JPH11120514A

JPH11120514A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

Info

Publication number: JPH11120514A
Application number: JP9283896A
Authority: JP
Inventors: Shigehisa Ogawara; 重久大河原
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1997-10-16
Filing date: 1997-10-16
Publication date: 1999-04-30

Abstract

(57)【要約】【課題】端子部分を容易に薄型化することができる薄
膜磁気ヘッドを提供することを目的とし、また、製造工
程が簡略化された薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する
ことを目的とする。【解決手段】本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、薄膜素
子と、非磁性体内に埋め込まれ、一端面を外方へ露出す
るとともに他端面を上記薄膜素子と電気的に接続された
端子２７と、上記端子２７の外方へ露出した一端面上に
形成され、Ｃｒを含有してなるバリア層２８と、上記バ
リア層２８上に形成され、貴金属よりなる給電層２９
と、上記給電層２９上に形成され、Ａｕを含有してなる
Ａｕ膜３０とを備え、上記薄膜素子には、上記端子２７
を通って電流が供給されることを特徴とするものであ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク装
置等に好適な、磁気抵抗効果によって再生信号を検出す
る磁気抵抗効果素子を有するような薄膜磁気ヘッド及び
その製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ハードディスク装置等のような磁気記録
再生装置においては、大容量化を図るために、更なる高
密度記録が求められている。そこで、近年、高密度記録
を進めるために、挟トラック化に適した磁気ヘッドであ
る磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、「ＭＲヘッド」と
いう。）を有する薄膜磁気ヘッドが採用されるようにな
ってきている。

【０００３】この薄膜磁気ヘッドは、いわゆる、真空蒸
着法やスパッタリング法等の薄膜形成手段により各機能
膜が所定の形状で形成される。具体的に、このような薄
膜磁気ヘッドは、再生時の感磁部として機能する磁気抵
抗効果素子を有するＭＲヘッドと、記録時の記録磁界を
発生するインダクティブヘッドとが薄膜形成されてい
る。

【０００４】このような薄膜磁気ヘッドにおいて、ＭＲ
ヘッドは、磁気抵抗効果素子を有し、この磁気抵抗効果
素子により外部磁界を検出している。すなわち、このＭ
Ｒヘッドでは、磁気抵抗効果素子に一定電流のセンス電
流を供給し、外部磁界により変化したセンス電流に対す
る抵抗値を電圧変化として検出している。

【０００５】また、薄膜磁気ヘッドにおいて、インダク
ティブヘッドは、薄膜形成されたコイルを有し、このコ
イルに所定の電流を供給することにより、誘導磁界を発
生し磁気記録媒体に磁気信号を記録している。すなわ
ち、このインダクティブヘッドでは、コイルから発生す
る磁界を記録磁界としている。

【０００６】上述したように、薄膜磁気ヘッドでは、磁
気抵抗効果素子やコイルに対して所定の電流を供給して
いる。このため、この薄膜磁気ヘッドでは、これら磁気
抵抗効果素子やコイルに対して電流を供給するための端
子が形成されている。

【０００７】具体的に、薄膜磁気ヘッドでは、図１６に
示すように、電流を供給する磁気抵抗効果素子等（図示
せず。）が非磁性体１００内に埋め込まれて形成されて
おり、これら磁気抵抗効果素子に、Ｃｕからなるリード
部１０１が接続されている。また、この薄膜磁気ヘッド
には、Ｃｕからなり、非磁性体１００内に埋め込まれ、
一端面がリード部１０１に接続されるとともに他端面が
外方へ露出してなる端子１０２が形成されている。さら
に、この薄膜磁気ヘッドには、外方へ露出した端子１０
２の一端面上にＡｕ膜１０３が形成されている。さらに
また、このＡｕ膜１０３上にいわゆるボンディングワイ
ヤー１０４の一端を溶着し、ボンディングワイヤー１０
４の他端を電源に接続する。

【０００８】薄膜磁気ヘッドでは、このように端子１０
３を形成することにより、磁気抵抗効果素子やコイル等
に対して所定の電流を供給することができる。これによ
り、薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子により外部磁
界を検出できるとともに、コイルにより記録磁界を発生
することができる。

【０００９】上述したように、従来の薄膜磁気ヘッドで
は、図１６に示したような端子１０２を用いて必要とさ
れる電流が供給されていた。したがって、この薄膜磁気
ヘッドにおいて、所望の再生感度や所望の記録磁界を達
成させるためには、上述したような端子１０２が確実に
形成される必要があった。

