JPH11121888A

JPH11121888A - 回路基板、回路付きサスペンション基板及びそれらの製造方法

Info

Publication number: JPH11121888A
Application number: JP24841897A
Authority: JP
Inventors: Shunichi Hayashi; 林　　俊一; Hirofumi Fujii; 弘文藤井
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 1997-09-12
Filing date: 1997-09-12
Publication date: 1999-04-30

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】樹脂層に割れが生じたり、剥離したりせず、
更に、反りが生じないで、カバー・レイの密着性が良好
である回路基板。【解決手段】回路基板は、金属箔基材上にポリイミド
樹脂からなる絶縁層を有する回路基板において、ポリイ
ミド樹脂が、式のポリアミド酸と式のポリアミド酸から
成るポリアミド酸混合物あるいは式のポリアミド酸と式
のポリアミド酸から成るポリアミド酸混合物を加熱して
得られるポリイミド樹脂である。回路付きサスペンショ
ン基板は、このような回路基板上に導体層から成る所要
の回路をパターニング技術によって形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板、回路付
きサスペンション基板及びそれらの製造方法に関し、詳
しくは、金属基材上にポリイミド樹脂から成る絶縁層を
有する回路基板、そのような回路基板上に導体層から成
るパターン回路を設けた回路付きサスペンション基板、
それらの製造方法に関する。

【０００２】例えば、コンピュータ等の外部記憶装置と
して用いられるハードディスク装置等の磁気ディスク装
置において、磁気記録や再生を行うには、上記磁気ディ
スクと磁気ヘッドを相対的に走行させ、これによって生
じる空気流に抗して、磁気ヘッドを磁気ディスクに弾性
的に押し付けて、磁気ヘッドと磁気ディスクの間に一定
の微小な間隔（浮上量）を保つことが必要である。この
ように、磁気ヘッドを空気流に抗して磁気ヘッドを磁気
ディスクに弾性的に押し付ける磁気ヘッド支持装置がサ
スペンションである。本発明は、そのような回路付きサ
スペンション基板を製造するために好適に用いることが
できる回路基板、そのような回路基板上に導体層から成
る回路をパターニング技術によって形成して成る回路付
きサスペンション基板、及びそれらの製造方法に関す
る。

【０００３】

【従来の技術】近年、半導体の高密度実装や高速信号処
理を目的とした薄膜多層回路基板として、金属箔にポリ
イミド樹脂から成る絶縁層を設けて成る回路基板が用い
られるようになっている。しかし、従来、一般に、絶縁
材料として用いられているポリイミド樹脂は、熱線膨張
係数が種々の金属箔よりも大きいので、回路基板におい
て、樹脂層に割れが生じたり、樹脂層が剥離したりし、
また、反りが生じたりする。

【０００４】他方、コンピュータやその周辺機器である
記憶装置は、容量の向上の一方で小型化や低価格が求め
られており、このような要望を背景として、なかでも、
ハードディスクドライブの技術が著しい進歩をみせてい
る。磁気ヘッドにおいても、従来からのメタルインギャ
ップ（ＭＩＧ）に対して、最近では、コイル部分を薄膜
化した薄膜磁気ヘッド（ＴＦＨ）や、さらには、読み書
き兼用でかつ記憶容量も飛躍的に大きい薄膜−磁気抵抗
複合ヘッド（ＭＲ）の開発が急がれている。

【０００５】しかしながら、従来のように、所要の配線
をサスペンション基板上に導線を引き回して構成する技
術によっては、その導線がサスペンションの弾性率に影
響を与えて、前記浮上量の変動を招来し、場合によって
は、磁気ディスクとの接触によって、磁気ディスク装置
の耐久性を低下させることもある。

【０００６】そこで、近年、ヘッドを実装するサスペン
ション基板上に直接、導体層（電気回路）を形成して成
るサスペンションが実用化されるに至っている。しか
し、前述したように、従来、絶縁層としてポリイミド樹
脂が用いられている回路基板によれば、最終的に得られ
るサスペンションも、ポリイミド樹脂が金属箔基材より
も熱線膨張係数が大きいことに起因して、絶縁不良や反
りが生じて、性能不良を起こすことがある。さらに、従
来、知られているポリイミド樹脂は、ポリイミド樹脂
（絶縁層）と導体層間の接着性あるいはポリイミド樹脂
相互の接着性（以下、両者を含めて層間接着性という）
に劣り、例えば、サスペンションの製造において、カバ
ー・レイ（被覆層）を形成し難い問題もある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の金属
箔上にポリイミド樹脂から成る絶縁層を有する回路基板
や、それを用いる回路付きサスペンション基板における
上述したような問題を解決するためになされたものであ
って、ポリイミド樹脂の熱線膨張係数が種々の金属箔に
近接し、従って、樹脂層に割れが生じたり、樹脂層が剥
離したりせず、さらに、反りが生じないで、また、ポリ
イミド樹脂の層間接着性が良好である回路基板、それを
用いる回路付きサスペンション基板、及びそれらの製造
方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明による回路基板
は、金属基材上にポリイミド樹脂からなる絶縁層を有す
る回路基板において、上記ポリイミド樹脂が、下記式
（化２３）で表される構造単位を有するポリアミド酸と
下記式（化２４）で表される構造単位を有するポリアミ
ド酸から成るポリアミド酸混合物あるいは下記式（化２
３）で表される構造単位を有するポリアミド酸と下記式
（化２５）で表される構造単位を有するポリアミド酸か
ら成るポリアミド酸混合物を加熱して得られるポリイミ
ド樹脂であることを特徴とする。

【０００９】

【化２３】

【００１０】

【化２４】（式中、Ａｒ₁は２価の有機基である。）

【００１１】

【化２５】（式中、Ａｒ₂は４価の有機基であり、Ａｒ₃はシロキ
サン結合を含む２価の有機基である。）

【００１２】より詳細には、上記ポリイミド樹脂は、上
記式（化２３）で表される構造単位を有するポリアミド
酸と上記式（化２４）で表される構造単位を有するポリ
アミド酸から成るポリアミド酸混合物あるいは上記式
（化２３）で表される構造単位を有するポリアミド酸と
上記式（化２５）で表される構造単位を有するポリアミ
ド酸から成るポリアミド酸混合物を感光剤の存在下で加
熱して得られるポリイミド樹脂である。

【００１３】上記（化２４）で示される構造単位のＡｒ
₁は２価の有機基であり、具体的にはシロキサン結合を
含む２価の有機基、あるいは、ベンゼン、ジフェニルエ
ーテル、ジフェニルヘキサフルオロプロパン、ジフェニ
ルスルホン、ジフェノキシベンゼン、ジフェノキシフェ
ニルプロパン、ジフェノキシフェニルヘキサフルオロプ
ロパン、３，３’−ジトリフルオロメチルベンジジン等
の骨格を有する２価の芳香族炭化水素残基が挙げられる
が、特に、シロキサン結合を含む２価の有機基が好まし
い。

