JP2002324304A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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- JP2002324304A JP2002324304A JP2001128611A JP2001128611A JP2002324304A JP 2002324304 A JP2002324304 A JP 2002324304A JP 2001128611 A JP2001128611 A JP 2001128611A JP 2001128611 A JP2001128611 A JP 2001128611A JP 2002324304 A JP2002324304 A JP 2002324304A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明の目的は、高密度記録に適した狭トラッ
クの磁気コアを有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法を提供する。 【解決手段】薄膜磁気ヘッドの製造方法において、上部
磁気コア、下部磁気コア、非磁性金属または非磁性金属
化合物と絶縁膜によって構成された非磁性の既得側磁気
ギャップ膜を形成し、反応性イオンエッチングイオンを
用いて上記記録磁気ギャップ膜を除去し、イオンミリン
グで上記下部磁気コアおよび上部磁気コアをトリミング
する。
クの磁気コアを有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法を提供する。 【解決手段】薄膜磁気ヘッドの製造方法において、上部
磁気コア、下部磁気コア、非磁性金属または非磁性金属
化合物と絶縁膜によって構成された非磁性の既得側磁気
ギャップ膜を形成し、反応性イオンエッチングイオンを
用いて上記記録磁気ギャップ膜を除去し、イオンミリン
グで上記下部磁気コアおよび上部磁気コアをトリミング
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法に係り、特に高密度記録を実現する上で
好適な記録再生分離型薄膜磁気ヘッドに関する。
びその製造方法に係り、特に高密度記録を実現する上で
好適な記録再生分離型薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】特開平１１−３１６９０８号公報には、
ＳｉＯ２を非磁性層の磁気ギャップ層として用いる記述
がある。また、特開２０００−２０９１５号公報にはＳ
ｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３を磁気ギャップ層の構成材料例と
し、ＳｉＯ２をギャップ層として用いる場合には、Ａｌ
２Ｏ３、ＳｉＮ、ＡｌＮをギャップ保護層として用いる
記述がある。また、特開２０００−２６８３２０号公報
には、Ａｌ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３を含む合金、Ａｌ２Ｏ３
系非磁性材料、五酸化タンタル等の非Ａｌ２Ｏ３系非磁
性材料を、磁気ギャップ層の構成材料として用いる記述
がある。
ＳｉＯ２を非磁性層の磁気ギャップ層として用いる記述
がある。また、特開２０００−２０９１５号公報にはＳ
ｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３を磁気ギャップ層の構成材料例と
し、ＳｉＯ２をギャップ層として用いる場合には、Ａｌ
２Ｏ３、ＳｉＮ、ＡｌＮをギャップ保護層として用いる
記述がある。また、特開２０００−２６８３２０号公報
には、Ａｌ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３を含む合金、Ａｌ２Ｏ３
系非磁性材料、五酸化タンタル等の非Ａｌ２Ｏ３系非磁
性材料を、磁気ギャップ層の構成材料として用いる記述
がある。
【０００３】また、これらの公報には、上部磁気コア先
端部近傍の磁気ギャップをリアクティブイオンエッチン
グやイオンミリングで除去した後、上部および下部磁気
コアをイオンミリングで部分的にトリミングする例が開
示されている。
端部近傍の磁気ギャップをリアクティブイオンエッチン
