JP2007299982A - 配線回路基板 - Google Patents

Abstract

【課題】静電気の帯電を効率的に除去することができ、しかも、金属支持基板のイオンマイグレーションを確実に防止することのできる、配線回路基板を提供すること。
【解決手段】金属支持基板２、ベース絶縁層３および導体パターン４が順次積層された回路付サスペンション基板１において、半導電性層５を、導体パターン４の上面および側面と、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面と、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側一方側（右側）におけるベース絶縁層３の側面と、その側面に連続する金属支持基板２の上面とに、幅方向にわたって連続するように形成し、カバー絶縁層６を、その半導電性層５の上に、形成する。
【選択図】図２

Description

本発明は、配線回路基板、詳しくは、電子部品が実装される回路付サスペンション基板などの配線回路基板に関する。

回路付サスペンション基板などの配線回路基板では、例えば、ステンレス箔などからなる金属支持基板と、金属支持基板の上に形成され、ポリイミド樹脂などからなるベース絶縁層と、ベース絶縁層上に形成され、銅箔などからなる導体パターンと、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するポリイミド樹脂などからなるカバー絶縁層とを備えている。そして、このような配線回路基板は、各種の電気機器や電子機器の分野において、広く用いられている。

このような配線回路基板において、実装された電子部品の静電破壊を防止するために、カバー層の上に、導電ポリマー層を形成して、その導電ポリマー層によって、静電気の帯電を除去することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００４−１５８４８０号公報

しかし、特許文献１に記載されるカバー層の上に形成される導電ポリマー層のみでは、静電気の帯電の除去が不十分であり、実装される電子部品の静電破壊を確実に防止することができない場合がある。
そのため、例えば、図６に示すように、回路付サスペンション基板３１において、半導電性層３５を、カバー絶縁層３６に被覆される、導体パターン３４、ベース絶縁層３３および金属支持基板３２の各表面に、１対の配線３９（例えば、リード配線とライト配線）の配列方向Ｗに沿って、連続するように形成して、その半導電性層３５により、導体パターン３４に帯電する静電気を除去することが試案される。

しかし、半導電性層３５を、１対の配線３９の配列方向Ｗの外側両方において、金属支持基板３２と接触させると、各配線３９間に生じる電位差によって、これら配線３９の周囲に、１対の配線３９の配列方向Ｗに沿った、点線で示すループ状の電場Ｅが生じる。そのため、このようなループ状の電場Ｅにより、金属支持基板３２の金属が、半導電性層３５と金属支持基板３２との接触部分から、カバー絶縁層３６に移動（イオンマイグレーション）するという不具合が生じる。

本発明の目的は、静電気の帯電を効率的に除去することができ、しかも、金属支持基板のイオンマイグレーションを確実に防止することのできる、配線回路基板を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板は、金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成され、互いに間隔を隔てて対向配置され、互いの電位が異なる少なくとも１対の配線を有する導体パターンと、前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆するように形成され、１対の前記配線の対向領域の外側片方において、前記金属支持基板と電気的に接続される半導電性層と、前記半導電性層の上に形成されるカバー絶縁層とを備えていることを特徴としている。

また、本発明の配線回路基板では、前記半導電性層は、１対の前記配線の対向領域の外側片方において、前記金属支持基板と接触していることが好適である。
また、本発明の配線回路基板では、前記ベース絶縁層には、１対の前記配線の対向領域の外側片方において、厚み方向を貫通するベース開口部が形成されており、前記ベース開口部から露出する前記金属支持基板の上には、前記金属支持基板および前記半導電性層と接触するグランド接続部が設けられていることが好適である。

本発明の配線回路基板では、導体パターンを被覆するように形成され、１対の配線の対向領域の外側片方において、金属支持基板と電気的に接続される半導電性層を備えている。そのため、導体パターンは、半導電性層を介して、金属支持基板と電気的に接続されているので、導体パターンに帯電する静電気を効率的に除去することができる。しかも、半導電性層は、１対の配線の対向領域の外側片方において、金属支持基板と電気的に接続されているので、１対の配線間の電位差が生じていても、１対の配線の周囲に電場が生じることを確実に防止することができる。そのため、金属支持基板からカバー絶縁層へのイオンマイグレーションを確実に防止することができる。

その結果、実装される電子部品の静電破壊を確実に防止することができ、しかも、配線回路基板の接続信頼性の向上を図ることができる。

図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す概略平面図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の長手方向に直交する方向（以下、単に幅方向という場合がある。）における断面図である。なお、図１では、金属支持基板２に対する導体パターン４の相対配置を明確に示すために、後述するベース絶縁層３、半導電性層５およびカバー絶縁層６は省略されている。

図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブに搭載され、磁気ヘッド（図示せず）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ディスクとの間で相対的に走行させるときの空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小間隔を保持しながら支持する金属支持基板２に、磁気ヘッドとリード・ライト基板（外部）とを接続するための導体パターン４が一体的に形成されている。

導体パターン４は、磁気ヘッド側接続端子部８Ａと、外部側接続端子部８Ｂと、これら磁気ヘッド側接続端子部８Ａおよび外部側接続端子部８Ｂを接続するための複数の配線９とを、一体的に連続して備えている。
各配線９は、金属支持基板２の長手方向に沿って複数設けられ、金属支持基板２の幅方向において互いに間隔を隔てて対向して並列配置されている。

複数の配線９は、幅方向一方側に互いに対向して並列配置される一方の１対の配線９ａおよび９ｂと、幅方向他方側に互いに対向して並列配置される他方の１対の配線９ｃおよび９ｄとから形成されている。一方の１対の配線９ａおよび９ｂにおいて、一方の配線９ａは、幅方向外側に配置され、他方の配線９ｂは、幅方向内側に配置される。また、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄにおいて、一方の配線９ｃは、幅方向内側に配置され、他方の配線９ｄは、幅方向外側に配置される。

