JP2001143221A

JP2001143221A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

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Publication number: JP2001143221A
Application number: JP32338699A
Authority: JP
Inventors: Yoshitaka Sasaki; 芳高佐々木
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Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1999-11-12
Filing date: 1999-11-12
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Abstract

(57)【要約】【課題】磁極幅を縮小化した場合においても、磁極幅
の正確な制御を可能にすると共に、十分なオーバーライ
ト特性が得られる薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を
提供する。【解決手段】上部磁極１５における、中間部１５ｂと
記録媒体の記録トラック幅を規定する先端部１５ａとの
連結部は、スロートハイトＴＨを規定する際の基準位置
となるスロートハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）よりもエ
アベアリング面２０に近い側に位置する。中間部１５ｂ
のうち、少なくとも、スロートハイトゼロ位置（ＴＨ０
位置）と先端部１５ａの後端部との間の部分は、先端部
１５ａの幅Ｗ１より大きい幅Ｗ２を有する。中間部１５
ｂの存在により、先端部１５ａに流入する磁束の飽和現
象を回避できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも書き込
み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）と記す。）素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異方
性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic Magneto Resi
stive ）と記す。）効果を用いたＡＭＲ素子と、巨大磁
気抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive ）と
記す。）効果を用いたＧＭＲ素子とがある。ＡＭＲ素子
を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッドあるいは単にＭＲヘ
ッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＧＭＲ
ヘッドと呼ばれる。ＡＭＲヘッドは、面記録密度が１ギ
ガビット／（インチ）²を超える再生ヘッドとして利用
され、ＧＭＲヘッドは、面記録密度が３ギガビット／
（インチ）²を超える再生ヘッドとして利用されてい
る。

【０００３】ＡＭＲヘッドは、ＡＭＲ効果を有するＡＭ
Ｒ膜を備えている。ＧＭＲヘッドは、ＡＭＲ膜を、ＧＭ
Ｒ効果を有するＧＭＲ膜に置き換えたもので、構造上は
ＡＭＲヘッドと同様である。ただし、ＧＭＲ膜は、ＡＭ
Ｒ膜よりも、同じ外部磁界を加えたときに大きな抵抗変
化を示す。このため、ＧＭＲヘッドは、ＡＭＲヘッドよ
りも、再生出力を３〜５倍程度大きくすることができる
と言われている。

【０００４】再生ヘッドの性能を向上させる方法として
は、ＭＲ膜をＡＭＲ膜からＧＭＲ膜等の磁気抵抗感度の
優れた材料に変える方法や、ＭＲ膜のパターン幅、特
に、ＭＲハイトを適切化する方法等がある。このＭＲハ
イトとは、ＭＲ素子のエアベアリング面側の端部から反
対側の端部までの長さ（高さ）をいい、エアベアリング
面の加工の際の研磨量によって制御されるものである。
なお、ここにいうエアベアリング面は、薄膜磁気ヘッド
の、磁気記録媒体と対向する面であり、トラック面とも
呼ばれる。

【０００５】一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記
録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性
能を決定する要因としては、スロートハイト（Throat H
eight ：ＴＨ）がある。スロートハイトは、エアベアリ
ング面から、磁束発生用の薄膜コイルを電気的に分離す
る絶縁層のエッジまでの磁極部分の長さ（高さ）をい
う。記録ヘッドの性能向上のためには、スロートハイト
の縮小化が望まれている。このスロートハイトも、エア
ベアリング面の加工の際の研磨量によって制御される。

【０００６】記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高め
るには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必
要がある。このためには、記録ギャップ（write gap)を
挟んでその上下に形成された下部磁極（ボトムポール）
および上部磁極（トップポール）のエアベアリング面で
の幅を数ミクロンからサブミクロンオーダーまで狭くし
た狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があり、
これを達成するために半導体加工技術が利用されてい
る。

【０００７】ここで、図３０ないし図３５を参照して、
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。

【０００８】この製造方法では、まず、図３０に示した
ように、例えばアルティック（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）よ
りなる基板１０１上に、例えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）
よりなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで
堆積する。次に、絶縁層１０２上に、再生ヘッド用の下
部シールド層１０３を形成する。次に、下部シールド層
１０３上に、例えばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚
みでスパッタ堆積し、シールドギャップ膜１０４を形成
する。次に、シールドギャップ膜１０４上に、再生用の
ＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜１０５を、数十ｎｍの
厚みに形成し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形
状にパターニングする。次に、ＭＲ膜１０５の両側に、
このＭＲ膜１０５と電気的に接続する引き出し電極層と
してのリード層（図示せず）を形成したのち、このリー
ド層、シールドギャップ膜１０４およびＭＲ膜１０５上
に、シールドギャップ膜１０６を形成し、ＭＲ膜１０５
をシールドギャップ膜１０４，１０６内に埋設する。次
に、シールドギャップ膜１０６上に、再生ヘッドと記録
ヘッドの双方に用いる磁気材料、例えばパーマロイ（Ｎ
ｉＦｅ）からなる上部シールド兼下部磁極（以下、下部
磁極と記す。）１０７を形成する。

【０００９】次に、図３１に示したように、下部磁極１
０７上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録ギャ
ップ層１０８を形成し、この記録ギャップ層１０８上
に、フォトレジスト膜１０９を、高精度のフォトリソグ
ラフィで所定のパターンに形成する。次に、フォトレジ
スト膜１０９上に、例えばめっき法により、例えば銅
（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄
膜コイル１１０を形成する。次に、フォトレジスト膜１
０９およびコイル１１０を覆うようにして、フォトレジ
スト膜１１１を、高精度のフォトリソグラフィで所定の
パターンに形成する。次に、フォトレジスト膜１１１の
平坦化およびコイル１１０間の絶縁化のために、例えば
２５０°Ｃの温度で加熱処理する。次に、フォトレジス
ト膜１１１上に、例えばめっき法により、例えば銅より
なる第２層目の薄膜コイル１１２を形成する。次に、フ
ォトレジスト膜１１１およびコイル１１２の上に、フォ
トレジスト膜１１３を、高精度のフォトリソグラフィで
所定のパターンに形成し、フォトレジスト膜１１３の平
坦化およびコイル１１２間の絶縁化のために、例えば２
５０°Ｃの温度で加熱処理する。

【００１０】次に、図３２に示したように、コイル１１
０，１１２よりも後方（図３２における右側）の位置に
おいて、磁路形成のために、記録ギャップ層１０８を部
分的にエッチングして開口部１０８ａを形成する。次
に、記録ギャップ層１０８およびフォトレジスト膜１０
９，１１１，１１３上に、記録ヘッド用の磁気材料、例
えばパーマロイからなる上部ヨーク兼上部磁極（以下、
上部磁極と記す。）１１４を選択的に形成する。この上
部磁極１１４は、上記した開口部１０８ａにおいて下部
磁極１０７と接触し、磁気的に連結している。次に、上
部磁極１１４をマスクとして、イオンミリングによっ
て、記録ギャップ層１０８と下部磁極１０７を、約０．
５μｍ程度エッチングした後、上部磁極１１４上に、例
えばアルミナよりなるオーバーコート層１１５を形成す
る。最後に、スライダの機械加工を行って、記録ヘッド
および再生ヘッドのトラック面、すなわちエアベアリン
グ面１２０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。

【００１１】図３３〜図３５は、完成した状態の薄膜磁
気ヘッドの構造を表すものである。ここで、図３３はエ
アベアリング面１２０に垂直な薄膜磁気ヘッドの断面を
示し、図３４は磁極部分のエアベアリング面１２０に平
行な断面を拡大して示し、図３５は平面図を示す。な
お、図３２は、図３５におけるＸＸＸＩＩ−ＸＸＸＩＩ
線に沿った矢視断面に対応する。図３３〜図３５では、
オーバーコート層１１５の図示を省略している。

【００１２】薄膜磁気ヘッドの性能を向上させるには、
図３３および図３４に示したスロートハイトＴＨ、エイ
ペックスアングル（Apex Angle）θ、磁極幅Ｐ２Ｗおよ
び磁極長Ｐ２Ｌを正確に形成することが重要である。こ
こで、エイペックスアングルθは、フォトレジスト膜１
０９，１１１，１１３のトラック面側の側面の角部を結
ぶ直線と上部磁極１１４の上面とのなす角度である。磁
極幅Ｐ２Ｗは、記録媒体上の記録トラック幅を規定する
ものである。磁極長Ｐ２Ｌは磁極の厚さを表している。
また、図３３および図３５において、「ＴＨ０位置」と
あるのは、薄膜コイル１１０，１１２を電気的に分離す
るための絶縁層であるフォトレジスト膜１０９のエアベ
アリング面１２０側の端縁の位置であり、スロートハイ
トＴＨを規定する際の基準位置となるスロートハイトゼ
ロ位置を示している。

【００１３】図３４に示したように、上部磁極１１４、
記録ギャップ層１０８および下部磁極１０７の一部の各
側壁が垂直に自己整合的に形成された構造は、トリム
（Ｔｒｉｍ）構造と呼ばれる。このトリム構造によれ
ば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりに
よる実効トラック幅の増加を防止することができる。な
お、図３４に示したように、ＭＲ膜１０５の両側には、
このＭＲ膜１０５と電気的に接続する引き出し電極層と
してのリード層１２１が設けられている。ただし、図３
０〜図３３ではリード層１２１の図示を省略している。

【００１４】図３６は、上部磁極１１４の平面構造を表
すものである。図３６に示したように、上部磁極１１４
は、その大部分を占めるヨーク部１１４ａと、磁極幅Ｐ
２Ｗとしてほぼ一定の幅Ｗ１００を有するポールチップ
部１１４ｂとを有している。ヨーク部１１４ａとポール
チップ部１１４ｂとの連結部分において、ヨーク部１１
４ａの外縁はエアベアリング面１２０と平行な面に対し
て角度αをなし、また、上記連結部分において、ポール
チップ部１１４ｂの外縁は、エアベアリング面１２０と
平行な面に対して角度βをなしている。ここで、αは、
例えば４５度程度であり、βは９０度である。ポールチ
ップ部１１４ｂの幅は、記録媒体上の記録トラック幅を
規定するものである。ポールチップ部１１４ｂは、ＴＨ
０位置よりも前方側（エアベアリング面１２０側）の部
分Ｆと、ＴＨ０位置よりも後方側（ヨーク部１１４ａ
側）の部分Ｒとを含んでいる。図３３から判るように、
部分Ｆは、平坦な記録ギャップ層１０８の上に延在し、
部分Ｒおよびヨーク部１１４ａは、フォトレジスト膜１
０９，１１１，１１３で覆われて丘陵状に盛り上がった
コイル部分（以下、「エイペックス部」という。）の上
に延在している。

【００１５】なお、上部磁極の形状的特徴に関しては、
例えば、特開平８−２４９６１４号公報に記載がある。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】磁極幅Ｐ２Ｗは、記録
ヘッドの記録トラック幅を決定するため、正確な形成が
要求される。特に、近年は、高面密度記録を可能とする
ため、すなわち、狭トラック構造の記録ヘッドを形成す
るために、上部磁極の磁極幅Ｐ２Ｗを１．０μｍ以下の
寸法にするという微細加工が要求される。

【００１７】上部磁極を形成する方法としては、例え
ば、特開平７−２６２５１９号公報に示されるように、
フレームめっき法が用いられる。フレームめっき法を用
いて上部磁極１１４を形成する場合は、まず、エイペッ
クス部の上に、全体的に、例えばパーマロイよりなる薄
い電極膜を、例えばスパッタリングによって形成する。
次に、この電極膜上にフォトレジストを塗布してフォト
レジスト膜を形成し、フォトリソグラフィ工程によりフ
ォトレジスト膜を所望の形状にパターニングして、めっ
き法により上部磁極を形成するためのフレーム（外枠）
となるフォトレジストパターンを形成する。そして、先
に形成した電極膜をシード層とすると共に、フォトレジ
ストパターンをマスクとして、めっき法によって上部磁
極１１４を形成する。

【００１８】ところで、エイペックス部と他の部分とで
は、例えば７〜１０μｍ以上の高低差がある。このエイ
ペックス部上に、フォトレジストを３〜４μｍの厚みで
塗布する。エイペックス部上のフォトレジストの膜厚が
最低３μｍ以上必要であるとすると、流動性のあるフォ
トレジストは低い方に集まることから、エイペックス部
の下方では、例えば８〜１０μｍ以上の厚みのフォトレ
ジスト膜が形成されることとなる。

【００１９】上記のように狭トラックを形成するために
は、フォトレジスト膜によって１．０μｍ程度の幅のフ
レームパターンを形成する必要がある。すなわち、８〜
１０μｍ以上の厚みのあるフォトレジスト膜によって、
１．０μｍもしくはそれ以下の幅の微細なパターンを形
成しなければならない。ところが、このような厚い膜厚
のフォトレジストパターンを狭パターン幅で形成するこ
とは製造工程上極めて困難であった。

【００２０】しかも、フォトリソグラフィの露光時に、
露光用の光が、シード層としての下地電極膜で反射し、
この反射光によってもフォトレジスト膜が感光して、フ
ォトレジストパターンのパターン形状にくずれ等が生
じ、シャープかつ正確なパターン形状を有するフォトレ
ジストパターンが得られなくなる。その結果、上部磁極
の側壁が丸みを帯びた形状になる等、上部磁極を所望の
形状に形成できなくなる。特に、図３７に示したよう
に、磁極幅Ｐ２Ｗをさらに微小化してＷ１００Ａとした
ときには、この所望の幅Ｗ１００Ａを得ることがさらに
困難となる。これは、ポールチップ部１１４ｂのうち、
エイペックス部上に延在している部分Ｒでは、下地電極
膜で反射して戻ってくる反射光には、垂直方向の反射光
のみならず、エイペックス部の斜面からの斜め方向また
は横方向からの反射光も含まれており、これらの反射光
がフォトレジスト膜の感光に影響を与える結果、磁極幅
Ｐ２Ｗを規定するフォトレジストパターンのパターン幅
が所期の値よりも大きくなり、その形状が図３７におけ
る破線で示したような形になってしまうからである。ポ
ールチップ部１１４ｂの中でも、ＴＨ０位置より前方
（エアベアリング面１２０側）の部分Ｆの幅は、記録媒
体上のトラック幅を規定する上で極めて重要なファクタ
である。このため、部分Ｆの幅が上記した値Ｗ１００Ａ
よりも大きくなると、目標とする微小なトラック幅を得
ることができない。

