JP2001307306A

JP2001307306A - 磁性層パターンの形成方法および薄膜磁気ヘッドの製造方法

Info

Publication number: JP2001307306A
Application number: JP2000121300A
Authority: JP
Inventors: Yoshitaka Sasaki; 芳高佐々木
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2000-04-21
Filing date: 2000-04-21
Publication date: 2001-11-02
Also published as: US20010035357A1; US6605196B2

Abstract

(57)【要約】【課題】製造工程数を削減し、製造時間を短縮するこ
とが可能な磁性層パターンの形式方法および薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を提供する。【解決手段】下地（上部シールド層７）上に形成し
た、開口部５０ｕを有するフレームパターン５０を覆う
ように、前駆非磁性層および前駆下部磁極層をこの順に
形成する。続いて、ＣＭＰ法によって少なくともフレー
ムパターン５０が露出するまで全体を研磨し、前駆非磁
性層および前駆下部磁極層をパターニングすることによ
り、非磁性層８および下部磁極９を選択的に形成する。
フレームパターン５０を形成せずに非磁性層８および下
部磁極９を形成する場合よりも製造工程数を削減し、製
造時間を短縮することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも書き込
み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドの製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）と記す。）素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異方
性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic Magneto Resi
stive ）と記す。）効果を用いたＡＭＲ素子と、巨大磁
気抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive ）と
記す。）効果を用いたＧＭＲ素子とがある。ＡＭＲ素子
を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッドあるいは単にＭＲヘ
ッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＧＭＲ
ヘッドと呼ばれる。ＡＭＲヘッドは、面記録密度が１ギ
ガビット／（インチ）²を超える再生ヘッドとして利用
され、ＧＭＲヘッドは、面記録密度が３ギガビット／
（インチ）²を超える再生ヘッドとして利用されてい
る。

【０００３】上記のような記録ヘッドおよび再生ヘッド
を有する複合型薄膜磁気ヘッドは、例えば、スパッタリ
ング工程、フォトリソグラフィ工程、電解めっき工程、
エッチング工程および研磨工程等の複数の製造工程を経
ることにより製造される。特に、上記の電解めっき工程
やエッチング工程では、めっき膜を選択的に成長させる
ために用いるマスクとしてのフォトレジストパターンや
エッチング処理を選択的に行うために用いるマスクとし
てのエッチングマスク等の形成工程も必要となる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記のような多様な工
程を含む薄膜磁気ヘッドの一連の製造過程について、製
造に要する製造リードタイムの長期化が問題とされてい
る。したがって、大量製造時におけるさらなる製造リー
ドタイムの短縮化を実現するために、工程数削減等の具
体的な改善手段が必要とされる。

【０００５】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、製造工程数を削減し、製造時間を短
縮することが可能な磁性層パターンの形成方法および薄
膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の磁性層パターン
の形成方法は、所定の下地層の表面に磁性層パターンを
形成するための磁性層パターンの形成方法であって、下
地層の表面に所定の形状の開口部を有するフレームパタ
ーンを形成する第１の工程と、少なくともフレームパタ
ーンの開口部を含む領域を覆うように、少なくとも磁性
層パターンの前準備層としての前駆磁性層を形成する第
２の工程と、少なくともフレームパターンが露出するま
で、少なくとも前駆磁性層を研磨することにより磁性層
パターンを形成する第３の工程とを含むようにしたもの
である。

【０００７】本発明の磁性層パターンの形成方法では、
第１の工程において、所定の下地層の表面に所定の形状
の開口部を有するフレームパターンが形成され、第２の
工程において、少なくともフレームパターンの開口部を
含む領域を覆うように少なくとも前駆磁性層が形成さ
れ、第３の工程において、少なくともフレームパターン
が露出するまで前駆磁性層が研磨されることにより、所
定の下地層の表面に磁性層パターンが形成される。

【０００８】本発明の磁性層パターンの形成方法では、
フレームパターンの形成材料として非磁性材料を用いる
ようにするのが好適である。

【０００９】また、本発明の磁性層パターンの形成方法
では、上記の第２の工程が、複数の前駆磁性層を形成す
る工程と、複数の前駆磁性層の間に挟まれるように前駆
非磁性層を形成する工程とを含み、上記の第３の工程に
おいて、複数の前駆磁性層および前駆非磁性層を研磨す
るようにしてもよい。

【００１０】本発明の第１の観点に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、記録媒体に対向する記録媒体対向面側の
一部にギャップ層を介して対向する２つの磁極を含む互
いに磁気的に連結された２つの磁性層と、これらの２つ
の磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コイル部
とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、所定の
下地層の表面に所定の形状の開口部を有するフレームパ
ターンを形成する第１の工程と、少なくともフレームパ
ターンの開口部を含む領域を覆うように２つの磁性層の
うちの少なくとも一部をなす磁性層パターンの前準備層
としての前駆磁性層を形成する第２の工程と、少なくと
もフレームパターンが露出するまで前駆磁性層を研磨す
ることにより２つの磁性層のうちの少なくとも一部を形
成する第３の工程とを含むようにしたものである。

【００１１】本発明の第１の観点に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法では、第１の工程において、所定の下地層の
表面に所定の形状の開口部を有するフレームパターンが
形成され、第２の工程において、少なくともフレームパ
ターンの開口部を含む領域を覆うように前駆磁性層が形
成され、第３の工程において、少なくともフレームパタ
ーンが露出するまで前駆磁性層が研磨されることによ
り、２つの磁性層のうちの少なくとも一部が形成され
る。

【００１２】本発明の第２の観点に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、記録媒体に対向する記録媒体対向面側の
一部にギャップ層を介して対向する２つの磁極を含む互
いに磁気的に連結された第１の磁性層および第２の磁性
層と、これらの２つの磁性層の間に絶縁層を介して配設
された薄膜コイル部と、第２の磁性層の配設領域側に所
定の基体を支持部材として配設された非磁性層および第
３の磁性層とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であっ
て、下地層の表面に第３の磁性層を形成する第１の工程
と、第３の磁性層の表面に所定の形状の開口部を有する
フレームパターンを形成する第２の工程と、少なくとも
フレームパターンの開口部を含む領域を覆うように非磁
性層の前準備層としての前駆非磁性層および第２の磁性
層の前準備層としての前駆磁性層をこの順に形成する第
３の工程と、少なくともフレームパターンが露出するま
で前駆非磁性層および前駆磁性層の表面を研磨すること
により非磁性層および第２の磁性層を形成する第４の工
程とを含むようにしたものである。

【００１３】本発明の第２の観点に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法では、第１の工程において、所定の下地層の
表面に第３の磁性層が形成され、第２の工程において、
第３の磁性層の表面に所定の形状の開口部を有するフレ
ームパターンが形成され、第３の工程において、少なく
ともフレームパターンの開口部を含む領域を覆うように
前駆非磁性層および前駆磁性層がこの順に形成され、第
４の工程において、少なくともフレームパターンが露出
するまで前駆非磁性層および前駆磁性層の表面が研磨さ
れることにより非磁性層および第２の磁性層が形成され
る。

【００１４】本発明の第２の観点に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法では、第３の磁性層をめっき膜の成長により
形成し、前駆非磁性層および前駆磁性層の双方をスパッ
タリングにより形成するようにしてもよいし、または第
３の磁性層および前駆磁性層の双方をめっき膜の成長に
より形成し、前駆非磁性層をスパッタリングにより形成
するようにしてもよい。

【００１５】本発明の第３の観点に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、記録媒体に対向する記録媒体対向面側の
一部にギャップ層を介して対向する２つの磁極を含む互
いに磁気的に連結された第１の磁性層および第２の磁性
層と、これらの２つの磁性層の間に絶縁層を介して配設
された薄膜コイル部と、第２の磁性層の配設領域側に所
定の基体を支持部材として配設された非磁性層および第
３の磁性層とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であっ
て、所定の下地層の表面に所定の形状の開口部を有する
フレームパターンを形成する第１の工程と、少なくとも
フレームパターンの開口部を含む領域を覆うように第３
の磁性層の前準備層としての第１の前駆磁性層、非磁性
層の前準備層としての前駆非磁性層および第２の磁性層
の前準備層としての第２の前駆磁性層をこの順に形成す
る第２の工程と、少なくともフレームパターンが露出す
るまで第１の前駆磁性層、前駆非磁性層および第２の前
駆磁性層の表面を研磨することにより、第３の磁性層、
非磁性層および第２の磁性層を形成する第３の工程とを
含むようにしたものである。

【００１６】本発明の第３の観点に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法では、第１の工程において、所定の下地層の
表面に所定の形状の開口部を有するフレームパターンが
形成され、第２の工程において、少なくともフレームパ
ターンの開口部を含む領域を覆うように第１の前駆磁性
層、前駆非磁性層および第２の前駆磁性層がこの順に形
成され、第３の工程において、少なくともフレームパタ
ーンが露出するまで第１の前駆磁性層、前駆非磁性層お
よび第２の前駆磁性層の表面が研磨されることにより、
第３の磁性層、非磁性層および第２の磁性層が形成され
る。

【００１７】本発明の第３の観点に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法では、第１の前駆磁性層をめっき膜の成長に
より形成し、前駆非磁性層および第２の前駆磁性層の双
方をスパッタリングにより形成するようにしてもよい
し、または第１の前駆磁性層および第２の前駆磁性層の
双方をめっき膜の成長により形成し、前駆非磁性層をス
パッタリングにより形成するようにしてもよい。

【００１８】また、本発明の第１〜第３の観点に係る薄
膜磁気ヘッドの製造方法では、非磁性層および第３の磁
性層として、第２の磁性層を他の領域から磁気的に分離
可能なものを用いるようにしてもよい。

【００１９】また、本発明の第１〜第３の観点に係る薄
膜磁気ヘッドの製造方法では、フレームパターンの形成
材料として所定の非磁性材料を用いるようにしてもよ
い。このような場合には、上記の非磁性材料として、酸
化アルミニウムまたはシリコン酸化物のいずれかを含む
材料を用いるようにするのが好適である。

【００２０】また、本発明の第１〜第３の観点に係る薄
膜磁気ヘッドの製造方法では、フレームパターンを反応
性イオンエッチングにより形成するようにするのが好適
である。

【００２１】また、本発明の第１〜第３の観点に係る薄
膜磁気ヘッドの製造方法では、第１の磁性層および第２
の磁性層のうちの少なくとも一部の形成材料として、ニ
ッケル鉄または窒化鉄のいずれかを含む材料を用いるよ
うにしてもよいし、またはアモルファス合金を含む材料
を用いるようにしてもよい。上記のアモルファス合金と
しては、コバルト鉄合金またはジルコニウムコバルト鉄
合金のいずれかを用いるようにするのが好適である。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。

【００２３】［第１の実施の形態］まず、図１〜図１５
を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る「薄膜磁
気ヘッドの製造方法」としての複合型薄膜磁気ヘッドの
製造方法の一例について説明する。なお、本発明の「磁
性層パターンの形成方法」は、本実施の形態に係る薄膜
磁気ヘッドの製造方法によって具現化されるので，以下
併せて説明する。

【００２４】図１〜図９において、（Ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。図１０および図
１１は、主要な製造工程に対応する平面図であり、図１
２〜図１４は、主要な製造工程に対応する斜視図であ
る。ここで、図１０は図２に示した状態に対応し、図１
１は図４に示した状態に対応する。また、図１２は図５
に示した状態に対応し、図１３は図６に示した状態に対
応し、図１４は図９に示した状態に対応する。ただし、
図１０および図１１では、それぞれ図２および図４にお
ける基板１、絶縁膜２およびシールドギャップ膜４，６
等の図示を省略している。また、図１３では、図６にお
ける絶縁膜１５，１７、アルミナ層１８ｐおよび薄膜コ
イル１６等の図示を省略し、図１４では、図９における
絶縁膜１５，１７，１８，２０，２１、薄膜コイル１
６，１９およびオーバーコート層２２等の図示を省略し
ている。

【００２５】図１５は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法によって製造される薄膜磁気ヘッドの平
面構造の概略を表すものである。なお、図１５では、絶
縁膜１５，１７，１８，２０，２１およびオーバーコー
ト層２２等の図示を省略している。また、薄膜コイル１
６，１９については、その最外周部分のみを図示してい
る。図９（Ａ）は、図１５に示したIXA−IXA線に沿った
矢視断面に対応する。

【００２６】以下の説明では、図１〜図１５の各図中に
おけるＸ軸方向を「幅方向」、Ｙ軸方向を「長さ方
向」、Ｚ軸方向を「厚み方向（または上下方向）」とし
て表記すると共に、Ｙ軸方向のうちのエアベアリング面
９０に近い側（または後工程においてエアベアリング面
９０となる側）を「前側（または前方）」、その反対側
を「後側（または後方）」と表記するものとする。

【００２７】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティ
ック（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）よりなる基板１上に、例えば
酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃；以下、単に「アルミナ」
という。）よりなる絶縁層２を約３．０〜５．０μｍの
厚みで堆積する。次に、絶縁層２上に、例えばフレーム
めっき法を用いて、例えばパーマロイ（Ｎｉ：８０重量
％，Ｆｅ：２０重量％）を約３．０μｍの厚みで選択的
に形成して、再生ヘッド用の下部シールド層３を形成す
る。なお、薄膜磁気ヘッドを構成する下部シールド層３
および他の磁性層部分（上部シールド層７，上部ポール
チップ１４ａ，磁路接続部１４ｂ，１４ｄ，中間接続部
１４ｃ，中間接続パターン１４ｅ，上部ヨーク磁極１４
ｆ，コイル接続配線１４ｆｈ等）の形成手法である「フ
レームめっき法」に関する詳細な手順については、後述
する（図１６〜図２１参照）。次に、全体を覆うよう
に、例えばアルミナよりなる絶縁膜を約４．０〜５．０
μｍの厚みで形成したのち、この絶縁膜の表面を例えば
ＣＭＰ（化学機械研磨）法によって下部シールド層３が
露出するまで研磨して、全体を平坦化する。ここで、基
板１が、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法における
「基体」の一具体例に対応する。

