JP3756729B2 - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドおよび読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの少なくとも一方を含む磁気ヘッドおよびその製造方法に関するもので、特に書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドと、読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドとを積層した状態で基体により支持した複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハードディスク装置の面記録密度の向上に伴い、複合型薄膜磁気ヘッドについてもその性能向上が求められている。
【０００３】
複合型薄膜磁気ヘッドとして、書き込みを目的とする誘導型の薄膜磁気ヘッドと、読み出しを目的とする磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドとを、基体上に積層した構造を有するものが提案され、実用化されている。読み取り用の磁気抵抗素子としては、通常の異方性磁気抵抗(AMR：Anisotropic Magneto Resistive)効果を用いたものが従来一般に使用されてきたが、これよりも抵抗変化率が数倍も大きな巨大磁気抵抗(GMR：Giant Magneto Resistive)効果を用いたものも開発されている。本明細書では、これら AMR素子および GMR素子などを総称して磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドまたは簡単にMR再生素子と称することにする。
【０００４】
AMR素子を使用することにより、数ギガビット／インチ2 の面記録密度を実現することができ、また GMR素子を使用することにより、さらに面記録密度を上げることができる。このように面記録密度を高くすることによって、10Ｇバイト以上の大容量のハードディスク装置の実現が可能となってきている。
【０００５】
このような磁気抵抗再生素子よりなる再生ヘッドの性能を決定する要因の一つとして、磁気抵抗再生素子の高さ(MR Height：MRハイト) がある。このMRハイトは、端面がエアベアリング面に露出する磁気抵抗再生素子の、エアベアリング面から測った距離であり、薄膜磁気ヘッドの製造過程においては、エアベアリング面を研磨して形成する際の研磨量を制御することによって所望のMRハイトを得るようにしている。
【０００６】
一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記録ヘッドの性能向上も求められている。面記録密度を上げるには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必要がある。このためには、エアベアリング面におけるライトギャップ（write gap)の幅を数ミクロンからサブミクロンオーダーまで狭くする必要があり、これを達成するために半導体加工技術が利用されている。
【０００７】
書き込み用薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因の一つとして、スロートハイト（Throat Height : TH) がある。このスロートハイトは、エアベアリング面から薄膜コイルを電気的に分離する絶縁層のエッジまでの磁極部分の距離であり、この距離をできるだけ短くすることが望まれている。このスロートハイトの縮小化もまた、エアベアリング面からの研磨量で決定される。
【０００８】
したがって、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドと、読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドとを積層した複合型薄膜磁気ヘッドの性能を向上させるためには、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドと、読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドをバランス良く形成することが重要である。
【０００９】
図１〜６に、従来の標準的な薄膜磁気ヘッドの製造要領を工程順に示し、各図においてＡはエアベアリング面に垂直な断面図、Ｂは磁極部分をエアベアリング面に平行に切った断面図である。また図７は従来の薄膜磁気ヘッド全体の平面図である。なおこの例で、薄膜磁気ヘッドは、誘導型の書込用薄膜磁気ヘッドおよび読取用のMR再生素子を積層した複合型のものである。
【００１０】
まず、図１に示すように、例えばアルティック(AlTiC) からなる基体１の上に例えばアルミナ(Al２O３) からなる絶縁層２を約５〜10μm の厚みに堆積する。次いで、再生ヘッドのMR再生素子を外部磁界の影響から保護するための一方の磁気シールドを構成する第１の磁性層３を３μm の厚みで形成する。
【００１１】
その後、図２に示すように、一方のシールドギャップ層を構成する絶縁層４として、アルミナを 100〜150 nmの厚みでスパッタ堆積させた後、MR再生素子を構成する磁気抵抗効果を有する材料よりなる磁気抵抗層５を１０nm以下の厚みに形成し、高精度のマスクアライメントで所望の形状とする。続いて、他方のシールドギャップ層を構成する絶縁層６を形成して、磁気抵抗層５をこれらの絶縁層４、６によって構成されるシールドギャップ層内に埋設する。
【００１２】
次に、図３に示すように、パーマロイよりなる第２の磁性層７を３μm の膜厚に形成する。この第２の磁性層７は、上述した第１の磁性層３と共にMR再生素子を磁気遮蔽する他方のシールドとしての機能を有するだけでなく、書き込み用薄膜磁気ヘッドの一方のポールとしての機能をも有するものである。
【００１３】
次いで、第２の磁性層７の上に、非磁性材料、例えばアルミナよりなるライトギャップ層８を約２００ｎｍの膜厚に形成した後、例えばパーマロイ（Ni：50wt％、Fe：50wt％）や窒化鉄（FeN)のような高飽和磁束密度材料からなる磁性層を形成し、高精度のマスクアライメントで所望の形状としてポールチップ９を形成する。このポールチップ９の幅Ｗでトラック幅が規定される。したがって、このポールチップ９の幅Ｗを狭くすることが高い面記録密度を実現するためには必要である。この際、第２の磁性層７と、他方のポールを構成する第３の磁性層を接続するためのダミーパターン９′を同時に形成すると、機械的研磨または化学機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing ：CMP)後に、スルーホールを容易に開口することができる。
【００１４】
そして、実効書込トラック幅の広がりを防止するため、すなわちデータの書込時に、一方のポールにおいて磁束が広がるのを防止するために、ポールチップ９をマスクとしてその周囲のギャップ層８と、他方のポールを構成する第２の磁性層７をイオンミリング等のイオンビームエッチングにてエッチングする。この構造をトリム（Trim）といい、この部分が第２の磁性層の磁極部分となる。
【００１５】
次に、図４に示すように、第２の磁性層７の表面の一部分に凹部を形成した後、絶縁層である例えばアルミナ膜１０をおよそ３μm の厚みに形成後、その上に、例えば銅よりなる第１層目の薄膜コイル１１を形成し、絶縁性のフォトレジスト層１２を形成後、表面を平坦にするため、例えば 250〜300 ℃の温度でリフローさせる。
【００１６】
さらに、このフォトレジスト層１２の平坦化された表面の上に、第２層目の薄膜コイル１３を形成する。勿論この第２層目の薄膜コイル１３は第１層目の薄膜コイル１１と接続され、全体として一つの薄膜コイルを構成するようにしているが、これらの薄膜コイルを接続する部分は図面には示していない。次いで、この第２層目の薄膜コイル１３の上に高精度マスクアライメントでフォトレジスト層１４を形成した後、再度表面を平坦化するために、例えば 250°Ｃでリフローする。上述したように、フォトレジスト層１２および１４を高精度のマスクアライメントで形成する理由は、フォトレジスト層の磁極部分側の端縁を基準位置としてスロートハイトやMRハイトを規定しているためである。
【００１７】
次に、ポールチップ９およびフォトレジスト層１２および１４の上に、他方のポールを構成する第３の磁性層１５を、例えばパーマロイにより、３μm の厚みで所望のパターンに従って選択的に形成する。この第３の磁性層１５は、磁極部分から離れた後方位置において、ダミーパターン９′を介して第２の磁性層７と接触し、第２の磁性層、ポールチップ、第３の磁性層によって構成される閉磁路を薄膜コイル１１、１３が通り抜ける構造になっている。
【００１８】
さらに、図６に示すように、第３の磁性層１６の露出表面の上にアルミナよりなるオーバーコート層１６を堆積した後、基板をカットし、磁気抵抗層５やギャップ層８を形成した側面を研磨して、磁気記録媒体と対向するエアベアリング面(Air Bearing Surface：ABS)１７を形成する。このエアベアリング面１７の形成過程において磁気抵抗層５も研磨され、MR再生素子１８が得られる。このようにして上述したスロートハイトＴＨおよびＭＲハイトＭＲＨが決定される。実際の薄膜磁気ヘッドにおいては、薄膜コイル１１、１３およびMR再生素子１８に対する電気的接続を行なうためのパッドが形成されているが、これについては後に説明する。
【００１９】
図６に示したように、薄膜コイル１１、１３を絶縁分離するフォトレジスト層１２、１４の側面の角部を結ぶ線分Ｓと第３の磁性層１５の上面との成す角度θ（ApexAngle ：アペックスアングル) も、上述したスロートハイトＴＨおよびＭＲハイトＭＲＨと共に、薄膜磁気ヘッドの性能を決定する重要なファクタとなっている。
【００２０】
また、図７に平面で示すように、ポールチップ９および第３の磁性層１５の磁極部分１９の幅Ｗは狭くなっており、この幅によって磁気記録媒体に記録されるトラックの幅が規定されるので、高い面記録密度を実現するためには、この幅Ｗをできるだけ狭くする必要がある。なお、この図では、図面を簡単にするため、薄膜コイル１１、１３は同心円状に示してある。
【００２１】
上述した複合型薄膜磁気ヘッドはハードディスクデバイスに用いられており、ヘッドと記録媒体の表面とが接触して磨耗するのを防止するためにはヘッドは記録媒体面から離間させる必要があると共に記録密度を上げるためにはヘッドと記録媒体とをできるだけ接近させる必要がある。このような相反する問題を解決するために、ヘッドの記録媒体面と対向する面を上述したようにエアベアリング面１７として形成し、記録媒体の回転によってこれらの間に数十ナノミクロンのきわめて薄い空気層を形成するようにしている。また、この空気層を安定に形成するために一般にエアベアリング面１７には所定のパターンにしたがって凸部が形成されている。
【００２２】
図８は、上述したエアベアリング面１７を示す平面図である。この平面図において、寸法ＡはＡｌＴｉＣ基板１の厚さに等しいものである。また、矢印Ｂは、記録媒体の回転方向を示している。このエアベアリング面１８には、安定した空気層を形成するために凸部２０が形成されている。図面を明瞭とするために、この凸部２０以外の部分、すなわち凹んだ部分はハッチングを付けて示してある。このように薄膜磁気ヘッドが組み込まれ、エアベアリング面１７に凸部２０が形成された基体全体は、一般にスライダと呼ばれている。
【００２３】
図９は、上述したスライダの、薄膜磁気ヘッドを組み込んだ側の側面を示すものである。上述したように複合型薄膜磁気ヘッドには、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドと、読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドとが積層された状態で設けられているが、誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイル１１、１３を記録回路に接続するための２つの接点パッド２１および２２（Ｗ１およびＷ２）と、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗素子１８の両端を読取回路に接続するための２つの接点パッド２３および２４（Ｒ１およびＲ２）とが設けられている。
【００２４】
上述した複合型薄膜磁気ヘッドを含むスライダを実際のハードディスクデバイスに組み込む場合には、図１０に示すように、ステンレス箔のような弾性箔によって形成されたサスペンション２６の先端に形成されたフレクシャ部２７にスライダ２８を例えば接着剤で固定している。このフレクシャ部２７の先端付近には４つの中継用接点パッド３１〜３４が形成されており、これらの中継用接点パットとスライダ２８に形成した接点パッド２２〜２５とを、一般にアップルボンドと呼ばれているコンタクトチップを介して接続するようにしている。
【００２５】
図１０に示すように、サスペンション２６のフレクシャ部２７に設けた中継用接点パッド３１〜３４は、それぞれ配線パターン３５〜３８を介してサスペンションのマウントプレート３９の近傍において、外部の書込回路および読取回路に接続するための外部接続用接点パッド４１〜４４にそれぞれ接続されている。配線パターン３５〜３８を交差させないようにするために、スライダ２８の中継用接点パッド３５〜３８の配列順番と、外部接続用接点パッド４０〜４３の配列順番とは異なっている。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように複合型薄膜磁気ヘッドを形成するプロセスは、ホトマスク工程、鍍金パターン工程、スパッタ工程、エッチング工程、イオンミリング工程、ＣＭＰのような平坦化工程などのプロセスが含まれている。磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗素子１８のトラック巾や膜厚、誘導型薄膜磁気ヘッドの磁極部分１９の巾によって規定されるトラック巾を変えることによって複合型薄膜磁気ヘッドの性能や特性を変えることができる。一方、複合型薄膜磁気ヘッドを適用するハードディスクデバイスの多様化に伴って種々の特性をする複合型薄膜磁気ヘッドが要求されるようになってきている。このような顧客対応の複合型薄膜磁気ヘッドを製造するに当たっては、予め決められたトラック巾に適合するように磁気抵抗層５やポールチップ９を形成したり、所望のスロートハイトＴＨやＭＲハイトＭＲＨが得られるようにエアベアリング面１７の研磨を行なっている。このように顧客の要求に応じた特性や性能を有する複合型薄膜磁気ヘッドを得るためには、製造プロセス中の種々のパラメータを変更して対応している。したがって、顧客が要求する特性や性能を有する薄膜磁気ヘッドを納入するには相当の日数が掛かってしまう。
【００２７】
さらに、顧客の要求は上述したように製造プロセスで決定される性能や特性だけではなく、ハードディスクの記録面上をフライングさせるスライダ２８の構造についても多様な要求が課されるようになってきている。例えば、薄膜磁気ヘッドを形成したスライダにおいて、図９に示すように記録媒体の進行方向に見て中央位置にヘッドを形成したセンターエレメント型スライダだけでなく、図１１に示すようにヘッドを何れか一方の側方に設けたサイドエレメント型スライダも要求されている。
【００２８】
このように薄膜磁気ヘッドをセンターに形成したセンターエレメント型スライダや、薄膜磁気ヘッドを側方に形成したサイドエレメント型スライダは勿論同じプロセスで形成することはできず、上述したように顧客の要求する性能や特性を有する所望のタイプのスライダを納入するまでにはさらに多くの日数が掛かるという問題がある。
【００２９】
さらに、ハードディスクデバイスの大容量化に伴い、ハードディスクを２枚、３枚、４枚と重ねて使用するようになってきている。そのため、ハードディスクの表裏両面にヘッドが配置されるようになってきている。したがって、薄膜磁気ヘッドを形成したスライダにおいても、ハードディスクの上面に配置されるアップ型スライダと、下面に配置されるダウン型スライダとが使用されている。上述した図９に示したスライダはセンタエレメント型でアップ型のものであり、第１１図に示したスライダはサイドエレメント型のアップ型スライダであり、これらのアップ型では、ハードディスクはスライダの下方に配置されるものである。ここで、ハードディスクは水平に配置されるものとしたが、垂直に配置される場合もあり、この場合にはハードディスクの左右両側にスライダが配置されることになるが、ここでは説明の便宜上、アップ型スライダおよびダウン型スライダと称することにする。
【００３０】
上述した納入日数の短縮を図るにはスライダの共用が必要であるが、サイドエレメント型スライダにおいては、アップ型のものをダウン型として使用しようとすると、薄膜磁気ヘッドの位置がずれてしまう（例えばアップ型では左側にヘッドがあれば、ダウン型ではヘッドは右側となる）ので、これらを共用することはできない。センターエレメント型スライダにおいては、上述したようなヘッド位置のずれはないが、接点パッドの位置関係が問題となる。
【００３１】
例えば、図９に示すアップ型のスライダにおいては、左側の２つの接点パッド２１および２２は、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイル１１、１３の両端に接続されており、右側の２つの接点パッド２３および２４は読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗素子１８の両端に接続されており、これらの接点パッドはサスペンション２６のフレクシャ部２７に形成した中継用接点パッド３１〜３４にそれぞれ接続されることになる。一方、このようなスライダをそのままダウン型のスライダとして用いると、図１２に示すように、薄膜コイル１１、１３に接続された２つの接点パッド２１および２２は右側の２つの接点パッドとなり、磁気抵抗素子１８に接続された２つの接点パッド２３および２４は右側の２つの接点パッドとなる。
【００３２】
一方、スライダを支持するサスペンション２６に設けられた外部接続用接点パッド４１〜４４は、アップ型であってもダウン型であってもデバイスに組み込んだときは同じ側に来るように設けられている。したがって、アップ型では、外部接続用接点パッド４１および４２にそれぞれ接続された中継用接点パッド３１および３２に、磁気抵抗素子１８に接続された接点パッド２３および２４が接続され、外部接続用接点パッド４３および４４にそれぞれ接続された中継用接点パッド３３および３４に、薄膜コイル１１、１３に接続された接点パッド２２および２１がそれぞれ接続されることになる。すなわち、磁気抵抗素子１８はマウントプレート３９に近い外部接続用接点パッド４１および４２に接続され、薄膜コイル１１、１３はマウントプレートから遠い外部接続用接点パッド４３および４４に接続されることになる。
【００３３】
一方、ダウン型では、外部接続用接点パッド４１および４２にそれぞれ接続された中継用接点パッド３4および３3に、薄膜コイル１１、１３に接続された接点パッド２１および２２が接続され、外部接続用接点パッド４３および４４にそれぞれ接続された中継用接点パッド３２および３１に、磁気抵抗素子１８に接続された接点パッド２３および２４がそれぞれ接続されることになる。すなわち、上述したアップ型の場合とは相違して、薄膜コイル１１、１３がマウントプレート３９に近い外部接続用接点パッド４３および４４に接続され、磁気抵抗素子１８がマウントプレートから遠い外部接続用接点パッド４１および４２に接続されることになる。
【００３４】
上述したように、従来のセンターエレメント型スライダをアップ型とダウン型の両方に共用しようとする場合には、スライダを支持するサスペンション２６のマウントプレート３９の近傍に設けた外部接続用接点パッド４１〜４４に接続される薄膜コイル１１、１３と、磁気抵抗素子１９の位置関係が逆転することになる。すなわち、アップ型の場合には、マウントプレート３９に近い内側の２つの外部接続用接点パッド４１および４２を書込回路に接続すると共に遠い方の２つの外部接続用接点パッド４３および４４を読取回路に接続し、ダウン型の場合には、マウントプレート３９に近い内側の２つの外部接続用接点パッド４１および４２を読取回路に接続すると共に遠い方の２つの外部接続用接点パッド４３および４４を書込回路に接続する必要がある。
【００３５】
ハードディスクデバイスを組み立てるに当たって、このようにスライダ２８を装着したサスペンション２６に設けた外部接続用接点パッド４１〜４４と書込回路および読取回路との接続を、アップ型とダウン型で反転しなければならないのはきわめて不都合である。したがって、ハードディスクデバイスの組み立てメーカーは、アップ型でもダウン型でも同じような接続ができるスライダを要求している。このため、従来の複合型薄膜磁気ヘッドでは、たとえセンターエレメント型スライダであってもアップ型とダウン型では構造を変えており、この点も納入日数が長くなる原因の一つとなっている。
【００３６】
また、誘導型薄膜磁気ヘッドにおいては、薄膜コイル１１、１３に流す電流の方向が顧客によってまたはヘッドタイプによって指定される場合もある。すなわち、ある場合には、薄膜コイルの外側から内側に向けて電流が流れるようにし、他の場合には内側から外側に向けて電流が流れるように要求されることがある。このような場合には、たとえ同じアップ型またはダウン型であっても、上述した外部接続用接点パッドと書込回路との接続の態様を変えない限り同じスライダを共通に使用することはできない。
【００３７】
さらに、記録媒体での面記録密度を向上するために、通常のＡＭＲ素子の代わりにＧＭＲ素子を設けたものが提案されている。ＡＭＲ素子ではこれを読取回路に接続するに際して極性を考慮する必要はないが、ＧＭＲ素子では、読取回路との接続の極性が指定されるので、ＧＭＲ素子を含むアップ型のスライダと、ダウン型のスライダとを共用することはできない。
【００３８】
上述したように、従来の薄膜磁気ヘッド、特に複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、薄膜磁気ヘッドの特性や性能に対する要求の外に、センターエレメント型スライダとするかサイドエレメント型スライダとするか、さらにはアップ型とするかダウン型とするかに応じてそれぞれ異なる構造を有するスライダを別個に製造しなければならなかった。１つのタイプの薄膜磁気ヘッドを製造するには通常２０〜３０程度のマスクが必要であるので、製造すべきタイプが多くなればそれだけマスクの数も多く必要となり、それだけ製造コストが上昇してしまうという問題があった。
【００３９】
実際の製造現場では、ある程度顧客の要求を予測し、予め幾つかのタイプの薄膜磁気ヘッドを製造してストックしているが、顧客の仕様が変更になったときには予測して製造したものでは対応できず、新たに製造しなければならないので納入日数が長くなり、顧客の納入期限を守ることは非常に困難であった。無理に平均サイクルタイムを無視した最速ロットの流動は、製造ラインのバランスを崩すことになると共に量産キャパシティの妨げとなるという問題も発生する。
【００４０】
また、予測が大きく外れる場合には、未納在庫となるが、ハードディスクデバイスのモデルチェンジは急速な勢いで行なわれており、数カ月間に亘る長期間の未納在庫は不良在庫と同様なものとなってしまう可能性が高く、この点でも製造コストの上昇を招くという問題がある。
【００４１】
上述した種々の問題を解決するために、例えば特開平１１−１４９６２２号公報には、例えばサイドエレメントタイプの複合型薄膜磁気ヘッドの要素を構成するときに、複数の補助引き出し線を形成しておき、ＭＲ素子および薄膜コイルに接続された複数の接続端子と補助引き出し線との間を、ヘッドの仕様に応じて複数の素子引き出し線で接続するようにした薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法が開示されている。この従来技術では、複数の補助引き出し線と接点パッドあるいはそれに接続される接続部材との間は、ヘッドの仕様に拘らず固定的に接続されており、この接続関係を変えることはできない。
【００４２】
また、上述した従来技術では、補助引き出し線と接続端子との間を接続する素子引き出し線を形成する工程は独立した工程または接点パッドあるいはこれに接続された接続部材を形成する工程と同時に形成するものであり、薄膜磁気ヘッドの構成要素を形成する工程と同時に、構成要素と同じ材料で形成することはできない。したがって、それだけフォトリソグラフで使用するホトマスクの枚数が増大するという問題もある。
【００４３】
さらに、上述した従来技術では、製造した薄膜磁気ヘッドがどのタイプのものであるのかを示す情報を薄膜磁気ヘッドに記録することについては何ら開示されておらず、顧客から注文されたタイプの薄膜磁気ヘッドを間違いなく納入されたかどうかを容易には確認することができず、さらに顧客は納入された薄膜磁気ヘッドを、例えばハードディスクに組み込む場合に、そのタイプを確認することができず、混乱が生ずる恐れがある。
【００４４】
また、上述した従来技術では、サイドエレメント型スライダとしてアップ型とダウン型とを選択的に製造することはできるが、センターエレメント型スライダのアップ型およびダウン型を選択的に製造することや、サイドエレメント型スライダ或いはセンターエレメント型スライダのアップ型とダウン型とを選択的に製造することについては何ら開示されていない。
【００４５】
本発明の目的は、アップ型およびダウン型のスライダとして共通に使用できるように、薄膜磁気ヘッドと接点パッドとの間を薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて任意に接続することができ、したがって大部分の構成を異なる形式のスライダに共通に使用することができ、その結果として納入日数を短縮することができると共に価格を低減することができる薄膜磁気ヘッド、特に複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供しようとするものである。
【００４６】
本発明の他の目的は、アップ型およびダウン型として共通に使用できるだけでなく、センターエレメント型スライダおよびサイドエレメント型スライダとしても共通に使用することができるように、薄膜磁気ヘッドと接点パッドとの間を薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて任意に接続することができ、したがって大部分の構成を異なる形式のスライダに共通に使用することができ、その結果として納入日数をさらに短縮することができると共に価格をさらに低減することができる薄膜磁気ヘッド、特に複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供しようとするものである。
【００４７】
本発明のさらに他の目的は、薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルおよび／またはＭＲ素子と、接点パッドとの間を薄膜磁気ヘッドのタイプに応じて選択的に接続するための接続導体を、薄膜磁気ヘッドの構成要素を形成する工程で、構成要素と同じ材料で形成することにより、フォトマスクの枚数を減らすことができるようにした薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供しようとするものである。
【００４８】
本発明のさらに他の目的は、製造された薄膜磁気ヘッドのタイプを容易に確認することができるように構成した薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供しようとするものである。
【００４９】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、
記録媒体の表面と対向するエアベアリング面を有するスライダを構成する基体と、
この基体によって支持された少なくも１つの薄膜磁気ヘッド素子と、
前記基体の、記録媒体の進行方向に見た一端面に設けられ、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子を外部回路に接続するための少なくとも２つの接点パッドと、
前記薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子と前記少なくとも２つの接点パッドとの間を任意の位置関係で電気的に接続するように、互いに電気的に接続可能なように絶縁されて交差する複数の接続導体を含む配線パターンと、
を具えるものである。
【００５０】
さらに、本発明による薄膜磁気ヘッドにおいては、前記配線パターンに、
それぞれが前記基体側から見て絶縁層を介して異なるレベルにおいて延在するとともに互いに交差する複数の接続導体を含み、それぞれ前記薄膜磁気ヘッドの少なくとも２つの接続端子および前記少なくとも２つの接点パッドに直接または他の導電パターンを経て導電的に接続された第１および第２の導電パターンと、これら第１および第２の導電パターンの接続導体の複数の交差箇所から薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて選択された複数の交差箇所において前記絶縁層にあけたコンタクトホールを介して異なるレベルの接続導体を導電的に接続する連結導体とを設けるのが好適である。また、本発明による薄膜磁気ヘッドを実施するに当たっては、前記配線パターンを、薄膜磁気ヘッド素子を構成する導電性部材と同じ材料でかつ同時に形成される導電性部材で構成するのが好適である。
【００５１】
本発明による薄膜磁気ヘッドにおいては、薄膜磁気ヘッドを誘導型薄膜磁気ヘッドとし、前記配線パターンの第１および第２の導電パターンの内、基体に近い側の第１の導電パターンを、前記誘導型薄膜磁気ヘッドの下部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成し、基体から遠い第２の導電パターンを薄膜コイルのコイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成したり、基体に近い側の第１の導電パターンを、下部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成し、基体から遠い第２の導電パターンを上部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成したり、基体に近い側の第１の導電パターンを、薄膜コイルの下部コイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成し、基体から遠い第２の導電パターンを薄膜コイルの上部コイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成したり、基体に近い側の第１の導電パターンを、薄膜コイルのコイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成し、基体から遠い第２の導体パターンを上部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成したりすることができる。このように、配線パターンの第１および第２の導電パターンを、薄膜磁気ヘッドの構成要素と同時に形成するので、配線パターンを製造するために特別なフォトマスクを必要とせず、全体としてフォトマスクの枚数を少なくすることができる。
【００５２】
さらに薄膜磁気ヘッド素子として少なくとも誘導型薄膜磁気ヘッド素子を含む本発明による薄膜磁気ヘッドの実施例においては、第１の導電パターンの接続導体と、第２の導電パターンの接続導体とを電気的に接続するために、前記絶縁層に開けられたコンタクトホールを、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の下部磁気ポールと上部磁気ポールとを磁気ギャップとは離れた位置において連結するバックギャップを構成する開口を前記絶縁層に形成する工程と同時に形成するのが好適である。この場合にも、フォトマスクの枚数を少なくすることができる。
【００５３】
本発明による薄膜磁気ヘッドにおいては，前記薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報を、外部から見ることができる位置に形成するのが好適である。このような情報は、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて選択された複数の交差箇所において異なるレベルの接続導体を導電的に接続する工程中に形成するのが好適である。この場合には、薄膜磁気ヘッドの仕様を決定するフォトマスクにその仕様に対応した情報を記録しておくことができるので、製造された薄膜磁気ヘッドの仕様と、その仕様を表す情報とは常に一対一に対応したものとなり、ミスを防ぐことができる。さらに、薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報は、読み取り機によって自動的に読み取ることができる形態で形成したり、人間が直接認識できる形態で形成したりすることができる。
【００５４】
本発明による薄膜磁気ヘッドを実施するに当たっては、幾つかの基本的な構成があるが、第１の基本的構成においては、前記配線パターンの第１の導電パターンの接続導体を、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子にそれぞれ固定的に接続し、前記第２の導電パターンの接続導体を、前記少なくとも２つの接点パッドにそれぞれ固定的に接続する。ここで、固定的に接続するということは、直接接続する場合と、中間の導体を介して接続する場合を含むものであり、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて選択的に接続されるものではないことを意味している。
【００５５】
この第１の基本構成の場合、前記配線パターンの第１の導電パターンの接続導体を、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子にそれぞれ直接接続し、前記第２の導電パターンの接続導体を、前記少なくとも２つの接点パッドにそれぞれ直接接続したり、前記配線パターンの第１および第２の導電パターンの一方の接続導体を、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子にそれぞれ直接接続し、他方の導電パターンの接続導体を、前記少なくとも２つの接点パッドにそれぞれ直接接続され、この導電パターンとは絶縁層を介して異なるレベルに延在する接続導体と、この絶縁層にあけたコンタクトホールを介して導電的に接続したりすることができる。
【００５６】
本発明による薄膜磁気ヘッドの第２の基本的な構成においては、前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える複合型薄膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端に接続された２つの接続端子と、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端に接続された２つの接続端子とを設けると共に４つの接点パッドを設け、前記配線パターンの第１の導電パターンを、前記薄膜磁気ヘッド素子の４つの接続端子に固定的に接続された４本の接続導体で構成し、第２の導電パターンを、前記４つの接点パッドの内の２つの接点パッドに固定的に接続された２本の接続導体と、残りの２つの接点パッドに導電的に接続された２本の接続導体と交差している延長部を有する２本の中間導体とで構成する。
【００５７】
本発明による薄膜磁気ヘッドの第３の基本構成においては、前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える複合型薄膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端に接続された２つの接続端子と、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端に接続された２つの接続端子とを設けると共に４つの接点パッドを設け、前記配線パターンの第１の導電パターンを、前記４つの接続端子の内の２つの接続端子に固定的に接続された２本の接続導体と、残りの２つの接続端子に導電的に接続された２本の接続導体と交差している延長部を有する２本の中間導体とで構成し、前記配線パターンの第２の導電パターンを、前記４つの接点パッドに固定的に接続された４本の接続導体で構成する。
【００５８】
本発明による薄膜磁気ヘッドの第４の基本構成においては、前記配線パターンの第１の導電パターンを、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子および前記少なくとも２つの接点パッドに接続された少なくとも４本の接続導体で構成し、前記第２の導電パターンを、それぞれがこれら第１の導電パターンの全ての接続導体と交差し、前記接点パッドの個数に等しい本数の中間導体で構成する。
【００５９】
このような本発明による薄膜磁気ヘッドの第４の基本的な構成においては、前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える複合型薄膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端および前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端を４つの接続端子に接続し、これら４つの接続端子を、４本の接続導体より成る第２の導電パターンと、４本の中間導体より成る第２の導電パターンとを含む配線パターンを介して４つの接点パッドに接続し、前記複合型薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッドを配設した基体の端面に対して垂直な方向から見て、エアベアリング面の中心位置に設けてアップ型およびダウン型のセンターエレメント型スライダとして共用できるように構成するのが好適である。
【００６０】
さらに本発明による薄膜磁気ヘッドの第４の基本構成においては、各々が、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える２つの複合型薄膜磁気ヘッド素子を設け、２つの誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端を４つの接続端子に接続し、２つの磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端を４つの接続端子に接続し、これら８つの接続端子を、１２本の接続導体より成る第１の導電パターンと、４本の中間導体より成る第２の導電パターンとを含む配線パターンを介して４つの接点パッドに接続し、前記２つの薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッドを配設した基体の端面に対して垂直な方向から見て、前記エアベアリング面の中心に対して対称な位置に設けてアップ型およびダウン型のサイドエレメント型スライダとして共用できるように構成するのが好適である。