一方の１対の配線９ａおよび９ｂには、互いに電位が異なり、常に電位差が形成されるリード信号またはライト信号が、それぞれ入力されている。また、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄにも、互いに電位が異なり、常に電位差が形成されるリード信号またはライト信号が、それぞれ入力されている。
より具体的には、各配線９は、磁気ディスクのデータを読み込むためのリード配線であるか、または、磁気ディスクにデータを書き込むためのライト配線であるかのいずれかであって、その組合せにおいて、一方の１対の配線９ａおよび９ｂでは、一方の配線９ａがリード配線で他方の配線９ｂがライト配線であるかまたはその逆であり、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄでは、一方の配線９ｃがリード配線で他方の配線９ｄがライト配線であるかまたはその逆となるように、組合せが選択されている。

磁気ヘッド側接続端子部８Ａは、金属支持基板２の先端部に配置され、各配線９の先端部がそれぞれ接続されるように、幅広のランドとして複数並列して設けられている。この磁気ヘッド側接続端子部８Ａには、磁気ヘッドの端子部（図示せず）が接続される。
外部側接続端子部８Ｂは、金属支持基板２の後端部に配置され、各配線９の後端部がそれぞれ接続されるように、幅広のランドとして複数並列して設けられている。この外部側接続端子部８Ｂには、リード・ライト基板の端子部（図示せず）が接続される。

また、金属支持基板２の先端部には、磁気ヘッドを実装するためのジンバル１０が設けられている。ジンバル１０は、磁気ヘッド側接続端子部８Ａを長手方向において挟むように、金属支持基板２を切り抜くことによって形成されている。
そして、この回路付サスペンション基板１は、図２に示すように、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成されるベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン４と、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を被覆するように形成され、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側一方側（図２における右側）のみにおいて、金属支持基板２と接触する半導電性層５と、半導電性層５の上に形成されるカバー絶縁層６とを備えている。

金属支持基板２は、上記した回路付サスペンション基板１の外形形状に対応する長手方向に延びる平板状の薄板から形成されている。
金属支持基板２の長さ（長手方向長さ）および幅（幅方向長さ）は、目的および用途により、適宜選択される。
ベース絶縁層３は、金属支持基板２の上に、導体パターン４が形成される部分に対応して、金属支持基板２の周端部が露出するパターンとして形成されている。

また、ベース絶縁層３の長さおよび幅は、目的および用途により、上記形状となるように、適宜選択される。
導体パターン４は、ベース絶縁層３の上で、上記したように互いに間隔を隔てて対向して並列配置される複数の配線９（一方の１対の配線９ａおよび９ｂと、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄ）と、各配線９の先端部および後端部にそれぞれ接続される磁気ヘッド側接続端子部８Ａおよび外部側接続端子部８Ｂとを一体的に備える配線回路パターンとして形成されている。なお、以下、磁気ヘッド側接続端子部８Ａおよび外部側接続端子部８Ｂは、特に区別が必要でない場合は、単に端子部８として説明する。

各配線９の幅は、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１５〜５０μｍ、１対の各配線９間の間隔は、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１５〜５０μｍである。
また、各端子部８の幅は、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍ、各端子部８間の間隔は、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍである。

なお、この回路付サスペンション基板１は、図示しないが、目的および用途に応じて、必要により、導体パターン４と半導電性層５との間に介在されるように、導体パターン４を被覆する金属薄膜を備えている。
図示しない金属薄膜は、導体パターン４の表面に、すなわち、導体パターン４の各配線９の上面および側面に、必要により形成されている。

半導電性層５は、カバー絶縁層６に被覆されるベース絶縁層３および金属支持基板２の上に、導体パターン４を被覆するように形成されている。すなわち、半導電性層５は、金属支持基板２、ベース絶縁層３および導体パターン４と、カバー絶縁層６との間に介在されるように、形成されている。
より具体的には、半導電性層５は、導体パターン４の上面および側面（導体パターン４が金属薄膜に被覆される場合には、その金属薄膜の上面および側面）と、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面と、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側一方側（図２における右側）におけるベース絶縁層３の側面と、その側面に連続する金属支持基板２の上面とに、幅方向にわたって連続して形成されている。

また、半導電性層５は、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側他方側（図２における左側：すなわち、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄよりも幅方向外側。以下同じ。）において、ベース絶縁層３の周端部（幅方向他方側端部の上面および側面）および金属支持基板２の周端部（幅方向他方側端部の上面）が露出するように、形成されている。

つまり、半導電性層５は、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側一方側（右側）におけるベース絶縁層３の周端部の外側においては、金属支持基板２と接触しており、これにより、半導電性層５は、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側一方側（右側）において、金属支持基板２と電気的に接続されている。

一方、半導電性層５は、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側他方側（左側）におけるベース絶縁層３の周端部の幅方向外側においては、金属支持基板２と接触しておらず、金属支持基板２と電気的に遮断されている。
半導電性層５と、金属支持基板２の上面との接触部分の長さ（長手方向長さ）は、目的および用途により適宜選択され、その幅（幅方向長さ）は、例えば、５０〜５００００μｍ、好ましくは、１００〜２００００μｍである。

カバー絶縁層６は、半導電性層５の上に形成され、より具体的には、平面視において半導電性層５と同一位置に設けられている。
すなわち、カバー絶縁層６は、導体パターン４の上面および側面に形成される半導電性層５の上面および側面と、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面および側面（一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側他方側（左側）のベース絶縁層３の周端部の上面および側面を除く。）に形成される半導電性層５の上面および側面と、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側一方側（右側）においてベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面に形成される半導電性層５の上面とに、幅方向に沿って連続するように形成されている。

また、カバー絶縁層６には、図示しないが、導体パターン４の端子部８が露出するように、端子部８に対応する部分が開口されている。
カバー絶縁層６の長さおよび幅は、目的および用途により、上記形状となるように、適宜選択される。
なお、この回路付サスペンション基板１において、端子部８の上面には、図示しない金属めっき層が形成されている。

図３は、図２に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図である。
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図３を参照して、説明する。
まず、この方法では、図３（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。
金属支持基板２としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属箔が用いられる。好ましくは、ステンレス箔が用いられる。金属支持基板２の厚みは、例えば、１０〜７０μｍ、好ましくは、１５〜３０μｍである。