【００１４】上記（化２５）で示される構造単位のＡｒ
₂は４価の有機基であり、具体的にはジフェニルヘキサ
フルオロプロパン、ベンゼン、ビフェニル、ジフェニル
エーテル、ジフェニルスルホン、ベンゾフェノン等の骨
格を有する４価の芳香族炭化水素残基が挙げられるが、
特に、ジフェニルヘキサフルオロプロパンが好ましい。

【００１５】本発明による回路基板の製造方法は、金属
箔基材上に感光性ポリアミド酸混合物から成る被膜を形
成し、露光させ、露光後加熱し、現像し、この後、加熱
してイミド化させて、ポリイミド樹脂からなる絶縁層を
有する回路基板を製造する方法において、上記感光性ポ
リアミド酸混合物が、上記式（化２３）で表される構造
単位を有するポリアミド酸と上記式（化２４）で表され
る構造単位を有するポリアミド酸から成るポリアミド酸
混合物あるいは上記式（化２３）で表される構造単位を
有するポリアミド酸と上記式（化２５）で表される構造
単位を有するポリアミド酸から成るポリアミド酸混合物
に感光剤を配合して成ることを特徴とする。

【００１６】この方法によれば、金属箔基材上に感光性
ポリアミド酸混合物から成る被膜を所定のパターンに従
って露光させ、露光後加熱し、現像して、上記ポリアミ
ド酸混合物から成る所定のパターンを形成させ、これを
最終的に加熱してイミド化させることによって、パター
ン化したポリイミド樹脂から成る絶縁層を有する回路基
板を得ることができる。

【００１７】本発明による回路付きサスペンション基板
は、金属箔基材上にポリイミド樹脂から成る絶縁層を有
し、その上に導体層から成るパターン回路を有する回路
付きサスペンション基板において、上記ポリイミド樹脂
が、上記式（化２３）で表される構造単位を有するポリ
アミド酸と上記式（化２４）で表される構造単位を有す
るポリアミド酸から成るポリアミド酸混合物あるいは上
記式（化２３）で表される構造単位を有するポリアミド
酸と上記式（化２５）で表される構造単位を有するポリ
アミド酸から成るポリアミド酸混合物を加熱して得られ
るポリイミド樹脂であることを特徴とする。

【００１８】また、本発明による回路付きサスペンショ
ン基板の製造方法は、金属箔基材上に感光性ポリアミド
酸混合物から成る被膜を形成し、露光させ、露光後加熱
し、現像し、この後、加熱してイミド化させて、ポリイ
ミド樹脂からなる絶縁層を有する回路基板を形成し、次
いで、上記絶縁層の上に導体層から成るパターン回路を
形成する回路付きサスペンション基板の製造方法におい
て、上記感光性ポリアミド酸混合物が、上記式（化２
３）で表される構造単位を有するポリアミド酸と上記式
（化２４）で表される構造単位を有するポリアミド酸か
ら成るポリアミド酸混合物あるいは上記式（化２３）で
表される構造単位を有するポリアミド酸と上記式（化２
５）で表される構造単位を有するポリアミド酸から成る
ポリアミド酸混合物に感光剤を配合して成ることを特徴
とする。即ち、この方法は、所定のパターン化したポリ
イミド樹脂から成る絶縁層を有する前記回路基板を形成
し、次いで、上記絶縁層の上に導体層から成るパターン
を形成することによって、回路付きサスペンション基板
を得るものである。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明によれば、金属基材上にポ
リイミド樹脂からなる絶縁層を有する回路基板におい
て、上記ポリイミド樹脂は、上記式（化２３）で表され
る構造単位を有するポリアミド酸と上記式（化２４）で
表される構造単位を有するポリアミド酸から成るポリア
ミド酸混合物あるいは上記式（化２３）で表される構造
単位を有するポリアミド酸と上記式（化２５）で表され
る構造単位を有するポリアミド酸から成るポリアミド酸
混合物を加熱して得られるポリイミド樹脂である。

【００２０】本発明において、金属箔基材は、特に、限
定されるものではないが、通常、ステンレス箔、銅箔、
アルミニウム箔、銅−ベリリウム箔、リン青銅箔、４２
アロイ箔等が用いられる。更に、本発明によれば、この
ような金属箔基材は、長尺物が好ましく用いられる。即
ち、長尺の金属箔基材にポリイミド樹脂から成る絶縁層
を一定のパターンを繰り返すようにして設け、それぞれ
パターン化した絶縁層の上にそれぞれ導体層から成る所
要のパターン回路を形成し、かくして、最終的に個々の
パターン回路ごとに金属箔基材を裁断すれば、個々の回
路付きサスペンション基板を得ることができる。

【００２１】そこで、本発明によれば、回路基板は、好
ましくは、長尺の金属箔基材、通常、長尺のステンレス
箔上に感光性ポリアミド酸混合物の溶液を塗布し、乾燥
させて、被膜を形成した後、この被膜を所定のパターン
を有するマスクを介して、紫外線に露光させ、加熱（露
光後加熱）し、現像し、この後、加熱硬化（ポリアミド
酸のポリイミド化）を行って、ポリイミド樹脂から成る
所定のパターンを形成させて、これを絶縁層とすること
によって得ることができる。

【００２２】前記（化２３）で表される構造単位を有す
るポリアミド酸は、ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物とｐ−フェニレンジアミンとを実質的に等モル比にて
適宜の有機溶媒、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルスフホアミ
ド等の中で反応させること得ることができる。

【００２３】前記（化２４）で表される構造単位を有す
るポリアミド酸は、ジフェニルヘキサフルオロプロパン
と前記Ａｒ₁を分子内に有するジアミンとを実質的に等
モル比にて上記適宜の有機溶媒の中で反応させること得
ることができる。

【００２４】前記（化２５）で表される構造単位を有す
るポリアミド酸は、前記Ａｒ₂を分子内に有するテトラ
カルボン酸二無水物とシロキサン結合を分子内に有する
ジアミンとを実質的に等モル比にて上記適宜の有機溶媒
の中で反応させること得ることができる。

【００２５】前記ポリアミド酸混合物において、（化２
４）で表される構造単位を有するポリアミド酸及び（化
２５）で表される構造単位を有するポリアミドの混合割
合は、（化２３）で表される構造単位を有するポリアミ
ド酸に対して５〜３０重量％であることが好ましい。こ
の混合割合が少なすぎると、ポリアミド酸混合物から得
られるポリイミド樹脂の相互の接着性が低下し、多すぎ
ると、熱線膨張係数が大きくなるからである。本発明に
よるポリイミド樹脂の熱線膨張係数は、通常、１０〜２
０ｐｐｍの範囲にある。

