JPH0793711A - 複合型磁気ヘッド - Google Patents
複合型磁気ヘッドInfo
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- JPH0793711A JPH0793711A JP23938593A JP23938593A JPH0793711A JP H0793711 A JPH0793711 A JP H0793711A JP 23938593 A JP23938593 A JP 23938593A JP 23938593 A JP23938593 A JP 23938593A JP H0793711 A JPH0793711 A JP H0793711A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録トラック幅の最適化を容易なものとな
し、記録フリンジングの減少を図ることにより、高ＴＰ
Ｉ化を可能とする。 【構成】 インダクティブヘッドとＭＲヘッドを複合化
させた，いわゆる３ポールタイプの記録再生ヘッドにお
いて、記録コアとシールドコアとして機能する中間コア
である第２の薄膜磁気コア８のコア幅ｗ2 を、インダク
ティブヘッドの記録トラック幅とした。
し、記録フリンジングの減少を図ることにより、高ＴＰ
Ｉ化を可能とする。 【構成】 インダクティブヘッドとＭＲヘッドを複合化
させた，いわゆる３ポールタイプの記録再生ヘッドにお
いて、記録コアとシールドコアとして機能する中間コア
である第２の薄膜磁気コア８のコア幅ｗ2 を、インダク
ティブヘッドの記録トラック幅とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
に対して記録再生するのに好適な複合型磁気ヘッドに関
する。
に対して記録再生するのに好適な複合型磁気ヘッドに関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年のハードディスクの小型化，大容量
化の要求に伴い、高線記録密度化（高ＴＰＩ化）が容易
な磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称す
る。）が注目されている。しかし、ＭＲヘッドは再生専
用のヘッドであるため、ハードディスク用の磁気ヘッド
としては巻線型の薄膜磁気ヘッド（以下、インダクティ
ブヘッドと称する。）が必要になる。
化の要求に伴い、高線記録密度化（高ＴＰＩ化）が容易
な磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称す
る。）が注目されている。しかし、ＭＲヘッドは再生専
用のヘッドであるため、ハードディスク用の磁気ヘッド
としては巻線型の薄膜磁気ヘッド（以下、インダクティ
ブヘッドと称する。）が必要になる。
【０００３】かかるハードディスク用の磁気ヘッドとし
ては、例えば図７に示すように、磁気抵抗効果素子（以
下、ＭＲ素子と称する。）１０１を一対のシールド磁性
体１０２，１０３によって挟み込んだいわゆるシールド
型のＭＲヘッド１０４上に、ギャップ膜を介して一対の
薄膜磁気コア１０５，１０６を積層したインダクティブ
ヘッド１０７を積層することにより構成したいわゆる４
ポールタイプ（シールド磁性体と薄膜磁気コアが合計で
４つあるという意味）のものが提案されている。この４
ポールタイプの複合型磁気ヘッドは、記録と再生が完全
に分離された構成となっている。
ては、例えば図７に示すように、磁気抵抗効果素子（以
下、ＭＲ素子と称する。）１０１を一対のシールド磁性
体１０２，１０３によって挟み込んだいわゆるシールド
型のＭＲヘッド１０４上に、ギャップ膜を介して一対の
薄膜磁気コア１０５，１０６を積層したインダクティブ
ヘッド１０７を積層することにより構成したいわゆる４
ポールタイプ（シールド磁性体と薄膜磁気コアが合計で
４つあるという意味）のものが提案されている。この４
ポールタイプの複合型磁気ヘッドは、記録と再生が完全
に分離された構成となっている。
【０００４】この他、図８に示すように、ＭＲ素子１０
８を一対のシールド磁性体１０９，１１０で挟み込み、
その上層シールド磁性体１０９上にギャップ膜を介して
薄膜磁気コア１１１を積層したいわゆる３ポールタイプ
の複合型磁気ヘッドが提案されている。この３ポールタ
イプの複合型磁気ヘッドにおいては、記録コアの片側と
再生シールドの片側を共用する構成、つまりＭＲ素子１
０８を上下より挟み込む一対のシールド磁性体１０９，
