JPH01173416A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH01173416A JPH01173416A JP33279187A JP33279187A JPH01173416A JP H01173416 A JPH01173416 A JP H01173416A JP 33279187 A JP33279187 A JP 33279187A JP 33279187 A JP33279187 A JP 33279187A JP H01173416 A JPH01173416 A JP H01173416A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electroplating
- magnetic head
- lead wire
- plating
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 23
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 210000004907 gland Anatomy 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は磁気記録再生装置に使用される薄膜磁気ヘッド
に係り、特に、コイル・電極の形成に電気メッキを材用
した薄膜磁気ヘッドに関する。
に係り、特に、コイル・電極の形成に電気メッキを材用
した薄膜磁気ヘッドに関する。
(従来技術とその問題点)
テープレコーダ、磁気ディスク等の磁気記録再生装置に
おいては、薄膜磁気ヘッドを使用することによりトラッ
ク密度を上げ、記録密度を高めることか出来るが、その
反面コイルや電極などの幅を10μrz[(下と矧くす
る必要があり、そのため直流抵抗が大とならない様に前
記コイルや電極等の膜厚を厚くしなければならない。し
かし、厚い電極の膜を微柵に加工することは難かしいた
め、薄く電極の膜でパターン形成したのち、このパター
ンの厚さを電気メッキにより厚くすることが行なわれて
いるが、電気メッキを行うに際して、各コイルや電極等
にメッキ用電流を流すためのメッキ用引き出し線やメッ
キ用電極を形成する必要があった。
おいては、薄膜磁気ヘッドを使用することによりトラッ
ク密度を上げ、記録密度を高めることか出来るが、その
反面コイルや電極などの幅を10μrz[(下と矧くす
る必要があり、そのため直流抵抗が大とならない様に前
記コイルや電極等の膜厚を厚くしなければならない。し
かし、厚い電極の膜を微柵に加工することは難かしいた
め、薄く電極の膜でパターン形成したのち、このパター
ンの厚さを電気メッキにより厚くすることが行なわれて
いるが、電気メッキを行うに際して、各コイルや電極等
にメッキ用電流を流すためのメッキ用引き出し線やメッ
キ用電極を形成する必要があった。
これらのメッキ用引き出し線やメッキ用電極はメッキプ
ロセスには必要ではあるが、磁気ヘッドとして使用する
際には不必要なものであり、メッキ工程が終了後、各ト
ラックを電気的に独立させるにはメッキ用引き出し線や
メッキ用電極をエツヂング技術等を利用して切断する必
要があり、その結果切断工程が余計に増える等の欠点が
あった。
ロセスには必要ではあるが、磁気ヘッドとして使用する
際には不必要なものであり、メッキ工程が終了後、各ト
ラックを電気的に独立させるにはメッキ用引き出し線や
メッキ用電極をエツヂング技術等を利用して切断する必
要があり、その結果切断工程が余計に増える等の欠点が
あった。
また、構造的には、メッキ用引き出し線を切断するため
のスペースを必要とし、高密度記録用の薄膜磁気ヘッド
の製作を妨げる要因の1つとなっていた。
のスペースを必要とし、高密度記録用の薄膜磁気ヘッド
の製作を妨げる要因の1つとなっていた。
(問題点を解決するための手段)
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであ
り、基板上に形成されたコイルまたはそのコイル引き出
し線等からなる第1の導体膜に、電気メッキにより第2
゛の導体膜を被着させてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記電気メッキ用引き出し電極を基板上に形成し、複数
の6ri記第1の導体膜をこの電気メッキ用引き出し電
極に半導体からなる同極のダイオードを介して接続する
ことにより第2の導体膜を被着可能ならしめたことを特
徴とする薄膜磁気ヘッドを提供しようとするものである
。
り、基板上に形成されたコイルまたはそのコイル引き出
し線等からなる第1の導体膜に、電気メッキにより第2
゛の導体膜を被着させてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記電気メッキ用引き出し電極を基板上に形成し、複数
の6ri記第1の導体膜をこの電気メッキ用引き出し電
極に半導体からなる同極のダイオードを介して接続する
ことにより第2の導体膜を被着可能ならしめたことを特
徴とする薄膜磁気ヘッドを提供しようとするものである
。
(実施例)
第1図(a)は本発明になる薄膜磁気ヘッド10の平面
図、同図(b)は同図(a)のI−I切断線に沿った断
面図、同図(C)は同図(b)の要部C拡大図であり、
以下各図を用いて説明する。
