JP2001093116A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 センターエレメント型、サイドエレメント
型、アップ型、ダウン型などの仕様に応じた薄膜磁気ヘ
ッドを、製造工程を共通化して迅速にかつ低コストで製
造できる構造を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法を提供する。 【解決手段】 スライダの中央と両端に3つの薄膜磁気
ヘッド素子111〜113を形成し、これらの薄膜磁気
ヘッド素子を第1〜第4の接点パッド141〜144に
選択的に接続する配線パターンを、複数の接続導体12
1〜124、131〜134、161〜164が交差す
るような多層構造に形成し、薄膜磁気ヘッドの仕様に応
じた所定の交差箇所において、下層の接続導体と上層の
接続導体とを導電的に連結して、センターエレメント型
のアップ型およびダウン型、サイドエレメント型のアッ
プ型およびダウン型の4種類の薄膜磁気ヘッドのそれぞ
れに対して、薄膜コイルの接続に関してノーマルタイプ
およびクロスタイプのものを選択的に製造する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、書き込み用の誘導
型薄膜磁気ヘッドおよび読み取り用の磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッドの少なくとも一方を含む磁気ヘッドおよび
その製造方法に関するもので、特に書き込み用の誘導型
薄膜磁気ヘッドと、読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドとを積層した状態で基体により支持した複合型
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴い、複合型薄膜磁気ヘッドについてもその性
能向上が求められている。
【0003】複合型薄膜磁気ヘッドとして、書き込みを
目的とする誘導型の薄膜磁気ヘッドと、読み出しを目的
とする磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドとを、基体上に
積層した構造を有するものが提案され、実用化されてい
る。読み取り用の磁気抵抗素子としては、通常の異方性
磁気抵抗(AMR:Anisotropic Magneto Resistive)効果を
用いたものが従来一般に使用されてきたが、これよりも
抵抗変化率が数倍も大きな巨大磁気抵抗(GMR:Giant Ma
gneto Resistive)効果を用いたものも開発されている。
本明細書では、これら AMR素子および GMR素子などを総
称して磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドまたは簡単にMR再
生素子と称することにする。
【0004】AMR素子を使用することにより、数ギガビ
ット/インチ2 の面記録密度を実現することができ、ま
た GMR素子を使用することにより、さらに面記録密度を
上げることができる。このように面記録密度を高くする
ことによって、10Gバイト以上の大容量のハードディス
ク装置の実現が可能となってきている。
【0005】このような磁気抵抗再生素子よりなる再生
ヘッドの性能を決定する要因の一つとして、磁気抵抗再
生素子の高さ(MR Height:MRハイト) がある。このMRハ
イトは、端面がエアベアリング面に露出する磁気抵抗再
生素子の、エアベアリング面から測った距離であり、薄
膜磁気ヘッドの製造過程においては、エアベアリング面
を研磨して形成する際の研磨量を制御することによって
所望のMRハイトを得るようにしている。
【0006】一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記
録ヘッドの性能向上も求められている。面記録密度を上
げるには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる
必要がある。このためには、エアベアリング面における
ライトギャップ(write gap)の幅を数ミクロンからサブ
ミクロンオーダーまで狭くする必要があり、これを達成
するために半導体加工技術が利用されている。
【0007】書き込み用薄膜磁気ヘッドの性能を決定す
る要因の一つとして、スロートハイト(Throat Height
: TH) がある。このスロートハイトは、エアベアリン
グ面から薄膜コイルを電気的に分離する絶縁層のエッジ
までの磁極部分の距離であり、この距離をできるだけ短
くすることが望まれている。このスロートハイトの縮小
化もまた、エアベアリング面からの研磨量で決定され
る。
【0008】したがって、書き込み用の誘導型薄膜磁気
ヘッドと、読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
とを積層した複合型薄膜磁気ヘッドの性能を向上させる
ためには、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドと、読み
取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドをバランス良く
形成することが重要である。
【0009】図1〜6に、従来の標準的な薄膜磁気ヘッ
ドの製造要領を工程順に示し、各図においてAはエアベ
アリング面に垂直な断面図、Bは磁極部分をエアベアリ
ング面に平行に切った断面図である。また図7は従来の
薄膜磁気ヘッド全体の平面図である。なおこの例で、薄
膜磁気ヘッドは、誘導型の書込用薄膜磁気ヘッドおよび
読取用のMR再生素子を積層した複合型のものである。
【0010】まず、図1に示すように、例えばアルティ
ック(AlTiC) からなる基体1の上に例えばアルミナ(Al
2O3) からなる絶縁層2を約5〜10μm の厚みに堆積
する。次いで、再生ヘッドのMR再生素子を外部磁界の影
響から保護するための一方の磁気シールドを構成する第
1の磁性層3を3μm の厚みで形成する。
【0011】その後、図2に示すように、一方のシール
ドギャップ層を構成する絶縁層4として、アルミナを 1
00〜150 nmの厚みでスパッタ堆積させた後、MR再生素子
を構成する磁気抵抗効果を有する材料よりなる磁気抵抗
層5を10nm以下の厚みに形成し、高精度のマスクアラ
イメントで所望の形状とする。続いて、他方のシールド
ギャップ層を構成する絶縁層6を形成して、磁気抵抗層
5をこれらの絶縁層4、6によって構成されるシールド
ギャップ層内に埋設する。
【0012】次に、図3に示すように、パーマロイより
なる第2の磁性層7を3μm の膜厚に形成する。この第
2の磁性層7は、上述した第1の磁性層3と共にMR再生
素子を磁気遮蔽する他方のシールドとしての機能を有す
るだけでなく、書き込み用薄膜磁気ヘッドの一方のポー
ルとしての機能をも有するものである。
【0013】次いで、第2の磁性層7の上に、非磁性材
料、例えばアルミナよりなるライトギャップ層8を約2
00nmの膜厚に形成した後、例えばパーマロイ(Ni:
50wt%、Fe:50wt%)や窒化鉄(FeN)のような高飽和磁
束密度材料からなる磁性層を形成し、高精度のマスクア
ライメントで所望の形状としてポールチップ9を形成す
る。このポールチップ9の幅Wでトラック幅が規定され
る。したがって、このポールチップ9の幅Wを狭くする
ことが高い面記録密度を実現するためには必要である。
この際、第2の磁性層7と、他方のポールを構成する第
3の磁性層を接続するためのダミーパターン9′を同時
に形成すると、機械的研磨または化学機械的研磨(Chem
ical Mechanical Polishing :CMP)後に、スルーホール
を容易に開口することができる。
【0014】そして、実効書込トラック幅の広がりを防
止するため、すなわちデータの書込時に、一方のポール
において磁束が広がるのを防止するために、ポールチッ
プ9をマスクとしてその周囲のギャップ層8と、他方の
ポールを構成する第2の磁性層7をイオンミリング等の
イオンビームエッチングにてエッチングする。この構造
をトリム(Trim)といい、この部分が第2の磁性層の磁
極部分となる。
【0015】次に、図4に示すように、第2の磁性層7
の表面の一部分に凹部を形成した後、絶縁層である例え
ばアルミナ膜10をおよそ3μm の厚みに形成後、その
上に、例えば銅よりなる第1層目の薄膜コイル11を形
成し、絶縁性のフォトレジスト層12を形成後、表面を
平坦にするため、例えば 250〜300 ℃の温度でリフロー
させる。
【0016】さらに、このフォトレジスト層12の平坦
化された表面の上に、第2層目の薄膜コイル13を形成
する。勿論この第2層目の薄膜コイル13は第1層目の
薄膜コイル11と接続され、全体として一つの薄膜コイ
ルを構成するようにしているが、これらの薄膜コイルを
接続する部分は図面には示していない。次いで、この第
2層目の薄膜コイル13の上に高精度マスクアライメン
トでフォトレジスト層14を形成した後、再度表面を平
坦化するために、例えば 250°Cでリフローする。上述
したように、フォトレジスト層12および14を高精度
のマスクアライメントで形成する理由は、フォトレジス
ト層の磁極部分側の端縁を基準位置としてスロートハイ
トやMRハイトを規定しているためである。
【0017】次に、ポールチップ9およびフォトレジス
ト層12および14の上に、他方のポールを構成する第
3の磁性層15を、例えばパーマロイにより、3μm の
厚みで所望のパターンに従って選択的に形成する。この
第3の磁性層15は、磁極部分から離れた後方位置にお
いて、ダミーパターン9′を介して第2の磁性層7と接
触し、第2の磁性層、ポールチップ、第3の磁性層によ
って構成される閉磁路を薄膜コイル11、13が通り抜
ける構造になっている。
【0018】さらに、図6に示すように、第3の磁性層
16の露出表面の上にアルミナよりなるオーバーコート
層16を堆積した後、基板をカットし、磁気抵抗層5や
ギャップ層8を形成した側面を研磨して、磁気記録媒体
と対向するエアベアリング面(Air Bearing Surface:AB
S)17を形成する。このエアベアリング面17の形成過
程において磁気抵抗層5も研磨され、MR再生素子18が
得られる。このようにして上述したスロートハイトTH
およびMRハイトMRHが決定される。実際の薄膜磁気
ヘッドにおいては、薄膜コイル11、13およびMR再生
素子18に対する電気的接続を行なうためのパッドが形
成されているが、これについては後に説明する。
【0019】図6に示したように、薄膜コイル11、1
3を絶縁分離するフォトレジスト層12、14の側面の
角部を結ぶ線分Sと第3の磁性層15の上面との成す角
度θ(ApexAngle :アペックスアングル) も、上述した
スロートハイトTHおよびMRハイトMRHと共に、薄
膜磁気ヘッドの性能を決定する重要なファクタとなって
いる。
【0020】また、図7に平面で示すように、ポールチ
ップ9および第3の磁性層15の磁極部分19の幅Wは
狭くなっており、この幅によって磁気記録媒体に記録さ
れるトラックの幅が規定されるので、高い面記録密度を
実現するためには、この幅Wをできるだけ狭くする必要
がある。なお、この図では、図面を簡単にするため、薄
膜コイル11、13は同心円状に示してある。
【0021】上述した複合型薄膜磁気ヘッドはハードデ
ィスクデバイスに用いられており、ヘッドと記録媒体の
表面とが接触して磨耗するのを防止するためにはヘッド
は記録媒体面から離間させる必要があると共に記録密度
を上げるためにはヘッドと記録媒体とをできるだけ接近
させる必要がある。このような相反する問題を解決する
ために、ヘッドの記録媒体面と対向する面を上述したよ
うにエアベアリング面17として形成し、記録媒体の回
転によってこれらの間に数十ナノミクロンのきわめて薄
い空気層を形成するようにしている。また、この空気層
を安定に形成するために一般にエアベアリング面17に
は所定のパターンにしたがって凸部が形成されている。
【0022】図8は、上述したエアベアリング面17を
示す平面図である。この平面図において、寸法AはAl
TiC基板1の厚さに等しいものである。また、矢印B
は、記録媒体の回転方向を示している。このエアベアリ
ング面18には、安定した空気層を形成するために凸部
20が形成されている。図面を明瞭とするために、この
凸部20以外の部分、すなわち凹んだ部分はハッチング
を付けて示してある。このように薄膜磁気ヘッドが組み
込まれ、エアベアリング面17に凸部20が形成された
基体全体は、一般にスライダと呼ばれている。
【0023】図9は、上述したスライダの、薄膜磁気ヘ
ッドを組み込んだ側の側面を示すものである。上述した
ように複合型薄膜磁気ヘッドには、書き込み用の誘導型
薄膜磁気ヘッドと、読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドとが積層された状態で設けられているが、誘導
型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイル11、13を記録回路に
接続するための2つの接点パッド21および22(W1
およびW2)と、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの磁気
抵抗素子18の両端を読取回路に接続するための2つの
接点パッド23および24(R1およびR2)とが設け
られている。
【0024】上述した複合型薄膜磁気ヘッドを含むスラ
イダを実際のハードディスクデバイスに組み込む場合に
は、図10に示すように、ステンレス箔のような弾性箔
によって形成されたサスペンション26の先端に形成さ
れたフレクシャ部27にスライダ28を例えば接着剤で
固定している。このフレクシャ部27の先端付近には4
つの中継用接点パッド31〜34が形成されており、こ
れらの中継用接点パットとスライダ28に形成した接点
パッド22〜25とを、一般にアップルボンドと呼ばれ
ているコンタクトチップを介して接続するようにしてい
る。
【0025】図10に示すように、サスペンション26
のフレクシャ部27に設けた中継用接点パッド31〜3
4は、それぞれ配線パターン35〜38を介してサスペ
ンションのマウントプレート39の近傍において、外部
の書込回路および読取回路に接続するための外部接続用
接点パッド41〜44にそれぞれ接続されている。配線
パターン35〜38を交差させないようにするために、
スライダ28の中継用接点パッド35〜38の配列順番
と、外部接続用接点パッド40〜43の配列順番とは異
なっている。
【0026】
【発明が解決しようとする課題】上述したように複合型
薄膜磁気ヘッドを形成するプロセスは、ホトマスク工
程、鍍金パターン工程、スパッタ工程、エッチング工
程、イオンミリング工程、CMPのような平坦化工程な
どのプロセスが含まれている。磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドの磁気抵抗素子18のトラック巾や膜厚、誘導型
薄膜磁気ヘッドの磁極部分19の巾によって規定される
トラック巾を変えることによって複合型薄膜磁気ヘッド
の性能や特性を変えることができる。一方、複合型薄膜
磁気ヘッドを適用するハードディスクデバイスの多様化
に伴って種々の特性をする複合型薄膜磁気ヘッドが要求
されるようになってきている。このような顧客対応の複
合型薄膜磁気ヘッドを製造するに当たっては、予め決め
られたトラック巾に適合するように磁気抵抗層5やポー
ルチップ9を形成したり、所望のスロートハイトTHや
MRハイトMRHが得られるようにエアベアリング面1
7の研磨を行なっている。このように顧客の要求に応じ
た特性や性能を有する複合型薄膜磁気ヘッドを得るため
には、製造プロセス中の種々のパラメータを変更して対
応している。したがって、顧客が要求する特性や性能を
有する薄膜磁気ヘッドを納入するには相当の日数が掛か
ってしまう。
【0027】さらに、顧客の要求は上述したように製造
プロセスで決定される性能や特性だけではなく、ハード
ディスクの記録面上をフライングさせるスライダ28の
構造についても多様な要求が課されるようになってきて
いる。例えば、薄膜磁気ヘッドを形成したスライダにお
いて、図9に示すように記録媒体の進行方向に見て中央
位置にヘッドを形成したセンターエレメント型スライダ
だけでなく、図11に示すようにヘッドを何れか一方の
側方に設けたサイドエレメント型スライダも要求されて
いる。
【0028】このように薄膜磁気ヘッドをセンターに形
成したセンターエレメント型スライダや、薄膜磁気ヘッ
ドを側方に形成したサイドエレメント型スライダは勿論
同じプロセスで形成することはできず、上述したように
顧客の要求する性能や特性を有する所望のタイプのスラ
イダを納入するまでにはさらに多くの日数が掛かるとい
う問題がある。
【0029】さらに、ハードディスクデバイスの大容量
化に伴い、ハードディスクを2枚、3枚、4枚と重ねて
使用するようになってきている。そのため、ハードディ
スクの表裏両面にヘッドが配置されるようになってきて
いる。したがって、薄膜磁気ヘッドを形成したスライダ
においても、ハードディスクの上面に配置されるアップ
型スライダと、下面に配置されるダウン型スライダとが
使用されている。上述した図9に示したスライダはセン
タエレメント型でアップ型のものであり、第11図に示
したスライダはサイドエレメント型のアップ型スライダ
であり、これらのアップ型では、ハードディスクはスラ
イダの下方に配置されるものである。ここで、ハードデ
ィスクは水平に配置されるものとしたが、垂直に配置さ
れる場合もあり、この場合にはハードディスクの左右両
側にスライダが配置されることになるが、ここでは説明
の便宜上、アップ型スライダおよびダウン型スライダと
称することにする。
【0030】上述した納入日数の短縮を図るにはスライ
ダの共用が必要であるが、サイドエレメント型スライダ
においては、アップ型のものをダウン型として使用しよ
うとすると、薄膜磁気ヘッドの位置がずれてしまう(例
えばアップ型では左側にヘッドがあれば、ダウン型では
ヘッドは右側となる)ので、これらを共用することはで
きない。センターエレメント型スライダにおいては、上
述したようなヘッド位置のずれはないが、接点パッドの
位置関係が問題となる。
【0031】例えば、図9に示すアップ型のスライダに
おいては、左側の2つの接点パッド21および22は、
書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイル11、
13の両端に接続されており、右側の2つの接点パッド
23および24は読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドの磁気抵抗素子18の両端に接続されており、こ
れらの接点パッドはサスペンション26のフレクシャ部
27に形成した中継用接点パッド31〜34にそれぞれ
接続されることになる。一方、このようなスライダをそ
のままダウン型のスライダとして用いると、図12に示
すように、薄膜コイル11、13に接続された2つの接
点パッド21および22は右側の2つの接点パッドとな
り、磁気抵抗素子18に接続された2つの接点パッド2
3および24は右側の2つの接点パッドとなる。
【0032】一方、スライダを支持するサスペンション
26に設けられた外部接続用接点パッド41〜44は、
アップ型であってもダウン型であってもデバイスに組み
込んだときは同じ側に来るように設けられている。した
がって、アップ型では、外部接続用接点パッド41およ
び42にそれぞれ接続された中継用接点パッド31およ
び32に、磁気抵抗素子18に接続された接点パッド2
3および24が接続され、外部接続用接点パッド43お
よび44にそれぞれ接続された中継用接点パッド33お
よび34に、薄膜コイル11、13に接続された接点パ
ッド22および21がそれぞれ接続されることになる。
すなわち、磁気抵抗素子18はマウントプレート39に
近い外部接続用接点パッド41および42に接続され、
薄膜コイル11、13はマウントプレートから遠い外部
接続用接点パッド43および44に接続されることにな
る。
【0033】一方、ダウン型では、外部接続用接点パッ
ド41および42にそれぞれ接続された中継用接点パッ
ド34および33に、薄膜コイル11、13に接続された
接点パッド21および22が接続され、外部接続用接点
パッド43および44にそれぞれ接続された中継用接点
パッド32および31に、磁気抵抗素子18に接続され
た接点パッド23および24がそれぞれ接続されること
になる。すなわち、上述したアップ型の場合とは相違し
て、薄膜コイル11、13がマウントプレート39に近
い外部接続用接点パッド43および44に接続され、磁
気抵抗素子18がマウントプレートから遠い外部接続用
接点パッド41および42に接続されることになる。
【0034】上述したように、従来のセンターエレメン
ト型スライダをアップ型とダウン型の両方に共用しよう
とする場合には、スライダを支持するサスペンション2
6のマウントプレート39の近傍に設けた外部接続用接
点パッド41〜44に接続される薄膜コイル11、13
と、磁気抵抗素子19の位置関係が逆転することにな
る。すなわち、アップ型の場合には、マウントプレート
39に近い内側の2つの外部接続用接点パッド41およ
び42を書込回路に接続すると共に遠い方の2つの外部
接続用接点パッド43および44を読取回路に接続し、
ダウン型の場合には、マウントプレート39に近い内側
の2つの外部接続用接点パッド41および42を読取回
路に接続すると共に遠い方の2つの外部接続用接点パッ
ド43および44を書込回路に接続する必要がある。
【0035】ハードディスクデバイスを組み立てるに当
たって、このようにスライダ28を装着したサスペンシ
ョン26に設けた外部接続用接点パッド41〜44と書
込回路および読取回路との接続を、アップ型とダウン型
で反転しなければならないのはきわめて不都合である。
したがって、ハードディスクデバイスの組み立てメーカ
ーは、アップ型でもダウン型でも同じような接続ができ
るスライダを要求している。このため、従来の複合型薄
膜磁気ヘッドでは、たとえセンターエレメント型スライ
ダであってもアップ型とダウン型では構造を変えてお
り、この点も納入日数が長くなる原因の一つとなってい
る。
【0036】また、誘導型薄膜磁気ヘッドにおいては、
薄膜コイル11、13に流す電流の方向が顧客によって
またはヘッドタイプによって指定される場合もある。す
なわち、ある場合には、薄膜コイルの外側から内側に向
けて電流が流れるようにし、他の場合には内側から外側
に向けて電流が流れるように要求されることがある。こ
のような場合には、たとえ同じアップ型またはダウン型
であっても、上述した外部接続用接点パッドと書込回路
との接続の態様を変えない限り同じスライダを共通に使
