JP2004192805A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
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Abstract
【課題】記録ヘッドにおけるスロートハイトの正確な制御が可能であり、磁極先端部だけでなく、上部磁極層のサブミクロン幅の極微細加工が可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】 第1の磁性層18の上に第1の磁極19aを形成した後、第1の絶縁層20aを、第1の磁性層18上の第1の磁極19aの隣接領域に形成する。第1の絶縁層20a上に薄膜コイル21を少なくとも第1の磁極19aと同じ高さとなるように形成し、その後、薄膜コイル21の巻線間に第2の絶縁層20bを形成する。第1の磁極19aおよび薄膜コイル21の平坦化面上に記録ギャップ層22を形成した後、記録ギャップ層22上に第2の磁極を含む第2の磁性層25”を形成する。
【選択図】 図15
【解決手段】 第1の磁性層18の上に第1の磁極19aを形成した後、第1の絶縁層20aを、第1の磁性層18上の第1の磁極19aの隣接領域に形成する。第1の絶縁層20a上に薄膜コイル21を少なくとも第1の磁極19aと同じ高さとなるように形成し、その後、薄膜コイル21の巻線間に第2の絶縁層20bを形成する。第1の磁極19aおよび薄膜コイル21の平坦化面上に記録ギャップ層22を形成した後、記録ギャップ層22上に第2の磁極を含む第2の磁性層25”を形成する。
【選択図】 図15
Description
本発明は、少なくとも書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
近年、ハードディスク装置の面記録密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵抗(以下、MR(Magneto Resistive )と記す。)素子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。MR素子としては、異方性磁気抵抗(以下、AMR(Anisotropic Magneto Resistive )と記す。)効果を有するAMR膜を用いたAMR素子と、巨大磁気抵抗(以下、GMR(Giant Magneto Resistive )と記す。)効果を有するGMR膜を用いたGMR素子とがあり、AMR素子を用いた再生ヘッドはAMRヘッドあるいは単にMRヘッドと呼ばれ、GMR素子を用いた再生ヘッドはGMRヘッドと呼ばれる。AMRヘッドは、面記録密度が1ギガビット/(インチ)2 を超える再生ヘッドとして利用され、GMRヘッドは、面記録密度が3ギガビット/(インチ)2 を超える再生ヘッドとして利用されている。
一般的に、AMR膜は、MR効果を示す磁性体を膜としたもので、単層構造になっている。これに対して、多くのGMR膜は、複数の膜を組み合わせた多層構造になっている。GMR効果が発生するメカニズムにはいくつかの種類があり、そのメカニズムによってGMR膜の層構造が変わる。GMR膜としては、超格子GMR膜、スピンバルブ膜、グラニュラ膜等が提案されているが、比較的構成が単純で、弱い磁界でも大きな抵抗変化を示し、量産を前提とするGMR膜としては、スピンバルブ膜が有力である。
再生ヘッドの性能を決定する要因としては、パターン幅、特に、MRハイトがある。MRハイトは、MR素子のエアベアリング面側の端部から反対側の端部までの長さ(高さ)をいう。このMRハイトは、本来、エアベアリング面の加工の際の研磨量によって制御される。なお、ここにいうエアベアリング面(ABS)は薄膜磁気ヘッドの磁気記録媒体に対向する面であり、トラック面ともいう。
一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高めるには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必要がある。そのためには、記録ギャップ(write gap)を挟んでその上下に形成された下部磁極(ボトムポール)および上部磁極(トップポール)のエアベアリング面での幅を数ミクロンからサブミクロンオーダーまで狭くした狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があり、そのため半導体加工技術が利用されている。
記録ヘッドの性能を決定するその他の要因としては、スロートハイト(Throat Height:TH) がある。スロートハイトは、エアベリング面から、薄膜コイルを電気的に分離する絶縁層のエッジまでの部分(磁極部分)の長さ(高さ)をいう。記録ヘッドの性能向上のためには、スロートハイトの縮小化が望まれている。このスロートハイトも、エアベアリング面の加工の際の研磨量によって制御される。
薄膜磁気ヘッドの性能の向上のためには、上述のような記録ヘッドと再生ヘッドをバランスよく形成することが重要である。
ここで、図20(a),(b)乃至図25(a),(b)を参照して、従来の薄膜磁気ヘッドの一例として複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例を説明する。
まず、図20に示したように、例えばアルティック(Al2 O3 ・TiC)よりなる基板101上に、例えばアルミナ(酸化アルミニウム,Al2 O3 )よりなる絶縁層102を、約5〜10μm程度の厚みで形成する。続いて、絶縁層102上に例えばパーマロイ(NiFe)からなる再生ヘッド用の下部シールド層103を形成する。
次に、図21に示したように、下部シールド層103上に、例えばアルミナを100〜200nmの厚みで堆積し、シールドギャップ膜104を形成する。次に、シールドギャップ膜104上に、再生用のMR素子を構成するためのMR膜105を数十nmの厚みに形成し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形状とする。続いて、このMR膜105に対するリード端子層106をリフトオフ法により形成する。次いで、シールドギャップ膜104、MR膜105およびリード端子層106上に、シールドギャップ膜107を形成し、MR膜105およびリード端子層106をシールドギャップ膜104,107内に埋設する。続いて、シールドギャップ膜107上に、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用いる磁気材料、例えばパーマロイ(NiFe)からなる膜厚3μmの上部シールド兼下部磁極(以下,下部磁極と記す。)108を形成する。
次に、図22に示したように、下部磁極108上に、絶縁層例えばアルミナ膜よりなる膜厚200nmの記録ギャップ層109を形成する。更に、この記録ギャップ層109をフォトリソグラフィによりパターニングし、上部磁極と下部磁極との接続用の開口109aを形成する。続いて、めっき法によりパーマロイ(NiFe)や窒化鉄(FeN)からなる磁気材料により磁極先端部(ポールチップ)110を形成すると共に、上部磁極と下部磁極との接続部パターン110aを形成する。この接続部パターン110aにより下部磁極108と後述の上部磁極層116とが接続され、後述のCMP(Chemical and Mechanical Polishing : 化学的機械研磨)工程後の開口(スルーホール)の形成が容易になる。
次に、図23に示したように、磁極先端部110をマスクとしてイオンミリングによって記録ギャップ層109と下部磁極108とを約0.3〜0.5μm程度エッチングする。下部磁極108までエッチングしてトリム構造とすることにより、実効書き込みトラック幅の広がりが防止される(すなわち、データの書き込み時において、下部磁極における磁束の広がりが抑制される)。続いて、全面に、膜厚約3μmの例えばアルミナからなる絶縁層111を形成した後、全面をCMPにより平坦化する。
