JP4799922B2 - 半導電性樹脂組成物および配線回路基板 - Google Patents

Description

本発明は、半導電性樹脂組成物および配線回路基板、詳しくは、電気機器や電子機器に装備される配線回路基板、および、その配線回路基板に半導電性層を形成するための半導電性樹脂組成物に関する。

フレキシブル配線回路基板や回路付サスペンション基板などの配線回路基板は、通常、ポリイミドからなるベース層と、そのベース層の上に形成された銅箔からなる導体回路と、ベース層の上および導体回路の上に形成されたポリイミドからなるカバー層とを備えており、電子部品を実装して、各種の電気機器や電子機器に搭載されている。この配線回路基板において、配線回路基板が帯電した場合には、実装された電子部品が静電破壊するという不具合がある。

そして、配線回路基板が帯電することを防止するために、ベース層やカバー層に、導電層によって覆われたシリカ粒子を分散させた静電気防止芳香族ポリイミドフィルムを適用することが提案されている。（例えば、特許文献１参照）。
特開平１０−７７４０６号公報

しかし、特許文献１に記載の静電気防止芳香族ポリイミドフィルムを、配線回路基板のベース層やカバー層に適用すると、静電気防止芳香族ポリイミドフィルムの表面からシリカ粒子が脱離して、その脱離したシリカ粒子が電子部品に損傷を与えるという不具合がある。
本発明の目的は、電子部品に損傷を与えることなく、帯電を防止することができるとともに、耐熱性などの樹脂特性を保持することのできる半導電性層を形成することのできる半導電性樹脂組成物、および、その半導電性樹脂組成物からなる半導電性層を備える配線回路基板を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の半導電性樹脂組成物は、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性ポリマー、感光剤および溶媒を含有していることを特徴としている。
また、本発明の半導電性樹脂組成物では、前記導電性ポリマーが、ポリアニリンであることが好適である。

また、本発明の配線回路基板は、導体層と、前記導体層に隣接する絶縁層と、前記絶縁層が開口されることにより露出される導体層からなる端子部と、上記した半導電性樹脂組成物からなり、前記絶縁層の表面に形成される半導電性層とを備えていることを特徴としている。
また、本発明の配線回路基板は、導体層と、前記導体層に隣接する樹脂層と、前記樹脂層が開口されることにより露出される導体層からなる端子部とを備える配線回路基板において、前記樹脂層が、上記した半導電性樹脂組成物からなる半導電性層であることを特徴としている。

また、本発明の配線回路基板は、金属支持層と、前記金属支持層の上に形成されるベース層と、前記ベース層の上に形成される導体層と、前記導体層の上に形成されるカバー層と、前記カバー層が開口されることにより露出される導体層からなる端子部とを備える配線回路基板において、前記ベース層および／または前記カバー層が、上記した半導電性樹脂組成物からなる半導電性層であることを特徴としている。

本発明の半導電性樹脂組成物から半導電性層を形成すれば、その形成された半導電性層は、導電性ポリマーが半導電性層から脱離しにくいので、電子部品に損傷を与えることを防止しながら、配線回路基板が帯電することを防止することができる。
また、本発明の配線回路基板では、樹脂層が半導電性樹脂組成物からなる半導電性層であるので、配線回路基板が帯電することを防止して、実装される電子部品の静電破壊を防止することができる。しかも、導電性ポリマーが半導電性層から脱離しにくいので、電子部品に損傷を与えることを防止することができる。さらに、耐熱性などの樹脂特性を保持することができる。

また、本発明の配線回路基板では、ベース層および／またはカバー層が半導電性樹脂組成物からなる半導電性層であるので、配線回路基板が帯電することを防止して、実装される電子部品の静電破壊を防止することができる。しかも、導電性ポリマーが半導電性層から脱離しにくいので、電子部品に損傷を与えることを防止することができる。さらに、耐熱性などの樹脂特性を保持することができる。

本発明の半導電性樹脂組成物は、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性ポリマーおよび溶媒を含有している。
本発明において、イミド樹脂としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミドなどが挙げられる。これらは、市販品として入手でき、そのような市販品として、ポリイミドとして、例えば、ＰＩ−１１３、ＰＩ−１１７、ＰＩ−２１３Ｂ（以上、丸善石油化学社製）、リカコート−２０（新日本理化社製）が挙げられる。また、ポリエーテルイミドとして、ウルテム１０００、ウルテムＸＨ６０５０（以上、日本イージープラスチック社製）が挙げられる。また、ポリアミドイミドとして、例えば、ＨＲ１６ＮＮ、ＨＲ１１ＮＮ（東洋紡績社製）が挙げられる。

また、イミド樹脂前駆体としては、例えば、ポリアミック酸が挙げられる。ポリアミック酸は、通常、有機テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを反応させることによって得ることができる。
有機テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、ピロメリット酸二無水物、３，３'，４，４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、３，３'，４，４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン酸二無水物などが挙げられる。また、これら有機テトラカルボン酸二無水物は、単独使用または２種以上併用することができる。

また、ジアミンとしては、例えば、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、３，４'−ジアミノジフェニルエーテル、４，４'−ジアミノジフェニルエーテル、４，４'−ジアミノジフェニルスルホン、３，３'−ジアミノジフェニルスルホン、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、２，４−ジアミノトルエン、２，６−ジアミノトルエン、ジアミノジフェニルメタン、４，４'−ジアミノ−２，２−ジメチルビフェニル、２，２−ビス（トリフルオロメチル）−４，４'−ジアミノビフェニルなどが挙げられる。また、これらジアミンは、単独使用または２種以上併用することができる。

そして、ポリアミック酸は、これら有機テトラカルボン酸二無水物およびジアミンを、実質的に等モル比となるような割合で、適宜の有機溶媒、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの非プロトン性極性溶媒中で、通常、０〜９０℃で１〜２４時間反応させることよって、ポリアミック酸の溶液として得ることができる。なお、ポリアミック酸の重量平均分子量は、例えば、５０００〜２０００００程度、好ましくは、１００００〜１０００００程度である。

本発明において、導電性ポリマーとしては、例えば、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、またはこれらの誘導体が挙げられる。好ましくは、ポリアニリンが挙げられる。また、これら導電性ポリマーは、単独使用または２種以上併用することができる。
また、導電性ポリマーは、好ましくは、還元体である。導電性ポリマーが酸化体であると、導電性ポリマーとポリアミック酸とを混合する場合に、ゲル化する傾向がある。なお、導電性ポリマーは、後述するように、半導電性樹脂組成物から半導電性層を形成した後、ドーピング剤によるドーピングによって、導電性が付与される。