【００２１】このような問題は、上記の特開平８−２４
９６１４号公報に記載された磁気ヘッドにおいても同様
に存在する。この公報に記載された磁気ヘッドでは、Ｔ
Ｈ０位置からヨーク部に向かって磁極幅がなだらかに変
化しているので、エイペックス部の斜面からの斜め方向
または横方向からの反射光がフォトレジスト膜の感光に
与える影響により、ＴＨ０位置より前方（エアベアリン
グ面１２０側）の部分の幅を正確に制御できないからで
ある。

【００２２】また、図３７に示したように、ポールチッ
プ部１１４ｂのうち、ＴＨ０位置からヨーク部１１４ａ
との連結部までの部分Ｒは、ＴＨ０位置の前方（エアベ
アリング面１２０側）の部分Ｆとほぼ同じ幅となってい
て、その断面積が小さいため、ヨーク部１１４ａからの
磁束が部分Ｒで飽和してしまい、トラック幅を規定する
部分Ｆにまで十分に到達することができない。このた
め、オーバーライト特性、すなわち、記録媒体上に既に
書き込んである上からさらにデータを重ね書きする場合
の特性が、例えば１０〜２０ｄＢ程度と低い値となり、
十分なオーバーライト特性を確保することができないと
いう問題があった。

【００２３】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、磁極幅を縮小化した場合において
も、磁極幅の正確な制御を可能にすると共に、十分なオ
ーバーライト特性を得ることができる薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法を提供することにある。

【００２４】

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、記録媒体に対向する記録媒体対向面側の一部に、ギ
ャップ層を介して対向する２つの磁極を含む、互いに磁
気的に連結された２つの磁性層と、これらの２つの磁性
層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コイルとを有す
る薄膜磁気ヘッドであって、上記２つの磁性層のうち一
方の磁性層が、記録媒体対向面からこの面と離れる長さ
方向に延在すると共に記録媒体の記録トラック幅を規定
する一定幅を有する第１の磁性層部分と、第１の磁性層
部分における記録媒体対向面から遠い側の後端部におい
て第１の磁性層部分と磁気的に連結する第２の磁性層部
分とを含み、第１の磁性層部分と第２の磁性層部分との
連結部が、絶縁層の記録媒体対向面に近い側の前端縁よ
りも記録媒体対向面に近い側に位置し、かつ、第２の磁
性層部分のうち、少なくとも、絶縁層の前端縁と第１の
磁性層部分の後端部との間の部分が、第１の磁性層部分
の幅よりも大きい幅を有するようにしたものである。

【００２５】本発明の第１の観点による薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、記録媒体に対向する記録媒体対向面側の
一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極を含
む、互いに磁気的に連結された２つの磁性層と、２つの
磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コイルとを
有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、２つの磁性
層のうち一方の磁性層が、記録媒体対向面からこの面と
離れる長さ方向に延在すると共に記録媒体の記録トラッ
ク幅を規定する一定幅を有する第１の磁性層部分と、第
１の磁性層部分における記録媒体対向面から遠い側の後
端部において第１の磁性層部分と磁気的に連結する第２
の磁性層部分とを含み、かつ第１の磁性層部分と第２の
磁性層部分との連結部が、絶縁層の記録媒体対向面に近
い側の前端縁よりも記録媒体対向面に近い側に位置する
ように一方の磁性層を形成すると共に、第２の磁性層部
分のうち、少なくとも、絶縁層の前端縁と第１の磁性層
部分の後端部との間の部分が、第１の磁性層部分の幅よ
りも大きい幅を有するように第２の磁性層部分を形成す
るようにしたものである。

【００２６】本発明の薄膜磁気ヘッドまたは上記第１の
観点による薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１の磁性
層部分の一定幅によって、記録媒体の記録トラックの幅
が規定される。第１の磁性層部分は、その記録媒体対向
面から遠い側の後端部において第２の磁性層部分と磁気
的に連結される。第１の磁性層部分と第２の磁性層部分
との連結部は、絶縁層の記録媒体対向面に近い側の前端
縁よりも、記録媒体対向面に近い側に位置し、かつ、第
２の磁性層部分のうち、少なくとも、絶縁層の前端縁と
第１の磁性層部分の後端部との間の部分は第１の磁性層
部分の幅よりも大きい幅を有するようになっていること
から、この部分に磁気ボリュームが確保される。

【００２７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたは上記
第１の観点による薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１
の磁性層部分と第２の磁性層部分との連結部分に、幅方
向の段差を形成するようにしてもよい。この場合には、
連結部に第１の磁性層部分の延在方向に対して垂直をな
す段差面が形成されるようにしてもよい。さらに、記録
媒体対向面からこの面と離れる長さ方向に延在する磁気
変換機能素子膜を備えた薄膜磁気ヘッドである場合に
は、上記連結部が、磁気変換機能素子膜の後端縁から前
記絶縁層の前端縁までの間に位置するようにするのが好
適である。このとき、記録媒体対向面から絶縁層の前端
縁までの長さは、磁気変換機能素子膜の長さの１．５倍
ないし６倍程度であるようにするのが好適である。

【００２８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたは上記
第１の観点による薄膜磁気ヘッドの製造方法では、一方
の磁性層がさらに、第２の磁性層部分に磁気的に連結さ
れると共に絶縁層を介して薄膜コイルの一部を覆うよう
に延設された第３の磁性層部分を含むようにしてもよ
い。この場合において、第１の磁性層部分、第２の磁性
層部分および第３の磁性層部分を、一連の工程により一
体に形成するようにしてもよい。あるいは、第１の磁性
層部分および第２の磁性層部分を一連の工程により一体
に形成し、第３の磁性層部分を異なる工程により別体と
して形成するようにしてもよい。この場合には、第３の
磁性層部分を、第２の磁性層部分の少なくとも一部とオ
ーバーラップして延在するように形成するようにするの
が好ましい。

【００２９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたは上記
第１の観点による薄膜磁気ヘッドの製造方法では、ギャ
ップ層が表面形状の平坦な領域を有し、薄膜コイルがギ
ャップ層の平坦な領域の上に形成され、絶縁層が薄膜コ
イルの全体とギャップ層の一部とを覆う絶縁膜を含むよ
うにしてもよい。この場合において、絶縁層の前端縁の
位置は、絶縁膜の記録媒体対向面に近い側の端縁によっ
て決定されるようにするのが好ましい。また、第１の磁
性層部分がギャップ層の平坦な領域のうち絶縁膜により
覆われていない領域に延設され、第２の磁性層部分が連
結部から絶縁膜の斜面にかけて延設されるようにするの
が好ましい。この場合には、さらに、第２の磁性層部分
が絶縁膜の斜面上で終端し、絶縁層が、絶縁膜を第２の
磁性層部分の表面と同じ高さまで埋め込むように形成さ
れた他の絶縁膜を含むようにするのが好ましい。

【００３０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたは上記
第１の観点による薄膜磁気ヘッドの製造方法では、２つ
の磁性層のうちの他方の磁性層が、平坦な表面を有する
第４の磁性層部分と、ギャップ層を介して前記第１およ
び第２の磁性層部分に対向して延設されると共に第４の
磁性層部分と磁気的に連結された第５の磁性層部分とを
含むようにして、薄膜コイルが、第４の磁性層部分とギ
ャップ層との間に絶縁層の一部を介して埋設されるよう
にしてもよい。この場合において、絶縁層の前端縁の位
置は、第４の磁性層部分とギャップ層との間を埋めてい
る絶縁層の一部の、記録媒体対向面に近い側の前端縁に
よって決定されるようにするのが好ましい。また、ギャ
ップ層が表面形状の平坦な領域を有し、絶縁層がギャッ
プ層を介して薄膜コイルの側と反対側に形成された絶縁
膜を含む場合には、第１の磁性層部分をギャップ層の平
坦な領域のうち絶縁膜により覆われていない領域に延設
すると共に、第２の磁性層部分を連結部から絶縁膜の斜
面にかけて延設するようにしてもよい。

【００３１】本発明の第２の観点による薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、記録媒体に対向する記録媒体対向面側の
一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極を含
む、互いに磁気的に連結された２つの磁性層と、２つの
磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コイルとを
有し、２つの磁性層のうち一方の磁性層が、記録媒体対
向面からこの面と離れる長さ方向に延在すると共に記録
媒体の記録トラック幅を規定する一定幅を有する第１の
磁性層部分と、第１の磁性層部分における記録媒体対向
面から遠い側の後端部において第１の磁性層部分と磁気
的に連結する第２の磁性層部分とを含む薄膜磁気ヘッド
を製造するための方法であって、表面形状が平坦な領域
を有するギャップ層の上に、このギャップ層の表面に対
して斜面をなす表面を有すると共に絶縁層の少なくとも
一部をなす絶縁膜を形成する工程と、ギャップ層および
絶縁膜を覆うようにしてフォトレジスト層を形成する工
程と、ギャップ層の平坦な領域におけるフォトレジスト
層のうち、第１の磁性層部分に対応する領域を含む第１
の領域を選択的に露光する第１の露光工程と、絶縁膜の
斜面からギャップ層の平坦な領域にかけての領域におけ
るフォトレジスト層のうち、少なくとも、第２の磁性層
部分に対応する第２の領域を選択的に露光する第２の露
光工程とを含み、第１の領域と第２の領域とが部分的に
オーバーラップするようにしたものである。

【００３２】本発明の第２の観点による薄膜磁気ヘッド
の製造方法では、平坦なギャップ層の上に絶縁層の少な
くとも一部をなす絶縁膜が形成されたのち、ギャップ層
および絶縁層を覆うようにしてフォトレジスト層が形成
される。次に、ギャップ層の平坦な領域のフォトレジス
ト層のうち、第１の磁性層部分に対応する領域を含む第
１の領域が選択的に露光される。また、絶縁膜の斜面か
らギャップ層の平坦領域にかけてのフォトレジスト層の
うち、少なくとも、第２の磁性層部分に対応する第２の
領域が、第１の領域と部分的にオーバーラップするよう
に、選択的に露光される。

【００３３】本発明の第２の観点による薄膜磁気ヘッド
の製造方法では、第１の磁性層部分と第２の磁性層部分
との連結部が、絶縁層の記録媒体対向面に近い側の前端
縁よりも記録媒体対向面に近い側に位置し、かつ、第２
の磁性層部分のうち、少なくとも、絶縁層の前端縁と第
１の磁性層部分の後端部との間の部分が、第１の磁性層
部分の幅よりも大きい幅を有するように第２の磁性層部
分を形成するのが好ましい。

【００３４】本発明の第２の観点による薄膜磁気ヘッド
の製造方法では、第１の露光工程により露光される第１
の領域が、記録媒体対向面からこの面と離れる長さ方向
に延在すると共に記録媒体の記録トラック幅を規定する
一定幅を有する一定幅部分と、一定幅部分よりも広い幅
を有すると共に少なくともその一部が第２の領域とオー
バーラップする幅広部分とを含むようにするのが好まし
い。あるいは、第１の領域が、その長さ方向の全域にわ
たって位置によらずほぼ一定の幅を有するようにしても
よい。

【００３５】本発明の第２の観点による薄膜磁気ヘッド
の製造方法では、上記の一方の磁性層がさらに、第２の
磁性層部分に磁気的に連結されると共に絶縁層を介して
薄膜コイルの一部を覆うように延設される第３の磁性層
部分を含むものである場合には、第２の露光工程におい
て第３の磁性層部分に対応する領域をも同時に露光する
ようにするのが好ましい。この場合には、さらに、露光
された第１および第２の領域を一括して現像することに
より第１のフォトレジストパターンを形成する工程と、
この第１のフォトレジストパターンを使用して、第１の
磁性層部分、第２の磁性層部分および第３の磁性層部分
を一体に形成する工程とを含むようにするのが好まし
い。また、上記の一方の磁性層がさらに、第２の磁性層
部分に磁気的に連結されると共に絶縁層を介して薄膜コ
イルの一部を覆うように延設される第３の磁性層部分を
含むものである場合には、さらに、第３の磁性層部分に
対応する領域を露光する第３の露光工程と、第３の露光
工程において露光された領域を現像することにより第３
のフォトレジストパターンを形成する現像工程と、第３
のフォトレジストパターンを使用して、第３の磁性層部
分を形成する工程とを含むようにするのが好ましい。

【００３６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００３７】〔第１の実施の形態〕まず、図１〜図４を
参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方
法について説明する。なお、本実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドは、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法によって具現化されるので、以下併せて説明する。
図１〜図４において、（Ａ）はエアベアリング面に垂直
な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に
平行な断面を示している。

【００３８】以下では、例えば、図１（Ｂ）において、
エアベアリング面に平行な方向のうち、図中の右方向ま
たは左方向における距離を「幅」と表記すると共に、例
えば、図１（Ａ）において、エアベアリング面に垂直な
方向（図中の右方向または左方向）における距離を「長
さ」として表記するものとする。また、例えば、図１
（Ａ）および（Ｂ）において、図中の上方向または下方
向における距離を「厚み」と表記するものとする。さら
に、例えば、図１（Ａ）において、上記の長さ方向にお
けるエアベアリング面に近い側（図中の左側）を「前側
（または前方）」と表記し、一方、エアベアリング面か
ら遠い側（図中の右側）を「後側（または後方）」と表
記するものとする。

【００３９】〈薄膜磁気ヘッドの製造方法〉本実施の形
態に係る製造方法では、まず、図１に示したように、例
えばアルティック（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）からなる基板
１上に、例えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ ₃）よりなる絶縁層
２を、約３〜５μｍ程度の厚みで堆積する。次に、絶縁
層２上に、フォトリソグラフィ工程およびめっき法を用
いて、パーマロイ（ＮｉＦｅ）を約３μｍの厚みで選択
的に形成して、再生ヘッド用の下部シールド層３を形成
する。

【００４０】次に、同図に示したように、下部シールド
層３上に、例えばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚み
でスパッタ堆積し、シールドギャップ膜４を形成する。
次に、シールドギャップ膜４上に、再生ヘッド部の要部
であるＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜５を形成し、高
精度のフォトリソグラフィで所望の形状とする。次に、
ＭＲ膜５の両側に、このＭＲ膜５と電気的に接続する引
き出し電極層としてのリード層（図示せず）を形成した
のち、このリード層、シールドギャップ膜４およびＭＲ
膜５上に、シールドギャップ膜６を形成して、ＭＲ膜５
をシールドギャップ膜４，６内に埋設する。次に、シー
ルドギャップ膜６上に、例えばパーマロイよりなる上部
シールド兼下部磁極（以下、単に「下部磁極」とい
う。）７を、例えば電解めっき法により、約３〜４μｍ
の厚みで選択的に形成する。ここで、上記のＭＲ膜５
が、本発明における「磁気変換機能素子膜」の一具体例
に対応する。

