JP2002197609A - 垂直磁気記録ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

垂直磁気記録ヘッドおよびその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の垂直磁気記録方式の垂直磁気記録ヘッ
ドでは、主磁極層の高さ寸法とトラック幅方向の幅寸法
を独立して制御できず、メッキ下地層を除去する際など
のミリングの影響で、前記主磁極層の高さ寸法が所定値
より小さくなる問題があった。 【解決手段】 主磁極層２４の上に非磁性層４０を重ね
て形成する。これにより前記主磁極層２４の高さ寸法を
一定値に保ちながら、製造工程の際に前記主磁極層２４
の両側端面２４ｄに付着したメッキ下地層７１の付着膜
を適切に除去でき、また前記主磁極層２４のトラック幅
Ｔｗを小さくすることができ、トラック幅方向の幅寸法
の制御と高さ寸法の制御とを独立して行うことが可能で
ある。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハード膜を有する
ディスクなどの記録媒体に対して垂直磁界を与えて記録
を行う垂直磁気記録ヘッドに係り、主磁極層の高さ寸法
及びトラック幅方向の寸法を適切に所定値内で形成する
ことが可能な垂直磁気記録ヘッド及びその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ディスクなどの記録媒体に磁気データを
高密度で記録する装置として垂直磁気記録方式がある。
図２８は前記垂直磁気記録方式の装置に使用される垂直
磁気記録ヘッドの一般的な構造を示す断面図である。
【０００３】図２８に示すように、垂直磁気記録方式の
垂直磁気記録ヘッドＨは、記録媒体上を浮上して移動し
または摺動するスライダ１の側端面に設けられるもので
あり、例えばスライダ１の側端面１ａにおいて、前記垂
直磁気記録ヘッドＨは、非磁性膜２と、非磁性の被覆膜
３との間に配置される。
【０００４】前記垂直磁気記録ヘッドＨは、強磁性材料
で形成された補助磁極層４と、前記補助磁極層４の上に
間隔を開けて形成された同じく強磁性材料で形成された
主磁極層５とを有しており、前記補助磁極層４の端面４
ａと前記主磁極層５の端面５ａとが、記録媒体Ｍとの対
向面Ｈａに現れている。前記対向面Ｈａよりも奥側にお
いて、前記補助磁極層４と前記主磁極層５は、磁気接続
部６において磁気的に接続されている。
【０００５】前記補助磁極層４と前記主磁極層５との間
にはＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2などの無機材料による非磁性絶
縁層７が位置しており、前記対向面Ｈａでは、この非磁
性絶縁層７の端面７ａが、前記補助磁極層４の端面４ａ
と前記主磁極層５の端面５ａとの間に現れている。
【０００６】そして、前記非磁性絶縁層７内には、Ｃｕ
などの導電性材料で形成されたコイル層８が埋設されて
いる。
【０００７】図２８に示すように、主磁極層５の端面５
ａの厚みｈｗは、補助磁極層４の端面４ａの厚みｈｒよ
りも小さくなっている。また前記主磁極層５のトラック
幅方向（図示Ｘ方向）の端面５ａの幅寸法はトラック幅
Ｔｗであり、この幅寸法は、前記補助磁極層４のトラッ
ク幅方向の端面４ａの幅寸法よりも十分に小さくなって
いる。
【０００８】前記垂直磁気記録ヘッドＨにより磁気記録
が行われる記録媒体Ｍは、垂直磁気記録ヘッドＨに対し
てＺ方向へ移動するものであり、その表面にハード膜Ｍ
ａが内方にソフト膜Ｍｂが設けられている。
【０００９】前記コイル層８に通電されることにより補
助磁極層４と主磁極層５とに記録磁界が誘導されると、
補助磁極層４の端面４ａと、主磁極層５の端面５ａとの
間での漏れ記録磁界が、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを垂
直に通過し、ソフト膜Ｍｂを通る。ここで、前記のよう
に主磁極層５の端面５ａの面積が、補助磁極層４の端面
４ａでの面積よりも十分に小さくなっているため、主磁
極層５の端面５ａの対向部分で磁束φが集中し、端面５
ａが対向する部分での前記ハード膜Ｍａに対し、前記磁
束φにより磁気データが記録される。
【００１０】図２９は、図２８に示す垂直磁気記録ヘッ
ドの製造方法を示す一工程図である。
【００１１】前記主磁極層５は、図示しないレジスト層
によって図のようにメッキ形成された後、前記非磁性絶
縁層７の上面に形成されたメッキ下地層９のうち、前記
主磁極層５の下以外に形成されたメッキ下地層９ａ，９
ａをミリングにて除去する。このように不必要な前記メ
ッキ下地層９ａを除去することで、膜内では、例えば前
記コイル層８に電流を導くためのリード層と前記メッキ
下地層９ａとが接触するのを防止でき、電気特性を良好
に保つことができる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら図２９に
示すように、不必要なメッキ下地層９ａをミリングにて
除去している最中、前記主磁極層５の上面も前記ミリン
グの影響を受けて削られ、前記主磁極層５の高さ寸法が
Ｌ１からＬ２に減少してしまう。前記主磁極層５の高さ
寸法が小さくなり、前端面５ａの面積が小さくなるとオ
ーバーライト特性等の低下を招き好ましくない。
【００１３】しかも前記メッキ下地層９ａを除去する
と、前記メッキ下地層９ａの構成材料が前記主磁極層５
の両側端面５ｂ，５ｂに付着し（矢印Ｂ）、トラック幅
Ｔｗが大きくなるため、前記両側端面５ｂに付着した付
着膜９ｂを除去しなければならない。
【００１４】ところが、前記付着膜９ｂを図２９に示す
斜め方向Ａからのミリングで除去すると、それと共に前
記主磁極層５の上面も削られ、さらに前記前端面５ａの
高さ寸法は減少してしまう。
【００１５】また今後の高記録密度化に伴い狭トラック
化を図ることが必要であるが、前記主磁極層５の前端面
５ａの両側端面５ｂを斜め方向からのミリングで削りト
ラック幅Ｔｗを小さくしても同時に前記前端面５ａの上
面も削られて高さ寸法が小さくなるため、前記前端面５
ａの面積を所定値内に収めることが非常に難しく、オー
バーライト特性等の記録特性の低下を招く。
【００１６】このように図２８、２９に示す従来の垂直
磁気記録ヘッドの構造では、前記主磁極層５の高さ寸法
を一定に保ったまま、前記主磁極層５の両側端面５ｂに
付着した付着膜９ｂを除去できず、また前記主磁極層５
の狭トラック化を図ることができず、すなわちトラック
幅方向の幅寸法の制御と、高さ寸法の制御とを独立して
行うことが不可能であった。
【００１７】そこで本発明は上記従来の課題を解決する
ものであり、主磁極層上に非磁性層を重ねて形成するこ
とで、前記主磁極層５の高さ寸法を一定に保ったまま、
前記主磁極層の両側端面に付着した付着膜を除去でき、
さらに前記主磁極層の狭トラック化を図ることが可能な
垂直磁気記録ヘッド及びその製造方法を提供することを
目的としている。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は、記録媒体との
対向面に、補助磁極層と主磁極層とが間隔を開けて位置
し、前記対向面よりもハイト方向後方に前記補助磁極層
と前記主磁極層とに記録磁界を与えるコイル層が設けら
れ、前記主磁極層に集中する垂直磁界によって、前記記
録媒体に磁気データを記録する垂直磁気記録ヘッドにお
いて、前記主磁極層の上には、非磁性層が形成されてお
り、前記対向面よりもハイト方向後方では前記補助磁極
層から立ち上がる接続層が設けられ前記接続層の周囲に
前記コイル層が巻回形成されており、前記主磁極層と前
記接続層間が磁気的に接続されていることを特徴とする
ものである。
【００１９】本発明では、上記のように主磁極層の上に
非磁性層が重ねて形成されている。前記非磁性層は、ミ
リングの際に前記主磁極層を保護すべきカバー層の役割
を有し、前記主磁極層の高さ寸法を一定値に保ちなが
ら、製造工程の際に前記主磁極層の両側端面に付着した
メッキ下地層の付着膜を適切に除去でき、また前記主磁
極層のトラック幅Ｔｗを小さくすることができ、トラッ
ク幅方向の幅寸法の制御と高さ寸法の制御とを独立して
行うことが可能になっている。
【００２０】従って本発明では、前記主磁極層の前端面
を所定のトラック幅Ｔｗ及び高さ寸法で形成でき、よっ
て前記前端面の面積を所定値内に収めやすく、オーバー
ライト特性等の諸特性を向上させることが可能である。
【００２１】また本発明では、前記非磁性層は非磁性金
属材料で形成されていることが好ましく、さらに前記主
磁極層と前記非磁性層とは、メッキで形成されているこ
とが好ましい。これにより前記主磁極層と非磁性層とを
連続メッキ形成でき、製造工程の簡略化を図ることがで
きる。
【００２２】また本発明では、前記主磁極層と接続層間
はヨーク層によって磁気的に接続されていることが好ま
しい。
【００２３】また本発明では、前記対向面に現れている
前記主磁極層の前端面は、下面から上面に向けてトラッ
ク幅方向の幅寸法が広がる形状で形成されていることが
好ましく、このとき前記前端面の両側端面は、傾斜面あ
るいは湾曲面で形成されていることが好ましい。
【００２４】また本発明では、前記主磁極層は磁性材料
からなるメッキ下地層上に形成され、前記メッキ下地層
のトラック幅方向における両側端面の少なくとも一部
は、前記主磁極層の下面のトラック幅方向の端部よりも
トラック幅方向へはみ出して形成されており、そのはみ
出し量は、記録媒体への記録時にスキュー角が生じたと
きに、前記記録媒体に記録される記録トラック幅Ｔｗ１