【００２８】次に、図１に示したように、全体に、例え
ばスパッタリングにより、例えばアルミナよりなるシー
ルドギャップ膜４を約１００〜２００ｎｍの厚みで形成
する。次に、シールドギャップ膜４上に、再生ヘッド部
の要部であるＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜５を高精
度のフォトリソグラフィによって所望の形状となるよう
に形成する。次に、ＭＲ膜５の両側に、このＭＲ膜５と
電気的に接続する引き出し電極層としてのリード層（図
示せず）を形成したのち、このリード層、シールドギャ
ップ膜４およびＭＲ膜５上にシールドギャップ膜６を形
成して、ＭＲ膜５をシールドギャップ膜４，６内に埋設
する。

【００２９】次に、図１に示したように、シールドギャ
ップ膜６上に、例えばフレームめっき法により、例えば
パーマロイ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）よ
りなる上部シールド層７を約１．０〜１．５μｍの厚み
で選択的に形成する。上部シールド層７は、例えば、図
１５に示したような平面形状を有するものである。めっ
き処理を用いてパーマロイよりなる上部シールド層７を
形成することにより、パーマロイの組成を適正に制御す
ることができる。これにより、薄膜磁気ヘッドの再生動
作時において、パーマロイの組成が適正でないことに起
因して磁気ノイズが発生し、この磁気ノイズがＭＲ膜５
に作用して再生動作を阻害することを回避することがで
きる。ここで、上部シールド層７が、本発明の薄膜磁気
ヘッドの製造方法（請求項５）における「第３の磁性
層」の一具体例に対応する。

【００３０】次に、図１に示したように、上部シールド
層７上に、例えばスパッタリングにより、非磁性材料、
例えばアルミナなどの無機絶縁材料よりなる前駆フレー
ムパターン層５０ｐを約４．０μｍの厚みで形成する。
この前駆フレームパターン層５０ｐは、後工程において
エッチング処理によってパターニングされることにより
フレームパターン５０となる前準備層である。以下の説
明では、このように後工程で所定の形状となるようにパ
ターニングされることとなる前準備層を「前駆層」と称
呼し、同様に表記するものとする。なお、上記の非磁性
材料としては、アルミナの他、シリコン酸化物（ＳｉＯ
₂）などを用いるようにしてもよい。

【００３１】次に、例えば、前駆フレームパターン層５
０ｐの表面にフォトレジストを塗布してフォトレジスト
膜（図示せず。）を形成したのち、このフォトレジスト
膜をフォトリソグラフィ処理によってパターニングす
る。これにより、図１に示したように、前駆フレームパ
ターン層５０ｐ上に、開口部５１ｕを有するマスク５１
が形成される。このマスク５１は、例えば、後工程にお
いて形成されるフレームパターン５０（図２、図１０お
よび図１５参照）とほぼ同様の平面形状を有するもので
ある。前駆フレームパターン層５０ｐの形成材料とし
て、アルミナなどの比較的反射率の低い非磁性材料を用
いることにより、フォトレジスト膜をフォトリソグラフ
ィ処理によってパターニングする際に、露光時において
下地（前駆フレームパターン層５０ｐ）の表面から反射
する反射光の発生を抑制することができる。このため、
反射光の影響による露光領域の拡張または縮小等が抑制
され、マスク５１を高精度に形成することができる。

【００３２】次に、図１に示したように、マスク５１を
用いて、例えばリアクティブイオンエッチング（Reacti
ve Ion Etching；以下、単に「ＲＩＥ」という。）によ
って前駆フレームパターン層５０ｐをエッチングしてパ
ターニングする。このエッチング処理により、前駆フレ
ームパターン層５０ｐのうち、マスク５１の開口部５１
ｕに対応する部分が選択的に除去され、図２に示したよ
うに、開口部５０ｕを有するフレームパターン５０が形
成される。一般に、エッチング方法としてＲＩＥを用い
た場合の処理速度は、イオンミリングを用いた場合の処
理速度よりも速い。このため、前駆フレームパターン層
５０ｐをパターニングするためのエッチング方法として
ＲＩＥを用いることにより、イオンミリング等を用いる
場合よりも、フレームパターン５０を短時間で形成する
ことができる。フレームパターン５０を形成する際に
は、例えば、開口部５０ｕにおけるフレームパターン５
０の内壁面が、下地（上部シールド層７）の表面に対し
てほぼ垂直となるようにする。また、開口部５０ｕの形
状が、例えば、後工程において形成される非磁性層８お
よび下部磁極９の双方の平面形状にほぼ対応するように
する。フレームパターン５０の平面形状は、例えば、図
１０および図１５に示した通りである。開口部５０ｕの
近傍において、フレームパターン５０の表面の位置は、
上部シールド層７の表面の位置よりも高くなる。すなわ
ち、両者の間には厚み方向の段差が形成される。なお、
上記のエッチング処理によって、マスク５１自体もエッ
チングされ、その膜厚は減少することとなる。エッチン
グ処理が完了した時点において、マスク５１が残存しな
いようにしてもよいし(図２参照)、残存するようにして
もよい。

【００３３】次に、図３に示したように、開口部５０ｕ
において露出している上部シールド層７の表面およびフ
レームパターン５０の表面の双方を覆うように、例えば
スパッタリングにより、非磁性材料、例えばアルミナな
どの無機絶縁材料よりなる前駆非磁性層８ｐを約０．１
５〜０．２μｍの厚みで形成する。前駆非磁性層８ｐの
形成材料としては、上記の無機絶縁材料の他、例えば金
属などの非磁性材料などを用いるようにしてもよい。次
に、前駆非磁性層８ｐの表面全体を覆うように、例えば
スパッタリングにより、高飽和磁束密度を有する磁性材
料、例えば窒化鉄（ＦｅＮ）よりなる前駆下部磁極層９
ｐを約２．０〜２．５μｍの厚みで形成する。前駆下部
磁極層９ｐは、フレームパターン５０の表面と上部シー
ルド層７の表面との間の段差部分に対応して、段差領域
９ｐｒを含んで部分的に折れ曲がるように延在すること
となる。なお、前駆下部磁極層９ｐの形成材料として
は、上記の窒化鉄の他、例えば、窒化鉄と同様に高飽和
磁束密度を有する磁性材料であるパーマロイ（Ｎｉ：４
５重量％，Ｆｅ：５５重量％）やアモルファス合金を用
いるようにしてもよい。このアモルファス合金として
は、例えば、コバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）やジルコニウ
ムコバルト鉄合金（ＺｒＣｏＦｅ）などを用いることが
できる。ここで、前駆下部磁極層９ｐが、本発明の磁性
層パターンの形成方法における「前駆磁性層」の一具体
例に対応すると共に、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方
法（請求項５）における「前駆磁性層」の一具体例に対
応する。

【００３４】ここで、上部シールド層７上にフレームパ
ターン５０を形成する際には、その上方に形成される前
駆下部磁極層９ｐの段差領域９ｐｒがＭＲ膜５の配設領
域から前方に十分離れて位置することとなるように、す
なわち、段差領域９ｐｒ〜ＭＲ膜５間の距離Ｌ１が十分
大きくなるように適正化するのが好適である。具体的に
は、距離Ｌ１が、例えば４．０〜５．０μｍ以上になる
ようにするのが好適である。このような距離Ｌ１の適正
化に関する作用および効果の詳細については、後述す
る。

【００３５】次に、例えばＣＭＰ法により、少なくとも
フレームパターン５０が露出するまで全体を研磨して平
坦化する。この研磨処理により、フレームパターン５０
の上方を覆っていた前駆下部磁極層９ｐおよび前駆非磁
性層８ｐのそれぞれの一部が選択的に除去され、前駆非
磁性層８ｐおよび前駆下部磁極層９ｐが所定の形状にパ
ターニングされる。すなわち、図４に示したように、フ
レームパターン５０の開口部５０ｕを埋め込むように、
非磁性層８および下部磁極９が選択的に形成される。非
磁性層８および下部磁極９は、例えば、図１１および図
１５に示したような平面形状を有するものである。図
４、図１１および図１５に示したように、研磨後の表面
には、下部磁極９が露出すると共に、下部磁極９の周囲
に非磁性層８の端面（８ｍ）が露出する。下部磁極９の
周辺領域は、非磁性材料（例えばアルミナ）よりなる非
磁性層８およびフレームパターン５０によって埋設され
る。下部磁極９は、その下方または周辺に配設された、
上部シールド層７、非磁性層８およびフレームパターン
５０等によって周辺領域から磁気的に分離される。下部
磁極９と上部シールド層７との間に非磁性材料（例えば
アルミナ）よりなる非磁性層８を配設するようにするこ
とにより、この非磁性層８が磁束の遮蔽材として機能
し、下部磁極９において発生した磁気ノイズがＭＲ膜５
に到達することが回避される。ここで、下部磁極９が、
本発明の磁性層パターンの形成方法における「磁性層パ
ターン」の一具体例に対応すると共に、本発明の薄膜磁
気ヘッドの製造方法（請求項５）における「第２の磁性
層」の一具体例にそれぞれ対応する。

【００３６】次に、図５および図１２に示したように、
研磨後の平坦面上に、例えばスパッタリングにより、例
えばアルミナよりなる記録ギャップ層１２を約０．１５
〜０．２μｍの厚みで形成する。記録ギャップ層１２の
表面は、その全域にわたって平坦となる。なお、記録ギ
ャップ層１２を形成する際には、後工程において磁路接
続部１４ｂが形成されることとなる領域を覆わないよう
にする。上記の領域は、下部磁極９と後工程において形
成される上部磁極１４とを接続させるための開口部１２
ｋとなる。ここで、記録ギャップ層１２が、本発明の薄
膜磁気ヘッドの製造方法における「ギャップ層」の一具
体例に対応する。

【００３７】次に、開口部１２ｋ（図１２では図示せ
ず）の形成領域よりも前側の平坦な領域における記録ギ
ャップ層１２上の所定の位置に、高精度のフォトリソグ
ラフィ工程により、例えば有機系のフォトレジスト膜を
約１．０μｍ程度の厚みで選択的に形成する。次に、こ
のフォトレジスト膜に対して、例えば２００度〜２５０
度程度の温度で加熱処理を施す。これにより、フォトレ
ジスト膜の端縁近傍は、その端縁方向に向かって落ち込
むような丸みを帯びた斜面をなすこととなり、図５およ
び図１２に示したように、フォトレジスト膜よりなる絶
縁膜パターン１３が形成される。絶縁膜パターン１３を
形成する際の上記の「所定の位置」とは、例えば、絶縁
膜パターン１３の最も前側の端縁（以下、単に「最前
端」という。）が、ＭＲ膜５の最も後側の端縁（以下、
単に「最後端」という。）の位置よりも後側にずれるよ
うな位置である。ＭＲ膜５の最後端の位置から絶縁膜パ
ターン１３の最前端の位置までの距離（ずれ長さ）は、
例えば、約０．３μｍ以下になるようにするのが好適で
ある。なお、必ずしもこのような場合に限らず、ＭＲ膜
５の最後端の位置と絶縁膜パターン１３の最前端の位置
とが一致するようにしてもよい。絶縁膜パターン１３の
最前端の位置は、スロートハイト（ＴＨ）を決定する際
の基準となる位置、すなわちスロートハイトゼロ位置
（ＴＨ０位置）に相当する。

【００３８】次に、図５および図１２に示したように、
絶縁膜パターン１３の前側の斜面領域からその前方にお
ける平坦な記録ギャップ層１２上にかけての領域に、例
えばフレームめっき法により、上部磁極１４の一部を構
成する上部ポールチップ１４ａを約２．５〜３．５μｍ
の厚みで選択的に形成する。上部ポールチップ１４ａを
形成する際には、同時に、開口部１２ｋに、上部磁極１
４の一部を構成する磁路接続部１４ｂを形成する。上部
ポールチップ１４ａおよび磁路接続部１４ｂの形成材料
としては、例えば、パーマロイ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆ
ｅ：５５重量％）などの高飽和磁束密度を有する磁性材
料を用いるようにする。なお、上部ポールチップ１４ａ
および磁路接続部１４ｂの形成材料としては、上記のパ
ーマロイの他、例えば、上記のパーマロイと同様に高飽
和磁束密度を有する窒化鉄やアモルファス合金（コバル
ト鉄やジルコニウムコバルト鉄等）などを用いるように
してもよい。

【００３９】ここで、図５、図１２および図１５を参照
して、上部ポールチップ１４ａの構造および配設位置の
一例について説明する。

【００４０】上部ポールチップ１４ａの構造としては、
例えば、後工程においてエアベアリング面９０となる側
（またはエアベアリング面９０）から順に、先端部１４
ａ(1) 、中間部１４ａ(2) および後端部１２ａ(3) を含
むようにする。これらの各部位は、例えば、それぞれ矩
形状の平面形状を有するようにする。先端部１４ａ(1)
は、その全域にわたってほぼ一定な幅を有するようにす
る。先端部１４ａ(1)の幅は、記録時の記録トラック幅
を画定するものである。中間部１４ａ(2) の幅は、先端
部１４ａ(1) の幅よりも大きくなるようにし、後端部１
４ａ(3) の幅は、中間部１４ａ(2) の幅よりも大きくな
るようにする。すなわち、先端部１４ａ(1) と中間部１
４ａ(2) との連結部分に幅方向の段差が形成されるよう
にする。先端部１４ａ(1) 、中間部１４ａ(2) および後
端部１４ａ(3) の各幅方向の中心は、互いに一致するよ
うにする。

【００４１】また、上部ポールチップ１４ａの配設位置
としては、例えば、後端部１４ａ(3) の後方部分が絶縁
膜パターン１３の斜面部上に延在するようにし、それ以
外の部分が平坦な記録ギャップ層１２上に延在するよう
に配設する。上部ポールチップ１４ａの段差部における
中間部１４ａ(2) 側の段差面１４ａｄ（図１５参照）
は、例えば、スロートハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）よ
りも前方にずれて位置するようにする。

