JP2873409B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JP2873409B2 JP2873409B2 JP16376291A JP16376291A JP2873409B2 JP 2873409 B2 JP2873409 B2 JP 2873409B2 JP 16376291 A JP16376291 A JP 16376291A JP 16376291 A JP16376291 A JP 16376291A JP 2873409 B2 JP2873409 B2 JP 2873409B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク等に用い
られる薄膜磁気ヘッドの製造方法に関するものである。
られる薄膜磁気ヘッドの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来における薄膜磁気ヘッドにおいて、
外部との信号の連結は、図３に示す様に、薄膜磁気ヘッ
ドの信号を外部と連結する電極１４と、前記電極１４と
反対側表面に、外部からのリード部との導通部１５ａを
設けたバンプ１５とを経由して行っている。そして、前
記バンプ１５の導通部１５ａを除いた他の部分は、保護
膜１６によって覆われている。前記バンプ１５は、良導
電材料である、主として銅（Ｃｕ）から成り、このＣｕ
から成るバンプ１５に対する防食、及びリード部との接
着性向上のため、バンプ１５表面における導通部１５ａ
及びこの周辺の保護膜１６の表面は、防食性及び延伸性
に優れ、良導電材料である金材料（Ａｕ）から成るボン
ディングパッド１９によって覆われていた。
外部との信号の連結は、図３に示す様に、薄膜磁気ヘッ
ドの信号を外部と連結する電極１４と、前記電極１４と
反対側表面に、外部からのリード部との導通部１５ａを
設けたバンプ１５とを経由して行っている。そして、前
記バンプ１５の導通部１５ａを除いた他の部分は、保護
膜１６によって覆われている。前記バンプ１５は、良導
電材料である、主として銅（Ｃｕ）から成り、このＣｕ
から成るバンプ１５に対する防食、及びリード部との接
着性向上のため、バンプ１５表面における導通部１５ａ
及びこの周辺の保護膜１６の表面は、防食性及び延伸性
に優れ、良導電材料である金材料（Ａｕ）から成るボン
ディングパッド１９によって覆われていた。
【０００３】このボンディングパッド１９は、薄膜技術
により、基体１２上に電極１４、バンプ１５、保護膜１
６が形成された後、保護膜１６の研磨によって現れた導
通部１５ａの表面に、Ａｕがスパッタリング等によって
付着形成されたものである。
により、基体１２上に電極１４、バンプ１５、保護膜１
６が形成された後、保護膜１６の研磨によって現れた導
通部１５ａの表面に、Ａｕがスパッタリング等によって
付着形成されたものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構成の
薄膜磁気ヘッドにおいて、Ａｕから成るボンディングパ
ッドによって覆われる部分を、バンプ表面の導通部と一
致させることは、製造技術上困難であり、ボンディング
パッドが、どうしても導通部周辺の保護膜にかかってい
た。そして、この部分におけるボンディングパッドと保
護膜との接着性の悪さにより、ボンディングパッドのハ
ガレが起こり易いという問題があり、このハガレを起こ
すボンディングパッドそのものの形成を無くしたいとい
う強い要望があった。
薄膜磁気ヘッドにおいて、Ａｕから成るボンディングパ
ッドによって覆われる部分を、バンプ表面の導通部と一
致させることは、製造技術上困難であり、ボンディング
パッドが、どうしても導通部周辺の保護膜にかかってい
た。そして、この部分におけるボンディングパッドと保
護膜との接着性の悪さにより、ボンディングパッドのハ
ガレが起こり易いという問題があり、このハガレを起こ
すボンディングパッドそのものの形成を無くしたいとい
う強い要望があった。
【０００５】このようなボンディングパッドを設けない
技術として、特開昭６３−１８７４１２号が知られてい
るが、これは製造途中においてＣｕからなるバンプの表
面に耐酸化薄膜をメッキして、その後に形成される絶縁
保護膜との密着性を図った後、研磨により上記バンプの
表面を露出させて外部リード線との接続を行うというも
のであり、導通部となるバンプの上面露出部は前述の従
来例と同様にＣｕとなっているため防食性、延伸性に欠
けるといる問題を有している。
技術として、特開昭６３−１８７４１２号が知られてい
るが、これは製造途中においてＣｕからなるバンプの表