１１０とによってＭＲヘッド１１２が構成され、そのＭ
Ｒヘッド１１２の一方のシールド磁性体１０９を記録コ
アとし、これに対向する薄膜磁気コア１１１とによって
インダクティブヘッド１１３を構成するようになってい
る。
８を一対のシールド磁性体１０９，１１０で挟み込み、
その上層シールド磁性体１０９上にギャップ膜を介して
薄膜磁気コア１１１を積層したいわゆる３ポールタイプ
の複合型磁気ヘッドが提案されている。この３ポールタ
イプの複合型磁気ヘッドにおいては、記録コアの片側と
再生シールドの片側を共用する構成、つまりＭＲ素子１
０８を上下より挟み込む一対のシールド磁性体１０９，
１１０とによってＭＲヘッド１１２が構成され、そのＭ
Ｒヘッド１１２の一方のシールド磁性体１０９を記録コ
アとし、これに対向する薄膜磁気コア１１１とによって
インダクティブヘッド１１３を構成するようになってい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、４ポールタ
イプの複合型磁気ヘッドは作製プロセスが多く手間がか
かることから、３ポールタイプが一般的である。この３
ポールタイプの複合型磁気ヘッドにおいては、シールド
磁性体１０９，１１０は信号の長波長成分をさえぎって
線記録密度を上げるために、ＭＲ素子１０８の上下（線
記録方向）に形成されている。また、隣接トラックの信
号を再生するとノイズとなるので、トラック幅方向の解
像度（オフトラック特性）も上げなければならない。
イプの複合型磁気ヘッドは作製プロセスが多く手間がか
かることから、３ポールタイプが一般的である。この３
ポールタイプの複合型磁気ヘッドにおいては、シールド
磁性体１０９，１１０は信号の長波長成分をさえぎって
線記録密度を上げるために、ＭＲ素子１０８の上下（線
記録方向）に形成されている。また、隣接トラックの信
号を再生するとノイズとなるので、トラック幅方向の解
像度（オフトラック特性）も上げなければならない。
【０００６】そのために、ＭＲ素子１０８のトラック幅
方向の長さよりもシールド幅を長くして、隣接トラック
からの信号磁束をシールドに吸い込ませてオフトラック
特性をよくする必要がある。なお、図９に示すＭＲ素子
１１４がＡＢＳ面（エア・ベアリング・サーフエス面）
１１５に平行に配置されたいわゆる横型のＭＲヘッドに
おいては、電極１１６，１１７と接続する部分１１８，
１１９が必要なために、実際の長さは再生トラック幅よ
りも長くなり、シールド磁性体１２０のシールド幅も短
くできない。
方向の長さよりもシールド幅を長くして、隣接トラック
からの信号磁束をシールドに吸い込ませてオフトラック
特性をよくする必要がある。なお、図９に示すＭＲ素子
１１４がＡＢＳ面（エア・ベアリング・サーフエス面）
１１５に平行に配置されたいわゆる横型のＭＲヘッドに
おいては、電極１１６，１１７と接続する部分１１８，
１１９が必要なために、実際の長さは再生トラック幅よ
りも長くなり、シールド磁性体１２０のシールド幅も短
くできない。
【０００７】ところが、３ポールタイプの複合型磁気ヘ
ッドは、片側のシールド磁性体１０９が記録コアとして
共用されている。このため、記録するときに片側のコア
が長いと、コアの側面からの漏洩磁束が増え、記録フリ
ンジングが大きくなる。いくら再生のオフトラック特性
を良くしても、記録の実効トラック幅を狭められない
と、トラック密度を上げることはできない。
ッドは、片側のシールド磁性体１０９が記録コアとして
共用されている。このため、記録するときに片側のコア
が長いと、コアの側面からの漏洩磁束が増え、記録フリ
ンジングが大きくなる。いくら再生のオフトラック特性
を良くしても、記録の実効トラック幅を狭められない
と、トラック密度を上げることはできない。
【０００８】そこで本発明は、上述の従来の有する技術
的な課題に鑑みて提案されたものであって、記録トラッ
ク幅の最適化を容易なものとなし、記録フリンジングの
減少を図ることにより、高ＴＰＩ化を可能とする複合型
磁気ヘッドを提供することを目的とする。
的な課題に鑑みて提案されたものであって、記録トラッ
ク幅の最適化を容易なものとなし、記録フリンジングの
減少を図ることにより、高ＴＰＩ化を可能とする複合型
磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、第１の薄膜磁気コアと第２の薄膜磁気
コア間に磁気抵抗効果素子が配され、磁気記録媒体との
対接面に臨んで再生用磁気ギャップを構成してなる磁気
