JPH08153940A - フレキシブル回路基板 - Google Patents

フレキシブル回路基板

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JPH08153940A
JPH08153940A JP31578694A JP31578694A JPH08153940A JP H08153940 A JPH08153940 A JP H08153940A JP 31578694 A JP31578694 A JP 31578694A JP 31578694 A JP31578694 A JP 31578694A JP H08153940 A JPH08153940 A JP H08153940A
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JP
Japan
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fpc
film
circuit board
flexible circuit
metal layer
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP31578694A
Other languages
English (en)
Inventor
Eiichiro Kuribayashi
栄一郎 栗林
Yoshihide Onari
義秀 大成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd filed Critical Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Priority to JP31578694A priority Critical patent/JPH08153940A/ja
Publication of JPH08153940A publication Critical patent/JPH08153940A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/281Applying non-metallic protective coatings by means of a preformed insulating foil
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/386Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive

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  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高屈曲性を有する厚みの薄いフレキシブル回
路基板(FPC)であり、かつ、該FPCが装置本体ユ
ニット部と接触する際に発生する静電気を効果的に除去
することができ、或いは装置本体ユニット部と接触する
際の静電気を減少させることができるFPCを提供する
ことを目的とする。 【構成】 12.5μm厚のポリイミドフィルム18の
片面に金属層20、又はフッ素樹脂層24、又はマット
処理面28のいずれかの処理層を形成し、該処理層を形
成したポリイミドフィルムの非処理層面側に接着剤14
を塗布してBステージ状態とし、カバーレイフィルムと
した。一方、12.5μm厚のポリイミドフィルム12
をベースフィルムとし、該ベースフィルム上に接着剤1
5を介して銅箔等を貼り付け、この銅箔をエッチングし
て所定の回路16を形成し、該回路16の上に、上記カ
バーレイフィルムを貼り付けて本発明のFPC10(又
は22、26)を作製した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は静電気による電子機器の
誤動作を防止し得る高屈曲性のフレキシブル回路基板に
関する。
【0002】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】近年、各
種電子機器において、プリント回路基板及び接続ケーブ
ルとして柔軟性に優れているフレキシブル回路基板(以
下、FPCと称す。)が多く使用されている。例えば、
磁気ディスク装置や光磁気ディスク装置、コンパクトデ
ィスク装置などの読取装置(以下、磁気ディスク装置等
という。)では、読取ヘッドとヘッドを駆動させる駆動
回路との間にFPCが用いられている。一例を図6に示
すと、磁気ディスク装置は1対の磁気ヘッド1と、磁気
ヘッド1を駆動回路に電気的に接続するためのフレキシ
ブル回路2と、磁気ヘッド1を支持するアーム3と、こ
れら磁気ヘッド1やアーム3などを一体的に駆動させる
ためのキャリッジ4と、このキャリッジ4を正確に動か
すためのガイドバー5を備えて構成されている。そし
