JP4919727B2 - 配線回路基板 - Google Patents

Description

本発明は、配線回路基板、詳しくは、電子部品が実装される回路付サスペンション基板などの配線回路基板に関する。

回路付サスペンション基板などの配線回路基板では、例えば、ステンレス箔などからなる金属支持基板と、金属支持基板の上に形成され、ポリイミド樹脂などからなるベース絶縁層と、ベース絶縁層上に形成される銅箔などからなる導体パターンと、ベース絶縁層の上に形成され、導体パターンを被覆するポリイミド樹脂などからなるカバー絶縁層とを備えている。そして、このような配線回路基板は、各種の電気機器や電子機器の分野において、広く用いられている。

このような配線回路基板において、実装された電子部品の静電破壊を防止するために、回路付サスペンションのカバー絶縁層やベース絶縁層の表面に、金属薄膜と酸化金属層とを順次積層することにより半導電体層を形成して、その半導電体層によって、静電気の帯電を除去することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
また、絶縁層の表面に、半導電体層を形成した後、導体層が露出するように、絶縁層および半導電体層を貫通する貫通孔を形成し、その貫通孔に接続端子を形成して、半導電体層を接続端子と接触させることにより、絶縁層および導体層の静電気の帯電を除去することが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
特開２００４−３３５７００号公報 特開２００３−１５２３８３号公報

しかるに、配線回路基板では、電子部品の実装前には、その静電破壊を防止すべく半導電性層によって静電気の帯電を十分に除去しておく必要がある一方で、電子部品の実装後には、却って、半導電性層が通電時の配線回路基板の電気的安定性を阻害するおそれがある。
かかる観点において、特許文献１および２では、半導電体層は、回路付サスペンション基板において、ほぼ全体的に形成されているので、電子部品の実装後も、そのまま電気的な影響を与え続け、回路付サスペンション基板の通電時に、上記したように、回路付サスペンション基板の電気的安定性を阻害するおそれがある。

本発明の目的は、電子部品の実装前においては、静電気の帯電を効率的に除去することができ、電子部品の実装後においては、配線回路本体部の電気的安定性を確実に確保することのできる、配線回路基板を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板は、配線回路を備える配線回路本体部と、前記配線回路本体部と導電され、半導電性層を備える帯電除去部と、前記配線回路本体部と前記帯電除去部との間に配置され、それらの導電を遮断するための導電遮断部と
を備えており、前記帯電除去部は、ベース絶縁層と、前記ベース絶縁層に積層され、前記配線回路に接続される導体層と、前記導体層を被覆するカバー絶縁層とを備え、前記半導電性層は、前記カバー絶縁層に被覆される前記導体層に接触するように、前記ベース絶縁層と前記カバー絶縁層との間に形成されていることを特徴としている。
この配線回路基板によれば、配線回路本体部に電子部品を実装する前には、配線回路本体部と導電される帯電除去部の半導電性層によって、配線回路本体部に帯電する静電気を、効率的に除去することができる。

また、配線回路本体部に電子部品を実装した後には、導電遮断部により、配線回路本体部と帯電除去部との導電を遮断して、配線回路本体部の配線回路が帯電除去部の半導電性層から電気的な影響を受けることを防止することができる。そのため、配線回路本体部の電気的安定性を確実に確保することができる。
また、この配線回路基板によれば、ベース絶縁層とカバー絶縁層との間に、半導電性層が形成されている。そのため、半導電性層によって、ベース絶縁層とカバー絶縁層との間に帯電する静電気を、効率的に除去することができる。
また、本発明の配線回路基板では、前記帯電除去部は、前記配線回路本体部の周端部に隣接配置されていることが好適である。

この配線回路基板によれば、帯電除去部が、配線回路本体部の周端部に隣接配置されている。そのため、帯電除去部と配線回路本体部との間に、導電遮断部を簡単に配置して、電子部品の実装後には、その導電遮断部により、配線回路本体部と帯電除去部との導電を、確実に遮断することができる。
また、帯電除去部が配線回路本体部に隣接配置されているので、電子部品の実装前には、帯電除去部と配線回路本体部との導電を確実に確保することができる。

さらに、帯電除去部が配線回路本体部に隣接配置されているので、帯電除去部と、配線回路本体部とを連続して一体的に形成することができる。
また、本発明の配線回路基板では、前記配線回路本体部は、前記配線回路に接続され、前記配線回路本体部の一方側に配置される第１端子部と、前記配線回路に接続され、前記配線回路本体部の他方側に配置される第２端子部とを備え、前記帯電除去部は、前記第１端子部および前記第２端子部の間の前記配線回路に対して、前記配線回路に沿う方向の外側に配置されていることが好適である。

この配線回路基板によれば、帯電除去部が、第１端子部および第２端子部の間の配線回路に対して、配線回路に沿う方向の外側に配置されているので、その外側に配置される帯電除去部と、配線回路本体部との導電を、導電遮断部により除去すれば、半導電性層が、第１端子部および第２端子部や、これらの間の配線回路に対して、電気的な影響を与えることを確実に防止することができる。

また、本発明の配線回路基板では、前記帯電除去部は、前記導電遮断部を境界として、前記配線回路本体部と分離可能であることが好適である。
この配線回路基板によれば、帯電除去部を、導電遮断部を境界として、配線回路本体部から分離することができるので、導電遮断部によって、配線回路本体部と帯電除去部との導電を、より確実に遮断することができる。

また、本発明の配線回路基板では、前記導電遮断部には、切り目が形成されていることが好適である。
この配線回路基板によれば、切り目に沿って、配線回路本体部と帯電除去部とを分断することができるので、導電遮断部によって、配線回路本体部と帯電除去部とを簡単に分離することができ、これらの間の導電を簡単に遮断することができる。

また、本発明の配線回路基板では、前記帯電除去部は、さらに、金属支持層を備え、前記半導電性層は、前記金属支持層と電気的に接続されていることが好適である。
この配線回路基板によれば、半導電性層は、金属支持層と電気的に接続されているので、配線回路本体部に帯電する静電気を、半導電性層から金属支持層へと効率的に除去することができる。

また、本発明の配線回路基板では、前記帯電除去部は、前記導体層に接続される第３端子部を備えていることが好適である。
この配線回路基板によれば、第３端子部は、導体層に接続され、その導体層が、配線回路に接続されているので、第３端子部を用いることにより、配線回路を導通検査することができる。

また、本発明の配線回路基板では、前記帯電除去部は、前記第３端子部が形成される第３端子部形成部と、前記第３端子部形成部と前記導電遮断部との間に配置され、前記半導電性層が形成される半導電性層形成部と、前記第３端子部形成部と前記半導電性層形成部との間に配置され、それらの導電を遮断するための補助導電遮断部とを備えていることが好適である。

この配線回路基板によれば、電子部品の実装前には、配線回路本体部と導電される帯電除去部の半導電性層によって、配線回路本体部に帯電する静電気を、効率的に除去することができる。
また、電子部品の実装前において、第３端子部形成部の第３端子部を用いることにより、配線回路を導通検査し、その後、補助導電遮断部により、第３端子部形成部と半導電性層形成部との導電を、遮断することができる。次いで、この補助導電遮断部による遮断後においても、半導電性層形成部には半導電性層が形成されているので、この半導電性層によって、配線回路本体部に帯電する静電気を、効率的に除去することができる。

そして、配線回路本体部に電子部品を実装した後には、導電遮断部により、配線回路本体部と半導電性層形成部との導電を遮断して、配線回路本体部の配線回路が半導電性形成部の半導電性層から電気的な影響を受けることを防止することができる。そのため、配線回路本体部の電気的安定性を確実に確保することができる。
また、本発明の配線回路基板では、前記第３端子部形成部は、前記補助導電遮断部を境界として、前記半導電性層形成部と分離可能であることが好適である。

この配線回路基板によれば、第３端子部形成部を、補助導電遮断部を境界として、半導電性層形成部から分離することができるので、補助導電遮断部によって、第３端子部形成部と半導電性層形成部との導電を、より確実に遮断することができる。
また、本発明の配線回路基板では、前記補助導電遮断部には、切り目が形成されていることが好適である。

この配線回路基板によれば、切り目に沿って、第３端子部形成部と半導電性層形成部とを分断することができるので、補助導電遮断部において、第３端子部形成部と半導電性層形成部とを簡単に分離することができ、これらの導電を簡単に遮断することができる。

この配線回路基板によれば、配線回路本体部に電子部品を実装する前には、配線回路本体部と導電される帯電除去部の半導電性層によって、配線回路本体部に帯電する静電気を、効率的に除去することができる。
また、配線回路本体部に電子部品を実装した後には、導電遮断部により、配線回路本体部と帯電除去部との導電を遮断して、配線回路本体部の配線回路が帯電除去部の半導電性層から電気的な影響を受けることを防止することができる。そのため、配線回路本体部の電気的安定性を確実に確保することができる。