用することはできない。
【0037】さらに、記録媒体での面記録密度を向上す
るために、通常のAMR素子の代わりにGMR素子を設
けたものが提案されている。AMR素子ではこれを読取
回路に接続するに際して極性を考慮する必要はないが、
GMR素子では、読取回路との接続の極性が指定される
ので、GMR素子を含むアップ型のスライダと、ダウン
型のスライダとを共用することはできない。
【0038】上述したように、従来の薄膜磁気ヘッド、
特に複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、薄膜磁気ヘッド
の特性や性能に対する要求の外に、センターエレメント
型スライダとするかサイドエレメント型スライダとする
か、さらにはアップ型とするかダウン型とするかに応じ
てそれぞれ異なる構造を有するスライダを別個に製造し
なければならなかった。1つのタイプの薄膜磁気ヘッド
を製造するには通常20〜30程度のマスクが必要であ
るので、製造すべきタイプが多くなればそれだけマスク
の数も多く必要となり、それだけ製造コストが上昇して
しまうという問題があった。
【0039】実際の製造現場では、ある程度顧客の要求
を予測し、予め幾つかのタイプの薄膜磁気ヘッドを製造
してストックしているが、顧客の仕様が変更になったと
きには予測して製造したものでは対応できず、新たに製
造しなければならないので納入日数が長くなり、顧客の
納入期限を守ることは非常に困難であった。無理に平均
サイクルタイムを無視した最速ロットの流動は、製造ラ
インのバランスを崩すことになると共に量産キャパシテ
ィの妨げとなるという問題も発生する。
【0040】また、予測が大きく外れる場合には、未納
在庫となるが、ハードディスクデバイスのモデルチェン
ジは急速な勢いで行なわれており、数カ月間に亘る長期
間の未納在庫は不良在庫と同様なものとなってしまう可
能性が高く、この点でも製造コストの上昇を招くという
問題がある。
【0041】上述した種々の問題を解決するために、例
えば特開平11−149622号公報には、例えばサイ
ドエレメントタイプの複合型薄膜磁気ヘッドの要素を構
成するときに、複数の補助引き出し線を形成しておき、
MR素子および薄膜コイルに接続された複数の接続端子
と補助引き出し線との間を、ヘッドの仕様に応じて複数
の素子引き出し線で接続するようにした薄膜磁気ヘッド
およびその製造方法が開示されている。この従来技術で
は、複数の補助引き出し線と接点パッドあるいはそれに
接続される接続部材との間は、ヘッドの仕様に拘らず固
定的に接続されており、この接続関係を変えることはで
きない。
【0042】また、上述した従来技術では、補助引き出
し線と接続端子との間を接続する素子引き出し線を形成
する工程は独立した工程または接点パッドあるいはこれ
に接続された接続部材を形成する工程と同時に形成する
ものであり、薄膜磁気ヘッドの構成要素を形成する工程
と同時に、構成要素と同じ材料で形成することはできな
い。したがって、それだけフォトリソグラフで使用する
ホトマスクの枚数が増大するという問題もある。
【0043】さらに、上述した従来技術では、製造した
薄膜磁気ヘッドがどのタイプのものであるのかを示す情
報を薄膜磁気ヘッドに記録することについては何ら開示
されておらず、顧客から注文されたタイプの薄膜磁気ヘ
ッドを間違いなく納入されたかどうかを容易には確認す
ることができず、さらに顧客は納入された薄膜磁気ヘッ
ドを、例えばハードディスクに組み込む場合に、そのタ
イプを確認することができず、混乱が生ずる恐れがあ
る。
【0044】また、上述した従来技術では、サイドエレ
メント型スライダとしてアップ型とダウン型とを選択的
に製造することはできるが、センターエレメント型スラ
イダのアップ型およびダウン型を選択的に製造すること
や、サイドエレメント型スライダ或いはセンターエレメ
ント型スライダのアップ型とダウン型とを選択的に製造
することについては何ら開示されていない。
【0045】本発明の目的は、アップ型およびダウン型
のスライダとして共通に使用できるように、薄膜磁気ヘ
ッドと接点パッドとの間を薄膜磁気ヘッドの仕様に応じ
て任意に接続することができ、したがって大部分の構成
を異なる形式のスライダに共通に使用することができ、
その結果として納入日数を短縮することができると共に
価格を低減することができる薄膜磁気ヘッド、特に複合
型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供しようとす
るものである。
【0046】本発明の他の目的は、アップ型およびダウ
ン型として共通に使用できるだけでなく、センターエレ
メント型スライダおよびサイドエレメント型スライダと
しても共通に使用することができるように、薄膜磁気ヘ
ッドと接点パッドとの間を薄膜磁気ヘッドの仕様に応じ
て任意に接続することができ、したがって大部分の構成
を異なる形式のスライダに共通に使用することができ、
その結果として納入日数をさらに短縮することができる
と共に価格をさらに低減することができる薄膜磁気ヘッ
ド、特に複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提
供しようとするものである。
【0047】本発明のさらに他の目的は、薄膜磁気ヘッ
ドの薄膜コイルおよび/またはMR素子と、接点パッド
との間を薄膜磁気ヘッドのタイプに応じて選択的に接続
するための接続導体を、薄膜磁気ヘッドの構成要素を形
成する工程で、構成要素と同じ材料で形成することによ
り、フォトマスクの枚数を減らすことができるようにし
た薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供しようとす
るものである。
【0048】本発明のさらに他の目的は、製造された薄
膜磁気ヘッドのタイプを容易に確認することができるよ
うに構成した薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供
しようとするものである。
【0049】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、記録媒体の表面と対向するエアベアリング面を有す
るスライダを構成する基体と、この基体によって支持さ
れた少なくも1つの薄膜磁気ヘッド素子と、前記基体
の、記録媒体の進行方向に見た一端面に設けられ、前記
少なくとも1つの薄膜磁気ヘッド素子の第1および第2
の接続端子を外部回路に接続するための少なくとも2つ
の接点パッドと、前記薄膜磁気ヘッド素子の第1および
第2の接続端子と前記少なくとも2つの接点パッドとの
間を、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じた任意の位置関係で
電気的に接続するように配設された配線パターンと、を
具えるものである。
【0050】さらに、本発明による薄膜磁気ヘッドにお
いては、前記配線パターンに、それぞれが前記基体側か
ら見て絶縁層を介して異なるレベルにおいて延在すると
ともに互いに交差する複数の接続導体を含み、それぞれ
前記薄膜磁気ヘッドの少なくとも2つの接続端子および
前記少なくとも2つの接点パッドに直接または他の導電
パターンを経て導電的に接続された第1および第2の導
電パターンと、これら第1および第2の導電パターンの
接続導体の複数の交差箇所から薄膜磁気ヘッドの仕様に
応じて選択された複数の交差箇所において前記絶縁層に
あけたコンタクトホールを介して異なるレベルの接続導
体を導電的に接続する連結導体とを設けるのが好適であ
る。また、本発明による薄膜磁気ヘッドを実施するに当
たっては、前記配線パターンを、薄膜磁気ヘッド素子を
構成する導電性部材と同じ材料でかつ同時に形成される
導電性部材で構成するのが好適である。
【0051】本発明による薄膜磁気ヘッドにおいては、
薄膜磁気ヘッドを誘導型薄膜磁気ヘッドとし、前記配線
パターンの第1および第2の導電パターンの内、基体に
近い側の第1の導電パターンを、前記誘導型薄膜磁気ヘ
ッドの下部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成し、
基体から遠い第2の導電パターンを薄膜コイルのコイル
巻回体と同じ材料でかつ同時に形成したり、基体に近い
側の第1の導電パターンを、下部磁気ポールと同じ材料
でかつ同時に形成し、基体から遠い第2の導電パターン
を上部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成したり、
基体に近い側の第1の導電パターンを、薄膜コイルの下
部コイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成し、基体か
ら遠い第2の導電パターンを薄膜コイルの上部コイル巻
回体と同じ材料でかつ同時に形成したり、基体に近い側
の第1の導電パターンを、薄膜コイルのコイル巻回体と
同じ材料でかつ同時に形成し、基体から遠い第2の導体
パターンを上部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成
したりすることができる。このように、配線パターンの
第1および第2の導電パターンを、薄膜磁気ヘッドの構
成要素と同時に形成するので、配線パターンを製造する
ために特別なフォトマスクを必要とせず、全体としてフ
ォトマスクの枚数を少なくすることができる。
【0052】さらに薄膜磁気ヘッド素子として少なくと
も誘導型薄膜磁気ヘッド素子を含む本発明による薄膜磁
気ヘッドの実施例においては、第1の導電パターンの接
続導体と、第2の導電パターンの接続導体とを電気的に
接続するために、前記絶縁層に開けられたコンタクトホ
ールを、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の下部磁気ポー
ルと上部磁気ポールとを磁気ギャップとは離れた位置に
おいて連結するバックギャップを構成する開口を前記絶
縁層に形成する工程と同時に形成するのが好適である。
この場合にも、フォトマスクの枚数を少なくすることが
できる。
【0053】本発明による薄膜磁気ヘッドにおいては,
前記薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報を、外部から見る
ことができる位置に形成するのが好適である。このよう
な情報は、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて選択された複
数の交差箇所において異なるレベルの接続導体を導電的
に接続する工程中に形成するのが好適である。この場合
には、薄膜磁気ヘッドの仕様を決定するフォトマスクに
その仕様に対応した情報を記録しておくことができるの
で、製造された薄膜磁気ヘッドの仕様と、その仕様を表
す情報とは常に一対一に対応したものとなり、ミスを防
ぐことができる。さらに、薄膜磁気ヘッドの仕様を表す
情報は、読み取り機によって自動的に読み取ることがで
きる形態で形成したり、人間が直接認識できる形態で形
成したりすることができる。
【0054】本発明による薄膜磁気ヘッドを実施するに
当たっては、幾つかの基本的な構成があるが、第1の基
本的構成においては、前記配線パターンの第1の導電パ
ターンの接続導体を、前記少なくとも1つの薄膜磁気ヘ
ッド素子の第1および第2の接続端子にそれぞれ固定的
に接続し、前記第2の導電パターンの接続導体を、前記
少なくとも2つの接点パッドにそれぞれ固定的に接続す
る。ここで、固定的に接続するということは、直接接続
する場合と、中間の導体を介して接続する場合を含むも
のであり、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて選択的に接続
されるものではないことを意味している。
【0055】この第1の基本構成の場合、前記配線パタ
ーンの第1の導電パターンの接続導体を、前記少なくと
も1つの薄膜磁気ヘッド素子の第1および第2の接続端
子にそれぞれ直接接続し、前記第2の導電パターンの接
続導体を、前記少なくとも2つの接点パッドにそれぞれ
直接接続したり、前記配線パターンの第1および第2の
導電パターンの一方の接続導体を、前記少なくとも1つ
の薄膜磁気ヘッド素子の第1および第2の接続端子にそ
れぞれ直接接続し、他方の導電パターンの接続導体を、
前記少なくとも2つの接点パッドにそれぞれ直接接続さ
れ、この導電パターンとは絶縁層を介して異なるレベル
に延在する接続導体と、この絶縁層にあけたコンタクト
ホールを介して導電的に接続したりすることができる。
【0056】本発明による薄膜磁気ヘッドの第2の基本
的な構成においては、前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記
基体によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁
気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子
を具える複合型薄膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄
膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端に接続された2つ
の接続端子と、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子
の磁気抵抗素子の両端に接続された2つの接続端子とを
設けると共に4つの接点パッドを設け、前記配線パター
ンの第1の導電パターンを、前記薄膜磁気ヘッド素子の
4つの接続端子に固定的に接続された4本の接続導体で
構成し、第2の導電パターンを、前記4つの接点パッド
の内の2つの接点パッドに固定的に接続された2本の接
続導体と、残りの2つの接点パッドに導電的に接続され
た2本の接続導体と交差している延長部を有する2本の
中間導体とで構成する。
【0057】本発明による薄膜磁気ヘッドの第3の基本
構成においては、前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体
によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘ
ッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具
える複合型薄膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁
気ヘッド素子の薄膜コイルの両端に接続された2つの接
続端子と、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁
気抵抗素子の両端に接続された2つの接続端子とを設け
ると共に4つの接点パッドを設け、前記配線パターンの
第1の導電パターンを、前記4つの接続端子の内の2つ
の接続端子に固定的に接続された2本の接続導体と、残
りの2つの接続端子に導電的に接続された2本の接続導
体と交差している延長部を有する2本の中間導体とで構
成し、前記配線パターンの第2の導電パターンを、前記
4つの接点パッドに固定的に接続された4本の接続導体
で構成する。
【0058】本発明による薄膜磁気ヘッドの第4の基本
構成においては、前記配線パターンの第1の導電パター
ンを、前記少なくとも1つの薄膜磁気ヘッド素子の第1
および第2の接続端子および前記少なくとも2つの接点
パッドに接続された少なくとも4本の接続導体で構成
し、前記第2の導電パターンを、それぞれがこれら第1
の導電パターンの全ての接続導体と交差し、前記接点パ
ッドの個数に等しい本数の中間導体で構成する。
【0059】このような本発明による薄膜磁気ヘッドの
第4の基本的な構成においては、前記薄膜磁気ヘッド素
子を、前記基体によって積層された状態で支持された誘
導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッド素子を具える複合型薄膜磁気ヘッド素子とし、前
記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端および
前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子
の両端を4つの接続端子に接続し、これら4つの接続端
子を、4本の接続導体より成る第2の導電パターンと、
4本の中間導体より成る第2の導電パターンとを含む配
線パターンを介して4つの接点パッドに接続し、前記複
合型薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッドを配設した
基体の端面に対して垂直な方向から見て、エアベアリン
グ面の中心位置に設けてアップ型およびダウン型のセン
ターエレメント型スライダとして共用できるように構成
するのが好適である。
【0060】さらに本発明による薄膜磁気ヘッドの第4
の基本構成においては、各々が、前記基体によって積層
された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子およ
び磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える2つの複
合型薄膜磁気ヘッド素子を設け、2つの誘導型薄膜磁気
ヘッド素子の薄膜コイルの両端を4つの接続端子に接続
し、2つの磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵
抗素子の両端を4つの接続端子に接続し、これら8つの
接続端子を、12本の接続導体より成る第1の導電パタ
ーンと、4本の中間導体より成る第2の導電パターンと
を含む配線パターンを介して4つの接点パッドに接続
し、前記2つの薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッド
を配設した基体の端面に対して垂直な方向から見て、前
記エアベアリング面の中心に対して対称な位置に設けて
アップ型およびダウン型のサイドエレメント型スライダ
として共用できるように構成するのが好適である。
【0061】本発明による薄膜磁気ヘッドの第4の基本
構成においては、各々が、前記基体によって積層された
状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える3つの複合型薄
膜磁気ヘッド素子を設け、3つの誘導型薄膜磁気ヘッド
素子の薄膜コイルの両端を6つの接続端子に接続し、3
つの磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子
の両端を6つの接続端子に接続し、これら12個の接続
端子を、16本の接続導体より成る第1の導電パターン
と、4本の中間導体より成る第2の導電パターンとを含
む配線パターンを介して4つの接点パッドに接続し、前
記3つの複合薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッドを
配設した基体の端面に対して垂直な方向から見て、前記
エアベアリング面の中心位置に設けると共にこの中心位
置に対して対称な位置に設けて、アップ型およびダウン
型のセンターエレメント型スライダおよびアップ型およ
びダウン型のサイドエレメント型スライダとして共用で
きるように構成するのが好適である。
【0062】さらに本発明は、複数の仕様の異なる薄膜
磁気ヘッドに共通に使用することができる薄膜磁気ヘッ
ド用中間ユニットに関するものである。このような薄膜
磁気ヘッド用中間ユニットによれば、所望の仕様の薄膜
磁気ヘッドに応じた僅かな製造工程を加えることにより
最終的な薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
【0063】本発明による薄膜磁気ヘッド用中間ユニッ
トは、仕様の異なる複数の薄膜磁気ヘッドの製造に共通
に使用される薄膜磁気ヘッド用共通ユニットであって、
記録媒体の表面と対向するエアベアリング面を有するス
ライダを構成する基体と、この基体によって支持された
少なくも1つの薄膜磁気ヘッド素子と、この薄膜磁気ヘ
ッド素子の複数の接続端子を、薄膜磁気ヘッドの仕様に
応じた任意の位置関係で、前記基体の、記録媒体の進行
方向に見た一端面に設けられ、前記少なくとも1つの薄
膜磁気ヘッド素子の複数の接続端子を外部回路に接続す
るための複数の接点パッドに接続できるように設けられ
た配線パターンと、を具えるものである。
【0064】このような本発明による薄膜磁気ヘッド製
造用の共通ユニットの好適な実施例においては、前記配
線パターンが、それぞれが前記基体側から見て絶縁層を
介して異なるレベルにおいて延在するとともに互いに交
差する複数の接続導体を含み、それぞれ前記薄膜磁気ヘ
ッドの少なくとも2つの接続端子および前記少なくとも
2つの接点パッドに直接または他の導電パターンを経て
導電的に接続された第1および第2の導電パターンを具
えるものである。この場合、前記配線パターンの接続導
体を、薄膜磁気ヘッド素子を構成する導電性部材と同じ
材料でかつ同時に形成される導電性部材で構成するのが
好適である。
【0065】このような本発明による薄膜磁気ヘッド用
中間ユニットを実施するに際しての第1の基本的な構成
においては、前記配線パターンの第1の導電パターンの
接続導体を、前記少なくとも1つの薄膜磁気ヘッド素子
の第1および第2の接続端子にそれぞれ固定的に接続
し、前記第2の導電パターンの接続導体を、前記少なく
とも2つの接点パッドにそれぞれ固定的に接続する。
【0066】本発明による薄膜磁気ヘッド用中間ユニッ
トを実施するに際しての第2の基本的な構成において
は、前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体によって積層
された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子およ
び磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える複合型薄
膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子
の薄膜コイルの両端に接続された2つの接続端子と、前
記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の
両端に接続された2つの接続端子とを設けると共に4つ
の接点パッドを設け、前記配線パターンの第1の導電パ
ターンを、前記薄膜磁気ヘッド素子の4つの接続端子に
固定的に接続された4本の接続導体で構成し、第2の導
電パターンを、前記4つの接点パッドの内の2つの接点
パッドに固定的に接続された2本の接続導体と、残りの
2つの接点パッドに導電的に接続された2本の接続導体
と交差している延長部を有する2本の中間導体とで構成
する。
【0067】本発明による薄膜磁気ヘッド用中間ユニッ
トを実施するに際しての第3の基本的な構成において