また、本発明の半導電性樹脂組成物は、上記した導電性ポリマーの酸化を防止するために、好ましくは、還元剤や酸化防止剤を含有している。
還元剤としては、例えば、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ヒドラジン、フェニルヒドラジン、ヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジベンジルヒドロキシルアミン、ジメチルアミノプロピオニトリル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノプロパノール、ピペラジン、モルホリンなどが挙げられる。酸化防止剤としては、例えば、フェノール系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤などが挙げられる。また、これら還元剤および酸化防止剤は、単独使用または２種以上併用することができる。

本発明において、溶媒は、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性ポリマー、および、必要により、還元剤または酸化防止剤を溶解（分散）できれば、特に制限されないが、例えば、Ｎ−メチル−２ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの非プロトン性極性溶媒が挙げられる。また、これら溶媒は、単独使用または２種以上併用することができる。なお、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体として、ポリアミック酸が用いられる場合には、ポリアミック酸を溶解する反応溶媒を、そのまま半導電性樹脂組成物の溶媒として用いることができる。

そして、本発明の半導電性樹脂組成物は、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性ポリマー、必要により、還元剤または酸化防止剤、および、溶媒を配合することによって、調製することができる。
導電性ポリマーの配合割合は、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体１００重量部に対して、例えば、１〜３００重量部、好ましくは、５〜１００重量部である。導電性ポリマーの配合割合が、これより少ないと、導電性が十分でない場合がある。また、これより多いと、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体の良好な膜特性が損なわれる場合がある。また、還元剤または酸化防止剤の配合割合は、例えば、導電性ポリマー１００重量部に対して、０．１〜１０００重量部、好ましくは、１〜５００重量部である。還元剤または酸化防止剤の配合割合が、これより少ないと、パターンニングの精度が低下する場合がある。また、これより多いと、最終的な膜物性が低下する場合がある。

また、溶媒は、これらイミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性ポリマー、および、必要により、還元剤または酸化防止剤が、半導電性樹脂組成物に対して、１〜４０重量％（固形分濃度）、好ましくは、５〜３０重量％（固形分濃度）となるように、配合する。固形分濃度がこれより少なくても多くても、目的の膜厚に制御することが困難となる場合がある。

また、半導電性樹脂組成物の調製は、特に制限されず、例えば、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性ポリマー、および、必要により、還元剤または酸化防止剤を、溶媒に配合して、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性ポリマー、および、必要により、還元剤または酸化防止剤が溶媒に対して均一に溶解（分散）するまで、攪拌混合する。また、予めイミド樹脂またはイミド樹脂前駆体を溶媒に溶解（分散）した樹脂溶液と、予め導電性ポリマー、および、必要により、還元剤または酸化防止剤を溶媒に溶解させた導電性ポリマー溶液とを、混合することもできる。これによって、溶媒中において、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性ポリマー、および、必要により、還元剤または酸化防止剤が溶解（分散）される半導電性樹脂組成物が調製される。

このようにして得られた半導電性樹脂組成物では、塗布および乾燥し、必要により硬化させれば、半導電性層を形成することができる。
そして、半導電性層をドーピング剤を溶解した溶液（溶媒としては、例えば、水、メタノールなど）に浸漬することによって、導電性ポリマーに導電性を付与することができる。

ドーピング剤としては、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ノボラック樹脂、ｐ−フェノールスルホン酸ノボラック樹脂などが挙げられる。また、これらドーピング剤は、単独使用または２種以上併用することができる。
また、導電性ポリマー溶液にドーピング剤を直接溶解させることによって、導電性ポリマーに導電性を付与することもできる。

そして、上記のように形成された半導電性層は、半導電性層の全体にわたって均一に導電性ポリマーを含有しているので、静電気の帯電を有効に除去することができる。
また、この半導電性層では、導電性ポリマーが半導電性層から脱離しにくいので、電子部品に損傷を与えることを防止することができる。さらに、耐熱性などの樹脂特性を保持することができる。

また、本発明の半導電性樹脂組成物には、さらに、感光剤を含有させる。感光剤としては、例えば、４−ｏ−ニトロフェニル−３，５−ジメトキシカルボニル−２，６−ジメチル−１，４−ジヒドロピリジン（ニフェジピン）、４−ｏ−ニトロフェニル−３，５−ジメトキシカルボニル−２，６−ジメチル−１−メチル−４−ヒドロピリジン（Ｎ−メチル体）、４−ｏ−ニトロフェニル−３，５−ジアセチル−１，４−ジヒドロピリジン（アセチル体）などのジヒドロピリジン誘導体が挙げられる。また、これら感光剤は、単独使用または２種以上併用することができる。なお、感光剤は、例えば、ポリエチレングリコールなどの溶媒に溶解して、溶液として調製することもできる。

感光剤は、上記したイミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性ポリマー、および、必要により、還元剤または酸化防止剤とともに、溶媒に配合する。感光剤の配合割合は、例えば、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体１００重量部に対して、例えば、０．１〜１００重量部、好ましくは、０．５〜７５重量部である。感光剤のイミド樹脂またはイミド樹脂前駆体に対する配合割合が、これより少なくても多くても、露光部と未露光部との適切な溶解速度差が得られず、パターンニングが困難な場合がある。なお、感光剤が配合される場合でも、溶媒は、これらイミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性ポリマー、必要により、還元剤または酸化防止剤、および、感光剤が、半導電性樹脂組成物に対して、１〜４０重量％（固形分濃度）、好ましくは、５〜３０重量％（固形分濃度）となるように、配合する。

なお、本発明の半導電性樹脂組成物は、感光剤を配合するので、上記したイミド樹脂またはイミド樹脂前駆体として、好ましくは、イミド樹脂前駆体が用いられる。
このようにして得られた、感光剤が含有された本発明の半導電性樹脂組成物（以下、感光性半導電性樹脂組成物という。）には、感光剤が含有されているので、塗布および乾燥した後に、露光および現像し、必要により硬化させれば、半導電性層１０を所望のパターンで形成することができる。

次に、上記した半導電性樹脂組成物からなる半導電性層を、カバー層の表面に備える配線回路基板について説明する。
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す概略平面図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の長手方向に沿う部分断面図である。

図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブに搭載され、磁気ヘッド（図示せず）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ディスクとの間で相対的に走行させるときの空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小間隔を保持しながら支持する金属支持層としての金属支持基板２に、磁気ヘッドとリード・ライト基板とを接続するための導体層としての導体パターン４が一体的に形成されている。