面に耐酸化薄膜をメッキして、その後に形成される絶縁
保護膜との密着性を図った後、研磨により上記バンプの
表面を露出させて外部リード線との接続を行うというも
のであり、導通部となるバンプの上面露出部は前述の従
来例と同様にＣｕとなっているため防食性、延伸性に欠
けるといる問題を有している。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法は、基
体上にＣｕからなる電極を形成する工程、前記電極上に
レジスト膜をコーティングし、バンプが形成される領域
のレジスト膜を除去するように前記レジスト膜をパター
ニングする工程、前記パターニングによりレジスト膜が
除去された領域にＣｕの電解メッキにより周辺に前記レ
ジスト膜上にオーバーハング部分が残るようにバンプ下
層を形成する工程、Ａｕの電解メッキにより前記バンプ
下層を覆うようにバンプ上層を形成する工程、前記レジ
スト膜を剥離した後に、前記バンプ上、下層全体を覆う
ように保護膜を形成する工程、前記保護膜を研磨して前
記バンプ上層の一部を露出させる工程、を含むことを特
徴とするものである。
めに、本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法は、基
体上にＣｕからなる電極を形成する工程、前記電極上に
レジスト膜をコーティングし、バンプが形成される領域
のレジスト膜を除去するように前記レジスト膜をパター
ニングする工程、前記パターニングによりレジスト膜が
除去された領域にＣｕの電解メッキにより周辺に前記レ
ジスト膜上にオーバーハング部分が残るようにバンプ下
層を形成する工程、Ａｕの電解メッキにより前記バンプ
下層を覆うようにバンプ上層を形成する工程、前記レジ
スト膜を剥離した後に、前記バンプ上、下層全体を覆う
ように保護膜を形成する工程、前記保護膜を研磨して前
記バンプ上層の一部を露出させる工程、を含むことを特
徴とするものである。
【０００７】
【作用】上述の様な構成によれば、バンプ自体の露出さ
れた導通部がＡｕで形成されていることによって、バン
プに対する防食、及び外部端子からのリード部との良好
な接着性が得られ、これによってバンプの露出された導
通部面にボンディングパッドを形成することが不要にな
る。
れた導通部がＡｕで形成されていることによって、バン
プに対する防食、及び外部端子からのリード部との良好
な接着性が得られ、これによってバンプの露出された導
通部面にボンディングパッドを形成することが不要にな
る。
【０００８】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面を参照して具体
的に説明する。
的に説明する。
【０００９】本発明によって製造された薄膜磁気ヘッド
の一例を、図面を参照して説明する。
の一例を、図面を参照して説明する。
【００１０】図１に示す様に、薄膜磁気ヘッド１は、例
えばＡｌ２Ｏ３から成る基体２の上に設けられた磁気ヘ
ッド素子３と、磁気ヘッド素子３の信号を外部と連結す
る良導電材料であるＣｕから成る電極４と、この電極４
表面に形成されたバンプ５と、図示されないリード部を
接続するための導通部５ｃ部分を除く他の部分を覆う例
えばＡｌ２Ｏ３から成る保護膜６とから構成されてい
る。前記電極４を経由する磁気ヘッド素子３の信号は、
前記導通部５ｃに接続される外部端子からのリード部に
よって外部端子へ連結される。
えばＡｌ２Ｏ３から成る基体２の上に設けられた磁気ヘ
ッド素子３と、磁気ヘッド素子３の信号を外部と連結す
る良導電材料であるＣｕから成る電極４と、この電極４
表面に形成されたバンプ５と、図示されないリード部を
接続するための導通部５ｃ部分を除く他の部分を覆う例
えばＡｌ２Ｏ３から成る保護膜６とから構成されてい
る。前記電極４を経由する磁気ヘッド素子３の信号は、
前記導通部５ｃに接続される外部端子からのリード部に
よって外部端子へ連結される。
【００１１】図１におけるＸ−Ｘ′断面を拡大したもの
を図２に示す様に、電極４上に形成されたバンプ５は、
この電極４と反対側の導通部５ｃが保護膜６表面に露出
されている。又、バンプ５は、電極４側に位置するバン
プ下層５ａと、バンプ下層５ａを覆う様に形成されたバ
ンプ上層５ｂとの２層から成る。そして、バンプ上層５
ｂの一部は保護膜６表面に露出され導通部５ｃとなって
いる。バンプ下層５ａは良導電材料である、例えばＣｕ
で形成され、バンプ下層５ａ上のバンプ上層５ｂは、良
導電材料であるＡｕから形成されている。この構成によ
り、バンプ５においてΛｕで形成されたバンプ上層５ｂ
部分は露出されているが、バンプ下層５ａはバンプ上層