次いで、この方法では、図３（ｂ）に示すように、ベース絶縁層３を、金属支持基板２の上に、導体パターン４が形成される部分に対応し、かつ、金属支持基板２の周端部が露出するパターンとして形成する。
ベース絶縁層３は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの樹脂からなる。耐熱性の観点からは、好ましくは、ポリイミド樹脂からなる。

ベース絶縁層３を上記したパターンとして形成するには、特に制限されず、公知の方法が用いられる。例えば、感光性樹脂（感光性ポリアミック酸樹脂）のワニスを、金属支持基板２の表面に塗布し、塗布されたワニスを乾燥して、ベース皮膜を形成する。次いで、ベース皮膜を、フォトマスクを介して露光した後、必要により加熱後、現像により上記したパターンを形成させ、その後、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。

このようにして形成されるベース絶縁層３の厚みは、例えば、５〜３０μｍ、好ましくは、８〜１５μｍである。
次いで、この方法では、図３（ｃ）に示すように、導体パターン４を、ベース絶縁層３の上に、互いに間隔を隔てて対向して並列配置される複数の配線９と、各配線９の先端部および後端部にそれぞれ接続される磁気ヘッド側接続端子部８Ａおよび外部側接続端子部８Ｂとを一体的に備える配線回路パターンとして形成する。

導体パターン４は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体からなり、好ましくは、銅からなる。また、導体パターン４は、ベース絶縁層３の上面に、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法、好ましくは、アディティブ法によって、上記した配線回路パターンとして形成する。
アディティブ法では、まず、ベース絶縁層３の表面に、導体薄膜を形成する。導体薄膜は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを積層する。

次いで、この導体薄膜の上面に、導体パターン４の配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する導体薄膜の上面に、電解めっきにより、導体パターン４を形成し、その後に、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の導体薄膜を除去する。
また、サブトラクティブ法では、まず、ベース絶縁層３および金属支持基板２の上面に、必要により接着剤層を介して導体層を積層し、次いで、この導体層の上に、導体パターン４の配線回路パターンと同一パターンのエッチングレジストを形成し、このエッチングレジストをレジストとして、導体層をエッチングして、その後に、エッチングレジストを除去する。

このようにして形成される導体パターン４では、その厚みが、例えば、３〜３０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。
次いで、この方法では、必要により、図示しないが、金属薄膜を、導体パターン４の表面に形成する。
金属薄膜は、例えば、ニッケル、金、スズ、クロム、チタン、ジルコニウム、または、これらの合金などの金属からなり、好ましくは、ニッケルからなる。

また、金属薄膜は、例えば、導体パターン４の表面に、電解めっきまたは無電解めっきにより形成する方法、上記した金属をターゲットとしてスパッタリングする方法などにより、形成する。好ましくは、無電解めっきにより、金属薄膜を形成する。
無電解めっきでは、例えば、上記した金属のめっき溶液に、図３（ｃ）に示す製造途中の回路付サスペンション基板１を浸漬することにより、金属薄膜を形成する。

このようにして、必要により形成される金属薄膜は、その厚みが、例えば、０．０１〜０．５μｍ、好ましくは、０．０５〜０．３μｍである。
次いで、この方法では、図３（ｄ）に示すように、半導電性層５を、導体パターン４の全面（導体パターン４が金属薄膜に被覆される場合には、その金属薄膜の全面）と、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の全面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の全面とに、上記したパターンで連続するように形成する。

半導電性層５を形成する半導電性材料としては、金属または樹脂が用いられる。
金属は、例えば、酸化金属などが用いられ、酸化金属としては、例えば、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化銅、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛などの金属酸化物が用いられる。好ましくは、酸化クロムが用いられる。
酸化金属からなる半導電性層５の形成は、特に制限されないが、例えば、金属をターゲットとしてスパッタリングした後、必要に応じて、加熱により酸化する方法、反応性スパッタリングする方法、酸化金属をターゲットとしてスパッタリングする方法などが用いられる。

金属をターゲットとしてスパッタリングした後、必要に応じて、加熱により酸化する方法では、例えば、クロムなどの金属をターゲットとして、アルゴンなどの不活性ガスを導入ガスとして導入するスパッタリング法によりスパッタリングした後、必要に応じて、加熱炉などを用いて、大気中で、５０〜４００℃、１分〜１２時間、加熱により酸化することにより、酸化金属からなる半導電性層５を形成する。

反応性スパッタリングする方法では、例えば、スパッタリング装置において、クロムなどの金属をターゲットとして、酸素を含む反応性ガスを導入ガスとして導入して、スパッタリングすることにより、酸化金属からなる半導電性層５を形成する。
酸化金属をターゲットとしてスパッタリングする方法では、例えば、スパッタリング装置において、酸化クロムなどの酸化金属をターゲットとして、アルゴンなどの不活性ガスを導入ガスとして導入して、スパッタリングすることにより、酸化金属からなる半導電性層５を形成する。

また、このような半導電性層５は、例えば、特開２００４−３３５７００号公報の記載に準拠して形成することができる。
樹脂としては、例えば、導電性粒子が分散される半導電性樹脂組成物などが用いられる。
半導電性樹脂組成物は、例えば、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性粒子および溶媒を含有している。

イミド樹脂としては、公知のイミド樹脂を用いることができ、例えば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミドなどが用いられる。
イミド樹脂前駆体としては、例えば、特開２００４−３５８２５号公報に記載されるイミド樹脂前駆体を用いることができ、例えば、ポリアミック酸樹脂が用いられる。
導電性粒子としては、例えば、導電性ポリマー粒子、カーボン粒子、金属粒子、酸化金属粒子などが用いられる。

導電性ポリマー粒子としては、例えば、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェンなどの粒子、またはこれらの誘導体の粒子が用いられる。好ましくは、ポリアニリン粒子が用いられる。なお、導電性ポリマー粒子は、ドーピング剤によるドーピングによって、導電性が付与される。
ドーピング剤としては、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ノボラック樹脂、ｐ−フェノールスルホン酸ノボラック樹脂、β−ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物などが用いられる。