は、前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体によって積層
された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子およ
び磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える複合型薄
膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子
の薄膜コイルの両端に接続された2つの接続端子と、前
記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の
両端に接続された2つの接続端子とを設けると共に4つ
の接点パッドを設け、前記配線パターンの第1の導電パ
ターンを、前記4つの接続端子の内の2つの接続端子に
固定的に接続された2本の接続導体と、残りの2つの接
続端子に導電的に接続された2本の接続導体と交差して
いる延長部を有する2本の中間導体とで構成し、前記配
線パターンの第2の導電パターンを、前記4つの接点パ
ッドに固定的に接続された4本の接続導体で構成する。
【0068】本発明による薄膜磁気ヘッド用中間ユニッ
トを実施するに際しての第4の基本的な構成において
は、前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体によって積層
された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子およ
び磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える複合型薄
膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子
の薄膜コイルの両端および前記磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端を4つの接続端子に接
続し、これら4つの接続端子を、4本の接続導体より成
る第2の導電パターンと、4本の中間導体より成る第2
の導電パターンとを含む配線パターンを介して4つの接
点パッドに接続し得るように配線パターンを構成し、前
記複合型薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッドを配設
した基体の端面に対して垂直な方向から見て、エアベア
リング面の中心位置に設けてアップ型およびダウン型の
センターエレメント型スライダとして共用できるように
構成する。
【0069】本発明による薄膜磁気ヘッド用中間ユニッ
トを実施するに際しての第5の基本的な構成において
は、各々が、前記基体によって積層された状態で支持さ
れた誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッド素子を具える2つの複合型薄膜磁気ヘッド
素子を設け、2つの誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コ
イルの両端を4つの接続端子に接続し、2つの磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端を4つ
の接続端子に接続し、これら8つの接続端子を、12本
の接続導体より成る第1の導電パターンと、4本の中間
導体より成る第2の導電パターンとを含む配線パターン
を介して4つの接点パッドに接続し得るように配線パタ
ーンを構成し、前記2つの薄膜磁気ヘッド素子を、前記
接点パッドを配設した基体の端面に対して垂直な方向か
ら見て、前記エアベアリング面の中心に対して対称な位
置に設けてアップ型およびダウン型のサイドエレメント
型スライダとして共用できるように構成する。
【0070】本発明による薄膜磁気ヘッド用中間ユニッ
トを実施するに際しての第6の基本的な構成において
は、各々が、前記基体によって積層された状態で支持さ
れた誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッド素子を具える3つの複合型薄膜磁気ヘッド
素子を設け、3つの誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コ
イルの両端を6つの接続端子に接続し、3つの磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端を6つ
の接続端子に接続し、これら12個の接続端子を、16
本の接続導体より成る第1の導電パターンと、4本の中
間導体より成る第2の導電パターンとを含む配線パター
ンを介して4つの接点パッドに接続し得るように配線パ
ターンを構成し、前記3つの複合薄膜磁気ヘッド素子
を、前記接点パッドを配設した基体の端面に対して垂直
な方向から見て、前記エアベアリング面の中心位置に設
けると共にこの中心位置に対して対称な位置に設けて、
アップ型およびダウン型のセンターエレメント型スライ
ダおよびアップ型およびダウン型のサイドエレメント型
スライダとして共用できるように構成する。
【0071】さらに本発明は、記録媒体の表面と対向す
るエアベアリング面を有するスライダを構成する基体
と、この基体によって支持された少なくも1つの薄膜磁
気ヘッド素子と、前記基体の、記録媒体の進行方向に見
た一端面に設けられ、前記少なくとも1つの薄膜磁気ヘ
ッド素子の第1および第2の接続端子を外部回路に接続
するための少なくとも2つの接点パッドと、前記薄膜磁
気ヘッド素子の第1および第2の接続端子を第1および
第2の導電パターンを介して前記接点パッドに接続する
配線パターンとを有する薄膜磁気ヘッドを製造する方法
であって、基体によって支持されるように薄膜磁気ヘッ
ド素子を形成する工程と、前記配線パターンの第1の導
電パターンを構成する複数の接続導体および/または中
間導体を形成する工程と、この配線パターンの第1の導
電パターンを覆うように絶縁層を形成する工程と、この
絶縁層上に、各々が前記第1の導電パターンを構成する
複数の接続導体および/または中間導体と交差する複数
の接続導体および/または中間導体を有する第2の導電
パターンを形成する工程と、これら第1および第2の導
電パターンの接続導体および/または中間導体の全ての
交差箇所の内、製造すべき薄膜磁気ヘッドの仕様に応じ
て選択された複数の交差箇所において、第1および第2
の導電パターンの接続導体および/または中間導体を、
前記絶縁層にあけたコンタクトホールを介して導電的に
接続する工程と、前記基体の、少なくとも前記端面にオ
ーバーコート層を形成する工程と、前記少なくとも2つ
の接続部材にそれぞれ接続された少なくとも2つの接点
パッドを前記オーバーコート層上に形成する工程と、を
具えるものである。
【0072】このような本発明による薄膜磁気ヘッドの
製造方法においては、前記配線パターンの第1および第
2の導電パターンを、薄膜磁気ヘッドを構成する導電性
部材を形成するのと同じ材料でかつ同時に形成したり、
これら第1および第2の導電パターンを導電的に接続す
る導電部材をも、薄膜磁気ヘッドを構成する導電性部材
を形成するのと同じ工程において同じ材料で形成するの
が好適である。
【0073】上述したように配線パターンの一部或いは
全部を薄膜磁気ヘッドの構成要素と同時に同じ材料で形
成する場合、第1の導電パターンを誘導型薄膜磁気ヘッ
ドの下部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成し、第
2の導電パターンを薄膜コイルのコイル巻回体と同じ材
料でかつ同時に形成したり、第1の導電パターンを、前
記誘導型薄膜磁気ヘッドの下部磁気ポールと同じ材料で
かつ同時に形成し、第2の導電パターンを上部磁気ポー
ルと同じ材料でかつ同時に形成したり、第1の導電パタ
ーンを、薄膜コイルの下部コイル巻回体と同じ材料でか
つ同時に形成し、第2の導電パターンを薄膜コイルの上
部コイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成したり、第
1の導電パターンを、前記誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜
コイルのコイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成し、
第2の導体パターンを上部磁気ポールと同じ材料でかつ
同時に形成したりすることができる。
【0074】また、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造
方法においては、前記第1の導電パターンと第2の導電
パターンとを電気的に接続するために、前記絶縁層に開
けられたコンタクトホールを、誘導型薄膜磁気ヘッド素
子の下部磁気ポールと上部磁気ポールとを磁気ギャップ
とは離れた位置において連結するバックギャップを構成
する開口を前記絶縁層に形成する工程と同時に形成する
のが好適である。
【0075】さらに、本発明による薄膜磁気ヘッドの製
造方法においては、前記薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情
報を、外部から見ることができる位置に形成するのが好
適である。この薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報は、薄
膜磁気ヘッドの仕様に応じて選択された複数の交差箇所
において第1および第2の導電パターンを導電的に接続
する工程中に形成するのが好適である。また、薄膜磁気
ヘッドの仕様を表す情報は、読み取り機によって自動的
に読み取ることができる形態で形成したり、人間が直接
認識できる形態で形成することができる。
【0076】本発明はさらに、上述した薄膜磁気ヘッド
用中間ユニットを用いて薄膜磁気ヘッドを製造する方法
にも関するものであり、このような本発明による薄膜磁
気ヘッドの製造方法は、記録媒体の表面と対向するエア
ベアリング面を有するスライダを構成する基体と、この
基体によって支持された少なくも1つの薄膜磁気ヘッド
素子と、それぞれが前記基体側から見て絶縁層を介して
異なるレベルにおいて延在するとともに互いに交差する
複数の接続導体および/または中間導体を含み、それぞ
れ前記薄膜磁気ヘッドの少なくとも2つの接続端子に直
接または他の導電パターンを経て導電的に接続されると
共に、前記基体の、記録媒体の進行方向に見た一端面に
設けられ、前記薄膜磁気ヘッド素子の第1および第2の
接続端子を外部回路に接続するための複数の接点パッド
に直接または他の導電パターンを経て導電的に接続され
る第1および第2の導電パターンを有する配線パターン
とを具える薄膜磁気ヘッド製造用中間ユニットを予め製
造してストックしておく工程と、前記配線パターンの第
1および第2の導電パターンの交差箇所の内、薄膜磁気
ヘッドの仕様によって決まる複数の交差箇所において、
第1および第2の導電パターンを導電的に接続する工程
と、を具えるものである。
【0077】このような本発明による薄膜磁気ヘッドの
製造方法においては、前記配線パターンの第1および第
2の導電パターンの交差箇所の内、薄膜磁気ヘッドの仕
様によって決まる複数の交差箇所において、第1および
第2の導電パターンを導電的に接続する工程中に、薄膜
磁気ヘッドのタイプを表す情報を形成するのが好適であ
る。
【0078】また、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造
方法においては、前記配線パターンの第1および第2の
導電パターンを導電的に接続する工程は種々の態様で実
施することができる。例えば、第1および第2の導電パ
ターンの交差箇所の全てにおいて前記絶縁層に形成され
たコンタクトホールの内、薄膜磁気ヘッドの仕様によっ
て決まる複数のコンタクトホールにおいて、第1および
第2の導電パターンを連結導体によって導電的に接続す
る事ができる。
【0079】或いはまた、第1および第2の導電パター
ンの交差箇所の全てにおいて、第1の導電パターンの上
側表面から第2の導電パターンの上側表面のレベルまで
延在するように前記絶縁層に形成されたコンタクトホー
ル内に形成された連結プラグの内、薄膜磁気ヘッドの仕
様によって決まる複数の交差箇所の各々において、連結
プラグと第2の導電パターンとの間を接続する連結パッ
チを形成することもできる。さらに、薄膜磁気ヘッドの
仕様に応じた交差箇所において、前記第1の導電パター
ンに達する複数のコンタクトホールを前記絶縁層に形成
し、これらのコンタクトホールを介して第2の導電パタ
ーンを第1の導電パターンに接続することもできる。
【0080】上述したように、交差箇所にコンタクトホ
ールを形成する場合には、必要な接続を形成した後に、
コンタクトホールを絶縁層で覆い、この絶縁層の上に、
前記第2群の接続導体またはこれに接続された接続部材
の各々と電気的に接続されるように複数の接点パッドを
形成することもできる。この場合には、接点パッドを配
線パターンの上方にも大きく形成することができるの
で、スライダが小型化され、その端面の面積が小さくな
るような場合にも大きな面積を持った接点パッドを形成
できる利点がある。
【0081】
【発明の実施の形態】以下に本発明を図面を参照して詳
細に説明するが、実施例を説明する前に、本発明による
薄膜磁気ヘッドの配線パターンの基本的な構成を最初に
説明する。
【0082】図13は、本発明による薄膜磁気ヘッドの
第1の基本的な構成の一例を示す線図である。基本的な
構成を表す場合には、図面を簡単とするために、薄膜磁
気ヘッド10を模式的に示す。後述する実施例から明ら
かとなるように、薄膜磁気ヘッド10は、少なくとも1
つの誘導型薄膜磁気ヘッド素子を具える場合、少なくと
も1つの磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える場
合、少なくとも1つの誘導型薄膜磁気ヘッド素子と少な
くとも1つの磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具え
る場合があるが、図13では説明を簡単とするために、
薄膜磁気ヘッド111は1つの薄膜磁気ヘッド素子のみ
を具えるものとする。
【0083】薄膜磁気ヘッド111は、薄膜磁気ヘッド
の構成要素に接続された第1および第2の接続端子10
1および102が設けられている。薄膜磁気ヘッド11
1が誘導型薄膜磁気ヘッド素子で構成されている場合に
は、第1および第2の接続端子101および102は.
薄膜コイルの両端に接続されているものである。また、
薄膜磁気ヘッド111が磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
素子を有する場合には、第1および第2の接続端子10
1および102は、磁気抵抗素子の両端に接続されてい
る。
【0084】上述した第1および第2の接続端子101
および102に一端が接続された第1および第2の接続
導体121および122を含む第1の導電パターンと、
各々がこれらの第1および第2の接続導体121および
122と交差する第1および第2の接続導体131およ
び132を含む第2の導電パターンを設ける。これら第
1の導電パターンの接続導体121、122と第2の導
電パターンの接続導体131、132との間は絶縁層に
よって分離されており、これらの導電パターンは基板表
面から見て異なるレベルに形成されている。また、第2
の導電パターンの接続導体131および132の一端
は、薄膜磁気ヘッド111を外部回路へ接続するための
第1および第2の接点パッド141および142にそれ
ぞれ接続されている。第1の導電パターンの接続導体1
21および122は互いに平行に延在する部分を有して
いると共に第2の導電パターンの接続導体131および
132も互いに平行に延在する部分を有しており、これ
らの平行な部分は直交しているが、本発明においては接
続導体は必ずしも平行な部分を有する必要はなく、した
がって第1の導電パターンの接続導体121、122と
第2の導電パターンの接続導体131、132とは互い
に直交する必要もない。
【0085】図13に示すように第1の導電パターンの
第1および第2の接続導体121、122と、第2の導
電パターンの第1および第2の接続導体131、132
との間の交差箇所を、A、B,C,Dで表す。図14A
は、第1の導電パターンの接続導体121と、第2の導
電パターンの第1の接続導体131との交差箇所の構造
を線図的に示す断面図である。これらの接続導体121
および131の間は絶縁層51によって分離されている
が、交差箇所には、絶縁層にコンタクトホール52が形
成されており、接続導体121および131は互いに連
通している。
【0086】薄膜磁気ヘッド111の第1の接続端子1
01を第1の接点パッド141に接続し、第2の接続端
子102を第2の接点パッド142に接続する場合に
は、第1の導電パターンの第1の接続導体121と第2
の導電パターンの第1の接続導体131との交差箇所A
においてこれらの接続導体同士を電気的に結合すると共
に、第1の導電パターンの第2の接続導体122と第2
の導電パターンの第2の接続導体132との交差箇所A
においてこれらの接続導体同士を電気的に結合すれば良
い。このように、本発明においては、接続導体同士を電
気的に連結する交差箇所を、薄膜磁気ヘッドの所望の仕
様に応じて選択することによって、所望の仕様の薄膜磁
気ヘッドを容易に得ることができる。
【0087】例えば、薄膜磁気ヘッド111が誘導型薄
膜磁気ヘッド素子を有しており、第1の接続端子101
が薄膜コイルの最内側のコイル巻回体に接続され、第2
の接続端子102が薄膜コイルの最外側のコイル巻回体
に接続されているものとすれば、交差箇所AおよびDに
おいて接続導体同士を導電的に結合すると、薄膜コイル
の最内側のコイル巻回体を第1の接点パッド141に接
続し、最外側のコイル巻回体を第2の接点パッド142
に接続することができる。また、交差箇所BおよびDに
おいて接続導体同士を連結すると、薄膜コイルの最内側
のコイル巻回体を第2の接点パッド142に接続し、最
外側のコイル巻回体を第1の接点パッド141に接続す
ることができる。
【0088】図14Bおよび14Cは、第1の導電パタ
ーンの接続導体と第2の導電パターンの接続導体とを電
気的に結合する態様を示すものである。図14Bに示す
場合には、絶縁層51に開けたコンタクトホール52内
に導電材料のプラグ53を埋め込んで接続導体121と
131とを接続するものである。また、図14Cの場合
は、コンタクトホール52の内壁を覆うように形成した
導電層54によって接続導体121と131とを接続す
るものである。本発明においては、接続導体同士の電気
的な結合、または後述するような中間導体と接続導体と
の間の電気的な結合の態様は、図14Bおよび14Cに
示したものだけに限られるものではなく種々の態様が考
えられる。
【0089】図15は、本発明による薄膜磁気ヘッドの
第1の基本的な構成の他の例を示す線図である。この例
においては、薄膜磁気ヘッド111の第1および第2の
接続端子101および102にそれぞれ接続された第1
の導電パターンの第1および第2の接続導体121およ
び122と交差するように第1および第2の中間導体1
61および162より成る第2の導電パターンを配置
し、さらに第1および第2の接点パッド141および1
42にそれぞれ接続された第1および第2の接続導体1
31および132を第2の導電パターンを構成する第1
および第2の中間導体161および162とそれぞれ交
差させるように配置したものである。
【0090】このような構成においては、第1の接点パ
ッド141に接続された第1の接続導体131と第1の
中間導体161との交差箇所Eおよび第2の接点パッド
142に接続された第2の接続導体132と第2の中間
導体162との交差箇所Fにおいては、薄膜磁気ヘッド
の仕様に関係なく固定的に導電連結を行う。それ以外の
交差箇所A〜Dについては、薄膜磁気ヘッドの仕様に応
じて選択される2つの交差箇所において導電的な連結を
行うが、その態様は図13に示した第1の基本構成で説
明したところと同じである。ただし、図13に示した例
においては、第1の導電パターンの接続導体121、1
22を第1のレベルに形成し、第2の導電パターンの接
続導体131、132を第2のレベルに形成するのに対
し、第3の基本構成においては、第1の導電パターンの
接続導体121、122を第1のレベルに形成し、第2
の導電パターンを構成する中間導体161、162を第
2のレベルに形成し、これらの中間導体を接点パッド1
41、142に接続する接続導体131、132を第3
のレベルに形成する。
【0091】図16は、本発明による薄膜磁気ヘッドの
第1の基本的な構成のさらに他の例を示す線図である。
この例においては、第1の導電パターンを構成する第1
および第2の中間導体161および162と、第2の導
電パターンを構成する第1および第2の接続導体131
および132とを交差させ、第1の導電パターンの第1
および第2の接続導体161および162を、それぞれ
第1および第2の接続端子101および102に接続し
た第1および第2の接続導体121および122とそれ
ぞれ交差させたものである。この場合には、薄膜磁気ヘ
ッドの仕様に拘らず、第1および第2の接続導体121
および122と、第1および第2の中間導体161およ
び162との交差箇所EおよびFにおいては固定的な導
電結合を行ない、交差箇所A〜Dについては図13およ
び15に示した例と同様に、薄膜磁気ヘッドの仕様に応
じた2つの交差箇所において導電的な結合を行う。
【0092】図17は、本発明による薄膜磁気ヘッドの
第2の基本的な構成を示す線図である。上述した第1の
基本構成においては、薄膜磁気ヘッドは1つの薄膜磁気
ヘッド素子を有するものとしたが、この第2の基本構成
においては、薄膜磁気ヘッドは2つの薄膜磁気ヘッド素
子を有するものである。すなわち、薄膜磁気ヘッド11
1は、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッド素子と、読み
取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子とを有する
複合型薄膜磁気ヘッドとして構成されたものである。こ
のような複合型薄膜磁気ヘッド111においては、誘導
型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端に接続された
第1および第2の出力端子101および102と、磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端に
接続された第3および第4の出力端子103および10
4とを有している。この第2の基本構成においては、配
線パターンの第1の導電パターンは、これらの出力端子
にそれぞれ接続された4つの接続導体121〜124で