なお、図１では、金属支持基板２に対する導体パターン４の相対配置を明確に示すために、後述するベース層３、カバー層５および半導電性層１０を省略して示している。
導体パターン４は、磁気ヘッド側接続端子部６Ａと、外部側接続端子部６Ｂと、これら磁気ヘッド側接続端子部６Ａおよび外部側接続端子部６Ｂを接続するための配線７とを、一体的に連続して備えている。

配線７は、金属支持基板２の長手方向に沿って複数設けられ、幅方向（長手方向に直交する方向）において互いに間隔を隔てて並列配置されている。
磁気ヘッド側接続端子部６Ａは、金属支持基板２の先端部に配置され、各配線７の先端部がそれぞれ接続されるように、複数設けられている。この磁気ヘッド側接続端子部６Ａには、磁気ヘッドの端子部が接続される。

外部側接続端子部６Ｂは、金属支持基板２の後端部に配置され、各配線７の後端部がそれぞれ接続されるように、複数設けられている。この外部側接続端子部６Ｂには、リード・ライト基板の端子部（図示せず）が接続される。
また、金属支持基板２の先端部には、磁気ヘッドを実装するためのジンバル８が設けられている。ジンバル８は、磁気ヘッド側接続端子部６Ａを長手方向において挟むように、金属支持基板２を切り抜くことによって形成されている。

この回路付サスペンション基板１は、図２に示すように、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成されたベース層３と、ベース層３の上に形成された導体パターン４と、導体パターン４を被覆するように、ベース層３の上に形成された絶縁層としてのカバー層５とを備えている。
また、カバー層５には、磁気ヘッド側接続端子部６Ａまたは外部側接続端子部６Ｂが配置される部分に対応して、厚さ方向を貫通する開口部９が形成されており、この開口部９から露出する導体パターン４が、磁気ヘッド側接続端子部６Ａまたは外部側接続端子部６Ｂ（以下、総称して端子部６とする。）として設けられている。なお、図２では、磁気ヘッド側接続端子部６Ａおよび外部側接続端子部６Ｂのいずれか一方のみが示されている。

そして、カバー層５の表面には、半導電性層１０が形成されている。
半導電性層１０は、上記したカバー層５の上面のみに形成され、側面には形成されていない。また、半導電性層１０は、カバー層５の上面に加え、端子部６を囲むカバー層５の内周側面および端子部６の周縁部にも形成されている。
図３は、図２に示す回路付サスペンション基板において、半導電性樹脂組成物から半導電性層を形成する工程を示す、工程図である。次に、図３を参照して、回路付サスペンション基板１に半導電性層１０を形成する方法を説明する。

この方法では、まず、図３（ａ）に示すように、半導電性層１０を形成するための回路付サスペンション基板１を用意する。この回路付サスペンション基板１は、半導電性層１０が形成される以前の回路付サスペンション基板１であって、上記したように金属支持基板２と、金属支持基板２の上にパターンとして形成されたベース層３と、ベース層３の上に形成された導体パターン４と、導体パターン４を被覆するように、ベース層３の上にパターンとして形成されたカバー層５とを備えている。

金属支持基板２は、例えば、ステンレス箔、４２アロイ箔、アルミニウム箔、銅−ベリリウム箔、りん青銅箔などの金属箔からなる。金属支持基板２の厚みは、例えば、５〜１００μｍである。
ベース層３は、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂から形成される。好ましくは、ポリイミドからなる。ベース層３の厚みは、例えば、５〜５０μｍである。

導体パターン４は、例えば、銅箔、ニッケル箔、金箔、はんだ箔またはこれらの合金箔などの導体箔からなり、上記した端子部６および配線７が一体的に形成される配線回路パターンとして形成されている。この導体パターン４は、サブトラクティブ法やアディティブ法などの公知のパターンニング法（後述）により形成されている。導体パターン４の厚みは、例えば、３〜５０μｍである。

カバー層５は、ベース層３と同様の合成樹脂からなり、その厚みは、例えば、３〜５０μｍである。
そして、この回路付サスペンション基板１には、上記した端子部６が、カバー層５を開口させて、導体パターン４を露出させることによって、その導体パターン４の露出部分として形成されている。

そして、この方法では、図３（ｂ）に示すように、端子部６の表面を含むカバー層５の表面、および、ベース層３およびカバー層５から露出する金属支持基板２の表面に、半導電性層１０を形成する。半導電性層１０を形成するには、まず、上記した半導電性樹脂組成物を、端子部６の表面を含むカバー層５の表面、および、ベース層３およびカバー層５から露出する金属支持基板２の表面に均一に塗布する。半導電性樹脂組成物の塗布は、特に制限されず、例えば、ロールコート法、グラビアコート法、スピンコート法、バーコート法など公知の塗布方法が用いられる。次いで、塗布された半導電性樹脂組成物を乾燥する。半導電性樹脂組成物の乾燥は、溶媒の種類によって適宜決定されるが、例えば、６０〜２５０℃、好ましくは、８０〜２００℃で、例えば、１〜３０分間、好ましくは、３〜１５分間加熱する。乾燥時間が、これより短いと、溶媒の除去が不十分となり、半導電性層１０の表面抵抗値が大きく変化する場合がある。また、これより長いと、生産効率が低下する場合がある。

なお、半導電性樹脂組成物が、イミド樹脂前駆体を含有する場合には、乾燥後、そのイミド樹脂前駆体を、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。
半導電性層１０の厚みは、例えば、０．５〜５μｍ、好ましくは、０．５〜２μｍである。半導電性層１０の厚みが、これより薄いと、均一な層が得られない場合があり、これより厚いと、乾燥が不十分となり、かつ、コストの上昇を生じる場合がある。

また、半導電性層１０の表面抵抗値は、例えば、１０⁵〜１０¹²Ω／□、好ましくは、１０⁶〜１０¹¹Ω／□である。半導電性層１０の表面抵抗値が、これより低いと、実装された電子部品（磁気ヘッドやリード・ライト基板の端子部、以下同様。）の誤動作を生じる場合があり、また、これより大きいと、静電気の帯電を有効に除去できない場合がある。

なお、半導電性層１０の表面抵抗値は、例えば、ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＰＥＴＲＯＣＨＥＭＩＣＡＬ社製のＨｉｒｅｓｔａ ＩＰ ＭＣＰ−ＨＴ２６０（プローブ：ＨＲＳ）を用いて測定することができる。
次いで、この方法では、図３（ｃ）に示すように、端子部６（周縁部を除く）、および、ベース層３およびカバー層５から露出する金属支持基板２（金属支持基板２に隣接するカバー層５およびベース層３の側面を含む）を除く半導電性層１０の表面を、エッチングレジスト１１で被覆する。エッチングレジスト１１は、例えば、ドライフィルムフォトレジストを半導電性層１０の表面に積層し、露光および現像する公知の方法により形成する。