次に、図24に示したように、絶縁層111上に、例えばめっき法により、例えば銅(Cu)よりなる誘導型の記録ヘッド用の第1層目の薄膜コイル112を選択的に形成し、更に、絶縁層111および薄膜コイル112上に、フォトレジスト膜113を高精度のフォトリソグラフィで所定のパターンに形成する。続いて、フォトレジスト膜113の平坦化および薄膜コイル112間の絶縁化のために所定の温度で熱処理する。更に、同様に、フォトレジスト膜113上に、第2層目の薄膜コイル114およびフォトレジスト膜115を形成し、フォトレジスト膜115の平坦化および薄膜コイル114間の絶縁化のために所定の温度で熱処理する。
次に、図25に示したように、磁極先端部110、フォトレジスト膜113,115上に、記録ヘッド用の磁気材料、例えばパーマロイからなる上部ヨーク兼上部磁極層(以下、上部磁極層と記す。)116を形成する。この上部磁極層116は、薄膜コイル112,114よりも後方の位置において、下部磁極108と接触し、磁気的に連結される。続いて、上部磁極層116上に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層117を形成する。最後に、スライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのトラック面(エアベアリング面)118を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
図25において、THはスロートハイトを表し、MR−HはMRハイトをそれぞれ表している。また、P2Wはトラック(磁極)幅を表している。
薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因として、スロートハイトTHやMRハイトMR−H等の他に、図25においてθで示したようなエイペックスアングル(Apex Angle)がある。このエイペックスアングルは、フォトレジスト膜113,115のトラック面側の側面の角部を結ぶ直線と上部磁極層116の上面とのなす角度をいう。
薄膜磁気ヘッドの性能を向上させるには、図25に示したようなスロートハイトTH、MRハイトMR−H、エイペックスアングルθおよびトラック幅P2Wを正確に形成することが重要である。
特に、近年は、高面密度記録を可能とするため、すなわち、狭トラック構造の記録ヘッドを形成するために、トラック幅P2Wには1.0μm以下のサブミクロン寸法が要求されている。そのために半導体加工技術を利用して上部磁極をサブミクロンに加工する技術が必要となる。また、狭トラック構造となるに伴って、磁極にはより高い飽和磁束密度を持った磁性材料の使用が望まれている。
ここで、問題となるのは、フォトレジスト膜(例えば、図25のフォトレジスト膜113,115)で覆われて山状に盛り上がったコイル部分(エイペックス部)の上に形成される上部磁極層(トップポール)116を微細に形成することが困難であることである。
上部磁極を形成する方法としては、例えば特開平7−262519号公報に示されるように、フレームめっき法が用いられる。フレームめっき法を用いて上部磁極を形成する場合は、まず、エイペックス部の上に全体的に、例えばパーマロイよりなる薄い電極膜を形成する。次に、その上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィによりパターニングして、めっきのためのフレーム(外枠)を形成する。そして、先に形成した電極膜をシード層として、めっき法によって上部磁極を形成する。
ところで、上述のエイペックス部では、例えば7〜10μm以上の高低差がある。このエイペックス部上に形成されるフォトレジストの膜厚が最低3μm以上必要であるとすると、流動性のあるフォトレジストは低い方に集まることから、エイペックス部の下方では、例えば8〜10μm以上の厚みのフォトレジスト膜が形成されることとなる。前述のように狭トラックを形成するためには、フォトレジスト膜によってサブミクロン幅のパターンを形成する必要がある。従って、8〜10μm以上の厚みのあるフォトレジスト膜によって、サブミクロン幅の微細なパターンを形成する必要が生じるが、これは極めて困難であった。
しかも、フォトリソグラフィの露光時に、露光用の光が、例えばパーマロイよりなる電極膜で反射し、この反射光によってもフォトレジストが感光して、フォトレジストパターンのくずれ等が生じる。その結果、上部磁極の側壁が丸みを帯びた形状になる等、上部磁極を所望の形状に形成できなくなる。このように、従来は、トラックP2Wを正確に制御して、狭トラック構造とするための上部磁極を精度よく形成することが極めて困難であった。
このようなことから、上述の従来例の図22〜図25の工程でも示したように、記録ヘッドの狭トラックの形成に有効な磁極先端部110で1.0μm以下のトラック幅を形成した後、この磁極先端部110とヨーク部を兼ねる上部磁極層116とを接続させる方法、すなわち、通常の上部磁極を、トラック幅を決定する磁極先端部110と、磁束を誘導するためのヨーク部となる上部磁極層116との2つに分割する方法が採用されている(特開昭62−245509,特開昭60−10409号公報参照)。このように上部磁極を2分割することにより、一方の磁極先端部110を記録ギャップ層109の平坦面上においてサブミクロン幅に微細に加工することが可能になる。
しかしながら、この薄膜磁気ヘッドにおいては、依然、以下のような問題があった。
(1)まず、従来の磁気ヘッドでは、磁極先端部110のトラック面118から遠い側の端部においてスロートハイトを決定している。しかし、この磁極先端部110の幅が狭くなると、フォトリソグラフィーにおいてパターンエッジが丸みを帯びて形成される。そのため、高精度な寸法を要求されるスロートハイトが不均一となり、トラック面の加工,研磨工程において、磁気抵抗効果素子のトラック幅との間のバランスに欠ける事態が発生していた。例えば、トラック幅として0.5〜0.6μm必要なときに、磁極先端部110のトラック面118から遠い側の端部がスロートハイト零の位置からトラック面118側にずれ、大きく書き込みギャップが開き、記録データの書き込みができなくなるという問題がしばしば発生していた。
(2)次に、前述のように、従来の磁気ヘッドでは、2分割された上部磁極のうちの一方の磁極先端部110により記録ヘッドのトラック幅が規定されるため、他方の上部磁極層116は磁極先端部110程には微細に加工する必要はないといえる。しかしながら、上部磁極層116は磁極先端部110の上部にフォトリソグラフィーの位置合わせにより位置が決定されるため、トラック面118(図25)側から見た場合、双方が片側に大きく位置ずれすると、上部磁極層116側で書き込みを行う、所謂サイドライトが発生する。そのため実効トラック幅が広くなり、ハードディスクにおいて、本来のデータ記録領域以外の領域においても書き込みが行われる、という不具合が発生する。
(1)まず、従来の磁気ヘッドでは、磁極先端部110のトラック面118から遠い側の端部においてスロートハイトを決定している。しかし、この磁極先端部110の幅が狭くなると、フォトリソグラフィーにおいてパターンエッジが丸みを帯びて形成される。そのため、高精度な寸法を要求されるスロートハイトが不均一となり、トラック面の加工,研磨工程において、磁気抵抗効果素子のトラック幅との間のバランスに欠ける事態が発生していた。例えば、トラック幅として0.5〜0.6μm必要なときに、磁極先端部110のトラック面118から遠い側の端部がスロートハイト零の位置からトラック面118側にずれ、大きく書き込みギャップが開き、記録データの書き込みができなくなるという問題がしばしば発生していた。