【００６１】
本発明による薄膜磁気ヘッドの第４の基本構成においては、各々が、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える３つの複合型薄膜磁気ヘッド素子を設け、３つの誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端を６つの接続端子に接続し、３つの磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端を６つの接続端子に接続し、これら１２個の接続端子を、１６本の接続導体より成る第１の導電パターンと、４本の中間導体より成る第２の導電パターンとを含む配線パターンを介して４つの接点パッドに接続し、前記3つの複合薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッドを配設した基体の端面に対して垂直な方向から見て、前記エアベアリング面の中心位置に設けると共にこの中心位置に対して対称な位置に設けて、アップ型およびダウン型のセンターエレメント型スライダおよびアップ型およびダウン型のサイドエレメント型スライダとして共用できるように構成するのが好適である。
【００６２】
さらに本発明は、複数の仕様の異なる薄膜磁気ヘッドに共通に使用することができる薄膜磁気ヘッド用中間ユニットに関するものである。このような薄膜磁気ヘッド用中間ユニットによれば、所望の仕様の薄膜磁気ヘッドに応じた僅かな製造工程を加えることにより最終的な薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
【００６３】
本発明による薄膜磁気ヘッド用中間ユニットは、仕様の異なる複数の薄膜磁気ヘッドの製造に共通に使用される薄膜磁気ヘッド用共通ユニットであって、
記録媒体の表面と対向するエアベアリング面を有するスライダを構成する基体と、
この基体によって支持された少なくも１つの薄膜磁気ヘッド素子と、
この薄膜磁気ヘッド素子の複数の接続端子と、前記基体の、記録媒体の進行方向に見た一端面に設けられ、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の複数の接続端子を外部回路に接続するための複数の接点パッドとの間を任意の位置関係で電気的に接続するように、互いに電気的に接続可能なように絶縁されて交差する複数の接続導体を含む配線パターンと、
を具えるものである。
【００６４】
このような本発明による薄膜磁気ヘッド製造用の共通ユニットの好適な実施例においては、前記配線パターンが、それぞれが前記基体側から見て絶縁層を介して異なるレベルにおいて延在するとともに互いに交差する複数の接続導体を含み、それぞれ前記薄膜磁気ヘッドの少なくとも２つの接続端子および前記少なくとも２つの接点パッドに直接または他の導電パターンを経て導電的に接続された第１および第２の導電パターンを具えるものである。この場合、前記配線パターンの接続導体を、薄膜磁気ヘッド素子を構成する導電性部材と同じ材料でかつ同時に形成される導電性部材で構成するのが好適である。
【００６５】
このような本発明による薄膜磁気ヘッド用中間ユニットを実施するに際しての第１の基本的な構成においては、前記配線パターンの第１の導電パターンの接続導体を、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子にそれぞれ固定的に接続し、前記第２の導電パターンの接続導体を、前記少なくとも２つの接点パッドにそれぞれ固定的に接続する。
【００６６】
本発明による薄膜磁気ヘッド用中間ユニットを実施するに際しての第２の基本的な構成においては、前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える複合型薄膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端に接続された２つの接続端子と、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端に接続された２つの接続端子とを設けると共に４つの接点パッドを設け、前記配線パターンの第１の導電パターンを、前記薄膜磁気ヘッド素子の４つの接続端子に固定的に接続された４本の接続導体で構成し、第２の導電パターンを、前記４つの接点パッドの内の２つの接点パッドに固定的に接続された２本の接続導体と、残りの２つの接点パッドに導電的に接続された２本の接続導体と交差している延長部を有する２本の中間導体とで構成する
。
【００６７】
本発明による薄膜磁気ヘッド用中間ユニットを実施するに際しての第３の基本的な構成においては、前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える複合型薄膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端に接続された２つの接続端子と、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端に接続された２つの接続端子とを設けると共に４つの接点パッドを設け、前記配線パターンの第１の導電パターンを、前記４つの接続端子の内の２つの接続端子に固定的に接続された２本の接続導体と、残りの２つの接続端子に導電的に接続された２本の接続導体と交差している延長部を有する２本の中間導体とで構成し、前記配線パターンの第２の導電パターンを、前記４つの接点パッドに固定的に接続された４本の接続導体で構成する。
【００６８】
本発明による薄膜磁気ヘッド用中間ユニットを実施するに際しての第４の基本的な構成においては、前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える複合型薄膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端および前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端を４つの接続端子に接続し、これら４つの接続端子を、４本の接続導体より成る第２の導電パターンと、４本の中間導体より成る第２の導電パターンとを含む配線パターンを介して４つの接点パッドに接続し得るように配線パターンを構成し、前記複合型薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッドを配設した基体の端面に対して垂直な方向から見て、エアベアリング面の中心位置に設けてアップ型およびダウン型のセンターエレメント型スライダとして共用できるように構成する。
【００６９】
本発明による薄膜磁気ヘッド用中間ユニットを実施するに際しての第５の基本的な構成においては、各々が、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える２つの複合型薄膜磁気ヘッド素子を設け、２つの誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端を４つの接続端子に接続し、２つの磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端を４つの接続端子に接続し、これら８つの接続端子を、１２本の接続導体より成る第１の導電パターンと、４本の中間導体より成る第２の導電パターンとを含む配線パターンを介して４つの接点パッドに接続し得るように配線パターンを構成し、前記２つの薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッドを配設した基体の端面に対して垂直な方向から見て、前記エアベアリング面の中心に対して対称な位置に設けてアップ型およびダウン型のサイドエレメント型スライダとして共用できるように構成する。
【００７０】
本発明による薄膜磁気ヘッド用中間ユニットを実施するに際しての第６の基本的な構成においては、各々が、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える３つの複合型薄膜磁気ヘッド素子を設け、３つの誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端を６つの接続端子に接続し、３つの磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端を６つの接続端子に接続し、これら１２個の接続端子を、１６本の接続導体より成る第１の導電パターンと、４本の中間導体より成る第２の導電パターンとを含む配線パターンを介して４つの接点パッドに接続し得るように配線パターンを構成し、前記3つの複合薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッドを配設した基体の端面に対して垂直な方向から見て、前記エアベアリング面の中心位置に設けると共にこの中心位置に対して対称な位置に設けて、アップ型およびダウン型のセンターエレメント型スライダおよびアップ型およびダウン型のサイドエレメント型スライダとして共用できるように構成する。
【００７１】
さらに本発明は、記録媒体の表面と対向するエアベアリング面を有するスライダを構成する基体と、この基体によって支持された少なくも１つの薄膜磁気ヘッド素子と、前記基体の、記録媒体の進行方向に見た一端面に設けられ、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子を外部回路に接続するための少なくとも２つの接点パッドと、前記薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子を第１および第２の導電パターンを介して前記接点パッドに接続する配線パターンとを有する薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
基体によって支持されるように薄膜磁気ヘッド素子を形成する工程と、
前記配線パターンの第１の導電パターンを構成する複数の接続導体および／または中間導体を形成する工程と、
この配線パターンの第１の導電パターンを覆うように絶縁層を形成する工程と、
この絶縁層上に、各々が前記第１の導電パターンを構成する複数の接続導体および／または中間導体と交差する複数の接続導体および／または中間導体を有する第２の導電パターンを形成する工程と、
これら第１および第２の導電パターンの接続導体および／または中間導体の全ての交差箇所の内、製造すべき薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて選択された複数の交差箇所において、第１および第２の導電パターンの接続導体および／または中間導体を、前記絶縁層にあけたコンタクトホールを介して導電的に接続する工程と、
前記基体の、少なくとも前記端面にオーバーコート層を形成する工程と、
前記少なくとも２つの接続部材にそれぞれ接続された少なくとも２つの接点パッドを前記オーバーコート層上に形成する工程と、
を具えるものである。
【００７２】
このような本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、前記配線パターンの第１および第２の導電パターンを、薄膜磁気ヘッドを構成する導電性部材を形成するのと同じ材料でかつ同時に形成したり、これら第１および第２の導電パターンを導電的に接続する導電部材をも、薄膜磁気ヘッドを構成する導電性部材を形成するのと同じ工程において同じ材料で形成するのが好適である。
【００７３】
上述したように配線パターンの一部或いは全部を薄膜磁気ヘッドの構成要素と同時に同じ材料で形成する場合、第１の導電パターンを誘導型薄膜磁気ヘッドの下部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成し、第２の導電パターンを薄膜コイルのコイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成したり、第１の導電パターンを、前記誘導型薄膜磁気ヘッドの下部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成し、第２の導電パターンを上部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成したり、第１の導電パターンを、薄膜コイルの下部コイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成し、第２の導電パターンを薄膜コイルの上部コイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成したり、第１の導電パターンを、前記誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルのコイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成し、第２の導体パターンを上部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成したりすることができる。
【００７４】
また、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、前記第１の導電パターンと第２の導電パターンとを電気的に接続するために、前記絶縁層に開けられたコンタクトホールを、誘導型薄膜磁気ヘッド素子の下部磁気ポールと上部磁気ポールとを磁気ギャップとは離れた位置において連結するバックギャップを構成する開口を前記絶縁層に形成する工程と同時に形成するのが好適である。
【００７５】
さらに、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、前記薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報を、外部から見ることができる位置に形成するのが好適である。この薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報は、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて選択された複数の交差箇所において第１および第２の導電パターンを導電的に接続する工程中に形成するのが好適である。また、薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報は、読み取り機によって自動的に読み取ることができる形態で形成したり、人間が直接認識できる形態で形成することができる。
【００７６】
本発明はさらに、上述した薄膜磁気ヘッド用中間ユニットを用いて薄膜磁気ヘッドを製造する方法にも関するものであり、このような本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法は、
記録媒体の表面と対向するエアベアリング面を有するスライダを構成する基体と、この基体によって支持された少なくも１つの薄膜磁気ヘッド素子と、それぞれが前記基体側から見て絶縁層を介して異なるレベルにおいて延在するとともに互いに交差する複数の接続導体および／または中間導体を含み、それぞれ前記薄膜磁気ヘッドの少なくとも２つの接続端子に直接または他の導電パターンを経て導電的に接続されると共に、前記基体の、記録媒体の進行方向に見た一端面に設けられ、前記薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子を外部回路に接続するための複数の接点パッドに直接または他の導電パターンを経て導電的に接続される第１および第２の導電パターンを有する配線パターンとを具える薄膜磁気ヘッド製造用中間ユニットを予め製造してストックしておく工程と、
前記配線パターンの第１および第２の導電パターンの交差箇所の内、薄膜磁気ヘッドの仕様によって決まる複数の交差箇所において、第１および第２の導電パターンを導電的に接続する工程と、
を具えるものである。
【００７７】
このような本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、前記配線パターンの第１および第２の導電パターンの交差箇所の内、薄膜磁気ヘッドの仕様によって決まる複数の交差箇所において、第１および第２の導電パターンを導電的に接続する工程中に、薄膜磁気ヘッドのタイプを表す情報を形成するのが好適である。
【００７８】
また、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、前記配線パターンの第１および第２の導電パターンを導電的に接続する工程は種々の態様で実施することができる。例えば、第１および第２の導電パターンの交差箇所の全てにおいて前記絶縁層に形成されたコンタクトホールの内、薄膜磁気ヘッドの仕様によって決まる複数のコンタクトホールにおいて、第１および第２の導電パターンを連結導体によって導電的に接続する事ができる。
【００７９】
或いはまた、第１および第２の導電パターンの交差箇所の全てにおいて、第１の導電パターンの上側表面から第２の導電パターンの上側表面のレベルまで延在するように前記絶縁層に形成されたコンタクトホール内に形成された連結プラグの内、薄膜磁気ヘッドの仕様によって決まる複数の交差箇所の各々において、連結プラグと第２の導電パターンとの間を接続する連結パッチを形成することもできる。さらに、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じた交差箇所において、前記第１の導電パターンに達する複数のコンタクトホールを前記絶縁層に形成し、これらのコンタクトホールを介して第２の導電パターンを第１の導電パターンに接続することもできる。
【００８０】
上述したように、交差箇所にコンタクトホールを形成する場合には、必要な接続を形成した後に、コンタクトホールを絶縁層で覆い、この絶縁層の上に、前記第２群の接続導体またはこれに接続された接続部材の各々と電気的に接続されるように複数の接点パッドを形成することもできる。この場合には、接点パッドを配線パターンの上方にも大きく形成することができるので、スライダが小型化され、その端面の面積が小さくなるような場合にも大きな面積を持った接点パッドを形成できる利点がある。
【００８１】
【発明の実施の形態】
以下に本発明を図面を参照して詳細に説明するが、実施例を説明する前に、本発明による薄膜磁気ヘッドの配線パターンの基本的な構成を最初に説明する。
【００８２】
図１３は、本発明による薄膜磁気ヘッドの第１の基本的な構成の一例を示す線図である。基本的な構成を表す場合には、図面を簡単とするために、薄膜磁気ヘッド１０を模式的に示す。後述する実施例から明らかとなるように、薄膜磁気ヘッド１０は、少なくとも１つの誘導型薄膜磁気ヘッド素子を具える場合、少なくとも１つの磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える場合、少なくとも１つの誘導型薄膜磁気ヘッド素子と少なくとも１つの磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える場合があるが、図１３では説明を簡単とするために、薄膜磁気ヘッド１１１は１つの薄膜磁気ヘッド素子のみを具えるものとする。
【００８３】
薄膜磁気ヘッド１１１は、薄膜磁気ヘッドの構成要素に接続された第１および第２の接続端子１０１および１０２が設けられている。薄膜磁気ヘッド１１１が誘導型薄膜磁気ヘッド素子で構成されている場合には、第１および第２の接続端子１０１および１０２は．薄膜コイルの両端に接続されているものである。また、薄膜磁気ヘッド１１１が磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を有する場合には、第１および第２の接続端子１０１および１０２は、磁気抵抗素子の両端に接続されている。
【００８４】
上述した第１および第２の接続端子１０１および１０２に一端が接続された第１および第２の接続導体１２１および１２２を含む第１の導電パターンと、各々がこれらの第１および第２の接続導体１２１および１２２と交差する第１および第２の接続導体１３１および１３２を含む第２の導電パターンを設ける。これら第１の導電パターンの接続導体１２１、１２２と第２の導電パターンの接続導体１３１、１３２との間は絶縁層によって分離されており、これらの導電パターンは基板表面から見て異なるレベルに形成されている。また、第２の導電パターンの接続導体１３１および１３２の一端は、薄膜磁気ヘッド１１１を外部回路へ接続するための第１および第２の接点パッド１４１および１４２にそれぞれ接続されている。第１の導電パターンの接続導体１２１および１２２は互いに平行に延在する部分を有していると共に第２の導電パターンの接続導体１３１および１３２も互いに平行に延在する部分を有しており、これらの平行な部分は直交しているが、本発明においては接続導体は必ずしも平行な部分を有する必要はなく、したがって第１の導電パターンの接続導体１２１、１２２と第２の導電パターンの接続導体１３１、１３２とは互いに直交する必要もない。
【００８５】
図１３に示すように第１の導電パターンの第１および第２の接続導体１２１、１２２と、第２の導電パターンの第１および第２の接続導体１３１、１３２との間の交差箇所を、Ａ、Ｂ，Ｃ，Ｄで表す。図１４Ａは、第１の導電パターンの接続導体１２１と、第２の導電パターンの第１の接続導体１３１との交差箇所の構造を線図的に示す断面図である。これらの接続導体１２１および１３１の間は絶縁層５１によって分離されているが、交差箇所には、絶縁層にコンタクトホール５２が形成されており、接続導体１２１および１３１は互いに連通している。
【００８６】
薄膜磁気ヘッド１１１の第１の接続端子１０１を第１の接点パッド１４１に接続し、第２の接続端子１０２を第２の接点パッド１４２に接続する場合には、第１の導電パターンの第１の接続導体１２１と第２の導電パターンの第１の接続導体１３１との交差箇所Ａにおいてこれらの接続導体同士を電気的に結合すると共に、第１の導電パターンの第２の接続導体１２２と第２の導電パターンの第２の接続導体１３２との交差箇所Ａにおいてこれらの接続導体同士を電気的に結合すれば良い。このように、本発明においては、接続導体同士を電気的に連結する交差箇所を、薄膜磁気ヘッドの所望の仕様に応じて選択することによって、所望の仕様の薄膜磁気ヘッドを容易に得ることができる。
【００８７】
例えば、薄膜磁気ヘッド１１１が誘導型薄膜磁気ヘッド素子を有しており、第１の接続端子１０１が薄膜コイルの最内側のコイル巻回体に接続され、第２の接続端子１０２が薄膜コイルの最外側のコイル巻回体に接続されているものとすれば、交差箇所ＡおよびＤにおいて接続導体同士を導電的に結合すると、薄膜コイルの最内側のコイル巻回体を第１の接点パッド１４１に接続し、最外側のコイル巻回体を第２の接点パッド１４２に接続することができる。また、交差箇所ＢおよびＤにおいて接続導体同士を連結すると、薄膜コイルの最内側のコイル巻回体を第２の接点パッド１４２に接続し、最外側のコイル巻回体を第１の接点パッド１４１に接続することができる。
【００８８】
図１４Ｂおよび１４Ｃは、第１の導電パターンの接続導体と第２の導電パターンの接続導体とを電気的に結合する態様を示すものである。図１４Ｂに示す場合には、絶縁層５１に開けたコンタクトホール５２内に導電材料のプラグ５３を埋め込んで接続導体１２１と１３１とを接続するものである。また、図１４Ｃの場合は、コンタクトホール５２の内壁を覆うように形成した導電層５４によって接続導体１２１と１３１とを接続するものである。本発明においては、接続導体同士の電気的な結合、または後述するような中間導体と接続導体との間の電気的な結合の態様は、図１４Ｂおよび１４Ｃに示したものだけに限られるものではなく種々の態様が考えられる。
【００８９】
図１５は、本発明による薄膜磁気ヘッドの第１の基本的な構成の他の例を示す線図である。この例においては、薄膜磁気ヘッド１１１の第１および第２の接続端子１０１および１０２にそれぞれ接続された第１の導電パターンの第１および第２の接続導体１２１および１２２と交差するように第１および第２の中間導体１６１および１６２より成る第２の導電パターンを配置し、さらに第１および第２の接点パッド１４１および１４２にそれぞれ接続された第１および第２の接続導体１３１および１３２を第２の導電パターンを構成する第１および第２の中間導体１６１および１６２とそれぞれ交差させるように配置したものである。
【００９０】
このような構成においては、第１の接点パッド１４１に接続された第１の接続導体１３１と第１の中間導体１６１との交差箇所Ｅおよび第２の接点パッド１４２に接続された第２の接続導体１３２と第２の中間導体１６２との交差箇所Ｆにおいては、薄膜磁気ヘッドの仕様に関係なく固定的に導電連結を行う。それ以外の交差箇所Ａ〜Ｄについては、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて選択される２つの交差箇所において導電的な連結を行うが、その態様は図１３に示した第１の基本構成で説明したところと同じである。ただし、図１３に示した例においては、第１の導電パターンの接続導体１２１、１２２を第１のレベルに形成し、第２の導電パターンの接続導体１３１、１３２を第２のレベルに形成するのに対し、第３の基本構成においては、第１の導電パターンの接続導体１２１、１２２を第１のレベルに形成し、第２の導電パターンを構成する中間導体１６１、１６２を第２のレベルに形成し、これらの中間導体を接点パッド１４１、１４２に接続する接続導体１３１、１３２を第３のレベルに形成する。
【００９１】
図１６は、本発明による薄膜磁気ヘッドの第１の基本的な構成のさらに他の例を示す線図である。この例においては、第１の導電パターンを構成する第１および第２の中間導体１６１および１６２と、第２の導電パターンを構成する第１および第２の接続導体１３１および１３２とを交差させ、第１の導電パターンの第１および第２の接続導体１６１および１６２を、それぞれ第１および第２の接続端子１０１および１０２に接続した第１および第２の接続導体１２１および１２２とそれぞれ交差させたものである。この場合には、薄膜磁気ヘッドの仕様に拘らず、第１および第２の接続導体１２１および１２２と、第１および第２の中間導体１６１および１６２との交差箇所ＥおよびＦにおいては固定的な導電結合を行ない、交差箇所Ａ〜Ｄについては図１３および１５に示した例と同様に、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じた２つの交差箇所において導電的な結合を行う。
【００９２】
図１７は、本発明による薄膜磁気ヘッドの第２の基本的な構成を示す線図である。上述した第１の基本構成においては、薄膜磁気ヘッドは１つの薄膜磁気ヘッド素子を有するものとしたが、この第２の基本構成においては、薄膜磁気ヘッドは２つの薄膜磁気ヘッド素子を有するものである。すなわち、薄膜磁気ヘッド１１１は、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッド素子と、読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子とを有する複合型薄膜磁気ヘッドとして構成されたものである。このような複合型薄膜磁気ヘッド１１１においては、誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端に接続された第１および第２の出力端子１０１および１０２と、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端に接続された第３および第４の出力端子１０３および１０４とを有している。この第２の基本構成においては、配線パターンの第１の導電パターンは、これらの出力端子にそれぞれ接続された４つの接続導体１２１〜１２４で構成され、第２の導電パターンは、中間導体１６１、１６２と接点パッド１４３，１４４に接続された接続導体１３３，１３４とで構成されている。
【００９３】
すなわち、薄膜磁気ヘッドを外部回路へ接続するための４つの接点パッド１４１〜１４４を設け、その内の第１および第２の接点パッド１４１および１４２に接続された第１および第２の接続導体１３１および１３２を、上述した第１の導電パターンの４つの接続導体１２１〜１２４と交差する第１および第２の中間導体１６１および１６２の延長部と４つの交差箇所Ａ〜Ｄにおいて交差させる。また、配線パターンの第２の導電パターンは、それぞれ第３および第４の接点パッド１４３および１４４に接続され、第１の導電パターンの第１〜第４の接続導体１２１〜１２４と交差する第３および第４の接続導体１３３および１３４で構成する。したがって、配線パターンの第１の導電パターンと第２の導電パターンとは、１６個の交差箇所Ｅ〜Ｔで交差することになる。
【００９４】
上述したような本発明による第２の基本的な構成においては、以下の表１に示すような種々の接続の態様が可能である。
【表１】
【００９５】
例えば、薄膜磁気ヘッド１１１の誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの最内側のコイル巻回体に接続した出力端子１０１を第１の接点パッド１４１に接続するには、交差箇所Ｅにおいて第１の導電パターンの第１の接続導体１２１と、第２の導電パターンの第１の中間導体１６１とを導電的に結合すると共に交差箇所Ａにおいて第１の中間導体１６１と第１の接続導体１３１とを導電的に結合すれば良い。或いはまた、このような接続は、交差箇所ＦおよびＢにおいて導電結合を行うことによっても達成できる。同様に、最外側のコイル巻回体に接続した出力端子１０２を第２の接点パッド１４２に接続するには、交差箇所ＥおよびＣまたは交差箇所ＦおよびＤにおいて上下の導体を導電的に結合すれば良い。
【００９６】
また、薄膜磁気ヘッド１１１の磁気抵抗素子の一端に接続した出力端子１０３を第３の接点パッド１４３に接続し、磁気抵抗素子の他端に接続した出力端子１０４を第４の接点パッド１４４に接続する必要がある場合には、交差箇所ＰおよびＳにおいて導電的に結合を施せば良い。さらに、薄膜磁気ヘッド１１１の磁気抵抗素子の一端に接続した出力端子１０３を第４の接点パッド１４４に接続し、磁気抵抗素子の他端に接続した出力端子１０４を第３の接点パッド１４３に接続する必要がある場合には、交差箇所ＯおよびＴにおいて導電的に結合を施せば良い。このように、導電的な連結を施すべき交差箇所を選択することによって、薄膜磁気ヘッド１１１と接点パッド１４１〜１４４とを任意の組み合わせで接続することができる。
【００９７】
図１８は、本発明による薄膜磁気ヘッドの第３の基本的な構成を示すものであり、図１７に示した第２の基本構成において、配線パターンの第１の導電パターンと第２の導電パターンとの配置を入れ換えたものである。すなわち、第１の導電パターンを第３および第４の出力端子１０３および１４にそれぞれ接続された第１および第２の接続導体１２３および１２４と、２本の中間導体１６１および１６２で構成し、第２の導電パターンを接点パッド１４１〜１４４にそれぞれ接続された第１〜第４の接続導体１３１〜１３４で構成し、出力端子１０１および１０２に接続された第１および第２の接続導体１２１および１２２を、中間導体１６１および１６２の延長部と４つの交差箇所Ａ〜Ｄにおいて交差させたものである。この場合にも、第１の導電パターンを構成する第３および第４の接続導体１２３および１２４および第１および第２の中間導体１６１および１６２と、第２の導電パターンを構成する第１〜第４の接続導体１３１〜１３４とは１６個の交差箇所Ｅ〜Ｔにおいて交差することになる。
【００９８】
以下の表２は上述した第２の基本構成における接続の態様を示すものである。
【表２】
【００９９】
例えば、薄膜磁気ヘッド１１の誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの最内側のコイル巻回体に接続した出力端子１０１を第１の接点パッド１４１に接続し、最外側のコイル巻回体に接続した出力端子１０２を第２の接点パッド１４２に接続すると共に、薄膜磁気ヘッド１１１の磁気抵抗素子の一端に接続した出力端子１０３を第３の接点パッド１４３に接続し、磁気抵抗素子の他端に接続した出力端子１０４を第４の接点パッド１４４に接続する必要がある場合には、交差箇所Ａ、Ｇ、Ｄ、Ｌ、ＭおよびＲまたは交差箇所Ｂ、Ｈ、Ｃ、Ｋ、ＭおよびＲにおいて導電的に結合を施せば良いことがわかる。
【０１００】
図１９は、本発明による薄膜磁気ヘッドの第４の基本的な構成を示す線図であり、上述した図１３に示した第１の基本構成と同じ部分には同じ符号を付けて示した。この第４の基本的な構成においては、配線パターンの第１の導電パターンは、薄膜磁気ヘッド１１１の第１および第２の接続端子１０１および１０２にそれぞれ接続された第１および第２の接続導体１２１および１２２と、第１および第２の接点パッド１４１および１４２にそれぞれ接続された第３および第４の接続導体１３１および１３２とで構成し、第２の導電パターンは、各々がこれらの接続導体１２１、１２２、１３１、１３２の全てと交差する第１および第２の中間導体１６１および１６２で構成したものである。この場合、図１９に示すように、第１の導電パターンを構成する第１〜第４の接続導体１２１、１２２、１３１、１３２を互いに平行とすると共に第２の導電パターンを構成する第１および第２の中間導体１６１および１６２も平行とし、接続導体１２１、１２２、１３１、１３２とほぼ直交させるのが好適である。また、第２の導電パターンを構成する中間導体の本数は、接点パッドの個数と等しいものである。
【０１０１】
この第４の基本構成においては、第１の導電パターンを構成する４本の接続導体１２１、１２２および１３１、１３２と、第２の導電パターンを構成する第１および第２の２本の中間導体１６１および１６２との８つの交差箇所を図１９に示すようにＡ〜Ｈで表す。薄膜磁気ヘッド１１１の第１の接続端子１０１を第１の接点パッド１４１に接続するためには、交差箇所ＡおよびＢにおいて接続導体同士を導電的に結合し、薄膜磁気ヘッド１１１の第２の接続端子１０２を第２の接点パッド１４２に接続するためには、交差箇所ＡおよびＢにおいて接続導体同士を導電的に結合すれば良い。或いは、薄膜磁気ヘッド１１１の第１の接続端子１０１を第２の接点パッド１４２に接続するためには、交差箇所ＤおよびＨにおいて接続導体同士を導電的に結合し、薄膜磁気ヘッド１１１の第２の接続端子１０２を第２の接点パッド１４２に接続するためには、交差箇所ＡおよびＢにおいて接続導体同士を導電的に結合すれば良い。
【０１０２】
図２０および２１は、上述した第４の基本構成に基づく本発明による薄膜磁気ヘッドの第１の実施例におけるスライダＳの、接点パッドを設けた端面の構造を示す線図である。スライダの下面は磁気記録媒体と対向するエアベアリング面ＡＢＳが構成されている。この記録媒体は紙面の後方から前方に向けて移動するものである。本例では、この記録媒体の移動方向に見て、スライダＳの中心に、１つの複合型薄膜磁気ヘッド１１１を設けたセンターエレメント型としたものである。この複合型薄膜磁気ヘッド１１１の詳細な構成は後に説明するが、ここでは書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッド素子と、読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子とを図２０の紙面の垂直な方向に見て積層して設けたものである。
【０１０３】
複合型薄膜磁気ヘッド１１１の誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの最内側のコイル巻回体および最外側のコイル巻回体にそれぞれ導電的に結合された接続導体１２１および１２２と、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端に導電的に結合された接続導体１２３および１２４を互いに平行に配列する。また、複合型薄膜磁気ヘッド１１１を外部回路へ接続するための第１〜第４の接点パッド１４１〜１４４にそれぞれ接続された４本の接続導体１３１〜１３４を、上述した接続導体１２１〜１２４と平行に配置する。これら８本の接続導体を以て配線パターンの第１の導電パターンを構成している。このように第１の導電パターンを構成する８本の接続導体１２１〜１２４および１３１〜１３４と直交するように第２の導電パターンを構成する第１〜第４の中間導体１６１〜１６４を互いに平行に配置する。したがって、本例は、図１９に示した第４の基本構成に基づくものである。
【０１０４】
図２０において、第１の導電パターンを構成する接続導体１２１〜１２４および１３１〜１３４と、第２の導電パターンを構成する第１〜第４の中間導体１６１〜１６４との間の３２の交差箇所の内、導電部材によって上下の導電層を導電的に連結した箇所にはハッチングを付けて示す。例えば、第１の導電パターンの接続導体１２１は、第２の導電パターンの第２の中間導体１６２と導電的に結合されており、この第２の中間導体はさらに第１の導電パターンの接続導体１３３と導電的に結合されている。したがって、複合型薄膜磁気ヘッド１１１の誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルの最内側のコイル巻回体は、第１の導電パターンの接続導体１２１、第２の導電パターンの中間導体１６２および第１の導電パターンの接続導体１３３を経て第３の接点パッド１４３に接続されている。
【０１０５】
図２０に示すように、薄膜コイルの最外側のコイル巻回体は、第４の接点パッド１４４に接続されると共に、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端は第１および第２の接点パッド１４１および１４２に接続されている。なお、図２０では図面を明瞭とするために、薄膜コイルに接続された接点パッドには「Ｗ」を付し、磁気抵抗素子に接続された接点パッドには「Ｒ」を付けてある。すなわち、左側の２つの接点パッド１４１、１４２は磁気抵抗素子に接続され、右側の２つの接点パッド１４３、１４４は薄膜コイルに接続されている。
【０１０６】
ここで、図２０に示されているスライダＳは、記録媒体の上方に配置されて使用されるアップ型のものであるとする。このようなスライダをそのまま上下反転してダウン型のスライダとして使用しようとすると、上述したように複合型薄膜磁気ヘッドと接点パッドとの間の接続関係が不適切となる。そこで、本発明においては、薄膜磁気ヘッドの構成そのものは変えずに、上下の導電層間を導電的に連結すべき交差箇所のみを変更するだけでダウン型スライダとしても使用できるように構成したものである。
【０１０７】