ドーピングは、予め導電性ポリマー粒子を分散（溶解）する溶媒中に配合させておいてもよく、また、半導電性層５を形成した後、半導電性層５が形成された製造途中の回路付サスペンション基板１をドーピング剤の溶液に浸漬してもよい。
カーボン粒子としては、例えば、カーボンブラック粒子、例えば、カーボンナノファイバーなどが用いられる。

金属粒子としては、例えば、クロム、ニッケル、銅、チタン、ジルコニウム、インジウム、アルミニウム、亜鉛などの粒子が用いられる。
酸化金属粒子としては、例えば、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化銅、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛などの粒子、または、これらの複合酸化物の粒子、より具体的には、酸化インジウムと酸化スズとの複合酸化物の粒子（ＩＴＯ粒子）、酸化スズと酸化リンとの複合酸化物の粒子（ＰＴＯ粒子）などの粒子が用いられる。

これら導電性粒子は、単独使用または２種以上併用することができる。好ましくは、ＩＴＯ粒子が用いられる。
導電性粒子は、その平均粒子径が、例えば、１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは、１０ｎｍ〜４００ｎｍ、さらに好ましくは、１０ｎｍ〜１００ｎｍである。なお、導電性粒子がカーボンナノファイバーである場合には、例えば、その直径が１００〜２００ｎｍであり、その長さが、５〜２０μｍである。平均粒子径（直径）がこれより小さいと、平均粒子径（直径）の調整が困難となる場合があり、また、これより大きいと、塗布に不向きとなる場合がある。

溶媒は、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、および、導電性粒子を分散（溶解）できれば、特に制限されないが、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの非プロトン性極性溶媒が用いられる。また、これら溶媒は、単独使用または２種以上併用することができる。

そして、半導電性樹脂組成物は、上記したイミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性粒子、および、溶媒を配合することによって、調製することができる。
導電性粒子の配合割合は、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体１００重量部に対して、例えば、１〜３００重量部、好ましくは、５〜１００重量部である。導電性粒子の配合割合が、これより少ないと、導電性が十分でない場合がある。また、これより多いと、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体の良好な膜特性が損なわれる場合がある。

また、溶媒は、これらイミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、および、導電性粒子の総量が、半導電性樹脂組成物に対して、例えば、１〜４０重量％（固形分濃度）、好ましくは、５〜３０重量％（固形分濃度）となるように、配合する。固形分濃度がこれより少なくても多くても、目的の膜厚に制御することが困難となる場合がある。
上記調製した半導電性樹脂組成物を、導体パターン４の全面と、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の全面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の全面とに、例えば、ロールコート法、グラビアコート法、スピンコート法、バーコート法など公知の塗布方法により、均一に塗布する。その後、例えば、６０〜２５０℃、好ましくは、８０〜２００℃で、例えば、１〜３０分間、好ましくは、３〜１５分間加熱して乾燥する。

また、半導電性樹脂組成物が、イミド樹脂前駆体を含有する場合には、乾燥後、そのイミド樹脂前駆体を、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。
これにより、半導電性層５を、導体パターン４の全面と、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の全面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の全面とに、連続するように形成することができる。

このようにして形成された半導電性層５の厚みは、例えば、２〜１５０ｎｍ、好ましくは、３〜１００ｎｍである。
また、この半導電性層５の表面抵抗値は、例えば、１０⁵〜１０¹³Ω／□、好ましくは、１０⁵〜１０¹¹Ω／□、さらに好ましくは、１０⁶〜１０⁹Ω／□の範囲に設定される。半導電性層５の表面抵抗値がこれより小さいと、実装される電子部品（磁気ヘッド）の誤作動を生じる場合がある。また、半導電性層５の表面抵抗値がこれより大きいと、静電破壊を防止することができない場合がある。

次いで、この方法では、図３（ｅ）に示すように、カバー絶縁層６を、上記したパターンで、半導電性層５の上に、形成する。
カバー絶縁層６は、ベース絶縁層３と同様の樹脂、好ましくは、感光性の合成樹脂、さらに好ましくは、感光性ポリイミドからなる。
カバー絶縁層６を上記したパターンとして形成するには、特に制限されず、公知の方法が用いられる。例えば、感光性樹脂（感光性ポリアミック酸樹脂）のワニスを、半導電性層５の表面に塗布し、塗布されたワニスを乾燥して、カバー皮膜を形成する。次いで、カバー皮膜を、フォトマスクを介して露光した後、必要により加熱後、現像により上記したパターンを形成させ、その後、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。

このようにして形成されるカバー絶縁層６の厚みは、例えば、２〜１０μｍ、好ましくは、３〜５μｍである。
次いで、この方法では、図３（ｆ）に示すように、カバー絶縁層６から露出する半導電性層５をエッチングにより除去する。エッチングは、例えば、エッチング液として水酸化カリウム水溶液などのアルカリ水溶液を用いて、浸漬法またはスプレー法によって、カバー絶縁層６をエッチングレジストとして、ウエットエッチングする。

これにより、半導電性層５を、平面視においてカバー絶縁層６と同一位置に、形成することができる。
次いで、この方法では、必要により、導体パターン４が金属薄膜に被覆される場合には、端子部８の上面に形成される金属薄膜を、上記と同様のエッチングにより除去する。
その後、端子部８の上面に、図示しない金属めっき層を形成した後、図１に示すように、金属支持基板２を、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバル１０を形成するとともに、外形加工することにより、回路付サスペンション基板１を得る。

そして、この回路付サスペンション基板１では、導体パターン４を被覆するように形成され、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側一方側（図２における右側）において、金属支持基板２と電気的に接続される半導電性層５を備えている。
そのため、導体パターン４は、半導電性層５を介して、金属支持基板２と電気的に接続されるので、導体パターン４に帯電する静電気を効率的に除去することができる。