【００４２】上部ポールチップ１４ａにおける先端部１
４ａ(1) の側縁面と段差面１４ａｄとが交わるコーナー
部における角度αは、中間部１４ａ(2) から先端部１４
ａ(1) に向かう磁束の流れを円滑化させるために、例え
ば９０度〜１２０度の範囲内となるようにするのが好適
である。なお、図１５では、角度αが、例えば約９０度
である場合を示している。

【００４３】次に、図６および図１３を参照して、本実
施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について引き
続き説明する。上部ポールチップ１４ａを形成したの
ち、図６および図１３に示したように、上部ポールチッ
プ１４ａをマスクとして、例えばＲＩＥにより、上部ポ
ールチップ１４ａの周辺領域を約０．３〜０．４μｍ程
度エッチングする。このエッチング処理により、上部ポ
ールチップ１４ａの周辺領域における記録ギャップ層１
２、下部磁極９、非磁性層８およびフレームパターン５
０のそれぞれの一部が選択的に除去され、掘り下げられ
る。このとき、絶縁膜パターン１３の後側の一部もエッ
チングされ、除去される。このエッチング処理により、
トリム構造を有する磁極部分１００が形成される。この
磁極部分１００は、上部ポールチップ１４ａの先端部１
４ａ(1) と、下部磁極９のうちの先端部１４ａ(1) に対
応する部分と、双方に挟まれた記録ギャップ層１２の一
部とによって構成され、これらの各部位は互いにほぼ同
一の幅を有している。ＲＩＥを用いてトリム構造を有す
る磁極部分１００を形成することにより、イオンミリン
グを用いる場合よりも、磁極部分１００を短時間で形成
することができる。

【００４４】次に、図６に示したように、全体に、例え
ばスパッタリングにより、例えばアルミナよりなる絶縁
膜１５を約０．３〜０．５μｍの厚みで形成する。

【００４５】次に、図６に示したように、上部ポールチ
ップ１４ａの配設領域よりも後方の領域（磁路接続部１
４ｂの配設領域を除く）における平坦な絶縁膜１５上
に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）より
なる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コイル１６
を約１．０〜１．５μｍの厚みで選択的に形成する。こ
の薄膜コイル１６は、例えば、図１５に示したような渦
巻状の平面構造を有するものである。薄膜コイル１６を
形成する際には、同時に、例えば、その内側の終端部に
おける絶縁膜１５上に、コイル接続部１６ｓを薄膜コイ
ル１６と一体に形成する。このコイル接続部１６ｓは、
薄膜コイル１６と後工程において形成されるコイル接続
部１９ｓａ（図７（Ａ）参照）とを電気的に接続させる
ためのものである。

【００４６】次に、薄膜コイル１６（コイル接続部１６
ｓを含む）の各巻線間およびその周辺領域に、加熱時に
流動性を示す材料、例えばフォトレジストなどの有機絶
縁材料を高精度のフォトリソグラフィ処理により所定の
パターンとなるように形成する。次に、このフォトレジ
ストに対して、例えば２００度〜２５０度の範囲内にお
ける温度で加熱処理を施す。この加熱処理により、フォ
トレジストが流動して薄膜コイル１６の各巻線間を隙間
なく埋めつくし、図６に示したように、薄膜コイル１６
の各巻線間を絶縁化するための絶縁膜１７が形成され
る。このように、絶縁膜１７の形成材料として、加熱時
に流動性を示すフォトレジストなどの有機絶縁材料を用
いることにより、加熱時に流動性を示さない材料（例え
ばアルミナ）を用いる場合とは異なり、薄膜コイル１
６，１９等の各巻線間を隙間なく埋めつくすことがで
き、確実に絶縁することができる。絶縁膜１７を形成す
る際には、絶縁膜１７が薄膜コイル１６およびコイル接
続部１６ｓの双方の上面を覆わないようにしてもよいし
（図６（Ａ）参照）、覆うようにしてもよい。

【００４７】次に、図６に示したように、全体を覆うよ
うに、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナ層
１８ｐを約３．０〜４．０μｍの厚みで成膜して、上部
ポールチップ１４ａ、磁路接続部１４ｂ、薄膜コイル１
６およびコイル接続部１６ｓ等によって構成された凹凸
構造領域を埋設する。

【００４８】次に、例えばＣＭＰ法により、アルミナ層
１８ｐの表面全体を研磨して平坦化する。この研磨処理
により、図７に示したように、薄膜コイル１６等を埋設
する絶縁膜１８が形成される。なお、このときの研磨処
理は、少なくとも上部ポールチップ１４ａおよび磁路接
続部１４ｂの双方が露出するまで行う。具体的には、例
えば、研磨後の上部ポールチップ１４ａの厚みが約１．
５〜２．５μｍとなるようにするのが好ましい。絶縁膜
１８の形成材料としてアルミナなどの無機絶縁材料を用
いることにより、フォトレジストなどの軟絶縁材料を用
いる場合とは異なり、ＣＭＰ研磨盤の研磨面が目詰まり
を起こすことを防止できると共に、研磨後の表面をより
平滑に形成することができる。

【００４９】次に、図７に示したように、例えばＲＩＥ
またはイオンミリングにより、コイル接続部１６ｓの上
方を覆っている絶縁膜１８の一部を部分的にエッチング
して除去し、コイル接続部１６ｓと後工程において形成
されるコイル接続部１９ｓａとを接続させるための開口
部１８ｋを形成する。

【００５０】次に、図７に示したように、薄膜コイル１
６の上方における平坦化された絶縁膜１８上に、第１層
目の薄膜コイル１６を形成した場合と同様の工程の電解
めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる第２層目の
薄膜コイル１９を約１．０〜１．５μｍの厚みで選択的
に形成する。この薄膜コイル１９は、薄膜コイル１６と
同様の平面構造を有するものであり、その平面構造は、
例えば、図１５に示した通りである。薄膜コイル１９を
形成する際には、同時に、例えば、その内側の終端部に
おけるコイル接続部１６ｓ上にコイル接続部１９ｓａを
形成し、また、その外側の終端部における絶縁膜１８上
に配線接続部１９ｓｂを形成する。コイル接続部１９ｓ
ａおよび配線接続部１９ｓｂは、薄膜コイル１９と一体
をなすものである。薄膜コイル１６と薄膜コイル１９と
は、開口部１８ｋにおいて、コイル接続部１６ｓ，１９
ｓａを介して電気的に接続される。

【００５１】次に、図７に示したように、薄膜コイル１
９（コイル接続部１９ｓａおよび配線接続部１９ｓｂを
含む）の各巻線間およびその周辺領域に、上記した絶縁
膜１７の場合と同様の材料および形成方法を用いて、絶
縁膜２０を選択的に形成する。なお、絶縁膜２０を形成
する場合には、絶縁膜２０が、薄膜コイル１９およびコ
イル接続部１９ｓａのそれぞれの上面を覆わないように
してもよいし（図７（Ａ）参照）、覆うようにしてもよ
い。なお、配線接続部１９ｓｂの上方には、後工程にお
いて、この配線接続部１９ｓｂと接触して電気的に接続
するための中間接続パターン１４ｅが配設されるので、
配線接続部１９ｓｂの表面は絶縁膜２０によって覆われ
ないようにする。

【００５２】次に、図７に示したように、絶縁膜１８の
上方から上部ポールチップ１４ａの後端部１４ａ(3) の
上方にかけての領域における平坦面上に、例えばフレー
ムめっき法により、上部磁極１４の一部を構成する中間
接続部１４ｃを約２．０〜３．０μｍの厚みで選択的に
形成する。中間接続部１４ｃは、上部ポールチップ１４
ａの後端部１４ａ(3) の一部と部分的にオーバーラップ
して接触し、両者は磁気的に連結される。

【００５３】中間接続部１４ｃを形成する際には、同時
に、磁路接続部１４ｂ上に、上部磁極１４の一部を構成
する磁路接続部１４ｄを形成すると共に、配線接続部１
９ｓｂ上に中間接続パターン１４ｅを形成する。中間接
続部１４ｃ、磁路接続部１４ｄおよび中間接続パターン
１４ｅの形成材料は、上部ポールチップ１４ａの場合と
同様である。このとき、薄膜コイル１９は絶縁膜２０に
よって覆われて保護されているので、中間接続部１４ｃ
等の形成時におけるエッチング処理等の影響による薄膜
コイル１９の損傷が回避される。中間接続パターン１４
ｅは、薄膜コイル１６，１９と後工程において形成され
るコイル接続配線１４ｆｈ（図８（Ａ）参照）とを電気
的に接続させるためのものである。

【００５４】中間接続部１４ｃの構造としては、例え
ば、図１５に示したように、矩形状の平面形状を有する
ようにすると共に、その幅が、上部ポールチップ１４ａ
における後端部１４ａ(3) の幅よりも大きくなるように
する。ただし、中間接続部１４ｃの幅が後端部１４ａ
(3) の幅よりも小さくなるようにしてもよい。また、例
えば、中間接続部１４ｃの前側の端縁部が、下地の平坦
面に対して傾斜した斜面をなすようにする。中間接続部
１４ｃの配設位置としては、図１５に示したように、例
えば、その最前端１４ｃｔの位置が、絶縁膜パターン１
３の最前端の位置とほぼ一致するようにする。ここで、
薄膜コイル１６，１９、コイル接続部１６ｓ，１９ｓ
ａ、配線接続部１９ｓｂおよび中間接続パターン１４ｅ
が、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法における「薄膜
コイル部」の一具体例に対応する。

【００５５】次に、図７に示したように、全体を覆うよ
うに、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナ層
２１ｐを約３．０〜４．０μｍの厚みで形成して、中間
接続部１４ｃ、磁路接続部１４ｄ、中間接続パターン１
４ｅおよび薄膜コイル１９等によって構成された凹凸領
域を埋設する。

【００５６】次に、例えばＣＭＰ法により、てアルミナ
層２１ｐの表面全体を研磨して平坦化する。この研磨処
理により、図８に示したように、薄膜コイル１９等を埋
設する絶縁膜２１が形成される。このときの研磨処理
は、少なくとも中間接続部１４ｃ、磁路接続部１４ｄお
よび中間接続パターン１４ｅが露出するまで行う。ここ
で、絶縁膜パターン１３および絶縁膜１５，１７，１
８，２０，２１が、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
における「絶縁層」の一具体例に対応する。

【００５７】次に、図８に示したように、平坦化された
領域のうち、磁路接続部１４ｄの上方から中間接続部１
４ｃの上方にかけての領域に、例えばフレームめっき法
により、上部磁極１４の一部を構成する上部ヨーク１４
ｆを約２．０〜３．０μｍの厚みで選択的に形成する。
上部ヨーク１４ｆを形成する際には、同時に、中間接続
パターン１４ｅの上方から図示しない外部回路にかけて
の領域にコイル接続配線１４ｆｈを形成する。このコイ
ル接続配線１４ｆｈは、中間接続パターン１４ｅと図示
しない外部回路とを電気的に接続させるためのものであ
る。上部ヨーク１４ｆおよびコイル接続配線１４ｆｈの
形成材料は、上記した上部ポールチップ１４ａの場合と
同様である。

【００５８】上部ヨーク１４ｆの構造としては、例え
ば、図８および図１５に示したように、薄膜コイル１
６，１９によって発生した磁束を収容するための大きな
面積を有するヨーク部１４ｆ(1) と、ヨーク部１４ｆ
(1) の幅よりも小さい一定幅を有し、間接続部１４ｃの
一部と部分的にオーバーラップするように延在する接続
部１４ｆ(2) とを含むようにする。ヨーク部１４ｆ(1)
の幅は、例えば、その後方部においてはほぼ一定とし、
その前方部において徐々に狭まるようにする。また、接
続部１４ｆ(2) の幅は、例えば中間接続部１４ｃの幅よ
りも大きくなるようにする。ただし、必ずしもこのよう
な場合に限らず、例えば、接続部１４ｆ(2) の幅が中間
接続部１４ｃの幅よりも小さくなるようにしてもよい。

【００５９】また、上部ヨーク１４ｆの配設位置として
は、例えば、図８および図１５に示したように、その最
前端１４ｆｔ（図１５参照）が、中間接続部１４ｃの前
側の端縁面１４ｃｔの位置よりも後方にずれて位置する
ようにする。すなわち、中間接続部１４ｃおよび上部ヨ
ーク１４ｆが、共にエアベアリング面９０から離れて位
置するように配設する。また、例えば、上部ヨークの最
後端の位置が、磁路接続部１４ｂ，１４ｄの最後端の位
置とほぼ一致するようにする。なお、中間接続部１４ｃ
および上部ヨーク１４ｆの配設位置は、必ずしも上記の
ような場合に限らず、例えば、端縁面１４ｃｔの位置が
段差面１４ａｄの位置と一致するようにしてもよいし、
または端縁面１４ｃｔおよび端縁面１４ｆｔの双方の位
置が段差面１４ａｄの位置と一致するようにしてもよ
い。上部ヨーク１４ｆを形成する際には、その幅方向の
中心が、中間接続部１４ｃおよび上部ポールチップ１４
ａの各幅方向の中心と一致するようにする。

【００６０】図８および図１５に示したように、上部磁
極１４は、例えば、それぞれ別個に形成された上部ポー
ルチップ１４ａ、磁路接続部１４ｂ，１４ｄ、中間接続
部１４ｃおよび上部ヨーク１４ｆによって構成される。
すなわち、上部磁極１４は、これらの各部位の集合体で
ある。上部ヨーク１４ｆは、その後方部分において、開
口部１２ｋを通じて磁路接続部１４ｂ，１４ｄを介して
下部磁極９と磁気的に連結されると共に、その前方部分
において、中間接続部１４ｃを介して上部ポールチップ
１４ａとも磁気的に連結される。すなわち、上部磁極１
４（上部ポールチップ１４ａ，磁路接続部１４ｂ，１４
ｄ，中間接続部１４ｃ，上部ヨーク１４ｆ）と下部磁極
９とが接続されることにより、磁束の伝搬経路、すなわ
ち磁路が形成される。ここで、上部ポールチップ１４
ａ、磁路接続部１４ｂ，１４ｄ、中間接続部１４ｃおよ
び上部ヨーク１４ｆによって構成される上部磁極１４
が、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法における「第１
の磁性層」の一具体例に対応する。