グやイオンミリングで除去した後、上部および下部磁気
コアをイオンミリングで部分的にトリミングする例が開
示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】下部磁気コアのトリミ
ング対象部分の磁気ギャップ膜を、リアクティブイオン
エッチングを用いて除去する際、磁気ギャップ材として
Ａｌ２Ｏ３を用いる場合はＢＣｌ３、Ｃｌ２等の塩素系
ガスをプロセスガスに使用する。また、ＳｉＯ２を用い
る場合はＣＦ４、ＳＦ６等のフッ素系ガスをプロセスガ
スに使用する。これは、ＡｌとＣｌおよびＳｉとＦの反
応性生物が揮発性に富み、リアクティブイオンエッチン
グに適しているからである。
ング対象部分の磁気ギャップ膜を、リアクティブイオン
エッチングを用いて除去する際、磁気ギャップ材として
Ａｌ２Ｏ３を用いる場合はＢＣｌ３、Ｃｌ２等の塩素系
ガスをプロセスガスに使用する。また、ＳｉＯ２を用い
る場合はＣＦ４、ＳＦ６等のフッ素系ガスをプロセスガ
スに使用する。これは、ＡｌとＣｌおよびＳｉとＦの反
応性生物が揮発性に富み、リアクティブイオンエッチン
グに適しているからである。
【０００５】Ａｌ２Ｏ３を磁気ギャップとして用いる場
合、塩素系ガスでエッチングするので、磁気ギャップ膜
と共に上部磁気コアもエッチングされてしまう可能性が
ある。これは、磁気コアを構成するＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉ等
がＣｌと反応してしまうためである。
合、塩素系ガスでエッチングするので、磁気ギャップ膜
と共に上部磁気コアもエッチングされてしまう可能性が
ある。これは、磁気コアを構成するＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉ等
がＣｌと反応してしまうためである。
【０００６】ＳｉＯ２を磁気ギャップとして用いる場
合、フッ素系のガスでエッチングするので、Ｃｌとは異
なり、上部磁気コアへのエッチングダメージは殆どな
い。しかしながら、ＳｉＯ２では上部磁気コア形成のめ
っき下地膜との接着性に問題がある。すなわち、ＳｉＯ
２／めっき下地膜／上部磁気コアと形成する必要のある
めっきプロセスにおいて、ＳｉＯ２／めっき下地膜部の
密着力が弱く、剥離しやすい問題がある。このように従
来の技術では、高精度のリアクティブイオンエッチング
と耐食性、耐剥離性を満たすことができなかった。
合、フッ素系のガスでエッチングするので、Ｃｌとは異
なり、上部磁気コアへのエッチングダメージは殆どな
い。しかしながら、ＳｉＯ２では上部磁気コア形成のめ
っき下地膜との接着性に問題がある。すなわち、ＳｉＯ
２／めっき下地膜／上部磁気コアと形成する必要のある
めっきプロセスにおいて、ＳｉＯ２／めっき下地膜部の
密着力が弱く、剥離しやすい問題がある。このように従
来の技術では、高精度のリアクティブイオンエッチング
と耐食性、耐剥離性を満たすことができなかった。
【０００７】本発明の目的は、上記従来技術における加
工工程上の問題を解決し、高密度記録に適した狭トラッ
クの磁気コアを有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法を提供することにある。
工工程上の問題を解決し、高密度記録に適した狭トラッ
クの磁気コアを有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明では、上記課題を
解決するために、以下のプロセスを適用する。
解決するために、以下のプロセスを適用する。
【０００９】第１に、フッ素系ガスでエッチング可能な
絶縁膜を磁気ギャップに用い、この磁気ギャップ上にも
う１層、非磁性金属または非磁性金属化合物等の非磁性
膜を磁気ギャップの一部として形成する。これら磁気ギ
ャップ上に形成する膜は、磁気ギャップ膜と同様に、フ
ッ素系ガスでエッチング可能なものを用いる。上記磁気
ギャップに用いる絶縁膜は、例えば、Ｓｉ３Ｎ４、Ｓｉ
Ｏ２等を用いることができる。
絶縁膜を磁気ギャップに用い、この磁気ギャップ上にも
う１層、非磁性金属または非磁性金属化合物等の非磁性
膜を磁気ギャップの一部として形成する。これら磁気ギ
ャップ上に形成する膜は、磁気ギャップ膜と同様に、フ
ッ素系ガスでエッチング可能なものを用いる。上記磁気