図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す概略平面図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の帯電除去部の拡大平面図、図３は、図１および図２に示す回路付サスペンション基板の断面図であって、左側図は、導体パターン（後述）の長手方向（以下、単に長手方向という。後述する主配線回路に沿う方向に相当する。）に沿う方向における断面図、右側図は、回路付サスペンション基板の長手方向に直交する方向（以下、単に幅方向という。）に沿う方向における帯電除去部の断面図であり、図２のＡ−Ａ線断面図ある。なお、図１および図２では、金属支持層１２に対する導体パターン１４の相対配置を明確に示すために、後述するカバー絶縁層１５は省略されている。

図１において、この回路付サスペンション基板１は、磁気ヘッド（図示せず）やリード・ライト基板（図示せず）などの電子部品を実装して、ハードディスクドライブに搭載される回路付サスペンション基板であって、長手方向に延びる平帯状に形成され、配線回路本体部２と、帯電除去部３と、配線回路本体部２および帯電除去部３の間に配置される導電遮断部４とを備えている。

配線回路本体部２は、回路付サスペンション基板１の長手方向先端側に配置され、配線回路としての主配線回路５と、第１端子部としての磁気ヘッド側接続端子部７と、第２端子部としての外部側接続端子部８とを一体的に備えている。
主配線回路５は、複数（６本）の主配線６を有しており、各主配線６は、配線回路本体部２の長手方向にわたって設けられ、幅方向において互いに間隔を隔てて対向して並列配置されている。

磁気ヘッド側接続端子部７は、配線回路本体部２の先端部に配置され、幅広の角ランドとして、幅方向に沿って並列して複数（６個）設けられている。また、各磁気ヘッド側接続端子部７には、各主配線６の先端部がそれぞれ接続されている。また、磁気ヘッド側接続端子部７には、回路付サスペンション基板１の製造後に、磁気ヘッドの端子部（図示せず）が接続される。

外部側接続端子部８は、配線回路本体部２の後端部に配置され、幅広の角ランドとして、長手方向に沿って並列して複数（６個）設けられている。また、各外部側接続端子部８には、各主配線６の後端部がそれぞれ接続されている。また、外部側接続端子部８には、回路付サスペンション基板１の製造後に、リード・ライト基板の端子部（図示せず）が接続される。

帯電除去部３は、配線回路本体部２の後端部に配線回路本体部２と連続して隣接配置されており、配線回路本体部２における磁気ヘッド側接続端子部７および外部側接続端子部８の間の主配線回路５に対して、長手方向外側、すなわち、配線回路本体部２の後端部の後側（図１において右側）に隣接配置されている。
帯電除去部３は、図２に示すように、導体層としての補助配線回路１１と、第３端子部としての検査側接続端子部１０とを一体的に備えている。

補助配線回路１１は、複数（６本）の補助配線２１を有しており、各補助配線２１は、帯電除去部３の長手方向にわたって設けられ、幅方向において互いに間隔を隔てて対向して並列配置されている。なお、補助配線回路１１の先端側の各補助配線２１は、配線回路本体部２にも配置されており、各補助配線２１が、導電遮断部４を横切り、配線回路本体部２の各外部側接続端子部８とそれぞれ接続されている。これによって、補助配線回路１１は、外部側接続端子部８を介して、主配線回路５と接続されている。

検査側接続端子部１０は、帯電除去部３の後端側に配置され、幅広の角ランドとして、長手方向および幅方向に沿って複数（６個）整列配置されている。各検査側接続端子部１０には、各補助配線２１の後端部がそれぞれ接続されており、これにより、検査側接続端子部１０は、補助配線２１および外部側接続端子部８を介して、主配線回路５に接続されている。

また、検査側接続端子部１０には、回路付サスペンション基板１の製造後の導通検査時に、後述する導通検査プローブが接続される。
導電遮断部４は、配線回路本体部２と帯電除去部３との間において、幅方向に沿って直線的に配置されており、この導電遮断部４を境界として、帯電除去部３が、配線回路本体部２から分離可能とされている。より具体的には、この導電遮断部４は、ベース絶縁層１３（後述）およびカバー絶縁層１５（後述）が幅方向にわたって断続的に除去されることにより、ミシン目形状の切り目１８として形成されている。

導電遮断部４における切り目１８の幅（長手方向の長さ）は、例えば、４０〜１００μｍ、好ましくは、４０〜８０μｍであり、その長さ（幅方向長さ）は、例えば、６０〜１０００μｍ、好ましくは、８０〜２４０μｍである。また、各切り目１８間の幅方向間隔は、例えば、４０〜９６０μｍ、好ましくは、８０〜１２０μｍである。
そして、この回路付サスペンション基板１は、図３に示すように、金属支持層１２と、金属支持層１２の上に形成（積層）される絶縁層としてのベース絶縁層１３と、ベース絶縁層１３の上に形成（積層）される導体パターン１４と、金属支持層１２の上に形成（積層）されるグランド接続部１６と、ベース絶縁層１３の上に、導体パターン１４およびグランド接続部１６を被覆するように形成（積層）される半導電性層９と、ベース絶縁層１３の上に、導体パターン１４および半導電性層９を被覆するように形成（積層）される絶縁層としてのカバー絶縁層１５とを備えている。

金属支持層１２は、図１に示し上記した回路付サスペンション基板１の外形形状に対応する長手方向に延びる平板状の薄板から形成されている。また、金属支持層１２には、図２および図３に示すように、導電遮断部４、および、導電遮断部４に連続する配線回路本体部２および帯電除去部３のベース絶縁層１３の各裏面が露出するように、金属開口部２０が形成されている。この金属開口部２０は、金属支持層１２が幅方向にわたって開口されることにより、金属支持層１２が長手方向において、配線回路本体部２側の金属支持層１２と帯電除去部３側の金属支持層１２とに分断されるように、形成されている。

金属支持層１２の長さ（長手方向長さ、以下同じ。）および幅（幅方向長さ、以下同じ。）は、目的および用途により、適宜選択される。
ベース絶縁層１３は、金属支持層１２の上に、導体パターン１４が形成される部分に対応して、グランド接続部１６が形成される部分と、金属支持層１２の周端部とが露出するパターンとして形成されている。また、ベース絶縁層１３には、導電遮断部４において、幅方向にわたって、ミシン目形状の切り目１８が形成されている。

また、ベース絶縁層１３には、図２に示すように、グランド接続部１６を形成するために、帯電除去部３の先端側であって、帯電除去部３における金属開口部２０よりも後端側で、かつ、検査側接続端子部１０よりも先端側に、幅方向両端部において、２つのベース開口部１７が形成されている。
各ベース開口部１７は、補助配線回路１１の幅方向最外側の補助配線２１と、幅方向両外側に間隔を隔てて配置され、ベース絶縁層１３の厚み方向を貫通するように形成されている。また、各ベース開口部１７は、長手方向に延びる、平面視略矩形状に開口されている。

また、ベース絶縁層１３の長さおよび幅は、目的および用途により、上記形状となるように、適宜選択される。
導体パターン１４は、図１および図３に示すように、ベース絶縁層１３の上に、磁気ヘッド側接続端子部７と、外部側接続端子部８と、検査側接続端子部１０と、主配線回路５と、補助配線回路１１とを一体的に備える上記したパターンとして形成されている。

主配線回路５は、上記したように配線回路本体部２に設けられ、磁気ヘッド側接続端子部７および外部側接続端子部８に接続され、複数の主配線６を有している。
補助配線回路１１は、上記したように帯電除去部３および配線回路本体部２の後端部にわたって設けられ、検査側接続端子部１０および外部側接続端子部８に接続され、複数の補助配線２１を有している。

なお、補助配線回路１１は、帯電除去部３のベース絶縁層１３の上において、ベース開口部１７が形成される領域が確保されるように、配置されている。
各主配線６の幅（各主配線６が並列する方向の幅、以下同じ。）および各補助配線２１の幅は、それぞれ、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１５〜５０μｍであり、各主配線６間の間隔（各主配線６が並列する方向の間隔、以下同じ。）および各補助配線２１間の間隔は、それぞれ、例えば、１５〜９８５μｍ、好ましくは、３０〜１００μｍである。

また、磁気ヘッド側接続端子部７の幅（各磁気ヘッド側接続端子部７が並列する方向の長さ、以下同じ。）、外部側接続端子部８の幅（各外部側接続端子部８が並列する方向の長さ、以下同じ。）および検査側接続端子部１０の幅（検査側接続端子部１０の長手方向および幅方向の長さ、以下同じ。）は、それぞれ、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍであり、磁気ヘッド側接続端子部７間の間隔（各磁気ヘッド側接続端子部７が並列する方向の間隔、以下同じ。）、外部側接続端子部８間の間隔（各外部側接続端子部８が並列する方向の間隔、以下同じ。）および検査側接続端子部１０間の間隔（各検査側接続端子部１０が長手方向および幅方向に配列する方向の間隔、以下同じ。）は、それぞれ、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍである。

グランド接続部１６は、図３の右側図に示すように、上記したベース絶縁層１３のベース開口部１７内に充填されるように形成される下部２２と、下部２２の上端から、ベース開口部１７の周囲のベース絶縁層１３の表面を被覆するように、厚み方向上側と、長手方向両側（図示せず）および幅方向両側とに、膨出するように形成される上部２３とを、一体的に連続して備えている。