【００４１】次に、図２に示したように、全体に、例え
ばアルミナからなる記録ギャップ層８を約０．１５〜
０．３μｍの厚みに形成する。このとき、記録ギャップ
層８には、後工程において下部磁極７と上部磁極１５と
が接続されるようにするための開口部８ｂをパターン形
成しておく。

【００４２】次に、同図に示したように、記録ギャップ
層８上に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃ
ｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の薄膜コイル１１を
２〜３μｍの厚みに形成する。このとき、薄膜コイル１
１の形成と同時に、薄膜コイル１１よりも後方の領域に
おける記録ギャップ層８上に、コイル接続部１１ｄを薄
膜コイル１１と一体に形成する。このコイル接続部１１
ｄは、薄膜コイル１１を、後工程において形成されるコ
イル接続配線１５ｄ（図４（Ａ））と接続させるための
ものである。ここで、上記の記録ギャップ層８が、本発
明における「ギャップ層」の一具体例に対応し、薄膜コ
イル１１が、本発明における「薄膜コイル」の一具体例
に対応する。

【００４３】次に、図３に示したように、薄膜コイル１
１およびその周辺の記録ギャップ層８を覆うように、例
えばフォトレジストのような加熱により流動性を示す第
１の絶縁膜１２を、高精度のフォトリソグラフィ処理に
より所定のパターンとなるように形成する。この第１の
絶縁膜１２は、エイペックスアングルとスロートハイト
とを規定すると共に、薄膜コイル１１のターン（巻線）
間のギャップを埋め込むためのものである。このとき、
コイル接続部１１ｄの表面と記録ギャップ層８の開口部
８ｂが第１の絶縁膜１２によって覆われないようにす
る。第１の絶縁膜１２の前側の端縁（以下、「前端縁」
という。）は、ＭＲ膜５の後側の端縁（以下、「後端
縁」という。）に対応する位置よりも後方にずれて位置
するようにする。ＭＲ膜５の後端縁から第１の絶縁膜１
２の前端縁までの長さについては、後述する。

【００４４】次に、同図に示したように、薄膜コイル１
１の形成された領域における第１の絶縁膜１２上に、例
えばフォトレジストのような加熱により流動性を示す第
２の絶縁膜１３を選択的に形成する。

【００４５】次に、第１の絶縁膜１２および第２の絶縁
膜１３の平坦化、ならびに薄膜コイル１１のターン間の
絶縁性向上のために、例えば２００°Ｃ程度の温度で加
熱処理を行う。この加熱処理により、図３（Ａ）に示し
たように、第１の絶縁膜１２の前端縁近傍は、丸みを帯
びた斜面をなすこととなる。もちろん、第１の絶縁膜１
２の他の部分の外縁近傍や第２の絶縁膜１３の外縁近傍
もまた、丸みを帯びた斜面をなすようになる。ここで、
上記の第１の絶縁膜１２が本発明（請求項７）における
「絶縁膜」の一具体例に対応し、主として上記の第１の
絶縁膜１２および第２の絶縁膜１３が、本発明における
「絶縁層」の一具体例に対応する。

【００４６】次に、図４に示したように、上部磁極１５
を形成する前に、例えば、スパッタリングにより、電解
めっき法におけるシード層となる電極膜（図示せず）を
約７０ｎｍの厚みに形成する。この電極膜は、例えば、
高飽和磁束密度材のＮｉＦｅ系合金からなるものであ
る。次に、上記の電極膜上に、ポジティブ型のフォトレ
ジスト（以下、単に「フォトレジスト」という。）を塗
布して、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。次
に、所定の平面形状パターンを有する、例えばクロム等
の金属からなるフォトマスクを用いて、フォトレジスト
膜の所定の領域を選択的に露光し、続いて、フォトレジ
スト膜の露光領域を現像することにより、フレームめっ
き法のフレーム（外枠）となるフォトレジストパターン
（図示せず）を形成する。

【００４７】このとき、フォトレジスト膜の選択露光
は、一度に行うのではなく、異なる開口パターンを有す
る複数種類のフォトマスクを用いて複数回に分けて行
い、しかるのち、露光領域全体の現像を一度の現像工程
により行うようにする。特に本実施の形態では、互いに
異なる開口パターンを有する２種類のフォトマスクを同
一のフォトレジスト膜に対して順次使用して、これらの
各フォトマスクの開口部の平面形状に対応するフォトレ
ジスト膜の領域を２回に分けて順次選択的に露光し、最
終的にフォトレジスト膜の露光領域を一括して現像する
ことにより、上部磁極１５の平面形状に対応する平面形
状を有する開口部を備えたフォトレジストパターンを形
成するようにしている。このようなフォトレジストパタ
ーンの形成方法については、後に図７で詳述する。

【００４８】次に、同図に示したように、先工程におい
て形成した電極膜をシード層とし、上記の現像工程によ
り形成されたフォトレジストパターンをマスクとして、
電解めっき法により、上部ヨーク兼上部磁極（以下、上
部磁極と記す。）１５を約３〜５μｍの厚みに形成す
る。その後、フォトレジストパターンを除去する。上部
磁極１５は、開口部８ｂにおいて、下部磁極７と磁気的
に連結される。この上部磁極１５は、例えば、後述する
図５に示したような平面形状を有するが、その形状的特
徴については、後述する。上部磁極１５を形成する際に
は、同時に、コイル接続部１１ｄと図示しない外部回路
とを電気的に接続するためのコイル接続配線１５ｄを形
成する。上部磁極１５およびコイル接続配線１５ｄとし
ては、例えば、高飽和磁性材料であるパーマロイ（Ｎｉ
Ｆｅ）や窒化鉄（ＦｅＮ）等が用いられる。ここで、上
記の上部磁極１５が、本発明における「２つの磁性層の
うち一方の磁性層」の一具体例に対応する。

【００４９】次に、図４（Ｂ）に示したように、例え
ば、塩素系ガス（Ｃｌ₂，ＣＦ₄，ＢＣｌ₂，ＳＦ
₆等）を使用したＲＩＥによるドライエッチングによ
り、第１の絶縁膜１２の前端縁よりも後方の領域に選択
的に形成したフォトレジスト膜（図示せず）と、上部磁
極１５のうち、第１の絶縁膜１２の前端縁よりも前方の
部分とをマスクとして、その周辺の記録ギャップ層８お
よび下部磁極７を自己整合的に約０．５μｍ程度エッチ
ングして、トリム構造を形成する。

【００５０】次に、全体を覆うようにして、例えばアル
ミナよりなるオーバーコート層１６を形成する。最後
に、スライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再
生ヘッドのエアベアリング面２０を形成して、薄膜磁気
ヘッドが完成する。

【００５１】〈薄膜磁気ヘッドの主要部の構造〉図５
は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によ
り製造された薄膜磁気ヘッドの平面構造の概略を表すも
のである。なお、図５では、第２の絶縁膜１３やオーバ
ーコート層１６等の図示を省略している。

【００５２】図５に示したように、第１の絶縁膜１２の
前端縁の位置は、スロートハイトＴＨを決定する際の基
準となる位置、すなわちスロートハイトゼロ位置（ＴＨ
０位置）である。スロートハイトＴＨは、第１の絶縁膜
１２の前端縁の位置（ＴＨ０位置）からエアベアリング
面２０までの長さとして規定される。また、図５に示し
たように、ＭＲハイト（以下、「ＭＲＨ」と表記す
る。）は、ＭＲ膜５の後端縁の位置からエアベアリング
面２０までの長さである。なお、以下では、ＭＲ膜５の
後端縁の位置をＭＲハイトゼロ位置と称し、「ＭＲＨ０
位置」と表記する。スロートハイトＴＨは、ＭＲハイト
（ＭＲＨ）の１．５倍〜６倍（１５０％〜６００％）に
相当する長さであることが望ましく、特に１．５倍〜２
倍（１５０％〜２００％）であるのがより好ましい。例
えば、ＭＲＨ＝０．５μｍの場合には、ＴＨ＝０．７５
μｍ〜３．０μｍであることが望ましく、特に０．７５
μｍ〜１．０μｍであるのがより好ましい。なお、図４
（Ａ）は、図５におけるＩＶＡ−ＩＶＡ線に沿った矢視
断面に相当する。

【００５３】図６は、上部磁極１５の平面構造を表すも
のである。この図に示したように、上部磁極１５は、エ
アベアリング面２０側から順に、先端部１５ａ（幅Ｗ
１）と中間部１５ｂ（幅Ｗ２）とヨーク部１５ｃ（幅Ｗ
３）とを連結するようにして構成されている。上記の各
部位の幅はＷ３＞Ｗ２＞Ｗ１となっている。各部位の各
幅方向の中心は互いに一致している。先端部１５ａおよ
び中間部１５ｂの幅（Ｗ１およびＷ２）は、長さ方向に
おいてほぼ一定である。先端部１５ａの幅Ｗ１は、図３
５に示した磁極幅Ｐ２Ｗに相当し、記録媒体上の記録ト
ラック幅を規定するものである。ここで、上部磁極１５
の先端部１５ａが、本発明における「第１の磁性層部
分」の一具体例に対応し、中間部１５ｂが、本発明にお
ける「第２の磁性層部分」の一具体例に対応し、ヨーク
部１５ｃが、本発明における「第３の磁性層部分」の一
具体例に対応する。

【００５４】ヨーク部１５ｃの前方部分は、その幅がＷ
３からＷ２まで徐々に狭まるようになっている。中間部
１５ｂとヨーク部１５ｃとの連結部分において、ヨーク
部１５ｃの前方部分の外縁Ｇ３は、エアベアリング面２
０と平行な面に対して角度αをなしている。また、上記
連結部分において、中間部１５ｂの側縁面Ｓ２は、エア
ベアリング面２０と平行な面に対して角度βをなしてい
る。本実施の形態において、角度αは、例えば約４５度
であり、角度βは、例えば約９０度である。

【００５５】先端部１５ａと中間部１５ｂとの連結部分
には、幅方向の段差が形成されている。この段差部にお
ける中間部１５ｂ側の端縁面（以下、「段差面」とい
う。）２１は、中間部１５ｂの側縁面Ｓ２と角度γをな
すと共に、先端部１５ａの側縁面Ｓ１と角度δをなして
いる。本実施の形態では、上記の角度γおよび角度δ
は、共に約９０度である。すなわち、先端部１５ａの側
縁面Ｓ１と段差面２１とが交わる角部１５ｅは、丸みの
ない直角形状をなしている。段差面２１は、エアベアリ
ング面２０と平行である。

【００５６】ここで、再び図５を参照して、本発明の薄
膜磁気ヘッドの構造的特徴の１つである、先端部１５ａ
と中間部１５ｂとの連結部における段差面２１の位置に
ついて説明する。

【００５７】図５に示したように、段差面２１は、第１
の絶縁膜１２の前端縁の位置（ＴＨ０位置）よりも前方
で、かつＭＲ膜５の後端縁の位置（ＭＲＨ０位置）より
も後方に位置する。ＭＲＨ０位置から段差面２１までの
長さＬ１１は、例えば０．２５μｍ〜２．５μｍ程度、
より好ましくは０．２５μｍ〜０．５μｍ程度である。

【００５８】図４〜図６から判るように、先端部１５ａ
は、平坦な記録ギャップ層８上に延在し、中間部１５ｂ
およびヨーク部１５ｃは、主として、第１の絶縁膜１２
および第２の絶縁膜１３からなる丘陵状に盛り上がった
エイペックス部の上に延在している。

【００５９】なお、図６に示した各部の寸法としては、
例えば次のような値が好適である。先端部１５ａの長さＬ１＝０．３〜０．８μｍ中間部１５ｂの長さＬ２＝３．０〜５．０μｍヨーク部１５ｃの長さＬ３＝１０．０〜４０．０μｍ先端部１５ａの幅Ｗ１＝０．２〜０．５μｍ中間部１５ｂの幅Ｗ２＝１．２〜３．５μｍヨーク部１５ｃの幅Ｗ３＝１０．０〜２０．０μｍ

【００６０】〈薄膜磁気ヘッドの作用〉次に、本実施の
形態の薄膜磁気ヘッドの作用について説明する。

【００６１】まず、薄膜磁気ヘッドの基本的動作、すな
わち、記録媒体に対するデータの記録動作および記録媒
体からのデータの再生動作について簡単に説明する。

【００６２】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、
情報の記録動作時に薄膜コイル１１に電流が流れると、
これに応じて磁束が発生する。この発生した磁束は、上
部磁極１５内のヨーク部１５ｃから中間部１５ｂを経由
して先端部１５ａへ伝搬する。そして、先端部１５ａに
伝搬した磁束は、さらにそのエアベアリング面２０側の
先端部分に到達し、記録ギャップ層８近傍の外部に記録
用の信号磁界を発生させる。この信号磁界により、磁気
記録媒体を部分的に磁化して、情報を記録することがで
きる。このような記録動作を行う薄膜磁気ヘッドにおい
て、優れたオーバーライト特性を確保するためには、薄
膜コイル１１で発生した磁束を、円滑かつ十分に先端部
１５ａの先端部分まで供給することが必要である。

【００６３】一方、再生時においては、再生ヘッド部の
ＭＲ膜５にセンス電流を流す。ＭＲ膜５の抵抗値は、磁
気記録媒体からの再生信号磁界に応じて変化するので、
その抵抗変化をセンス電流の変化によって検出すること
により、磁気記録媒体に記録されている情報を読み出す
ことができる。

【００６４】次に、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の特徴的な作用を説明する。

【００６５】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、
図６に示したように、上部磁極１５の先端部１５ａと中
間部１５ｂとの連結部分に、幅方向の段差が形成されて
いる。中間部１５ｂの幅Ｗ２は、記録トラック幅を規定
することとなる先端部１５ａの幅Ｗ１よりも大きい。こ
のため、先端部１５ａの後方に、この先端部１５ａの占
める面積よりも大きく、かつヨーク部１５ｃの占める面
積よりも小さい面積を有する中間部１５ｂが存在するこ
ととなる。