ギャップに用いる絶縁膜は、例えば、Ｓｉ３Ｎ４、Ｓｉ
Ｏ２等を用いることができる。
【００１０】第２に磁気ギャップの絶縁膜から、めっき
下地膜が剥離するのを防ぐために、非磁性接着層を磁気
ギャップ膜として積層する。非磁性接着層となる非磁性
金属膜または非磁性金属化合物は、例えばＴａ、Ｔｉ、
Ｗおよびそれらの合金等、またはＴａＮ、ＴｉＮ、ＷＮ
等の窒化物を用いることができる。これらの絶縁膜、非
磁性金属膜および非磁性金属化合物は、フッ素系ガスを
用いたリアクティブイオンエッチングで除去可能であ
る。
下地膜が剥離するのを防ぐために、非磁性接着層を磁気
ギャップ膜として積層する。非磁性接着層となる非磁性
金属膜または非磁性金属化合物は、例えばＴａ、Ｔｉ、
Ｗおよびそれらの合金等、またはＴａＮ、ＴｉＮ、ＷＮ
等の窒化物を用いることができる。これらの絶縁膜、非
磁性金属膜および非磁性金属化合物は、フッ素系ガスを
用いたリアクティブイオンエッチングで除去可能であ
る。
【００１１】第３に、磁気ギャップの上に上部磁気コア
を形成するためのめっき下地膜を成膜する。めっき下地
膜の除去はイオンミリングで行う。上記磁気ギャップの
除去は、フッ素系ガスを用いたリアクティブイオンエッ
チングで行う。磁気ギャップ除去後、イオンミリングを
用いて上部磁気コア先端部および下部磁気コア先端部上
層を同時にトリミングし、狭トラック幅の磁気コアを形
成する。
を形成するためのめっき下地膜を成膜する。めっき下地
膜の除去はイオンミリングで行う。上記磁気ギャップの
除去は、フッ素系ガスを用いたリアクティブイオンエッ
チングで行う。磁気ギャップ除去後、イオンミリングを
用いて上部磁気コア先端部および下部磁気コア先端部上
層を同時にトリミングし、狭トラック幅の磁気コアを形
成する。
【００１２】上記の製造方法では、磁気ギャップの除去
をフッ素系ガスのエッチングで行うので、塩素系ガスを
用いる場合と違い、上部磁気コアへのエッチングダメー
ジがほとんど無い。
をフッ素系ガスのエッチングで行うので、塩素系ガスを
用いる場合と違い、上部磁気コアへのエッチングダメー
ジがほとんど無い。
【００１３】また、磁気ギャップとめっき下地膜の間に
形成した、非磁性金属膜または非磁性金属化合物等の非
磁性膜が接着層を兼ねるため、絶縁膜に直接めっき下地
膜を成膜した場合に比べ、めっき時の膜剥れが起きにく
い。上記手段を用いることで、上部磁気コアへのエッチ
ングダメージや、めっき下地膜剥離の恐れなく、精度の
よいヘッド製造が可能になる。
形成した、非磁性金属膜または非磁性金属化合物等の非
磁性膜が接着層を兼ねるため、絶縁膜に直接めっき下地
膜を成膜した場合に比べ、めっき時の膜剥れが起きにく
い。上記手段を用いることで、上部磁気コアへのエッチ
ングダメージや、めっき下地膜剥離の恐れなく、精度の
よいヘッド製造が可能になる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下本発明の具体的な実施の形態
について説明する。図１（ａ）は本発明を用いて製造さ
れる薄膜磁気ヘッドの主要部斜視図、同図（ｂ）は断面
図である。この薄膜磁気ヘッドは記録・再生分離型であ
る。
について説明する。図１（ａ）は本発明を用いて製造さ
れる薄膜磁気ヘッドの主要部斜視図、同図（ｂ）は断面
図である。この薄膜磁気ヘッドは記録・再生分離型であ
る。
【００１５】再生側は非磁性基板１、非磁性基板１上の
絶縁層２、絶縁層２上の下部シールド層３、下部シール
ド層３上の再生側磁気ギャップ４、再生側磁気ギャップ
４に内包された磁気抵抗効果素子５、再生側磁気ギャッ
プ４上の上部シールド層６、上部シールド層６上の分離
層７が順次積層された構造となっている。
絶縁層２、絶縁層２上の下部シールド層３、下部シール
ド層３上の再生側磁気ギャップ４、再生側磁気ギャップ
４に内包された磁気抵抗効果素子５、再生側磁気ギャッ
プ４上の上部シールド層６、上部シールド層６上の分離
層７が順次積層された構造となっている。
【００１６】非磁性基板１は、例えば、Ａｌ２Ｏ３‐Ｔ
ｉＣ等のアルミナ系非磁性材料によって形成される。絶
縁層２、再生側磁気ギャップ４および分離層７は、例え
ばＡｌ２Ｏ３等で形成される。下部シールド層３は、例
えばＮｉ‐Ｆｅ合金等の磁性材料で形成される。また、
磁気抵抗効果素子５は、公知のＧＭＲ素子（スピンバル