からはみ出さない長さであることが好ましい。これによ
りフリンジングの発生を防止でき、オフトラック性能の
向上を図ることができる。ただし前記主磁極層の前端面
の形状は、下面から上面に向けてトラック幅方向の幅寸
法が広がる形状に限定される。
【００２５】また本発明では、前記主磁極層は磁性材料
からなるメッキ下地層上に形成され、前記メッキ下地層
のトラック幅方向における両側端面は、前記主磁極層の
トラック幅方向における両側端面と連続面とされ、前記
メッキ下地層のトラック幅方向への幅寸法は、前記主磁
極層の下面のトラック幅方向への幅寸法以下で形成され
ることが好ましい。これにより適切にフリンジングの発
生を抑制できる。なおかかる場合、前記主磁極層の前端
面の形状は、下面から上面に向けてトラック幅方向の幅
寸法が広がる形状で形成されていなくても、記録時にス
キュー角が発生しなければ、例えば前記前端面が正方形
や長方形等で形成されていても、記録時にフリンジング
が発生せず、オフトラック性能を向上させることができ
る。
【００２６】また本発明では、前記主磁極層は非磁性金
属材料からなるメッキ下地層上に形成されることが好ま
しい。かかる場合、前記非磁性金属材料からなるメッキ
下地層のトラック幅方向の幅寸法が、前記主磁極層の下
面のトラック幅方向の幅寸法よりも大きくてもよい。前
記メッキ下地層が非磁性金属材料で形成されている場合
には、前記メッキ下地層が記録トラック幅Ｔｗ１からは
み出す程度に長く形成されてもフリンジングの発生はな
く、オフトラック性能の向上を図ることが可能である。
【００２７】また本発明では前記主磁極層の飽和磁束密
度が、前記ヨーク層の飽和磁束密度よりも高いことが好
ましい。本発明では、前記主磁極層とヨーク層とを別工
程で形成することが可能であるため、前記主磁極層とヨ
ーク層とを異なる磁性材料で形成でき、前記主磁極層に
高い飽和磁束密度を有する磁性材料を選択することが可
能である。
【００２８】また本発明では、前記補助磁極層上には絶
縁層が形成され、この絶縁層内に前記コイル層が埋設さ
れ、前記接続層の上面は前記絶縁層の上面と同一平面で
形成され、前記絶縁層上面及び接続層上面に前記ヨーク
層が形成され、前記ヨーク層の前端面は、前記対向面よ
りもハイト方向後方に位置しており、前記主磁極層及び
非磁性層は、前記ヨーク層の前記前端面と前記対向面間
に位置する前記絶縁層上面から前記ヨーク層上面にかけ
て形成されていることが好ましい。
【００２９】このとき前記ヨーク層の前端面は下面から
上面にかけてハイト方向に傾く傾斜面あるいは湾曲面で
形成されていることが好ましい。この実施形態は図１に
示されている。
【００３０】あるいは本発明では、前記補助磁極層上に
は絶縁層が形成され、この絶縁層内に前記コイル層が埋
設され、前記接続層の上面は前記絶縁層の上面と同一平
面で形成され、前記絶縁層上面及び接続層上面に前記ヨ
ーク層が形成され、前記ヨーク層の前端面は、前記対向
面よりもハイト方向後方に位置しており、前記ヨーク層
の前記前端面と前記対向面間には第２の絶縁層が形成さ
れ、前記ヨーク層の上面と前記第２の絶縁層の上面とが
同一平面で形成され、前記主磁極層及び非磁性層は、前
記第２の絶縁層の上面から前記ヨーク層の上面にかけて
形成されていることが好ましい。このとき、前記ヨーク
層の前端面は上面から下面にかけてハイト方向に傾く傾
斜面あるいは湾曲面で形成されていることが好ましい。
この実施形態は図２に示されている。
【００３１】また本発明では、前記ヨーク層と主磁極層
とが重なる位置での前記ヨーク層の前記対向面と平行な
方向からの断面積は、前記主磁極層の前記対向面と平行
な方向からの断面積よりも大きいことが好ましい。これ
により前記ヨーク層から主磁極層への磁束の流れを良好
にでき、磁束の通過効率を向上させることが可能であ
る。
【００３２】また本発明における垂直磁気記録ヘッドの
製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするもの
である。 （ａ）磁性材料で補助磁極層を形成する工程と、（ｂ）
前記補助磁極層上であって、記録媒体との対向面よりも
ハイト方向後方に接続層を形成し、次に前記対向面と接
続層間に、前記補助磁極層上に絶縁下地層を介してコイ
ル層を形成した後、前記コイル層上を絶縁層で埋める工
程と、（ｃ）前記絶縁層の表面を削り、前記絶縁層上面
と前記接続層上面を同一面とする工程と、（ｄ）前記絶
縁層上に前端面が前記対向面よりもハイト方向後方に位
置し且つ前記接続層上にまで延びるヨーク層を形成する
工程と、（ｅ）前記絶縁層上及びヨーク層上にメッキ下
地層を形成し、さらに前記メッキ下地層上にレジスト層
を形成し、前記レジスト層に前記対向面での絶縁層上か
ら前記ヨーク層上にまで延びる抜きパターンを形成する
工程と、（ｆ）前記抜きパターン内に主磁極層と非磁性
金属材料から成る非磁性層を連続メッキした後、前記レ
ジスト層を除去する工程と、（ｇ）前記主磁極層と非磁
性層のトラック幅方向における両側側面をミリングで削
る工程。
【００３３】本発明では、前記（ｆ）工程で、レジスト
層に形成された抜きパターン内に主磁極層と非磁性層を
連続メッキしている。このため次の（ｇ）工程で、前記
主磁極層の両側端面をミリングで削る時、前記主磁極層
の上面は前記非磁性層に守られているので、前記主磁極
層の高さ寸法を一定値に保ったまま前記メッキ下地層の
除去が可能である。前記主磁極層の両側端面を削ること
で、前記主磁極層のトラック幅を狭くして狭トラック化
に対応可能な垂直磁気記録ヘッドを製造できる。
【００３４】また前記（ｇ）工程において、前記主磁極
層下の前記メッキ下地層を残し、それ以外のメッキ下地
層をミリングで削ることが好ましい。このときも、前記
非磁性層の上面はミリングで削られるが、前記主磁極層
の上面は前記非磁性層に守られているので、前記主磁極
層の高さ寸法を一定値に保ったまま前記メッキ下地層の
除去を行うことが可能である。
【００３５】また前記メッキ下地層を除去したとき、前
記主磁極層の両側端面に付着した付着膜を前記主磁極層
の高さ寸法を一定値に保ったまま除去することが可能で
ある。
【００３６】以上のように本発明における製造方法によ
れば、前記主磁極層の高さ寸法を所定値に保ったまま、
狭トラック化を図ることができ、また前記主磁極層の両
側端面に付着した付着膜を除去できるため、本発明では
トラック幅方向の幅寸法の制御と高さ寸法の制御とを独
立して行うことが可能である。
【００３７】また本発明では、前記（ｄ）工程を除き、
前記（ｅ）工程で、メッキ下地層を絶縁層上に形成し、
さらに前記メッキ下地層上にレジスト層を形成し、前記
レジスト層に前記対向面での絶縁層から前記接続層上に
まで延びる抜きパターンを形成してもよい。
【００３８】また本発明では、前記（ｅ）工程に代え
て、以下の工程を有するものであってもよい。 （ｈ）前記ヨーク層の周囲を第２の絶縁層で埋め、前記
第２の絶縁層の表面を削り、前記第２の絶縁層の上面と
前記ヨーク層の上面とを同一面にする工程と、（ｉ）前
記第２の絶縁層及びヨーク層上にメッキ下地層を形成
し、さらに前記メッキ下地層上にレジスト層を形成し、
前記レジスト層に前記対向面での前記第２の絶縁層上か
ら前記ヨーク層上にまで延びる抜きパターンを形成する
工程。
【００３９】また本発明では、前記（ｅ）工程あるいは
（ｉ）工程において、少なくとも前記対向面でのトラッ
ク幅方向の内幅寸法が、下面から上面にかけて広がる抜
きパターンを前記レジスト層に形成することが好まし
い。
【００４０】これによって、前記主磁極層の前端面を下
面から上面に向けて徐々にトラック幅方向の幅寸法が広
がる形状で形成できる。
【００４１】また本発明では、前記メッキ下地層を非磁
性金属材料で形成することが好ましい。非磁性金属材料
の場合は前記メッキ下地層に磁性材料を使用する場合に
比べてエッチング制御を容易にすることができる。
【００４２】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１実施形態の垂
直磁気記録ヘッドを備えた磁気ヘッドの構造を示す縦断
面図である。
【００４３】図１に示す垂直磁気記録ヘッドＨは記録媒
体Ｍに垂直磁界を与え、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを垂
直方向に磁化させるものである。
【００４４】前記記録媒体Ｍはディスク状であり、その
表面に残留磁化の高いハード膜Ｍａが、内方に磁気透過
率の高いソフト膜Ｍｂを有しており、ディスクの中心が
回転軸中心となって回転させられる。
【００４５】前記垂直磁気記録ヘッドＨのスライダ１１
はＡｌ2Ｏ3・ＴｉＣなどのセラミック材料で形成されて
おり、スライダ１１の対向面１１ａが前記記録媒体Ｍに
対向し、記録媒体Ｍが回転すると、表面の空気流により
スライダ１１が記録媒体Ｍの表面から浮上し、またはス
ライダ１１が記録媒体Ｍに摺動する。図１においてスラ
イダ１１に対する記録媒体Ｍの移動方向は図示Ｚ方向で
ある。垂直磁気記録ヘッドＨはスライダ１１のトレーリ
ング側端面に設けられる。
【００４６】前記スライダ１１の側端面１１ｂには、Ａ
ｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2などの無機材料による非磁性絶縁
層５４が形成されて、この非磁性絶縁層の上に読取り部
ＨRが形成されている。
【００４７】前記読取り部ＨRは、下から下部シールド
層５２、ギャップ層５５、磁気抵抗効果素子５３、およ
び上部シールド層５１から成る。前記磁気抵抗効果素子