このグランド接続部１６では、その下部２２の下面が、金属支持層１２と接触している。
グランド接続部１６の下部２２の幅は、例えば、４０〜２０００μｍ、好ましくは、６０〜５００μｍ、グランド接続部１６の上部２３の幅は、例えば、７０〜２０６０μｍ、好ましくは、９０〜５６０μｍである。また、グランド接続部１６の下部２２および上部２３の長さは、目的、用途および製品のデザインに応じて、適宜選択される。

半導電性層９は、図２および図３に示すように、帯電除去部３のみに設けられており、より具体的には、半導電性層９は、先端部を除いた帯電除去部３のベース絶縁層１３に、全体的に配置され、平面視略矩形状に形成されている。
さらに具体的には、半導電性層９は、図３に示すように、帯電除去部３において、仮想線で示す第１カバー絶縁層１５Ａに被覆されるベース絶縁層１３の上に、補助配線回路１１およびグランド接続部１６を被覆し、かつ、検査側接続端子部１０が露出するように、連続して形成されている。すなわち、半導電性層９は、カバー絶縁層１５（第１カバー絶縁層１５Ａ）と、ベース絶縁層１３、補助配線回路１１およびグランド接続部１６との間に介在されるように、形成されている。

これにより、半導電性層９は、帯電除去部３では、厚み方向下側において、ベース絶縁層１３、補助配線回路１１およびグランド接続部１６と接触し、厚み方向上側において、カバー絶縁層１５と接触している。
また、半導電性層９は、グランド接続部１６の上部２３と接触しており、そのグランド接続部１６を介して金属支持層２と、電気的に接続されている。

カバー絶縁層１５は、ベース絶縁層１３の上に、導体パターン１４および半導電性層９を被覆するように形成されている。より具体的には、帯電除去部３（先端部を除く）においては、半導電性層９を被覆するように、配線回路本体部２（および帯電除去部３の先端部）においては、導体パターン１４を被覆するように、ベース絶縁層１３の上に形成されている。

また、カバー絶縁層１５には、導電遮断部４において、ベース絶縁層１３に形成される切り目１８と同一の平面視形状のミシン目形状の切り目１８が形成されている。
また、カバー絶縁層１５には、図３の左側図に示すように、磁気ヘッド側接続端子部７、外部側接続端子部８および検査側接続端子部１０が露出するように、これらに対応する部分が開口されている。

カバー絶縁層１５の長さおよび幅は、目的および用途により、上記形状となるように、適宜選択される。
なお、カバー絶縁層１５は、後述する回路付サスペンション基板１の製造工程（図５（ｆ）参照）において、第１カバー絶縁層１５Ａをエッチングレジストとして用いる場合には、第１カバー絶縁層１５Ａおよび第２カバー絶縁層１５Ｂから形成される。

図４および図５は、図３に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図である。
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図４および図５を参照して、説明する。
まず、この方法では、図４（ａ）に示すように、金属支持層１２を用意する。

金属支持層１２としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属箔が用いられる。好ましくは、ステンレス箔が用いられる。金属支持層１２の厚みは、例えば、１０〜５１μｍ、好ましくは、１５〜３０μｍである。
次いで、この方法では、図４（ｂ）に示すように、ベース絶縁層１３を、金属支持層１２の上に、導体パターン１４が形成される部分に対応し、かつ、ベース開口部１７が形成される上記したパターンとして形成する。

ベース絶縁層１３は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの樹脂からなる。耐熱性の観点からは、好ましくは、ポリイミド樹脂からなる。
ベース絶縁層１３を上記したパターンとして形成するには、特に制限されず、公知の方法が用いられる。例えば、感光性樹脂（感光性ポリアミド酸樹脂）のワニスを、金属支持層１２の表面に塗布し、塗布されたワニスを乾燥して、ベース皮膜を形成する。次いで、ベース皮膜を、フォトマスクを介して露光した後、必要により加熱後、現像により上記したパターンを形成させ、その後、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。

このようにして形成されるベース絶縁層１３の厚みは、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、８〜１５μｍである。
次いで、この方法では、図４（ｃ）に示すように、導体パターン１４を、ベース絶縁層１３の上に、上記したパターン（主配線回路５および補助配線回路１１のパターン）として形成すると同時に、各グランド接続部１６を、ベース絶縁層１３の各ベース開口部１７から露出する金属支持層１２の上に、その下部２２がベース絶縁層１３の各ベース開口部１７内に充填されるように、かつ、その上部２３がベース絶縁層１３における各ベース開口部１７の周囲を被覆するように形成する。

導体パターン１４およびグランド接続部１６は、ともに同一の導体材料から形成され、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体材料からなり、好ましくは、銅からなる。また、導体パターン１４およびグランド接続部１６は、ベース絶縁層１３および金属支持層１２（ベース絶縁層１３の各ベース開口部１７から露出する部分を含む。）の上面に、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法、好ましくは、アディティブ法によって、上記したパターンとして形成する。

アディティブ法では、まず、ベース絶縁層１３および金属支持層１２の表面に、導体薄膜（種膜）を形成する。導体薄膜は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを順次積層する。
次いで、この導体薄膜の上面に、導体パターン１４およびグランド接続部１６のパターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する導体薄膜の上面に、電解めっきにより、導体パターン１４およびグランド接続部１６を同時に形成する。その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の導体薄膜を除去する。

このようにして形成される導体パターン１４では、その厚みが、例えば、３〜２０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。また、グランド接続部１６の上部２３の厚みは、例えば、３〜２０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。なお、グランド接続部１６の下部２２の厚みは、ベース絶縁層１３の厚みと同一である。
次いで、この方法では、図４（ｄ）に示すように、半導電性層９を、導体パターン１４の表面と、グランド接続部１６の上部２３の表面と、導体パターン１４および各グランド接続部１６の上部２３から露出するベース絶縁層１３の表面と、ベース絶縁層１３から露出する金属支持層１２の表面とに、連続するように形成する。

半導電性層９を形成する半導電性材料としては、金属または樹脂が用いられる。
金属は、例えば、酸化金属などが用いられ、酸化金属としては、例えば、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化銅、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛などの金属酸化物が用いられる。好ましくは、酸化クロムが用いられる。
酸化金属からなる半導電性層９の形成は、特に制限されないが、例えば、金属をターゲットとしてスパッタリングした後、必要に応じて、加熱により酸化する方法、反応性スパッタリングする方法、酸化金属をターゲットとしてスパッタリングする方法などが用いられる。

金属をターゲットとしてスパッタリングした後、必要に応じて、加熱により酸化する方法では、例えば、クロムなどの金属をターゲットとして、アルゴンなどの不活性ガスを導入ガスとして導入するスパッタリング法によりスパッタリングした後、必要に応じて、加熱炉などを用いて、大気中で、５０〜４００℃、１分〜１２時間、加熱により酸化することにより、酸化金属からなる半導電性層９を形成する。

反応性スパッタリングする方法では、例えば、スパッタリング装置において、クロムなどの金属をターゲットとして、酸素を含む反応性ガスを導入ガスとして導入して、スパッタリングすることにより、酸化金属からなる半導電性層９を形成する。
酸化金属をターゲットとしてスパッタリングする方法では、例えば、スパッタリング装置において、酸化クロムなどの酸化金属をターゲットとして、アルゴンなどの不活性ガスを導入ガスとして導入して、スパッタリングすることにより、酸化金属からなる半導電性層９を形成する。

また、このような半導電性層９は、例えば、特開２００４−３３５７００号公報の記載に準拠して形成することができる。
樹脂としては、例えば、導電性粒子が分散される半導電性樹脂組成物などが用いられる。
半導電性樹脂組成物は、例えば、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性粒子および溶媒を含有している。

イミド樹脂としては、公知のイミド樹脂を用いることができ、例えば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミドなどが用いられる。
イミド樹脂前駆体としては、例えば、特開２００４−３５８２５号公報に記載されるイミド樹脂前駆体を用いることができ、例えば、ポリアミド酸樹脂が用いられる。
導電性粒子としては、例えば、導電性ポリマー粒子、カーボン粒子、金属粒子、酸化金属粒子などが用いられる。

導電性ポリマー粒子としては、例えば、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェンなどの粒子、またはこれらの誘導体の粒子が用いられる。好ましくは、ポリアニリン粒子が用いられる。なお、導電性ポリマー粒子は、ドーピング剤によるドーピングによって、導電性が付与される。
ドーピング剤としては、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ノボラック樹脂、ｐ−フェノールスルホン酸ノボラック樹脂、β−ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物などが用いられる。

ドーピングは、予め導電性ポリマー粒子を分散（溶解）する溶媒中に配合させておいてもよく、また、半導電性層９を形成した後、半導電性層９が形成された製造途中の回路付サスペンション基板１をドーピング剤の溶液に浸漬してもよい。
カーボン粒子としては、例えば、カーボンブラック粒子、例えば、カーボンナノファイバーなどが用いられる。

