JP2002092817A

JP2002092817A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、並びに磁性層パターンの形成方法

Info

Publication number: JP2002092817A
Application number: JP2000281975A
Authority: JP
Inventors: Yoshitaka Sasaki; 芳高佐々木
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2000-09-18
Filing date: 2000-09-18
Publication date: 2002-03-29
Anticipated expiration: 2020-09-18
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Abstract

(57)【要約】【課題】磁極幅を高精度に極微小化することが可能な
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、並びに細長い磁性
層パターンを高精度に形成することが可能な磁性層パタ
ーンの形成方法を提供する。【解決手段】大きい幅（＞Ｗ２）を有すると共に、後
端部の幅方向に延びる端縁が直線状をなすように前駆磁
性層を形成したのち、この前駆磁性層上に形成した上部
磁性層１２Ｃ（第１の磁極先端部１２Ｃ(1) ）をマスク
として、ＲＩＥにより前駆磁性層を選択的にエッチング
する。このような手法を用いることにより、極微小な一
定幅（例えば０．１μｍ）を有すると共に、後端面１２
ＡＭの幅方向に延びる端縁が直線状をすように第２の磁
極先端部１２Ａを形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも書き込
み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法、並びに各種分野における磁性層パター
ンの形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）と記す。）素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。

【０００３】記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高め
るには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必
要がある。このためには、記録ギャップ（write gap)を
挟んでその上下に形成された下部磁極（ボトムポール）
および上部磁極（トップポール）のエアベアリング面で
の幅を数ミクロンからサブミクロンオーダーまで狭くし
た狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があり、
これを達成するために半導体加工技術が利用されてい
る。

【０００４】ここで、図３９〜図４４を参照して、従来
の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型薄膜
磁気ヘッドの製造方法について説明する。

【０００５】この製造方法では、まず、図３９に示した
ように、例えばアルティック（Ａｌ ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）よ
りなる基板１０１上に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ
₂Ｏ ₃；以下、単に「アルミナ」という。）よりなる絶
縁層１０２を、約５．０〜１０．０μｍ程度の厚みで堆
積する。次に、絶縁層１０２上に、再生ヘッド用の下部
シールド層１０３を形成する。次に、下部シールド層１
０３上に、例えばアルミナ層を１００〜２００ｎｍの厚
みでスパッタ堆積し、シールドギャップ膜１０４を形成
する。次に、シールドギャップ膜１０４上に、高精度の
フォトリソグラフィ処理により所望のパターンとなるよ
うに、再生用のＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜１０５
を数十ｎｍの厚みで形成する。次に、ＭＲ膜１０５の両
側に、このＭＲ膜１０５と電気的に接続する引き出し電
極層としてのリード層（図示せず）を形成したのち、こ
のリード層、シールドギャップ膜１０４およびＭＲ膜１
０５上に、シールドギャップ膜１０６を形成し、シール
ドギャップ膜１０４，１０６内にＭＲ膜１０５を埋設す
る。次に、シールドギャップ膜１０６上に、再生ヘッド
および記録ヘッドの双方に用いる磁性材料、例えばニッ
ケル鉄合金（ＮｉＦｅ；以下、単に「パーマロイ（商品
名）」という。）よりなる上部シールド兼下部磁極（以
下、単に「下部磁極」という。）１０７を形成する。

【０００６】次に、図４０に示したように、下部磁極１
０７上に、絶縁材料、例えばアルミナよりなる記録ギャ
ップ層１０８を形成する。次に、記録ギャップ層１０８
上に、高精度のフォトリソグラフィ処理により、フォト
レジスト膜１０９を所定のパターンとなるように形成す
る。次に、フォトレジスト膜１０９上に、電解めっき法
により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド
用の薄膜コイル１１０を形成する。次に、フォトレジス
ト膜１０９および薄膜コイル１１０を覆うように、高精
度のフォトリソグラフィによりフォトレジストを所定の
パターンとなるように形成したのち、このフォトレジス
トに対して例えば２５０°Ｃの温度で加熱処理を施す。
この加熱処理により、薄膜コイル１１０の各巻線間を絶
縁させるためのフォトレジスト膜１１１が形成される。

【０００７】次に、図４１に示したように、磁路形成の
ために、薄膜コイル１１０よりも後方（図４１における
右側）における記録ギャップ層１０８の一部を部分的に
エッチングして開口部１０８Ａを形成し、下部磁極１０
７の一部を露出させる。次に、下部磁極１０７の露出
面、フォトレジスト膜１１１および記録ギャップ層１０
８を覆うように、電解めっき法により、記録ヘッド用の
磁性材料、例えばパーマロイよりなる上部ヨーク兼上部
磁極（以下、単に「上部磁極」という。）１１２を形成
する。この上部磁極１１２は、例えば、後述する図４４
に示したような平面形状を有するものであり、ヨーク部
１１２Ａおよびポールチップ部１１２Ｂを含んでいる。
上部磁極１１２は、開口部１０８Ａにおいて下部磁極１
０７と接触し、磁気的に連結されている。次に、上部磁
極１１２のポールチップ部１１２Ｂをマスクとして、そ
の周辺領域における記録ギャップ層１０８および下部磁
極１０７のそれぞれの一部をイオンミリングによって選
択的に約０．５μｍ程度エッチングして除去する（図４
３参照）。次に、上部磁極１１２を覆うように、例えば
アルミナよりなるオーバーコート層１１３を形成する。
最後に、機械加工や研磨工程により、記録ヘッドおよび
再生ヘッドのトラック面、すなわちエアベアリング面１
２０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。

【０００８】図４２〜図４４は、完成した状態の薄膜磁
気ヘッドの構造を表すものである。ここで、図４２はエ
アベアリング面１２０に垂直な方向における薄膜磁気ヘ
ッドの断面を示し、図４３はエアベアリング面１２０に
平行な方向における磁極部分５００の断面を拡大して示
し、図４４は薄膜磁気ヘッドの平面構造を示す。図４１
は、図４４におけるXXXXI−XXXXI線に沿った矢視断面に
相当する。なお、図４２〜図４４では、オーバーコート
層１１３等の図示を省略している。図４４では、薄膜コ
イル１１０およびフォトレジスト膜１１１のそれぞれの
最外端のみを図示している。

【０００９】図４２および図４４において、「ＴＨ」は
スロートハイト（Throat Height ）を表し、「ＭＲＨ」
はＭＲハイトを表している。ここで、「スロートハイト
（ＴＨ）」とは、記録ヘッドの性能を決定する要因のう
ちの一つであり、薄膜コイル１１０を他の導電部分と電
気的に分離するための絶縁層（フォトレジスト膜１１
１）の最もエアベアリング面１２０に近い側の端縁の位
置、すなわちスロートハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）か
らエアベアリング面１２０の位置までの長さである。記
録ヘッドの性能向上のためには、スロートハイト（Ｔ
Ｈ）の最適化が望まれている。このスロートハイト（Ｔ
Ｈ）は、エアベアリング面１２０を形成する際の研磨量
によって制御される。一方、「ＭＲハイト（ＭＲＨ）」
とは、ＭＲ膜１０５の最もエアベアリング面１２０から
遠い側の端縁の位置、すなわちＭＲハイトゼロ位置（Ｍ
ＲＨ０位置）からエアベアリング面１２０の位置までの
長さである。このＭＲハイト（ＭＲＨ）もまた、エアベ
アリング面１２０を形成する際の研磨量によって制御さ
れる。

【００１０】薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因とし
ては、スロートハイト（ＴＨ）やＭＲハイト（ＭＲＨ）
等の他に、図４２に示したエイペックスアングル（Apex
Angle：θ）がある。このエイペックスアングルθは、
フォトレジスト膜１１１のエアベアリング面１２０に近
い側の斜面の平均斜度である。

【００１１】図４３に示したように、記録ギャップ層１
０８および下部磁極１０７のそれぞれの一部が上部磁極
１１２のポールチップ部１１２Ｂに対して自己整合的に
エッチングされた構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれ
る。このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時
に発生する磁束の広がりによる実効トラック幅の増加を
防止することができる。「Ｐ２Ｗ」は、トリム構造を有
する部分（以下、単に「磁極部分５００」という。）の
幅、すなわち磁極幅（または「トラック幅」）を表して
いる。「Ｐ２Ｌ」は、磁極部分５００の一部を構成する
ポールチップ部１１２Ｂの厚み、すなわち磁極長を表し
ている。なお、ＭＲ膜１０５の両側には、このＭＲ膜１
０５と電気的に接続する引き出し電極層としてのリード
層１２１が設けられている。ただし、図３９〜図４２で
は、リード層１２１の図示を省略している。

【００１２】図４４に示したように、上部磁極１１２
は、その大部分を占めるヨーク部１１２Ａと、磁極幅Ｐ
２Ｗとしてほぼ一定の幅を有するポールチップ部１１２
Ｂとを有している。ヨーク部１１２Ａとポールチップ部
１１２Ｂとの連結部分において、ヨーク部１１２Ａの外
縁は、エアベアリング面１２０と平行な面に対して角度
αをなしている。また、上記連結部分において、ポール
チップ部１１２Ｂの外縁は、エアベアリング面１２０と
平行な面に対して角度βをなしている。図４４では、例
えば、αが約４５度であり、βが約９０度である場合を
示している。上記したように、ポールチップ部１１２Ｂ
は、トリム構造を有する磁極部分５００を形成する際に
マスクとして機能する部分である。図４２および図４４
から判るように、ポールチップ部１１２Ｂは平坦な記録
ギャップ層１０８の上に延在し、ヨーク部１１２Ａはフ
ォトレジスト膜１１１で覆われて丘陵状に盛り上がった
コイル部分（以下、「エイペックス部」という。）の上
に延在している。

【００１３】なお、上部磁極の詳細な構造的特徴に関し
ては、例えば、特開平８−２４９６１４号公報に記載が
ある。この公報では、ＴＨ０位置よりも後側（エアベア
リング面１２０から離れる側）の部分の幅が徐々に大き
くなるような構造を有する上部磁極について記載してい
る。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】磁極部分５００の磁極
幅Ｐ２Ｗは、磁気記録媒体上の記録トラック幅を規定す
るものである。記録密度を高めるためには、磁極部分５
００を高い精度で形成し、磁極幅Ｐ２Ｗを微小化する必
要がある。磁極幅Ｐ２Ｗが大きすぎる場合には、磁気記
録媒体上の所定の記録トラック領域以外の隣接領域にも
書き込みしてしまう現象、すなわちサイドイレーズ現象
が発生してしまい、記録密度を向上させることができな
いからである。特に、近年、高面密度記録を可能とする
ため、すなわち、狭トラック構造の記録ヘッドを形成す
るために、約０．３μｍ以下に至る磁極幅Ｐ２Ｗの極微
小化が要求されており、磁極幅Ｐ２Ｗの極微小化に係る
製造技術の確立は急務である。

【００１５】上部磁極を形成する方法としては、例え
ば、特開平７−２６２５１９号公報に示されるように、
フレームめっき法が用いられる。フレームめっき法を用
いて上部磁極１１２を形成する場合には、まず、エイペ
ックス部を含む下地上に、全体に、例えばスパッタリン
グにより、例えばパーマロイよりなる薄い電極膜を形成
する。次に、電極膜上にフォトレジストを塗布してフォ
トレジスト膜を形成したのち、このフォトレジストも膜
に対してフォトリソグラフィ処理を施してパターニング
することにより、めっき処理を行うためのフレームパタ
ーン（外枠）を形成する。このフレームパターンは、上
部磁極１１２の平面形状に対応する開口パターンを有す
るものである。次に、このフレームパターンをマスクと
して用いると共に先工程において形成した電極膜をシー
ド層として用いて、電解めっき法により、フレームパタ
ーンの開口パターン中に、例えばパーマロイよりなる上
部磁極１１２を形成する。

【００１６】ところで、エイペックス部と他の部分とで
は、例えば７〜１０μｍ以上の高低差がある。このエイ
ペックス部上に、フォトレジストを３〜４μｍの厚みで
塗布する。エイペックス部上のフォトレジストの膜厚が
最低３μｍ以上必要であるとすると、流動性のあるフォ
トレジストは低い方に集まることから、エイペックス部
の下方では、例えば８〜１０μｍ以上の厚みのフォトレ
ジスト膜が形成される。

【００１７】極微小な磁極幅Ｐ２Ｗを実現するために
は、この磁極幅Ｐ２Ｗに対応して極微小な幅（例えば
１．０μｍ以下）を有する開口パターンを備えたフレー
ムパターンを形成する必要がある。すなわち、８〜１０
μｍ以上の厚みのあるフォトレジスト膜により、１．０
μｍ以下の極微小な幅を有する開口パターンを形成しな
ければならない。ところが、このような膜厚の厚いフォ
トレジスト膜を用いて、極微小な幅を有する開口パター
ンを備えたフレームパターンを形成することは、製造工
程上極めて困難であった。

【００１８】しかも、エイペックス部等により構成され
た凹凸構造を有する領域に上部磁極１１２を形成する場
合には、以下のような理由により、上部磁極１１２の形
成精度は大きく低下してしまうという問題があった。す
なわち、上部磁極１１２を形成するためのフレームパタ
ーンの形成工程において、凹凸構造を有する領域に形成
されたフォトレジスト膜に対して露光処理を施した場合
には、下地（電極膜）の斜面部等から斜め方向または横
方向へ反射する反射光が生じる。この反射光は、フォト
レジスト膜中の露光領域を拡大または縮小させることと
なる。これにより、特に、フォトレジスト膜のうち、上
部磁極１１２のポールチップ部１１２Ｂに対応して極微
小な幅を有する開口パターンの幅が幅方向に拡大してし
まう。

【００１９】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、磁極幅を高精度に極微小化すること
が可能な薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、並びに細
長い磁性層パターンを高精度に形成することが可能な磁
性層パターンの形成方法を提供することにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の観点に係
る薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する記録媒体対向
面に近い側の一部に、ギャップ層を介して対向する２つ
の磁極を有する、互いに磁気的に連結された第１の磁性
層および第２の磁性層と、第１の磁性層と第２の磁性層
との間に配設された薄膜コイルと、薄膜コイルを第１の
磁性層および第２の磁性層から絶縁する絶縁層とを有す
る薄膜磁気ヘッドであって、第１の磁性層は、ギャップ
層より遠い側から順に配設された第１の磁性層部分およ
び第２の磁性層部分の積層体を含み、第２の磁性層部分
は、記録媒体の記録トラック幅を規定するための一定幅
を保ちつつ記録媒体対向面からこの面より離れる方向に
ギャップ層に隣接ながら延在して第１の位置で終端し、
第１の磁性層部分は、第２の磁性層部分の一定幅と同一
の幅を保ちつつ記録媒体対向面またはその近傍位置から
この面より離れる方向に延在して第１の位置と同一また
は近傍の第２の位置で終端する一定幅部分と、一定幅部
分の幅よりも大きな幅を有すると共に、第２の位置から
記録媒体対向面より離れる方向に延在して第３の位置で
終端する拡幅部分とを含むようにしたものである。

【００２１】本発明の第１の観点に係る薄膜磁気ヘッド
では、ギャップ層より遠い側から順に第１の磁性層部分
および第２の磁性層部分が配設され、これらの２つの磁
性層部分を含んで第１の磁性層が構成される。第１の磁
性層部分の一定幅部分および第２の磁性層部分は互いに
同一の一定幅を有し、双方の部位によって記録媒体の記
録トラック幅が規定される。

【００２２】本発明の第１の観点に係る薄膜磁気ヘッド
では、第１の磁性層部分の一定幅部分における記録媒体
対向面に近い側の端縁の位置が、記録媒体対向面の位置
と一致するようにしてもよいし、記録媒体対向面から離
れる方向にずれるようにしてもよい。

【００２３】また、本発明の第１の観点に係る薄膜磁気
ヘッドでは、第１の磁性層部分の一定幅部分における記
録媒体対向面に近い側の端部の厚みが記録媒体対向面か
ら遠い側の端部の厚みよりも小さくなるようにするのが
好適である。

【００２４】また、本発明の第１の観点に係る薄膜磁気
ヘッドでは、第１の磁性層部分と第２の磁性層部分との
境界面が平面をなすようにしてもよい。

【００２５】また、本発明の第１の観点に係る薄膜磁気
ヘッドでは、絶縁層における記録媒体対向面に近い側の
位置が第１の位置と一致するようにしてもよい。このよ
うな場合には、第２の磁性層部分と絶縁層との境界面が
平面をなすようにし、その境界面が第２の磁性層部分の
延在方向に対して垂直になるようにしてもよい。

【００２６】また、本発明の第１の観点に係る薄膜磁気
ヘッドでは、薄膜コイルが、その一部をなす第１の薄膜
コイルを含み、第１の薄膜コイルが、その最も多くの部
分が第２の磁性層部分の厚みに対応する空間領域に含ま
れるように配設されるようにしてもよい。このような場
合には、第２の磁性層部分の厚みが第１の薄膜コイルの
厚みよりも大きくなるようにするのが好適である。

【００２７】また、本発明の第１の観点に係る薄膜磁気
ヘッドでは、第２の磁性層のうちの第１の磁性層に近い
側に窪み領域が設けられ、第１の薄膜コイルが窪み領域
に配設されるようにしてもよい。

【００２８】また、本発明の第１の観点に係る薄膜磁気
ヘッドでは、薄膜コイルが、さらに、その一部をなすと
共に第１の薄膜コイルと電気的に接続された第２の薄膜
コイルを含む場合には、第２の薄膜コイルが、第１の磁
性層部分の一定幅部分の厚みに対応する空間領域に含ま
れるように配設されるようにしてもよい。

【００２９】また、本発明の第１の観点に係る薄膜磁気
ヘッドでは、第３の位置が第１の薄膜コイルよりも記録
媒体対向面に近い側に位置し、第１の磁性層が、さら
に、第１の磁性層部分と部分的にオーバーラップして磁
気的に連結された第３の磁性層部分を含むようにしても
よい。このような場合には、第１の磁性層部分と第３の
磁性層部分とがオーバーラップするオーバーラップ領域
に、ギャップ層に隣接するようにして絶縁層の一部が配
設されるようにするのが好適である。