５３は、異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）素子、巨大磁気
抵抗効果（ＧＭＲ）素子、トンネル型磁気抵抗効果（Ｔ
ＭＲ）素子などである。
【００４８】前記上部シールド層５１の上には、Ａｌ2
Ｏ3またはＳｉＯ2などの無機材料による非磁性絶縁層１
２が形成されて、前記非磁性絶縁層１２の上に本発明の
記録用の垂直磁気記録ヘッドＨが設けられている。そし
て垂直磁気記録ヘッドＨは無機非磁性絶縁材料などで形
成された保護層１３により被覆されている。そして前記
垂直磁気記録ヘッドＨの記録媒体との対向面Ｈ１ａは、
前記スライダ１１の対向面１１ａとほぼ同一面である。
【００４９】前記垂直磁気記録ヘッドＨでは、パーマロ
イ（Ｎｉ−Ｆｅ）などの強磁性材料がメッキされて補助
磁極層２１が形成されている。なお前記上部シールド層
５２が前記補助磁極層２１として兼用されていてもよ
い。前記非磁性絶縁層１２は、前記補助磁極層２１の下
（補助磁極層２１とスライダ１１の側端面１１ｂとの
間）および前記補助磁極層２１の周囲に形成されてい
る。そして図１に示すように、補助磁極層２１の表面
（上面）２１ａと前記非磁性絶縁層１２の表面（上面）
１２ａとは同一の平面上に位置している。
【００５０】図１に示すように、前記対向面Ｈ１ａより
もハイト方向後方（図示Ｙ方向）では、前記補助磁極層
２１の表面２１ａ上にＮｉ−Ｆｅなどの接続層２５が形
成されている。
【００５１】前記接続層２５の周囲において、前記補助
磁極層２１の表面２１ａおよび前記非磁性絶縁層１２の
表面１２ａ上に、Ａｌ2Ｏ3などの絶縁下地層２６が形成
されて、この絶縁下地層２６の上にＣｕなどの導電性材
料によりコイル層２７が形成されている。このコイル層
２７はフレームメッキ法などで形成されたものであり、
前記接続層２５の周囲に所定の巻き数となるように螺旋
状にパターン形成されている。コイル層２７の巻き中心
側の接続端２７ａ上には同じくＣｕなどの導電性材料で
形成された底上げ層３１が形成されている。
【００５２】前記コイル層２７および底上げ層３１は、
レジスト材料などの有機材料の絶縁層３２で被覆されて
おり、さらに絶縁層３３で覆われている。
【００５３】前記絶縁層３３は無機絶縁材料で形成され
ることが好ましく、前記無機絶縁材料としては、Ａｌ
Ｏ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、
ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、Ｗ
Ｏ、ＷＯ3、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも
１種以上を選択できる。
【００５４】そして前記接続層２５の表面（上面）２５
ａ、底上げ層３１の表面（上面）３１ａ、および絶縁層
３３の表面（上面）３３ａは、同一面となるように加工
されている。このような平坦化加工は後述の製造方法で
説明するように、ＣＭＰ技術などを用いて行なわれる。
【００５５】この第１実施形態では、前記絶縁層３３の
上に、ヨーク層３５が形成されている。図１に示すよう
に前記ヨーク層３５の前端面３５ａは、前記対向面Ｈ１
ａよりもハイト方向（図示Ｙ方向）後方に形成されてい
る。また前記ヨーク層３５の基端部３５ｃは、前記接続
層２５の上面に形成され、前記基端部３５ｃと接続層２
５とが磁気的に接続された状態になっている。前記ヨー
ク層３５の下の絶縁層３３は平坦化面で形成されている
ので、前記ヨーク層３５をパターン精度良く形成するこ
とができる。
【００５６】またこの実施形態では前記前端面３５ａ
は、下面から上面にかけて（図示Ｚ方向）、ハイト方向
（図示Ｙ方向）に傾く傾斜面あるいは湾曲面となってい
る。これによって後述する主磁極層２４を対向面側Ｈ１
ａの絶縁層３３上から前記ヨーク層３５上にかけてメッ
キ形成しやすく、また前記ヨーク層３５から主磁極層２
４に磁束の流れを緩やかにでき、磁束の通過効率を良好
にできる。
【００５７】また図１に示すように、前記底上げ層３１
の表面３１ａにはリード層３６が形成され、リード層３
６から前記底上げ層３１およびコイル層２７に記録電流
の供給が可能となっている。なお、前記リード層３６
は、前記ヨーク層３５と同じ材料で形成でき、前記ヨー
ク層３５とリード層３６を、同時にメッキで形成するこ
とが可能である。
【００５８】また図１に示すように、前記ヨーク層３５
よりも前記対向面Ｈ１ａ側に位置する絶縁層３３上から
前記ヨーク層３５上にかけてＮｉＦｅ等の磁性材料で形
成された主磁極層２４が形成されている。さらに非磁性
層４０が、前記主磁極層２４上に重ねられて形成されて
いる。そして前記主磁極層２４及び非磁性層４０の前端
面２４ａ，４０ａは共に前記対向面Ｈ１ａから現れてい
る。
【００５９】なお図１に示す実施形態では、前記主磁極
層２４及び非磁性層４０は、前記対向面Ｈ１ａからハイ
ト方向にかけてＬ３の長さ寸法で形成されているが、前
記主磁極層２４とヨーク層３５とが一部で重なり、磁気
的に接続されていれば、前記長さ寸法Ｌ３は限定されな
い。したがって、前記主磁極層２４及び非磁性層４０
は、ハイト方向にさらに長く形成され、例えば前記ヨー
ク層３５の後端面３５ｂと同一位置まで延ばされていて
も良い。
【００６０】なお図１に示すように前記非磁性層４０上
及びヨーク層３５上が前記保護層１３によって覆われて
いる。
【００６１】図２は本発明における別の実施形態を示す
垂直磁気記録ヘッドを装備した磁気ヘッドの縦断面図で
ある。
【００６２】図１との違いは、特にヨーク層３５の構造
にある。図２では、前記絶縁層３３の上面３３ａに前記
ヨーク層３５が形成され、前記ヨーク層３５の基端部３
５ｃは、前記接続層２５の上面２５ａに形成され、前記
基端部３５ｃと前記接続層２５とが磁気的に接続された
状態になっている。
【００６３】また図２に示すように前記ヨーク層３５の
前端面３５ａは、前記対向面Ｈ１ａよりもハイト方向
（図示Ｙ方向）後方に位置し、前記前端面３５ａは前記
対向面Ｈ１ａから現れない。
【００６４】また前記前端面３５ａは、上面から下面に
かけて（図示Ｚ方向とは逆方向）ハイト方向に傾く傾斜
面あるいは湾曲面となっている。前記前端面３５ａと上
面間の外角θは、９０°以上であることが好ましい。こ
れによって後述の主磁極層２４から前記ヨーク層３５に
向けて漏れる磁界を少なくでき前記主磁極層２４により
磁界を集中させることができる。
【００６５】また図２に示すように、前記前端面３５ａ
と前記対向面Ｈ１ａ間には第２の絶縁層５７が埋められ
ている。なお前記第２の絶縁層５７は、前記ヨーク層３
５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側、および後端
側にも形成されている。
【００６６】従って図２では、前記ヨーク層３５の前端
面３５ａよりも前方に位置する前記第２の絶縁層５７が
前記対向面Ｈ１ａから現れる。
【００６７】本発明では、前記第２の絶縁層５７の上面
と前記ヨーク層３５の上面はＣＭＰ技術などを用いて平
坦化加工が成されている。
【００６８】また前記第２の絶縁層５７は無機絶縁材料
で形成されることが好ましく、前記無機絶縁材料として
は、ＡｌＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、
ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｎｉ
Ｏ、ＷＯ、ＷＯ3、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少な
くとも１種以上を選択できる。
【００６９】そして本発明では前記平坦化された前記第
２の絶縁層５７上からヨーク層３５上にかけて主磁極層
２４が形成されている。このように前記主磁極層２４を
平坦化面上に形成できることから、前記主磁極層２４を
パターン精度良く形成することが可能である。なお前記
主磁極層２４の前端面２４ａは前記対向面Ｈ１ａに現れ
ている。また図２に示す実施形態では前記主磁極層２４
は、前記ヨーク層３５の後端面３５ｂ上にまで延ばされ
て形成されているが、これより短く形成されていてもか
まわない。前記ヨーク層３５と主磁極層２４が一部で重
ねられて、磁気的に接続されていれば良い。
【００７０】また図２に示すように、前記主磁極層２４
上には非磁性層４０が重ねて形成されている。この非磁
性層４０も前記主磁極層２４と同様に前記ヨーク層３５
の後端面３５ｂにまで延ばされて形成されている。
【００７１】図３は本発明における第３実施形態の垂直
磁気記録ヘッドを装備した磁気ヘッドの縦断面図であ
る。
【００７２】図３では、図１及び図２と異なり、平坦化
された絶縁層３３上に主磁極層２４が形成され、この上
に非磁性層４０が重ねられて形成されている。図１及び
図２に示したヨーク層３５は、この実施形態では、前記
主磁極層２４と一体化し、前記主磁極層２４の後方領域
がヨーク層３５として機能している。そして前記ヨーク
層３５と接続層２５とが磁気的に接続されている。
【００７３】次に本発明における主磁極層２４及び非磁
性層４０の前端面２４ａ，４０ａの形状について説明す
る。図４及び図５は、本発明の図１ないし図３の垂直磁
気記録ヘッドの部分正面図である。
【００７４】図４，５に示すように、前記絶縁層３３あ
るいは第２の絶縁層５７と主磁極層２４との間にはメッ
キ下地層７１が形成されている。前記主磁極層２４は前
記メッキ下地層７１上からメッキ成長して形成されたも
のであり、前記主磁極層２４の高さ寸法Ｈ１はある所定
値に設定されている。