(2)次に、前述のように、従来の磁気ヘッドでは、2分割された上部磁極のうちの一方の磁極先端部110により記録ヘッドのトラック幅が規定されるため、他方の上部磁極層116は磁極先端部110程には微細に加工する必要はないといえる。しかしながら、上部磁極層116は磁極先端部110の上部にフォトリソグラフィーの位置合わせにより位置が決定されるため、トラック面118(図25)側から見た場合、双方が片側に大きく位置ずれすると、上部磁極層116側で書き込みを行う、所謂サイドライトが発生する。そのため実効トラック幅が広くなり、ハードディスクにおいて、本来のデータ記録領域以外の領域においても書き込みが行われる、という不具合が発生する。
また、記録ヘッドのトラック幅が極微細、特に0.5μm以下になってくると、上部磁極層116においてもサブミクロン幅の加工精度が要求される。すなわち、トラック面118(図25)側から見た場合、磁極先端部110と上部磁極層116との横方向の寸法差が大き過ぎると、上記と同様に、サイドライトが発生し、本来のデータ記録領域以外の領域においても書き込みが行われる、という不具合が発生する。
このようなことから、磁極先端部110だけでなく、上部磁極層116もサブミクロン幅に加工する必要があるが、上部磁極層116の下のエイペックス部には、依然、前述のような大きな高低差があるため、上部磁極層116の微細加工が困難であった。
(3)更に、従来の磁気ヘッドでは磁路長(Yoke Length)を短くすることが困難であるという問題があった。すなわち、コイルピッチが狭い程、磁路長の短いヘッドを実現することができ、特に高周波特性に優れた記録ヘッドを形成することができるが、コイルピッチを限りなく小さくしていった場合、スロートハイト零の位置から、コイルの外周端の距離が磁路長を妨げる大きな要因となっていた。磁路長は、一層のコイルよりは2層のコイルの方が短くできることから、多くの高周波用の記録ヘッドは2層コイルを採用している。しかしながら、従来の磁気ヘッドでは、1層目のコイルを形成した後、コイル間の絶縁膜を形成するために、フォトレジスト膜を約2μmの厚さで形成している。そのため、1層目のコイルの外周端には丸みを帯びた小さなエイペックス部が形成される。次に、その上に2層目のコイルを形成するが、その際に、エイペックス部の傾斜部では、コイルのシード層のエッチングができず、コイルがショートするため、2層目のコイルを形成することができない。そのため、2層目のコイルは平坦部に形成する必要がある。コイルの厚みが2〜3μmで、更にコイル間絶縁膜の厚みを2μmとすると、エイペックスの傾斜が45〜55度の場合、コイルの外周端からスロートハイトの零の位置近傍まで4〜5μmの距離の2倍(上部磁極と下部磁極とのコンタクト部からコイル外周端までの距離も4〜5μm必要)の8〜10μmが必要であり、これが磁路長の縮小を妨げる要因となっていた。例えばライン/スペースが1.0μm/1.0μmの11巻コイルを2層で形成する場合、1層目を6巻、2層目を5巻とすると、磁路長のコイルを占める部分の長さは11μmである。ここで、上記コイル外周端のエイペックス部に8〜10μmが必要なことから、これ以上磁路長の縮小は不可能で、これが高周波特性の改善を妨げていた。
(3)更に、従来の磁気ヘッドでは磁路長(Yoke Length)を短くすることが困難であるという問題があった。すなわち、コイルピッチが狭い程、磁路長の短いヘッドを実現することができ、特に高周波特性に優れた記録ヘッドを形成することができるが、コイルピッチを限りなく小さくしていった場合、スロートハイト零の位置から、コイルの外周端の距離が磁路長を妨げる大きな要因となっていた。磁路長は、一層のコイルよりは2層のコイルの方が短くできることから、多くの高周波用の記録ヘッドは2層コイルを採用している。しかしながら、従来の磁気ヘッドでは、1層目のコイルを形成した後、コイル間の絶縁膜を形成するために、フォトレジスト膜を約2μmの厚さで形成している。そのため、1層目のコイルの外周端には丸みを帯びた小さなエイペックス部が形成される。次に、その上に2層目のコイルを形成するが、その際に、エイペックス部の傾斜部では、コイルのシード層のエッチングができず、コイルがショートするため、2層目のコイルを形成することができない。そのため、2層目のコイルは平坦部に形成する必要がある。コイルの厚みが2〜3μmで、更にコイル間絶縁膜の厚みを2μmとすると、エイペックスの傾斜が45〜55度の場合、コイルの外周端からスロートハイトの零の位置近傍まで4〜5μmの距離の2倍(上部磁極と下部磁極とのコンタクト部からコイル外周端までの距離も4〜5μm必要)の8〜10μmが必要であり、これが磁路長の縮小を妨げる要因となっていた。例えばライン/スペースが1.0μm/1.0μmの11巻コイルを2層で形成する場合、1層目を6巻、2層目を5巻とすると、磁路長のコイルを占める部分の長さは11μmである。ここで、上記コイル外周端のエイペックス部に8〜10μmが必要なことから、これ以上磁路長の縮小は不可能で、これが高周波特性の改善を妨げていた。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第1の目的は、記録ヘッドにおけるスロートハイトの正確な制御が可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
また、本発明の第2の目的は、スロートハイトの正確な制御に加え、磁極先端部だけでなく、上部磁極層のサブミクロン幅の極微細加工が可能であり、記録ヘッドの特性が改善された薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
更に、本発明の第3の目的は、スロートハイトの正確な制御に加え、記録ヘッドにおける磁路長の縮小が可能であり、高周波特性の改善された薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法は、平坦面を有する第1の磁性層上の端部近傍を除く領域に、無機系材料からなる第1の絶縁層を形成する工程と、前記第1の磁性層の上に、前記第1の磁性層の端部近傍領域と磁気的に結合されるように第1の磁極を形成する工程と、前記第1の絶縁層上に、薄膜コイルを形成する工程と、前記薄膜コイルの巻線間を埋め込む第2の絶縁層を形成する工程と、前記第1の磁極、前記薄膜コイルおよび前記第2の絶縁層の最表面を平坦化する工程と、前記第1の磁極および前記薄膜コイルの平坦化面上に記録ギャップ層を形成した後、前記記録ギャップ層上に第2の磁極を含む第2の磁性層を形成する工程とを含むものである。
具体的には、前記第1の磁性層の上に前記第1の磁極を形成した後、前記第1の絶縁層を少なくとも前記第1の磁性層上の第1の磁極の隣接領域に形成し、前記第1の絶縁層上に前記薄膜コイルを少なくとも前記第1の磁極と同じ高さとなるように形成し、その後、前記薄膜コイルの巻線間に第2の絶縁層を形成するものである。
本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第1の磁極が、第1の磁性層に対して突状に形成され、無機系材料により形成された絶縁層が第1の磁極に隣接して形成される。従って、第1の磁極の記録媒体に対向する面からの奥行き方向への長さを、記録ヘッドのスロートハイトの長さに等しくすることにより、スロートハイトが正確に規定される。
本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法では、上記構成に加えて、更に、以下の態様とすることができる。
