JP2001084514A

JP2001084514A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

Info

Publication number: JP2001084514A
Application number: JP26187299A
Authority: JP
Inventors: Yoshitaka Sasaki; 芳高佐々木
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1999-09-16
Filing date: 1999-09-16
Publication date: 2001-03-30
Also published as: US6414824B1

Abstract

(57)【要約】【課題】磁極幅を縮小化した場合においても、磁極幅
の正確な制御と十分なオーバーライト特性を実現し得る
薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】上部磁極２７ｃは、上部ポールチップ２
７ａの接続部２７ａ(3)と部分的にオーバーラップする
ことにより、上部ポールチップ２７ａと磁気的に連結さ
れる。両者が磁気的に連結する磁気連結面２７ｘに対応
する領域、すなわち上部磁極２７ｃと上部ポールチップ
２７ａとがオーバーラップするオーバーラップ領域にお
ける下部磁極７の一部に、オーバーラップ領域の平面形
状に対応する平面形状を有する磁気遮蔽層８１を、記録
ギャップ層９に隣接するように配設する。この磁気遮蔽
層８１により、オーバーラップ領域における上部ポール
チップ２７ａの接続部２７ａ(3) と下部磁極７との間の
磁束の伝搬を抑制することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも書き込
み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと、読み出し用の磁気
抵抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）と記す。）素
子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁
気ヘッドが広く用いられている。

【０００３】記録ヘッドの性能を決定する要因として
は、スロートハイト（Throat Height：TH）がある。ス
ロートハイトは、エアベアリング面から、磁束発生用の
薄膜コイルを電気的に分離する絶縁層のエッジまでの磁
極部分の長さ（高さ）をいう。ここにいうエアベアリン
グ面は、薄膜磁気ヘッドの、磁気記録媒体と対向する面
であり、トラック面とも呼ばれる。記録ヘッドの性能向
上のためには、スロートハイトの縮小化が望まれてい
る。このスロートハイトは、エアベアリング面の加工の
際の研磨量によって制御される。

【０００４】記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高め
るには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必
要がある。このためには、記録ギャップ（write gap)を
挟んでその上下に形成された下部磁極（ボトムポール）
および上部磁極（トップポール）のエアベアリング面で
の幅を数ミクロンからサブミクロンオーダーまで狭くし
た狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があり、
これを達成するために半導体加工技術が利用されてい
る。

【０００５】ここで、図３０ないし図３５を参照して、
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。

【０００６】この製造方法では、まず、図３０に示した
ように、例えばアルティック（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）よ
りなる基板１０１上に、例えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）
よりなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで
堆積する。次に、絶縁層１０２上に、再生ヘッド用の下
部シールド層１０３を形成する。次に、下部シールド層
１０３上に、例えばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚
みでスパッタ堆積し、シールドギャップ膜１０４を形成
する。次に、シールドギャップ膜１０４上に、再生用の
ＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜１０５を形成し、高精
度のフォトリソグラフィで所望の形状にパターニングす
る。次に、ＭＲ膜１０５の両側に、このＭＲ膜１０５と
電気的に接続する引き出し電極層としてのリード層（図
示せず）を形成したのち、このリード層、シールドギャ
ップ膜１０４およびＭＲ膜１０５上に、シールドギャッ
プ膜１０６を形成し、ＭＲ膜１０５をシールドギャップ
膜１０４，１０６内に埋設する。次に、シールドギャッ
プ膜１０６上に、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用い
る磁気材料、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）からなる上
部シールド兼下部磁極（以下、下部磁極と記す。）１０
７を形成する。

【０００７】次に、図３１に示したように、下部磁極１
０７上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録ギャ
ップ層１０８を形成し、この記録ギャップ層１０８上
に、例えばめっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる
誘導型の記録ヘッド用の薄膜コイル１０９を形成する。
次に、薄膜コイル１０９を覆うようにして、フォトレジ
スト層１１０を、高精度のフォトリソグラフィで所定の
パターンに形成する。次に、薄膜コイル１０９の平坦化
および薄膜コイル１０９間の絶縁化のために、例えば２
５０°Ｃの温度で熱処理する。

【０００８】次に、図３２に示したように、薄膜コイル
１０９よりも後方（図３２における右側）の位置におい
て、磁路形成のために、記録ギャップ層１０８を部分的
にエッチングして開口部１０８ａを形成する。次に、記
録ギャップ層１０８およびフォトレジスト層１１０上
に、記録ヘッド用の磁気材料、例えばパーマロイからな
る上部ヨーク兼上部磁極（以下、上部磁極と記す。）１
１１を選択的に形成する。この上部磁極１１１は、上記
した開口部１０８ａにおいて下部磁極１０７と接触し、
磁気的に連結している。次に、上部磁極１１１をマスク
として、イオンミリングによって、記録ギャップ層１０
８と下部磁極１０７を、約０．５μｍ程度エッチングし
た後、上部磁極１１１上に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層１１２を形成する。最後に、スライダの
機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのトラ
ック面（エアベアリング面）１２０を形成して、薄膜磁
気ヘッドが完成する。

【０００９】図３３〜図３５は、完成した状態の薄膜磁
気ヘッドの構造を表すものである。ここで、図３３はエ
アベアリング面１２０に垂直な薄膜磁気ヘッドの断面を
示し、図３４は磁極部分のエアベアリング面１２０に平
行な断面を拡大して示し、図３５は平面図を示す。な
お、図３０ないし図３３は、図３５におけるＡ−Ａ′線
に沿った矢視断面に対応する。また、図３３〜図３５で
は、オーバーコート層１１２の図示を省略している。

【００１０】薄膜磁気ヘッドの性能を向上させるには、
図３３および図３４に示したスロートハイトＴＨ、エイ
ペックスアングル（Apex Angle）θ、磁極幅Ｐ２Ｗおよ
び磁極長Ｐ２Ｌを正確に形成することが重要である。こ
こで、エイペックスアングルθは、フォトレジスト層１
１０のトラック面側の側面に接する直線と上部磁極１１
１の上面とのなす角度である。磁極幅Ｐ２Ｗは、記録媒
体上の記録トラック幅を規定するものである。磁極長Ｐ
２Ｌは磁極の厚さを表している。また、図３３および図
３５において、‘ＴＨ０位置’とあるのは、薄膜コイル
１０９を電気的に分離する絶縁層であるフォトレジスト
層１１０のトラック面側のエッジであり、スロートハイ
トＴＨの基準位置０を示している。

【００１１】図３４に示したように、上部磁極１１１、
記録ギャップ層１０８および下部磁極１０７の一部の各
側壁が垂直に自己整合的に形成された構造は、トリム
（Trim）構造と呼ばれる。このトリム構造によれば、狭
トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実
効トラック幅の増加を防止することができる。なお、図
３４に示したように、ＭＲ膜１０５の両側には、このＭ
Ｒ膜１０５と電気的に接続する引き出し電極層としての
リード層１２１が設けられている。但し、図３０〜図３
３ではリード層１２１の図示を省略している。

【００１２】図３６は、上部磁極１１１の平面構造を表
すものである。この図に示したように、上部磁極１１１
は、その大部分を占めるヨーク部１１１ａと、磁極幅Ｐ
２Ｗとしてほぼ一定の幅Ｗ１００を有するポールチップ
部１１１ｂとを有している。ヨーク部１１１ａとポール
チップ部１１１ｂとの連結部分において、ヨーク部１１
１ａの外縁はエアベアリング面１２０と平行な面に対し
て角度αをなし、また、上記連結部分において、ポール
チップ部１１１ｂの外縁はエアベアリング面１２０と平
行な面に対して角度βをなしている。ここで、αは、例
えば４５度程度であり、βは９０度である。ポールチッ
プ部１１１ｂの幅は、記録媒体上の記録トラック幅を規
定するものである。ポールチップ部１１１ｂは、ＴＨ０
位置よりも前方側（エアベアリング面１２０側）の部分
Ｆと、ＴＨ０位置よりも後方側（ヨーク部１１１ａ側）
の部分Ｒとを含んでいる。図３３から判るように、部分
Ｆは、平坦な記録ギャップ層１０８の上に延在し、部分
Ｒおよびヨーク部１１１ａは、フォトレジスト層１１０
で覆われて山状に盛り上がったコイル部分（以下、「エ
イペックス部」という。）の上に延在している。

【００１３】なお、上部磁極の形状に関しては、例え
ば、特開平８−２４９６１４号公報に記載がある。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】磁極幅Ｐ２Ｗは、記録
ヘッドのトラック幅を決定するため、正確な形成が要求
される。特に、近年は、高面密度記録を可能とするた
め、すなわち、狭トラック構造の記録ヘッドを形成する
ために、上部磁極の磁極幅Ｐ２Ｗを１．０μｍ以下の寸
法にするという微細加工が要求される。

【００１５】上部磁極を形成する方法としては、例え
ば、特開平７−２６２５１９号公報に示されるように、
フレームめっき法が用いられる。フレームめっき法を用
いて上部磁極１１１を形成する場合は、まず、エイペッ
クス部の上に全体的に、例えばパーマロイよりなる薄い
電極膜を、例えばスパッタリングによって形成する。次
に、その上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラ
フィ工程によりパターニングして、めっきのためのフレ
ーム（外枠）を形成する。そして、先に形成した電極膜
をシード層として、めっき法によって上部磁極１１１を
形成する。

【００１６】ところで、エイペックス部と他の部分とで
は、例えば３〜４μｍ以上の高低差がある。このエイペ
ックス部上に、フォトレジストを３〜４μｍの厚みで塗
布する。エイペックス部上のフォトレジストの膜厚が最
低３μｍ以上必要であるとすると、流動性のあるフォト
レジストは低い方に集まることから、エイペックス部の
下方では、例えば４〜６μｍ以上の厚みのフォトレジス
ト膜が形成される。

【００１７】前述のように狭トラックを形成するために
は、フォトレジスト膜によって１．０μｍ程度の幅のフ
レームパターンを形成する必要がある。すなわち、４〜
６μｍ以上の厚みのあるフォトレジスト膜によって、
１．０μｍもしくはそれ以下の幅の微細なパターンを形
成しなければならない。ところが、このような厚い膜厚
のフォトレジストパターンを狭パターン幅で形成するこ
とは製造工程上極めて困難であった。

【００１８】しかも、フォトリソグラフィの露光時に、
露光用の光が、シード層としての下地電極膜で反射し、
この反射光によってもフォトレジストが感光して、フォ
トレジストパターンのくずれ等が生じ、シャープかつ正
確なフォトレジストパターンが得られなくなる。その結
果、上部磁極の側壁が丸みを帯びた形状になる等、上部
磁極を所望の形状に形成できなくなる。特に、図３７に
示したように、磁極幅Ｐ２Ｗをさらに微小化してＷ１０
０Ａとしたときには、この所望の幅Ｗ１００Ａを得るこ
とがさらに困難となる。これは、ポールチップ部１１１
ｂのうち、エイペックス部上に延在している部分Ｒで
は、下地電極膜で反射して戻ってくる反射光には、垂直
方向の反射光のみならず、エイペックス部の斜面からの
斜め方向または横方向からの反射光も含まれており、こ
れらの反射光がフォトレジスト層の感光に影響を与える
結果、磁極幅Ｐ２Ｗを規定するフォトレジストパターン
幅が所期の値よりも大きくなり、その形状が図３７にお
ける破線で示したような形になってしまうからである。
ポールチップ部１１１ｂの中でも、ＴＨ０位置より前方
の部分Ｆの幅は、記録媒体上のトラック幅を規定する上
で極めて重要なファクタである。このため、部分Ｆの幅
が上記した値Ｗ１００Ａよりも大きくなると、目標とす
る微小なトラック幅を得ることができない。

【００１９】このような問題は、上記の特開平８−２４
９６１４号公報に記載された磁気ヘッドにおいても同様
に存在する。この公報に記載された磁気ヘッドでは、Ｔ
Ｈ０位置からヨーク部に向かって磁極幅がなだらかに変
化しているので、エイペックス部の斜面からの斜め方向
または横方向からの反射光がフォトレジスト層の感光に
与える影響により、ＴＨ０位置より前方の部分の幅を正
確に制御できないからである。

【００２０】また、図３７に示したように、ポールチッ
プ部１１１ｂのうち、ＴＨ０位置からヨーク部１１１ａ
との連結部までの部分Ｒは、ＴＨ０位置の前方の部分Ｆ
とほぼ同じ幅となっていてその断面積が小さいため、ヨ
ーク部１１１ａからの磁束が部分Ｒで飽和してしまい、
トラック幅を規定する部分Ｆにまで十分到達することが
できない。このため、オーバーライト特性、すなわち、
記録媒体上に既に書き込んである上からさらにデータを
重ね書きする場合の特性が、例えば１０〜２０ｄＢ程度
と低い値となり、十分なオーバーライト特性を確保する
ことができないという問題があった。

【００２１】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、磁極幅を縮小化した場合において
も、磁極幅の正確な制御を可能にすると共に、十分なオ
ーバーライト特性を得ることができる薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法を提供することにある。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、記録媒体に対向する側の一部に、ギャップ層を介し
て対向する２つの磁極を含む、互いに磁気的に連結され
た２つの磁性層と、２つの磁性層の間に絶縁層を介して
配設された薄膜コイルとを有する薄膜磁気ヘッドであっ
て、２つの磁性層のうち一方の磁性層が、記録媒体に対
向する記録媒体対向面から、この面と離れる方向に延在
する第１の磁性層部分と、第１の磁性層部分の一部と部
分的にオーバーラップすると共に、このオーバーラップ
した領域において第１の磁性層部分と磁気的に連結され
た第２の磁性層部分とを備え、２つの磁性層のうち他方
の磁性層が、記録媒体対向面から、この面と離れる方向
に延在すると共に、少なくとも、第１の磁性層部分と第
２の磁性層部分とがオーバーラップするオーバーラップ
領域に、ギャップ層に隣接すると共に第１の磁性層部分
と他方の磁性層部分との間での磁束の伝搬を抑制する磁
気遮蔽層が形成されたものである。

