JPS58197750A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPS58197750A JPS58197750A JP8200882A JP8200882A JPS58197750A JP S58197750 A JPS58197750 A JP S58197750A JP 8200882 A JP8200882 A JP 8200882A JP 8200882 A JP8200882 A JP 8200882A JP S58197750 A JPS58197750 A JP S58197750A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装−の内部配線構造及びその製造方法
に関するものである。
に関するものである。
従来、半導体装置の内部配線の製造方法としては、半導
体装置表向に内部配線金−を蒸着しそれを写真製版する
方法、或いは半導体表面に除光性ＮＭ等により内部配線
パターンを形成した後、内部配線金属を蒸着ししかる後
感光性樹脂等を除去する時に同時に感光性樹脂等の上の
内部配線金−をも除去し内部配線を形成するいわゆる１
ワツトオフ法′等がめった。
体装置表向に内部配線金−を蒸着しそれを写真製版する
方法、或いは半導体表面に除光性ＮＭ等により内部配線
パターンを形成した後、内部配線金属を蒸着ししかる後
感光性樹脂等を除去する時に同時に感光性樹脂等の上の
内部配線金−をも除去し内部配線を形成するいわゆる１
ワツトオフ法′等がめった。
しかし例えば、半導体表面に内部配禮金−を蒸着しそれ
を写真製版する方法では、＠１図参照１、半導体基板（
１）上の絶縁体（２）の表面に、内部配線金属例えばア
ルミニウム（３）を蒸着する。＠１図（ａ） １内部配線金ｊｉｇ（３）上に感光性樹脂（ロ）、−を
用いて写真製版を行なう。第１図（ｂ） ８、半導体表面に内部配線０υ（２）を形成する。第１
図（ｅ） このように、従来の内部配線形成方法によると。
を写真製版する方法では、＠１図参照１、半導体基板（
１）上の絶縁体（２）の表面に、内部配線金属例えばア
ルミニウム（３）を蒸着する。＠１図（ａ） １内部配線金ｊｉｇ（３）上に感光性樹脂（ロ）、−を
用いて写真製版を行なう。第１図（ｂ） ８、半導体表面に内部配線０υ（２）を形成する。第１
図（ｅ） このように、従来の内部配線形成方法によると。
感光性樹脂等の解像力の限界及び内部配線金＠ （３）
のエツチング時に起きるいわゆる１サイドエツチ′等に
より、実際の使用上の内部配線間隔は２〜８μｍが限界
であった。
のエツチング時に起きるいわゆる１サイドエツチ′等に
より、実際の使用上の内部配線間隔は２〜８μｍが限界
であった。
本発明は従来の写真製版技術を使用して、内部配線間隔
を容易に１μｍ以下にする＄を可能にせしめる方法を提
供するもので、この方法により＾集積１１度の半導体装
ｆｆｔ（特に集積回路）及び高周波半導体装置を得るこ
とを目的とする。
を容易に１μｍ以下にする＄を可能にせしめる方法を提
供するもので、この方法により＾集積１１度の半導体装
ｆｆｔ（特に集積回路）及び高周波半導体装置を得るこ
とを目的とする。
以下、この発明の一実施例を図に基づいて説明する。
給２図はこの発明の半導体装置の製造工程を小す断面図
で１図において、半導体基板（１）例えばシリコン上の
絶縁体（２）例えば酸化膜に感光性樹脂を用いて、内部
配線パターンーーを形成し、しかる後酸化＃ （２）を
エツチングする。第２図（ａ）ついで、感光性樹脂噌、
＠４を除去し半導体表面を洗浄した後、内部配線金１１
（３）例えばアルミニウムを蒸着する。しかる後、感光
性樹脂（４）を塗布する。この時、酸化膜段差上の内部
配線金ｍ（８８Ｘ８ｂ）（ｇｏ）（８ｄ）及び感光性樹
脂（４ａ）Ｃ４ｂ）（４ｏ）（４ｄ）は、平担部分の内
部配線金属（３）及び感光性樹脂（４）の膜厚より薄く
１通常約半分位になる。（陥８図（ｂ））さらに、上記
基板を酸素プラズマ中にさらしいわゆるプラズマアッシ
ングを行なう事により、感光性樹脂（４）が一様に除去
される。この時酸化展段差上ノ急光性＆ｌｋ（４ｍ）（
４ｂＸ４す（４ｄ）は他の部分より薄い為早く消去する
。
で１図において、半導体基板（１）例えばシリコン上の
絶縁体（２）例えば酸化膜に感光性樹脂を用いて、内部
配線パターンーーを形成し、しかる後酸化＃ （２）を
エツチングする。第２図（ａ）ついで、感光性樹脂噌、
＠４を除去し半導体表面を洗浄した後、内部配線金１１
（３）例えばアルミニウムを蒸着する。しかる後、感光
性樹脂（４）を塗布する。この時、酸化膜段差上の内部
配線金ｍ（８８Ｘ８ｂ）（ｇｏ）（８ｄ）及び感光性樹
脂（４ａ）Ｃ４ｂ）（４ｏ）（４ｄ）は、平担部分の内
部配線金属（３）及び感光性樹脂（４）の膜厚より薄く
１通常約半分位になる。（陥８図（ｂ））さらに、上記
基板を酸素プラズマ中にさらしいわゆるプラズマアッシ
ングを行なう事により、感光性樹脂（４）が一様に除去
される。この時酸化展段差上ノ急光性＆ｌｋ（４ｍ）（
４ｂＸ４す（４ｄ）は他の部分より薄い為早く消去する
。
この時点でプラズマアッシングも停止させる。