抵抗効果型磁気ヘッドと、上記第２の薄膜磁気コアとに
よって閉磁路を構成する第３の薄膜磁気コアがこの第２
の薄膜磁気コア上に積層され、これら薄膜磁気コアの前
方端部間に磁気記録媒体との対接面に臨んで記録用磁気
ギャップを構成する誘導型薄膜磁気ヘッドとが同一基板
上に積層されてなる複合型磁気ヘッドにおいて、磁気記
録媒体との対接面に臨む第２の薄膜磁気コアのコア幅
を、誘導型薄膜磁気ヘッドの記録トラック幅とすること
により、上述の課題を解決する。
めに、本発明は、第１の薄膜磁気コアと第２の薄膜磁気
コア間に磁気抵抗効果素子が配され、磁気記録媒体との
対接面に臨んで再生用磁気ギャップを構成してなる磁気
抵抗効果型磁気ヘッドと、上記第２の薄膜磁気コアとに
よって閉磁路を構成する第３の薄膜磁気コアがこの第２
の薄膜磁気コア上に積層され、これら薄膜磁気コアの前
方端部間に磁気記録媒体との対接面に臨んで記録用磁気
ギャップを構成する誘導型薄膜磁気ヘッドとが同一基板
上に積層されてなる複合型磁気ヘッドにおいて、磁気記
録媒体との対接面に臨む第２の薄膜磁気コアのコア幅
を、誘導型薄膜磁気ヘッドの記録トラック幅とすること
により、上述の課題を解決する。
【００１０】また、本発明の複合型磁気ヘッドにおいて
は、第２の薄膜磁気コアを、少なくとも磁気記録媒体と
の対接面からバック側に亘って１μｍは同じ記録トラッ
ク幅とすることにより、上述の課題を解決する。
は、第２の薄膜磁気コアを、少なくとも磁気記録媒体と
の対接面からバック側に亘って１μｍは同じ記録トラッ
ク幅とすることにより、上述の課題を解決する。
【００１１】さらに、本発明の複合型磁気ヘッドにおい
ては、第２の薄膜磁気コアのトラック幅方向における側
面と、この第２の薄膜磁気コアと対向する第３の薄膜磁
気コアの対向面とのなす角度を９０度以上とすることに
より、上述の課題を解決する。
ては、第２の薄膜磁気コアのトラック幅方向における側
面と、この第２の薄膜磁気コアと対向する第３の薄膜磁
気コアの対向面とのなす角度を９０度以上とすることに
より、上述の課題を解決する。
【００１２】
【作用】本発明の複合型磁気ヘッドにおいては、記録コ
ア及び再生シールドコアとして機能する中間コアである
第２の薄膜磁気コアのコア幅を、インダクティブヘッド
の記録トラック幅としているので、フリンジング量が小
さくなり、高ＴＰＩ化が達成される。
ア及び再生シールドコアとして機能する中間コアである
第２の薄膜磁気コアのコア幅を、インダクティブヘッド
の記録トラック幅としているので、フリンジング量が小
さくなり、高ＴＰＩ化が達成される。
【００１３】また、本発明の複合型磁気ヘッドにおいて
は、記録トラック幅を規制する第２の薄膜磁気コアの先
端部のみをトラック幅規制のために狭め（１μｍ）、媒
体対接面から離れた部分では広げているので、磁区の安
定性が良好なものとなり、充分な記録特性が得られる。
は、記録トラック幅を規制する第２の薄膜磁気コアの先
端部のみをトラック幅規制のために狭め（１μｍ）、媒
体対接面から離れた部分では広げているので、磁区の安
定性が良好なものとなり、充分な記録特性が得られる。
【００１４】また、本発明の複合型磁気ヘッドにおいて
は、記録トラック幅を規制する第２の薄膜磁気コアのト
ラック幅方向における側面と、この第２の薄膜磁気コア
と対向する第３の薄膜磁気コアの対向面とのなす角度が
９０度以上とされているので、磁束の側面漏洩が小さく
なる。
は、記録トラック幅を規制する第２の薄膜磁気コアのト
ラック幅方向における側面と、この第２の薄膜磁気コア
と対向する第３の薄膜磁気コアの対向面とのなす角度が
９０度以上とされているので、磁束の側面漏洩が小さく
なる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例の複
合型磁気ヘッドは、図１ないし図３に示すように、ハー
ドディスクとの対接面となるＡＢＳ面１に再生用磁気ギ
ャップｇ1 を臨ませるＭＲヘッドと、このＡＢＳ面１に
記録用磁気ギャップｇ2 を臨ませるインダクティブヘッ
ドをＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板等からなるスライダ２の一
側面上に積層形成した、いわゆる３ポールタイプのヘッ
ド構成とされている。
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例の複
合型磁気ヘッドは、図１ないし図３に示すように、ハー
ドディスクとの対接面となるＡＢＳ面１に再生用磁気ギ