すなわち、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第1の絶縁層の膜厚を、0.3〜0.6μmとすることが望ましい。また、第1の絶縁層を、前記第1の磁性層上から前記第1の磁極の前記記録媒体に対向する側の反対面にかけて延在するように形成する、あるいは、第1の磁極の前記記録媒体に対向する面からの長さを記録ヘッドのスロートハイトの長さに等しくすることが望ましい。
また、前記第1の絶縁層の端部が、前記第1の磁極および前記第2の絶縁層と共に平坦面を構成するようにする、あるいは記録ギャップ層と前記薄膜コイルおよび第2の絶縁層との間に中間絶縁層を介在させる態様とすることが望ましい。更に、前記第2の磁極を、前記第2の磁性層と分割して形成すると共に、前記第2の磁性層に磁気的に結合させることが望ましい。
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第1の磁極の前記記録媒体に対向する面に沿った幅を前記第2の磁極よりも広く形成し、あるいは、前記第2の磁極を、前記記録媒体に対向する面から奥側に向けて、前記第1の磁極と同じ長さに形成する、更には、前記第2の磁性層を、前記記録媒体に対向する面から後退した位置に形成することが望ましい。
また、前記第1の絶縁層を、更に、前記第1の磁極の前記記録媒体に対向する側の端面を除く両側面に沿って形成する、更に、第3の絶縁層を、少なくとも、前記第2の磁極の前記記録媒体に対向する側の反対面から前記記録ギャップ層上にかけて連続的に形成する、あるいは、前記第3の絶縁層と前記第2の磁性層との間に薄膜コイルを形成し、前記薄膜コイルを前記第1ないし第3の絶縁層とは異なる他の絶縁層に覆う態様とすることが望ましい。また、前記第3の絶縁層および他の絶縁層の表面が、前記第2の磁極の表面と実質的に同一面となるように平坦化する、前記第2の磁性層の表面を平坦にする、あるいは、前記第2の磁極の前記記録媒体に対向する側の反対面側の幅を、前記記録媒体に対向する側の幅よりも広くなるように形成することが望ましい。
また、前記第1の磁極の前記記録媒体に対向する側の反対面を前記第1の磁性層に対して傾斜させるようにしてもよく、更に、読み出し用の磁気抵抗効果素子を形成する工程を含むようにしてもよい。
以上説明したように本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第1の磁極を、第1の磁極層と分割すると共に第1の磁極層上に突状に形成するようにしたので、無機材料からなる絶縁層を第1の磁極に隣接した凹部内に埋め込むことができる。よって、第1の磁極のトラック面と反対側の端縁によってスロートハイトが規定され、従来のフォトレジスト膜のように端縁の位置変動およびプロファイル悪化が生じることがなく、スロートハイトの正確な制御が可能になるという効果を奏する。
また、第1の磁極に隣接した凹部内に薄膜コイルを埋め込むようにすれば、その分、エイペックス部の段差を従来構造に比べて低くすることができ、その後の工程において、第2の磁性層をフォトリソグラフィーにより形成する際に、エイペックス部の上部と下部においてフォトレジスト膜の厚さの差が低減され、その結果、第2の磁性層のサブミクロン寸法の微細化を図ることが可能になる。よって、記録ヘッドによる高面密度記録が可能となり、コイルを2層,3層と積層することにより、記録ヘッドの性能を更に向上させることが可能になる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
〔第1の実施の形態〕
図1(a),(b)ないし図8(a),(b)は、それぞれ、本発明の第1の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドとしての複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程を表すものである。なお、図1ないし図8において、(a)はトラック面(ABS)に垂直な断面を示し、(b)は磁極部分のトラック面に平行な断面をそれぞれ示している。
〔第1の実施の形態〕
図1(a),(b)ないし図8(a),(b)は、それぞれ、本発明の第1の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドとしての複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程を表すものである。なお、図1ないし図8において、(a)はトラック面(ABS)に垂直な断面を示し、(b)は磁極部分のトラック面に平行な断面をそれぞれ示している。
まず、図8(a),(b)を参照して本実施の形態に係る複合型薄膜磁気ヘッドの構成について説明する。この磁気ヘッドは、再生用の磁気抵抗効果読み出しヘッド部(以下,再生ヘッド部という)1Aと、記録用のインダクティブ記録ヘッド部(以下,記録ヘッド部という)1Bとを有している。
再生ヘッド部1Aは、例えばアルティック(Al2 O3 ・TiC)からなる基板11上に、例えばアルミナ(酸化アルミニウム,Al2 O3 )により形成された絶縁層12、例えば珪化鉄アルミニウム(FeAlSi)により形成された下部シールド層13、例えばアルミナにより形成されたシールドギャップ層14を順次介して磁気抵抗効果膜(以下,MR膜という)15のパターンを形成したものである。また、シールドギャップ層14上には、例えばタンタル(Ta)やタングステン(W)等のMR膜に拡散しない材料により形成されたリード端子層15aも形成されており、このリード端子層15aがMR膜15に電気的に接続されている。MR膜15は、例えばパーマロイ(NiFe合金)やニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金など磁気抵抗効果を有する各種材料により形成されている。MR膜15およびリード端子層15aの上には例えばアルミナよりなるシールドギャップ層17が積層されている。つまり、MR膜15とリード端子層15aとはシールドギャップ層14,17間に埋設されている。なお、MR膜15には特に限定はなく、AMR膜やGMR膜あるいは他の磁気抵抗効果膜などでもよい。
記録ヘッド部1Bは、この再生ヘッド部1A上に、MR膜15に対する上部シールド層を兼ねる下部磁極および記録ギャップ層22を介して上部磁極を形成したものである。
本実施の形態では、下部磁極は、シールドギャップ層17上に形成された下部磁極層(下部ポール)18と、トラック面側において下部磁極層18上に形成された下部磁極先端部(下部ポールチップ)19aとに2分割して形成されている。同様に、上部磁極も2分割されており、トラック面側において、下部磁極先端部19a上の記録ギャップ層22上に形成された上部磁極先端部(上部ポールチップ)23aと、この上部磁極先端部23aに接触すると共に、後述のコイルを含むエイペックス部の上面に沿って形成された、ヨーク部を兼ねる上部磁極層(上部ポール)25とにより構成されている。上部磁極層25は、エイペックス部のトラック面と反対側の位置(図8(a)において右側)において、上部接続部23bおよび下部接続部19bを介して下部磁極層18と磁気的に結合されている。
以上の下部磁極層18、下部磁極先端部19a、下部接続部19b、上部磁極先端部23a、上部接続部23bおよび上部磁極層25は、それぞれ、例えば高飽和磁束密度材料(Hi−Bs材)、例えばNiFe(Ni:50重量%,Fe:50重量%),NiFe(Ni:80重量%,Fe:20重量%),FeN,FeZrNP,CoFeNなどにより形成されている。
この記録ヘッド部1Bでは、上部磁極先端部23aに対向する下部磁極先端部19aは、その表面部分を一部突状に加工したトリム(Trim)構造となっている。これにより、実効書き込みトラック幅の広がり、すなわち、データの書き込み時において、下部磁極における磁束の広がりが抑制されるようになっている。