【００１０】しかしながら、従来の薄膜磁気ヘッドにお
いては、上述したような端子１０２がＣｕからなり、そ
の端子１０２上にＡｕ膜１０３が形成されているため、
端子１０２とＡｕ膜１０３との密着性が良好ではなかっ
た。これは、端子１０２を構成するＣｕとＡｕ膜１０３
を構成するＡｕとが互いに拡散してしまうことにより、
これら端子１０２とＡｕ膜１０３の界面に金属間化合物
が形成されることに起因している。このように端子１０
２とＡｕ膜１０３との界面に金属間化合物が形成される
と密着性が劣化するとと同時に、電流も流れにくくなっ
てしまい、記録再生特性が劣化してしまう。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】これを解決するため
に、従来の薄膜磁気ヘッドでは、図１７に示すように、
端子１０２とＡｕ膜１０３との間にバリア層１０５等を
形成する手法が取り入られている。このバリア層１０５
は、端子１０２とＡｕ膜１０３との間に配されることに
より、端子１０２とＡｕ膜１０３との間の拡散を防止す
る。具体的に、バリア層１０５は、Ｔｉ／ＮｉＦｅから
なる給電層１０６上に、Ｎｉをメッキをすることにより
形成される。また、この薄膜磁気ヘッドでは、Ｔｉ／Ｎ
ｉＦｅからなる給電層１０６をスパッタリングにより形
成していた。

【００１２】このため、従来の薄膜磁気ヘッドを製造す
るに際しては、スパッタリングの後にメッキを行うこと
となるため、製造工程が煩雑になってしまい、生産性が
悪いといった問題点があった。

【００１３】さらに、製造された薄膜磁気ヘッドは、メ
ッキにより形成されたバリア層１０５とＴｉ／ＮｉＦｅ
からなる給電層１０６とを備えるため、端子１０２とボ
ンディングワイヤー１０４との距離が大きくなってしま
う。言い換えると、従来の薄膜磁気ヘッドは、端子１０
２の上方を薄型化することが困難であるといった問題点
があった。

【００１４】そこで本発明は、このような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、薄膜磁気ヘッドについ
て、端子部分を容易に薄型化することができる薄膜磁気
ヘッドを提供することを目的とし、また、製造工程が簡
略化された薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを
目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに完成された本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、薄膜素
子と、非磁性体内に埋め込まれ、一端面を外方へ露出す
るとともに他端面を上記薄膜素子と電気的に接続された
端子と、上記端子の外方へ露出した一端面上に形成さ
れ、Ｃｒを含有してなるバリア層と、上記バリア層上に
形成され、貴金属よりなる給電層と、上記給電層上に形
成され、Ａｕを含有してなるＡｕ膜とを備え、上記薄膜
素子には、上記端子を通って電流が供給されることを特
徴とするものである。

【００１６】以上のように構成された本発明に係る薄膜
磁気ヘッドでは、Ｃｒを含有するバリア層により、端子
を構成するＣｕとＡｕ膜を構成するＡｕとが互いに拡散
するのを防止することができる。このため、この薄膜磁
気ヘッドでは、端子とＡｕ膜との間に金属間化合物が形
成されることがない。そして、この薄膜磁気ヘッドで
は、Ｃｒを含有するバリア層を有するため、バリア層を
薄くすることができる。そして、この薄膜磁気ヘッドで
は、貴金属よりなる給電層を有するため、給電層も薄く
することができる。

【００１７】また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、薄膜素子を形成し、非磁性体内に埋め込み、一
端面が露出するとともに他端面が上記薄膜素子と電気的
に接続するように端子を形成し、この端子の露出した一
端面上に、Ｃｒを含有してなるバリア層を形成し、この
バリア層上に、貴金属よりなる給電層を形成し、この給
電層上に、Ａｕを含有してなるＡｕ膜を形成することを
特徴とするものである。

【００１８】このような本発明に係る薄膜磁気ヘッドの
製造方法では、Ｃｒを含有するバリア層及び貴金属より
なる給電層を形成するに際して、メッキ法を用いる必要
がない。このため、この手法では、製造工程を簡略化す
ることができる。