て、かかる磁気ヘッド1の駆動に伴いフレキシブル回路
2が屈曲させられるようになっている。したがって、磁
気ヘッド1が駆動させられるのに伴って、フレキシブル
回路2は繰り返して屈曲させられることになる。その
他、プリンターの駆動部等についてもFPCが用いられ
ていて、年々応用範囲が広がってきている。
【0003】ところで、近年、電子機器に対する市場要
求としてパーソナルコンピューター等の電子機器の携帯
性向上が求められており、これら磁気ディスク装置等に
も、その小型化及び省電力化が強く求められている。
【0004】そこで、磁気ディスク装置等の省電力化を
実現するための手段の1つとして、読取ヘッドの駆動を
省電力で行うために、小さな力で折り曲げが可能な高屈
曲性FPCの使用が検討されている。高屈曲性FPCを
作製するには、その材料に弾性率の低いものを使用す
る、FPCの厚みを薄くする等の対策が考えられ、現在
はベースフィルム及びカバーレイフィルムに12.5μ
m厚のポリイミドフィルムを使用したFPCが、高屈曲
性FPCとして使用されている。
【0005】しかしながら、図6に示すような磁気ディ
スク装置においてFPCが屈曲する時に、該FPCと装
置本体ユニット部等が接触し、その際に静電気が発生す
ることがある。その結果、かかる静電気が情報処理回路
等に影響を及ぼし、装置の誤動作等のトラブルが発生す
るといった問題があった。
【0006】この問題を解決し、磁気ディスク装置等を
円滑に動作させるためには、発生した静電気を逃がす必
要がある。そこで、発生した静電気を逃がすために、装
置本体ユニットと接触するFPCの最表面のフィルムに
カーボンを被覆して、FPCの表面にカーボン層を形成
し、該カーボン層を導電層として発生した静電気をアー
スするようにしたFPCが開発された。
【0007】しかしながら、このようにFPCの表面に
カーボン層を形成する場合には、形成されるカーボン層
の厚みが5〜15μmとなってしまい、得られるFPC
の厚みが厚くなってしまうという問題があった。その結
果、FPCの屈曲性が低下してしまい、前述のような省
電力駆動用途の厚みの薄い高屈曲性FPCには応用でき
ないという問題を有していた。また、アース用のリード
を形成する必要があることから設計が複雑になるという
問題も有していた。
【0008】そこで、本発明者らは、上記従来の問題点
を解決するために、高屈曲性を有する厚みの薄いFPC
であり、かつ、該FPCが装置本体ユニット部と接触す
る際に発生する静電気を効果的に除去することができ、
或いは装置本体ユニット部と接触する際の静電気の発生
を減少させることができるFPCを提供することを目的
に鋭意研究を重ねた結果、本発明に至ったのである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明に係るフレキシブ
ル回路基板の要旨とするところは、ベースフィルム上に
所定の回路が形成されるとともに、該回路側にカバーレ
イフィルムが設けられたフレキシブル回路基板におい
て、フレキシブル回路基板の少なくとも片面に金属層が
形成されていることにある。
【0010】かかるフレキシブル回路基板において、前
記金属層の厚みが5μm以下であることにある。
【0011】また、本発明に係るフレキシブル回路基板
の他の要旨とするところは、ベースフィルム上に所定の
回路が形成されるとともに、該回路側にカバーレイフィ
ルムが設けられたフレキシブル回路基板において、フレ
キシブル回路基板の少なくとも片面にフッ素樹脂層が形
成されていることにある。
【0012】かかるフレキシブル回路基板において、前
記フッ素樹脂層の厚みが12.5μm以下であることに
ある。
【0013】また、本発明に係るフレキシブル回路基板
の更に他の要旨とするところは、ベースフィルム上に所
定の回路が形成されるとともに、該回路側にカバーレイ
フィルムが設けられたフレキシブル回路基板において、
フレキシブル回路基板の少なくとも片面にマット処理が
施されていることにある。
【0014】かかるフレキシブル回路基板において、前
記マット処理面の鏡面反射率が50%以下であることに
ある。
【0015】また、本発明に係るフレキシブル回路基板
の更に他の要旨とするところは、ベースフィルム上に所
定の回路が形成されるとともに、該回路側にカバーレイ
フィルムが設けられたフレキシブル回路基板において、
フレキシブル回路基板の両面に、前記金属層又はフッ素
樹脂層又はマット処理面のいずれかが任意の組み合わせ
で形成されていることにある。
【0016】更に、前記いずれかに記載するフレキシブ
ル回路基板のベースフィルム及びカバーレイフィルムの
いずれか一方又は双方がポリイミドフィルムであること
にある。
【0017】また、前記ポリイミドフィルムの厚みが1
2.5μm以下であることにある。
【0018】
【作用】本発明に係るFPCは、少なくともその片面に
金属層又はフッ素樹脂層を形成し、又は少なくともその