ャップｇ1 を臨ませるＭＲヘッドと、このＡＢＳ面１に
記録用磁気ギャップｇ2 を臨ませるインダクティブヘッ
ドをＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板等からなるスライダ２の一
側面上に積層形成した、いわゆる３ポールタイプのヘッ
ド構成とされている。
【００１６】ＭＲヘッドは、図３に示すように、先端部
と後端部にそれぞれ図示しない定電流源からのセンス電
流を通ずるための一対の電極３ａ，３ｂ（以下、ＡＢＳ
面１側に設けられる電極３ａを先端電極３ａ、後端側に
設けられる電極３ｂを後端電極３ｂと称する。）が積層
されたＭＲ素子４と、このＭＲ素子４に所要の向きの磁
界状態を与えるバイアス導体５とからなる。
と後端部にそれぞれ図示しない定電流源からのセンス電
流を通ずるための一対の電極３ａ，３ｂ（以下、ＡＢＳ
面１側に設けられる電極３ａを先端電極３ａ、後端側に
設けられる電極３ｂを後端電極３ｂと称する。）が積層
されたＭＲ素子４と、このＭＲ素子４に所要の向きの磁
界状態を与えるバイアス導体５とからなる。
【００１７】ＭＲ素子４は、その長手方向が上記ＡＢＳ
面１に対して垂直となるように設けられるとともに、そ
の一端縁が上記ＡＢＳ面１に臨むようになされている。
また、このＭＲ素子４は、例えばＳｉＯ2 等よりなる非
磁性の絶縁層を介して静磁的に結合する一対のＭＲ薄膜
を積層した構成とされ、バルクハウゼンノイズの発生が
回避されるようになっている。なお、ＭＲ薄膜は、例え
ばパーマロイ等の強磁性体薄膜からなり、その膜厚が数
百オングストローム程度とされる。
面１に対して垂直となるように設けられるとともに、そ
の一端縁が上記ＡＢＳ面１に臨むようになされている。
また、このＭＲ素子４は、例えばＳｉＯ2 等よりなる非
磁性の絶縁層を介して静磁的に結合する一対のＭＲ薄膜
を積層した構成とされ、バルクハウゼンノイズの発生が
回避されるようになっている。なお、ＭＲ薄膜は、例え
ばパーマロイ等の強磁性体薄膜からなり、その膜厚が数
百オングストローム程度とされる。
【００１８】先端電極３ａは、その一側縁がＡＢＳ面１
に臨むようにしてＭＲ素子４の先端部に積層されてい
る。かかる先端電極３ａは、後述の後端電極３ｂとの間
に電流を流してＭＲ素子４にセンス電流を通電する電極
としての機能を有する他、再生用磁気ギャップｇ1 のギ
ャップ膜としても機能するようになっている。
に臨むようにしてＭＲ素子４の先端部に積層されてい
る。かかる先端電極３ａは、後述の後端電極３ｂとの間
に電流を流してＭＲ素子４にセンス電流を通電する電極
としての機能を有する他、再生用磁気ギャップｇ1 のギ
ャップ膜としても機能するようになっている。
【００１９】一方、後端電極３ｂは、ＭＲ素子４の後端
部に直接積層してバック側に延在して設けられ、当該Ｍ
Ｒ素子４と電気的に接続するようになされている。
部に直接積層してバック側に延在して設けられ、当該Ｍ
Ｒ素子４と電気的に接続するようになされている。
【００２０】上記バイアス導体５は、ＭＲ素子４上に設
けられた絶縁層６上に、このＭＲ素子４に対して略直交
する方向（図１の紙面に対して垂直な方向）、つまりＭ
Ｒ素子４を横切る形で設けられている。そして、このバ
イアス導体５の両端部には、直流電源からのバイアス電
流が通電されるようになされている。したがって、この
両端子部より供給される直流電流はトラック幅方向に流
れ、その結果発生するバイアス磁界がＭＲ素子４の長手
方向に印加されることになる。
けられた絶縁層６上に、このＭＲ素子４に対して略直交
する方向（図１の紙面に対して垂直な方向）、つまりＭ
Ｒ素子４を横切る形で設けられている。そして、このバ
イアス導体５の両端部には、直流電源からのバイアス電
流が通電されるようになされている。したがって、この
両端子部より供給される直流電流はトラック幅方向に流
れ、その結果発生するバイアス磁界がＭＲ素子４の長手
方向に印加されることになる。
【００２１】そして、かかるＭＲヘッドにおいては、上
記ＭＲ素子４を絶縁層６を介してパーマロイ（Ｎｉ−Ｆ
ｅ）等の磁性体からなる第１の薄膜磁気コア７と第２の
薄膜磁気コア８とで挟み込んだ，いわゆるシールド型構
成とされている。
記ＭＲ素子４を絶縁層６を介してパーマロイ（Ｎｉ−Ｆ
ｅ）等の磁性体からなる第１の薄膜磁気コア７と第２の
薄膜磁気コア８とで挟み込んだ，いわゆるシールド型構
成とされている。
【００２２】ＭＲ素子４の下側に設けられる第１の薄膜
磁気コア７は、上記スライダ２上に上記ＡＢＳ面１にそ
