JPH03252908A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、薄膜磁気ヘットに関し、コイル導体膜に接続
されるリード導体膜のうち、少なくとも、取出電極が形
成される領域の表面層を銅膜て構成し、取出電極を銅膜
の上に形成することにより、基体とリード導体膜との間
に生しるストレスを小さくし、取出電極剥離を生じにく
い薄膜磁気ヘッドを提供できるようにしたものである。

〈従来の技術〉 第１０図は従来よりよく知られているｔＶ膜磁気ヘット
の要部の斜視図、第１１図は同しく要部の拡大断面図、
第１２図は取出電極部分の拡大断面図である。これらの
図において、１はセラミツつて構成された基体、２は下
部磁性膜、３はアルミナ等でなるキャップ膜、４は上部
磁性膜、５はコイル導体膜、６はノボラック樹脂等の有
機樹脂て構成された絶縁膜、７．８はリード導体膜、９
．１０は取出電極、１１は各部を覆うアルミナ等の保護
膜である。

基体１は、スライダとなる部分てあって、Ａｌ２Ｏ３−
ＴｉＣ等てなる主部１０１の表面にＡｌ２Ｏ３等の絶縁
膜１０２を被着させたセラミック構造体となっている。

下部磁性膜２及び上部磁性膜４の先端部は、微小厚みの
ギャップ膜３を隔てて対向するボール部２１．４１とな
っており、ボール部２１．４１において読み書きを行な
う。２２．４２はヨーク部てあり、ボール部２１．４１
とは反対側の端部で結合させである。

絶縁膜６は複数層から構成されていて、絶縁膜６の上に
、ヨーク部２２．４２の結合部のまわりを渦巻状にまわ
るように、コイル導体膜５を形成しである。コイル導体
膜５は、通常、下地膜の上に銅膜をメツキ等の手段によ
って付着させた構造となっている。

リード導体膜７．８は銅膜７１．８１の上にパーマロイ
（Ｎｉ−Ｆｅ）膜７２．８２を被着させた構造となって
いる。銅膜７１．８１はコイル導体膜５１を形成する工
程において同時に形成されるものてあり、パーマロイ＠
７２．８２は上部磁性膜４のメツキ工程において同時に
形成される。パーマロイ膜７２．８２は、主として、イ
オンミーリング等の製造工程において、銅＠７１．８１
の膜減りを防止するために設けられている。

取出室Ｍ１９．１０は、当業者間ではバンプと呼ばれて
いるものであって、後でリード線等の外部導体か接続さ
れる。取出電極９．１０は銅メツキ膜としてリード導体
膜７．８を構成するパーマロイ膜７２．８２の上に形成
される。

〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、パーマロイ膜７２．８２の上に、取出室
Ｖｉ９．１０を形成した従来の薄膜磁気ヘットでは、取
出’ｔＶｉ９．１０が剥離してしまうどう事故がしばし
ば生した。特に、Ａ１２０３−Ｔｉｃてなる主部１０１
の表面にＡｌ２Ｏ３の絶縁膜１０２を被着させた構造の
薄膜磁気ヘットにおいては、取出電極９．１０の下方領
域において、絶縁膜１０２が付着した状態て、取出’ｔ
Ｖｉ９．１０か剥離する事故かしはしは見られた。剥離
の主原因は、取出電極９．１０を構成する銅バンブの熱
応力と、パーマロイ膜７２．８２の引っ張り応力にある
と考えられる。即ち、取出電極９．１０を構成する銅バ
ンブの引っ張り応力Ｐ１及びパーマロイ＠７２．８２の
引っ張り応力Ｐ２の影響を受けて、絶縁膜１０２にクラ
ックＡが発生するというものである。絶縁膜１０２とし
て、Ａｌ２Ｏ３を使用した場合には、圧縮応力Ｐ３が生
じるため、引っ張り応力ＰＩ、Ｐ２と圧縮応力Ｐ３との
相互作用により、ますますクラックか入り易くなる。