図、同図(b)は同図(a)のI−I切断線に沿った断
面図、同図(C)は同図(b)の要部C拡大図であり、
以下各図を用いて説明する。
上図において、11は非磁性材からなる基板、12はメ
ッキ用引き出し線であり、その上に絶縁plA13を介
して磁性材からなる下コアが形成され、下コア14の後
端1/1aを中心にスパイラルコイル15とコイル引き
出しa15aが形成されている。16は上コアであり、
下コア14の後端部14aと磁気的に結合するように、
かつ、先端部において磁気キャップを形成するように下
コア1/Iと対向して設けられ磁気ヘッド部17を構成
している。
ッキ用引き出し線であり、その上に絶縁plA13を介
して磁性材からなる下コアが形成され、下コア14の後
端1/1aを中心にスパイラルコイル15とコイル引き
出しa15aが形成されている。16は上コアであり、
下コア14の後端部14aと磁気的に結合するように、
かつ、先端部において磁気キャップを形成するように下
コア1/Iと対向して設けられ磁気ヘッド部17を構成
している。
18は本発明の要部であるダイオードであり、メッキ引
き出し線12とコイル引き出し815aを電気的に接続
する様に絶縁v13中に埋設されている。
き出し線12とコイル引き出し815aを電気的に接続
する様に絶縁v13中に埋設されている。
ダイオード18はP型半導体18aとN型半導体18b
とを接合してなり、電流を一方行のみに流す礪能を有し
ている。19はスパイラルコイル15の他端部15bか
らのリード線であり、絶縁plQ23に形成された図示
しないスルーホールに充填された導体を介して電気的に
接続されている。
とを接合してなり、電流を一方行のみに流す礪能を有し
ている。19はスパイラルコイル15の他端部15bか
らのリード線であり、絶縁plQ23に形成された図示
しないスルーホールに充填された導体を介して電気的に
接続されている。
第2図は複数の薄膜磁気ヘッドのスパイラルコイルとダ
イオード及びメッキ用引き出し線に関する電気的等価回
路である。同図から明らかな様に、各スパイラルコイル
15.15−1.15−2は、それぞれ一方の引き出し
線15a、 15a−1,1,5a−2とメッキ用引き
出し4!12との間に同極のダイオード18.18−1
.18−2を介して並列に接続されている。従って、ス
パイラルコイル15や引き出し1115aをメッキによ
り厚く被膜するに際し、メッキ用引き出しa12を一つ
の電極どし、ダイオードの順方向に直流電流を流すこと
が出来るから、必要に応じてスパイラルコイル15.1
5−1.15−2の全であるいは一部にメッキを14t
ことが出来る。
イオード及びメッキ用引き出し線に関する電気的等価回
路である。同図から明らかな様に、各スパイラルコイル
15.15−1.15−2は、それぞれ一方の引き出し
線15a、 15a−1,1,5a−2とメッキ用引き
出し4!12との間に同極のダイオード18.18−1
.18−2を介して並列に接続されている。従って、ス
パイラルコイル15や引き出し1115aをメッキによ
り厚く被膜するに際し、メッキ用引き出しa12を一つ
の電極どし、ダイオードの順方向に直流電流を流すこと
が出来るから、必要に応じてスパイラルコイル15.1
5−1.15−2の全であるいは一部にメッキを14t
ことが出来る。
磁気ヘッドして使用するに際しては、各スパイラルコイ
ル15.15−1.15−2同志は極性の異なる2つの
ダイオードの直列(例えば18と18−1.18と18
−2等)を介して接続されたのと等価であるから、各ス
パイラルコイル15゜15−1.15−2間は電気的に
絶縁状態にあるため、各スパイラルコイル15.15−
1゜15−2.とメッキ用引き出し4!;!12とを電
気的に切断する必要はなく、そのまま、磁気ヘッドとし
て使用出来る。
ル15.15−1.15−2同志は極性の異なる2つの
ダイオードの直列(例えば18と18−1.18と18
−2等)を介して接続されたのと等価であるから、各ス
パイラルコイル15゜15−1.15−2間は電気的に
絶縁状態にあるため、各スパイラルコイル15.15−
1゜15−2.とメッキ用引き出し4!;!12とを電
気的に切断する必要はなく、そのまま、磁気ヘッドとし
て使用出来る。
第3図(a)〜(f)は本発明になる薄膜磁気ヘッド1
0の主要製造工程を示す説明図、第4図はウェハー全体
に形成されたメッキ用引き出し線の平面図であり、以下
各図を用いて製造方法の一実施例を説明する。
0の主要製造工程を示す説明図、第4図はウェハー全体
に形成されたメッキ用引き出し線の平面図であり、以下
各図を用いて製造方法の一実施例を説明する。
同図(a)に示す様に、絶縁非磁性材からなる2j板1
1を用意し、この上にNi、Cuなどからなるメッキ引
き出し線12を蒸着等の薄膜形成技術により形成したの
ち、その上にSiO2゜TiO2,AJlzOiなどの
絶縁膜13を前記同様手段により形成する。
1を用意し、この上にNi、Cuなどからなるメッキ引
き出し線12を蒸着等の薄膜形成技術により形成したの
ち、その上にSiO2゜TiO2,AJlzOiなどの
絶縁膜13を前記同様手段により形成する。
このとき、メッキ用引き出しF3112は、第4図に示
す様に、ウェハー20上に例えば長方形の網目状等に形
成してもよい。21はメッキ用電極端子である。
す様に、ウェハー20上に例えば長方形の網目状等に形