の一端を臨ませるようにしてこのＡＢＳ面１に対して垂
直にバック側へ延在するようにして設けられている。
磁気コア７は、上記スライダ２上に上記ＡＢＳ面１にそ
の一端を臨ませるようにしてこのＡＢＳ面１に対して垂
直にバック側へ延在するようにして設けられている。
【００２３】一方、これに対向して設けられる他方の第
２の薄膜磁気コア８は、先の第１の薄膜磁気コア７と同
様に上記ＡＢＳ面１にその一端を臨ませるようにしてこ
のＡＢＳ面１に対して垂直にバック側へ延在して設けら
れている。
２の薄膜磁気コア８は、先の第１の薄膜磁気コア７と同
様に上記ＡＢＳ面１にその一端を臨ませるようにしてこ
のＡＢＳ面１に対して垂直にバック側へ延在して設けら
れている。
【００２４】一方、インダクティブヘッドは、上記ＭＲ
素子４のシールドコアとして機能する第２の薄膜磁気コ
ア８を一方の薄膜磁気コアとし、この第２の薄膜磁気コ
ア８に対向して積層される第３の薄膜磁気コア９とによ
って上記ＡＢＳ面１に臨んでその前方端部間に記録用磁
気ギャップｇ2 を構成するようになっている。
素子４のシールドコアとして機能する第２の薄膜磁気コ
ア８を一方の薄膜磁気コアとし、この第２の薄膜磁気コ
ア８に対向して積層される第３の薄膜磁気コア９とによ
って上記ＡＢＳ面１に臨んでその前方端部間に記録用磁
気ギャップｇ2 を構成するようになっている。
【００２５】すなわち、第２の薄膜磁気コア８に対向し
て積層される第３の薄膜磁気コア９は、上記ＡＢＳ面１
に臨む前方端部でこの第２の薄膜磁気コア８側に屈曲さ
れ、その間隙が狭くなされた対向部分に記録用磁気ギャ
ップｇ2 を構成するようになっている。なお、この第３
の薄膜磁気コア９は、後方端部で上記第２の薄膜磁気コ
ア８と磁気的に接触するようになっている。
て積層される第３の薄膜磁気コア９は、上記ＡＢＳ面１
に臨む前方端部でこの第２の薄膜磁気コア８側に屈曲さ
れ、その間隙が狭くなされた対向部分に記録用磁気ギャ
ップｇ2 を構成するようになっている。なお、この第３
の薄膜磁気コア９は、後方端部で上記第２の薄膜磁気コ
ア８と磁気的に接触するようになっている。
【００２６】そして、上記第３の薄膜磁気コア９と第２
の薄膜磁気コア８の接続部である磁気的結合部１０に
は、この磁気的結合部１０を取り囲むようにしてスパイ
ラル状のヘッド巻線１１が設けられている。ヘッド巻線
１１は、第３の薄膜磁気コア９と第２の薄膜磁気コア８
間の絶縁性を確保するために、絶縁層１２によって埋め
込まれている。
の薄膜磁気コア８の接続部である磁気的結合部１０に
は、この磁気的結合部１０を取り囲むようにしてスパイ
ラル状のヘッド巻線１１が設けられている。ヘッド巻線
１１は、第３の薄膜磁気コア９と第２の薄膜磁気コア８
間の絶縁性を確保するために、絶縁層１２によって埋め
込まれている。
【００２７】なお、第３の薄膜磁気コア９の上には、上
記スライダ２上に積層されるＭＲヘッドとインダクティ
ブヘッドを保護するための保護層１３が形成されてい
る。
記スライダ２上に積層されるＭＲヘッドとインダクティ
ブヘッドを保護するための保護層１３が形成されてい
る。
【００２８】そして特に本実施例では、ＡＢＳ面１に臨
む第１の薄膜磁気コア７と第２の薄膜磁気コア８並びに
第３の薄膜磁気コア９のコア幅をそれぞれｗ1 ，ｗ2 ，
ｗ3としたときに、ｗ1 ＞ｗ3 ＞ｗ2 なる関係とされ、
インダクティブヘッドの記録トラック幅が中間コアであ
る第２の薄膜磁気コア８のコア幅によって規制されてい
る。
む第１の薄膜磁気コア７と第２の薄膜磁気コア８並びに
第３の薄膜磁気コア９のコア幅をそれぞれｗ1 ，ｗ2 ，
ｗ3としたときに、ｗ1 ＞ｗ3 ＞ｗ2 なる関係とされ、
インダクティブヘッドの記録トラック幅が中間コアであ
る第２の薄膜磁気コア８のコア幅によって規制されてい
る。
【００２９】上記のように第２の薄膜磁気コア８のコア
幅ｗ2 によってインダクティブヘッドの記録トラック幅
を規制すれば、フリンジング量を少なくすることができ
る。これは、図６の一方の薄膜磁気コアのコア幅を変化
させたときの記録フリンジング特性に基づく。図６中横
軸は、第２の薄膜磁気コア８のコア幅ｗ2 から第３の薄
膜磁気コア９のコア幅ｗ3 を引いた値であり、縦軸はフ
リンジング量（実効トラック幅と光学トラック幅の差で
規定）である。
幅ｗ2 によってインダクティブヘッドの記録トラック幅
を規制すれば、フリンジング量を少なくすることができ
る。これは、図６の一方の薄膜磁気コアのコア幅を変化
させたときの記録フリンジング特性に基づく。図６中横