金属粒子としては、例えば、クロム、ニッケル、銅、チタン、ジルコニウム、インジウム、アルミニウム、亜鉛などの粒子が用いられる。
酸化金属粒子としては、例えば、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化銅、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛などの粒子、または、これらの複合酸化物の粒子、より具体的には、酸化インジウムと酸化スズとの複合酸化物の粒子（ＩＴＯ粒子）、酸化スズと酸化リンとの複合酸化物の粒子（ＰＴＯ粒子）などの粒子が用いられる。

これら導電性粒子は、単独使用または２種以上併用することができる。好ましくは、ＩＴＯ粒子が用いられる。
導電性粒子は、その平均粒子径が、例えば、１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは、１０ｎｍ〜４００ｎｍ、さらに好ましくは、１０ｎｍ〜１００ｎｍである。なお、導電性粒子がカーボンナノファイバーである場合には、例えば、その直径が１００〜２００ｎｍであり、その長さが、５〜２０μｍである。平均粒子径（直径）がこれより小さいと、平均粒子径（直径）の調整が困難となる場合があり、また、これより大きいと、塗布に不向きとなる場合がある。

溶媒は、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、および、導電性粒子を分散（溶解）できれば、特に制限されないが、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの非プロトン性極性溶媒が用いられる。また、これら溶媒は、単独使用または２種以上併用することができる。

そして、半導電性樹脂組成物は、上記したイミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性粒子、および、溶媒を配合することによって、調製することができる。
導電性粒子の配合割合は、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体１００重量部に対して、例えば、１〜３００重量部、好ましくは、５〜１００重量部である。導電性粒子の配合割合が、これより少ないと、導電性が十分でない場合がある。また、これより多いと、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体の良好な膜特性が損なわれる場合がある。

また、溶媒は、これらイミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、および、導電性粒子の総量が、半導電性樹脂組成物に対して、例えば、１〜４０重量％（固形分濃度）、好ましくは、５〜３０重量％（固形分濃度）となるように、配合する。固形分濃度がこれより少なくても多くても、目的の膜厚に制御することが困難となる場合がある。
上記調製した半導電性樹脂組成物を、導体パターン１４の表面と、各グランド接続部１６の上部２３の表面と、導体パターン１４および各グランド接続部１６の上部２３から露出するベース絶縁層１３の表面と、ベース絶縁層１３から露出する金属支持層１２の表面とに、例えば、ロールコート法、グラビアコート法、スピンコート法、バーコート法など公知の塗布方法により、均一に塗布する。その後、例えば、６０〜２５０℃、好ましくは、８０〜２００℃で、例えば、１〜３０分間、好ましくは、３〜１５分間加熱して乾燥する。

また、半導電性樹脂組成物が、イミド樹脂前駆体を含有する場合には、乾燥後、そのイミド樹脂前駆体を、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。
これにより、半導電性層９を、導体パターン１４の表面と、各グランド接続部１６の上部２３の表面と、導体パターン１４および各グランド接続部１６の上部２３から露出するベース絶縁層１３の表面と、ベース絶縁層１３から露出する金属支持層１２の表面とに、連続するように形成することができる。

このようにして形成された半導電性層９の厚みは、例えば、４０μｍ以下、好ましくは、３〜２０ｎｍである。
また、この半導電性層９の表面抵抗値は、例えば、１０^５〜１０^１３Ω／□、好ましくは、１０^５〜１０^１１Ω／□、さらに好ましくは、１０^６〜１０^９Ω／□の範囲に設定される。半導電性層９の表面抵抗値がこれより小さいと、実装される磁気ヘッドの誤作動を生じる場合がある。また、半導電性層９の表面抵抗値がこれより大きいと、静電破壊を防止することができない場合がある。

次いで、この方法では、図４（ｅ）に示すように、第１カバー絶縁層１５Ａを、帯電除去部３（先端部を除く）において、半導電性層９の上に、上記した半導電性層９の平面視形状に対応して、それと同一位置に、上記したパターンとして形成する。
第１カバー絶縁層１５Ａは、ベース絶縁層１３と同様の樹脂、好ましくは、感光性の合成樹脂、さらに好ましくは、感光性ポリイミドからなる。

第１カバー絶縁層１５Ａを上記したパターンとして形成するには、特に制限されず、公知の方法が用いられる。例えば、感光性樹脂（感光性ポリアミド酸樹脂）のワニスを、半導電性層９の表面に塗布し、塗布されたワニスを乾燥して、第１カバー皮膜を形成する。次いで、第１カバー皮膜を、フォトマスクを介して露光した後、必要により加熱後、現像により上記したパターンを形成させ、その後、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。

このようにして形成される第１カバー絶縁層１５Ａの厚みは、例えば、２〜１０μｍ、好ましくは、３〜５μｍである。
次いで、この方法では、図５（ｆ）に示すように、第１カバー絶縁層１５Ａから露出する半導電性層９をエッチングにより除去する。
エッチングは、例えば、エッチング液として水酸化カリウム水溶液などのアルカリ水溶液を用いて、浸漬法またはスプレー法によって、第１カバー絶縁層１５Ａをエッチングレジストとして、ウエットエッチングする。

これにより、半導電性層９を、平面視において第１カバー絶縁層１５Ａと同一位置に、帯電除去部３（先端部を除く）において、上記したパターンとして形成することができる。
次いで、この方法では、図５（ｇ）に示すように、第２カバー絶縁層１５Ｂを、ベース絶縁層１３の上に、帯電除去部３においては、第１カバー絶縁層１５Ａを被覆するように、配線回路本体部２においては、導体パターン１４を被覆するように形成することにより、カバー絶縁層１５を上記したパターンとして形成する。

第２カバー絶縁層１５Ｂは、第１カバー絶縁層１５Ａと同様の樹脂、好ましくは、感光性の合成樹脂、さらに好ましくは、感光性ポリイミドからなる。
第２カバー絶縁層１５Ｂを上記したパターンとして形成するには、特に制限されず、公知の方法が用いられる。例えば、感光性樹脂（感光性ポリアミド酸樹脂）のワニスを、第１カバー絶縁層１５Ａの表面と、各グランド接続部１６の表面と、ベース絶縁層１３の表面と、金属支持層１２の表面とに塗布し、塗布されたワニスを乾燥して、第２カバー皮膜を形成する。次いで、第２カバー皮膜を、フォトマスクを介して露光した後、必要により加熱後、現像により上記したパターン（磁気ヘッド側接続端子部７、外部側接続端子部８および検査側接続端子部１０が開口されるパターン）を形成させ、その後、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。

このようにして形成される第２カバー絶縁層１５Ｂの厚みは、例えば、１〜４０μｍ、好ましくは、１〜７μｍである。
また、帯電除去部３において、第１カバー絶縁層１５Ａおよび第２カバー絶縁層１５Ｂが積層される部分における、これらの合計厚さは、例えば、例えば、３〜２０μｍ、好ましくは、５〜１５μｍである。

このようにして第２カバー絶縁層１５Ｂを、ベース絶縁層１３の上に、上記したパターンとして形成することにより、第１カバー絶縁層１５Ａおよび第２カバー絶縁層１５Ｂからなるカバー絶縁層１５を形成する。
次いで、この方法では、図５（ｈ）に示すように、金属支持層１２に、金属開口部２０を形成する。

金属開口部２０を形成するには、例えば、エッチング（例えば、ウエットエッチング）、レーザー加工など、好ましくは、ウエットエッチングにより開口する。
ウエットエッチングするには、まず、金属支持層２に、金属開口部２０が形成される部分以外の部分の金属支持層２の裏面を、エッチングレジストによって被覆した後、次いで、エッチングレジストから露出する金属支持層２を、塩化第二鉄溶液などの公知のエッチング溶液を用いて、除去する。その後、エッチングレジストを除去する。

次いで、この方法では、図５（ｉ）に示すように、導電遮断部４のベース絶縁層１３およびカバー絶縁層１５に、切り目１８を形成する。
切り目１８は、例えば、赤外線レーザーや紫外線レーザー、または、金型で打ち抜くなどの公知の方法により、形成する。切り目１８は、好ましくは、紫外線レーザーによるアブレーション法により、形成する。

その後、図１に示すように、金属支持層１２を、化学エッチングによって切り抜いて、外形加工することにより、回路付サスペンション基板１を得る。
そして、このようにして得られた回路付サスペンション基板１は、製品として出荷されて搬送され、例えば、磁気ヘッドの組立工場において、回路付サスペンション基板１に磁気ヘッドが実装される。

ここで、製造後の回路付サスペンション基板１には、出荷時や搬送時の振動によって、摩擦などによる静電気が発生して、回路付サスペンション基板１が帯電することがある。
しかし、この回路付サスペンション基板１によれば、配線回路本体部２に磁気ヘッドを実装する前、すなわち、上記した出荷時や輸送時には、配線回路本体部２と導電（電気的に導伝）される帯電除去部３の半導電性層９によって、配線回路本体部２に帯電する静電気を、効率的に除去することができる。