【００６１】なお、図８および図１５に示したように、
薄膜コイル１６，１９とコイル接続配線１４ｆｈとは、
中間接続パターン１４ｅを介して電気的に接続される。
図１５に示したように、薄膜コイル１６の外側の終端部
に設けられた端子１６ｘおよびコイル接続配線１４ｆｈ
の後端部（図示せず）は、共に図示しない外部回路に接
続されるようにし、この外部回路によって薄膜コイル１
６，１９を通電させることができるようにする。

【００６２】次に、図８に示したように、全体を覆うよ
うに、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナよ
りなるオーバーコート層２２を約２０〜４０μｍの厚み
で形成する。

【００６３】最後に、図９に示したように、機械加工や
研磨工程により記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベア
リング面９０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
なお、上記の機械加工や研磨工程は、エアベアリング面
９０に下部磁極９が露出するまで行う。このときの接続
部１４ｆ(2) 周辺における立体的構造は、図１４に示し
た通りである。

【００６４】図９および図１５に示したように、絶縁膜
パターン１３の最前端の位置は、スロートハイト（Ｔ
Ｈ）を決定する際の基準となる位置、すなわちスロート
ハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）である。スロートハイト
（ＴＨ）は、絶縁膜パターン１３の最前端の位置（ＴＨ
０位置）からエアベアリング面９０の位置までの長さと
して規定される。また、図中における「ＭＲＨ０位置」
は、ＭＲ膜５の最後端の位置、すなわちＭＲハイトゼロ
位置を表している。ＭＲハイト（ＭＲＨ）は、ＭＲハイ
トゼロ位置からエアベアリング面９０の位置までの長さ
である。

【００６５】＜薄膜磁気ヘッドの動作＞次に、図９、図
１４および図１５を参照して、本実施の形態に係る薄膜
磁気ヘッドの製造方法によって製造される薄膜磁気ヘッ
ドの基本的動作、すなわち、記録媒体に対するデータの
記録動作および記録媒体からのデータの再生動作につい
て簡単に説明する。

【００６６】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、
情報の記録動作時に図示しない外部回路を通じて薄膜コ
イル１６，１９に電流が流れると、これに応じて磁束が
発生する。このとき発生した磁束は、上部ヨーク１４ｆ
内をヨーク部１４ｆ(1) から接続部１４ｆ(2) へ伝搬
し、上部ヨーク１４ｆと磁気的に連結されている中間接
続部１４ｃおよび上部ポールチップ１４ａの後端部１４
ａ(3) を経由して、さらに中間部１４ａ(2) から先端部
１４ａ(1) へ伝搬する。先端部１４ａ(1) へ伝搬した磁
束は、さらにそのエアベアリング面９０側の先端部分に
到達し、記録ギャップ層１２近傍の外部に記録用の信号
磁界を発生させる。この信号磁界により、磁気記録媒体
を部分的に磁化して、情報を記録することができる。

【００６７】一方、再生時においては、再生ヘッド部の
ＭＲ膜５にセンス電流を流す。ＭＲ膜５の抵抗値は、磁
気記録媒体からの再生信号磁界に応じて変化するので、
その抵抗変化をセンス電流の変化によって検出すること
により、磁気記録媒体に記録されている情報を読み出す
ことができる。

【００６８】＜薄膜磁気ヘッドの製造方法における特徴
的な作用および効果＞次に、図１〜図４および図１６〜
図２２を参照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法における特徴的な作用および効果について、
比較例としての製造方法と比較して詳細に説明する。な
お、以下では、主に、上部シールド層７と下部磁極９と
の間に非磁性層８を配設して両磁性層間における磁束の
伝搬を回避すべく、上部シールド層７、非磁性層８およ
び下部磁極９よりなる３層構造を形成する際の製造上の
利点について説明する。

【００６９】まず、図１６〜図２２を参照して、本実施
の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に対する比較例
としての薄膜磁気ヘッドの製造方法によって所定のパタ
ーン形状を有するように非磁性層８１および下部磁極９
１を形成する場合の一連の製造工程について、順に説明
する。

【００７０】図１６〜図２１は、比較例としての製造方
法の要部を説明するための断面図である。図２２は、比
較例としての製造方法および本実施の形態の製造方法の
それぞれにおける製造工程数およびマスクの使用数を説
明するためのものである。図１６〜図２１において、図
１〜図４に示した要素と同一部分には同一の符号を付す
ものとする。これらの各図中では、基板１の図示を省略
しており、絶縁層２についてはその一部分のみを図示し
ている。図１６〜図２１では、例えば、フレームめっき
法によって上部シールド層７を形成したのち、フレーム
パターン５０（図２参照）を形成せずに、上部シールド
層７上に非磁性層８１および下部磁極９１をそれぞれス
パッタリングおよび電解めっき法によって順次形成する
場合の製造工程を表している。非磁性層８１および下部
磁極９１は、非磁性層８および下部磁極９（図４参照）
にそれぞれ対応するものである。非磁性層８１および下
部磁極９１の形成材料、形成方法および厚み等は、非磁
性層８および下部磁極９のそれぞれの場合と同様であ
る。図１６において、上部シールド層７を形成するとこ
ろまでの工程は、上記した図１の場合と同様である。

【００７１】《工程Ａ１．前駆非磁性層８１ｐの形成》
本比較例では、フレームめっき法によってシールドギャ
ップ膜６上に上部シールド層７を形成したのち、図１６
に示したように、この上部シールド層７上に、スパッタ
リングにより前駆非磁性層８１ｐを形成する。

【００７２】《工程Ａ２．電極膜６１の形成》次に、図
１６に示したように、前駆非磁性層８１ｐ上に、例えば
スパッタリングにより、電解めっき法におけるシード層
となる電極膜６１を約７０ｎｍの厚みで形成する。

【００７３】《工程Ａ３．フォトレジストパターン６２
の形成》次に、電極膜６１上に図示しないフォトレジス
ト膜を形成したのち、このフォトレジスト膜に対してフ
ォトリソグラフィ処理を施す。このフォトリソグラフィ
処理によってフォトレジスト膜がパターニングされるこ
とにより、図１７に示したように、めっき膜を選択的に
成長させるために用いるフレーム（外枠）としてのフォ
トレジストパターン６２が形成される。このフォトレジ
ストパターン６２は、後工程において形成される非磁性
層８１および下部磁極９１の双方の平面形状に対応する
開口部６２ｕを有するものである。

【００７４】《工程Ａ４．下部磁極９１の形成》次に、
先工程において形成した電極膜６１をシード層とすると
共にフォトレジストパターン６２をマスクとして、電解
めっき法によって開口部６２ｕにめっき膜を成長させ
る。これにより、図１８に示したように、所定のパター
ン形状を有する下部磁極９１が形成される。形成された
下部磁極９１は、開口部６２ｕの形状に対応した平面形
状を有することとなる。

【００７５】《工程Ａ５．フォトレジストパターン６２
の除去》次に、フォトレジストパターン６２を除去し
て、図１９に示したように、下部磁極９１の配設領域以
外の領域における電極膜６１を露出させる。

【００７６】《工程Ａ６．エッチングマスク６３の形
成》次に、下部磁極９１を覆うように図示しないフォト
レジスト膜を形成したのち、このフォトレジスト膜に対
してフォトリソグラフィ処理を施す。このフォトリソグ
ラフィ処理によってフォトレジスト膜がパターニングさ
れることにより、図２０に示したように、下部磁極９１
の上方にフォトレジスト膜よりなるエッチングマスク６
３が選択的に形成される。

【００７７】《工程Ａ７．電極膜６１の選択的削除，非
磁性層８１の形成》次に、図２０に示したように、エッ
チングマスク６３を用いて、例えばイオンミリングによ
って全体をエッチングする。これにより、図２１に示し
たように、電極膜６１および前駆非磁性層８１ｐのう
ち、下部磁極９１の配設領域以外の領域における部分が
選択的に除去され、所定のパターン形状を有する非磁性
層８１が形成される。なお、図２１では、上記のエッチ
ング処理によってエッチングマスク６３自体もエッチン
グされ、エッチング処理の完了時点においてエッチング
マスク６３が消失した場合を示している。

【００７８】このように、本比較例では、非磁性層８１
および下部磁極９１を形成するために、少なくとも７つ
の工程（工程Ａ１．〜工程Ａ７．）を必要とする。この
うち、「フレームめっき法」による下部磁極９１の形成
工程は、工程Ａ２．〜工程Ａ７．（「非磁性層８１の形
成」を除く。）の６つの工程に相当する。ここで、フレ
ームめっき法によって上部シールド層７を選択的に形成
するためには、下部磁極９１を形成した場合と同様に、
上記の工程Ａ２．〜工程Ａ７．に相当する６つの工程が
別途必要である。これらのことから、上部シールド層
７、非磁性層８１および下部磁極９１を形成するために
は、上部シールド層７を形成するための６つの工程と非
磁性層８１および下部磁極９１を形成するための７つの
工程とを併せて、計１３の工程が必要となる。

【００７９】また、非磁性層８１および下部磁極９１を
形成するためには、図２２に示したように、少なくとも
２つのマスク、すなわちフォトレジストパターン６２お
よびエッチングマスク６３が使用される。フレームめっ
き法によって上部シールド層７を形成するためには、下
部磁極９１を形成した場合と同様に、少なくとも２つの
マスクが使用される。これらのことから、上部シールド
層７、非磁性層８１および下部磁極９１を形成するため
には、少なくとも計４つのマスクが使用される。これら
の各マスクを形成するためには、例えば、マスク前駆層
の形成工程やそのパターニング工程（例えばフォトリソ
グラフィ処理）などの工程が必要となるため、使用する
マスクの数が多いほど製造工程が複雑化し、かつ製造時
間が長期化してしまう。

【００８０】これに対して、図１〜図４および図２２に
示した本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法で
は、上部シールド層７、非磁性層８および下部磁極９を
形成するために、フレームめっき法によって上部シール
ド層７を形成するための６つの工程と、以下に示す非磁
性層８および下部磁極９を形成するための４つの工程
（工程Ｂ１．〜工程Ｂ４．）とを併せて、計１０の工程
しか必要としない。

【００８１】工程Ｂ１．フレームパターン５０の形成
（前駆フレームパターン層５０ｐの形成工程等を含
む。；図１〜図２参照）工程Ｂ２．前駆非磁性層８ｐの形成（図３参照）工程Ｂ３．前駆下部磁極層９ｐの形成（図３参照）工程Ｂ４．ＣＭＰ研磨による非磁性層８および下部磁極
９の形成（図４参照）

【００８２】また、本実施の形態では、フレームめっき
法によって上部シールド層７を形成するための２つのマ
スクと、非磁性層８および下部磁極９を形成するための
１つのマスク（フレームパターン５０）とを併せて、計
３つのマスクしか使用しない。

【００８３】以上のことから、本実施の形態では、比較
例の場合と比較して、上部シールド層７、非磁性層８お
よび下部磁極９を形成するために要する工程数を１３か
ら１０に減少させることができると共に、使用するマス
クの数を４から３に減少させることができる。したがっ
て、薄膜磁気ヘッドの製造に要する時間を短縮すること
ができる。

【００８４】なお、上記した「フレームめっき法」によ
る下部磁極９１の形成手順は、下部シールド層３、上部
シールド層７および上部磁極１４（上部ポールチップ１
４ａ，磁路接続部１４ｂ，１４ｄ，中間接続部１４ｃ，
中間接続パターン１４ｅ，上部ヨーク１４ｆ，中間接続
パターン１４ｅ）およびコイル接続配線１４ｆｈ等を形
成する場合にも用いられる。

【００８５】＜薄膜磁気ヘッドの製造方法における他の
効果＞また、本実施の形態では、上部シールド層７、非
磁性層８および下部磁極９の形成に要する製造工程数の
減少の他、以下のような観点においても製造工程数を減
少させることができる。例えば、比較例としての製造方
法では、下部磁極９１を形成したのち（図２１参照）、
下部磁極９１をその周辺領域から磁気的に分離するため
には、新たに、全体を覆うようにアルミナ層６５ｐを形
成する工程（図２３参照）と、アルミナ層６５ｐを研磨
して絶縁膜６５を形成する工程（図２４参照）とが必要
となる。これに対して、本実施の形態では、図３および
図４に示したように、例えばアルミナなどの非磁性材料
よりなるフレームパターン５０は、前駆下部磁極層９１
をパターニングするためのマスクとして機能する他、下
部磁極９の形成後においては、下部磁極９をその周辺領
域から磁気的に分離させる遮蔽材としても機能する。こ
のため、下部磁極９をその周辺領域から磁気的に分離す
るための新たな部材を形成する工程を必要とせず、製造
工程数を減少させることができる。この点もまた、薄膜
磁気ヘッドの製造に要する時間の短縮に寄与することと
なる。

【００８６】また、本実施の形態では、上部磁極１４
（上部ポールチップ１４ａ等）および下部磁極９の形成
材料として、高飽和磁束密度を有するニッケル鉄合金、
窒化鉄またはアモルファス合金（コバルト鉄合金，ジル
コニウムコバルト鉄合金等）などを用いているので、上
部磁極１４および下部磁極９の内部における磁束の飽和
を回避し、磁束の伝搬を円滑化することができる。この
ため、優れたオーバーライト特性を確保することができ
る。