一方、半導電性層５は、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側他方側（左側）において、金属支持基板２との電気的な接続が遮断されているので、一方の１対の配線９ａおよび９ｂ間に電位差が生じていても、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの周囲に電場、すなわち、図６の点線に示すようなループ状の電場Ｅが生じることを、確実に防止することができる。

そのため、金属支持基板２からカバー絶縁層６へのイオンマイグレーションを確実に防止することができる。
その結果、実装される電子部品の静電破壊を確実に防止することができ、しかも、回路付サスペンション基板１の接続信頼性の向上を図ることができる。
なお、上記説明においては、半導電性層５を、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側一方側（図２における右側）のみにおける金属支持基板２の上面に形成したが、例えば、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側他方側（左側）のみに形成することもできる。

より具体的には、図示しないが、他方の１対の配線９の他方（幅方向外側）の配線９ｄの幅方向外側におけるベース絶縁層３の側面と、その側面に連続する金属支持基板２の上面とに、半導電性層５を形成するとともに、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側一方側（右側）、すなわち、一方の１対の配線９の一方（幅方向外側）の配線９ａの幅方向外側（右側）における金属支持基板２の上面には、半導電性層５を形成しないようにする。

また、一方の１対の配線９の他方（幅方向内側）の配線９ｂと、他方の１対の配線９の一方（幅方向内側）の配線９ｃとの間において、図２の点線に示すように、厚み方向を貫通する開口部１４を形成して、その開口部１４から露出する金属支持基板２の上面に、半導電性層５を形成するとともに、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側一方側（右側）、すなわち、一方の１対の配線９の一方（幅方向外側）の配線９ａの幅方向外側（右側）における金属支持基板２の上面には、半導電性層５を形成しないようにする。

また、上記説明においては、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓを基準として説明したが、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄの対向領域Ｓ’を基準としても、同様に説明することができる。
例えば、図２に示すように、半導電性層５は、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄの対向領域Ｓ’の幅方向外側一方側（右側）のみにおける金属支持基板２の上面に、形成されている。

なお、図２に示す回路付サスペンション基板１は、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓと、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄの対向領域Ｓ’とのいずれの対向領域を基準としても、その幅方向外側一方側（右側）に、半導電性層５が形成されている。
図４は、本発明の配線回路基板の他の実施形態である回路付サスペンション基板の幅方向における断面図である。図４において、上記した各部に対応する各部については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

次に、本発明の配線回路基板の他の実施形態について、図４を参照して説明する。
上記説明において、回路付サスペンション基板１の半導電性層５を、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側一方側（図２における右側）において、金属支持基板２と直接接触させたが、例えば、図４に示すように、半導電性層５を金属支持基板２と直接接触させずに、ベース絶縁層３に、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側一方側（図４における右側）のみにおいて、厚み方向を貫通するベース開口部１１を形成し、そのベース開口部１１から露出する金属支持基板２の上に、金属支持基板２および半導電性層５と接触するグランド接続部７を形成することにより、半導電性層５を、グランド接続部７を介して金属支持基板２と電気的に接続させることもできる。

この回路付サスペンション基板１は、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成されるベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン４と、金属支持基板２の上に形成されるグランド接続部７と、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４およびグランド接続部７を被覆するように形成される半導電性層５と、半導電性層５の上に形成されるカバー絶縁層６とを備えている。

ベース絶縁層３は、金属支持基板２の上に、導体パターン４が形成される部分に対応して、グランド接続部７が形成される部分と、金属支持基板２の周端部とが露出するパターンとして形成されている。
より具体的には、ベース絶縁層３には、グランド接続部７を形成するために、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側一方側（右側）において、一方の１対の配線９の一方（幅方向外側）の配線９ａと、幅方向外側に間隔を隔てて、厚み方向を貫通するように開口されるベース開口部１１が形成されている。

ベース開口部１１は、図１の破線に示すように、長手方向に延びる、平面視略矩形状に開口されている。
グランド接続部７は、図４に示すように、上記したベース絶縁層３のベース開口部１１内に充填されるように形成される下部１２と、下部１２の上端から膨出するように形成される上部１３とを、一体的に連続して備えている。

このグランド接続部７では、その下部１２の下面が、金属支持基板２と接触している。
なお、グランド接続部７の上部１３の表面には、必要により金属薄膜が形成されている。
グランド接続部７の下部１２の幅は、例えば、４０〜１２０μｍ、好ましくは、８０〜１００μｍ、グランド接続部７の上部１３の幅は、例えば、６０〜３００μｍ、好ましくは、８０〜２００μｍである。また、グランド接続部７の下部１２および上部１３の長さは、目的および用途に応じて、適宜選択される。

半導電性層５は、カバー絶縁層６に被覆されるベース絶縁層３の上に、導体パターン４およびグランド接続部７を被覆するように形成されている。すなわち、半導電性層５は、ベース絶縁層３、導体パターン４およびグランド接続部７と、カバー絶縁層６との間に介在されるように、形成されている。
また、半導電性層５は、ベース絶縁層３の上で、グランド接続部７の幅方向外側において、ベース絶縁層３の周端部が露出するように、形成されている。

つまり、半導電性層５は、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側一方側（図４における右側）におけるグランド接続部７では、その厚み方向下側で、グランド接続部７の上部１３と接触しており、そのグランド接続部７を介して金属支持基板２と、電気的に接続されている。
また、半導電性層５は、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側両方側における金属支持基板２の周端部と接触しておらず、電気的に遮断されている。

図５は、図４に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図である。
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図５を参照して、説明する。
まず、この方法では、図５（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。
金属支持基板２としては、上記と同様の金属箔が用いられ、好ましくは、ステンレス箔が用いられる。金属支持基板２の厚みは、上記と同様であり、好ましくは、１５〜３０μｍである。

次いで、この方法では、図５（ｂ）に示すように、ベース絶縁層３を、金属支持基板２の上に、導体パターン４が形成される部分に対応し、かつ、ベース開口部１１が形成されるパターンとして形成する。
ベース絶縁層３は、上記と同様の樹脂からなり、好ましくは、ポリイミド樹脂からなる。ベース絶縁層３を上記したパターンとして形成するには、上記と同様の方法が用いられる。ベース絶縁層３の厚みは、上記と同様であり、好ましくは、８〜１５μｍである。