より具体的には、半導電性層９は、グランド接続部１６を介して金属支持層１２と電気的に接続されているので、導体パターン１４に帯電する静電気を、半導電性層９から金属支持層１２へと効率的に除去することができる。
また、帯電除去部３は配線回路本体部２に隣接配置されているので、磁気ヘッドの実装前、すなわち、上記した出荷時や輸送時には、帯電除去部３と配線回路本体部２との導電を確実に確保することができる。また、この回路付サスペンション基板１では、帯電除去部３が配線回路本体部２に隣接配置されているので、帯電除去部３と配線回路本体部２との間に、導電遮断部４を簡単に配置して、帯電除去部３と、配線回路本体部２とを連続して一体的に形成することができる。

そして、磁気ヘッドの組立工場では、磁気ヘッドを実装する前に、回路付サスペンション基板１の主配線回路５の導通検査が実施される。
導通検査では、検査側接続端子部１０が、補助配線回路１１に接続され、その補助配線回路１１が、主配線回路５に接続されているので、検査側接続端子部１０に導通検査プローブを接続することにより、主配線回路５を導通検査することができる。

次いで、帯電除去部３を、導電遮断部４を境界として、配線回路本体部２から分離（除去）して、配線回路本体部２と帯電除去部３との導電を遮断した後、配線回路本体部２に磁気ヘッドを実装する。
そして、この回路付サスペンション基板１によれば、配線回路本体部２に磁気ヘッドを実装した後には、導電遮断部４により、配線回路本体部２と帯電除去部３とが分離されているので、配線回路本体部２の主配線回路５が帯電除去部３の半導電性層１０から電気的な影響を受けることを防止することができる。そのため、配線回路本体部２の電気的安定性を確実に確保することができる。

より具体的には、この回路付サスペンション基板１によれば、帯電除去部３が、配線回路本体部２の後端部に隣接配置され、つまり、帯電除去部３が、磁気ヘッド側接続端子部７および外部側接続端子部８の間の主配線回路５に対して、主配線回路５に沿う方向の長手方向外側、すなわち、配線回路本体部２の後側に配置されているので、その後側に配置される帯電除去部３を、導電遮断部４を境界として除去するのみで、磁気ヘッド側接続端子部７に磁気ヘッドを実装した後には、配線回路本体部２と帯電除去部３との導電を、確実に遮断することができ、半導電性層９が、磁気ヘッド側接続端子部７および外部側接続端子部８や、これらの間の主配線回路５に対して、電気的な影響を与えることを確実に防止することができる。

また、帯電除去部３を、導電遮断部４を境界として、配線回路本体部２から分離するのみであるため、導電遮断部４によって、配線回路本体部２と帯電除去部３との導電を、確実に遮断することができる。
また、導電遮断部４を境界とする分離は、切り目１８に沿って、配線回路本体部２から帯電除去部３を切り離すのみであるため、導電遮断部４によって、配線回路本体部２と帯電除去部３とを簡単に分離することができ、これらの間の導電を簡単に遮断することができる。

また、上記した回路付サスペンション基板１の製造方法では、第１カバー絶縁層１５Ａを形成して、これをエッチングレジストとして、半導電性層９を形成したが、第１カバー絶縁層１５Ａを形成せずに、公知のエッチングレジスト１９をレジストとして、半導電性層９を形成することもできる。
図６は、図４および図５に示す回路付サスペンション基板の製造工程の、他の製造工程を示す断面図である。

この方法では、図４（ｄ）に示すように、半導電性層９を、導体パターン１４と、グランド接続部１６と、ベース絶縁層１３と、金属支持層１２との各表面に、連続するように形成した後、図６（ａ）に示すように、エッチングレジスト１９を、帯電除去部３（先端部を除く）において、半導電性層９の上に、上記した半導電性層９の平面視形状に対応して、それと同一位置に、上記したパターンとして形成する。

エッチングレジスト１９は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いる公知の方法により、上記したパターンとして形成する。
次いで、この方法では、図６（ｂ）で示すように、エッチングレジスト１９から露出する半導電性層９をエッチング（ウエットエッチング）により除去する。
次いで、この方法では、図６（ｃ）に示すように、エッチングレジスト１９を、例えば、ウエットエッチングなどの公知のエッチング法または剥離によって、除去する。

次いで、この方法では、図６（ｄ）に示すように、カバー絶縁層１５を、上記したパターンとして、上記と同様に形成する。
例えば、感光性樹脂（感光性ポリアミド酸樹脂）のワニスを、半導電性層９、各グランド接続部１６、ベース絶縁層１３および金属支持層１２の表面に塗布し、塗布されたワニスを乾燥して、カバー皮膜を形成する。次いで、カバー皮膜を、フォトマスクを介して露光した後、必要により加熱後、現像により上記したパターンを形成させ、その後、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。

このようにして形成されるカバー絶縁層１５の厚みは、例えば、１〜４０μｍ、好ましくは、１〜７μｍである。
その後、この方法では、上記と同様に、図５（ｈ）に示すように、金属支持層１２に、金属開口部２０を形成して、次いで、図５（ｉ）に示すように、導電遮断部４のベース絶縁層１３およびカバー絶縁層１５に、切り目１８を形成する。

このようにして、第１カバー絶縁層１５Ａを形成せずに、公知のエッチングレジスト１９をエッチングレジストとして、半導電性層９を形成することにより、回路付サスペンション基板１を得ることもできる。
この方法によれば、帯電除去部３において、上記した第１カバー絶縁層１５Ａおよび第２カバー絶縁層１５Ｂの積層部分におけるこれらの厚みと、第２カバー絶縁層１５Ｂの厚みとの相違を生じさせることなく、均一な厚みのカバー絶縁層１５を形成することができる。そのため、より薄型化が図られた回路付サスペンション基板１を得ることができる。

また、上記した説明では、回路付サスペンション基板１の半導電性層９を金属支持層１２と接触させずに、グランド接続部１６を介して金属支持層１２と電気的に接続させたが、例えば、図７に示すように、回路付サスペンション基板１の半導電性層９を、金属支持層１２と直接接触させることもできる。
図７〜図１０は、本発明の配線回路基板の他の実施形態および参考となる参考形態である回路付サスペンション基板の断面図であって、図３に対応する断面図であり、半導電性層が金属支持層と直接接触する形態であって、図７は、半導電性層が補助配線回路とカバー絶縁層との間に介在される形態（実施形態）、図８は、半導電性層が補助配線回路とベース絶縁層との間に介在される形態（実施形態）、図９は、半導電性層がカバー絶縁層の表面に形成される形態（参考形態）、図１０は、半導電性層がベース絶縁層の表面および補助配線回路の表面に形成されるとともに、カバー絶縁層の表面に形成される形態（実施形態）を示す。なお、以降の各図において、上記と同様の部材には同一の符号を付し、その説明を省略する。

図７において、ベース絶縁層１３は、上記した金属支持層１２の上に、導体パターン１４が形成される部分に対応して、金属支持層１２の周端部が露出するパターンとして形成されている。また、ベース絶縁層１３には、図３に示すベース開口部１７は形成されていない。
半導電性層９は、第１カバー絶縁層１５Ａに被覆されるベース絶縁層１３の上に、補助配線回路１１を被覆するように、形成されている。より具体的には、補助配線回路１１の各補助配線２１の上面および幅方向両側面、各補助配線２１から露出するベース絶縁層１３の上面、幅方向両側面（図７の右側図）および長手方向後端側面（図７の左側図）に形成され、ベース絶縁層１３の幅方向両側面および長手方向後端側面に形成される半導電性層９の下端面が、ベース絶縁層１３の幅方向両側面および長手方向後端側面から露出する金属支持層１２の上面に直接接触している。これにより、半導電性層９は、金属支持層１２と電気的に接続されている。

カバー絶縁層１５は、ベース絶縁層１３の上に、導体パターン１４および半導電性層９を被覆するように形成されるとともに、ベース絶縁層１３から露出する金属支持層１２の周端部を被覆するように形成されている。 この回路付サスペンション基板１を得るには、図示しないが、例えば、まず、金属支持層１２を用意し、次いで、ベース絶縁層１３を、金属支持層１２の上に、導体パターン１４が形成される部分に対応するように、上記したパターンとして形成し、次いで、導体パターン１４を、ベース絶縁層１３の上に、上記したパターン（主配線回路５および補助配線回路１１のパターン）として形成し、次いで、半導電性層９を、導体パターン１４と、ベース絶縁層１３と、金属支持層１２との各表面に、連続するように形成し、次いで、第１カバー絶縁層１５Ａを、帯電除去部３（先端部を除く）において、上記した半導電性層９の平面視形状に対応して、それと同一位置に、上記したパターンとして形成する。

次いで、第１カバー絶縁層１５Ａから露出する半導電性層９をエッチングにより除去する。このエッチングでは、ベース絶縁層１３の側面（幅方向両側面および長手方向後端側面）に形成される半導電性層９が残存するようにエッチングする。
次いで、第２カバー絶縁層１５Ｂを、ベース絶縁層１３の上に、帯電除去部３においては、第１カバー絶縁層１５Ａおよびベース絶縁層１３から露出する金属支持層１２の周端部を被覆するように、配線回路本体部２においては、導体パターン１４およびベース絶縁層１３から露出する金属支持層１２の周端部を被覆するように、上記したパターンとして形成し、次いで、金属支持層１２に金属開口部２０を形成し、その後、導電遮断部４のベース絶縁層１３およびカバー絶縁層１５に、切り目１８を形成する。