ブ型素子、グラニュラー型素子）等を用いることができ
る。上記磁気抵抗効果素子５は、磁場によって電気抵抗
が変化する現象を利用して、媒体に磁気記録した情報を
再生することができる。
ｉＣ等のアルミナ系非磁性材料によって形成される。絶
縁層２、再生側磁気ギャップ４および分離層７は、例え
ばＡｌ２Ｏ３等で形成される。下部シールド層３は、例
えばＮｉ‐Ｆｅ合金等の磁性材料で形成される。また、
磁気抵抗効果素子５は、公知のＧＭＲ素子（スピンバル
ブ型素子、グラニュラー型素子）等を用いることができ
る。上記磁気抵抗効果素子５は、磁場によって電気抵抗
が変化する現象を利用して、媒体に磁気記録した情報を
再生することができる。
【００１７】記録側は、下部磁気コア８と、下部磁気コ
ア８上の絶縁膜９ａと非磁性膜９ｂからなる記録側磁気
ギャップ９と、絶縁膜１０と、上部磁気コア先端部１１
および接続部１２と、絶縁層１３と、コイル１４と、絶
縁層１５と、上部磁気コア１６が順次積層された構造と
なっている。
ア８上の絶縁膜９ａと非磁性膜９ｂからなる記録側磁気
ギャップ９と、絶縁膜１０と、上部磁気コア先端部１１
および接続部１２と、絶縁層１３と、コイル１４と、絶
縁層１５と、上部磁気コア１６が順次積層された構造と
なっている。
【００１８】なお、本実施例では記録ヘッドの下部磁気
コア８と再生ヘッドの上部シールド層６とを分離した構
造としたが、下部磁気コア８が再生側の上部シールド層
６を兼ねる構造としてもよい。また、上部磁気コア先端
部１１と上部磁気コア１６は、それぞれを別工程で形成
することがのぞましい。
コア８と再生ヘッドの上部シールド層６とを分離した構
造としたが、下部磁気コア８が再生側の上部シールド層
６を兼ねる構造としてもよい。また、上部磁気コア先端
部１１と上部磁気コア１６は、それぞれを別工程で形成
することがのぞましい。
【００１９】下部磁気コア８と上部磁気コア１６は、上
部磁気コア先端部１１と同時に形成される接続部１２を
介して接続されている。下部磁気コア８、接続部１２、
上部磁気コア１６および上部磁気コア先端１１に囲まれ
た状態で形成されたコイル１４に電流を流すことで、下
部磁気コア８の先端部、記録側磁気ギャップ９および上
部磁気コア先端１１で構成された部分から磁界を発生
し、記録媒体表面に形成された磁性体の磁化状態を変化
させることで情報を記録できる。
部磁気コア先端部１１と同時に形成される接続部１２を
介して接続されている。下部磁気コア８、接続部１２、
上部磁気コア１６および上部磁気コア先端１１に囲まれ
た状態で形成されたコイル１４に電流を流すことで、下
部磁気コア８の先端部、記録側磁気ギャップ９および上
部磁気コア先端１１で構成された部分から磁界を発生
し、記録媒体表面に形成された磁性体の磁化状態を変化
させることで情報を記録できる。
【００２０】下部磁気コア８、上部磁気コア先端部１
１、接続部１２および上部磁気コア１６は、例えばＮｉ
‐Ｆｅ、Ｃｏ‐Ｎｉ‐Ｆｅ合金等の磁性材料で形成され
る。絶縁膜１０は、例えば熱硬化させたフォトレジスト
で形成される。絶縁層１３は、例えばＡｌ２Ｏ３または
ＳｉＯ２等で形成される。コイル１４は、例えばＡｌ、
Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等で形成される。絶縁層１５は、例え
ばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２または熱硬化させたフォトレジ
ストで形成される。記録側磁気ギャップ９の一部である
絶縁膜９ａは、例えばＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４等から形成
される。記録側磁気ギャップ９の一部である非磁性膜９
ｂは、例えばＴａ、Ｔｉ、Ｗ、または、それらの合金等
の非磁性金属またはＴａＮ、ＴｉＮ、ＷＮ等の窒化物か
らなる非磁性金属化合物で形成される。
１、接続部１２および上部磁気コア１６は、例えばＮｉ
‐Ｆｅ、Ｃｏ‐Ｎｉ‐Ｆｅ合金等の磁性材料で形成され
る。絶縁膜１０は、例えば熱硬化させたフォトレジスト
で形成される。絶縁層１３は、例えばＡｌ２Ｏ３または
ＳｉＯ２等で形成される。コイル１４は、例えばＡｌ、
Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等で形成される。絶縁層１５は、例え
ばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２または熱硬化させたフォトレジ
ストで形成される。記録側磁気ギャップ９の一部である
絶縁膜９ａは、例えばＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４等から形成
される。記録側磁気ギャップ９の一部である非磁性膜９
ｂは、例えばＴａ、Ｔｉ、Ｗ、または、それらの合金等
の非磁性金属またはＴａＮ、ＴｉＮ、ＷＮ等の窒化物か
らなる非磁性金属化合物で形成される。
【００２１】図２は本発明の薄膜磁気ヘッド製造プロセ
スの概念図である。高密度記録を達成するため、図２に
示すように、上部磁気コア先端部１１および下部磁気コ
ア８先端上部を同一工程にてトリミングし、トラック幅
寸法を０．５μｍ以下にする。下部磁気コア先端上部の
寸法は、上部磁気コア先端部１１と同一の寸法に形成さ
れる。これによりトラック幅方向への漏れ磁界が改善さ
れる。
スの概念図である。高密度記録を達成するため、図２に
示すように、上部磁気コア先端部１１および下部磁気コ
ア８先端上部を同一工程にてトリミングし、トラック幅
寸法を０．５μｍ以下にする。下部磁気コア先端上部の
寸法は、上部磁気コア先端部１１と同一の寸法に形成さ
れる。これによりトラック幅方向への漏れ磁界が改善さ
れる。
【００２２】図２（ａ）は、下部磁気コア８、絶縁膜９
ａと非磁性膜９ｂからなる記録側磁気ギャップ９、めっ
き下地膜１１ａを順次形成した状態を示す。めっき下地
膜１１ａは、例えばＮｉ‐Ｆｅ合金等の磁性膜であり、
スパッタ法等で形成する。同図（ｂ）は、フォトレジス
トを塗布し、上部磁気コア形状のマスクで露光、現像し
てめっきフレーム１１ｂを形成した状態を示す。
ａと非磁性膜９ｂからなる記録側磁気ギャップ９、めっ
き下地膜１１ａを順次形成した状態を示す。めっき下地
膜１１ａは、例えばＮｉ‐Ｆｅ合金等の磁性膜であり、
スパッタ法等で形成する。同図（ｂ）は、フォトレジス
トを塗布し、上部磁気コア形状のマスクで露光、現像し
てめっきフレーム１１ｂを形成した状態を示す。
【００２３】同図（ｃ）は、電解めっきし、上部磁気コ
ア先端部１１を形成した状態を示す。同図（ｄ）は、め
っきフレーム１１ｂ、不要な磁性膜およびめっき下地膜
１１ａ等を除去した状態を示す。不要な磁性膜およびめ
っき下地膜は、例えばイオンミリング、ウェットエッチ
ング等を用いて除去する。同図（ｅ）は、リアクティブ
イオンエッチングで不要な磁気ギャップ膜（９ａ，９
ｂ）を除去したと状態を示す。
ア先端部１１を形成した状態を示す。同図（ｄ）は、め
っきフレーム１１ｂ、不要な磁性膜およびめっき下地膜
１１ａ等を除去した状態を示す。不要な磁性膜およびめ
っき下地膜は、例えばイオンミリング、ウェットエッチ
ング等を用いて除去する。同図（ｅ）は、リアクティブ
イオンエッチングで不要な磁気ギャップ膜（９ａ，９
ｂ）を除去したと状態を示す。
【００２４】上記リアクティブイオンエッチングで用い
るエッチングガスは、フッ素系ガスであり、例えばＣＦ
４、ＣＨＦ３、ＳＦ６等を用いる。フッ素系ガスに
Ｏ２、Ｎ ２、Ａｒ等を添加ガスとして加えてもよい。エ
ッチング装置はＩＣＰ型、平行平板型やヘリコン型等の
ＲＩＥ装置を用いるとよい。
るエッチングガスは、フッ素系ガスであり、例えばＣＦ
４、ＣＨＦ３、ＳＦ６等を用いる。フッ素系ガスに
Ｏ２、Ｎ ２、Ａｒ等を添加ガスとして加えてもよい。エ
ッチング装置はＩＣＰ型、平行平板型やヘリコン型等の
ＲＩＥ装置を用いるとよい。
【００２５】同図（ｆ）は、イオンミリングを用いて、
下部磁気コア８および上部磁気コア１１をトリミングし
た状態を示す。
下部磁気コア８および上部磁気コア１１をトリミングし
た状態を示す。
【００２６】これらの工程により、高密度記録に適し
た、狭トラック幅の磁気コアを得ることができる。すな
わち、記録側磁気ギャップである絶縁膜上に形成した非
磁性膜が接着層を兼ねるので、めっき下地膜と絶縁膜と
の接着性の問題は解決される。また、磁気ギャップ膜は
フッ素系ガスでエッチング可能な絶縁膜および非磁性膜
で構成されているため、塩素系ガスでエッチングする場
合に比べて上部磁気コアへのダメージが殆どない状態で
除去できる。