５ｂによって覆われ露出されない。。
を図２に示す様に、電極４上に形成されたバンプ５は、
この電極４と反対側の導通部５ｃが保護膜６表面に露出
されている。又、バンプ５は、電極４側に位置するバン
プ下層５ａと、バンプ下層５ａを覆う様に形成されたバ
ンプ上層５ｂとの２層から成る。そして、バンプ上層５
ｂの一部は保護膜６表面に露出され導通部５ｃとなって
いる。バンプ下層５ａは良導電材料である、例えばＣｕ
で形成され、バンプ下層５ａ上のバンプ上層５ｂは、良
導電材料であるＡｕから形成されている。この構成によ
り、バンプ５においてΛｕで形成されたバンプ上層５ｂ
部分は露出されているが、バンプ下層５ａはバンプ上層
５ｂによって覆われ露出されない。。
【００１２】これによって、バンプ５に対する防食、及
び外部端子からのリード部との良好な接着性が得られる
と共に、バンプ５の露出側表面にボンディングパッドを
形成することが不要になる。
び外部端子からのリード部との良好な接着性が得られる
と共に、バンプ５の露出側表面にボンディングパッドを
形成することが不要になる。
【００１３】上記構成の薄膜磁気ヘッド１は次の様に製
造される。
造される。
【００１４】先ず、Ａｌ２Ｏ３から成る基体２の上に磁
気ヘッド素子３の形成と同時にＣｕから成る電極４が、
薄膜技術によりパターン形成される。この上にＣｕをス
パッタリング付着させることによって電極膜が形成され
る。この電極膜は、バンプ５が電解メッキにより形成さ
れる際に、基体２周辺部からの通電用として使用される
ものである。次に、この上にレジスト膜７がコーティン
グされ、電極４の上にバンプ５が形成される領域を除去
する様にパターンニングされる。そして、前記電極膜上
にＣｕを電解メッキすることにより、電極４の上におい
て例えば厚み３０μｍ程度のバンプ下層５ａがレジスト
膜７の上にオーバーハングするように形成される。つい
でＡｕを電解メッキすることによりバンプ下層５ａの上
を覆うように例えば厚み２０μｍ程度のバンプ上層５ｂ
が形成される。次にレジスト膜が剥離され、ミリングに
より電極膜の不要部分が除去された後、これ等全表面に
Ａｌ２Ｏ３がスパッタリングにより付着され、保護膜６
が形成される。そして、所定の厚み（例えば５０μｍ程
度）を残して保護膜６が研磨されることにより、保護膜
６表面に防食性及び延伸性に優れた良導電材料であるＡ
ｕで形成されたバンプ上層５ｂの一部が露出される。
気ヘッド素子３の形成と同時にＣｕから成る電極４が、
薄膜技術によりパターン形成される。この上にＣｕをス
パッタリング付着させることによって電極膜が形成され
る。この電極膜は、バンプ５が電解メッキにより形成さ
れる際に、基体２周辺部からの通電用として使用される
ものである。次に、この上にレジスト膜７がコーティン
グされ、電極４の上にバンプ５が形成される領域を除去
する様にパターンニングされる。そして、前記電極膜上
にＣｕを電解メッキすることにより、電極４の上におい
て例えば厚み３０μｍ程度のバンプ下層５ａがレジスト
膜７の上にオーバーハングするように形成される。つい
でＡｕを電解メッキすることによりバンプ下層５ａの上
を覆うように例えば厚み２０μｍ程度のバンプ上層５ｂ
が形成される。次にレジスト膜が剥離され、ミリングに
より電極膜の不要部分が除去された後、これ等全表面に
Ａｌ２Ｏ３がスパッタリングにより付着され、保護膜６
が形成される。そして、所定の厚み（例えば５０μｍ程
度）を残して保護膜６が研磨されることにより、保護膜
６表面に防食性及び延伸性に優れた良導電材料であるＡ
ｕで形成されたバンプ上層５ｂの一部が露出される。
【００１５】これによって、バンプ５に対する防食、及
びリード部との良好な接着性が得られる薄膜磁気ヘッド
１が形成される。
びリード部との良好な接着性が得られる薄膜磁気ヘッド
１が形成される。
【００１６】
【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、保護膜表
面のバンプの露出面が耐食性、接着性に優れているＡｕ
材料からなるのでボンディングパッドを形成することが
不要となるため、ボンディングパッドのハガレという問
題が無くなると共に、薄膜磁気ヘッドを生産する上にお
いて生産性の向上が図れる。また、バンプを２層構造と
し、バンプ下層はオーバーハングさせて形成するので、
多量のメッキを行うことにより十分な厚みを持たせるこ
とができ、その上に形成されるＡｕ層の厚みを薄くする
等の調整が容易となり、生産性の向上を一層図ることが
できる。しかも、バンプ下層を形成する際に用いたレジ
スト膜をそのままにしてバンプ上層を形成することがで