【００６６】上部磁極１５を構成する各部位（先端部１
５ａ、中間部１５ｂおよびヨーク部１５ｃ）の内部に収
容できる磁束の許容量（以下、「磁気ボリューム」とい
う。）は、各部位の厚みが一定であるとすると、各部位
の占める面積に依存する。この上部磁極１５を構成する
各部位の磁気ボリュームは、上部磁極１５の各部位間を
流れる磁束の伝播状況に大きく影響する。ここで、上部
磁極１５を構成する先端部１５ａ、中間部１５ｂおよび
ヨーク部１５ｃの各磁気ボリュームをＶａ, Ｖｂ, Ｖｃ
とする。本実施の形態では、Ｖｃ＞Ｖｂ＞Ｖａの関係が
成立するようにしているため、薄膜コイル１１で発生し
た磁束は、ヨーク部１５ｃから中間部１５ｂを経て先端
部１５ａに伝搬するにつれて、段階的に集束される。中
間部１５ｂの磁気ボリュームは、従来の場合（図３６）
の上部磁極１１４における対応する部分の磁気ボリュー
ムと比べて大きくなっている。

【００６７】ところで、前述したように、上部磁極１５
の先端部１５ａは、記録時における記録媒体上の記録ト
ラック幅を規定する部分である。したがって、高密度記
録のために挟トラック化を図るには、先端部１５ａの幅
Ｗ１は、記録トラック幅に対応するような極微小幅であ
ることが要求される。この場合、先端部１５ａの内部で
の磁束の飽和現象を回避し、十分な磁束がエアベアリン
グ面まで到達するようにするためには、原則として、ス
ロートハイトＴＨをできるだけ短くすることが必要であ
る。一方、スロートハイトＴＨを極度に短くすると、上
部磁極１５のヨーク部１５ｃの幅広部分からエアベアリ
ング面に磁束が直接漏れ出る結果、記録トラック幅の精
度に悪影響を与えるおそれが生ずる。すなわち、記録ヘ
ッドには、本質的に、スロートハイトＴＨの長尺化（最
低限の長さの確保）と先端部１５ａの短縮化という相反
する２つの要請が存在する。

【００６８】そこで、本実施の形態では、図６に示した
ように、先端部１５ａと中間部１５ｂとの段差における
段差面２１を、積極的に、ＴＨ０位置よりも前方に位置
させることにより、ＴＨ０よりも前方に、極小幅の先端
部１５ａの幅よりも広い幅の中間部１５ｂを設け、スロ
ートハイトＴＨの部分における磁気ボリュームを確保す
るようにしている。この結果、スロートハイトＴＨの長
尺化と同時に先端部１５ａの短縮化が実現される。した
がって、先端部１５ａの幅Ｗ１を極微小化した場合にお
いても、先端部１５ａの内部での磁束飽和を回避してエ
アベアリング面２０における十分な信号磁界を確保し得
ると共に、スロートハイトＴＨを長尺化して記録トラッ
ク幅を改善することが可能となる。

【００６９】また、先端部１５ａの幅は、その長さ方向
の全域にわたって均一な幅Ｗ１を有することが必要とさ
れる。なぜなら、先端部１５ａの幅がＷ１よりも大きく
なると、それに対応して記録媒体上の記録トラック幅も
またＷ１より大きくなってしまうことにより、記録媒体
上における所期の記録トラック部分以外の領域への書き
込み、すなわちサイドライト現象が発生するからであ
る。この点、本実施の形態では、後述するように、上部
磁極１５のめっき形成に用いるフォトレジストパターン
の形成を、２回の露光工程と１回の現像工程とにより行
うようにして、図６に示したように、先端部１５ａの側
縁面Ｓ１と段差面２１とが交わる角部１５ｅが丸みのな
い直角をなすようにしている。先端部１５ａが、その長
さ方向の全域にわたって均一な幅Ｗ１を有する結果、上
記のサイドライト現象を回避できる。

【００７０】なお、図５において説明したように、上部
磁極１５における段差面２１の位置は、ＴＨ０位置より
も前方であると共に、ＭＲＨ０位置よりも後方であるこ
とが望ましい。なぜなら、段差面２１がＭＲＨ０位置よ
りもエアベアリング面２０に近づきすぎると、先端部１
５ａの幅Ｗ１よりも大きな幅Ｗ２を有する中間部１５ｂ
からエアベアリング面２０への磁束の直接放出によるサ
イドライト現象が発生するからである。

【００７１】以上説明したように、本実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極１５の先端部１５ａとＴ
Ｈ０位置との間に、先端部１５ａの幅Ｗ１よりも大きい
幅Ｗ２を有する中間部１５ｂを配設したので、この部分
に十分な磁気ボリュームを確保することができる。これ
により、ヨーク部１５ｃから先端部１５ａ内に流入する
磁束が微小幅を有する先端部１５ａ内で飽和するのを抑
制し、エアベアリング面２０まで十分に到達するように
することができる。この結果、優れたオーバーライト特
性を確保することが可能となる。また、スロートハイト
ＴＨの部分に、幅の広い中間部１５ｂを設けるようにし
たので、記録トラック幅を規定する一定幅を有する先端
部１５ａの長さＬ１を過度に長くすることなくスロート
ハイトＴＨを長尺化することができ、記録媒体上の記録
トラック幅の改善が可能である。

【００７２】また、本実施の形態では、上部磁極１５に
おける先端部１５ａの側縁面Ｓ１と段差面２１とが交わ
る角部１５ｅが丸みを帯びない直角をなすようにして、
記録媒体の記録トラック幅を規定する先端部１５ａの幅
の拡大を防止しているので、記録時のサイドライト現象
を回避することが可能となる。

【００７３】また、本実施の形態では、上部磁極１５に
おける段差面２１が、ＴＨ０位置よりも前方であると共
に、ＭＲＨ０位置よりも後方であるようにしているの
で、中間部１５ｂからの磁束の放出によるサイドライト
現象を回避することが可能となる。

【００７４】〈上部磁極１５の形成方法〉次に、図７お
よび図８を参照して、本実施の形態の特徴の１つであ
る、上部磁極１５の形成方法について詳細に説明する。

【００７５】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、前述したように、同一のフォトレジスト膜に
対して、複数のフォトマスクを用いて複数回露光を行う
ことにより、上部磁極１５の形成に用いるフォトレジス
トパターンを形成するようにしている。このような手法
で形成したフォトレジストパターンを用いることによ
り、先端部１５ａの側縁面Ｓ１と段差面２１とが交わる
角部１５ｅを丸みのない直角形状に形成することがで
き、先端部１５ａの幅を高精度に一定化できる。以下、
この点を中心として説明する。

【００７６】図７において、（Ａ）は第１の露光工程に
おいて使用する第１のフォトマスク６１の平面形状を表
し、（Ｂ）は第１の露光工程により露光されるフォトレ
ジスト膜１６１の領域（第１の露光領域１６１ｙ）の平
面形状を表すものである。（Ｃ）は第２の露光工程にお
いて使用する第２のフォトマスク６２の平面形状を表
し、（Ｄ）は第２の露光工程により露光されるフォトレ
ジスト膜１６２の領域（第２の露光領域１６２ｙ）の平
面形状を表すものである。図８（Ａ）は、図７（Ｄ）に
示したフォトレジスト膜１６１の露光領域全体を現像す
ることにより得られるフォトレジストパターン１６３の
平面形状を表すものであり、（Ｂ）は、フォトレジスト
パターン１６３を用いて形成された上部磁極１５の平面
形状を表すものである。

【００７７】図７（Ａ）に示したフォトマスク６１は、
上部磁極１５（図６）における先端部１５ａに対応する
平面形状よりも長い開口部６１ｘ（幅Ｗ１）を有する。
開口部６１ｘは、その長さ方向において位置によらずほ
ぼ一定の幅を有している。図７（Ｂ）に示したように、
第１の露光工程では、フォトレジスト膜１６１上の所定
の位置に第１のフォトマスク６１を配設して、フォトマ
スク６１の開口部６１ｘを通じてフォトレジスト膜１６
１の所定の領域を選択的に露光する。

【００７８】ここで、第１のフォトマスク６１を配設す
るフォトレジスト膜１６１上の「所定の位置」とは、後
工程において上部磁極１５の先端部１５ａが形成される
位置に対応する位置の意である。フォトマスク６１を配
設する際には、ＴＨ０位置を基準として、フォトレジス
ト膜１６１に対して位置合わせを行うようにする。具体
的には、上部磁極１５の先端部１５ａの全体が平坦な記
録ギャップ層８上に形成されることとなるように、フォ
トレジスト膜１６１のうち、平坦な記録ギャップ層８上
に形成された平坦な領域に開口部６１ｘを位置合わせし
て、第１の露光工程を行う。

【００７９】この第１の露光工程により、フォトレジス
ト膜１６１に第１の露光領域１６１ｙが形成される。第
１の露光領域１６１ｙは、上部磁極１５の先端部１５ａ
に対応する領域よりも後方に長く延びた領域であるが、
その後端縁がＴＨ０位置に差しかからないようになされ
ている。このように、フォトレジスト膜１６１のうち、
平坦な記録ギャップ層８上に形成された部分のみにおい
て第１の露光工程を行うことにより、図３７に示したよ
うな下地の斜面部からの反射光による影響を回避するこ
とができる。したがって、フォトレジスト膜１６１にお
ける第１の露光領域幅の拡大を防止することができる。

【００８０】図７（Ｃ）に示したフォトマスク６２は、
上部磁極１５（図６）における中間部１５ｂおよびヨー
ク部１５ｃに対応する平面形状を有する開口部６２ｘを
有する。図７（Ｄ）に示したように、第２の露光工程で
は、第１の露光領域１６１ｙを有するフォトレジスト膜
１６１上の所定の位置にフォトマスク６２を配設して、
フォトマスク６２の開口部６２ｘを通じてフォトレジス
ト膜１６１の所定の領域を選択的に露光する。フォトマ
スク６２を配設する際には、第２のフォトマスク６２の
開口部６２ｘの前端縁６２ａが第１の露光領域１６１ｙ
のうちの後端側領域まで差しかかるように位置合わせを
行うと共に、第２のフォトマスク６２の開口部６２ｘの
前端縁６２ａが、第１の露光領域１６１ｙの長さ方向
（図の上下方向）と直交するように位置合わせを行う。
これにより、第１の露光領域１６１ｙのうちの後端側領
域（図中の上方部分）と第２の露光領域１６２ｙとの重
複領域を含む合成露光領域１６３ｙが形成される。この
合成露光領域１６３ｙの、上部磁極１５の角部１５ｅ
（図６）に対応する角部１６１ｅは丸みのない直角形状
を呈するようになる。図３７に示したような１回の露光
でトラック幅対応部分からヨーク対応部分までを一括露
光する従来技術とは異なり、平坦部のフォトレジスト膜
露光と斜面上のフォトレジスト膜の露光とを分けている
ため、下地の斜面部からの反射光による悪影響を回避す
ることができる。

【００８１】また、本実施の形態では、下地の高さの差
に基づくデフォーカス（焦点ずれ）による悪影響を回避
することもできる。すなわち、平坦部と斜面部とでは、
自ずから、露光時における最良の合焦位置が異なるの
で、従来のように両者を一括して露光すると、平坦部と
斜面部のいずれかまたは双方において焦点ずれが生ず
る。これに対して、本実施の形態では、平坦部と斜面部
とで別々に露光を行うので、それぞれの部分において最
良の合焦状態での露光が可能となる。このため、シャー
プなパターニングが可能となる。

【００８２】最後に、フォトレジスト膜１６１の合成露
光領域１６３ｙを一括して現像することにより、図８
（Ａ）に示したような開口部１６３ｚを有するフォトレ
ジストパターン１６３が形成される。開口部１６３ｚの
平面形状は、上部磁極１５（図６）の平面形状に対応す
るものである。このフォトレジストパターン１６３の開
口部１６３ｚの形状は、図７（Ｄ）に示した合成露光領
域１６３ｙの平面形状をほぼ反映したものである。した
がって、このフォトレジストパターン１６３を用いてめ
っき工程により形成される上部磁極１５の形状は、図８
（Ｂ）に示したように、先端部１５ａと直角部１５ｂと
の連結部に、丸みを帯びない直角な角部１５ｅを有する
と共に、この角部１５ｅからエアベアリング面までの先
端部１５ａは、その長さ方向の全体にわたって高精度に
一定幅をもつこととなる。

【００８３】なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法には、上記のほか、次のような利点がある。
すなわち、本製造方法では、薄膜コイル１１を平坦な記
録ギャップ層８上に形成するようにしたので、凹凸のあ
る下地上に薄膜コイル１１を形成する場合と比べて、薄
膜コイル１１の微細形成を正確に行うことが可能であ
る。また、薄膜コイル１１のターン間を埋め込む第１の
絶縁膜１２が、同時に、スロートハイトＴＨを規定する
ものでもあるようにしたので、薄膜コイル１１のターン
間を埋め込む絶縁膜とスロートハイトＴＨを規定する絶
縁膜とを別個に形成する必要がなく、工程の簡略化が可
能である。

【００８４】〈上部磁極の形成方法の変形例〉本実施の
形態において、第１の露光工程を行う際に用いる第１の
フォトマスクは、図７（Ａ）に示したものに限られるも
のではない。例えば、図９（Ａ）に示したように、開口
部６４ｘがＴ字型の平面形状を有するような第１のフォ
トマスク６４を用いて第１の露光工程を行うようにして
もよい。以下、図９および図１０を参照して、上部磁極
１５の形成方法の変形例について説明する。

【００８５】図９において、（Ａ）は本変形例の第１の
露光工程において使用する第１のフォトマスク６４の平
面形状を表し、（Ｂ）は第１の露光工程により露光され
るフォトレジスト膜１６４の領域（第１の露光領域１６
４ｙ）の平面形状を表すものである。（Ｃ）は第２の露
光工程において使用する第２のフォトマスク６２の平面
形状を表し、（Ｄ）は第２の露光工程により露光される
フォトレジスト膜１６４の領域（第２の露光領域１６２
ｙ）の平面形状を表すものである。図１０（Ａ）は、図
９（Ｄ）に示したフォトレジスト膜１６４の露光領域を
現像することにより得られるフォトレジストパターン１
６５の平面形状を表し、図１０（Ｂ）は、フォトレジス
トパターン１６５を用いて形成された上部磁極１５の平
面形状を表すものである。なお、図９（Ｃ），（Ｄ）に
おいて、上記の図７（Ｃ），（Ｄ）の構成要素と同一の
部分には同一の符号を付す。