軸は、第２の薄膜磁気コア８のコア幅ｗ2 から第３の薄
膜磁気コア９のコア幅ｗ3 を引いた値であり、縦軸はフ
リンジング量（実効トラック幅と光学トラック幅の差で
規定）である。
【００３０】この図６から明かなように、第２の薄膜磁
気コア８のコア幅ｗ2 を第３の薄膜磁気コア９のコア幅
ｗ3 より狭くした方がフリンジング特性が格段に優れて
いることがわかる。つまり、中間コアである第２の薄膜
磁気コア８のコア幅ｗ2 を、記録トラック幅とすること
でフリンジング量を減少させることができることにな
る。
気コア８のコア幅ｗ2 を第３の薄膜磁気コア９のコア幅
ｗ3 より狭くした方がフリンジング特性が格段に優れて
いることがわかる。つまり、中間コアである第２の薄膜
磁気コア８のコア幅ｗ2 を、記録トラック幅とすること
でフリンジング量を減少させることができることにな
る。
【００３１】また、この第２の薄膜磁気コア８は、磁区
の安定化を図るべく、図３に示すように記録トラック幅
を規制するために先端部のみ狭められ、それ以降（バッ
ク側）は裾広がり形状とされている。記録トラック幅ｗ
2 の長さＬは、少なくともＡＢＳ面１からバック側に亘
って１μｍは同じ幅とすることが望ましい。なお、１μ
ｍを越えると、磁区の乱れが発生する。このように、先
端部のみを狭くしそれ以外のバック側を大面積となすこ
とにより、磁区の安定化が図れ、充分な記録特性を得る
ことができる。
の安定化を図るべく、図３に示すように記録トラック幅
を規制するために先端部のみ狭められ、それ以降（バッ
ク側）は裾広がり形状とされている。記録トラック幅ｗ
2 の長さＬは、少なくともＡＢＳ面１からバック側に亘
って１μｍは同じ幅とすることが望ましい。なお、１μ
ｍを越えると、磁区の乱れが発生する。このように、先
端部のみを狭くしそれ以外のバック側を大面積となすこ
とにより、磁区の安定化が図れ、充分な記録特性を得る
ことができる。
【００３２】また、この第２の薄膜磁気コア８は、メッ
キで形成されるために、図５に示すような逆テーパー形
状となる。すなわち、図４（ａ）〜（ｂ）の製造工程で
示すように、上底が下底より狭い台形状をなすフレーム
レジスト１４が覆われない程度に所定膜厚となるように
パーマロイをメッキしてメッキ膜１５を形成した後、フ
レームレジスト１４を除去して不要部分を取り去ると、
フレームレジスト１４のテーパーが転写されて逆テーパ
ー形状の第２の薄膜磁気コア８が形成される。つまり、
第２の薄膜磁気コア８は、上底が下底よりも広い台形状
となる。
キで形成されるために、図５に示すような逆テーパー形
状となる。すなわち、図４（ａ）〜（ｂ）の製造工程で
示すように、上底が下底より狭い台形状をなすフレーム
レジスト１４が覆われない程度に所定膜厚となるように
パーマロイをメッキしてメッキ膜１５を形成した後、フ
レームレジスト１４を除去して不要部分を取り去ると、
フレームレジスト１４のテーパーが転写されて逆テーパ
ー形状の第２の薄膜磁気コア８が形成される。つまり、
第２の薄膜磁気コア８は、上底が下底よりも広い台形状
となる。
【００３３】逆テーパー形状であると、図５に示すよう
に、第２の薄膜磁気コア８のトラック幅方向における側
面８ａ，８ｂと、この第２の薄膜磁気コア８と対向する
第３の薄膜磁気コア９の対向面９ａとのなす角度θ（以
下、側面角θと称する。）が９０度以上（鈍角）とな
る。側面角θが９０度以上であると、磁束が側面８ａ，
８ｂから逃げ難くなり、当該側面漏洩が小さくなって、
フリンジングが小さくなる。
に、第２の薄膜磁気コア８のトラック幅方向における側
面８ａ，８ｂと、この第２の薄膜磁気コア８と対向する
第３の薄膜磁気コア９の対向面９ａとのなす角度θ（以
下、側面角θと称する。）が９０度以上（鈍角）とな
る。側面角θが９０度以上であると、磁束が側面８ａ，
８ｂから逃げ難くなり、当該側面漏洩が小さくなって、
フリンジングが小さくなる。
【００３４】さらに、この第２の薄膜磁気コア８は再生
シールドコアとしても機能することから、シールド効果
を得るために当該第２の薄膜磁気コア８のコア幅ｗ
2 が、ＭＲ素子４の素子幅ｗ4 に対して大（ｗ2 ＞ｗ4
なる関係）とされている。本実施例のＭＲヘッドにおい
ては、ＭＲ素子４がＡＢＳ面１に対して垂直に配され
た，いわゆる縦型ＭＲヘッドであるので、ＡＢＳ面１に
は再生幅しか露出しないことから、このＭＲ素子４の素
子幅ｗ4 よりも広ければ、シールド効果は充分にある。
なお、本実施例では、第２の薄膜磁気コア８のコア幅ｗ
4 をＭＲ素子４の素子幅ｗ4 に対して１μｍ以上大きく