【００７５】図４，５に示すように、前記主磁極層２４
の前端面２４ａの両側端面２４ｄ，２４ｄは、下面から
上面に向かう（図示Ｚ方向）にしたがってトラック幅方
向（図示Ｘ方向）の幅寸法が徐々に広がる形状で形成さ
れている。図４のように前記両側端面２４ｄ，２４ｄは
傾斜面、あるいは図５に示すような湾曲面で形成されて
いることが好ましい。
【００７６】さらに図４，５に示すように、前記主磁極
層２４上に形成された非磁性層４０の前端面４０ａも下
面から上面に向かうにしたがってトラック幅方向の幅寸
法が徐々に広がる形状で形成されている。また図４，５
に示すように前記前端面４０ａの両側端面４０ｄ，４０
ｄは、前記主磁極層２４の両側端面２４ｄ，４０ｄと連
続面とされ、よって図４では前記非磁性層４０の前端面
４０ａの両側端面４０ｄは傾斜面となっており、また図
５では前記前端面４０ａの両側端面４０ｄは湾曲面とな
っている。
【００７７】なお図４，５に示すように前記主磁極層２
４の上面２４ｇ（トレーリング側の端面）のトラック幅
方向の幅寸法でトラック幅Ｔｗが規制される。
【００７８】ところで本発明では、非磁性層４０が前記
主磁極層２４の上に重ねられて形成されている点に特徴
がある。
【００７９】ここで前記非磁性層４０は前記主磁極層２
４の高さ寸法がミリングによって減少しないようにする
ためのカバー層としての役割を有する。
【００８０】後述する製造方法で説明するように、本発
明では、前記主磁極層２４をメッキ形成するため、その
下にメッキ下地層７１を敷かなければならないが、前記
メッキ下地層７１は、前記主磁極層２４の下以外にも形
成されるため、前記主磁極層２４の下以外に形成された
前記メッキ下地層７１を後から除去する工程が必要にな
る。前記メッキ下地層７１はミリングなどによって除去
される。
【００８１】不必要なメッキ下地層７１を除去するとき
のミリング時、本発明では、前記主磁極層２４の上に非
磁性層４０が形成されているため、前記メッキ下地層７
１と共にミリングによって削られるのは前記非磁性層４
０の上面であり、前記主磁極層２４の高さ寸法Ｈ１が減
少することはなく、従って前記高さ寸法Ｈ１を一定値に
保ったまま、前記メッキ下地層７１の除去を行うことが
できる。
【００８２】また前記不必要なメッキ下地層７１を除去
すると、そのとき前記主磁極層２４のトラック幅方向
（図示Ｘ方向）における両側端面２４ｄ，２４ｄには、
前記メッキ下地層７１の構成材料が付着するが、この付
着膜を除去するために斜め方向からミリングしても、前
記付着膜とともに削られるのは非磁性層４０の上面であ
り、前記主磁極層２４の高さ寸法Ｈ１が減少することは
なく、前記高さ寸法Ｈ１を一定に保ったまま、前記付着
膜の除去を行うことができる。
【００８３】また斜め方向からのミリングによって前記
主磁極層２４の両側端面２４ｄを削ると、前記主磁極層
２４の上面２４ｇ（トレーリング側の端面）の幅寸法で
規制されるトラック幅Ｔｗが小さくなり、狭トラック化
に対応可能な垂直磁気記録ヘッドを製造することができ
るが、このミリングによって、前記両側端面２４ｄとと
もに削られるのは前記非磁性層４０の上面であり、前記
主磁極層２４の高さ寸法Ｈ１が減少することはなく、前
記高さ寸法Ｈ１を一定に保ったまま、狭トラック化を図
ることができる。
【００８４】このように本発明では、主磁極層２４の高
さ寸法を一定値に保ったまま、前記主磁極層２４の両側
端面２４ｄ，２４ｄに付着したメッキ下地層７１の付着
膜の除去、および狭トラック化を図ることが可能であ
る。
【００８５】すなわち本発明では、前記主磁極層２４の
高さ寸法と、トラック幅方向における幅寸法をそれぞれ
独立に制御できるものである。前記主磁極層２４の高さ
寸法の制御は、前記主磁極層２４をメッキ成長させたと
きの高さ寸法で規制でき、またトラック幅方向の幅寸法
は、上記のミリング工程で制御することができる。
【００８６】このように本発明では、主磁極層２４の高
さ寸法Ｈ１及びトラック幅Ｔｗを所定値に設定できるた
め、前記主磁極層２４の前端面２４ａの面積を所定値内
に適切に収めることができ、狭トラック化とともにオー
バーライト特性等の諸特性を向上させることが可能であ
る。
【００８７】また本発明では、前記非磁性層４０は非磁
性金属材料で形成されていることが好ましい。前記非磁
性金属材料には、ＮｉＰ、ＮｉＣｕ、ＮｉＭｎ、Ｎｉ
Ｗ、ＮｉＢ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ａｕ、Ｃｕを選択でき
る。この中でもＮｉＰを選択することが好ましい。
【００８８】上記非磁性金属材料を選択する理由は、メ
ッキ形成される主磁極層２４上に前記非磁性層４０を連
続してメッキ形成でき、製造工程の簡略化を図ることが
できるからである。
【００８９】また前記非磁性層４０をメッキで形成する
と前記非磁性層４０の膜厚を適切に調整しやすい。すな
わち上記で述べたように前記非磁性層４０の上面はミリ
ング工程に曝され削られるため、ある程度の膜厚を確保
しておく必要があるが、メッキ形成であると前記非磁性
層４０の膜厚を所定膜厚で形成しやすい。
【００９０】また前記非磁性層４０はＮｉＰであると、
製造上の連続メッキ容易性に加えて、耐熱性に優れ主磁
極層２４との密着性も良い。また主磁極層２４との硬さ
も同等とすることができるので、後述するイオンミリン
グ等による非磁性層４０と主磁極層２４の加工量も同等
とすることができ加工性を向上させることができる。
【００９１】ただし本発明では前記非磁性層４０とし
て、Ａｌ2Ｏ3などの一般的な非磁性材料を選択しても良
い。かかる場合、前記非磁性層４０をスパッタで成膜す
ることになる。
【００９２】また本発明では、図１及び図２に示す垂直
磁気記録ヘッドにおいては、いずれも主磁極層２４とヨ
ーク層３５を別々に形成することができる。よって前記
主磁極層２４とヨーク層３５とを異なる磁性材料で形成
することが可能である。かかる場合、前記主磁極層２４
の飽和磁束密度が、ヨーク層３５の飽和磁束密度よりも
高くなるように磁性材料を選択することが好ましい。主
磁極層２４をヨーク層３５よりも飽和磁束密度の高い磁
性材料で形成しておくと、幅寸法Ｔｗと膜厚の小さい主
磁極層２４からハード膜Ｍａに対して密度の高い磁束φ
を垂直方向へ与えることが可能となり、オーバーライト
特性が向上するようになる。
【００９３】なお前記主磁極層２４及びヨーク層３５に
は、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏなどの
磁性材料が選択されるが、主磁極層２４及びヨーク層３
５に同じ磁性材料を選択する場合には、組成比を変える
ことで飽和磁束密度に差を出すことが可能である。
【００９４】また本発明では、図４及び図５で示したよ
うに前記主磁極層２４の前端面２４ａは、トラック幅方
向の幅寸法が下面から上面にかけて徐々に広がる形状で
形成されている。例えば前記前端面２４ａの両側端面２
４ｄ，２４ｄは傾斜面あるいは湾曲面となっており、前
記前端面２４ａの形状は略逆台形状である。このように
前記主磁極層２４の前端面２４ａの両側端面２４ｄ，２
４ｄが傾斜面あるいは湾曲面とされ、前記前端面２４ａ
の形状が略逆台形状であると、実際に記録媒体に記録を
行うとき、図１１の破線で示すように記録媒体の移動接
線方向（図示Ｚ方向）に対してスキュー角を生じたとし
ても、（ｉｉｉ）で示す前記端面２４ｄが記録トラック
幅Ｔｗ１から側方へ斜めに大きくはみ出すことがない。
よって前記両側端面２４ｄによるフリンジングを防止で
きるようになり、オフトラック性能の向上を図ることが
できる。
【００９５】一方、図３０は図２８に示す従来の主磁極
層５の正面図であるが、図３０のように前記主磁極層５
の端面５ａが正方形または長方形であると、主磁極層５
の端面５ａが、記録媒体の移動接線方向（図示Ｚ方向）
に対してスキュー角を有すると、破線で示すように主磁
極層の側辺５ｂがトラック幅Ｔｗ１内に斜めの漏れ磁界
を与えてフリンジングＦが発生し、オフトラック性能の
低下を招いてしまう。
【００９６】よって本発明のように前記主磁極層２４の
前端面２４ａは略逆台形状であることが良い。
【００９７】次に図４及び図５に示すメッキ下地層７１
の材質及び形状について以下に説明する。
【００９８】前記メッキ下地層７１をＮｉＦｅなどの磁
性材料で形成するとき、図５に示すように、前記メッキ
下地層７１の両側端面７１ｂが前記主磁極層２４の両側
端面２４ｄと連続面とされ、前記メッキ下地層７１のト
ラック幅方向への幅寸法が前記主磁極層２４の下面２４
ｉのトラック幅方向への幅寸法以下で形成されているこ
とが好ましい。
【００９９】かかる場合、前記主磁極層２４の前端面２
４ａが下面から上面にかけてトラック幅方向への幅寸法
が広がる形状で形成されていれば、スキュー角を生じた
としてもより適切にフリンジングの発生を防止できる。
またスキュー角が生じない場合には、前記主磁極層２４
の前端面２４ａが図３０に示す正方形あるいは長方形で
形成されていても、フリンジングの発生を防止すること
ができる。
【０１００】一方図４のように、前記メッキ下地層７１
のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側端面７１
ｂが、前記主磁極層２４のトラック幅方向における両側
端面２４ｄと連続面で形成されても、ミリング精度によ
り、前記メッキ下地層７１の前記両側端面７１ｂの少な
くとも一部が前記主磁極層２４の下面２４ｉのトラック
幅方向の端部２４ｊから、トラック幅方向へはみ出して
形成されることがある。
【０１０１】あるいは図４の点線で示すように、前記メ