【００８６】本変形例では、第１のフォトマスク６４と
して、図９（Ａ）に示したようなＴ字型の平面形状の開
口部６４ｘを有するものを用いる。この開口部６４ｘ
は、一定幅の部分と、その後側を占めるより大きい幅の
部分とを含む。このフォトマスク６４を用いた第１の露
光工程を行うことにより、図９（Ｂ）に示したように、
フォトレジスト膜１６４には、Ｔ字型の平面形状を有す
る第１の露光領域１６４ｙが形成される。

【００８７】第２の露光工程は、図７（Ｃ）に示したも
のと同じフォトマスク６２（図９（Ｃ））を使用して行
う。これにより、図９（Ｄ）に示したように、フォトレ
ジスト膜１６４には、第２の露光領域１６２ｙが、第１
の露光領域１６４ｙの後側部分と部分的にオーバーラッ
プするように形成される。結局、フォトレジスト膜１６
４には、第１の露光領域１６４ｙおよび第２の露光領域
１６２ｙを包括すると共に一部が重複露光された合成露
光領域１６５ｙが形成される。合成露光領域１６５ｙの
平面形状は、図７（Ｄ）の場合と同様であり、上部磁極
１５（図６）の平面形状に対応する。

【００８８】続いて、フォトレジスト膜１６４の露光領
域１６５ｙを一括して現像することにより、図１０
（Ａ）に示したように、開口部１６５ｚを有するフォト
レジストパターン１６５を形成する。このフォトレジス
トパターン１６５は、図８（Ａ）に示したフォトレジス
トパターン１６３と同形状を有するものである。すなわ
ち、フォトレジストパターン１６５の開口部１６５ｚ
は、フォトレジストパターン１６３の開口部１６３ｚと
同様の平面形状を有するものである。

【００８９】このようにして形成されたフォトレジスト
パターン１６５を用いてめっき工程により形成される上
部磁極１５の形状は、基本的に、上記図８（Ｂ）におい
て説明した上部磁極と同様の特徴をもつこととなる。す
なわち、図１０（Ｂ）に示したように、先端部１５ａと
中間部１５ｂとの連結部は、丸みを帯びない直角な角部
１５ｅを有し、かつ、この連結部からエアベアリング面
までの先端部１５ａは、その長さ方向の全体にわたって
高精度に一定幅をもつこととなる。

【００９０】ここで、図１１〜図１３を参照して、本変
形例における特徴的な作用を説明する。

【００９１】図７（Ｄ）に示した例では、第１の露光領
域１６１ｙと第２の露光領域１６２ｙとのオーバーラッ
プ長さＬ２０を十分にとるようにしたが、例えば、中間
部１５ｂの長さを短くしたいという要請がある場合に
は、オーバーラップ長さＬ２０もできるだけ短くする必
要がある。この長さＬ２０が長すぎると、図１１に示し
たように、第１の露光領域１６１ｙがＴＨ０位置を越え
て第１の絶縁膜１２の上まで差しかかってしまう結果、
上記したように、下地からの反射による悪影響を回避で
きないからである。したがって、両露光領域の重なり部
分の長さＬ２０を極力短くすることが好ましい。

【００９２】ところが、第１の露光領域が一定幅の部分
のみであるようにした場合において、両露光領域の重な
り部分の長さＬ２０を過度に短くした場合には、次のよ
うな不都合が生ずる。すなわち、例えば図１２（Ａ）に
示したように、第１の露光工程時において第１の露光領
域１６１ｙの後端部分に丸みが生じ、この結果、図１２
（Ｂ）に示したように、最終的に形成されるフォトレジ
ストパターン１６３の開口部１６３ｚのうち、第１の露
光領域１６１ｙと第２の露光領域１６２ｙとの重なり部
分に対応する部分の幅は、極めて狭くなり、絞り込まれ
たような形状となる。フォトレジストパターン１６３の
上記重なり部分に対応する部分は、このフォトレジスト
パターン１６３を用いて形成される上部磁極１５の先端
部１５ａと中間部１５ｂとの接続部分の形状に反映され
る。すなわち、上部磁極１５の先端部１５ａと中間部１
５ｂとの間がくびれたような形状となる。このため、中
間部１５ｂから先端部１５ａに磁束が伝搬する際の大き
な障害となる。

【００９３】これに対して、本変形例における図９
（Ｄ）に示したように第１の露光領域１６４ｙをＴ字型
形状とした場合においては、例えば図１３（Ａ）に示し
たように、第１の露光領域１６４ｙの後方部分に丸みが
生じたとしても、最終的に形成されるフォトレジストパ
ターン１６５（図１３（Ｂ））の第１の露光領域１６４
ｙと第２の露光領域１６２ｙとの重なり部分に対応する
部分には、十分な幅の接続部分が形成される。この場合
には、最終的に形成される上部磁極１５の先端部１５ａ
と中間部１５ｂとの接続部分に対応する部分の幅を十分
に確保することができるので、中間部１５ｂから先端部
１５ａへ磁束が円滑に伝搬する。したがって、十分なオ
ーバーライト特性を確保することができる。

【００９４】〔第２の実施の形態〕次に、本発明の第２
の実施の形態を説明する。

【００９５】まず、図１４〜図１６を参照して、本発明
の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法と
しての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明す
る。なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、本実
施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によって具現
化されるので、以下併せて説明する。図１４〜図１６に
おいて、（Ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示
し、（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面
を示している。なお、これらの図で、上記第１の実施の
形態における要素と同一部分には同一の符号を付すもの
とする。

【００９６】本実施の形態の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、上記第１の実施の形態において上部磁極１５を１つ
の工程で同一材料を用いて形成したのとは異なり、上部
磁極を上部ポールチップ２５ａと上部ヨーク２５ｃとに
分けて、両者を別工程として形成するようにしたもので
ある。

【００９７】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、第１の絶縁膜１２を成するところまでの
工程は、上記第１の実施の形態の場合と同様である。す
なわち、図１４に示したように、下部磁極７の上に、開
口部８ｂを有する記録ギャップ層８を形成したのち、こ
の記録ギャップ層８上に、後述する上部磁極２５の一部
をなす上部ポールチップ２５ａ（図１５）を形成する前
に、薄膜コイル１１およびこれを覆う第１の絶縁膜１２
を形成する。ここまでの工程の詳細な説明は省略する。

【００９８】次に、図１５（Ａ），（Ｂ）に示したよう
に、第１の絶縁膜１２の前側斜面（図中の左方斜面）か
ら後工程においてエアベアリング面２０となる側（図中
左側）にかけての領域に、例えば電解めっき法により、
上部磁極の一部を構成することとなる上部ポールチップ
２５ａを約３〜５μｍの厚みに選択的に形成する。この
上部ポールチップ２５ａは、例えば後述する図１７およ
び図１９（Ｂ）に示したような平面形状を有するもので
ある。その形状的特徴については後述する。上部ポール
チップ２５ａを形成する際には、同時に、開口部８ｂに
磁路形成パターン２５ｂを形成する。上部ポールチップ
２５ａおよび磁路形成パターン２５ｂとしては、例え
ば、高飽和磁束密度材であるパーマロイ（ＮｉＦｅ）系
の合金や窒化鉄（ＦｅＮ）系の合金等が用いられる。

【００９９】上部ポールチップ２５ａの形成は、上記第
１の実施の形態において上部磁極１５を形成した場合と
同様の手法により行う。すなわち、同一のフォトレジス
ト膜に対して、互いに異なる形状からなる開口部を有す
る複数のフォトマスクを使用して複数回の露光処理を行
うことにより上部ポールチップ２５ａを形成するための
フォトレジストパターンを形成するようにしている。そ
の詳細については、後述する。

【０１００】次に、図１５（Ｂ）に示したように、例え
ば、塩素系ガス（Ｃｌ₂，ＣＦ₄，ＢＣｌ₂，ＳＦ
₆等）を使用したＲＩＥによるドライエッチングによ
り、上部ポールチップ２５ａをマスクとして、その周辺
の記録ギャップ層８および下部磁極７を自己整合的に約
０．５μｍ程度エッチングしてトリム構造を形成する。

【０１０１】次に、図１６に示したように、全体に、例
えばアルミナ膜等の絶縁膜２６を３〜４μｍ程度の膜厚
に形成したのち、例えばＣＭＰ（化学機械研磨）法によ
り全体を研磨して平坦化し、上部ポールチップ２５ａお
よび磁路形成パターン２５ｂの表面を露出させる。次
に、コイル接続部１１ｄ上を覆う絶縁膜２６をエッチン
グ等により部分的に除去し、開口部２６ｄを形成する。
ここで、上記の絶縁膜２６が本発明における「他の絶縁
膜」の一具体例に対応し、主として上記の第１の絶縁膜
１２および絶縁膜２６が本発明における「絶縁層」の一
具体例に対応する。

【０１０２】次に、上部ポールチップ２５ａおよび磁路
形成パターン２５ｂの場合と同様の工程の電解めっき法
により、上部ヨーク２５ｃを、約３〜５μｍの厚みに形
成する。この上部ヨーク２５ｃは、例えば後述する図１
７に示したような平面形状を有するものである。上部ヨ
ーク２５ｃは、開口部８ｂにおいて、磁路形成パターン
２５ｂを介して下部磁極７と磁気的に連結されると共
に、前端側部分において上部ポールチップ２５ａとも磁
気的に連結される。上部ヨーク２５ｃは、例えば、上部
ポールチップ２５ａおよび磁路形成パターン２５ｂと同
様の材質からなるものである。上部ヨーク２５ｃを形成
する際には、同時に、開口部２６ｄのコイル接続部１１
ｄと外部回路（図示せず）とを電気的に接続するための
コイル接続配線２５ｄ（図１７も参照）を、上部ヨーク
２５ｃと同じ材料を用いて形成する。ここで、上記の上
部ヨーク２５ｃが、本発明における「第３の磁性層部
分」の一具体例に対応する。

【０１０３】次に、全体を覆うようにして、例えばアル
ミナよりなるオーバーコート層２７を形成する。最後
に、スライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再
生ヘッドのエアベアリング面２０を形成し、薄膜磁気ヘ
ッドが完成する。

【０１０４】図１７は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの平面
構造の概略を表すものである。なお、図１７では、オー
バーコート層２７等の図示を省略している。この図に示
したように、ＴＨ０位置およびＭＲＨ０位置は、上記第
１の実施の形態の場合と同様である。ＭＲＨ０位置から
ＴＨ０位置までの長さＬ１０もまた、同様である。な
お、上記の図１６（Ａ）は、図１７におけるＸＶＩＡ−
ＸＶＩＡ線に沿った矢視断面に相当する。

【０１０５】図１７に示したように、上部ヨーク２５ｃ
は、その大部分を占めるヨーク部２５ｃ(1) と、上部ポ
ールチップ２５ａと一部オーバーラップして接続される
接続部２５ｃ(2) とを有している。ヨーク部２５ｃ(1)
は、上記第１の実施の形態における上部磁極１５のヨー
ク部１５ｃの平面形状（図６）とほぼ同様の平面形状お
よび機能を有する。接続部２５ｃ(2) は、上記第１の実
施の形態における上部磁極１５の中間部１５ｂとほぼ同
様の平面形状および機能を有する。ヨーク部２５ｃ(1)
および接続部２５ｃ(2) の各幅方向の中心は、互いに一
致している。

【０１０６】図１７および図１９（Ｂ）に示したよう
に、上部ポールチップ２５ａは、記録媒体上の記録トラ
ック幅を規定する先端部２５ａ(1) と、中間部２５ａ
(2) とを有している。中間部２５ａ(2) は、前方側のよ
り幅の狭い部分と後方側のより幅の広い部分とを有す
る。中間部２５ａ(2) のうち、前方側のより幅の狭い部
分は、先端部２５ａ(1) と一体に連結されており、後方
側のより幅の広い部分は、上部ヨーク２５ｃの接続部２
５ｃ(2) と部分的にオーバーラップして磁気的に連結さ
れている。なお、上部ヨーク２５ｃの接続部２５ｃ(2)
における前側の端縁面２２の位置は、ＴＨ０位置または
その近傍に位置している。先端部２５ａ(1) は、上記第
１の実施の形態における上部磁極１５の先端部１５ａと
同様に、記録媒体上の記録トラック幅を規定するための
一定な幅を有する。先端部２５ａ(1) と中間部２５ａ
(2) との連結部には、幅方向の段差が存在している。こ
の段差の部分における中間部２５ａ(2) の幅は、先端部
２５ａ(1) の幅よりも大きい。上記段差の部分における
その他の形状は、上記第１の実施の形態の場合と同様で
ある。

【０１０７】図１６および図１７に示したように、上部
ポールチップ２５ａにおける中間部２５ａ(2) の段差面
２３は、上記第１の実施の形態の場合と同様に、ＴＨ０
位置よりも前方で、かつＭＲＨ０位置よりも後方に位置
する。すなわち、ＴＨ０位置よりも前方に、極小幅の先
端部２５ａ(1) の幅よりも広い幅の中間部２５ａ(2)を
設け、スロートハイトＴＨの部分における磁気ボリュー
ムを確保するようにしている。この結果、スロートハイ
トＴＨの長尺化と同時に先端部２５ａ(1) の短縮化が実
現される。ここで、上記の先端部２５ａ(1) が、本発明
における「第１の磁性層部分」の一具体例に対応し、中
間部２５ａ(2) が、本発明における「第２の磁性層部
分」の一具体例に対応する。

【０１０８】図１６および図１７から判るように、上部
ポールチップ２５ａの先端部２５ａ(1) は、平坦な記録
ギャップ層８の上に延在し、中間部２５ａ(2) は、記録
ギャップ層８の上から第１の絶縁膜１２の斜面上にかけ
て延在している。

【０１０９】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドによれ
ば、上部磁極を、上部ポールチップ２５ａと上部ヨーク
２５ｃの２つの部分からなるように構成し、上部ポール
チップ２５ａと上部ヨーク２５ｃとを一部オーバーラッ
プさせるようにしたので、そのオーバーラップ部分に、
さらに十分な磁気ボリュームを確保することができる。

【０１１０】また、上部ポールチップ２５ａの先端部２
５ａ(1) の後端部とＴＨ０位置との間に、先端部２５ａ
(1) の幅よりも大きい幅を有する中間部２５ａ(2) を配
設したので、上記第１の実施の形態の場合と同様に、先
端部２５ａ(1) の背後部分に十分な磁気ボリュームを確
保することができる。これにより、上部ヨーク２５ｃか
ら上部ポールチップ２５ａに流入した磁束が微小幅を有
する先端部２５ａ(1)の内部で飽和するのを抑制するこ
とができ、磁束をエアベアリング面２０まで十分に到達
させ得ることから、優れたオーバーライト特性を確保す
ることが可能となる。

【０１１１】また、本実施の形態では、まず、薄膜コイ
ル１１および第１の絶縁膜１２を形成してから上部ポー
ルチップ２５ａおよび磁路形成パターン２５ｂを形成す
ると共に、上部ポールチップ２５ａおよび磁路形成パタ
ーン２５ｂ以外の第１の絶縁膜１２上の領域を無機材料
からなる絶縁層２６で埋め込み、さらに、全体をＣＭＰ
法により平坦化するようにしている。このため、その平
坦化された面上に他の層（本実施の形態では、上部ヨー
ク２５ｃ）を配設する場合に、フォトリソグラフィによ
るフォトレジストパターンの形成を高精度に行うことが
でき、上記他の層の高精度形成が容易となる。

【０１１２】本実施の形態におけるその他の効果は、上
記第１の実施の形態の場合と同様であり、記録媒体上の
記録トラック幅の改善や、記録時のサイドライト現象の
回避が可能である。

【０１１３】〈上部ポールチップ２５ａの形成方法〉次
に、図１８および図１９を参照して、本実施の形態の特
徴の１つである、上部ポールチップ２５ａの形成方法に
ついて詳細に説明する。

【０１１４】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、前述したように、同一のフォトレジスト膜に
対して、複数のフォトマスクを用いて複数回露光を行う
ことにより、上部ポールチップ２５ａの形成に用いるフ
ォトレジストパターンを形成するようにしている。この
ような手法で形成したフォトレジストパターンを用いる
ことにより、上部ポールチップ２５ａの先端部２５ａ
(1) の側縁面と段差面２３とが交わる角部を丸みのない
直角形状に形成し、先端部２５ａ(1) の幅を高精度に一
定化することができる。以下、この点を中心として説明
する。

【０１１５】図１８（Ａ）〜（Ｄ）は、それぞれ、上記
第１の実施の形態における図７（Ａ）〜（Ｄ）に対応す
る図であり、図１９（Ａ），（Ｂ）は、それぞれ図８
（Ａ），（Ｂ）に対応する図である。

【０１１６】本実施の形態では、上記第１の実施の形態
の変形例（図９（Ａ））の場合と同様に、第１のフォト
マスク７４として、図１８（Ａ）に示したようなＴ字型
の平面形状の開口部７４ｘを有するものを用いる。この
開口部７４ｘは、一定幅の部分と、その後側を占めるよ
り大きい幅の部分とを含む。このフォトマスク７４を用
いた第１の露光工程を行うことにより、図１８（Ｂ）に
示したように、フォトレジスト膜１７４には、Ｔ字型の
平面形状を有する第１の露光領域１７４ｙが形成され
る。

【０１１７】第２の露光工程は、図１８（Ｃ）に示した
ように、中間部２５ａ(2) に対応した平面形状の開口部
７２ｘを有するフォトマスク７２を使用して行う。これ
により、図１８（Ｄ）に示したように、フォトレジスト
膜１７４には、第２の露光領域１７２ｙが、第１の露光
領域１７４ｙの後側部分と部分的にオーバーラップする
ように形成される。結局、フォトレジスト膜１７４に
は、第１の露光領域１７４ｙおよび第２の露光領域１７
２ｙを包括すると共に一部が重複露光された合成露光領
域１７５ｙが形成される。この合成露光領域１７５ｙの
平面形状は、上部ポールチップ２５ａ（図１７）の平面
形状に対応する。

【０１１８】続いて、フォトレジスト膜１７４の露光領
域１７５ｙを一括して現像することにより、図１９
（Ａ）に示したように、開口部１７５ｚを有するフォト
レジストパターン１７５を形成する。

【０１１９】このようにして形成されたフォトレジスト
パターン１７５を用いてめっき工程を行うことにより、
上部ポールチップ２５ａが形成される。このようにして
形成された上部ポールチップ２５ａの段差面２３からエ
アベアリング面までの部分は、上記第１の実施の形態お
よびその変形例における対応部分と同様の形状的特徴を
もつこととなる。すなわち、図１９（Ｂ）に示したよう
に、先端部２５ａ(1)と中間部２５ａ(2) との連結部
は、丸みを帯びない直角な角部を有し、かつ、この連結
部からエアベアリング面まで延在する先端部２５ａ(1)
は、その長さ方向の全体にわたって高精度に一定幅をも
つこととなる。

【０１２０】以上のように、本実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法によれば、まず、薄膜コイル１１お
よび第１の絶縁膜１２を形成してから上部ポールチップ
２５ａおよび磁路形成パターン２５ｂを形成すると共
に、上部ポールチップ２５ａおよび磁路形成パターン２
５ｂ以外の第１の絶縁膜１２上の領域を無機材料からな
る絶縁層２６で埋め込んだのち、全体をＣＭＰ法により
平坦化するようにしている。このため、その平坦化され
た面上に他の層（本実施の形態では、上部ヨーク２５
ｃ）を配設する場合に、フォトリソグラフィによるフォ
トレジストパターンの形成を高精度に行うことができ、
上記他の層の高精度形成が容易となる。特に、２層の薄
膜コイルを階層的に形成する場合には、２層目の薄膜コ
イルの微細形成をも容易化することができる。その他の
効果（例えば、第１の露光領域をＴ字型とすることによ
る効果）は、上記第１の実施の形態の変形例（図９、図
１０および図１３）において説明した内容と同様であ
る。

【０１２１】《薄膜磁気ヘッドの製造方法の変形例》

【０１２２】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、図１６に示したように、ＣＭＰ法により全体
を研磨して平坦化し、上部ポールチップ２５ａおよび磁
路形成パターン２５ｂの表面を露出させたのち、コイル
接続部１１ｄ上を覆う絶縁膜２６をエッチング等により
部分的に除去して開口部２６ｄを形成し、この開口部２
６ｄを介して、コイル接続部１１ｄとコイル接続配線２
５ｄとを接続するようにしたが、このほか、次のように
してもよい。

【０１２３】本変形例では、例えば図２０に示したよう
に、上部ポールチップ２５ａおよび磁路形成パターン２
５ｂの形成工程において、同時に、コイル接続部１１ｄ
上に他のコイル接続部２５ｅを同一材料により形成して
おく。次に、図２１に示したように、全体を絶縁膜２６
により覆ったのち、ＣＭＰ法により全体を平坦化する。
これにより、上部ポールチップ２５ａおよび磁路形成パ
ターン２５ｂの上面のほか、コイル接続部２５ｅの上面
もまた露出する。次に、図２２に示したように、上部ヨ
ーク２５ｃおよびコイル接続配線２５ｄを形成する。こ
れにより、コイル接続配線２５ｄは、コイル接続部２５
ｅおよびコイル接続部１１ｄを介して薄膜コイル１１と
電気的に接続される。

【０１２４】このように、本変形例によれば、上部ポー
ルチップ２５ａおよび磁路形成パターン２５ｂの形成と
同時に、コイル接続部１１ｄ上に他のコイル接続部２５
ｅを形成するようにしたので、上記第２の実施の形態の
場合（図１６）と異なり、コイル接続部１１ｄ上を覆う
ように形成した絶縁膜２６に開口部２６ｄを形成する必
要がない。このため、製造工程を簡略化することができ
る。

【０１２５】［第３の実施の形態］次に、本発明の第３
の実施の形態を説明する。

【０１２６】まず、図２３〜図２８を参照して、本発明
の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法と
しての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明す
る。なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、本実
施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によって具現
化されるので、以下併せて説明する。図２３〜図２６に
おいて、（Ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示
し、（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面
を示している。これらの図で、上記各実施の形態におけ
る要素と同一部分には同一の符号を付すものとする。

【０１２７】本実施の形態において、図２３に示した下
部磁極７を形成するところまでの工程は、上記第１の実
施の形態における図１の工程と同様であるので、説明を
省略する。

【０１２８】本実施の形態では、図２３に示したよう
に、下部磁極７の形成後、後工程において薄膜コイル３
３を形成する領域よりも前方および後方における下部磁
極７上に、例えばパーマロイよりなる下部ポールチップ
３１ａおよび下部接続部３１ｂを、例えばめっき法によ
り約２．０〜２．５μｍの厚みになるように形成する。
次に、全体に、例えばスパッタ法またはＣＶＤ法によ
り、例えばアルミナ等の絶縁材料よりなる膜厚０．３〜
０．６μｍの絶縁膜３２を形成する。ここで、下部磁極
７が本発明における「第４の磁性層部分」の一具体例に
対応し、下部ポールチップ３１ａおよび下部接続部３１
ｂが本発明における「第５の磁性層部分」の一具体例に
対応する。

【０１２９】次に、図２４に示したように、下部ポール
チップ３１ａおよび下部接続部３１ｂ以外の低い領域
に、下部接続部３１ｂを取り囲むようにして、例えば電
解めっき法により、１層目の薄膜コイル３３を１．５〜
２．５μｍの厚みで形成する。このとき同時に、下部接
続部３１ｂの後方の低い領域に、後工程において形成す
るコイル接続配線１５ｄと接続させるためのコイル接続
部３３ｄを形成する。

【０１３０】次に、同図に示したように、全体に、例え
ばアルミナ膜等の絶縁膜３４を３〜４μｍ程度の膜厚に
形成したのち、例えばＣＭＰ法により全体を研磨して平
坦化し、下部ポールチップ３１ａおよび下部接続部３１
ｂの表面を露出させる。ここで、上記の絶縁膜３４が本
発明における「絶縁層の一部」の一具体例に対応する。

【０１３１】次に、図２５に示したように、全体に、例
えばアルミナからなる記録ギャップ層３５を約０．１５
〜０．３μｍの厚みに形成する。その際、下部接続部３
１ｂの上部に開口部３５ｂが形成されるように記録ギャ
ップ層３５をパターニングする。

【０１３２】次に、同図に示したように、開口部３５ｂ
よりも前方の領域における平坦な記録ギャップ層３５上
に、エイペックスアングルとスロートハイトＴＨとを規
定するための絶縁膜パターン３６を例えば０．８〜１．
２μｍの厚みになるように形成する。絶縁膜パターン３
６としては、例えば、加熱により流動性を示すフォトレ
ジストが用いられる。次に、例えば２００°Ｃの温度で
加熱処理を行い、絶縁膜パターン３６の表面を平坦化す
る。この加熱処理により、絶縁膜パターン３６の外縁部
分は、丸みを帯びた緩やかな斜面形状となる。絶縁膜パ
ターン３６を形成する際には、その前端縁が、下部ポー
ルチップ３１ａの後端縁の位置よりも前方で、かつＭＲ
膜５の後端縁の位置よりも後方に位置するようにする。
ここで、主として上記の絶縁膜３４および絶縁膜パター
ン３６が、本発明における「絶縁層」の一具体例に対応
する。

【０１３３】次に、図２６に示したように、下部ポール
チップ３１ａの上方の平坦な記録ギャップ層３５上か
ら、絶縁膜パターン３６上を経て、下部接続部３１ｂの
開口部３５ｂにかけての領域に、例えば図２８（Ｂ）に
示したような平面形状の上部磁極４５を選択的に形成す
る。このとき同時に、開口部３４ｄにより露出している
コイル接続部３３ｄの上面と、図示しない外部回路とを
電気的に接続するためのコイル接続配線４５ｄを選択的
に形成する。上部磁極４５の形成工程においては、後述
するように、まず、異なる種類のフォトマスクを用いて
２回の露光工程および１回の現像工程によってフォトレ
ジストパターンを形成し、次に、このフォトレジストパ
ターンを用いて、電解めっき法によって上部磁極４５を
形成する。最後に、全体をオーバーコート層４６により
覆う。それ以降の工程は、上記各実施の形態の場合と同
様であるので、その説明を省略する。

【０１３４】〈上部磁極の形成方法〉次に、図２７およ
び図２８を参照して、上部磁極４５の形成方法を説明す
る。なお、図２７（Ａ）〜（Ｄ）は、それぞれ、上記第
１の実施の形態における図７（Ａ）〜（Ｄ）に対応する
図であり、図２８（Ａ），（Ｂ）は、それぞれ図８
（Ａ），（Ｂ）に対応する図である。なお、これらの図
で、上記の図７および図８で示した構成要素と同一の構
成要素には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。

【０１３５】本実施の形態では、上記第１の実施の形態
（図７（Ａ））の場合と同様に、第１のフォトマスク６
１として、図２７（Ａ）に示したように、長さ方向に沿
って一定幅をもつ開口部６１ｘを有するものを用いる。
このフォトマスク６１を用いて第１の露光工程を行うこ
とにより、図２７（Ｂ）に示したように、フォトレジス
ト膜１６１には、棒型の平面形状を有する第１の露光領
域１６１ｙが形成される。

【０１３６】第２の露光工程は、図２７（Ｃ）に示した
ように、上部磁極４５のヨーク部に対応した平面形状の
開口部２６２ｘを有するフォトマスク２６２を使用して
行う。これにより、図２７（Ｄ）に示したように、フォ
トレジスト膜１６１には、第２の露光領域２６２ｙが、
第１の露光領域１６１ｙの後側部分と部分的にオーバー
ラップするように形成される。結局、フォトレジスト膜
１６１には、第１の露光領域１６１ｙおよび第２の露光
領域２６２ｙを包括すると共に一部が重複露光された合
成露光領域２６３ｙが形成される。この合成露光領域２
６３ｙの平面形状は、上部磁極４５（図２８（Ｂ））の
平面形状に対応する。

【０１３７】続いて、フォトレジスト膜１６１の合成露
光領域２６３ｙを一括して現像することにより、図２８
（Ａ）に示したように、開口部２６３ｚを有するフォト
レジストパターン２６３を形成する。

【０１３８】このようにして形成されたフォトレジスト
パターン２６３を用いてめっき工程を行うことにより、
同図（Ｂ）に示したような平面形状の上部磁極４５が形
成される。このようにして形成された上部磁極４５の段
差面２９からエアベアリング面までの部分は、上記第１
の実施の形態およびその変形例における対応部分と同様
の形状的特徴をもつこととなる。その説明は省略する。