【００２６】更に、本発明によるポリイミド樹脂は、層
間接着性にすぐれる。従って、回路付きサスペンション
基板の製造において、樹脂の層間剥離がなく、信頼性に
すぐれる製品を得ることができる。

【００２７】本発明において、感光剤としては、下記式
（化２６）で表されるジヒドロピリジン誘導体が用いら
れる。

【００２８】

【化２６】（式中Ｒ₁は水素または炭素数４以下の有機基、Ｒ₂お
よびＲ₅は水素または炭素数４以下の炭化水素基、Ｒ₃
およびＲ₄はアセチル基、メトキシカルボニル基、エト
キシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシ
カルボニル基のいずれかで、Ａｒ₄はオルソ位にニトロ
基を有する芳香族基である。）

【００２９】具体例としては、例えば、４−ｏ−ニトロ
フェニル−３，５−ジメトキシカルボニル−２，６−ジ
メチル−１，４−ジヒドロピリジン（以下、ニフェジピ
ンという。）、４−ｏ−ニトロフェニル−３，５−ジメ
トキシカルボニル−２，６−ジメチル−４−ヒドロピリ
ジン（以下、Ｎ−メチル体という。）、４−ｏ−ニトロ
フェニル−３，５−ジアセチル−１，４−ジヒドロピリ
ジン（以下、単にアセチル体という。）等を挙げること
ができる。これらは、単独で、又は２種以上の混合物と
して用いられる。必要に応じて、現像剤に対する溶解助
剤として、イミダゾールが適量用いられる。

【００３０】本発明においては、上記ジヒドロピリジン
誘導体は、前記ジアミンと前記テトラカルボン酸二無水
物の合計量１モル部に対して、通常、０．０５〜０．５
モル部の範囲で用いられる。イミダゾールも、必要に応
じて、前記ジアミンと前記テトラカルボン酸二無水物の
合計量１モル部に対して、通常、０．０５〜０．５モル
部の範囲で用いられる。

【００３１】本発明において、感光性ポリアミド酸混合
物は、その溶液を適宜の基材上に塗布し、乾燥させ、こ
れに紫外線を照射して露光させた後、加熱（露光後加
熱）することによって、ポジ型またはネガ型の画像、即
ち、所要のパターンを得る。そこで、これを最終的に高
温に加熱して、ポリアミド酸をイミド化させることによ
って、ポリイミド樹脂から成るパターン被膜を得ること
ができる。

【００３２】より詳細には、上記感光性ポリアミド酸混
合物は、用いる感光剤の種類によっては幾らか異なるも
のの、露光後加熱の温度が１４０℃前後の比較的低温で
あるときは、露光部が現像剤に溶解して、ポジ型画像を
形成し、他方、上記露光後加熱の温度が約１７０℃以上
の比較的高温であるときは、未露光部が現像剤に溶解し
て、ネガ型画像を形成する。

【００３３】ここに、上記現像は、現像剤を用いて、浸
漬法やスプレー法により、露光部分あるいは未露光部分
を除去するものであり、現像剤としては、通常、水酸化
テトラメチルアンモニウム等のような有機アルカリの水
溶液や、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機ア
ルカリの水溶液が用いられる。アルカリ濃度は、通常、
２〜５重量％の範囲が適当である。必要に応じて、上記
アルカリ水溶液には、メタノール、エタノール、ｎ−プ
ロパノール、イソプロパノール等の低級脂肪族アルコー
ルや種々の界面活性剤を加えてもよい。アルコールの添
加量は、通常、５０重量％以下である。また、現像温度
は、通常、２５〜５０℃の範囲が適当である。

【００３４】本発明において用いる感光性ポリアミド酸
混合物によれば、露光後加熱の温度が１４０℃前後の比
較的低温であるときは、未露光部においては、前記ジヒ
ドロピリジン誘導体の１位のイミノ基水素とポリアミド
酸のカルボキシル基との間に水素結合を形成して、ポリ
イミド樹脂の親水性と被膜の現像液への拡散速度が低下
し、結果として、被膜の現像剤への溶解速度が低下し、
他方、露光部においては、露光によって、中性化合物で
ある前記ジヒドロピリジン誘導体が塩基性のピリジン化
合物に変化し、これがポリアミド酸と弱い塩構造を形成
し、その結果として、被膜の親水性が増大し、現像液へ
の溶解速度が増す。このように、露光、露光後加熱及び
現像後の被膜は、ポジ画像を与える。

【００３５】他方、本発明において用いる感光性ポリア
ミド酸混合物によれば、露光後加熱の温度が１７０℃以
上の比較的高温であるときは、未露光部は、露光後加熱
の温度が１４０℃前後の比較的低温であるときと同様
に、被膜の現像剤への溶解速度が低下するが、他方、露
光部においては、前記ジヒドロピリジン誘導体が露光に
よって塩基性のピリジン化合物に変化し、これがポリア
ミド酸のポリイミド化を促進し、被膜の現像剤への溶解
速度を低下させると同時に、上記ピリジン化合物自身も
露光後加熱によって更に不溶性の環化化合物に変化する
と共に、ポリアミド酸のポリイミド化を促進し、その結
果として、露光部の被膜の現像剤に対する溶解性が上記
露光部に比べて一層低下する。このように、露光後の上
記加熱温度が約１７０℃以上の比較的高温であるとき
は、露光部の現像剤への溶解速度が未露光部に比べて著
しく小さいので、露光、露光後加熱及び現像後の被膜
は、ネガ型画像を与える。

【００３６】本発明によれば、長尺の金属箔基材上に上
述したような感光性ポリアミド酸混合物の溶液を塗布
し、加熱乾燥させて、被膜を形成し、これにマスクを介
して紫外線を照射して所定のパターンを露光させ、露光
後加熱し、現像し、好ましくは、所定のパターンを有す
るネガ型画像を形成した後、これを加熱硬化して、イミ
ド化反応を起こさせることによって、ポリイミド樹脂か
らなる絶縁層を形成して、本発明による回路基板を得る
ことができる。このように、ポリアミド酸混合物を加熱
してポリイミド化するには、好ましくは、その被膜を真
空下又は不活性ガス雰囲気下に３５０〜４００℃程度に
数時間、加熱するのが好ましい。

【００３７】この後、この絶縁層の上に常法に従って所
定のパターンを有する導体層からなる所定の回路を形成
すると共に、所要の端子を形成し、次いで、長尺の金属
箔基材を所要の形状に化学的に切り抜くことによって、
本発明による回路付きサスペンション基板を得ることが
できる。