【００３０】また、本発明の第１の観点に係る薄膜磁気
ヘッドでは、第２の磁性層部分を構成する磁性材料が、
第１の磁性層部分を構成する磁性材料の飽和磁束密度以
上の飽和磁束密度を有するものであるようにしてもよ
い。このような場合には、第１の磁性層部分が、鉄、ニ
ッケルおよびコバルトを含む磁性材料よりなるものであ
り、第２の磁性層部分が、ニッケル鉄合金またはコバル
ト鉄合金のいずれかを含む磁性材料よりなるものである
ようにするのが好適である。

【００３１】また、本発明の第１の観点に係る薄膜磁気
ヘッドでは、第１の磁性層部分および第２の磁性層部分
のうちの少なくとも一方が、窒化鉄、ニッケル鉄合金ま
たはアモルファス合金のいずれか１つを含む磁性材料よ
りなるものであるようにしてもよい。アモルファス合金
としては、コバルト鉄合金、ジルコニウムコバルト鉄酸
化物合金またはジルコニウム鉄窒化物合金のいずれかで
あるようにするのが好適である。

【００３２】また、本発明の第１の観点に係る薄膜磁気
ヘッドでは、第１の磁性層部分および第２の磁性層部分
のうちの少なくとも一方が、鉄、ニッケルおよびコバル
トを含む磁性材料よりなるものであるようにしてもよ
い。

【００３３】本発明の第２の観点に係る薄膜磁気ヘッド
は、記録媒体に対向する記録媒体対向面に近い側の一部
に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極を有する、
互いに磁気的に連結された第１の磁性層および第２の磁
性層と、第１の磁性層と第２の磁性層との間に配設され
た薄膜コイルと、薄膜コイルを第１の磁性層および第２
の磁性層から絶縁する絶縁層とを有する薄膜磁気ヘッド
であって、第１の磁性層が、記録媒体対向面からこの面
より離れる方向にギャップ層に隣接して延在すると共に
記録媒体の記録トラック幅を規定するトラック幅規定部
分を含み、このトラック幅規定部分が複数の磁性層から
なる積層構造を有するようにしたものである。

【００３４】本発明の第２の観点に係る薄膜磁気ヘッド
では、複数の磁性層からなる積層構造を有するようにト
ラック幅規定部分が構成され、このトラック幅規定部分
により記録媒体の記録トラック幅が規定される。

【００３５】本発明の第１の観点に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、記録媒体に対向する記録媒体対向面に近
い側の一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極
を有する、互いに磁気的に連結された第１の磁性層およ
び第２の磁性層と、第１の磁性層と第２の磁性層との間
に配設された薄膜コイルと、薄膜コイルを第１の磁性層
および第２の磁性層から絶縁する絶縁層とを有すると共
に、第１の磁性層がギャップ層より遠い側から順に配設
された第１の磁性層部分および第２の磁性層部分を含
み、第２の磁性層部分が記録媒体の記録トラック幅を規
定するための一定幅を保ちつつ記録媒体対向面からこの
面より離れる方向にギャップ層に隣接して延在して第１
の位置で終端し、第１の磁性層部分が、第２の磁性層部
分の一定幅と同一の幅を保ちつつ記録媒体対向面または
その近傍位置からこの面より離れる方向に延在して第１
の位置と同一または近傍の第２の位置で終端する一定幅
部分と、一定幅部分の幅よりも大きな幅を有すると共に
第２の位置から記録媒体対向面より離れる方向に延在し
て第３の位置で終端する拡幅部分とを含む薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法であって、第１の磁性層を形成する工程
が、ギャップ層上における記録媒体対向面が形成される
べき位置の近傍から第１の位置に至る領域に、第２の磁
性層部分の一定幅よりも大きい幅と、第１の位置におい
て第２の磁性層部分の幅方向に延びる直線状の端縁とを
有するように第２の磁性層部分の前準備層としての前駆
磁性層を選択的に形成する第１の工程と、少なくとも前
駆磁性層およびその周辺領域を覆うように絶縁層の前準
備層としての前駆絶縁層を形成する第２の工程と、少な
くとも前駆磁性層が露出するまで前駆絶縁層を研磨して
平坦化することにより絶縁層を形成する第３の工程と、
研磨後の平坦面上に、一定幅部分における第２の位置が
第１の位置よりも記録媒体対向面から遠い側に位置する
ように第１の磁性層部分を選択的に形成する第４の工程
と、第１の磁性層部分の一定幅部分をマスクとして用い
て前駆磁性層を選択的にエッチングすることにより第２
の磁性層部分を選択的に形成する第５の工程とを含むよ
うにしたものである。

【００３６】本発明の第１の観点に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法では、まず、第１の工程において、ギャップ
層上における記録媒体対向面が形成されるべき位置の近
傍から第１の位置に至る領域に、第２の磁性層部分の一
定幅よりも大きい幅と、第１の位置において第２の磁性
層部分の幅方向に延びる直線状の端縁とを有するように
第２の磁性層部分の前準備層としての前駆磁性層が選択
的に形成される。続いて、第２の工程において、少なく
とも前駆磁性層およびその周辺領域を覆うように絶縁層
の前準備層としての前駆絶縁層が形成される。続いて、
第３の工程において、少なくとも前駆磁性層が露出する
まで前駆絶縁層が研磨されて平坦化されることにより絶
縁層が形成される。続いて、第４の工程において、研磨
後の平坦面上に、一定幅部分における第２の位置が第１
の位置よりも記録媒体対向面から遠い側に位置するよう
に第１の磁性層部分が選択的に形成される。最後に、第
５の工程において、第１の磁性層部分の一定幅部分をマ
スクとして用いて前駆磁性層が選択的にエッチングさ
れ、第２の磁性層部分が選択的に形成されることによ
り、第１の磁性層が形成される。

【００３７】本発明の第１の観点に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法では、第５の工程において、第２の磁性層部
分の形成を反応性イオンエッチングを用いて行うように
するのが好適である。

【００３８】また、本発明の第１の観点に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法では、第１の工程において、前駆磁性
層の形成を反応性イオンエッチングを用いて行うように
するのが好適である。

【００３９】また、本発明の第１の観点に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法では、第５の工程において、ギャップ
層および第２の磁性層のうち、第１の磁性層部分の一定
幅部分の形成領域以外の領域をその厚み方向における所
定の位置まで除去するようにしてもよい。

【００４０】また、本発明の第１の観点に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法では、ギャップ層上にスパッタリング
を用いて磁性材層を形成したのち、この磁性材層を選択
的にエッチングすることにより前駆磁性層を形成すると
共に、第１の磁性層部分をめっき膜の成長処理を用いて
形成するようにするのが好適である。

【００４１】本発明の第２の観点に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、記録媒体に対向する記録媒体対向面に近
い側の一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極
を有する、互いに磁気的に連結された第１の磁性層およ
び第２の磁性層と、第１の磁性層と第２の磁性層との間
に配設された薄膜コイルと、薄膜コイルを第１の磁性層
および第２の磁性層から絶縁する絶縁層とを有する薄膜
磁気ヘッドの製造方法であって、第１の磁性層を形成す
る工程は、ギャップ層より遠い側から順に配設された第
１の磁性層部分および第２の磁性層部分を含む積層体を
形成する工程を含み、第２の磁性層部分の形成工程にお
いて、記録媒体の記録トラック幅を規定するための一定
幅を保ちつつ記録媒体対向面からこの面より離れる方向
にギャップ層に隣接ながら延在して第１の位置で終端す
るように第２の磁性層部分を形成し、第１の磁性層部分
の形成工程において、第２の磁性層部分の一定幅と同一
の幅を保ちつつ記録媒体対向面またはその近傍位置から
この面より離れる方向に延在して第１の位置と同一また
は近傍の第２の位置で終端する一定幅部分と、一定幅部
分の幅よりも大きな幅を有すると共に第２の位置から記
録媒体対向面より離れる方向に延在して第３の位置で終
端する拡幅部分とを含むように第１の磁性層部分を形成
するようにしたものである。

【００４２】本発明の第２の観点に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法では、ギャップ層より遠い側から順に第１の
磁性層部分および第２の磁性層部分を含む積層体が形成
されることにより、第１の磁性層部分が形成される。こ
のとき、第２の磁性層部分の形成工程において、記録媒
体の記録トラック幅を規定するための一定幅を保ちつつ
記録媒体対向面からこの面より離れる方向にギャップ層
に隣接ながら延在して第１の位置で終端するように第２
の磁性層部分が形成される。また、第１の磁性層部分の
形成工程において、第２の磁性層部分の一定幅と同一の
幅を保ちつつ記録媒体対向面またはその近傍位置からこ
の面より離れる方向に延在して第１の位置と同一または
近傍の第２の位置で終端するように第１の磁性層部分の
一部をなす一定幅部分が形成されると共に、一定幅部分
の幅よりも大きな幅を有すると共に第２の位置から記録
媒体対向面より離れる方向に延在して第３の位置で終端
するように第１の磁性層部分の一部をなす拡幅部分が形
成されることにより、一定幅部分および拡幅部分を含む
ように第１の磁性層部分が形成される。

【００４３】本発明の第２の観点に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法では、薄膜コイルが、その一部をなす第１の
薄膜コイルを含む場合において、第１の薄膜コイルを、
その最も多くの部分が第２の磁性層部分の厚みに対応す
る空間領域に含まれるように形成するようにしてもよ
い。このような場合には、第２の磁性層のうちの第１の
磁性層に近い側の一部をその厚み方向における所定の位
置までエッチングすることにより窪み領域を形成し、こ
の窪み領域に第１の薄膜コイルを形成するようにしても
よい。

【００４４】また、本発明の第２の観点に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法では、薄膜コイルが、さらに、その一
部をなすと共に第１の薄膜コイルと電気的に接続された
第２の薄膜コイルを含む場合において、第２の薄膜コイ
ルを、その大部分が第１の磁性層部分に対応する空間領
域に含まれるように形成するようにしてもよい。

【００４５】本発明の磁性層パターンの形成方法は、所
定の下地層上に一定幅を有する細長い磁性層パターンを
形成するための磁性層パターンの形成方法であって、下
地層上に、磁性層パターンの一定幅よりも大きい幅と、
磁性層パターンの幅方向に延びる直線状の端縁とを有す
るように磁性層パターンの前準備層としての前駆磁性層
を選択的に形成する工程と、少なくとも前駆磁性層およ
びその周辺領域を覆うように非磁性層を形成する工程
と、少なくとも前駆磁性層が露出するまで非磁性層を研
磨して平坦化する工程と、研磨後の平坦面上に、前駆磁
性層における直線状の端縁と交差すると共に非磁性層の
表面領域から前駆磁性層の表面領域へ延在するように、
磁性層パターンの一定幅と同一の幅を有するエッチング
マスクを選択的に形成する工程と、エッチングマスクを
用いて前駆磁性層を選択的にエッチングすることにより
磁性層パターンを選択的に形成する工程とを含むように
したものである。

【００４６】本発明の磁性層パターンの形成方法では、
まず、下地層上に、磁性層パターンの一定幅よりも大き
い幅と、磁性層パターンの幅方向に延びる直線状の端縁
とを有するように磁性層パターンの前準備層としての前
駆磁性層が選択的に形成される。続いて、少なくとも前
駆磁性層およびその周辺領域を覆うように非磁性層が形
成される。続いて、少なくとも前駆磁性層が露出するま
で非磁性層が研磨されて平坦化される。続いて、研磨後
の平坦面上に、前駆磁性層における直線状の端縁と交差
すると共に非磁性層の表面領域から前駆磁性層の表面領
域へ延在するように、磁性層パターンの一定幅と同一の
幅を有するエッチングマスクが選択的に形成される。最
後に、エッチングマスクを用いて前駆磁性層が選択的に
エッチングされることにより磁性層パターンが選択的に
形成される。

【００４７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。

【００４８】〔第１の実施の形態〕まず、図１〜図１８
を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製造
方法の一例について説明する。

【００４９】図１〜図１０において、（Ａ）はエアベア
リング面に垂直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエア
ベアリング面に平行な断面を示している。図１１〜図１
７は主要な製造工程に対応する斜視構造を示している。
ここで、図１１は図１に示した状態に対応し、図１２は
図２に示した状態に対応し、図１３は図５に示した状態
に対応する。また、図１４は図６に示した状態に対応
し、図１５は図７に示した状態に対応し、図１６は図８
に示した状態に対応し、図１７は図９に示した状態に対
応する。ただし、図１７では、図９におけるオーバーコ
ート層１７等の図示を省略している。図１８は、図２に
示した状態に対応する平面構造を示している。

【００５０】以下の説明では、図１〜図１８の各図中に
おけるＸ軸方向を「幅方向」、Ｙ軸方向を「長さ方
向」、Ｚ軸方向を「厚み（深さ）方向または高さ方向」
として表記すると共に、Ｙ軸方向のうちのエアベアリン
グ面７０に近い側（または後工程においてエアベアリン
グ面７０となる側）を「前側（または前方）」、その反
対側を「後側（または後方）」と表記するものとする。

【００５１】＜薄膜磁気ヘッドの製造方法＞本実施の形
態に係る製造方法では、まず、図１に示したように、例
えばアルティック（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）よりなる基板
１上に、例えばアルミナよりなる絶縁層２を、約３．０
〜５．０μｍの厚みで堆積する。次に、絶縁層２上に、
例えばフレームめっき法を用いて、例えばパーマロイ
（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）を約２．０〜
３．０μｍの厚みで選択的に形成して、再生ヘッド用の
下部シールド層３を形成する。フレームめっき法に関す
る詳細については、後述する。下部シールド層３を形成
する際には、例えば、後述する図２１に示したような平
面形状を有するようにする。なお、下部シールド層３を
形成するためのパーマロイとしては、上記したＮｉ：８
０重量％，Ｆｅ：２０重量％の組成を有するものの他、
例えば、Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％の組成を
有するものを用いるようにしてもよい。次に、全体を覆
うように、例えばアルミナ層を約４．０〜５．０μｍの
厚みで形成したのち、例えばＣＭＰ（化学機械研磨）法
により、下部シールド層３が露出するまでアルミナ層の
表面を研磨して全体を平坦化する。これにより、下部シ
ールド層３の周辺領域を埋め込むように絶縁膜４が形成
される。

【００５２】次に、図１に示したように、下部シールド
層３上に、例えばスパッタリングにより、例えばアルミ
ナよりなるシールドギャップ膜５を約１００〜２００ｎ
ｍの厚みで形成する。次に、シールドギャップ膜４上
に、高精度のフォトリソグラフィ処理を用いて、再生ヘ
ッド部の要部であるＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜６
を所望の形状となるように形成する。次に、ＭＲ膜６の
両側に、このＭＲ膜６と電気的に接続する引き出し電極
層としてのリード層（図示せず）を形成する。次に、こ
のリード層、シールドギャップ膜５およびＭＲ膜６上に
シールドギャップ膜７を形成して、ＭＲ膜６をシールド
ギャップ膜５，７内に埋設する。シールドギャップ膜７
の形成材料および形成方法等は、シールドギャップ膜５
の場合とほぼ同様である。

【００５３】次に、図１に示したように、シールドギャ
ップ膜７上に、上部シールド層８を約１．０〜１．５μ
ｍの厚みで選択的に形成する。上部シールド層８の形成
材料および形成方法等は、下部シールド層３の場合とほ
ぼ同様である。次に、上部シールド層８上に、例えばス
パッタリングにより、例えばアルミナよりなる絶縁膜９
を約０．１５〜０．２μｍの厚みで形成する。

【００５４】次に、図１に示したように、絶縁膜９上
に、高飽和磁束密度を有する磁性材料、例えば窒化鉄
（ＦｅＮ）よりなる下部磁極１０を選択的に形成する。
下部磁極１０を形成する際には、例えば、後述する図２
１に示したような平面形状を有するようにする。

【００５５】ここで、下部磁極１０の形成は、以下のよ
うな手順により行う。すなわち、まず、絶縁膜９上に、
例えばスパッタリングにより、例えば窒化鉄層を約２．
０〜２．５μｍの厚みで形成する。続いて、所定の形状
および材質（例えば、クロム等の金属材料）を有するマ
スクを用いて、例えばリアクティブイオンエッチング
（Reactive Ion Etching；以下、単に「ＲＩＥ」とい
う）により窒化鉄層をエッチングしてパターニングする
ことにより、下部磁極１０を選択的に形成する。下部磁
極１０の表面は、その全域にわたってほぼ平坦となる。
一般に、ＲＩＥを用いた場合のエッチング速度は、イオ
ンミリングを用いた場合のエッチング速度よりも速い。
このため、エッチング方法としてＲＩＥを用いることに
より、イオンミリングを用いる場合よりも、下部磁極１
０を短時間で形成することができる。ＲＩＥによるエッ
チング処理を用いて下部磁極１０を形成する場合には、
特に、エッチング時に使用するエッチングガスの種類や
エッチング時の加工温度などのエッチング条件を適正化
することにより、下部磁極１０の形成に要する時間をよ
り短縮させることが可能となる。このようなエッチング
条件の適正化に関する詳細については、後述する。な
お、下部磁極１０の形成材料としては、窒化鉄の他、例
えば、窒化鉄と同様に高飽和磁束密度を有する磁性材料
として、コバルト鉄合金（ＦｅＣｏ）、ジルコニウムコ
バルト鉄酸化物合金（ＦｅＣｏＺｒＯ）またはジルコニ
ウム鉄窒化物合金（ＦｅＺｒＮ）などのアモルファス合
金を用いるようにしてもよい。窒化鉄層をパターニング
するためのエッチング方法としては、必ずしもＲＩＥを
用いなければならないものではなく、イオンミリングを
用いるようにしてもよい。ここで、下部磁極１０が、本
発明の第１，第２の観点に係る薄膜磁気ヘッドまたはそ
の製造方法における「第２の磁性層」の一具体例に対応
する。