【０１３９】以上のように、本実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法によれば、本実施の形態によれば、
平坦な記録ギャップ層３５の下側における下部ポールチ
ップ３１ａと下部接続部３１ｂ以外の領域に絶縁層３４
を介して薄膜コイル３３を埋め込むと共に、記録ギャッ
プ層３５の平坦面上に他の層（本実施の形態では、絶縁
パターン３６）を配設するようにしたので、フォトリソ
グラフィによるフォトレジストパターンの形成を高精度
に行うことができ、上記他の層の高精度形成が容易とな
る。特に、２層の薄膜コイルを階層的に形成する場合に
は、２層目の薄膜コイルの微細形成を容易化することが
できる。その他の効果は、上記第１の実施の形態（図７
および図８）において説明した内容と同様である。

【０１４０】以上、いくつかの実施の形態を挙げて本発
明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定さ
れず、種々の変形が可能である。例えば、上記の各実施
の形態およびその変形例では、上部磁極１５、上部ヨー
ク２５ｃおよび上部ポールチップ２５ａ等の平面形状
は、図５や図１７に示したものに限定されるものではな
く、薄膜コイル１１で発生した磁束を先端部１５ａ，２
５ａ( １) 等の先端部分に十分に到達させ得る形状であ
る限り、自由に変更し、または組み合わせることが可能
である。

【０１４１】また、上部磁極の形成時の第１の露光工程
での露光領域の平面形状は、図７（Ｄ）および図９
（Ｄ）に示したものには限定されず、他の形状としても
よい。例えば、図２９に示したように、第１の露光工程
での露光領域が、記録トラック幅を規定する一定幅の部
分と、この一定幅の部分の後方に向かって幅が漸次広く
なる部分とを有する領域２６４ｙであるようにしてもよ
い。なお、図２９は、図９（Ｄ）に対応する図であり、
一体型の上部磁極１５を用いる第１の実施の形態におけ
る他の変形例に係る合成露光領域１６５ｙを表すもので
ある。この場合においても、図９に示した例と同様の効
果を奏する。また、上部磁極を上部ポールチップと上部
ヨークとで分割して形成する場合においても、図１８
（Ｄ）に示した第１の露光領域１７４ｙに代えて、図２
９に示したような形状の領域２６４ｙを採用するように
してもよい。

【０１４２】また、上記各実施の形態では、例えば図７
において説明したように、上部磁極の先端部１５ａに対
応する領域６１ｘを第１の露光工程で露光し、中間部１
５ｂおよびヨーク部１５ｃに対応する領域１６２ｙを第
２の露光工程で露光するようにしたが、それとは逆に、
中間部１５ｂおよびヨーク部１５ｃに対応する領域１６
２ｙを第１の露光工程で露光し、先端部１５ａに対応す
る領域６１ｘを第２の露光工程で露光するようにしても
よい。

【０１４３】また、本実施の形態では、上部磁極１５、
上部ヨーク２５ｃおよび上部ポールチップ２５ａ等とし
て、ＮｉＦｅやチッ化鉄（ＦｅＮ）等を用いるようにし
たが、このほか、例えばＦｅ−Ｃｏ−Ｚｒのアモルファ
ス等の高飽和磁束密度材を用いてもよいし、これらの材
料を２種類以上重ねて使用してもよい。また、下部磁極
７として、ＮｉＦｅと上記の高飽和磁束密度材とを重ね
た磁性材料を用いてもよい。

【０１４４】また、例えば上記各実施の形態およびその
変形例では、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法について
説明したが、本発明は、書き込み用の誘導型磁気変換素
子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや記録・再生兼用
の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドにも適用
することができる。また、本発明は、書き込み用の素子
と読み出し用の素子の積層順序を逆転させた構造の薄膜
磁気ヘッドにも適用することができる。

【０１４５】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項１５のいずれか１に記載の薄膜磁気ヘッド、または
請求項１６ないし請求項３４のいずれか１もしくは請求
項３６に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、２
つの磁性層のうち一方の磁性層が、記録媒体対向面から
この面と離れる長さ方向に延在すると共に記録媒体の記
録トラック幅を規定する一定幅を有する第１の磁性層部
分と、第１の磁性層部分における記録媒体対向面から遠
い側の後端部において第１の磁性層部分と磁気的に連結
する第２の磁性層部分とを含み、第１の磁性層部分と第
２の磁性層部分との連結部が、絶縁層の記録媒体対向面
に近い側の前端縁よりも記録媒体対向面に近い側に位置
し、かつ、第２の磁性層部分のうち少なくとも絶縁層の
前端縁と第１の磁性層部分の後端部との間の部分が、第
１の磁性層部分の幅よりも大きい幅を有するようにした
ので、第１の磁性層部分の幅よりも大きな幅を有する第
２の磁性層部分の存在により、薄膜コイルにおいて発生
した磁束が第１の磁性層部分に流入する前に第２の磁性
層部分で飽和してしまうことを抑制することが可能とな
る。この結果、薄膜コイルで発生した磁束は、段階的に
集束して、第２の磁性層部分から第１の磁性層部分へ効
率よく流入し、その先端部にまで到達することができ
る。また、絶縁層の前端縁の位置から記録媒体対向面ま
での長さ、すなわちスロートハイトを長尺化した場合に
おいても、記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅
を有する第１の磁性層部分の長さを適正となるように調
整することができるので、第１の磁性層部分の内部にお
ける磁束の飽和もまた回避することが可能となる。した
がって、第１の磁性層部分の幅を例えばサブミクロン領
域にまで微細化した場合においても、第１の磁性層部分
の先端部分まで必要かつ十分な磁束を供給することがで
きることから、優れたオーバーライト特性を確保するこ
とができるという効果を奏する。

【０１４６】特に、請求項３に記載の薄膜磁気ヘッドま
たは請求項１８に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によ
れば、第１の磁性層部分と第２の磁性層部分との連結部
に、第１の磁性層部分の延在方向に対して垂直をなす幅
方向の段差面を形成するようにしたので、記録媒体の記
録トラック幅を規定する一定幅を有する第１の磁性層部
分の長さを正確に確定することが可能となる。この結
果、記録特性のばらつきを向上させることができるとい
う効果を奏する。

【０１４７】また、請求項４に記載の薄膜磁気ヘッドま
たは請求項１９に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によ
れば、さらに、記録媒体対向面から、この面と離れる長
さ方向に延在する磁気変換機能素子膜を備えている場合
には、第１の磁性層部分と第２の磁性層部分との連結部
が、磁気変換機能素子膜の後端縁から絶縁層の前端縁ま
での間に位置することとなるようにしたので、上記連結
部が記録媒体対向面に近づき過ぎることにより生ずる不
都合、例えば、第２の磁性層部分から記録媒体対向面へ
の磁束の直接放出によるサイドライト現象や、第２の磁
性層部分からの漏れ磁束によって磁気変換機能素子膜が
受ける影響等を回避することができるという効果を奏す
る。

【０１４８】また、請求項７に記載の薄膜磁気ヘッドま
たは請求項２２に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によ
れば、薄膜コイルをギャップ層の平坦な領域上に形成す
ると共に、絶縁層が、薄膜コイルの全体とギャップ層の
一部とを覆う絶縁膜を含むようにしたので、例えば薄膜
コイルをフォトリソグラフィ法により形成する場合に、
高精度の形成が可能となる。また、薄膜コイルを絶縁膜
により覆うようにしたので、薄膜コイルのターン間の空
間に絶縁膜を隙間なく充填することができるという効果
を奏する。

【０１４９】また、請求項９に記載の薄膜磁気ヘッドま
たは請求項２４に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によ
れば、第１の磁性層部分が、ギャップ層の平坦な領域の
うち絶縁膜により覆われていない領域に延設されるよう
にしたので、例えばフォトリソグラフィ法を用いた場合
に、下地からの反射光の影響を軽減でき、第１の磁性層
部分を高精度に形成することができるという効果を奏す
る。

【０１５０】また、請求項１０もしくは請求項１４に記
載の薄膜磁気ヘッド、または請求項２５もしくは請求項
２９に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第２
の磁性層部分が絶縁膜の斜面上で終端すると共に、絶縁
層が、絶縁膜を第２の磁性層部分の表面と同じ高さまで
埋め込ように形成された他の絶縁膜を含むようにしたの
で、他の絶縁膜の形成後において上面が平坦化すること
となる。この結果、その上層にさらに他の層が配設され
る場合には、その層をより高精度に形成することができ
るという効果を奏する。

【０１５１】また、請求項３２に記載の薄膜磁気ヘッド
の製造方法によれば、第１の磁性層部分、第２の磁性層
部分および第３の磁性層部分を、一連の工程により一体
に形成するようにしたので、製造工程を簡略化すること
ができるという効果を奏する。

【０１５２】また、請求項３５ないし請求項４２のいず
れか１に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、表
面形状が平坦な領域を有するギャップ層の上に薄膜コイ
ル絶縁用の絶縁層の少なくとも一部をなす絶縁膜を形成
し、ギャップ層および絶縁膜を覆うようにしてフォトレ
ジスト層を形成し、ギャップ層の平坦な領域におけるフ
ォトレジスト層のうち、第１の磁性層部分に対応する領
域を含む第１の領域を選択的に露光し、絶縁膜の斜面か
らギャップ層の平坦な領域にかけての領域におけるフォ
トレジスト層のうち、少なくとも、第２の磁性層部分に
対応する第２の領域を第１の領域と部分的にオーバーラ
ップするように選択的に露光するようにしたので、第１
の領域の露光を、下地（絶縁膜の斜面）からの反射光の
影響を受けずに行うことができる。この結果、第１の磁
性層部分を形成するためのフォトレジストパターンにお
ける第１の磁性層部分に対応する部分の幅を、その長さ
方向全域にわたって正確に均一にすることができる。し
たがって、例えば、このフォトレジストパターンを使用
して、第１の磁性層部分を形成した場合には、その幅を
長さ方向にわたって高精度に一定化することができるた
め、記録媒体の記録トラック幅をより正確にコントロー
ルすることができるという効果を奏する。

【０１５３】また、請求項３８に記載の薄膜磁気ヘッド
の製造方法によれば、第１の領域が、記録媒体対向面か
らこの面と離れる長さ方向に延在すると共に記録媒体の
記録トラック幅を規定する一定幅を有する一定幅部分
と、一定幅部分よりも広い幅を有すると共に少なくとも
その一部が第２の領域とオーバーラップする幅広部分と
を含むようにしたので、たとえそのオーバーラップの部
分を十分小さくしたとしても、例えば露光ずれによって
第１の磁性層部分と第２の磁性層部分との接続部分にく
びれが生ずる等の不都合を回避することができるという
効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。

【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図５】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの平面構造を表す平面図である。

【図６】図５に示した薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極
の平面構造を表す平面図である。

【図７】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における上部磁極の形成工程を説明するた
めの平面図である。

【図８】図７に続く工程を表す平面図である。

【図９】本発明の第１の実施の形態の変形例における上
部磁極の形成工程を説明するための平面図である。

【図１０】図７に続く工程を表す平面図である。

【図１１】第１の実施の形態の作用を説明するための平
面図である。

【図１２】第１の実施の形態の作用を説明するための他
の平面図である。

【図１３】第１の実施の形態の変形例の作用を説明する
ための平面図である。

【図１４】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。

【図１５】図１４に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１６】図１５に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１７】発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの平面構造を表す平面図である。

【図１８】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における上部磁極の形成工程を説明する
ための図である。

【図１９】図１８に続く工程を表す平面図である。

【図２０】本発明の第２の実施の形態の変形例に係る薄
膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための断面図であ
る。

【図２１】図２０に続く工程を表す断面図である。

【図２２】図２１に続く工程を表す断面図である。

【図２３】第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製
造方法における一工程を説明するための断面図である。

【図２４】図２３に続く断面図である。

【図２５】図２４に続く断面図である。

【図２６】図２５に続く断面図である。

【図２７】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における上部磁極の形成工程を説明する
ための平面図である。

【図２８】図２７に続く工程を説明するための平面図で
ある。

【図２９】本発明の第３の実施の形態の変形例を説明す
るための平面図である。

【図３０】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一工程を
説明するための断面図である。

【図３１】図３０に続く断面図である。

【図３２】図３１に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３３】従来の薄膜磁気ヘッドの要部構造を表す断面
図である。

【図３４】図３３に示した薄膜磁気ヘッドにおけるエア
ベアリング面に平行な断面を示す断面図である。

【図３５】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す平面図で
ある。

【図３６】従来の薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極の構
造を示す平面図である。

【図３７】従来の薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極を微
細化する場合の問題点を説明するための上部磁極の平面
図である。

【符号の説明】

１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４，６…
シールドギャップ膜、５…ＭＲ膜、７…下部磁極、８，
３５…記録ギャップ層、１１，３３…薄膜コイル、１１
ｄ，３３ｄ…コイル接続部、１２…第１の絶縁膜、１３
…第２の絶縁膜、１５…上部磁極、１５ａ…先端部、１
５ｂ…中間部、１５ｃ…ヨーク部、１５ｄ，２５ｄ，４
５ｄ…コイル接続配線、１６，２７，４６…オーバーコ
ート層、２０…エアベアリング面、２１，２３，２９…
段差面、２５ａ…上部ポールチップ、２５ｂ…磁路形成
パターン、２５ａ(1) …先端部、２５ａ(2) …中間部、
２５ｃ…上部ヨーク、２５ｃ(1) …ヨーク部、２５ｃ
(2) …接続部、２６，３２，３４…絶縁膜、３１ａ…下
部ポールチップ、３１ｂ…下部接続部、３６…絶縁膜パ
ターン、６１，６４，７４…第１のフォトマスク、６
２，７２，２６２…第２のフォトマスク、１６１，１６
４，１７４…フォトレジスト膜、１６３，１６５，１７
５，２６３…フォトレジストパターン、ＴＨ…スロート
ハイト、ＭＲＨ…ＭＲハイト。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】記録媒体に対向する記録媒体対向面側
の一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極を含
む、互いに磁気的に連結された２つの磁性層と、前記２つの磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜
コイルとを有する薄膜磁気ヘッドであって、前記２つの磁性層のうち一方の磁性層は、前記記録媒体対向面から、この面と離れる長さ方向に延
在すると共に、記録媒体の記録トラック幅を規定する一
定幅を有する第１の磁性層部分と、前記第１の磁性層部分における前記記録媒体対向面から
遠い側の後端部において、前記第１の磁性層部分と磁気
的に連結する第２の磁性層部分とを含み、前記第１の磁性層部分と前記第２の磁性層部分との連結
部は、前記絶縁層の前記記録媒体対向面に近い側の前端
縁よりも、前記記録媒体対向面に近い側に位置し、前記第２の磁性層部分のうち、少なくとも、前記絶縁層
の前端縁と前記第１の磁性層部分の後端部との間の部分
は、前記第１の磁性層部分の幅よりも大きい幅を有する
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】前記第１の磁性層部分と前記第２の磁
性層部分との連結部には、幅方向の段差が形成されてい
ることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】前記連結部の段差には、前記第１の磁
性層部分の延在方向に対して垂直をなす段差面が形成さ
れていることを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項４】さらに、前記記録媒体対向面から、こ
の面と離れる長さ方向に延在する磁気変換機能素子膜を
備えた薄膜磁気ヘッドであって、前記連結部は、前記磁気変換機能素子膜の後端縁から前
記絶縁層の前端縁までの間に位置していることを特徴と
する請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の薄
膜磁気ヘッド。
【請求項５】前記記録媒体対向面から前記絶縁層の
前端縁までの長さは、前記磁気変換機能素子膜の長さの
１．５倍ないし６倍であることを特徴とする請求項４記
載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】前記一方の磁性層は、さらに、前記第２の磁性層部分に磁気的に連結されると共に、前
記絶縁層を介して前記薄膜コイルの一部を覆うように延
設された第３の磁性層部分を含むことを特徴とする請求
項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘ
ッド。
【請求項７】前記ギャップ層は、表面形状が平坦な
領域を有し、前記薄膜コイルは、前記ギャップ層の前記平坦な領域の
上に形成され、前記絶縁層は、前記薄膜コイルの全体と前記ギャップ層
の一部とを覆う絶縁膜を含むことを特徴とする請求項１
ないし請求項６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項８】前記絶縁層の前端縁の位置は、前記絶
縁膜の前記記録媒体対向面に近い側の端縁によって決定
されていることを特徴とする請求項７記載の薄膜磁気ヘ
ッド。
【請求項９】前記第１の磁性層部分は、前記ギャッ
プ層の前記平坦な領域のうち前記絶縁膜により覆われて
いない領域に延設されていることを特徴とする請求項７
または請求項８に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】前記絶縁膜の前記記録媒体対向面に
近い側の表面は、前記ギャップ層の表面に対して斜面を
なし、前記第２の磁性層部分は、前記連結部から前記絶縁膜の
前記斜面にかけて延設されていることを特徴とする請求
項９記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】前記第２の磁性層部分は、前記絶縁
膜の前記斜面上で終端し、前記絶縁層は、前記絶縁膜の上に前記第２の磁性層部分
の表面と同じ高さまで埋め込むように形成された他の絶
縁膜を含むことを特徴とする請求項１０記載の薄膜磁気
ヘッド。
【請求項１２】前記２つの磁性層のうちの他方の磁
性層は、平坦な表面を有する第４の磁性層部分と、前記ギャップ
層を介して前記第１および第２の磁性層部分に対向して
延設されると共に前記第４の磁性層部分と磁気的に連結
された第５の磁性層部分とを含み、前記薄膜コイルは、前記第４の磁性層部分と前記ギャッ
プ層との間に前記絶縁層の一部を介して埋設されている
ことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１
項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】前記絶縁層の前端縁の位置は、前記第
４の磁性層部分と前記ギャップ層との間を埋めている前
記絶縁層の一部の、前記記録媒体対向面に近い側の前端
縁によって決定されていることを特徴とする請求項１２
記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１４】前記ギャップ層は、表面形状が平坦な
領域を有し、前記絶縁層は、前記ギャップ層を介して前記薄膜コイル
の側と反対側に形成された絶縁膜を含み、前記第１の磁性層部分は、前記ギャップ層の前記平坦な
領域のうち前記絶縁膜により覆われていない領域に延設
されていることを特徴とする請求項１２または請求項１
３に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１５】前記絶縁膜の前記記録媒体対向面に
近い側の表面は、前記ギャップ層の表面に対して斜面を
なし、前記第２の磁性層部分は、前記連結部から前記絶縁膜の
前記斜面にかけて延設されていることを特徴とする請求
項１４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１６】記録媒体に対向する記録媒体対向面
側の一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極を
含む、互いに磁気的に連結された２つの磁性層と、前記
２つの磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コイ
ルとを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記２つの磁性層のうち一方の磁性層が、前記記録媒体
対向面からこの面と離れる長さ方向に延在すると共に記
録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅を有する第１
の磁性層部分と、前記第１の磁性層部分における前記記
録媒体対向面から遠い側の後端部において、前記第１の
磁性層部分と磁気的に連結する第２の磁性層部分とを含
み、かつ、前記第１の磁性層部分と前記第２の磁性層部
分との連結部が、前記絶縁層の前記記録媒体対向面に近
い側の前端縁よりも前記記録媒体対向面に近い側に位置
するように、前記一方の磁性層を形成すると共に、前記第２の磁性層部分のうち、少なくとも、前記絶縁層
の前端縁と前記第１の磁性層部分の後端部との間の部分
が、前記第１の磁性層部分の幅よりも大きい幅を有する
ように、前記第２の磁性層部分を形成することを特徴と
する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１７】前記第１の磁性層部分と前記第２の
磁性層部分との連結部に、幅方向の段差を形成すること
を特徴とする請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項１８】前記連結部の段差に、前記第１の磁
性層部分の延在方向に対して垂直をなす段差面を形成す
ることを特徴とする請求項１７記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法。
【請求項１９】さらに、前記記録媒体対向面から、
この面と離れる長さ方向に延在する磁気変換機能素子膜
を形成すると共に、前記連結部が、前記磁気変換機能素子膜の後端縁から前
記絶縁層の前端縁までの間に位置することとなるよう
に、前記第２の磁性層部分を形成することを特徴とする
請求項１６ないし１８のいずれか１項に記載の薄膜磁気
ヘッドの製造方法。
【請求項２０】前記記録媒体対向面から前記絶縁層
の前端縁までの長さが、前記磁気変換機能素子膜の長さ
の１．５倍ないし６倍となるように、前記磁気変換機能
素子膜および前記絶縁層を形成することを特徴とする請
求項１９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２１】前記一方の磁性層が、前記第２の磁
性層部分に磁気的に連結されると共に前記絶縁層を介し
て前記薄膜コイルの一部を覆うように延設された第３の
磁性層部分をさらに含むように、前記一方の磁性層を形
成することを特徴とする請求項１６ないし請求項２０の
いずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２２】前記ギャップ層を、平坦な表面形状領
域を有するように形成し、前記ギャップ層の前記平坦な表面形状領域に前記薄膜コ
イルを形成し、前記絶縁層を、それが前記薄膜コイルの全体と前記ギャ
ップ層の一部とを覆う絶縁膜を含むように形成すること
を特徴とする請求項１６ないし請求項２１のいずれか１
項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２３】前記絶縁膜の前記記録媒体対向面に
近い側の端縁によって前記絶縁層の前端縁の位置を決定
するようにしたことを特徴とする請求項２２記載の薄膜
磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２４】前記第１の磁性層部分を、前記ギャ
ップ層の前記平坦な領域のうち前記絶縁膜により覆われ
ていない領域に形成することを特徴とする請求項２２ま
たは請求項２３に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２５】前記絶縁膜の前記記録媒体対向面に
近い側の表面が、前記ギャップ層の表面に対して斜面を
なす場合において、前記連結部から前記絶縁膜の前記斜面にかけて前記第２
の磁性層部分を形成するようにしたことを特徴とする請
求項２４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項２６】前記第２の磁性層部分を、前記絶縁
膜の前記斜面上で終端するように形成し、前記絶縁層の一部として、前記絶縁膜を前記第２の磁性
層部分の表面と同じ高さまで埋め込むように他の絶縁膜
を形成することを特徴とする請求項２５記載の薄膜磁気
ヘッドの製造方法。
【請求項２７】前記２つの磁性層のうちの他方の磁
性層が、平坦な表面を有する第４の磁性層部分と、前記
ギャップ層を介して前記第１および第２の磁性層部分に
対向して延設されると共に前記第４の磁性層部分と磁気
的に連結された第５の磁性層部分と、を含むように、前
記他方の磁性層を形成すると共に、前記第４の磁性層部分と前記ギャップ層との間に、前記
絶縁層の一部を介して前記薄膜コイルを埋設することを
特徴とする請求項１６ないし請求項２１のいずれか１項
に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２８】前記第４の磁性層部分と前記ギャップ
層との間を埋めている前記絶縁層の一部の前記記録媒体
対向面に近い側の前端縁によって前記絶縁層の前端縁の
位置を決定するようにしたことを特徴とする請求項２７
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２９】前記ギャップ層を、表面形状が平坦な
領域を有するように形成し、前記ギャップ層を介して前記薄膜コイルの側と反対側に
前記絶縁層の一部としての絶縁膜を形成し、前記第１の磁性層部分を、前記ギャップ層の前記平坦な
領域のうち前記絶縁膜により覆われていない領域に形成
することを特徴とする請求項２７または請求項２８に記
載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３０】前記フォトレジスト層の前記記録媒
体対向面に近い側の表面が前記ギャップ層の表面に対し
て斜面をなす場合において、前記連結部から前記絶縁膜の前記斜面にかけて前記第２
の磁性層部分を形成するようにしたことを特徴とする請
求項２９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３１】前記第１の磁性層部分および前記第
２の磁性層部分を、一連の工程により一体に形成するよ
うにしたことを特徴とする請求項１６ないし請求項３０
のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３２】前記第１の磁性層部分、前記第２の
磁性層部分および前記第３の磁性層部分を、一連の工程
により一体に形成するようにしたことを特徴とする請求
項２１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３３】前記第１の磁性層部分および前記第
２の磁性層部分を、一連の工程により一体に形成し、前記第３の磁性層部分を、前記第１の磁性層部分および
前記第２の磁性層部分の形成工程と異なる工程により、
これらの部分とは別体として形成するようにしたことを
特徴とする請求項２１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項３４】前記第３の磁性層部分が、前記第２
の磁性層部分の少なくとも一部とオーバーラップして延
在することとなるように、前記第３の磁性層部分を形成
することを特徴とする請求項３３記載の薄膜磁気ヘッド
の製造方法。
【請求項３５】記録媒体に対向する記録媒体対向面
側の一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極を
含む、互いに磁気的に連結された２つの磁性層と、前記
２つの磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コイ
ルとを有すると共に、前記２つの磁性層のうち一方の磁
性層が、前記記録媒体対向面からこの面と離れる長さ方
向に延在し記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅
を有する第１の磁性層部分と、前記第１の磁性層部分に
おける前記記録媒体対向面から遠い側の後端部において
前記第１の磁性層部分と磁気的に連結する第２の磁性層
部分とを含む薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、表面形状が平坦な領域を有する前記ギャップ層の上に、
このギャップ層の表面に対して斜面をなす表面を有する
と共に前記絶縁層の少なくとも一部をなす絶縁層を形成
する工程と、前記ギャップ層および前記絶縁層を覆うようにしてフォ
トレジスト層を形成する工程と、前記ギャップ層の前記平坦な領域における前記フォトレ
ジスト層のうち、前記第１の磁性層部分に対応する領域
を含む第１の領域を選択的に露光する第１の露光工程
と、前記絶縁層の斜面から前記ギャップ層の前記平坦な領域
にかけての領域における前記フォトレジスト層のうち、
少なくとも、前記第２の磁性層部分に対応する第２の領
域を選択的に露光する第２の露光工程とを含み、前記第１の領域と前記第２の領域とが部分的にオーバー
ラップするようにしたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド
の製造方法。
【請求項３６】前記第１の磁性層部分と前記第２の
磁性層部分との連結部が前記絶縁層の前記記録媒体対向
面に近い側の前端縁よりも前記記録媒体対向面に近い側
に位置し、かつ、前記第２の磁性層部分のうち少なくと
も前記絶縁層の前端縁と前記第１の磁性層部分の後端部
との間の部分が前記第１の磁性層部分の幅よりも大きい
幅を有することとなるように、前記第２の磁性層部分を
形成することを特徴とする請求項３５記載の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
【請求項３７】前記第１の領域が、その長さ方向全
域にわたって位置によらずほぼ一定の幅を有するように
することを特徴とする請求項３５または請求項３６に記
載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３８】前記第１の領域が、前記記録媒体対向面からこの面と離れる長さ方向に延在
すると共に、記録媒体の記録トラック幅を規定する一定
幅を有する一定幅部分と、前記一定幅部分よりも広い幅を有すると共に、少なくと
もその一部が前記第２の領域とオーバーラップする幅広
部分とを含むようにしたことを特徴とする請求項３５ま
たは請求項３６に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３９】前記一方の磁性層が、さらに、前記
第２の磁性層部分に磁気的に連結されると共に前記絶縁
層を介して前記薄膜コイルの一部を覆うように延設され
る第３の磁性層部分を含むものである場合において、前記第２の露光工程により、前記第３の磁性層部分に対
応する領域をも同時に露光することを特徴とする請求項
３５ないし請求項３８のいずれか１項に記載の薄膜磁気
ヘッドの製造方法。
【請求項４０】さらに、露光された前記第１および第２の領域を一括して現像す
ることにより第１のフォトレジストパターンを形成する
現像工程と、前記第１のフォトレジストパターンを使用して、前記第
１の磁性層部分、前記第２の磁性層部分および前記第３
の磁性層部分を一体に形成する工程とを含むことを特徴
とする請求項３９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４１】さらに、露光された前記第１および第２の領域を一括して現像す
ることにより第２のフォトレジストパターンを形成する
現像工程と、前記第２のフォトレジストパターンを使用して、前記第
１の磁性層部分および前記第２の磁性層部分を一体に形
成する工程とを含むことを特徴とする請求項３５ないし
請求項３８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法。
【請求項４２】前記一方の磁性層が、さらに、前記
第２の磁性層部分に磁気的に連結されると共に前記絶縁
層を介して前記薄膜コイルの一部を覆うように延設され
る第３の磁性層部分を含むものである場合において、さらに、前記第３の磁性層部分に対応する領域を露光する第３の
露光工程と、前記第３の露光工程において露光された領域を現像する
ことにより第３のフォトレジストパターンを形成する現
像工程と、前記第３のフォトレジストパターンを使用して、前記第
３の磁性層部分を形成する工程とを含むことを特徴とす
る請求項４１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。