次いで、この方法では、図５（ｃ）に示すように、導体パターン４を、ベース絶縁層３の上に、上記した配線回路パターンとして形成すると同時に、グランド接続部７を、ベース絶縁層３のベース開口部１１から露出する金属支持基板２の上に、その下部１２がベース絶縁層３のベース開口部１１内に充填されるように、かつ、その上部１３がベース開口部１１の端縁を被覆するように形成する。

導体パターン４およびグランド接続部７は、ともに上記と同様の導体からなり、好ましくは、銅からなる。また、導体パターン４およびグランド接続部７は、ベース絶縁層３および金属支持基板２の上面に、上記と同様のパターンニング法、好ましくは、アディティブ法によって、導体パターン４およびグランド接続部７を、上記したパターンとして同時に形成する。

このようにして形成される導体パターン４の厚みは、上記と同様であり、好ましくは、５〜２０μｍである。また、グランド接続部７の上部１３の厚みは、例えば、２〜３０μｍ、好ましくは、３〜２０μｍである。なお、グランド接続部７の下部１２の厚みは、ベース絶縁層３の厚みと同一である。
次いで、この方法では、必要により、図示しないが、金属薄膜を、導体パターン４の表面およびグランド接続部７の上部１３の表面に形成する。

金属薄膜は、上記と同様の金属からなり、好ましくは、ニッケルからなる。
また、金属薄膜は、例えば、導体パターン４の表面およびグランド接続部７の上部１３の表面に、上記と同様の方法、好ましくは、無電解めっきにより、金属薄膜を形成する。必要により形成される金属薄膜の厚みは、上記と同様であり、好ましくは、０．０５〜０．３μｍである。

次いで、この方法では、図５（ｄ）に示すように、半導電性層５を、導体パターン４の全面（導体パターン４が金属薄膜に被覆される場合には、その金属薄膜の全面）と、グランド接続部７の上部１３の全面（グランド接続部７の上部１３が金属薄膜に被覆される場合には、その金属薄膜の全面）と、導体パターン４およびグランド接続部７の上部１３から露出するベース絶縁層３の全面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の全面とに、連続するように形成する。

半導電性層５を形成する半導電性材料としては、上記と同様の金属または樹脂が用いられる。半導電性層５の厚みは、上記と同様であり、好ましくは、３〜１００ｎｍであり、半導電性層５の表面抵抗値は、上記と同様である。
次いで、この方法では、図５（ｅ）に示すように、カバー絶縁層６を、上記したパターンで、半導電性層５の上に、形成する。

カバー絶縁層６は、上記と同様の樹脂、好ましくは、感光性の合成樹脂、さらに好ましくは、感光性ポリイミドからなる。
カバー絶縁層６を上記したパターンとして形成するには、上記と同様の方法が用いられる。カバー絶縁層６の厚みは、上記と同様であり、好ましくは、３〜５μｍである。
次いで、この方法では、図５（ｆ）に示すように、カバー絶縁層６から露出する半導電性層５を、上記と同様に、半導電性層５をエッチングレジストとしてエッチングにより除去する。

次いで、この方法では、必要により、導体パターン４が金属薄膜に被覆される場合には、端子部８の上面に形成される金属薄膜を、上記と同様のエッチングにより除去する。
その後、この方法では、端子部８の上面に、必要に応じて、図示しない金属めっき層を形成した後、図１に示すように、金属支持基板２を、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバル１０を形成するとともに、外形加工することにより、回路付サスペンション基板１を得る。

そして、この回路付サスペンション基板１では、半導電性層５を金属支持基板２と直接接触させず、ベース絶縁層３に、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側一方側（右側）において、厚み方向を貫通するベース開口部１１を形成し、ベース開口部１１から露出する金属支持基板２の上に、金属支持基板２および半導電性層５と接触するグランド接続部７を形成することにより、半導電性層５を、グランド接続部７を介して金属支持基板２と電気的に接続させている。

そのため、導体パターン４は、半導電性層５およびグランド接続部７を介して、金属支持基板２と電気的に接続されるので、導体パターン４に帯電する静電気を効率的に除去することができる。
しかも、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側両方側において、半導電性層５は、金属支持基板２と接触していないため、金属支持基板２からカバー絶縁層６へのイオンマイグレーションを確実に防止することができる。

さらに、半導電性層５は、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側一方側（右側）において、グランド接続部７を介して金属支持基板２と電気的に接続され、かつ、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側他方側（左側）において、金属支持基板２と電気的に遮断されているので、一方の１対の配線９ａおよび９ｂ間の電位差が生じていても、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの周囲に電場、すなわち、図６の点線に示すようなループ状の電場Ｅが生じることを、確実に防止することができる。

そのため、金属支持基板２からカバー絶縁層６へのイオンマイグレーションを、より一層確実に防止することができる。
その結果、実装される電子部品の静電破壊を確実に防止することができ、しかも、回路付サスペンション基板１の接続信頼性の向上を図ることができる。
なお、上記説明において、ベース開口部１１を、ベース絶縁層３における、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側一方側（図４における右側）のみに形成し、そのベース開口部１１から露出する金属支持基板２の上に、グランド接続部７を形成したが、例えば、ベース絶縁層３における、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側他方側（左側）のみに、ベース開口部１１を形成し、そのベース開口部１１から露出する金属支持基板２の上に、グランド接続部７を形成することもできる。

より具体的には、図示しないが、他方の１対の配線９の他方（幅方向外側）の配線９ｄの幅方向外側（左側）におけるベース絶縁層３に、ベース開口部１１を形成し、そのベース開口部１１から露出する金属支持基板２の上に、グランド接続部７を形成するとともに、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側一方側（右側）、すなわち、一方の１対の配線９の一方（幅方向外側）の配線９ａの幅方向外側（右側）におけるベース絶縁層３には、ベース開口部１１を形成しないようにする。