た、狭トラック幅の磁気コアを得ることができる。すな
わち、記録側磁気ギャップである絶縁膜上に形成した非
磁性膜が接着層を兼ねるので、めっき下地膜と絶縁膜と
の接着性の問題は解決される。また、磁気ギャップ膜は
フッ素系ガスでエッチング可能な絶縁膜および非磁性膜
で構成されているため、塩素系ガスでエッチングする場
合に比べて上部磁気コアへのダメージが殆どない状態で
除去できる。
【００２７】
【発明の効果】本発明の構成とプロセスにより、狭トラ
ック幅の磁気コアを有する薄膜磁気ヘッドを容易に形成
することが可能となり、高記録密度の磁気記録装置を得
ることができる。
ック幅の磁気コアを有する薄膜磁気ヘッドを容易に形成
することが可能となり、高記録密度の磁気記録装置を得
ることができる。
【図１】本発明を用いて製造される薄膜磁気ヘッドの主
要部斜視図および断面図。
要部斜視図および断面図。
【図２】磁気コアのトリミング工程を示す記録ヘッド要
部の概略断面図。
部の概略断面図。
１…非磁性基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４
…再生側磁気ギャップ、５…磁気抵抗効果素子、５ａ…
電極、６…上部シールド層、７…分離層、８…下部磁気
コア、９…記録側磁気ギャップ、９ａ…絶縁膜、９ｂ…
非磁性膜、１０…絶縁膜、１１…上部磁気コア先端部、
１１ａ…めっき下地膜、１１ｂ…レジストフレーム、１
２…接続部、１３…絶縁層、１４…コイル、１５…絶縁
層、１６…上部磁気コア。
…再生側磁気ギャップ、５…磁気抵抗効果素子、５ａ…
電極、６…上部シールド層、７…分離層、８…下部磁気
コア、９…記録側磁気ギャップ、９ａ…絶縁膜、９ｂ…
非磁性膜、１０…絶縁膜、１１…上部磁気コア先端部、
１１ａ…めっき下地膜、１１ｂ…レジストフレーム、１
２…接続部、１３…絶縁層、１４…コイル、１５…絶縁
層、１６…上部磁気コア。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 星屋 裕之 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 5D033 BA13 BA21 BA22 BB43 DA08 DA31
Claims (4)
- 【請求項１】非磁性基板上に、下部磁気コアと、記録側
磁気ギャップと、上部磁気コアとを積層形成する工程を
含むとともに、上部磁気コアの少なくとも磁気コア先端
部を形成した後に上記磁気コア先端部および下部磁気コ
ア先端上部をドライエッチングにより同時にトリミング
する工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法において、上
記トリミング前に上記上部磁気コア近傍の記録側磁気ギ
ャップの余剰部分を除去する工程を含み、上記記録側磁
気ギャップは絶縁膜と非磁性金属または非磁性金属化合
物等の非磁性膜を積層した構造であり、上記記録側磁気
ギャップを構成する絶縁膜および非磁性膜をリアクティ
ブイオンエッチングによって同一工程にて除去した後、
上記ドライエッチングにより上記上部磁気コア先端部お
よび下部磁気コア先端上部を同一工程にてトリミングす
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】非磁性基板上に、下部磁気シールドを形成
し、上記下部シールド層上に磁気抵抗効果素子を内包し
た再生側磁気ギャップを形成し、上記再生側磁気ギャッ
プ上に下部磁気コアを形成し、上記下部磁気コアの上に
記録側磁気ギャップを形成し、上記記録側磁気ギャップ
の上に磁性体からなるめっき下地膜を形成し、上記めっ
き下地膜の上にフレームめっきにより上部磁気コアを形
成し、イオンミリングによってめっき下地膜の余剰部分
を除去し、上記上部磁気コア近傍の上記記録側磁気ギャ
ップの余剰部分をリアクティブイオンエッチングによっ
て除去し、上記上部磁気コア先端部および下部磁気コア
先端部上層をイオンミリングで同時にトリミングする工
程からなる薄膜磁気ヘッドの製造方法で、上記記録側磁
気ギャップは絶縁膜上に非磁性金属または非磁性金属化
合物等の非磁性膜を積層した構造であり、上記磁気ギャ
ップを構成する絶縁膜および非磁性膜をリアクティブイ
オンエッチングによって同一工程にて除去した後、上記
イオンミリングにより上記上部磁気コア先端部および下