そして、この方法によれば、導体パターン１４の形成においては、グランド接続部１６を併せて設ける必要がないので、回路付サスペンション基板１を簡単に製造することができる。
また、上記した説明では、図７において、半導電性層９を、補助配線回路１１とカバー絶縁層１５との間に介在させたが、半導電性層９は帯電除去部３に設ければ、その配置は、これに限定されず、例えば、図８に示すように、補助配線回路１１とベース絶縁層１３との間に介在させることもできる。

図８において、半導電性層９は、帯電除去部３（先端部を除く）において、ベース絶縁層１３と補助配線回路１１との間に介在されるように、形成されている。
この回路付サスペンション基板１を得るには、図示しないが、例えば、まず、金属支持層１２を用意し、次いで、ベース絶縁層１３を、金属支持層１２の上に、導体パターン１４が形成される部分に対応するように、パターンとして形成し、次いで、半導電性層９を、ベース絶縁層１３と、金属支持層１２との各表面に、連続するように形成し、次いで、導体パターン１４を、半導電性層９の上に、上記したパターン（主配線回路５および補助配線回路１１のパターン）として形成し、次いで、第１カバー絶縁層１５Ａを、帯電除去部３において、上記した半導電性層９の平面視形状に対応して、それと同一位置に、上記したパターンとして形成する。

次いで、第１カバー絶縁層１５Ａから露出する半導電性層９をエッチングにより除去する。このエッチングでは、ベース絶縁層１３の側面（幅方向両側面および長手方向後端側面）に形成される半導電性層９が残存するようにエッチングする。
次いで、第２カバー絶縁層１５Ｂを、ベース絶縁層１３の上に、帯電除去部３においては、第１カバー絶縁層１５Ａおよびベース絶縁層１３から露出する金属支持層１２の周端部を被覆するように、配線回路本体部２においては、導体パターン１４およびベース絶縁層１３から露出する金属支持層１２の周端部を被覆するように形成することにより、上記したパターンとして形成し、次いで、金属支持層１２に金属開口部２０を形成し、その後、導電遮断部４のベース絶縁層１３およびカバー絶縁層１５に、切り目１８を形成する。

また、上記した方法以外に、この回路付サスペンション基板１を得るには、図示しないが、例えば、まず、金属支持層１２を用意し、次いで、ベース絶縁層１３を、金属支持層１２の上に、導体パターン１４が形成される部分に対応するように、パターンとして形成し、次いで、ベース絶縁層１３と、金属支持層１２との各表面に、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とが順次積層されてなる導体薄膜（種膜）を形成し、その後、アディティブ法により導体パターン１４を、導体薄膜の上に、上記したパターン（主配線回路５および補助配線回路１１のパターン）として形成し、次いで、導体パターン１４から露出する銅薄膜を、クロム薄膜が残存するように、エッチングにより除去し、次いで、銅薄膜の除去により露出したクロム薄膜を、加熱に基づく酸化により、半導電性化処理して、酸化クロム層からなる半導電性層９を形成し、次いで、第１カバー絶縁層１５Ａを、帯電除去部３（先端部を除く）において、上記した半導電性層９と平面視において同一位置に、パターンとして形成する。

次いで、第１カバー絶縁層１５Ａから露出する半導電性層９をエッチングにより除去する。このエッチングでは、ベース絶縁層１３の側面（幅方向両側面および長手方向後端側面）に形成される半導電性層９が残存するようにエッチングする。
次いで、第２カバー絶縁層１５Ｂを、ベース絶縁層１３の上に、帯電除去部３においては、第１カバー絶縁層１５Ａおよびベース絶縁層１３から露出する金属支持層２の周端部を被覆するように、配線回路本体部２においては、導体パターン１４およびベース絶縁層１３から露出する金属支持層２の周端部を被覆するように形成することにより、上記したパターンとして形成する。

このような方法によれば、上記した図８に示す回路付サスペンション基板１を、簡易かつ効率的に製造することができる。
また、上記した説明では、図８において、半導電性層９を、ベース絶縁層１３の表面に形成したが、本発明の参考となる参考形態として、例えば、図９に示すように、カバー絶縁層１５の表面に形成する態様を例示することもできる。
図９において、半導電性層９は、帯電除去部３（先端部を除く）において、カバー絶縁層１５の表面に形成されている。より具体的には、半導電性層９は、カバー絶縁層１５の上面と、カバー絶縁層１５の幅方向両側面と、カバー絶縁層１５の長手方向後端側面に形成され、カバー絶縁層１５の幅方向両側面および長手方向後端側面に形成される半導電性層９の下端面が、カバー絶縁層１５の幅方向両側面および長手方向後端側面から露出する金属支持層２の上面に直接接触している。これにより、半導電性層９は、金属支持層１２と電気的に接続されている。 この回路付サスペンション基板１を得るには、図示しないが、例えば、まず、金属支持層１２を用意し、次いで、ベース絶縁層１３を、金属支持層１２の上に、導体パターン１４が形成される部分に対応するように、上記したパターンとして形成し、次いで、導体パターン１４を、ベース絶縁層１３の上に、上記したパターン（主配線回路５および補助配線回路１１のパターン）として形成し、次いで、カバー絶縁層１５を、上記したパターンとして、上記と同様に形成し、次いで、半導電性層９を、カバー絶縁層１５の表面に形成する。

半導電性層９をカバー絶縁層１５の表面に形成するには、公知の方法が用いられ、例えば、特開２００３−１５２３８３号公報の段落番号［００２１］〜［００２７］の記載や特開２００４−３３５７００号公報の段落番号［００３４］〜［００５２］の記載などに準拠して形成することができる。
次いで、金属支持層１２に金属開口部２０を形成し、その後、導電遮断部４のベース絶縁層１３およびカバー絶縁層１５に、切り目１８を形成する。

また、上記した説明では、半導電性層９を、補助配線回路１１の表面およびベース絶縁層１３の表面（図７）、または、カバー絶縁層１５の表面（図９）の各面に設けたが、これに限定されず、例えば、半導電性層９を、これら全層の表面に形成することもできる。
図１０において、半導電性層９は、ベース絶縁層１３の表面と、補助配線回路１１の表面とに形成されているとともに、カバー絶縁層１５の表面にも、形成されている。

この回路付サスペンション基板１を得るには、図示しないが、例えば、上記したように、金属支持層１２、ベース絶縁層１３および導体パターン１４を順次形成し、次いで、半導電性層９を、図７の回路付サスペンション基板１と同様の方法により、導体パターン１４の上に形成し、次いで、カバー絶縁層１５を形成した後、半導電性層９を、図９の回路付サスペンション基板１と同様の方法により、カバー絶縁層１５の表面に形成する。

このように、半導電性層９を、ベース絶縁層１３と補助配線回路１１とカバー絶縁層１５との表面に形成すれば、配線回路本体部２に磁気ヘッドを実装する前には、２つの半導電性層９によって、配線回路本体部２に帯電する静電気を、より一層効率的に除去することができる。
また、上記した説明では、図２に示すように、回路付サスペンション基板１に、１つの導電遮断部４を形成したが、これに限定されず、例えば、図１１に示すように、２つの導電遮断部（導電遮断部４および後述する補助導電遮断部２６）を形成することもできる。

図１１において、帯電除去部３は、第３端子部形成部としての検査側接続端子部形成部２７と、半導電性形成部２８と、検査側接続端子部形成部２７および半導電性層形成部２８との間に形成される補助導電遮断部２６とを備えている。
検査側接続端子部形成部２７は、上記した検査側接続端子部１０が形成される領域として形成され、補助導電遮断部２６の後端側に隣接配置されている。

半導電性層形成部２８は、半導電性層９が形成される領域として形成され、補助導電遮断部２６と導電遮断部４との間に配置されている。
補助導電遮断部２６は、検査側接続端子部形成部２７および半導電性層形成部２８との間において、幅方向に沿って直線的に配置されており、この補助導電遮断部２６を境界として、検査側接続端子部形成部２７が、半導電性層形成部２８から分離可能とされている。より具体的には、補助導電遮断部２６は、上記した導電遮断部４と同様に、ベース絶縁層１３およびカバー絶縁層１５が幅方向にわたって断続的に除去されることにより、ミシン目形状の切り目１８として形成されている。

金属支持層１２には、導電遮断部４が露出するように、上記した金属開口部２０が形成されるとともに、補助導電遮断部２６、および、補助導電遮断部２６に連続する検査側接続端子部形成部２７および半導電性層形成部２８の各裏面が露出するように、補助金属開口部２５が形成されている。
半導電性層９は、半導電性層形成部２８のみに設けられ、半導電性層形成部２８の幅方向にわたって、平面視略矩形状に形成されている。