片面にマット処理を施したことを特徴とし、FPCの最
外層で装置本体と接触する可能性のあるFPC表面に少
なくとも金属層又はフッ素樹脂層又はマット処理面のい
ずれかの処理層が設けられている。かかる処理層は、厚
みが12.5μm以下のポリイミドフィルム表面に設け
ることができ、ベースフィルム及びカバーレイフィルム
として12.5μm程度のポリイミドフィルムを用いた
厚みの薄い高屈曲性FPCを作製することができる。
【0019】処理層として金属層を設けたFPCでは、
FPC表面のポリイミドフィルムと装置本体ユニットと
の接触によって発生する静電気を、該金属層を介して容
易にアースすることができると同時に、静電気の発生を
減少させることができる。また同時に、かかる金属層と
して、アルミニウム、金、酸化ケイ素などを用いること
により電磁波等の影響を防ぐこともできる。
【0020】また、フッ素樹脂層を設けたFPCでは、
FPC表面のポリイミドフィルムと装置本体ユニットと
が直接接触するのを防ぐことができ、フッ素樹脂層の表
面摩擦係数がポリイミドフィルムに比べて低いことか
ら、FPCと装置本体ユニットとの接触摩擦を小さくす
ることができる。したがって、静電気の発生を大幅に減
少させることができ、アース等を設けるまでもなく、静
電気の影響を少なくすることができる。
【0021】また、マット処理面を設けたFPCでは、
マット処理を施すことによりフィルム表面に凹凸が形成
されており、FPCと装置本体ユニットとの接触摩擦を
小さくすることができる。したがって、前述と同様に、
静電気の発生を大幅に減少させることができ、アース等
を設けるまでもなく、静電気の影響を少なくすることが
できる。
【0022】また、かかるFPCにおいて、金属層の厚
みは5μm以下、フッ素樹脂層の厚みは12.5μm以
下とすることが好ましく、かかる処理層の厚みは薄いほ
ど高屈曲性のFPCが得られる。また、マット処理面は
フィルム表面の凹凸が鏡面反射率で50%以下とするこ
とが好ましく、かかる鏡面反射率の凹凸を形成すること
により上記目的を達成することができる。
【0023】このようにFPC表面の少なくとも片面に
上記いずれかの処理層を設けることにより、厚みが薄く
て高屈曲性のFPCであり、かつ、該FPCと装置本体
ユニットとの間に発生する静電気をアースして除去さ
せ、あるいはFPCと装置本体ユニットとの接触摩擦を
小さくして両者間の静電気の発生を減少させることがで
き、その結果、静電気が蓄積して装置に悪影響を及ぼす
ことを防止できるFPCを作製することができる。
【0024】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しながら説明する。
【0025】本発明のフレキシブル回路基板(FPC)
は、少なくともその片面に金属層又はフッ素樹脂層を形
成し、又はマット処理を施したことを特徴とし、図1
(a)に示すFPC10は、ベースフィルム12上に接
着剤14を介して銅箔等よりなる回路16が形成され、
さらに接着剤15を介してカバーレイフィルム18が設
けられ、該カバーレイフィルム18側の表面に金属層2
0が形成されている。
【0026】また、図1(b)に示すFPC22は、上
記金属層20の代わりにフッ素樹脂層24が形成されて
おり、図1(c)に示すFPC26は、カバーレイフィ
ルム18側の表面にマット処理が施されて、鏡面反射率
が50%以下のマット処理面28が形成されている。
【0027】更に、本発明にかかるFPCは、少なくと
もその片面に金属層、又はフッ素樹脂層が形成され、あ
るいはマット処理が施されていればよく、例えば、図2
乃至図4のいずれかに示すように、ベースフィルム12
側の表面に金属層20(又はフッ素樹脂層24、マット
処理面28)が形成されたFPC30(又は32、3
4)であってもよい。また、図5に示すようにベースフ
ィルム12及びカバーレイフィルム18の両側の表面に
金属層20が形成されたFPC36であってもよい。
【0028】また、図は省略するが、金属層ではなくフ
ッ素樹脂層又はマット処理面を両面に形成したFPCで
もよく、更に多層フレキシブル回路基板の場合は、その
最表面に金属層(又はフッ素樹脂層、マット処理面)が
形成されていればよい。また、かかるFPCにおいて、
その片面に金属層を形成し、他の片面にフッ素樹脂層を
形成したり、あるいは片面にマット処理を施し、他の片
面に金属層(又はフッ素樹脂層)を形成してもよい等、
その他上記処理層を任意に組み合わせてFPCの両面に
形成させてもよい。
【0029】次に、本発明のFPCの1例として、ま
ず、その片面に金属層20を形成した図1(a)(又は
図2)に示すFPC10(又は30)について説明す
る。
【0030】かかるFPCの材料について簡単に説明す
ると、ベースフィルム12又はカバーレイフィルム16
としてはポリイミドフィルムが好ましく用いられ、その
厚みは12.5μm以下であることが好ましい。12.