ッキ下地層７１の両側端面７１ｂ全体が、前記主磁極層
２４の下面２４ｉの端部２４ｊからトラック幅方向へは
み出して形成されることがある。
【０１０２】上記の場合、本発明では前記主磁極層２４
の前端面２４ａが下面から上面にかけてトラック幅方向
の幅寸法が広がるように形成されていても、記録時にス
キュー角が生じ、前記メッキ下地層７１が記録トラック
幅Ｔｗ１（図１１を参照のこと）よりもはみ出している
ときは、そのはみ出した部分がフリンジングとなる不具
合が発生する。
【０１０３】図２６は、メッキ下地層７１が磁性材料を
用いて形成され主磁極層２４以外の領域にもメッキ下地
層７１が残存した垂直磁気記録ヘッドの磁気記録特性を
マイクロトラックプロファイル法によって測定した結果
を示している。
【０１０４】マイクロトラックプロファイル法とは、記
録媒体上に微小トラックである信号を記録しておき、磁
気抵抗効果素子などの再生素子を記録トラック上でトラ
ック幅方向に走査させて再生出力を読み取ることによ
り、記録トラック上のトラック幅方向の記録信号強度分
布を測定するものである。
【０１０５】図２６に示されるように、磁性材料を用い
て形成されたメッキ下地層７１が主磁極層２４以外の領
域に残存しているとき、スキュー角によって、記録トラ
ック上には主信号Ｓｍのピーク以外にサイド信号Ｓｓの
ピークが現れる。このサイド信号Ｓｓは、記録トラック
幅Ｔｗ１よりもはみ出したメッキ下地層７１によって書
き込まれた、フリンジングである。
【０１０６】このように、メッキ下地層７１が磁性材料
で形成され、図４のように前記メッキ下地層７１の両側
端面７１ｂが主磁極層２４の下面２４ｉの端部２４ｊか
らトラック幅方向にはみ出していると、フリンジングは
発生しやすくなるが、ただしそのはみ出し量が、記録時
にスキュー角が生じても、記録トラック幅Ｔｗ１からは
み出さなければ、フリンジングの発生を防止することが
できる。
【０１０７】従って、前記メッキ下地層７１を磁性材料
で形成するときは、できる限り前記メッキ下地層７１の
はみ出し量を少なくし、前記はみ出し量が記録時にスキ
ュー角が生じたとき、記録トラック幅Ｔｗ１内に収まる
ように、ミリング精度を適切に制御する必要がある。
【０１０８】一方、前記メッキ下地層７１がＣｕなどの
非磁性金属材料で形成される場合、上記のような前記メ
ッキ下地層７１のはみ出し量を考慮する必要性はない。
すなわちメッキ下地層７１を非磁性金属材料で形成する
場合、スキュー角が生じ、記録トラック幅Ｔｗ１から前
記メッキ下地層７１がはみ出したとしても、前記メッキ
下地層７１の部分で記録は行なわれないので、前記メッ
キ下地層７１のはみ出しによるフリンジングが発生する
ことはなく、オフトラック性能の向上を図ることができ
る。
【０１０９】図２７は、メッキ下地層７１が非磁性材料
を用いて形成され主磁極層２４以外の領域にもメッキ下
地層７１が残存した垂直磁気記録ヘッドの磁気記録特性
をマイクロトラックプロファイル法によって測定した結
果を示している。
【０１１０】図２７に示されるように、非磁性材料を用
いて形成されたメッキ下地層７１が主磁極層２４以外の
領域に残存し、前記メッキ下地層７１が記録トラック幅
Ｔｗ１からはみ出していても、記録トラック上には主信
号Ｓｍのピークのみが現れ、サイド信号Ｓｓ、すなわち
フリンジグは検出されない。
【０１１１】従って前記メッキ下地層７１に非磁性金属
材料を使用した方がミリング制御を容易にできて好まし
い。
【０１１２】次に前記主磁極層２４及びヨーク層３５を
真上から見た平面形状について以下に説明する。なお以
下に説明する平面図は図１及び図２に示す垂直磁気記録
ヘッドのいずれにも適用できるものである。
【０１１３】図６の平面図に示すように、前記ヨーク層
３５は、対向面Ｈ１ａ側である前方領域３５ｄでトラッ
ク幅方向の幅寸法Ｗｙが細くなり、後方領域３５ｅでト
ラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなる平面形状であ
る。そして、前記前方領域３５ｄ上に主磁極層２４が重
ねられている。なお前記前方領域３５ｄのトラック幅方
向（図示Ｘ方向）における幅寸法Ｗｙは、トラック幅Ｔ
ｗよりも広い幅寸法で形成される。
【０１１４】図６に示すように前記主磁極層２４は前端
面２４ａの上面（トレーリング側の端面）がトラック幅
Ｔｗで規制され、その幅寸法を保ってあるいはやや幅広
になってハイト方向後方に向けて短い長さ寸法で形成さ
れている。
【０１１５】なお本発明では、前記対向面Ｈ１ａに露出
する前記主磁極層２４の前端面２４ａが、前記補助磁極
層２１の前端面２１ｂの面積よりも大きいことが必要
で、例えば図６に示すように、補助磁極層２１のトラッ
ク幅方向の幅寸法Ｗｒは、前記トラック幅Ｔｗよりも十
分に大きい幅寸法で形成されることが好ましい。
【０１１６】図７では、前記ヨーク層３５が前記前方領
域３５ｄを有することなく、奥側に至るにしたがって幅
寸法Ｗｙが徐々に広がる形状である。そして前記ヨーク
層３５上に主磁極層２４が重ねられている。
【０１１７】図７に示すように前記主磁極層２４は前端
面２４ａの上面（トレーリング側の端面）がトラック幅
Ｔｗで規制され、その幅寸法を保ってあるいはやや幅広
になってハイト方向後方に向けて短い長さ寸法で形成さ
れている。
【０１１８】図８では、前記ヨーク層３５の形状は図７
と同じであるが、前記主磁極層２４の後方領域２４ｅが
幅寸法が徐々に広がる形状であり、この後方領域２４ｅ
とヨーク層３５とが重なり合っている。ただし、前記ヨ
ーク層３５がさらに対向面側Ｈ１ａに寄って形成され、
前記主磁極層２４の幅細形状の前方領域２４ｆの一部も
前記ヨーク層３５と重なり合っていてもよい。
【０１１９】また前記ヨーク層３５に図６に示すような
前方領域３５ｄが形成されていても良い。
【０１２０】図９では、前記ヨーク層３５の形状は、図
７及び図８と同じであるが、前記主磁極層２４の後方領
域２４ｅが幅寸法が徐々に広がる形状であり、さらにこ
の後方領域２４ｅは、ハイト方向（図示Ｙ方向）に長く
延びて形成されている。前記後方領域２４ｅの後端は、
図２のように前記ヨーク層３５の後端面３５ｂと同一面
にまで延ばされていても良い。
【０１２１】また前記ヨーク層３５に図６に示すような
前方領域３５ｄが形成されていても良い。さらには前記
主磁極層２４には、漸次的に幅寸法が広がる後方領域２
４ｅが形成されず、ハイト方向に向けてトラック幅Ｔｗ
を保って、あるいはハイト方向に向けて前記トラック幅
Ｔｗよりもやや幅広になった幅細の前方領域２４ｆがハ
イト方向に長く延ばされていても良い。
【０１２２】上記した図６ないし図９に示す平面図で
は、いずれも前記ヨーク層３５にはハイト方向に至るに
したがって幅寸法Ｗｙが漸次的に広がる領域が形成され
ており、特に前記ヨーク層３５と主磁極層２４とが重な
る位置において、前記ヨーク層３５のトラック幅方向の
幅寸法が、前記主磁極層２４のトラック幅方向の幅寸法
よりも広くなっている。
【０１２３】また前記ヨーク層３５の膜厚は前記主磁極
層２４の膜厚と同程度か、あるいは図２に示すように前
記ヨーク層３５の膜厚Ｈ６が前記主磁極層２４の膜厚Ｈ
５よりも大きく形成されている。
【０１２４】従って前記ヨーク層３５と主磁極層２４と
が重なる位置において、前記ヨーク層３５の前記対向面
Ｈ１ａと平行な方向への断面積は、前記主磁極層２４の
前記対向面Ｈ１ａと平行な方向への断面積よりも大きく
なっている。これにより前記ヨーク層３５から前記主磁
極層２４に適切に記録磁界を導くことができ、磁束の通
過効率が良くなって、オーバーライト特性を向上でき
る。
【０１２５】また図１及び図２のように主磁極層２４と
ヨーク層３５とを別々に形成し、前記ヨーク層３５の上
に主磁極層２４を重ねる構造である場合、前記主磁極層
２４の幅細で形成された前方領域２４ｆを長く延ばして
形成する方が、前記前方領域２４ｆの全体の幅寸法をほ
ぼトラック幅Ｔｗでパターン精度良く形成できて好まし
い。さらにかかる場合、前記ヨーク層３５をできる限り
対向面Ｈ１ａ側に寄せて形成することで、前記主磁極層
２４の磁気飽和を抑制でき、前記主磁極層２４に磁束を
集中させることができる。
【０１２６】なお図６ないし図９は一例であり、主磁極
層２４及びヨーク層３５の平面形状がこれら平面形状に
限定されるものではない。本発明では、前記主磁極層２
４とヨーク層３５とが重なる位置において、前記ヨーク
層３５の前記対向面Ｈ１ａと平行な方向への断面積が、
前記主磁極層２４の前記対向面Ｈ１ａと平行な方向への
断面積よりも大きくなっていれば、如何なる平面形状で
形成されていてもよい。
【０１２７】また図１０は図３に示す垂直磁気記録ヘッ
ドの平面図であり、前端面２４ａがトラック幅で形成さ
れ、この幅寸法を保ってあるいはこの幅寸法よりもやや
幅広にされた幅細領域が主磁極層２４であり、この主磁
極層２４の基端からトラック幅方向（図示Ｘ方向）にお
ける幅寸法が漸次的に広がる領域がヨーク層３５となっ
ている。
【０１２８】図１ないし図３に示す垂直磁気記録ヘッド
では、リード層３６を介してコイル層２７に記録電流が
与えられると、コイル層２７を流れる電流の電流磁界に
よって補助磁極層２１とヨーク層３５に記録磁界が誘導
される。図１ないし図３に示すように、対向面Ｈ１ａで
は、前記主磁極層２４の前端面２４ａと補助磁極層２１
の前端面２１ｂからの漏れ記録磁界が、記録媒体Ｍのハ
ード膜Ｍａを貫通しソフト膜Ｍｂを通過する。前記主磁
極層２４の前端面２４ａの面積が補助磁極層２１の前端
面２１ｂの面積よりも十分に小さいために、前記主磁極