【００２３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、記
録媒体に対向する側の一部に、ギャップ層を介して対向
する２つの磁極を含む、互いに磁気的に連結された２つ
の磁性層を形成する工程と、２つの磁性層の間に絶縁層
を介して配設された薄膜コイルを形成する工程とを含
み、２つの磁性層のうち一方の磁性層が、記録媒体に対
向する記録媒体対向面から、この面と離れる方向に延在
する第１の磁性層部分と、第１の磁性層部分の一部と部
分的にオーバーラップすると共に、このオーバーラップ
した領域において第１の磁性層部分と磁気的に連結され
た第２の磁性層部分とを備えるように一方の磁性層を形
成し、２つの磁性層のうち他方の磁性層が、記録媒体対
向面から、この面と離れる方向に延在するように他方の
磁性層を形成すると共に、少なくとも、第１の磁性層部
分と第２の磁性層部分とがオーバーラップするオーバー
ラップ領域に、ギャップ層に隣接すると共に第１の磁性
層部分と他方の磁性層部分との間での磁束の伝搬を抑制
する磁気遮蔽層を形成するようにしたものである。

【００２４】本発明の薄膜磁気ヘッドでは、一方の磁性
層において第２の磁性層部分が第１の磁性層部分の一部
と部分的にオーバーラップすることにより両者が磁気的
に連結され、両者がオーバーラップするオーバーラップ
領域にギャップ層と隣接するように形成した磁気遮蔽層
により、第１の磁性層部分と他方の磁性層との間での磁
束の伝搬が抑制される。

【００２５】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、
他方の磁性層を単層として形成すると共に、形成された
他方の磁性層の一部に選択的に凹部を形成し、この凹部
に磁気遮蔽層を埋め込むようにしてもよいし、または、
他方の磁性層を複数層からなる積層構造を有するように
形成すると共に、これらの積層構造の形成の際に、少な
くとも、ギャップ層に隣接することとなる層に選択的に
開口部を形成し、この開口部に磁気遮蔽層を埋め込むよ
うにしてもよい。

【００２６】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法では、磁気遮蔽層を、オーバーラップ領域の平面形状
に対応する平面形状を有するように形成してもよい。

【００２７】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法では、磁気遮蔽層を、他方の磁性層の一部に形成して
もよい。

【００２８】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法では、磁気遮蔽層を、第１の磁性層部分の一部に形成
してもよい。

【００２９】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法では、第１の磁性層部分が、記録媒体対向面から、こ
の面と離れる方向に一定幅をもって延在すると共に、記
録媒体の記録トラック幅を画定するトラック幅画定部
と、第２の磁性層部分の一部と磁気的に連結されると共
に、トラック幅方向に互いに分離して配置された少なく
とも２つの接続部と、絶縁層の記録媒体対向面側の端縁
を画定する端縁部を有すると共に、トラック幅画定部と
少なくとも２つの接続部とを磁気的に連結させる中間連
結部とを含み、オーバーラップ領域において、上記の少
なくとも２つの接続部と第２の磁性層部分とがオーバー
ラップするようにしてもよい。

【００３０】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法では、磁気遮蔽層を、その記録媒体対向面側の位置
が、第１の磁性層部分の中間連結部における記録媒体対
向面側の端縁の位置と一致するか、またはその位置より
も記録媒体対向面から離れる方向にずれるように形成し
てもよい。

【００３１】本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１の磁性
層部分のトラック幅画定部と中間連結部とが連結する位
置に、トラック幅画定部の幅がこの連結位置における中
間連結部の幅よりも小さくなるように、幅方向の段差を
形成するようにしてもよい。この場合には、上記段差に
おける中間連結部の段差面がトラック幅画定部の延在方
向と実質的に垂直をなすようにしてもよい。

【００３２】本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１の磁性
層部分を、その中間連結部と少なくとも２つの接続部と
が連結する位置における中間連結部の幅が、少なくとも
２つの接続部により規定される接続領域の幅よりも小さ
くなるように形成するのが好適である。

【００３３】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法では、一方の磁性層が、さらに、第１の磁性層部分と
第２の磁性層部分との間に設けられると共に両者の間を
磁気的に連結する第３の磁性層部分を含むようにしても
よい。この場合には、第３の磁性層部分が、第１の磁性
層部分の一部および第２の磁性層部分の一部の双方とオ
ーバーラップして配置されるようにするのが好ましい。

【００３４】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、記
録媒体に対向する側の一部に、ギャップ層を介して対向
する２つの磁極を含む、互いに磁気的に連結された第１
の磁性層および第２の磁性層と、第１の磁性層および第
２の磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コイル
とを含む薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、その製造
工程に、第１の磁性層を単一層として形成する工程と、
第１の磁性層の一部に厚み方向に窪んだ凹部を形成する
工程と、第１の磁性層の凹部に非磁性材料を埋め込んで
磁気遮蔽層を形成する工程と、少なくとも第１の磁性層
および前記磁気遮蔽層の表面を覆うようにしてギャップ
層を形成する工程と、ギャップ層上の所定の領域に、第
２の磁性層の一部となる第１の磁性層部分を選択的に形
成する工程と、ギャップ層の上方領域のうち第１の磁性
層部分が形成されていない領域に、薄膜コイルを形成す
る工程と、薄膜コイルを覆うようにして絶縁層を形成す
る工程と、絶縁層および第１の磁性層部分の上に、磁気
遮蔽層の形成領域に対応する領域において第１の磁性層
部分と部分的にオーバーラップしてこれと磁気的に連結
するように、第２の磁性層の他の一部となる第２の磁性
層部分を選択的に形成する工程とを含むようにしてもよ
い。

【００３５】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、記
録媒体に対向する側の一部に、ギャップ層を介して対向
する２つの磁極を含む、互いに磁気的に連結された第１
の磁性層および第２の磁性層と、第１の磁性層および第
２の磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コイル
とを含む薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、その製造
工程に、第１の磁性層を、少なくとも最上層が所定領域
に開口部を有する積層構造として形成する工程と、第１
の磁性層における最上層の開口部に非磁性材料を埋め込
んで磁気遮蔽層を形成する工程と、第１の磁性層および
磁気遮蔽層の表面を覆うようにして、ギャップ層を形成
する工程と、ギャップ層上の所定の領域に、第２の磁性
層の一部となる第１の磁性層部分を選択的に形成する工
程と、ギャップ層の上方領域のうち第１の磁性層部分が
形成されていない領域に、薄膜コイルを形成する工程
と、薄膜コイルを覆うようにして絶縁層を形成する工程
と、絶縁層および第１の磁性層部分の上に、磁気遮蔽層
の形成領域に対応する領域において第１の磁性層部分と
部分的にオーバーラップしてこれと磁気的に連結するよ
うに、第２の磁性層の他の一部となる第２の磁性層部分
を選択的に形成する工程とを含むようにしてもよい。

【００３６】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、記
録媒体に対向する側の一部に、ギャップ層を介して対向
する２つの磁極を含む、互いに磁気的に連結された第１
の磁性層および第２の磁性層と、前記第１の磁性層およ
び第２の磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コ
イルとを含む薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、その
製造工程に、第１の磁性層を形成する工程と、第１の磁
性層の表面を覆うようにしてギャップ層を形成する工程
と、ギャップ層の上に非磁性材料からなる磁気遮蔽層を
選択的に形成する工程と、ギャップ層の上に、一部が磁
気遮蔽層を覆うこととなるように、第２の磁性層の一部
となる第１の磁性層部分を選択的に形成する工程と、ギ
ャップ層の上方領域のうち第１の磁性層部分が形成され
ていない領域に、薄膜コイルを形成する工程と、薄膜コ
イルを覆うようにして絶縁層を形成する工程と、絶縁層
および第１の磁性層部分の上に、磁気遮蔽層の形成領域
に対応する領域において第１の磁性層部分と部分的にオ
ーバーラップしてこれと磁気的に連結するように、第２
の磁性層の他の一部となる第２の磁性層部分を選択的に
形成する工程とを含むようにしてもよい。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００３８】〔第１の実施の形態〕《薄膜磁気ヘッドの製造方法》まず、図１〜図９を参照
して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法に
ついて説明する。なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドは、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
によって具現化されるので、以下併せて説明する。図１
〜図５において、（Ａ）はエアベアリング面に垂直な断
面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行
な断面を示している。また、図６〜図９は、本実施の形
態の製造工程における斜視図を表すものである。ここ
で、図６は図１に示した工程と図２に示した工程との中
間段階における状態に対応し、図７は図２の状態に対応
し、図８および図９は図２に示した工程と図３に示した
工程との中間段階における状態に対応する。

【００３９】以下では、例えば、図１（Ｂ）において、
エアベアリング面に平行な方向のうち、図中の右方向ま
たは左方向における距離を「幅」と表記すると共に、例
えば、図１（Ａ）において、エアベアリング面に垂直な
方向（図中の右方向または左方向）における距離を「長
さ」として表記するものとする。また、例えば、図１
（Ａ）および（Ｂ）において、図中の上方向または下方
向における距離を「厚み」または「深さ」と表記するも
のとする。さらに、例えば、図１（Ａ）において、上記
の長さ方向におけるエアベアリング面に近い側（図中の
左側）を「前側（または前方）」と表記し、一方、エア
ベアリング面から遠い側（図中の右側）を「後側（また
は後方）」と表記するものとする。

【００４０】本実施の形態に係る製造方法では、まず、
図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ₂Ｏ₃
・ＴｉＣ）からなる基板１上に、例えばアルミナ（Ａｌ
₂Ｏ₃）よりなる絶縁層２を、約３〜５μｍ程度の厚み
で堆積する。次に、絶縁層２上に、フォトレジスト膜を
マスクとして、めっき法にて、パーマロイ（ＮｉＦｅ）
を約３μｍの厚みで選択的に形成して、再生ヘッド用の
下部シールド層３を形成する。

【００４１】次に、下部シールド層３上に、例えばアル
ミナを１０〜２０ｎｍの厚みでスパッタ堆積し、シール
ドギャップ膜４を形成する。次に、シールドギャップ膜
４上に、再生用のＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜５を
形成し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形状とす
る。次に、ＭＲ膜５の両側に、このＭＲ膜５と電気的に
接続する引き出し電極層としてのリード層（図示せず）
を形成したのち、このリード層、シールドギャップ膜４
およびＭＲ膜５上に、シールドギャップ膜６を形成し
て、ＭＲ膜５をシールドギャップ膜４，６内に埋設す
る。次に、シールドギャップ膜６上に、例えばパーマロ
イよりなる上部シールド兼下部磁極（以下、単に「下部
磁極」という。）７を、例えば電解めっき法により、約
３〜４μｍの厚みで選択的に形成する。ここで、上記の
下部磁極７が、本発明における「他方の磁性層」の一具
体例に対応する。

【００４２】次に、図２および図６に示したように、下
部磁極７上の所定の位置において、その位置における下
部磁極７の表面を、例えば高精度のフォトリソグラフィ
処理により図示しないフォトレジスト膜を用いて所定の
平面形状にパターニングした後、フォトレジストにより
マスクされていない部分の下部磁極７を例えばエッチン
グにより約０．５〜１．５μｍ程度部分的に除去して、
凹部８０を形成する。図２（Ｂ）および図６に示したよ
うに、凹部８０は、２つの凹部領域、すなわち右凹部８
０Ｒおよび左凹部８０Ｌから構成されている。

【００４３】ここで、上記の「所定の位置」および「所
定の平面形状」について、以下に説明する。

【００４４】まず、「所定の位置」について説明する。
凹部８０の形成時における下部磁極７上の「所定の位
置」とは、後工程において下部磁極７上に形成されるこ
ととなる、例えば、後述する図１１に示したような平面
形状を有する上部ポールチップ２７ａの一部分の形成位
置に対応する位置である。この上部ポールチップ２７ａ
は、後述する図１１に示したように、例えば、先端部２
７ａ(1) 、中間連結部２７ａ(2) および接続部２７ａ
(3) を含むように、後工程において形成されるものであ
る。本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法で
は、後述する図３および図８に示したように、凹部８０
の具体的な形成位置（＝「所定の位置」）は、例えば、
上部ポールチップ２７ａの接続部２７ａ(3) の形成位置
に対応するようにする。後述する図１１に示したよう
に、接続部２７ａ(3) が、さらに、右接続部２７ａ(3)
Ｒおよび左接続部２７ａ(3) Ｌから構成される場合に
は、右凹部８０Ｒおよび左凹部８０Ｌの形成位置が、そ
れぞれ右接続部２７ａ(3) Ｒおよび左接続部２７ａ(3)
Ｌの形成位置に対応するようにする。

【００４５】続いて、「所定の平面形状」について説明
する。凹部８０の形成時において、下部磁極７の表面に
フォトレジスト膜を用いてパターニングする「所定の平
面形状」とは、後述する図１１に示した上部ポールチッ
プ２７ａの接続部２７ａ(3)の平面形状に対応する平面
形状である。右凹部８０Ｒおよび左凹部８０Ｌの平面形
状は、それぞれ右接続部２７ａ(3) Ｒおよび左接続部２
７ａ(3) Ｌの平面形状に対応するようにする。図２およ
び図６に示した凹部８０は、例えば、右接続部２７ａ
(3) Ｒおよび接続部２７ａ(3) Ｌが共に矩形からなる平
面形状を有し、かつ両者が同面積を有する場合に対応
し、これらと同様の形状的特徴を有するように形成され
た場合を表すものである。凹部８０の平面形状に関する
寸法は、以下で説明する接続部２７ａ(3) の平面形状に
関する寸法と同様となるようにする。