成してもよい。21はメッキ用電極端子である。
次に、同図(b)に示す様に、パーマロイ、センダスト
、アモルファス、磁性体など軟磁性体膜を形成し、ウェ
ットまたはドライエツチングの手段により下コア14を
形成する。
、アモルファス、磁性体など軟磁性体膜を形成し、ウェ
ットまたはドライエツチングの手段により下コア14を
形成する。
次に、同図(Ic)に示す様に、絶縁W113にメッキ
引ぎ出し4912に達するスルホール22を設け、この
スルホール22中に、CVD、蒸着、スパッタリング等
の手段により、N型18b及びP型18aのアモルファ
スシリコンを順次積層し、ダイオード18を形成する。
引ぎ出し4912に達するスルホール22を設け、この
スルホール22中に、CVD、蒸着、スパッタリング等
の手段により、N型18b及びP型18aのアモルファ
スシリコンを順次積層し、ダイオード18を形成する。
次に、同図(d)に示す様に、Ni、Cuなどの金属膜
を蒸着したのち、エツチング等の手段により、下コア1
4の一端部14aを中心として、スパイラルコイル15
をコイル引き出しa15aがダイオード18と電気的に
接続する林に形成したのち、このコイル引き出し、?Q
15aを一方の電極としてメッキを行い、スパイラルコ
イル15に金属膜を被着し、スパイラルコイル15の厚
さを厚くする。
を蒸着したのち、エツチング等の手段により、下コア1
4の一端部14aを中心として、スパイラルコイル15
をコイル引き出しa15aがダイオード18と電気的に
接続する林に形成したのち、このコイル引き出し、?Q
15aを一方の電極としてメッキを行い、スパイラルコ
イル15に金属膜を被着し、スパイラルコイル15の厚
さを厚くする。
次に、同図(e)に示す様に、絶縁膜23をスパイラル
コイル15上に形成する。
コイル15上に形成する。
次に、同図(f)に示す様に、nu記上下コア14同様
な方法で上コア16を形成すると共に、図示しないスル
ーホールを介してスパイラルコイル15の一端部15b
と電気的に接続するためのリード線19を形成づること
により、第1図に示す本発明になる薄膜磁気ヘッド10
を得ることが出来る。
な方法で上コア16を形成すると共に、図示しないスル
ーホールを介してスパイラルコイル15の一端部15b
と電気的に接続するためのリード線19を形成づること
により、第1図に示す本発明になる薄膜磁気ヘッド10
を得ることが出来る。
第5図(a)は本発明の他の一実施例であるラダー型5
イルを有するWJrtA磁気ヘッド30の要部を示ず平
面図、同図(b)は同図(a)の■−■切断線に沿った
断面図、同図(C)は同図(b)の要部拡大図であり、
以下各図を用いて説明でる。
イルを有するWJrtA磁気ヘッド30の要部を示ず平
面図、同図(b)は同図(a)の■−■切断線に沿った
断面図、同図(C)は同図(b)の要部拡大図であり、
以下各図を用いて説明でる。
31は基板、32はメッキ用引き出し線、33は、第1
の絶縁膜34にスルーホール35をメッキ用引き出しl
6J32に達する様に設け、このスルーホール35にN
型331)及びP型33aのアモルファスシリコンを順
次積層することにより形成したダイオードである。36
はダイオード33上に設けたラダーフィルの下コイルで
あり、各下コイル36は第2の絶縁層37に形成された
スルーホール38中に設けた導電体39を介して上コイ
ル40と接続され磁気コア41をとりま(ようにラダー
コイルを形成している。
の絶縁膜34にスルーホール35をメッキ用引き出しl
6J32に達する様に設け、このスルーホール35にN
型331)及びP型33aのアモルファスシリコンを順
次積層することにより形成したダイオードである。36
はダイオード33上に設けたラダーフィルの下コイルで
あり、各下コイル36は第2の絶縁層37に形成された
スルーホール38中に設けた導電体39を介して上コイ
ル40と接続され磁気コア41をとりま(ようにラダー
コイルを形成している。
本実施例においては、下コイル36の厚さをメッキによ
り厚くするために、メッキ用引き出し線32を一方のメ
ッキ電極として用0ることが出来る。それ以外に、本実
施例では、下コイル36と上コイル40を接続するスル
ーホール38中の導電体39も前記同様、メッキ用引き
出し線32を一方のメッキ電極として用いることにより
形成出来るという特長を有する。
り厚くするために、メッキ用引き出し線32を一方のメ
ッキ電極として用0ることが出来る。それ以外に、本実
施例では、下コイル36と上コイル40を接続するスル
ーホール38中の導電体39も前記同様、メッキ用引き
出し線32を一方のメッキ電極として用いることにより
形成出来るという特長を有する。
導電体39を形成したのち、前記同様、上コイル40の
厚さをメッキ中により厚くすることが出来ることは古う
までもない。
厚さをメッキ中により厚くすることが出来ることは古う
までもない。
また、磁気ヘッドとして使用するに際して、下コイル3
6同志は互に極性の異なる2つのダイオードを直列に接
続したものを介して接続された状態となっているため、
電気的に絶縁状態にあり、そのままヘッドとして使用す
ることが出来る。
6同志は互に極性の異なる2つのダイオードを直列に接
続したものを介して接続された状態となっているため、
電気的に絶縁状態にあり、そのままヘッドとして使用す
ることが出来る。
(発明の効果)