層２４の前端面２４ａに洩れ記録磁界の磁束φが集中
し、この集中している磁束φにより前記ハード膜Ｍａが
垂直方向へ磁化されて、磁気データが記録される。
【０１２９】次に本発明の垂直磁気記録ヘッドの製造方
法について以下に説明する。図１２から図２５は本発明
における垂直磁気記録ヘッドの製造工程を示す工程図で
ある。なお図１２から図１４は図１ないし図３に示す垂
直磁気記録ヘッドの共通の製造工程を示している。
【０１３０】図１２に示す工程では、非磁性絶縁層１２
上に磁性材料製の補助磁極層２１を形成した後、前記補
助磁極層２１のハイト方向後方も前記非磁性絶縁層１２
で埋め、さらに前記補助磁極層２１および非磁性絶縁層
１２の上面をＣＭＰ技術などを用いて平坦化加工する。
【０１３１】次に前記補助磁極層２１のハイト方向後方
に、磁性材料製の接続層２５をメッキ形成し、さらに前
記補助磁極層２１上面から接続層２５の上面にかけて無
機絶縁材料をスパッタして絶縁下地層２６を形成する。
【０１３２】次に図１３に示すように前記絶縁下地層２
６の上にフレームメッキ法によりコイル層２７を形成
し、さらに底上げ層３１を同じくメッキにより形成す
る。このときコイル層２７は、前記接続層２５の高さよ
りも十分に低い位置に形成する。そして前記コイル層２
７と底上げ層３１を有機材料の絶縁層３２で覆い、さら
に、無機絶縁材料をスパッタして、全ての層を覆う絶縁
層３３を形成する。
【０１３３】次に、図１３の状態に成膜された各層に対
して、図示上方からＣＭＰ技術などを用いて研磨加工を
行なう。この研磨加工は、前記絶縁層３３、接続層２５
および底上げ層３１の全てを横断する水平面（Ｌ−Ｌ
面）の位置まで行なう。
【０１３４】前記研磨加工の結果、図１４に示すよう
に、接続層２５の表面２５ａ、絶縁層３３の表面３３ａ
および底上げ層３１の表面３１ａが全て同一面となるよ
うに加工される。
【０１３５】ここまでが各実施形態において共通する製
造工程である。次に図１に示す構造の垂直磁気記録ヘッ
ドの製造方法について説明する。
【０１３６】図１５は平面図でありこの工程では、前記
絶縁層３３の上にレジスト層７３を形成する。さらに前
記レジスト層７３にヨーク層３５の平面形状となる抜き
パターン７３ａを露光現像により形成する。前記抜きパ
ターン７３ａは、ヨーク層３５が形成される領域のヨー
クパターン７３ｃと、その後方に位置するコモンパター
ン７３ｄとで構成される。前記抜きパターン７３ａは、
その前端面７３ｂが前記対向面Ｈ１ａよりもハイト方向
（図示Ｙ方向）後方に位置し、また前記抜きパターン７
３ａのヨークパターン７３ｃは前記接続層２５にまで延
びて形成されている。
【０１３７】そして、前記抜きパターン７３ａ内にメッ
キ下地層７２をスパッタ成膜し、前記レジスト層７３を
除去する。
【０１３８】図１６に示す工程では前記コモンパターン
７３ｄ上にレジスト層７４を形成し、前記レジスト層７
４に覆われていない前記ヨークパターン７３ｃ上に形成
されたメッキ下地層７２上にヨーク層３５をメッキ成長
させる。そして前記レジスト層７４を除去、さらにコモ
ンパターン７３ｄ上のメッキ下地層７２を除去すると、
この時点での垂直磁気記録ヘッドの縦断面図は図１７の
ようになる。
【０１３９】図１７に示すように、前記メッキ下地層７
２上にメッキ形成されたヨーク層３５は、その前端面３
５ａがだれて、下面から上面にかけてハイト方向（図示
Ｙ方向）に傾く傾斜面あるいは湾曲面で形成される。こ
のように前記前端面３５ａにだれが生じるのは、前記ヨ
ークパターン７３ｃよりも前方が前記レジスト層７４に
よって覆われておらず開放されているからである。
【０１４０】そして前記前端面３５ａが下面から上面に
かけてハイト方向に傾く傾斜面あるいは湾曲面で形成さ
れることで、後工程で形成される主磁極層２４をメッキ
形成しやすくできると共に、前記ヨーク層３５から主磁
極層２４への磁束の流れを良好にでき、磁束の通過効率
が向上させることができる。
【０１４１】また図１７には示されていないが、前記底
上げ層３１の上面３１ａにも図１５及び図１６に示す工
程と同じ工程時にリード層３６をメッキ形成することが
好ましい。
【０１４２】次に図１８は平面図であり、この工程で
は、前記ヨーク層３５及びその周囲に広がる絶縁層３３
上にメッキ下地層７１をスパッタ成膜し、その上にレジ
スト層７５を形成し、前記レジスト層７５に主磁極層２
４の形成のための抜きパターン７５ａを露光現像により
形成する。
【０１４３】図１８に示すように前記抜きパターン７５
ａの前端面７５ｂは前記対向面Ｈ１ａと同一面上に形成
され、さらに前記抜きパターン７５ａは、前記ヨーク層
３５上にまで延びて形成されている。またこの工程では
前記抜きパターン７５ａは、その後端面７５ｄが一点鎖
線で示すようにさらにハイト方向（図示Ｙ方向）後方に
延びて形成されていてもかまわない。
【０１４４】本発明における前記レジスト層７５は、前
記対向面Ｈ１ａ側から見ると図１９に示す形状となって
いる。
【０１４５】図１９に示すように、前記レジスト層７５
に形成された抜きパターン７５ａの内側側面７５ｅ，７
５ｅは、下面から上面にかけて（図示Ｚ方向）、トラッ
ク幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法が徐々に広がって形成
されている。前記内側側面７５ｅは、図１９に示すよう
に湾曲面で形成されていてもよいし、傾斜面で形成され
ていてもよい。
【０１４６】このような形状の抜きパターン７５ａを前
記レジスト層７５に形成するには、前記レジスト層７５
を塗布した後、露光現像で前記抜きパターン７５ａを形
成し、さらに熱処理によって前記抜きパターン７５ａの
内側側面７５ｅをだれさせることで、前記内側側面７５
ｅを傾斜面あるいは湾曲面に形成できる。
【０１４７】次に図２０に示すように、前記抜きパター
ン７５ａ内に露出した前記メッキ下地層７１上に主磁極
層２４をメッキ成長させる。このとき前記主磁極層２４
をある所定の膜厚Ｈ１までメッキ成長させる。
【０１４８】さらに本発明では前記主磁極層２４上にＮ
ｉＰ等の非磁性金属材料からなる非磁性層４０をメッキ
成長させる。そして前記レジスト層７５を除去する。
【０１４９】なお、非磁性層４０はＮｉＰ合金であって
元素Ｐの濃度は８質量％以上で１５質量％以下であるこ
とが好ましい。これにより例えば発熱等の外的要因に対
しても安定して非磁性であることが可能である。また、
ＮｉＰ合金等の非磁性層４０の合金組成の測定は、ＳＥ
ＭやＴＥＭ等の組合わされたＸ線分析装置や波形分散形
線分析装置等で特定可能である。
【０１５０】図２１は、前記レジスト層７５を除去した
状態を示す図である。図２１に示すように、前記メッキ
下地層７１の上には、トラック幅方向の幅寸法が下面か
ら上面にかけて徐々に広がるように両側端面が傾斜面あ
るいは湾曲面とされた主磁極層２４及び非磁性層４０が
積層されている。
【０１５１】図２１に示すように、前記主磁極層２４の
下のみならず他の領域にも前記メッキ下地層７１が形成
されているため、前記メッキ下地層７１を除去しなけれ
ばならない。
【０１５２】図２１に示す工程では、異方性のイオンミ
リングによって、前記主磁極層２４の下以外に形成され
た前記メッキ下地層７１を除去する。このとき前記非磁
性層４０の上面４０ｅも前記イオンミリングの影響を受
けて削られていく。
【０１５３】また図２２に示すように、除去された前記
メッキ下地層７１ａの一部は、前記主磁極層２４及び非
磁性層４０の両側端面２４ｄ，４０ｄに再付着するため
（矢印方向Ｃ）、前記両側端面に付着した付着膜７６，
７６を異方性のイオンミリングで除去する（図２２に示
す点線領域）。このときも前記非磁性層４０の上面４０
ｅは前記イオンミリングの影響を受けて削られていく。
【０１５４】上記のように本発明では主磁極層２４の上
に非磁性層４０が形成されているため、イオンミリング
でメッキ下地層７１及びその付着膜７６を除去するとき
に、前記非磁性層４０の上面４０ｅが削れるだけで前記
主磁極層２４の高さ寸法Ｈ１は減少しない。
【０１５５】また図２２の一点鎖線で示すように、前記
主磁極層２４の両側端面２４ｄ，及び非磁性層４０の両
側端面４０ｄを異方性のイオンミリングでさらに削っ
て、前記主磁極層２４の上面２４ｇ（トレーリング側の
端面）の幅寸法で決まるトラック幅Ｔｗを小さくする場
合でも、イオミリングで非磁性層４０の上面４０ｅは削
られるものの、前記主磁極層２４の高さ寸法Ｈ１は減少
しない。
【０１５６】したがって本発明の製造方法によれば、主
磁極層２４の高さ寸法Ｈ１を減少させることはなく一定
値に保った状態で、メッキ下地層７１ａ、付着膜７６の
除去や狭トラック化を実現することが可能である。
【０１５７】なお本発明では前記イオンミリングは、メ
ッキ下地層７１に対して垂直方向から４５°から７０°
前後傾いた角度で行なわれることが好ましい。
【０１５８】また４５°から６０°の範囲内とするとメ
ッキ下地層７１ａ、付着膜７６の除去、さらには狭トラ
ック化を1回のイオンミリング工程で行うことが可能で
あり、製造工程を簡略化できる。
【０１５９】また前記主磁極層２４の両側側面２４ｄの
みをミリングで削りたい場合には、ミリング角度をメッ
キ下地層７１に対して垂直方向から６０°以上で７０°
以下に傾けて行う。
【０１６０】なお本発明では、前記主磁極層２４の高さ
寸法Ｈ１は０．２５μｍ以上で０．５μｍ以下程度であ
ることが好ましい。本発明では、この高さ寸法Ｈ１を図
２０に示す主磁極層２４のメッキ成長工程で調整でき
る。
【０１６１】また本発明では、前記主磁極層２４のトラ
ック幅Ｔｗは０．７μｍ以下であることが好ましく、よ