また、一方の１対の配線９の他方（幅方向内側）の配線９ｂと、他方の１対の配線９の一方（幅方向内側）の配線９ｃとの間のベース絶縁層３において、図４の点線に示すように、厚み方向を貫通するベース開口部１１を形成して、そのベース開口部１１から露出する金属支持基板２の上に、グランド接続部７を形成するとともに、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓに対する幅方向外側一方側（右側）、すなわち、一方の１対の配線９の一方（幅方向外側）の配線９ａの幅方向外側（右側）におけるベース絶縁層３には、ベース開口部１１を形成しないようにする。

また、上記説明においては、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓを基準として説明したが、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄの対向領域Ｓ’を基準としても、同様に説明することができる。
例えば、図４に示すように、ベース開口部１１は、ベース絶縁層３における、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄの対向領域Ｓ’に対する幅方向外側一方側（右側）のみに形成されている。

なお、図４に示す回路付サスペンション基板１は、一方の１対の配線９ａおよび９ｂの対向領域Ｓと、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄの対向領域Ｓ’とのいずれの対向領域を基準としても、その幅方向一方側（右側）に、ベース開口部１１が形成されている。
また、上記した説明において、グランド接続部７を、図１の破線に示すように、平面視略矩形状に形成したが、その形状はこれに限定されず、例えば、平面視略円形状など、適宜の形状に形成することもできる。

以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されることはない。
実施例１
厚み２０μｍのステンレス箔からなる金属支持基板を用意した（図３（ａ）参照）。
次いで、その金属支持基板の表面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、スピンコーターを用いて均一に塗布し、次いで、塗布されたワニスを、９０℃で１５分加熱することにより、ベース皮膜を形成した。その後、そのベース皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ²で露光させ、１９０℃で１０分加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像した。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させることにより、感光性ポリイミドからなるベース絶縁層を、金属支持基板の上に、導体パターンが形成される部分に対応し、かつ、金属支持基板の周端部が露出するように、形成した（図３（ｂ）参照）。このベース絶縁層の厚みは、１０μｍであった。

次いで、アディティブ法により、銅箔からなる厚み１０μｍの導体パターンを、ベース絶縁層の上面に、配線回路パターンとして形成した（図３（ｃ）参照）。各配線の幅は、２０μｍ、各配線間の間隔は、２０μｍであった。
その後、導体パターンの上面および側面に、無電解ニッケルめっきによって、ニッケル薄膜からなる厚み０．１５μｍの金属薄膜を形成した。

次いで、導体パターンの表面に形成された金属薄膜、ベース絶縁層および金属支持基板の各表面に、クロムをターゲットとするスパッタリングによって、クロム薄膜からなるスパッタリング皮膜を形成した。
なお、スパッタリングは、特開２００４−３３５７００号公報の記載に準拠する方法で、下記の条件で実施した。
ターゲット：Ｃｒ
到達真空度：１．３３×１０^-3Ｐａ
導入ガス流量（アルゴン）：２．０×１０^-3ｍ³／ｈ
動作圧：０．１６Ｐａ
アース電極温度：２０℃
電力：ＤＣ１８０Ｗ
スパッタリング時間：３秒
スパッタリング皮膜の厚み：１００ｎｍ
次いで、１２５℃、１２時間、大気中で加熱することにより、クロム薄膜からなるスパッタリング皮膜の表面を酸化して、酸化クロム層からなる半導電性層を形成した（図３（ｄ）参照）。酸化クロム層の厚みは、１００ｎｍであった。

なお、酸化クロム層からなる半導電性層が形成されていることはＥＳＣＡにて確認した。また、この半導電性層の表面抵抗値を、表面抵抗測定装置（三菱化学（株）製、Ｈｉｒｅｓｔａ−ｕｐ ＭＣＰ−ＨＴ４５０）を用いて、温度２５℃、湿度１５％で測定したところ、３×１０⁶Ω／□であった。
次いで、上記した感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、半導電性層の表面に、スピンコーターを用いて均一に塗布し、９０℃で１０分加熱することにより、厚み７μｍのカバー皮膜を形成した。その後、そのカバー皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ²で露光させ、１８０℃で１０分加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、カバー皮膜をパターンニングした。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させた。これにより、感光性ポリイミドからなるカバー絶縁層を、導体パターンの上面および側面に形成された半導電性層の上面および側面と、ベース絶縁層の上面および側面に形成された半導電性層の上面および幅方向外側一方側の側面と、一方の１対の配線の対向領域に対する幅方向外側一方側（右側）における金属支持基板の上面に形成された半導電性層の上面とに、形成した（図３（ｅ）参照）。カバー絶縁層の厚みは、５μｍであった。

次いで、カバー絶縁層から露出する半導電性層を、カバー絶縁層をエッチングレジストとして、水酸化カリウム水溶液を用いたウエットエッチングにより、除去した（図３（ｆ）参照）。半導電性層と、金属支持基板の上面との接触部分の長さは、１０ｍｍ、その幅が、２００μｍであった。
次いで、端子部の上面に形成された金属薄膜を、エッチングにより除去した。

その後、端子部の表面に、金属めっき層を形成した後、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバルを形成するとともに、外形加工することにより、回路付サスペンション基板を得た（図１参照）。
実施例２
厚み２０μｍのステンレス箔からなる金属支持基板を用意した（図５（ａ）参照）。

次いで、その金属支持基板の表面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、スピンコーターを用いて均一に塗布し、次いで、塗布されたワニスを、９０℃で１５分加熱することにより、ベース皮膜を形成した。その後、そのベース皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ²で露光させ、１９０℃で１０分加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像した。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させることにより、感光性ポリイミドからなるベース絶縁層を、金属支持基板の上に、導体パターンが形成される部分に対応し、かつ、ベース開口部が形成されるように形成した（図５（ｂ）参照）。このベース絶縁層の厚みは、１０μｍであった。また、ベース開口部は、平面視矩形状で、幅が８０μｍ、長さが１００μｍであった。