構成され、第2の導電パターンは、中間導体161、1
62と接点パッド143,144に接続された接続導体
133,134とで構成されている。
【0093】すなわち、薄膜磁気ヘッドを外部回路へ接
続するための4つの接点パッド141〜144を設け、
その内の第1および第2の接点パッド141および14
2に接続された第1および第2の接続導体131および
132を、上述した第1の導電パターンの4つの接続導
体121〜124と交差する第1および第2の中間導体
161および162の延長部と4つの交差箇所A〜Dに
おいて交差させる。また、配線パターンの第2の導電パ
ターンは、それぞれ第3および第4の接点パッド143
および144に接続され、第1の導電パターンの第1〜
第4の接続導体121〜124と交差する第3および第
4の接続導体133および134で構成する。したがっ
て、配線パターンの第1の導電パターンと第2の導電パ
ターンとは、16個の交差箇所E〜Tで交差することに
なる。
【0094】上述したような本発明による第2の基本的
な構成においては、以下の表1に示すような種々の接続
の態様が可能である。
【表1】
【0095】例えば、薄膜磁気ヘッド111の誘導型薄
膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの最内側のコイル巻回体
に接続した出力端子101を第1の接点パッド141に
接続するには、交差箇所Eにおいて第1の導電パターン
の第1の接続導体121と、第2の導電パターンの第1
の中間導体161とを導電的に結合すると共に交差箇所
Aにおいて第1の中間導体161と第1の接続導体13
1とを導電的に結合すれば良い。或いはまた、このよう
な接続は、交差箇所FおよびBにおいて導電結合を行う
ことによっても達成できる。同様に、最外側のコイル巻
回体に接続した出力端子102を第2の接点パッド14
2に接続するには、交差箇所EおよびCまたは交差箇所
FおよびDにおいて上下の導体を導電的に結合すれば良
い。
【0096】また、薄膜磁気ヘッド111の磁気抵抗素
子の一端に接続した出力端子103を第3の接点パッド
143に接続し、磁気抵抗素子の他端に接続した出力端
子104を第4の接点パッド144に接続する必要があ
る場合には、交差箇所PおよびSにおいて導電的に結合
を施せば良い。さらに、薄膜磁気ヘッド111の磁気抵
抗素子の一端に接続した出力端子103を第4の接点パ
ッド144に接続し、磁気抵抗素子の他端に接続した出
力端子104を第3の接点パッド143に接続する必要
がある場合には、交差箇所OおよびTにおいて導電的に
結合を施せば良い。このように、導電的な連結を施すべ
き交差箇所を選択することによって、薄膜磁気ヘッド1
11と接点パッド141〜144とを任意の組み合わせ
で接続することができる。
【0097】図18は、本発明による薄膜磁気ヘッドの
第3の基本的な構成を示すものであり、図17に示した
第2の基本構成において、配線パターンの第1の導電パ
ターンと第2の導電パターンとの配置を入れ換えたもの
である。すなわち、第1の導電パターンを第3および第
4の出力端子103および14にそれぞれ接続された第
1および第2の接続導体123および124と、2本の
中間導体161および162で構成し、第2の導電パタ
ーンを接点パッド141〜144にそれぞれ接続された
第1〜第4の接続導体131〜134で構成し、出力端
子101および102に接続された第1および第2の接
続導体121および122を、中間導体161および1
62の延長部と4つの交差箇所A〜Dにおいて交差させ
たものである。この場合にも、第1の導電パターンを構
成する第3および第4の接続導体123および124お
よび第1および第2の中間導体161および162と、
第2の導電パターンを構成する第1〜第4の接続導体1
31〜134とは16個の交差箇所E〜Tにおいて交差
することになる。
【0098】以下の表2は上述した第2の基本構成にお
ける接続の態様を示すものである。
【表2】
【0099】例えば、薄膜磁気ヘッド11の誘導型薄膜
磁気ヘッド素子の薄膜コイルの最内側のコイル巻回体に
接続した出力端子101を第1の接点パッド141に接
続し、最外側のコイル巻回体に接続した出力端子102
を第2の接点パッド142に接続すると共に、薄膜磁気
ヘッド111の磁気抵抗素子の一端に接続した出力端子
103を第3の接点パッド143に接続し、磁気抵抗素
子の他端に接続した出力端子104を第4の接点パッド
144に接続する必要がある場合には、交差箇所A、
G、D、L、MおよびRまたは交差箇所B、H、C、
K、MおよびRにおいて導電的に結合を施せば良いこと
がわかる。
【0100】図19は、本発明による薄膜磁気ヘッドの
第4の基本的な構成を示す線図であり、上述した図13
に示した第1の基本構成と同じ部分には同じ符号を付け
て示した。この第4の基本的な構成においては、配線パ
ターンの第1の導電パターンは、薄膜磁気ヘッド111
の第1および第2の接続端子101および102にそれ
ぞれ接続された第1および第2の接続導体121および
122と、第1および第2の接点パッド141および1
42にそれぞれ接続された第3および第4の接続導体1
31および132とで構成し、第2の導電パターンは、
各々がこれらの接続導体121、122、131、13
2の全てと交差する第1および第2の中間導体161お
よび162で構成したものである。この場合、図19に
示すように、第1の導電パターンを構成する第1〜第4
の接続導体121、122、131、132を互いに平
行とすると共に第2の導電パターンを構成する第1およ
び第2の中間導体161および162も平行とし、接続
導体121、122、131、132とほぼ直交させる
のが好適である。また、第2の導電パターンを構成する
中間導体の本数は、接点パッドの個数と等しいものであ
る。
【0101】この第4の基本構成においては、第1の導
電パターンを構成する4本の接続導体121、122お
よび131、132と、第2の導電パターンを構成する
第1および第2の2本の中間導体161および162と
の8つの交差箇所を図19に示すようにA〜Hで表す。
薄膜磁気ヘッド111の第1の接続端子101を第1の
接点パッド141に接続するためには、交差箇所Aおよ
びBにおいて接続導体同士を導電的に結合し、薄膜磁気
ヘッド111の第2の接続端子102を第2の接点パッ
ド142に接続するためには、交差箇所AおよびBにお
いて接続導体同士を導電的に結合すれば良い。或いは、
薄膜磁気ヘッド111の第1の接続端子101を第2の
接点パッド142に接続するためには、交差箇所Dおよ
びHにおいて接続導体同士を導電的に結合し、薄膜磁気
ヘッド111の第2の接続端子102を第2の接点パッ
ド142に接続するためには、交差箇所AおよびBにお
いて接続導体同士を導電的に結合すれば良い。
【0102】図20および21は、上述した第4の基本
構成に基づく本発明による薄膜磁気ヘッドの第1の実施
例におけるスライダSの、接点パッドを設けた端面の構
造を示す線図である。スライダの下面は磁気記録媒体と
対向するエアベアリング面ABSが構成されている。こ
の記録媒体は紙面の後方から前方に向けて移動するもの
である。本例では、この記録媒体の移動方向に見て、ス
ライダSの中心に、1つの複合型薄膜磁気ヘッド111
を設けたセンターエレメント型としたものである。この
複合型薄膜磁気ヘッド111の詳細な構成は後に説明す
るが、ここでは書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッド素子
と、読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子と
を図20の紙面の垂直な方向に見て積層して設けたもの
である。
【0103】複合型薄膜磁気ヘッド111の誘導型薄膜
磁気ヘッド素子の薄膜コイルの最内側のコイル巻回体お
よび最外側のコイル巻回体にそれぞれ導電的に結合され
た接続導体121および122と、磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端に導電的に結合さ
れた接続導体123および124を互いに平行に配列す
る。また、複合型薄膜磁気ヘッド111を外部回路へ接
続するための第1〜第4の接点パッド141〜144に
それぞれ接続された4本の接続導体131〜134を、
上述した接続導体121〜124と平行に配置する。こ
れら8本の接続導体を以て配線パターンの第1の導電パ
ターンを構成している。このように第1の導電パターン
を構成する8本の接続導体121〜124および131
〜134と直交するように第2の導電パターンを構成す
る第1〜第4の中間導体161〜164を互いに平行に
配置する。したがって、本例は、図19に示した第4の
基本構成に基づくものである。
【0104】図20において、第1の導電パターンを構
成する接続導体121〜124および131〜134
と、第2の導電パターンを構成する第1〜第4の中間導
体161〜164との間の32の交差箇所の内、導電部
材によって上下の導電層を導電的に連結した箇所にはハ
ッチングを付けて示す。例えば、第1の導電パターンの
接続導体121は、第2の導電パターンの第2の中間導
体162と導電的に結合されており、この第2の中間導
体はさらに第1の導電パターンの接続導体133と導電
的に結合されている。したがって、複合型薄膜磁気ヘッ
ド111の誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルの最内側
のコイル巻回体は、第1の導電パターンの接続導体12
1、第2の導電パターンの中間導体162および第1の
導電パターンの接続導体133を経て第3の接点パッド
143に接続されている。
【0105】図20に示すように、薄膜コイルの最外側
のコイル巻回体は、第4の接点パッド144に接続され
ると共に、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵
抗素子の両端は第1および第2の接点パッド141およ
び142に接続されている。なお、図20では図面を明
瞭とするために、薄膜コイルに接続された接点パッドに
は「W」を付し、磁気抵抗素子に接続された接点パッド
には「R」を付けてある。すなわち、左側の2つの接点
パッド141、142は磁気抵抗素子に接続され、右側
の2つの接点パッド143、144は薄膜コイルに接続
されている。
【0106】ここで、図20に示されているスライダS
は、記録媒体の上方に配置されて使用されるアップ型の
ものであるとする。このようなスライダをそのまま上下
反転してダウン型のスライダとして使用しようとする
と、上述したように複合型薄膜磁気ヘッドと接点パッド
との間の接続関係が不適切となる。そこで、本発明にお
いては、薄膜磁気ヘッドの構成そのものは変えずに、上
下の導電層間を導電的に連結すべき交差箇所のみを変更
するだけでダウン型スライダとしても使用できるように
構成したものである。
【0107】図21は、図20に示したアップ型のスラ
イダをダウン型のスライダとして構成した場合の構成を
示すものである。すなわち、ダウン型として構成する場
合には、導電的に連結すべき交差箇所を変えてある。例
えば、複合型薄膜磁気ヘッド111の薄膜コイルの最内
側のコイル巻回体は、第1の導電パターンの接続導体1
21、第2の導電パターンの中間導体161および第1
の導電パターンの接続導体131を経て第1の接点パッ
ド141に接続されており、薄膜コイルの最外側のコイ
ル巻回体は、第1の導電パターンの接続導体122、第
2の導電パターンの中間導体162および第1の導電パ
ターンの接続導体132を経て第2の接点パッド142
に接続されている。本例の接続態様でも、左側の2つの
接点パッド143、144は「R」で示されるように磁
気抵抗素子に接続され、右側の2つの接点パッド14
1、142は「W」で示されるように薄膜コイルに接続
されている。すなわち、アップ型であってもダウン型で
あっても、右側の接点パッドは書き込み用であり、左側
の接点パッドは読み取り用である。
【0108】また、薄膜コイルへの接続の態様において
は、薄膜コイルの最内側のコイル巻回体が内側の接点パ
ッド143に接続され、薄膜コイルの最外側のコイル巻
回体が外側の接点パッド144に接続される態様を「ノ
ーマルタイプ」とし、これとは逆の接続態様を、「クロ
スタイプ」としている。図20に示すアップ型も図21
に示すダウン型も薄膜コイルの接続に関しては共にノー
マルタイプである。
【0109】上述したように本発明による薄膜磁気ヘッ
ドにおいては、配線パターン以外の構成はノーマル型で
もダウン型でも、ノーマルタイプでもクロスタイプでも
同じであるので、完成した薄膜磁気ヘッドがどのような
タイプのものであるのかを簡単に知ることはできない。
したがって、ユーザに納入する薄膜磁気ヘッドがユーザ
から指定された仕様に合ったものであるかどうかの判断
を簡単に行うことができない。さらに、ユーザサイドに
おいても、例えばハードディスクドライブに組み込む場
合に、組み込もうとしている薄膜磁気ヘッドが所望の仕
様のものであるかどうかを容易に確認することができ
ず、間違った薄膜磁気ヘッドを組み込んでしまう恐れが
ある。
【0110】本発明においては、上述した問題を解決す
るために、薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報を、外部か
ら見ることができる位置に形成する。このような情報と
しては、読み取り機によって自動的に読み取ることがで
きる形態で形成したり、人間が直接認識できる文字、記
号の形態で形成することができる。図20および21並
びに後述する実施例においては、上述した情報を人間が
直接認識できる形態で形成する。すなわち、図20に示
すアップ型のノーマルタイプの薄膜磁気ヘッドに対して
は、「UP−N」の文字を薄膜磁気ヘッドの薄膜コイル
や配線パターンや接点パッドを形成した面に形成する。
また、図21の実施例は、ダウン型でノーマルタイプの
薄膜磁気ヘッドであるので、「DW−N」の文字を形成
する。このような情報は、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じ
て選択された複数の交差箇所において異なるレベルの接
続導体を導電的に接続する工程中に形成するのが好適で
ある。この場合には、導電的な接続を行うためのフォト
マスクに、薄膜磁気ヘッドの種類を表す情報を記録して
おくことができる。また、このような情報の形成方法に
ついては後に説明する。
【0111】図22および23は、サイドエレメント型
とした本発明による薄膜磁気ヘッドの第2の実施例を示
すものであり、基本構成は図20および21に示したも
のと同じ第4の基本構成に従うものであり、図20およ
び21に示した部分と同じ部分には同じ符号を付けて示
した。サイドエレメント型のスライダをアップ型とダウ
ン型で共用するために、スライダSには、図面の平面に
垂直な方向に見て、中心に対して対称的に第1および第
2の複合型薄膜磁気ヘッド111および112を設け
る。
【0112】第1の複合型薄膜磁気ヘッド111の誘導
型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルおよび磁気抵抗効果
型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子に導電的に結合さ
れた4本の接続導体121〜124、第1〜第4の接点
パッド141〜144に接続された4本の接続導体13
1〜134、並びに第2の複合型薄膜磁気ヘッド112
の誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルおよび磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子に導電的に
結合された4本の接続導体125〜128を互いに平行
に配置して配線パターンの第1の導電パターンを構成す
ると共に、各々がこれら12本の接続導体と直交するよ
うに4本の中間導体161〜164を配置して第2の導
電パターンを構成する。したがって、本例では、全部で
48の交差箇所が存在することになる。
【0113】図22に示すアップ型のスライダの場合に
は、左側にある第1の複合型薄膜磁気ヘッド111を使
用し、右側の第2の複合型薄膜磁気ヘッド112は使用
しない。したがって、斜線で示す合計8カ所の交差箇所
において、接続導体と中間導体とを導電的に連結するこ
とによって、第1の複合型薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端は第1お
よび第2の接点パッド141および142に接続され、
誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端は第3お
よび第4の接点パッド143および144に接続される
ことになる。この例では、薄膜コイルの最内側のコイル
巻回体は内側の接点パッド143に接続され、最外側の
コイル巻回体は外側の接点パッド144に接続されてい
るので、ノーマルタイプとなっている。したがってスラ
イダには「UP−N」の文字を形成してある。
【0114】図23は、図22に示したスライダをダウ
ン型として使用する場合の接続態様を示すものである。
この場合には、左側にある第2の複合型薄膜磁気ヘッド
112を使用し、右側にある第1の複合型薄膜磁気ヘッ
ド111は使用しない。斜線で示す8つの交差箇所にお
いて、配線パターンの第1の導電パターンを構成する接
続導体と第2の導電パターンを構成する中間導体とを導
電的に連結することによって、第2の複合型薄膜磁気ヘ
ッド112の誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの
両端は第1および第2の接点パッド141および142
に接続され、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気
抵抗素子の両端は第3および第4の接点パッド143お
よび144に接続されることになる。この例では、薄膜
コイルと接点パッド143、144との接続はノーマル
タイプとなっているので、「DW−N」の文字が形成さ
れている。
【0115】上述したように、図22および23に示す
第2の実施例においては、アップ型でサイドエレメント
型のスライダおよびダウン型でサイドエレメント型のス
ライダを、ユーザの仕様に応じて自由に選択することが
できるが、さらに。薄膜コイルの最内側および最外側の
コイル巻回体と接点パッドとの接続順序を図23に示す
場合とは反対としたクロスタイプの仕様をユーザが希望
する場合には、図24において斜線で示す交差箇所にお
いて導電的な連結を行うことにより容易かつ迅速にユー
ザの要求に応えることができ、この場合には「DW−
C」の文字を形成する。このように、本発明によれば、
薄膜磁気ヘッドの大部分は薄膜磁気ヘッドの仕様に拘ら
ず共通に形成できるので、製造マスクを共通化すること
ができ、製造コストを低減することもでき、それだけ薄
膜磁気ヘッドのコストを下げることができると共に。ユ
ーザの要求に迅速かつ正確に応えることができる。
【0116】以下、図25〜31を参照して、図20お
よび21に示した本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施
例を製造する順次の工程を、図20に示した構成をも参
照して説明する。なお、これらの図面においては、エア
ベアリング面に垂直な断面図をAで示し、磁極部分をエ
アベアリング面と平行に切った断面図をBで示した。ま
た、本例では、基体の上に読み取り用の磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘッドを形成し、その上に書き込み用の誘導型
薄膜磁気ヘッドを積層した複合型薄膜磁気ヘッドとした
ものである。
【0117】アルティック(AlTiC )より成る基体20
1の一方の表面に、約3〜5μm の膜厚でアルミナより
成る絶縁層202を形成し、さらにその上に、磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッド素子に対する下部シールド層20
3をパーマロイにより約2〜3μm の膜厚に所定のパタ
ーンにしたがって形成し、全体の上にアルミナ層を約4
μm の膜厚で形成した後、CMPによって下部シールド
層203を露出させた様子を図25に示す。ここで、本
明細書において、絶縁層とは、少なくとも電気的な絶縁
特性を有する膜を意味しており、非磁性特性はあっても
なくても良い。しかし、一般には、アルミナのように、
電気絶縁特性を有しているとともに非磁性特性を有する
材料が使用されているので、絶縁層と、非磁性層とを同
じ意味に使用する場合もある。
【0118】次に、図26に示すように、絶縁層と共に
平坦な平面となっている下部シールド層203の上に、
アルミナより成るシールドギャップ層204に埋設され
たGMR層205を形成し、さらに、その上に、GMR
層に対する上部シールドを構成するとともに誘導型薄膜
磁気ヘッドの下部ポールを構成する磁性層206をパー
マロイにより約1〜2μm の膜厚に形成する。ここで
は、この磁性層206を下部ポールとも称することにす
る。GMR層205を形成する際には、その両端を外部
回路に接続するための一対のリード部材を導電材料で形
成するが、図26Bにおいて、符号207aおよび20
7bで示す。
【0119】次に、図27に示すように、下部ポール2
06の上に、下部ポールチップ208を、約2〜4μm
の膜厚で所定のパターンにしたがって形成する。この際
に、エアベアリング面から遠い位置にバックギャップを
構成するための連結部材209を島状に形成する。さら
に、下部ポールチップ208、下部ポール206の露出
表面および連結部材209を覆うように、アルミナより
成る絶縁層210を、約0.3〜0.5μm の膜厚に形
成する。次に、この絶縁層210の上に、薄膜コイル2
11を所定のパターンにしたがって形成する。この薄膜
コイル211は、銅のシード層を所定のパターンにした
がって形成した後、銅の電解メッキによって形成するこ
とができるが、他の方法で形成しても良い。
【0120】このように薄膜コイル211を所定のパタ
ーンにしたがって形成する際に、薄膜コイル211の最
内側のコイル巻回体を外部回路に接続するための導電部
材212を銅により形成する。薄膜コイル211の最外
則のコイル巻回体に対する導電部材も同時に形成する
が、図面には現れていない。さらに、薄膜コイル211
の形成と同時に、図20に示す配線パターンの第1の導
電パターンの12本の接続導体121〜128および1
31〜134を構成する導電層を所定のパターンにした
がって形成する。ただし、図20に示す接点パッド14
1〜144はまだ形成されていない。このように接続導
体を薄膜コイル211を構成する導電材料、本例では銅