【００１９】また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、Ａｕ膜を形成するに際して、給電層上にレジス
トパターンにより所定の形状となるようにパターニング
を行い、その後、給電層の表面及びレジストパターンの
表面に表面処理を施すようなものであってもよい。

【００２０】この場合、この手法では、給電層の表面及
びレジストパターンの表面に表面処理を施すことによ
り、給電層の表面及びレジストパターンの表面のぬれ性
を向上させることができる。このため、Ａｕ膜と給電層
との界面に泡を介してしまうようなことがなく、良好に
Ａｕ膜を形成することができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した具体的な
実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明す
る。なお、本発明は以下の例に限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、形状、材質等を
任意に変更することが可能であることは言うまでもな
い。

【００２２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、図１に示
すように、磁気記録媒体に記録された信号を再生する磁
気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと呼ぶ。）
と、磁気記録媒体に信号を記録するインダクティブヘッ
ドとから構成される。

【００２３】このＭＲヘッドは、下層シールド１と、下
層シールド１上に形成された下部ギャップ層２と、下部
ギャップ層２上に形成された磁気抵抗効果素子３及び非
磁性絶縁層４と、磁気抵抗効果素子３上の先端部３ａ及
び後端部３ｂ以外の部分に形成された保護層５と、磁気
抵抗効果素子３と後端部３ｂにおいて接続するように、
磁気抵抗効果素子３の後端部３ｂ上から非磁性絶縁層４
上にわたって形成されたセンス電流用導体層６と、磁気
抵抗効果素子３及びセンス電流用導体層６上に形成され
た非磁性絶縁層７と、磁気抵抗効果素子３の上部を横切
るように非磁性絶縁層７内に形成されたバイアス電流用
導体層８と、磁気抵抗効果素子３と先端部３ａにおいて
接続するように、磁気抵抗効果素子３の先端部３ａ上か
ら非磁性絶縁層７上にわたって形成された上部ギャップ
層９と、上部ギャップ層９上に形成された上層シールド
１０とから構成される。

【００２４】上記ＭＲヘッドにおいて、下層シールド１
と上層シールド１０は磁性材料からなり、下部ギャップ
層２は非磁性絶縁材料からなり、上部ギャップ層９は電
気的に良導体である非磁性材料からなる。そして、下層
シールド１、上層シールド１０、下部ギャップ層２及び
上部ギャップ層９は、磁気記録媒体からの信号磁界のう
ち、再生対象外の磁界が磁気抵抗効果素子３に引き込ま
れないように機能する。すなわち、下層シールド１及び
上層シールド１０が、磁気抵抗効果素子３の上下に下部
ギャップ層２及び上部ギャップ層９を介して配されてい
るため、磁気記録媒体からの信号磁界のうち、再生対象
以外の磁界は下層シールド１及び上層シールド１０に導
かれ、再生対象の磁界だけが磁気抵抗効果素子３に引き
込まれる。

【００２５】一方、センス電流用導体層６及び上部ギャ
ップ層９は、磁気抵抗効果素子３の両端にそれぞれ接続
された一対の電極となり、磁気抵抗効果素子３にセンス
電流を供給するように機能する。すなわち、磁気抵抗効
果素子３は、後端部３ｂにおいてセンス電流用導体層６
と電気的に接続されており、先端部３ａにおいて上部ギ
ャップ層９と電気的に接続されている。そして、磁気記
録媒体から信号磁界を検出する際に、これらを介して磁
気抵抗効果素子３にセンス電流が供給される。これらセ
ンス電流用導体層６及び上部ギャップ層９は、詳細を後
述するように、外部に配設された電流源と端子を介して
接続されている。そして、この電流源から、磁気抵抗効
果素子３に対して所定のセンス電流が供給されることと
なる。

【００２６】また、磁気抵抗効果素子３上を横切るよう
に非磁性絶縁層７内に形成されたバイアス電流用導体層
８は、磁気抵抗効果素子３にバイアス磁界を印加するた
めものである。すなわち、磁気記録媒体から信号磁界を
検出する際に、このバイアス電流用導体層８に電流を流
すことにより、より高い磁気抵抗効果が得られるよう
に、磁気抵抗効果素子３にバイアス磁界が印加される。
このバイアス磁界用導体層８は、詳細を後述するよう
に、外部に配設された電流源と端子を介して接続されて
いる。そして、この電流源から、バイアス磁界用導体層
８に所定の電流が供給されることにより、バイアス磁界
が発生する。