り好ましくは０．５μｍ以下である。なお図２０に示す
レジスト層７５に形成された抜きパターン７５ａの内幅
寸法を所定のトラック幅Ｔｗ程度に狭くできれば、前記
主磁極層２４のメッキ成長工程で前記トラック幅Ｔｗを
決定することが可能であるが、そうではない場合には図
２２に示すようにイオンミリング工程で主磁極層２４の
両側端面２４ｄを削って、所定のトラック幅Ｔｗに調整
する。なお主磁極層２４をレジスト層７５の抜きパター
ン７５ａ内にメッキ成長させる工程でトラック幅Ｔｗを
決定できたとしても、図２２に示すように、メッキ下地
層７１ａの除去、および両側端面２４ｄに付着した付着
膜７６の除去のためのミリング工程が必要であることは
言うまでもない。
【０１６２】このように本発明では、前記主磁極層２４
の高さ寸法Ｈ１の調整とトラック幅Ｔｗの調整を独立し
て行うことが可能であり、所定の高さ寸法Ｈ１及びトラ
ック幅Ｔｗに容易に調整することができる。
【０１６３】また本発明では前記メッキ下地層７１は、
磁性メッキ材料であってもよいし、非磁性メッキ材料で
あってもよい。前記メッキ下地層７１に非磁性の例えば
Ｃｕなどの非磁性金属材料を用いた場合、前記メッキ下
地層７１が前記主磁極層２４下の周囲に若干延出し、前
記メッキ下地層７１が記録時にスキュー角が生じたとき
に、記録媒体に記録した記録トラック幅Ｔｗ１からはみ
出していてもかまわないので、前記メッキ下地層７１に
磁性メッキ材料を用いる場合に比べてエッチング制御を
容易にすることができる。
【０１６４】なお前記メッキ下地層７１が非磁性メッキ
材料である場合、前記主磁極層２４の両側端面２４ｄに
付着した付着膜７６を除去しなくても良い。前記付着膜
７６が付いたままでもトラック幅Ｔｗの大きさはかわら
ないからである。ただしかかる場合でも前記主磁極層２
４の両側端面２４ｄを削ることで狭トラック化に対応可
能な垂直磁気記録ヘッドを製造することが可能である。
【０１６５】図２３ないし図２５は、図２に示す垂直磁
気記録ヘッドの製造方法を示す工程図である。
【０１６６】図２３に示す工程では、前記絶縁層３３の
上面３３ａ、接続層２５の上面２５ａ、および底上げ層
３１の上面３１ａの全体にレジスト層６４を形成し、露
光現像により、ヨーク層３５の抜きパターン６４ａを形
成する。
【０１６７】図２３に示すように前記抜きパターン６４
ａの前端面６４ｂを前記対向面Ｈ１ａよりもハイト方向
奥側に形成する。また前記前端面６４ｂと前記対向面Ｈ
１ａ間に残されたレジスト層６４の後端面６４ｃは、下
面から上面にかけて前記対向面Ｈ１ａ側に傾く傾斜面と
なっているが、この傾斜面は前記レジスト層６４に熱処
理を施し、だれを発生させることにより形成することが
可能である。また前記抜きパターン６４ａを前記接続層
２５上にまで形成する。
【０１６８】そして前記抜きパターン６４ａ内にヨーク
層３５をメッキ形成し、その後前記レジスト層６４を除
去する。これによって前端面３５ａが前記対向面Ｈ１ａ
よりもハイト方向奥側に位置する前記ヨーク層３５を形
成することができる。また前記前端面３５ａは下面から
上面にかけてハイト方向後方に傾く傾斜面あるいは湾曲
面であることが好ましい。また前記前端面３５ａと上面
間の外角θは９０°以上であることが好ましい。また前
記ヨーク層３５は前記接続層２５上に磁気的に接続され
た状態になっている。
【０１６９】なお前記レジスト層６４を除去した後、前
記ヨーク層３５の下以外の部分に形成されたメッキ下地
層（図示しない）をエッチングで除去する。
【０１７０】次に図２４に示す工程では、前記ヨーク層
３５上及び絶縁層３３上に、無機絶縁材料による第２の
絶縁層５７を形成する。さらに図２４に示すＭ−Ｍ線か
ら前記第２の絶縁層５７をＣＭＰ技術により研磨加工
し、これにより前記第２の絶縁層５７の上面とヨーク層
３５の上面とを同一平坦化面にできる。
【０１７１】次に図２５に示す工程では、図１８ないし
図２０と同様の方法により主磁極層２４及び非磁性層４
０をメッキ形成する。図２５に示すように、前記第２の
絶縁層５７の上、および前記ヨーク層３５の上にレジス
ト層７５を形成し、前記レジスト層７５に主磁極層２４
の抜きパターン７５ａを形成する。前記レジスト層７５
下の第２の絶縁層５７及びヨーク層３５上面が平坦化さ
れているので、前記抜きパターン７５ａを高精度に形成
することができる。
【０１７２】図２５に示すように、前記レジスト層７５
の膜厚を、図２３工程でのレジスト層６４の膜厚よりも
小さくし、しかも前記レジスト層７５の抜きパターン７
５ａの前端面７５ｂを、対向面Ｈ１ａと同一面となるよ
うに形成する。前記抜きパターン７５ａの後端面７５ｄ
に関しては、図２５のように、ヨーク層３５の後端面と
同一面上にまで形成すれば、主磁極層２４の形状を図２
のように形成できるが、前記抜きパターン７５の後端面
７５ｄを対向面Ｈ１ａ側に短く形成してもよい。
【０１７３】そして前記抜きパターン７５ａ内に主磁極
層２４をメッキ形成し、さらにその上に非磁性層４０を
メッキ形成し、その後前記レジスト層７５を除去する。
これにより、前端面２４ａが対向面Ｈ１ａに現れ、膜厚
がヨーク層３５よりも薄い主磁極層２４を前記ヨーク層
３５の上に重ねて形成することができる。
【０１７４】次に図２１及び図２２と同様に、イオンミ
リングを用いてメッキ下地層７１ａを除去し、付着膜７
６を除去し、さらに主磁極層２４の両側端面２４ｄ，２
４ｄを削って狭トラック化を図る。
【０１７５】なお図３に示す垂直磁気記録ヘッドの製造
は、図１４に示す工程後、図１３以降の工程を施すこと
で行うことができる。
【０１７６】なお本発明では、図１９に示すレジスト層
７５は、前記対向面Ｈ１ａでのトラック幅方向（図示Ｘ
方向）の内幅寸法が、下面から上面にかけて広がるよう
に形成されていなくても良く、前記主磁極層２４の前端
面２４ａが従来と同様に正方形や長方形等の形状で形成
されていても本発明の効果を得ることが可能である。
【０１７７】また図１及び図２に示す実施形態では、読
取り部ＨRが形成されているが、これが形成されていな
くても良い。
【０１７８】
【発明の効果】以上のように本発明では、主磁極層の上
に非磁性層が重ねて形成されている。そして前記非磁性
層は、ミリングの際に前記主磁極層を保護すべきカバー
層の役割を有するため、前記主磁極層の高さ寸法を一定
値に保ちながら、製造工程の際に前記主磁極層の両側端
面に付着したメッキ下地層の付着膜を適切に除去でき、
また前記主磁極層のトラック幅Ｔｗを小さくすることが
でき、トラック幅方向の幅寸法の制御と高さ寸法の制御
とを独立して行うことが可能である。
【０１７９】従って本発明では、前記主磁極層の前端面
を所定のトラック幅Ｔｗ及び高さ寸法で形成でき、よっ
て前記前端面の面積を所定値内に収めやすく、オーバー
ライト特性等の諸特性を向上させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における第１実施形態の垂直磁気記録ヘ
ッドを備えた磁気ヘッドの縦断面図、
【図２】本発明における第２実施形態の垂直磁気記録ヘ
ッドを備えた磁気ヘッドの縦断面図、
【図３】本発明における第３実施形態の垂直磁気記録ヘ
ッドを備えた磁気ヘッドの縦断面図、
【図４】本発明における垂直磁気記録ヘッドの部分正面
図、
【図５】本発明における垂直磁気記録ヘッドの別の部分
正面図、
【図６】図１あるいは図２の垂直磁気記録ヘッドの平面
図、
【図７】図１あるいは図２の垂直磁気記録ヘッドの別の
平面図、
【図８】図１あるいは図２の垂直磁気記録ヘッドの別の
平面図、
【図９】図１あるいは図２の垂直磁気記録ヘッドの別の
平面図、
【図１０】図３の垂直磁気記録ヘッドの平面図、
【図１１】本発明における磁気ヘッドにスキュー角が発
生した状態を示す説明図、
【図１２】本発明における垂直磁気記録ヘッドの製造方
法を示す一工程図、
【図１３】図１２に示す工程の次に行なわれる一工程
図、
【図１４】図１３に示す工程の次に行なわれる一工程
図、
【図１５】図１４に示す工程の次に行なわれ、図１に示
す垂直磁気記録ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【図１６】図１５に示す工程の次に行なわれる一工程
図、
【図１７】図１６に示す工程の次に行なわれる一工程
図、
【図１８】図１７に示す工程の次に行なわれる一工程
図、
【図１９】図１８に示す工程の次に行なわれる一工程
図、
【図２０】図１９に示す工程の次に行なわれる一工程
図、
【図２１】図２０に示す工程の次に行なわれる一工程
図、
【図２２】図２１に示す工程の次に行なわれる一工程
図、
【図２３】図１４に示す工程の次に行なわれ、図２に示
す垂直磁気記録ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【図２４】図２３に示す工程の次に行なわれる一工程
図、
【図２５】図２４に示す工程の次に行なわれる一工程
図、
【図２６】主磁極層以外の領域に磁性材料からなるメッ
キ下地層が残存した垂直磁気記録ヘッドの磁気記録特性
を示すグラフ、
【図２７】主磁極層以外の領域に非磁性金属材料からな
るメッキ下地層が残存した垂直磁気記録ヘッドの磁気記
録特性を示すグラフ、
【図２８】従来の垂直磁気記録ヘッドの構造を示す縦断
面図、
【図２９】図２８の一製造工程を示す正面図、
【図３０】従来における磁気ヘッドにスキュー角が発生
した状態を示す説明図、
【符号の説明】