【００４６】次に、再び図２を参照して、本実施の形態
における薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。
図２に示したように、凹部８０を形成したのち、全体
に、例えばアルミナからなる絶縁層（図示せず）を約
３．０〜４．０μｍ程度の膜厚に形成する。このとき、
凹部８０は、図示しない絶縁層の一部により埋設される
こととなる。

【００４７】次に、図２および図７に示したように、例
えばＣＭＰ法（化学機械研磨）により、下部磁極７の表
面が露出するまで絶縁層の表面を研磨し、表面全体を平
坦化する。これにより、凹部８０と下部磁極７周辺とを
埋設した部分以外の絶縁層は除去され、結果として、凹
部８０を埋設する絶縁部分、すなわち磁気遮蔽層８１
と、下部磁極７周辺を埋設する絶縁部分とが残存する。
磁気遮蔽層８１は、右凹部８０Ｒを埋設する右磁気遮蔽
層８１Ｒおよび左凹部８０Ｌを埋設する左磁気遮蔽層８
１Ｌから構成されている。右磁気遮蔽層８１Ｒおよび左
磁気遮蔽層８１Ｌは、それぞれ上部ポールチップ２７ａ
の右接続部２７ａ(3) Ｒおよび左接続部２７ａ(3) Ｌに
対応する平面形状を有する。

【００４８】次に、図３および図８に示したように、全
体に、例えばアルミナからなる記録ギャップ層９を約
０．１５〜０．３μｍの厚みに形成する。次に、後工程
で薄膜コイル２９を形成する領域よりも後側において、
磁路形成のために、記録ギャップ層９を部分的にエッチ
ングして開口部９ｂを形成する。次に、後工程で薄膜コ
イル２９を形成する領域よりも前側の領域における記録
ギャップ層９上に、例えば電解めっき法により、上部磁
極の一部を構成することとなる上部ポールチップ２７ａ
を選択的に形成する。このとき、上部ポールチップ２７
ａの接続部２７ａ(3) の形成位置が、磁気遮蔽層８１の
形成位置と一致するようにする。これにより、右磁気遮
蔽層８１Ｒは、記録ギャップ層９を間に介して右接続部
２７ａ(3)Ｒと対向し、かつ左磁気遮蔽層８１Ｌは記録
ギャップ層９を間に介して左接続部２７ａ(3) Ｌと対向
する。上部ポールチップ２７ａの形成の際には、同時
に、開口部９ｂにも磁路形成パターン２７ｂを形成す
る。なお、上部ポールチップ２７ａおよび磁路形成パタ
ーン２７ｂとしては、例えば、高飽和磁束密度材である
パーマロイ（ＮｉＦｅ）系の合金や窒化鉄（ＦｅＮ）系
の合金が用いられる。ここで、上記の上部ポールチップ
２７ａが本発明における「一方の磁性層の第１の磁性層
部分」の一具体例に対応する。

【００４９】上部ポールチップ２７ａおよび磁路形成パ
ターン２７ｂの形成は、例えば、次のようにして行う。
すなわち、まず、高飽和磁束密度材であるＮｉＦｅ系合
金を、例えばスパッタリングにより、約７０ｎｍの厚み
で形成して、電解めっき法におけるシード層となる電極
膜（図示せず）を形成する。次に、上記の電極膜上に、
フォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィによりパ
ターニングして、フレームめっき法によってフォトレジ
ストパターン（図示せず）を形成する。次に、このフォ
トレジストパターンをマスクとし、先に形成した電極膜
をシード層として、電解めっき法によって、上部ポール
チップ２７ａおよび磁路形成パターン２７ｂを形成し、
その後、フォトレジストパターンを除去する。

【００５０】次に、図３および図９に示したように、例
えば、塩素系ガス（Ｃｌ₂，ＣＦ₄，ＢＣｌ₂，ＳＦ₆
等）を使用したＲＩＥによるドライエッチングにより、
上部ポールチップ２７ａの接続部２７ａ(3) よりも後方
の領域に選択的に形成したフォトレジスト膜（図示せ
ず）と、上部ポールチップ２７ａの先端部２７ａ(1)お
よび中間連結部２７ａ(2) とをマスクとして、その周辺
の記録ギャップ層９および下部磁極７を自己整合的に約
０．５μｍ程度エッチングしてトリム構造を形成する。
このとき、エッチング処理を行う範囲は、図９に示した
ように、そのエッチング処理範囲における最後方の端縁
の位置が、例えば、後述する図１０に示した上部ポール
チップ２７ａの端縁面Ｔ１の位置と一致するようにす
る。エッチング処理範囲の最後方の端縁面には、右磁気
遮蔽層８１Ｒおよび左磁気遮蔽層８１Ｌの一部が露出す
る。なお、図３（Ｂ）では、トリム構造の形成後におけ
る、上部ポールチップ２７ａの中間連結部２７ａ(2) お
よび接続部２７ａ(3) の前側の端縁面の描写を省略して
いる。

【００５１】次に、図３に示したように、全体に、例え
ばアルミナ膜等の絶縁膜２８を０．５〜１．５μｍ程度
の膜厚に形成する。

【００５２】次に、図４に示したように、上部ポールチ
ップ２７ａおよび磁路形成パターン２７ｂの間に位置
し、かつ絶縁膜２８により囲まれた凹状の領域に、例え
ば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導
型の記録ヘッド用の薄膜コイル２９を約２〜３μｍの厚
みに形成する。次に、全体に、例えばアルミナ膜からな
る絶縁層３０を３〜４μｍ程度の膜厚に形成して薄膜コ
イル２９を埋設した後、例えばＣＭＰ法により表面全体
を研磨する。このとき、ＣＭＰ法による絶縁層３０の表
面研磨は、上部ポールチップ２７ａおよび磁路形成パタ
ーン２７ｂの表面が露出するまで行う。この研磨処理に
より、上部ポールチップ２７ａ、絶縁層３０および磁路
形成パターン７ｂの表面は平坦化される。

【００５３】次に、図５に示したように、上部ポールチ
ップ２７ａおよび磁路形成パターン２７ｂの場合と同様
の工程の電解めっき法により、上部ヨーク兼上部磁極
（以下、単に「上部磁極」という。）２７ｃを、約３〜
４μｍの厚みに形成する。この上部磁極２７ｃは、例え
ば、後述する図１１に示したような平面形状を有するも
のである。上部磁極２７ｃの形状的特徴については、後
述する。図５に示したように、上部磁極２７ｃは、開口
部９ｂにおいて磁路形成パターン２７ｂを介して下部磁
極７と磁気的に連結されていると共に、接続部２７ａ
(3) を通じて上部ポールチップ２７ａとも磁気的に連結
されている。上部磁極２７ｃの材質および形成方法は、
例えば、上部ポールチップ２７ａの場合と同様である。
ここで、上記の上部磁極２７ｃが、本発明における「一
方の磁性層の第２の磁性層部分」の一具体例に対応す
る。

【００５４】次に、図５に示したように、全体を覆うよ
うにして、例えばアルミナよりなるオーバーコート層３
１を形成する。最後に、スライダの機械加工を行って、
記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面（トラ
ック面）２０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。

【００５５】《薄膜磁気ヘッドの要部構成》次に、本実
施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構造のうち、主に特徴
的な部分について説明する。

【００５６】図１０は、本実施の形態に係る製造方法に
よって製造される薄膜磁気ヘッドの平面構造の概略を表
すものである。なお、この図では、絶縁層３０、オーバ
ーコート層３１等の図示を省略している。また、薄膜コ
イル２９については、その最外周のみを図示している。
図１０に示したように、スロートハイトＴＨは、上部ポ
ールチップ２７ａの後方に形成された絶縁層３０の、最
もエアベアリング面２０側に近い端縁の位置を画定する
端縁面Ｔ１の位置からエアベアリング面２０までの長さ
として規定される。すなわち、端縁面Ｔ１の位置は、ス
ロートハイトＴＨがゼロの位置（以下、「ＴＨ０位置」
という。）に相当することとなる。ここで、エアベアリ
ング面２０と端縁面Ｔ１とは、ほぼ平行である。なお、
図５は、図１０におけるＡ−Ａ′線に沿った矢視断面に
相当する。

【００５７】図１１は、上部磁極２７ｃおよび上部ポー
ルチップ２７ａの平面構造を表し、図１２は上部ポール
チップ２７ａの平面構造を拡大して表すものである。図
１１に示したように、上部磁極２７ｃは、幅Ｗ７および
長さＬ７を有し、上部磁極２７ｃの大部分を占めるヨー
ク部２７ｃ(1) と、幅Ｗ８および長さＬ６を有し、上部
ポールチップ２７ａと一部オーバーラップして接続され
る接続部２７ｃ(2) とを有している。ヨーク部２７ｃ
(1) の幅Ｗ７は、接続部２７ｃ(2) の幅Ｗ８よりも大き
くなっている（Ｗ７＞Ｗ８）。ヨーク部２７ｃ(1) およ
び接続部２７ｃ(2) の各幅方向の中心は互いに一致して
いる。接続部２７ｃ(2) の幅Ｗ８は位置によらずほぼ一
定である。ヨーク部２７ｃ(1) の外縁Ｇ１は、エアベア
リング面２０と平行な面に対して角度ａをなしている。
また、接続部２７ｃ(2) の側縁面Ｓ９は、エアベアリン
グ面２０と平行な面に対して角度ｂをなしている。本実
施の形態において、角度ａは例えば３０〜６０度が好適
であり、より好ましくは４５度である。また、角度ｂ
は、例えば９０度程度が好適である。

【００５８】図１２に示したように、上部ポールチップ
２７ａは、幅Ｗ１を有し、記録媒体上の書込トラック幅
を規定する先端部２７ａ(1) と、Ｗ１よりも大きいほぼ
一定の幅Ｗ２を有する中間連結部２７ａ(2) と、Ｗ２よ
りも大きいほぼ一定の幅Ｗ３を有する接続部２７ａ(3)
とを有している（Ｗ３＞Ｗ２＞Ｗ１）。先端部２７ａ
(1) および中間連結部２７ａ(2) の長さは、Ｌ１および
Ｌ２であり、先端部２７ａ(1) および中間連結部２７ａ
(2) の各幅方向の中心は互いに一致している。

【００５９】接続部２７ａ(3) は、中間連結部２７ａ
(2) の後方において、例えば、先端部２７ａ(1) および
中間連結部２７ａ(2) の中心を通る線分（Ａ−Ａ′線）
に関して対称な位置に配置された接続部２７ａ(3) Ｒお
よび接続部２７ａ(3) Ｌから構成されている。接続部２
７ａ(3) Ｒは、幅Ｗ４および長さＬ３を有し、接続部２
７ａ(3) Ｌは、幅Ｗ５および長さＬ４を有する。ここ
で、Ｗ４＝Ｗ５、Ｌ３＝Ｌ４として、接続部２７ａ(3)
Ｒおよび接続部２７ａ(3) Ｌが同面積を有するようにす
るのが好ましい。以下では、Ｗ４＝Ｗ５、Ｌ３＝Ｌ４と
して説明する。また、接続部２７ａ(3) の長さとしてＬ
３と記載することとする。接続部２７ａ(3)の幅方向の
中心は、先端部２７ａ(1) および中間連結部２７ａ(2)
の各幅方向の中心と一致している。

【００６０】図１２に示した上部ポールチップ２７ａ
は、端縁面Ｔ１と接続部２７ａ(3) Ｒと接続部２７ａ
(3) Ｌとにより囲まれた部分に、長さ方向における凹状
の領域（以下、単に「凹部６０」という。）を有する。
凹部６０は、例えば直線から構成される形状を有し、例
えば矩形の一部をなすものである。凹部６０の幅はＷ
６、長さはＬ５である。図１２に示した上部ポールチッ
プ２７ａでは、例えば、凹部６０の長さＬ５と接続部２
７ａ(3) の長さＬ３とは等しい（Ｌ３＝Ｌ５）。接続部
２７ａ(3) の幅Ｗ３は、接続部２７ａ(3) Ｒの幅Ｗ４
と、凹部６０の幅Ｗ６と、接続部２７ａ(3) Ｌの幅Ｗ５
との総和に等しくなる（Ｗ４＋Ｗ６＋Ｗ５＝Ｗ３）。前
述したように、端縁面Ｔ１の位置は、ＴＨ０位置に相当
する。端縁面Ｔ１の位置は、上部ポールチップ２７ａを
形成する際に、その凹部６０の形状を変更し、調整する
ことによって決定されることとなる。このことから、上
部ポールチップ２７ａの形成時において、端縁面Ｔ１か
らエアベアリング面２０までの長さ、すなわちスロート
ハイトＴＨを自由に設定することが可能となる。