図２１は、図２０に示したアップ型のスライダをダウン型のスライダとして構成した場合の構成を示すものである。すなわち、ダウン型として構成する場合には、導電的に連結すべき交差箇所を変えてある。例えば、複合型薄膜磁気ヘッド１１１の薄膜コイルの最内側のコイル巻回体は、第１の導電パターンの接続導体１２１、第２の導電パターンの中間導体１６１および第１の導電パターンの接続導体１３１を経て第１の接点パッド１４１に接続されており、薄膜コイルの最外側のコイル巻回体は、第１の導電パターンの接続導体１２２、第２の導電パターンの中間導体１６２および第１の導電パターンの接続導体１３２を経て第２の接点パッド１４２に接続されている。本例の接続態様でも、左側の２つの接点パッド１４３、１４４は「Ｒ」で示されるように磁気抵抗素子に接続され、右側の２つの接点パッド１４１、１４２は「Ｗ」で示されるように薄膜コイルに接続されている。すなわち、アップ型であってもダウン型であっても、右側の接点パッドは書き込み用であり、左側の接点パッドは読み取り用である。
【０１０８】
また、薄膜コイルへの接続の態様においては、薄膜コイルの最内側のコイル巻回体が内側の接点パッド１４３に接続され、薄膜コイルの最外側のコイル巻回体が外側の接点パッド１４４に接続される態様を「ノーマルタイプ」とし、これとは逆の接続態様を、「クロスタイプ」としている。図２０に示すアップ型も図２１に示すダウン型も薄膜コイルの接続に関しては共にノーマルタイプである。
【０１０９】
上述したように本発明による薄膜磁気ヘッドにおいては、配線パターン以外の構成はノーマル型でもダウン型でも、ノーマルタイプでもクロスタイプでも同じであるので、完成した薄膜磁気ヘッドがどのようなタイプのものであるのかを簡単に知ることはできない。したがって、ユーザに納入する薄膜磁気ヘッドがユーザから指定された仕様に合ったものであるかどうかの判断を簡単に行うことができない。さらに、ユーザサイドにおいても、例えばハードディスクドライブに組み込む場合に、組み込もうとしている薄膜磁気ヘッドが所望の仕様のものであるかどうかを容易に確認することができず、間違った薄膜磁気ヘッドを組み込んでしまう恐れがある。
【０１１０】
本発明においては、上述した問題を解決するために、薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報を、外部から見ることができる位置に形成する。このような情報としては、読み取り機によって自動的に読み取ることができる形態で形成したり、人間が直接認識できる文字、記号の形態で形成することができる。図２０および２１並びに後述する実施例においては、上述した情報を人間が直接認識できる形態で形成する。すなわち、図２０に示すアップ型のノーマルタイプの薄膜磁気ヘッドに対しては、「ＵＰ−Ｎ」の文字を薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルや配線パターンや接点パッドを形成した面に形成する。また、図２１の実施例は、ダウン型でノーマルタイプの薄膜磁気ヘッドであるので、「ＤＷ−Ｎ」の文字を形成する。このような情報は、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて選択された複数の交差箇所において異なるレベルの接続導体を導電的に接続する工程中に形成するのが好適である。この場合には、導電的な接続を行うためのフォトマスクに、薄膜磁気ヘッドの種類を表す情報を記録しておくことができる。また、このような情報の形成方法については後に説明する。
【０１１１】
図２２および２３は、サイドエレメント型とした本発明による薄膜磁気ヘッドの第２の実施例を示すものであり、基本構成は図２０および２１に示したものと同じ第４の基本構成に従うものであり、図２０および２１に示した部分と同じ部分には同じ符号を付けて示した。サイドエレメント型のスライダをアップ型とダウン型で共用するために、スライダＳには、図面の平面に垂直な方向に見て、中心に対して対称的に第１および第２の複合型薄膜磁気ヘッド１１１および１１２を設ける。
【０１１２】
第１の複合型薄膜磁気ヘッド１１１の誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルおよび磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子に導電的に結合された４本の接続導体１２１〜１２４、第１〜第４の接点パッド１４１〜１４４に接続された４本の接続導体１３１〜１３４、並びに第２の複合型薄膜磁気ヘッド１１２の誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルおよび磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子に導電的に結合された４本の接続導体１２５〜１２８を互いに平行に配置して配線パターンの第１の導電パターンを構成すると共に、各々がこれら１２本の接続導体と直交するように４本の中間導体１６１〜１６４を配置して第２の導電パターンを構成する。したがって、本例では、全部で４８の交差箇所が存在することになる。
【０１１３】
図２２に示すアップ型のスライダの場合には、左側にある第１の複合型薄膜磁気ヘッド１１１を使用し、右側の第２の複合型薄膜磁気ヘッド１１２は使用しない。したがって、斜線で示す合計８カ所の交差箇所において、接続導体と中間導体とを導電的に連結することによって、第１の複合型薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端は第１および第２の接点パッド１４１および１４２に接続され、誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端は第３および第４の接点パッド１４３および１４４に接続されることになる。この例では、薄膜コイルの最内側のコイル巻回体は内側の接点パッド１４３に接続され、最外側のコイル巻回体は外側の接点パッド１４４に接続されているので、ノーマルタイプとなっている。したがってスライダには「ＵＰ−Ｎ」の文字を形成してある。
【０１１４】
図２３は、図２２に示したスライダをダウン型として使用する場合の接続態様を示すものである。この場合には、左側にある第２の複合型薄膜磁気ヘッド１１２を使用し、右側にある第１の複合型薄膜磁気ヘッド１１１は使用しない。斜線で示す８つの交差箇所において、配線パターンの第１の導電パターンを構成する接続導体と第２の導電パターンを構成する中間導体とを導電的に連結することによって、第２の複合型薄膜磁気ヘッド１１２の誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端は第１および第２の接点パッド１４１および１４２に接続され、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端は第３および第４の接点パッド１４３および１４４に接続されることになる。この例では、薄膜コイルと接点パッド１４３、１４４との接続はノーマルタイプとなっているので、「ＤＷ−Ｎ」の文字が形成されている。
【０１１５】
上述したように、図２２および２３に示す第２の実施例においては、アップ型でサイドエレメント型のスライダおよびダウン型でサイドエレメント型のスライダを、ユーザの仕様に応じて自由に選択することができるが、さらに。薄膜コイルの最内側および最外側のコイル巻回体と接点パッドとの接続順序を図２３に示す場合とは反対としたクロスタイプの仕様をユーザが希望する場合には、図２４において斜線で示す交差箇所において導電的な連結を行うことにより容易かつ迅速にユーザの要求に応えることができ、この場合には「ＤＷ−Ｃ」の文字を形成する。このように、本発明によれば、薄膜磁気ヘッドの大部分は薄膜磁気ヘッドの仕様に拘らず共通に形成できるので、製造マスクを共通化することができ、製造コストを低減することもでき、それだけ薄膜磁気ヘッドのコストを下げることができると共に。ユーザの要求に迅速かつ正確に応えることができる。
【０１１６】
以下、図２５〜３１を参照して、図２０および２１に示した本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例を製造する順次の工程を、図２０に示した構成をも参照して説明する。なお、これらの図面においては、エアベアリング面に垂直な断面図をＡで示し、磁極部分をエアベアリング面と平行に切った断面図をＢで示した。また、本例では、基体の上に読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを形成し、その上に書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドを積層した複合型薄膜磁気ヘッドとしたものである。
【０１１７】
アルティック（AlTiC ）より成る基体２０１の一方の表面に、約３〜５μm の膜厚でアルミナより成る絶縁層２０２を形成し、さらにその上に、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子に対する下部シールド層２０３をパーマロイにより約２〜３μm の膜厚に所定のパターンにしたがって形成し、全体の上にアルミナ層を約４μm の膜厚で形成した後、ＣＭＰによって下部シールド層２０３を露出させた様子を図２５に示す。ここで、本明細書において、絶縁層とは、少なくとも電気的な絶縁特性を有する膜を意味しており、非磁性特性はあってもなくても良い。しかし、一般には、アルミナのように、電気絶縁特性を有しているとともに非磁性特性を有する材料が使用されているので、絶縁層と、非磁性層とを同じ意味に使用する場合もある。
【０１１８】
次に、図２６に示すように、絶縁層と共に平坦な平面となっている下部シールド層２０３の上に、アルミナより成るシールドギャップ層２０４に埋設されたＧＭＲ層２０５を形成し、さらに、その上に、ＧＭＲ層に対する上部シールドを構成するとともに誘導型薄膜磁気ヘッドの下部ポールを構成する磁性層２０６をパーマロイにより約１〜２μm の膜厚に形成する。ここでは、この磁性層２０６を下部ポールとも称することにする。ＧＭＲ層２０５を形成する際には、その両端を外部回路に接続するための一対のリード部材を導電材料で形成するが、図２６Ｂにおいて、符号２０７ａおよび２０７ｂで示す。
【０１１９】
次に、図２７に示すように、下部ポール２０６の上に、下部ポールチップ２０８を、約２〜４μm の膜厚で所定のパターンにしたがって形成する。この際に、エアベアリング面から遠い位置にバックギャップを構成するための連結部材２０９を島状に形成する。さらに、下部ポールチップ２０８、下部ポール２０６の露出表面および連結部材２０９を覆うように、アルミナより成る絶縁層２１０を、約０．３〜０．５μm の膜厚に形成する。次に、この絶縁層２１０の上に、薄膜コイル２１１を所定のパターンにしたがって形成する。この薄膜コイル２１１は、銅のシード層を所定のパターンにしたがって形成した後、銅の電解メッキによって形成することができるが、他の方法で形成しても良い。
【０１２０】
このように薄膜コイル２１１を所定のパターンにしたがって形成する際に、薄膜コイル２１１の最内側のコイル巻回体を外部回路に接続するための導電部材２１２を銅により形成する。薄膜コイル２１１の最外則のコイル巻回体に対する導電部材も同時に形成するが、図面には現れていない。さらに、薄膜コイル２１１の形成と同時に、図２０に示す配線パターンの第１の導電パターンの１２本の接続導体１２１〜１２８および１３１〜１３４を構成する導電層を所定のパターンにしたがって形成する。ただし、図２０に示す接点パッド１４１〜１４４はまだ形成されていない。このように接続導体を薄膜コイル２１１を構成する導電材料、本例では銅で形成するため、その抵抗値を小さくすることができる。また、ＧＭＲ膜２０５の両端に接続された一対のリード部材２０７ａおよび２０７ｂの端部と接続されるように導電層を形成する。
【０１２１】
次に、図２８に示すように、薄膜コイル２１１および上述した接続導体を構成する導電層を覆うように、絶縁層２１３を約３〜４μm の膜厚で形成した後、下部ポールチップ２０８が約１．５〜２．５μm の膜厚で残るようにＣＭＰ処理を施して表面を平坦化し、さらに図２９に示すように、この平坦な表面の上にアルミナより成るライトギャップ層２１４を、約０．２〜０．２５μm の膜厚で形成する。
【０１２２】
図２９に示すように、このライトギャップ層２１４の、連結部材２０９および導電部材２１２と対応する位置に開口を形成した後、上部ポール２１５を形成することにより、下部ポール２０６と上部ポール２１５とを連結部材２１２を介して磁気的に結合し、ライトギャップ層２１４を含む閉じた磁路を形成する。この上部ポール２１５の形成の際に、導電部材２１２と接触するように導電部材２１６を構成するが、この導電部材２１６は、図２０に示す第１の導電パターンの接続導体１２１の一端にも接触されているので、図２０において薄膜コイルの最内側のコイル巻回体を接続導体１２１に接続する接続導体を、この導電部材２１６と同じ符号を付けて示す。すなわち、導電部材２１２と、配線パターンの第１の導電パターンの接続導体１２１との交差箇所に対応する位置において、ライトギャップ層２１４および絶縁層２１３に開口を形成して上部ポール２１５を形成することにより、導電部材２１２と接続導体１２１との間を導電的に接続する接続導体２１６が形成される。また、このとき、図２０に示す第１の導電パターンの接続導体１３１〜１３４を構成する導電層の端部に相当する位置に、絶縁層に開口を形成して、図２０に示す接点パッド１４１〜１４４を構成する導電層も形成する。
【０１２３】
上述したように、上部ポール２１５を形成する際に、薄膜コイル２１１を第１および第２の接続導体１２１および１２２に接続する導電部材２１６や、接続導体１３１〜１３４に接続された接点パッド１４１〜１４４を形成するが、これと同時に図２０に示す第２の導電パターンを構成する第１〜第４の中間導体１６１〜１６４を形成する。さらに、これらの中間導体を形成する際に、製造すべき薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて導電的に連結すべき交差箇所に対応する位置の絶縁層２１３およびライトギャップ層２１４には開口を形成する。このように、本例では、上部ポール２１５を形成する際に、絶縁層２１３およびライトギャップ層２１４に開口を形成するためのリソグラフ用のマスクとして、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じたものを予め準備しておき、所望の仕様に応じたマスクを使用して所望の位置に開口を形成することにより、仕様に合った交差箇所において導電的な連結がなされることになる。
【０１２４】
上述したように、絶縁層２１３およびライトギャップ層２１４の所望の位置に、薄膜磁気ヘッドの所望の仕様に応じて開口を形成した後、上部ポール２１５を、約２．５〜３．５μm の膜厚で形成すると共に上述したように第１〜第４の中間導体１６１）１６４を構成する導電層や接点パッド１４１〜１４４を形成する。したがって、本例では、例えば第１群の第１の接続導体１２１と第２の中間導体１６２との交差箇所では、図３０に示すように薄膜コイル２１１を構成する銅より成る第１の導電パターンの接続導体１２１と、上部ポール２１５を構成する導電性の磁性材料、例えばパーマロイより成る第２の導電パターンの中間導体１６２とが導電的に連結されることになる。一方、相互に導電的に連結したくない交差箇所においては、接続導体と中間導体との間は絶縁層２１３およびライトギャップ層２１４によって分離されている。
【０１２５】
次に、図３１に示すように、上部ポール２１５の磁極部分をマスクとしてライトギャップ層２１４およびその下側の下部ポールチップ２０８をエッチングしてトリム構造を形成する。例えば、アルミナフレオン系ガスまたは塩素系ガスを用いるリアクティブイオンエッチングよってライトギャップ層２１４を選択的に除去し、さらに露出した下部ポールチップ２０８の表面をイオンビームエッチングにより部分的に除去してトリム構造を形成する。
【０１２６】
上述したようにしてトリム構造を形成した後、アルミナより成るオーバーコート層２１７を、約２０〜４０μm の膜厚に形成した後、ＣＭＰによってオーバーコート層の表面を平坦に研磨することによって、接点パッド１４１〜１４４を露出させる。以後の工程は既に説明した従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程と同じであり、ウエファを複数の薄膜磁気ヘッドが配列されたバーに切断し、このバーの一側面を研磨してエアベアリング面を形成した後、個々の薄膜磁気ヘッドユニットに分割する。
【０１２７】
上述したように、本例においては、図２０に示す配線パターンの第１の導電パターンを構成する接続導体１２１〜１２４および１３１〜１３４を、薄膜コイル２１１を形成する導電材料で薄膜コイルと同時に形成し、これらの接続導体と交差する第２の導電パターンを構成する第１〜第４の中間導体１６１〜１６４を、上部ポール２１５を形成する導電材料（磁性材料）で上部ポールと同時に形成し、さらに薄膜磁気ヘッドの仕様によって決まる導電的に連結すべき交差箇所における開口は、上部ポール２１５を形成する前に、バックギャップ部を形成するための開口をライトギャップ層２１４および絶縁層２１３に形成するのと同時に形成するため、このフォトマスクによる処理を行うまでの工程は、薄膜磁気ヘッドの仕様に拘らず同じものとなり、個々の仕様に対応するものを格別に製造する場合に比べてフォトマスクの枚数を減らすことができる。したがって、製造コストを低減することができると共にユーザの要求する仕様の薄膜磁気ヘッドを迅速に納入することができる。
【０１２８】
図３２〜３６は、図２０および２１に示した本発明による薄膜磁気ヘッドの実施例を製造する方法の他の例を示す断面図であり、前例と同様の部分には同じ符号を付けて示し、その詳細な説明は省略する。図３２および３３に示す工程は、上述した第１の実施例における図２５および２６に示す工程とほぼ同じであるが、本例においては、図３３に示すように、平坦とした下部ポール２０３の上にライトギャップ層２１３を形成する。
【０１２９】
次に、図３４に示すように、ライトギャップ層２１４の上に、第１の上部ポールチップ２３１を、約２〜４μm の膜厚に形成すると共に連結部材２３２を形成する。また、第１の上部ポールチップ２３１をマスクとしてライトギャップ層２１４を選択的に除去し、その下側の下部ポール２０６を、例えば０．３〜０．５μm の深さにエッチングしてトリム構造を形成する。次に、銅の電解メッキにより、第１層目の薄膜コイル２３３をライトギャップ層２１４の上に形成する。この第１層目の薄膜コイル２３３を形成するのと同時に、この第１層目の薄膜コイルを後に形成する第２層目の薄膜コイルと接続するための接点部材２３４を形成すると共に、配線パターンの第１の導電パターンを構成する接続導体１２１〜１２４および１３１〜１３４（図２０に示す）を形成する。
【０１３０】
上述したようにライトギャップ層２１４の上に第１層目の薄膜コイル２３３を形成した後、図３５に示すように、アルミナ、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜などの無機絶縁層２３５を約５〜７μm の膜厚に形成し、ＣＭＰによって表面を平坦とすると共に第１の上部ポールチップ２３１を露出させる。
【０１３１】
さらに、図３６に示すように、平坦とした表面の上に、第１の上部ポールチップ２３１と連結されるように第２の上部ポールチップ２３６を形成すると共に、連結部２３２と連結されるように連結部２３７を形成する。これらの連結部２３２および２３７が連結される部分は、バックギャップ部と呼ばれている。さらに、絶縁層２３５の表面の上には、フォトレジストより成る絶縁層２３８によって支持された第２層目の薄膜コイル２３９を、銅の電解メッキにより形成する。
【０１３２】
この第２層目の薄膜コイル２３９を形成するのと同時に、接点部材２３４と接触するように接点部材２４０を形成する。本例においては、これら第２層目の薄膜コイル２３９および接点部材２４０を形成するのと同時に、配線パターンの第２の導電パターンを構成する中間導体１６１〜１６４を形成する。この第２の導電パターンを形成する前には、上述したようにバックギャップ部を形成するための開口を絶縁層２３８に形成すると共に、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて所望の下層配線パターンと電気的に接続するための開口を絶縁層２３８に形成しておく。すなわち、これらの開口を形成するためのフォトマスクを選択することによって、所望の仕様に対応することができる。
【０１３３】
このように、第２層目の薄膜コイル２３９を形成する前に、絶縁層２８３にバックギャップ部形成用の開口を形成するために本来必要とされるフォトマスクを、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて複数種類準備しておき、指定された仕様に応じたフォトマスクを選択して所望の位置に第１の導電パターンまで達する開口を形成し、続いて第２層目の薄膜コイル２３９を形成するのと同時に配線パターンの第２の導電パターンを形成することによって、所望の交差箇所において、配線パターンの第１および第２の導電パターンとを導電的に連結することができる。したがって各仕様に応じた薄膜磁気ヘッドを別々に製造する場合に比べて、準備しなければならないフォトマスクの個数を減らすことができ、製造コストを下げることができる。また、本例では、銅より成る第１層目の薄膜コイル２３３の形成工程で配線パターンの第１の導電パターンを形成し、同じく銅より成る第２層目の薄膜コイル２３９の形成工程で第２の導電パターンを形成するので、配線パターンの抵抗を下げることができる。
【０１３４】
さらに図３６に示すように、第２の上部ポールチップ２３６および連結部材２３７と連結されるように上部ポール２１５を形成し、その上にオーバーコート層２１７を形成し、その表面をＣＭＰによって研磨して接点パッド１４１〜１４４を露出させる工程は上述した実施例と同様である。
【０１３５】
図３７および３８は、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法のさらに他の実施例の工程を示すものである。本例では、薄膜磁気ヘッドの仕様に拘らず、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子および誘導型薄膜磁気ヘッド素子の大部分を予め製造してストックしておき、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子のＧＭＲ素子の両端および誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルの両端を所望の接点パッドに接続するように配線パターンを形成するものである。
【０１３６】
図３７に示すように、ＧＭＲ層２０５を含む磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子および下部ポール２０６、薄膜コイル２１１、ライトギャップ層２１４および上部ポール２１５を含む誘導型薄膜磁気ヘッド素子を形成する。ここで、薄膜コイル２１１を形成するのと同時に、薄膜コイルの最内側のコイル巻回体を接点パッドに接続するための導電部材２１２を形成すると共に、図２０に示す配線パターンの第１の導電パターンの接続導体１２１に相当する導電部材３５１を形成する。この導電部材３５１と平行に３本の接続導体が形成されており、これらは薄膜コイルの最外側のコイル巻回体、ＧＭＲ膜の両端にそれぞれ接続されている。
【０１３７】
また、上述した導電部材３５１は、上部ポール２１５と同時に形成される導電部材２１６によって導電部材２１２と導電的に接続されている。さらに、導電部材３５１は、絶縁層３５２によって覆われている。この絶縁層３５２は、薄膜コイル２１１を絶縁分離した状態で支持する絶縁層２１３と同じ材料で同時に形成することができる。図３７に示すように、下部シールド層２０３および下部ポール２０６は、エアベアリング面側から見て薄膜コイル２１１を越えた位置で終わっているので、導電部材３５１は段差の下部に形成されることになる。
【０１３８】
次に、図３８に示すように、絶縁層３５２に、薄膜磁気ヘッドの所望の仕様に応じた位置に開口３５３を選択的に形成し、続いて図２０の配線パターンの第２の導電パターンを構成する中間導体１６１〜１６４を形成する。図３７では、これら４本の中間導体の内の第１および第２の中間導体１６１および１６２に相当する導電部材３５４および３５５のみが示されており、他の中間導体は図面を明瞭とするために省略してある。また、この工程において、接点パッド１４１〜１４４を第１の導電パターンの接続導体１３１〜１３４と接続されるように形成することができる。
【０１３９】
上述したように、絶縁層３５２には開口３５３が形成されているので、中間導体１６２（導電部材３５５）は接続導体１２１（導電部材３５１）と導電的に接続されることになる。一方、導電部材３５４と導電部材３５１との間は絶縁層３５２によって分離されている。したがって、本例においては、絶縁層３５２に開口３５３を形成する際のマスクを、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて複数準備しておくことにより、所望の仕様に適合した複合型薄膜磁気ヘッドを容易に製造することができる。特に、本例では、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子および誘導型薄膜磁気ヘッド素子は殆ど大部分が完成された薄膜磁気ヘッド製造用の中間ユニットとしてストックしておくことができるので、ユーザの要求する仕様の薄膜磁気ヘッドを迅速に納品することができる。
【０１４０】
さらに、図３８に示すように、表面全体に亘って絶縁層を堆積し、ＣＭＰによって研磨して平坦な表面を有するオーバーコート層２１７を形成する。図面には示していないが、上述した実施例と同様に、このオーバーコート層の表面を研磨することによって、接点パッドが露出する。
【０１４１】
図３９および４０は、本発明による薄膜磁気ヘッドのさらに他の実施例を製造する順次の工程を示すものである。上述した実施例では、薄膜磁気ヘッドに要求される全ての仕様を満たすことができるように全ての接続導体および中間導体を形成したが、本例では、例えば２層のレベルで配線パターンを形成する場合には、第１層目の接続導体は全て形成するが、第２層目の接続導体や中間導体は、必要なものだけを形成するようにしたものである。なお、本例は図２０に示した実施例と対応する構成を有するものであるから、図２０に示す部分には図２０で使用した符号を付けて示す。
【０１４２】
図３９に示すように、誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗素子を形成する際に、薄膜コイルにおよびＭＲ膜に接続された第１の導電パターンの４本の接続導体１２１〜１２４と、接点パッド１４１〜１４４に接続される４本の接続導体１３１〜１３４を互いに平行に形成する。これら８本の接続導体は、誘導型薄膜磁気ヘッド素子の下部ポールまたは薄膜コイルと同時に形成することができる。
【０１４３】
次に、上述した接続導体１２１〜１２４、１３１〜１３４を覆うように絶縁層（ライトギャップ層および／または薄膜コイルを支持する絶縁層）を形成した後、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて中間導体を形成するが、本例では、中間導体は、所望の仕様に合わせて導電的な連結を形成すべき２つの交差箇所の間だけを延在するように形成する。すなわち。図４０に示すように、第１の中間導体１６１は、第１の導電パターンの接続導体１２２と接続導体１３４との間だけに形成し、第２の中間導体１６２は、第１の導電パターンの接続導体１２１と接続導体１３３との間を延在するように形成し、以下同様に形成する。勿論、これらの中間導体は、その両端において、下側にある接続導体と導電的に連結されている。このような導電的な連結を行うためには、上述した絶縁層に開口を形成する必要があるが、これらの開口は上述した実施例と同様にバックギャップを形成するための開口を形成する工程で形成することができる。また、これらの中間導体１６１〜１６４を形成する工程において、接点パッド１４１〜１４４を第１の導電パターンの接続導体１３１〜１３４と接続するように形成するが、図面には示されていない。
【０１４４】
図４１は、本発明による薄膜磁気ヘッドのさらに他の実施例を示すものである。薄膜磁気ヘッドの小型化に伴い、スライダの、接点パッドを形成する端面の面積も小さくなっているが、接点パッドの面積を減少させるには限界がある。そこで、本例においては、接点パッドを予め形成しておかず、所望の配線パターンを形成し、その上に絶縁層を形成した後に、接点パッド１４１〜１４４を、配線パターンを覆うように大きく形成するものである。勿論、これらの薄膜磁気ヘッド１４１〜１４４は、上述した絶縁層を介してその下側に形成された接続部材４０１〜４０４と導電的に接続されるように形成する。
【０１４５】
図４２は、本発明による薄膜磁気ヘッドのさらに他の実施例を示すものであり、上述した図２２に示した実施例に対応している。本例でも、配線パターンを形成した後に、接点パッド１４１〜１４４を、配線パターンの上方まで延在するように大きく形成する。これらの接点パッド１４１〜１４４は、その下側に形成されている導電層４０１〜４０４と電気的に接続されている。
【０１４６】
図４３は、本発明による薄膜磁気ヘッドを、センターエレメント型の誘導型薄膜磁気ヘッドとして構成したもので、基本的には図２０および２１に示した実施例と同様であるが、全ての可能な仕様に対して可能な全ての接続状態を説明するために、接点パッド１４１〜１４４にＡ〜Ｄの符号を付けて示すと共に、各種導体の交差箇所を１〜３２の符号を付けて示す。この接続の態様を表３に示す。
【０１４７】
【表３】
【０１４８】
本例では、上述した表３に示すような組み合わせによって、所望の仕様に応じた構成を実現することができる。この表３において、接点パッドＡおよびＢは、磁気抵抗素子の両端に接続される接点パッドであり、接点パッドＣおよびＤは、誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルの両端に接続されるものである。また、上述したように、薄膜コイルへの接続においては、最内側のコイル巻回体が接点パッドＣに、最外側のコイル巻回体が接点パッドＤに接続される態様を「ノーマルタイプ」とし、これとは逆の接続態様を、「クロスタイプ」としている。
【０１４９】
例えば、センターエレメント型でアップ型の薄膜磁気ヘッドの場合には、ノーマルタイプおよびクロスタイプには、それぞれ４つの接続の態様があり、これら４つの接続のパターンの中から任意のものを選択すれば良い。一方、センターエレメント型でダウン型の薄膜磁気ヘッドの場合も、ノーマルタイプおよびクロスタイプには、それぞれ４つの接続の態様がある。
【０１５０】
図４４は、本発明の薄膜磁気ヘッドをサイドエレメント型の誘導型薄膜磁気ヘッドとして構成したもので、図２２〜２４に示した実施例に対応するものである。本例の接続態様を表４に示す。この場合にも、アップ型ではノーマルタイプおよびクロスタイプのそれぞれに４通りの接続パターンがあり、ダウン型でもノーマルタイプおよびクロスタイプのそれぞれに４通りの接続パターンがある。
【０１５１】
【表４】
【０１５２】
図４５は、本発明の薄膜磁気ヘッドのさらに他の実施例を示すものである。本例では、中央にセンターエレメント用の誘導型薄膜磁気ヘッド素子１１１を配置すると共にその両側にサイドエレメント用の一対の誘導型薄膜磁気ヘッド素子１１２および１１３を対称的に配置したものである。したがって、本例の薄膜磁気ヘッドは、センターエレメント用およびサイドエレメント用のアップ型およびダウン型のあらゆる接続態様に対応できるものである。本例における、接続の態様を表５に示す。この表５の見方は、上述した表３および４と同じであるので、ここでは詳細には説明しないが、例えばセンターエレメント型でアップ型であり、ノーマルタイプの薄膜磁気ヘッドを製造する場合には、交差箇所５、７、９、１１、２２、２４、２６、２８において接続導体と中間導体とを導電的に連結すれば良いことがわかる。また、サイドエレメント型でダウン型であってクロスタイプの場合には、交差箇所６、１５、２１、３２、４３、４５、６０、６２において導電連結を行えば良いことがわかる。
【０１５３】
【表５】
【０１５４】
また、このようにセンターエレメント型とサイドエレメント型との双方を製造できる場合には、薄膜磁気ヘッドのタイプを表す情報に、センターエレメント型の場合には「ＣＮＴ」を追加し、サイドエレメント型の場合には「ＳＩＤ」を追加することができる。したがって、例えば、サイドエレメント型のダウン型でクロスタイプの場合には、「ＳＩＤ−ＤＷ−Ｃ」といった文字を薄膜磁気ヘッドに形成することができ、センターエレメント型のアップ型でノーマルタイプの場合には、「ＣＮＴ−ＵＰ−Ｎ」と形成することができる。
【０１５５】
上述した実施例では、配線パターンの交差箇所において導電的な連結を形成する場合に、下層の導電部材を形成し、その上に絶縁層を形成した後に、この絶縁層に所望の開口を形成して上層の導電部材を形成するようにしたが、下層および上層の導電部材を予め形成しておき、所望の交差箇所に開口を形成し、この開口に導電部材を形成することによって導電的な連結を行うこともできる。この場合には、薄膜磁気ヘッド製造用の中間ユニットとして殆ど完成されたものを用意しておくことができる。
【０１５６】
図４６Ａ、Ｂ〜５１Ａ、Ｂは、配線パターンの交差箇所において導電的な連結を形成する方法の他の例の順次の工程を示すものである。先ず、図４６ＡおよびＢに示すように、下側の導体５０１を所望のパターンにしたがって形成する。この下側導体５０１は、例えば、図２０に示した実施例における配線パターンの第１の導電パターンを構成する接続導体とすることができ、このような接続導体は、上述したように下部ポールと同時に形成したり、薄膜コイルと同時に形成することができる。
【０１５７】
次に、図４７ＡおよびＢに示すように、絶縁層５０２を形成した後、これに凹部５０３と開口５０４を形成する。凹部５０３は下側導体５０１と直交するように形成し、開口５０４は、下側導体と凹部との交差箇所の近傍において下側導体５０１と連通するように形成する。このような深さや長さの異なる凹部５０３および開口５０４を形成する方法は周知であるので、ここでは説明しない。
【０１５８】
次に、図４８ＡおよびＢに示すように、上述した凹部５０３および開口５０４を埋めるように導電層５０５を厚く形成する。この導電層５０５は、薄膜コイルと同時または上部ポールと同時に形成することができる。次に、ＣＭＰのような研磨処理を施して、図４９ＡおよびＢに示すように表面に凹部５０３内に埋められた導電層によって構成される上側導体５０６と、開口５０４内に埋められた導電層によって構成される連結プラグ５０７とが形成される。
【０１５９】
最後に、図５０ＡおよびＢに示すように、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて決まる交差箇所において、上側導体５０６と連結プラグ５０７とを導電的に接続する連結パッチ５０８を選択的に形成する。このようにして、所望の交差箇所において、下側導体５０１と上側導体５０６とを、連結プラグ５０７および連結パッチ５０８を介して電気的に連結することができる。上述した連結パッチ５０８は、上部ポールと同時に形成するか、その後の工程によって形成することができる。
【０１６０】
さらに、所望の交差箇所において選択的に上下の導体を電気的に接続する方法の変形例の一つとして、全ての交差箇所に上下の導体に連通するように開口を形成した中間ユニットを準備しておき、所望の開口を導電部材で埋め、残りの開口をオーバーコート層を構成する絶縁材料で埋めることもできる。この場合には、中間ユニットに対して絶縁層の開口を形成するエッチング工程を施す必要がないので、中間ユニットからの製造過程をさらに簡単とすることができる。
【０１６１】
次に、薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報を形成する方法について説明する。例えば、図３６〜３８に示す工程において、バックギャップを形成するために絶縁層２３８に開口を形成するのと同時に、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じた交差箇所において導電部材３５１を覆う絶縁層３５２に導電部材まで達する開口３５３を形成しているが、この開口形成工程と同時に、図５１に示すように下部ポール２０６を覆うライトギャップ層２１４および絶縁層２１３に、形成すべき所定の文字に対応した溝６０１を形成する。すなわち、バックギャップ形成用および薄膜磁気ヘッドの仕様決定用のフォトマスクに形成すべき文字に対応したパターンを形成しておき、バックギャップ用開口および仕様を決める開口を形成するのと同時に文字に対応した溝６０１を形成することができるので、薄膜磁気ヘッドの仕様と情報の内容とは常に一致したものとなり、誤りが発生する余地がない。
【０１６２】
次に必要な種々の工程を経た後、図５２に示すようにオーバーコート層２１７を、上述した溝６０１を埋めるように堆積して薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報を形成する。この場合、溝６０１が存在しないバックグラウンド部分では、オーバーコート層２１７を通して絶縁層２１３、２１４が見えるので暗くなり、溝６０１の部分では下部ポール２０６が見えるので明るくなり、これらの間にコントラストが生じ、情報を光学的に観察することができる。
【０１６３】
本発明においては、このような薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報は、上述した実施例のように人間が顕微鏡などを使用して直接認識することができる文字や記号とすることができるだけでなく、例えばバーコードのように光学的な読み取り機器によって認識することができるような形態で形成することもできる。さらに、このような情報は、個々の薄膜磁気ヘッドに形成してもよいが、１つのウエファ或いはバーに同じ仕様の薄膜磁気ヘッドが形成されている場合には、ウエファ或いはバーの薄膜磁気ヘッドが形成されていない領域、例えばスクライブ領域に情報を形成しても良い。そのような場合には、薄膜磁気ヘッドの製造を完了してから情報を形成することもできるが、上述した実施例のように薄膜磁気ヘッドの仕様を決める工程と同じ工程で情報を形成するのが誤りを完全になくす上で好適である。
【０１６４】
本発明は上述した実施例にのみ限定されるものではなく、幾多の変更や変形が可能である。例えば、上述した実施例においては、薄膜磁気ヘッドに求められる全ての仕様を満足する交差箇所を含む接続導体や中間導体を２層に分けて形成したが、３層に分けて形成することもできる。例えば、図２０に示した実施例の構成を有する薄膜磁気ヘッドを製造する場合に、第１層目として第１の導電パターンの接続導体１２１〜１２４を下部ポールと同時に形成し、第２層目として第２の導電パターンの中間導体１６１〜１６４を薄膜コイルと同時に形成し、第３層目として第１の導電パターンの接続導体１３１〜１３４および接点パッド１４１〜１４４或いは接点パッドに接続される接続部材を上部ポールと同時に形成することもできる。
【０１６５】