その後、この方法では、図３（ｄ）に示すように、エッチングレジスト１１から露出する半導電性層１０をエッチングにより除去する。エッチングは、例えば、エッチング液として水酸化カリウム水溶液などのアルカリ水溶液を用いて、浸漬法またはスプレー法によって、ウエットエッチングする。
そして、この方法では、図３（ｅ）に示すように、エッチングレジスト１１を、エッチングまたは剥離により除去する。

これによって、半導電性層１０は、カバー層５の表面に形成される（但し、端子部６を囲むカバー層５の内周側面および端子部６の周縁部には、半導電性層１０が形成されている。また、カバー層５の側面には、半導電性層１０が形成されていない。）。
なお、半導電性層１０を形成した後に導電性ポリマーをドーピングする場合には、上記したエッチングレジスト１１を除去した後に、上記した半導電性層１０が形成された回路付サスペンション基板１を、ドーピング剤を溶解した溶液に浸漬することによって、導電性ポリマーに導電性を付与する。

その後、端子部６の表面には、必要に応じて、金やニッケルからなるめっき層が、電解めっきまたは無電解めっきにより形成される。
そして、この回路付サスペンション基板１は、その後、金属支持基板２を、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバル８を形成するとともに、外形加工することにより、形成される。

これによって、カバー層５の表面に半導電性層１０が形成された回路付サスペンション基板１を得ることができる。
図４は、図２に示す回路付サスペンション基板において、感光性半導電性樹脂組成物から半導電性層を形成する工程を示す、工程図である。次に、図４を参照して、感光性半導電性樹脂組成物を用いて、回路付サスペンション基板１に半導電性層１０を所望のパターンで形成する方法を説明する。

この方法では、まず、上記と同様に、図４（ａ）に示すように、回路付サスペンション基板１を用意する。
次いで、この方法では、図４（ｂ）に示すように、端子部６の表面を含むカバー層５の表面、および、ベース層３およびカバー層５から露出する金属支持基板２の表面に、感光性半導電性樹脂組成物からなる皮膜１２を形成する。皮膜１２を形成するには、まず、感光性半導電性樹脂組成物を、端子部６の表面を含むカバー層５の表面、および、ベース層３およびカバー層５から露出する金属支持基板２の表面に、上記と同様の方法により、均一に塗布する。次いで、塗布された感光性半導電性樹脂組成物を、上記と同様に、乾燥する。

その後、この方法では、図４（ｃ）に示すように、皮膜１２を、フォトマスク１３を介して露光する。フォトマスク１３は、光を透過しない遮光部分１３ａと、光を透過する光透過部分１３ｂとを所望のパターンで備えており、ネガ画像でパターンニングする場合には、図４（ｃ）に示すように、半導電性層１０を形成しない部分（端子部６（周縁部を除く）、および、ベース層３およびカバー層５から露出する金属支持基板２（金属支持基板２に隣接するカバー層５およびベース層３の側面を含む）の表面）には、遮光部分１３ａが対向し、半導電性層１０を形成する部分（カバー層５の表面（上面））には、光透過部分１３ｂが対向するように、フォトマスク１３を配置して、露光する。

次いで、必要によりネガ画像を形成するための所定温度で加熱後、図４（ｄ）に示すように、半導電性層１０における遮光部分１３ａが対向していた未露光部分、すなわち、半導電性層１０における端子部６（周縁部を除く）、および、ベース層３およびカバー層５から露出する金属支持基板２（金属支持基板２に隣接するカバー層５およびベース層３の側面を含む）の表面に対応する部分を、現像により除去する。現像は、例えば、現像液としてアルカリ水溶液などを用いる、浸漬法またはスプレー法などが用いられる。これによって、皮膜１２が、カバー層５の表面（上面）に、所望のパターンで形成される。

なお、ポジ画像でパターンニングする場合には、図示しないが、上記した逆、すなわち端子部６（周縁部を除く）、および、ベース層３およびカバー層５から露出する金属支持基板２（金属支持基板２に隣接するカバー層５およびベース層３の側面を含む）の表面にフォトマスク１３の光透過部分１３ｂを対向させて露光した後、必要によりポジ画像を形成するための所定温度で加熱後、現像する。

その後、この方法では、図４（ｅ）に示すように、感光性半導電性樹脂組成物が、イミド樹脂前駆体を含有する場合には、そのイミド樹脂前駆体を、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。
これによって、上記と同様に、半導電性層１０が、カバー層５の表面に形成される（但し、端子部６を囲むカバー層５の内周側面および端子部６の周縁部には、半導電性層１０が形成されている。また、カバー層５の側面には、半導電性層１０が形成されていない。）。

そして、この回路付サスペンション基板１では、半導電性層１０は、優れた耐熱性を保持しつつ、導電性ポリマーが脱離しにくいので、実装する電子部品に損傷を与えることを防止しながら、静電気の帯電を有効に除去して、実装する電子部品の静電破壊を確実に防止することができる。
なお、半導電性層１０は、その目的および用途により、ベース層３に形成してもよく、また、ベース層３およびカバー層５の両方に形成してもよい。

また、半導電性層１０は、単一層で形成してもよく、また、多層で形成することもできる。半導電性層１０を多層で形成する場合には、カバー層５から離間するに従って、各半導電性層１０に含まれる導電性ポリマーの配合割合が少なくなるように、各半導電性層１０を形成する。
また、本発明の配線回路基板は、図５に示すように、カバー層５の表面に半導電性層１０を形成せずに、ベース層３および／またはカバー層５を、直接、半導電性層から形成することにより、形成することもできる。

すなわち、この回路付サスペンション基板１は、金属支持基板２と、金属支持基板２の上にパターンとして形成されたベース層３と、ベース層３の上に形成された導体パターン４と、導体パターン４を被覆するように、ベース層３の上にパターンとして形成されたカバー層５とを備えている。また、カバー層５には、開口部９が形成されており、その開口部９から露出する導体パターン４が、端子部６として設けられている。そして、この回路付サスペンション基板１では、ベース層３および／またはカバー層５が、半導電性樹脂組成物からなる半導電性層から形成されている。

次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図６を参照して説明する。
この方法では、図６（ａ）に示すように、まず、金属支持基板２を用意する。金属支持基板２としては、例えば、上記と同様の金属箔が用いられ、好ましくは、ステンレス箔が用いられる。また、その厚みは、例えば、１５〜３０μｍ、好ましくは、２０〜２５μｍである。

次に、この方法では、図６（ｂ）に示すように、金属支持基板２の上に、ベース層３を、導体パターン４を積層可能な所望のパターンとして、形成する。
ベース層３は、半導電性層または樹脂層から形成する。すなわち、カバー層５を半導電性層から形成しない場合には、必ず半導電性層から形成し、カバー層５を半導電性層から形成する場合には、その目的および用途により、半導電性層または樹脂層から適宜選択して形成する。

ベース層３を半導電性層から形成する場合には、例えば、まず、図７（ａ）に示すように、上記と同様の半導電性樹脂組成物を、金属支持基板２の表面に均一に塗布し、乾燥後、必要により加熱硬化させて、半導電性層からなるベース層３を形成する。
また、この半導電性層の表面抵抗値は、例えば、１０⁵〜１０¹²Ω／□、好ましくは、１０⁶〜１０¹¹Ω／□である。半導電性層の表面抵抗値が、これより小さいと、実装された電子部品の誤動作を生じる場合があり、また、これより大きいと、静電気の帯電を有効に除去できない場合がある。

次いで、上記のようにして形成されたベース層３を、所望のパターンに形成するには、図７（ｂ）に示すように、ベース層３の表面を、所望のパターンに対応してエッチングレジスト１１で被覆し、図７（ｃ）に示すように、エッチングレジスト１１から露出するベース層３をエッチングにより除去した後、図７（ｄ）に示すように、エッチングレジスト１１を、エッチングまたは剥離により除去する。

エッチングレジスト１１は、例えば、ドライフィルムフォトレジストをベース層３の表面に積層し、露光および現像する公知の方法により形成する。
ベース層３のエッチングは、例えば、エッチング液として水酸化カリウム水溶液などのアルカリ現像液を用いて、浸漬法またはスプレー法によって、ウエットエッチングする。
これによって、金属支持基板２の上に、半導電性層からなるベース層３が、導体パターン４を積層可能な所望のパターンとして形成される。

また、上記した感光性半導電性樹脂組成物を用いれば、ベース層３をエッチングせずとも、ベース層３を所望のパターンとして形成することができる。
感光性半導電性樹脂組成物から、所望のパターンでベース層３を形成するには、図８（ａ）に示すように、まず、感光性半導電性樹脂組成物を、金属支持基板２の表面に、上記と同様の方法により、均一に塗布し、次いで、塗布された感光性半導電性樹脂組成物を、上記と同様に、乾燥して、ベース皮膜１４を形成する。

その後、この方法では、図８（ｂ）に示すように、ベース皮膜１４を、フォトマスク１３を介して露光する。ネガ画像でパターンニングする場合には、図８（ｂ）に示すように、ベース層を形成しない部分には、遮光部分１３ａが対向し、ベース層を形成する部分には、光透過部分１３ｂが対向するように、フォトマスク１３を配置して、露光する。

次いで、必要によりネガ画像を形成するために所定温度で加熱後、図８（ｃ）に示すように、ベース皮膜１４における遮光部分１３ａが対向していた未露光部分を、現像により除去する。現像は、例えば、現像液としてアルカリ現像液などを用いて、浸漬法またはスプレー法などが用いられる。これによって、ベース皮膜１４が、所望のパターンに形成される。

なお、ポジ画像でパターンニングする場合には、図示しないが、上記した逆、すなわち、ベース層３を形成しない部分には、光透過部分１３ｂが対向し、それ以外のベース層３を形成する部分には、遮光部分１３ａが対向するように、フォトマスク１３を配置して、露光した後、必要によりポジ画像を形成するために所定温度で加熱後、現像する。
その後、図８（ｄ）に示すように、感光性半導電性樹脂組成物が、イミド樹脂前駆体を含有する場合には、ベース皮膜１４を、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させて、ベース層３を形成する。

これによって、上記と同様に、ベース層３が、所望のパターンとして形成される。
また、ベース層３を樹脂層から形成する場合には、公知の方法に準拠すればよく、例えば、まず、図７（ａ）に示すように、ポリイミド（上記したイミド樹脂前駆体を含む。）、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂のワニスを調製して、そのワニスを、例えば、ロールコート法、グラビアコート法、スピンコート法、バーコート法など公知の塗布方法により、金属支持基板２の表面に均一に塗布し、乾燥後、必要により加熱硬化させて、樹脂層からなるベース層３を形成する。

そして、上記と同様の方法により、図７（ｂ）に示すように、ベース層３の表面を、所望のパターンに対応してエッチングレジスト１１で被覆し、図７（ｃ）に示すように、エッチングレジスト１１から露出するベース層３をエッチングにより除去した後、図７（ｄ）に示すように、エッチングレジスト１１を、エッチングまたは剥離により除去する。
これによって、金属支持基板２の上に、樹脂層からなるベース層３が、導体パターン４を積層可能な所望のパターンとして形成される。

また、上記したワニスに、感光剤を含有させれば、ベース層３をエッチングせずとも、ベース層３を所望のパターンとして形成することができる。なお、感光剤としては、上記と同様の感光剤が挙げられる。
例えば、感光剤を含むポリイミド前駆体（以下、感光性ポリアミック酸樹脂という。）のワニスを用いる場合には、図８（ａ）に示すように、まず、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、金属支持基板２の表面に、上記と同様の方法により、均一に塗布し、次いで、塗布されたワニスを、上記と同様に、乾燥して、ベース皮膜１４を形成する。

次いで、図８（ｂ）に示すように、上記と同様の方法により、ベース皮膜１４を、フォトマスク１３を介して露光した後、必要により所定温度で加熱後、図８（ｃ）に示すように、上記と同様の方法により、現像により除去する。
その後、図８（ｄ）に示すように、ベース皮膜１４を、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させて、ベース層３を形成する。

これによって、上記と同様に、ベース層３が、所望のパターンとして形成される。
また、このようにして形成されるベース層３の厚みは、例えば、５〜２０μｍ、好ましくは、８〜１５μｍである。
次いで、この方法では、図６（ｃ）に示すように、ベース層３の上に、導体パターン４を形成する。導体パターン４は、例えば、上記と同様の導体箔からなり、好ましくは、銅箔からなる。また、導体パターン４を形成するには、ベース層３の表面に、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法などの公知のパターンニング法によって、導体パターン４を、上記した端子部６および配線７が一体的に形成される配線回路パターンとして形成する。

サブトラクティブ法では、まず、ベース層３の全面に、必要により接着剤層を介して導体を積層し、次いで、この導体の上に、配線回路パターンと同一パターンのエッチングレジストを形成し、このエッチングレジストをレジストとして、導体をエッチングして導体パターン４を形成し、その後に、エッチングレジストを除去する。
また、アディティブ法では、まず、ベース層３の全面に、導体薄膜からなる種膜を形成し、次いで、この種膜の表面に、配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する種膜の表面に、電解めっきにより、配線回路パターンとして導体パターン４を形成し、その後に、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の種膜を除去する。