【００６１】先端部２７ａ(1) と中間連結部２７ａ(2)
とが連結する位置（以下、「第１の連結位置」とい
う。）において、先端部２７ａ(1) の幅はＷ１であり、
中間連結部２７ａ(2) の幅はＷ１よりも大きいＷ２であ
る。すなわち、上記の第１の連結位置には、幅方向の段
差が存在している。この段差部における中間連結部２７
ａ(2) 側の端面（以下、「段差面」という。）２１ａ
は、先端部２７ａ(1) の側縁面Ｓ１と角度αをなし、ま
た中間連結部２７ａ(2) の側縁面Ｓ２は、段差面２１ａ
の延伸方向に対して角度βをなしている。本実施の形態
では、角度αおよびβは、例えば共に９０度である。す
なわち、先端部２７ａ(1) と中間連結部２７ａ(2) との
段差面２１ａは、先端部２７ａ(1) の側縁面Ｓ１と実質
的に垂直をなしている。ここで、「実質的に垂直」と
は、先端部２７ａ(1) の側縁面Ｓ１の主たる部分と段差
面２１ａの主たる部分とのなす角度αがほぼ９０度であ
ることを意味すると共に、先端部２７ａ(1) の側縁面Ｓ
１と段差面２１ａとが交差する角部がシャープなエッジ
になっている場合のみならず、丸みを帯びている場合
（例えば、上記角部が、後述する図１４において点線で
示したような形状を有する場合）をも含む意である。な
お、上記の角度αは、例えば７５〜１２０度の範囲にあ
るのが好適である。

【００６２】ここで、上部ポールチップ２７ａにおける
先端部２７ａ(1) の側縁面Ｓ１と段差面２１ａとが交差
する角部の丸み形状は、フォトレジストパターンを形成
するためのマスクにおける上記の角部に対応する部分が
たとえシャープなエッジになっていたとしても生じ得る
ものである。また、フォトレジストパターンを形成する
ためのマスクにおける上記の第１のコーナー部分に対応
する部分の角度を正確に９０度にしたとしても、フォト
リソグラフィ工程における露光量を増加させると、これ
により形成される上部ポールチップ２７ａの角度αが１
１０〜１２０度まで広がる場合もある。

【００６３】中間連結部２７ａ(2) と接続部２７ａ(3)
とが連結する位置（以下、「第２の連結位置」とい
う。）において、接続部２７ａ(3) の幅Ｗ３は、中間連
結部２７ａ(2) の幅Ｗ２より大きいＷ３である。すなわ
ち、上記の第２の連結位置には、幅方向の段差が存在し
ている。この段差部における接続部２７ａ(3) 側の段差
面２１ｃは、中間連結部２７ａ(2) の側縁面Ｓ２と角度
γをなし、また接続部２７ａ(3) の側縁面Ｓ３は、段差
面２１ｃの延伸方向に対して角度δをなしている。本実
施の形態では、角度γおよびδは、例えば共に９０度で
ある。更に、接続部２７ａ(3) の側縁面Ｓ３は、接続部
２７ａ(3) の後方側（エアベアリング面２０と反対側）
の端縁面（上部ポールチップ２７ａの最後方側の端縁面
＝以下、「後方面」という。）Ｂ１の延伸方向に対して
角度εをなしている。本実施の形態では、角度εは、例
えば９０度である。

【００６４】上部ポールチップ２７ａの凹部６０におい
て、凹部６０の内側面Ｓ４は、後方面Ｂ１の延伸方向に
対して角度ζをなし、また凹部６０の内側面Ｓ４は、端
縁面Ｔ１と角度ηをなしている。本実施の形態では、角
度ζおよびηは、例えば共に９０度である。

【００６５】図１２に示した上部ポールチップ２７ａに
おいて、端縁面Ｔ１は、記録媒体に対向する先端部２７
ａ(1) の先端面ＳＴ１、段差面２１ａ、段差面２１ｃ、
および後方面Ｂ１と平行になっている。なお、先端面Ｓ
Ｔ１は、エアベアリング面２０の一部をなしている。ま
た、端縁面Ｔ１と、先端部２７ａ(1) の側縁面Ｓ１、中
間連結部２７ａ(2) の側縁面Ｓ２、接続部２７ａ(3) の
側縁面Ｓ３および凹部６０の内側面Ｓ４とは垂直をなし
ている。図１２に示した上部ポールチップ２７ａでは、
端縁面Ｔ１の位置が、例えば中間連結部２７ａ(2) と接
続部２７ａ(3)との段差面２１ｃの位置と一致してい
る。ここで、上部ポールチップ２７ａの先端部２７ａ
(1) が本発明における「トラック幅画定部」の一具体例
に対応し、また中間連結部２７ａ(2) が本発明における
「中間連結部」の一具体例に対応し、さらに接続部２７
ａ(3) が本発明における「接続部」の一具体例に対応す
る。

【００６６】ここで、再び図１１を参照して、上部磁極
２７ｃと上部ポールチップ２７ａとの位置関係について
説明する。本実施の形態では、図５から明らかなよう
に、上部ポールチップ２７ａは平坦な記録ギャップ層９
上に延在し、また上部磁極２７ｃも同様に平坦な絶縁層
３０上に延在している。そして、上部磁極２７ｃの接続
部２７ｃ(2) は、上部ポールチップ２７ａの接続部２７
ａ(3) （図５の破線で示した部分）にオーバーラップし
て接続されている。図５および図１１では、上部磁極２
７ｃにおける接続部２７ｃ(2) の前側の端縁面２２の位
置が、例えば端縁面Ｔ１の位置と一致している。この端
縁面２２は、エアベアリング面２０と平行である。な
お、図１１に示したように、上部磁極２７ｃの接続部２
７ｃ(2) の長さＬ６は、例えば上部ポールチップ２７ａ
の接続部２７ａ(3) の長さＬ３以上とするのが好適であ
る（Ｌ６≧Ｌ３）。また、接続部２７ｃ(2) の幅Ｗ８
は、例えば上部ポールチップ２７ａの接続部２７ａ(3)
の幅Ｗ３以上とするのが好適である（Ｗ８≧Ｗ３）。

【００６７】なお、図１１および図１２に示した各部の
寸法としては、例えば次のような値が好適である。但
し、先端部２７ａ(1) の幅Ｗ１、中間連結部２７ａ(2)
の幅Ｗ２および接続部２７ａ(3) の幅Ｗ３については、
Ｗ３＞Ｗ２＞Ｗ１とし、このとき、接続部２７ａ(3) Ｒ
と接続部２７ａ(3) Ｌとは同形状をなすように設定する
のが好ましい。また、上記の各部位の長さについては、
Ｌ３＞Ｌ１、Ｌ３＞Ｌ２とするのが好ましい。

【００６８】先端部２７ａ(1) の幅Ｗ１＝０．２〜０．５μｍ中間連結部２７ａ(2) の幅Ｗ２＝１．２〜３．５μｍ右接続部２７ａ(2) Ｒ（左接続部２７ａ(3) Ｌ）の幅Ｗ
４（Ｗ５）＝０．５〜３．０μｍ凹部６０の幅Ｗ６＝０．５〜２．０μｍヨーク部２７ｃ(1) の幅Ｗ７＝１５．０〜４０．０μｍ接続部２７ｃ(2) の幅Ｗ８＝１．２〜３．５μｍ先端部２７ａ(1) の長さＬ１＝０．３〜０．８μｍ中間連結部２７ａ(2) の長さＬ２＝０．３〜３．０μｍ接続部２７ａ(3) の長さＬ３（＝Ｌ４）＝１．０〜４．
０μｍ凹部６０の深さＬ５＝２．０〜３．０μｍ

【００６９】《薄膜磁気ヘッドの作用》次に、以上のよ
うな構成の薄膜磁気ヘッドの作用について説明する。

【００７０】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、
情報の記録動作時において薄膜コイル２９により生じた
磁束は、上部磁極２７ｃ内を伝搬し、上部ポールチップ
２７ａの接続部２７ａ(3) を構成する接続部２７ａ(3)
Ｒおよび接続部２７ａ(3) Ｌにほぼ均等に流入する。接
続部２７ａ(3) の接続部２７ａ(3) Ｒおよび接続部２７
ａ(3) Ｌに入り込んだ磁束は、上部ポールチップ２７ａ
の中間連結部２７ａ(2) に流入してそこで合流し、さら
に、先端部２７ａ(1) に収束して流入する。先端部２７
ａ(1) に流入した磁束は、その先端に到達し、その外部
に信号磁界を発生させる。この信号磁界によって、図示
しない記録媒体への情報記録が行われる。

【００７１】ここで、一般に、薄膜磁気ヘッドの優れた
オーバーライト特性を確保するためには、上記の信号磁
界を充分に発生させるべく、上部ポールチップ２７ａの
先端部２７ａ(1) へ円滑かつ充分に磁束を供給すること
が必要である。以下では、この薄膜磁気ヘッドのオーバ
ーライト特性に影響する上部磁極内の磁束の伝搬状況に
ついて、従来の薄膜磁気ヘッド（図３２）および本実施
の形態に係る薄膜磁気ヘッド（図５）の構造を比較する
ことにより詳細に説明する。

【００７２】図３２に示した従来の薄膜磁気ヘッドで
は、薄膜コイル１０９で発生した磁束は、上部磁極１１
１に伝搬し、さらに上部磁極１１１中をエアベアリング
面１２０側に移行して、最終的に上部磁極１１１の先端
へ到達する。このとき、図３２に示したように、上部磁
極１１１の平坦な記録ギャップ層１０８上に形成された
領域とエイペックス上に形成された領域との間の領域Ｓ
では、厚み方向に延在する領域Ｓを図中の下方向へ向か
う磁束の流れが生ずることとなる。ここで、図３２に示
した従来の薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイル１０９と下
部磁極１０７との間には、厚みの薄い記録ギャップ層１
０８しか配設されていない。このため、上部磁極１１１
の領域Ｓにおいて、下方向へ向かう磁束の一部が記録ギ
ャップ層１０８を通過してしまう。この場合には、記録
ギャップ層１０８を通過した磁束は下部磁極１０７へ伝
搬することとなる。以下では、記録ギャップ層を通過す
ることによる上部磁極から下部磁極への磁束の伝搬を「
磁束の漏れ」と呼称することとする。

【００７３】上記のような磁束の漏れは、以下のような
不具合を誘発する。

【００７４】第１に、上部磁極１１１から下部磁極１０
７へ磁束が漏れることにより、上部磁極１１１からその
先端へ到達する磁束の絶対量が減少する。したがって、
上部磁極１１１の先端へ到達する磁束の量が減少するこ
とにより、薄膜コイル１０９で発生した磁束を上部磁極
１１１の先端へ充分に供給することができなくなる。こ
のため、このような構造を有する薄膜磁気ヘッドのオー
バーライト特性は著しく低下してしまう。

【００７５】第２に、磁束の漏れによる下部磁極１０７
への局部的な磁束の集中は、薄膜磁気ヘッドの読み込み
動作に悪影響を及ぼす。例えば、下部磁極１０７に必要
以上に磁束が集中することにより、その一部がさらに下
部磁極１０７を通過してＭＲ膜５へ到達した場合には、
ＭＲ膜１０５へ到達した磁束は、読み込み時における磁
気ノイズとして作用することとなる。これにより、薄膜
磁気ヘッドの正常な読み込み動作が阻害されることとな
る。

【００７６】これに対し、図５に示した本実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドでは、図３２に示した従来の薄膜磁
気ヘッドの領域Ｓに対応する領域、すなわち上部磁極２
７ｃと上部ポールチップ２７ａの接続部２７ａ(3) とが
オーバーラップして接触している接触面（以下、単に「
磁気連結面」ともいう。）２７ｘに対応する領域（以
下、単に「オーバーラップ領域」ともいう。）における
下部磁極７の一部に、記録ギャップ層９と隣接する磁気
遮蔽層８１を配設している。この磁気遮蔽層８１は、磁
気連結面２７ｘに対応するオーバーラップ領域におい
て、下方向に向かう磁束が記録ギャップ層９を通過して
下部磁極７に伝搬することを抑制するものである。この
ため、磁気連結面２７ｘに対応するオーバーラップ領域
における磁束の漏れ現象を回避し、上部ポールチップ２
７ａの接続部２７ａ(3) から先端部２７ａ(1) へ磁束が
伝搬する際の伝搬ロスを抑制することができる。すなわ
ち、薄膜コイル２９で発生した磁束を大きなロスなく円
滑に上部ポールチップ２７ａの先端部２７ａ(1) に供給
することが可能となるので、先端部２７ａ(1) の先端に
は必要充分な磁束が到達することとなる。また、磁気遮
蔽層８１の存在により、記録ヘッド部以外への磁束の到
達、例えば、再生ヘッド部のＭＲ膜５への磁束の到達を
防止できる。なお、磁気遮蔽層８１は、上部ポールチッ
プ２７ａの接続部２７ａ(3) から下部磁極７へ磁束が伝
搬することを抑制すると同時に、下部磁極７から接続部
２７ａ(3) へ磁束が伝搬することをも抑制することがで
きる。

【００７７】ところで、図１０において説明したよう
に、本実施の形態の薄膜磁気ヘッドでは、上部ポールチ
ップ２７ａの端縁面Ｔ１が、スロートハイトＴＨの基準
となるＴＨ０位置を規定している。すなわち、上部ポー
ルチップ２７ａの形成と同時にＴＨ０位置が決定され
る。しかも、上部ポールチップ２７ａは、平坦な面（記
録ギャップ膜９の上面）の上に形成されているため、斜
面上に形成する場合と比べて、端縁面Ｔ１の位置決めを
正確に行うことが可能である。