で形成するため、その抵抗値を小さくすることができ
る。また、GMR膜205の両端に接続された一対のリ
ード部材207aおよび207bの端部と接続されるよ
うに導電層を形成する。
【0121】次に、図28に示すように、薄膜コイル2
11および上述した接続導体を構成する導電層を覆うよ
うに、絶縁層213を約3〜4μm の膜厚で形成した
後、下部ポールチップ208が約1.5〜2.5μm の
膜厚で残るようにCMP処理を施して表面を平坦化し、
さらに図29に示すように、この平坦な表面の上にアル
ミナより成るライトギャップ層214を、約0.2〜
0.25μm の膜厚で形成する。
【0122】図29に示すように、このライトギャップ
層214の、連結部材209および導電部材212と対
応する位置に開口を形成した後、上部ポール215を形
成することにより、下部ポール206と上部ポール21
5とを連結部材212を介して磁気的に結合し、ライト
ギャップ層214を含む閉じた磁路を形成する。この上
部ポール215の形成の際に、導電部材212と接触す
るように導電部材216を構成するが、この導電部材2
16は、図20に示す第1の導電パターンの接続導体1
21の一端にも接触されているので、図20において薄
膜コイルの最内側のコイル巻回体を接続導体121に接
続する接続導体を、この導電部材216と同じ符号を付
けて示す。すなわち、導電部材212と、配線パターン
の第1の導電パターンの接続導体121との交差箇所に
対応する位置において、ライトギャップ層214および
絶縁層213に開口を形成して上部ポール215を形成
することにより、導電部材212と接続導体121との
間を導電的に接続する接続導体216が形成される。ま
た、このとき、図20に示す第1の導電パターンの接続
導体131〜134を構成する導電層の端部に相当する
位置に、絶縁層に開口を形成して、図20に示す接点パ
ッド141〜144を構成する導電層も形成する。
【0123】上述したように、上部ポール215を形成
する際に、薄膜コイル211を第1および第2の接続導
体121および122に接続する導電部材216や、接
続導体131〜134に接続された接点パッド141〜
144を形成するが、これと同時に図20に示す第2の
導電パターンを構成する第1〜第4の中間導体161〜
164を形成する。さらに、これらの中間導体を形成す
る際に、製造すべき薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて導電
的に連結すべき交差箇所に対応する位置の絶縁層213
およびライトギャップ層214には開口を形成する。こ
のように、本例では、上部ポール215を形成する際
に、絶縁層213およびライトギャップ層214に開口
を形成するためのリソグラフ用のマスクとして、薄膜磁
気ヘッドの仕様に応じたものを予め準備しておき、所望
の仕様に応じたマスクを使用して所望の位置に開口を形
成することにより、仕様に合った交差箇所において導電
的な連結がなされることになる。
【0124】上述したように、絶縁層213およびライ
トギャップ層214の所望の位置に、薄膜磁気ヘッドの
所望の仕様に応じて開口を形成した後、上部ポール21
5を、約2.5〜3.5μm の膜厚で形成すると共に上
述したように第1〜第4の中間導体161)164を構
成する導電層や接点パッド141〜144を形成する。
したがって、本例では、例えば第1群の第1の接続導体
121と第2の中間導体162との交差箇所では、図3
0に示すように薄膜コイル211を構成する銅より成る
第1の導電パターンの接続導体121と、上部ポール2
15を構成する導電性の磁性材料、例えばパーマロイよ
り成る第2の導電パターンの中間導体162とが導電的
に連結されることになる。一方、相互に導電的に連結し
たくない交差箇所においては、接続導体と中間導体との
間は絶縁層213およびライトギャップ層214によっ
て分離されている。
【0125】次に、図31に示すように、上部ポール2
15の磁極部分をマスクとしてライトギャップ層214
およびその下側の下部ポールチップ208をエッチング
してトリム構造を形成する。例えば、アルミナフレオン
系ガスまたは塩素系ガスを用いるリアクティブイオンエ
ッチングよってライトギャップ層214を選択的に除去
し、さらに露出した下部ポールチップ208の表面をイ
オンビームエッチングにより部分的に除去してトリム構
造を形成する。
【0126】上述したようにしてトリム構造を形成した
後、アルミナより成るオーバーコート層217を、約2
0〜40μm の膜厚に形成した後、CMPによってオー
バーコート層の表面を平坦に研磨することによって、接
点パッド141〜144を露出させる。以後の工程は既
に説明した従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程と同じであ
り、ウエファを複数の薄膜磁気ヘッドが配列されたバー
に切断し、このバーの一側面を研磨してエアベアリング
面を形成した後、個々の薄膜磁気ヘッドユニットに分割
する。
【0127】上述したように、本例においては、図20
に示す配線パターンの第1の導電パターンを構成する接
続導体121〜124および131〜134を、薄膜コ
イル211を形成する導電材料で薄膜コイルと同時に形
成し、これらの接続導体と交差する第2の導電パターン
を構成する第1〜第4の中間導体161〜164を、上
部ポール215を形成する導電材料(磁性材料)で上部
ポールと同時に形成し、さらに薄膜磁気ヘッドの仕様に
よって決まる導電的に連結すべき交差箇所における開口
は、上部ポール215を形成する前に、バックギャップ
部を形成するための開口をライトギャップ層214およ
び絶縁層213に形成するのと同時に形成するため、こ
のフォトマスクによる処理を行うまでの工程は、薄膜磁
気ヘッドの仕様に拘らず同じものとなり、個々の仕様に
対応するものを格別に製造する場合に比べてフォトマス
クの枚数を減らすことができる。したがって、製造コス
トを低減することができると共にユーザの要求する仕様
の薄膜磁気ヘッドを迅速に納入することができる。
【0128】図32〜36は、図20および21に示し
た本発明による薄膜磁気ヘッドの実施例を製造する方法
の他の例を示す断面図であり、前例と同様の部分には同
じ符号を付けて示し、その詳細な説明は省略する。図3
2および33に示す工程は、上述した第1の実施例にお
ける図25および26に示す工程とほぼ同じであるが、
本例においては、図33に示すように、平坦とした下部
ポール203の上にライトギャップ層213を形成す
る。
【0129】次に、図34に示すように、ライトギャッ
プ層214の上に、第1の上部ポールチップ231を、
約2〜4μm の膜厚に形成すると共に連結部材232を
形成する。また、第1の上部ポールチップ231をマス
クとしてライトギャップ層214を選択的に除去し、そ
の下側の下部ポール206を、例えば0.3〜0.5μ
m の深さにエッチングしてトリム構造を形成する。次
に、銅の電解メッキにより、第1層目の薄膜コイル23
3をライトギャップ層214の上に形成する。この第1
層目の薄膜コイル233を形成するのと同時に、この第
1層目の薄膜コイルを後に形成する第2層目の薄膜コイ
ルと接続するための接点部材234を形成すると共に、
配線パターンの第1の導電パターンを構成する接続導体
121〜124および131〜134(図20に示す)
を形成する。
【0130】上述したようにライトギャップ層214の
上に第1層目の薄膜コイル233を形成した後、図35
に示すように、アルミナ、シリコン酸化膜、シリコン窒
化膜などの無機絶縁層235を約5〜7μm の膜厚に形
成し、CMPによって表面を平坦とすると共に第1の上
部ポールチップ231を露出させる。
【0131】さらに、図36に示すように、平坦とした
表面の上に、第1の上部ポールチップ231と連結され
るように第2の上部ポールチップ236を形成すると共
に、連結部232と連結されるように連結部237を形
成する。これらの連結部232および237が連結され
る部分は、バックギャップ部と呼ばれている。さらに、
絶縁層235の表面の上には、フォトレジストより成る
絶縁層238によって支持された第2層目の薄膜コイル
239を、銅の電解メッキにより形成する。
【0132】この第2層目の薄膜コイル239を形成す
るのと同時に、接点部材234と接触するように接点部
材240を形成する。本例においては、これら第2層目
の薄膜コイル239および接点部材240を形成するの
と同時に、配線パターンの第2の導電パターンを構成す
る中間導体161〜164を形成する。この第2の導電
パターンを形成する前には、上述したようにバックギャ
ップ部を形成するための開口を絶縁層238に形成する
と共に、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて所望の下層配線
パターンと電気的に接続するための開口を絶縁層238
に形成しておく。すなわち、これらの開口を形成するた
めのフォトマスクを選択することによって、所望の仕様
に対応することができる。
【0133】このように、第2層目の薄膜コイル239
を形成する前に、絶縁層283にバックギャップ部形成
用の開口を形成するために本来必要とされるフォトマス
クを、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて複数種類準備して
おき、指定された仕様に応じたフォトマスクを選択して
所望の位置に第1の導電パターンまで達する開口を形成
し、続いて第2層目の薄膜コイル239を形成するのと
同時に配線パターンの第2の導電パターンを形成するこ
とによって、所望の交差箇所において、配線パターンの
第1および第2の導電パターンとを導電的に連結するこ
とができる。したがって各仕様に応じた薄膜磁気ヘッド
を別々に製造する場合に比べて、準備しなければならな
いフォトマスクの個数を減らすことができ、製造コスト
を下げることができる。また、本例では、銅より成る第
1層目の薄膜コイル233の形成工程で配線パターンの
第1の導電パターンを形成し、同じく銅より成る第2層
目の薄膜コイル239の形成工程で第2の導電パターン
を形成するので、配線パターンの抵抗を下げることがで
きる。
【0134】さらに図36に示すように、第2の上部ポ
ールチップ236および連結部材237と連結されるよ
うに上部ポール215を形成し、その上にオーバーコー
ト層217を形成し、その表面をCMPによって研磨し
て接点パッド141〜144を露出させる工程は上述し
た実施例と同様である。
【0135】図37および38は、本発明による薄膜磁
気ヘッドの製造方法のさらに他の実施例の工程を示すも
のである。本例では、薄膜磁気ヘッドの仕様に拘らず、
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子および誘導型薄膜磁
気ヘッド素子の大部分を予め製造してストックしてお
き、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッド素子のGMR素子の両端および誘導型薄膜磁
気ヘッドの薄膜コイルの両端を所望の接点パッドに接続
するように配線パターンを形成するものである。
【0136】図37に示すように、GMR層205を含
む磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子および下部ポール
206、薄膜コイル211、ライトギャップ層214お
よび上部ポール215を含む誘導型薄膜磁気ヘッド素子
を形成する。ここで、薄膜コイル211を形成するのと
同時に、薄膜コイルの最内側のコイル巻回体を接点パッ
ドに接続するための導電部材212を形成すると共に、
図20に示す配線パターンの第1の導電パターンの接続
導体121に相当する導電部材351を形成する。この
導電部材351と平行に3本の接続導体が形成されてお
り、これらは薄膜コイルの最外側のコイル巻回体、GM
R膜の両端にそれぞれ接続されている。
【0137】また、上述した導電部材351は、上部ポ
ール215と同時に形成される導電部材216によって
導電部材212と導電的に接続されている。さらに、導
電部材351は、絶縁層352によって覆われている。
この絶縁層352は、薄膜コイル211を絶縁分離した
状態で支持する絶縁層213と同じ材料で同時に形成す
ることができる。図37に示すように、下部シールド層
203および下部ポール206は、エアベアリング面側
から見て薄膜コイル211を越えた位置で終わっている
ので、導電部材351は段差の下部に形成されることに
なる。
【0138】次に、図38に示すように、絶縁層352
に、薄膜磁気ヘッドの所望の仕様に応じた位置に開口3
53を選択的に形成し、続いて図20の配線パターンの
第2の導電パターンを構成する中間導体161〜164
を形成する。図37では、これら4本の中間導体の内の
第1および第2の中間導体161および162に相当す
る導電部材354および355のみが示されており、他
の中間導体は図面を明瞭とするために省略してある。ま
た、この工程において、接点パッド141〜144を第
1の導電パターンの接続導体131〜134と接続され
るように形成することができる。
【0139】上述したように、絶縁層352には開口3
53が形成されているので、中間導体162(導電部材
355)は接続導体121(導電部材351)と導電的
に接続されることになる。一方、導電部材354と導電
部材351との間は絶縁層352によって分離されてい
る。したがって、本例においては、絶縁層352に開口
353を形成する際のマスクを、薄膜磁気ヘッドの仕様
に応じて複数準備しておくことにより、所望の仕様に適
合した複合型薄膜磁気ヘッドを容易に製造することがで
きる。特に、本例では、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
素子および誘導型薄膜磁気ヘッド素子は殆ど大部分が完
成された薄膜磁気ヘッド製造用の中間ユニットとしてス
トックしておくことができるので、ユーザの要求する仕
様の薄膜磁気ヘッドを迅速に納品することができる。
【0140】さらに、図38に示すように、表面全体に
亘って絶縁層を堆積し、CMPによって研磨して平坦な
表面を有するオーバーコート層217を形成する。図面
には示していないが、上述した実施例と同様に、このオ
ーバーコート層の表面を研磨することによって、接点パ
ッドが露出する。
【0141】図39および40は、本発明による薄膜磁
気ヘッドのさらに他の実施例を製造する順次の工程を示
すものである。上述した実施例では、薄膜磁気ヘッドに
要求される全ての仕様を満たすことができるように全て
の接続導体および中間導体を形成したが、本例では、例
えば2層のレベルで配線パターンを形成する場合には、
第1層目の接続導体は全て形成するが、第2層目の接続
導体や中間導体は、必要なものだけを形成するようにし
たものである。なお、本例は図20に示した実施例と対
応する構成を有するものであるから、図20に示す部分
には図20で使用した符号を付けて示す。
【0142】図39に示すように、誘導型薄膜磁気ヘッ
ド素子および磁気抵抗素子を形成する際に、薄膜コイル
におよびMR膜に接続された第1の導電パターンの4本
の接続導体121〜124と、接点パッド141〜14
4に接続される4本の接続導体131〜134を互いに
平行に形成する。これら8本の接続導体は、誘導型薄膜
磁気ヘッド素子の下部ポールまたは薄膜コイルと同時に
形成することができる。
【0143】次に、上述した接続導体121〜124、
131〜134を覆うように絶縁層(ライトギャップ層
および/または薄膜コイルを支持する絶縁層)を形成し
た後、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて中間導体を形成す
るが、本例では、中間導体は、所望の仕様に合わせて導
電的な連結を形成すべき2つの交差箇所の間だけを延在
するように形成する。すなわち。図40に示すように、
第1の中間導体161は、第1の導電パターンの接続導
体122と接続導体134との間だけに形成し、第2の
中間導体162は、第1の導電パターンの接続導体12
1と接続導体133との間を延在するように形成し、以
下同様に形成する。勿論、これらの中間導体は、その両
端において、下側にある接続導体と導電的に連結されて
いる。このような導電的な連結を行うためには、上述し
た絶縁層に開口を形成する必要があるが、これらの開口
は上述した実施例と同様にバックギャップを形成するた
めの開口を形成する工程で形成することができる。ま
た、これらの中間導体161〜164を形成する工程に
おいて、接点パッド141〜144を第1の導電パター
ンの接続導体131〜134と接続するように形成する
が、図面には示されていない。
【0144】図41は、本発明による薄膜磁気ヘッドの
さらに他の実施例を示すものである。薄膜磁気ヘッドの
小型化に伴い、スライダの、接点パッドを形成する端面
の面積も小さくなっているが、接点パッドの面積を減少
させるには限界がある。そこで、本例においては、接点
パッドを予め形成しておかず、所望の配線パターンを形
成し、その上に絶縁層を形成した後に、接点パッド14
1〜144を、配線パターンを覆うように大きく形成す
るものである。勿論、これらの薄膜磁気ヘッド141〜
144は、上述した絶縁層を介してその下側に形成され
た接続部材401〜404と導電的に接続されるように
形成する。
【0145】図42は、本発明による薄膜磁気ヘッドの
さらに他の実施例を示すものであり、上述した図22に
示した実施例に対応している。本例でも、配線パターン
を形成した後に、接点パッド141〜144を、配線パ
ターンの上方まで延在するように大きく形成する。これ
らの接点パッド141〜144は、その下側に形成され
ている導電層401〜404と電気的に接続されてい
る。
【0146】図43は、本発明による薄膜磁気ヘッド
を、センターエレメント型の誘導型薄膜磁気ヘッドとし
て構成したもので、基本的には図20および21に示し
た実施例と同様であるが、全ての可能な仕様に対して可
能な全ての接続状態を説明するために、接点パッド14
1〜144にA〜Dの符号を付けて示すと共に、各種導
体の交差箇所を1〜32の符号を付けて示す。この接続
の態様を表3に示す。
【0147】
【表3】
【0148】本例では、上述した表3に示すような組み
合わせによって、所望の仕様に応じた構成を実現するこ
とができる。この表3において、接点パッドAおよびB
は、磁気抵抗素子の両端に接続される接点パッドであ
り、接点パッドCおよびDは、誘導型薄膜磁気ヘッドの
薄膜コイルの両端に接続されるものである。また、上述
したように、薄膜コイルへの接続においては、最内側の
コイル巻回体が接点パッドCに、最外側のコイル巻回体
が接点パッドDに接続される態様を「ノーマルタイプ」
とし、これとは逆の接続態様を、「クロスタイプ」とし
ている。
【0149】例えば、センターエレメント型でアップ型
の薄膜磁気ヘッドの場合には、ノーマルタイプおよびク
ロスタイプには、それぞれ4つの接続の態様があり、こ
れら4つの接続のパターンの中から任意のものを選択す
れば良い。一方、センターエレメント型でダウン型の薄
膜磁気ヘッドの場合も、ノーマルタイプおよびクロスタ
イプには、それぞれ4つの接続の態様がある。
【0150】図44は、本発明の薄膜磁気ヘッドをサイ
ドエレメント型の誘導型薄膜磁気ヘッドとして構成した
もので、図22〜24に示した実施例に対応するもので
ある。本例の接続態様を表4に示す。この場合にも、ア
ップ型ではノーマルタイプおよびクロスタイプのそれぞ
れに4通りの接続パターンがあり、ダウン型でもノーマ
ルタイプおよびクロスタイプのそれぞれに4通りの接続
パターンがある。
【0151】
【表4】
【0152】図45は、本発明の薄膜磁気ヘッドのさら
に他の実施例を示すものである。本例では、中央にセン
ターエレメント用の誘導型薄膜磁気ヘッド素子111を
配置すると共にその両側にサイドエレメント用の一対の
誘導型薄膜磁気ヘッド素子112および113を対称的
に配置したものである。したがって、本例の薄膜磁気ヘ
ッドは、センターエレメント用およびサイドエレメント
用のアップ型およびダウン型のあらゆる接続態様に対応
できるものである。本例における、接続の態様を表5に
示す。この表5の見方は、上述した表3および4と同じ
であるので、ここでは詳細には説明しないが、例えばセ
ンターエレメント型でアップ型であり、ノーマルタイプ
の薄膜磁気ヘッドを製造する場合には、交差箇所5、
7、9、11、22、24、26、28において接続導
体と中間導体とを導電的に連結すれば良いことがわか
る。また、サイドエレメント型でダウン型であってクロ
スタイプの場合には、交差箇所6、15、21、32、
43、45、60、62において導電連結を行えば良い
ことがわかる。
【0153】
【表5】
【0154】また、このようにセンターエレメント型と
サイドエレメント型との双方を製造できる場合には、薄
膜磁気ヘッドのタイプを表す情報に、センターエレメン
ト型の場合には「CNT」を追加し、サイドエレメント
型の場合には「SID」を追加することができる。した
がって、例えば、サイドエレメント型のダウン型でクロ
スタイプの場合には、「SID−DW−C」といった文
字を薄膜磁気ヘッドに形成することができ、センターエ
レメント型のアップ型でノーマルタイプの場合には、
「CNT−UP−N」と形成することができる。
【0155】上述した実施例では、配線パターンの交差
箇所において導電的な連結を形成する場合に、下層の導
電部材を形成し、その上に絶縁層を形成した後に、この
絶縁層に所望の開口を形成して上層の導電部材を形成す
るようにしたが、下層および上層の導電部材を予め形成
しておき、所望の交差箇所に開口を形成し、この開口に
導電部材を形成することによって導電的な連結を行うこ
ともできる。この場合には、薄膜磁気ヘッド製造用の中
間ユニットとして殆ど完成されたものを用意しておくこ
とができる。
【0156】図46A、B〜51A、Bは、配線パター
ンの交差箇所において導電的な連結を形成する方法の他
の例の順次の工程を示すものである。先ず、図46Aお
よびBに示すように、下側の導体501を所望のパター
ンにしたがって形成する。この下側導体501は、例え
ば、図20に示した実施例における配線パターンの第1
の導電パターンを構成する接続導体とすることができ、
このような接続導体は、上述したように下部ポールと同
時に形成したり、薄膜コイルと同時に形成することがで
きる。
【0157】次に、図47AおよびBに示すように、絶
縁層502を形成した後、これに凹部503と開口50
4を形成する。凹部503は下側導体501と直交する
ように形成し、開口504は、下側導体と凹部との交差
箇所の近傍において下側導体501と連通するように形
成する。このような深さや長さの異なる凹部503およ
び開口504を形成する方法は周知であるので、ここで