【００８７】また、本実施の形態では、段差領域９ｐｒ
〜ＭＲ膜５間の距離Ｌ１（図３参照）を適正化するよう
にしたので、以下のような利点を有することとなる。す
なわち、図３に示したように、窒化鉄よりなる前駆下部
磁極層９ｐは、フレームパターン５０の表面と上部シー
ルド層７の表面との間の段差部分に対応してクランク状
に折れ曲がった段差部分（以下、単に「段差領域９ｐ
ｒ」ともいう。）を含んでいる。段差領域９ｐｒの延在
方向は、例えば、下地（上部シールド層７）の表面に対
してほぼ垂直になっている。このような場合には、段差
領域９ｐｒの近傍では、窒化鉄よりなるスパッタ−膜中
において結晶異方性が生じてしまい、その結果、磁束透
過性が劣化してしまうことがある。このような傾向は、
前駆下部磁極層９ｐの形成方法としてスパッタリングを
用い、前駆下部磁極層９ｐの折れ曲がり方が急峻になる
ほど、すなわち段差領域９ｐｒの延在方向が下地（上部
シールド層７）の表面に対して垂直に近くなるほど顕著
となる。磁束透過性が劣化した場合には、磁束の伝搬過
程において磁束の飽和現象が発生したり、磁気ノイズが
発生してしまう。特に、段差領域９ｐｒがＭＲ膜５の配
設領域に近接しているような場合、すなわち距離Ｌ１が
小さい場合には、下部磁極９の形成後、段差領域９ｐｒ
の近傍における下部磁極９中において発生した磁気ノイ
ズがＭＲ膜５まで到達してしまい、この磁気ノイズに起
因する悪影響によって薄膜磁気ヘッドの再生動作が阻害
されることとなる。このような問題点に鑑み、本実施の
形態では、距離Ｌ１を４．０〜５．０μｍ以上とし、段
差領域９ｐｒがＭＲ膜５の配設領域から十分に離れて位
置することとなるようにしているので、上記のような不
具合を回避することができる。

【００８８】また、本実施の形態では、上部ポールチッ
プ１４ａを構成する先端部１４ａ(1) ，中間部１４ａ
(2) ，後端部１４ａ(3) のそれぞれの幅をＷ１，Ｗ２，
Ｗ３とすると、これらの各部位の幅がＷ１＜Ｗ２＜Ｗ３
の関係となるようにしている。このため、上記の各部位
の内部に収容できる磁束の許容量（以下、単に「磁気ボ
リューム」という。）をそれぞれＶ１，Ｖ２，Ｖ３とす
ると、各部位間の磁気ボリュームの関係もまたＶ１＜Ｖ
２＜Ｖ３となる。これにより、上部ポールチップ１４ａ
に流量した磁束は、後端部１４ａ(3) から中間部１４ａ
(2) を経由して先端部１４ａ(1) に伝搬する過程におい
て、磁気ボリュームの段階的な減少に応じて段階的に集
束され、先端部１４ａ(1) には十分な量の磁束が供給さ
れる。したがって、優れたオーバーライト特性を確保す
ることができる。

【００８９】また、本実施の形態では、図７および図８
に示したように、配線接続部１９ｓｂ上に中間接続パタ
ーン１４ｅを配設して、中間接続パターン１４ｅの上面
の位置が、中間接続部１４ｃおよ磁路接続部１４ｄの双
方の上面の位置よりも高くなるようにしたので、これら
の各部位をアルミナによって覆ったのち、絶縁膜２１を
形成するためにアルミナの表面を研磨したときに、中間
接続部１４ｃおよ磁路接続部１４ｄの双方と共に中間接
続パターン１４ｅをも露出させることができる。このた
め、中間接続パターン１４ｅを形成しない場合とは異な
り、配線接続部１９ｓｂとコイル接続配線１４ｆｈとを
接続させるために、絶縁膜２１の一部を除去して開口部
を形成する工程が不要となる。しかも、中間接続パター
ン１４ｅは、中間接続部１４ｃおよび磁路接続部１４ｄ
の双方と同一の工程によって形成されるので、中間接続
パターン１４ｅを形成するために新たな工程を必要とし
ない。したがって、製造工程数を削減することができ
る。

【００９０】また、本実施の形態では、研磨処理によっ
て平坦化した下地上に上部ヨーク１４ｆを形成するよう
にしたので、上部ヨーク１４ｆを高精度に形成すること
がでいる。このような効果は、上部ヨーク１４ｆの他、
平坦な下地上に中間接続部１４ｃ、磁路接続部１４ｄお
よびコイル接続配線１４ｆｈ等を形成する場合において
も同様である。

【００９１】また、本実施の形態では、上部ポールチッ
プ１４ａと中間連結部１４ｃとの接触面に対応する領域
における記録ギャップ層１２上に絶縁膜パターン１３を
配設しているので、絶縁膜パターン１３を配設しない場
合とは異なり、中間接続部１４ｃから上部ポールチップ
１４ａに流入した磁束が薄い記録ギャップ層１２を通過
して下部磁極９へ伝搬してしまう現象、すなわち「磁束
の漏れ」を回避することができる。なぜなら、絶縁膜パ
ターン１３は、その上方領域から下方領域への磁束の伝
搬を遮蔽する遮蔽材として機能するからである。このた
め、中間接続部１４ｃから上部ポールチップ１４ａへ流
入した磁束はロスなく先端部１４ａ(1)まで達すること
となるので、優れたオーバーライト特性を確保すること
ができる。

【００９２】＜上部シールド層７、非磁性層８および下
部磁極９の形成方法に関する変形例＞上記実施の形態で
は、上部シールド層７をフレームめっき法によって形成
し、前駆下部磁極層９ｐをスパッタリングによって形成
するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではな
く、例えば、図２５のII〜IVに示した形成方法の組み合
わせを用いて、上部シールド層７および前駆下部磁極層
９ｐのそれぞれを形成するようにしてもよい。ここで、
図２５は、上部シールド層７および前駆下部磁極層９ｐ
を形成する際におけるそれぞれの形成方法の組み合わせ
に関する一例を表すものである。なお、図中のIに示し
た形成方法の組み合わせは、上記実施の形態において説
明した場合に相当する。図中における「製造工程数の変
化」および「使用するマスクの数の変化」は、上部シー
ルド層７、非磁性層８および下部磁極９の形成に要する
製造工程数および使用するマスクの数の変化を表してい
る。「製造工程数の変化」のそれぞれの欄内における数
値は、矢印（→）の左側が、比較例としての製造方法を
用いた場合の製造工程数を表し、一方、矢印（→）の右
側が、本実施の形態に係る製造方法を用いた場合の製造
工程数を表している。「使用するマスクの数の変化」の
それぞれの欄内における数値も同様である。なお、非磁
性層８の形成方法は、上記実施の形態の場合と同様にス
パッタリングとする。

【００９３】図２５に示したIIの場合、すなわち、フレ
ームめっき法によって上部シールド層７を形成し、前駆
下部磁極層７９ｐを電解めっき法によって形成する場合
には、上部シールド層７を形成するための６つの工程
と、以下に示す非磁性層８および下部磁極７９を形成す
るための５つの工程（工程Ｃ１．〜工程Ｃ５．）とを併
せて、計１１の工程が必要となる。

【００９４】工程Ｃ１．フレームパターン５０の形成
（図２６参照）工程Ｃ２．前駆非磁性層８ｐの形成（図２６参照）工程Ｃ３．電極膜７１の形成（図２６参照）工程Ｃ４．前駆下部磁極層７９ｐの形成（図２６参照）工程Ｃ５．ＣＭＰ研磨による非磁性層８および下部磁極
７９の形成（図２７参照）

【００９５】このような場合には、「工程Ｃ５．」にお
ける研磨処理によって前駆下部磁極層７９ｐが所望のパ
ターン形状となるようにパターニングされるので、めっ
き膜を選択的に成長させるためのマスクとしてのフォト
レジストパターンを用いる必要がない。すなわち、前駆
下部磁極層７９ｐの形成手法として通常の電解めっき法
を用いることが可能となり、フォトレジストパターンの
形成工程（工程Ａ４．；図２２参照）およびその除去工
程（工程Ａ５．；図２２参照）が不要となる。また、上
記の研磨処理によって除去対象である電極膜７１の一部
が除去されるので、下部磁極７９の形成後、新たにエッ
チングマスクを形成して電極膜７１を除去する工程（工
程Ａ６．，工程Ａ７．；図２２参照）が不要となる。こ
の場合に使用するマスクの数は、上部シールド層７を形
成するための２つのマスクと下部磁極７９を形成するた
めの１つのマスク（フレームパターン５０）とを併せ
て、計３つである。

【００９６】図２５に示したIII の場合、すなわち、ス
パッタリングによって上部シールド層７および前駆下部
磁極層９ｐの双方を形成する場合には、以下に示す５つ
の工程（工程Ｄ１．〜工程Ｄ５．）が必要である。この
場合に使用するマスクの数は、１つ（フレームパターン
５０）のみである。

【００９７】工程Ｄ１．上部シールド層７の形成工程Ｄ２．フレームパターン５０の形成工程Ｄ３．前駆非磁性層８ｐの形成工程Ｄ４．前駆下部磁極層９ｐの形成工程Ｄ５．ＣＭＰ研磨による非磁性層８および下部磁極
９の形成

【００９８】図２５に示したIVの場合、すなわち、スパ
ッタリングによって上部シールド層７を形成し、電解め
っき法によって前駆下部磁極層９ｐを形成する場合に
は、上部シールド層７を形成するための１つの工程（上
記の工程Ｄ１．と同様）と、非磁性層８および下部磁極
９を形成するための５つの工程（上記の工程Ｃ１．〜工
程Ｃ５．と同様）とを併せて、計６つの工程が必要とな
る。この場合に使用するマスクの数は、１つ（フレーム
パターン５０）のみである。

【００９９】上記のように、図２５に示したII〜IVのい
ずれの場合においても、上部シールド層７、非磁性層８
および下部磁極９の形成に要する製造工程数およびマス
クの数を減少させ、薄膜磁気ヘッドの製造に要する時間
を短縮することができる。ただし、上部シールド層７お
よび前駆下部磁極層９ｐ（７９ｐ）の形成方法として
は、その形成材料であるパーマロイの組成を適正に制御
する観点から、めっき法（フレームめっき法または電解
めっき法）を用いるようにするのが好適である。なお、
前駆下部磁極層９ｐの形成方法としては、フレームめっ
き法を用いるようにしてもよい。この場合においても、
比較例の場合よりも、製造工程数および使用するマスク
の数を減少させることができる。

【０１００】＜薄膜磁気ヘッドの製造方法における他の
変形例＞また、本実施の形態では、図１４に示したよう
に、絶縁膜パターン１３の最前端が、上部ポールチップ
１４ａにおける中間部１４ａ(2) と後端部１４ａ(3) と
の連結位置よりも後方に位置するようにする場合につい
て説明したが、必ずしもこれに限られるものではない。
例えば、図２８に示したように、絶縁膜パターン１３の
最前端が、上部ポールチップ１４ａの先端部１４ａ(1)
の延在領域内に位置するようにしてもよい。このような
場合には、図１４に示した場合よりも、より広範囲な絶
縁膜パターン１３の延在領域において「磁束の漏れ」現
象を回避することができる。

【０１０１】［第２の実施の形態］次に、本発明の第２
の実施の形態について説明する。

【０１０２】まず、図２９〜図４１を参照して、本発明
の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法と
しての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する。図
２９〜図３５において、（Ａ）はエアベアリング面に垂
直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面
に平行な断面を示している。図３６および図３７は、主
要な製造工程に対応する平面図であり、図３８〜図４０
は、主要な製造工程に対応する斜視図である。ここで、
図３６は図２９に示した状態に対応し、図３７は図３１
に示した状態に対応する。また、図３８は図３２に示し
た状態に対応し、図３９は図３３に示した状態に対応
し、図４０は図３５に示した状態に対応する。ただし、
図３６および図３７では、それぞれ図２９よび図３１に
おける基板１および絶縁膜２等の図示を省略している。
また、図３９では、図３３におけるアルミナ層４４ｐ等
の図示を省略し、図４０では、図３５における絶縁膜４
２，４４、薄膜コイル４１およびオーバーコート層４５
等の図示を省略している。

【０１０３】図４１は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法によって製造される薄膜磁気ヘッドの平
面構造の概略を表すものである。なお、図４１では、絶
縁膜４２，４４およびオーバーコート層４５等の図示を
省略している。また、薄膜コイル４１については、その
最外周部分のみを図示している。図３５（Ａ）は、図４
１に示したXXXVA−XXXVA線に沿った矢視断面に対応す
る。

【０１０４】なお、図２９〜図４１において、各図中の
Ｘ，Ｙ，Ｚ軸方向に関する表記は、上記第１の実施の形
態の場合と同様とし、また各図中の上記第１の実施の形
態における構成要素と同一部分には同一の符号を付すも
のとする。

【０１０５】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、図２９におけるシールドギャップ膜６を
形成するところまでの工程は、上記第１の実施の形態に
おける図１に示した同工程までと同様であるので、その
説明を省略する。

【０１０６】本実施の形態では、シールドギャップ膜６
を形成したのち、図２９および図３６に示したように、
例えば、上記第１の実施の形態においてフレームパター
ン５０を形成した場合と同様の形成材料および形成方法
を用いて、シールドギャップ膜６の表面に、開口部１５
０ｕを備えるフレームパターン１５０を約４．０μｍの
厚みで選択的に形成する。フレームパターン１５０は、
非磁性材料、例えばアルミナなどの無機絶縁材料よりな
るものである。フレームパターン１５０の構造的特徴
は、フレームパターン５０（図２参照）の場合とほぼ同
様である。開口部１５０ｕの形状は、例えば、上記第１
の実施の形態におけるフレームパターン５０の開口部５
０ｕの形状とほぼ同様であり、後工程において形成され
る上部シールド層３７、非磁性層３８および下部磁極３
９の平面形状にほぼ対応している。なお、フレームパタ
ーン１５０を形成する際には、上記第１の実施の形態に
おいてフレームパターン５０を形成した場合と同様に、
後工程において形成される前駆下部磁極層３９ｐの段差
領域とＭＲ膜５との間の距離Ｌ２（図３０参照）が、例
えば４．０〜５．０μｍ以上となるようにするのが好適
である。