【００７８】ここで、先端部２７ａ(1) 、中間連結部２
７ａ(2) および接続部２７ａ(3) における、各部位の内
部に収容できる磁束の許容量（以下、「磁気ボリュー
ム」という。）は、上部ポールチップ２７ａの各部位間
を流れる磁束の伝播状況に大きく影響する。先端部２７
ａ(1) 、中間連結部２７ａ(2) および接続部２７ａ(3)
の各磁気ボリュームをＶ１, Ｖ２, Ｖ３とし、例えば、
Ｖ３＞Ｖ２＞Ｖ１の関係が成立するように上記の各部位
を構成すると、薄膜コイル２９で発生した磁束は、接続
部２７ａ(3) から中間連結部２７ａ(2) を経て先端部２
７ａ(1) に進むにつれて、段階的に集束される。このと
き、上部ポールチップ２７ａと上部磁極２７ｃとは、幅
方向に分離された２つの接続部２７ａ(3) Ｒおよび接続
部２７ａ(3) Ｌにおいてオーバーラップし、このオーバ
ーラップ領域において十分な接触面積をもって磁気的に
連結している。このため、この領域での磁束の集中を回
避し、磁気ボリュームの大きな領域から小さな領域に磁
束が流入する際の磁束飽和現象の発生を防止できる。す
なわち、磁束飽和現象による磁束の伝播ロスを低減し、
上部ポールチップ２７ａの先端部２７ａ(1) に必要充分
な量の磁束を円滑に供給できる。

【００７９】図１３は、従来の薄膜磁気ヘッドのオーバ
ーライト特性と本実施の形態の薄膜磁気ヘッドのオーバ
ーライト特性とを比較して表すものである。この図の
（Ａ）は、図３２に示したような構造を有する従来の薄
膜磁気ヘッドのオーバーライト特性を表し、（Ｂ）は図
５に示したような構造を有する本実施の形態に係る薄膜
磁気ヘッドのオーバーライト特性を表す。この図に示し
たように、従来の薄膜磁気ヘッドでは、２６．０ｄＢと
いう値であったのに対し、本実施の形態の薄膜磁気ヘッ
ドでは、３５．５ｄＢという高い値が得られており、オ
ーバーライト特性が改善されている。

【００８０】さらに、図１２に示したような形状を有す
る上部ポールチップ２７ａをもつ薄膜磁気ヘッドは、製
作精度の面においても、次のような利点を有する。

【００８１】すなわち、例えば比較例として示した図１
５のように、第１の連結位置における段差面２１ａが先
端部２７ａ(1) の側縁面となす角度αが９０度よりもは
るかに大きい場合（例えば１３０度以上）には、フォト
リソグラフィ工程でマスクを用いてフォトレジストを選
択的に露光してパターニングする場合に、フォトレジス
ト領域のパターン幅が広がる領域がかなり大きくなる。
具体的には、先端部２７ａ(1) のうち、所期の目標幅Ｗ
１よりも広がる部分（図中の破線）の長さｄ２がかなり
長くなり、結果として、一定の目標幅Ｗ１を有する幅は
短くなる。

【００８２】これに対して、本実施の形態の薄膜磁気ヘ
ッドにおける上部ポールチップ２７ａでは、図１４に示
したように、第１の連結位置における段差面２１ａが先
端部２７ａ(1) の側縁面Ｓ１となす角度αは、ほぼ９０
度である。このため、フォトリソグラフィ工程でマスク
を用いてフォトレジストを選択的に露光してパターニン
グする場合に、フォトレジスト領域のパターン幅が広が
るのを効果的に抑制することができる。具体的には、図
１４に示したように、先端部２７ａ(1) の幅が所期の目
標幅Ｗ１よりも広がって形成されてしまう部分（図中の
破線）の長さｄ１を極めて小さくすることが可能であ
る。

【００８３】以上のように、本実施の形態の薄膜磁気ヘ
ッドによれば、上部磁極２７ｃと上部ポールチップ２７
ａの接続部２７ａ(3) との磁気連結面２７ｘに対応する
オーバーラップ領域における下部磁極７の一部に、記録
ギャップ層９と隣接する磁気遮蔽層８１を配設するよう
にしたので、薄膜コイル２９で発生した磁束が上部磁極
２７ｃから上部ポールチップ２７ａの先端部２７ａ(1)
へ伝搬する過程における磁束の漏れを抑制することがで
きる。したがって、上部ポールチップ２７ａの先端部２
７ａ(1) に必要充分な量の磁束を供給することができる
ので、優れたオーバーライト特性を確保することが可能
となる。

【００８４】また、本実施の形態では、平坦面上に形成
した上部ポールチップ２７ａの端縁面Ｔ１によってＴＨ
０位置を規定するようにしているため、上部ポールチッ
プ２７ａの形成時点でＴＨ０位置を正確に決定すること
ができ、薄膜磁気ヘッドの記録特性に寄与するスロート
ハイトＴＨを高精度に形成することが可能となる。

【００８５】また、上部ポールチップ２７ａと上部磁極
２７ｃとの磁気的連結は、幅方向に分離された２つの接
続部２７ａ(3) Ｒおよび接続部２７ａ(3) Ｌにおいて、
十分な接触面積をもって行われるようにしたので、磁気
ボリュームの大きな領域から小さな領域に磁束が流入す
る際の磁束飽和による磁束伝播ロスを低減し、上部ポー
ルチップ２７ａの先端部２７ａ(1) に必要充分な量の磁
束が到達できるようにすることができる。したがって、
先端部２７ａ(1) の幅Ｗ１を、例えばサブミクロンオー
ダーまで狭小化した場合においても、優れたオーバーラ
イト特性を確保することが可能となる。

【００８６】また、本実施の形態では、上部ポールチッ
プ２７ａの第１の連結位置において、先端部２７ａ(1)
と中間連結部２７ａ(2) との間に、実質的に直角に変化
する幅方向の段差を設けるようにしたので、先端部２７
ａ(1) を形成するためのフォトレジストのパターン幅の
広がりを防止し、記録媒体上の書込トラック幅を規定す
る先端部２７ａ(1) の幅がほぼ目標の値Ｗ１となる領域
を十分に確保することができ、この結果、記録媒体にお
ける書込トラック幅を微小化できる。

【００８７】また、本実施の形態では、上部磁極２７ｃ
をＣＭＰ研磨後の平坦部上に形成するようにしているた
め、フォトリソグラフィによるフォトレジストパターン
を高精度に形成することができ、この結果、上部磁極２
７ｃもまた高精度に形成される。

【００８８】また、本実施の形態では、記録ギャップ層
９と薄膜コイル２９との間に、アルミナ等からなる厚い
絶縁膜２８が形成されているため、薄膜コイル２９と下
部磁極７との間の絶縁耐圧を高めることができると共
に、薄膜コイル２９からの磁束の洩れを低減することが
できる。

【００８９】なお、本実施の形態において、上部磁極２
７ｃとして、例えばＮｉＦｅやチッ化鉄（ＦｅＮ）を用
いるようにしたが、このほか、例えばＦｅ−Ｃｏ−Ｚｒ
のアモルファス等の高飽和磁束密度材を用いてもよい
し、これらの材料を２種類以上重ねて使用してもよい。
また、下部磁極７としても、ＮｉＦｅと上記の高飽和磁
束密度材を重ねた磁性材料を用いてもよい。

【００９０】《第１の実施の形態の変形例》次に、本実
施の形態に関するいくつかの変形例を説明する。

【００９１】上記実施の形態では、磁気遮蔽層８１の平
面形状が、例えば、磁気連結面２７ｘを構成する上部ポ
ールチップ２７ａの接続部２７ａ(3) の平面形状と同様
である場合について説明したが、これに限られるもので
はない。図１６は、磁気遮蔽層８１の変形例を表す断面
図であり、上記実施の形態における図５に対応するもの
である。図１６に示したように、磁気遮蔽層８１が磁気
連結面２７ｘを構成する接続部２７ａ(3) の平面形状を
含む限り、磁気遮蔽層８１の配設範囲を長さ方向および
幅方向に自由に拡張することが可能である。但し、この
場合における磁気遮蔽層８１の長さ方向における拡張範
囲は、以下に説明する通りである。図１６（Ａ）に示し
たように、磁気遮蔽層８１の前方への拡張については、
例えば、その前側の端縁の位置が上部ポールチップ２７
ａの中間連結部２７ａ（2 ）の段差面２１ａの位置と一
致するまでとし、一方、磁気遮蔽層８１の後方への拡張
については、その後側の端縁の位置が磁路形成パターン
２７ｂの前側の端縁の位置と一致するまでとするように
するのが好ましい。また、磁気遮蔽層８１の幅方向にお
ける拡張は、例えば、図１６（Ｂ）に示したように、磁
気遮蔽層８１の幅が接続部２７ａ(3) の幅よりも大きく
なるように自由に調整することが可能である。このよう
な磁気遮蔽層８１を配設する場合においても、図５に示
した場合と同様の効果が得られる。特に、薄膜コイル２
９の配置領域に対応する領域に磁気遮蔽層８１を配設す
ることで、薄膜コイル２９から下部磁極７への直接的な
磁束の伝搬をより確実に抑制することができる。

【００９２】また、上記実施の形態では、磁気遮蔽層８
１の厚みをさらに大小に調整することも可能である。こ
のとき、磁気遮蔽層８１の厚みは、下部磁極７の厚み以
下となるようにする。但し、磁気遮蔽層８１の厚みを増
加させる場合には、下部磁極７の磁気ボリュームを部分
的に減少させることとなるため、磁気遮蔽層８１の厚み
は、下部磁極７の磁気ボリュームが少なくなりすぎない
程度とするのが好ましい。

【００９３】また、上記実施の形態では、上部磁極２７
ｃの接続部２７ｃ(2) の端縁面２２の位置が、ＴＨ０位
置を決定する端縁面Ｔ１の位置と一致している場合（図
１１）について説明したが、これに限られるものではな
い。例えば、図１７に示したように、上部磁極２７ｃの
接続部２７ｃ(2) は、その前側の端縁面２２の位置が、
端縁面Ｔ１の位置を越えて中間連結部２７ａ(2) の一部
ともオーバーラップすることとなるように延在するよう
にしてもよい。この場合、上部磁極２７ｃの接続部２７
ｃ(2) の端縁面２２から端縁面Ｔ１の位置までのずれ長
さＬ１１は、例えば０．５〜１．５μｍの範囲で設定す
るのが好適である。また、図１８に示したように、上部
磁極２７ｃの接続部２７ｃ(2) における端縁面２２の位
置が端縁面Ｔ１の位置よりも後方（エアベアリング面と
反対の側）にずれるようにしてもよい。この場合のずれ
長さＬ１２もまた、０．５〜１．５μｍの範囲で設定す
るのが好ましい。図１７および図１８に示した場合にお
いても、上部磁極２７ｃと上部ポールチップ２７ａとの
磁気連結面に対応する平面形状を有する限り、磁気遮蔽
層８１の配設範囲を拡張することが可能である。この場
合においても、図５に示した場合と同様の効果が得られ
る。

【００９４】なお、上記実施の形態では、例えば、図２
に示したように、磁気遮蔽層８１を埋め込む凹部８０を
形成する手順として、まず、例えばめっき法により下部
磁極７を１層形成し、続いて下部磁極７の一部を例えば
エッチングにより選択的に除去することにより凹部８０
を形成するようにしたが、これに限られるものではな
い。例えば、以下に説明するように、下部磁極を、２以
上の同一工程により、２以上の層から構成されるように
分割して形成することにより、結果として図２に示した
場合と同様の形状的特徴を有する凹部が形成されるよう
にしてもよい。以下では、例えば、下部磁極が２層から
構成される場合について、図１９を参照して説明する。

【００９５】図１９は、図２に示した形成方法とは異な
る形成方法により磁気遮蔽層８１を埋め込む凹部を形成
する場合の薄膜磁気ヘッドの製造工程の一部を表すもの
であり、上記実施の形態における図２に示した製造工程
に対応するものである。図１９において、上記実施の形
態における図２に示した要素と同一部分には、同一の符
号を付すものとする。図１９におけるシールドギャップ
膜６を形成するまでの工程は、上記実施の形態における
図２に示した場合と同様であるので、その説明を省略す
る。図１９に示した薄膜磁気ヘッドの製造方法では、シ
ールドギャップ膜６を形成したのち、シールドギャップ
膜６上に、例えばめっき法により、例えばパーマロイよ
りなる第１下部磁極７１を形成する。次に、第１下部磁
極７１上の所定の位置に、所定の平面形状を有する図示
しないフォトレジスト膜を配置し、このフォトレジスト
膜をマスクとして、第１下部磁極７１と同様の工程を用
いることにより、第１下部磁極７１上に第２下部磁極７
２を選択的に形成する。上記の「所定の位置」および「
所定の平面形状」は、上記実施の形態において説明した
場合と同様である。第２下部磁極７２の形成後、フォト
レジスト膜を取り除くことにより、フォトレジスト膜を
配置した領域には、上記実施の形態における図２に示し
た凹部８０と同様の形状的特徴を有する開口部１８０が
形成される。なお、図１９では、下部磁極が２層（第１
下部磁極７１および第２下部磁極７２）から構成される
場合について説明したが、必ずしもこの場合に限らず、
例えば、下部磁極が３層以上から構成されるようにして
もよい。図２および図１９において説明した凹部８０ま
たは開口部１８０の形成方法は、適宜選択可能である。

【００９６】なお、図１９に示したような製造方法を用
いて下部磁極を形成する場合においては、例えば、図２
０に示したように、第１下部磁極７１と第２下部磁極７
２との間に、例えばアルミナからなる絶縁層９１を配設
するようにしてもよい。このような構造を有する薄膜磁
気ヘッドでは、この絶縁層９１の存在により、第２下部
磁極７２から第１下部磁極７１へ磁束が伝搬することを
抑制することができる。

【００９７】なお、上記で示した種々の上部磁極２７ｃ
および上部ポールチップ２７ａを選択的に使用して薄膜
磁気ヘッドを構成する際には、下記の点に留意して両者
を選択することが好ましい。