なお、本実施の形態においては、下部磁極層18が本発明の第1の磁性層、下部磁極先端部19aが本発明の第1の磁極にそれぞれ対応し、また、上部磁極先端部23aが本発明の第2の磁極、上部磁極層25が本発明の第2の磁性層にそれぞれ対応している。
本実施の形態では、1層目の薄膜コイル21は、下部磁極層18上の下部磁極先端部19aと下部接続部19bとの間の凹部領域に形成されている。すなわち、凹部領域の内壁面(底面および側壁面)には絶縁層20aが形成され、この絶縁層20a上に薄膜コイル21が形成されている。薄膜コイル21のコイル間は絶縁層20bにより埋め込まれており、この絶縁層20bの表面と下部磁極先端部19aの表面とが同一面を構成するように平坦化されている。よって、この薄膜コイル21の分だけ、後述の薄膜コイル24を含むエイペックス部の段差が低くなっている。なお、絶縁層20aが本発明の第1の絶縁層、絶縁層20bが本発明の第2の絶縁層にそれぞれ対応している。
平坦化された絶縁層20bおよび薄膜コイル21上には記録ギャップ層22が延在している。この記録ギャップ層22上の上部磁極先端部23aと上部接続部23bとの間の凹部領域内には絶縁層20cが形成されている。この絶縁層20c上に2層目の薄膜コイル24が形成されている。この薄膜コイル24は例えばアルミナからなる絶縁層20dにより覆われている。なお、絶縁膜20cが本発明の第3の絶縁層に、絶縁層20dが本発明の他の絶縁層にそれぞれ対応している。
絶縁層20d上にはヨーク部を兼ねる上部磁極層25が形成されている。上部磁極層25はオーバーコート層26により覆われている。なお、図示しないが、薄膜コイル21,24は絶縁層20bと絶縁層20dとの境界面において電気的に接続されている。
この磁気ヘッドでは、再生ヘッド部1Aにおいて、MR膜15の磁気抵抗効果を利用して図示しない磁気ディスクから情報の読み出しが行われると共に、記録ヘッド部1Bにおいて、薄膜コイル21,24による、上部磁極先端部23aと下部磁極先端部19aとの間の磁束の変化を利用して磁気ディスクに対して情報が書き込まれる。
次に、上記複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。
本実施の形態に係る製造方法では、まず、図1に示したように、例えばアルティック(Al2 O3 ・TiC)からなる基板11上に、例えばスパッタ法により例えばアルミナ(Al2 O3 )よりなる絶縁層12を、約3〜5μm程度の厚みで形成する。次に、絶縁層12上に、フォトレジスト膜をマスクとして、めっき法にて、パーマロイ(NiFe)を約3μmの厚みで選択的に形成して、再生ヘッド用の下部シールド層13を形成する。続いて、例えばスパッタまたはCVD(Chemical Vapor Deposition )法により約4〜6μmの厚さのアルミナ膜(図示せず)を形成し、CMPによって平坦化する。
次に、図2に示したように、下部シールド層13上に、例えばアルミナを100〜200nmの厚みでスパッタ法により堆積し、シールドギャップ層14を形成する。続いて、シールドギャップ層14上に、再生用のMR素子等を構成するためのMR膜15を、数十nmの厚みに形成し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形状とする。続いて、このMR膜15に対するリード端子層15aをリフトオフ法により形成する。次いで、シールドギャップ層14、MR膜15およびリード端子層15a上に、シールドギャップ層17を形成し、MR膜15およびリード端子層15aをシールドギャップ層14,17内に埋設する。
続いて、シールドギャップ膜17上に、例えばパーマロイ(NiFe)よりなる上部シールドを兼ねた下部磁極層(下部ポール)18を、約1.0〜1.5μmの厚みで形成する。
次に、図3に示したように、下部磁極層18上に、下部磁極先端部(下部ポールチップ)19aおよび下部接続部19bを約2.0〜2.5μmの厚みで形成する。ここで、下部磁極先端部19aは、そのトラック側の先端部がMR(GMR)ハイト零の位置の近辺になるように成形し、同時に、トラック面の反対側がスロートハイト零の位置となるようにする。なお、この下部磁極先端部19aおよび下部接続部19bは、前述のようにNiFe等のめっき膜により形成してもよく、FeN,FeZrNP,CoFeNなどのスパッタ膜により形成してもよい。
続いて、全面に、例えばスパッタ法またはCVD法により絶縁材料、例えばアルミナよりなる膜厚0.3〜0.6μmの絶縁層20aを形成する。
次に、図4に示したように、下部磁極先端部19aと下部接続部19bとの間に形成された凹部領域に、例えば電解めっき法により、例えば銅(Cu)よりなる誘導型の記録ヘッド用の1層目の薄膜コイル21を1.5〜2.5μmの厚みで形成する。
次に、図5に示したように、全面に、スパッタ法により絶縁材料、例えばアルミナよりなる膜厚3.0〜4.0μmの絶縁層20b形成した後、例えばCMP法により表面を平坦化し、下部磁極先端部19aの表面を露出させる。このとき、本実施の形態では、薄膜コイル21の表面も同時に露出するが、薄膜コイル21の後述する2層目の薄膜コイル24との接続部以外の表面部分は露出しなくてもよい。
次に、図6に示したように、スパッタ法により絶縁材料、例えばアルミナよりなる膜厚0.2〜0.3μmの記録ギャップ層22を形成する。記録ギャップ層22は、アルミナの他、窒化アルミニウム(AlN)、シリコン酸化物系、シリコン窒化物系の材料などにより形成するようにしてもよい。続いて、この記録ギャップ層22をフォトリソグラフィーによりパターニングし、上部磁極と下部磁極との接続用の開口22aを形成する。
続いて、記録ギャップ層22上に記録ヘッドのトラック幅を決定するための上部磁極先端部(上部ポールチップ)23aをフォトリソグラフィーにより形成する。すなわち、記録ギャップ層22上に、例えばスパッタ法により高飽和磁束密度材料(Hi−Bs材)、例えばNiFe(Ni:50重量%,Fe:50重量%),NiFe(Ni:80重量%,Fe:20重量%),FeN,FeZrNP,CoFeNなどからなる、膜厚2.5〜3.5μmの磁極層を形成する。続いて、この磁極層を、フォトレジストマスクを用いた例えばAr(アルゴン)のイオンミリングによって選択的に除去し、上部磁極先端部23aを形成すると共に、上部磁極と下部磁極とを磁気的に接続させるための上部接続部23bを形成する。上部磁極先端部23aおよび上部接続部23bはフォトレジストマスクの代わりにアルミナ等の無機系絶縁層によるマスクを用いてエッチングするようにしてもよく、また、このようなフォトリソグラフィーによらず、その他、めっき法、スパッタ法などによって形成するようにしてもよい。
続いて、上部磁極先端部23aをマスクとして、その周辺の記録ギャップ層22および下部磁極先端部19aを自己整合的にエッチングする。すなわち、上部磁極先端部23aをマスクとした塩素系ガス(Cl2 ,CF4 ,BCl2 ,SF6 等)によるRIE(Reactive Ion Etching) により、記録ギャップ層22を選択的に除去した後、露出した下部磁極先端部19aを、再び、例えばArのイオンミリングによって約0.3〜0.6μm程度エッチングして、トリム構造の記録トラックを形成する。
続いて、全面に、例えばスパッタ法またはCVD法により、膜厚約0.3〜0.6μmの例えばアルミナからなる絶縁層20cを形成する。続いて、この絶縁層20c上に、例えば電解めっき法により、例えば銅(Cu)よりなる誘導型の記録ヘッド用の2層目の薄膜コイル24を1.5〜2.5μmの厚みで形成する。