上述の如く、本発明になる薄膜磁気ヘッドによれば、基
板上に形成されたコイルまたはそのコイル引き出し線等
からなる第1の導体膜に、電気メッキにより第2の導体
膜を被着させてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記電気
メッキ用引き出し電極を基板上に形成し、複数の前記第
1の導体膜をこの電気メッキ用引き出し電極に半導体か
らなる同極のダイオードを介して接続することにより第
2の導体膜を被着可能ならしめた橘成により、メッキ工
程においては、メッキ用引き出し線を一方のメッキ電極
とすることにより第1の導体膜である複数コイル又はそ
の引き出し線に第2の導体膜の被着を可能とすると共に
ヘッドとして使用する際には、各コイル間は互に極性の
異なる2つのダイオードの直列接続を介して接続された
状態にあるから、電気的に絶縁状態にあり、そのますヘ
ッドとして用いることが出来るという特長を有する。
板上に形成されたコイルまたはそのコイル引き出し線等
からなる第1の導体膜に、電気メッキにより第2の導体
膜を被着させてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記電気
メッキ用引き出し電極を基板上に形成し、複数の前記第
1の導体膜をこの電気メッキ用引き出し電極に半導体か
らなる同極のダイオードを介して接続することにより第
2の導体膜を被着可能ならしめた橘成により、メッキ工
程においては、メッキ用引き出し線を一方のメッキ電極
とすることにより第1の導体膜である複数コイル又はそ
の引き出し線に第2の導体膜の被着を可能とすると共に
ヘッドとして使用する際には、各コイル間は互に極性の
異なる2つのダイオードの直列接続を介して接続された
状態にあるから、電気的に絶縁状態にあり、そのますヘ
ッドとして用いることが出来るという特長を有する。
第1図(a)は本発明になる薄膜磁気ヘッドの平面図、
同図(b)は同図(a)のI−I切断線に沿った断面図
、同図(C)は同図(1))の要部Cの拡大図、第2図
は複数の薄膜磁気ヘッドのスパイラルコイルとダイオー
ド及びメッキ用引き出し腺に関する電気的等価回路、第
3図(a)〜(f)は本発明になる薄膜磁気ヘッドの主
要製造工程を示す説明図、第4図はウェハー全体に形成
されたメッキ用引き出し線の平面図、第5図(a)は本
発明の他の一実施例であるラダー型コイルを有する薄膜
磁気ヘッドの要部を示す平面図、同図(b)は同図(a
)の■−■切断線に沿った断面図、同図(C)は同図(
b)の要部拡大図である。 10.30・・・薄膜磁気ヘッド、 11.31・・・基板、 12.32・・・メッキ用引き出し線、14・・・下コ
ア、15・・・スパイラルコイル、 15a・・・コイル引き出し線、16・・・上コア、1
7・・・磁気ヘッド部、18.33・・・ダイオード、
19・・・リードa、35.38・・・スルーホール、
36・・・下コイル、39・・・導電体、40・・・上
コイル。 ’j7f2.図
同図(b)は同図(a)のI−I切断線に沿った断面図
、同図(C)は同図(1))の要部Cの拡大図、第2図
は複数の薄膜磁気ヘッドのスパイラルコイルとダイオー
ド及びメッキ用引き出し腺に関する電気的等価回路、第
3図(a)〜(f)は本発明になる薄膜磁気ヘッドの主
要製造工程を示す説明図、第4図はウェハー全体に形成
されたメッキ用引き出し線の平面図、第5図(a)は本
発明の他の一実施例であるラダー型コイルを有する薄膜
磁気ヘッドの要部を示す平面図、同図(b)は同図(a
)の■−■切断線に沿った断面図、同図(C)は同図(
b)の要部拡大図である。 10.30・・・薄膜磁気ヘッド、 11.31・・・基板、 12.32・・・メッキ用引き出し線、14・・・下コ
ア、15・・・スパイラルコイル、 15a・・・コイル引き出し線、16・・・上コア、1
7・・・磁気ヘッド部、18.33・・・ダイオード、
19・・・リードa、35.38・・・スルーホール、
36・・・下コイル、39・・・導電体、40・・・上
コイル。 ’j7f2.図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に形成されたコイルまたはそのコイル引き出し線
等からなる第1の導体膜に、電気メッキにより第2の導
体膜を被着させてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記電気メッキ用引き出し電極を基板上に形成し複数の
前記第1の導体膜をこの電気メッキ用引き出し電極に半
導体からなる同極のダイオードを介して接続することに
より第2の導体膜を被着可能ならしめたことを特徴とす
る薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33279187A JPH01173416A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33279187A JPH01173416A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01173416A true JPH01173416A (ja) | 1989-07-10 |
Family
ID=18258847