【００９８】第１に、スロートハイトを適切な長さにす
ることが重要である。例えば、図１１において、スロー
トハイトＴＨは、一般に短い方が好ましい。なぜなら、
スロートハイトＴＨが短くなるほど、先端部２７ａ(1)
の先端面ＳＴ１に到達する磁束の量が大きくなり、記録
時のオーバーライト特性を向上させることとなるからで
ある。その一方、スロートハイトＴＨの短縮化は、記録
時の書きにじみ、すなわちサイドライト現象を誘発する
可能性を有する。スロートハイトＴＨをあまりに短縮す
ると、上部ポールチップ２７ａの接続部２７ａ(3) の段
差面２１ａ（幅Ｗ３）や上部磁極２７ｃの接続部２７ｃ
(2) の前側の端縁面２２（幅Ｗ８）がエアベアリング面
２０に近づき過ぎて、先端部２７ａ(1) の幅Ｗ１に収束
しきれない過大な磁束が先端部２７ａ(1) に供給された
り、あるいは接続部２７ａ(3) の段差面２１ａや接続部
２７ｃ(2) の端縁面２２から磁束がエアベアリング面２
０側に直接放出されるおそれがあるからである。したが
って、スロートハイトＴＨを設定する際には、サイドラ
イト現象を誘発しないように、各磁極部分の形状および
寸法を決定することが好ましい。

【００９９】第２に、例えば図１１において、上部ポー
ルチップ２７ａの先端部２７ａ(1)の後方側に位置する
中間連結部２７ａ(2) および接続部２７ａ(3) の磁気ボ
リュームを適正化することが好ましい。ここで、「中間
連結部２７ａ(2) および接続部２７ａ(3) の磁気ボリュ
ームが適正であること」とは、中間連結部２７ａ(2)お
よび接続部２７ａ(3) が、適切な量の磁束を先端部２７
ａ(1) に伝播し得るだけの磁束収容能力を備えているこ
とを意味する。例えば、中間連結部２７ａ(2)および接
続部２７ａ(3) の磁気ボリュームが小さすぎると、先端
部２７ａ(1) に流入する磁束の量が不足し、記録時のオ
ーバーライト特性が低下する。したがって、中間連結部
２７ａ(2) および接続部２７ａ(3) は、充分な磁気ボリ
ュームを確保できるだけの大きな面積を有する必要があ
る。一方、中間連結部２７ａ(2)および接続部２７ａ(3)
の磁気ボリュームが必要以上に大きすぎると、先端部
２７ａ(1) に過剰な磁束が流入し、記録時の書きにじ
み、すなわちサイドライト現象を誘発する可能性があ
る。したがって、上部磁極２７ｃから流入する磁束を段
階的に収束しつつ、上部ポールチップ２７ａの先端部２
７ａ(1) に充分かつ適正な量の磁束を供給できるよう
に、中間連結部２７ａ(2) および接続部２７ａ(3)の形
状および寸法を決定することが好ましい。

【０１００】〔第２の実施の形態〕次に、本発明の第２
の実施の形態を説明する。

【０１０１】上記第１の実施の形態では、例えば、図５
に示したように、上部磁極２７ｃと上部ポールチップ２
７ａとの磁気連結面２７ｘに対応するオーバーラップ領
域における下部磁極７の一部に磁気遮蔽層８１を形成す
る場合について説明した。これに対して、本実施の形態
では、磁束の漏れを抑制する磁気遮蔽層を、磁気連結面
２７ｘにオーバーラップ対応する領域における上部ポー
ルチップ２７ａの接続部２７ａ(3) の一部に形成する場
合について説明する。

【０１０２】図２１〜図２４を参照して、本発明の第２
の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について
説明する。

【０１０３】図２１および図２２は、本実施の形態の製
造方法における主要工程を表すものである。これらの図
において、（Ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を表
し、（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面
を示している。また、図２３および図２４は、本実施の
形態の製造工程における斜視図を示している。ここで、
図２３は図２１に対応し、図２４は図２２に対応する。
これらの図において、上記第１の実施の形態における要
素と同一部分には同一の符号を付すものとする。

【０１０４】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、図２１に示した下部磁極７を形成すると
ころまでの工程は、上記第１の実施の形態における図１
の工程と同様であるので、説明を省略する。

【０１０５】本実施の形態では、図１に示したように下
部磁極７の形成が終了すると、次に、図２１および図２
３に示したように、全体に、例えばアルミナからなる記
録ギャップ層９を約０．１５〜０. ３μｍの厚みに形成
する。

【０１０６】次に、記録ギャップ層９上の所定の位置に
おいて、例えば、フォトレジストを高精度のフォトリソ
グラフィ処理を用いて所定の平面形状にパターニングす
る。続いて、このフォトレジストに対して、例えば、２
５０℃程度の温度で熱処理を施すことにより、磁気遮蔽
層８５を形成する。ここで、上記の「所定の位置」およ
び「所定の平面形状」は、上記第１の実施の形態におい
て説明した場合と同様である。図２１（Ｂ）および図２
３に示したように、磁気遮蔽層８５は、記録ギャップ層
９上の２つの凸部領域、すなわち右磁気遮蔽層８５Ｒお
よび左磁気遮蔽層８５Ｌから構成されている。磁気遮蔽
層８５の記録ギャップ層９からの高さ（厚み）は、例え
ば、約０．５〜１．５μｍ程度とする。

【０１０７】次に、図２２に示したように、後工程で薄
膜コイル９を形成する領域よりも後側において、磁路形
成のために、記録ギャップ層９を部分的にエッチングし
て開口部９ｂを形成する。次に、図２２および図２４に
示したように、後工程で薄膜コイル２９を形成する領域
よりも前側の領域における記録ギャップ層９上に、例え
ば電解めっき法により、上部ポールチップ２７ａを選択
的に形成する。この上部ポールチップ２７ａは、例え
ば、上記第１の実施の形態における図１１に示したもの
を用いることができる。上部ポールチップ２７ａの形成
の際には、その接続部２７ａ(3) の形成位置が磁気遮蔽
層８５の形成位置と一致するようにする。すなわち、上
部ポールチップ２７ａの右接続部２７ａ( ３) Ｒが右磁
気遮蔽層８５Ｒ上に形成され、かつ左接続部２７ａ(3)
Ｌが左磁気遮蔽層８５Ｌ上に形成されるようにする。上
部ポールチップ２７ａの形成の際には、同時に、開口部
９ｂにも磁路形成パターン２７ｂを形成する。なお、上
部ポールチップ２７ａおよび磁路形成パターン２７ｂの
材質および形成方法、さらに、これ以降の製造方法につ
いては、上記第１の実施の形態と同様であるので、その
説明を省略する。

【０１０８】このような構造を有する薄膜磁気ヘッドに
おいても、上記第１の実施の形態の場合と同様に、磁気
遮蔽層８５の存在により、磁気連結面２７ｘに対応する
オーバーラップ領域における磁束の漏れを抑制すること
が可能となる。したがって、磁束の伝搬ロスを回避しつ
つ、上部ポールチップ２７ａの先端部２７ａ( １) へ必
要充分な磁束を供給することができるので、優れたオー
バーライト特性を確保することが可能となる。

【０１０９】なお、本実施の形態において、磁気遮蔽層
８５の厚みを増加させる場合には、上部ポールチップ２
７ａの接続部２７ａ(3) の磁気ボリュームを減少させる
こととなるため、磁気遮蔽層８５の厚みは、接続部２７
a(3)の磁気ボリュームが少なくなりすぎない程度とする
のが好ましい。本実施の形態における薄膜磁気ヘッドの
上記以外の構成に関する作用、効果および変形等は、上
記第１の実施の形態の場合と同様である。また、例え
ば、図１６に示したように、磁気遮蔽層８５の配設範囲
を上部ポールチップ２７ａの中間連結部２７ａ(2) に対
応する部分にまで拡張する場合においても同様である。
したがって、磁気遮蔽層８５の厚みおよび配設範囲を調
整する際には、上部ポールチップ２７ａの各部位の磁気
ボリュームを十分に確保しつつ、上部ポールチップ２７
ａ内における磁束の伝搬を阻害しない範囲で行うことが
望ましい。

【０１１０】また、本実施の形態では、磁気遮蔽層８５
を配設すると共に、上記第１の実施の形態で説明した磁
気遮蔽層８１を配設するようにしてもよい。この場合に
は、磁束の伝搬ロスの原因となる磁束の漏れをより確実
に抑制することができる。

【０１１１】［第３の実施の形態］次に、図２５〜図２
７を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製
造方法を説明する。なお、本実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドは、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方
法によって具現化されるので、以下併せて説明する。図
２５〜図２７は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの
製造工程を表すものであり、各図の（Ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。これらの図で、
上記各実施の形態における要素と同一部分には同一の符
号を付すものとする。

【０１１２】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、図２５における絶縁膜２８を形成すると
ころまでの工程は、上記第１の実施の形態における図３
に示した工程と同様であるので、説明を省略する。

【０１１３】本実施の形態では、図２５に示したよう
に、絶縁膜２８の形成が終了したのち、上部ポールチッ
プ２７ａと磁路形成パターン２７ｂとの間に形成された
凹部領域に、例えば電解めっき法により、誘導型の記録
ヘッド用の１層目の薄膜コイル２９を例えば１．５〜
２．５μｍの厚みで形成する。このとき同時に、磁路形
成パターン２７ｂの後方領域に、コイル接続部４３Ｃを
形成する。コイル接続部４３Ｃは、１層目の薄膜コイル
２９を、後述する第２層の薄膜コイル４７と接続するた
めのものである。

【０１１４】次に、全面に、スパッタ法により絶縁材
料、例えばアルミナよりなる膜厚３．０〜４．０μｍの
絶縁層３０を形成した後、例えばＣＭＰ法により表面を
平坦化し、上部ポールチップ２７ａおよび磁路形成パタ
ーン２７ｂの表面を露出させる。

【０１１５】次に、図２６に示したように、薄膜コイル
２９を埋設した絶縁層３０の前方側の平坦な表面上に、
上部ポールチップ２７ａの接続部２７ａ(3) と磁気的に
連結させるための上部接続部４５ａを形成する。このと
き、上部接続部４５ａは、上部ポールチップ２７ａの接
続部２７ａ(3) とオーバーラップして接触し、かつ例え
ば後方に向かって上部ポールチップ２７ａの接続部２７
ａ(3) よりも長く延在するように形成する。本実施の形
態では、上部ポールチップ２７ａと上部接続部４５ａと
の接触面が磁気連結面２７ｘに相当する。上部接続部４
５ａの平面形状は、例えば、後述する図２８に示したよ
うな矩形からなる平面形状を有するものとする。さら
に、上部接続部４５ａは、その前側の端縁面３２の位置
が、例えば端縁面Ｔ１の位置（すなわち、ＴＨ０位置）
と一致するようにする。また、上部接続部４５ａを形成
する際には、同時に、磁路形成パターン２７ｂと磁気的
に連結し、最終的に上部磁極と下部磁極とを接続させる
ための上部接続部４５ｂを形成する。このとき、上部接
続部４５ｂは、磁路形成パターン２７ｂとオーバーラッ
プして接触するようにし、かつ例えば磁路形成パターン
２７ｂの長さと一致するように形成する。なお、上部接
続部４５ａおよび４５ｂの材質および製造方法は、例え
ば、上部ポールチップ２７ａと同様である。ここで、上
記の上部接続部４５ａが、本発明における「第３の磁性
層部分」に対応する。

【０１１６】続いて、全面に、例えばスパッタ法または
ＣＶＤ法により、膜厚約０．３〜０．６μｍの例えばア
ルミナからなる絶縁膜４６を形成する。次に、コイル接
続部４３Ｃ上の絶縁膜４６および３０をフォトリソグラ
フィによりパターニングし、コイル接続部４３Ｃに達す
る開口部９Ｃを形成する。次に、上部接続部４５ａおよ
び４５ｂの間の領域に形成された凹部内の絶縁膜４６上
に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）より
なる誘導型の記録ヘッド用の２層目の薄膜コイル４７を
１．５〜２．５μｍの厚みで形成する。このとき、同時
に、開口９ｃを介してコイル接続部４３Ｃと接触するコ
イル接続部４７Ｃを形成する。

【０１１７】次に、全面に、例えばスパッタ法またはＣ
ＶＤ法により、膜厚約３〜４μｍの例えばアルミナから
なる絶縁層４８を形成する。なお、この絶縁層４８およ
び絶縁膜４６は、アルミナに限らず、二酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ₂）や、窒化珪素（ＳｉＮ）等の他の絶縁材料により
形成してもよい。

【０１１８】次に、例えばＣＭＰ法により、上部接続部
４５ａおよび４５ｂの表面が露出するように、絶縁層４
８および絶縁膜４６を研磨し、これらの絶縁層４８およ
び絶縁膜４６の表面と上部接続部４５ａおよび４５ｂの
各表面とが同一面を構成するように平坦化する。