この場合、第２層目の中間導体１６１〜１６４を形成する前に、所望の交差箇所において第１層目の接続導体１２１〜１２４と導電的に連結されるように第１層目の接続導体を覆う絶縁層に選択的にコンタクトホールを形成し、これらのコンタクトホールを介して下側の接続導体と導電的に連結されるように中間導体を形成することができる。これらのコンタクトホールを形成するためのフォトマスクは、薄膜コイルに接続されたリード部分を形成するために本来必要なフォトマスクとすることができるので、マスク処理が増えることはない。
【０１６６】
また、第３層目の接続導体１３１〜１３４を形成する前に、これを覆う絶縁層の所望の交差箇所に選択的にコンタクトホールを形成し、これらのコンタクトホールを介して下側の中間導体１６１〜１６４と導電的に連結されるようにこれらの接続導体を形成することができる。このようなコンタクトホールを形成するためのフォトマスクは、エアベアリング面とは離れたバックギャップ位置において上部ポールを下部ポールと連結するための開口を絶縁層に形成するためのフォトマスクと同じものとすることができるので、マスク処理が増えることがない。
【０１６７】
さらに、上述した実施例では、接続パターンを構成する接続導体や中間導体を、磁気抵抗素子や誘導型薄膜磁気ヘッド素子を構成する部材を形成する工程において、これらの部材と同じ材料で形成するようにしたので、上述したように薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて選択的な接続を行うために必要とされるマスク処理が増えないという利点がある。しかし、本発明においては、配線パターンの最上層の導電部材を、上述した薄膜磁気ヘッドの種々の部材を形成する工程を完了した後に、別の工程で導電層を形成することもできる。この場合には、この導電層を薄膜磁気ヘッドの材料とは関係なく、導体パターンとして最適な材料で形成できる利点がある。
【０１６８】
【発明の効果】
上述した本発明による薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法によれば、以下のような効果が得られる。
【０１６９】
従来は、センターエレメント型スライダとするかサイドエレメント型スライダとするか、さらにはアップ型とするかダウン型とするかなどの仕様に応じてそれぞれ異なる構造を有するスライダを別個に製造しなければならなかったので、フォトマスクの枚数も多くなり、製造コストが上昇していたが、本発明では、薄膜磁気ヘッドの製造工程の途中までは、薄膜磁気ヘッドの仕様にかかわらず共通とすることができるので、必要なフォトマスクの枚数を減らすことができ、製造コストを下げることができると共にスループットを向上することができる。
【０１７０】
従来の製造現場では、ある程度顧客の要求を予測して数種類の薄膜磁気ヘッドを製造してストックしていたが、予測して製造したものでは対応できない場合も多く、その場合には、新たに製造しなければならないので納入日数が長くなっていたが、本発明によれば配線パターンを所望の仕様に応じて形成するだけであるので、納入日数を短縮することができる。
【０１７１】
また、本発明においては、薄膜磁気ヘッド製造用の中間ユニットを予めストックしておき、これから顧客の要求に応じた仕様の薄膜磁気ヘッドを製造することができるので、納入日数の短縮が図れるだけでなく、顧客の急な仕様変更にも迅速に対応できる。このように中間ユニットをストックしておく場合、薄膜磁気ヘッドの最終工程に近い工程まで済ませておくことにより、上述した効果をなお一層高めることができる。
【０１７２】
スライダの中央に１個の薄膜磁気ヘッド素子を形成する実施例では、センターエレメント型のアップ型およびダウン型の薄膜磁気ヘッドを選択的に製造することができる。また、スライダの両端に薄膜磁気ヘッド素子を形成する実施例では、サイドエレメント型のアップ型およびダウン型の薄膜磁気ヘッドを選択的に製造することができる。さらに、スライダの中央と、両端に３つの薄膜磁気ヘッド素子を形成する実施例では、センターエレメント型のアップ型およびダウン型、サイドエレメント型のアップ型およびダウン型の４種類の薄膜磁気ヘッドを選択的に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１ＡおよびＢは、従来の複合型薄膜磁気ヘッドを製造する方法の最初の工程を示す断面図である。
【図２】 図２ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図３】 図３ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図４】 図４ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図５】 図５ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図６】 図６ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図７】 図７は、薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図８】 図８は、スライダの底面図である。
【図９】 図９は、センターエレメント型の薄膜磁気ヘッドにおける接点パッドの接続状態を示す端面図である。
【図１０】 図１０ＡおよびＢは、スライダを装着したアームを示す平面図および先端を拡大して示す斜視図である。
【図１１】 図１１は、サイドエレメント型でアップ型の薄膜磁気ヘッドにおける接点パッドの接続状態を示す端面図である。
【図１２】 図１２は、センターエレメント型でダウン型の薄膜磁気ヘッドにおける接点パッドの接続の態様を示す端面図である。
【図１３】 図１３は、本発明による薄膜磁気ヘッドの配線パターンの第１の基本構成の一例を示す線図である。
【図１４】 図１４Ａ、ＢおよびＣは、配線パターンにおける交差箇所の導電的連結の態様を示す断面図である。
【図１５】 図１５は、本発明による薄膜磁気ヘッドの配線パターンの第１の基本構成の他の例を示す線図である。
【図１６】 図１６は、本発明による薄膜磁気ヘッドの配線パターンの第１の基本構成のさらに他の例を示す線図である。
【図１７】 図１７は、本発明による薄膜磁気ヘッドの配線パターンの第２の基本構成を示す線図である。
【図１８】 図１８は、本発明による薄膜磁気ヘッドの配線パターンの第３の基本構成を示す線図である。
【図１９】 図１９は、本発明による薄膜磁気ヘッドの配線パターンの第４の基本構成を示す線図である。
【図２０】 図２０は、センターエレメント型でアップ型とした本発明による薄膜磁気ヘッドの第１の実施例における接点パッドの接続の態様を示す端面図である。
【図２１】 図２１は、センターエレメント型でダウン型とした本発明による薄膜磁気ヘッドの第２の実施例における接点パッドの接続の態様を示す端面図である。
【図２２】 図２２は、サイドエレメント型でアップ型とした本発明による薄膜磁気ヘッドの第３の実施例における接点パッドの接続の態様を示す端面図である。
【図２３】 図２３は、サイドエレメント型でダウン型とした本発明による薄膜磁気ヘッドの第４の実施例における接点パッドの接続の態様を示す端面図である。
【図２４】 図２４は、サイドエレメント型でダウン型とした本発明による薄膜磁気ヘッドの第５の実施例における接点パッドの接続の態様を示す端面図である。
【図２５】 図２５ＡおよびＢは、図２０に示した本発明による薄膜磁気ヘッドの第１の実施例を製造する方法の一実施例の最初の工程を示す断面図である。
【図２６】 図２６ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図２７】 図２７ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図２８】 図２８ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図２９】 図２９ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図３０】 図３０は、交差箇所における導電的連結を示す断面図である。
【図３１】 図３１ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図３２】 図３２ＡおよびＢは、図２０に示した本発明による薄膜磁気ヘッドの第１の実施例を製造する方法の他の実施例の最初の工程を示す断面図である。
【図３３】 図３３ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図３４】 図３４ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図３５】 図３５ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図３６】 図３６ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図３７】 図３７は、図２０に示した本発明による薄膜磁気ヘッドの第１の実施例を製造する方法のさらに他の実施例の工程を示す断面図である。
【図３８】 図３８は、次の工程を示す断面図である。
【図３９】 図３９は、センターエレメント型でアップ型とした本発明による薄膜磁気ヘッドの第６の実施例を製造する方法の工程を示す端面図である。
【図４０】 図４０は、同じくその配線パターンの接続の態様を示す端面図である。
【図４１】 図４１は、センターエレメント型でアップ型とした本発明による薄膜磁気ヘッドの第７の実施例における接点パッドの接続の態様を示す端面図である。
【図４２】 図４２は、サイドエレメント型でアップ型とした本発明による薄膜磁気ヘッドの第８の実施例における接点パッドの接続の態様を示す端面図である。
【図４３】 図４３は、中央に薄膜磁気ヘッド素子を設けた本発明による薄膜磁気ヘッドの第９の実施例において構成できる全ての接続の態様を説明するための端面図である。
【図４４】 図４４は、両端に薄膜磁気ヘッド素子を設けた本発明による薄膜磁気ヘッドの第１０の実施例において構成できる全ての接続の態様を説明するための端面図である。
【図４５】 図４５は、中央と両端に薄膜磁気ヘッド素子を設けた本発明による薄膜磁気ヘッドの第１１実施例において構成できる全ての接続の態様を説明するための端面図である。
【図４６】 図４６ＡおよびＢは、所望の交差箇所において上下の接続導体の間を選択的に接続する方法の他の例の最初の工程を示す断面図および平面図である。
【図４７】 図４７ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図および平面図である。
【図４８】 図４８ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図および平面図である。
【図４９】 図４９ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図および平面図である。
【図５０】 図５０ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図および平面図である。
【図５１】 図５１は、本発明による薄膜磁気ヘッドにおいて仕様を表す情報を形成する工程を示す断面図である。
【図５２】 図５２は、次の工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１１１、１１２、１１３ 薄膜磁気ヘッド素子
１０１〜１０４ 接続端子
１２１〜１２８ 第１群の接続導体
１３１〜１３４ 第２群の接続導体
１４１〜１４４ 接点パッド
１６１〜１６４ 中間導体
２０１ 基体本体、 ２０２ 絶縁層、 ２０３ 下部シールド層、 ２０４ シールドギャップ層、 ２０５ ＧＭＲ層、 ２０６ 上部ポール、 ２０８ 上部ポールチップ、 ２１０ 絶縁層、 ２１１ 薄膜コイル、 ２１４ ライトギャップ層、 ２１５ 上部ポール、 ２１７ オーバーコート層、 ２３１上部ポールチップ、 ２３３、２３９ 薄膜コイル、 ５０１ 下側導体、 ５０２ 絶縁層、 ５０３ 凹部、 ５０４ 開口、 ５０５ 導電層、 ５０６ 上側導体、 ５０７ 連結プラグ、 ５０８ 連結パッチ、 ６０１ 溝
【発明の属する技術分野】
本発明は、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドおよび読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの少なくとも一方を含む磁気ヘッドおよびその製造方法に関するもので、特に書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドと、読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドとを積層した状態で基体により支持した複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハードディスク装置の面記録密度の向上に伴い、複合型薄膜磁気ヘッドについてもその性能向上が求められている。
【０００３】
複合型薄膜磁気ヘッドとして、書き込みを目的とする誘導型の薄膜磁気ヘッドと、読み出しを目的とする磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドとを、基体上に積層した構造を有するものが提案され、実用化されている。読み取り用の磁気抵抗素子としては、通常の異方性磁気抵抗(AMR：Anisotropic Magneto Resistive)効果を用いたものが従来一般に使用されてきたが、これよりも抵抗変化率が数倍も大きな巨大磁気抵抗(GMR：Giant Magneto Resistive)効果を用いたものも開発されている。本明細書では、これら AMR素子および GMR素子などを総称して磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドまたは簡単にMR再生素子と称することにする。
【０００４】
AMR素子を使用することにより、数ギガビット／インチ2 の面記録密度を実現することができ、また GMR素子を使用することにより、さらに面記録密度を上げることができる。このように面記録密度を高くすることによって、10Ｇバイト以上の大容量のハードディスク装置の実現が可能となってきている。
【０００５】
このような磁気抵抗再生素子よりなる再生ヘッドの性能を決定する要因の一つとして、磁気抵抗再生素子の高さ(MR Height：MRハイト) がある。このMRハイトは、端面がエアベアリング面に露出する磁気抵抗再生素子の、エアベアリング面から測った距離であり、薄膜磁気ヘッドの製造過程においては、エアベアリング面を研磨して形成する際の研磨量を制御することによって所望のMRハイトを得るようにしている。
【０００６】
一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記録ヘッドの性能向上も求められている。面記録密度を上げるには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必要がある。このためには、エアベアリング面におけるライトギャップ（write gap)の幅を数ミクロンからサブミクロンオーダーまで狭くする必要があり、これを達成するために半導体加工技術が利用されている。
【０００７】
書き込み用薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因の一つとして、スロートハイト（Throat Height : TH) がある。このスロートハイトは、エアベアリング面から薄膜コイルを電気的に分離する絶縁層のエッジまでの磁極部分の距離であり、この距離をできるだけ短くすることが望まれている。このスロートハイトの縮小化もまた、エアベアリング面からの研磨量で決定される。
【０００８】
したがって、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドと、読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドとを積層した複合型薄膜磁気ヘッドの性能を向上させるためには、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドと、読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドをバランス良く形成することが重要である。
【０００９】
図１〜６に、従来の標準的な薄膜磁気ヘッドの製造要領を工程順に示し、各図においてＡはエアベアリング面に垂直な断面図、Ｂは磁極部分をエアベアリング面に平行に切った断面図である。また図７は従来の薄膜磁気ヘッド全体の平面図である。なおこの例で、薄膜磁気ヘッドは、誘導型の書込用薄膜磁気ヘッドおよび読取用のMR再生素子を積層した複合型のものである。
【００１０】
まず、図１に示すように、例えばアルティック(AlTiC) からなる基体１の上に例えばアルミナ(Al２O３) からなる絶縁層２を約５〜10μm の厚みに堆積する。次いで、再生ヘッドのMR再生素子を外部磁界の影響から保護するための一方の磁気シールドを構成する第１の磁性層３を３μm の厚みで形成する。
【００１１】
その後、図２に示すように、一方のシールドギャップ層を構成する絶縁層４として、アルミナを 100〜150 nmの厚みでスパッタ堆積させた後、MR再生素子を構成する磁気抵抗効果を有する材料よりなる磁気抵抗層５を１０nm以下の厚みに形成し、高精度のマスクアライメントで所望の形状とする。続いて、他方のシールドギャップ層を構成する絶縁層６を形成して、磁気抵抗層５をこれらの絶縁層４、６によって構成されるシールドギャップ層内に埋設する。
【００１２】
次に、図３に示すように、パーマロイよりなる第２の磁性層７を３μm の膜厚に形成する。この第２の磁性層７は、上述した第１の磁性層３と共にMR再生素子を磁気遮蔽する他方のシールドとしての機能を有するだけでなく、書き込み用薄膜磁気ヘッドの一方のポールとしての機能をも有するものである。
【００１３】
次いで、第２の磁性層７の上に、非磁性材料、例えばアルミナよりなるライトギャップ層８を約２００ｎｍの膜厚に形成した後、例えばパーマロイ（Ni：50wt％、Fe：50wt％）や窒化鉄（FeN)のような高飽和磁束密度材料からなる磁性層を形成し、高精度のマスクアライメントで所望の形状としてポールチップ９を形成する。このポールチップ９の幅Ｗでトラック幅が規定される。したがって、このポールチップ９の幅Ｗを狭くすることが高い面記録密度を実現するためには必要である。この際、第２の磁性層７と、他方のポールを構成する第３の磁性層を接続するためのダミーパターン９′を同時に形成すると、機械的研磨または化学機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing ：CMP)後に、スルーホールを容易に開口することができる。
【００１４】
そして、実効書込トラック幅の広がりを防止するため、すなわちデータの書込時に、一方のポールにおいて磁束が広がるのを防止するために、ポールチップ９をマスクとしてその周囲のギャップ層８と、他方のポールを構成する第２の磁性層７をイオンミリング等のイオンビームエッチングにてエッチングする。この構造をトリム（Trim）といい、この部分が第２の磁性層の磁極部分となる。
【００１５】
次に、図４に示すように、第２の磁性層７の表面の一部分に凹部を形成した後、絶縁層である例えばアルミナ膜１０をおよそ３μm の厚みに形成後、その上に、例えば銅よりなる第１層目の薄膜コイル１１を形成し、絶縁性のフォトレジスト層１２を形成後、表面を平坦にするため、例えば 250〜300 ℃の温度でリフローさせる。
【００１６】
さらに、このフォトレジスト層１２の平坦化された表面の上に、第２層目の薄膜コイル１３を形成する。勿論この第２層目の薄膜コイル１３は第１層目の薄膜コイル１１と接続され、全体として一つの薄膜コイルを構成するようにしているが、これらの薄膜コイルを接続する部分は図面には示していない。次いで、この第２層目の薄膜コイル１３の上に高精度マスクアライメントでフォトレジスト層１４を形成した後、再度表面を平坦化するために、例えば 250°Ｃでリフローする。上述したように、フォトレジスト層１２および１４を高精度のマスクアライメントで形成する理由は、フォトレジスト層の磁極部分側の端縁を基準位置としてスロートハイトやMRハイトを規定しているためである。
【００１７】
次に、ポールチップ９およびフォトレジスト層１２および１４の上に、他方のポールを構成する第３の磁性層１５を、例えばパーマロイにより、３μm の厚みで所望のパターンに従って選択的に形成する。この第３の磁性層１５は、磁極部分から離れた後方位置において、ダミーパターン９′を介して第２の磁性層７と接触し、第２の磁性層、ポールチップ、第３の磁性層によって構成される閉磁路を薄膜コイル１１、１３が通り抜ける構造になっている。
【００１８】
さらに、図６に示すように、第３の磁性層１６の露出表面の上にアルミナよりなるオーバーコート層１６を堆積した後、基板をカットし、磁気抵抗層５やギャップ層８を形成した側面を研磨して、磁気記録媒体と対向するエアベアリング面(Air Bearing Surface：ABS)１７を形成する。このエアベアリング面１７の形成過程において磁気抵抗層５も研磨され、MR再生素子１８が得られる。このようにして上述したスロートハイトＴＨおよびＭＲハイトＭＲＨが決定される。実際の薄膜磁気ヘッドにおいては、薄膜コイル１１、１３およびMR再生素子１８に対する電気的接続を行なうためのパッドが形成されているが、これについては後に説明する。
【００１９】
図６に示したように、薄膜コイル１１、１３を絶縁分離するフォトレジスト層１２、１４の側面の角部を結ぶ線分Ｓと第３の磁性層１５の上面との成す角度θ（ApexAngle ：アペックスアングル) も、上述したスロートハイトＴＨおよびＭＲハイトＭＲＨと共に、薄膜磁気ヘッドの性能を決定する重要なファクタとなっている。
【００２０】
また、図７に平面で示すように、ポールチップ９および第３の磁性層１５の磁極部分１９の幅Ｗは狭くなっており、この幅によって磁気記録媒体に記録されるトラックの幅が規定されるので、高い面記録密度を実現するためには、この幅Ｗをできるだけ狭くする必要がある。なお、この図では、図面を簡単にするため、薄膜コイル１１、１３は同心円状に示してある。
【００２１】
上述した複合型薄膜磁気ヘッドはハードディスクデバイスに用いられており、ヘッドと記録媒体の表面とが接触して磨耗するのを防止するためにはヘッドは記録媒体面から離間させる必要があると共に記録密度を上げるためにはヘッドと記録媒体とをできるだけ接近させる必要がある。このような相反する問題を解決するために、ヘッドの記録媒体面と対向する面を上述したようにエアベアリング面１７として形成し、記録媒体の回転によってこれらの間に数十ナノミクロンのきわめて薄い空気層を形成するようにしている。また、この空気層を安定に形成するために一般にエアベアリング面１７には所定のパターンにしたがって凸部が形成されている。
【００２２】
図８は、上述したエアベアリング面１７を示す平面図である。この平面図において、寸法ＡはＡｌＴｉＣ基板１の厚さに等しいものである。また、矢印Ｂは、記録媒体の回転方向を示している。このエアベアリング面１８には、安定した空気層を形成するために凸部２０が形成されている。図面を明瞭とするために、この凸部２０以外の部分、すなわち凹んだ部分はハッチングを付けて示してある。このように薄膜磁気ヘッドが組み込まれ、エアベアリング面１７に凸部２０が形成された基体全体は、一般にスライダと呼ばれている。
【００２３】
図９は、上述したスライダの、薄膜磁気ヘッドを組み込んだ側の側面を示すものである。上述したように複合型薄膜磁気ヘッドには、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドと、読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドとが積層された状態で設けられているが、誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイル１１、１３を記録回路に接続するための２つの接点パッド２１および２２（Ｗ１およびＷ２）と、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗素子１８の両端を読取回路に接続するための２つの接点パッド２３および２４（Ｒ１およびＲ２）とが設けられている。
【００２４】
上述した複合型薄膜磁気ヘッドを含むスライダを実際のハードディスクデバイスに組み込む場合には、図１０に示すように、ステンレス箔のような弾性箔によって形成されたサスペンション２６の先端に形成されたフレクシャ部２７にスライダ２８を例えば接着剤で固定している。このフレクシャ部２７の先端付近には４つの中継用接点パッド３１〜３４が形成されており、これらの中継用接点パットとスライダ２８に形成した接点パッド２２〜２５とを、一般にアップルボンドと呼ばれているコンタクトチップを介して接続するようにしている。
【００２５】
図１０に示すように、サスペンション２６のフレクシャ部２７に設けた中継用接点パッド３１〜３４は、それぞれ配線パターン３５〜３８を介してサスペンションのマウントプレート３９の近傍において、外部の書込回路および読取回路に接続するための外部接続用接点パッド４１〜４４にそれぞれ接続されている。配線パターン３５〜３８を交差させないようにするために、スライダ２８の中継用接点パッド３５〜３８の配列順番と、外部接続用接点パッド４０〜４３の配列順番とは異なっている。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように複合型薄膜磁気ヘッドを形成するプロセスは、ホトマスク工程、鍍金パターン工程、スパッタ工程、エッチング工程、イオンミリング工程、ＣＭＰのような平坦化工程などのプロセスが含まれている。磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗素子１８のトラック巾や膜厚、誘導型薄膜磁気ヘッドの磁極部分１９の巾によって規定されるトラック巾を変えることによって複合型薄膜磁気ヘッドの性能や特性を変えることができる。一方、複合型薄膜磁気ヘッドを適用するハードディスクデバイスの多様化に伴って種々の特性をする複合型薄膜磁気ヘッドが要求されるようになってきている。このような顧客対応の複合型薄膜磁気ヘッドを製造するに当たっては、予め決められたトラック巾に適合するように磁気抵抗層５やポールチップ９を形成したり、所望のスロートハイトＴＨやＭＲハイトＭＲＨが得られるようにエアベアリング面１７の研磨を行なっている。このように顧客の要求に応じた特性や性能を有する複合型薄膜磁気ヘッドを得るためには、製造プロセス中の種々のパラメータを変更して対応している。したがって、顧客が要求する特性や性能を有する薄膜磁気ヘッドを納入するには相当の日数が掛かってしまう。
【００２７】
さらに、顧客の要求は上述したように製造プロセスで決定される性能や特性だけではなく、ハードディスクの記録面上をフライングさせるスライダ２８の構造についても多様な要求が課されるようになってきている。例えば、薄膜磁気ヘッドを形成したスライダにおいて、図９に示すように記録媒体の進行方向に見て中央位置にヘッドを形成したセンターエレメント型スライダだけでなく、図１１に示すようにヘッドを何れか一方の側方に設けたサイドエレメント型スライダも要求されている。
【００２８】
このように薄膜磁気ヘッドをセンターに形成したセンターエレメント型スライダや、薄膜磁気ヘッドを側方に形成したサイドエレメント型スライダは勿論同じプロセスで形成することはできず、上述したように顧客の要求する性能や特性を有する所望のタイプのスライダを納入するまでにはさらに多くの日数が掛かるという問題がある。
【００２９】
さらに、ハードディスクデバイスの大容量化に伴い、ハードディスクを２枚、３枚、４枚と重ねて使用するようになってきている。そのため、ハードディスクの表裏両面にヘッドが配置されるようになってきている。したがって、薄膜磁気ヘッドを形成したスライダにおいても、ハードディスクの上面に配置されるアップ型スライダと、下面に配置されるダウン型スライダとが使用されている。上述した図９に示したスライダはセンタエレメント型でアップ型のものであり、第１１図に示したスライダはサイドエレメント型のアップ型スライダであり、これらのアップ型では、ハードディスクはスライダの下方に配置されるものである。ここで、ハードディスクは水平に配置されるものとしたが、垂直に配置される場合もあり、この場合にはハードディスクの左右両側にスライダが配置されることになるが、ここでは説明の便宜上、アップ型スライダおよびダウン型スライダと称することにする。
【００３０】
上述した納入日数の短縮を図るにはスライダの共用が必要であるが、サイドエレメント型スライダにおいては、アップ型のものをダウン型として使用しようとすると、薄膜磁気ヘッドの位置がずれてしまう（例えばアップ型では左側にヘッドがあれば、ダウン型ではヘッドは右側となる）ので、これらを共用することはできない。センターエレメント型スライダにおいては、上述したようなヘッド位置のずれはないが、接点パッドの位置関係が問題となる。
【００３１】
例えば、図９に示すアップ型のスライダにおいては、左側の２つの接点パッド２１および２２は、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイル１１、１３の両端に接続されており、右側の２つの接点パッド２３および２４は読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗素子１８の両端に接続されており、これらの接点パッドはサスペンション２６のフレクシャ部２７に形成した中継用接点パッド３１〜３４にそれぞれ接続されることになる。一方、このようなスライダをそのままダウン型のスライダとして用いると、図１２に示すように、薄膜コイル１１、１３に接続された２つの接点パッド２１および２２は右側の２つの接点パッドとなり、磁気抵抗素子１８に接続された２つの接点パッド２３および２４は右側の２つの接点パッドとなる。
【００３２】
一方、スライダを支持するサスペンション２６に設けられた外部接続用接点パッド４１〜４４は、アップ型であってもダウン型であってもデバイスに組み込んだときは同じ側に来るように設けられている。したがって、アップ型では、外部接続用接点パッド４１および４２にそれぞれ接続された中継用接点パッド３１および３２に、磁気抵抗素子１８に接続された接点パッド２３および２４が接続され、外部接続用接点パッド４３および４４にそれぞれ接続された中継用接点パッド３３および３４に、薄膜コイル１１、１３に接続された接点パッド２２および２１がそれぞれ接続されることになる。すなわち、磁気抵抗素子１８はマウントプレート３９に近い外部接続用接点パッド４１および４２に接続され、薄膜コイル１１、１３はマウントプレートから遠い外部接続用接点パッド４３および４４に接続されることになる。
【００３３】
一方、ダウン型では、外部接続用接点パッド４１および４２にそれぞれ接続された中継用接点パッド３4および３3に、薄膜コイル１１、１３に接続された接点パッド２１および２２が接続され、外部接続用接点パッド４３および４４にそれぞれ接続された中継用接点パッド３２および３１に、磁気抵抗素子１８に接続された接点パッド２３および２４がそれぞれ接続されることになる。すなわち、上述したアップ型の場合とは相違して、薄膜コイル１１、１３がマウントプレート３９に近い外部接続用接点パッド４３および４４に接続され、磁気抵抗素子１８がマウントプレートから遠い外部接続用接点パッド４１および４２に接続されることになる。
【００３４】
上述したように、従来のセンターエレメント型スライダをアップ型とダウン型の両方に共用しようとする場合には、スライダを支持するサスペンション２６のマウントプレート３９の近傍に設けた外部接続用接点パッド４１〜４４に接続される薄膜コイル１１、１３と、磁気抵抗素子１９の位置関係が逆転することになる。すなわち、アップ型の場合には、マウントプレート３９に近い内側の２つの外部接続用接点パッド４１および４２を書込回路に接続すると共に遠い方の２つの外部接続用接点パッド４３および４４を読取回路に接続し、ダウン型の場合には、マウントプレート３９に近い内側の２つの外部接続用接点パッド４１および４２を読取回路に接続すると共に遠い方の２つの外部接続用接点パッド４３および４４を書込回路に接続する必要がある。
【００３５】
ハードディスクデバイスを組み立てるに当たって、このようにスライダ２８を装着したサスペンション２６に設けた外部接続用接点パッド４１〜４４と書込回路および読取回路との接続を、アップ型とダウン型で反転しなければならないのはきわめて不都合である。したがって、ハードディスクデバイスの組み立てメーカーは、アップ型でもダウン型でも同じような接続ができるスライダを要求している。このため、従来の複合型薄膜磁気ヘッドでは、たとえセンターエレメント型スライダであってもアップ型とダウン型では構造を変えており、この点も納入日数が長くなる原因の一つとなっている。
【００３６】
また、誘導型薄膜磁気ヘッドにおいては、薄膜コイル１１、１３に流す電流の方向が顧客によってまたはヘッドタイプによって指定される場合もある。すなわち、ある場合には、薄膜コイルの外側から内側に向けて電流が流れるようにし、他の場合には内側から外側に向けて電流が流れるように要求されることがある。このような場合には、たとえ同じアップ型またはダウン型であっても、上述した外部接続用接点パッドと書込回路との接続の態様を変えない限り同じスライダを共通に使用することはできない。
【００３７】
さらに、記録媒体での面記録密度を向上するために、通常のＡＭＲ素子の代わりにＧＭＲ素子を設けたものが提案されている。ＡＭＲ素子ではこれを読取回路に接続するに際して極性を考慮する必要はないが、ＧＭＲ素子では、読取回路との接続の極性が指定されるので、ＧＭＲ素子を含むアップ型のスライダと、ダウン型のスライダとを共用することはできない。
【００３８】
上述したように、従来の薄膜磁気ヘッド、特に複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、薄膜磁気ヘッドの特性や性能に対する要求の外に、センターエレメント型スライダとするかサイドエレメント型スライダとするか、さらにはアップ型とするかダウン型とするかに応じてそれぞれ異なる構造を有するスライダを別個に製造しなければならなかった。１つのタイプの薄膜磁気ヘッドを製造するには通常２０〜３０程度のマスクが必要であるので、製造すべきタイプが多くなればそれだけマスクの数も多く必要となり、それだけ製造コストが上昇してしまうという問題があった。
【００３９】
実際の製造現場では、ある程度顧客の要求を予測し、予め幾つかのタイプの薄膜磁気ヘッドを製造してストックしているが、顧客の仕様が変更になったときには予測して製造したものでは対応できず、新たに製造しなければならないので納入日数が長くなり、顧客の納入期限を守ることは非常に困難であった。無理に平均サイクルタイムを無視した最速ロットの流動は、製造ラインのバランスを崩すことになると共に量産キャパシティの妨げとなるという問題も発生する。
【００４０】
また、予測が大きく外れる場合には、未納在庫となるが、ハードディスクデバイスのモデルチェンジは急速な勢いで行なわれており、数カ月間に亘る長期間の未納在庫は不良在庫と同様なものとなってしまう可能性が高く、この点でも製造コストの上昇を招くという問題がある。
【００４１】
上述した種々の問題を解決するために、例えば特開平１１−１４９６２２号公報には、例えばサイドエレメントタイプの複合型薄膜磁気ヘッドの要素を構成するときに、複数の補助引き出し線を形成しておき、ＭＲ素子および薄膜コイルに接続された複数の接続端子と補助引き出し線との間を、ヘッドの仕様に応じて複数の素子引き出し線で接続するようにした薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法が開示されている。この従来技術では、複数の補助引き出し線と接点パッドあるいはそれに接続される接続部材との間は、ヘッドの仕様に拘らず固定的に接続されており、この接続関係を変えることはできない。
【００４２】
また、上述した従来技術では、補助引き出し線と接続端子との間を接続する素子引き出し線を形成する工程は独立した工程または接点パッドあるいはこれに接続された接続部材を形成する工程と同時に形成するものであり、薄膜磁気ヘッドの構成要素を形成する工程と同時に、構成要素と同じ材料で形成することはできない。したがって、それだけフォトリソグラフで使用するホトマスクの枚数が増大するという問題もある。
【００４３】
さらに、上述した従来技術では、製造した薄膜磁気ヘッドがどのタイプのものであるのかを示す情報を薄膜磁気ヘッドに記録することについては何ら開示されておらず、顧客から注文されたタイプの薄膜磁気ヘッドを間違いなく納入されたかどうかを容易には確認することができず、さらに顧客は納入された薄膜磁気ヘッドを、例えばハードディスクに組み込む場合に、そのタイプを確認することができず、混乱が生ずる恐れがある。
【００４４】
また、上述した従来技術では、サイドエレメント型スライダとしてアップ型とダウン型とを選択的に製造することはできるが、センターエレメント型スライダのアップ型およびダウン型を選択的に製造することや、サイドエレメント型スライダ或いはセンターエレメント型スライダのアップ型とダウン型とを選択的に製造することについては何ら開示されていない。
【００４５】
本発明の目的は、アップ型およびダウン型のスライダとして共通に使用できるように、薄膜磁気ヘッドと接点パッドとの間を薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて任意に接続することができ、したがって大部分の構成を異なる形式のスライダに共通に使用することができ、その結果として納入日数を短縮することができると共に価格を低減することができる薄膜磁気ヘッド、特に複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供しようとするものである。
【００４６】
本発明の他の目的は、アップ型およびダウン型として共通に使用できるだけでなく、センターエレメント型スライダおよびサイドエレメント型スライダとしても共通に使用することができるように、薄膜磁気ヘッドと接点パッドとの間を薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて任意に接続することができ、したがって大部分の構成を異なる形式のスライダに共通に使用することができ、その結果として納入日数をさらに短縮することができると共に価格をさらに低減することができる薄膜磁気ヘッド、特に複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供しようとするものである。
【００４７】