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33279187A Pending JPH01173416A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01173416A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5233956A (en) * | 1991-09-20 | 1993-08-10 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Internal combustion engine |
US5291865A (en) * | 1991-09-13 | 1994-03-08 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Internal combustion engine |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP33279187A patent/JPH01173416A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5291865A (en) * | 1991-09-13 | 1994-03-08 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Internal combustion engine |
US5357925A (en) * | 1991-09-13 | 1994-10-25 | Toyota Jidosha Kabushika Kaisha | Internal combustion engine |
US5233956A (en) * | 1991-09-20 | 1993-08-10 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Internal combustion engine |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3662119A (en) | Thin film magnetic transducer head | |
JPH0731362Y2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよび浮動式磁気ヘッド | |
JPS63177311A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
JPH01173416A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
JPH05250636A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
JP2687374B2 (ja) | 電気的接続を簡単にする磁気ヘッドの製造方法 | |
KR100842780B1 (ko) | 자기 헤드 및 그 제조 방법 | |
JP2551749B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
JPS63187412A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
JPS645368B2 (ja) | ||
JPH01217717A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
JPH0279208A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
JPS62256209A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
JPH04268204A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
JPH04344311A (ja) | 薄膜磁気回路基板及びそれを用いた磁気ヘッド | |
US6091583A (en) | Planar silicon head with structure protected from overcurrent/overvoltage | |
JPH0241802B2 (ja) | ||
JPS6035317A (ja) | 薄膜磁気変換器ヘッドの製造方法 | |
JPS60150216A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
JPH1091917A (ja) | 記録/読み出しマトリックス型磁気ヘッド及びその製造方法 | |
JP2809466B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
JPS5856162B2 (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
JPS6190315A (ja) | 多素子薄膜ヘツド | |
JPH0354711A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
JPH05182140A (ja) | 薄膜磁気ヘッド |