【００３８】このようにして、本発明によれば、前述し
たような小さい熱線膨張係数を有するポリイミド樹脂か
ら成る絶縁層を有する回路基板上に所要の加工を行って
回路基板とするので、ポリイミド樹脂に割れが発生せ
ず、従って、絶縁不良を起こすことがない。しかも、発
明によれば、高感度高コントラストにて精密なパターニ
ンング加工を行うことができるので、回路付きサスペン
ション基板の高容量小型化が可能である。

【００３９】以下に、図面に基づいて本発明による回路
付きサスペンション基板及びその製造について詳細に説
明する。

【００４０】図１は、本発明による回路付きサスペンシ
ョン基板１の一例を示す斜視図であり、ステンレス箔基
材２の上にポリイミド樹脂から成る絶縁層（図示せず）
を有し、その上に銅導体層３から成る所定のパターン回
路が薄膜として形成されている。先端には、基材への切
込みによって、ジンバル４が基材に一体に形成されてお
り、この上に磁気ヘッドを有するスライダ（図示せず）
が固定される。前後の端部にはそれぞれ所要の端子５及
び６が形成されている。但し、図１においては、基板の
表面を被覆保護する被覆層（カバー・レイ）が剥離され
ている状態を示す。

【００４１】図２は、図１において、Ａ−Ａ線に沿う断
面図であり、ステンレス箔基材２の上にポリイミド樹脂
から成る絶縁層７を有し、その上にクロム薄膜２３を介
して銅導体層３から成る所定のパターン回路が薄膜とし
て形成されている。この導体層は、ニッケル薄膜２８か
ら成る被膜にて保護されており、更に、その上に端子５
が形成されている。端子を除く全表面は、被覆層８によ
って被覆保護されている。

【００４２】図３は、図１において、Ｂ−Ｂ線に沿う断
面図であり、ステンレス箔基材２の上にポリイミド樹脂
から成る絶縁層７を有し、その上にクロム薄膜２３を介
して銅導体層３から成る所定のパターン回路が薄膜とし
て形成されている。この導体層は、ニッケル薄膜２８か
ら成る被膜にて保護されており、更に、被覆層８によっ
て被覆保護されている。

【００４３】長尺のステンレス箔基材２としては、通
常、その厚みが１０〜６０μm 、好ましくは、振動特性
の観点から、１５〜３０μm で、幅が５０〜５００ｍ
ｍ、好ましくは、１２５〜３００ｍｍの範囲のものが用
いられる。しかし、これらに限定されるものではない。

【００４４】図４から図５は、本発明による回路基板の
製造工程を示し、図６から図１６は、本発明による回路
付きサスペンションの製造工程を示す。

【００４５】先ず、図４に示すように、上述したような
ステンレス箔基材２の全面に、得られる樹脂層の厚みが
２〜２０μm 、好ましくは、５〜１０μm となるよう
に、感光性ポリアミド酸混合物の溶液を塗布し、６０〜
１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱して、上
記感光性ポリアミド酸混合物の被膜２１を形成する。

【００４６】次に、この感光性ポリアミド酸混合物の被
膜に適宜のマスクを介して紫外線を照射し、所定のパタ
ーンに露光させる。ここに、露光積算光量は、１００〜
１０００ｍＪ／ｃｍ²、好ましくは、２００〜７００ｍ
Ｊ／ｃｍ²の範囲であり、露光波長は、通常、３００〜
４５０ｎｍ、好ましくは、３５０〜４２０ｎｍの範囲で
ある。この露光の後、被膜を８０〜２００℃、好ましく
は、１２０〜１８０℃の温度で約２〜１０分程度加熱
（露光後加熱）し、次いで、現像処理を行う。本発明に
おいては、ネガ型画像を得るのが好ましい。この後、こ
のようにして得られたポリアミド酸混合物のパターン被
膜を高温に加熱して、ポリイミド化し、かくして、図５
に示すように、ステンレス箔基材２上にポリイミド樹脂
から成るパターン化した絶縁層２２を形成して、本発明
による回路基板を得る。

【００４７】次いで、図６に示すように、パターン化し
たポリイミドの絶縁層２２を有するステンレス箔基材２
の全面にクロム箔膜２３と銅薄膜２４とをスパッタリン
グにて連続して順次に形成する。クロム薄膜２３は、ポ
リイミドから成る絶縁層２２上に銅薄膜２４を密着させ
るのに有用である。ここに、膜厚は、クロム薄膜が１０
０〜６００オングストローム、銅薄膜が５００〜２００
０オングストロームの範囲が好ましい。このようにして
得られる銅薄膜の表面抵抗は、通常、０．６Ω／□以下
である。

【００４８】この後、図７に示すように、上記銅薄膜２
４の上に厚さ２〜１５μｍ程度の電解銅めっきを行っ
て、銅から成る導体層２５を形成する。図７において
は、前記クロム薄膜は図示されていない。

【００４９】次いで、図８及び図９に示すように、常法
に従って、液状フォトレジスト２６又はドライフィルム
レジストを用いるパターニング技術によって、露光及び
現像処理を行った後、非パターン部の銅導体層２５をエ
ッチングにて除去し、かくして、前記ポリイミド樹脂か
ら成る絶縁層２２の上に上記銅から成る所定の導体パタ
ーン２７を形成する。ここに、銅のエッチングはアルカ
リエッチングによることが好ましい。

【００５０】このような非パターン部の銅導体層のエッ
チング除去の後、更に、前記クロム薄膜２３をエッチン
グ除去して、図１０に示すように、前記ポリイミド樹脂
から成る絶縁層２２の上に所定の導体パターン２７を得
る。クロム薄膜２３のエッチングには、例えば、フェリ
シアン化カリウム系のエッチング液や、このほか、過マ
ンガン酸カリウム、メタケイ酸ナトリウム系等のエッチ
ング液が用いられる。

【００５１】このようにして、基材上の不必要なクロム
薄膜を除去した後、無電解ニッケルめっきを行って、図
１１に示すように、上記銅導体層２７とステンレス箔基
材２の表面に硬質のニッケル薄膜２８を形成して、銅導
体層の表面を被覆、保護する。従って、このニッケルめ
っきの膜厚は、下層の銅導体層が露出しない程度であれ
ばよく、通常、０．０５〜０．１μｍの範囲である。

【００５２】この後、配線部分の導体パターン２７を前
記した感光性ポリアミド酸混合物を用いて被覆保護する
と共に、所要の端子部には端子を形成し、これを残し
て、表面を同様に被覆保護して、被覆層（カバー・レ
イ）を形成する。図１２以下において、基材の左側は配
線部の形成を示し、右側は端子の形成を示す。