本発明のさらに他の目的は、薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルおよび／またはＭＲ素子と、接点パッドとの間を薄膜磁気ヘッドのタイプに応じて選択的に接続するための接続導体を、薄膜磁気ヘッドの構成要素を形成する工程で、構成要素と同じ材料で形成することにより、フォトマスクの枚数を減らすことができるようにした薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供しようとするものである。
【００４８】
本発明のさらに他の目的は、製造された薄膜磁気ヘッドのタイプを容易に確認することができるように構成した薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供しようとするものである。
【００４９】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、
記録媒体の表面と対向するエアベアリング面を有するスライダを構成する基体と、
この基体によって支持された少なくも１つの薄膜磁気ヘッド素子と、
前記基体の、記録媒体の進行方向に見た一端面に設けられ、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子を外部回路に接続するための少なくとも２つの接点パッドと、
前記薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子と前記少なくとも２つの接点パッドとの間を任意の位置関係で電気的に接続するように、互いに電気的に接続可能なように絶縁されて交差する複数の接続導体を含む配線パターンと、
を具えるものである。
【００５０】
さらに、本発明による薄膜磁気ヘッドにおいては、前記配線パターンに、
それぞれが前記基体側から見て絶縁層を介して異なるレベルにおいて延在するとともに互いに交差する複数の接続導体を含み、それぞれ前記薄膜磁気ヘッドの少なくとも２つの接続端子および前記少なくとも２つの接点パッドに直接または他の導電パターンを経て導電的に接続された第１および第２の導電パターンと、これら第１および第２の導電パターンの接続導体の複数の交差箇所から薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて選択された複数の交差箇所において前記絶縁層にあけたコンタクトホールを介して異なるレベルの接続導体を導電的に接続する連結導体とを設けるのが好適である。また、本発明による薄膜磁気ヘッドを実施するに当たっては、前記配線パターンを、薄膜磁気ヘッド素子を構成する導電性部材と同じ材料でかつ同時に形成される導電性部材で構成するのが好適である。
【００５１】
本発明による薄膜磁気ヘッドにおいては、薄膜磁気ヘッドを誘導型薄膜磁気ヘッドとし、前記配線パターンの第１および第２の導電パターンの内、基体に近い側の第１の導電パターンを、前記誘導型薄膜磁気ヘッドの下部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成し、基体から遠い第２の導電パターンを薄膜コイルのコイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成したり、基体に近い側の第１の導電パターンを、下部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成し、基体から遠い第２の導電パターンを上部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成したり、基体に近い側の第１の導電パターンを、薄膜コイルの下部コイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成し、基体から遠い第２の導電パターンを薄膜コイルの上部コイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成したり、基体に近い側の第１の導電パターンを、薄膜コイルのコイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成し、基体から遠い第２の導体パターンを上部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成したりすることができる。このように、配線パターンの第１および第２の導電パターンを、薄膜磁気ヘッドの構成要素と同時に形成するので、配線パターンを製造するために特別なフォトマスクを必要とせず、全体としてフォトマスクの枚数を少なくすることができる。
【００５２】
さらに薄膜磁気ヘッド素子として少なくとも誘導型薄膜磁気ヘッド素子を含む本発明による薄膜磁気ヘッドの実施例においては、第１の導電パターンの接続導体と、第２の導電パターンの接続導体とを電気的に接続するために、前記絶縁層に開けられたコンタクトホールを、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の下部磁気ポールと上部磁気ポールとを磁気ギャップとは離れた位置において連結するバックギャップを構成する開口を前記絶縁層に形成する工程と同時に形成するのが好適である。この場合にも、フォトマスクの枚数を少なくすることができる。
【００５３】
本発明による薄膜磁気ヘッドにおいては，前記薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報を、外部から見ることができる位置に形成するのが好適である。このような情報は、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて選択された複数の交差箇所において異なるレベルの接続導体を導電的に接続する工程中に形成するのが好適である。この場合には、薄膜磁気ヘッドの仕様を決定するフォトマスクにその仕様に対応した情報を記録しておくことができるので、製造された薄膜磁気ヘッドの仕様と、その仕様を表す情報とは常に一対一に対応したものとなり、ミスを防ぐことができる。さらに、薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報は、読み取り機によって自動的に読み取ることができる形態で形成したり、人間が直接認識できる形態で形成したりすることができる。
【００５４】
本発明による薄膜磁気ヘッドを実施するに当たっては、幾つかの基本的な構成があるが、第１の基本的構成においては、前記配線パターンの第１の導電パターンの接続導体を、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子にそれぞれ固定的に接続し、前記第２の導電パターンの接続導体を、前記少なくとも２つの接点パッドにそれぞれ固定的に接続する。ここで、固定的に接続するということは、直接接続する場合と、中間の導体を介して接続する場合を含むものであり、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて選択的に接続されるものではないことを意味している。
【００５５】
この第１の基本構成の場合、前記配線パターンの第１の導電パターンの接続導体を、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子にそれぞれ直接接続し、前記第２の導電パターンの接続導体を、前記少なくとも２つの接点パッドにそれぞれ直接接続したり、前記配線パターンの第１および第２の導電パターンの一方の接続導体を、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子にそれぞれ直接接続し、他方の導電パターンの接続導体を、前記少なくとも２つの接点パッドにそれぞれ直接接続され、この導電パターンとは絶縁層を介して異なるレベルに延在する接続導体と、この絶縁層にあけたコンタクトホールを介して導電的に接続したりすることができる。
【００５６】
本発明による薄膜磁気ヘッドの第２の基本的な構成においては、前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える複合型薄膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端に接続された２つの接続端子と、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端に接続された２つの接続端子とを設けると共に４つの接点パッドを設け、前記配線パターンの第１の導電パターンを、前記薄膜磁気ヘッド素子の４つの接続端子に固定的に接続された４本の接続導体で構成し、第２の導電パターンを、前記４つの接点パッドの内の２つの接点パッドに固定的に接続された２本の接続導体と、残りの２つの接点パッドに導電的に接続された２本の接続導体と交差している延長部を有する２本の中間導体とで構成する。
【００５７】
本発明による薄膜磁気ヘッドの第３の基本構成においては、前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える複合型薄膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端に接続された２つの接続端子と、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端に接続された２つの接続端子とを設けると共に４つの接点パッドを設け、前記配線パターンの第１の導電パターンを、前記４つの接続端子の内の２つの接続端子に固定的に接続された２本の接続導体と、残りの２つの接続端子に導電的に接続された２本の接続導体と交差している延長部を有する２本の中間導体とで構成し、前記配線パターンの第２の導電パターンを、前記４つの接点パッドに固定的に接続された４本の接続導体で構成する。
【００５８】
本発明による薄膜磁気ヘッドの第４の基本構成においては、前記配線パターンの第１の導電パターンを、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子および前記少なくとも２つの接点パッドに接続された少なくとも４本の接続導体で構成し、前記第２の導電パターンを、それぞれがこれら第１の導電パターンの全ての接続導体と交差し、前記接点パッドの個数に等しい本数の中間導体で構成する。
【００５９】
このような本発明による薄膜磁気ヘッドの第４の基本的な構成においては、前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える複合型薄膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端および前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端を４つの接続端子に接続し、これら４つの接続端子を、４本の接続導体より成る第２の導電パターンと、４本の中間導体より成る第２の導電パターンとを含む配線パターンを介して４つの接点パッドに接続し、前記複合型薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッドを配設した基体の端面に対して垂直な方向から見て、エアベアリング面の中心位置に設けてアップ型およびダウン型のセンターエレメント型スライダとして共用できるように構成するのが好適である。
【００６０】
さらに本発明による薄膜磁気ヘッドの第４の基本構成においては、各々が、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える２つの複合型薄膜磁気ヘッド素子を設け、２つの誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端を４つの接続端子に接続し、２つの磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端を４つの接続端子に接続し、これら８つの接続端子を、１２本の接続導体より成る第１の導電パターンと、４本の中間導体より成る第２の導電パターンとを含む配線パターンを介して４つの接点パッドに接続し、前記２つの薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッドを配設した基体の端面に対して垂直な方向から見て、前記エアベアリング面の中心に対して対称な位置に設けてアップ型およびダウン型のサイドエレメント型スライダとして共用できるように構成するのが好適である。
【００６１】
本発明による薄膜磁気ヘッドの第４の基本構成においては、各々が、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える３つの複合型薄膜磁気ヘッド素子を設け、３つの誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端を６つの接続端子に接続し、３つの磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端を６つの接続端子に接続し、これら１２個の接続端子を、１６本の接続導体より成る第１の導電パターンと、４本の中間導体より成る第２の導電パターンとを含む配線パターンを介して４つの接点パッドに接続し、前記3つの複合薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッドを配設した基体の端面に対して垂直な方向から見て、前記エアベアリング面の中心位置に設けると共にこの中心位置に対して対称な位置に設けて、アップ型およびダウン型のセンターエレメント型スライダおよびアップ型およびダウン型のサイドエレメント型スライダとして共用できるように構成するのが好適である。
【００６２】
さらに本発明は、複数の仕様の異なる薄膜磁気ヘッドに共通に使用することができる薄膜磁気ヘッド用中間ユニットに関するものである。このような薄膜磁気ヘッド用中間ユニットによれば、所望の仕様の薄膜磁気ヘッドに応じた僅かな製造工程を加えることにより最終的な薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
【００６３】
本発明による薄膜磁気ヘッド用中間ユニットは、仕様の異なる複数の薄膜磁気ヘッドの製造に共通に使用される薄膜磁気ヘッド用共通ユニットであって、
記録媒体の表面と対向するエアベアリング面を有するスライダを構成する基体と、
この基体によって支持された少なくも１つの薄膜磁気ヘッド素子と、
この薄膜磁気ヘッド素子の複数の接続端子と、前記基体の、記録媒体の進行方向に見た一端面に設けられ、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の複数の接続端子を外部回路に接続するための複数の接点パッドとの間を任意の位置関係で電気的に接続するように、互いに電気的に接続可能なように絶縁されて交差する複数の接続導体を含む配線パターンと、
を具えるものである。
【００６４】
このような本発明による薄膜磁気ヘッド製造用の共通ユニットの好適な実施例においては、前記配線パターンが、それぞれが前記基体側から見て絶縁層を介して異なるレベルにおいて延在するとともに互いに交差する複数の接続導体を含み、それぞれ前記薄膜磁気ヘッドの少なくとも２つの接続端子および前記少なくとも２つの接点パッドに直接または他の導電パターンを経て導電的に接続された第１および第２の導電パターンを具えるものである。この場合、前記配線パターンの接続導体を、薄膜磁気ヘッド素子を構成する導電性部材と同じ材料でかつ同時に形成される導電性部材で構成するのが好適である。
【００６５】
このような本発明による薄膜磁気ヘッド用中間ユニットを実施するに際しての第１の基本的な構成においては、前記配線パターンの第１の導電パターンの接続導体を、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子にそれぞれ固定的に接続し、前記第２の導電パターンの接続導体を、前記少なくとも２つの接点パッドにそれぞれ固定的に接続する。
【００６６】
本発明による薄膜磁気ヘッド用中間ユニットを実施するに際しての第２の基本的な構成においては、前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える複合型薄膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端に接続された２つの接続端子と、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端に接続された２つの接続端子とを設けると共に４つの接点パッドを設け、前記配線パターンの第１の導電パターンを、前記薄膜磁気ヘッド素子の４つの接続端子に固定的に接続された４本の接続導体で構成し、第２の導電パターンを、前記４つの接点パッドの内の２つの接点パッドに固定的に接続された２本の接続導体と、残りの２つの接点パッドに導電的に接続された２本の接続導体と交差している延長部を有する２本の中間導体とで構成する
。
【００６７】
本発明による薄膜磁気ヘッド用中間ユニットを実施するに際しての第３の基本的な構成においては、前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える複合型薄膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端に接続された２つの接続端子と、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端に接続された２つの接続端子とを設けると共に４つの接点パッドを設け、前記配線パターンの第１の導電パターンを、前記４つの接続端子の内の２つの接続端子に固定的に接続された２本の接続導体と、残りの２つの接続端子に導電的に接続された２本の接続導体と交差している延長部を有する２本の中間導体とで構成し、前記配線パターンの第２の導電パターンを、前記４つの接点パッドに固定的に接続された４本の接続導体で構成する。
【００６８】
本発明による薄膜磁気ヘッド用中間ユニットを実施するに際しての第４の基本的な構成においては、前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える複合型薄膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端および前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端を４つの接続端子に接続し、これら４つの接続端子を、４本の接続導体より成る第２の導電パターンと、４本の中間導体より成る第２の導電パターンとを含む配線パターンを介して４つの接点パッドに接続し得るように配線パターンを構成し、前記複合型薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッドを配設した基体の端面に対して垂直な方向から見て、エアベアリング面の中心位置に設けてアップ型およびダウン型のセンターエレメント型スライダとして共用できるように構成する。
【００６９】
本発明による薄膜磁気ヘッド用中間ユニットを実施するに際しての第５の基本的な構成においては、各々が、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える２つの複合型薄膜磁気ヘッド素子を設け、２つの誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端を４つの接続端子に接続し、２つの磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端を４つの接続端子に接続し、これら８つの接続端子を、１２本の接続導体より成る第１の導電パターンと、４本の中間導体より成る第２の導電パターンとを含む配線パターンを介して４つの接点パッドに接続し得るように配線パターンを構成し、前記２つの薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッドを配設した基体の端面に対して垂直な方向から見て、前記エアベアリング面の中心に対して対称な位置に設けてアップ型およびダウン型のサイドエレメント型スライダとして共用できるように構成する。
【００７０】
本発明による薄膜磁気ヘッド用中間ユニットを実施するに際しての第６の基本的な構成においては、各々が、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える３つの複合型薄膜磁気ヘッド素子を設け、３つの誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端を６つの接続端子に接続し、３つの磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端を６つの接続端子に接続し、これら１２個の接続端子を、１６本の接続導体より成る第１の導電パターンと、４本の中間導体より成る第２の導電パターンとを含む配線パターンを介して４つの接点パッドに接続し得るように配線パターンを構成し、前記3つの複合薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッドを配設した基体の端面に対して垂直な方向から見て、前記エアベアリング面の中心位置に設けると共にこの中心位置に対して対称な位置に設けて、アップ型およびダウン型のセンターエレメント型スライダおよびアップ型およびダウン型のサイドエレメント型スライダとして共用できるように構成する。
【００７１】
さらに本発明は、記録媒体の表面と対向するエアベアリング面を有するスライダを構成する基体と、この基体によって支持された少なくも１つの薄膜磁気ヘッド素子と、前記基体の、記録媒体の進行方向に見た一端面に設けられ、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子を外部回路に接続するための少なくとも２つの接点パッドと、前記薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子を第１および第２の導電パターンを介して前記接点パッドに接続する配線パターンとを有する薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
基体によって支持されるように薄膜磁気ヘッド素子を形成する工程と、
前記配線パターンの第１の導電パターンを構成する複数の接続導体および／または中間導体を形成する工程と、
この配線パターンの第１の導電パターンを覆うように絶縁層を形成する工程と、
この絶縁層上に、各々が前記第１の導電パターンを構成する複数の接続導体および／または中間導体と交差する複数の接続導体および／または中間導体を有する第２の導電パターンを形成する工程と、
これら第１および第２の導電パターンの接続導体および／または中間導体の全ての交差箇所の内、製造すべき薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて選択された複数の交差箇所において、第１および第２の導電パターンの接続導体および／または中間導体を、前記絶縁層にあけたコンタクトホールを介して導電的に接続する工程と、
前記基体の、少なくとも前記端面にオーバーコート層を形成する工程と、
前記少なくとも２つの接続部材にそれぞれ接続された少なくとも２つの接点パッドを前記オーバーコート層上に形成する工程と、
を具えるものである。
【００７２】
このような本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、前記配線パターンの第１および第２の導電パターンを、薄膜磁気ヘッドを構成する導電性部材を形成するのと同じ材料でかつ同時に形成したり、これら第１および第２の導電パターンを導電的に接続する導電部材をも、薄膜磁気ヘッドを構成する導電性部材を形成するのと同じ工程において同じ材料で形成するのが好適である。
【００７３】
上述したように配線パターンの一部或いは全部を薄膜磁気ヘッドの構成要素と同時に同じ材料で形成する場合、第１の導電パターンを誘導型薄膜磁気ヘッドの下部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成し、第２の導電パターンを薄膜コイルのコイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成したり、第１の導電パターンを、前記誘導型薄膜磁気ヘッドの下部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成し、第２の導電パターンを上部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成したり、第１の導電パターンを、薄膜コイルの下部コイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成し、第２の導電パターンを薄膜コイルの上部コイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成したり、第１の導電パターンを、前記誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルのコイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成し、第２の導体パターンを上部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成したりすることができる。
【００７４】
また、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、前記第１の導電パターンと第２の導電パターンとを電気的に接続するために、前記絶縁層に開けられたコンタクトホールを、誘導型薄膜磁気ヘッド素子の下部磁気ポールと上部磁気ポールとを磁気ギャップとは離れた位置において連結するバックギャップを構成する開口を前記絶縁層に形成する工程と同時に形成するのが好適である。
【００７５】
さらに、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、前記薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報を、外部から見ることができる位置に形成するのが好適である。この薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報は、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて選択された複数の交差箇所において第１および第２の導電パターンを導電的に接続する工程中に形成するのが好適である。また、薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報は、読み取り機によって自動的に読み取ることができる形態で形成したり、人間が直接認識できる形態で形成することができる。
【００７６】
本発明はさらに、上述した薄膜磁気ヘッド用中間ユニットを用いて薄膜磁気ヘッドを製造する方法にも関するものであり、このような本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法は、
記録媒体の表面と対向するエアベアリング面を有するスライダを構成する基体と、この基体によって支持された少なくも１つの薄膜磁気ヘッド素子と、それぞれが前記基体側から見て絶縁層を介して異なるレベルにおいて延在するとともに互いに交差する複数の接続導体および／または中間導体を含み、それぞれ前記薄膜磁気ヘッドの少なくとも２つの接続端子に直接または他の導電パターンを経て導電的に接続されると共に、前記基体の、記録媒体の進行方向に見た一端面に設けられ、前記薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子を外部回路に接続するための複数の接点パッドに直接または他の導電パターンを経て導電的に接続される第１および第２の導電パターンを有する配線パターンとを具える薄膜磁気ヘッド製造用中間ユニットを予め製造してストックしておく工程と、
前記配線パターンの第１および第２の導電パターンの交差箇所の内、薄膜磁気ヘッドの仕様によって決まる複数の交差箇所において、第１および第２の導電パターンを導電的に接続する工程と、
を具えるものである。
【００７７】
このような本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、前記配線パターンの第１および第２の導電パターンの交差箇所の内、薄膜磁気ヘッドの仕様によって決まる複数の交差箇所において、第１および第２の導電パターンを導電的に接続する工程中に、薄膜磁気ヘッドのタイプを表す情報を形成するのが好適である。
【００７８】
また、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、前記配線パターンの第１および第２の導電パターンを導電的に接続する工程は種々の態様で実施することができる。例えば、第１および第２の導電パターンの交差箇所の全てにおいて前記絶縁層に形成されたコンタクトホールの内、薄膜磁気ヘッドの仕様によって決まる複数のコンタクトホールにおいて、第１および第２の導電パターンを連結導体によって導電的に接続する事ができる。
【００７９】
或いはまた、第１および第２の導電パターンの交差箇所の全てにおいて、第１の導電パターンの上側表面から第２の導電パターンの上側表面のレベルまで延在するように前記絶縁層に形成されたコンタクトホール内に形成された連結プラグの内、薄膜磁気ヘッドの仕様によって決まる複数の交差箇所の各々において、連結プラグと第２の導電パターンとの間を接続する連結パッチを形成することもできる。さらに、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じた交差箇所において、前記第１の導電パターンに達する複数のコンタクトホールを前記絶縁層に形成し、これらのコンタクトホールを介して第２の導電パターンを第１の導電パターンに接続することもできる。
【００８０】
上述したように、交差箇所にコンタクトホールを形成する場合には、必要な接続を形成した後に、コンタクトホールを絶縁層で覆い、この絶縁層の上に、前記第２群の接続導体またはこれに接続された接続部材の各々と電気的に接続されるように複数の接点パッドを形成することもできる。この場合には、接点パッドを配線パターンの上方にも大きく形成することができるので、スライダが小型化され、その端面の面積が小さくなるような場合にも大きな面積を持った接点パッドを形成できる利点がある。
【００８１】
【発明の実施の形態】
以下に本発明を図面を参照して詳細に説明するが、実施例を説明する前に、本発明による薄膜磁気ヘッドの配線パターンの基本的な構成を最初に説明する。
【００８２】
図１３は、本発明による薄膜磁気ヘッドの第１の基本的な構成の一例を示す線図である。基本的な構成を表す場合には、図面を簡単とするために、薄膜磁気ヘッド１０を模式的に示す。後述する実施例から明らかとなるように、薄膜磁気ヘッド１０は、少なくとも１つの誘導型薄膜磁気ヘッド素子を具える場合、少なくとも１つの磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える場合、少なくとも１つの誘導型薄膜磁気ヘッド素子と少なくとも１つの磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える場合があるが、図１３では説明を簡単とするために、薄膜磁気ヘッド１１１は１つの薄膜磁気ヘッド素子のみを具えるものとする。
【００８３】
薄膜磁気ヘッド１１１は、薄膜磁気ヘッドの構成要素に接続された第１および第２の接続端子１０１および１０２が設けられている。薄膜磁気ヘッド１１１が誘導型薄膜磁気ヘッド素子で構成されている場合には、第１および第２の接続端子１０１および１０２は．薄膜コイルの両端に接続されているものである。また、薄膜磁気ヘッド１１１が磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を有する場合には、第１および第２の接続端子１０１および１０２は、磁気抵抗素子の両端に接続されている。
【００８４】
上述した第１および第２の接続端子１０１および１０２に一端が接続された第１および第２の接続導体１２１および１２２を含む第１の導電パターンと、各々がこれらの第１および第２の接続導体１２１および１２２と交差する第１および第２の接続導体１３１および１３２を含む第２の導電パターンを設ける。これら第１の導電パターンの接続導体１２１、１２２と第２の導電パターンの接続導体１３１、１３２との間は絶縁層によって分離されており、これらの導電パターンは基板表面から見て異なるレベルに形成されている。また、第２の導電パターンの接続導体１３１および１３２の一端は、薄膜磁気ヘッド１１１を外部回路へ接続するための第１および第２の接点パッド１４１および１４２にそれぞれ接続されている。第１の導電パターンの接続導体１２１および１２２は互いに平行に延在する部分を有していると共に第２の導電パターンの接続導体１３１および１３２も互いに平行に延在する部分を有しており、これらの平行な部分は直交しているが、本発明においては接続導体は必ずしも平行な部分を有する必要はなく、したがって第１の導電パターンの接続導体１２１、１２２と第２の導電パターンの接続導体１３１、１３２とは互いに直交する必要もない。
【００８５】
図１３に示すように第１の導電パターンの第１および第２の接続導体１２１、１２２と、第２の導電パターンの第１および第２の接続導体１３１、１３２との間の交差箇所を、Ａ、Ｂ，Ｃ，Ｄで表す。図１４Ａは、第１の導電パターンの接続導体１２１と、第２の導電パターンの第１の接続導体１３１との交差箇所の構造を線図的に示す断面図である。これらの接続導体１２１および１３１の間は絶縁層５１によって分離されているが、交差箇所には、絶縁層にコンタクトホール５２が形成されており、接続導体１２１および１３１は互いに連通している。
【００８６】
薄膜磁気ヘッド１１１の第１の接続端子１０１を第１の接点パッド１４１に接続し、第２の接続端子１０２を第２の接点パッド１４２に接続する場合には、第１の導電パターンの第１の接続導体１２１と第２の導電パターンの第１の接続導体１３１との交差箇所Ａにおいてこれらの接続導体同士を電気的に結合すると共に、第１の導電パターンの第２の接続導体１２２と第２の導電パターンの第２の接続導体１３２との交差箇所Ａにおいてこれらの接続導体同士を電気的に結合すれば良い。このように、本発明においては、接続導体同士を電気的に連結する交差箇所を、薄膜磁気ヘッドの所望の仕様に応じて選択することによって、所望の仕様の薄膜磁気ヘッドを容易に得ることができる。
【００８７】
例えば、薄膜磁気ヘッド１１１が誘導型薄膜磁気ヘッド素子を有しており、第１の接続端子１０１が薄膜コイルの最内側のコイル巻回体に接続され、第２の接続端子１０２が薄膜コイルの最外側のコイル巻回体に接続されているものとすれば、交差箇所ＡおよびＤにおいて接続導体同士を導電的に結合すると、薄膜コイルの最内側のコイル巻回体を第１の接点パッド１４１に接続し、最外側のコイル巻回体を第２の接点パッド１４２に接続することができる。また、交差箇所ＢおよびＤにおいて接続導体同士を連結すると、薄膜コイルの最内側のコイル巻回体を第２の接点パッド１４２に接続し、最外側のコイル巻回体を第１の接点パッド１４１に接続することができる。
【００８８】
図１４Ｂおよび１４Ｃは、第１の導電パターンの接続導体と第２の導電パターンの接続導体とを電気的に結合する態様を示すものである。図１４Ｂに示す場合には、絶縁層５１に開けたコンタクトホール５２内に導電材料のプラグ５３を埋め込んで接続導体１２１と１３１とを接続するものである。また、図１４Ｃの場合は、コンタクトホール５２の内壁を覆うように形成した導電層５４によって接続導体１２１と１３１とを接続するものである。本発明においては、接続導体同士の電気的な結合、または後述するような中間導体と接続導体との間の電気的な結合の態様は、図１４Ｂおよび１４Ｃに示したものだけに限られるものではなく種々の態様が考えられる。
【００８９】
図１５は、本発明による薄膜磁気ヘッドの第１の基本的な構成の他の例を示す線図である。この例においては、薄膜磁気ヘッド１１１の第１および第２の接続端子１０１および１０２にそれぞれ接続された第１の導電パターンの第１および第２の接続導体１２１および１２２と交差するように第１および第２の中間導体１６１および１６２より成る第２の導電パターンを配置し、さらに第１および第２の接点パッド１４１および１４２にそれぞれ接続された第１および第２の接続導体１３１および１３２を第２の導電パターンを構成する第１および第２の中間導体１６１および１６２とそれぞれ交差させるように配置したものである。
【００９０】
このような構成においては、第１の接点パッド１４１に接続された第１の接続導体１３１と第１の中間導体１６１との交差箇所Ｅおよび第２の接点パッド１４２に接続された第２の接続導体１３２と第２の中間導体１６２との交差箇所Ｆにおいては、薄膜磁気ヘッドの仕様に関係なく固定的に導電連結を行う。それ以外の交差箇所Ａ〜Ｄについては、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて選択される２つの交差箇所において導電的な連結を行うが、その態様は図１３に示した第１の基本構成で説明したところと同じである。ただし、図１３に示した例においては、第１の導電パターンの接続導体１２１、１２２を第１のレベルに形成し、第２の導電パターンの接続導体１３１、１３２を第２のレベルに形成するのに対し、第３の基本構成においては、第１の導電パターンの接続導体１２１、１２２を第１のレベルに形成し、第２の導電パターンを構成する中間導体１６１、１６２を第２のレベルに形成し、これらの中間導体を接点パッド１４１、１４２に接続する接続導体１３１、１３２を第３のレベルに形成する。
【００９１】
図１６は、本発明による薄膜磁気ヘッドの第１の基本的な構成のさらに他の例を示す線図である。この例においては、第１の導電パターンを構成する第１および第２の中間導体１６１および１６２と、第２の導電パターンを構成する第１および第２の接続導体１３１および１３２とを交差させ、第１の導電パターンの第１および第２の接続導体１６１および１６２を、それぞれ第１および第２の接続端子１０１および１０２に接続した第１および第２の接続導体１２１および１２２とそれぞれ交差させたものである。この場合には、薄膜磁気ヘッドの仕様に拘らず、第１および第２の接続導体１２１および１２２と、第１および第２の中間導体１６１および１６２との交差箇所ＥおよびＦにおいては固定的な導電結合を行ない、交差箇所Ａ〜Ｄについては図１３および１５に示した例と同様に、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じた２つの交差箇所において導電的な結合を行う。
【００９２】