そして、この回路付サスペンション基板１では、磁気ヘッドの組立工場において、検査側接続端子部形成部２７を、補助導電遮断部２６を境界として、半導電性形成部２８から分離（除去）して、半導電性形成部２８と検査側接続端子部形成部２７との導電を遮断した後、配線回路本体部２に磁気ヘッドを実装する。
より具体的には、この回路付サスペンション基板１によれば、検査側端子部形成部２７が、半導電性層形成部２８の後端部に隣接配置され、つまり、検査側端子部形成部２７が、半導電性層形成部２８の後側に配置されているので、その後側に配置される検査側端子部形成部２７を、補助導電遮断部２６を境界として除去するのみで、磁気ヘッドを実装した後には、半導電性層形成部２８と検査側端子部形成部２７との導電を、確実に遮断することができる。

また、補助導電遮断部２６を境界とする分離は、切り目１８に沿って、半導電性層形成部２８から検査側端子部形成部２７を切り離すのみであるため、補助導電遮断部２６によって、半導電性層形成部２８と検査側端子部形成部２７とを簡単に分離することができ、これらの間の導電を簡単に遮断することができる。
そして、この回路付サスペンション基板１では、半導電性層形成部２８から検査側接続端子部形成部２７を分離しても、半導電性層形成部２８には半導電性層９が形成されている。そのため、例えば、磁気ヘッド実装後の回路付サスペンション基板１を、さらに搬送して、例えば、ハードディスクドライブの組立工場において、ハードディスクドライブに回路付サスペンション基板１を実装するときに、その実装前の回路付サスペンション基板１に帯電する静電気も効率的に除去することができる。

そして、ハードディスクドライブの組立工場において、半導電性層形成部２８を、導電遮断部４を境界として、配線回路本体部２から分離（除去）して、配線回路本体部２と半導電性層形成部２８との導電を遮断した後に、配線回路本体部２をハードディスクドライブに実装する。（リード・ライト基板を配線回路本体部２の外部側接続端子部８に実装する。）
そして、この回路付サスペンション基板１によれば、配線回路本体部２がハードディスクドライブに実装された後には、導電遮断部４により、配線回路本体部２と半導電性層形成部２８との導電が遮断されているので、配線回路本体部２の主配線回路５が半導電性形成部２８の半導電性層９から電気的な影響を受けることを防止することができる。そのため、配線回路本体部２の電気的安定性を確実に確保することができる。

また、上記した説明では、図２に示すように、帯電除去部３と配線回路本体部２とが切り目１８により物理的に分離可能に形成されているが、帯電除去部３と配線回路本体部２との間の導電を遮断できれば、これに限定されず、例えば、図１１の一点鎖線で示すように、帯電除去部３（検査側接続端子部形成部２７）と配線回路本体部２との間に架設され、長手方向において導電遮断部４を迂回するように形成される支持部２９を、帯電除去部３および配線回路本体部２の金属支持層２と一体的に形成することにより、支持部２９を介して帯電除去部３と配線回路本体部２とが物理的に分離されることなく連結されたまま、導電遮断部４を境界として帯電除去部３と配線回路本体部２との間の導電を遮断することもできる。

なお、上記した説明において、グランド接続部１６を２つ形成したが、これに限定されず、例えば、図示しないが、グランド接続部１６を、補助配線回路１１と幅方向外側一方側に間隔を隔てて、１つのみ形成することもできる。
また、上記した説明において、グランド接続部１６を、平面視略矩形状に形成したが、その形状はこれに限定されず、例えば、平面視略円形状など、適宜の形状に形成することもできる。

また、上記した説明において、半導電性層９を、平面視略矩形状に形成したが、帯電除去部３（または半導電性形成部２８）に形成すれば、これに限定されず、目的、用途および製品のデザインに応じて、適宜の形状に形成することができる。
なお、上記した説明では、半導電性層９を、帯電除去部３のみに設けたが、半導電性層９は、帯電除去部３に設けられれば、これに限定されず、例えば、図１１の仮想線に示すように、半導電性層９を、平面視略矩形状部分の幅方向一方側端部の長手方向先端部から、長手方向先端側に向かい、配線回路本体部２の後端部まで延びる略Ｌ字状に、形成することもできる。

配線回路本体部２の後端部まで延びる延設部３０は、配線回路本体部２の主配線回路５および外部側接続端子部８と幅方向に間隔を隔てて配置されている。また、延設部３０は、ベース絶縁層１３の上に、カバー絶縁層１５に被覆されるように形成されており、延設部３０の先端部には、金属支持層２の上に形成されるグランド接続部１６が設けられている。これにより、延設部３０は、厚み方向下側において、ベース絶縁層１３およびグランド接続部１６と接触し、厚み方向上側において、カバー絶縁層１５と接触している。

このように、半導電性層９を、延設部３０を備える略Ｌ字状に形成すれば、例えば、帯電除去部３の幅方向の長さが狭く、帯電除去部３においてグランド接続部１６を設けるスペースを確保することが困難な場合であっても、延設部３０を配線回路本体部２に延設して、その先端部にグランド接続部１６を設けて、これに接触させることができる。
そして、このように半導電性層９の延設部３０を配線回路本体部２に設けても、半導電性層９は、帯電除去部３に設けられているので、磁気ヘッドの実装前には、配線回路本体部２の帯電を除去することができる。また、磁気ヘッドの実装後には、帯電除去部３を、導電遮断部４を境界として、配線回路本体部２から分離することにより、配線回路本体部２の延設部３０と帯電除去部３の半導電性層９との導電を遮断することができるので、配線回路本体部２の主配線回路５が延設部３０（半導電性層９）から電気的な影響を受けることを防止することができる。

また、上記の説明では、本発明の配線回路基板を、回路付サスペンション基板１を例示して説明したが、本発明の配線回路基板は、これに限定されず、金属支持層２が補強層として設けられた各種フレキシブル配線回路基板などの他の配線回路基板にも広く適用することができる。

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。
実施例１
厚み２０μｍのステンレス箔からなる金属支持層を用意した（図４（ａ）参照）。
次いで、その金属支持層の表面に、感光性ポリアミド酸樹脂のワニスを、スピンコーターを用いて均一に塗布し、次いで、塗布されたワニスを、９０℃で１５分加熱することにより、ベース皮膜を形成した。その後、そのベース皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ^２で露光させ、１９０℃で１０分加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像した。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させることにより、ポリイミドからなるベース絶縁層を、金属支持層の上に、導体パターンが形成される部分に対応し、かつ、ベース開口部が形成される上記したパターンとして形成した。（図４（ｂ）参照）。このベース絶縁層の厚みは、１０μｍであった。また、各ベース開口部は、平面視矩形状で、幅が８０μｍ、長さが３００μｍであった。

次いで、アディティブ法により、銅箔からなる厚み１０μｍの導体パターンを、ベース絶縁層の上面に、上記したパターン（主配線回路および補助配線回路のパターン）として形成すると同時に、銅からなるグランド接続部を、各ベース開口部から露出する金属支持層の上に、その下部がベース絶縁層のベース開口部内に充填されるように、かつ、その上部がベース絶縁層におけるベース開口部の周囲を被覆するように形成した（図４（ｃ）参照）。

各配線間の間隔および各補助配線間の間隔は、それぞれ１００μｍ、各配線の幅および各補助配線の幅は、それぞれ３０μｍであった。また、磁気ヘッド側接続端子部間の間隔、外部側接続端子部間の間隔および検査側接続端子部間の間隔は、それぞれ２５μｍ、磁気ヘッド側接続端子部の幅、外部側接続端子部の幅および検査側接続端子部の幅は、それぞれ２５μｍであった。また、各グランド接続部は、その上部および下部ともに、平面視矩形状であり、下部は、幅が８０μｍ、長さが３００μｍ、上部は、幅が１４０μｍ、長さが３６０μｍ、厚さが１０μｍであった。

次いで、導体パターンの表面と、グランド接続部の表面と、ベース絶縁層と、金属支持層との各表面に、クロムをターゲットとするスパッタリングによって、クロム薄膜からなるスパッタリング皮膜を形成した。
なお、スパッタリングは、特開２００４−３３５７００号公報の記載に準拠する方法で、下記の条件で実施した。
ターゲット：Ｃｒ
到達真空度：１．３３×１０^−３Ｐａ
導入ガス流量（アルゴン）：２．０×１０^−３ｍ^３／ｈ
動作圧：０．１６Ｐａ
アース電極温度：２０℃
電力：ＤＣ５００Ｗ
スパッタリング時間：３秒
スパッタリング皮膜の厚み：１００ｎｍ
次いで、１２５℃、１２時間、大気中で加熱することにより、クロム薄膜からなるスパッタリング皮膜の表面を酸化して、酸化クロム層からなる半導電性層を形成した（図４（ｄ）参照）。酸化クロム層の厚みは、１００ｎｍであった。