【００５３】即ち、図１２に示すように、配線部では、
ポリイミド樹脂２９にて導体パターン２７を被覆し、端
子部では、パターニングによって、端子部を残すと共
に、端子を電解めっきにて形成するためのリード部３０
を残して、前記感光性ポリアミド酸混合物を用いて、前
記同様の塗布、露光、露光後加熱、現像及び加熱硬化
（イミド化）を行って、ポリイミド樹脂にて被覆し、被
覆層３１を形成する。

【００５４】次いで、図１３に示すように、端子部にお
いては、先ず、導体パターン２７の表面を保護していた
無電解ニッケルめっき薄膜２８（図１１参照）を剥離
し、同時に、ステンレス箔基材２上の無電解ニッケルめ
っき薄膜２８も除去する。この後に、常法に従って、通
常のフォトレジストを用いる方法によって、端子部のみ
を残して、ステンレス箔基材、導体パターン２７及びポ
リイミド樹脂被覆層３１をレジストにて被覆した後、上
記端子部に電解ニッケルめっき３２と電解金めっき３３
を順次に行って、端子３４を形成する。ここに、電解ニ
ッケルめっきと電解金めっきの厚さは、いずれも、１〜
５μｍ程度が適当である。この後、上記レジストを除去
する。

【００５５】次いで、図１４に示すように、端子３４を
形成した導体パターン２７において、上記電解めっきに
用いたリード部３０（図１２参照）を化学エッチングに
て除去する。リード部の銅及びクロムの除去は、前述し
たと同じ方法によればよい。このようにして、リード部
を除去した後、ステンレス箔基材２を化学エッチングに
よって所要の形状に切り抜くために、常法に従って、フ
ォトレジスト３５又はドライフィルムレジストを用い
て、露光、現像を行って、図１５に示すように、スイテ
ンレス箔基材２上に所要のパターンを形成した後、ステ
ンレス箔基材をエッチングにて所要の形状に切り抜く。
ここに、エッチング液としては、例えば、塩化第二鉄、
塩化第二銅の水溶液が用いられる。

【００５６】このエッチング処理の後、純水にて洗浄
し、乾燥すれば、図１６に示すように、本発明による回
路付きサスペンション基板１を得ることができる。即
ち、この回路付きサスペンション基板は、ステンレス箔
基材２上にポリイミド樹脂から成る絶縁層２２を有し、
その上に導体層の薄膜から成る導体パターン２７、即
ち、パターン回路を有し、端子３４を除いて、全表面が
ポリイミド樹脂から成る被覆層３１にて被覆保護されて
いる。

【００５７】

【実施例】以下に参考例、実施例及び比較例を挙げて本
発明を説明するが、本発明はこれらにより何ら限定され
るものではない。

【００５８】（参考例１）ピロメリット酸二無水物０．
５モルとビフェニルテトラカルボン酸二無水物０．５モ
ルとｐーフェニレンジアミン１．０モルをＮ−メチル−
２−ピロリドン中、これらの合計の濃度が１５％となる
ように溶解させ、室温下、３時間反応させ、さらに、室
温での粘度が５０ポイズになるまで８０℃で攪拌してポ
リアミド酸溶液を得た。

【００５９】（参考例２）ピロメリット酸二無水物０．
５モルと２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン無水物（以下６ＦＤＡと呼
ぶ）０．５モルと４，４’−ジアミノジフェニルエーテ
ル１．０モルをＮ−メチル−２−ピロリドン中、これら
の合計の濃度が１５％となるように溶解させ、室温下、
３時間反応させ、さらに、室温での粘度が５０ポイズに
なるまで８０℃で攪拌してポリアミド酸溶液を得た。

【００６０】（参考例３）ピロメリット二酸無水物０．
７モルと６ＦＤＡ０．３モルと４，４’−ジアミノジフ
ェニルエーテル０．９モルと１，３−ビス（γ−アミノ
プロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサ
ン（以下ＡＰＤＳと呼ぶ。）０．１モルをＮ−メチル−
２−ピロリドン中、これらの合計の濃度が１５％となる
ように溶解させ、室温下、３時間反応させ、さらに、室
温での粘度が５０ポイズになるまで８０℃で攪拌してポ
リアミド酸溶液を得た。

【００６１】（実施例１）参考例１のポリアミド酸溶液
１００重量部と参考例２のポリアミド酸溶液２５重量部
を混合し、７０℃で１時間攪拌することによって均一と
し、透明なポリアミド酸混合物の溶液を得た。これに下
記式（化２７）にて示される１，４−ジヒドロピリジン
誘導体４．７重量部、（化２８）にて示される１，４−
ジヒドロピリジン誘導体４．７重量部およびイミダゾー
ル３．８重量部を添加し、均一に溶解して、感光性ポリ
アミド酸混合物の溶液を得た。

【００６２】

【化２７】

【００６３】

【化２８】

【００６４】厚み２５μm のステンレス（ＳＵＳ３０
４）箔上に上記感光性ポリアミド酸混合物の溶液を連続
コーターにて長尺塗布した後、１２０℃で２分間加熱乾
燥して、感光性ポリアミド酸混合物の被膜を形成した。
次いで、マスクを介して、露光量７００ｍＪ／ｃｍ²に
て紫外線照射し、１６０℃で３分間加熱した後、現像処
理して、ネガ型画像を形成し、更に、０．０１ｔｏｒｒ
の真空下、４００℃に加熱して、パターン化したポリイ
ミド樹脂から成る絶縁層（膜厚６μｍ）を形成して、回
路基板を得た。

【００６５】ポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張係数は
１６ｐｐｍであった。また、一般のＳＵＳ３０４ステン
レス箔では、熱線膨張係数は１７ｐｐｍであった。ここ
に熱線膨張係数は、幅２ｍｍ、厚さ６μｍ、長さ３０ｍ
ｍの試料について、ＴＭＡ法（サーマメカニカルアナリ
スシ法）にて、昇温速度１０℃／分、荷重５ｇで測定し
た。

【００６６】次に、このような回路基板のポリイミドか
ら成る絶縁層上に連続スパッタリング処理によってクロ
ムと銅をそれぞれ５００オングストローム及び１０００
オングストロームの膜厚で薄膜形成した。銅薄膜の表面
抵抗は０．３〜０．４Ω／□であった。次いで、ステン
レス基材の裏面に軽粘着シートをめっきマスクとして粘
着した後、上記銅薄膜の全面に硫酸銅電解めっきを行っ
て、膜厚１０μm の銅めっきから成る導体層を形成し
た。