パーマロイ膜７２．８２を除去して、その引っ張り応力
による電極剥離を防止しようとすると、銅膜７１．８１
がイオンミーリング等のドライエツチングに曝れて膜減
りを起こし、断線もしくは電気抵抗増大を招く。

そこて、本発明の課題は、上述する従来の問題点を解決
し、基体とリード導体膜との間に生しるストレスを小さ
くし、取出電極剥離を防止し得る薄膜磁気ヘットを提供
することにある。

〈課題を解決するための手段〉 上述した課題解決のため、本発明に係る薄膜磁気ヘット
は、基体上に、磁性膜及びコイル導体膜を含む薄膜磁気
変換素子と、前記コイル導体膜に導通させたリード導体
膜と、前記リード導体膜上に形成された取出電極とを有
する薄膜磁気ヘットであって、 前記リード導体膜は、少なくとも前記取出電極を形成す
る領域の表面層が銅膜となっており、前記取出電極は、
前記銅膜の上に設りられていること を特徴とする。

〈作用〉 リード導体膜は取出電極を形成する領域の表面層が銅膜
であり、取出電極は銅膜の上に設けられていて、取出電
極の位置する領域には引っ張り応力の発生原因となるパ
ーマロイ膜が存在しない。

しかも、取出電極の熱応力はリード導体膜の展性により
吸収される。このため、基体表面層におけるクラック、
それに伴う電極剥離か生しにくくなる。

リード導体膜は、取出電極を形成した領域外の部分か、
レジスト膜もしくは磁性膜と実質的に同の組成を有する
膜によって覆う。こうすることにより、製造工程中おけ
るイオンミーリング等のドライエツチングによる膜減り
が防止され、所定の膜厚及び電気抵抗のリード導体膜を
有する薄膜磁気ヘッドが得られる。

リード導体膜を、磁性膜と実質的に同一の組成を有する
膜、例えばパーマロイによって覆った場合、取出電極を
形成した領域外であるのて、パーマロイ膜の引っ張り応
力による取出電極剥離を生しることはない。

本発明は、面内記録再生用薄膜磁気ヘッドに限らず、垂
直記録再生用薄膜磁気ヘッドにも適用が可能である。

〈実施例〉 第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図、第２図
は同じく取出電極部分の拡大断面図である。図において
、第１０図〜第１２図と同一の参照符号は同一性ある構
成部分を示している。図示するように、リード導体膜７
．８は取出電極を形成する領域の表面層が銅膜７１．８
１となっており、取出電極９．１０は銅膜７１．８１の
上に設けられている。図示はされていないか、銅膜７１
．８１は下地膜を有する。

１２はフォトレジスト等によるレジスト膜である。リー
ド導体膜７．８は、取出電極９．１ｏを形成した領域外
の部分か、このレジスト膜１２によって覆われている。

レジスト＠１２の代りに、磁性膜４と実質的に同一の組
成を有するパーマロイ膜を用いることもできる。

上述のように、取出電極９．１０の位置する領域には引
っ張り応力の発生原因となるパーマロイ膜が存在しない
。このため、基体１の表面層となる絶縁膜１０２におけ
るクラック、それに伴う電極剥離を確実に防止できるよ
うになる。

しかも、リード導体膜７．８は、取出１Ｈ８ｉ９．１０
を形成した領域外の部分が、レジスト膜１２によって覆
われているのて、製造工程中におけるイオンミーリング
等のドライエツチングによる膜減りか防止される。

上述のような構造を有するリード導体膜７．８及び取出
電極９．１０は、この種の薄膜磁気ヘット製造工程にお
いて周知のパターン形成技術によって簡単に製造できる
。第３図〜第９図にその１例を示す。第３図〜第９図で
は１つの薄膜磁気変換素子を示しているだけであるが、
薄膜磁気ヘット製造工程は、基体１をウェハーとして、
薄膜磁気変換素子を多数個整列した状態て、工程が進め
られる。