は説明しない。
【0158】次に、図48AおよびBに示すように、上
述した凹部503および開口504を埋めるように導電
層505を厚く形成する。この導電層505は、薄膜コ
イルと同時または上部ポールと同時に形成することがで
きる。次に、CMPのような研磨処理を施して、図49
AおよびBに示すように表面に凹部503内に埋められ
た導電層によって構成される上側導体506と、開口5
04内に埋められた導電層によって構成される連結プラ
グ507とが形成される。
【0159】最後に、図50AおよびBに示すように、
薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて決まる交差箇所におい
て、上側導体506と連結プラグ507とを導電的に接
続する連結パッチ508を選択的に形成する。このよう
にして、所望の交差箇所において、下側導体501と上
側導体506とを、連結プラグ507および連結パッチ
508を介して電気的に連結することができる。上述し
た連結パッチ508は、上部ポールと同時に形成する
か、その後の工程によって形成することができる。
【0160】さらに、所望の交差箇所において選択的に
上下の導体を電気的に接続する方法の変形例の一つとし
て、全ての交差箇所に上下の導体に連通するように開口
を形成した中間ユニットを準備しておき、所望の開口を
導電部材で埋め、残りの開口をオーバーコート層を構成
する絶縁材料で埋めることもできる。この場合には、中
間ユニットに対して絶縁層の開口を形成するエッチング
工程を施す必要がないので、中間ユニットからの製造過
程をさらに簡単とすることができる。
【0161】次に、薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報を
形成する方法について説明する。例えば、図36〜38
に示す工程において、バックギャップを形成するために
絶縁層238に開口を形成するのと同時に、薄膜磁気ヘ
ッドの仕様に応じた交差箇所において導電部材351を
覆う絶縁層352に導電部材まで達する開口353を形
成しているが、この開口形成工程と同時に、図51に示
すように下部ポール206を覆うライトギャップ層21
4および絶縁層213に、形成すべき所定の文字に対応
した溝601を形成する。すなわち、バックギャップ形
成用および薄膜磁気ヘッドの仕様決定用のフォトマスク
に形成すべき文字に対応したパターンを形成しておき、
バックギャップ用開口および仕様を決める開口を形成す
るのと同時に文字に対応した溝601を形成することが
できるので、薄膜磁気ヘッドの仕様と情報の内容とは常
に一致したものとなり、誤りが発生する余地がない。
【0162】次に必要な種々の工程を経た後、図52に
示すようにオーバーコート層217を、上述した溝60
1を埋めるように堆積して薄膜磁気ヘッドの仕様を表す
情報を形成する。この場合、溝601が存在しないバッ
クグラウンド部分では、オーバーコート層217を通し
て絶縁層213、214が見えるので暗くなり、溝60
1の部分では下部ポール206が見えるので明るくな
り、これらの間にコントラストが生じ、情報を光学的に
観察することができる。
【0163】本発明においては、このような薄膜磁気ヘ
ッドの仕様を表す情報は、上述した実施例のように人間
が顕微鏡などを使用して直接認識することができる文字
や記号とすることができるだけでなく、例えばバーコー
ドのように光学的な読み取り機器によって認識すること
ができるような形態で形成することもできる。さらに、
このような情報は、個々の薄膜磁気ヘッドに形成しても
よいが、1つのウエファ或いはバーに同じ仕様の薄膜磁
気ヘッドが形成されている場合には、ウエファ或いはバ
ーの薄膜磁気ヘッドが形成されていない領域、例えばス
クライブ領域に情報を形成しても良い。そのような場合
には、薄膜磁気ヘッドの製造を完了してから情報を形成
することもできるが、上述した実施例のように薄膜磁気
ヘッドの仕様を決める工程と同じ工程で情報を形成する
のが誤りを完全になくす上で好適である。
【0164】本発明は上述した実施例にのみ限定される
ものではなく、幾多の変更や変形が可能である。例え
ば、上述した実施例においては、薄膜磁気ヘッドに求め
られる全ての仕様を満足する交差箇所を含む接続導体や
中間導体を2層に分けて形成したが、3層に分けて形成
することもできる。例えば、図20に示した実施例の構
成を有する薄膜磁気ヘッドを製造する場合に、第1層目
として第1の導電パターンの接続導体121〜124を
下部ポールと同時に形成し、第2層目として第2の導電
パターンの中間導体161〜164を薄膜コイルと同時
に形成し、第3層目として第1の導電パターンの接続導
体131〜134および接点パッド141〜144或い
は接点パッドに接続される接続部材を上部ポールと同時
に形成することもできる。
【0165】この場合、第2層目の中間導体161〜1
64を形成する前に、所望の交差箇所において第1層目
の接続導体121〜124と導電的に連結されるように
第1層目の接続導体を覆う絶縁層に選択的にコンタクト
ホールを形成し、これらのコンタクトホールを介して下
側の接続導体と導電的に連結されるように中間導体を形
成することができる。これらのコンタクトホールを形成
するためのフォトマスクは、薄膜コイルに接続されたリ
ード部分を形成するために本来必要なフォトマスクとす
ることができるので、マスク処理が増えることはない。
【0166】また、第3層目の接続導体131〜134
を形成する前に、これを覆う絶縁層の所望の交差箇所に
選択的にコンタクトホールを形成し、これらのコンタク
トホールを介して下側の中間導体161〜164と導電
的に連結されるようにこれらの接続導体を形成すること
ができる。このようなコンタクトホールを形成するため
のフォトマスクは、エアベアリング面とは離れたバック
ギャップ位置において上部ポールを下部ポールと連結す
るための開口を絶縁層に形成するためのフォトマスクと
同じものとすることができるので、マスク処理が増える
ことがない。
【0167】さらに、上述した実施例では、接続パター
ンを構成する接続導体や中間導体を、磁気抵抗素子や誘
導型薄膜磁気ヘッド素子を構成する部材を形成する工程
において、これらの部材と同じ材料で形成するようにし
たので、上述したように薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて
選択的な接続を行うために必要とされるマスク処理が増
えないという利点がある。しかし、本発明においては、
配線パターンの最上層の導電部材を、上述した薄膜磁気
ヘッドの種々の部材を形成する工程を完了した後に、別
の工程で導電層を形成することもできる。この場合に
は、この導電層を薄膜磁気ヘッドの材料とは関係なく、
導体パターンとして最適な材料で形成できる利点があ
る。
【0168】
【発明の効果】上述した本発明による薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法によれば、以下のような効果が得られ
る。
【0169】従来は、センターエレメント型スライダと
するかサイドエレメント型スライダとするか、さらには
アップ型とするかダウン型とするかなどの仕様に応じて
それぞれ異なる構造を有するスライダを別個に製造しな
ければならなかったので、フォトマスクの枚数も多くな
り、製造コストが上昇していたが、本発明では、薄膜磁
気ヘッドの製造工程の途中までは、薄膜磁気ヘッドの仕
様にかかわらず共通とすることができるので、必要なフ
ォトマスクの枚数を減らすことができ、製造コストを下
げることができると共にスループットを向上することが
できる。
【0170】従来の製造現場では、ある程度顧客の要求
を予測して数種類の薄膜磁気ヘッドを製造してストック
していたが、予測して製造したものでは対応できない場
合も多く、その場合には、新たに製造しなければならな
いので納入日数が長くなっていたが、本発明によれば配
線パターンを所望の仕様に応じて形成するだけであるの
で、納入日数を短縮することができる。
【0171】また、本発明においては、薄膜磁気ヘッド
製造用の中間ユニットを予めストックしておき、これか
ら顧客の要求に応じた仕様の薄膜磁気ヘッドを製造する
ことができるので、納入日数の短縮が図れるだけでな
く、顧客の急な仕様変更にも迅速に対応できる。このよ
うに中間ユニットをストックしておく場合、薄膜磁気ヘ
ッドの最終工程に近い工程まで済ませておくことによ
り、上述した効果をなお一層高めることができる。
【0172】スライダの中央に1個の薄膜磁気ヘッド素
子を形成する実施例では、センターエレメント型のアッ
プ型およびダウン型の薄膜磁気ヘッドを選択的に製造す
ることができる。また、スライダの両端に薄膜磁気ヘッ
ド素子を形成する実施例では、サイドエレメント型のア
ップ型およびダウン型の薄膜磁気ヘッドを選択的に製造
することができる。さらに、スライダの中央と、両端に
3つの薄膜磁気ヘッド素子を形成する実施例では、セン
ターエレメント型のアップ型およびダウン型、サイドエ
レメント型のアップ型およびダウン型の4種類の薄膜磁
気ヘッドを選択的に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1AおよびBは、従来の複合型薄膜磁気ヘ
ッドを製造する方法の最初の工程を示す断面図である。
【図2】 図2AおよびBは、次の工程を示す断面図で
ある。
【図3】 図3AおよびBは、次の工程を示す断面図で
ある。
【図4】 図4AおよびBは、次の工程を示す断面図で
ある。
【図5】 図5AおよびBは、次の工程を示す断面図で
ある。
【図6】 図6AおよびBは、次の工程を示す断面図で
ある。
【図7】 図7は、薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図8】 図8は、スライダの底面図である。
【図9】 図9は、センターエレメント型の薄膜磁気ヘ
ッドにおける接点パッドの接続状態を示す端面図であ
る。
【図10】 図10AおよびBは、スライダを装着した
アームを示す平面図および先端を拡大して示す斜視図で
ある。
【図11】 図11は、サイドエレメント型でアップ型
の薄膜磁気ヘッドにおける接点パッドの接続状態を示す
端面図である。
【図12】 図12は、センターエレメント型でダウン
型の薄膜磁気ヘッドにおける接点パッドの接続の態様を
示す端面図である。
【図13】 図13は、本発明による薄膜磁気ヘッドの
配線パターンの第1の基本構成の一例を示す線図であ
る。
【図14】 図14A、BおよびCは、配線パターンに
おける交差箇所の導電的連結の態様を示す断面図であ
る。
【図15】 図15は、本発明による薄膜磁気ヘッドの
配線パターンの第1の基本構成の他の例を示す線図であ
る。
【図16】 図16は、本発明による薄膜磁気ヘッドの
配線パターンの第1の基本構成のさらに他の例を示す線
図である。
【図17】 図17は、本発明による薄膜磁気ヘッドの
配線パターンの第2の基本構成を示す線図である。
【図18】 図18は、本発明による薄膜磁気ヘッドの
配線パターンの第3の基本構成を示す線図である。
【図19】 図19は、本発明による薄膜磁気ヘッドの
配線パターンの第4の基本構成を示す線図である。
【図20】 図20は、センターエレメント型でアップ
型とした本発明による薄膜磁気ヘッドの第1の実施例に
おける接点パッドの接続の態様を示す端面図である。
【図21】 図21は、センターエレメント型でダウン
型とした本発明による薄膜磁気ヘッドの第2の実施例に
おける接点パッドの接続の態様を示す端面図である。
【図22】 図22は、サイドエレメント型でアップ型
とした本発明による薄膜磁気ヘッドの第3の実施例にお
ける接点パッドの接続の態様を示す端面図である。
【図23】 図23は、サイドエレメント型でダウン型
とした本発明による薄膜磁気ヘッドの第4の実施例にお
ける接点パッドの接続の態様を示す端面図である。
【図24】 図24は、サイドエレメント型でダウン型
とした本発明による薄膜磁気ヘッドの第5の実施例にお
ける接点パッドの接続の態様を示す端面図である。
【図25】 図25AおよびBは、図20に示した本発
明による薄膜磁気ヘッドの第1の実施例を製造する方法
の一実施例の最初の工程を示す断面図である。
【図26】 図26AおよびBは、次の工程を示す断面
図である。
【図27】 図27AおよびBは、次の工程を示す断面
図である。
【図28】 図28AおよびBは、次の工程を示す断面
図である。
【図29】 図29AおよびBは、次の工程を示す断面
図である。
【図30】 図30は、交差箇所における導電的連結を
示す断面図である。
【図31】 図31AおよびBは、次の工程を示す断面
図である。
【図32】 図32AおよびBは、図20に示した本発
明による薄膜磁気ヘッドの第1の実施例を製造する方法
の他の実施例の最初の工程を示す断面図である。
【図33】 図33AおよびBは、次の工程を示す断面
図である。
【図34】 図34AおよびBは、次の工程を示す断面
図である。
【図35】 図35AおよびBは、次の工程を示す断面
図である。
【図36】 図36AおよびBは、次の工程を示す断面
図である。
【図37】 図37は、図20に示した本発明による薄
膜磁気ヘッドの第1の実施例を製造する方法のさらに他
の実施例の工程を示す断面図である。
【図38】 図38は、次の工程を示す断面図である。
【図39】 図39は、センターエレメント型でアップ
型とした本発明による薄膜磁気ヘッドの第6の実施例を
製造する方法の工程を示す端面図である。
【図40】 図40は、同じくその配線パターンの接続
の態様を示す端面図である。
【図41】 図41は、センターエレメント型でアップ
型とした本発明による薄膜磁気ヘッドの第7の実施例に
おける接点パッドの接続の態様を示す端面図である。
【図42】 図42は、サイドエレメント型でアップ型
とした本発明による薄膜磁気ヘッドの第8の実施例にお
ける接点パッドの接続の態様を示す端面図である。
【図43】 図43は、中央に薄膜磁気ヘッド素子を設
けた本発明による薄膜磁気ヘッドの第9の実施例におい
て構成できる全ての接続の態様を説明するための端面図
である。
【図44】 図44は、両端に薄膜磁気ヘッド素子を設
けた本発明による薄膜磁気ヘッドの第10の実施例にお
いて構成できる全ての接続の態様を説明するための端面
図である。
【図45】 図45は、中央と両端に薄膜磁気ヘッド素
子を設けた本発明による薄膜磁気ヘッドの第11実施例
において構成できる全ての接続の態様を説明するための
端面図である。
【図46】 図46AおよびBは、所望の交差箇所にお
いて上下の接続導体の間を選択的に接続する方法の他の
例の最初の工程を示す断面図および平面図である。
【図47】 図47AおよびBは、次の工程を示す断面
図および平面図である。
【図48】 図48AおよびBは、次の工程を示す断面
図および平面図である。
【図49】 図49AおよびBは、次の工程を示す断面
図および平面図である。
【図50】 図50AおよびBは、次の工程を示す断面
図および平面図である。
【図51】 図51は、本発明による薄膜磁気ヘッドに
おいて仕様を表す情報を形成する工程を示す断面図であ
る。
【図52】 図52は、次の工程を示す断面図である。
【符号の説明】
111、112、113 薄膜磁気ヘッド素子 101〜104 接続端子 121〜128 第1群の接続導体 131〜134 第2群の接続導体 141〜144 接点パッド 161〜164 中間導体 201 基体本体、 202 絶縁層、 203 下部
シールド層、 204シールドギャップ層、 205
GMR層、 206 上部ポール、 208上部ポール
チップ、 210 絶縁層、 211 薄膜コイル、
214 ライトギャップ層、 215 上部ポール、
217 オーバーコート層、 231上部ポールチッ
プ、 233、239 薄膜コイル、 501 下側導
体、502 絶縁層、 503 凹部、 504 開
口、 505 導電層、 506 上側導体、 507
連結プラグ、 508 連結パッチ、 601 溝

Claims (71)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 記録媒体の表面と対向するエアベアリン
    グ面を有するスライダを構成する基体と、 この基体によって支持された少なくも1つの薄膜磁気ヘ
    ッド素子と、 前記基体の、記録媒体の進行方向に見た一端面に設けら
    れ、前記少なくとも1つの薄膜磁気ヘッド素子の第1お
    よび第2の接続端子を外部回路に接続するための少なく
    とも2つの接点パッドと、 前記薄膜磁気ヘッド素子の第1および第2の接続端子と
    前記少なくとも2つの接点パッドとの間を、薄膜磁気ヘ
    ッドの仕様に応じた任意の位置関係で電気的に接続する
    ように配設された配線パターンと、を具える薄膜磁気ヘ
    ッド。
  2. 【請求項2】 前記配線パターンを、薄膜磁気ヘッド素
    子を構成する導電性部材と同じ材料でかつ同時に形成さ
    れる導電性部材で構成した請求項1に記載の薄膜磁気ヘ
    ッド。
  3. 【請求項3】 前記配線パターンが、前記第1および第
    2の接続端子および前記少なくとも2つの接点パッドに
    それぞれが接続された複数の接続導体を含む第1の導電
    パターンと、前記基体側から見て絶縁膜を介して前記第
    1の導電パターンとは異なるレベルにおいて延在し、薄
    膜磁気ヘッドの仕様に応じて前記絶縁膜に選択的にあけ
    られたコンタクトホールを介して前記第1の導電パター
    ンの2つの接続導体に両端部がそれぞれ導電的に接続さ
    れた複数の接続導体を含む第2の導電パターンとを具え
    る請求項1または2に記載の薄膜磁気ヘッド。
  4. 【請求項4】 前記薄膜磁気ヘッド素子として少なくと
    も誘導型薄膜磁気ヘッド素子を含み、前記第1の導電パ
    ターンの接続導体と、第2の導電パターンの接続導体と
    を電気的に接続するために、前記絶縁層に開けられたコ
    ンタクトホールを、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の下
    部および上部磁気ポールを磁気ギャップとは離れた位置
    において連結するバックギャップを構成する開口を前記
    絶縁層に形成する工程と同時に形成した請求項3に記載
    の薄膜磁気ヘッド。
  5. 【請求項5】 前記配線パターンが、 それぞれが前記基体側から見て絶縁層を介して異なるレ
    ベルにおいて延在するとともに互いに交差する複数の接
    続導体を含み、それぞれ前記薄膜磁気ヘッドの少なくと
    も2つの接続端子および前記少なくとも2つの接点パッ
    ドに直接または他の導電パターンを経て導電的に接続さ
    れた第1および第2の導電パターンと、これら第1およ
    び第2の導電パターンの接続導体の複数の交差箇所から
    薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて選択された複数の交差箇
    所において前記絶縁層にあけたコンタクトホールを介し
    て異なるレベルの接続導体を導電的に接続する連結導体
    と、を具える請求項1に記載の薄膜磁気ヘッド。
  6. 【請求項6】 前記配線パターンの第1および第2の導
    電パターンが、薄膜磁気ヘッドを構成する導電性部材を
    形成するのと同じ材料でかつ同時に形成される導電性部
    材で構成された請求項5に記載の薄膜磁気ヘッド。
  7. 【請求項7】 前記配線パターンの連結導体をも、薄膜
    磁気ヘッドを構成する導電性部材を形成するのと同じ工
    程において同じ材料で形成された導電性部材で構成され
    た請求項6に記載の薄膜磁気ヘッド。
  8. 【請求項8】 前記薄膜磁気ヘッドを誘導型薄膜磁気ヘ
    ッドとし、前記配線パターンの第1および第2の導電パ
    ターンの内、基体に近い側の第1の導電パターンを、前
    記誘導型薄膜磁気ヘッドの下部磁気ポールと同じ材料で
    かつ同時に形成し、基体から遠い第2の導電パターンを
    薄膜コイルのコイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成
    した請求項6または7に記載の薄膜磁気ヘッド。
  9. 【請求項9】 前記薄膜磁気ヘッドを誘導型薄膜磁気ヘ
    ッドとし、前記配線パターンの第1および第2の導電パ
    ターンの内、基体に近い側の第1の導電パターンを、前
    記誘導型薄膜磁気ヘッドの下部磁気ポールと同じ材料で
    かつ同時に形成し、基体から遠い第2の導電パターンを
    上部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成した請求項
    6または7に記載の薄膜磁気ヘッド。
  10. 【請求項10】 前記薄膜磁気ヘッドを誘導型薄膜磁気
    ヘッドとし、前記配線パターンの第1および第2の導電
    パターンの内、基体に近い側の第1の導電パターンを、
    前記誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルの下部コイル巻
    回体と同じ材料でかつ同時に形成し、基体から遠い第2
    の導電パターンを薄膜コイルの上部コイル巻回体と同じ
    材料でかつ同時に形成した請求項6または7に記載の薄
    膜磁気ヘッド。
  11. 【請求項11】 前記薄膜磁気ヘッドを誘導型薄膜磁気
    ヘッドとし、前記配線パターンの第1および第2の導電
    パターンの内、基体に近い側の第1の導電パターンを、
    前記誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルのコイル巻回体
    と同じ材料でかつ同時に形成し、基体から遠い第2の導
    体パターンを上部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形
    成した請求項6または7に記載の薄膜磁気ヘッド。
  12. 【請求項12】 前記薄膜磁気ヘッド素子として少なく
    とも誘導型薄膜磁気ヘッド素子を含み、前記第1の導電
    パターンの接続導体と、第2の導電パターンの接続導体
    とを電気的に接続するために、前記絶縁層に開けられた
    コンタクトホールを、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の
    下部磁気ポールと上部磁気ポールとを磁気ギャップとは
    離れた位置において連結するバックギャップを構成する
    開口を前記絶縁層に形成する工程と同時に形成した請求