図１７は、本発明による薄膜磁気ヘッドの第２の基本的な構成を示す線図である。上述した第１の基本構成においては、薄膜磁気ヘッドは１つの薄膜磁気ヘッド素子を有するものとしたが、この第２の基本構成においては、薄膜磁気ヘッドは２つの薄膜磁気ヘッド素子を有するものである。すなわち、薄膜磁気ヘッド１１１は、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッド素子と、読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子とを有する複合型薄膜磁気ヘッドとして構成されたものである。このような複合型薄膜磁気ヘッド１１１においては、誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端に接続された第１および第２の出力端子１０１および１０２と、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端に接続された第３および第４の出力端子１０３および１０４とを有している。この第２の基本構成においては、配線パターンの第１の導電パターンは、これらの出力端子にそれぞれ接続された４つの接続導体１２１〜１２４で構成され、第２の導電パターンは、中間導体１６１、１６２と接点パッド１４３，１４４に接続された接続導体１３３，１３４とで構成されている。
【００９３】
すなわち、薄膜磁気ヘッドを外部回路へ接続するための４つの接点パッド１４１〜１４４を設け、その内の第１および第２の接点パッド１４１および１４２に接続された第１および第２の接続導体１３１および１３２を、上述した第１の導電パターンの４つの接続導体１２１〜１２４と交差する第１および第２の中間導体１６１および１６２の延長部と４つの交差箇所Ａ〜Ｄにおいて交差させる。また、配線パターンの第２の導電パターンは、それぞれ第３および第４の接点パッド１４３および１４４に接続され、第１の導電パターンの第１〜第４の接続導体１２１〜１２４と交差する第３および第４の接続導体１３３および１３４で構成する。したがって、配線パターンの第１の導電パターンと第２の導電パターンとは、１６個の交差箇所Ｅ〜Ｔで交差することになる。
【００９４】
上述したような本発明による第２の基本的な構成においては、以下の表１に示すような種々の接続の態様が可能である。
【表１】
例えば、薄膜磁気ヘッド１１１の誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの最内側のコイル巻回体に接続した出力端子１０１を第１の接点パッド１４１に接続するには、交差箇所Ｅにおいて第１の導電パターンの第１の接続導体１２１と、第２の導電パターンの第１の中間導体１６１とを導電的に結合すると共に交差箇所Ａにおいて第１の中間導体１６１と第１の接続導体１３１とを導電的に結合すれば良い。或いはまた、このような接続は、交差箇所ＦおよびＢにおいて導電結合を行うことによっても達成できる。同様に、最外側のコイル巻回体に接続した出力端子１０２を第２の接点パッド１４２に接続するには、交差箇所ＥおよびＣまたは交差箇所ＦおよびＤにおいて上下の導体を導電的に結合すれば良い。
【００９６】
また、薄膜磁気ヘッド１１１の磁気抵抗素子の一端に接続した出力端子１０３を第３の接点パッド１４３に接続し、磁気抵抗素子の他端に接続した出力端子１０４を第４の接点パッド１４４に接続する必要がある場合には、交差箇所ＰおよびＳにおいて導電的に結合を施せば良い。さらに、薄膜磁気ヘッド１１１の磁気抵抗素子の一端に接続した出力端子１０３を第４の接点パッド１４４に接続し、磁気抵抗素子の他端に接続した出力端子１０４を第３の接点パッド１４３に接続する必要がある場合には、交差箇所ＯおよびＴにおいて導電的に結合を施せば良い。このように、導電的な連結を施すべき交差箇所を選択することによって、薄膜磁気ヘッド１１１と接点パッド１４１〜１４４とを任意の組み合わせで接続することができる。
【００９７】
図１８は、本発明による薄膜磁気ヘッドの第３の基本的な構成を示すものであり、図１７に示した第２の基本構成において、配線パターンの第１の導電パターンと第２の導電パターンとの配置を入れ換えたものである。すなわち、第１の導電パターンを第３および第４の出力端子１０３および１４にそれぞれ接続された第１および第２の接続導体１２３および１２４と、２本の中間導体１６１および１６２で構成し、第２の導電パターンを接点パッド１４１〜１４４にそれぞれ接続された第１〜第４の接続導体１３１〜１３４で構成し、出力端子１０１および１０２に接続された第１および第２の接続導体１２１および１２２を、中間導体１６１および１６２の延長部と４つの交差箇所Ａ〜Ｄにおいて交差させたものである。この場合にも、第１の導電パターンを構成する第３および第４の接続導体１２３および１２４および第１および第２の中間導体１６１および１６２と、第２の導電パターンを構成する第１〜第４の接続導体１３１〜１３４とは１６個の交差箇所Ｅ〜Ｔにおいて交差することになる。
【００９８】
以下の表２は上述した第２の基本構成における接続の態様を示すものである。
【表２】
例えば、薄膜磁気ヘッド１１の誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの最内側のコイル巻回体に接続した出力端子１０１を第１の接点パッド１４１に接続し、最外側のコイル巻回体に接続した出力端子１０２を第２の接点パッド１４２に接続すると共に、薄膜磁気ヘッド１１１の磁気抵抗素子の一端に接続した出力端子１０３を第３の接点パッド１４３に接続し、磁気抵抗素子の他端に接続した出力端子１０４を第４の接点パッド１４４に接続する必要がある場合には、交差箇所Ａ、Ｇ、Ｄ、Ｌ、ＭおよびＲまたは交差箇所Ｂ、Ｈ、Ｃ、Ｋ、ＭおよびＲにおいて導電的に結合を施せば良いことがわかる。
【０１００】
図１９は、本発明による薄膜磁気ヘッドの第４の基本的な構成を示す線図であり、上述した図１３に示した第１の基本構成と同じ部分には同じ符号を付けて示した。この第４の基本的な構成においては、配線パターンの第１の導電パターンは、薄膜磁気ヘッド１１１の第１および第２の接続端子１０１および１０２にそれぞれ接続された第１および第２の接続導体１２１および１２２と、第１および第２の接点パッド１４１および１４２にそれぞれ接続された第３および第４の接続導体１３１および１３２とで構成し、第２の導電パターンは、各々がこれらの接続導体１２１、１２２、１３１、１３２の全てと交差する第１および第２の中間導体１６１および１６２で構成したものである。この場合、図１９に示すように、第１の導電パターンを構成する第１〜第４の接続導体１２１、１２２、１３１、１３２を互いに平行とすると共に第２の導電パターンを構成する第１および第２の中間導体１６１および１６２も平行とし、接続導体１２１、１２２、１３１、１３２とほぼ直交させるのが好適である。また、第２の導電パターンを構成する中間導体の本数は、接点パッドの個数と等しいものである。
【０１０１】
この第４の基本構成においては、第１の導電パターンを構成する４本の接続導体１２１、１２２および１３１、１３２と、第２の導電パターンを構成する第１および第２の２本の中間導体１６１および１６２との８つの交差箇所を図１９に示すようにＡ〜Ｈで表す。薄膜磁気ヘッド１１１の第１の接続端子１０１を第１の接点パッド１４１に接続するためには、交差箇所ＡおよびＢにおいて接続導体同士を導電的に結合し、薄膜磁気ヘッド１１１の第２の接続端子１０２を第２の接点パッド１４２に接続するためには、交差箇所ＡおよびＢにおいて接続導体同士を導電的に結合すれば良い。或いは、薄膜磁気ヘッド１１１の第１の接続端子１０１を第２の接点パッド１４２に接続するためには、交差箇所ＤおよびＨにおいて接続導体同士を導電的に結合し、薄膜磁気ヘッド１１１の第２の接続端子１０２を第２の接点パッド１４２に接続するためには、交差箇所ＡおよびＢにおいて接続導体同士を導電的に結合すれば良い。
【０１０２】
図２０および２１は、上述した第４の基本構成に基づく本発明による薄膜磁気ヘッドの第１の実施例におけるスライダＳの、接点パッドを設けた端面の構造を示す線図である。スライダの下面は磁気記録媒体と対向するエアベアリング面ＡＢＳが構成されている。この記録媒体は紙面の後方から前方に向けて移動するものである。本例では、この記録媒体の移動方向に見て、スライダＳの中心に、１つの複合型薄膜磁気ヘッド１１１を設けたセンターエレメント型としたものである。この複合型薄膜磁気ヘッド１１１の詳細な構成は後に説明するが、ここでは書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッド素子と、読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子とを図２０の紙面の垂直な方向に見て積層して設けたものである。
【０１０３】
複合型薄膜磁気ヘッド１１１の誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの最内側のコイル巻回体および最外側のコイル巻回体にそれぞれ導電的に結合された接続導体１２１および１２２と、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端に導電的に結合された接続導体１２３および１２４を互いに平行に配列する。また、複合型薄膜磁気ヘッド１１１を外部回路へ接続するための第１〜第４の接点パッド１４１〜１４４にそれぞれ接続された４本の接続導体１３１〜１３４を、上述した接続導体１２１〜１２４と平行に配置する。これら８本の接続導体を以て配線パターンの第１の導電パターンを構成している。このように第１の導電パターンを構成する８本の接続導体１２１〜１２４および１３１〜１３４と直交するように第２の導電パターンを構成する第１〜第４の中間導体１６１〜１６４を互いに平行に配置する。したがって、本例は、図１９に示した第４の基本構成に基づくものである。
【０１０４】
図２０において、第１の導電パターンを構成する接続導体１２１〜１２４および１３１〜１３４と、第２の導電パターンを構成する第１〜第４の中間導体１６１〜１６４との間の３２の交差箇所の内、導電部材によって上下の導電層を導電的に連結した箇所にはハッチングを付けて示す。例えば、第１の導電パターンの接続導体１２１は、第２の導電パターンの第２の中間導体１６２と導電的に結合されており、この第２の中間導体はさらに第１の導電パターンの接続導体１３３と導電的に結合されている。したがって、複合型薄膜磁気ヘッド１１１の誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルの最内側のコイル巻回体は、第１の導電パターンの接続導体１２１、第２の導電パターンの中間導体１６２および第１の導電パターンの接続導体１３３を経て第３の接点パッド１４３に接続されている。
【０１０５】
図２０に示すように、薄膜コイルの最外側のコイル巻回体は、第４の接点パッド１４４に接続されると共に、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端は第１および第２の接点パッド１４１および１４２に接続されている。なお、図２０では図面を明瞭とするために、薄膜コイルに接続された接点パッドには「Ｗ」を付し、磁気抵抗素子に接続された接点パッドには「Ｒ」を付けてある。すなわち、左側の２つの接点パッド１４１、１４２は磁気抵抗素子に接続され、右側の２つの接点パッド１４３、１４４は薄膜コイルに接続されている。
【０１０６】
ここで、図２０に示されているスライダＳは、記録媒体の上方に配置されて使用されるアップ型のものであるとする。このようなスライダをそのまま上下反転してダウン型のスライダとして使用しようとすると、上述したように複合型薄膜磁気ヘッドと接点パッドとの間の接続関係が不適切となる。そこで、本発明においては、薄膜磁気ヘッドの構成そのものは変えずに、上下の導電層間を導電的に連結すべき交差箇所のみを変更するだけでダウン型スライダとしても使用できるように構成したものである。
【０１０７】
図２１は、図２０に示したアップ型のスライダをダウン型のスライダとして構成した場合の構成を示すものである。すなわち、ダウン型として構成する場合には、導電的に連結すべき交差箇所を変えてある。例えば、複合型薄膜磁気ヘッド１１１の薄膜コイルの最内側のコイル巻回体は、第１の導電パターンの接続導体１２１、第２の導電パターンの中間導体１６１および第１の導電パターンの接続導体１３１を経て第１の接点パッド１４１に接続されており、薄膜コイルの最外側のコイル巻回体は、第１の導電パターンの接続導体１２２、第２の導電パターンの中間導体１６２および第１の導電パターンの接続導体１３２を経て第２の接点パッド１４２に接続されている。本例の接続態様でも、左側の２つの接点パッド１４３、１４４は「Ｒ」で示されるように磁気抵抗素子に接続され、右側の２つの接点パッド１４１、１４２は「Ｗ」で示されるように薄膜コイルに接続されている。すなわち、アップ型であってもダウン型であっても、右側の接点パッドは書き込み用であり、左側の接点パッドは読み取り用である。
【０１０８】
また、薄膜コイルへの接続の態様においては、薄膜コイルの最内側のコイル巻回体が内側の接点パッド１４３に接続され、薄膜コイルの最外側のコイル巻回体が外側の接点パッド１４４に接続される態様を「ノーマルタイプ」とし、これとは逆の接続態様を、「クロスタイプ」としている。図２０に示すアップ型も図２１に示すダウン型も薄膜コイルの接続に関しては共にノーマルタイプである。
【０１０９】
上述したように本発明による薄膜磁気ヘッドにおいては、配線パターン以外の構成はノーマル型でもダウン型でも、ノーマルタイプでもクロスタイプでも同じであるので、完成した薄膜磁気ヘッドがどのようなタイプのものであるのかを簡単に知ることはできない。したがって、ユーザに納入する薄膜磁気ヘッドがユーザから指定された仕様に合ったものであるかどうかの判断を簡単に行うことができない。さらに、ユーザサイドにおいても、例えばハードディスクドライブに組み込む場合に、組み込もうとしている薄膜磁気ヘッドが所望の仕様のものであるかどうかを容易に確認することができず、間違った薄膜磁気ヘッドを組み込んでしまう恐れがある。
【０１１０】
本発明においては、上述した問題を解決するために、薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報を、外部から見ることができる位置に形成する。このような情報としては、読み取り機によって自動的に読み取ることができる形態で形成したり、人間が直接認識できる文字、記号の形態で形成することができる。図２０および２１並びに後述する実施例においては、上述した情報を人間が直接認識できる形態で形成する。すなわち、図２０に示すアップ型のノーマルタイプの薄膜磁気ヘッドに対しては、「ＵＰ−Ｎ」の文字を薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルや配線パターンや接点パッドを形成した面に形成する。また、図２１の実施例は、ダウン型でノーマルタイプの薄膜磁気ヘッドであるので、「ＤＷ−Ｎ」の文字を形成する。このような情報は、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて選択された複数の交差箇所において異なるレベルの接続導体を導電的に接続する工程中に形成するのが好適である。この場合には、導電的な接続を行うためのフォトマスクに、薄膜磁気ヘッドの種類を表す情報を記録しておくことができる。また、このような情報の形成方法については後に説明する。
【０１１１】
図２２および２３は、サイドエレメント型とした本発明による薄膜磁気ヘッドの第２の実施例を示すものであり、基本構成は図２０および２１に示したものと同じ第４の基本構成に従うものであり、図２０および２１に示した部分と同じ部分には同じ符号を付けて示した。サイドエレメント型のスライダをアップ型とダウン型で共用するために、スライダＳには、図面の平面に垂直な方向に見て、中心に対して対称的に第１および第２の複合型薄膜磁気ヘッド１１１および１１２を設ける。
【０１１２】
第１の複合型薄膜磁気ヘッド１１１の誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルおよび磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子に導電的に結合された４本の接続導体１２１〜１２４、第１〜第４の接点パッド１４１〜１４４に接続された４本の接続導体１３１〜１３４、並びに第２の複合型薄膜磁気ヘッド１１２の誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルおよび磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子に導電的に結合された４本の接続導体１２５〜１２８を互いに平行に配置して配線パターンの第１の導電パターンを構成すると共に、各々がこれら１２本の接続導体と直交するように４本の中間導体１６１〜１６４を配置して第２の導電パターンを構成する。したがって、本例では、全部で４８の交差箇所が存在することになる。
【０１１３】
図２２に示すアップ型のスライダの場合には、左側にある第１の複合型薄膜磁気ヘッド１１１を使用し、右側の第２の複合型薄膜磁気ヘッド１１２は使用しない。したがって、斜線で示す合計８カ所の交差箇所において、接続導体と中間導体とを導電的に連結することによって、第１の複合型薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端は第１および第２の接点パッド１４１および１４２に接続され、誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端は第３および第４の接点パッド１４３および１４４に接続されることになる。この例では、薄膜コイルの最内側のコイル巻回体は内側の接点パッド１４３に接続され、最外側のコイル巻回体は外側の接点パッド１４４に接続されているので、ノーマルタイプとなっている。したがってスライダには「ＵＰ−Ｎ」の文字を形成してある。
【０１１４】
図２３は、図２２に示したスライダをダウン型として使用する場合の接続態様を示すものである。この場合には、左側にある第２の複合型薄膜磁気ヘッド１１２を使用し、右側にある第１の複合型薄膜磁気ヘッド１１１は使用しない。斜線で示す８つの交差箇所において、配線パターンの第１の導電パターンを構成する接続導体と第２の導電パターンを構成する中間導体とを導電的に連結することによって、第２の複合型薄膜磁気ヘッド１１２の誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端は第１および第２の接点パッド１４１および１４２に接続され、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端は第３および第４の接点パッド１４３および１４４に接続されることになる。この例では、薄膜コイルと接点パッド１４３、１４４との接続はノーマルタイプとなっているので、「ＤＷ−Ｎ」の文字が形成されている。
【０１１５】
上述したように、図２２および２３に示す第２の実施例においては、アップ型でサイドエレメント型のスライダおよびダウン型でサイドエレメント型のスライダを、ユーザの仕様に応じて自由に選択することができるが、さらに。薄膜コイルの最内側および最外側のコイル巻回体と接点パッドとの接続順序を図２３に示す場合とは反対としたクロスタイプの仕様をユーザが希望する場合には、図２４において斜線で示す交差箇所において導電的な連結を行うことにより容易かつ迅速にユーザの要求に応えることができ、この場合には「ＤＷ−Ｃ」の文字を形成する。このように、本発明によれば、薄膜磁気ヘッドの大部分は薄膜磁気ヘッドの仕様に拘らず共通に形成できるので、製造マスクを共通化することができ、製造コストを低減することもでき、それだけ薄膜磁気ヘッドのコストを下げることができると共に。ユーザの要求に迅速かつ正確に応えることができる。
【０１１６】
以下、図２５〜３１を参照して、図２０および２１に示した本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例を製造する順次の工程を、図２０に示した構成をも参照して説明する。なお、これらの図面においては、エアベアリング面に垂直な断面図をＡで示し、磁極部分をエアベアリング面と平行に切った断面図をＢで示した。また、本例では、基体の上に読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを形成し、その上に書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドを積層した複合型薄膜磁気ヘッドとしたものである。
【０１１７】
アルティック（AlTiC ）より成る基体２０１の一方の表面に、約３〜５μm の膜厚でアルミナより成る絶縁層２０２を形成し、さらにその上に、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子に対する下部シールド層２０３をパーマロイにより約２〜３μm の膜厚に所定のパターンにしたがって形成し、全体の上にアルミナ層を約４μm の膜厚で形成した後、ＣＭＰによって下部シールド層２０３を露出させた様子を図２５に示す。ここで、本明細書において、絶縁層とは、少なくとも電気的な絶縁特性を有する膜を意味しており、非磁性特性はあってもなくても良い。しかし、一般には、アルミナのように、電気絶縁特性を有しているとともに非磁性特性を有する材料が使用されているので、絶縁層と、非磁性層とを同じ意味に使用する場合もある。
【０１１８】
次に、図２６に示すように、絶縁層と共に平坦な平面となっている下部シールド層２０３の上に、アルミナより成るシールドギャップ層２０４に埋設されたＧＭＲ層２０５を形成し、さらに、その上に、ＧＭＲ層に対する上部シールドを構成するとともに誘導型薄膜磁気ヘッドの下部ポールを構成する磁性層２０６をパーマロイにより約１〜２μm の膜厚に形成する。ここでは、この磁性層２０６を下部ポールとも称することにする。ＧＭＲ層２０５を形成する際には、その両端を外部回路に接続するための一対のリード部材を導電材料で形成するが、図２６Ｂにおいて、符号２０７ａおよび２０７ｂで示す。
【０１１９】
次に、図２７に示すように、下部ポール２０６の上に、下部ポールチップ２０８を、約２〜４μm の膜厚で所定のパターンにしたがって形成する。この際に、エアベアリング面から遠い位置にバックギャップを構成するための連結部材２０９を島状に形成する。さらに、下部ポールチップ２０８、下部ポール２０６の露出表面および連結部材２０９を覆うように、アルミナより成る絶縁層２１０を、約０．３〜０．５μm の膜厚に形成する。次に、この絶縁層２１０の上に、薄膜コイル２１１を所定のパターンにしたがって形成する。この薄膜コイル２１１は、銅のシード層を所定のパターンにしたがって形成した後、銅の電解メッキによって形成することができるが、他の方法で形成しても良い。
【０１２０】
このように薄膜コイル２１１を所定のパターンにしたがって形成する際に、薄膜コイル２１１の最内側のコイル巻回体を外部回路に接続するための導電部材２１２を銅により形成する。薄膜コイル２１１の最外則のコイル巻回体に対する導電部材も同時に形成するが、図面には現れていない。さらに、薄膜コイル２１１の形成と同時に、図２０に示す配線パターンの第１の導電パターンの１２本の接続導体１２１〜１２８および１３１〜１３４を構成する導電層を所定のパターンにしたがって形成する。ただし、図２０に示す接点パッド１４１〜１４４はまだ形成されていない。このように接続導体を薄膜コイル２１１を構成する導電材料、本例では銅で形成するため、その抵抗値を小さくすることができる。また、ＧＭＲ膜２０５の両端に接続された一対のリード部材２０７ａおよび２０７ｂの端部と接続されるように導電層を形成する。
【０１２１】
次に、図２８に示すように、薄膜コイル２１１および上述した接続導体を構成する導電層を覆うように、絶縁層２１３を約３〜４μm の膜厚で形成した後、下部ポールチップ２０８が約１．５〜２．５μm の膜厚で残るようにＣＭＰ処理を施して表面を平坦化し、さらに図２９に示すように、この平坦な表面の上にアルミナより成るライトギャップ層２１４を、約０．２〜０．２５μm の膜厚で形成する。
【０１２２】
図２９に示すように、このライトギャップ層２１４の、連結部材２０９および導電部材２１２と対応する位置に開口を形成した後、上部ポール２１５を形成することにより、下部ポール２０６と上部ポール２１５とを連結部材２１２を介して磁気的に結合し、ライトギャップ層２１４を含む閉じた磁路を形成する。この上部ポール２１５の形成の際に、導電部材２１２と接触するように導電部材２１６を構成するが、この導電部材２１６は、図２０に示す第１の導電パターンの接続導体１２１の一端にも接触されているので、図２０において薄膜コイルの最内側のコイル巻回体を接続導体１２１に接続する接続導体を、この導電部材２１６と同じ符号を付けて示す。すなわち、導電部材２１２と、配線パターンの第１の導電パターンの接続導体１２１との交差箇所に対応する位置において、ライトギャップ層２１４および絶縁層２１３に開口を形成して上部ポール２１５を形成することにより、導電部材２１２と接続導体１２１との間を導電的に接続する接続導体２１６が形成される。また、このとき、図２０に示す第１の導電パターンの接続導体１３１〜１３４を構成する導電層の端部に相当する位置に、絶縁層に開口を形成して、図２０に示す接点パッド１４１〜１４４を構成する導電層も形成する。
【０１２３】
上述したように、上部ポール２１５を形成する際に、薄膜コイル２１１を第１および第２の接続導体１２１および１２２に接続する導電部材２１６や、接続導体１３１〜１３４に接続された接点パッド１４１〜１４４を形成するが、これと同時に図２０に示す第２の導電パターンを構成する第１〜第４の中間導体１６１〜１６４を形成する。さらに、これらの中間導体を形成する際に、製造すべき薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて導電的に連結すべき交差箇所に対応する位置の絶縁層２１３およびライトギャップ層２１４には開口を形成する。このように、本例では、上部ポール２１５を形成する際に、絶縁層２１３およびライトギャップ層２１４に開口を形成するためのリソグラフ用のマスクとして、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じたものを予め準備しておき、所望の仕様に応じたマスクを使用して所望の位置に開口を形成することにより、仕様に合った交差箇所において導電的な連結がなされることになる。
【０１２４】
上述したように、絶縁層２１３およびライトギャップ層２１４の所望の位置に、薄膜磁気ヘッドの所望の仕様に応じて開口を形成した後、上部ポール２１５を、約２．５〜３．５μm の膜厚で形成すると共に上述したように第１〜第４の中間導体１６１）１６４を構成する導電層や接点パッド１４１〜１４４を形成する。したがって、本例では、例えば第１群の第１の接続導体１２１と第２の中間導体１６２との交差箇所では、図３０に示すように薄膜コイル２１１を構成する銅より成る第１の導電パターンの接続導体１２１と、上部ポール２１５を構成する導電性の磁性材料、例えばパーマロイより成る第２の導電パターンの中間導体１６２とが導電的に連結されることになる。一方、相互に導電的に連結したくない交差箇所においては、接続導体と中間導体との間は絶縁層２１３およびライトギャップ層２１４によって分離されている。
【０１２５】
次に、図３１に示すように、上部ポール２１５の磁極部分をマスクとしてライトギャップ層２１４およびその下側の下部ポールチップ２０８をエッチングしてトリム構造を形成する。例えば、アルミナフレオン系ガスまたは塩素系ガスを用いるリアクティブイオンエッチングよってライトギャップ層２１４を選択的に除去し、さらに露出した下部ポールチップ２０８の表面をイオンビームエッチングにより部分的に除去してトリム構造を形成する。
【０１２６】
上述したようにしてトリム構造を形成した後、アルミナより成るオーバーコート層２１７を、約２０〜４０μm の膜厚に形成した後、ＣＭＰによってオーバーコート層の表面を平坦に研磨することによって、接点パッド１４１〜１４４を露出させる。以後の工程は既に説明した従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程と同じであり、ウエファを複数の薄膜磁気ヘッドが配列されたバーに切断し、このバーの一側面を研磨してエアベアリング面を形成した後、個々の薄膜磁気ヘッドユニットに分割する。
【０１２７】
上述したように、本例においては、図２０に示す配線パターンの第１の導電パターンを構成する接続導体１２１〜１２４および１３１〜１３４を、薄膜コイル２１１を形成する導電材料で薄膜コイルと同時に形成し、これらの接続導体と交差する第２の導電パターンを構成する第１〜第４の中間導体１６１〜１６４を、上部ポール２１５を形成する導電材料（磁性材料）で上部ポールと同時に形成し、さらに薄膜磁気ヘッドの仕様によって決まる導電的に連結すべき交差箇所における開口は、上部ポール２１５を形成する前に、バックギャップ部を形成するための開口をライトギャップ層２１４および絶縁層２１３に形成するのと同時に形成するため、このフォトマスクによる処理を行うまでの工程は、薄膜磁気ヘッドの仕様に拘らず同じものとなり、個々の仕様に対応するものを格別に製造する場合に比べてフォトマスクの枚数を減らすことができる。したがって、製造コストを低減することができると共にユーザの要求する仕様の薄膜磁気ヘッドを迅速に納入することができる。
【０１２８】
図３２〜３６は、図２０および２１に示した本発明による薄膜磁気ヘッドの実施例を製造する方法の他の例を示す断面図であり、前例と同様の部分には同じ符号を付けて示し、その詳細な説明は省略する。図３２および３３に示す工程は、上述した第１の実施例における図２５および２６に示す工程とほぼ同じであるが、本例においては、図３３に示すように、平坦とした下部ポール２０３の上にライトギャップ層２１３を形成する。
【０１２９】
次に、図３４に示すように、ライトギャップ層２１４の上に、第１の上部ポールチップ２３１を、約２〜４μm の膜厚に形成すると共に連結部材２３２を形成する。また、第１の上部ポールチップ２３１をマスクとしてライトギャップ層２１４を選択的に除去し、その下側の下部ポール２０６を、例えば０．３〜０．５μm の深さにエッチングしてトリム構造を形成する。次に、銅の電解メッキにより、第１層目の薄膜コイル２３３をライトギャップ層２１４の上に形成する。この第１層目の薄膜コイル２３３を形成するのと同時に、この第１層目の薄膜コイルを後に形成する第２層目の薄膜コイルと接続するための接点部材２３４を形成すると共に、配線パターンの第１の導電パターンを構成する接続導体１２１〜１２４および１３１〜１３４（図２０に示す）を形成する。
【０１３０】
上述したようにライトギャップ層２１４の上に第１層目の薄膜コイル２３３を形成した後、図３５に示すように、アルミナ、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜などの無機絶縁層２３５を約５〜７μm の膜厚に形成し、ＣＭＰによって表面を平坦とすると共に第１の上部ポールチップ２３１を露出させる。
【０１３１】
さらに、図３６に示すように、平坦とした表面の上に、第１の上部ポールチップ２３１と連結されるように第２の上部ポールチップ２３６を形成すると共に、連結部２３２と連結されるように連結部２３７を形成する。これらの連結部２３２および２３７が連結される部分は、バックギャップ部と呼ばれている。さらに、絶縁層２３５の表面の上には、フォトレジストより成る絶縁層２３８によって支持された第２層目の薄膜コイル２３９を、銅の電解メッキにより形成する。
【０１３２】
この第２層目の薄膜コイル２３９を形成するのと同時に、接点部材２３４と接触するように接点部材２４０を形成する。本例においては、これら第２層目の薄膜コイル２３９および接点部材２４０を形成するのと同時に、配線パターンの第２の導電パターンを構成する中間導体１６１〜１６４を形成する。この第２の導電パターンを形成する前には、上述したようにバックギャップ部を形成するための開口を絶縁層２３８に形成すると共に、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて所望の下層配線パターンと電気的に接続するための開口を絶縁層２３８に形成しておく。すなわち、これらの開口を形成するためのフォトマスクを選択することによって、所望の仕様に対応することができる。
【０１３３】
このように、第２層目の薄膜コイル２３９を形成する前に、絶縁層２８３にバックギャップ部形成用の開口を形成するために本来必要とされるフォトマスクを、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて複数種類準備しておき、指定された仕様に応じたフォトマスクを選択して所望の位置に第１の導電パターンまで達する開口を形成し、続いて第２層目の薄膜コイル２３９を形成するのと同時に配線パターンの第２の導電パターンを形成することによって、所望の交差箇所において、配線パターンの第１および第２の導電パターンとを導電的に連結することができる。したがって各仕様に応じた薄膜磁気ヘッドを別々に製造する場合に比べて、準備しなければならないフォトマスクの個数を減らすことができ、製造コストを下げることができる。また、本例では、銅より成る第１層目の薄膜コイル２３３の形成工程で配線パターンの第１の導電パターンを形成し、同じく銅より成る第２層目の薄膜コイル２３９の形成工程で第２の導電パターンを形成するので、配線パターンの抵抗を下げることができる。
【０１３４】
さらに図３６に示すように、第２の上部ポールチップ２３６および連結部材２３７と連結されるように上部ポール２１５を形成し、その上にオーバーコート層２１７を形成し、その表面をＣＭＰによって研磨して接点パッド１４１〜１４４を露出させる工程は上述した実施例と同様である。
【０１３５】
図３７および３８は、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法のさらに他の実施例の工程を示すものである。本例では、薄膜磁気ヘッドの仕様に拘らず、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子および誘導型薄膜磁気ヘッド素子の大部分を予め製造してストックしておき、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子のＧＭＲ素子の両端および誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルの両端を所望の接点パッドに接続するように配線パターンを形成するものである。
【０１３６】
図３７に示すように、ＧＭＲ層２０５を含む磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子および下部ポール２０６、薄膜コイル２１１、ライトギャップ層２１４および上部ポール２１５を含む誘導型薄膜磁気ヘッド素子を形成する。ここで、薄膜コイル２１１を形成するのと同時に、薄膜コイルの最内側のコイル巻回体を接点パッドに接続するための導電部材２１２を形成すると共に、図２０に示す配線パターンの第１の導電パターンの接続導体１２１に相当する導電部材３５１を形成する。この導電部材３５１と平行に３本の接続導体が形成されており、これらは薄膜コイルの最外側のコイル巻回体、ＧＭＲ膜の両端にそれぞれ接続されている。
【０１３７】
また、上述した導電部材３５１は、上部ポール２１５と同時に形成される導電部材２１６によって導電部材２１２と導電的に接続されている。さらに、導電部材３５１は、絶縁層３５２によって覆われている。この絶縁層３５２は、薄膜コイル２１１を絶縁分離した状態で支持する絶縁層２１３と同じ材料で同時に形成することができる。図３７に示すように、下部シールド層２０３および下部ポール２０６は、エアベアリング面側から見て薄膜コイル２１１を越えた位置で終わっているので、導電部材３５１は段差の下部に形成されることになる。
【０１３８】
次に、図３８に示すように、絶縁層３５２に、薄膜磁気ヘッドの所望の仕様に応じた位置に開口３５３を選択的に形成し、続いて図２０の配線パターンの第２の導電パターンを構成する中間導体１６１〜１６４を形成する。図３７では、これら４本の中間導体の内の第１および第２の中間導体１６１および１６２に相当する導電部材３５４および３５５のみが示されており、他の中間導体は図面を明瞭とするために省略してある。また、この工程において、接点パッド１４１〜１４４を第１の導電パターンの接続導体１３１〜１３４と接続されるように形成することができる。
【０１３９】
上述したように、絶縁層３５２には開口３５３が形成されているので、中間導体１６２（導電部材３５５）は接続導体１２１（導電部材３５１）と導電的に接続されることになる。一方、導電部材３５４と導電部材３５１との間は絶縁層３５２によって分離されている。したがって、本例においては、絶縁層３５２に開口３５３を形成する際のマスクを、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて複数準備しておくことにより、所望の仕様に適合した複合型薄膜磁気ヘッドを容易に製造することができる。特に、本例では、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子および誘導型薄膜磁気ヘッド素子は殆ど大部分が完成された薄膜磁気ヘッド製造用の中間ユニットとしてストックしておくことができるので、ユーザの要求する仕様の薄膜磁気ヘッドを迅速に納品することができる。
【０１４０】
さらに、図３８に示すように、表面全体に亘って絶縁層を堆積し、ＣＭＰによって研磨して平坦な表面を有するオーバーコート層２１７を形成する。図面には示していないが、上述した実施例と同様に、このオーバーコート層の表面を研磨することによって、接点パッドが露出する。
【０１４１】
図３９および４０は、本発明による薄膜磁気ヘッドのさらに他の実施例を製造する順次の工程を示すものである。上述した実施例では、薄膜磁気ヘッドに要求される全ての仕様を満たすことができるように全ての接続導体および中間導体を形成したが、本例では、例えば２層のレベルで配線パターンを形成する場合には、第１層目の接続導体は全て形成するが、第２層目の接続導体や中間導体は、必要なものだけを形成するようにしたものである。なお、本例は図２０に示した実施例と対応する構成を有するものであるから、図２０に示す部分には図２０で使用した符号を付けて示す。
【０１４２】
図３９に示すように、誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗素子を形成する際に、薄膜コイルにおよびＭＲ膜に接続された第１の導電パターンの４本の接続導体１２１〜１２４と、接点パッド１４１〜１４４に接続される４本の接続導体１３１〜１３４を互いに平行に形成する。これら８本の接続導体は、誘導型薄膜磁気ヘッド素子の下部ポールまたは薄膜コイルと同時に形成することができる。
【０１４３】