次いで、アディティブ法により、銅箔からなる厚み１０μｍの導体パターンを、ベース絶縁層の上面に、配線回路パターンとして形成すると同時に、銅からなるグランド接続部を、ベース絶縁層のベース開口部から露出する金属支持基板の上に、その下部がベース絶縁層のベース開口部内に充填されるように、かつ、その上部がベース開口部の端縁を被覆するように形成した（図５（ｃ）参照）。グランド接続部は、その上部および下部ともに、平面視矩形状であり、下部は、幅が８０μｍ、長さが１００μｍ、上部は、幅が１２０μｍ、長さが１４０μｍ、厚さが５μｍであった。

その後、導体パターンの上面および側面と、グランド接続部の上部の上面および側面とに、無電解ニッケルめっきによって、ニッケル薄膜からなる厚み０．１５μｍの金属薄膜を形成した。
次いで、導体パターンおよびグランド接続部の表面に形成された金属薄膜と、ベース絶縁層と、金属支持基板との各表面に、クロムをターゲットとするスパッタリングによって、クロム薄膜からなるスパッタリング皮膜を形成した。

なお、スパッタリングは、特開２００４−３３５７００号公報の記載に準拠する方法で、下記の条件で実施した。
ターゲット：Ｃｒ
到達真空度：１．３３×１０^-3Ｐａ
導入ガス流量（アルゴン）：２．０×１０^-3ｍ³／ｈ
動作圧：０．１６Ｐａ
アース電極温度：２０℃
電力：ＤＣ１８０Ｗ
スパッタリング時間：３秒
スパッタリング皮膜の厚み：１００ｎｍ
次いで、１２５℃、１２時間、大気中で加熱することにより、クロム薄膜からなるスパッタリング皮膜の表面を酸化して、酸化クロム層からなる半導電性層を形成した（図５（ｄ）参照）。酸化クロム層の厚みは、１００ｎｍであった。

なお、酸化クロム層からなる半導電性層が形成されていることはＥＳＣＡにて確認した。また、この半導電性層の表面抵抗値を、表面抵抗測定装置（三菱化学（株）製、Ｈｉｒｅｓｔａ−ｕｐ ＭＣＰ−ＨＴ４５０）を用いて、温度２５℃、湿度１５％で測定したところ、３×１０⁶Ω／□であった。
次いで、上記した感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、半導電性層の表面に、スピンコーターを用いて均一に塗布し、９０℃で１０分加熱することにより、厚み７μｍのカバー皮膜を形成した。その後、そのカバー皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ²で露光させ、１８０℃で１０分加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、カバー皮膜をパターンニングした。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させた。これにより、感光性ポリイミドからなるカバー絶縁層を、一方の１対の配線の対向領域の外側両方側のベース絶縁層の周端部の表面に形成された半導電性層が露出するように、形成した（図５（ｅ）参照）。カバー絶縁層の厚みは、５μｍであった。

次いで、カバー絶縁層から露出する半導電性層を、カバー絶縁層をエッチングレジストとして、水酸化カリウム水溶液を用いたウエットエッチングにより、除去した（図５（ｆ）参照）。
次いで、端子部の上面に形成された金属薄膜を、エッチングにより除去した。
その後、端子部の表面に、金属めっき層を形成した後、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバルを形成するとともに、外形加工することにより、回路付サスペンション基板を得た（図１参照）。

（評価）
実施例１および２により得られた回路付サスペンション基板の導体パターンに、８５℃、８５％ＲＨの雰囲気下で、６Ｖの電圧を、１０００時間、それぞれ印加した。
その結果、実施例１および２の回路付サスペンション基板は、ともに金属支持基板のステンレスのカバー絶縁層へのイオンマイグレーションが生じなかったことを断面ＳＥＭ観察および元素分析により、確認した。

本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す概略平面図である。 図１に示す回路付サスペンション基板の幅方向における断面図である。 図２に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を、金属支持基板の上に形成する工程、（ｃ）は、導体パターンを、配線回路パターンとして形成する工程、（ｄ）は、半導電性層を、導体パターンと、ベース絶縁層と、金属支持基板との全面に、連続するように形成する工程、（ｅ）は、カバー絶縁層を、半導電性層の上に、形成する工程、（ｆ）は、カバー絶縁層から露出する半導電性層を除去する工程を示す。 本発明の配線回路基板の他の実施形態である回路付サスペンション基板の幅方向における断面図である。 図４に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を、ベース開口部が形成されるように、金属支持基板の上に形成する工程、（ｃ）は、導体パターンおよびグランド接続部を、同時に形成する工程、（ｄ）は、半導電性層を、導体パターンと、グランド接続部と、ベース絶縁層と、金属支持基板との全面に、連続するように形成する工程、（ｅ）は、カバー絶縁層を、半導電性層の上に、形成する工程、（ｆ）は、カバー絶縁層から露出する半導電性層を除去する工程を示す。 従来の回路付サスペンション基板の幅方向における断面図である。

符号の説明

１ 回路付サスペンション基板
２ 金属支持基板
３ ベース絶縁層
４ 導体パターン
５ 半導電性層
６ カバー絶縁層
７ グランド接続部
９ａ、９ｂ １対の配線（一方）
９ｃ、９ｄ １対の配線（他方）
１１ ベース開口部

Claims (3)

1. 金属支持基板と、
   前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、
   前記ベース絶縁層の上に形成され、互いに間隔を隔てて対向配置され、互いの電位が異なる少なくとも１対の配線を有する導体パターンと、
   前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆するように形成され、１対の前記配線の対向領域の外側片方において、前記金属支持基板と電気的に接続される半導電性層と、
   前記半導電性層の上に形成されるカバー絶縁層と
   を備えていることを特徴とする、配線回路基板。
2. 前記半導電性層は、１対の前記配線の対向領域の外側片方において、前記金属支持基板と接触していることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
3. 前記ベース絶縁層には、１対の前記配線の対向領域の外側片方において、厚み方向を貫通するベース開口部が形成されており、
   前記ベース開口部から露出する前記金属支持基板の上には、前記金属支持基板および前記半導電性層と接触するグランド接続部が設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。

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