    項5〜11の何れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  13. 【請求項13】 前記薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報
    を、外部から見ることができる位置に形成した請求項1
    〜12の何れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  14. 【請求項14】 前記薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報
    を、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて選択された複数の交
    差箇所において異なるレベルの接続導体を導電的に接続
    する工程中に形成した請求項13に記載の薄膜磁気ヘッ
    ド。
  15. 【請求項15】 前記薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報
    を、読み取り機によって自動的に読み取ることができる
    形態で形成した請求項13または14に記載の薄膜磁気
    ヘッド。
  16. 【請求項16】 前記薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報
    を、人間が直接認識できる形態で形成した請求項13ま
    たは14に記載の薄膜磁気ヘッド。
  17. 【請求項17】 前記薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報
    を、前記接点パッド以外の部分を覆うオーバーコート層
    を経て読み取ることができるように形成した請求項13
    〜16の何れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  18. 【請求項18】 前記配線パターンの第1の導電パター
    ンの接続導体を、前記少なくとも1つの薄膜磁気ヘッド
    素子の第1および第2の接続端子にそれぞれ固定的に接
    続し、前記第2の導電パターンの接続導体を、前記少な
    くとも2つの接点パッドにそれぞれ固定的に接続した請
    求項1〜17の何れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  19. 【請求項19】 前記配線パターンの第1の導電パター
    ンの接続導体を、前記少なくとも1つの薄膜磁気ヘッド
    素子の第1および第2の接続端子にそれぞれ直接接続
    し、前記第2の導電パターンの接続導体を、前記少なく
    とも2つの接点パッドにそれぞれ直接接続した請求項1
    8に記載の薄膜磁気ヘッド。
  20. 【請求項20】 前記配線パターンの第1および第2の
    導電パターンの一方の接続導体を、前記少なくとも1つ
    の薄膜磁気ヘッド素子の第1および第2の接続端子にそ
    れぞれ直接接続し、他方の導電パターンの接続導体を、
    前記少なくとも2つの接点パッドにそれぞれ直接接続さ
    れ、この導電パターンとは絶縁層を介して異なるレベル
    に延在する接続導体と、この絶縁層にあけたコンタクト
    ホールを介して導電的に接続した請求項18に記載の薄
    膜磁気ヘッド。
  21. 【請求項21】 前記配線パターンの第1および第2の
    導電パターンの一方の接続導体を、前記少なくとも2つ
    の接点パッドにそれぞれ直接接続し、他方の導電パター
    ンの接続導体を、前記少なくとも1つの薄膜磁気ヘッド
    素子の第1および第2の接続端子にそれぞれ直接接続さ
    れ、この導電パターンとは絶縁層を介して異なるレベル
    に延在する接続導体と、この記絶縁層にあけたコンタク
    トホールを介して導電的に接続した請求項18に記載の
    薄膜磁気ヘッド。
  22. 【請求項22】前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体に
    よって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッ
    ド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具え
    る複合型薄膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁気
    ヘッド素子の薄膜コイルの両端に接続された2つの接続
    端子と、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気
    抵抗素子の両端に接続された2つの接続端子とを設ける
    と共に4つの接点パッドを設け、前記配線パターンの第
    1の導電パターンを、前記薄膜磁気ヘッド素子の4つの
    接続端子に固定的に接続された4本の接続導体で構成
    し、第2の導電パターンを、前記4つの接点パッドの内
    の2つの接点パッドに固定的に接続された2本の接続導
    体と、残りの2つの接点パッドに導電的に接続された2
    本の接続導体と交差している延長部を有する2本の中間
    導体とで構成した請求項1〜17の何れかに記載の薄膜
    磁気ヘッド。
  23. 【請求項23】前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体に
    よって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッ
    ド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具え
    る複合型薄膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁気
    ヘッド素子の薄膜コイルの両端に接続された2つの接続
    端子と、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気
    抵抗素子の両端に接続された2つの接続端子とを設ける
    と共に4つの接点パッドを設け、前記配線パターンの第
    1の導電パターンを、前記4つの接続端子の内の2つの
    接続端子に固定的に接続された2本の接続導体と、残り
    の2つの接続端子に導電的に接続された2本の接続導体
    と交差している延長部を有する2本の中間導体とで構成
    し、前記配線パターンの第2の導電パターンを、前記4
    つの接点パッドに固定的に接続された4本の接続導体で
    構成した請求項1〜17の何れかに記載の薄膜磁気ヘッ
    ド。
  24. 【請求項24】 前記配線パターンの第1の導電パター
    ンを、前記少なくとも1つの薄膜磁気ヘッド素子の第1
    および第2の接続端子および前記少なくとも2つの接点
    パッドに接続された少なくとも4本の接続導体で構成
    し、前記第2の導電パターンを、それぞれがこれら第1
    の導電パターンの全ての接続導体と交差し、前記接点パ
    ッドの個数に等しい本数の中間導体で構成した請求項1
    〜17の何れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  25. 【請求項25】 前記薄膜磁気ヘッド素子を、誘導型薄
    膜磁気ヘッド素子とし、その薄膜コイルの両端を前記少
    なくとも2つの接続端子に接続した請求項24に記載の
    薄膜磁気ヘッド。
  26. 【請求項26】 前記薄膜磁気ヘッド素子を、磁気抵抗
    効果型薄膜磁気ヘッド素子とし、その磁気抵抗素子の両
    端を前記少なくとも2つの接続端子に接続した請求項2
    4に記載の薄膜磁気ヘッド。
  27. 【請求項27】 前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体
    によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘ
    ッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具
    える複合型薄膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁
    気ヘッド素子の薄膜コイルの両端および前記磁気抵抗効
    果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端を4つの
    接続端子に接続し、これら4つの接続端子を、4本の接
    続導体より成る第2の導電パターンと、4本の中間導体
    より成る第2の導電パターンとを含む配線パターンを介
    して4つの接点パッドに接続し、前記複合型薄膜磁気ヘ
    ッド素子を、前記接点パッドを配設した基体の端面に対
    して垂直な方向から見て、エアベアリング面の中心位置
    に設けてアップ型およびダウン型のセンターエレメント
    型スライダとして共用できるように構成した請求項24
    に記載の薄膜磁気ヘッド。
  28. 【請求項28】各々が、前記基体によって積層された状
    態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵
    抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える2つの複合型薄膜
    磁気ヘッド素子を設け、2つの誘導型薄膜磁気ヘッド素
    子の薄膜コイルの両端を4つの接続端子に接続し、2つ
    の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の
    両端を4つの接続端子に接続し、これら8つの接続端子
    を、12本の接続導体より成る第1の導電パターンと、
    4本の中間導体より成る第2の導電パターンとを含む配
    線パターンを介して4つの接点パッドに接続し、前記2
    つの薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッドを配設した
    基体の端面に対して垂直な方向から見て、前記エアベア
    リング面の中心に対して対称な位置に設けてアップ型お
    よびダウン型のサイドエレメント型スライダとして共用
    できるように構成した請求項24に記載の薄膜磁気ヘッ
    ド。
  29. 【請求項29】各々が、前記基体によって積層された状
    態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵
    抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える3つの複合型薄膜
    磁気ヘッド素子を設け、3つの誘導型薄膜磁気ヘッド素
    子の薄膜コイルの両端を6つの接続端子に接続し、3つ
    の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の
    両端を6つの接続端子に接続し、これら12個の接続端
    子を、16本の接続導体より成る第1の導電パターン
    と、4本の中間導体より成る第2の導電パターンとを含
    む配線パターンを介して4つの接点パッドに接続し、前
    記3つの複合薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッドを
    配設した基体の端面に対して垂直な方向から見て、前記
    エアベアリング面の中心位置に設けると共にこの中心位
    置に対して対称な位置に設けて、アップ型およびダウン
    型のセンターエレメント型スライダおよびアップ型およ
    びダウン型のサイドエレメント型スライダとして共用で
    きるように構成した請求項24に記載の薄膜磁気ヘッ
    ド。
  30. 【請求項30】 前記配線パターンの第1の導電パター
    ンを構成する複数の接続導体および/または中間導体を
    互いにほぼ平行に延在させ、前記第2の導電パターンを
    構成する複数の接続導体および/または中間導体を互い
    にほぼ平行に延在させると共に第1の導電パターンの接
    続導体および/または中間導体とほぼ直交させた請求項
    1〜29の何れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  31. 【請求項31】 前記配線パターンの第1および第2の
    導電パターンの間の全ての交差箇所の内、薄膜磁気ヘッ
    ドの仕様によって決まる少なくとも2つの交差箇所にお
    いて、第1および第2の導電パターンの接続導体および
    /または中間導体間を、これらの間を連通するように形
    成されたコンタクトホールに配設された連結導体で導電
    的に接続した請求項1〜30の何れかに記載の薄膜磁気
    ヘッド。
  32. 【請求項32】 前記配線パターンの第1および第2の
    導電パターンの間の全ての交差箇所の内、薄膜磁気ヘッ
    ドの仕様によって決まる少なくとも2つの交差箇所にお
    いて、下側の導電パターンの接続導体および/または中
    間導体まで達するように形成されたコンタクトホールを
    介して下側の導電パターンの接続導体および/または中
    間導体に接続された連結導体が一体的に形成された接続
    導体および/または中間導体を他方の導電パターンに設
    けた請求項1〜30の何れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  33. 【請求項33】 前記配線パターンの第1および第2の
    導電パターンの間の全ての交差箇所において、上下の接
    続導体および/または中間導体間を連通するコンタクト
    ホールを形成し、これらのコンタクトホールの内、薄膜
    磁気ヘッドの仕様によって決まる少なくとも2つのコン
    タクトホールにおいて、上下の接続導体および/または
    中間導体を連結導体で導電的に接続した請求項1〜30
    の何れかに記載の膜磁気ヘッド。
  34. 【請求項34】 前記配線パターンの第1および第2の
    導電パターンの間の全ての交差箇所において、下側の導
    電パターンの接続導体および/または中間導体の上側表
    面から上側の導電パターンの接続導体および/または中
    間導体の上側表面のレベルまで延在するコンタクトホー
    ル内に連結プラグを形成し、薄膜磁気ヘッドの仕様によ
    って決まる少なくとも2つの交差箇所の各々において、
    その交差箇所の連結プラグと上側の導電パターンの接続
    導体および/または中間導体との間を導電的に接続する
    ように配設された連結パッチを設けた請求項1〜30に
    記載の薄膜磁気ヘッド。
  35. 【請求項35】 前記配線パターンの第1および第2の
    導電パターンの接続導体および/または中間導体とを電
    気的に接続するために、前記絶縁層に開けられたコンタ
    クトホールを、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の下部お
    よび上部磁気ポールを磁気ギャップとは離れた位置にお
    いて連結するバックギャップを構成する開口を前記絶縁
    層に形成する工程と同時に形成した請求項31〜34の
    何れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  36. 【請求項36】 仕様の異なる複数の薄膜磁気ヘッドの
    製造に共通に使用される薄膜磁気ヘッド用共通ユニット
    であって、 記録媒体の表面と対向するエアベアリング面を有するス
    ライダを構成する基体と、 この基体によって支持された少なくも1つの薄膜磁気ヘ
    ッド素子と、 この薄膜磁気ヘッド素子の複数の接続端子を、薄膜磁気
    ヘッドの仕様に応じた任意の位置関係で、前記基体の、
    記録媒体の進行方向に見た一端面に設けられ、前記少な
    くとも1つの薄膜磁気ヘッド素子の複数の接続端子を外
    部回路に接続するための複数の接点パッドに接続できる
    ように設けられた配線パターンと、を具える薄膜磁気ヘ
    ッド用共通ユニット。
  37. 【請求項37】 前記配線パターンが、それぞれが前記
    基体側から見て絶縁層を介して異なるレベルにおいて延
    在するとともに互いに交差する複数の接続導体を含み、
    それぞれ前記薄膜磁気ヘッドの少なくとも2つの接続端
    子および前記少なくとも2つの接点パッドに直接または
    他の導電パターンを経て導電的に接続された第1および
    第2の導電パターンを具える請求項36に記載の薄膜磁
    気ヘッド用共通ユニット。
  38. 【請求項38】 前記配線パターンの接続導体を、薄膜
    磁気ヘッド素子を構成する導電性部材と同じ材料でかつ
    同時に形成される導電性部材で構成した請求項37に記
    載の薄膜磁気ヘッド用共通ユニット。
  39. 【請求項39】 前記配線パターンの第1の導電パター
    ンの接続導体を、前記少なくとも1つの薄膜磁気ヘッド
    素子の第1および第2の接続端子にそれぞれ固定的に接
    続し、前記第2の導電パターンの接続導体を、前記少な
    くとも2つの接点パッドにそれぞれ固定的に接続した請
    求項37または38に記載の薄膜磁気ヘッド用共通ユニ
    ット。
  40. 【請求項40】前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体に
    よって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッ
    ド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具え
    る複合型薄膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁気
    ヘッド素子の薄膜コイルの両端に接続された2つの接続
    端子と、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気
    抵抗素子の両端に接続された2つの接続端子とを設ける
    と共に4つの接点パッドを設け、前記配線パターンの第
    1の導電パターンを、前記薄膜磁気ヘッド素子の4つの
    接続端子に固定的に接続された4本の接続導体で構成
    し、第2の導電パターンを、前記4つの接点パッドの内
    の2つの接点パッドに固定的に接続された2本の接続導
    体と、残りの2つの接点パッドに導電的に接続された2
    本の接続導体と交差している延長部を有する2本の中間
    導体とで構成した請求項37または38に記載の薄膜磁
    気ヘッド。
  41. 【請求項41】前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体に
    よって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッ
    ド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具え
    る複合型薄膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁気
    ヘッド素子の薄膜コイルの両端に接続された2つの接続
    端子と、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気
    抵抗素子の両端に接続された2つの接続端子とを設ける
    と共に4つの接点パッドを設け、前記配線パターンの第
    1の導電パターンを、前記4つの接続端子の内の2つの
    接続端子に固定的に接続された2本の接続導体と、残り
    の2つの接続端子に導電的に接続された2本の接続導体
    と交差している延長部を有する2本の中間導体とで構成
    し、前記配線パターンの第2の導電パターンを、前記4
    つの接点パッドに固定的に接続された4本の接続導体で
    構成した請求項37または38に記載の薄膜磁気ヘッ
    ド。
  42. 【請求項42】 前記薄膜磁気ヘッド素子を、前記基体
    によって積層された状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘ
    ッド素子および磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具
    える複合型薄膜磁気ヘッド素子とし、前記誘導型薄膜磁
    気ヘッド素子の薄膜コイルの両端および前記磁気抵抗効
    果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の両端を4つの
    接続端子に接続し、これら4つの接続端子を、4本の接
    続導体より成る第2の導電パターンと、4本の中間導体
    より成る第2の導電パターンとを含む配線パターンを介
    して4つの接点パッドに接続し得るように配線パターン
    を構成し、前記複合型薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点
    パッドを配設した基体の端面に対して垂直な方向から見
    て、エアベアリング面の中心位置に設けてアップ型およ
    びダウン型のセンターエレメント型スライダとして共用
    できるように構成した請求項37または38に記載の薄
    膜磁気ヘッド用共通ユニット。
  43. 【請求項43】各々が、前記基体によって積層された状
    態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気抵
    抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える2つの複合型薄膜
    磁気ヘッド素子を設け、2つの誘導型薄膜磁気ヘッド素
    子の薄膜コイルの両端を4つの接続端子に接続し、2つ
    の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子の
    両端を4つの接続端子に接続し、これら8つの接続端子
    を、12本の接続導体より成る第1の導電パターンと、
    4本の中間導体より成る第2の導電パターンとを含む配
    線パターンを介して4つの接点パッドに接続し得るよう