次に、上述した接続導体１２１〜１２４、１３１〜１３４を覆うように絶縁層（ライトギャップ層および／または薄膜コイルを支持する絶縁層）を形成した後、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて中間導体を形成するが、本例では、中間導体は、所望の仕様に合わせて導電的な連結を形成すべき２つの交差箇所の間だけを延在するように形成する。すなわち。図４０に示すように、第１の中間導体１６１は、第１の導電パターンの接続導体１２２と接続導体１３４との間だけに形成し、第２の中間導体１６２は、第１の導電パターンの接続導体１２１と接続導体１３３との間を延在するように形成し、以下同様に形成する。勿論、これらの中間導体は、その両端において、下側にある接続導体と導電的に連結されている。このような導電的な連結を行うためには、上述した絶縁層に開口を形成する必要があるが、これらの開口は上述した実施例と同様にバックギャップを形成するための開口を形成する工程で形成することができる。また、これらの中間導体１６１〜１６４を形成する工程において、接点パッド１４１〜１４４を第１の導電パターンの接続導体１３１〜１３４と接続するように形成するが、図面には示されていない。
【０１４４】
図４１は、本発明による薄膜磁気ヘッドのさらに他の実施例を示すものである。薄膜磁気ヘッドの小型化に伴い、スライダの、接点パッドを形成する端面の面積も小さくなっているが、接点パッドの面積を減少させるには限界がある。そこで、本例においては、接点パッドを予め形成しておかず、所望の配線パターンを形成し、その上に絶縁層を形成した後に、接点パッド１４１〜１４４を、配線パターンを覆うように大きく形成するものである。勿論、これらの薄膜磁気ヘッド１４１〜１４４は、上述した絶縁層を介してその下側に形成された接続部材４０１〜４０４と導電的に接続されるように形成する。
【０１４５】
図４２は、本発明による薄膜磁気ヘッドのさらに他の実施例を示すものであり、上述した図２２に示した実施例に対応している。本例でも、配線パターンを形成した後に、接点パッド１４１〜１４４を、配線パターンの上方まで延在するように大きく形成する。これらの接点パッド１４１〜１４４は、その下側に形成されている導電層４０１〜４０４と電気的に接続されている。
【０１４６】
図４３は、本発明による薄膜磁気ヘッドを、センターエレメント型の誘導型薄膜磁気ヘッドとして構成したもので、基本的には図２０および２１に示した実施例と同様であるが、全ての可能な仕様に対して可能な全ての接続状態を説明するために、接点パッド１４１〜１４４にＡ〜Ｄの符号を付けて示すと共に、各種導体の交差箇所を１〜３２の符号を付けて示す。この接続の態様を表３に示す。
【０１４７】
【表３】
本例では、上述した表３に示すような組み合わせによって、所望の仕様に応じた構成を実現することができる。この表３において、接点パッドＡおよびＢは、磁気抵抗素子の両端に接続される接点パッドであり、接点パッドＣおよびＤは、誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルの両端に接続されるものである。また、上述したように、薄膜コイルへの接続においては、最内側のコイル巻回体が接点パッドＣに、最外側のコイル巻回体が接点パッドＤに接続される態様を「ノーマルタイプ」とし、これとは逆の接続態様を、「クロスタイプ」としている。
【０１４９】
例えば、センターエレメント型でアップ型の薄膜磁気ヘッドの場合には、ノーマルタイプおよびクロスタイプには、それぞれ４つの接続の態様があり、これら４つの接続のパターンの中から任意のものを選択すれば良い。一方、センターエレメント型でダウン型の薄膜磁気ヘッドの場合も、ノーマルタイプおよびクロスタイプには、それぞれ４つの接続の態様がある。
【０１５０】
図４４は、本発明の薄膜磁気ヘッドをサイドエレメント型の誘導型薄膜磁気ヘッドとして構成したもので、図２２〜２４に示した実施例に対応するものである。本例の接続態様を表４に示す。この場合にも、アップ型ではノーマルタイプおよびクロスタイプのそれぞれに４通りの接続パターンがあり、ダウン型でもノーマルタイプおよびクロスタイプのそれぞれに４通りの接続パターンがある。
【０１５１】
【表４】
図４５は、本発明の薄膜磁気ヘッドのさらに他の実施例を示すものである。本例では、中央にセンターエレメント用の誘導型薄膜磁気ヘッド素子１１１を配置すると共にその両側にサイドエレメント用の一対の誘導型薄膜磁気ヘッド素子１１２および１１３を対称的に配置したものである。したがって、本例の薄膜磁気ヘッドは、センターエレメント用およびサイドエレメント用のアップ型およびダウン型のあらゆる接続態様に対応できるものである。本例における、接続の態様を表５に示す。この表５の見方は、上述した表３および４と同じであるので、ここでは詳細には説明しないが、例えばセンターエレメント型でアップ型であり、ノーマルタイプの薄膜磁気ヘッドを製造する場合には、交差箇所５、７、９、１１、２２、２４、２６、２８において接続導体と中間導体とを導電的に連結すれば良いことがわかる。また、サイドエレメント型でダウン型であってクロスタイプの場合には、交差箇所６、１５、２１、３２、４３、４５、６０、６２において導電連結を行えば良いことがわかる。
【０１５３】
【表５】
また、このようにセンターエレメント型とサイドエレメント型との双方を製造できる場合には、薄膜磁気ヘッドのタイプを表す情報に、センターエレメント型の場合には「ＣＮＴ」を追加し、サイドエレメント型の場合には「ＳＩＤ」を追加することができる。したがって、例えば、サイドエレメント型のダウン型でクロスタイプの場合には、「ＳＩＤ−ＤＷ−Ｃ」といった文字を薄膜磁気ヘッドに形成することができ、センターエレメント型のアップ型でノーマルタイプの場合には、「ＣＮＴ−ＵＰ−Ｎ」と形成することができる。
【０１５５】
上述した実施例では、配線パターンの交差箇所において導電的な連結を形成する場合に、下層の導電部材を形成し、その上に絶縁層を形成した後に、この絶縁層に所望の開口を形成して上層の導電部材を形成するようにしたが、下層および上層の導電部材を予め形成しておき、所望の交差箇所に開口を形成し、この開口に導電部材を形成することによって導電的な連結を行うこともできる。この場合には、薄膜磁気ヘッド製造用の中間ユニットとして殆ど完成されたものを用意しておくことができる。
【０１５６】
図４６Ａ、Ｂ〜５１Ａ、Ｂは、配線パターンの交差箇所において導電的な連結を形成する方法の他の例の順次の工程を示すものである。先ず、図４６ＡおよびＢに示すように、下側の導体５０１を所望のパターンにしたがって形成する。この下側導体５０１は、例えば、図２０に示した実施例における配線パターンの第１の導電パターンを構成する接続導体とすることができ、このような接続導体は、上述したように下部ポールと同時に形成したり、薄膜コイルと同時に形成することができる。
【０１５７】
次に、図４７ＡおよびＢに示すように、絶縁層５０２を形成した後、これに凹部５０３と開口５０４を形成する。凹部５０３は下側導体５０１と直交するように形成し、開口５０４は、下側導体と凹部との交差箇所の近傍において下側導体５０１と連通するように形成する。このような深さや長さの異なる凹部５０３および開口５０４を形成する方法は周知であるので、ここでは説明しない。
【０１５８】
次に、図４８ＡおよびＢに示すように、上述した凹部５０３および開口５０４を埋めるように導電層５０５を厚く形成する。この導電層５０５は、薄膜コイルと同時または上部ポールと同時に形成することができる。次に、ＣＭＰのような研磨処理を施して、図４９ＡおよびＢに示すように表面に凹部５０３内に埋められた導電層によって構成される上側導体５０６と、開口５０４内に埋められた導電層によって構成される連結プラグ５０７とが形成される。
【０１５９】
最後に、図５０ＡおよびＢに示すように、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて決まる交差箇所において、上側導体５０６と連結プラグ５０７とを導電的に接続する連結パッチ５０８を選択的に形成する。このようにして、所望の交差箇所において、下側導体５０１と上側導体５０６とを、連結プラグ５０７および連結パッチ５０８を介して電気的に連結することができる。上述した連結パッチ５０８は、上部ポールと同時に形成するか、その後の工程によって形成することができる。
【０１６０】
さらに、所望の交差箇所において選択的に上下の導体を電気的に接続する方法の変形例の一つとして、全ての交差箇所に上下の導体に連通するように開口を形成した中間ユニットを準備しておき、所望の開口を導電部材で埋め、残りの開口をオーバーコート層を構成する絶縁材料で埋めることもできる。この場合には、中間ユニットに対して絶縁層の開口を形成するエッチング工程を施す必要がないので、中間ユニットからの製造過程をさらに簡単とすることができる。
【０１６１】
次に、薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報を形成する方法について説明する。例えば、図３６〜３８に示す工程において、バックギャップを形成するために絶縁層２３８に開口を形成するのと同時に、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じた交差箇所において導電部材３５１を覆う絶縁層３５２に導電部材まで達する開口３５３を形成しているが、この開口形成工程と同時に、図５１に示すように下部ポール２０６を覆うライトギャップ層２１４および絶縁層２１３に、形成すべき所定の文字に対応した溝６０１を形成する。すなわち、バックギャップ形成用および薄膜磁気ヘッドの仕様決定用のフォトマスクに形成すべき文字に対応したパターンを形成しておき、バックギャップ用開口および仕様を決める開口を形成するのと同時に文字に対応した溝６０１を形成することができるので、薄膜磁気ヘッドの仕様と情報の内容とは常に一致したものとなり、誤りが発生する余地がない。
【０１６２】
次に必要な種々の工程を経た後、図５２に示すようにオーバーコート層２１７を、上述した溝６０１を埋めるように堆積して薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報を形成する。この場合、溝６０１が存在しないバックグラウンド部分では、オーバーコート層２１７を通して絶縁層２１３、２１４が見えるので暗くなり、溝６０１の部分では下部ポール２０６が見えるので明るくなり、これらの間にコントラストが生じ、情報を光学的に観察することができる。
【０１６３】
本発明においては、このような薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報は、上述した実施例のように人間が顕微鏡などを使用して直接認識することができる文字や記号とすることができるだけでなく、例えばバーコードのように光学的な読み取り機器によって認識することができるような形態で形成することもできる。さらに、このような情報は、個々の薄膜磁気ヘッドに形成してもよいが、１つのウエファ或いはバーに同じ仕様の薄膜磁気ヘッドが形成されている場合には、ウエファ或いはバーの薄膜磁気ヘッドが形成されていない領域、例えばスクライブ領域に情報を形成しても良い。そのような場合には、薄膜磁気ヘッドの製造を完了してから情報を形成することもできるが、上述した実施例のように薄膜磁気ヘッドの仕様を決める工程と同じ工程で情報を形成するのが誤りを完全になくす上で好適である。
【０１６４】
本発明は上述した実施例にのみ限定されるものではなく、幾多の変更や変形が可能である。例えば、上述した実施例においては、薄膜磁気ヘッドに求められる全ての仕様を満足する交差箇所を含む接続導体や中間導体を２層に分けて形成したが、３層に分けて形成することもできる。例えば、図２０に示した実施例の構成を有する薄膜磁気ヘッドを製造する場合に、第１層目として第１の導電パターンの接続導体１２１〜１２４を下部ポールと同時に形成し、第２層目として第２の導電パターンの中間導体１６１〜１６４を薄膜コイルと同時に形成し、第３層目として第１の導電パターンの接続導体１３１〜１３４および接点パッド１４１〜１４４或いは接点パッドに接続される接続部材を上部ポールと同時に形成することもできる。
【０１６５】
この場合、第２層目の中間導体１６１〜１６４を形成する前に、所望の交差箇所において第１層目の接続導体１２１〜１２４と導電的に連結されるように第１層目の接続導体を覆う絶縁層に選択的にコンタクトホールを形成し、これらのコンタクトホールを介して下側の接続導体と導電的に連結されるように中間導体を形成することができる。これらのコンタクトホールを形成するためのフォトマスクは、薄膜コイルに接続されたリード部分を形成するために本来必要なフォトマスクとすることができるので、マスク処理が増えることはない。
【０１６６】
また、第３層目の接続導体１３１〜１３４を形成する前に、これを覆う絶縁層の所望の交差箇所に選択的にコンタクトホールを形成し、これらのコンタクトホールを介して下側の中間導体１６１〜１６４と導電的に連結されるようにこれらの接続導体を形成することができる。このようなコンタクトホールを形成するためのフォトマスクは、エアベアリング面とは離れたバックギャップ位置において上部ポールを下部ポールと連結するための開口を絶縁層に形成するためのフォトマスクと同じものとすることができるので、マスク処理が増えることがない。
【０１６７】
さらに、上述した実施例では、接続パターンを構成する接続導体や中間導体を、磁気抵抗素子や誘導型薄膜磁気ヘッド素子を構成する部材を形成する工程において、これらの部材と同じ材料で形成するようにしたので、上述したように薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて選択的な接続を行うために必要とされるマスク処理が増えないという利点がある。しかし、本発明においては、配線パターンの最上層の導電部材を、上述した薄膜磁気ヘッドの種々の部材を形成する工程を完了した後に、別の工程で導電層を形成することもできる。この場合には、この導電層を薄膜磁気ヘッドの材料とは関係なく、導体パターンとして最適な材料で形成できる利点がある。
【０１６８】
【発明の効果】
上述した本発明による薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法によれば、以下のような効果が得られる。
【０１６９】
従来は、センターエレメント型スライダとするかサイドエレメント型スライダとするか、さらにはアップ型とするかダウン型とするかなどの仕様に応じてそれぞれ異なる構造を有するスライダを別個に製造しなければならなかったので、フォトマスクの枚数も多くなり、製造コストが上昇していたが、本発明では、薄膜磁気ヘッドの製造工程の途中までは、薄膜磁気ヘッドの仕様にかかわらず共通とすることができるので、必要なフォトマスクの枚数を減らすことができ、製造コストを下げることができると共にスループットを向上することができる。
【０１７０】
従来の製造現場では、ある程度顧客の要求を予測して数種類の薄膜磁気ヘッドを製造してストックしていたが、予測して製造したものでは対応できない場合も多く、その場合には、新たに製造しなければならないので納入日数が長くなっていたが、本発明によれば配線パターンを所望の仕様に応じて形成するだけであるので、納入日数を短縮することができる。
【０１７１】
また、本発明においては、薄膜磁気ヘッド製造用の中間ユニットを予めストックしておき、これから顧客の要求に応じた仕様の薄膜磁気ヘッドを製造することができるので、納入日数の短縮が図れるだけでなく、顧客の急な仕様変更にも迅速に対応できる。このように中間ユニットをストックしておく場合、薄膜磁気ヘッドの最終工程に近い工程まで済ませておくことにより、上述した効果をなお一層高めることができる。
【０１７２】
スライダの中央に１個の薄膜磁気ヘッド素子を形成する実施例では、センターエレメント型のアップ型およびダウン型の薄膜磁気ヘッドを選択的に製造することができる。また、スライダの両端に薄膜磁気ヘッド素子を形成する実施例では、サイドエレメント型のアップ型およびダウン型の薄膜磁気ヘッドを選択的に製造することができる。さらに、スライダの中央と、両端に３つの薄膜磁気ヘッド素子を形成する実施例では、センターエレメント型のアップ型およびダウン型、サイドエレメント型のアップ型およびダウン型の４種類の薄膜磁気ヘッドを選択的に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１ＡおよびＢは、従来の複合型薄膜磁気ヘッドを製造する方法の最初の工程を示す断面図である。
【図２】 図２ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図３】 図３ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図４】 図４ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図５】 図５ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図６】 図６ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図７】 図７は、薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図８】 図８は、スライダの底面図である。
【図９】 図９は、センターエレメント型の薄膜磁気ヘッドにおける接点パッドの接続状態を示す端面図である。
【図１０】 図１０ＡおよびＢは、スライダを装着したアームを示す平面図および先端を拡大して示す斜視図である。
【図１１】 図１１は、サイドエレメント型でアップ型の薄膜磁気ヘッドにおける接点パッドの接続状態を示す端面図である。
【図１２】 図１２は、センターエレメント型でダウン型の薄膜磁気ヘッドにおける接点パッドの接続の態様を示す端面図である。
【図１３】 図１３は、本発明による薄膜磁気ヘッドの配線パターンの第１の基本構成の一例を示す線図である。
【図１４】 図１４Ａ、ＢおよびＣは、配線パターンにおける交差箇所の導電的連結の態様を示す断面図である。
【図１５】 図１５は、本発明による薄膜磁気ヘッドの配線パターンの第１の基本構成の他の例を示す線図である。
【図１６】 図１６は、本発明による薄膜磁気ヘッドの配線パターンの第１の基本構成のさらに他の例を示す線図である。
【図１７】 図１７は、本発明による薄膜磁気ヘッドの配線パターンの第２の基本構成を示す線図である。
【図１８】 図１８は、本発明による薄膜磁気ヘッドの配線パターンの第３の基本構成を示す線図である。
【図１９】 図１９は、本発明による薄膜磁気ヘッドの配線パターンの第４の基本構成を示す線図である。
【図２０】 図２０は、センターエレメント型でアップ型とした本発明による薄膜磁気ヘッドの第１の実施例における接点パッドの接続の態様を示す端面図である。
【図２１】 図２１は、センターエレメント型でダウン型とした本発明による薄膜磁気ヘッドの第２の実施例における接点パッドの接続の態様を示す端面図である。
【図２２】 図２２は、サイドエレメント型でアップ型とした本発明による薄膜磁気ヘッドの第３の実施例における接点パッドの接続の態様を示す端面図である。
【図２３】 図２３は、サイドエレメント型でダウン型とした本発明による薄膜磁気ヘッドの第４の実施例における接点パッドの接続の態様を示す端面図である。
【図２４】 図２４は、サイドエレメント型でダウン型とした本発明による薄膜磁気ヘッドの第５の実施例における接点パッドの接続の態様を示す端面図である。
【図２５】 図２５ＡおよびＢは、図２０に示した本発明による薄膜磁気ヘッドの第１の実施例を製造する方法の一実施例の最初の工程を示す断面図である。
【図２６】 図２６ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図２７】 図２７ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図２８】 図２８ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図２９】 図２９ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図３０】 図３０は、交差箇所における導電的連結を示す断面図である。
【図３１】 図３１ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図３２】 図３２ＡおよびＢは、図２０に示した本発明による薄膜磁気ヘッドの第１の実施例を製造する方法の他の実施例の最初の工程を示す断面図である。
【図３３】 図３３ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図３４】 図３４ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図３５】 図３５ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図３６】 図３６ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図である。
【図３７】 図３７は、図２０に示した本発明による薄膜磁気ヘッドの第１の実施例を製造する方法のさらに他の実施例の工程を示す断面図である。
【図３８】 図３８は、次の工程を示す断面図である。
【図３９】 図３９は、センターエレメント型でアップ型とした本発明による薄膜磁気ヘッドの第６の実施例を製造する方法の工程を示す端面図である。
【図４０】 図４０は、同じくその配線パターンの接続の態様を示す端面図である。
【図４１】 図４１は、センターエレメント型でアップ型とした本発明による薄膜磁気ヘッドの第７の実施例における接点パッドの接続の態様を示す端面図である。
【図４２】 図４２は、サイドエレメント型でアップ型とした本発明による薄膜磁気ヘッドの第８の実施例における接点パッドの接続の態様を示す端面図である。
【図４３】 図４３は、中央に薄膜磁気ヘッド素子を設けた本発明による薄膜磁気ヘッドの第９の実施例において構成できる全ての接続の態様を説明するための端面図である。
【図４４】 図４４は、両端に薄膜磁気ヘッド素子を設けた本発明による薄膜磁気ヘッドの第１０の実施例において構成できる全ての接続の態様を説明するための端面図である。
【図４５】 図４５は、中央と両端に薄膜磁気ヘッド素子を設けた本発明による薄膜磁気ヘッドの第１１実施例において構成できる全ての接続の態様を説明するための端面図である。
【図４６】 図４６ＡおよびＢは、所望の交差箇所において上下の接続導体の間を選択的に接続する方法の他の例の最初の工程を示す断面図および平面図である。
【図４７】 図４７ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図および平面図である。
【図４８】 図４８ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図および平面図である。
【図４９】 図４９ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図および平面図である。
【図５０】 図５０ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図および平面図である。
【図５１】 図５１は、本発明による薄膜磁気ヘッドにおいて仕様を表す情報を形成する工程を示す断面図である。
【図５２】 図５２は、次の工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１１１、１１２、１１３ 薄膜磁気ヘッド素子
１０１〜１０４ 接続端子
１２１〜１２８ 第１群の接続導体
１３１〜１３４ 第２群の接続導体
１４１〜１４４ 接点パッド
１６１〜１６４ 中間導体
２０１ 基体本体、 ２０２ 絶縁層、 ２０３ 下部シールド層、 ２０４ シールドギャップ層、 ２０５ ＧＭＲ層、 ２０６ 上部ポール、 ２０８ 上部ポールチップ、 ２１０ 絶縁層、 ２１１ 薄膜コイル、 ２１４ ライトギャップ層、 ２１５ 上部ポール、 ２１７ オーバーコート層、 ２３１上部ポールチップ、 ２３３、２３９ 薄膜コイル、 ５０１ 下側導体、 ５０２ 絶縁層、 ５０３ 凹部、 ５０４ 開口、 ５０５ 導電層、 ５０６ 上側導体、 ５０７ 連結プラグ、 ５０８ 連結パッチ、 ６０１ 溝
Claims (68)
- 記録媒体の表面と対向するエアベアリング面を有するスライダを構成する基体と、
この基体によって支持された少なくも１つの薄膜磁気ヘッド素子と、
前記基体の、記録媒体の進行方向に見た一端面に設けられ、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子を外部回路に接続するための少なくとも２つの接点パッドと、
前記薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子と前記少なくとも２つの接点パッドとの間を任意の位置関係で電気的に接続するように、互いに電気的に接続可能なように絶縁されて交差する複数の接続導体を含む配線パターンと、
を具える薄膜磁気ヘッド。 - 前記配線パターンが、
それぞれが前記基体側から見て絶縁層を介して異なるレベルにおいて延在するとともに互いに交差する複数の接続導体を含み、それぞれ前記薄膜磁気ヘッドの少なくとも２つの接続端子および前記少なくとも２つの接点パッドに直接または他の導電パターンを経て導電的に接続された第１および第２の導電パターンと、
これら第１および第２の導電パターンの接続導体の複数の交差箇所から薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて選択された複数の交差箇所において前記絶縁層にあけたコンタクトホールを介して異なるレベルの接続導体を導電的に接続する連結導体と、
を具える請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 前記配線パターンの第１の導電パターンの接続導体を、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子にそれぞれ固定的に接続し、前記配線パターンの第２の導電パターンの接続導体を、前記少なくとも２つの接点パッドにそれぞれ固定的に接続した請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記配線パターンの第１の導電パターンの接続導体を、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子にそれぞれ直接接続し、前記第２の導電パターンの接続導体を、前記少なくとも２つの接点パッドにそれぞれ直接接続した請求項３に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記配線パターンの第１および第２の導電パターンの一方の接続導体を、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子にそれぞれ直接接続し、他方の導電パターンの接続導体を、前記少なくとも２つの接点パッドにそれぞれ直接接続され、この導電パターンとは絶縁層を介して異なるレベルに延在する接続導体と、この絶縁層にあけたコンタクトホールを介して導電的に接続した請求項３に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記配線パターンの第１および第２の導電パターンの一方の接続導体を、前記少なくとも２つの接点パッドにそれぞれ直接接続し、他方の導電パターンの接続導体を、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子にそれぞれ直接接続され、この導電パターンとは絶縁層を介して異なるレベルに延在する接続導体と、前記絶縁層にあけたコンタクトホールを介して導電的に接続した請求項３に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える複合型薄膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端に接続された２つの接続端子と、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端に接続された２つの接続端子とを設けると共に４つの接点パッドを設け、前記配線パターンの第１の導電パターンを、前記薄膜磁気ヘッド素子の４つの接続端子に固定的に接続された４本の接続導体で構成し、第２の導電パターンを、前記４つの接点パッドの内の２つの接点パッドに固定的に接続された２本の接続導体と、残りの２つの接点パッドに導電的に接続された２本の接続導体と交差している延長部を有する２本の中間導体とで構成した請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える複合型薄膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端に接続された２つの接続端子と、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端に接続された２つの接続端子とを設けると共に４つの接点パッドを設け、前記配線パターンの第１の導電パターンを、前記４つの接続端子の内の２つの接続端子に固定的に接続された２本の接続導体と、残りの２つの接続端子に導電的に接続された２本の接続導体と交差している延長部を有する２本の中間導体とで構成し、前記配線パターンの第２の導電パターンを、前記４つの接点パッドに固定的に接続された４本の接続導体で構成した請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記配線パターンが、前記第１および第２の接続端子および前記少なくとも２つの接点パッドにそれぞれが接続された複数の接続導体を含む第１の導電パターンと、前記基体側から見て絶縁膜を介して前記第１の導電パターンとは異なるレベルにおいて延在し、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて前記絶縁膜に選択的にあけられたコンタクトホールを介して前記第１の導電パターンの２つの接続導体にそれぞれ導電的に接続された複数の接続導体を含む第２の導電パターンとを具える請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記配線パターンの第１の導電パターンを、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子および前記少なくとも２つの接点パッドに接続された少なくとも４本の接続導体で構成し、前記第２の導電パターンを、それぞれがこれら第１の導電パターンの全ての接続導体と交差し、前記接点パッドの個数に等しい本数の中間導体で構成した請求項９に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記薄膜磁気ヘッド素子を、誘導型薄膜磁気ヘッド素子とし、その薄膜コイルの両端を前記少なくとも２つの接続端子に接続した請求項１０に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記薄膜磁気ヘッド素子を、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子とし、その磁気抵抗素子の両端を前記少なくとも２つの接続端子に接続した請求項１０に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える複合型薄膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端および前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端を４つの接続端子に接続し、これら４つの接続端子を、８本の接続導体より成る第１の導電パターンと、４本の中間導体より成る第２の導電パターンとを含む配線パターンを介して４つの接点パッドに接続し、前記複合型薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッドを配設した基体の端面に対して垂直な方向から見て、エアベアリング面の中心位置に設けてアップ型およびダウン型のセンターエレメント型スライダとして共用できるように構成した請求項１０に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 各々が、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える２つの複合型薄膜磁気ヘッド素子を設け、２つの誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端を４つの接続端子に接続し、２つの磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端を４つの接続端子に接続し、これら８つの接続端子を、１２本の接続導体より成る第１の導電パターンと、４本の中間導体より成る第２の導電パターンとを含む配線パターンを介して４つの接点パッドに接続し、前記２つの薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッドを配設した基体の端面に対して垂直な方向から見て、前記エアベアリング面の中心に対して対称な位置に設けてアップ型およびダウン型のサイドエレメント型スライダとして共用できるように構成した請求項１０に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 各々が、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える３つの複合型薄膜磁気ヘッド素子を設け、３つの誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端を６つの接続端子に接続し、３つの磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端を６つの接続端子に接続し、これら１２個の接続端子を、１６本の接続導体より成る第１の導電パターンと、４本の中間導体より成る第２の導電パターンとを含む配線パターンを介して４つの接点パッドに接続し、前記3つの複合薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッドを配設した基体の端面に対して垂直な方向から見て、前記エアベアリング面の中心位置に設けると共にこの中心位置に対して対称な位置に設けて、アップ型およびダウン型のセンターエレメント型スライダおよびアップ型およびダウン型のサイドエレメント型スライダとして共用できるように構成した請求項１０に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記配線パターンの第１の導電パターンを構成する複数の接続導体および／または中間導体を互いにほぼ平行に延在させ、前記第２の導電パターンを構成する複数の接続導体および／または中間導体を互いにほぼ平行に延在させると共に第１の導電パターンの接続導体および／または中間導体とほぼ直交させた請求項２〜１５の何れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記配線パターンの第１および第２の導電パターンの間の全ての交差箇所の内、薄膜磁気ヘッドの仕様によって決まる少なくとも２つの交差箇所において、第１および第２の導電パターンの接続導体および／または中間導体間を、これらの間を連通するように形成されたコンタクトホールに配設された連結導体で導電的に接続した請求項２〜１６の何れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記配線パターンの第１および第２の導電パターンの間の全ての交差箇所の内、薄膜磁気ヘッドの仕様によって決まる少なくとも２つの交差箇所において、下側の導電パターンの接続導体および／または中間導体まで達するように形成されたコンタクトホールを介して下側の導電パターンの接続導体および／または中間導体に接続された連結導体が一体的に形成された接続導体および／または中間導体を他方の導電パターンに設けた請求項２〜１６の何れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記配線パターンの第１および第２の導電パターンの間の全ての交差箇所において、上下の接続導体および／または中間導体間を連通するコンタクトホールを形成し、これらのコンタクトホールの内、薄膜磁気ヘッドの仕様によって決まる少なくとも２つのコンタクトホールにおいて、上下の接続導体および／または中間導体を連結導体で導電的に接続した請求項２〜１６の何れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記配線パターンの第１および第２の導電パターンの間の全ての交差箇所において、下側の導電パターンの接続導体および／または中間導体の上側表面から上側の導電パターンの接続導体および／または中間導体の上側表面のレベルまで延在するコンタクトホール内に連結プラグを形成し、薄膜磁気ヘッドの仕様によって決まる少なくとも２つの交差箇所の各々において、その交差箇所の連結プラグと上側の導電パターンの接続導体および／または中間導体との間を導電的に接続するように配設された連結パッチを設けた請求項２〜１６に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記配線パターンの第１および第２の導電パターンが、薄膜磁気ヘッドを構成する導電性部材を形成するのと同じ材料でかつ同時に形成された導電性部材で構成された請求項２〜２０の何れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記配線パターンの連結導体をも、薄膜磁気ヘッドを構成する導電性部材を形成するのと同じ工程において同じ材料で形成された導電性部材で構成された請求項２１に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記薄膜磁気ヘッドを誘導型薄膜磁気ヘッドとし、前記配線パターンの第１および第２の導電パターンの内、基体に近い側の第１の導電パターンを、前記誘導型薄膜磁気ヘッドの下部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成し、基体から遠い第２の導電パターンを薄膜コイルのコイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成した請求項２１または２２に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記薄膜磁気ヘッドを誘導型薄膜磁気ヘッドとし、前記配線パターンの第１および第２の導電パターンの内、基体に近い側の第１の導電パターンを、前記誘導型薄膜磁気ヘッドの下部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成し、基体から遠い第２の導電パターンを上部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成した請求項２１または２２に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記薄膜磁気ヘッドを誘導型薄膜磁気ヘッドとし、前記配線パターンの第１および第２の導電パターンの内、基体に近い側の第１の導電パターンを、前記誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルの下部コイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成し、基体から遠い第２の導電パターンを薄膜コイルの上部コイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成した請求項２１または２２に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記薄膜磁気ヘッドを誘導型薄膜磁気ヘッドとし、前記配線パターンの第１および第２の導電パターンの内、基体に近い側の第１の導電パターンを、前記誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルのコイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成し、基体から遠い第２の導体パターンを上部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成した請求項２１または２２に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記薄膜磁気ヘッド素子として少なくとも誘導型薄膜磁気ヘッド素子を含み、前記第１の導電パターンの接続導体と、第２の導電パターンの接続導体とを電気的に接続するために、前記絶縁層に開けられたコンタクトホールを、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の下部磁気ポールと上部磁気ポールとを磁気ギャップとは離れた位置において連結するバックギャップを構成する開口を前記絶縁層に形成する工程と同時に形成した請求項２１〜２６の何れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報を、外部から見ることができる位置に形成した請求項１〜２７の何れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報を、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて選択された複数の交差箇所において異なるレベルの接続導体を導電的に接続する工程中に形成した請求項２８に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報を、読み取り機によって自動的に読み取ることができる形態で形成した請求項２８または２９に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報を、人間が直接認識できる形態で形成した請求項２８または２９に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報を、前記接点パッド以外の部分を覆うオーバーコート層を経て読み取ることができるように形成した請求項２８〜３１の何れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