（−２図（Ｃ））
ｆｉ後に上記基体をアルミニウムエツチング数にさらし
、感光性ｆ！Ｉ脂の除去された部分に対応するアルミニ
ウム（ａｍ）（８ｂ）（８ｃ）（ａｄ）をエツチングし
て除去する。この時エツチング時間は、平担部のアルミ
ニウムをエツチングする時の約手分位なので。
、感光性ｆ！Ｉ脂の除去された部分に対応するアルミニ
ウム（ａｍ）（８ｂ）（８ｃ）（ａｄ）をエツチングし
て除去する。この時エツチング時間は、平担部のアルミ
ニウムをエツチングする時の約手分位なので。
サイドエッチもほとんどなく形成され、内部配線の間隔
は０．５〜１．０μｍを容易に形成し得る。しかる後絵
元性樹脂を除去する。（第２図（ｄ））以工述べた緑に
本発明にぼると。
は０．５〜１．０μｍを容易に形成し得る。しかる後絵
元性樹脂を除去する。（第２図（ｄ））以工述べた緑に
本発明にぼると。
１、従来の写真製版技術を使用しているにも拘らず、内
部配線１ｋｌ−を従来の２〜３μｍから容易に１μｍ以
Ｆにする串ができ、原理的には平面上では０μｍも可能
である。
部配線１ｋｌ−を従来の２〜３μｍから容易に１μｍ以
Ｆにする串ができ、原理的には平面上では０μｍも可能
である。
２本内部配線方法を用いる事により特に集積１路におい
ては妬密度・高集積化が又高周波半導体装置が容易に製
造することが可能となる。
ては妬密度・高集積化が又高周波半導体装置が容易に製
造することが可能となる。
１８１図は従来の半導体装置の内部配Ｉｉ［ｇ製造の各
工程を示す断面図、第２図は本発明の一実施例である半
導体装置の内部配線製造の各工程をボす断面図である。 図中、（１）は半導体基体、（２）は絶縁体、（３）は
同郡配線金属、（４）は感光性樹脂、 （８Ｂ）（８ｂ
）（８０）（８ａ）は内部配線金属でド層の絶縁体段差
に対応した平担部よりも薄い層（４ｍ）（４ｂ）（４ｃ
）（４ｄ）は−光性樹脂で下層の絶縁体及び内部配置ｌ
１１ｉｔ鵬に対応した平担部よりも薄い層である。 なお２図中同一行号は同一または相当部分をボす。 代 地 人 葛 野 信 − 第１図
工程を示す断面図、第２図は本発明の一実施例である半
導体装置の内部配線製造の各工程をボす断面図である。 図中、（１）は半導体基体、（２）は絶縁体、（３）は
同郡配線金属、（４）は感光性樹脂、 （８Ｂ）（８ｂ
）（８０）（８ａ）は内部配線金属でド層の絶縁体段差
に対応した平担部よりも薄い層（４ｍ）（４ｂ）（４ｃ
）（４ｄ）は−光性樹脂で下層の絶縁体及び内部配置ｌ
１１ｉｔ鵬に対応した平担部よりも薄い層である。 なお２図中同一行号は同一または相当部分をボす。 代 地 人 葛 野 信 − 第１図
Claims (2)
- （１）半導体基体上の絶縁体の表面上に形成された内部
配線金属であって、内部配線パターンが絶縁体の凹凸の
段差部に対応して形成されている拳を特徴とした半導体
装置。 - （２）絶縁体表面に凹凸の段差を形成する工程、該絶縁
体上に内部配線金属を堆積した後感光性樹脂を塗布する
工程、該絶縁体段差部に対応する感光性樹脂が平担部よ
り薄くなっている事を利用し該う光性樹脂を一様に除去
する工程、及び該感光性樹脂をマスクとして内部配線金
−を形成する工程を有する製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8200882A JPS58197750A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8200882A JPS58197750A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58197750A true JPS58197750A (ja) | 1983-11-17 |
Family
ID=13762489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8200882A Pending JPS58197750A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58197750A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5515262A (en) * | 1978-07-19 | 1980-02-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Semiconductor device |
-
1982
- 1982-05-12 JP JP8200882A patent/JPS58197750A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5515262A (en) * | 1978-07-19 | 1980-02-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Semiconductor device |
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