なお、酸化クロム層からなる半導電性層が形成されていることはＥＳＣＡにて確認した。また、この半導電性層の表面抵抗値を、表面抵抗測定装置（三菱化学（株）製、Ｈｉｒｅｓｔａ−ｕｐ ＭＣＰ−ＨＴ４５０）を用いて、温度２５℃、湿度１５％で測定したところ、１×１０^７Ω／□であった。
次いで、上記した感光性ポリアミド酸樹脂のワニスを、半導電性層の表面に、スピンコーターを用いて均一に塗布し、９０℃で１０分加熱することにより、厚み４μｍの第１カバー皮膜を形成した。その後、その第１カバー皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ^２で露光させ、１８０℃で１０分加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、第１カバー皮膜をパターンニングした。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させた。これにより、ポリイミドからなる第１カバー絶縁層を、帯電除去部（先端部を除く）における半導電性層の上に、上記したパターンとして形成した（図４（ｅ）参照）。第１カバー絶縁層は、平面視矩形状であり、幅が６６０μｍ、長さが２０７０μｍ、厚みが４μｍであった。

次いで、第１カバー絶縁層から露出する半導電性層を、第１カバー絶縁層をエッチングレジストとして、水酸化カリウム水溶液を用いたウエットエッチングにより、除去した（図５（ｆ）参照）。これにより、半導電性層を、第１カバー絶縁層の平面視矩形状に対応して、それと同一位置に、上記したパターンとして形成した。
次いで、第２カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、帯電除去部においては、第１カバー絶縁層を被覆するように、配線回路本体部においては、導体パターンを被覆するように形成することにより、第１カバー絶縁層および第２カバー絶縁層からなるカバー絶縁層を上記したパターンとして形成した（図５（ｇ）参照）。第２カバー絶縁層の厚みは、５μｍであった。

次いで、金属支持層を、ウエットエッチングにより、開口して、金属開口部を形成し（図５（ｈ）参照）、その後、導電遮断部のベース絶縁層およびカバー絶縁層に、紫外線レーザーによるアブレーション法により、ミシン目形状の切り目を形成した（図５（ｉ）参照）。
その後、金属支持層を、化学エッチングによって切り抜いて、外形加工することにより、回路付サスペンション基板を得た（図１参照）。

比較例１
実施例１の回路付サスペンション基板の製造において、第１カバー絶縁層を設けずに、半導電性層をエッチングしなかった以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を製造した（図１３参照）。
すなわち、半導電性層を、配線回路本体部と帯電除去部とにわたって、連続して形成した。

（評価）
電気的安定性評価（磁気ヘッド実装後の回路付サスペンション基板の電気的安定性）
実施例１および比較例１により得られた回路付サスペンション基板において、配線回路本体部の磁気ヘッド側接続端子部に磁気ヘッドを実装した後、導電遮断部の切り目に沿って、帯電除去部を切り離すことにより、配線回路本体部と帯電除去部との導電を遮断して、帯電除去部を、配線回路本体部から分離した。その後、８５℃、８５％ＲＨの雰囲気下で、外部側接続端子部から６Ｖの電圧を、１０００時間、それぞれ印加して、配線間絶縁抵抗値を測定することにより、配線回路本体部の電気的な安定性を評価した。

その結果、実施例１の配線回路本体部では、印加後１０００時間以上経過しても、配線回路本体部が安定であることを確認した。一方、比較例１の配線回路本体部では、印加後１００時間経過時に、銅マイグレーションによって配線間絶縁抵抗値が不安定になったことが確認された。

本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す概略平面図である。 図１に示す回路付サスペンション基板の帯電除去部の拡大平面図である。 図１および図２に示す回路付サスペンション基板の断面図であって、左側図は、導体パターンの長手方向に沿う方向における断面図、右側図は、回路付サスペンション基板の幅方向に沿う方向における帯電除去部の断面図であり、図２のＡ−Ａ線断面図ある。 図３に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、（ａ）は、金属支持層を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を、金属支持層の上に、ベース開口部が形成されるパターンとして形成する工程、（ｃ）は、導体パターンおよびグランド接続部を、同時に形成する工程、（ｄ）は、半導電性層を、導体パターンの表面と、グランド接続部の上部の表面と、ベース絶縁層の表面と、金属支持層の表面との全面に、連続するように形成する工程、（ｅ）は、第１カバー絶縁層を、帯電除去部（先端部を除く）において、半導電性層の上に、パターンとして形成する工程を示す。 図４に続いて、図３に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、（ｆ）は、第１カバー絶縁層から露出する半導電性層を除去する工程、（ｇ）は、第２カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、第１カバー絶縁層および導体パターンを被覆するように、パターンとして形成する工程、（ｈ）は、金属支持層に、金属開口部を形成する工程、（ｉ）は、導電遮断部に、切り目を形成する工程を示す。 図４および図５に示す回路付サスペンション基板の製造工程の、他の製造工程を示す断面図であって、（ａ）は、エッチングレジストを、帯電除去部（先端部を除く）において、半導電性層の上に、パターンとして形成する工程、（ｂ）は、エッチングレジストから露出する半導電性層を除去する工程、（ｃ）は、エッチングレジストを除去する工程、（ｄ）は、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、半導電性層および導体パターンを被覆するように、パターンとして形成する工程を示す。 本発明の配線回路基板の他の実施形態（半導電性層が金属支持層と直接接触する形態であって、半導電性層が補助配線回路とカバー絶縁層との間に介在される形態）である回路付サスペンション基板の断面図であって、図３に対応する断面図である。 本発明の配線回路基板の他の実施形態（半導電性層が金属支持層と直接接触する形態であって、半導電性層が補助配線回路とベース絶縁層との間に介在される形態）である回路付サスペンション基板の断面図であって、図３に対応する断面図である。 本発明の配線回路基板の参考形態（半導電性層が金属支持層と直接接触する形態であって、半導電性層がカバー絶縁層の表面に形成される形態）である回路付サスペンション基板の断面図であって、図３に対応する断面図である。 本発明の配線回路基板の他の実施形態（半導電性層が金属支持層と直接接触する形態であって、半導電性層がベース絶縁層の表面および補助配線回路の表面に形成されるとともに、カバー絶縁層の表面に形成される形態）である回路付サスペンション基板の断面図であって、図３に対応する断面図である。 本発明の配線回路基板の他の実施形態（２つの導電遮断部が形成される形態）の回路付サスペンション基板の帯電除去部の拡大平面図であって、図２に対応する拡大平面図である。 図１１に示す回路付サスペンション基板の断面図であって、左側図は、導体パターンに沿う方向における断面図、右側図は、回路付サスペンション基板の幅方向に沿う方向における半導電性層形成部の断面図であり、図３に対応する断面図である。 回路付サスペンション基板の断面図であって、導体パターンに沿う方向における断面図であり、図３の左側図に対応する断面図である。

符号の説明

１ 回路付サスペンション基板
２ 配線回路本体部
３ 帯電除去部
４ 導電遮断部
５ 主配線回路
７ 磁気ヘッド側接続端子部
８ 外部側接続端子部
９ 半導電性層
１０ 検査側接続端子部
１１ 補助配線回路
１２ 金属支持層
１３ ベース絶縁層
１５ カバー絶縁層
１８ 切り目
２６ 補助導電遮断部
２７ 検査側接続端子部形成部
２８ 半導電性層形成部

Claims (10)

1. 配線回路を備える配線回路本体部と、
   前記配線回路本体部と導電され、半導電性層を備える帯電除去部と、
   前記配線回路本体部と前記帯電除去部との間に配置され、それらの導電を遮断するための導電遮断部と
   を備えており、
   前記帯電除去部は、
   ベース絶縁層と、
   前記ベース絶縁層に積層され、前記配線回路に接続される導体層と、
   前記導体層を被覆するカバー絶縁層とを備え、
   前記半導電性層は、前記カバー絶縁層に被覆される前記導体層に接触するように、前記ベース絶縁層と前記カバー絶縁層との間に形成されていることを特徴とする、配線回路基板。
2. 前記帯電除去部は、前記配線回路本体部の周端部に隣接配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
3. 前記配線回路本体部は、
   前記配線回路に接続され、前記配線回路本体部の一方側に配置される第１端子部と、
   前記配線回路に接続され、前記配線回路本体部の他方側に配置される第２端子部とを備え、
   前記帯電除去部は、前記第１端子部および前記第２端子部の間の前記配線回路に対して、前記配線回路に沿う方向の外側に配置されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
4. 前記帯電除去部は、前記導電遮断部を境界として、前記配線回路本体部と分離可能であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
5. 前記導電遮断部には、切り目が形成されていることを特徴とする、請求項４に記載の配線回路基板。
6. 前記帯電除去部は、さらに、金属支持層を備え、
   前記半導電性層は、前記金属支持層と電気的に接続されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の配線回路基板。
7. 前記帯電除去部は、前記導体層に接続される第３端子部を備えていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の配線回路基板。
8. 前記帯電除去部は、
   前記第３端子部が形成される第３端子部形成部と、
   前記第３端子部形成部と前記導電遮断部との間に配置され、前記半導電性層が形成される半導電性層形成部と、
   前記第３端子部形成部と前記半導電性層形成部との間に配置され、それらの導電を遮断するための補助導電遮断部と
   を備えていることを特徴とする、請求項７に記載の配線回路基板。
9. 前記第３端子部形成部は、前記補助導電遮断部を境界として、前記半導電性層形成部と分離可能であることを特徴とする、請求項８に記載の配線回路基板。
10. 前記補助導電遮断部には、切り目が形成されていることを特徴とする、請求項８または９に記載の配線回路基板。

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