5μm以下のポリイミドフィルムを用いることにより、
小型化及び省電力化された磁気ディスク装置等を提供し
得る高屈曲性の厚みの薄いFPCを作製することができ
る。
【0031】また、金属層20としては、アルミニウム
が好ましく用いられ、その厚みは5μm以下、より好ま
しくは1μmである。金属層の厚みはできるだけ薄い方
が加工効率及び屈曲特性がよく、低コストで加工するこ
とができるからである。なお、金属層は特にアルミニウ
ムに限定する必要はなく、表面抵抗率が小さくなればど
のような金属を用いてもよい。金属層の形成方法として
は、蒸着法、スパッタリング法、無電解メッキ法等が挙
げられる。
【0032】また、接着剤14、15としては、ベース
フィルム又はカバーレイフィルムの特性を損なわないよ
うにするためにはポリイミド系の接着剤が好ましく用い
られるが、特に限定するものではない。なお、接着剤1
4、15は同一のものであっても異なるものであっても
よい。
【0033】次に、図1(a)に示すFPC10の作製
方法を具体的に説明すると、例えば、蒸着法により、1
2.5μm厚のポリイミドフィルム18の片面に厚み5
μm以下、好ましくは1μm以下のアルミニウム層20
を形成する。そして、このアルミ蒸着ポリイミドフィル
ムの非蒸着面側に接着剤14を塗布してBステージ状態
としてカバーレイフィルムとする。一方、12.5μm
厚のポリイミドフィルム12をベースフィルムとし、該
ベースフィルム上に接着剤15を介して銅箔等を貼り付
け、この銅箔をエッチングして所定の回路16を形成
し、該回路16の上に、上記カバーレイフィルムを貼り
付けることにより、本発明のFPC10を得ることがで
きる。
【0034】また、図2に示すベースフィルム側に金属
層が形成されたFPC30は、上記アルミ蒸着ポリイミ
ドフィルムをベースフィルムとし、該ベースフィルムの
非蒸着面側に接着剤15を介して銅箔等を貼付け、この
銅箔をエッチングすることにより所定の回路16を形成
し、該回路形成面にポリイミドフィルム18の片面に接
着剤14を塗布してBステージ状態としたカバーレイフ
ィルムを貼付けることにより作製することができる。
【0035】また、ベースフィルム及びカバーレイフィ
ルムとするポリイミドフィルム12、18の片面にアル
ミ蒸着を施し、以下同様にして作製することにより、図
5に示すようなベースフィルム及びカバーレイフィルム
の両側に金属層が形成されたFPC36を作製すること
ができる。
【0036】次に、本発明に係るFPCの他の形態とし
て、金属層20の代わりにフッ素樹脂層24を形成した
図1(b)(又は図3)に示すFPC22(又は32)
について説明する。
【0037】かかるFPCにおいては、ポリイミドフィ
ルムの片面に上記金属層を蒸着させる代わりに、フッ素
樹脂の溶液又は分散液等を塗布して一定膜厚のフッ素樹
脂層を形成し、以下同様にして作製することができる。
【0038】このとき、フッ素樹脂層の膜厚は12.5
μm以下となるようにするのが好ましく、フッ素樹脂層
が薄いほど高屈曲性のFPCを得ることができる。
【0039】なお、用いられるフッ素樹脂としては特に
限定されず、例えば、ポリテトラフルオロエチレン(P
TFE)、ポリクロルトリフルオルエチレン(PCTF
E)、ポリフッ化ビニリデン(PVdF)、ポリフッ化
ビニル(PVF)、フルオロエチレンプロピレンコポリ
マー(FEP)などを挙げることができる。このうち、
FEPは取扱性や耐熱性、耐薬品性等の諸特性の関係か
らより好ましく用いられる。
【0040】本発明に係るFPCの更に他の形態とし
て、図1(c)(又は図4)に示すような少なくともそ
の片面に鏡面反射率が50%以下のマット処理面28を
形成したFPC26(又は34)について説明する。
【0041】かかるFPCにおいては、ポリイミドフィ
ルムに対して上記金属層を形成する代わりに、その片面
にマット処理を施し、処理後のフィルム表面の凹凸が鏡
面反射率で50%以下となるようにする。そして、片面