【０１１９】次に、図２７に示したように、例えば上部
ポールチップ２７ａと同じ材料を用いて、例えば電解め
っき法やスパッタ法などの方法により、上部磁極を約３
〜４μｍの厚みに選択的に形成する。この上部磁極は、
後述する図２８に示したように、例えば、上記各実施の
形態における上部磁極２７ｃ（図１１）を用いることが
できる。このとき、上部磁極２７ｃにおける前方側の接
続部２７ｃ(2) の一部が上部接続部４５ａとオーバーラ
ップし、かつ、例えば、接続部２７ｃ(2) の前側（エア
ベアリング面側）の端縁面２２の位置が、端縁面Ｔ１の
位置（すなわち、ＴＨ０位置）および上部接続部４５ａ
の前側の端縁面３２の位置よりも後方（エアベアリング
面と反対側）にずれるようにする。また、上部磁極２７
ｃにおける後方側のヨーク部２７ｃ(1) の一部が、上部
接続部４５ｂとオーバーラップし、かつ、例えばヨーク
部２７ｃ(1) の後側の端縁面Ｂ２の位置が、磁路形成パ
ターン２７ｂおよび上部接続部４５ｂの後側の端縁面の
位置と一致するようにする。これにより、上部磁極２７
ｃは、上部接続部４５ａおよび上部ポールチップ２７ａ
と磁気的に連結されると共に、上部接続部４５ｂおよび
磁路形成パターン２７ｂを介して下部磁極７と磁気的に
連結される。

【０１２０】最後に、全面を覆うように、例えばスパッ
タ法によりアルミナよりなる膜厚約３０μｍのオーバー
コート層５０を形成する。その後、スライダの機械加工
を行い、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング
面（ＡＢＳ）を形成することにより、薄膜磁気ヘッドが
完成する。

【０１２１】図２８は、本実施の形態に係る製造方法に
よって製造された薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極２７
ｃ、上部接続部４５ａおよび上部ポールチップ２７ａの
平面形状を表すものである。また、図２９は、図２７に
示した断面図の立体的構造を表した斜視図である。な
お、図２８および図２９において、上記各実施の形態に
おける要素と同一部分には同一の符号を付すものとし、
適宜説明を省略する。また、図２９では、オーバーコー
ト層５０、薄膜コイル２９、４７および絶縁層３０等の
図示を省略している。

【０１２２】図２８に示したように、上部接続部４５ａ
は、例えば、矩形からなる平面形状を有し、その幅はＷ
３０および長さはＬ３０である。また、上部接続部４５
ａは、図２７および図２９に示したように、その下面の
一部が上部ポールチップ２７ａの接続部２７ａ(3) と接
触してオーバーラップするように位置し、かつその上面
が上部磁極２７ｃの接続部２７ｃ(2) の一部と接触する
ように配置されている。このため、薄膜コイル２９およ
び４７で発生した磁束は、上部磁極２７ｃにおける大き
な面積を有するヨーク部２７ｃ(1) から、接続部２７ｃ
(2) （幅Ｗ８、長さＬ６）、上部接続部４５ａ（幅Ｗ３
０、長さＬ３０）、さらに、接続部２７ａ(3) （幅Ｗ
３、長さＬ３）を通じて上部ポールチップ２７ａに伝搬
するようになっている。

【０１２３】本実施の形態では、図２８に示したよう
に、上部磁極２７ｃの接続部２７ｃ(2) 、上部接続部４
５ａおよび上部ポールチップ２７ａの各部位の幅につい
てはＷ８＞Ｗ３０＞Ｗ３となるようにし、各部位の長さ
についてはＬ６＞Ｌ３０＞Ｌ３となるようにしている。
したがって、各部位間を通じて上部磁極２７ｃから上部
ポールチップ２７ａへ伝搬する磁束は、段階的に収束し
ていく。上部ポールチップ２７ａの接続部２７ａ(3) に
伝搬した磁束は、さらに上部ポールチップ２７ａの中間
連結部２７ａ(2) および先端部２７ａ(1) へ伝播する過
程で収束される。

【０１２４】本実施の形態では、上記のように２層の薄
膜コイル２７、４９を設けるようにしたので、薄膜コイ
ル部において発生する磁束の絶対量を増大させることが
可能である。この場合においても、磁気遮蔽層８１の存
在により、上部ポールチップ２７ａと上部接続部４５ａ
との磁気連結面２７ｘに対応するオーバーラップ領域に
おける磁束の漏れを抑制することが可能となる。したが
って、磁束の伝搬ロスを回避しつつ、上部ポールチップ
２７ａの先端部２７ａ(1) へ必要充分な磁束を供給する
ことができる。

【０１２５】また、本実施の形態では、薄膜コイルを２
層構造とした結果、先端部２７ａ(1) と上部磁極２７ｃ
との間にスペースが生ずる。本実施の形態では、このス
ペースを利用して第３の磁性層部分としての上部接続部
４５ａを設けるようにしている。この上部接続部４５ａ
の存在により、上部ポールチップ２７ａの先端部２７ａ
(1) の後方領域に、厚み方向に磁気ボリュームが確保さ
れる。この磁気ボリュームは、２層の薄膜コイル２７、
４９によって発生した大量の磁束の収容スペースとな
る。このため、上部ポールチップ２７ａの先端部２７ａ
(1) の後方領域において磁気飽和が生ずることを回避で
き、充分な量の磁束が上部ポールチップ２７ａの先端部
２７ａ(1) に供給される結果、優れたオーバーライト特
性を確保することが可能となる。

【０１２６】また、本実施の形態では、上部ポールチッ
プ２７ａ、上部接続部４５ａおよび上部磁極２７ｃを平
坦部上に形成することができるため、フォトリソグラフ
ィによるフォトレジストパターンの形成を高精度に行う
ことができ、上部ポールチップ２７ａの先端部２７ａ
(1) の幅を０．５〜０．２５μｍの精度で微細化するこ
とも可能となる。また、上部接続部４５ａおよび上部磁
極２７ｃもまた、ＣＭＰ研磨後の平坦部上に形成できる
ため、同様の理由から高精度のパターニングが可能であ
る。

【０１２７】本実施の形態における薄膜磁気ヘッドの上
記以外の構成に関する作用、効果および変形等は、上記
第１の実施の形態の場合と同様である。

【０１２８】なお、本実施の形態における上部接続部４
５ａの前側の端縁面３２の位置は、必ずしも端縁面Ｔ１
の位置に一致しなければならないものではなく、端縁面
Ｔ１の位置を基準として、例えば０．５〜１．０μｍの
範囲内で前後にずれるように設定してもよい。この場合
においても、上部ポールチップ２７ａと上部接続部４５
ａとの磁気連結面２７ｘに対応するオーバーラップ領域
に磁気遮蔽層８１を配設することで、磁束の漏れを抑制
できる。

【０１２９】また、本実施の形態における上部磁極２７
ｃの接続部２７ｃ(2) の前側の端縁面２２の位置は、必
ずしもＴＨ０位置を決定する端縁面Ｔ１よりも後方にず
れるようにしなければならないものではない。例えば、
端縁面２２の位置は、上記第１の実施の形態における図
１１のように端縁面Ｔ１の位置と一致してもよいし、ま
たは図１７のように端縁面Ｔ１の位置よりも前方にずれ
るようにしてもよい。端縁面２２の位置が端縁面Ｔ１の
位置よりも前方にずれる場合の両位置間のずれ長さは、
端縁面Ｔ１の位置を基準として０．５〜１．０μｍの範
囲内で設定するのが好適である。

【０１３０】また、本実施の形態では、磁気遮蔽層８１
のかわりに、上記第２の実施の形態で説明した磁気遮蔽
層８５を配設するようにしてもよいし、さらに、磁気遮
蔽層８１と磁気遮蔽層８５とを両方配設するようにして
もよい。これらの場合においても、磁束の伝搬ロスの原
因となる磁束の漏れを抑制することができる。

【０１３１】以上、いくつかの実施の形態を挙げて本発
明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定さ
れず、種々の変形が可能である。例えば，上記各実施の
形態では、図１１に示したような平面形状を有する上部
ポールチップ２７ａおよび上部磁極２７ｃを用いる場合
について説明したが、これに限られるものではない。例
えば、上部ポールチップ２７ａおよび上部磁極２７ｃを
構成する各部位の形状を種々変形するようにしてもよ
い。この場合には、上部ポールチップの形状により磁気
連結面の平面形状も変化することとなるので、磁気遮蔽
層の平面形状も同様に、磁気連結面の平面形状に対応す
ることとなるように変化させるのが好ましい。上記第３
の実施の形態における上部接続部４５ａについても同様
である。

【０１３２】また、上記の各実施の形態およびその変形
例では、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明
したが、本発明は、書き込み用の誘導型磁気変換素子を
有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや記録・再生兼用の誘
導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドにも適用する
ことができる。また、本発明は、書き込み用の素子と読
み出し用の素子の積層順序を逆転させた構造の薄膜磁気
ヘッドにも適用することができる。

【０１３３】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項１１のいずれか１に記載の薄膜磁気ヘッド、または
請求項１２ないし請求項２４のいずれか１に記載の薄膜
磁気ヘッドの製造方法によれば、２つの磁性層のうち一
方の磁性層が、記録媒体に対向する記録媒体対向面から
この面と離れる方向に延在する第１の磁性層部分と、第
１の磁性層部分の一部にオーバーラップすると共に、こ
のオーバーラップした領域において第１の磁性層部分と
磁気的に連結された第２の磁性層部分とを含むように
し、また第１の磁性層部分と第２の磁性層部分とがオー
バーラップするオーバーラップ領域に、この領域におい
て第１の磁性層部分と他方の磁性層との間での磁束の伝
搬を抑制する磁気遮蔽層をギャップ層に隣接するように
形成することとしたので、オーバーラップ領域に流入し
た磁束がギャップ層を通過することを防止することがで
きる。この結果、薄膜コイルで発生した充分な磁束を第
２の磁性層部分から第１の磁性層部分にロスなく伝搬さ
せることができるという効果を奏する。

【０１３４】また、請求項５記載の薄膜磁気ヘッド、ま
たは請求項１８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、第２の磁性層部分が、記録媒体に対向する記録媒体
対向面からこの面と離れる方向に一定幅をもって延在し
記録媒体の記録トラック幅を画定するトラック幅画定部
と、第１の磁性層部分と磁気的に連結されると共にトラ
ック幅方向に互いに分離して配置された少なくとも２つ
の接続部と、絶縁層の記録媒体対向面側の端縁を画定す
る端縁部を有すると共にトラック幅画定部と上記の少な
くとも２つの接続部とを磁気的に連結させる中間連結部
とを含むようにしたので、この中間連結部を形成した時
点で、記録特性に影響を与える、絶縁層の記録媒体対向
面側の端縁から記録媒体対向面までの距離の基準となる
位置が確定する。この結果、上記の距離、すなわちスロ
ートハイトＴＨを正確にコントロールすることが容易と
なることから、記録特性のばらつきを向上させることが
可能になるという効果を奏する。また、薄膜コイルで発
生して第１の磁性層部分から第２の磁性層部分へ伝播す
る磁束は、幅方向に分離して配置された少なくとも２つ
の接続部を経由することになるため、磁束の局部的な集
中による磁束飽和が回避され、磁束の伝播が円滑化され
る。したがって、スロートハイトＴＨの正確な制御特性
と磁束の円滑な伝搬特性という２つの特性が相乗的に作
用するため、トラック幅画定部の幅を例えばサブミクロ
ン領域にまで微細化したとしても、十分なオーバーライ
ト特性を担保することが可能となる。

【０１３５】また、請求項８記載の薄膜磁気ヘッドによ
れば、トラック幅画定部と中間連結部とが連結する位置
に設けられた段差における中間連結部の段差面が、トラ
ック幅画定部の延在方向と実質的に垂直をなすようにし
たので、トラック幅画定部を形成する際のフォトリソグ
ラフィ工程における下地層からの無用な反射光の影響を
抑制するという作用を期待でき、トラック幅画定部の幅
をさらに精度よく形成することも可能になる。したがっ
て、トラック幅画定部の幅を狭小化する場合において
も、その幅を一定に制御することができると共に、トラ
ック幅画定部の先端に収束した磁束を供給することがで
きるので、優れたオーバーライト特性を担保しることが
できるという効果を奏する。

【０１３６】また、請求項１０記載の薄膜磁気ヘッドま
たは請求項２０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、一方の磁性層が、さらに、第１の磁性層部分と第２
の磁性層部分との間に設けられると共に両者の間を磁気
的に連結する第３の磁性層部分を含むようにしたので、
第１の磁性層部分から第２の磁性層部分への磁束の伝搬
の際に両磁性層間に磁気ボリュームを確保することがで
きる。このため、さらに、第１の磁性層部分から第２の
磁性層部分への磁束の伝播がより円滑化するという効果
を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。

【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図６】図２の断面図に対応する斜視図である。

【図７】図２の断面図に対応する斜視図である。

【図８】図３の断面図に対応する斜視図である。

【図９】図３の断面図に対応する斜視図である。

【図１０】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面構造を表す平面図である。

【図１１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの上部磁極および上部ポールチップの平面構造を表
す平面図である。

【図１２】図１１に示した上部ポールチップの平面構造
を拡大して表す平面図である。

【図１３】図１０に示した薄膜磁気ヘッドと従来の薄膜
磁気ヘッドのオーバーライト特性を表す図である。

【図１４】図１０に示した薄膜磁気ヘッドにおける作用
を説明するための上部ポールチップの拡大平面図であ
る。

【図１５】図１０に示した薄膜磁気ヘッドに対する比較
例における作用を説明するための上部磁極の拡大平面図
である。

【図１６】図５に示した薄膜磁気ヘッドの一変形例を表
す断面図である。

【図１７】図１１に示した上部磁極および上部ポールチ
ップの変形例を表す平面図である。

【図１８】図１１に示した上部磁極および上部ポールチ
ップの他の変形例を表す平面図である。

【図１９】図２に示した本発明の第１の実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程の変形例を
表す断面図である。

【図２０】図２に示した本発明の第１の実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程の他の変形
例を表す断面図である。

【図２１】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。

【図２２】図２１に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２３】図２１の断面図に対応する斜視図である。

【図２４】図２２の断面図に対応する斜視図である。

【図２５】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。

【図２６】図２５に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２７】図２６に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２８】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの上部磁極および上部ポールチップの平面構造を表
す平面図である。

【図２９】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの上部磁極および上部ポールチップの立体構造を表
す斜視である。

【図３０】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一
工程を説明するための断面図である。

【図３１】図３０に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３２】図３１に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３３】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を表す断面図で
ある。

【図３４】従来の薄膜磁気ヘッドにおけるエアベアリン
グ面に平行な断面を示す断面図である。

【図３５】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す平面図で
ある。

【図３６】従来の薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極の構
造を示す平面図である。

【図３７】従来の薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極を微
細化する場合の問題点を説明するための上部磁極の平面
図である。

【符号の説明】

１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４，６…
シールドギャップ膜、５…ＭＲ膜、７…下部磁極、９…
記録ギャップ層、２０…エアベアリング面、２７ａ…上
部ポールチップ、２７ａ(1) …先端部、２７ａ(2) …中
間連結部、２７ａ(3) …接続部、２７ａ(3) Ｒ…右接続
部、２７ａ(3) Ｌ…左接続部、２７ｂ…磁路形成パター
ン、２７ｃ…上部磁極、２７ｃ(1) …ヨーク部、２７ｃ
(2) …接続部、２７ｘ…磁気連結面、２８，３０…絶縁
膜、２９，４７…薄膜コイル、３１…オーバーコート
層、４５ａ…上部接続部、Ｔ１…端縁面、８０Ｒ…右凹
部、８０Ｌ・・・左凹部、８１Ｒ，８５Ｒ・・・右磁気遮蔽
層、８１Ｌ，８５Ｌ・・・左磁気遮蔽層、１８０・・・開口
部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】記録媒体に対向する側の一部に、ギャ
ップ層を介して対向する２つの磁極を含む、互いに磁気
的に連結された２つの磁性層と、前記２つの磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜
コイルとを有する薄膜磁気ヘッドであって、前記２つの磁性層のうち一方の磁性層は、前記記録媒体
に対向する記録媒体対向面から、この面と離れる方向に
延在する第１の磁性層部分と、前記第１の磁性層部分の一部と部分的にオーバーラップ
すると共に、このオーバーラップした領域において前記
第１の磁性層部分と磁気的に連結された第２の磁性層部
分とを含み、前記２つの磁性層のうち他方の磁性層は、前記記録媒体
対向面から、この面と離れる方向に延在し、少なくとも、前記第１の磁性層部分と前記第２の磁性層
部分とがオーバーラップするオーバーラップ領域に、前
記ギャップ層に隣接すると共に前記第１の磁性層部分と
前記他方の磁性層との間での磁束の伝搬を抑制する磁気
遮蔽層が形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項２】前記磁気遮蔽層は、前記オーバーラッ
プ領域の平面形状に対応する平面形状を有するように形
成されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気
ヘッド。
【請求項３】前記磁気遮蔽層は、前記他方の磁性層
の一部の領域に形成されていることを特徴とする請求項
１または請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】前記磁気遮蔽層は、前記第１の磁性層
部分の一部の領域に形成されていることを特徴とする請
求項１ないし請求項３のいずれか１に記載の薄膜磁気ヘ
ッド。
【請求項５】前記第１の磁性層部分は、前記記録媒体対向面から、この面と離れる方向に一定幅
をもって延在すると共に、前記記録媒体の記録トラック
幅を画定するトラック幅画定部と、前記第２の磁性層部分の一部と磁気的に連結されると共
に、トラック幅方向に互いに分離して配置された少なく
とも２つの接続部と、前記絶縁層の前記記録媒体対向面側の端縁を画定する端
縁部を有すると共に、前記トラック幅画定部と前記少な
くとも２つの接続部とを磁気的に連結させる中間連結部
とを含み、前記オーバーラップ領域において、前記少なくとも２つ
の接続部と前記第２の磁性層部分とがオーバーラップす
ることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか
１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】前記磁気遮蔽層は、その前記記録媒体対向面側の端縁の位置が、前記第１の
磁性層部分の前記中間連結部における前記記録媒体対向
面側の端縁の位置と一致するか、またはその位置よりも
前記記録媒体対向面から離れる方向にずれるように形成
されていることを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気ヘ
ッド。
【請求項７】前記第１の磁性層部分の前記トラック
幅画定部と前記中間連結部とが連結する位置に、前記ト
ラック幅画定部の幅が、この連結位置における前記中間
連結部の幅よりも小さくなるように、幅方向の段差が形
成されていることを特徴とする請求項５または請求項６
に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】前記段差における前記中間連結部の段
差面は、前記トラック幅画定部の延在方向と実質的に垂
直をなすことを特徴とする請求項７記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項９】前記第１の磁性層部分は、前記中間連結部と前記少なくとも２つの接続部とが連結
する位置における前記中間連結部の幅が、前記少なくと
も２つの接続部により規定される接続領域の幅よりも小
さくなるように形成されていることを特徴とする請求項
５ないし請求項８のいずれか１に記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項１０】前記一方の磁性層は、さらに、前記第１の磁性層部分と前記第２の磁性層部分との間に
設けられると共に、両者の間を磁気的に連結する第３の
磁性層部分を含むことを特徴とする請求項１ないし請求
項９のいずれか１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】前記第３の磁性層部分は、前記第１の磁性層部分の一部および前記第２の磁性層部
分の一部の双方とオーバーラップするように配置されて
いることを特徴とする請求項１０記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項１２】記録媒体に対向する側の一部に、ギ
ャップ層を介して対向する２つの磁極を含む、互いに磁
気的に連結された２つの磁性層と、前記２つの磁性層の
間に絶縁層を介して配設された薄膜コイルとを含む薄膜
磁気ヘッドの製造方法であって、前記２つの磁性層のうち一方の磁性層が、前記記録媒体
に対向する記録媒体対向面から、この面と離れる方向に
延在する第１の磁性層部分と、前記第１の磁性層部分の
一部と部分的にオーバーラップすると共に、このオーバ
ーラップした領域において前記第１の磁性層部分と磁気
的に連結された第２の磁性層部分とを含むように前記一
方の磁性層を形成する工程と、前記２つの磁性層のうち他方の磁性層が、前記記録媒体
対向面から、この面と離れる方向に延在するように前記
他方の磁性層を形成する工程と、前記第１の磁性層部分と前記第２の磁性層部分とがオー
バーラップするオーバーラップする領域に、前記ギャッ
プ層に隣接すると共に前記第１の磁性層部分と前記他方
の磁性層との間での磁束の伝搬を抑制する磁気遮蔽層を
形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッド
の製造方法。
【請求項１３】前記他方の磁性層を、単層として形
成すると共に、形成された前記他方の磁性層の一部に選択的に凹部を形
成し、この凹部に前記磁気遮蔽層を埋め込むようにした
ことを特徴とする請求項１２記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法。
【請求項１４】前記他方の磁性層を、複数層からな
る積層構造を有するように形成すると共に、これらの積層構造の形成の際に、少なくとも、前記ギャ
ップ層に隣接することとなる層に選択的に開口部を形成
し、この開口部に前記磁気遮蔽層を埋め込むようにした
ことを特徴とする請求項１２記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法。
【請求項１５】前記磁気遮蔽層が、前記オーバーラ
ップ領域の平面形状に対応する平面形状を有するよう
に、前記磁気遮蔽層を形成することを特徴とする請求項
１２ないし請求項１４のいずれか１に記載の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
【請求項１６】前記磁気遮蔽層を、前記他方の磁性
層の一部の領域に形成するようにしたことを特徴とする
請求項１２ないし請求項１５のいずれか１に記載の薄膜
磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１７】前記磁気遮蔽層を、前記第１の磁性
層部分の一部の領域に形成するようにしたことを特徴と
する請求項１２ないし請求項１６のいずれか１に記載の
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１８】前記第１の磁性層部分が、前記記録媒体対向面から、この面と離れる方向に一定幅
をもって延在すると共に、前記記録媒体の記録トラック
幅を画定するトラック幅画定部と、前記第２の磁性層部分の一部と磁気的に連結されると共
に、トラック幅方向に互いに分離して配置された少なく
とも２つの接続部と、前記絶縁層の前記記録媒体対向面側の端縁を画定する端
縁部を有すると共に、前記トラック幅画定部と前記少な
くとも２つの接続部とを磁気的に連結させる中間連結部
とを含むようにすると共に、前記オーバーラップ領域において、前記少なくとも２つ
の接続部と前記第２の磁性層部分とがオーバーラップす
るように、前記第１の磁性層部分を形成することを特徴
とする請求項１２ないし請求項１７のいずれか１に記載
の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１９】前記磁気遮蔽層の前記記録媒体対向
面側の端縁の位置が、前記第１の磁性層部分の前記中間連結部における前記記
録媒体対向面側の端縁の位置と一致するか、またはその
位置よりも前記記録媒体対向面から離れる方向にずれる
ように、前記磁気遮蔽層を形成することを特徴とする請
求項１８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２０】さらに、前記第１の磁性層部分と前記第２の磁性層部分との間
に、両者の間を磁気的に連結する第３の磁性層部分を形
成する工程を含むことを特徴とする請求項１２ないし請
求項１９のいずれか１に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項２１】前記第３の磁性層部分が、前記第１の磁性層部分の一部および前記第２の磁性層部
分の一部の双方とオーバーラップするように、前記第１
の磁性層部分、前記第２の磁性層部分および前記第３の
磁性層部分を形成することを特徴とする請求項２０記載
の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２２】記録媒体に対向する側の一部に、ギ
ャップ層を介して対向する２つの磁極を含む、互いに磁
気的に連結された第１の磁性層および第２の磁性層と、
前記第１の磁性層および第２の磁性層の間に絶縁層を介
して配設された薄膜コイルとを含む薄膜磁気ヘッドの製
造方法であって、前記第１の磁性層を単一層として形成する工程と、前記第１の磁性層の一部に厚み方向に窪んだ凹部を形成
する工程と、前記第１の磁性層の凹部に非磁性材料を埋め込んで、磁
気遮蔽層を形成する工程と、少なくとも前記第１の磁性層および前記磁気遮蔽層の表
面を覆うようにして、前記ギャップ層を形成する工程
と、前記ギャップ層上の所定の領域に、前記第２の磁性層の
一部となる第１の磁性層部分を選択的に形成する工程
と、前記ギャップ層の上方領域のうち前記第１の磁性層部分
が形成されていない領域に、前記薄膜コイルを形成する
工程と、前記薄膜コイルを覆うようにして前記絶縁層を形成する
工程と、前記絶縁層および前記第１の磁性層部分の上に、前記磁
気遮蔽層の形成領域に対応する領域において前記第１の
磁性層部分と部分的にオーバーラップしてこれと磁気的
に連結するように、前記第２の磁性層の他の一部となる
第２の磁性層部分を選択的に形成する工程とを含むこと
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２３】記録媒体に対向する側の一部に、ギ
ャップ層を介して対向する２つの磁極を含む、互いに磁
気的に連結された第１の磁性層および第２の磁性層と、
前記第１の磁性層および第２の磁性層の間に絶縁層を介
して配設された薄膜コイルとを含む薄膜磁気ヘッドの製
造方法であって、前記第１の磁性層を、少なくとも最上層が所定領域に開
口部を有する積層構造として形成する工程と、前記第１の磁性層における前記最上層の開口部に非磁性
材料を埋め込んで、磁気遮蔽層を形成する工程と、前記第１の磁性層および前記磁気遮蔽層の表面を覆うよ
うにして、前記ギャップ層を形成する工程と、前記ギャップ層上の所定の領域に、前記第２の磁性層の
一部となる第１の磁性層部分を選択的に形成する工程
と、前記ギャップ層の上方領域のうち前記第１の磁性層部分
が形成されていない領域に、前記薄膜コイルを形成する
工程と、前記薄膜コイルを覆うようにして前記絶縁層を形成する
工程と、前記絶縁層および前記第１の磁性層部分の上に、前記磁
気遮蔽層の形成領域に対応する領域において前記第１の
磁性層部分と部分的にオーバーラップしてこれと磁気的
に連結するように、前記第２の磁性層の他の一部となる
第２の磁性層部分を選択的に形成する工程とを含むこと
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２４】記録媒体に対向する側の一部に、ギ
ャップ層を介して対向する２つの磁極を含む、互いに磁
気的に連結された第１の磁性層および第２の磁性層と、
前記第１の磁性層および第２の磁性層の間に絶縁層を介
して配設された薄膜コイルとを含む薄膜磁気ヘッドの製
造方法であって、前記第１の磁性層を形成する工程と、前記第１の磁性層の表面を覆うようにして、前記ギャッ
プ層を形成する工程と、前記ギャップ層の上に、非磁性材料からなる磁気遮蔽層
を選択的に形成する工程と、前記ギャップ層の上に、一部が前記磁気遮蔽層を覆うこ
ととなるように、前記第２の磁性層の一部となる第１の
磁性層部分を選択的に形成する工程と、前記ギャップ層の上方領域のうち前記第１の磁性層部分
が形成されていない領域に、前記薄膜コイルを形成する
工程と、前記薄膜コイルを覆うようにして前記絶縁層を形成する
工程と、前記絶縁層および前記第１の磁性層部分の上に、前記磁
気遮蔽層の形成領域に対応する領域において前記第１の
磁性層部分と部分的にオーバーラップしてこれと磁気的
に連結するように、前記第２の磁性層の他の一部となる
第２の磁性層部分を選択的に形成する工程とを含むこと
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法