    に配線パターンを構成し、前記2つの薄膜磁気ヘッド素
    子を、前記接点パッドを配設した基体の端面に対して垂
    直な方向から見て、前記エアベアリング面の中心に対し
    て対称な位置に設けてアップ型およびダウン型のサイド
    エレメント型スライダとして共用できるように構成した
    請求項37または38に記載の薄膜磁気ヘッド用共通ユ
    ニット。
  44. 【請求項44】 各々が、前記基体によって積層された
    状態で支持された誘導型薄膜磁気ヘッド素子および磁気
    抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子を具える3つの複合型薄
    膜磁気ヘッド素子を設け、3つの誘導型薄膜磁気ヘッド
    素子の薄膜コイルの両端を6つの接続端子に接続し、3
    つの磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵抗素子
    の両端を6つの接続端子に接続し、これら12個の接続
    端子を、16本の接続導体より成る第1の導電パターン
    と、4本の中間導体より成る第2の導電パターンとを含
    む配線パターンを介して4つの接点パッドに接続し得る
    ように配線パターンを構成し、前記3つの複合薄膜磁気
    ヘッド素子を、前記接点パッドを配設した基体の端面に
    対して垂直な方向から見て、前記エアベアリング面の中
    心位置に設けると共にこの中心位置に対して対称な位置
    に設けて、アップ型およびダウン型のセンターエレメン
    ト型スライダおよびアップ型およびダウン型のサイドエ
    レメント型スライダとして共用できるように構成した請
    求項37または38に記載の薄膜磁気ヘッド用共通ユニ
    ット。
  45. 【請求項45】 記録媒体の表面と対向するエアベアリ
    ング面を有するスライダを構成する基体と、この基体に
    よって支持された少なくも1つの薄膜磁気ヘッド素子
    と、前記基体の、記録媒体の進行方向に見た一端面に設
    けられ、前記少なくとも1つの薄膜磁気ヘッド素子の第
    1および第2の接続端子を外部回路に接続するための少
    なくとも2つの接点パッドと、前記薄膜磁気ヘッド素子
    の第1および第2の接続端子を第1および第2の導電パ
    ターンを介して前記接点パッドに接続する配線パターン
    とを有する薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、 基体によって支持されるように薄膜磁気ヘッド素子を形
    成する工程と、 前記配線パターンの第1の導電パターンを構成する複数
    の接続導体および/または中間導体を形成する工程と、 この配線パターンの第1の導電パターンを覆うように絶
    縁層を形成する工程と、 この絶縁層上に、各々が前記第1の導電パターンを構成
    する複数の接続導体および/または中間導体と交差する
    複数の接続導体および/または中間導体を有する第2の
    導電パターンを形成する工程と、 これら第1および第2の導電パターンの接続導体および
    /または中間導体の全ての交差箇所の内、製造すべき薄
    膜磁気ヘッドの仕様に応じて選択された複数の交差箇所
    において、第1および第2の導電パターンの接続導体お
    よび/または中間導体を、前記絶縁層にあけたコンタク
    トホールを介して導電的に接続する工程と、 前記基体の、少なくとも前記端面にオーバーコート層を
    形成する工程と、 前記少なくとも2つの接続部材にそれぞれ接続された少
    なくとも2つの接点パッドを前記オーバーコート層上に
    形成する工程と、を具える薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  46. 【請求項46】 前記配線パターンの第1および第2の
    導電パターンを、薄膜磁気ヘッドを構成する導電性部材
    を形成するのと同じ材料でかつ同時に形成する請求項4
    5に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  47. 【請求項47】 前記配線パターンの第1および第2の
    導電パターンを導電的に接続する導電部材をも、薄膜磁
    気ヘッドを構成する導電性部材を形成するのと同じ工程
    において同じ材料で形成する請求項46に記載の薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
  48. 【請求項48】 前記薄膜磁気ヘッドを誘導型薄膜磁気
    ヘッドとし、前記配線パターンの第1の導電パターン
    を、前記誘導型薄膜磁気ヘッドの下部磁気ポールと同じ
    材料でかつ同時に形成し、第2の導電パターンを薄膜コ
    イルのコイル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成する請
    求項46または47に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  49. 【請求項49】 前記薄膜磁気ヘッドを誘導型薄膜磁気
    ヘッドとし、前記配線パターンの第1の導電パターン
    を、前記誘導型薄膜磁気ヘッドの下部磁気ポールと同じ
    材料でかつ同時に形成し、第2の導電パターンを上部磁
    気ポールと同じ材料でかつ同時に形成する請求項46ま
    たは47に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  50. 【請求項50】 前記薄膜磁気ヘッドを誘導型薄膜磁気
    ヘッドとし、前記配線パターンの第1の導電パターン
    を、前記誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルの下部コイ
    ル巻回体と同じ材料でかつ同時に形成し、第2の導電パ
    ターンを薄膜コイルの上部コイル巻回体と同じ材料でか
    つ同時に形成する請求項46または47に記載の薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
  51. 【請求項51】 前記薄膜磁気ヘッドを誘導型薄膜磁気
    ヘッドとし、前記配線パターンの第1の導電パターン
    を、前記誘導型薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルのコイル巻
    回体と同じ材料でかつ同時に形成し、第2の導体パター
    ンを上部磁気ポールと同じ材料でかつ同時に形成する請
    求項46または47に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  52. 【請求項52】 前記薄膜磁気ヘッド素子として少なく
    とも誘導型薄膜磁気ヘッド素子を含むものとし、前記第
    1の導電パターンと第2の導電パターンとを電気的に接
    続するために、前記絶縁層に開けられたコンタクトホー
    ルを、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の下部磁気ポール
    と上部磁気ポールとを磁気ギャップとは離れた位置にお
    いて連結するバックギャップを構成する開口を前記絶縁
    層に形成する工程と同時に形成する請求項45〜51の
    何れかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  53. 【請求項53】 前記薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報
    を、外部から見ることができる位置に形成する請求項4
    5〜52の何れかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  54. 【請求項54】 前記薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報
    を、薄膜磁気ヘッドの仕様に応じて選択された複数の交
    差箇所において第1および第2の導電パターンを導電的
    に接続する工程中に形成する請求項53に記載の薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
  55. 【請求項55】 前記薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報
    を、読み取り機によって自動的に読み取ることができる
    形態で形成する請求項53または54に記載の薄膜磁気
    ヘッドの製造方法。
  56. 【請求項56】 前記薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報
    を、人間が直接認識できる形態で形成する請求項53ま
    たは54に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  57. 【請求項57】 前記薄膜磁気ヘッドの仕様を表す情報
    を、前記オーバーコート層を形成する前に、オーバーコ
    ート層を経て読み取ることができるように形成する請求
    項53〜56の何れかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  58. 【請求項58】 前記配線パターンの第1の導電パター
    ンの接続導体を、前記少なくとも1つの薄膜磁気ヘッド
    素子の第1および第2の接続端子にそれぞれ固定的に接
    続されるように形成し、前記第2の導電パターンの接続
    導体を、前記少なくとも2つの接点パッドにそれぞれ固
    定的に接続されるように形成する請求項45〜57の何
    れかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  59. 【請求項59】前記薄膜磁気ヘッド素子を形成する工程
    が、両端が接続端子に接続された薄膜コイルを有する誘
    導型薄膜磁気ヘッド素子と、両端が接続端子に接続され
    た磁気抵抗素子を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
    素子とを、前記基体によって積層された状態で支持され
    た複合型薄膜磁気ヘッド素子を形成する工程を含み、 前記配線パターンの第1の導電パターンを形成する工程
    が、前記複合型薄膜磁気ヘッド素子の4つの接続端子に
    固定的に接続された4本の接続導体を形成する工程を含
    み、 前記第2の導電パターンを形成する工程が、4つの接点
    パッドの内の2つの接点パッドに固定的に接続された2
    本の接続導体と、残りの2つの接点パッドに導電的に接
    続された2本の接続導体と交差する延長部を有する2本
    の中間導体とを形成する工程を含む請求項45〜57の
    何れかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  60. 【請求項60】前記薄膜磁気ヘッド素子を形成する工程
    が、両端が接続端子に接続された薄膜コイルを有する誘
    導型薄膜磁気ヘッド素子と、両端が接続端子に接続され
    た磁気抵抗素子を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
    素子とを、前記基体によって積層された状態で支持され
    た複合型薄膜磁気ヘッド素子を形成する工程を含み、 前記配線パターンの第1の導電パターンを形成する工程
    が、前記4つの接続端子の内の2つの接続端子に固定的
    に接続された2本の接続導体と、残りの2つの接続端子
    に導電的に接続された2本の接続導体と交差する延長部
    を有する2本の中間導体とを形成する工程を含み、 前記配線パターンの第2の導電パターンを形成する工程
    が、4つの接点パッドに固定的に接続された4本の接続
    導体を形成する工程を含む請求項45〜57の何れかに
    記載の薄膜磁気ヘッド。
  61. 【請求項61】 前記配線パターンの第1の導電パター
    ンを形成する工程が、前記少なくとも1つの薄膜磁気ヘ
    ッド素子の第1および第2の接続端子および前記少なく
    とも2つの接点パッドに接続された少なくとも4本の接
    続導体を形成する工程を含み、 前記配線パターンの第2の導電パターンを形成する工程
    が、それぞれが前記第1の導電パターンの全ての接続導
    体と交差し、前記接点パッドの個数に等しい本数の中間
    導体を形成する工程を含む請求項45〜57の何れかに
    記載の薄膜磁気ヘッド。
  62. 【請求項62】 前記薄膜磁気ヘッド素子を形成する工
    程が、両端が接続端子に接続された薄膜コイルを有する
    誘導型薄膜磁気ヘッド素子と、両端が接続端子に接続さ
    れた磁気抵抗素子を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
    ド素子とを、前記基体によって積層された状態で支持さ
    れた複合型薄膜磁気ヘッド素子を形成する工程を含み、 前記配線パターンの第1の導電パターンを形成する工程
    が、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端
    および前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵
    抗素子の両端に接続された4つの接続端子に接続された
    4本の接続導体と、4つの接続部材に接続された4本の
    接続導体とを形成する工程を含み、 前記配線パターンの第2の導電パターンを形成する工程
    が、それぞれが前記第1の導電パターンの8本の接続導
    体と交差する4本の中間導体を形成する工程を含み、 前記複合型薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッドを配
    設した基体の端面に対して垂直な方向から見て、エアベ
    アリング面の中心位置に形成してアップ型およびダウン
    型のセンターエレメント型スライダとして共用できるよ
    うに構成した請求項61に記載の薄膜磁気ヘッドの製造
    方法。
  63. 【請求項63】前記薄膜磁気ヘッド素子を形成する工程
    が、両端が接続端子に接続された薄膜コイルを有する誘
    導型薄膜磁気ヘッド素子と、両端が接続端子に接続され
    た磁気抵抗素子を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
    素子とを、前記基体によって積層された状態で支持され
    た2つの複合型薄膜磁気ヘッド素子を形成する工程を含
    み、 前記配線パターンの第1の導電パターンを形成する工程
    が、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端
    および前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵
    抗素子の両端に接続された8つの接続端子に接続された
    8本の接続導体と、4つの接続部材に接続された4本の
    接続導体とを形成する工程を含み、 前記配線パターンの第2の導電パターンを形成する工程
    が、それぞれが前記第1の導電パターンの12本の接続
    導体と交差する4本の中間導体を形成する工程を含み、 前記2つの複合型薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッ
    ドを配設した基体の端面に対して垂直な方向から見て、
    前記エアベアリング面の中心に対して対称な位置に設け
    てアップ型およびダウン型のサイドエレメント型スライ
    ダとして共用できるように構成した請求項61に記載の
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  64. 【請求項64】前記薄膜磁気ヘッド素子を形成する工程
    が、両端が接続端子に接続された薄膜コイルを有する誘
    導型薄膜磁気ヘッド素子と、両端が接続端子に接続され
    た磁気抵抗素子を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
    素子とを、前記基体によって積層された状態で支持され
    た3つの複合型薄膜磁気ヘッド素子を形成する工程を含
    み、 前記配線パターンの第1の導電パターンを形成する工程
    が、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素子の薄膜コイルの両端
    および前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド素子の磁気抵
    抗素子の両端に接続された12個の接続端子に接続され
    た12本の接続導体と、4つの接続部材に接続された4
    本の接続導体とを形成する工程を含み、 前記配線パターンの第2の導電パターンを形成する工程
    が、それぞれが前記第1の導電パターンの16本の接続
    導体と交差する4本の中間導体を形成する工程を含み、 前記3つの複合型薄膜磁気ヘッド素子を、前記接点パッ
    ドを配設した基体の端面に対して垂直な方向から見て、
    前記エアベアリング面の中心位置に設けると共にこの中
    心位置に対して対称な位置に設けて、アップ型およびダ
    ウン型のセンターエレメント型スライダおよびアップ型
    およびダウン型のサイドエレメント型スライダとして共
    用できるように構成した請求項61に記載の薄膜磁気ヘ
    ッドの製造方法。
  65. 【請求項65】 前記配線パターンの第1の導電パター
    ンの接続導体および/または中間導体を互いにほぼ平行
    に形成し、前記配線パターンの第2の導電パターンの接
    続導体および/または中間導体を互いにほぼ平行で、か
    つ前記第1の導電パターンの接続導体および/または中
    間導体とほぼ直交させるように形成する請求項45〜6
    4の何れかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  66. 【請求項66】 記録媒体の表面と対向するエアベアリ
    ング面を有するスライダを構成する基体と、この基体に
    よって支持された少なくも1つの薄膜磁気ヘッド素子
    と、それぞれが前記基体側から見て絶縁層を介して異な
    るレベルにおいて延在するとともに互いに交差する複数
    の接続導体および/または中間導体を含み、それぞれ前
    記薄膜磁気ヘッドの少なくとも2つの接続端子に直接ま
    たは他の導電パターンを経て導電的に接続されると共
    に、前記基体の、記録媒体の進行方向に見た一端面に設
    けられ、前記薄膜磁気ヘッド素子の第1および第2の接
    続端子を外部回路に接続するための複数の接点パッドに
    直接または他の導電パターンを経て導電的に接続される
    第1および第2の導電パターンを有する配線パターンと
    を具える薄膜磁気ヘッド製造用中間ユニットを予め製造
    してストックしておく工程と、 前記配線パターンの第1および第2の導電パターンの交
    差箇所の内、薄膜磁気ヘッドの仕様によって決まる複数
    の交差箇所において、第1および第2の導電パターンを
    導電的に接続する工程と、を具える薄膜磁気ヘッドの製
    造方法。
  67. 【請求項67】 前記配線パターンの第1および第2の
    導電パターンの交差箇所の内、薄膜磁気ヘッドの仕様に
    よって決まる複数の交差箇所において、第1および第2
    の導電パターンを導電的に接続する工程中に、薄膜磁気
    ヘッドのタイプを表す情報を形成する請求項66に記載
    の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  68. 【請求項68】 前記配線パターンの第1および第2の
    導電パターンを導電的に接続する工程が、これら第1お
    よび第2の導電パターンの交差箇所の全てにおいて前記
    絶縁層に形成されたコンタクトホールの内、薄膜磁気ヘ
    ッドの仕様によって決まる複数のコンタクトホールにお
    いて、第1および第2の導電パターンを連結導体によっ
    て導電的に接続する工程を含む請求項66または67に
    記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  69. 【請求項69】 前記配線パターンの第1および第2の
    導電パターンを導電的に接続する工程が、これら第1お
    よび第2の導電パターンの交差箇所の全てにおいて、第
    1の導電パターンの上側表面から第2の導電パターンの
    上側表面のレベルまで延在するように前記絶縁層に形成
    されたコンタクトホール内に形成された連結プラグの
    内、薄膜磁気ヘッドの仕様によって決まる複数の交差箇
    所の各々において、連結プラグと第2の導電パターンと
    の間を接続する連結パッチを形成する工程を含む請求項
    66または67に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  70. 【請求項70】 前記配線パターンの第1および第2の
    導電パターンを導電的に接続する工程が、薄膜磁気ヘッ
    ドの仕様に応じた交差箇所において、前記第1の導電パ
    ターンに達する複数のコンタクトホールを前記絶縁層に
    形成する工程と、これらのコンタクトホールを介して第
    2の導電パターンを第1の導電パターンに接続する工程
    とを含む請求項66または67に記載の薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
  71. 【請求項71】 前記薄膜磁気ヘッド素子が少なくとも
    誘導型薄膜磁気ヘッド素子を具え、前記絶縁層に形成さ
    れるコンタクトホールを、前記誘導型薄膜磁気ヘッド素
    子のバックギャップを構成する開口を形成するのと同時
    に形成する請求項70に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
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