このようにして形成される導体パターン４では、その厚みが、５〜２０μｍ、好ましくは、５〜１５μｍである。
次に、この方法では、図６（ｄ）に示すように、カバー層５を、ベース層３の上に、導体パターン４を被覆し、かつ、開口部９が形成される所望のパターンとして、形成する。
カバー層５は、半導電性層または樹脂層から形成する。すなわち、ベース層３を半導電性層から形成しない場合には、必ず半導電性層から形成し、ベース層３を半導電性層から形成する場合には、その目的および用途により、半導電性層または樹脂層から適宜選択して形成する。

カバー層５を半導電性層から形成する場合には、例えば、まず、図９（ａ）に示すように、上記した半導電性樹脂組成物を、導体パターン４を被覆するように、導体パターン４から露出するベース層３、および、ベース層３から露出する金属支持基板２の表面に、上記と同様の方法で、均一に塗布し、乾燥後、必要により加熱硬化させて、半導電性層からなるカバー層５を形成する。

この半導電性層の表面抵抗値は、上記と同様に、例えば、１０⁵〜１０¹²Ω／□、好ましくは、１０⁶〜１０¹¹Ω／□である。半導電性層の表面抵抗値が、これより小さいと、実装された電子部品の誤動作を生じる場合があり、また、これより大きいと、静電気の帯電を有効に除去できない場合がある。
そして、上記と同様の方法により、図９（ｂ）に示すように、カバー層５の表面を、所望のパターンに対応してエッチングレジスト１１で被覆し、図９（ｃ）に示すように、エッチングレジスト１１から露出するカバー層５をエッチングにより除去した後、図９（ｄ）に示すように、エッチングレジスト１１を、エッチングまたは剥離により除去する。

これによって、ベース層３の上に、半導電性層からなるカバー層５が、導体パターン４を被覆し、かつ、開口部９が形成される所望のパターンとして形成される。
また、上記と同様に、感光性半導電性樹脂組成物を用いれば、カバー層５をエッチングせずとも、カバー層５を所望のパターンとして形成することができる。
感光性半導電性樹脂組成物から、所望のパターンでカバー層５を形成するには、図１０（ａ）に示すように、まず、感光性半導電性樹脂組成物を、導体パターン４を被覆するように、導体パターン４から露出するベース層３、および、ベース層３から露出する金属支持基板２の表面に、上記と同様の方法により、均一に塗布し、次いで、塗布された感光性半導電性樹脂組成物を、上記と同様に、乾燥して、カバー皮膜１５を形成する。

次いで、図１０（ｂ）に示すように、カバー皮膜１５を、フォトマスク１３を介して露光する。例えば、ネガ画像でパターンニングする場合には、図１０（ｂ）に示すように、カバー層５を形成しない部分には、遮光部分１３ａが対向し、それ以外のカバー層５を形成する部分には、光透過部分１３ｂが対向するように、フォトマスク１３を配置して、露光する。

次いで、必要によりネガ画像を形成するために所定温度で加熱後、図１０（ｃ）に示すように、カバー皮膜１５における遮光部分１３ａが対向していた未露光部分を、上記と同様の方法で、現像により除去する。
なお、ポジ画像でパターンニングする場合には、図示しないが、上記した逆、すなわち、カバー層５を形成しない部分には、光透過部分１３ｂが対向し、それ以外のカバー層５を形成する部分には、遮光部分１３ａが対向するように、フォトマスク１３を配置して、露光した後、必要によりポジ画像を形成するために所定温度で加熱後、現像する。

その後、図１０（ｄ）に示すように、感光性半導電性樹脂組成物が、イミド樹脂前駆体を含有する場合には、カバー皮膜１５を、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させて、カバー層５を形成する。
これによって、上記と同様に、ベース層３の上に、半導電性層からなるカバー層５が、導体パターン４を被覆し、かつ、開口部９が形成される所望のパターンとして形成される（図６（ｄ））。

また、カバー層５を樹脂層から形成する場合には、公知の方法に準拠すればよく、例えば、まず、図９（ａ）に示すように、上記と同様の樹脂層を形成するための合成樹脂のワニスを調製して、そのワニスを、上記と同様の方法により、導体パターン４を被覆するように、導体パターン４から露出するベース層３、および、ベース層３から露出する金属支持基板２の表面に均一に塗布し、乾燥後、必要により加熱硬化させて、樹脂層からなるカバー層５を形成する。

そして、上記と同様の方法により、図９（ｂ）に示すように、カバー層５の表面を、所望のパターンに対応してエッチングレジスト１１で被覆し、図９（ｃ）に示すように、エッチングレジスト１１から露出するカバー層５をエッチングにより除去した後、図９（ｄ）に示すように、エッチングレジスト１１を、エッチングまたは剥離により除去する。
これによって、ベース層３の上に、樹脂層からなるカバー層５が、導体パターン４を被覆し、かつ、開口部９が形成される所望のパターンとして形成される（図６（ｄ）参照）。

また、上記したワニスに、感光剤を含有させれば、カバー層５をエッチングせずとも、カバー層５を所望のパターンとして形成することができる。なお、感光剤としては、上記と同様の感光剤が挙げられる。
例えば、感光剤を含むポリイミド前駆体（感光性ポリアミック酸樹脂）のワニスを用いる場合には、図１０（ａ）に示すように、まず、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、導体パターン４を被覆するように、導体パターン４から露出するベース層３、および、ベース層３から露出する金属支持基板２の表面に、上記と同様の方法により、均一に塗布し、次いで、塗布されたワニスを、上記と同様に、乾燥して、カバー皮膜１５を形成する。

次いで、図１０（ｂ）に示すように、上記と同様の方法により、カバー皮膜１５を、フォトマスク１３を介して露光した後、必要により所定温度で加熱後、図１０（ｃ）に示すように、上記と同様の方法により、現像により除去する。
その後、図１０（ｄ）に示すように、カバー皮膜１５を、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させて、カバー層５を形成する。

これによって、上記と同様に、カバー層５が、所望のパターンとして形成される（図６（ｄ））。
また、このようにして形成されるカバー層５の厚みは、例えば、２〜１０μｍ、好ましくは、３〜７μｍである。
そして、この回路付サスペンション基板１は、その後、金属支持基板２を、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバル８を形成するとともに、外形加工することにより、形成される。なお、端子部６の表面には、必要に応じて、金やニッケルからなるめっき層が、電解めっきまたは無電解めっきにより形成される。

そして、この回路付サスペンション基板１では、優れた耐熱性を保持しつつ、導電性ポリマーが脱離しにくいので、実装する電子部品に損傷を与えることを防止しながら、静電気の帯電を有効に除去して、実装する電子部品の静電破壊を確実に防止することができる。しかも、この回路付サスペンション基板１では、ベース層３および／またはカバー層５が半導電性層であるため、カバー層５の表面に、さらに半導電性層１０を形成する必要がなく、製造コストの低減を図ることができる。

なお、上記の回路付サスペンション基板１では、ベース層３および／またはカバー層５の少なくともいずれか一方が、半導電性層であればよく、すなわち、上記した回路付サスペンション基板１は、ベース層３およびカバー層５がともに半導電性層である態様、ベース層３が半導電性層でありカバー層５が絶縁層である態様、ベース層３が絶縁層でありカバー層５が半導電性層である態様の、３つの態様が含まれる。この回路付サスペンション基板１では、これらのうち、少なくともカバー層５が半導電性層である態様が好適である。

また、上記の説明では、本発明の配線回路基板を、回路付サスペンション基板１を例示して説明したが、本発明の配線回路基板には、片面フレキシブル配線回路基板、両面フレキシブル配線回路基板、さらには、多層フレキシブル配線回路基板などが含まれる。
例えば、図１１に示す片面フレキシブル配線回路基板２１では、ベース層３、導体パターン４およびカバー層５が順次積層されており、カバー層５が開口されることにより、導体パターン４の露出部分が端子部６として形成されている。そして、半導電性層１０が、端子部６の表面を除くカバー層５の表面に形成されている（但し、端子部６を囲むカバー層５の内周側面および端子部６の周縁部には、半導電性層１０が形成されている。また、カバー層５の側面には、半導電性層１０が形成されていない。）。

また、例えば、図１２に示す片面フレキシブル配線回路基板３１では、ベース層３、導体パターン４およびカバー層５が順次積層されており、カバー層５が開口されることにより、導体パターン４の露出部分として端子部６が形成されている。そして、この片面フレキシブル配線回路基板３１では、ベース層３およびカバー層５の少なくともいずれか一方が、半導電性層から形成されている。

以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されることはない。
合成例１（ポリアミック酸樹脂の合成）
撹拌機および温度計を備えた１Ｌのセパラブルフラスコに、ｐ−フェニレンジアミン２７．６ｇ（０．２５ｍｏｌ）と４，４’−ジアミノジフェニルエーテル９．０ｇ（０．０５ｍｏｌ）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）７６７ｇを添加して攪拌し、ｐ−フェニレンジアミンと４，４’−ジアミノジフェニルエーテルを溶解させた。

これに、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物８８．３ｇ（０．３ｍｏｌ）を徐々に添加し、３０℃以下の温度で２時間攪拌を続け、濃度１４重量％のポリアミック酸樹脂の溶液を得た。なお、この溶液の３０℃での粘度は５００Ｐａ・ｓであった。
実施例１（カバー層の表面に半導電性層を備える回路付サスペンション基板）
ステンレス箔からなる金属支持基板の上に、ポリイミドからなるベース層、銅箔からなる導体パターン、ポリイミドからなるカバー層が、順次積層されてなる回路付サスペンション基板を用意した（図４（ａ）参照）。なお、カバー層には、開口部が形成されており、その開口部から露出する導体パターンの露出部分が端子部とされている。

別途、可溶性ポリアニリン（還元体）５ｇおよび還元剤としてフェニルヒドラジン１．５ｇをＮ―メチル―２―ピロリドン（ＮＭＰ）４５ｇに添加して撹拌し、ポリアニリンＮＭＰ溶液を調製した。
合成例１で得られたポリアミック酸樹脂の溶液１０ｇに、感光剤（ニフェジピン０．４２ｇとアセチル体０．２８ｇ）を添加して撹拌し、さらに、上記ポリアニリンＮＭＰ溶液２．８ｇを添加して攪拌し、ポリアニリンが均一に溶解した感光性半導電性樹脂組成物を得た。

この感光性半導電性樹脂組成物を、上記回路付サスペンション基板の、端子部の表面を含むカバー層の表面、および、カバー層およびベース層から露出する金属支持基板の表面に、スピンコーターを用いて均一に塗布し、９０℃で１０分間加熱することより、厚み７μｍの皮膜を形成した（図４（ｂ）参照）。
次いで、フォトマスクを介して、露光量７００ｍＪ／ｃｍ²にて、紫外線を露光し（図４（ｃ）参照）、１８０℃で１０分間露光後加熱した後、現像することにより、皮膜をネガ型画像でパターンニングした（図４（ｄ）参照）。

その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３６０℃で加熱して、イミド化して、カバー層の表面に半導電性層を形成した（図４（ｅ）参照）。
その後、この回路付サスペンション基板を、ｐ−フェノールスルホン酸ノボラック樹脂（ドーピング剤）の２５重量％水溶液に浸漬することによって、半導電性層のポリアニリンに導電性を付与した。

その後、金属支持基板を、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバルを形成するとともに、外形加工することにより、半導電性層が、カバー層の表面に形成された回路付サスペンション基板を得た。
なお、半導電性層の初期の表面抵抗値は５．０×１０¹⁰Ω／□であった。
実施例２（半導電性層からなるカバー層を備える回路付サスペンション基板）
厚み２０μｍのステンレス箔からなる金属支持基板を用意して（図６（ａ）参照）、その金属支持基板の上に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを均一に塗布し、次いで、塗布されたワニスを、９０℃で１５分加熱することにより、ベース皮膜を形成した（図８（ａ）参照）。

その後、そのベース皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ²で露光させ（図８（ｂ）参照）、１９０℃で１０分加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像した（図８（ｃ）参照）。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させることにより、絶縁層からなる厚み１０μｍのベース層を、所望のパターンで形成した（図８（ｄ）、図６（ｂ）参照）。

次いで、銅箔からなる厚み１０μｍの導体パターンを、アディティブ法により形成した（図６（ｃ）参照）。
別途、可溶性ポリアニリン（還元体）５ｇおよび還元剤としてＮ，Ｎ−ジベンジルヒドロキシルアミン４ｇをＮ―メチル―２―ピロリドン（ＮＭＰ）４５ｇに添加して撹拌し、さらに、ドーピング剤としてポリスチレンスルホン酸２．５ｇを添加して撹拌し、ポリアニリンＮＭＰ溶液を調製した。