【００５６】次に、図１に示したように、下部磁極１０
上に、例えばスパッタリングにより、非磁性材料、例え
ばアルミナよりなる記録ギャップ層１１を約０．１〜
０．１５μｍの厚みで平坦に形成する。記録ギャップ層
１１を形成する際には、後工程において磁路接続部１２
Ｂが形成されることとなる領域を覆わないようにする。
この領域は、下部磁極１０と後工程において形成される
こととなる上部磁極１２とを接続させるための開口部１
１Ｋとなる。なお、記録ギャップ層１１の形成材料とし
ては、上記したアルミナの他、アルミナと同様の非磁性
金属材料、例えばニッケル銅合金（ＮｉＣｕ）などを用
いるようにしてもよい。ここで、記録ギャップ層１１
が、本発明の第１，第２の観点に係る薄膜磁気ヘッドま
たはその製造方法における「ギャップ層」の一具体例に
対応すると共に、本発明の磁性層パターンの形成方法に
おける「下地層」の一具体例に対応する。

【００５７】次に、図１に示したように、全体を覆うよ
うに、例えばスパッタリングにより、高飽和磁束密度を
有する磁性材料、例えば窒化鉄よりなる基礎磁性層１１
２を約０．８〜２．０μｍの厚みで形成する。基礎磁性
層１１２を構成する磁性材料としては、例えば、後工程
において形成される上部磁性層１２Ｃを構成する磁性材
料（例えば鉄ニッケルコバルト合金）の飽和磁束密度よ
りも大きい飽和磁束密度を有するものを用いるようにす
る。なお、基礎磁性層１１２の形成材料としては、窒化
鉄の他、例えば、窒化鉄と同様に高飽和磁束密度を有す
るコバルト鉄合金（ＦｅＣｏ）、ジルコニウムコバルト
鉄酸化物合金（ＦｅＣｏＺｒＯ）またはジルコニウム鉄
窒化物合金（ＦｅＺｒＮ）などのアモルファス合金など
を用いるようにしてもよい。ここで、基礎磁性層１１２
が、本発明の第１の観点に係る薄膜磁気ヘッドの製造方
法における「磁性材層」の一具体例に対応する。

【００５８】次に、図１、図１１および図１８に示した
ように、基礎磁性層１１２上の所定の位置に、無機材
料、例えばアルミナよりなるマスク８０Ａ，８０Ｂを選
択的に形成する。マスク８０Ａを形成する際には、その
形成領域が後工程において形成される上部ボールチップ
１２Ａの形成領域を含むようにする。具体的には、例え
ば、マスク８０Ａの後端の位置がＭＲ膜６の後端の位置
よりも約０．５μｍよりも小さい範囲内において後退す
るようにすると共に、マスク８０Ａの幅Ｗ１が後述する
第２の磁極先端部１２Ａの幅Ｗ２（図７および図１５参
照）よりも十分に大きくなるようにする。また、マスク
８０Ｂを形成する際には、その形成領域が後工程におい
て形成される磁路接続部１２Ｂの形成領域に対応するよ
うにする（図１１では図示せず）。なお、マスク８０Ａ
の後端の位置を必ずしもＭＲ膜６の後端の位置よりも後
退させなければならないものではなく、両者の位置を互
いに一致させるようにしてもよい。マスク８０Ａ，８０
Ｂの形成材料としては、上記したアルミナの他、窒化ア
ルミニウムなどを用いるようにしてもよい。

【００５９】ここで、マスク８０Ａ，８０Ｂの形成は、
例えば、以下のような手順により行う。すなわち、ま
ず、例えばスパッタリングにより、基礎磁性層１１２の
表面を覆うようにアルミナ層を形成する。続いて、この
アルミナ層上に、例えばフレームめっき法により、例え
ばパーマロイ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）
よりなるマスクを形成する。このとき形成するマスクの
平面形状は、最終的に形成するマスク８０Ａ，８０Ｂの
平面形状とほぼ同様となるようにする。続いて、パーマ
ロイよりなるマスクを用いて、例えばＲＩＥによりアル
ミナ層をエッチングすることによりマスク８０Ａ，８０
Ｂを形成する。

【００６０】次に、マスク８０Ａ，８０Ｂを用いて、例
えばＲＩＥにより、基礎磁性層１１２をエッチングして
パターニングする。このエッチング処理により、基礎磁
性層１１２のうち、マスク８０Ａ，８０Ｂの形成領域以
外の領域が選択的に除去され、図２および図１２に示し
たように、記録ギャップ層１１上における前方の領域に
前駆磁性層１１２Ａが選択的に形成されると共に、開口
部１１Ｋに上部磁極１２の一部を構成する磁路接続部１
２Ｂが選択的に形成される。前駆磁性層１１２Ａを形成
する際には、その後端部の幅方向に延びる端縁１１２Ａ
Ｔが直線状をなすようにする。特に、基礎磁性層１１２
をエッチングするための手法としてＲＩＥを用いること
により、前駆磁性層１１２Ａの後端面１１２ＡＭは平面
をなすと共に、記録ギャップ層１１の平坦な表面１１Ｍ
に対して垂直になる。前駆磁性層１１２Ａは、後工程に
おいてエッチングしてパターニングされることにより第
２の磁極先端部１２Ａとなる前準備層である。以下の説
明では、このように後工程で所定の形状となるようにパ
ターニングされることとなる前準備層を「前駆層」と称
呼し、同様に表記するものとする。基礎磁性層１１２を
パターニングするためのエッチング方法としてＲＩＥを
用いることにより、前駆磁性層１１２Ａおよび磁路接続
部１２Ｂを高精度かつ短時間で形成することができる。
なお、前駆磁性層１１２Ａを形成するためのエッチング
処理によりマスク８０Ａ，８０Ｂのそれぞれ自体もエッ
チングされ、それらの厚みは減少することとなる。エッ
チング処理が完了した時点で、マスク８０Ａ，８０Ｂが
残存するようにしてもよいし（図２および図１２参
照）、残存しないようにしてもよい。

【００６１】次に、図３に示したように、全体を覆うよ
うに、例えばアルミナよりなる絶縁膜１３を約０．２〜
０．５μｍの厚みで形成する。

【００６２】次に、図３に示したように、前駆磁性層１
１２Ａの形成領域よりも後方の領域（磁路接続部１２Ｂ
の配設領域を除く）における平坦な絶縁膜１３上に、例
えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘
導型の記録ヘッド用の薄膜コイル１４を約０．８〜１．
５μｍの厚みで選択的に形成する。薄膜コイル１４を形
成する際には、例えば、後述する図２１に示したような
巻線構造を有するようにする。なお、図３では、薄膜コ
イル１４の一部分のみを図示している。薄膜コイル１４
を形成する際には、同時に、その内側の終端部となるコ
イル接続部１４Ｓを絶縁膜１３上に薄膜コイル１４と一
体に形成する。このコイル接続部１４Ｓは、薄膜コイル
１４と後工程において形成されるコイル接続配線１２Ｃ
Ｈ（図５参照）とを電気的に接続させるためのものであ
る。ここで、薄膜コイル１４が、本発明の第１，第２の
観点に係る薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法における
「薄膜コイル」または「第１の薄膜コイル」の一具体例
に対応する。

【００６３】次に、薄膜コイル１４（コイル接続部１４
Ｓを含む）の各巻線間およびその周辺に、加熱時に流動
性を示す材料、例えばフォトレジストなどの有機絶縁材
料を高精度のフォトリソグラフィ処理により所定のパタ
ーンとなるように形成する。次に、このフォトレジスト
膜に対して、例えば２００°Ｃ〜２５０°Ｃの範囲内に
おける温度で加熱処理を施す。この加熱処理により、図
３に示したように、フォトレジストが流動して薄膜コイ
ル１４等の各巻線間を隙間なく埋めつくし、薄膜コイル
１４等の各巻線間を絶縁化するための絶縁膜１５が形成
される。絶縁膜１５を形成する際には、絶縁膜１５が薄
膜コイル１４およびコイル接続部１４Ｓの双方の上面を
覆わないようにしてもよいし（図３参照）、覆うように
してもよい。

【００６４】次に、図３に示したように、全体を覆うよ
うに、例えばスパッタリングにより、例えば前駆絶縁層
１６Ｐを約２．０〜３．０μｍの厚みで形成して、前駆
磁性層１１２Ａ、磁路接続部１２Ｂおよび薄膜コイル１
４等によって構成された凹凸構造領域を埋設する。ここ
で、前駆絶縁層１６Ｐが、本発明の磁性層パターンの形
成方法における「非磁性層」の一具体例に対応する。

【００６５】次に、例えばＣＭＰ法により、前駆絶縁層
１６Ｐの表面全体を研磨して平坦化する。この研磨処理
により、図４に示したように、薄膜コイル１４等を埋設
する絶縁膜１６が形成される。このときの研磨処理は、
少なくとも前駆磁性層１１２Ａおよび磁路接続部１２Ｂ
が露出するまで行う。薄膜コイル１４を埋設する絶縁材
（絶縁膜１３，１５，１６）と前駆磁性層１１２Ａとの
境界面は平面をなし、かつ平坦な記録ギャップ層１１の
表面に対して垂直になる。上記の絶縁材（絶縁膜１３）
の前端の位置は、記録ヘッドの性能を決定する因子のう
ちの１つであるスロートハイト（ＴＨ）を決定するため
の基準の位置、すなわちスロートハイトゼロ位置（ＴＨ
０位置）となる。ここで、絶縁膜１３，１５，１６が、
本発明の第１，第２の観点に係る薄膜磁気ヘッドまたは
その製造方法における「絶縁層」の一具体例に対応す
る。

【００６６】次に、図５に示したように、例えばＲＩＥ
またはイオンミリングにより、コイル接続部１４Ｓの上
方を覆っている絶縁膜１６を部分的にエッチングして、
コイル接続部１４Ｓと後工程において形成されるコイル
接続配線１２ｃｈとを接続させるための開口部１６Ｋを
形成する。

【００６７】次に、図５および図１３に示したように、
前駆磁性層１１２Ａ上から磁路接続部１２Ｂ上にかけて
の平坦領域に、例えばフレームめっき法により、鉄（Ｆ
ｅ）、ニッケル（Ｎｉ）およびコバルト（Ｃｏ）を含ん
で高飽和磁束密度を有する磁性材料、例えば鉄ニッケル
コバルト合金（ＣｏＮｉＦｅ；Ｃｏ：４５重量％，Ｎ
ｉ：３０重量％，Ｆｅ：２５重量％）よりなる上部磁性
層１２Ｃを約２．０〜３．０μｍの厚みで選択的に形成
する。上部磁性層１２Ｃを形成する際には、同時に、開
口部１６Ｋにおけるコイル接続部１４Ｓの露出面上から
図示しない外部回路にかけての領域にコイル接続配線１
２ＣＨを形成する。この上部磁性層１２Ｃは、上部磁極
１２の一部を構成するものである。なお、上部磁性層１
２Ｃ等の形成材料としては、上記した３つの金属元素と
共に、クロム（Ｃｒ）、ボロン（Ｂ）、リン（Ｐ）およ
び銅のうちの少なくとも１種を含むものを用いるように
してもよい。

【００６８】上部磁性層１２Ｃを形成する際には、例え
ば、後述する図２１に示したように、後工程においてエ
アベアリング面７０となる側（図５における左側）から
順に、第１の磁極先端部１２Ｃ(1) 、中間部１２Ｃ(2)
、後端部１２Ｃ(3) およびヨーク部１２Ｃ(4) を含む
ようにする。第１の磁極先端部１２Ｃ(1) は、記録媒体
の記録トラック幅を規定する一定幅（約０．１〜０．２
μｍ）を有するものである。上部磁性層１２Ｃを形成す
る際には、例えば、第１の磁極先端部１２Ｃ(1)と中間
部１２Ｃ(2) との連結位置Ｐ２（第２の位置）が前駆磁
性層１１２Ａの後端の位置Ｐ１（第１の位置）よりも後
退するようにする。また、例えば、後端部１２Ｃ(3) の
後端の位置Ｐ３（第３の位置）が磁路接続部１２Ｂの後
端の位置と一致するようにする。上部磁性層１２Ｃは、
その後方部分において、開口部１１Ｋを通じて磁路接続
部１２Ｂを介して下部磁極１０と磁気的に連結される。
なお、上部磁性層１２Ｃの構造的特徴については後述す
る。

【００６９】ここで、第１の磁極先端部１２Ｃ(1) が、
本発明の第１の観点に係る薄膜磁気ヘッドまたは第１，
第２の観点に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における
「一定幅部分」の一具体例に対応すると共に、本発明の
磁性層パターンの形成方法における「エッチングマス
ク」の一具体例に対応する。また、中間部１２Ｃ(2) 、
後端部１２Ｃ(3) およびヨーク部１２Ｃ(4) が、本発明
の第１，第２の観点に係る薄膜磁気ヘッドまたはその製
造方法における「拡幅部分」の一具体例に対応する。さ
らに、上部磁性層１２Ｃが、本発明の第１，第２の観点
に係る薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法における「第
１の磁性層部分」の一具体例に対応する。

【００７０】フレームめっき法によって上部磁性層１２
Ｃを形成する際には、まず、例えば、スパッタリングに
より、電解めっき法におけるシード層となる電極膜（図
示せず）を約７０μｍの厚みに形成する。この電極膜の
形成材料としては、例えば、高飽和磁束密度を有する鉄
ニッケルコバルト合金（Ｃｏ：４５重量％，Ｎｉ：３０
重量％，Ｆｅ：２５重量％）などを用いるようにする。
次に、この電極膜上に、例えばポジティブ型のフォトレ
ジスト（以下、単に「フォトレジスト」という。）を塗
布して、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。次
に、所定の形状パターンを有するマスク（図示せず）を
用いて、フォトレジスト膜の所定の領域を選択的に露光
する。次に、フォトレジスト膜の露光領域を現像するこ
とにより、フレームめっき法においてめっき処理を行う
際に用いるフレームパターン（外枠）（図示せず）を形
成する。このフレームパターンは、上記の露光領域に対
応した開口部を備えるものである。次に、フレームパタ
ーンをマスクとして用いると共に先工程において形成し
た電極膜をシード層として用いて、電解めっき法によ
り、鉄ニッケルコバルト合金（Ｃｏ：４５重量％，Ｎ
ｉ：３０重量％，Ｆｅ：２５重量％）よりなる上部磁性
層１２Ｃを形成する。最後に、フレームパターンを除去
する。なお、コイル接続配線１２ＣＨもまた、上記した
上部磁性層１２Ｃの場合と同様の形成材料および形成方
法を用いて形成する。

【００７１】次に、図６および図１４に示したように、
上部磁性層１２Ｃの一部およびコイル接続配線１２ＣＨ
等を覆うようにフォトレジスト膜９０を選択的に形成す
る。フォトレジスト膜９０を形成する際には、例えば、
その大部分が上部磁性層１２ｃにおける第１の磁極先端
部１２Ｃ(1) と中間部１２Ｃ(2) との連結位置Ｐ２より
も後方側の部分を覆うようにすると共に、その一部（部
分９０Ｂ）が上記の連結位置Ｐ２よりも前方側に突出し
て第１の磁極先端部１２Ｃ(1) に部分的に乗り上げるよ
うにする。

【００７２】次に、上部磁性層１２Ｃおよびフォトレジ
スト膜９０の双方をマスクとして、例えばＲＩＥによ
り、前駆磁性層１１２Ａおよびその周辺領域を選択的に
エッチングする。このエッチング処理により、上部磁性
層１２Ｃにおける先端部１２Ｃ位置と中間部１２Ｃ(2)
との連結位置Ｐ２よりも前方側の領域における前駆磁性
層１１２Ａおよび絶縁膜１６等が選択的に除去され、図
７および図１５に示したように、上部磁極１２の一部を
構成する第２の磁極先端部１２Ａが形成される。前駆磁
性層１１２をパターニングするためのエッチング方法と
してＲＩＥを用いることにより、第２の磁極先端部１２
Ａを高精度かつ短時間で形成することができる。この第
２の磁極先端部１２Ａは、上部磁性層１２Ｃの第１の磁
極先端部１２Ｃ(1) と同様に、記録媒体上の記録トラッ
ク幅を規定する一定幅を有するものである。第２の磁極
先端部１２Ａを形成するためのエッチング処理により、
マスク自体、すなわち上部磁性層１２Ｃおよびフォトレ
ジスト膜９０のそれぞれ自体もエッチングされ、その膜
厚は減少する。これにより、第１の磁極先端部１２Ｃ
(1) における前側の部分の厚みは後側の部分の厚みより
も小さくなり、第１の磁極先端部１２Ｃ(1) に段差が形
成される。このとき、フォトレジスト膜９０（部分９０
Ｂ）の前方部も徐々にエッチングされ、部分９０Ｂの前
端の位置が除々に後退することにより、第１の磁極先端
部１２Ｃ(1) のうちの部分９０Ｂの近傍部分に対するエ
ッチング量が連続的に変化し、第１の磁極先端部１２Ｃ
(1) に形成された段差部における段差面１２ＣＭは下地
（絶縁膜１６）の平坦面１６Ｍに対して斜面をなすこと
となる。

【００７３】ここで、第２の磁極先端部１２Ａが、本発
明の第１の観点に係る薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法における「第２の磁性層部分」の一具体例に対応する
と共に、本発明の磁性層パターンの形成方法における
「磁性層パターン」の一具体例に対応する。また、第２
の磁極先端部１２Ａ，磁路接続部１２Ｂ，上部磁性層１
２Ｃによって構成される上部磁極１２が、本発明の第
１，第２の観点に係る薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法における「第１の磁性層」の一具体例に対応する。さ
らに、上部磁性層１２Ｃの第１の磁極先端部１２Ｃ(1)
および第２の磁極先端部１２Ａが、本発明の第２の観点
に係る薄膜磁気ヘッドにおける「トラック幅規定部分」
の一具体例に対応する。