【００６７】この後、常法に従って、市販のドライフィ
ルムレジストを導体層上に１１０℃でラミネートした
後、露光量８０ｍＪ／ｃｍ²にてこれを露光、現像し、
非パターン部銅導体層をアルカリエッチングして、配線
部と端子部と共に電解めっきのリード部を残すように導
体層をパターン化し、この後、レジストを除去した。次
いで、このように処理したステンレス箔をフェリシアン
化カリウムと水酸化ナトリウムの混合水溶液に２５℃で
浸漬し、不必要な前記クロム薄膜を除去した。

【００６８】この後、このステンレス基材に通常の無電
解めっきを施し、膜厚約０．５μｍのニッケル薄膜を導
体層及び露出しているステンレス箔上に形成した。次い
で、前述したように、ステンレス箔上の導体層の配線部
に、前記と同様にして、感光性ポリアミド酸混合物を用
いて、所要のポリイミド樹脂から成る被覆層（カバー・
レイ）を形成した。

【００６９】ここで、ポリイミド樹脂の層間接着性を下
記の方法で評価したところ、層間接着性は良好であるこ
とが確認できた。すなわち、カバー・レイにカッターナ
イフにより、配線の長さ方向に１ｍｍ間隔で切り目を５
個所入れ、その上にセロハンテープを貼り付け、瞬間的
にテープを直角方向に引き剥がした後の状態を目視観察
したところ、層間剥離は全く見られなかった。

【００７０】次いで、基材を硝酸系剥離剤に室温で浸漬
して、端子部及びステンレス箔上の前記無電解めっき薄
膜を除去した。

【００７１】この後、常法に従って、上記端子部を除い
て、通常のフォトレジストで被覆した後、上記端子部に
電解ニッケルめっきと電解金めっきを順次に行って、そ
れぞれ膜厚１μｍのめっき層を形成し、端子を形成し
た。この後、上記レジストを剥離した。このめっき処理
に続いて、めっきの用いたリード部を導体層から除去す
るために、銅アルカリエッチングとクロムエッチングを
前述したのと同様の方法で行った。

【００７２】このようにして、導体層からめっきリード
部を除去した後、ステンレス箔基材を所要の形状に切り
抜くために、常法に従って、フォトレジスト又はドライ
フィルムレジストを用いて、露光、現像を行って、ステ
ンレス箔上に所要のパターンを形成した後、ステンレス
箔基材を塩化第二鉄エッチング液に４５℃で浸漬して、
所要の形状に切り抜いた。これを純粋にて十分洗浄した
後、乾燥して、個々に切り抜かれた回路付きサスペンシ
ョン基板を得た。

【００７３】このようにして得られた回路付きサスペン
ション基板によれば、ポリイミド樹脂が小さい熱線膨張
係数を有し、更に、ポリイミド樹脂相互の接着性にも優
れるので、樹脂層に割れが発生したり、基材との間で層
間剥離を生じたりすることがなく、信頼性が高く、しか
も、反りが生じないので、性能不良等を起こすことがな
い。

【００７４】（実施例２）参考例１のポリアミド酸溶液
１００重量部と参考例２のポリアミド酸溶液１８重量部
を混合し、７０℃で１時間攪拌することによって均一と
し、透明なポリアミド酸混合物の溶液を得た。これに前
記式（化２７）にて示される１，４−ジヒドロピリジン
誘導体４．７重量部、前記式（化２８）にて示される
１，４−ジヒドロピリジン誘導体４．７重量部およびイ
ミダゾール３．８重量部を添加し、均一に溶解して、感
光性ポリアミド酸混合物の溶液を得た。

【００７５】厚み２５μm のステンレス（ＳＵＳ３０
４）箔上に上記感光性ポリアミド酸混合物の溶液を連続
コーターのて長尺塗布した後、１２０℃で２分間加熱乾
燥して、感光性ポリアミド酸混合物の被膜を形成した。
次いで、マスクを介して、露光量７００ｍＪ／ｃｍ²に
て紫外線照射し、１６０℃で３分間加熱した後、現像処
理して、ネガ型画像を形成し、更に、０．０１ｔｏｒｒ
の真空下、４００℃に加熱して、パターン化したポリイ
ミド樹脂から成る絶縁層（膜厚６μｍ）を形成して、回
路基板を得た。実施例１と同様にして測定したポリイミ
ド樹脂フィルムの熱膨張係数は１５ｐｐｍであった。

【００７６】次いで、この回路基板を用いて、実施例１
と同じ手順によって、回路付きサスペンション基板を得
た。

【００７７】ポリイミド樹脂の層間接着性を実施例１と
同様に評価したところ、層間剥離は全く見られなかっ
た。

【００７８】この回路付きサスペンション基板において
は、ポリイミド樹脂が小さい熱線膨張係数を有し、更
に、ポリイミド樹脂相互の接着性にも優れるので、樹脂
層に割れが発生したり、基材との間で層間剥離を生じた
りすることがなく、信頼性が高く、しかも、反りが生じ
ないので、性能不良等を起こすことがない。

【００７９】（実施例３）参考例１のポリアミド酸溶液
１００重量部と参考例３のポリアミド酸溶液２０重量部
を混合し、７０℃で１時間攪拌することによって均一と
し、透明なポリアミド酸混合物の溶液を得た。これに下
記式（化２９）にて示される１，４−ジヒドロピリジン
誘導体４．７重量部を添加し、均一に溶解して、感光性
ポリアミド酸混合物の溶液を得た。

【００８０】

【化２９】

【００８１】厚み２５μm のステンレス（ＳＵＳ３０
４）箔上に上記感光性ポリアミド酸混合物の溶液を連続
コーターのて長尺塗布した後、１２０℃で２分間加熱乾
燥して、感光性ポリアミド酸混合物の被膜を形成した。
次いで、マスクを介して、露光量７００ｍＪ／ｃｍ²に
て紫外線照射し、１６０℃で３分間加熱した後、現像処
理して、ネガ型画像を形成し、更に、０．０１ｔｏｒｒ
の真空下、４００℃に加熱して、パターン化したポリイ
ミド樹脂から成る絶縁層（膜厚６μｍ）を形成して、回
路基板を得た。実施例１と同様にして測定したポリイミ
ド樹脂フィルムの熱膨張係数は１６ｐｐｍであった。

【００８２】次いで、この回路基板を用いて、実施例１
と同じ手順によって、回路付きサスペンション基板を得
た。

【００８３】ポリイミド樹脂の層間接着性を実施例１と
同様に評価したところ、層間剥離は全く見られなかっ
た。

【００８４】この回路付きサスペンション基板において
は、ポリイミド樹脂が小さい熱線膨張係数を有し、更
に、ポリイミド樹脂相互の接着性にも優れるので、樹脂
層に割れが発生したり、基材との間で層間剥離を生じた
りすることがなく、信頼性が高く、しかも、反りが生じ
ないので、性能不良等を起こすことがない。

【００８５】（比較例１）実施例１のポリアミド酸混合
物の溶液と同じ原料組成となるように原料を一括で仕込
み（ピロメリット酸二無水物５．２６重量部、ビフェニ
ルテトラルボン酸二無水物６．０６重量部、６ＦＤＡ
１．５７重量部、ｐ−フェニレンジアミン４．４５重量
部、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル１．４１重
量部、Ｎ−メチルー２ーピロリドン１０６．２５重量
部）、室温下、３時間共重合を行い、さらに、室温での
粘度が５０ポイズになるまで８０℃で攪拌してポリアミ
ド酸溶液を得た。これに前記式（化２７）にて示される
１，４−ジヒドロピリジン誘導体４．７重量部、前記式
（化２８）にて示される１，４−ジヒドロピリジン誘導
体４．７重量部およびイミダゾール３．８重量部を添加
し、均一に溶解して、感光性ポリアミド酸混合物の溶液
を得た。

【００８６】厚み２５μm のステンレス（ＳＵＳ３０
４）箔上に上記感光性ポリアミド酸混合物の溶液を連続
コーターのて長尺塗布した後、１２０℃で２分間加熱乾
燥して、感光性ポリアミド酸混合物の被膜を形成した。
次いで、マスクを介して、露光量７００ｍＪ／ｃｍ²に
て紫外線照射し、１６０℃で３分間加熱した後、現像処
理して、ネガ型画像を形成し、更に、０．０１ｔｏｒｒ
の真空下、４００℃に加熱して、パターン化したポリイ
ミド樹脂から成る絶縁層（膜厚６μｍ）を形成して、回
路基板を得た。実施例１と同様にして測定したポリイミ
ド樹脂フィルムの熱膨張係数は１６ｐｐｍであった。

【００８７】次いで、この回路基板を用いて、実施例１
と同じ手順によって、回路付きサスペンション基板を得
た。

【００８８】ポリイミド樹脂の層間接着性を実施例１と
同様に評価したところ、切り目を入れた部分の全てに層
間剥離が生じた。

【００８９】（比較例２）実施例３のポリアミド酸混合
物の溶液と同じ原料組成となるように原料を一括で仕込
み（ピロメリット酸二無水物５．４２重量部、ビフェニ
ルテトラルボン酸二無水物６．０６重量部、６ＦＤＡ
０．８１重量部、ｐ−フェニレンジアミン４．４５重量
部、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル１．１０重
量部、ＡＰＤＳ０．１５重量部、Ｎ−メチルー２ーピロ
リドン１０２．００重量部）、室温下、３時間共重合を
行い、さらに、室温での粘度が５０ポイズになるまで８
０℃で攪拌してポリアミド酸溶液を得た。これに前記式
（化２９）にて示される１，４−ジヒドロピリジン誘導
体４．７重量部を添加し、均一に溶解して、感光性ポリ
アミド酸混合物の溶液を得た。

【００９０】厚み２５μm のステンレス（ＳＵＳ３０
４）箔上に上記感光性ポリアミド酸混合物の溶液を連続
コーターのて長尺塗布した後、１２０℃で２分間加熱乾
燥して、感光性ポリアミド酸混合物の被膜を形成した。
次いで、マスクを介して、露光量７００ｍＪ／ｃｍ²に
て紫外線照射し、１６０℃で３分間加熱した後、現像処
理して、ネガ型画像を形成し、更に、０．０１ｔｏｒｒ
の真空下、４００℃に加熱して、パターン化したポリイ
ミド樹脂から成る絶縁層（膜厚６μｍ）を形成して、回
路基板を得た。実施例１と同様にして測定したポリイミ
ド樹脂フィルムの熱膨張係数は１６ｐｐｍであった。

【００９１】次いで、この回路基板を用いて、実施例１
と同じ手順によって、回路付きサスペンション基板を得
た。

【００９２】ポリイミド樹脂の層間接着性を実施例１と
同様に評価したところ、切り目を入れた部分の全てに層
間剥離が生じた。

【００９３】

【発明の効果】以上のように本発明による回路基板は、
金属箔の上に、特定のポリアミド酸を混合したポリアミ
ド酸混合物から得られるポリイミド樹脂層を絶縁層とし
て有し、このポリイミド樹脂が金属箔に近接した熱線膨
張係数を有するので、樹脂層の割れが生じたり、樹脂層
が剥離したりせず、更に、反りが生じない。従って、本
発明による回路付きサスペンション基板においても、樹
脂層に割れが生じたり、樹脂層が剥離したりせず、更
に、反りが生じないので、性能不良を起こすことがな
い。また、上記特定のポリアミド酸を混合したポリアミ
ド酸混合物から得られるポリイミド樹脂はポリイミド樹
脂の層間接着性が良いので、本発明の回路基板及び回路
付きサスペンション基板においては、カバー・レイの密
着性が良好である。