- 仕様の異なる複数の薄膜磁気ヘッドの製造に共通に使用される薄膜磁気ヘッド用共通ユニットであって、
記録媒体の表面と対向するエアベアリング面を有するスライダを構成する基体と、
この基体によって支持された少なくも１つの薄膜磁気ヘッド素子と、
この薄膜磁気ヘッド素子の複数の接続端子と、前記基体の、記録媒体の進行方向に見た一端面に設けられ、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の複数の接続端子を外部回路に接続するための複数の接点パッドとの間を任意の位置関係で電気的に接続するように、互いに電気的に接続可能なように絶縁されて交差する複数の接続導体を含む配線パターンと、
を具える薄膜磁気ヘッド用共通ユニット。 - 前記配線パターンが、それぞれが前記基体側から見て絶縁層を介して異なるレベルにおいて延在するとともに互いに交差する複数の接続導体を含み、それぞれ前記薄膜磁気ヘッドの少なくとも２つの接続端子および前記少なくとも２つの接点パッドに直接または他の導電パターンを経て導電的に接続された第１および第２の導電パターンを具える請求項３３に記載の薄膜磁気ヘッド用共通ユニット。
- 前記配線パターンの接続導体を、薄膜磁気ヘッド素子を構成する導電性部材と同じ材料でかつ同時に形成される導電性部材で構成した請求項３４に記載の薄膜磁気ヘッド用共通ユニット。
- 前記配線パターンの第１の導電パターンの接続導体を、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子にそれぞれ固定的に接続し、前記第２の導電パターンの接続導体を、前記少なくとも２つの接点パッドにそれぞれ固定的に接続した請求項３４または３５に記載の薄膜磁気ヘッド用共通ユニット。
- 前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える複合型薄膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端に接続された２つの接続端子と、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端に接続された２つの接続端子とを設けると共に４つの接点パッドを設け、前記配線パターンの第１の導電パターンを、前記薄膜磁気ヘッド素子の４つの接続端子に固定的に接続された４本の接続導体で構成し、第２の導電パターンを、前記４つの接点パッドの内の２つの接点パッドに固定的に接続された２本の接続導体と、残りの２つの接点パッドに導電的に接続された２本の接続導体と交差している延長部を有する２本の中間導体とで構成した請求項３４または３５に記載の薄膜磁気ヘッド用共通ユニット。
- 前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える複合型薄膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端に接続された２つの接続端子と、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端に接続された２つの接続端子とを設けると共に４つの接点パッドを設け、前記配線パターンの第１の導電パターンを、前記４つの接続端子の内の２つの接続端子に固定的に接続された２本の接続導体と、残りの２つの接続端子に導電的に接続された２本の接続導体と交差している延長部を有する２本の中間導体とで構成し、前記配線パターンの第２の導電パターンを、前記４つの接点パッドに固定的に接続された４本の接続導体で構成した請求項３４または３５に記載の薄膜磁気ヘッド用共通ユニット。
- 前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える複合型薄膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端および前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端を４つの接続端子に接続し、これら４つの接続端子を、４本の接続導体より成る第１の導電パターンと、４本の中間導体より成る第２の導電パターンとを含む配線パターンを介して４つの接点パッドに接続し得るように配線パターンを構成し、前記複合型薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッドを配設した基体の端面に対して垂直な方向から見て、エアベアリング面の中心位置に設けてアップ型およびダウン型のセンターエレメント型スライダとして共用できるように構成した請求項３４または３５に記載の薄膜磁気ヘッド用共通ユニット。
- 各々が、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える２つの複合型薄膜磁気ヘッド素子を設け、２つの誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端を４つの接続端子に接続し、２つの磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端を４つの接続端子に接続し、これら８つの接続端子を、１２本の接続導体より成る第１の導電パターンと、４本の中間導体より成る第２の導電パターンとを含む配線パターンを介して４つの接点パッドに接続し得るように配線パターンを構成し、前記２つの薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッドを配設した基体の端面に対して垂直な方向から見て、前記エアベアリング面の中心に対して対称な位置に設けてアップ型およびダウン型のサイドエレメント型スライダとして共用できるように構成した請求項３４または３５に記載の薄膜磁気ヘッド用共通ユニット。
- 各々が、前記基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える３つの複合型薄膜磁気ヘッド素子を設け、３つの誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端を６つの接続端子に接続し、３つの磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端を６つの接続端子に接続し、これら１２個の接続端子を、１６本の接続導体より成る第１の導電パターンと、４本の中間導体より成る第２の導電パターンとを含む配線パターンを介して４つの接点パッドに接続し得るように配線パターンを構成し、前記3つの複合薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッドを配設した基体の端面に対して垂直な方向から見て、前記エアベアリング面の中心位置に設けると共にこの中心位置に対して対称な位置に設けて、アップ型およびダウン型のセンターエレメント型スライダおよびアップ型およびダウン型のサイドエレメント型スライダとして共用できるように構成した請求項３４または３５に記載の薄膜磁気ヘッド用共通ユニット。
- 記録媒体の表面と対向するエアベアリング面を有するスライダを構成する基体と、この基体によって支持された少なくも１つの薄膜磁気ヘッド素子と、前記基体の、記録媒体の進行方向に見た一端面に設けられ、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子を外部回路に接続するための少なくとも２つの接点パッドと、前記薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子を第１および第２の導電パターンを介して前記接点パッドに接続する配線パターンとを有する薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
基体によって支持されるように薄膜磁気ヘッド素子を形成する工程と、
前記配線パターンの第１の導電パターンを構成する複数の接続導体および／または中間導体を形成する工程と、
この配線パターンの第１の導電パターンを覆うように絶縁層を形成する工程と、
この絶縁層上に、各々が前記第１の導電パターンを構成する複数の接続導体および／または中間導体と交差する複数の接続導体および／または中間導体を有する第２の導電パターンを形成する工程と、
これら第１および第２の導電パターンの接続導体および／または中間導体の全ての交差箇所の内、製造すべき薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて選択された複数の交差箇所において、第１および第２の導電パターンの接続導体および／または中間導体を、前記絶縁層にあけたコンタクトホールを介して導電的に接続する工程と、
前記基体の、少なくとも前記端面にオーバーコート層を形成する工程と、
前記少なくとも２つの接続部材にそれぞれ接続された少なくとも２つの接点パッドを前記オーバーコート層上に形成する工程と、
を具える薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記配線パターンの第１および第２の導電パターンを、薄膜磁気ヘッドを構成する導電性部材を形成するのと同じ材料でかつ同時に形成する請求項４２に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記配線パターンの第１および第２の導電パターンを導電的に接続する導電部材をも、薄膜磁気ヘッドを構成する導電性部材を形成するのと同じ工程において同じ材料で形成する請求項４３に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記薄膜磁気ヘッドを誘導型薄膜磁気ヘッドとし、前記配線パターンの第１の導電パターンを、前記誘導型薄膜磁気ヘッドの下部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成し、第２の導電パターンを薄膜コイルのコイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成する請求項４３または４４に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記薄膜磁気ヘッドを誘導型薄膜磁気ヘッドとし、前記配線パターンの第１の導電パターンを、前記誘導型薄膜磁気ヘッドの下部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成し、第２の導電パターンを上部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成する請求項４３または４４に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記薄膜磁気ヘッドを誘導型薄膜磁気ヘッドとし、前記配線パターンの第１の導電パターンを、前記誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルの下部コイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成し、第２の導電パターンを薄膜コイルの上部コイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成する請求項４３または４４に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記薄膜磁気ヘッドを誘導型薄膜磁気ヘッドとし、前記配線パターンの第１の導電パターンを、前記誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルのコイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成し、第２の導体パターンを上部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成する請求項４３または４４に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記薄膜磁気ヘッド素子として少なくとも誘導型薄膜磁気ヘッド素子を含むものとし、前記第１の導電パターンと第２の導電パターンとを電気的に接続するために、前記絶縁層に開けられたコンタクトホールを、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の下部磁気ポールと上部磁気ポールとを磁気ギャップとは離れた位置において連結するバックギャップを構成する開口を前記絶縁層に形成する工程と同時に形成する請求項４２〜４８の何れかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報を、外部から見ることができる位置に形成する請求項４２〜４９の何れかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報を、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて選択された複数の交差箇所において第１および第２の導電パターンを導電的に接続する工程中に形成する請求項５０に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報を、読み取り機によって自動的に読み取ることができる形態で形成する請求項５０または５１に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報を、人間が直接認識できる形態で形成する請求項５０または５１に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報を、前記オーバーコート層を形成する前に、オーバーコート層を経て読み取ることができるように形成する請求項５０〜５３の何れかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記配線パターンの第１の導電パターンの接続導体を、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子にそれぞれ固定的に接続されるように形成し、前記第２の導電パターンの接続導体を、前記少なくとも２つの接点パッドにそれぞれ固定的に接続されるように形成する請求項４２〜５４の何れかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記薄膜磁気ヘッド素子を形成する工程が、両端が接続端子に接続された薄膜コイルを有する誘導型薄膜磁気ヘッド素子と、両端が接続端子に接続された磁気抵抗素子を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子とを、前記基体によって積層された状態で支持された複合型薄膜磁気ヘッド素子を形成する工程を含み、
前記配線パターンの第１の導電パターンを形成する工程が、前記複合型薄膜磁気ヘッド素子の４つの接続端子に固定的に接続された４本の接続導体を形成する工程を含み、
前記第２の導電パターンを形成する工程が、４つの接点パッドの内の２つの接点パッドに固定的に接続された２本の接続導体と、残りの２つの接点パッドに導電的に接続された２本の接続導体と交差する延長部を有する２本の中間導体とを形成する工程を含む請求項４２〜５４の何れかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記薄膜磁気ヘッド素子を形成する工程が、両端が接続端子に接続された薄膜コイルを有する誘導型薄膜磁気ヘッド素子と、両端が接続端子に接続された磁気抵抗素子を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子とを、前記基体によって積層された状態で支持された複合型薄膜磁気ヘッド素子を形成する工程を含み、
前記配線パターンの第１の導電パターンを形成する工程が、前記４つの接続端子の内の２つの接続端子に固定的に接続された２本の接続導体と、残りの２つの接続端子に導電的に接続された２本の接続導体と交差する延長部を有する２本の中間導体とを形成する工程を含み、
前記配線パターンの第２の導電パターンを形成する工程が、４つの接点パッドに固定的に接続された４本の接続導体を形成する工程を含む請求項４２〜５４の何れかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記配線パターンの第１の導電パターンを形成する工程が、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子および前記少なくとも２つの接点パッドに接続された少なくとも４本の接続導体を形成する工程を含み、
前記配線パターンの第２の導電パターンを形成する工程が、それぞれが前記第１の導電パターンの全ての接続導体と交差し、前記接点パッドの個数に等しい本数の中間導体を形成する工程を含む請求項４２〜５４の何れかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記薄膜磁気ヘッド素子を形成する工程が、両端が接続端子に接続された薄膜コイルを有する誘導型薄膜磁気ヘッド素子と、両端が接続端子に接続された磁気抵抗素子を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子とを、前記基体によって積層された状態で支持された複合型薄膜磁気ヘッド素子を形成する工程を含み、
前記配線パターンの第１の導電パターンを形成する工程が、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端および前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端に接続された４つの接続端子に接続された４本の接続導体と、４つの接続部材に接続された４本の接続導体とを形成する工程を含み、
前記配線パターンの第２の導電パターンを形成する工程が、それぞれが前記第１の導電パターンの８本の接続導体と交差する４本の中間導体を形成する工程を含み、
前記複合型薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッドを配設した基体の端面に対して垂直な方向から見て、エアベアリング面の中心位置に形成してアップ型およびダウン型のセンターエレメント型スライダとして共用できるように構成した請求項５８に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記薄膜磁気ヘッド素子を形成する工程が、両端が接続端子に接続された薄膜コイルを有する誘導型薄膜磁気ヘッド素子と、両端が接続端子に接続された磁気抵抗素子を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子とを、前記基体によって積層された状態で支持された２つの複合型薄膜磁気ヘッド素子を形成する工程を含み、
前記配線パターンの第１の導電パターンを形成する工程が、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端および前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端に接続された８つの接続端子に接続された８本の接続導体と、４つの接続部材に接続された４本の接続導体とを形成する工程を含み、
前記配線パターンの第２の導電パターンを形成する工程が、それぞれが前記第１の導電パターンの１２本の接続導体と交差する４本の中間導体を形成する工程を含み、
前記２つの複合型薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッドを配設した基体の端面に対して垂直な方向から見て、前記エアベアリング面の中心に対して対称な位置に設けてアップ型およびダウン型のサイドエレメント型スライダとして共用できるように構成した請求項５８に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記薄膜磁気ヘッド素子を形成する工程が、両端が接続端子に接続された薄膜コイルを有する誘導型薄膜磁気ヘッド素子と、両端が接続端子に接続された磁気抵抗素子を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子とを、前記基体によって積層された状態で支持された３つの複合型薄膜磁気ヘッド素子を形成する工程を含み、
前記配線パターンの第１の導電パターンを形成する工程が、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端および前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端に接続された１２個の接続端子に接続された１２本の接続導体と、４つの接続部材に接続された４本の接続導体とを形成する工程を含み、
前記配線パターンの第２の導電パターンを形成する工程が、それぞれが前記第１の導電パターンの１６本の接続導体と交差する４本の中間導体を形成する工程を含み、
前記3つの複合型薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッドを配設した基体の端面に対して垂直な方向から見て、前記エアベアリング面の中心位置に設けると共にこの中心位置に対して対称な位置に設けて、アップ型およびダウン型のセンターエレメント型スライダおよびアップ型およびダウン型のサイドエレメント型スライダとして共用できるように構成した請求項５８に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記配線パターンの第１の導電パターンの接続導体および／または中間導体を互いにほぼ平行に形成し、前記配線パターンの第２の導電パターンの接続導体および／または中間導体を互いにほぼ平行で、かつ前記第１の導電パターンの接続導体および／または中間導体とほぼ直交させるように形成する請求項４２〜６１の何れかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 記録媒体の表面と対向するエアベアリング面を有するスライダを構成する基体と、この基体によって支持された少なくも１つの薄膜磁気ヘッド素子と、それぞれが前記基体側から見て絶縁層を介して異なるレベルにおいて延在するとともに互いに交差する複数の接続導体および／または中間導体を含み、それぞれ前記薄膜磁気ヘッドの少なくとも２つの接続端子に直接または他の導電パターンを経て導電的に接続されると共に、前記基体の、記録媒体の進行方向に見た一端面に設けられ、前記薄膜磁気ヘッド素子の第１および第２の接続端子を外部回路に接続するための複数の接点パッドに直接または他の導電パターンを経て導電的に接続される第１および第２の導電パターンを有する配線パターンとを具える薄膜磁気ヘッド製造用中間ユニットを予め製造してストックしておく工程と、
前記配線パターンの第１および第２の導電パターンの交差箇所の内、薄膜磁気ヘッドの仕様によって決まる複数の交差箇所において、第１および第２の導電パターンを導電的に接続する工程と、
を具える薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記配線パターンの第１および第２の導電パターンの交差箇所の内、薄膜磁気ヘッドの仕様によって決まる複数の交差箇所において、第１および第２の導電パターンを導電的に接続する工程中に、薄膜磁気ヘッドのタイプを表す情報を形成する請求項６３に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記配線パターンの第１および第２の導電パターンを導電的に接続する工程が、これら第１および第２の導電パターンの交差箇所の全てにおいて前記絶縁層に形成されたコンタクトホールの内、薄膜磁気ヘッドの仕様によって決まる複数のコンタクトホールにおいて、第１および第２の導電パターンを連結導体によって導電的に接続する工程を含む請求項６３または６４に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記配線パターンの第１および第２の導電パターンを導電的に接続する工程が、これら第１および第２の導電パターンの交差箇所の全てにおいて、第１の導電パターンの上側表面から第２の導電パターンの上側表面のレベルまで延在するように前記絶縁層に形成されたコンタクトホール内に形成された連結プラグの内、薄膜磁気ヘッドの仕様によって決まる複数の交差箇所の各々において、連結プラグと第２の導電パターンとの間を接続する連結パッチを形成する工程を含む請求項６３または６４に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記配線パターンの第１および第２の導電パターンを導電的に接続する工程が、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じた交差箇所において、前記第１の導電パターンに達する複数のコンタクトホールを前記絶縁層に形成する工程と、これらのコンタクトホールを介して第２の導電パターンを第１の導電パターンに接続する工程とを含む請求項６３または６４に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記薄膜磁気ヘッド素子が少なくとも誘導型薄膜磁気ヘッド素子を具え、前記絶縁層に形成されるコンタクトホールを、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子のバックギャップを構成する開口を形成するのと同時に形成する請求項６７に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000192410A JP3756729B2 (ja) | 1999-07-16 | 2000-06-27 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US09/610,880 US6671134B1 (en) | 1999-07-16 | 2000-07-06 | Thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20381799 | 1999-07-16 | ||
| JP11-203817 | 1999-07-16 | ||
| JP2000192410A JP3756729B2 (ja) | 1999-07-16 | 2000-06-27 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001093116A JP2001093116A (ja) | 2001-04-06 |
| JP3756729B2 true JP3756729B2 (ja) | 2006-03-15 |
Family
ID=26514132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000192410A Expired - Fee Related JP3756729B2 (ja) | 1999-07-16 | 2000-06-27 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6671134B1 (ja) |
| JP (1) | JP3756729B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7149061B2 (en) * | 2001-07-31 | 2006-12-12 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head with electro-lapping guide |
| US7064928B2 (en) * | 2002-10-11 | 2006-06-20 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Method and apparatus for providing an additional ground pad and electrical connection for grounding a magnetic recording head |
| US7535676B2 (en) * | 2004-08-26 | 2009-05-19 | Hitachi Global Storage Technologies B.V. | Slider with bonding pads opposite the air bearing surface |
| US20080218900A1 (en) * | 2007-03-09 | 2008-09-11 | Tdk Corporation | Multi-channel thin-film magnetic head and magnetic tape drive apparatus with the multi-channel thin-film magnetic head |
| JP2010092571A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Toshiba Storage Device Corp | 磁気ディスク装置および磁気記録に用いるスライダ |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2915866A (en) | 1958-05-12 | 1959-12-08 | Lynch Corp | Product settling means for draw type wrapping machine |
| US3070931A (en) | 1961-01-10 | 1963-01-01 | Gen Packaging Equip Co | Packaging machine |
| JPH0731362Y2 (ja) * | 1988-06-03 | 1995-07-19 | アルプス電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッドおよび浮動式磁気ヘッド |
| US5218497A (en) * | 1988-12-02 | 1993-06-08 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording-reproducing apparatus and magnetoresistive head having two or more magnetoresistive films for use therewith |
| US5486968A (en) * | 1993-11-10 | 1996-01-23 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for simultaneous write head planarization and lead routing |
| AUPM374694A0 (en) | 1994-02-08 | 1994-03-03 | Taylor, Alfred Alexander | A packaging machine |
| US5808834A (en) * | 1995-06-07 | 1998-09-15 | Hutchinson Technology Incorporated | Laminated adapter |
| US5796549A (en) * | 1996-07-03 | 1998-08-18 | Seagate Technology, Inc. | Universal bond pad configuration |
| US5821494A (en) * | 1996-09-27 | 1998-10-13 | International Business Machines Corporation | Method of electrical connection between head transducer and suspension by solder wire bumping at slider level and laser reflow |
| JPH10228607A (ja) * | 1997-02-14 | 1998-08-25 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘッドとその製造方法及び磁気記憶装置 |
| US5798890A (en) * | 1997-03-05 | 1998-08-25 | International Business Machines Corporation | Disk drive with identical three-element, side-by-side heads on opposite disk surfaces |
| JP2000113414A (ja) * | 1998-10-02 | 2000-04-21 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッド用素材およびその製造方法 |
| US6317288B1 (en) * | 1998-08-28 | 2001-11-13 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head and method of manufacturing same |
| JP3499458B2 (ja) * | 1998-12-09 | 2004-02-23 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ならびに薄膜コイルの形成方法 |
| US6324036B1 (en) * | 1999-05-26 | 2001-11-27 | International Business Machines Corporation | Combination inductive write head and magnetoresistive (MR) read head with improved topography |
-
2000
- 2000-06-27 JP JP2000192410A patent/JP3756729B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-07-06 US US09/610,880 patent/US6671134B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6671134B1 (en) | 2003-12-30 |
| JP2001093116A (ja) | 2001-04-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040610 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040629 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040830 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041214 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050207 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051129 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051222 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |