TWI724367B - 電磁屏蔽膜及其製作方法 - Google Patents

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Abstract

一種電磁屏蔽膜的製作方法,其包括以下步驟:提供一承載膜,並在其上塗布絕緣油墨形成一絕緣基層;對所述絕緣基層進行表面改性處理,形成複數羧基;加入金屬離子鹽溶液對所述絕緣基層的表面進行陽離子交換;加入還原劑將所述絕緣基層表面的陽離子還原,並在所述絕緣基層的表面形成一晶種層;在所述晶種層上形成一導電金屬層;及在所述導電金屬層上形成一導電膠層,從而得到所述電磁屏蔽膜。本發明還提供一種電磁屏蔽膜,所述電磁屏蔽膜成本較低且遮罩效果良好。

Description

電磁屏蔽膜及其製作方法
本發明涉及一種電磁屏蔽膜及其製作方法,尤其涉及一種電磁屏蔽膜及其製作方法。
近年來,電子產品被廣泛應用在日常工作與生活中,隨著消費性電子產品對於品質與輕薄短小的要求日趨嚴苛,電子產品及元件朝向輕、薄、短、小、多功能傳輸的方向發展,為達到小型化目標,軟板勢必採取高密度整合構裝,相對的,軟板電磁波的干擾問題也愈來愈嚴重。
一般解決軟板電磁波干擾問題,可依賴完整的佈線路徑設計,例如對複雜的走線設計,可採用一個訊號傳輸層搭配一個接地層,此舉將會降低電磁波干擾。另一種方式則是將軟板訊號走線結合電磁波干擾防護功能的遮罩材料來確保良好的接地作用,以降低電磁波干擾。目前,該電磁遮罩層通常包括從上至下依次疊設的轉寫層、第一絕緣層、第二絕緣層、金屬導電層、異方性導電膠層與保護層。製作所述柔性電路板時,需要在一雙面覆銅基板上覆蓋具有貫穿的通孔的覆蓋膜以暴露所述雙面覆銅基板的接地線,然後將所述電磁遮罩層的保護層撕除後覆蓋至所述覆蓋膜上並進行熱壓合,使部分所述異方性導電膠層流動而填充至所述通孔,從而使該金屬導電層與所述接地線連接而確保該電磁遮罩層的接地作用,最後烘 烤所述電磁遮罩層。然而,該類電磁遮罩層的價格較為昂貴,而且具有較大的厚度,導致該柔性電路板的厚度增加。
有鑑於此,有必要提供一種能解決上述問題的電磁屏蔽膜的製作方法。
還提供一種上述製作方法製作的電磁屏蔽膜。
一種電磁屏蔽膜的製作方法,其包括以下步驟:提供一承載膜,並在其上塗布絕緣油墨形成一絕緣基層;對所述絕緣基層進行表面改性處理,形成複數羧基;加入金屬離子鹽溶液對所述絕緣基層的表面進行陽離子交換;加入還原劑將所述絕緣基層表面的陽離子還原,並在所述絕緣基層的表面形成一晶種層;在所述晶種層上形成一導電金屬層;及在所述導電金屬層上形成一導電膠層,從而得到所述電磁屏蔽膜。
一種電磁屏蔽膜,包括依次疊設的一承載膜、一絕緣基層、一導電金屬層以及一導電膠層,還包括一晶種層,所述晶種層鑲嵌於所述絕緣基層上,以使所述晶種層具有高密著力,所述晶種層上形成有氣孔。
本發明的電磁屏蔽膜包括依次疊設的絕緣基層、導電金屬層以及導電膠層,及一具有高密著力的晶種層。相較於傳統的電磁遮罩層,該電磁屏蔽膜通過在絕緣基層上進行表面處理、成長晶種層、鍍金屬層,從而在絕緣基層上直接形成一層薄的導電金屬層,並在導電金屬層上塗布導電膠層,形成一三明治結構的電磁屏蔽膜。在絕緣基層上進行導電金屬層的製備,將導電金屬層的製作成本降低,而且晶種層在絕緣基層表面有高密著效果,導電金屬層在鍍金屬時形成的氣孔可逸散水汽,實現防止層間吸 濕的作用。