【０１０７】次に、図３０に示したように、開口部１５
０ｕにおいて露出しているシールドギャップ膜６の表面
およびフレームパターン１５０の表面を覆うように、例
えば電解めっき法により、例えば高飽和磁束密度を有す
るパーマロイ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）
よりなる前駆上部シールド層３７ｐを約１．０〜１．５
μｍの厚みで形成する。次に、前駆上部シールド層３７
ｐ上に、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナ
よりなる前駆非磁性層３８ｐを約０．１５〜０．２μｍ
の厚みで形成する。次に、前駆非磁性層３８ｐ上に、例
えばスパッタリングにより、例えばニッケル鉄よりなる
前駆下部磁極層３９ｐを約２．０〜２．５μｍの厚みで
形成する。前駆上部シールド層３７ｐ、前駆非磁性層３
８ｐおよび前駆下部磁極層３９ｐのそれぞれは、フレー
ムパターン１５０の表面と下地（シールドギャップ膜
６）の表面との間の段差部分に対応して部分的に折れ曲
がるように延在している。ここで、前駆上部シールド層
３７ｐおよび前駆下部磁極層３９ｐのそれぞれが、本発
明の磁性層パターンの形成方法における「前駆磁性層」
の一具体例に対応する。また、前駆上部シールド層３７
ｐが、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法（請求項６）
における「第１の前駆磁性層」の一具体例に対応し、前
駆下部磁極層３９ｐが、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造
方法（請求項６）における「第２の前駆磁性層」の一具
体例に対応する。

【０１０８】次に、例えばＣＭＰ法により、例えばフレ
ームパターン１５０が露出するまで全体を研磨して平坦
化する。これにより、フレームパターン１５０の上方を
覆っていた前駆上部シールド層３７ｐ、前駆非磁性層３
８ｐおよび前駆下部磁極層３９ｐのそれぞれの一部が選
択的に除去され、図３１に示したように、フレームパタ
ーン１５０の開口部１５０ｕを埋め込むように、上部シ
ールド層３７、非磁性層３８および下部磁極３９のそれ
ぞれが所定のパターン形状を有するように選択的に形成
される。上部シールド層３７、非磁性層３８および下部
磁極３９は、例えば、図３７および図４１に示したよう
な平面形状を有するものである。図３１、図３７および
図４１に示したように、研磨後の表面には、下部磁極３
９が露出すると共に、下部磁極３９の周囲に非磁性層３
８の端面（３８ｍ）が露出し、さらに、非磁性層３８の
周囲に上部シールド層３７の端面（３７ｍ）が露出す
る。下部磁極３９の形成材料として、例えば窒化鉄など
の高飽和磁束密度を有する磁性材料を用いることによ
り、その内部における磁束の飽和現象を回避し、磁束の
流れを円滑化することができる。ここで、上部シールド
層３７および下部磁極３９のそれぞれが、本発明の磁性
層パターンの形成方法における「磁性層パターン」の一
具体例に対応する。また、上部シールド層３７が、本発
明の薄膜磁気ヘッドの製造方法（請求項６）における
「第３の磁性層」の一具体例に対応し、下部磁極３９
が、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法（請求項６）に
おける「第２の磁性層」の一具体例にそれぞれ対応す
る。

【０１０９】次に、図３２に示したように、研磨後の平
坦面上に、例えばスパッタリングにより、例えばアルミ
ナよりなる記録ギャップ層４０を約０．１〜０．２μｍ
の厚みで形成する。記録ギャップ層４０の表面は、その
全域にわたって平坦となる。なお、記録ギャップ層４０
を形成する際には、後工程において磁路接続部４３ｂが
形成されることとなる領域を覆わないようにする。この
領域は、下部磁極３９と後工程において形成される上部
磁極４３とを接続させるための開口部４０ｋとなる。こ
こで、記録ギャップ層４０が、本発明の薄膜磁気ヘッド
の製造方法における「ギャップ層」の一具体例に対応す
る。

【０１１０】次に、図３２に示したように、下部磁極３
９の上方における平坦な記録ギャップ層４０上に、例え
ば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導
型の記録ヘッド用の薄膜コイル４１を約１．０〜１．５
μｍの厚みで選択的に形成する。この薄膜コイル４１
は、例えば、上記第１の実施の形態における薄膜コイル
１６と同様の構造的特徴を有するものであり、その平面
構造は図４１に示した通りである。なお、図３２では、
薄膜コイル４１の一部分のみを図示している。薄膜コイ
ル４１を形成する際には、同時に、例えば、その内側の
終端部における記録ギャップ層４０上に、配線接続部４
１ｓを薄膜コイル４１と一体に形成する。この配線接続
部４１ｓは、薄膜コイル４１と後工程において形成され
るコイル接続配線４３ｆｈ（図３４（Ａ）参照）とを電
気的に接続させるためのものである。

【０１１１】次に、図３２に示したように、薄膜コイル
４１（配線接続部４１ｓを含む）の各巻線間およびその
周辺領域に、例えばフォトレジストよりなる絶縁膜４２
を高精度のフォトリソグラフィ処理により所定のパター
ンとなるように形成する。なお、絶縁膜４２の形成方法
は、上記第１の実施の形態における絶縁膜１７，２０の
場合と同様である。絶縁膜４２の前側の端縁近傍は、そ
の端縁方向に向かって落ち込むような丸みを帯びた斜面
をなすこととなる。絶縁膜４２の最前端の位置は、スロ
ートハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）に相当する。

【０１１２】次に、図３２および図３８に示したよう
に、薄膜コイル４１の配設領域よりも前側の平坦な記録
ギャップ層１２上から絶縁膜４２の前側の斜面上にかけ
ての領域に、例えばフレームめっき法により、上部磁極
４３の一部を構成する上部ポールチップ４３ａを約２．
５〜３．５μｍの厚みで選択的に形成する。上部ポール
チップ４３ａを形成する際には、同時に、上部磁極４３
の一部を構成する磁路接続部４３ｂを開口部１２ｋに形
成すると共に、配線接続部４１ｓ上に中間接続パターン
４３ｅを形成する（図３８では、磁路接続部４３ｂおよ
び中間接続パターン４３ｅを図示せず。）。この中間接
続パターン４３ｅは、薄膜コイル４１と後工程において
形成されるコイル接続配線４３ｆｈ（図３４（Ａ）参
照）とを電気的に接続させるためのものである。上部ポ
ールチップ４３ａ、磁路接続部４３ｂおよび中間接続パ
ターン４３ｅの形成材料としては、例えば、上記第１の
実施の形態における上部ポールチップ１４ａの場合と同
様に、高飽和磁束密度を有する磁性材料であるパーマロ
イ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）などを用い
るようにする。

【０１１３】上部ポールチップ４３ａの構造としては、
例えば、図３２、図３８および図４１に示したように、
後工程においてエアベアリング面９０となる側から順に
先端部４３ａ(1) および後端部４３ａ(2) を含むように
する。先端部４３ａ(1) および後端部４３ａ(2) の構造
的特徴は、例えば、上記第１の実施の形態における上部
ポールチップ１４ａの先端部１４ａ(1) および後端部１
４ａ(3) （図１５参照）の構造とほぼ同様とする。

【０１１４】また、上部ポールチップ４３ａの配設位置
としては、例えば、図４１に示したように、先端部４３
ａ(1) と後端部４３ａ(2) との連結部分における後端部
４３ａ(3) 側の段差面４３ａｄが、絶縁膜４２の最前端
の位置よりも前側に位置するようにする。

【０１１５】次に、上部ポールチップ４３ａと絶縁膜４
２の最前端の位置よりも後側の領域に選択的に形成した
図示しないフォトレジスト膜とをマスクとして、上記第
１の実施の形態において磁極部分１００を形成した場合
と同様のＲＩＥにより、全体に約０．３〜０．４μｍ程
度エッチングする。このエッチング処理により、絶縁膜
４２の最前端の位置よりも前側の領域における上部ポー
ルチップ４３ａの周辺の記録ギャップ層４０および下部
磁極３９等が選択的に除去され、図３３および図３９に
示したように、トリム構造を有する磁極部分２００が形
成される。

【０１１６】次に、図３３に示したように、全体を覆う
ように、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナ
層４４ｐを約３．０〜４．０μｍの厚みで成膜して、上
部ポールチップ４３ａ、磁路接続部４３ｂ、中間接続パ
ターン４３ｅおよび薄膜コイル４１等によって構成され
た凹凸領域を埋設する。

【０１１７】次に、例えばＣＭＰ法によってアルミナ層
４４ｐの表面全体を研磨して平坦化することにより、図
３４に示したように、薄膜コイル４１等を埋設する絶縁
膜４４を形成する。このときの研磨処理は、少なくとも
上部ポールチップ４３ａ、磁路接続部４３ｂおよび中間
接続パターン４３ｅが露出するまで行う。ここで、絶縁
膜４２，４４が、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法に
おける「絶縁層」の一具体例に対応する。

【０１１８】次に、図３４に示したように、磁路接続部
４３ｂの上方から上部ポールチップ４３ａの後端部４３
ａ(2) の上方にかけての領域に、上部磁極４３の一部を
構成する上部ヨーク４３ｆを約２．０〜３．０μｍ程度
の厚みで選択的に形成する。上部ヨーク４３ｆを形成す
る際には、同時に、中間接続パターン４３ｅの上方から
図示しない外部回路にかけての領域にコイル接続配線４
３ｆｈを選択的に形成する。上部ヨーク４３ｆおよびコ
イル接続配線４３ｆｈの形成材料および形成方法等は、
上記第１の実施の形態において上部ポールチップ４３ａ
等を形成した場合と同様である。

【０１１９】上部ヨーク４３ｆの構造としては、例え
ば、図３４および図４１に示したような平面構造を有す
るようにする。すなわち、上部ヨーク４３ｆが、上記第
１の実施の形態における上部ヨーク１４ｆのヨーク部１
４ｆ(1) および接続部１４ｆ(2) に対応するヨーク部４
３ｆ(1) および接続部４３ｆ(2) を有するようにする。
また、上部ヨーク４３ｆの配設位置としては、例えば、
その前側の端縁面４３ｆｔの位置が、絶縁膜４２の最前
端の位置と一致するようにすると共に、少なくとも端縁
面４３ｆｔが下地の平坦面に対して傾斜した斜面をなす
ようにする。ここで、上部ポールチップ４３ａ、磁路接
続部４３ｂおよび上部ヨーク４３ｆによって構成される
上部磁極４３が、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法に
おける「第１の磁性層」の一具体例に対応する。

【０１２０】次に、図３４に示したように、全体を覆う
ように、例えばスパッタリングにより、例えばアルミナ
よりなるオーバーコート層４５を約２０〜４０μｍの厚
みで形成する。

【０１２１】最後に、図３５に示したように、機械加工
や研磨工程により記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベ
アリング面９０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成す
る。なお、上記の機械加工や研磨工程は、エアベアリン
グ面９０に下部磁極３９が露出するまで行う。このとき
の接続部４３ｆ(2) の周辺における立体的構造は、図４
０に示した通りである。

【０１２２】図３５および図４１に示したように、絶縁
膜４２の最前端の位置は、スロートハイト（ＴＨ）を決
定する際の基準となる位置、すなわちスロートハイトゼ
ロ位置（ＴＨ０位置）である。スロートハイト（ＴＨ）
は、絶縁膜４２の最前端の位置（ＴＨ０位置）からエア
ベアリング面９０の位置までの長さとして規定される。

【０１２３】なお、図４１に示した上記以外の配設物に
関する構造的特徴は、上記第１の実施の形態の場合（図
１５）と同様である。

【０１２４】本実施の形態では、図２９〜図３１に示し
たように、下地（シールドギャップ膜６）の表面に形成
したフレームパターン１５０を覆うように前駆上部シー
ルド層３７ｐ、前駆非磁性層３８ｐおよび前駆下部磁極
層３９ｐを順次形成したのち、少なくともフレームパタ
ーン１５０が露出するまで全体を研磨することにより、
上部シールド層３７、非磁性層３８および下部磁極３９
のそれぞれを所定のパターン形状となるように形成して
いる。このため、上記第１の実施の形態において下部磁
極９等を形成した場合と同様の作用により、上部シール
ド層３７、非磁性層３８および下部磁極３９の形成に要
する製造工程数および使用するマスクの数を減少させ、
薄膜磁気ヘッドの製造に要する時間を短縮することがで
きる。

【０１２５】具体的には、上記第１の実施の形態におい
て説明した比較例では１３の工程と４つのマスクが必要
であったのに対し、本実施の形態では、以下に示す６つ
の工程（工程Ｅ１．〜工程Ｅ６．）しか必要とせず、製
造工程数を１３から６に減少させることができる。

【０１２６】工程Ｅ１．フレームパターン１５０の形成
（図２９参照）工程Ｅ２．電極膜の形成（図示せず）工程Ｅ３．前駆上部シールド層３７ｐの形成（図３０参
照）工程Ｅ４．前駆非磁性層３８ｐの形成（図３０参照）工程Ｅ５．前駆下部磁極層３９ｐの形成（図３０参照）工程Ｄ６．ＣＭＰ研磨による上部シールド層３７、非磁
性層３８および下部磁極３９の形成（図３１参照）

【０１２７】このような場合には、上記第１の実施の形
態において図２６および図２７に示した場合と同様の作
用により、前駆上部シールド層３７ｐを形成するための
フォトレジストパターンの形成工程および図示しない電
極膜の除去工程等が不要となる。このため、使用するマ
スクの数もまた、４から１（フレームパターン１５０）
に減少させることができる。

【０１２８】また、本実施の形態では、ＭＲ膜５の再生
動作に悪影響が及ぶことを回避することができる。具体
的には、上記第１の実施の形態において説明した比較例
では、「工程Ａ７．電極膜６１の選択的削除」におい
て、イオンミリングによるエッチング処理を用いて電極
膜６１を部分的に除去している。このような場合には、
エッチング処理時において発生した静電気の影響によ
り、ＭＲ膜５を埋設しているシールドギャップ膜４，６
にピンホールなどの欠陥が生じてしまうことがある。ピ
ンホールなどが生じてシールドギャップ膜４，６が破損
してしまうと、ＭＲ膜に対する磁気的な保護が不十分と
なり、ＭＲ膜５の再生動作に悪影響を及ぼすこととな
る。これに対して、本実施の形態では、エッチング処理
を一切必要としないので、上記のような不具合が回避さ
れる。

【０１２９】また、本実施の形態では、薄膜コイル４１
の端部に設けられた配線接続部４１ｓの上方に、上部ポ
ールチップ４３ａを形成する工程と同一の工程によって
中間接続パターン４３ｅを形成するようにしている。こ
のため、上記の第１の実施の形態において中間接続パタ
ーン１４ｅ（図７および図８参照）を形成した場合と同
様の作用により、薄膜コイル４１とコイル接続配線４３
ｆｈとを接続させるための工程を簡略化し、製造工程を
削減することができる。

【０１３０】また、本実施の形態では、上部ヨーク４３
ｆの前側の端縁面が斜面をなすようにしたので、上部ヨ
ーク４３ｆから上部ポールチップ４３ａへ流入する磁束
の流れを円滑化することができる。

【０１３１】なお、本実施の形態では、電解めっき法に
よって前駆上部シールド層３７ｐを形成し、スパッタリ
ングによって前駆下部磁極層３９ｐを形成するようにし
たが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、
図４２のVI〜VIIIに示した形成方法の組み合わせを用い
て前駆上部シールド層３７ｐおよび前駆下部磁極３９ｐ
のそれぞれを形成するようにしてもよい。ここで、図４
２は、前駆上部シールド層３７ｐおよび前駆下部磁極層
３９ｐを形成する際のそれぞれの形成方法に関する組み
合わせの一例を表すものである。なお、図中のVに示し
た形成方法の組み合わせは、上記実施の形態において説
明した場合に相当する。図中における「製造工程数の変
化」および「使用するマスクの数の変化」のそれぞれの
欄内に示した数値は、図２５の場合と同様である。以下
では、図４２を参照して、VI〜VIIIに示した各組み合わ
せの形成方法を用いて上部シールド層３７、非磁性層３
８および下部磁極３９を形成する場合の製造工程数およ
び使用するマスクの数の変化について順に説明する。

【０１３２】図４２に示したVIの場合、すなわち、前駆
上部シールド層３７ｐおよび前駆下部磁極３９ｐの双方
を電解めっき法によって形成する場合には、以下に示し
た７つの工程（工程Ｆ１．〜工程Ｆ７．）が必要とな
る。この場合に使用するマスクの数は、１つ（フレーム
ターン１５０）のみである。

【０１３３】工程Ｆ１．フレームパターン１５０の形成工程Ｆ２．前駆上部シールド層３７ｐを形成するための
電極膜の形成工程Ｆ３．前駆上部シールド層３７ｐの形成工程Ｆ４．前駆非磁性層３８ｐの形成工程Ｆ５．前駆下部磁極層３９ｐを形成するための電極
膜の形成工程Ｆ６．前駆下部磁極層３９ｐの形成工程Ｆ７．ＣＭＰ研磨による上部シールド層３７、非磁
性層３８および下部磁極３９の形成

【０１３４】図４２に示したVII の場合、すなわち、前
駆上部シールド層３７ｐおよび前駆下部磁極３９ｐの双
方をスパッタリングによって形成する場合には、以下に
示す５つの工程（工程Ｇ１．〜工程Ｇ５．）が必要とな
る。この場合に使用するマスクの数は、１つ（フレーム
パターン１５０）のみである。

【０１３５】工程Ｇ１．フレームパターン１５０の形成工程Ｇ２．前駆上部シールド層３７ｐの形成工程Ｇ３．前駆非磁性層３８ｐの形成工程Ｇ４．前駆下部磁極層３９ｐの形成工程Ｇ５．ＣＭＰ研磨による上部シールド層３７、非磁
性層３８および下部磁極３９の形成。

【０１３６】図４２に示したVIIIの場合、すなわち、ス
パッタリングによって前駆上部シールド層３７ｐを形成
し、電解めっき法によって前駆下部磁極３９ｐを形成す
る場合には、以下に示す６つの工程（工程Ｈ１．〜工程
Ｈ６．）が必要となる。この場合に使用するマスクの数
は、１つ（フレームパターン１５０）のみである。

【０１３７】工程Ｈ１．フレームパターン１５０の形成工程Ｈ２．前駆上部シールド層３７ｐの形成工程Ｈ３．前駆非磁性層３８ｐの形成工程Ｈ４．前駆下部磁極層３９ｐを形成するための電極
膜の形成工程Ｈ５．前駆下部磁極層３９ｐの形成工程Ｈ６．ＣＭＰ研磨による上部シールド層３７、非磁
性層３８および下部磁極３９の形成

【０１３８】上記のように、図４２に示したVI〜VIIIの
いずれの場合においても、上部シールド層３７、非磁性
層３８および下部磁極３９の形成に要する製造工程数お
よびマスクの数を減少させ、薄膜磁気ヘッドの形成に要
する時間を短縮することができる。特に、VII の場合に
おいて製造工程数が最小（５工程）となり、製造時間の
短縮に係る効果が顕著となる。ただし、前駆上部シール
ド層３７ｐおよび前駆下部磁極層３９ｐの形成方法とし
ては、その形成材料であるパーマロイの組成を適正に制
御する観点から、電解めっき法を用いるようにするのが
好適である。なお、前駆上部シールド層３７ｐおよび前
駆下部磁極層３９ｐの形成方法としては、フレームめっ
き法を用いるようにしてもよい。この場合においても、
比較例の場合よりも製造工程数および使用するマスクの
数を減少させることができる。

【０１３９】なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法に関する上記以外の作用、効果および変形例
等は、上記第１の実施の形態の場合と同様であるので、
その説明を省略する。

【０１４０】以上、いくつかの実施の形態を挙げて本発
明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定さ
れず、種々の変形が可能である。例えば、上記第２の実
施の形態（図２９参照）では、開口部１５０ｕにおける
フレームパターン１５０の内壁面が下地（シールドギャ
ップ膜６）の表面に対してほぼ垂直となるようにした
が、必ずしもこれに限られるものではない。例えば、図
４３に示したように、フレームパターン１５０内壁面が
下地の表面に対して斜面をなすようにしてもよい。この
ような場合においても、フレームパターン１５０を覆う
ように前駆上部シールド層１３７ｐ、前駆非磁性層１３
８ｐおよび前駆下部磁極層１３９ｐを順次形成したの
ち、例えばＣＭＰ法によって少なくともフレームパター
ン１５０が露出するまで全体を研磨することにより、図
４４に示したように、上部シールド層１３７、非磁性層
１３８および下部磁極１３９よりなる３層構造を形成す
ることができる。このような場合には、特に、図３１に
示した場合よりも、フレームパターン１５０の表面と下
地（シールドギャップ膜６）の表面との間の段差部分に
対応する下部磁極１３９の折れ曲がり方が緩やかにな
る。このため、下部磁極１３９の折れ曲がり部分におけ
る結晶異方性の発生が抑制され、磁束透過性の劣化を軽
減させることができる。図４４において、上記の各部位
を形成したのちの製造工程は、図３２以降の工程とほぼ
同様である。なお、上記第１の実施の形態（図２参照）
においても同様に、開口部５０ｕにおけるフレームパタ
ーン５０の内壁面が下地（シールドギャップ膜６）の表
面に対して斜面をなすようにしてもよい。このような場
合においても同様の効果を得ることができる。

【０１４１】また、例えば、上記第１の実施の形態で
は、フレームパターンを形成しない状態において、下部
シールド層３、上部シールド７、上部磁極１４を構成す
る各部位およびコイル接続配線１４ｆｈ等の磁性層部分
をフレームめっき法によって形成するようにしたが、必
ずしもこれに限られるものではない。例えば、上記の各
磁性層部分を下部磁極９を形成した場合と同様の手法に
よって形成するようにしてもよい。このような場合に
は、上記の各磁性層部分の形成に要する製造工程数をそ
れぞれ減少させ、薄膜磁気ヘッドの製造に要する時間を
極めて短縮することができる。なお、このような磁性層
部分の形成方法の変更は、上記第２の実施の形態におい
ても適用可能である。この場合においても、さらなる製
造時間の短縮を実現することができる。

【０１４２】また、例えば、上記第１の実施の形態で
は、図１〜図４に示したように、上部シールド層７と下
部磁極９との間に非磁性層８を配設するようにしたが、
必ずしもこれに限られるものではなく、両者の磁性層部
分の間に非磁性層を配設せずに、上部シールド層と下部
磁極とが一体となるように形成してもよい。具体的に
は、図４５に示したように、シールドギャップ膜６を形
成したのち、シールドギャップ膜６上に開口部２５０ｕ
を有するフレームパターン２５０を形成し、続いて全体
に前駆層１０９ｐを形成する。次に、図４６に示したよ
うに、例えばＣＭＰ法によって少なくともフレームパタ
ーン２５０が露出するまで前駆層１０９ｐを研磨するこ
とにより、フレームパターン２５０の開口部２５０ｕを
埋め込むように上部シールド層兼下部磁極層としての下
部磁極１０９を形成する。この場合におけるシールドギ
ャップ膜６を形成するところまでの工程は、図１に示し
た同工程までと同様であり、また下部磁極１０９の形成
以降の工程は、図５に示した工程以降と同様である。こ
のような場合には、薄膜磁気ヘッドの製造に要する時間
をさらに短縮することができる。ただし、下部磁極１０
９において発生した磁気ノイズがＭＲ膜５に達すること
を回避しようとするならば、上部シールド層／非磁性層
／下部磁極の３層構造を採用するようにするのが好適で
ある。図４５および図４６では、基体１等の図示を省略
し、また絶縁層２についてはその一部分のみを図示して
いる。図４５および図４６において、図１に示した要素
と同一部分には同一の符号を付している。なお、上記第
２の実施の形態においても同様に、上部シールド層３７
と下部磁極３９との間に非磁性層３８を配設せずに、上
部シールド層と下部磁極とが一体になるようにしてもよ
い。この場合においても同様の効果を得ることができ
る。ここで、前駆層１０９ｐが、本発明の磁性層パター
ンの形成方法における「前駆磁性層」の一具体例に対応
し、下部磁極１０９が、本発明の磁性層パターンの形成
方法における「磁性層パターン」の一具体例に対応す
る。また、前駆層１０９ｐが、本発明の薄膜磁気ヘッド
の製造方法（請求項４）における「前駆磁性層」の一具
体例に対応し、下部磁極１０９が、本発明の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法（請求項４）における「２つの磁性層の
うちの少なくとも一部をなす磁性層パターン」の一具体
例に対応する。

【０１４３】また、上記各実施の形態およびその変形例
では、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明し
たが、本発明は、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有
する記録専用の薄膜磁気ヘッドや記録・再生兼用の誘導
型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドにも適用するこ
とができる。また、本発明は、書き込み用の素子と読み
出し用の素子の積層順序を逆転させた構造の薄膜磁気ヘ
ッドにも適用することができる。

【０１４４】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項３のいずれか１項に記載の磁性層パターンの形成方
法によれば、下地層の表面に所定の形状の開口部を有す
るフレームパターンを形成する第１の工程と、少なくと
もフレームパターンの開口部を含む領域を覆うように、
少なくとも磁性層パターンの前準備層としての前駆磁性
層を形成する第２の工程と、少なくともフレームパター
ンが露出するまで少なくとも前駆磁性層を研磨すること
により磁性層パターンを形成する第３の工程とを含むよ
うにしたので、フレームパターンを形成せずに磁性層パ
ターンを形成する場合よりも、磁性層パターンの形成に
要する製造工程数を削減し、製造に要する時間を短縮す
ることができるという効果を奏する。

【０１４５】特に、請求項３記載の磁性層パターンの形
成方法によれば、第２の工程が、複数の前駆磁性層を形
成する工程と、複数の前駆磁性層の間に挟まれるように
前駆非磁性層を形成する工程とを含み、第３の工程にお
いて、複数の前駆磁性層および前駆非磁性層を研磨する
ようにしたので、複数の前駆磁性層の間に前駆非磁性層
を挟み込むような場合においても、磁性層パターンの形
成に要する製造工程数を削減し、製造に要する時間を短
縮することができるという効果を奏する。また、磁性層
パターンを形成する際には、同時に、前駆非磁性層をパ
ターニングすることもできる。

【０１４６】請求項４に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法によれば、所定の下地層の表面に所定の形状の開口部
を有するフレームパターンを形成する第１の工程と、少
なくともフレームパターンの開口部を含む領域に２つの
磁性層のうちの少なくとも一部をなす磁性層パターンの
前準備層としての前駆磁性層を形成する第２の工程と、
少なくともフレームパターンが露出するまで前駆磁性層
を研磨することにより２つの磁性層のうちの少なくとも
一部を形成する第３の工程とを含むようにしたので、フ
レームパターンを形成せずに前駆磁性層を形成する場合
よりも、２つの磁性層のうちの少なくとも一部の形成に
要する製造工程数を削減することができる。したがっ
て、薄膜磁気ヘッドの製造に要する時間を短縮すること
ができるという効果を奏する。

【０１４７】請求項５ないし請求項７のいずれか１項に
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、所定の下地
層の表面に第３の磁性層を形成する第１の工程と、第３
の磁性層の表面に所定の形状の開口部を有するフレーム
パターンを形成する第２の工程と、少なくともフレーム
パターンの開口部を含む領域を覆うように非磁性層の前
準備層としての前駆非磁性層および第２の磁性層の前準
備層としての前駆磁性層をこの順に形成する第３の工程
と、少なくともフレームパターンが露出するまで前駆非
磁性層および前駆磁性層を研磨することにより非磁性層
および第２の磁性層を形成する第４の工程とを含むよう
にしたので、フレームパターンを形成せずに前駆非磁性
層および前駆磁性層を形成する場合よりも、非磁性層お
よび第２の磁性層の形成に要する製造工程数を削減する
ことができる。したがって、薄膜磁気ヘッドの製造に要
する時間を短縮することができるという効果を奏する。