Ｈ 垂直磁気記録ヘッド Ｈ１ａ 対向面 Ｍ 記録媒体 Ｍａ ハード膜 Ｍｂ ソフト膜 １１ スライダ ２１ 補助磁極層 ２４ 主磁極層 ２５ 接続層 ２７ コイル層 ３３ 絶縁層 ３５ ヨーク層 ４０ 非磁性層 ６４、７３、７４、７５ レジスト層 ７１、７２ メッキ下地層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 矢澤 久幸 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 Ｆターム(参考） 5D033 AA05 BA08 BA13 DA04 DA07 DA08 DA31

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 記録媒体との対向面に、補助磁極層と主
    磁極層とが間隔を開けて位置し、前記対向面よりもハイ
    ト方向後方に前記補助磁極層と前記主磁極層とに記録磁
    界を与えるコイル層が設けられ、前記主磁極層に集中す
    る垂直磁界によって、前記記録媒体に磁気データを記録
    する垂直磁気記録ヘッドにおいて、 前記主磁極層の上には、非磁性層が形成されており、 前記対向面よりもハイト方向後方では前記補助磁極層か
    ら立ち上がる接続層が設けられ前記接続層の周囲を前記
    コイル層が巻回形成されており、前記主磁極層と前記接
    続層間が磁気的に接続されていることを特徴とする垂直
    磁気記録ヘッド。
  2. 【請求項２】 前記主磁極層と接続層間はヨーク層によ
    って磁気的に接続されている請求項１記載の垂直磁気記
    録ヘッド。
  3. 【請求項３】 前記非磁性層は非磁性金属材料で形成さ
    れている請求項１または２に記載の垂直磁気記録ヘッ
    ド。
  4. 【請求項４】 前記主磁極層と前記非磁性層とは、メッ
    キで形成されている請求項３記載の垂直磁気記録ヘッ
    ド。
  5. 【請求項５】 前記対向面に現れている前記主磁極層の
    前端面は、下面から上面に向けてトラック幅方向の幅寸
    法が広がる形状で形成されている請求項１ないし４のい
    ずれかに記載の垂直磁気記録ヘッド。
  6. 【請求項６】 前記前端面の両側端面は、傾斜面あるい
    は湾曲面で形成されている請求項５記載の垂直磁気記録
    ヘッド。
  7. 【請求項７】 前記主磁極層は磁性材料からなるメッキ
    下地層上に形成され、前記メッキ下地層のトラック幅方
    向における両側端面の少なくとも一部は、前記主磁極層
    の下面のトラック幅方向の端部よりもトラック幅方向へ
    はみ出して形成されており、そのはみ出し量は、記録媒
    体への記録時にスキュー角が生じたときに、前記記録媒
    体に記録される記録トラック幅Ｔｗ１からはみ出さない
    長さである請求項５または６に記載の垂直磁気記録ヘッ
    ド。
  8. 【請求項８】 前記主磁極層は磁性材料からなるメッキ
    下地層上に形成され、前記メッキ下地層のトラック幅方
    向における両側端面は、前記主磁極層のトラック幅方向
    における両側端面と連続面とされ、前記メッキ下地層の
    トラック幅方向への幅寸法は、前記主磁極層の下面のト
    ラック幅方向への幅寸法以下で形成される請求項１ない
    し６のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッド。
  9. 【請求項９】 前記主磁極層は非磁性金属材料からなる
    メッキ下地層上に形成される請求項１ないし６のいずれ
    かに記載の垂直磁気記録ヘッド。
  10. 【請求項１０】 前記非磁性金属材料からなるメッキ下
    地層のトラック幅方向の幅寸法が、前記主磁極層の下面
    のトラック幅方向の幅寸法よりも大きい請求項９記載の
    垂直磁気記録ヘッド。
  11. 【請求項１１】 前記主磁極層の飽和磁束密度が、前記
    ヨーク層の飽和磁束密度よりも高い請求項２ないし１０
    のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッド。
  12. 【請求項１２】 前記補助磁極層上には絶縁層が形成さ
    れ、この絶縁層内に前記コイル層が埋設され、前記接続
    層の上面は前記絶縁層の上面と同一平面で形成され、 前記絶縁層上面及び接続層上面に前記ヨーク層が形成さ
    れ、前記ヨーク層の前端面は、前記対向面よりもハイト
    方向後方に位置しており、 前記主磁極層及び非磁性層は、前記ヨーク層の前記前端
    面と前記対向面間に位置する前記絶縁層上面から前記ヨ
    ーク層上面にかけて形成されている請求項２ないし１１
    のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッド。
  13. 【請求項１３】 前記ヨーク層の前端面は下面から上面
    にかけてハイト方向に傾く傾斜面あるいは湾曲面で形成
    されている請求項１２記載の垂直磁気記録ヘッド。
  14. 【請求項１４】 前記補助磁極層上には絶縁層が形成さ
    れ、この絶縁層内に前記コイル層が埋設され、前記接続
    層の上面は前記絶縁層の上面と同一平面で形成され、 前記絶縁層上面及び接続層上面に前記ヨーク層が形成さ
    れ、前記ヨーク層の前端面は、前記対向面よりもハイト
    方向後方に位置しており、 前記ヨーク層の前記前端面と前記対向面間には第２の絶
    縁層が形成され、前記ヨーク層の上面と前記第２の絶縁
    層の上面とが同一平面で形成され、 前記主磁極層及び非磁性層は、前記第２の絶縁層の上面
    から前記ヨーク層の上面にかけて形成されている請求項
    ２ないし１１のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッド。
  15. 【請求項１５】 前記ヨーク層の前端面は上面から下面
    にかけてハイト方向に傾く傾斜面あるいは湾曲面で形成
    されている請求項１４記載の垂直磁気記録ヘッド。
  16. 【請求項１６】 前記ヨーク層と主磁極層とが重なる位
    置での前記ヨーク層の前記対向面と平行な方向からの断
    面積は、前記主磁極層の前記対向面と平行な方向からの
    断面積よりも大きい請求項１２ないし１５のいずれかに
    記載の垂直磁気記録ヘッド。
  17. 【請求項１７】 以下の工程を有することを特徴とする
    垂直磁気記録ヘッドの製造方法。 （ａ）磁性材料で補助磁極層を形成する工程と、（ｂ）
    前記補助磁極層上であって、記録媒体との対向面よりも
    ハイト方向後方に接続層を形成し、次に前記対向面と接
    続層間に、前記補助磁極層上に絶縁下地層を介してコイ
    ル層を形成した後、前記コイル層上を絶縁層で埋める工
    程と、（ｃ）前記絶縁層の表面を削り、前記絶縁層上面
    と前記接続層上面を同一面とする工程と、（ｄ）前記絶
    縁層上に前端面が前記対向面よりもハイト方向後方に位
    置し且つ前記接続層上にまで延びるヨーク層を形成する
    工程と、（ｅ）前記絶縁層上及びヨーク層上にメッキ下
    地層を形成し、さらに前記メッキ下地層上にレジスト層
    を形成し、前記レジスト層に前記対向面での絶縁層上か
    ら前記ヨーク層上にまで延びる抜きパターンを形成する
    工程と、（ｆ）前記抜きパターン内に主磁極層と非磁性
    金属材料から成る非磁性層を連続メッキした後、前記レ
    ジスト層を除去する工程と、（ｇ）前記主磁極層と非磁
    性層のトラック幅方向における両側側面をミリングで削
    る工程。
  18. 【請求項１８】 前記（ｇ）工程において、前記主磁極
    層下の前記メッキ下地層を残し、それ以外のメッキ下地
    層をミリングで削る請求項１７記載の垂直磁気記録ヘッ
    ドの製造方法。
  19. 【請求項１９】 前記（ｄ）工程を除き、前記（ｅ）工
    程で、メッキ下地層を絶縁層上に形成し、さらに前記メ
    ッキ下地層上にレジスト層を形成し、前記レジスト層に
    前記対向面での絶縁層から前記接続層上にまで延びる抜
    きパターンを形成する請求項１７または１８に記載の垂
    直磁気記録ヘッドの製造方法。
  20. 【請求項２０】 前記（ｅ）工程に代えて、以下の工程
    を有する請求項１７または１８に記載の垂直磁気記録ヘ
    ッドの製造方法。 （ｈ）前記ヨーク層の周囲を第２の絶縁層で埋め、前記
    第２の絶縁層の表面を削り、前記第２の絶縁層の上面と
    前記ヨーク層の上面とを同一面にする工程と、（ｉ）前
    記第２の絶縁層及びヨーク層上にメッキ下地層を形成
    し、さらに前記メッキ下地層上にレジスト層を形成し、
    前記レジスト層に前記対向面での前記第２の絶縁層上か
    ら前記ヨーク層上にまで延びる抜きパターンを形成する
    工程。
  21. 【請求項２１】 前記（ｅ）工程あるいは（ｉ）工程に
    おいて、少なくとも前記対向面でのトラック幅方向の内
    幅寸法が、下面から上面にかけて広がる抜きパターンを
    前記レジスト層に形成する請求項１７ないし２０のいず
    れかに記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
  22. 【請求項２２】 前記メッキ下地層を非磁性金属材料で
    形成する請求項１７ないし２１のいずれかに記載の垂直
    磁気記録ヘッドの製造方法。
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