100:電磁屏蔽膜
10:絕緣基層
20:晶種層
30:導電金屬層
40:導電膠層
90:承載膜
300:柔性電路板
301:覆蓋膜
302:導通孔
400:含電磁遮罩結構的柔性電路板
圖1係本發明一實施方式中承載膜上塗布絕緣基層的剖視示意圖。
圖2係對圖1所示的絕緣基層進行表面改性的剖視示意圖。
圖3係對圖2所示的絕緣基層表面進行陽離子交換的剖視示意圖。
圖4係在圖3所示的絕緣基層表面形成晶種層的剖視示意圖。
圖5係在圖4所示的絕緣基層表面形成導電金屬層的剖視示意圖。
圖6係在圖5所示導電金屬層表面形成導電膠層得到電磁屏蔽膜的剖視示意圖。
圖7係將圖6所示電磁屏蔽膜壓於柔性電路板的剖視示意圖。
圖8係圖7所示電磁屏蔽膜壓於柔性電路板形成的含電磁遮罩結構的柔性電路板的剖視示意圖。
下面將結合本發明實施方式中的附圖,對本發明實施方式中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施方式僅僅是本發明一部分實施方式,而不是全部的實施方式。
基於本發明中的實施方式,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施方式,都屬於本發明保護的範圍。
本文所使用的所有的技術與科學術語與屬於本發明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本發明的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施方式的目的,不是旨在於限制本發明。
請參閱圖1至圖6,本發明一實施方式中電磁屏蔽膜100的製作方法,其包括以下步驟:
步驟S1,請參閱圖1,提供一承載膜90,並在其上塗布絕緣油墨形成一絕緣基層10。
在本實施例中,所述承載膜90採用聚對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate,PET)製成,所述承載膜90的厚度為50微米。
在本實施例中,該絕緣油墨在其塗布於承載膜90形成絕緣基層10後,在室溫下進行5分鐘超音波震盪,清潔所述絕緣基層10表面。本實施例中,所述絕緣基層10的厚度為3~10微米。優選的,該絕緣基層10的厚度為8微米。
該絕緣油墨由主樹脂、柔韌樹脂、黑色色膏(填料)、硬化劑、無機填料及阻燃劑等組成。
其中該絕緣油墨的主樹脂材質可選自環氧樹脂、聚醯亞胺(polyimide,PI)、聚氨酯、聚甲基丙烯酸甲酯、酚醛樹脂等熱固樹脂中的至少一種。
該柔韌樹脂用於提高該絕緣基層10的柔軟性,其可選自橡膠、低分子聚醯胺以及聚醚等中的至少一種。
該黑色色膏(填料)採用碳黑。
該硬化劑可選自胺類硬化劑以及酸酐類硬化劑等中的至少一種。
該無機填料可選自二氧化矽與二氧化鈦等中的至少一種。
該阻燃劑可選自金屬氫氧化物、磷系化合物、氨系化合物以及矽系阻燃劑等中的至少一種。
步驟S2,請參閱圖2,加入改性劑對所述絕緣基層10進行表面改性處理,使得所述絕緣基層10的表面得到改性,形成複數羧基(COO-)。
本實施例中,採用5mol/L的氫氧化鉀水溶液對所述絕緣基層10進行表面處理。所述絕緣基層10表面具有羥基(-OH)及羧基,在使用氫氧化鉀溶液處理,並在室溫下超音波震盪4分鐘後,所述絕緣基層10表面充滿羥基(-OH)及羧酸根陰離子(-COO-)。
步驟S3,請參閱圖3,加入金屬離子鹽溶液對所述絕緣基層10的表面進行陽離子交換。
本實施例中,將表面處理後的所述絕緣基層10浸泡至50mol/L的硫酸銅水溶液中進行陽離子交換,並在室溫下超音波震盪5分鐘,使Cu2+取代K+。
所述金屬離子鹽溶液的金屬離子可選自銅、鎳、鈀、鉻、銀、鉑、鈷等中的一種。
步驟S4,請參閱圖4,加入還原劑將所述絕緣基層10表面的金屬離子還原,在所述絕緣基層10的表面形成一晶種層20。
本實施例中,採用0.5mol/L的二甲基胺硼烷(DMAB)水溶液進行還原,在40℃下超音波震盪5分鐘,將吸附於所述絕緣基層10表面的Cu2+還原成Cu。從而在所述絕緣基層10的表面形成具有高密著力的晶種層20。本實施例中,所述晶種層20的厚度為10~200納米。優選的,該晶種層20的厚度為100納米。
由於在離子交換反應時會有氣體產生,因此在晶種層20上自然形成有氣孔(pin hole),形成的氣孔可逸散水汽,防止層間吸濕,從而防止在後段高溫制程時出現爆板現象。
步驟S5,請參閱圖5,在所述晶種層20上鍍金屬,形成一導電金屬層30。
本實施例中,通過化學鍍銅或電鍍銅的方式,在晶種層20上鍍銅。所述導電金屬層30的厚度為0.1~3微米。優選的,該導電金屬層30的厚度為3微米。
可理解的,所鍍金屬的材質可選自銅、鎳、鈀、鉻、銀、鉑、鈷等中的一種。
由於晶種層20上形成有氣孔,因此在鍍金屬時會在導電金屬層30上自然形成氣孔(pin hole),形成的氣孔可逸散水汽,防止層間吸濕,從而防止在後段高溫制程時出現爆板現象。
步驟S6,請參閱圖6,在導電金屬層30上形成一導電膠層40,從而得到包括承載膜90、絕緣基層10、晶種層20、導電金屬層30及導電膠層40的電磁屏蔽膜100。
在本實施方式中,所述導電膠層40是通過在所述導電金屬層30上塗布包括熱固性膠粘劑的導電膠,然後對該導電膠進行加熱以使其固化而形成。
本實施例中,所述導電膠層40的厚度為3~10微米。優選的,該導電膠層40的厚度為8微米。
該熱固性膠粘劑包括主樹脂、柔韌樹脂、導電粉、硬化劑、接著促進劑及阻燃劑。
其中該主樹脂可選自環氧樹脂、聚醯亞胺(polyimide,PI)、聚氨酯、聚甲基丙烯酸甲酯、酚醛樹脂等中的至少一種。
該柔韌樹脂用於提高該導電膠層40的柔軟性,其可選自橡膠、低分子聚醯胺以及聚醚等中的至少一種。
該導電粉的材質可選自銀粉、銅粉、銀包銅粉、鎳粉、鋁粉、白金粉、碳粉、納米銀線、納米碳管、石墨烯等中的至少一種。
該硬化劑可選自胺類硬化劑以及酸酐類硬化劑等中的至少一種。
該阻燃劑可選自金屬氫氧化物、磷系化合物、氨系化合物以及矽系阻燃劑等中的至少一種。
在其他實施方式中,所述導電膠層40還可直接貼合於所述導電金屬層30的表面。
如圖7及圖8所示,為該電磁屏蔽膜100的應用。提供一貼有覆蓋膜301的柔性電路板300。所述覆蓋膜301在遮罩區域開設有導通孔302。將帶有承載膜90的電磁屏蔽膜100依遮罩區域尺寸裁剪,然後將其熱壓合於所述覆蓋膜301上,撕除承載膜90,對壓合的柔性電路板300及電磁屏蔽膜100進行熟化,從而得到含電磁遮罩結構的柔性電路板400。
請參閱圖6,本發明一較佳實施方式還提供一種電磁屏蔽膜100,其包括依次疊設形成於承載膜90上的一絕緣基層10、一導電金屬層30及一導電膠層40。
承載膜90用於對絕緣基層10進行保護。