部磁気コア先端部上層を同一工程にてトリミングするこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】上記記録側磁気ギャップ膜を構成している
上記絶縁膜が酸化シリコンまたは窒化シリコンで、上記
非磁性膜がＴａ、Ｔｉ、Ｗおよびそれらの合金を含む非
磁性金属、またはＴｉＮ、ＴａＮ、ＷＮ等の窒化物から
なる非磁性金属化合物である請求項１項または２項記載
の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】スライダを構成する非磁性基板上に、少な
くとも下部シールドを含む再生側磁気ギャップと、上記
再生側磁気ギャップに内包された磁気抵抗効果素子を有
し、上記再生側磁気ギャップ上に下部磁気コア、記録側
磁気ギャップ、上部磁気コアが形成されている薄膜磁気
ヘッドで、対向面側の先端部において上記下部磁気コア
の上記記録側磁気ギャップに隣接している部分の幅が上
記上部磁気コアの幅と同一にトリミングされた構造を有
する薄膜磁気ヘッドにおいて、上記記録側磁気ギャップ
が、基板側から記述して、第１の磁気ギャップ膜／第２
の磁気ギャップ膜の順に積層構成されてなり、上記第１
の磁気ギャップ膜が、酸化シリコンもしくは窒化シリコ
ンなどの絶縁膜からなり、上記第２の磁気ギャップ膜が
Ｔａ、Ｔｉ、Ｗもしくはこれらの合金、窒化物等からな
る非磁性金属または非磁性金属化合物であることを特徴
とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001128611A JP2002324304A (ja) | 2001-04-26 | 2001-04-26 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001128611A JP2002324304A (ja) | 2001-04-26 | 2001-04-26 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002324304A true JP2002324304A (ja) | 2002-11-08 |
Family
ID=18977278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001128611A Pending JP2002324304A (ja) | 2001-04-26 | 2001-04-26 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002324304A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7768747B2 (en) | 2007-04-16 | 2010-08-03 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head and manufacturing method thereof |
| US7866029B2 (en) | 2006-03-24 | 2011-01-11 | Tdk Corporation | Method for forming a pattern film with a narrower width |
-
2001
- 2001-04-26 JP JP2001128611A patent/JP2002324304A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7866029B2 (en) | 2006-03-24 | 2011-01-11 | Tdk Corporation | Method for forming a pattern film with a narrower width |
| US7768747B2 (en) | 2007-04-16 | 2010-08-03 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head and manufacturing method thereof |
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