次に、図7に示したように、全面に、例えばスパッタ法またはCVD法により、膜厚約3〜4μmの例えばアルミナからなる絶縁層20dを形成する。なお、この絶縁層20dや絶縁層20cは、アルミナに限らず、二酸化珪素(SiO2 )や、窒化珪素(SiN)等の他の絶縁材料により形成してもよい。続いて、例えばCMP法により、上部磁極先端部23aおよび上部接続部23bの表面が露出するように絶縁層20dおよび絶縁層20cをエッチングし、絶縁層20c,20dの表面と上部磁極先端部23aおよび上部接続部23bの各表面とが同一面を構成するように平坦化する。
次に、図8に示したように、例えば上部磁極先端部23aと同じ材料を用いて、例えば電解めっき法やスパッタ法などの方法により、上部磁極層25を約3〜4μmの厚みに形成する。この上部磁極層25は、トラック面側から見て、薄膜コイル21,24よりも後方の位置(図8(a)において右側)において、上部接続部23bを介して、下部接続部19bと接触し、下部磁性層18と磁気的に連結される。最後に、上部磁極層25上に、例えばスパッタ法によりアルミナよりなる膜厚約30μmのオーバーコート層26を形成する。その後、スライダの機械加工を行い、記録ヘッドおよび再生ヘッドのトラック面(ABS)を形成することにより、薄膜磁気ヘッドが完成する。
図9は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。なお、この図は、スライダの機械加工を行う前の状態を表している。これらの図において、THはスロートハイトを表しており、このスロートハイトTHは、絶縁層20aの磁極部分側の端縁、すなわち下部磁極先端部19aのトラック面と反対側の端縁によって規定される。なお、21aは薄膜コイル21のリード線を表している。
以上の本実施の形態では、次のような効果を得ることができる。
(1)まず、本実施の形態では、下部磁極を、下部磁極先端部19aと下部磁極層18とに2分割し、下部磁極先端部19aを、下部磁極層18の平坦面上に形成するようにしたので、無機材料からなる絶縁層20a,20bを下部磁極先端部19aと下部接続部19bとの間の凹部内に埋め込むことができる。従って、絶縁層20aの下部磁極先端部19a側の端縁(すなわち下部磁極先端部19aのトラック面と反対側の端縁)によってスロートハイトが規定される。よって、従来のフォトレジスト膜のように、端縁の位置変動(パターンシフト)およびプロファイル悪化が生じることがなく、スロートハイトの正確な制御が可能になる。更に、MRハイトの正確な制御や、エイペックスアングルの正確な制御も可能となる。
(2)また、本実施の形態では、図11に示したように、各パターンを真上から見た場合、下部磁極先端部19aの幅を上部磁極先端部23aの幅よりも広くしているために、上部磁極先端部23aがハーフミクロン幅の狭トラックであっても、下部磁極先端部19aの近傍において磁束が飽和することがない。
(3)更に、本実施の形態では、薄膜コイル21と上部シールドを兼ねた下部磁極層18との間には無機系の絶縁膜20a,20b、また、薄膜コイル21,24間には記録ギャップ膜22および絶縁層20cが設けられていため、各絶縁層の厚さを調整することにより、薄膜コイル21,24、上部シールドとの間にそれぞれ大きな絶縁耐圧を得ることができ、絶縁性を保持することができると共に薄膜コイル21,24からの磁束の漏れを低減できる。
(4)また、本実施の形態では、上部磁極を、上部磁極先端部23aと上部磁極層25とに2分割し、上部磁極先端部23aを、下部磁極先端部19a上の平坦面に形成するようにしたので、記録トラック幅を規制する上部磁極先端部23aをサブミクロン寸法に精度良く形成することができる。加えて、本実施の形態では、1層目の薄膜コイル21が絶縁層20bによって下部磁極先端部19aに隣接した凹部領域内に埋め込まれると共に、絶縁層20bの表面が下部磁極先端部19aの表面と同一面を形成する程度に平坦化されている。すなわち、2層目の薄膜コイル24を含むエイペックス部の段差が、1層目の薄膜コイル21の分だけ、従来構造に比べて低くなる。従って、上部磁極先端部23aに部分的に接触する上部磁極層25をフォトリソグラフィーにより形成する際に、エイペックス部の上部と下部においてフォトレジスト膜の厚さの差が低減され、その結果、上部磁極層25のサブミクロン寸法の微細化を図ることが可能になる。よって、本実施の形態により得られる薄膜磁気ヘッドでは、記録ヘッドによる高面密度記録が可能となり、コイルを2層,3層と積層して記録ヘッドの性能を更に向上させることができる。なお、上部磁極先端部23aおよび上部磁極層25のフォトリソグラフィーの際に、フォトレジストの代わりに無機系絶縁層をマスクとすることにより、上部磁極先端部23aおよび上部磁極層25の微細化を、より高精度に実現することが可能になる。また、上部磁極先端部23aおよび上部磁極層25をフォトリソグラフィー以外のスパッタ等により形成する場合においても、同様に、エイペックス部の段差の影響が低減されるため、上部磁極先端部23aおよび上部磁極層25の微細化を図ることができる。
(5)更に、本実施の形態では、従来例のようにフォトレジストパターンの傾斜部が存在しないため、第1および第2層目の薄膜コイル21,24を共に平坦部に形成することができ、傾斜部によるコイル外周部端とスロートハイト零の位置までの距離が磁路長縮小の妨げとはならない。従って、本実施の形態では、磁路長を短くすることができ、記録ヘッドの高周波特性を著しく向上させることができる。ちなみに、本実施の形態では、フォトリソグラフィーの位置合わせ誤差の0.1μm〜.0.2μmで設計できるため、従来例の50%以下に磁路長を縮小することが可能になる。
(6)また、本実施の形態では、上部磁極先端部23a,上部磁極層25等の磁性層は高飽和磁束密度(Hi−Bs)材により形成されているので、トラック幅が狭くなっても、薄膜コイル21,24に発生した磁気が途中で飽和することなく、有効に上部磁極先端部23aおよび下部磁極先端部19aに到達し、これによって磁気損失のない記録ヘッドを実現できる。
(7)更に、本実施の形態では、トラック幅を決定する上部磁極先端部23aの上に形成された上部磁極層25が、トラック面に露出していないため、上部磁極層25によってサイドライトが発生することがない。
以下、本発明の他の実施の形態について説明する。なお、以下の説明では、第1の実施の形態と同一の構成部分については同一の符号を付してその説明は省略し、異なる部分についてのみ説明する。
〔第2の実施の形態〕
図10(a),(b)は、本発明の第2の実施の形態に係る複合型薄膜磁気ヘッドの構成を表すものである。第1の実施の形態では、上部磁極層25をトラック面から後退した位置に設けるようにしたが、本実施の形態では、磁極先端部19aと共に上部磁極層25′もトラック面に露出させている。ここでは、磁極先端部23aの厚みを例えば2〜3μmとすることより、上部磁極層をトラック面から後退させる構造(リセス構造)としなくても、サイドライトが発生する不具合を解消することができる。その他の作用効果は第1の実施の形態と同様である。なお、図11は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図を表している。
〔第3の実施の形態〕
本実施の形態は、図12(a),(b)に示したように、2層目の薄膜コイル24を形成する工程までは、第1の実施の形態と同様であるが、その後、フォトレジスト膜30により薄膜コイル24を覆い、続いて、このフォトレジスト膜30上に上部磁極層25を、その先端部がトラック面に露出しないように形成する。本実施の形態では、第1の実施の形態とは異なり、2層目の薄膜コイル24を形成した後にCMPによる平坦化は行わない。従って、その分、第1の実施の形態に比べて製造コストは低減される。なお、2層目の薄膜コイル24は5巻とし、6巻の1層目の薄膜コイル21の平坦化された部分に形成されるため、薄膜コイル24の外周端からスロートハイト零の位置までの距離が磁路長の妨げとなることはない。その他の作用効果は第1の実施の形態と同様である。