【００２７】また、このようなＭＲヘッド上に形成され
たインダクティブヘッドは、上層シールド層１０上に形
成された下部コア層１１と、この下部コア層１１上に形
成された非磁性体１２内に形成された薄膜コイル１３
と、薄膜コイル１３の上方に非磁性体１２を介して形成
された上部コア層１４とから構成されている。

【００２８】このインダクティブヘッドにおいて、下部
コア層１１及び上部コア層１４は、磁性材料で形成され
ており、磁気記録媒体対向面側の端部で所定の厚みの非
磁性体を介して突き合わされている。下部コア層１１と
上部コア層１４とは、所定の厚みの非磁性体を介して突
き合わされることにより磁気ギャップを形成している。
なお、このインダクティブヘッドでは、ＭＲヘッドの上
層シールド層１０上に下部コア層１１を配設したが、上
層シールド層１０を下部コア層１１として用いてもよ
い。すなわち、磁気記録媒体対向面において、上層シー
ルド層１０と上部コア層１４とが非磁性体を介して突き
合わされることにより磁気ギャップを形成してもよい。

【００２９】また、このインダクティブヘッドにおい
て、薄膜コイル１３は、導電材料で形成されており、一
方の端部１３Ａを略中心としてスパイラル状に形成され
ている。そして、このインダクティブヘッドにおいて、
薄膜コイル１３の中心付近Ｒで、下部コア層１１と上部
コア層１４とが突き合わされている。この薄膜コイル１
３は、詳細を後述するように、外部に配設された電流源
と端子を介して接続されている。そして、薄膜コイル１
３は、この電流源から所定の電流が供給されることによ
り誘導磁界を発生し、下部コア層１１及び上部コア層１
４を磁化させる。

【００３０】これにより、インダクティブヘッドでは、
下部コア層１１と上部コア層１４とで形成される磁気ギ
ャップから記録磁界が発生する。そして、この記録磁界
を磁気記録媒体に印加することにより、インダクティブ
ヘッドは信号を記録することができる。

【００３１】上述したように、ＭＲヘッド及びインダク
ティブヘッドを有する薄膜ヘッドは、図２に示すよう
に、センス電流用導体層６と接続された第１の端子２０
と、バイアス磁界用導体層８と接続された第２の端子２
１と、薄膜コイル１３の一方の端子１３Ａに接続された
第３の端子２２と、薄膜コイル１３の他方の端子１３Ｂ
に接続された第４の端子２３とを備える。これら第１の
端子２０乃至第４の端子２３（以下、これらをまとめて
単に「端子２５」と称する。）は、外部に配設された電
流源とボンディングワイヤー（図示せず。）を介して接
続される。なお、これら端子２５と接続される電流源
は、異なるものであってもよいが、同一のものであって
もよい。

【００３２】この端子２５は、図３に示すように、例え
ば、センス電流用導体層６等から導出されたリード端子
２６と、このリード端子２６上に形成され、一方の端面
２７Ａを外方へ露出するように形成されたＣｕ端子２７
とからなる。そして、このＣｕ端子２７の外方に露出し
た一方の端面２７Ａ上には、Ｃｒを含有してなるバリア
層２８と、このバリア層２８上に形成されて貴金属より
なる給電層２９と、この給電層２９上に形成されてＡｕ
を含有してなるＡｕ膜３０とを備える。また、この薄膜
磁気ヘッドでは、図示しないが、このＡｕ膜３０上に、
Ａｕからなるボンディングワイヤーを形成し、図示しな
い電流源と端子２５とを接続している。

【００３３】以上のように構成された薄膜磁気ヘッド
は、ＭＲヘッドにより磁気記録媒体に記録された信号を
検出するとともに、インダクティブヘッドにより磁気記
録媒体に対して信号を記録する。

【００３４】この薄膜磁気ヘッドにおいて、信号を検出
する際、ＭＲヘッドでは、第１の端子２０を介してセン
ス電流がＭＲ素子３に供給されるとともに、第２の端子
２１を介して所定の電流がバイアス磁界用導体層８に供
給される。ＭＲ素子３は、信号磁界によってその磁化方
向が変化し、センス電流に対する抵抗値が変化する。し
たがって、ＭＲヘッドでは、このセンス電流の電流値を
一定とするため、センス電流の抵抗値変化を電圧変化と
して検出することとなる。

【００３５】また、このとき、バイアス磁界用導電層８
は、所定の電流が供給されるために、バイアス磁界を発
生する。このバイアス磁界は、ＭＲ素子３に印加される
ことにより、ＭＲ素子３の電圧変化を線形性よく動作さ
せることができる。

【００３６】また、この薄膜磁気ヘッドにおいて、信号
を記録する際、インダクティブヘッドでは、第３の端子
２２又は第４の端子２３を介して所定の電流が薄膜コイ
ル１３に供給される。これにより、薄膜コイル１３は、
誘導磁界を発生させ、下部コア層１１及び上部コア層１
４を磁化させる。これにより、磁気ギャップから記録磁
界が発生し、磁気記録媒体に所定の信号を記録すること
ができる。

【００３７】このように、薄膜磁気ヘッドでは、Ａｕ膜
３０が貴金属からなる給電層２９及びＣｒを含有するバ
リア層２８を介してＣｕ端子２７と接続されている。こ
のため、このＣｕ端子２７を構成するＣｕとＡｕ膜３０
を構成するＡｕとが互いに拡散することを防止すること
ができる。したがって、この薄膜磁気ヘッドでは、Ｃｕ
端子２７とＡｕ膜３０との界面に金属間化合物が形成さ
れることを防止できる。また、Ａｕ膜３０は、貴金属を
有する給電層２９上に形成されている。この給電層２９
は、詳細を後述するように、Ａｕ膜がメッキ法により形
成されるために配される層である。この給電層２９を貴
金属により形成するため、この給電層２９とＡｕ膜３０
との密着性が更に向上したものとなる。したがって、こ
の薄膜磁気ヘッドでは、Ａｕ膜３０が剥がれてしまうよ
うなことがなく、電気的な接続を確実に行うことができ
る。

【００３８】また、この薄膜磁気ヘッドでは、バリア層
２８をＣｒを含有する材料から形成しており、給電層２
９を貴金属から形成している。このため、これらバリア
層２８及び給電層２９を比較的に薄くすることができ
る。このため、この薄膜磁気ヘッドでは、Ｃｕ端子２７
の上方に電気的に接続されるボンディングワイヤーを比
較的に低い位置に取り付けることができる。このため、
この薄膜磁気ヘッドは、従来のものより薄くすることが
できる。

【００３９】つぎに、以上のような薄膜磁気ヘッドの製
造方法について詳細に説明する。

【００４０】上述したような薄膜磁気ヘッドを製造する
際は、先ず、図４に示すように、下層シールド４１上
に、Ａｌ₂Ｏ₃等のような非磁性絶縁体からなる下部ギャ
ップ層４２を形成する。ここで、下部ギャップ層４２
は、後工程で形成する磁気抵抗効果素子の下部を電気的
に絶縁するとともに、磁気抵抗効果素子の下部に磁気的
ギャップを形成するものである。次に、下部ギャップ層
４２上に磁気抵抗効果膜を含む薄膜層を形成する。そし
て、薄膜層は、エッチングされて磁気抵抗効果素子４３
となる。そして、この磁気抵抗効果素子４３上に保護層
４４を形成する。また、これら磁気抵抗効果素子４３及
び保護層４４は、非磁性体４６内に埋め込まれるように
形成される。

【００４１】次に、図５に示すように、保護層４４及び
非磁性絶縁層４６上に新たな非磁性絶縁層４７を形成し
た上で、磁気抵抗効果素子４３の後端部４３Ａ上の非磁
性絶縁層４７及び保護層４４をエッチングして、磁気抵
抗効果素子４３の後端部４３Ａが露出するように開口部
４８を設ける。

【００４２】次に、図６に示すように、磁気抵抗効果素
子４３の後端部４３Ａ及び非磁性絶縁層４７上に、前工
程で形成した開口部４８を通じて磁気抵抗効果素子４３
の上面と接続するように、センス電流用導体層４９を形
成するととともに、磁気抵抗効果素子４３の上部を横切
るように非磁性絶縁層４７上にバイアス電流用導体層５
０を形成する。そして、これらの上に更に非磁性絶縁層
５１を形成する。

【００４３】次に、図７に示すように、磁気抵抗効果素
子４３の先端部４３Ｂ上の非磁性絶縁層５１、非磁性絶
縁層４７及び保護層４４をエッチングして、磁気抵抗効
果素子４３の先端部４３Ｂが露出するように開口部５２
を設けた上で、磁気抵抗効果素子４３の先端部４３Ｂ及
び非磁性絶縁層５１上に、開口部５２を通じて磁気抵抗
効果素子４３の上面と接続するように、上部ギャップ層
５３を形成し、更にその上に上層シールド５４を形成す
る。

【００４４】次に、上述のように作製されたＭＲヘッド
上に、インダクティブヘッドを形成する。

【００４５】インダクティブヘッドを形成する際には、
先ず、図８に示すように、ＭＲヘッドの上層シールド５
４上に磁性材料よりなる下部コア層５５を形成する。な
お、ＭＲヘッドにおける上層シールド５４をインダクテ
ィブヘッドにおける磁気コアとして用いる場合には、こ
の下部コア層５５を形成する必要がない。そして、下部
コア層５５上に非磁性絶縁層５６を所定の厚みで形成す
る。そして、この非磁性絶縁層５６上にスパイラル状に
薄膜コイル５７を形成する。

【００４６】次に、図９に示すように、薄膜コイル５７
を埋め込むように、非磁性絶縁層５８を形成する。そし
て、薄膜コイル５７を埋め込んだ非磁性絶縁層５８を、
エッチング等により所定の形状に整える。そして、この
非磁性絶縁層５８上に、上部コア層５９を形成する。こ
のとき、上部コア層５９は、磁気記録媒体対向面側の端
部において、下部コア層５５との間を所定の厚みの非磁
性絶縁層を介して突き合わされる。これにより、上部コ
ア層５９と下部コア層５５とは、インダクティブヘッド
における磁気ギャップを形成することとなる。また、こ
の上部コア層５９は、薄膜コイル５７の中心付近Ｑで下
部コア層５５と近接するように形成され、下部コア層５
５とともにバックギャップを形成している。

【００４７】そして、次に、このように形成されたＭＲ
ヘッド及びインダクティブヘッドにおいては、外部に配
設された電流源と電気的に接続する。具体的には、ＭＲ
ヘッドにおいては、センス電流用導体層４９、バイアス
磁界用導体層５０及び上部ギャップ層５３を電流源と電
気的に接続する。また、インダクティブヘッドにおいて
は、薄膜コイル５７の中心側に位置する一方の端部５７
Ａ及び薄膜コイル５７の外周側に位置する他方の端部５
７Ｂを電流源と電気的に接続する。

【００４８】電流源と接続されるこれらの部分からは、
図１０に示すように、非磁性絶縁層６１内に埋め込まれ
たリード端子６２が導出され、このリード端子６２上に
Ｃｕ端子６３が形成される。なお、これらリード端子６
２及びＣｕ端子６３は、非磁性絶縁層６１内に形成され
る。具体的には、リード端子６２は、所定の膜厚まで形
成された非磁性絶縁層６１上に、フォトリソグラフィー
等の手法を用いて所望の形状に形成される。その後、こ
のリード端子６２を埋め込むように非磁性絶縁層６１を
形成する。そして、Ｃｕ端子６３を配設する位置に対応
して、エッチング等の手法を用いて開口部６４を形成す
る。そして、この開口部６４にＣｕを埋め込むことによ
りＣｕ端子６３を形成する。

【００４９】次に、このようにして形成されたＣｕ端子
６３上に、図１１に示すように、バリア層となるＣｒ薄
膜６５と給電層となるＰｄ薄膜６６とを形成する。この
とき、Ｃｒ薄膜６５とＰｄ薄膜６６とは、連続スパッタ
にて形成される。なお、このとき、給電層としては、Ｐ
ｄ薄膜６６に限定されず、例えばＰｔ等の貴金属を用い
てもよい。

【００５０】このように、本手法において、Ｃｒ薄膜６
５及びＰｄ薄膜６６を連続スパッタにて形成することが
できるため、短時間でこれらの薄膜を形成することがで
きる。また、従来のように、給電層やバリア層をメッキ
法により形成していないため、これらＣｒ薄膜６５及び
Ｐｄ薄膜６６の膜厚コンロールが容易に行える。したが
って、本手法では、バリア層及び給電層の品質を向上さ
せることができる。

【００５１】次に、図１２に示すように、所定の領域に
レジスト６７を形成する。具体的には、Ｃｕ端子６３の
上方に位置してＣｕ端子６３の全領域を覆う領域を露出
させるようにレジストを形成する。

【００５２】次に、図１３に示すように、レジスト６７
が形成された面に対して、メッキを施し、Ａｕメッキ層
６８を形成する。これにより、レジスト６７が形成され
ていない領域では、Ｐｄ薄膜６６上にＡｕメッキ層６８
が形成されることとなる。

【００５３】このとき、本手法では、メッキが施される
前に、レジスト６７が形成された面に、表面処理が施さ
れる。具体的には、レジスト６７が形成された面に対し
て、パワー１００Ｗで４分間のＯ₂アッシング処理が施
される。このＯ₂アッシング処理は、レジスト６７が形
成された面に対して、酸素流量が約１００ｍＨｇとなる
ように行われる。そして、その後、Ｏ₂アッシング処理
が施された面を、純水に浸漬させる。

【００５４】これにより、レジスト６７が形成された面
の濡れ性が向上する。したがって、Ｏ₂アッシング処理
が施された後にＡｕメッキを施すことによって、確実に
Ａｕメッキ層６８を形成することができる。具体的に
は、メッキされる表面の濡れ性を向上させることによ
り、例えば、いわゆる泡かみを生じること無く、すなわ
ちＰｄ薄膜６６上のレジスト６７近傍の領域に気泡を有
すること無くＡｕメッキを施すことができる。

【００５５】次に、図１４に示すように、レジスト６７
とともにレジスト６７上に形成されたＡｕメッキ層６８
を除去する。具体的には、通常行われているレジスト剥
離剤を作用させることにより、レジスト６７等を除去す
る。これにより、Ｃｕ端子６３の上方に位置する部分に
Ａｕメッキ層６８が形成されることとなる。

【００５６】次に、図１５に示すように、Ａｕメッキ層
６８が形成された面に対してドライエッチングを施し、
外方に露出したＰｄ薄膜６６及びこのＰｄ薄膜６６の直
下に位置するＣｒ薄膜６５を除去する。すなわち、ここ
では、Ａｕメッキ層６８の下方に位置するＰｄ薄膜６６
及びＣｒ薄膜６５以外の領域のＰｄ薄膜６６及びＣｒ薄
膜６５を除去する。このとき、前工程で形成されたＡｕ
メッキ層６８もドライエッチングされることになるが、
Ａｕメッキ層６８を比較的に厚く形成しているため、こ
のドライエッチングによりＡｕメッキ層６８が全てエッ
チングされることはない。これにより、Ｃｕ端子６３上
に、Ｃｒ薄膜６５からなるバリア層、Ｐｄ薄膜６６から
なる給電層及びＡｕ膜が形成されることとなる。

【００５７】次に、図示しないが、このＡｕ膜上にボン
ディングワイヤーを溶着し、外部に配設された電流源と
端子とを電気的に接続する。

【００５８】以上の工程の後、最上層に保護層等を形成
し、所定の形状に切り出すことによって、薄膜ヘッドが
完成する。

【００５９】このように、本発明に係る手法によれば、
端子上に形成するバリア層及び給電層を形成するに際し
て、バリア層をＣｒを含有する材料で構成し、且つ、給
電層を貴金属より構成しているため、連続スパッタ法を
用いることができる。このため、この手法によれば、短
時間でこれらバリア層及び給電層を形成することができ
る。したがって、この手法によれば、薄膜磁気ヘッドの
製造時間を大幅に短縮することができる。

【００６０】また、この手法では、Ａｕメッキを行うに
前に、Ｏ₂アッシング等の表面処理を施している。この
ため、Ａｕがメッキされる表面の濡れ性を向上させるこ
とができる。したがって、この手法では、いわゆる泡か
み等の不都合を発生させることなくＡｕ膜を形成するこ
とができる。その結果、表面性の良好なＡｕ膜を確実に
形成することができるため、この手法によれば、歩留ま
りを向上させることができ生産性よく薄膜磁気ヘッドを
製造することができる。

【００６１】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係る薄膜磁気ヘッドでは、Ｃｒを含有してなるバリア層
と貴金属よりなる給電層とを備えるために、これらバリ
ア層及び給電層を薄型化することができる。このため、
この薄膜磁気ヘッドは、小型化を容易に図れるものとな
る。

【００６２】また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法によれば、Ｃｒを含有してなるバリア層と貴金属よ
りなる給電層とを備えるために、これらバリア層及び給
電層を短時間に形成することができる。このため、この
手法によれば、生産性よく薄膜磁気ヘッドを製造するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの一例を示す
要部横断面図である。

【図２】図１に示した薄膜磁気ヘッドを、端子が形成さ
れた面から見た要部上面図である。

【図３】薄膜磁気ヘッドの端子部分を示す要部横断面図
である。

【図４】図１に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程を順次
示すものであり、磁気抵抗効果素子を形成する工程を示
す要部横断面図である。

【図５】図１に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程を順次
示すものであり、非磁性絶縁層及び開口部の形成工程を
示す要部横断面図である。

【図６】図１に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程を順次
示すものであり、センス電流用導体層、バイアス電流用
導体層及び非磁性絶縁層の形成工程を示す要部横断面図
である。

【図７】図１に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程を順次
示すものであり、ＭＲヘッドを形成した状態を示す要部
横断面図である。

【図８】図１に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程を順次
示すものであり、ＭＲヘッド上に下部コア層、非磁性絶
縁層及び薄膜コイルを形成する工程を示す要部横断面図
である。

【図９】図１に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程を順次
示すものであり、非磁性絶縁層及び上部コア層を形成す
る工程を示す要部横断面図である。

【図１０】図１に示した薄膜磁気ヘッドの端子部分の要
部横断面図である。

【図１１】図１に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程を順
次示すものであり、Ｃｕ端子上にＣｒ薄膜及びＰｄ薄膜
を形成する工程を示す要部横断面図である。

【図１２】図１に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程を順
次示すものであり、Ｐｄ薄膜上にレジストを形成する工
程を示す要部横断面図である。

【図１３】図１に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程を順
次示すものであり、メッキ法によりＡｕメッキ層を形成
する工程を示す要部横断面図である。

【図１４】図１に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程を順
次示すものであり、レジストを除去する工程を示す要部
横断面図である。

【図１５】図１に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程を順
次示すものであり、ドライエッチングにより外方へ露出
したＰｄ薄膜及びこのＰｄ薄膜の直下に位置するＣｒ薄
膜を除去する工程を示す要部横断面図である。

【図１６】従来の薄膜磁気ヘッドにおける端子部分の要
部横断面図である。

【図１７】従来の薄膜磁気ヘッドにおける給電層及びバ
リア層を有する端子部分の要部横断面図である。

【符号の説明】

１下層シールド、２下部ギャップ層、３磁気抵抗
効果素子、４非磁性絶縁層、５保護層、６センス
電流用導体層、７非磁性絶縁層、８バイアス電流用
導体層、９上部ギャップ層、１０上層シールド、１
１下部コア層、１３薄膜コイル、１４上部コア層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】薄膜素子と、非磁性体内に埋め込まれ、
一端面を外方へ露出するとともに他端面を上記薄膜素子
と電気的に接続された端子と、上記端子の外方へ露出した一端面上に形成され、Ｃｒを
含有してなるバリア層と、上記バリア層上に形成され、貴金属よりなる給電層と、上記給電層上に形成され、Ａｕを含有してなるＡｕ膜と
を備え、上記薄膜素子には、上記端子を通って電流が供給される
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】上記薄膜端子は、軟磁性体よりなり、センス電流が供給される磁気抵抗効
果素子と、所定の電流が供給され、記録磁界を誘導する薄膜コイル
とからなり、上記磁気抵抗効果素子及び上記薄膜コイルには、上記端
子の他端面がそれぞれ電気的に接続されたことを特徴と
する請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】薄膜素子を形成し、非磁性体内に埋め込み、一端面が露出するとともに他端
面が上記薄膜素子と電気的に接続するように端子を形成
し、この端子の露出した一端面上に、Ｃｒを含有してなるバ
リア層を形成し、このバリア層上に、貴金属よりなる給電層を形成し、この給電層上に、Ａｕを含有してなるＡｕ膜を形成する
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】上記バリア層を真空槽内でスパッタリン
グ法により形成した後、上記給電層を、上記真空槽内で
スパッタリング法により形成することを特徴とする請求
項３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】Ａｕ膜を形成するに際して、給電層上に
レジストパターンにより所定の形状となるようにパター
ニングを行い、その後、給電層の表面及びレジストパタ
ーンの表面に表面処理を施すことを特徴とする請求項３
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】上記表面処理は、アッシング処理である
ことを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法。