【図面の簡単な説明】

【図１】は、本発明による回路付きサスペンション基板
の一例を示す斜視図である。

【図２】は、図１において、Ａ−Ａ線に沿う断面図であ
る。

【図３】は、図１において、Ｂ−Ｂ線に沿う断面図であ
る。

【図４】、

【図５】、

【図６】、

【図７】、

【図８】、

【図９】、

【図１０】、

【図１１】、

【図１２】、

【図１３】、

【図１４】、

【図１５】及び

【図１６】は、本発明による回路付きサスペンション基
板の製造工程を示す要部部分断面図である。

【符号の説明】

１：回路付きサスペンション基板、２：ステンレス箔基
材、３：導体層、４：ジンバル、５及び６：端子、７：
絶縁層、８：被覆層、２１：感光性ポリアミド酸混合物
から成る被膜、２２：ポリイミド樹脂から成る絶縁層、
２３：クロム薄膜、２４：銅薄膜、２５：導体層、２
６：フォトレジスト、２７：導体パターン、２８：ニッ
ケル薄膜、２９：ポリイミド樹脂、３０：リード部、３
１：ポリイミド樹脂被覆層（カバー・レイ）、３３：電
解金めっき薄膜、３４：端子、３５：フォトレジスト。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】金属箔基材上にポリイミド樹脂からなる絶
縁層を有する回路基板において、上記ポリイミド樹脂
が、下記式（化１）で表される構造単位を有するポリア
ミド酸と下記式（化２）で表される構造単位を有するポ
リアミド酸から成るポリアミド酸混合物あるいは下記式
（化１）で表される構造単位を有するポリアミド酸と下
記式（化３）で表される構造単位を有するポリアミド酸
から成るポリアミド酸混合物を加熱して得られるポリイ
ミド樹脂であることを特徴とする回路基板。【化１】【化２】（式中、Ａｒ₁は２価の有機基である。）【化３】（式中、Ａｒ₂は４価の有機基であり、Ａｒ₃はシロキ
サン結合を含む２価の有機基である。）
【請求項２】金属箔基材上にポリイミド樹脂からなる絶
縁層を有する回路基板において、上記ポリイミド樹脂
が、下記式（化４）で表される構造単位を有するポリア
ミド酸と下記式（化５）で表される構造単位を有するポ
リアミド酸から成るポリアミド酸混合物あるいは下記式
（化４）で表される構造単位を有するポリアミド酸と下
記式（化６）で表される構造単位を有するポリアミド酸
から成るポリアミド酸混合物を感光剤の存在下で加熱し
て得られるポリイミド樹脂であることを特徴とする回路
基板。【化４】【化５】（式中、Ａｒ₁は２価の有機基である。）【化６】（式中、Ａｒ₂は４価の有機基であり、Ａｒ₃はシロキ
サン結合を含む２価の有機基である。）
【請求項３】感光剤が下記式（化７）【化７】（式中Ｒ₁は水素または炭素数４以下の有機基、Ｒ₂お
よびＲ₅は水素または炭素数４以下の炭化水素基、Ｒ₃
およびＲ₄はアセチル基、メトキシカルボニル基、エト
キシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシ
カルボニル基のいずれかで、Ａｒ₄はオルソ位にニトロ
基を有する芳香族基である。）で表される請求項２に記
載の回路基板。
【請求項４】金属箔基材上に感光性ポリアミド酸混合物
から成る被膜を形成し、露光させ、露光後加熱し、現像
し、この後、加熱してイミド化させて、ポリイミド樹脂
からなる絶縁層を有する回路基板を製造する方法におい
て、上記感光性ポリアミド酸混合物が、下記式（化８）
で表される構造単位を有するポリアミド酸と下記式（化
９）で表される構造単位を有するポリアミド酸から成る
ポリアミド酸混合物あるいは下記式（化８）で表される
構造単位を有するポリアミド酸と下記式（化１０）で表
される構造単位を有するポリアミド酸から成るポリアミ
ド酸混合物に感光剤を配合して成ることを特徴とする回
路基板の製造方法。【化８】【化９】（式中、Ａｒ₁は２価の有機基である。）【化１０】（式中、Ａｒ₂は４価の有機基であり、Ａｒ₃はシロキ
サン結合を含む２価の有機基である。）
【請求項５】感光剤が下記式（化１１）【化１１】（式中Ｒ₁は水素または炭素数４以下の有機基、Ｒ₂お
よびＲ₅は水素または炭素数４以下の炭化水素基、Ｒ₃
およびＲ₄はアセチル基、メトキシカルボニル基、エト
キシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシ
カルボニル基のいずれかで、Ａｒ₄はオルソ位にニトロ
基を有する芳香族基である。）で表される請求項４に記
載の回路基板の製造方法。
【請求項６】金属箔基材上にポリイミド樹脂からなる絶
縁層を有し、その上に導体層から成るパターン回路を有
する回路付きサスペンション基板において、上記ポリイ
ミド樹脂が、下記式（化１２）で表される構造単位を有
するポリアミド酸と下記式（化１３）で表される構造単
位を有するポリアミド酸から成るポリアミド酸混合物あ
るいは下記式（化１２）で表される構造単位を有するポ
リアミド酸と下記式（化１４）で表される構造単位を有
するポリアミド酸から成るポリアミド酸混合物を加熱し
て得られるポリイミド樹脂であることを特徴とする回路
付きサスペンション基板。【化１２】【化１３】（式中、Ａｒ₁は２価の有機基である。）【化１４】（式中、Ａｒ₂は４価の有機基であり、Ａｒ₃はシロキ
サン結合を含む２価の有機基である。）
【請求項７】金属箔基材上にポリイミド樹脂からなる絶
縁層を有し、その上に導体層から成るパターン回路を有
する回路付きサスペンション基板において、上記ポリイ
ミド樹脂が、下記式（化１５）で表される構造単位を有
するポリアミド酸と下記式（化１６）で表される構造単
位を有するポリアミド酸から成るポリアミド酸混合物あ
るいは下記式（化１５）で表される構造単位を有するポ
リアミド酸と下記式（化１７）で表される構造単位を有
するポリアミド酸から成るポリアミド酸混合物を感光剤
の存在下で加熱して得られるポリイミド樹脂であること
を特徴とする回路付きサスペンション基板。【化１５】【化１６】（式中、Ａｒ₁は２価の有機基である。）【化１７】（式中、Ａｒ₂は４価の有機基であり、Ａｒ₃はシロキ
サン結合を含む２価の有機基である。）
【請求項８】感光剤が下記式（化１８）【化１８】（式中Ｒ₁は水素または炭素数４以下の有機基、Ｒ₂お
よびＲ₅は水素または炭素数４以下の炭化水素基、Ｒ₃
およびＲ₄はアセチル基、メトキシカルボニル基、エト
キシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシ
カルボニル基のいずれかで、Ａｒ₄はオルソ位にニトロ
基を有する芳香族基である。）で表される請求項７に記
載の回路付きサスペンション基板。
【請求項９】金属箔基材上に感光性ポリアミド酸混合物
から成る被膜を形成し、露光させ、露光後加熱し、現像
し、この後、加熱してイミド化させて、ポリイミド樹脂
からなる絶縁層を有する回路基板を形成し、次いで、上
記絶縁層の上に導体層から成るパターン回路を形成する
回路付きサスペンション基板の製造方法において、上記
感光性ポリアミド酸混合物が、下記式（化１９）で表さ
れる構造単位を有するポリアミド酸と下記式（化２０）
で表される構造単位を有するポリアミド酸から成るポリ
アミド酸混合物あるいは下記式（化１９）で表される構
造単位を有するポリアミド酸と下記式（化２１）で表さ
れる構造単位を有するポリアミド酸から成るポリアミド
酸混合物に感光剤を配合して成ることを特徴とする回路
付きサスペンション基板の製造方法。【化１９】【化２０】（式中、Ａｒ₁は２価の有機基である。）【化２１】（式中、Ａｒ₂は４価の有機基であり、Ａｒ₃はシロキ
サン結合を含む２価の有機基である。）
【請求項１０】感光剤が下記式（化２２）【化２２】（式中Ｒ₁は水素または炭素数４以下の有機基、Ｒ₂お
よびＲ₅は水素または炭素数４以下の炭化水素基、Ｒ₃
およびＲ₄はアセチル基、メトキシカルボニル基、エト
キシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシ
カルボニル基のいずれかで、Ａｒ₄はオルソ位にニトロ
基を有する芳香族基である。）で表される請求項９に記
載の回路付きサスペンション基板の製造方法。