【００７４】第２の磁極先端部１２Ａを形成するための
ＲＩＥによるエッチング処理を行う際には、特に、例え
ば、塩素（Ｃｌ₂）、三塩化ボロン（ＢＣｌ₂）、塩化
水素（ＨＣｌ）、四フッ化炭素（ＣＦ₄）、六フッ化硫
黄（ＳＦ₆）および三臭化ボロン（ＢＢｒ₃）のうちの
少なくとも１種に水素（Ｈ₂）、酸素（Ｏ₂）、窒素
（Ｎ₂）およびアルゴン（Ａｒ）などを添加したものを
含むエッチングガスを用いると共に、加工温度を５０°
Ｃ〜３００°Ｃの範囲内となるようにするのが好適であ
る。このようなガス雰囲気中および温度下においてＲＩ
Ｅによるエッチング処理を行うことにより、特に、窒化
鉄よりなる前駆磁性層１１２Ａに対するエッチング処理
の化学反応が促進されるため、第２の磁極先端部１２Ａ
の形成に要する時間をより短縮することができる。

【００７５】さらに、上部磁性層１２Ｃおよびフォトレ
ジスト膜９０をマスクとして、例えばＲＩＥにより、記
録ギャップ層１１および下部磁極１０のそれぞれの一部
を約０．３〜０．４μｍ程度エッチングする。このエッ
チング処理により、上部磁性層１２Ｃにおける第１の磁
極先端部１２Ｃ(1) と中間部１２Ｃ(2) との連結位置Ｐ
２よりも前方の領域において、記録ギャップ層１１およ
び下部磁極１０のうち、第１の磁極先端部１２Ｃ(1) の
配設領域以外の部分が選択的に除去され、掘り下げられ
る。このエッチング処理により、図８および図１６に示
したように、トリム構造を有する磁極部分１００が形成
される。この磁極部分１００は、上部磁性層１２Ｃにお
ける第１の磁極先端部１２Ｃ(1) と、記録ギャップ層１
１の一部と、第２の磁極先端部１２Ａと、下部磁極１０
のうちの先端部１２Ａ等に対応する部分とによって構成
されている。磁極部分１００を構成する上記の各部位
は、互いにほぼ同様の幅を有している。エッチング方法
としてＲＩＥを用いることにより、磁極部分１００を高
精度かつ短時間で形成することができる。

【００７６】磁極部分１００を形成するためのＲＩＥに
よるエッチング処理を行う際には、特に、例えば、塩素
と三塩化ボロンとの混合ガスをエッチングガスとして用
いると共に、加工温度を１００°Ｃ〜２００°Ｃの範囲
内となるようにするのが好適である。このようなガス雰
囲気中および温度下においてＲＩＥによるエッチング処
理を行うことにより、磁極部分１００の形成に要する時
間をより短縮することができる。

【００７７】次に、図９に示したように、全体を覆うよ
うに、絶縁材料、例えばアルミナなどの無機絶縁材料よ
りなるオーバーコート層１７を約２０〜４０μｍの厚み
で形成する。このときの上部磁性層１２Ｃ周辺の構造
は、図１７に示したようになる。

【００７８】最後に、図１０に示したように、機械加工
や研磨工程により記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベ
アリング面７０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成す
る。上部磁性層１２Ｃの第１の磁極先端部１２Ｃ(1) お
よび第２の磁極先端部１２Ａは、エアベアリング面７０
に露出する。

【００７９】＜薄膜磁気ヘッドの製造方法における作用
および効果＞次に、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の製造方法における作用および効果について説明する。

【００８０】本実施の形態では、後端部の幅方向に延び
る端縁１１２ＡＴが直線状をなすように形成した前駆磁
性層１１２Ａ上に、第１の磁極先端部１２Ｃ(1) と中間
部１２Ｃ(2) との連結位置Ｐ２（第２の位置）が前駆磁
性層１１２Ａの後端の位置Ｐ１（第１の位置）よりも後
退するように上部磁性層１２Ｃを形成したのち、第１の
磁極先端部１２Ｃ(1) をマスクとして用いて前駆磁性層
１１２Ａをエッチングしてパターニングすることにより
第２の磁極先端部１２Ａを形成するようにしている。こ
のような場合には、以下のような理由により、第２の磁
極先端部１２Ａを高精度に形成することができる。

【００８１】ここで、図１９は、本実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドの製造方法における作用を説明するための
ものである。図１９において、（Ａ）は本実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドの製造方法により形成された第２の
磁極先端部１２Ａの平面構造を拡大して表し、（Ｂ）は
比較例としての薄膜磁気ヘッドの製造方法（例えばフレ
ームめっき法）により形成された第２の磁極先端部２１
２Ａの平面構造を拡大して表している。薄膜磁気ヘッド
を製造する場合には、特に、記録ヘッドの性能を決定す
る要因のうちの１つであるスロートハイト（ＴＨ）を制
御するために、このスロートハイトを規定するための基
準の位置、すなわちスロートハイトゼロ位置（ＴＨ０位
置）を正確かつ一義的に決定する必要がある。しかしな
がら、図２０（Ｂ）に示した比較例の場合には、フレー
ムめっき法を用いて極微小幅（例えば０．１μｍ）を有
するポールチップ部２１２Ａを形成しようとすると、そ
の後端部の幅方向に延びる端縁２１２ＡＴが丸みを帯
び、第２の磁極先端部２１２Ａの幅が後方において小さ
くなってしまう。なぜなら、第２の磁極先端部２１２Ａ
の平面形状に対応しためっきフレームとしてのフォトレ
ジストパターンを形成する工程において、フォトレジス
ト膜のうちの極微小幅を有する領域を選択的に露光しよ
うとしても、その領域の端部近傍（特にコーナー部分）
が十分に露光されず、フォトレジスト膜の露光領域が縮
小するためにフォトレジストパターンを精度よく形成す
ることができないからである。このような場合には、第
２の磁極先端部２１２Ａの後端の位置において、薄膜コ
イル１４を埋設する絶縁材（絶縁膜１３，１５，１６）
の前端の位置（スロートハイトゼロ位置）を一義的に決
定することができなくなる。

【００８２】これに対して、本実施の形態では、後端部
の幅方向に延びる端縁１１２ＡＴが直線状をなすように
形成された前駆磁性層１１２Ａ（図２および図１２参
照）の一部として第２の磁極先端部１２Ａが形成される
ため、図１９（Ａ）に示したように、端縁１１２ＡＴの
一部がそのまま残存して第２の磁極先端部１２Ａの端縁
１２ＡＴとなる。これにより、後微小な一定幅（例えば
０．１μｍ）を有すると共に端縁１２ＡＴが直線状をな
すように第２の磁極先端部１２Ａを形成することができ
る。このような場合には、比較例の場合とは異なり、第
２の磁極先端部１２Ａの後端の位置において、絶縁材
（絶縁膜１３，１５，１６）の前端の位置（スロートハ
イトゼロ位置）を一義的に決定することが可能となる。

【００８３】なお、上記した第２の磁極先端部１２Ａの
形成手法および効果は、薄膜磁気ヘッドの構成部品とし
ての第２の磁極先端部１２Ａを形成する場合にのみ適用
されるものではなく、薄膜磁気ヘッド以外の各種分野に
おいて極微小な幅を有する磁性層パターンを形成する場
合にも適用可能である。

【００８４】また、本実施の形態では、特に、基礎磁性
層１１２をエッチングするための手法としてＲＩＥを用
いるようにしているので、形成される前駆磁性層１１２
Ａのエッチング端面は平面をなす。このとき、特に、前
駆磁性層１１２Ａのエッチング端面が記録ギャップ層１
１の平坦な表面に対して垂直になるようにすることによ
り、前駆磁性層１１２Ａの一部として形成される第２の
磁極先端部１２Ａの後端面１２ＡＭ（図７および図１５
参照）もまた、平面をなすと共に記録ギャップ層１１の
平坦な表面に対して垂直をなすこととなる。このような
場合には、上記したスロートハイトゼロ位置の決定がよ
り容易になる。

【００８５】さらに、エッチング手法としてＲＩＥを用
いることにより、イオンミリングを用いる場合よりも、
前駆磁性層１１２Ａを高精度かつ短時間で形成すること
ができる。エッチング手法としてＲＩＥを用いた場合の
形成精度の向上および形成時間の短縮に関する効果は、
第２の磁極先端部１２Ａおよび下部磁極１０等を形成す
る場合においても同様である。特に、ＲＩＥによるエッ
チング処理を適正なエッチング条件下において行うこと
により、第２の磁極先端部１２Ａ等の形成に要する時間
をより短縮することができる。

【００８６】また、本実施の形態では、図５に示したよ
うに、前駆磁性層１１２Ａをエッチングするためのマス
クとしての上部磁性層１２Ｃを形成する場合に、第１の
磁極先端部１２Ｃ(1) と中間部１２Ｃ(2) との連結位置
Ｐ２（第２の位置）が前駆磁性層１１２Ａの後端の位置
（第１の位置Ｐ１）よりも後退するようにしているた
め、以下のような理由により、この観点においても第２
の磁極先端部１２Ａの形成精度の向上に寄与する。ここ
で、図２０は、上部磁性層１２Ｃの形成位置に関する作
用を説明するためのものである。図２０において、
（Ａ）は、本実施の形態の場合と同様に第１の磁極先端
部１２Ｃ(1) と中間部１２Ｃ(2) との連結位置Ｐ２を第
２の磁極先端部１２Ａの後端の位置よりも後退させた場
合の第２の磁極先端部１２Ａおよび上部磁性層１２Ｃの
平面構造を表し、（Ｂ）は、第１の磁極先端部１２Ｃ
(1) と中間部１２Ｃ(2) との連結位置Ｐ２を第２の磁極
先端部１２Ａの後端の位置と一致させた場合の第２の磁
極先端部１２Ａおよび上部磁性層１２Ｃの平面構造を表
している。図２０（Ｂ）に示した場合には、上部磁性層
１２Ｃの形成過程において、上記した第２の磁極先端部
１２Ａの形成時におけるフォトレジストパターンの形成
精度の低下と同様の要因により、第１の磁極先端部１２
Ｃ(1) と中間部１２Ｃ(2) との連結部におけるコーナー
部１２ＣＮが丸みを帯びると、この上部磁性層１２Ｃを
マスクとしたエッチング処理により形成される第２の磁
極先端部１２Ａの幅は後方において広がってしまう。こ
れに対して、図２０（Ａ）に示した場合には、コーナー
部１２ＣＮが丸みを帯びたとしても、第１の磁極先端部
１２Ｃ(1) のうちの一定幅を有する部分をマスクとして
用いてエッチング処理を行うことにより、一定幅を有す
る第２の磁極先端部１２Ａを形成することができる。

【００８７】また、本実施の形態では、記録ギャップ層
１１の平坦な表面に上部磁性層１２Ｃを形成しているの
で、凹凸構造を有する下地上に上部磁極１１２を形成し
ていた従来の場合とは異なり、上部磁性層１２Ｃを形成
するためのフォトレジストパターンを高精度に形成する
ことができる。このため、フレームめっき法を用いた場
合においても上部磁性層１２Ｃを高精度に形成すること
ができる。

【００８８】また、本実施の形態では、上部磁性層１２
Ｃの形成材料として、鉄、ニッケルおよびコバルトを含
む磁性材料、例えば鉄ニッケルコバルト合金（ＣｏＮｉ
Ｆｅ）を用いるようにしている。一般に、この鉄ニッケ
ルコバルト合金は、パーマロイやニッケル鉄等の磁性材
料よりも硬い磁性材料であるため、鉄ニッケルコバルト
合金に対するエッチング速度は、パーマロイや窒化鉄等
に対するエッチング速度よりも遅くなる。このため、前
駆磁性層１１２をパターニングするためのエッチング処
理時において、前駆磁性層１１２に対するエッチング量
よりも上部磁性層１２Ｃ（第１の磁極先端部１２Ｃ(1)
）に対するエッチング量を小さくし、上部磁性層１２
Ｃ（第１の磁極先端部１２Ｃ(1) ）の膜減りを抑制する
ことができる。ただし、上部磁性層１２Ｃの形成時に
は、エッチング処理時における「膜減り」を見こして、
上部磁性層１２Ｃの厚みを必要かつ十分に確保しておく
必要がある。上部ヨーク（第１の磁極先端部１２Ｃ(1)
）に対するエッチング量（膜減り量）は、エッチング
ガスの種類や加工温度などのエッチング条件を変更する
ことにより調整可能である。

【００８９】なお、上部磁性層１２Ｃの形成材料として
の鉄ニッケルコバルト合金は、形成されることとなる上
部磁性層１２Ｃの膜厚が適度に薄い場合（例えば３．０
μｍ以下）にのみ使用するのが好ましい。なぜなら、例
えば、鉄ニッケルコバルト合金を形成材料として用い
て、３．０μｍよりも大きい厚みを有する上部磁性層１
２Ｃを形成しようとすると、内部応力の蓄積に起因して
鉄ニッケルコバルト合金が部分的に割れたり、剥がれて
しまい、上部磁性層１２Ｃを正常に形成することが困難
だからである。本実施の形態では、約２．０〜３．０μ
ｍの厚みを有するように上部磁性層１２Ｃを形成してい
るので、鉄ニッケルコバルト合金などの硬い磁性材料を
用いた場合においても、上記の「割れ」または「剥が
れ」等を回避し、上部磁性層１２Ｃの形成を安定化させ
ることができる。

【００９０】また、本実施の形態では、磁極部分１００
を形成するためのエッチング方法としてＲＩＥを用いる
ようにしたので、上記した第２の磁極先端部１２Ａの形
成の場合と同様に、磁極部分１００を高精度かつ短時間
で形成することができる。この場合においても、エッチ
ング条件を適正化することにより、磁極部分１００の形
成に要する時間をより短縮することができる。

【００９１】また、本実施の形態では、薄膜コイル１４
（コイル接続部１４Ｓを含む）の各巻線間を埋め込む絶
縁膜１５の形成材料として、加熱時に流動性を示すフォ
トレジストなどの有機絶縁材料を用いるようにしたの
で、加熱時に流動性を示さないアルミナなどの無機絶縁
材料を用いる場合とは異なり、薄膜コイル１４等の各巻
線間を隙間なく埋めつくすことができ、確実に絶縁する
ことができる。

【００９２】また、本実施の形態では、絶縁膜１６の形
成材料としてアルミナなどの無機絶縁材料を用いるよう
にしたので、フォトレジストなどの軟絶縁材料を用いる
場合とは異なり、ＣＭＰ研磨盤の研磨面が目詰まりを起
こすことを防止できると共に、研磨後の表面をより平滑
に形成することができる。

【００９３】＜薄膜磁気ヘッドの構造＞次に、図１０
（Ａ）、図１８および図２１を参照して、本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドの平面構造について説明する。

【００９４】図２１は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの平面
構造の概略を表すものである。なお、図２１では、絶縁
膜１３，１５，１６およびオーバーコート層１７等の図
示を省略している。また、薄膜コイル１４については、
その最外周の一部のみを図示している。図１０（Ａ）
は、図２１におけるXA−XA線に沿った矢視断面に相当す
る。なお、図２１中のＸ，Ｙ，Ｚ軸方向に関するそれぞ
れの表記については、図１〜図１８の場合と同様とす
る。

【００９５】第２の磁極先端部１２Ａの後端の位置、す
なわち薄膜コイル１４を埋設する絶縁材（絶縁膜１３，
１５，１６）の前端の位置は、スロートハイト（ＴＨ）
を決定する際の基準となる位置、すなわちスロートハイ
トゼロ位置（ＴＨ０位置）である。スロートハイト（Ｔ
Ｈ）は、絶縁膜１３の前端の位置（ＴＨ０位置）からエ
アベアリング面７０までの長さとして規定される。図２
１における「ＭＲＨ０位置」は、ＭＲ膜６の後端の位
置、すなわちＭＲハイトゼロ位置を表している。ＭＲハ
イト（ＭＲＨ）は、ＭＲハイトゼロ位置からエアベアリ
ング面７０までの長さである。スロートハイトゼロ位置
（ＴＨ０位置）とＭＲハイトゼロ位置（ＭＲＨ０位置）
とは、例えば、ほぼ一致している。

【００９６】上部磁極１２は、上記したように、例え
ば、それぞれ別個に形成された第２の磁極先端部１２
Ａ、磁路接続部１２Ｂおよび上部磁性層１２Ｃによって
構成されている。すなわち、上部磁極１２は、これらの
各部位の集合体である。

【００９７】第２の磁極先端部１２Ａは、例えば、矩形
状の平面形状を有し、全域にわたって一定幅を有するも
のである。

【００９８】上部磁性層１２Ｃは、上記したように、エ
アベアリング面７０から順に、第１の磁極先端部１２Ｃ
(1) 、中間部１２Ｃ(2) 、後端部１２Ｃ(3) およびヨー
ク部１２Ｃ(4) を含んでいる。これらのうち、第１の磁
極先端部１２Ｃ(1) 、中間部１２Ｃ(2) および後端部１
２Ｃ(3) は、例えば矩形状の平面形状を有している。第
１の磁極先端部１２Ｃ(1) は、第２の磁極先端部１２Ａ
の幅と同様の一定幅を有すると共に、第２の磁極先端部
１２Ａの長さよりも大きな長さを有している。中間部１
２Ｃ(2) は、例えば第１の磁極先端部１２Ｃ(1) の幅よ
りも大きな幅を有し、後端部１２Ｃ(3) は、例えば中間
部１２Ｃ(2) の幅よりも大きな幅を有している。すなわ
ち、第１の磁極先端部１２Ｃ(1) と中間部１２Ｃ(2) と
の連結部分には、幅方向の段差が形成されている。ヨー
ク部１２Ｃ(4) は、薄膜コイル１４により発生した磁束
を収容するものであり、後端部１２Ｃ(3) の幅よりも大
きな幅を有している。ヨーク部１２Ｃ(4) の幅は、例え
ば、その後方部においてほぼ一定であり、その前方部に
おいてエアベアリング面７０に近づくにつれて徐々に狭
まるようになっている。上部磁性層１２Ｃを構成する各
部位の幅方向の中心は互いに一致している。

【００９９】第２の磁極先端部１２Ａおよび第１の磁極
先端部１２Ｃ(1) は、上記したように、記録媒体上の記
録トラック幅を規定する部分である。すなわち、この記
録トラック幅を規定する部分は２層構造をなしている。
第２の磁極先端部１２Ａおよび第１の磁極先端部１２Ｃ
(1) は、例えば、共にエアベアリング面７０に露出して
いる。

【０１００】第１の磁極先端部１２Ｃ(1) と中間部１２
Ｃ(2) との連結部分における段差面１２ＣＤの位置は、
例えば、ＴＨ０位置の位置よりも後退している。上記の
連結部分において、第１の磁極先端部１２Ｃ(1) の側縁
面と段差面１２ＣＤとが交わるコーナー部における角度
γは、例えば９０度である。なお、このコーナー部の角
度γは必ずしもこれに限られるものではなく、例えば９
０度ないし１２０度の範囲内となるようにするのが好適
である。角度γを上記の範囲内とすることにより、中間
部１２Ｃ(2) から第１の磁極先端部１２Ｃ(1) に流入す
る磁束の流れを円滑化することができるからである。

【０１０１】第２の磁極先端部１２Ａは、記録ギャップ
層１１の平坦な表面上に延在している。上部磁性層１２
Ｃは、第２の磁極先端部１２Ａ上から磁路接続部１２Ｂ
上にかけての平坦な表面上に延在している。この上部磁
性層１２Ｃは、開口部１１Ｋにおいて、磁路接続部１２
Ｂを介して下部磁極１０と磁気的に連結されている。す
なわち、上部磁極１２（第２の磁極先端部１２Ａ，磁路
接続部１２Ｂ，上部磁性層１２Ｃ）と下部磁極１０とが
接続されることにより、磁束の伝播経路、すなわち磁路
が形成されている。

【０１０２】薄膜コイル１４は、上記したように、渦巻
状の平面形状を有する巻線体である。薄膜コイル１４の
うち、例えば、その内側の終端部にはコイル接続部１４
Ｓが形成され、外側の終端部には端子１４Ｘが形成され
ている。双方の部位は、薄膜コイル１４と一体をなすも
のである。コイル接続部１４Ｓ上にはコイル接続配線１
２ＣＨが形成されており、薄膜コイル１４とコイル接続
配線１２ＣＨとは、コイル接続部１４Ｓを介して電気的
に接続されている。端子１４Ｘおよびコイル接続配線１
２ＣＨの後端部（図示せず）は、共に図示しない外部回
路に接続されており、この外部回路によって薄膜コイル
１４を通電させることができるようになっている。図１
０（Ａ）に示したように、薄膜コイル１４等は、例え
ば、第２の磁極先端部１２Ａの厚みに対応する後方領域
に配設されている。

【０１０３】〈薄膜磁気ヘッドの作用および効果〉次
に、図１０（Ａ）、図１８および図２１を参照して、本
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構造に関する作用お
よび効果について説明する。

【０１０４】ここでは、まず、薄膜磁気ヘッドの基本的
動作、すなわち、記録媒体に対するデータの記録動作お
よび記録媒体からのデータの再生動作について簡単に説
明する。

【０１０５】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、
情報の記録動作時に図示しない外部回路を通じて薄膜コ
イル１４に電流が流れると、これに応じて磁束が発生す
る。このとき発生した磁束は、上部磁性層１２Ｃ内をヨ
ーク部１２Ｃ(4) 、後端部１２Ｃ（3）、中間部１２Ｃ
(2) 、第１の磁極先端部１２Ｃ(1) の順に伝播し、第１
の磁極先端部１２Ｃ(1) のエアベアリング面７０側の先
端部分に到達する。このとき、第１の磁極先端部１２Ｃ
(1) に伝播した磁束の一部は、第１の磁極先端部１２Ｃ
(1) と磁気的に連結されている第２の磁極先端部１２Ａ
にも伝播し、その先端部分まで到達する。第１の磁極先
端部１２Ｃ(1) および第２の磁極先端部１２Ａの双方の
先端部分に到達した磁束により、記録ギャップ層１１近
傍の外部に記録用の信号磁界が発生する。この信号磁界
により、磁気記録媒体を部分的に磁化して、情報を記録
することができる。優れたオーバーライト特性を確保す
るためには、磁束の伝播過程における磁束の伝播を円滑
にし、特に、第２の磁極先端部１２Ａの先端部分まで十
分な磁束を到達させる必要がある。

【０１０６】一方、再生時においては、再生ヘッド部の
ＭＲ膜６にセンス電流を流す。ＭＲ膜６の抵抗値は、磁
気記録媒体からの再生信号磁界に応じて変化するので、
その抵抗変化をセンス電流の変化によって検出すること
により、磁気記録媒体に記録されている情報を読み出す
ことができる。

【０１０７】本実施の形態では、記録媒体の記録トラッ
ク幅を規定する一定幅を有する部分を２層構造（第２の
磁極先端部１２Ａ，第１の磁極先端部１２Ｃ(1) ）とし
ているので、主要な磁束の伝播経路をなす上部磁性層１
２Ｃの構造を変更することなく、第２の磁極先端部１２
Ａの長さのみを変更することによりスロートハイト（Ｔ
Ｈ）を調整することができる。

【０１０８】また、本実施の形態では、記録媒体の記録
トラック幅を規定する一定幅を有する部分を２層構造
（第２の磁極先端部１２Ａ，第１の磁極先端部１２Ｃ
(1) ）とし、その上層部分である第１の磁極先端部１２
Ｃ(1) の形成材料として鉄ニッケルコバルト合金を用
い、下層部分である第２の磁極先端部１２Ａの形成材料
としてニッケル鉄を用いるようにしたので、以下のよう
な理由により、優れたオーバーライト特性を確保するこ
とができる。すなわち、一般に、第１の磁極先端部１２
Ｃ(1) の形成材料として用いられる鉄ニッケルコバルト
合金は、上記したように、その高い硬度特性によりエッ
チングマスクとして利用することが可能な反面、めっき
処理時におけるその組成制御が困難である。組成制御が
十分でないと、鉄ニッケルコバルト合金中において部分
的に磁束密度の差異が生じ、磁束の伝播特性に偏りが生
じてしまう可能性がある。一方、第２の磁極先端部１２
Ａの形成材料として用いられるニッケル鉄は、形成手法
としてスパッタリングを用いることにより、その組成を
比較的容易に制御することができる。これらのことか
ら、鉄ニッケルコバルト合金の組成が多少乱れ、第１の
磁極先端部１２Ｃ(1) 内における磁束の伝播特性にばら
つきが生じたとしても、組成が適正に制御されたニッケ
ル鉄よりなる第２の磁極先端部１２Ａにおいて円滑な磁
束の伝播が確保され、その先端部分まで十分な磁束が到
達することとなる。このような効果は、特に、第２の磁
極先端部１２Ａを構成する磁性材料（窒化鉄）として、
上部磁性層１２Ｃを構成する磁性材料（鉄ニッケルコバ
ルト合金）の飽和磁束密度よりも大きい飽和磁束密度を
有するものを用いることにより顕著となる。

【０１０９】また、本実施の形態では、第２の磁極先端
部１２Ａおよび上部磁性層１２Ｃの形成材料として、共
に高飽和磁束密度を有する磁性材料（例えば、窒化鉄お
よび鉄ニッケルコバルト合金）を用いるようにしたの
で、記録密度を高めるために磁極幅を極微小化した場合
においても、磁束の飽和現象が抑制され、磁束の伝播が
円滑化される。これにより、第２の磁極先端部１２Ａお
よび上部ヨーク１２Ｃの第１の磁極先端部１２Ｃ(1) の
それぞれの先端部まで十分な量の磁束が供給されるた
め、優れたオーバーライト特性を確保することができ
る。

【０１１０】また、本実施の形態では、上部磁性層１２
Ｃを構成するヨーク部１２Ｃ(4) ，後端部１２Ｃ(3) ，
中間部１２Ｃ(2) ，第１の磁極先端部１２Ｃ(1) の各部
位の幅がこの順に小さくなるようにしているので、各部
位の磁気ボリューム、すなわち、各部位の内部に収容可
能な磁束の許容量もまた同じ順に小さくなる。このた
め、上部磁性層１２Ｃに流入した磁束は、ヨーク部１２
Ｃ(4) から第１の磁極先端部１２Ｃ(1) まで伝播する過
程において、磁気ボリュームの段階的な減少に応じて段
階的に収束され、磁束の伝播過程における磁束の飽和減
少が抑制される。これにより、第１の磁極先端部１２Ｃ
(1) および第２の磁極先端部１２Ａには十分な量の磁束
が供給されるため、この点もまた、優れたオーバーライ
ト特性の確保に寄与する。

【０１１１】さらに、本実施の形態では、上部磁性層１
２Ｃにおける第１の磁極先端部１２Ｃ(1) の前方部分の
厚みが後方部分の厚みよりも小さくなり、両者の間に厚
み方向の段差が形成されている。このような場合には、
「厚み」の減少に起因する磁気ボリュームの減少にとも
ない、上記した「幅」の減少に起因して磁気ボリューム
が減少する場合と同様に、第１の磁極先端部１２Ｃ(1)
内を伝播する磁束が段階的に収束され、磁束の飽和現象
が抑制される。また、特に、上記の段差部における段差
面１２ＣＭが斜面をなすようにしたので、この斜面部の
近傍において、第１の磁極先端部１２Ｃ(1) 内の磁束の
流れを円滑化することができる。

【０１１２】また、本実施の形態では、第２の磁極先端
部１２Ａと絶縁層１６との境界面が平面をなすようにし
たので、上記の境界面が平坦でない場合とは異なり、薄
膜コイル１４を埋設する絶縁材（絶縁膜１３，１５，１
６）の前端の位置、すなわちＴＨ０位置を一義的に決定
することができる。

【０１１３】＜第１の実施の形態に関する変形例＞な
お、本実施の形態では、第１の磁極先端部１２Ｃ(1) と
中間部１２Ｃ(2) との連結位置Ｐ２（第２の位置）を前
駆磁性層１１２Ａの後端の位置Ｐ１（第１の位置）より
も後退させるようにしたが、必ずしもこれに限られるも
のではなく、コーナー部１２ＣＮ（図２０参照）が丸み
を帯びる現象を回避し、上部磁性層１２Ｃの形成精度を
十分に確保することが可能であるならば、位置Ｐ２と位
置Ｐ１とを互いに一致させるようにしてもよい。

【０１１４】また、本実施の形態では、基礎磁性層１１
２（第２の磁極先端部１２Ａ）の形成材料として窒化鉄
またはアモルファス合金（コバルト鉄合金等）を用いる
ようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、
例えば、パーマロイ（例えばＮｉ：４５重量％，Ｆｅ：
５５重量％の組成を有するもの）を用いるようにしても
よいし、鉄、ニッケルおよびコバルトを含む磁性材料
（例えば、鉄ニッケルコバルト合金）を用いるようにし
てもよい。ただし、基礎磁性層１１２の組成を適正に制
御し、最終的に形成される第２の磁極先端部１２Ａの内
部における磁束の伝播性を良好に確保しようとするなら
ば、基礎磁性層１１２の形成材料として窒化鉄やアモル
ファス合金を用いるようにするのが好適である。なお、
基礎磁性層１１２の形成方法としては、必ずしもスパッ
タリングおよびエッチング処理を用いる必要はなく、例
えば、フレームめっき法を用いるようにしてもよい。

【０１１５】また、本実施の形態では、基礎磁性層１１
２を形成したのち、この基礎磁性層１１２をエッチング
してパターニングすることにより前駆磁性層１１２Ａを
形成するようにしたが、必ずしもこれに限られるもので
はなく、例えば、エッチング処理を用いずに、前駆磁性
層１１２Ａをフレームめっき法を用いて形成するように
してもよい。もちろん、フレームめっき法を用いる場合
においても、前駆磁性層１１２Ａの後端部の幅方向に延
びる端縁１１２ＡＴが直線状をなすようにする。

【０１１６】また、本実施の形態では、上部磁性層１２
Ｃの形成材料として鉄ニッケルコバルト合金を用いるよ
うにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例
えば、パーマロイ（例えばＮｉ：４５重量％，Ｆｅ：５
５重量％の組成を有するもの）、窒化鉄またはアモルフ
ァス合金（例えば、コバルト鉄合金）のいずれかを用い
るようにしてもよい。ただし、前駆磁性層１１２Ａのパ
ターニング時においてマスクとして機能する上部磁性層
１２Ｃの膜減り量を抑制するならば、上記実施の形態に
おいて説明したように、上部磁性層１２Ｃの形成材料と
して鉄ニッケルコバルト合金を用いるようにするのが好
適である。なお、上部磁性層１２Ｃの形成方法として
は、必ずしもフレームめっき法を用いる必要はなく、例
えば、下部磁極１０等を形成した場合と同様にスパッタ
リングおよびエッチング処理を用いるようにしてもよ
い。

【０１１７】また、本実施の形態では、基礎磁性層１１
２（第２の磁極先端部１２Ａ）および上部磁性層１２Ｃ
の形成材料として、共に高飽和磁束密度を有する磁性材
料を用いるようにしている。ここで、上記のそれぞれの
部位を形成するために用いる磁性材料の飽和磁束密度は
自由に設定することが可能である。具体的には、例え
ば、それぞれの部位の形成材料として、互いに等しい飽
和磁束密度を有する２種類の磁性材料を用いるようにし
てもよいし、または互いに異なる飽和磁束密度を有する
２種類の磁性材料を用いるようにしてもよい。いずれの
場合においても、上記実施の形態の場合とほぼ同様の効
果を得ることができる。ただし、互いに異なる飽和磁束
密度を有する磁性材料を用いる場合には、例えば、以下
のような理由により、基礎磁性層１１２を構成する磁性
材料の飽和磁束密度が、上部磁性層１２Ｃを構成する磁
性材料の飽和磁束密度よりも大きくなるようにするのが
好ましい。すなわち、一般に、薄膜磁気ヘッドの動作
（例えば情報の記録等）は、主に、第２の磁極先端部１
２Ａおよび上部磁性層１２Ｃの第１の磁極先端部１２Ｃ
(1) のうち、記録ギャップ層１１に近い第２の磁極先端
部１２Ａの内部を伝播する磁束の作用により実行される
こととなる。このため、互いに異なる飽和磁束密度を有
する２種類の磁性材料を用いる場合には、記録媒体の記
録トラック幅を規定する一定幅部分（第２の磁極先端部
１２Ａ，第１の磁極先端部１２Ｃ(1) ）において、上層
領域としての第１の磁極先端部１２Ｃ(1) よりも下層領
域としての第２の磁極先端部１２Ａにおいて飽和磁束密
度が大きくなるように磁束の分布状態（以下、「飽和磁
束密度プロファイル」ともいう。）を構築する必要があ
る。逆に言えば、異なる飽和磁束密度を有する２種類の
磁性材料を選択的に用いて２層構造よりなる一定幅部分
を構成するようにすることにより、この一定幅部分の飽
和磁束密度プロファイルを自由に調整することが可能と
なる。

【０１１８】また、本実施の形態では、第２の磁極先端
部１２Ａ等を形成するためのエッチング処理時における
マスク（フォトレジスト膜）に対するエッチング効果を
利用することにより、上部磁性層１２Ｃの第１の磁極先
端部１２Ｃ(1) に段差部分を設けるようにしたが、必ず
しもこれに限られるものではなく、段差部分を設けない
ようにしてもよい。このような場合には、例えば、上部
磁性層１２Ｃ（第１の磁極先端部１２Ｃ(1) ）に対する
エッチング速度が周辺領域に対するエッチング速度より
も極めて遅くなるようにエッチング条件（エッチングガ
ス，エッチング温度等）を調整し、上部磁性層１２Ｃが
エッチングされないようにする。

【０１１９】また、本実施の形態では、下部磁極１０の
形成方法として、スパッタリングによって前駆層（例え
ば窒化鉄層）を形成したのち、その前駆層をエッチング
処理によってパターニングする手法を用いるようにした
が、必ずしもこれに限られるものではなく、フレームめ
っき法を用いるようにしてもよい。このような場合に
は、下部磁極１０の形成材料として、例えば、Ｎｉ：８
０重量％，Ｆｅ：２０重量％またはＮｉ：４５重量％，
Ｆｅ：５５重量％などの組成を有するパーマロイを用い
るようにしてもよい。

【０１２０】また、本実施の形態では、下部シールド層
４および上部シールド層８の形成方法として電解めっき
法を用いるようにしたが、必ずしもこれに限られるもの
ではない。例えば、双方またはいずれか一方の部位の形
成方法として、下部磁極１０等を形成する場合と同様の
手法、すなわちスパッタリングおよびエッチング処理を
用いるようにしてもよい。このような場合における上記
の各部位の形成材料としては、上記したパーマロイの
他、窒化鉄やアモルファス合金（例えば、コバルト鉄合
金，ジルコニウムコバルト鉄酸化物合金，ジルコニウム
鉄窒化物）等を用いるようにしてもよい。下部磁極１０
等の場合と同様の手法を用いることにより、上記の各部
位を高精度かつ短時間で形成することができ、この点で
も薄膜磁気ヘッド全体の製造時間の短縮に寄与すること
となる。

【０１２１】また、本実施の形態では、絶縁膜１５の形
成材料としてフォトレジストを用いるようにしたが、必
ずしもこれに限られるものではなく、例えば、フォトレ
ジストと同様に加熱時に流動性を示すポリイミド樹脂や
ＳＯＧ（Spin on glass ）などを用いるようにしてもよ
い。このような場合においても、上記実施の形態の場合
と同様の効果を得ることができる。

【０１２２】また、本実施の形態では、加熱処理により
流動したフォトレジストを薄膜コイル１４の各巻線間に
埋め込むことにより絶縁膜１５を形成するようにした
が、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、Ｃ
ＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法を用いてアルミ
ナよりなる絶縁膜１５を形成するようにしてもよい。Ｃ
ＶＤ法を用いることにより、加熱処理等を必要とせずに
薄膜コイル１４の各巻線間にアルミナを埋め込むことが
できる。なお、ＣＶＤ法を用いてアルミナよりなる絶縁
膜１５を形成する場合には、後工程において形成される
絶縁膜１６を絶縁膜１５が兼ねるようにしてもよい。こ
のような場合には、絶縁膜１５，１６を別個に形成する
場合よりも製造工程を削減することができる。

【０１２３】また、本実施の形態では、記録ギャップ層
１１の形成材料としてアルミナを用い、またその形成手
法としてスパッタリングを用いるようにしたが、必ずし
もこれに限られるものではない。記録ギャップ層１１の
形成材料としては、アルミナの他、例えば窒化アルミニ
ウム（ＡｌＮ）、シリコン酸化物、シリコン窒化物など
の無機絶縁材料を用いるようにしてもよいし、またはタ
ンタル（Ｔａ），チタンタングステン（ＷＴｉ），窒化
チタン（ＴｉＮ）などの非磁性金属を用いるようにして
もよい。また、記録ギャップ層１１の形成方法として
は、スパッタリングの他、ＣＶＤ（Chemical Vapor Dep
osition ）法を用いるようにしてもよい。このような方
法を用いて記録ギャップ層１１を形成することにより、
ギャップ層内にピンホールなどが含有されることを抑制
できるので、記録ギャップ層１１を介する磁束の漏れを
回避することができる。このような効果は、特に、記録
ギャップ層１１の厚みを薄くした場合に有益である。

【０１２４】また、本実施の形態では、図１８に示した
ように、上部磁性層１２Ｃにおける第１の磁極先端部１
２Ｃ(1) の前端の位置が第２の磁極先端部１２Ａの前端
の位置と一致するようにしたが、必ずしもこれに限られ
るものではなく、例えば、図２２に示したように、第１
の磁極先端部１２Ｃ(1) の前端の位置が第２の磁極先端
部１２Ａの前端の位置よりも後退するようにしてもよ
い。上記したように、薄膜磁気ヘッドの動作は、主に、
第２の磁極先端部１２Ａの内部を伝播する磁束の作用に
より実行されることから、図２２に示したような構造を
有する場合においても、上記実施の形態の場合（図１
８）とほぼ同様の効果を得ることができる。なお、図２
２に示したような構造を形成する際には、例えば、上部
磁性層１２Ｃおよび第２の磁極先端部１２Ａ等を形成し
たのち、上部磁性層１２Ｃの先端部２Ｃ(1) における前
方側の一部をエッチング（例えばイオンミリング等）し
て選択的に除去するようにする。

【０１２５】また、本実施の形態では、薄膜コイル１４
の内側の終端部にコイル接続部１４Ｓを配設するように
したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例え
ば、薄膜コイル１４の外側の終端部にコイル接続部１４
Ｓを配設するようにしてもよい。このような場合におい
ても、コイル接続部１４Ｓと接続されるようにコイル接
続配線１２ＣＨを配設することにより、上記実施の形態
の場合とほぼ同様の効果を得ることができる。

【０１２６】［第２の実施の形態］次に、本発明の第２
の実施の形態について説明する。

【０１２７】まず、図２３〜図３０を参照して、本発明
の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法と
しての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する。図
２３〜図２７において、（Ａ）はエアベアリング面に垂
直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面
に平行な断面を示している。図２８〜図３０は、主要な
製造工程に対応する斜視図である。ここで、図２８は図
２３に示した状態に対応し、図２９は図２４に示した状
態に対応し、図３０は図２７に示した状態に対応する。
ただし、図３０では、図２７におけるオーバーコート層
２７等の図示を省略している。なお、図２３〜図３０に
おいて、各図中のＸ，Ｙ，Ｚ軸方向に関する表記は、上
記第１の実施の形態の場合と同様とし、また各図中の上
記第１の実施の形態における構成要素と同一部分には同
一の符号を付すものとする。

【０１２８】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、図２３における絶縁層１６を形成すると
ころまでの工程は、上記第１の実施の形態における図４
に示した同工程までと同様であるので、その説明を省略
する。

【０１２９】本実施の形態では、全体を研磨して平坦化
することにより絶縁層１６を形成したのち、図２３およ
び図２８に示したように、前駆磁性層１１２Ａ上から絶
縁層１６上にかけての平坦領域に、例えばフレームめっ
き法により、鉄、ニッケルおよびコバルトを含んで高飽
和磁束密度を有する磁性材料、例えば鉄ニッケルコバル
ト合金（例えば、Ｃｏ：４５重量％，Ｎｉ：３０重量
％，Ｆｅ：２５重量％の組成を有するもの）よりなる上
部磁性層２２Ｃを約１．０〜２．０μｍの厚みで選択的
に形成する。上部磁性層２２Ｃを形成する際には、同時
に、磁路接続部１２Ｂ上に磁路接続部２２Ｄを選択的に
形成する。上部磁性層２２Ｃおよび磁路接続部２２Ｄ
は、共に上部磁極２２の一部を構成するものである。な
お、上部磁性層２２Ｃ等の形成材料としては、上記した
３つの金属元素と共に、クロム（Ｃｒ）、ボロン
（Ｂ）、金（Ａｕ）および銅（Ｃｕ）のうちの少なくと
も１種を含むものを用いるようにしてもよい。

【０１３０】上部磁性層２２Ｃを形成する際には、例え
ば、後述する図３１に示したように、後工程においてエ
アベアリング面７０となる側（図２３における左側）か
ら順に、第１の磁極先端部２２Ｃ(1) 、中間部２２Ｃ
(2) および後端部２２Ｃ(3) を含むようにする。このと
き、第１の磁極先端部２２Ｃ(1) と中間部２２Ｃ(2) と
の連結位置Ｐ２（第２の位置）が前駆磁性層１１２Ａの
後端の位置Ｐ１（第１の位置）よりも後退するようにす
ると共に、後端部２２Ｃ(3) の後端の位置Ｐ３（第３の
位置）が薄膜コイル１４よりも前方に位置するようにす
る。なお、上部磁性層２２Ｃの構造的特徴については後
述する。

【０１３１】ここで、第１の磁極先端部２２Ｃ(1) が、
本発明の第１の観点に係る薄膜磁気ヘッドまたは第１，
第２の観点に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における
「一定幅部分」の一具体例に対応すると共に、本発明の
磁性層パターンの形成方法における「エッチングマス
ク」の一具体例に対応する。また、中間部２２Ｃ(2) お
よび後端部２２Ｃ(3) が、本発明の第１，第２の観点に
係る薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法における「拡幅
部分」の一具体例に対応する。さらに、上部磁性層２２
Ｃが、本発明の第１，第２の観点に係る薄膜磁気ヘッド
またはその製造方法における「第１の磁性層部分」の一
具体例に対応する。

【０１３２】次に、図２３に示したように、上部磁性層
２２Ｃにおける第１の磁極先端部２２Ｃ(1) と中間部２
２Ｃ(2) との連結位置Ｐ２よりも後方の領域を覆うよう
にフォトレジスト膜９１を選択的に形成する。

【０１３３】次に、上部磁性層２２Ｃおよびフォトレジ
スト膜９１をマスクとして、例えばＲＩＥにより、全体
にエッチング処理を施す。ＲＩＥによるエッチング処理
を行う際には、例えば、上記第１の実施の形態において
第２の磁極先端部１２Ａおよび磁極部分１００を形成し
た場合と同様に、エッチング条件（エッチングガスのガ
ス種および加工温度等）を調整するようにする。このエ
ッチング処理により、第１の磁極先端部２２Ｃ(1) と中
間部２２Ｃ(2) との連結位置Ｐ２よりも前方の領域にお
ける前駆磁性層１１２Ａ、絶縁膜１３，１６、記録ギャ
ップ層１１および下部磁極１０のそれぞれの一部が除去
され、図２４および図２９に示したように、上部磁極２
２の一部を構成する第２の磁極先端部１２Ａが形成され
ると共に、トリム構造を有する磁極部分２００が形成さ
れる。このとき、例えば、上部磁性層２２Ｃに対するエ
ッチング量が周辺領域に対するエッチング量よりも極め
て小さくなるようにエッチング条件を調整し、上部磁性
層２２Ｃの膜厚が減少しないようにする。ここで、上部
ヨーク２２Ｃの第１の磁極先端部２２Ｃ(1) および第２
の磁極先端部１２Ａが、本発明の第２の観点に係る薄膜
磁気ヘッドにおける「トラック幅規定部分」の一具体例
に対応する。

【０１３４】次に、図２５に示したように、例えばＲＩ
Ｅまたはイオンミリングにより、コイル接続部１４Ｓの
上方を覆っている絶縁膜１６を部分的にエッチングし
て、コイル接続部１４Ｓと後工程において形成される薄
膜コイル２４とを接続させるための開口部１６Ｋを形成
する。

【０１３５】次に、図２５に示したように、上部磁性層
２２Ｃの配設領域よりも後方の領域（磁路接続部２２Ｄ
の配設領域を除く）における平坦な絶縁膜１６上に、例
えば電解めっき法により、例えば銅よりなる誘導型の記
録ヘッド用の薄膜コイル２４を約０．８〜１．５μｍの
厚みで選択的に形成する。薄膜コイル２４を形成する際
には、同時に、例えば、その内側の終端部におけるコイ
ル接続部１４Ｓ上に、コイル接続部２４ＳＡを薄膜コイ
ル２４と一体に形成する。薄膜コイル１４と薄膜コイル
２４とは、開口部１６Ｋにおいて、コイル接続部１４
Ｓ，２４ＳＡを介して接続される。ここで、薄膜コイル
２４が、本発明の第１の観点に係る薄膜磁気ヘッドまた
は第２の観点に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における
「第２の薄膜コイル」の一具体例に対応する。また、薄
膜コイル１４，２４が、本発明の第１の観点に係る薄膜
磁気ヘッドまたは本発明の第２の観点に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における「薄膜コイル」の一具体例に対
応する。

【０１３６】次に、図２５に示したように、薄膜コイル
２４等の各巻線間を絶縁化するための絶縁膜２５を形成
する。絶縁膜２５の形成材料、形成方法および構造的特
徴等は、上記第１の実施の形態において絶縁膜１５を形
成した場合とほぼ同様である。

【０１３７】次に、図２５に示したように、全体を覆う
ように、例えばスパッタリングにより、絶縁材料、例え
ば前駆絶縁層２６Ｐを約３．０〜４．０μｍの厚みで形
成して、上部磁性層２２Ｃ、磁路接続部２２Ｄ、薄膜コ
イル２４およびコイル接続部２４ＳＡ等によって構成さ
れた凹凸構造領域を埋設する。

【０１３８】次に、例えばＣＭＰ法により、前駆絶縁層
２６Ｐの表面全体を研磨して平坦化する。この研磨処理
により、図２６に示したように、薄膜コイル２４等を埋
設する絶縁膜２６が形成される。このときの研磨処理
は、少なくとも上部磁性層２２Ｃおよび磁路接続部２２
Ｄが露出するまで行う。ここで、絶縁膜１３，１５，１
６，２５，２６が、本発明の第１，第２の観点に係る薄
膜磁気ヘッドまたはその製造方法における「絶縁層」の
一具体例に対応する。

【０１３９】次に、図２６に示したように、平坦化され
た領域のうち、例えば、上部磁性層２２Ｃの後端部２２
Ｃ(3) の上方から磁路接続部２２Ｄ上にかけての平坦領
域に、上部磁極２２の一部を構成する上部ヨーク２２Ｅ
を約２．０〜３．０μｍの厚みで選択的に形成する。上
部ヨーク２２Ｅの形成材料および形成方法は、例えば、
上記第１の実施の形態における上部磁性層１２Ｃの場合
とほぼ同様である。上部ヨーク２２Ｅを形成する際に
は、例えば、後述する図３１に示したような平面形状を
有するようにする。上部ヨーク２２Ｅの構造的特徴につ
いては、後述する。ここで、上部ヨーク２２Ｅが、本発
明の第１の観点に係る薄膜磁気ヘッドにおける「第３の
磁性層部分」の一具体例に対応する。また、第２の磁極
先端部１２Ａ，２２Ｃ、磁路接続部１２Ｂ，２２Ｄおよ
び上部ヨーク２２Ｅによって構成される上部磁極２２
が、本発明における第１，第２の観点に係る薄膜磁気ヘ
ッドまたはその製造方法における「第１の磁性層」の一
具体例に対応する。

【０１４０】次に、図２６に示したように、全体を覆う
ように、絶縁材料、例えばアルミナなどの無機絶縁材料
よりなるオーバーコート層２７を約２０〜４０μｍの厚
みで形成する。このときの上部ヨーク２２Ｃ周辺の構造
は、図３０に示したようになる。

【０１４１】最後に、図２７に示したように、機械加工
や研磨工程により記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベ
アリング面７０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成す
る。

【０１４２】図３１は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの平面
構造の概略を表すものである。図３１において、上記第
１の実施の形態における図２１に示した構成要素と同一
部分には同一の符号を付すものとする。なお、図３１で
は、絶縁膜１３，１５，１６，２５，２６およびオーバ
ーコート層２７等の図示を省略している。また、薄膜コ
イル２４については、その最外周の一部のみを図示して
いる。図２７（Ａ）は、図３１におけるXXVIIA−XXVII
線に沿った矢視断面に相当する。なお、図３１中のＸ，
Ｙ，Ｚ軸方向に関するそれぞれの表記については、図２
３〜図３０の場合と同様とする。

【０１４３】上部磁極２２は、上記したように、例え
ば、それぞれ別個に形成された第２の磁極先端部１２
Ａ，２２Ｃ、磁路接続部１２Ｂ，２２Ｄおよび上部ヨー
ク２２Ｅによって構成されている。

【０１４４】上部磁性層２２Ｃは、上記したように、エ
アベアリング面７０から順に、第１の磁極先端部２２Ｃ
(1) 、中間部２２Ｃ(2) および後端部２２Ｃ(3) を含ん
でいる。これらの各部位は、例えば、上記第１の実施の
形態における上部磁性層１２Ｃのうちの対応する各部位
（例えば、第１の磁極先端部２２Ｃ(1) に対する第１の
磁極先端部１２Ｃ(1) ）とほぼ同様の構造的特徴を有す
るものである。

【０１４５】上部ヨーク２２Ｅは、薄膜コイル１４，２
４により発生した磁束を収容するたの大きな面積を有す
るヨーク部２２Ｅ(1) と、ヨーク部２２Ｅ(1) よりも小
さい一定幅を有する接続部２２Ｅ(2) とを含んでいる。
ヨーク部２２Ｅ(1) の幅は、例えば、その後方部におい
てほぼ一定であり、その前方部においてエアベアリング
面７０に近づくにつれて徐々に狭まるようになってい
る。接続部２２Ｅ(2) の幅は、例えば、上部磁性層２２
Ｃの後端部２２Ｃ(3) の幅よりも大きくなっている。た
だし、必ずしもこのような場合に限らず、例えば、前者
の幅が後者の幅よりも小さくなるようにしてもよい。上
部ヨーク２２Ｅの前側の端縁面２２ＥＴの位置は、例え
ば、上部磁性層２２Ｃにおける中間部２２Ｃ(2) と後端
部２２Ｃ(3) との連結位置Ｐ２よりも後退している。す
なわち、上部ヨーク２２Ｅは、エアベアリング面７０か
ら離れて位置している。なお、上部ヨーク２２Ｅの配設
位置は、必ずしも上記のような場合に限らず、例えば、
端縁面２２ＥＴの位置が中間部２２Ｃ(2) と後端部２２
Ｃ(3) との連結位置とほぼ一致するようにしてもよい。
上部ヨーク２２Ｅおよび上部磁性層２２Ｃの各幅方向の
中心は、互いに一致している。

【０１４６】図２７（Ａ）、図３０および図３１に示し
たように、上部磁性層２２Ｃは、第２の磁極先端部１２
Ａ上から絶縁膜１６上にかけての平坦な領域上に延在し
ている。上部ヨーク２２Ｅ、上部磁性層２２Ｃにおける
後端部２２Ｃ(3) 上から絶縁膜２６上にかけての平坦な
領域上に延在している。上部ヨーク２２Ｅは、開口部１
１Ｋにおいて磁路接続部１２Ｂ，２２Ｄを介して下部磁
極１０と磁気的に連結されると共に、上部磁性層２２Ｃ
を介して第２の磁極先端部１２Ａとも磁気的に連結され
ている。すなわち、上部磁極２２（第２の磁極先端部１
２Ａ，２２Ｃ，磁路接続部１２Ｂ，２２Ｄ，上部ヨーク
２２Ｅ）と下部磁極１０とが接続されることにより磁路
が形成されている。

【０１４７】図３１に示したように、薄膜コイル２４お
よびコイル接続部２４ＳＡは、上記第１の実施の形態に
おける薄膜コイル１４およびコイル接続部１４Ｓと同様
の構造的特徴を有するものである。薄膜コイル１４と薄
膜コイル２４とは、開口部１６Ｋにおいて、コイル接続
部１４Ｓ，２４ＳＡを介して接続されている。薄膜コイ
ル１４の外側の終端部に形成された端子１４Ｘおよび薄
膜コイル２４の外側の終端部に形成された端子２４Ｘは
図示しない外部回路に接続されており、この外部回路を
通じて薄膜コイル１４，２４を通電させることができる
ようになっている。

【０１４８】なお、図３１に示した上記以外の配設物に
関する構造的特徴は、上記第１の実施の形態の場合（図
２１参照）と同様である。

【０１４９】本実施の形態では、図２７および図３０に
示したように、上部磁性層２２Ｃと上部ヨーク２２Ｅと
がオーバーラップするオーバーラップ領域２２Ｒに、薄
膜コイル１４，２４を埋設する絶縁材の一部（絶縁膜１
３，１６）が記録ギャップ層１１に隣接して配設されて
いるため、以下のような理由により、優れたオーバーラ
イト特性を確保することができる。すなわち、上部磁極
２２内を流れる磁束の伝播過程において、オーバーラッ
プ領域２２Ｒでは、上部ヨーク２２Ｅの接続部２２Ｅ
(2) から上部磁性層２２Ｃの後端部２２Ｃ(3) へ向かう
下向きの磁束の流れが生じる。ここで、オーバーラップ
領域２２Ｒに配設されている非磁性材料よりなる絶縁材
の一部は、磁束の遮蔽材として機能し、その上方領域か
ら下方領域に向かう磁束の流れを抑制することとなる。
このため、接続部２２Ｅ(2) から後端部２２Ｃ(3) へ流
入した磁束が記録ギャップ層１１を通過して下部磁極１
０へ伝播すること（磁束の漏れ）を抑制することができ
る。したがって、上部磁性層２２Ｃ内の磁束の伝播過程
において、「磁束の漏れ」に起因する磁束の伝播ロスが
抑制され、第１の磁極先端部２２Ｃ(1) および第２の磁
極先端部１２Ａのそれぞれの先端部分まで必要十分な量
の磁束を供給することができる。なお、上記の絶縁材の
一部（絶縁膜１３，１６）は、上部磁性層２２Ｃから下
部磁極１０へ磁束が伝播することを抑制すると同時に、
下部磁極１０から上部磁性層２２Ｃへ磁束が伝播するこ
とをも抑制することができる。

【０１５０】また、本実施の形態では、ＣＭＰ研磨後の
平坦面上に上部磁性層２２Ｃを形成するようにしたの
で、上記第１の実施の形態において上部磁性層１２Ｃを
平坦面上に形成した場合と同様の作用により、上部磁性
層２２Ｃを高精度に形成することができる。なお、この
上部磁性層２２Ｃの形成精度に係る効果は、上部ヨーク
２２Ｅを形成する場合においても同様である。

【０１５１】なお、本実施の形態では、上部ヨーク（２
２Ｅ）が窒化鉄の単層構造からなる場合（図２７参照）
について説明したが、必ずしもこれに限られるものでは
なく、例えば図３２に示したように、上部ヨークが、例
えば窒化鉄などの高飽和磁束密度材層９２と、例えばア
ルミナなどの無機絶縁材層９３とが交互に積層された構
造よりなる（１１２Ｅ）ようにしてもよい。上部ヨーク
をこのような構造とすることにより、磁路における渦電
流の発生を防止し、高周波特性を向上させることができ
る。なお、上記の高飽和磁束密度材層９２および無機絶
縁材層９３の双方の形成もＲＩＥによって行うことによ
り、形成時間を短縮することができる。なお、図３２に
おいて、上部ヨーク１１２Ｅ以外の部分は、上記の図２
７の場合と同様である。

【０１５２】なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の構造およびその製造方法に関する上記以外の作用、効
果および変形例等は、上記第１の実施の形態の場合と同
様であるので、その説明を省略する。

【０１５３】［第３の実施の形態］次に、本発明の第３
の実施の形態について説明する。

【０１５４】まず、図３３〜図３５を参照して、本発明
の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法と
しての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する。図
３３〜図３５において、（Ａ）はエアベアリング面に垂
直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面
に平行な断面を示している。なお、図３３〜図３５にお
いて、各図中のＸ，Ｙ，Ｚ軸方向に関する表記は、上記
第１の実施の形態の場合と同様とし、また各図中の上記
第１の実施の形態における構成要素と同一部分には同一
の符号を付すものとする。

【０１５５】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、図３３における前駆磁性層１１２Ａを形
成するところまでの工程は、上記第１の実施の形態にお
ける図３に示した同工程までと同様であるので、その説
明を省略する。

【０１５６】本実施の形態では、前駆磁性層１１２Ａを
形成したのち、図３３に示したように、マスク８０Ａ，
８０Ｂを用いて、例えば、上記第１の実施の形態におい
て磁極部分１００を形成した場合とほぼ同様の条件下に
おけるＲＩＥにより、マスク８０Ａ，８０Ｂの形成領域
以外の領域における記録ギャップ層１１および下部磁極
１０のそれぞれの一部を選択的にエッチングする。この
エッチング処理により、下部磁極１０の一部が除去さ
れ、窪み領域１０Ｍが形成される。窪み領域１０Ｍを形
成する際には、例えば、その深さが約０．５〜１．５μ
ｍになるようにする。

【０１５７】次に、図３３に示したように、絶縁膜１
３、薄膜コイル１４、絶縁膜１５および前駆絶縁層１６
Ｐを順に形成する。これらの各部位を形成する際の形成
材料、形成方法、形成位置等は上記第１の実施の形態の
場合とほぼ同様である。先工程において窪み領域１０Ｍ
を形成することにより、薄膜コイル１４の配設位置は、
窪み領域１０Ｍを形成しない場合よりも低くなる。

【０１５８】次に、例えばＣＭＰ法により、前駆絶縁層
１６Ｐの表面全体を研磨して平坦化する。この研磨処理
により、図３４に示したように、薄膜コイル１４等を埋
設する絶縁膜１６が形成される。このときの研磨処理
は、少なくとも前駆磁性層１１２Ａおよび磁路接続部１
２Ｂが露出すると共に、例えば、ポール上部磁性層前駆
層１１２Ａの厚みが約０．５〜１．５μｍとなるまで行
う。

【０１５９】なお、絶縁層１６を形成したのち、上部磁
性層１２Ｃ等を形成する工程は、上記第１の実施の形態
の場合と同様であるので、その説明を省略する。最終的
に完成する薄膜磁気ヘッドの断面構造は、図３５に示し
た通りである。

【０１６０】本実施の形態では、下部磁極１０の一部を
エッチングして掘り下げることにより窪み領域１０Ｍを
形成し、この窪み領域１０Ｍに薄膜コイル１４を配設す
るようにしたので、薄膜コイル１４を形成することとな
る下地の表面の位置は、エッチング処理を行わない場合
における下地の表面の位置よりも低くなる。このため、
後工程において、薄膜コイル１４の上方には十分な厚み
を有する絶縁膜１６が形成されることとなるので、薄膜
コイル１４と後工程において形成される上部ヨーク１２
Ｃとの間を確実に絶縁することができる。

【０１６１】また、薄膜コイル１４を形成することとな
る下地の表面の位置を低くすることにより、薄膜コイル
１４の上方における絶縁膜１６の厚みを適正に確保しつ
つ、前駆磁性層１１２Ａの厚みを薄くすることが可能と
なる。このような場合には、以下のような理由により、
後工程において形成される第２の磁極先端部１２Ａの幅
を高精度に一定とすることができる。すなわち、ＲＩＥ
を用いて前駆磁性層１１２Ａをエッチングすることによ
り第２の磁極先端部１２Ａを形成する場合には、前駆磁
性層１１２Ａの厚みが大きいほど第２の磁極先端部１２
Ａの幅を一定に制御することが困難となる。なぜなら、
前駆磁性層１１２Ａの厚みが大きいと、エッチング処理
が進行するにつれて発生するエッチングかすの量が多く
なり、このエッチングかすの再付着により第２の磁極先
端部１２Ａの幅が部分的に拡張してしまうからである。
逆に言えば、前駆磁性層１１２Ａの厚みを薄くするほど
エッチング処理時におけるエッチングかすの発生量が低
減するため、第２の磁極先端部１２Ａの幅を高精度に一
定とすることが可能となる。

【０１６２】なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の構造およびその製造方法に関する上記以外の作用、効
果および変形例等は、上記第１の実施の形態の場合と同
様であるので、その説明を省略する。

【０１６３】なお、本実施の形態における窪み領域１０
Ｍの形成に係る変形は、上記第２の実施の形態の場合に
も適用可能である。図３６は、上記第２の実施の形態の
場合において窪み領域１０Ｍを形成した場合の薄膜磁気
ヘッドの完成状態を表すものであり、図２７に対応する
ものである。この場合においても、上記実施の形態の場
合と同様の効果を得ることができる。

【０１６４】以上、いくつかの実施の形態を挙げて本発
明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定さ
れず、種々の変形が可能である。

【０１６５】例えば、上記各実施の形態およびその変形
例では、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明
したが、本発明は、書き込み用の誘導型磁気変換素子を
有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや記録・再生兼用の誘
導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドにも適用する
ことができる。また、本発明は、書き込み用の素子と読
み出し用の素子の積層順序を逆転させた構造の薄膜磁気
ヘッドにも適用することができる。

【０１６６】また、例えば、上記第１の実施の形態で
は、上部磁極１２のうちの記録媒体の記録トラック幅を
規定する一定幅を有する部分が２層構造（第２の磁極先
端部１２Ａおよび第１の磁極先端部１２Ｃ(1) ）を有す
る場合について説明したが、必ずしもこれに限られるも
のではなく、３層以上の多層構造を有するようにしても
よい。このような場合においても、上記第１の実施の形
態の場合と同様の効果を得ることができる。特に、上部
磁性層を構成する各部位の形成材料として、互いに異な
る飽和磁束密度を有する複数の磁性材料を用いる場合に
は、上記したように、一定幅を有する部分の上層部から
下層部にかけて飽和磁束密度が大きくなるように飽和磁
束密度プロファイルを調整するようにするのが好まし
い。もちろん、一定幅を有する部分の飽和磁束密度プロ
ファイルを自由に調整することも可能である。なお、上
記した一定幅を有する部分の構造に係る変形は、上記第
２，第３の実施の形態についても適用可能である。

【０１６７】また、上記の各実施の形態で示した上部磁
極を構成する各磁性層部分（上部磁性層，上部磁性層，
上部ヨーク等）の平面形状は、必ずしも図２１および図
３１に示したものに限られるものではなく、各磁性層部
分の磁気ボリュームを適正化し、薄膜コイルで発生した
磁束を先端部の先端部分まで十分に供給し得る限り、自
由に変更することが可能である。

【０１６８】また、上記各実施の形態では、１層または
２層のコイル構造を有する薄膜磁気ヘッドの構造につい
て説明したが、各実施の形態における薄膜コイルの層数
は自由に変更することが可能である。薄膜コイルの層数
を増加させることにより、磁束の発生量を増加させるこ
とができる。

【０１６９】例えば、上記第１の実施の形態では、１層
のコイル構造（薄膜コイル１４）を有する場合について
説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、図
３７に示したように、２層のコイル構造を有するように
してもよい。図３７は、上記第１の実施の形態の薄膜磁
気ヘッドの構造に関する変形例を表すものであり、図１
０に対応するものである。この薄膜磁気ヘッドは、１層
目の薄膜コイル１４の他に、２層目の薄膜コイル３４を
備えている。この薄膜コイル３４は、例えば、上記第２
の実施の形態における薄膜コイル２４とほぼ同様の構造
的特徴を有するものであり、開口部１６Ｋにおいてコイ
ル接続部１４Ｓ，３４Ｓを介して薄膜コイル１４と接続
されている。薄膜コイル３４およびコイル接続部３４Ｓ
は、例えばフォトレジストよりなる絶縁膜３５により覆
われており、上部磁性層１２Ｃは、絶縁膜３５により構
成されたエイペックス部を覆うように配設されている。

【０１７０】また、例えば、上記第２の実施の形態で
は、２層のコイル構造（薄膜コイル１４，２４）を有す
る場合について説明したが、必ずしもこれに限られるも
のではなく、図３８に示したように、３層のコイル構造
を有するようにしてもよい。図３８は、上記第２の実施
の形態の薄膜磁気ヘッドの構造に関する変形例を表すも
のであり、図２７に対応するものである。この薄膜磁気
ヘッドは、１層目の薄膜コイル１４および２層目の薄膜
コイル２４の他に、３層目の薄膜コイル４４を備えてい
る。薄膜コイル４４の外側の終端部および内側の終端部
にはそれぞれコイル接続部４４ＳＡ，４４ＳＢが配設さ
れており、薄膜コイル４４およびコイル接続部４４Ｓ
Ａ，４４ＳＢは、例えばフォトレジストよりなる絶縁膜
４５により覆われている。また、上部ヨーク２２Ｅは、
絶縁膜４５により構成されたエイペックス部を覆うよう
に配設されており、上部ヨーク２２Ｅの後方にはコイル
接続配線２２ＥＨが配設されている。薄膜コイル２４と
薄膜コイル４４とは、開口部２６Ｋにおいてコイル接続
部２４ＳＢ，４４ＳＡを介して接続されており、薄膜コ
イル４４とコイル接続配線２２ＥＨとは、開口部４５Ｋ
を通じて接続されている。薄膜コイル１４の外側の終端
部に設けられた端子１４Ｘ（図３８では図示せず。図２
１参照）およびコイル接続配線２２ＥＨの後端部が外部
の接続回路に接続されており、この接続回路を用いて薄
膜コイル１４，２４，４４を通電させることができるよ
うになっている。薄膜コイル３４および絶縁膜３５の形
成材料、形成方法および構造的特徴等は、上記第２の実
施の形態における薄膜コイル２４および絶縁膜２５の場
合とほぼ同様である。

【０１７１】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項１９のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドまたは
請求項２６ないし請求項２９のいずれか１項に記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第２の磁性層部分が
記録媒体の記録トラック幅を規定するための一定幅を保
ちつつ記録媒体対向面からこの面より離れる方向にギャ
ップ層に隣接ながら延在して第１の位置で終端し、第１
の磁性層部分が、第２の磁性層部分の一定幅と同一の幅
を保ちつつ記録媒体対向面またはその近傍位置からこの
面より離れる方向に延在して第１の位置と同一または近
傍の第２の位置で終端する一定幅部分と、一定幅部分の
幅よりも大きな幅を有すると共に、第２の位置から記録
媒体対向面より離れる方向に延在して第３の位置で終端
する拡幅部分とを含むようにしたので、主要な磁束の伝
播経路をなす第１の磁性層部分の構造を変更することな
く、第２の磁性層部分の長さのみを変更することによ
り、記録ヘッドの性能を決定する因子のうちの１つであ
るスロートハイトを調整することができるという効果を
奏する。

【０１７２】特に、請求項４記載の薄膜磁気ヘッドによ
れば、第１の磁性層部分の一定幅部分における記録媒体
対向面に近い側の端部の厚みが記録媒体対向面から遠い
側の端部の厚みよりも小さくなるようにしたので、一定
幅部分の厚みの減少に起因する磁気ボリュームの減少に
ともない、一定幅部分内を伝播する磁束が段階的に収束
され、磁束の飽和現象が抑制される。したがって、この
観点においても優れたオーバーライト特性の確保に寄与
することとなる。

【０１７３】また、請求項７または請求項８に記載の薄
膜磁気ヘッドによれば、第１の位置に位置する第２の磁
性層部分と絶縁層との境界面が平面をなすようにしたの
で、上記の境界面が平面をなしていない場合とは異な
り、絶縁層のうちの記録媒体対向面に近い側の位置、す
なわち記録ヘッドの性能を決定する要因のうちの一つで
あるスロートハイトゼロ位置を一義的に決定することが
できるという効果を奏する。

【０１７４】また、請求項１０記載の薄膜磁気ヘッドに
よれば、第２の磁性層部分の厚みが第１の薄膜コイルの
厚みよりも大きくなるようにしたので、第１の薄膜コイ
ルの上方には十分な厚みを有する絶縁材が形成されるこ
ととなる。したがって、第１の薄膜コイルをその上方領
域から確実に絶縁することができるという効果を奏す
る。

【０１７５】また、請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドま
たは請求項２８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、第２の磁性層のうちの第１の磁性層に近い側には窪
み領域が設けられており、第１の薄膜コイルが窪み領域
に配設されるようにしたので、第１の薄膜コイルを形成
することとなる下地の表面の位置は、エッチング処理を
行わない場合における下地の表面の位置よりも低くな
る。このような場合には、第１の薄膜コイルの上方には
より十分な厚みを有する絶縁材が形成されることとな
る。したがって、第１の薄膜コイルをその上方領域から
より確実に絶縁することができるという効果を奏する。

【０１７６】また、請求項１４記載の薄膜磁気ヘッドに
よれば、第１の磁性層部分と第３の磁性層部分とがオー
バーラップするオーバーラップ領域に、ギャップ層に隣
接するようにして絶縁層の一部が配設されるようにした
ので、この絶縁層の一部により、その上方領域から下方
領域への磁束の伝播、すなわち磁束の漏れを抑制し、磁
束の伝播過程における伝播ロスを低減することができる
という効果を奏する。

【０１７７】また、請求項１５または請求項１６に記載
の薄膜磁気ヘッドによれば、第２の磁性層部分を構成す
る磁性材料が、第１の磁性層部分を構成する磁性材料の
飽和磁束密度以上の飽和磁束密度を有するようにしたの
で、第１の磁性層部分内における磁束の伝播特性にばら
つきが生じたとしても、第２の磁性層部分内において円
滑な磁束の伝播が確保される。したがって、この観点に
おいても優れたオーバーライト特性の確保に寄与するこ
ととなる。

【０１７８】請求項２０記載の薄膜磁気ヘッドによれ
ば、第１の磁性層が、記録媒体対向面からこの面より離
れる方向にギャップ層に隣接して延在すると共に記録媒
体の記録トラック幅を規定するトラック幅規定部分を含
み、このトラック幅規定部分が複数の磁性層からなる積
層構造を有するようにしたので、最下層の磁性層の長さ
のみを変更することにより、記録ヘッドの性能を決定す
る因子のうちの１つであるスロートハイトを調整するこ
とができるという効果を奏する。

【０１７９】請求項２１ないし請求項２５のいずれか１
項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、ギャッ
プ層上における記録媒体対向面が形成されるべき位置の
近傍から第１の位置に至る領域に、第２の磁性層部分の
一定幅よりも大きい幅と、第１の位置において第２の磁
性層部分の幅方向に延びる直線状の端縁とを有するよう
に第２の磁性層部分の前準備層としての前駆磁性層を選
択的に形成する第１の工程と、少なくとも前駆磁性層お
よびその周辺領域を覆うように絶縁層の前準備層として
の前駆絶縁層を形成する第２の工程と、少なくとも前駆
磁性層が露出するまで前駆絶縁層を研磨して平坦化する
ことにより絶縁層を形成する第３の工程と、研磨後の平
坦面上に、一定幅部分における第２の位置が第１の位置
よりも記録媒体対向面から遠い側に位置するように第１
の磁性層部分を選択的に形成する第４の工程と、第１の
磁性層部分の一定幅部分をマスクとして用いて前駆磁性
層を選択的にエッチングすることにより第２の磁性層部
分を選択的に形成する第５の工程とを含むようにしたの
で、極微小な一定幅を有すると共に、記録媒体対向面か
ら遠い側の端部における幅方向に延びる端縁が直線状を
なすように第２の磁性層部分を形成することができると
いう効果を奏する。

