | 1991-07-02 | Fujitsu Ltd | 導体パターン形成方法と磁気ヘッドの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980106 |