【０１４８】特に、請求項６記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法によれば、第３の磁性層をめっき膜の成長により
形成し、前駆非磁性層および前駆磁性層の双方をスパッ
タリングにより形成するようにしたので、第３の磁性層
の組成を適正に制御し、磁気ノイズ等の発生を回避する
ことができるという効果を奏する。

【０１４９】また、請求項７記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法によれば、第３の磁性層および前駆磁性層の双方
をめっき膜の成長により形成し、前駆非磁性層をスパッ
タリングにより形成するようにしたので、第３の磁性層
および第２の磁性層のそれぞれの組成を適正に制御し、
磁気ノイズ等の発生を回避することができるという効果
を奏する。

【０１５０】請求項８ないし請求項１０のいずれか１項
に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、所定の下
地層の表面に所定の形状の開口部を有するフレームパタ
ーンを形成する第１の工程と、少なくともフレームパタ
ーンの開口部を含む領域を覆うように第３の磁性層の前
準備層としての第１の前駆磁性層、非磁性層の前準備層
としての前駆非磁性層および第２の磁性層の前準備層と
しての第２の前駆磁性層をこの順に形成する第２の工程
と、少なくともフレームパターンが露出するまで第１の
前駆磁性層、前駆非磁性層および第２の前駆磁性層を研
磨することにより第３の磁性層、非磁性層および第２の
磁性層を形成する第３の工程とを含むようにしたので、
フレームパターンを形成せずに第１の前駆磁性層、前駆
非磁性層および第２の前駆磁性層を形成する場合より
も、第３の磁性層、非磁性層および第２の磁性層の形成
に要する製造工程数を削減することができる。したがっ
て、薄膜磁気ヘッドの製造に要する時間を短縮すること
ができるという効果を奏する。

【０１５１】特に、請求項９記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法によれば、第１の前駆磁性層をめっき膜の成長に
より形成し、前駆非磁性層および第２の前駆磁性層の双
方をスパッタリングにより形成するようにしたので、第
３の磁性層の組成を適正に制御し、磁気ノイズ等の発生
を回避することができるという効果を奏する。

【０１５２】また、請求項１０記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、第１の前駆磁性層および第２の前駆
磁性層の双方をめっき膜の成長により形成し、前駆非磁
性層をスパッタリングにより形成するようにしたので、
第３の磁性層および第２の磁性層のそれぞれの組成を適
正に制御し、磁気ノイズ等の発生を回避することができ
るという効果を奏する。

【０１５３】また、請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、非磁性層および第３の磁性層とし
て、第２の磁性層を他の領域から磁気的に分離可能なも
のを用いるようにしたので、第２の磁性層を他の領域か
ら磁気的に分離することができる。

【０１５４】また、請求項１２または請求項１３に記載
の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、非磁性材料を用
いてフレームパターンを形成するようにしたので、周囲
から磁気的に分離された磁性層パターンを形成すること
ができるという効果を奏する。

【０１５５】また、請求項１４記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、フレームパターンを反応性イオンエ
ッチングにより形成するようにしたので、イオンミリン
グを用いる場合よりも、フレームパターンを短時間で形
成することができるという効果を奏する。この点もま
た、薄膜磁気ヘッドの製造時間の短縮に寄与することと
なる。

【０１５６】また、請求項１５載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法によれば、第１の磁性層および第２の磁性層のう
ちの少なくとも一部の形成材料として、ニッケル鉄また
は窒化鉄のいずれかを含む材料を用いるようにしたの
で、第１の磁性層および第２の磁性層のうちの少なくと
も一部の内部における磁束の伝搬を円滑化させることが
できるという効果を奏する。

【０１５７】また、請求項１６または請求項１７に記載
の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第１の磁性層お
よび第２の磁性層のうちの少なくとも一部の形成材料と
して、コバルト鉄合金またはジルコニウムコバルト鉄合
金などのアモルファス合金を含む材料を用いるようにし
たので、第１の磁性層および第２の磁性層のうちの少な
くとも一部の内部における磁束の伝搬を円滑化させるこ
とができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。

【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図７】図６に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図８】図７に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図９】図８に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図１０】図２に示した断面図に対応する平面図であ
る。

【図１１】図４に示した断面図に対応する平面図であ
る。

【図１２】図５に示した断面図に対応する斜視図であ
る。

【図１３】図６に示した断面図に対応する斜視図であ
る。

【図１４】図９に示した断面図に対応する斜視図であ
る。

【図１５】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面構造を表す平面図である。

【図１６】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方
法に対する比較例としての薄膜磁気ヘッドの製造方法に
おける一工程を説明するための断面図である。

【図１７】図１６に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１８】図１７に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１９】図１８に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２０】図１９に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２１】図２０に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２２】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方
法および比較例としての薄膜磁気ヘッドの製造方法のそ
れぞれの製造工程数および使用するマスクの数を説明す
るための図である。

【図２３】図２２に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２４】図２３に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２５】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの変形例を説明するための図である。

【図２６】図２５に示した変形例としての薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。

【図２７】図２６に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２８】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの他の変形例を表す斜視図である。

【図２９】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。

【図３０】図２９に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３１】図３０に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３２】図３１に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３３】図３２に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３４】図３３に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３５】図３４に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３６】図２９に示した断面図に対応する平面図であ
る。

【図３７】図３１に示した断面図に対応する平面図であ
る。

【図３８】図３２に示した断面図に対応する平面図であ
る。

【図３９】図３３に示した断面図に対応する斜視図であ
る。

【図４０】図３５に示した断面図に対応する斜視図であ
る。

【図４１】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面構造を表す平面図である。

【図４２】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの変形例を説明するための図である。

【図４３】本発明の第２の実施の形態における薄膜磁気
ヘッドの製造方法の他の変形例における一工程を説明す
るための断面図である。

【図４４】図４３に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図４５】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法のさらに他の変形例における一工程を説
明するための断面図である。

【図４６】図４５に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【符号の説明】

１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４，６…
シールドギャップ膜、５…ＭＲ膜、７，３７，１３７…
上部シールド層、３７ｐ，１３７ｐ…前駆上部シールド
層、８，３８，８１，１３８…非磁性層、８ｐ，３８
ｐ，８１ｐ，１３８ｐ…前駆非磁性層、９，３９，７
９，９１，１０９，１３９…下部磁極、９ｐ，３９ｐ，
７９ｐ，１３９ｐ…前駆下部磁極層、１２，４０…記録
ギャップ層、１３…絶縁膜パターン、１４，４３…上部
磁極、１４ａ，４３ａ…上部ポールチップ，１４ａ(1)
，４３ａ(1) …先端部、１４ａ(2) …中間部、１４ａ
(3) ，４３ａ(2) …後端部、１４ｂ，１４ｄ，４３ｂ…
磁路接続部、１４ｃ…中間接続部、１４ｅ，４３ｅ…中
間接続パターン、１４ｆ，４３ｆ…上部ヨーク、１４ｆ
(1) ，４３ｆ(1) …ヨーク部、１４ｆ(2) ，４３ｆ(2)
…接続部、１４ｆｈ，４３ｆｈ…コイル接続配線、１
５，１７，１８，２０，２１，４２，４４，６５…絶縁
膜、１６，１９，４１…薄膜コイル、１６ｓ，１９ｓ
ａ，４１ｓ…コイル接続部、１８ｐ，２１ｐ，４４ｐ，
６５ｐ…アルミナ層、１９ｓｂ…配線接続部、２２，４
５…オーバーコート層、５０，１５０，２５０…フレー
ムパターン、５０ｐ…前駆フレームパターン層、５０
ｕ，５１ｕ，６２ｕ，１５０ｕ，２５０ｕ…開口部、５
１…マスク、６１，７１…電極膜、６２…フォトレジス
トパターン、６３…エッチングマスク、９０…エアベア
リング面、１００，２００…磁極部分、１０９ｐ…前駆
層、ＴＨ…スロートハイト、ＭＲＨ…ＭＲハイト。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定の下地層の表面に磁性層パターンを
形成するための磁性層パターンの形成方法であって、前記下地層の表面に、所定の形状の開口部を有するフレ
ームパターンを形成する第１の工程と、少なくとも前記フレームパターンの開口部を含む領域を
覆うように、少なくとも前記磁性層パターンの前準備層
としての前駆磁性層を形成する第２の工程と、少なくとも前記フレームパターンが露出するまで、少な
くとも前記前駆磁性層を研磨することにより、前記磁性
層パターンを形成する第３の工程とを含むことを特徴と
する磁性層パターンの形成方法。
【請求項２】前記フレームパターンの形成材料として
非磁性材料を用いることを特徴とする請求項１記載の磁
性層パターンの形成方法。
【請求項３】前記第２の工程は、複数の前駆磁性層を形成する工程と、前記複数の前駆磁性層の間に挟まれるように前駆非磁性
層を形成する工程とを含み、前記第３の工程において、前記複数の前駆磁性層および
前記前駆非磁性層を研磨することを特徴とする請求項１
または請求項２に記載の磁性層パターンの形成方法。
【請求項４】記録媒体に対向する記録媒体対向面側の
一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極を含
む、互いに磁気的に連結された２つの磁性層と、これら
の２つの磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コ
イル部とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
所定の下地層の表面に、所定の形状の開口部を有するフ
レームパターンを形成する第１の工程と、少なくとも前記フレームパターンの開口部を含む領域を
覆うように、前記２つの磁性層のうちの少なくとも一部
をなす磁性層パターンの前準備層としての前駆磁性層を
形成する第２の工程と、少なくとも前記フレームパターンが露出するまで前記前
駆磁性層を研磨することにより、前記２つの磁性層のう
ちの少なくとも一部を形成する第３の工程とを含むこと
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】記録媒体に対向する記録媒体対向面側の
一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極を含
む、互いに磁気的に連結された第１の磁性層および第２
の磁性層と、これらの２つの磁性層の間に絶縁層を介し
て配設された薄膜コイル部と、前記第２の磁性層の配設
領域側に所定の基体を支持部材として配設された非磁性
層および第３の磁性層とを有する薄膜磁気ヘッドの製造
方法であって、所定の下地層の表面に前記第３の磁性層を形成する第１
の工程と、前記第３の磁性層の表面に、所定の形状の開口部を有す
るフレームパターンを形成する第２の工程と、少なくとも前記フレームパターンの開口部を含む領域を
覆うように、前記非磁性層の前準備層としての前駆非磁
性層および前記第２の磁性層の前準備層としての前駆磁
性層をこの順に形成する第３の工程と、少なくとも前記フレームパターンが露出するまで前記前
駆非磁性層および前記前駆磁性層を研磨することによ
り、前記非磁性層および前記第２の磁性層を形成する第
４の工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
造方法。
【請求項６】前記第３の磁性層をめっき膜の成長によ
り形成し、前記前駆非磁性層および前記前駆磁性層の双方をスパッ
タリングにより形成することを特徴とする請求項５記載
の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】前記第３の磁性層および前記前駆磁性層
の双方をめっき膜の成長により形成し、前記前駆非磁性層をスパッタリングにより形成すること
を特徴とする請求項５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項８】記録媒体に対向する記録媒体対向面側の
一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極を含
む、互いに磁気的に連結された第１の磁性層および第２
の磁性層と、これらの２つの磁性層の間に絶縁層を介し
て配設された薄膜コイル部と、前記第２の磁性層の配設
領域側に所定の基体を支持部材として配設された非磁性
層および第３の磁性層とを有する薄膜磁気ヘッドの製造
方法であって、所定の下地層の表面に、所定の形状の開口部を有するフ
レームパターンを形成する第１の工程と、少なくとも前記フレームパターンの開口部を含む領域を
覆うように、前記第３の磁性層の前準備層としての第１
の前駆磁性層、前記非磁性層の前準備層としての前駆非
磁性層および前記第２の磁性層の前準備層としての第２
の前駆磁性層をこの順に形成する第２の工程と、少なくとも前記フレームパターンが露出するまで前記第
１の前駆磁性層、前記前駆非磁性層および前記第２の前
駆磁性層の表面を研磨することにより、前記第３の磁性
層、前記非磁性層および前記第２の磁性層を形成する第
３の工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
造方法。
【請求項９】前記第１の前駆磁性層をめっき膜の成長
により形成し、前記前駆非磁性層および前記第２の前駆磁性層の双方を
スパッタリングにより形成することを特徴とする請求項
８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】前記第１の前駆磁性層および前記第２
の前駆磁性層の双方をめっき膜の成長により形成し、前記前駆非磁性層をスパッタリングにより形成すること
を特徴とする請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項１１】前記非磁性層および前記第３の磁性層
として、前記第２の磁性層を他の領域から磁気的に分離
可能なものを用いることを特徴とする請求項５ないし請
求項１０のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法。
【請求項１２】前記フレームパターンの形成材料とし
て、所定の非磁性材料を用いることを特徴とする請求項
４ないし請求項１１のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
【請求項１３】前記非磁性材料として、酸化アルミニ
ウムまたはシリコン酸化物のいずれかを含む材料を用い
ることを特徴とする請求項１２記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法。
【請求項１４】前記フレームパターンを反応性イオン
エッチングにより形成することを特徴とする請求項４な
いし請求項１３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド
の製造方法。
【請求項１５】前記第１の磁性層および前記第２の磁
性層のうちの少なくとも一部の形成材料として、ニッケ
ル鉄または窒化鉄のいずれかを含む材料を用いることを
特徴とする請求項４ないし請求項１４のいずれか１項に
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１６】前記第１の磁性層および前記第２の磁
性層のうちの少なくとも一部の形成材料として、アモル
ファス合金を含む材料を用いることを特徴とする請求項
４ないし請求項１４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
【請求項１７】前記アモルファス合金として、コバル
ト鉄合金またはジルコニウムコバルト鉄合金のいずれか
を用いることを特徴とする請求項１６記載の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。