した。
シールドコアとしても機能することから、シールド効果
を得るために当該第２の薄膜磁気コア８のコア幅ｗ
2 が、ＭＲ素子４の素子幅ｗ4 に対して大（ｗ2 ＞ｗ4
なる関係）とされている。本実施例のＭＲヘッドにおい
ては、ＭＲ素子４がＡＢＳ面１に対して垂直に配され
た，いわゆる縦型ＭＲヘッドであるので、ＡＢＳ面１に
は再生幅しか露出しないことから、このＭＲ素子４の素
子幅ｗ4 よりも広ければ、シールド効果は充分にある。
なお、本実施例では、第２の薄膜磁気コア８のコア幅ｗ
4 をＭＲ素子４の素子幅ｗ4 に対して１μｍ以上大きく
した。
【００３５】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の複合型磁気ヘッドによれば、記録コア及び再生シー
ルドコアとして機能する中間コアである第２の薄膜磁気
コアのコア幅を、インダクティブヘッドの記録トラック
幅としているので、フリンジング量を小さなものとする
ことができ、高ＴＰＩ化を達成できる。
明の複合型磁気ヘッドによれば、記録コア及び再生シー
ルドコアとして機能する中間コアである第２の薄膜磁気
コアのコア幅を、インダクティブヘッドの記録トラック
幅としているので、フリンジング量を小さなものとする
ことができ、高ＴＰＩ化を達成できる。
【００３６】また、本発明の複合型磁気ヘッドにおいて
は、記録トラック幅を規制する第２の薄膜磁気コアの先
端部のみをトラック幅規制のために狭め、媒体対接面か
ら離れた部分では裾広がりの形状としているので、磁区
の安定性が良好なものとなり、充分な記録特性を得るこ
とができると共に、再生クロストークを低減できる。
は、記録トラック幅を規制する第２の薄膜磁気コアの先
端部のみをトラック幅規制のために狭め、媒体対接面か
ら離れた部分では裾広がりの形状としているので、磁区
の安定性が良好なものとなり、充分な記録特性を得るこ
とができると共に、再生クロストークを低減できる。
【００３７】さらに、本発明の複合型磁気ヘッドにおい
ては、記録トラック幅を規制する第２の薄膜磁気コアの
トラック幅方向における側面と、この第２の薄膜磁気コ
アと対向する第３の薄膜磁気コアの対向面とのなす角度
を９０度以上としているので、磁束の側面漏洩が小さく
なり、フリンジングを小さなものとなすことができる。
ては、記録トラック幅を規制する第２の薄膜磁気コアの
トラック幅方向における側面と、この第２の薄膜磁気コ
アと対向する第３の薄膜磁気コアの対向面とのなす角度
を９０度以上としているので、磁束の側面漏洩が小さく
なり、フリンジングを小さなものとなすことができる。
【図１】本発明を適用した複合型磁気ヘッドの拡大断面
図である。
図である。
【図２】本発明を適用した複合型磁気ヘッドをＡＢＳ面
より見た状態を示す模式図である。
より見た状態を示す模式図である。
【図３】本発明を適用した複合型磁気ヘッドを平面から
見た状態を示す透視図である。
見た状態を示す透視図である。
【図４】第２の薄膜磁気コアを製造する工程を順次示す
拡大断面図であり、（ａ）はフレームレジスト形成工
程、（ｂ）はメッキ工程、（ｃ）はレジスト除去工程、
（ｄ）は不要部分除去工程である。
拡大断面図であり、（ａ）はフレームレジスト形成工
程、（ｂ）はメッキ工程、（ｃ）はレジスト除去工程、
（ｄ）は不要部分除去工程である。
【図５】第２の薄膜磁気コアと第３の薄膜磁気コアのみ
を取り出してＡＢＳ面より見た状態の模式図である。
を取り出してＡＢＳ面より見た状態の模式図である。
【図６】記録コアの片側のコア幅を変化させたときの記
録フリンジング特性を示す特性図である。
録フリンジング特性を示す特性図である。
【図７】従来の４ポールタイプの複合型磁気ヘッドをＡ
ＢＳ面より見た状態を示す模式図である。
ＢＳ面より見た状態を示す模式図である。
【図８】従来の３ポールタイプの複合型磁気ヘッドをＡ
ＢＳ面より見た状態を示す模式図である。
ＢＳ面より見た状態を示す模式図である。
【図９】横型ＭＲヘッドを平面から見た状態を示す透視
図である。
図である。
１・・・ＡＢＳ面 ２・・・スライダ ３ａ・・・先端電極 ３ｂ・・・後端電極 ４・・・ＭＲ素子 ５・・・バイアス導体 ７・・・第１の薄膜磁気コア ８・・・第２の薄膜磁気コア ９・・・第３の薄膜磁気コア １０・・・磁気的結合部 １１・・・ヘッド巻線 １４・・・磁気的結合部
Claims (3)
- 【請求項１】 第１の薄膜磁気コアと第２の薄膜磁気コ
ア間に磁気抵抗効果素子が配され、磁気記録媒体との対