〔第4の実施の形態〕
図13(a),(b)は本発明の第4の実施の形態を表すものである。本実施の形態は、上部磁極を2分割しない構成としたものである。すなわち、上部磁極先端部を形成することなく、記録ギャップ層22上に2層目の薄膜コイル24を形成し、その後、フォトレジスト膜30により薄膜コイル24を覆い、続いて、このフォトレジスト膜30上に、上部磁極層25′′を、その先端部(磁極部分)がトラック面に露出するように形成したものである。本実施の形態では、第1の実施の形態とは異なり、2層目の薄膜コイル24を形成した後にCMPによる平坦化は行わないため、その分、第1の実施の形態に比べて製造コストは低減される。その他の作用効果は第1の実施の形態と同様である。
〔第5の実施の形態〕
図14(a),(b)は本発明の第5の実施の形態に係る複合型薄膜磁気ヘッドを表すものである。この磁気ヘッドは、コイル部を薄膜コイル21の1層構造とすると共に薄膜コイル21を上記実施の形態よりも狭いピッチで形成し、その薄膜コイル21上に例えば膜厚1.0μmのフォトレジストからなる絶縁層20eを形成し、記録ギャップ層22を形成した後、上部磁極先端部を形成することなく上部磁極層25′′をトラック面に露出するように形成したものである。本実施の形態では、上部磁極層25′′を略平坦化された面上に直接に形成することができ、上記実施の形態よりも、更に記録ヘッドのトラック幅の微細化を図ることができる。
〔第2の実施の形態〕
図10(a),(b)は、本発明の第2の実施の形態に係る複合型薄膜磁気ヘッドの構成を表すものである。第1の実施の形態では、上部磁極層25をトラック面から後退した位置に設けるようにしたが、本実施の形態では、磁極先端部19aと共に上部磁極層25′もトラック面に露出させている。ここでは、磁極先端部23aの厚みを例えば2〜3μmとすることより、上部磁極層をトラック面から後退させる構造(リセス構造)としなくても、サイドライトが発生する不具合を解消することができる。その他の作用効果は第1の実施の形態と同様である。なお、図11は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図を表している。
〔第3の実施の形態〕
本実施の形態は、図12(a),(b)に示したように、2層目の薄膜コイル24を形成する工程までは、第1の実施の形態と同様であるが、その後、フォトレジスト膜30により薄膜コイル24を覆い、続いて、このフォトレジスト膜30上に上部磁極層25を、その先端部がトラック面に露出しないように形成する。本実施の形態では、第1の実施の形態とは異なり、2層目の薄膜コイル24を形成した後にCMPによる平坦化は行わない。従って、その分、第1の実施の形態に比べて製造コストは低減される。なお、2層目の薄膜コイル24は5巻とし、6巻の1層目の薄膜コイル21の平坦化された部分に形成されるため、薄膜コイル24の外周端からスロートハイト零の位置までの距離が磁路長の妨げとなることはない。その他の作用効果は第1の実施の形態と同様である。
〔第4の実施の形態〕
図13(a),(b)は本発明の第4の実施の形態を表すものである。本実施の形態は、上部磁極を2分割しない構成としたものである。すなわち、上部磁極先端部を形成することなく、記録ギャップ層22上に2層目の薄膜コイル24を形成し、その後、フォトレジスト膜30により薄膜コイル24を覆い、続いて、このフォトレジスト膜30上に、上部磁極層25′′を、その先端部(磁極部分)がトラック面に露出するように形成したものである。本実施の形態では、第1の実施の形態とは異なり、2層目の薄膜コイル24を形成した後にCMPによる平坦化は行わないため、その分、第1の実施の形態に比べて製造コストは低減される。その他の作用効果は第1の実施の形態と同様である。
〔第5の実施の形態〕
図14(a),(b)は本発明の第5の実施の形態に係る複合型薄膜磁気ヘッドを表すものである。この磁気ヘッドは、コイル部を薄膜コイル21の1層構造とすると共に薄膜コイル21を上記実施の形態よりも狭いピッチで形成し、その薄膜コイル21上に例えば膜厚1.0μmのフォトレジストからなる絶縁層20eを形成し、記録ギャップ層22を形成した後、上部磁極先端部を形成することなく上部磁極層25′′をトラック面に露出するように形成したものである。本実施の形態では、上部磁極層25′′を略平坦化された面上に直接に形成することができ、上記実施の形態よりも、更に記録ヘッドのトラック幅の微細化を図ることができる。
なお、図15(a),(b)に示したように、絶縁層20e(図14(a))を形成しないで、下部磁極先端部19aおよび薄膜コイル21の上に記録ギャップ層22を形成し、上部磁極層25′′を形成した後、上部磁極層25′′の表面を例えばCMP法により平坦化した場合においても、上記の効果と同様の効果が得られる。
〔第6の実施の形態〕
図16(a),(b)は本発明の第6の実施の形態を示している。本実施の形態は、第1の実施の形態(図8)において、第1層目のコイル形成部分の全体を例えばアルミナからなる絶縁層20bにより埋め込む構成としたものである。本実施の形態による効果は実質的に第1の実施の形態と同様であるので、その説明は省略する。
〔第7の実施の形態〕
図17(a),(b)は本発明の第7の実施の形態を示している。本実施の形態は、第2の実施の形態(図10)において、第1層目のコイル形成部分の全体を例えばアルミナからなる絶縁層20bにより埋め込む構成としたものである。本実施の形態による効果も実質的に第2の実施の形態と同様であるので、その説明は省略する。
〔第8の実施の形態〕
図18(a),(b)は本発明の第8の実施の形態を示している。本実施の形態は、第3の実施の形態(図12)において、第1層目のコイル形成部分の全体を例えばアルミナからなる絶縁層20bにより埋め込む構成とし、且つ、2層の薄膜コイル24,24aをフォトレジスト膜30により覆う構造としたものである。本実施の形態による効果は実質的に第3の実施の形態と同様であるので、その説明は省略する。
〔第6の実施の形態〕
図16(a),(b)は本発明の第6の実施の形態を示している。本実施の形態は、第1の実施の形態(図8)において、第1層目のコイル形成部分の全体を例えばアルミナからなる絶縁層20bにより埋め込む構成としたものである。本実施の形態による効果は実質的に第1の実施の形態と同様であるので、その説明は省略する。
〔第7の実施の形態〕
図17(a),(b)は本発明の第7の実施の形態を示している。本実施の形態は、第2の実施の形態(図10)において、第1層目のコイル形成部分の全体を例えばアルミナからなる絶縁層20bにより埋め込む構成としたものである。本実施の形態による効果も実質的に第2の実施の形態と同様であるので、その説明は省略する。
〔第8の実施の形態〕
図18(a),(b)は本発明の第8の実施の形態を示している。本実施の形態は、第3の実施の形態(図12)において、第1層目のコイル形成部分の全体を例えばアルミナからなる絶縁層20bにより埋め込む構成とし、且つ、2層の薄膜コイル24,24aをフォトレジスト膜30により覆う構造としたものである。本実施の形態による効果は実質的に第3の実施の形態と同様であるので、その説明は省略する。
以上実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく種々変形可能である。例えば、上記実施の形態において、上部磁極先端部23aおよび上部磁極層25等は、NiFe(Ni:50重量%,Fe:50重量%),NiFe(Ni:80重量%,Fe:20重量%)の他、FeN,FeCoZr等の高飽和磁束密度材を用いる例について説明したが、これらの材料を2種類以上積層した構造としてもよい。