【０１８０】特に、請求項２２記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、第５の工程において、第２の磁性層
部分の形成を反応性イオンエッチングを用いて行うよう
にしたので、第２の磁性層部分を高精度かつ短時間で形
成することができるという効果を奏する。

【０１８１】また、請求項２３記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、第１の工程において、前駆磁性層の
形成を反応性イオンエッチングを用いて行うようにした
ので、記録媒体対向面から遠い側の端面が平面をなすと
共に下地に対して垂直になるように前駆磁性層を形成す
ることができるという効果を奏する。また、反応性イオ
ンエッチングを用いることにより、前駆磁性層を高精度
かつ短時間で形成することができる。

【０１８２】また、請求項２５記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、ギャップ層上にスパッタリングを用
いて磁性材層を形成したのち、この磁性材層を選択的に
エッチングすることにより前駆磁性層を形成するように
したので、前駆磁性層の形成材料の組成を適正に制御す
ることができるという効果を奏する。

【０１８３】請求項３０記載の磁性層パターンの形成方
法によれば、下地層上に、磁性層パターンの一定幅より
も大きい幅と、磁性層パターンの幅方向に延びる直線状
の端縁とを有するように磁性層パターンの前準備層とし
ての前駆磁性層を選択的に形成する工程と、少なくとも
前駆磁性層およびその周辺領域を覆うように非磁性層を
形成する工程と、少なくとも前駆磁性層が露出するまで
非磁性層を研磨して平坦化する工程と、研磨後の平坦面
上に、前駆磁性層における直線状の端縁と交差すると共
に非磁性層の表面領域から前駆磁性層の表面領域へ延在
するように、磁性層パターンの一定幅と同一の幅を有す
るエッチングマスクを選択的に形成する工程と、エッチ
ングマスクを用いて前駆磁性層を選択的にエッチングす
ることにより磁性層パターンを選択的に形成する工程と
を含むようにしたので、一定幅を有すると共に、記録媒
体対向面から遠い側の端部における幅方向に延びる端縁
が直線状をなすように磁性層パターンを形成することが
できるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。

【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図７】図６に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図８】図７に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図９】図８に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図１１】図１に示した断面図に対応する斜視図であ
る。

【図１２】図２に示した断面図に対応する斜視図であ
る。

【図１３】図５に示した断面図に対応する斜視図であ
る。

【図１４】図６に示した断面図に対応する斜視図であ
る。

【図１５】図７に示した断面図に対応する斜視図であ
る。

【図１６】図８に示した断面図に対応する斜視図であ
る。

【図１７】図９に示した断面図に対応する斜視図であ
る。

【図１８】図２に示した断面図に対応する平面図であ
る。

【図１９】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法に関する作用を説明するための図であ
る。

【図２０】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法に関する他の作用を説明するための図で
ある。

【図２１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面構造を表す平面図である。

【図２２】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構造に関する変形例を表す斜視図である。

【図２３】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。

【図２４】図２３に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２５】図２４に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２６】図２５に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２７】図２６に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２８】図２３に示した断面図に対応する斜視図であ
る。

【図２９】図２４に示した断面図に対応する斜視図であ
る。

【図３０】図２６に示した断面図に対応する斜視図であ
る。

【図３１】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面構造を表す平面図である。

【図３２】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構造に関する変形例を表す断面図である。

【図３３】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。

【図３４】図３３に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３５】図３４に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３６】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造に適用した場合に製造される薄膜磁気ヘッドの
断面図である。

【図３７】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構造に関する他の変形例を表す断面図である。

【図３８】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構造に関する他の変形例を表す断面図である。

【図３９】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一工程を
説明するための断面図である。

【図４０】図３９に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図４１】図４０に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図４２】従来の薄膜磁気ヘッドの要部構造を表す断面
図である。

【図４３】図４２に示した薄膜磁気ヘッドにおける磁極
部分のエアベアリング面に平行な断面を示す断面図であ
る。

【図４４】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す平面図で
ある。

【符号の説明】

１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４，９，
１３，１５，１６，２５，２６，３５，４５…絶縁膜、
５，７…シールドギャップ膜、６…ＭＲ膜、８…上部シ
ールド層、１０…下部磁極、１０Ｍ…窪み領域、１１…
記録ギャップ層、１２Ａ…第２の磁極先端部、１２Ｂ，
２２Ｄ…磁路接続部、１２Ｃ，２２Ｃ…上部磁性層、１
２Ｃ(1) ，２２Ｃ(1) …第１の磁極先端部、１２Ｃ(2)
，２２Ｃ(2) …中間部、１２Ｃ(3) ，２２Ｃ(3) …後
端部、１２Ｃ(4) …ヨーク部、１２ＣＨ，２２ＥＨ…コ
イル接続配線、１４，２４，３４，４４…薄膜コイル、
１４Ｓ，２４ＳＡ，２４ＳＢ，３４Ｓ…コイル接続部、
１６Ｐ，２６Ｐ…前駆絶縁層、１７，２７…オーバーコ
ート層、２２Ｅ，１１２Ｅ…ヨーク部、２２Ｅ(1) …ヨ
ーク部、２２Ｅ(2) …接続部、７０…エアベアリング
面、８０Ａ，８０Ｂ…マスク、９０，９１…フォトレジ
スト膜、９２…高飽和磁束密度材層、９３…無機絶縁材
層、１００，２００…磁極部分、１１２…基礎磁性層、
１１２Ａ…前駆磁性層、ＴＨ…スロートハイト、ＭＲＨ
…ＭＲハイト。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】記録媒体に対向する記録媒体対向面に近
い側の一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極
を有する、互いに磁気的に連結された第１の磁性層およ
び第２の磁性層と、前記第１の磁性層と第２の磁性層と
の間に配設された薄膜コイルと、前記薄膜コイルを前記
第１の磁性層および第２の磁性層から絶縁する絶縁層と
を有する薄膜磁気ヘッドであって、前記第１の磁性層は、前記ギャップ層より遠い側から順
に配設された第１の磁性層部分および第２の磁性層部分
の積層体を含み、前記第２の磁性層部分は、記録媒体の記録トラック幅を
規定するための一定幅を保ちつつ前記記録媒体対向面か
らこの面より離れる方向に前記ギャップ層に隣接ながら
延在して第１の位置で終端し、前記第１の磁性層部分は、前記第２の磁性層部分の前記一定幅と同一の幅を保ちつ
つ前記記録媒体対向面またはその近傍位置からこの面よ
り離れる方向に延在して前記第１の位置と同一または近
傍の第２の位置で終端する一定幅部分と、前記一定幅部分の幅よりも大きな幅を有すると共に、前
記第２の位置から前記記録媒体対向面より離れる方向に
延在して第３の位置で終端する拡幅部分とを含むことを
特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】前記第１の磁性層部分の一定幅部分にお
ける前記記録媒体対向面に近い側の端縁の位置は、前記
記録媒体対向面の位置と一致していることを特徴とする
請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】前記第１の磁性層部分の一定幅部分にお
ける前記記録媒体対向面に近い側の端縁の位置は、前記
記録媒体対向面から離れる方向にずれていることを特徴
とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】前記第１の磁性層部分の一定幅部分にお
ける前記記録媒体対向面に近い側の端部の厚みは前記記
録媒体対向面から遠い側の端部の厚みよりも小さいこと
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に
記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】前記第１の磁性層部分と前記第２の磁性
層部分との境界面は平面をなしていることを特徴とする
請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の薄膜磁
気ヘッド。
【請求項６】前記絶縁層における前記記録媒体対向面
に近い側の端縁の位置は前記第１の位置と一致している
ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１
項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】前記第１の位置に位置する、前記第２の
磁性層部分と前記絶縁層との境界面は平面をなしている
ことを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】前記第２の磁性層部分と前記絶縁層との
境界面は、前記第２の磁性層部分の延在方向に対して垂
直になっていることを特徴とする請求項７記載の薄膜磁
気ヘッド。
【請求項９】前記薄膜コイルは、その一部をなす第１
の薄膜コイルを含み、前記第１の薄膜コイルは、その最も多くの部分が前記第
２の磁性層部分の厚みに対応する空間領域に含まれるよ
うに配設されていることを特徴とする請求項１ないし請
求項８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】前記第２の磁性層部分の厚みは前記第
１の薄膜コイルの厚みよりも大きいことを特徴とする請
求項９記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】前記第２の磁性層のうちの前記第１の
磁性層に近い側には窪み領域が設けられており、前記第
１の薄膜コイルは前記窪み領域に配設されていることを
特徴とする請求項９または請求項１０に記載の薄膜磁気
ヘッド。
【請求項１２】前記薄膜コイルは、さらに、その一部
をなすと共に前記第１の薄膜コイルと電気的に接続され
た第２の薄膜コイルを含み、前記第２の薄膜コイルは、その最も多くの部分が前記第
１の磁性層部分の厚みに対応する空間領域に含まれるよ
うに配設されていることを特徴とする請求項９ないし請
求項１１のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】前記第３の位置は、前記第１の薄膜コ
イルよりも前記記録媒体対向面に近い側に位置し、前記第１の磁性層は、さらに、前記第１の磁性層部分と
部分的にオーバーラップして磁気的に連結された第３の
磁性層部分を含むことを特徴とする請求項９ないし請求
項１２のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１４】前記第１の磁性層部分と前記第３の磁
性層部分とがオーバーラップするオーバーラップ領域
に、前記ギャップ層に隣接するようにして前記絶縁層の
一部が配設されていることを特徴とする請求項１３記載
の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１５】前記第２の磁性層部分を構成する磁性
材料は、前記第１の磁性層部分を構成する磁性材料の飽
和磁束密度以上の飽和磁束密度を有するものであること
を特徴とする請求項１ないし請求項１４のいずれか１項
に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１６】前記第１の磁性層部分は、鉄、ニッケ
ルおよびコバルトを含む磁性材料よりなるものであり、前記第２の磁性層部分は、ニッケル鉄合金またはコバル
ト鉄合金のいずれか１つを含む磁性材料よりなるもので
あることを特徴とする請求項１５記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項１７】前記第１の磁性層部分および前記第２
の磁性層部分のうちの少なくとも一方は、窒化鉄、ニッ
ケル鉄合金またはアモルファス合金のいずれか１つを含
む磁性材料よりなるものであることを特徴とする請求項
１ないし請求項１４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘ
ッド。
【請求項１８】前記アモルファス合金は、コバルト鉄
合金、ジルコニウムコバルト鉄酸化物合金またはジルコ
ニウム鉄窒化物合金のいずれかであることを特徴とする
請求項１７記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１９】前記第１の磁性層部分および前記第２
の磁性層部分のうちの少なくとも一方は、鉄、ニッケル
およびコバルトを含む磁性材料よりなるものであること
を特徴とする請求項１ないし請求項１４のいずれか１項
に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項２０】記録媒体に対向する記録媒体対向面に
近い側の一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁
極を有する、互いに磁気的に連結された第１の磁性層お
よび第２の磁性層と、前記第１の磁性層と第２の磁性層
との間に配設された薄膜コイルと、前記薄膜コイルを前
記第１の磁性層および第２の磁性層から絶縁する絶縁層
とを有する薄膜磁気ヘッドであって、前記第１の磁性層は、前記記録媒体対向面からこの面よ
り離れる方向に前記ギャップ層に隣接して延在すると共
に記録媒体の記録トラック幅を規定するトラック幅規定
部分を含み、このトラック幅規定部分は、複数の磁性層からなる積層
構造を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２１】記録媒体に対向する記録媒体対向面に
近い側の一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁
極を有する、互いに磁気的に連結された第１の磁性層お
よび第２の磁性層と、前記第１の磁性層と第２の磁性層
との間に配設された薄膜コイルと、前記薄膜コイルを前
記第１の磁性層および第２の磁性層から絶縁する絶縁層
とを有すると共に、前記第１の磁性層が前記ギャップ層
より遠い側から順に配設された第１の磁性層部分および
第２の磁性層部分を含み、前記第２の磁性層部分が記録
媒体の記録トラック幅を規定するための一定幅を保ちつ
つ前記記録媒体対向面からこの面より離れる方向に前記
ギャップ層に隣接して延在して第１の位置で終端し、前
記第１の磁性層部分が、前記第２の磁性層部分の前記一
定幅と同一の幅を保ちつつ前記記録媒体対向面またはそ
の近傍位置からこの面より離れる方向に延在して前記第
１の位置と同一または近傍の第２の位置で終端する一定
幅部分と、前記一定幅部分の幅よりも大きな幅を有する
と共に前記第２の位置から前記記録媒体対向面より離れ
る方向に延在して第３の位置で終端する拡幅部分とを含
む薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記第１の磁性層を形成する工程が、前記ギャップ層上における前記記録媒体対向面が形成さ
れるべき位置の近傍から前記第１の位置に至る領域に、
前記第２の磁性層部分の前記一定幅よりも大きい幅と、
前記第１の位置において前記第２の磁性層部分の幅方向
に延びる直線状の端縁とを有するように、前記第２の磁
性層部分の前準備層としての前駆磁性層を選択的に形成
する第１の工程と、少なくとも前記前駆磁性層およびその周辺領域を覆うよ
うに前記絶縁層の前準備層としての前駆絶縁層を形成す
る第２の工程と、少なくとも前記前駆磁性層が露出するまで前記前駆絶縁
層を研磨して平坦化することにより前記絶縁層を形成す
る第３の工程と、研磨後の平坦面上に、前記一定幅部分における前記第２
の位置が前記第１の位置よりも前記記録媒体対向面から
遠い側に位置するように第１の磁性層部分を選択的に形
成する第４の工程と、前記第１の磁性層部分の前記一定幅部分をマスクとして
用いて前記前駆磁性層を選択的にエッチングすることに
より前記第２の磁性層部分を選択的に形成する第５の工
程とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項２２】前記第５の工程において、前記第２の
磁性層部分の形成を反応性イオンエッチングを用いて行
うことを特徴とする請求項２１記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法。
【請求項２３】前記第１の工程において、前記前駆磁
性層の形成を反応性イオンエッチングを用いて行うこと
を特徴とする請求項２１または請求項２２に記載の薄膜
磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２４】前記第５の工程において、前記ギャップ層および前記第２の磁性層のうち、前記第
１の磁性層部分の一定幅部分の形成領域以外の領域をそ
の厚み方向における所定の位置まで除去することを特徴
とする請求項２１ないし請求項２３のいずれか１項に記
載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２５】前記ギャップ層上にスパッタリングを
用いて磁性材層を形成したのち、この磁性材層を選択的
にエッチングすることにより前駆磁性層を形成すると共
に、めっき膜の成長処理を用いて前記第１の磁性層部分
を形成することを特徴とする請求項２１ないし請求項２
４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２６】記録媒体に対向する記録媒体対向面に
近い側の一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁
極を有する、互いに磁気的に連結された第１の磁性層お
よび第２の磁性層と、前記第１の磁性層と第２の磁性層
との間に配設された薄膜コイルと、前記薄膜コイルを前
記第１の磁性層および第２の磁性層から絶縁する絶縁層
とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記第
１の磁性層を形成する工程は、前記ギャップ層より遠い
側から順に配設された第１の磁性層部分および第２の磁
性層部分を含む積層体を形成する工程を含み、前記第２の磁性層部分の形成工程において、記録媒体の
記録トラック幅を規定するための一定幅を保ちつつ前記
記録媒体対向面からこの面より離れる方向に前記ギャッ
プ層に隣接ながら延在して第１の位置で終端するように
前記第２の磁性層部分を形成し、前記第１の磁性層部分の形成工程において、前記第２の磁性層部分の前記一定幅と同一の幅を保ちつ
つ前記記録媒体対向面またはその近傍位置からこの面よ
り離れる方向に延在して前記第１の位置と同一または近
傍の第２の位置で終端する一定幅部分と、前記一定幅部分の幅よりも大きな幅を有すると共に、前
記第２の位置から前記記録媒体対向面より離れる方向に
延在して第３の位置で終端する拡幅部分とを含むように
前記第１の磁性層部分を形成することを特徴とする薄膜
磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２７】前記薄膜コイルが、その一部をなす第
１の薄膜コイルを含む場合において、前記第１の薄膜コイルを、その最も多くの部分が前記第
２の磁性層部分の厚みに対応する空間領域に含まれるよ
うに形成することを特徴とする請求項２６記載の薄膜磁
気ヘッドの製造方法。
【請求項２８】前記第２の磁性層のうちの前記第１の
磁性層に近い側の一部をその厚み方向における所定の位
置までエッチングすることにより窪み領域を形成し、こ
の窪み領域に前記第１の薄膜コイルを形成することを特
徴とする請求項２７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２９】前記薄膜コイルが、さらに、その一部
をなすと共に前記第１の薄膜コイルと電気的に接続され
た第２の薄膜コイルを含む場合において、前記第２の薄膜コイルを、その最も多くの部分が前記第
１の磁性層部分に対応する空間領域に含まれるように形
成することを特徴とする請求項２７または請求項２８に
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３０】所定の下地層上に一定幅を有する細長
い磁性層パターンを形成するための磁性層パターンの形
成方法であって、前記下地層上に、前記磁性層パターンの前記一定幅より
も大きい幅と、前記磁性層パターンの幅方向に延びる直
線状の端縁とを有するように、前記磁性層パターンの前
準備層としての前駆磁性層を選択的に形成する工程と、少なくとも前記前駆磁性層およびその周辺領域を覆うよ
うに非磁性層を形成する工程と、少なくとも前記前駆磁性層が露出するまで前記非磁性層
を研磨して平坦化する工程と、研磨後の平坦面上に、前記前駆磁性層における前記直線
状の端縁と交差すると共に前記非磁性層の表面領域から
前記前駆磁性層の表面領域へ延在するように、前記磁性
層パターンの前記一定幅と同一の幅を有するエッチング
マスクを選択的に形成する工程と、前記エッチングマスクを用いて前記前駆磁性層を選択的
にエッチングすることにより前記磁性層パターンを選択
的に形成する工程とを含むことを特徴とする磁性層パタ
ーンの形成方法。