にマット処理を施したフィルムをベースフィルム又はカ
バーレイフィルムとして使用し、以下、上記同様に回路
形成等を行ってFPCを作製すればよい。
【0042】マット処理の処理工程について簡単に説明
すると、まず、ポリイミドフィルムを繰り出しながら、
その片面に「砂」を吹き付けてフィルム表面に鏡面反射
率が50%以下となるような凹凸を形成する。この
「砂」としては、例えば粒度が100〜150メッシュ
の天然ケイ砂が好ましく用いられる。次いで、該フィル
ムへ2t/分程度の水を吹き付けることによりフィルム
表面に付着した「砂」が洗い流される。その後、該フィ
ルムを約50℃で乾燥させてから巻き取ることにより、
片面にマット処理が施されたポリイミドフィルムを得る
ことができる。そして、この片面にマット処理を施した
ポリイミドフィルムをベースフィルム又はカバーレイフ
ィルムとして使用することにより、本発明の図1(c)
(又は図4)に示すようなFPCが作製されるのであ
る。
【0043】以上のようにして得られた本発明のFPC
は、少なくともその片面に金属層、又はフッ素樹脂層、
又はマット処理面が形成されており、かかるFPCを磁
気ディスク装置等に装着する際は、該金属層、又はフッ
素樹脂層、又はマット処理面が形成された面が、装置本
体ユニットに接触する可能性があるようにして装着され
る。それにより、金属層を形成したFPCでは、FPC
表面と装置本体ユニットが接触する際に発生する静電気
を減少させると同時にアースして除去することができ、
FPCの表面抵抗値が低くなる。更に該金属を介して電
磁波等を逃がすこともできる。またフッ素樹脂層又はマ
ット処理面を形成したFPCでは、摩擦係数を小さくし
て静電気の発生を減少させることができる。
【0044】従って、本発明のFPCを用いることによ
り、接触静電気による回路エラーの発生しない磁気ディ
スク装置等を作製することができ、その他、本発明のF
PCは高屈曲性の要求される用途に好ましく用いること
ができる。
【0045】以上、本発明に係るフレキシブル回路基板
の実施例を説明したが、本発明はこれらの実施例のみに
限定されるものではなく、金属層(フッ素樹脂層、又は
マット処理面)は、例えば、フィルムの縦方向又は横方
向に縞状に形成してもよい等、FPC表面の全面に形成
されている必要はない。
【0046】また、ベースフィルム又はカバーレイフィ
ルムとして使用するポリイミドフィルムが接着性を有す
る場合であれば、ベースフィルム上に銅箔を貼り合わせ
たり、更に回路形成後にカバーレイフィルムを貼り合わ
せるのに接着剤を介する必要はない。その他、本発明は
その趣旨を逸脱しない範囲内で当業者の知識に基づき、
種々なる改良、変更、修正を加えた態様で実施しうるも
のである。
【0047】以下に実施例により本発明をより具体的に
説明するが、本発明はこれら実施例によって限定される
ものではない。
【0048】実施例 1 「アピカル12.5NPI(登録商標;鐘淵化学工業株
式会社製,12.5μm厚のポリイミドフィルム)」の
片面に蒸着により厚み500Åのアルミニウム層を形成
し、このアルミ蒸着ポリイミドフィルムの非蒸着面側に
接着剤を介して1/2oz銅箔(18μm厚)を貼付
け、この銅箔をエッチングすることにより所定の回路を
形成した。一方、「アピカル12.5NPI(登録商
標;同上)」の片面に接着剤を塗布し、Bステージ状態
としてカバーレイフィルムを作製し、前記回路形成面に
貼り付けて図2に示すFPC30を作製した。
【0049】得られたFPCのアルミニウム蒸着面の表
面抵抗値(Ω)及びFPCの屈曲特性(g)を調べた。
表面抵抗値はASTMD−257に準拠して測定した。
また、屈曲特性は5mm幅、50mm長さのFPCでループ
を作り、該ループに一定の変形(押しつぶし距離;15
mm)を与え、その変形を維持するのに必要な荷重を東洋
精機社製「ループスティッフネステスター」を用いて測
定した。それらの結果を表1に示す。なお、かかるFP