接面に臨んで再生用磁気ギャップを構成してなる磁気抵
抗効果型磁気ヘッドと、上記第２の薄膜磁気コアとによ
って閉磁路を構成する第３の薄膜磁気コアがこの第２の
薄膜磁気コア上に積層され、これら薄膜磁気コアの前方
端部間に磁気記録媒体との対接面に臨んで記録用磁気ギ
ャップを構成する誘導型薄膜磁気ヘッドとが同一基板上
に積層されてなる複合型磁気ヘッドにおいて、 磁気記録媒体との対接面に臨む第２の薄膜磁気コアのコ
ア幅が、誘導型薄膜磁気ヘッドの記録トラック幅とされ
ていることを特徴とする複合型磁気ヘッド。 - 【請求項２】 第２の薄膜磁気コアは、少なくとも磁気
記録媒体との対接面からバック側に亘って１μｍは同じ
記録トラック幅であることを特徴とする請求項１記載の
複合型磁気ヘッド。 - 【請求項３】 第２の薄膜磁気コアのトラック幅方向に
おける側面と、この第２の薄膜磁気コアと対向する第３
の薄膜磁気コアの対向面とのなす角度が９０度以上であ
ることを特徴とする請求項１記載の複合型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23938593A JPH0793711A (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 複合型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23938593A JPH0793711A (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 複合型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0793711A true JPH0793711A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17044002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23938593A Withdrawn JPH0793711A (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 複合型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793711A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7457079B2 (en) | 2002-07-03 | 2008-11-25 | Sony Corporation | Magnetic head with rectangular-shaped planar spiral coil and leading core width smaller than trailing core width |
| US7810226B2 (en) | 2006-03-24 | 2010-10-12 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a thin-film magnetic head having an element having a lower layer with a narrower width |
-
1993
- 1993-09-27 JP JP23938593A patent/JPH0793711A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7457079B2 (en) | 2002-07-03 | 2008-11-25 | Sony Corporation | Magnetic head with rectangular-shaped planar spiral coil and leading core width smaller than trailing core width |
| US7810226B2 (en) | 2006-03-24 | 2010-10-12 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a thin-film magnetic head having an element having a lower layer with a narrower width |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001128 |