次いで、合成例１で得られたポリアミック酸樹脂の溶液１０ｇに、感光剤（Ｎ−メチル体０．２４ｇおよびニフェジピン０．３５ｇ）を添加して撹拌し、さらに、上記ポリアニリンＮＭＰ溶液２．８ｇを添加して攪拌して、感光性半導電性樹脂組成物を得た。
次いで、上記した感光性半導電性樹脂組成物を、導体パターンを被覆するように、金属支持基板から露出するベース層およびベース層から露出する金属支持基板の表面に、スピンコーターを用いて均一に塗布し、９０℃で１０分加熱することにより、厚み７μｍのカバー皮膜を形成した（図１０（ａ）参照）。

その後、そのカバー皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ²で露光させ（図１０（ｂ）参照）、１８０℃で１０分加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、カバー皮膜をネガ画像でパターンニングした（図１０（ｃ）参照）。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３２０℃で硬化させることにより、半導電性層からなるカバー層を、開口部が形成される所望のパターンで形成した（図１０（ｄ）、図６（ｄ）参照）。

その後、化学エッチングにより、金属支持基板を、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバルを形成するとともに、外形加工することにより、ベース層が絶縁層からなり、カバー層が半導電性層からなる、回路付サスペンション基板を得た。
なお、半導電性層の初期の表面抵抗値は２．０×１０¹¹Ω／□であった。

本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す概略平面図である。 図１に示す回路付サスペンション基板（カバー層の表面に半導電性層を備える形態）の長手方向に沿う部分断面図である。 図２に示す回路付サスペンション基板において、半導電性樹脂組成物から半導電性層を形成する工程を示す、工程図であって、（ａ）は、回路付サスペンション基板を用意する工程、（ｂ）は、端子部の表面を含むカバー層の表面、および、ベース層およびカバー層から露出する金属支持基板の表面に、半導電性層を形成する工程、（ｃ）は、カバー層の表面を、エッチングレジストで被覆する工程、（ｄ）は、エッチングレジストから露出する半導電性層を除去する工程、（ｅ）は、エッチングレジストを除去する工程を示す。 図２に示す回路付サスペンション基板において、感光性半導電性樹脂組成物から半導電性層を形成する工程を示す、工程図であって、（ａ）は、回路付サスペンション基板を用意する工程、（ｂ）は、端子部の表面を含むカバー層の表面、および、ベース層およびカバー層から露出する金属支持基板の表面に、皮膜を形成する工程、（ｃ）は、皮膜を、フォトマスクを介して露光する工程、（ｄ）は、皮膜の未露光部分を、現像により除去する工程、（ｅ）は、皮膜を硬化（イミド化）させる工程を示す。 本発明の配線回路基板の他の実施形態である回路付サスペンション基板（半導電性層からなるカバー層を備える形態）の長手方向に沿う部分断面図である。 図５に示す回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための工程図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、金属支持基板の上にベース層を所望のパターンとして形成する工程、（ｃ）は、ベース層の上に導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、ベース層の上にカバー層を所望のパターンとして形成する工程を示す。 図６に示す回路付サスペンション基板の製造方法において、（ｂ）金属支持基板の上にベース層を所望のパターンとして形成する工程、を説明するための工程図であって、（ａ）は、金属支持基板の表面にベース層を形成する工程、（ｂ）は、ベース層の表面をエッチングレジストで被覆する工程、（ｃ）は、エッチングレジストから露出するベース層をエッチングする工程、（ｄ）は、エッチングレジストを除去する工程を示す。 図６に示す回路付サスペンション基板の製造方法において、（ｂ）金属支持基板の上にベース層を所望のパターンとして形成する工程、を説明するための他の工程図であって、（ａ）は、金属支持基板の表面にベース皮膜を形成する工程、（ｂ）は、ベース皮膜をフォトマスクを介して露光する工程、（ｃ）は、ベース皮膜の未露光部分を現像により除去する工程、（ｄ）は、ベース皮膜を硬化させてベース層を形成する工程を示す。 図６に示す回路付サスペンション基板の製造方法において、（ｄ）ベース層の上にカバー層を所望のパターンとして形成する工程、を説明するための工程図であって、（ａ）は、導体パターンから露出するベース層、および、ベース層から露出する金属支持基板の表面にカバー層を形成する工程、（ｂ）は、カバー層の表面をエッチングレジストで被覆する工程、（ｃ）は、エッチングレジストから露出するカバー層をエッチングする工程、（ｄ）は、エッチングレジストを除去する工程を示す。 図６に示す回路付サスペンション基板の製造方法において、（ｄ）ベース層の上にカバー層を所望のパターンとして形成する工程、を説明するための他の工程図であって、（ａ）は、導体パターンから露出するベース層、および、ベース層から露出する金属支持基板の表面にカバー皮膜を形成する工程、（ｂ）は、カバー皮膜をフォトマスクを介して露光する工程、（ｃ）は、カバー皮膜の未露光部分を現像により除去する工程、（ｄ）は、カバー皮膜を硬化させてカバー層を形成する工程を示す。 本発明の配線回路基板の他の実施形態である片面フレキシブル配線回路基板（カバー層の表面に半導電性層を備える形態）を示す断面図である。 本発明の配線回路基板の他の実施形態である片面フレキシブル配線回路基板（半導電性層からなるカバー層を備える形態）を示す断面図である。

符号の説明

１ 回路付サスペンション基板
２ 金属支持基板
３ ベース層
４ 導体パターン
５ カバー層
６ 端子部
１０ 半導電性層
２１、３１ 片面フレキシブル配線回路基板

Claims (5)

1. イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性ポリマー、感光剤および溶媒を含有していることを特徴とする、半導電性樹脂組成物。
2. 前記導電性ポリマーが、ポリアニリンであることを特徴とする、請求項１に記載の半導電性樹脂組成物。
3. 導体層と、前記導体層に隣接する絶縁層と、前記絶縁層が開口されることにより露出される導体層からなる端子部と、請求項１または２に記載の半導電性樹脂組成物からなり、前記絶縁層の表面に形成される半導電性層とを備えていることを特徴とする、配線回路基板。
4. 導体層と、前記導体層に隣接する樹脂層と、前記樹脂層が開口されることにより露出される導体層からなる端子部とを備える配線回路基板において、
   前記樹脂層が、請求項１または２に記載の半導電性樹脂組成物からなる半導電性層であることを特徴とする、配線回路基板。
5. 金属支持層と、前記金属支持層の上に形成されるベース層と、前記ベース層の上に形成される導体層と、前記導体層の上に形成されるカバー層と、前記カバー層が開口されることにより露出される導体層からなる端子部とを備える配線回路基板において、
   前記ベース層および／または前記カバー層が、請求項１または２に記載の半導電性樹脂組成物からなる半導電性層であることを特徴とする、配線回路基板。

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