きるので、バンプ上層となるＡｕ層の厚みを任意の厚さ
に設定できるという利点を有している。
面のバンプの露出面が耐食性、接着性に優れているＡｕ
材料からなるのでボンディングパッドを形成することが
不要となるため、ボンディングパッドのハガレという問
題が無くなると共に、薄膜磁気ヘッドを生産する上にお
いて生産性の向上が図れる。また、バンプを２層構造と
し、バンプ下層はオーバーハングさせて形成するので、
多量のメッキを行うことにより十分な厚みを持たせるこ
とができ、その上に形成されるＡｕ層の厚みを薄くする
等の調整が容易となり、生産性の向上を一層図ることが
できる。しかも、バンプ下層を形成する際に用いたレジ
スト膜をそのままにしてバンプ上層を形成することがで
きるので、バンプ上層となるＡｕ層の厚みを任意の厚さ
に設定できるという利点を有している。
【図１】本発明に係わる薄膜磁気ヘッドの部分的に破断
された拡大斜視図である。
された拡大斜視図である。
【図２】図１に示す薄膜磁気ヘッドのＸ−Ｘ′断面拡大
図である。
図である。
【図３】従来の薄膜磁気ヘッドの構成を説明するための
要部断面図である。
要部断面図である。
１ 薄膜磁気ヘッド ２ 基体 ３ 磁気ヘッド素子 ４ 電極 ５ バンプ ６ 保護膜
Claims (1)
- 【請求項１】基体上にＣｕからなる電極を形成する工
程、 前記電極上にレジスト膜をコーティングし、バンプが形
成される領域のレジスト膜を除去するように前記レジス
ト膜をパターニングする工程、 前記パターニングによりレジスト膜が除去された領域に
Ｃｕの電解メッキにより周辺に前記レジスト膜上にオー
バーハング部分が残るようにバンプ下層を形成する工
程、 Ａｕの電解メッキにより前記バンプ下層を覆うようにバ
ンプ上層を形成する工程、 前記レジスト膜を剥離した後に、前記バンプ上、下層全
体を覆うように保護膜を形成する工程、 前記保護膜を研磨して前記バンプ上層の一部を露出させ
る工程、 を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16376291A JP2873409B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16376291A JP2873409B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04362507A JPH04362507A (ja) | 1992-12-15 |
| JP2873409B2 true JP2873409B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=15780227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16376291A Expired - Fee Related JP2873409B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2873409B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5886877A (en) | 1995-10-13 | 1999-03-23 | Meiko Electronics Co., Ltd. | Circuit board, manufacturing method therefor, and bump-type contact head and semiconductor component packaging module using the circuit board |
| JP3363832B2 (ja) | 1999-05-13 | 2003-01-08 | アルプス電気株式会社 | 薄膜構造体およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-06-07 JP JP16376291A patent/JP2873409B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04362507A (ja) | 1992-12-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19981104 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
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