Cを用いた磁気ディスク装置では、接触静電気による回
路エラーは発生しなかった。
【0050】
【表1】
【0051】実施例 2 また、FPCの片面にフッ素樹脂層を形成したFPCを
作製した。すなわち、「アピカル12.5NPI(登録
商標;同上)」の片面にFEP(フルオロエチレンプロ
ピレンコポリマー)の分散液を塗布し、2.5μm厚の
FEP層を形成し、以下、実施例1と同様にして図3に
示すFPC32を作製した。
【0052】得られたFPCについて、実施例1と同様
にしてFPCの屈曲特性(g)を調べた。また、FEP
塗布面の摩擦係数をASTMD−1894に準拠して、
該FPCと電解銅箔のシャイン面とを接触させて測定し
た。それらの結果を表1に示した。なお、かかるFPC
を用いた磁気ディスク装置では、接触静電気による回路
エラーは発生しなかった。
【0053】実施例 3 また、FPCの片面にマット処理を施したFPCを作製
した。すなわち、「アピカル12.5NPI(登録商
標;同上)」の片面に、処理後のフィルム表面の凹凸が
鏡面反射率で50%以下となるようにマット処理を施し
た。鏡面反射率はJISZ−8741に準拠して測定し
た。この片面マット処理ポリイミドフィルムを用いて、
以下、実施例1と同様にして図4に示すFPC34を作
製した。
【0054】得られたFPCについて、実施例2と同様
にして屈曲特性、摩擦係数を調べ、その結果を表1に示
した。なお、かかるFPCを用いた磁気ディスク装置で
は、接触静電気による回路エラーは発生しなかった。
【0055】比較例 1 比較のため、「アピカル12.5NPI(登録商標;同
上)」の片面にカーボンを塗布してカーボン層を形成
し、以下実施例1と同様にして従来のカーボン被覆FP
Cを作製した。かかるFPCのカーボン層の厚みは10
μmであった。得られたFPCについて、実施例1と同
様にしてカーボン塗布面の表面抵抗値(Ω)及びFPC
の屈曲特性(g)を調べた。それらの結果を表1に示し
た。
【0056】比較例 2 比較のため、ベースフィルム及びカバーレイフィルムと
して「アピカル12.5NPI(登録商標;同上)」を
用い、フィルム表面には何ら処理を施さず、以下実施例
1と同様にして通常の高屈曲性FPCを作製した。得ら
れたFPCについて、実施例2と同様にして屈曲特性、
摩擦係数を調べ、その結果を表1に示した。
【0057】この表1から明らかなように、本発明のF
PCの屈曲特性は、従来のカーボン被覆FPCに比べて
高屈曲性を有し、通常の高屈曲性FPCに匹敵する屈曲
特性を示すことがわかる。また、表面に金属層を形成し
たFPCでは、従来のカーボン被覆FPCに比べてFP
Cの厚みを薄くすることができ、更に、表面抵抗値が低
くなっていることがわかる。また、表面にフッ素樹脂層
を形成し、又は表面にマット処理を施したFPCでは、
通常の高屈曲性FPCに比べて摩擦係数が低くなってい
ることがわかる。
【0058】
【発明の効果】以上のように、本発明はベースフィルム
上に所定の回路が形成されるとともに、該回路側にカバ
ーレイフィルムが設けられたフレキシブル回路基板(F
PC)において、少なくともその片面に金属層、又はフ
ッ素樹脂層を形成し、又はマット処理を施したことを特
徴とし、厚みの薄いFPCを作製することができる。す
なわち、かかるFPCは磁気ディスク装置等の省電力化
を実現し得る小さな力で折り曲げが可能な高屈曲性FP
Cとなり得るものである。
【0059】そして、表面に金属層を形成したFPCで
は、高屈曲性を維持したまま、発生した静電気を金属層
を介して容易にアースすることができ、FPC表面の表
面抵抗値を低くすることができる。すなわち、高屈曲性
FPCであり、かつ、FPCと装置本体ユニットとの接
触によって発生する静電気が蓄積して装置に悪影響を及
ぼすことを防止できる。
【0060】また、表面にフッ素樹脂層又はマット処理
面を形成したFPCでは、高屈曲性を維持したままFP
C表面の摩擦係数を低くすることができ、FPCが装置