該絕緣基層10用於承載該導電金屬層30以及該導電膠層40,並起到電氣絕緣與防焊保護的作用。本實施例中,所述絕緣基層10的厚度為3~10微米。優選的,該絕緣基層10的厚度為8微米。
該導電金屬層30通過鑲嵌於所述絕緣基層10上的具有高密著力的晶種層20而形成於所述絕緣基層10表面。所述導電金屬層30用以使該電磁屏蔽膜100具有電磁遮罩作用。本實施例中,所述導電金屬層30的厚度為0.1~3微米。優選的,該導電金屬層30的厚度為3微米。所述導電金屬層30的材質可選自銅、鎳、鈀、鉻、銀、鉑、鈷等中的一種。
所述導電膠層40用於將該電磁屏蔽膜100貼合於一柔性銅箔基材(如圖7所示)的表面。在本實施例中,所述導電膠層40的厚度為3~10微米。優選的,該導電膠層40的厚度為8微米。
下面將結合實施例及比較例對本發明進行具體說明。
實施例1
在厚度為50微米的承載膜90上形成8微米厚的絕緣基層10,對絕緣基層10進行表面改性、陽離子交換及金屬還原後,在其上形成100納米厚的銅晶種層20,在晶種層20上進行電鍍銅,形成3微米厚的銅導電金屬層30,在導電金屬層30上形成8微米厚的導電膠層40,從而得到電磁屏蔽膜100。
實施例2
在厚度為50微米的承載膜90上形成8微米厚的絕緣基層10,對絕緣基層10進行表面改性、陽離子交換及金屬還原後,在其上形成100納米厚的鎳晶種層20,在晶種層20上進行電鍍銅,形成3微米厚的銅導電金屬層30,在導電金屬層30上形成8微米厚的導電膠層40,從而得到電磁屏蔽膜100。
實施例3
在厚度為50微米的承載膜90上形成8微米厚的絕緣基層10,對絕緣基層10進行表面改性、陽離子交換及金屬還原後,在其上形成100納米厚的銅晶種層20,在晶種層20上進行電鍍銅,形成1微米厚的銅導電金屬層30,在導電金屬層30上形成8微米厚的導電膠層40,從而得到電磁屏蔽膜100。
實施例4
在厚度為50微米的承載膜90上形成5微米厚的絕緣基層10,對絕緣基層10進行表面改性、陽離子交換及金屬還原後,在其上形成100納米厚的銅晶種層20,在晶種層20上進行電鍍銅,形成1微米厚的銅導電金屬層30,在導電金屬層30上形成5微米厚的導電膠層40,從而得到電磁屏蔽膜100。
比較例1為市場上在售的電磁屏蔽膜,型號PC3300,其金屬層為銅箔。
比較例2為市場上在售的電磁屏蔽膜,型號PC5600,其金屬層為濺鍍銀。
使用實施例1~4所製備的電磁屏蔽膜以及比較例1~2所述電磁屏蔽膜分別製備含電磁遮罩結構的電路板。將上述電路板分別進行遮罩效應測試、附著力測試、彎折測試、耐熱測試、耐酸性測試、耐鹼性測試以及耐醇性測試。其中,附著力測試為將上述電路板粘貼百格膠帶後撕下膠帶,觀察電路板上的屏蔽膜是否脫落。彎折測試為將上述電路板彎折180度10次後,觀察電路板上的屏蔽膜是否脫落。耐熱測試為測試上述電路板在測試溫度為320℃、10sec且測試循環3次,測試時間為30秒時,屏蔽膜不產生起泡、剝離等現象。耐酸性測試為將上述電路板進入品質濃度為10%HCl溶液中,觀察電路板上的屏蔽膜是否脫落。耐鹼性測試為將上述電路板進入品質濃度為10%NaOH溶液中,觀察電路板上的屏蔽膜是否脫落。耐醇性測試為將上述電路板進入品質濃度為95%乙醇溶液中,觀察電路板上的屏蔽膜是否脫落。測試結果請參照表1中的資料。
Figure 108103628-A0305-02-0011-1
Figure 108103628-A0305-02-0012-2
本發明提供的電磁屏蔽膜100包括依次疊設的絕緣基層10、導電金屬層30以及導電膠層40。相較於傳統的電磁遮罩層,該電磁屏蔽膜100通過在絕緣基層10上進行表面處理、成長晶種層、鍍金屬層,從而在絕緣基層10上直接形成一層薄的導電金屬層30,並在導電金屬層30上塗布導電膠層40,形成一三明治結構的電磁屏蔽膜100,其厚度為10~20微米。以化鍍或電鍍方式在絕緣基層10上進行導電金屬層30的製備,將導電金屬層30的成 本降低。而且晶種層20在絕緣基層10表面有高密著效果,導電金屬層30在鍍金屬時形成的氣孔可逸散水汽,實現防止層間吸濕的作用。
另外,以上所述,僅是本發明的較佳實施方式而已,並非對本發明任何形式上的限制,雖然本發明已將較佳實施方式揭露如上,但並非用以限定本發明,任何熟悉本專業的技術人員,在不脫離本發明技術方案範圍內,當可利用上述揭示的技術內容做出些許更動或修飾為等同變化的等效實施方式,但凡是未脫離本發明技術方案內容,依據本發明的技術實質對以上實施方式所做的任何簡單修改、等同變化與修飾,均仍屬於本發明技術方案的範圍內。
100:電磁屏蔽膜
10:絕緣基層
20:晶種層
30:導電金屬層
40:導電膠層
90:承載膜

Claims (10)

  1. 一種電磁屏蔽膜的製作方法,其包括以下步驟:提供一承載膜,並在其上塗布絕緣油墨形成一絕緣基層;對所述絕緣基層進行表面改性處理,形成複數羧基;加入金屬離子鹽溶液對所述絕緣基層的表面進行陽離子交換;加入還原劑將所述絕緣基層表面的陽離子還原,並在所述絕緣基層的表面形成一晶種層;在所述晶種層上形成一導電金屬層;及在所述導電金屬層上形成一導電膠層,從而得到所述電磁屏蔽膜。
  2. 如請求項1所述之電磁屏蔽膜的製作方法,其中:所述金屬離子鹽溶液的金屬離子選自銅、鎳、鈀、鉻、銀、鉑、鈷中的一種。
  3. 如請求項1所述之電磁屏蔽膜的製作方法,其中:所述晶種層在通過所述絕緣基層表面改性處理,離子交換並還原後形成於所述絕緣基層表面上。
  4. 如請求項1所述之電磁屏蔽膜的製作方法,其中:所述導電膠層通過在所述導電金屬層上塗布導電膠,然後進行加熱使其固化而形成。
  5. 如請求項1所述之電磁屏蔽膜的製作方法,其中:所述晶種層上形成有氣孔,所述導電金屬層形成於所述晶種層表面且其上形成有氣孔。
  6. 一種電磁屏蔽膜,包括依次疊設的一承載膜、一絕緣基層、一導電金屬層以及一導電膠層,其特徵在於,還包括一晶種層,所述晶種層鑲嵌於所述絕緣基層上,以使所述晶種層具有高密著力,所述晶種層上形成有氣孔。
  7. 如請求項6所述之電磁屏蔽膜,其中:所述晶種層的材質選自銅、鎳、鈀、鉻、銀、鉑、鈷中的一種。
  8. 如請求項6所述之電磁屏蔽膜,其中:所述導電金屬層形成於所述晶種層表面且其上形成有氣孔。
  9. 如請求項6所述之電磁屏蔽膜,其中:所述導電膠層通過塗布導電膠,然後進行加熱固化而形成,所述導電膠包括熱固性樹脂、柔韌樹脂、導電粉及硬化劑。
  10. 如請求項6所述之電磁屏蔽膜,其中:所述晶種層通過在所述絕緣基層表面改性處理,離子交換並還原後形成於所述絕緣基層表面上。
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