また、第1ないし第5の実施の形態では、下部磁極先端部19aに隣接して形成された凹部内に埋め込まれる薄膜コイルを1層としたが、2層以上のコイルを埋め込む積層構造としてもよい。
更に、上記実施の形態では、下部磁極先端部19aを、その側壁が下部磁極層18に対して垂直な形状としたが、図19に示したように、側壁に、コイルの厚さに応じて例えばθ=50〜70度程度の傾斜面(テーパ)31を設けるようにしてもよい。このような構成とすることにより、下部磁極層18と下部磁極先端部19aとの接続部における磁束の飽和が抑制され、磁束の流れが滑らかになる。
加えて、上記実施の形態では、絶縁層20bおよび絶縁層20dをアルミナ,二酸化珪素あるいは窒化珪素を用いて形成する場合について説明したが、これらはSOG(Spin On Glass )膜を用いて形成してもよい。
また、上記各実施の形態では、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明したが、本発明は、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや記録・再生兼用の薄膜磁気ヘッドの製造にも適用することができる。また、本発明は、記録用の素子と再生用の素子の積層の順序を入れ換えた構造の薄膜磁気ヘッドの製造にも適用することも可能である。
11…基板、18…上部シールド兼下部磁極(下部磁極層)(第1の磁性層)、19a…下部磁極先端部(第1の磁極)、22…記録ギャップ層、23a…上部磁極先端部(第2の磁極)、20a…絶縁層(第1の絶縁層)、20b…絶縁層(第2の絶縁層)、20c…絶縁層(第3の絶縁層)、20d…絶縁層(他の絶縁層)、21,24…薄膜コイル、25,25′,25′′…上部磁極層(第2の磁性層)
Claims (19)
- 平坦面を有する第1の磁性層上の端部近傍を除く領域に、無機系材料からなる第1の絶縁層を形成する工程と、
前記第1の磁性層の上に、前記第1の磁性層の端部近傍領域と磁気的に結合されるように第1の磁極を形成する工程と、
前記第1の絶縁層上に、薄膜コイルを形成する工程と、
前記薄膜コイルの巻線間を埋め込む第2の絶縁層を形成する工程と、
前記第1の磁極、前記薄膜コイルおよび前記第2の絶縁層の最表面を平坦化する工程と、
前記第1の磁極および前記薄膜コイルの平坦化面上に記録ギャップ層を形成した後、前記記録ギャップ層上に第2の磁極を含む第2の磁性層を形成する工程と
を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記第1の磁性層の上に前記第1の磁極を形成した後、前記第1の絶縁層を少なくとも前記第1の磁性層上の第1の磁極の隣接領域に形成し、前記第1の絶縁層上に前記薄膜コイルを少なくとも前記第1の磁極と同じ高さとなるように形成し、その後、前記薄膜コイルの巻線間に第2の絶縁層を形成する
ことを特徴とする請求項1記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記第1の絶縁層の膜厚を、0.3〜0.6μmとする
ことを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記第1の絶縁層を、前記第1の磁性層上から前記第1の磁極の前記記録媒体に対向する側の反対面にかけて延在するように形成する
ことを特徴とする請求項2または3に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記第1の磁極の前記記録媒体に対向する面からの長さを記録ヘッドのスロートハイトの長さに等しくする
ことを特徴とする請求項4記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記第1の絶縁層の端部が、前記第1の磁極および前記第2の絶縁層と共に平坦面を構成するようにする
ことを特徴とする請求項4または5に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記記録ギャップ層と前記薄膜コイルおよび第2の絶縁層との間に中間絶縁層を介在させる
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 更に、前記第2の磁極を、前記第2の磁性層と分割して形成すると共に、前記第2の磁性層に磁気的に結合させる
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記第1の磁極の前記記録媒体に対向する面に沿った幅を前記第2の磁極よりも広く形成する
ことを特徴とする請求項8に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記第2の磁極を、前記記録媒体に対向する面から奥側に向けて、前記第1の磁極と同じ長さに形成する
ことを特徴とする請求項8または9に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記第2の磁性層を、前記記録媒体に対向する面から後退した位置に形成する
ことを特徴とする請求項8乃至10のいずれか1項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記第1の絶縁層を、更に、前記第1の磁極の前記記録媒体に対向する側の端面を除く両側面に沿って形成する
ことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 更に、第3の絶縁層を、少なくとも、前記第2の磁極の前記記録媒体に対向する側の反対面から前記記録ギャップ層上にかけて連続的に形成する
ことを特徴とする請求項8乃至12のいずれか1項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記第3の絶縁層と前記第2の磁性層との間に薄膜コイルを形成し、前記薄膜コイルを前記第1ないし第3の絶縁層とは異なる他の絶縁層に覆う
ことを特徴とする請求項13に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記第3の絶縁層および他の絶縁層の表面が、前記第2の磁極の表面と実質的に同一面となるように平坦化する
ことを特徴とする請求項14に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記第2の磁性層の表面を平坦にする
ことを特徴とする請求項1乃至15のいずれか1項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記第2の磁極の前記記録媒体に対向する側の反対面側の幅を、前記記録媒体に対向する側の幅よりも広くなるように形成する
ことを特徴とする請求項8乃至16のいずれか1項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記第1の磁極の前記記録媒体に対向する側の反対面を前記第1の磁性層に対して傾斜させる
ことを特徴とする請求項1乃至17のいずれか1項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 更に、読み出し用の磁気抵抗効果素子を形成する工程を含む
ことを特徴とする請求項1乃至18のいずれか1項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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