本体ユニットと接触する際の静電気発生を減少させるこ
とができる。
【0061】これにより、省電力で駆動することがで
き、かつFPCと装置本体との接触による静電気エラー
の発生しない磁気ディスク装置等を実現することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のFPCの1例を示した拡大断面図であ
り、(a)は金属層を、(b)はフッ素樹脂層を形成し
たFPCであり、(c)はマット処理を施したFPCで
ある。
【図2】本発明のFPCの他の1例を示した拡大断面図
である。
【図3】本発明のFPCの更に他の1例を示した拡大断
面図である。
【図4】本発明のFPCの更に他の1例を示した拡大断
面図である。
【図5】本発明のFPCの更に他の1例を示した拡大断
面図である。
【図6】磁気ディスク装置のヘッド部及び駆動回路接続
部を示した斜視図である。
【符号の説明】
1;磁気ヘッド 2;フレキシブル回路基板 3;アーム 4;キャリッジ 5;ガイドバー 10、30、36;金属層を形成したフレキシブル回路
基板(FPC) 12;ベースフィルム(ポリイミドフィルム) 14、15;接着剤 16;回路 18;カバーレイフィルム(ポリイミドフィルム) 20;金属層(アルミニウム層) 22、32;フッ素樹脂層を形成したフレキシブル回路
基板(FPC) 24;フッ素樹脂層 26、34;マット処理を施したフレキシブル回路基板
(FPC) 28;マット処理面

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ベースフィルム上に所定の回路が形成さ
    れるとともに、該回路側にカバーレイフィルムが設けら
    れたフレキシブル回路基板において、フレキシブル回路
    基板の少なくとも片面に金属層が形成されていることを
    特徴とするフレキシブル回路基板。
  2. 【請求項2】 前記金属層の厚みが5μm以下であるこ
    とを特徴とする請求項1に記載するフレキシブル回路基
    板。
  3. 【請求項3】 ベースフィルム上に所定の回路が形成さ
    れるとともに、該回路側にカバーレイフィルムが設けら
    れたフレキシブル回路基板において、フレキシブル回路
    基板の少なくとも片面にフッ素樹脂層が形成されている
    ことを特徴とするフレキシブル回路基板。
  4. 【請求項4】 前記フッ素樹脂層の厚みが12.5μm
    以下であることを特徴とする請求項3に記載するフレキ
    シブル回路基板。
  5. 【請求項5】 ベースフィルム上に所定の回路が形成さ
    れるとともに、該回路側にカバーレイフィルムが設けら
    れたフレキシブル回路基板において、フレキシブル回路
    基板の少なくとも片面にマット処理が施されていること
    を特徴とするフレキシブル回路基板。
  6. 【請求項6】 前記マット処理面の鏡面反射率が50%
    以下であることを特徴とする請求項5に記載するフレキ
    シブル回路基板。
  7. 【請求項7】 ベースフィルム上に所定の回路が形成さ
    れるとともに、該回路側にカバーレイフィルムが設けら
    れたフレキシブル回路基板において、フレキシブル回路
    基板の両面に、前記金属層、フッ素樹脂層又はマット処
    理面のいずれかが任意の組み合わせで形成されているこ
    とを特徴とするフレキシブル回路基板。
  8. 【請求項8】 前記フレキシブル回路基板のベースフィ
    ルム及びカバーレイフィルムのいずれか一方又は双方が
    ポリイミドフィルムであることを特徴する請求項1乃至
    請求項7のいずれかに記載するフレキシブル回路基板。
  9. 【請求項9】 前記ポリイミドフィルムの厚みが12.
    5μm以下であることを特徴とする請求項8に記載する
    フレキシブル回路基板。
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