まず、第３図の工程では、ウェハーである基体１上に下
部磁性膜２、ギャップ膜３、コイル導体膜５及び眉間の
絶縁膜６等を形成した後、上部磁性膜を形成する前に、
銅膜７１．８１の上に、取出電極用のパターンＰ１が生
しるようにパ−マロイ膜されたレジスト膜１２を形成す
る。このレジスト膜１２は絶縁膜６と同時に形成しても
よいし、別工程で形成してもよい。

次に、第４図に示すように、取出電極用のパターンＰ１
をマスク１３した上て、上部磁性膜４を形成する。

次に、第５図に示すように、マスク１３を除去すると共
に、薄膜磁気変換素子の上に保護用としてレジストマス
ク１４を付着させる。

次に、第６図に示すように、銅メツキ処理を行なうこと
により、レジスト膜１２によって画定されたパターンＰ
１内の銅膜７１．８１上に銅メツキ膜を成長させる。こ
れにより、銅膜７１．８１の上に銅メツキ膜でなる取出
電極９．１ｏが形成される。

この後、第７図に示すようにレジストマスク１４を除去
した後、第８図に示すように、保護膜１１をスパッタリ
ング等の手段によって形成し、次に第９図に示すように
、保護膜１１の表面を研磨して、取出電極９．１ｏの面
出しを行なう。

レジスト膜１２の代りに、磁性膜４と実質的に同一の組
成を有するパーマロイ膜を用いる場合も、当業者にとっ
て容易に憇到し得る少しの変更を伴うたけて製造できる
。

上述した製造方法は１例てあり、種々の製造力？去をと
り得ることはいうまてもない。

〈発明の効果〉 以上述べたように、本発明によれは、次のような効果が
得られる。

（ａ）コイル導体膜に導通ずるリード導体膜は、取出電
極を形成する領域の表面層が銅膜となっており、取出電
極は前述の銅膜の上に設けられているのて、基体とリー
ド導体膜との間に生しるストレスが小さくし、取出電極
剥離などを生じにくい高信頼度の薄膜磁気ヘッドを提供
てきる。

（ｂ）リード導体膜は、取出電極を形成した領域外の部
分が、レジスト膜もしくは磁性膜と実質的に同一の組成
を有する膜によって覆われているのて、所定の膜厚及び
電気抵抗のリード導体膜を有する薄膜磁気ヘッドを提供
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るＷ＃膜磁気ヘッドの要部の斜視図
、第２図は同じく取出電極部分の拡大断面図、第３図〜
第９図は本発明に係る薄膜磁気ヘットの製造方法の１例
を示す図、第１０図は従来の薄膜磁気ヘットの要部にお
ける斜視図、第１１図は同しく要部の断面図、第１２図
は同じく取出電極部分における拡大断面図である。 １・・・基体　　　　　　２・・・下部磁性膜３・・・
キャップ膜　　　４・・・上部磁性膜５・・・コイル導
体膜　　６・・・絶縁膜７．８・・・リード導体膜 ９．１０・・・取出室８ｉ　１２・・・レジスト膜７１
．８１・・・銅膜

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に、磁性膜及びコイル導体膜を含む薄膜磁
   気変換素子と、前記コイル導体膜に導通させたリード導
   体膜と、前記リード導体膜上に形成された取出電極とを
   有する薄膜磁気ヘッドであって、 前記リード導体膜は、少なくとも前記取出電極を形成す
   る領域の表面層が銅膜となっており、前記取出電極は、
   前記銅膜の上に設けられていること を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. （２）前記リード導体膜は、前記取出電極を形成した領
   域外の部分が、レジスト膜もしくは前記磁性膜と実質的
   に同一の組成を有する膜によって覆われていること を特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。