JP2002363283A

JP2002363283A - ポリアミド酸とそれより得られるポリイミド樹脂とそれらの回路基板への利用

Info

Publication number: JP2002363283A
Application number: JP2001170664A
Authority: JP
Inventors: Naotaka Kaneshiro; 直隆金城; Shu Mochizuki; 周望月; Takahiro Fukuoka; 孝博福岡; Takashi Kondo; 隆近藤
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2001-06-06
Filing date: 2001-06-06
Publication date: 2002-12-18

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】熱線膨張係数、誘電率が共に低い新規なポリイ
ミド樹脂と、それを与えるポリアミド酸。絶縁層の割れ
や剥離が生じず、反りの生じない回路基板と、サスペン
ション付き回路基板。【解決手段】ポリアミド酸は、無水ピロメリット酸と3,
3',4,4'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とから
選ばれる酸無水物と、2,2 −ビス（3,4−ジカルボキシ
フェニル）ヘキサフルオロプロパンとからなる酸無水物
と、2,2'−ジ置換−4,4'−ジアミノビフェニル類からな
る芳香族ジアミンと、2,２−ビス（４−アミノフェノキ
シフェニル）プロパン類と1,１−ビス（４−（４−アミ
ノフェノキシ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニ
ル）ブタンと2,２−ビス（３−アミノ−４−メチルフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパンとα,α'−ビス（４−ア
ミノフェニル）ジイソプロピルベンゼン類とから選ばれ
る芳香族ジアミンとを有機溶媒中で反応させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ポリイミド樹脂と
それを与えるポリアミド酸とそのポリイミド樹脂を用い
てなる回路基板と回路付きサスペンション基板に関す
る。詳しくは、本発明は、熱線膨張係数、誘電率が共に
低く、半導体における種々の保護膜や層間絶縁膜、液晶
表示素子の配向膜、フレキシブルプリント配線板のベー
スフィルム、ガス透過膜、耐熱性接着剤等に好適に用い
ることができる新規なポリイミド樹脂と、そのようなポ
リイミド樹脂を与えるポリアミド酸に関する。

【０００２】更に、本発明は、上記ポリイミド樹脂から
なる絶縁層を金属箔基材上に有する回路基板と、そのよ
うな回路基板上に導体層からなるパターン回路を設けた
回路付きサスペンション基板に関する。

【０００３】例えば、コンピュータ等の外部記憶装置と
して用いられるハードディスク装置等の磁気ディスク装
置において、磁気記録や再生を行うには、上記磁気ディ
スクと磁気ヘッドとを相対的に走行させ、これによって
生じる空気流に抗して、磁気ヘッドを磁気ディスクに弾
性的に押し付けて、磁気ヘッドと磁気ディスクとの間に
一定の微小な間隔を保つことが必要である。このよう
に、磁気ヘッドを空気流に抗して磁気ディスクに弾性的
に押し付ける磁気ヘッド支持装置がサスペンションであ
る。本発明は、そのような回路付きサスペンション基板
を製造するために好適に用いることができる回路基板
と、そのような回路基板上に導体層からなる回路をパタ
ーニング技術によって形成してなるパターン回路付きサ
スペンション基板に関する。

【０００４】

【従来の技術】ポリイミド樹脂は、その高い耐熱性に加
え、機械的強度や電気絶縁性にすぐれた特性を活かし
て、電気、電子分野において広く用いられている。しか
し、従来より知られているポリイミド樹脂は、一般に、
有機溶媒への溶解性が悪いので、例えば、ポリイミド樹
脂フィルムを得るには、その前駆体のポリアミド酸を極
性有機溶媒に溶解し、この溶液をキャストした後、３０
０℃以上の高温に加熱して、閉環、イミド化させてい
る。

【０００５】他方、近年においては、高速信号処理を実
現するために、誘電率の小さいポリイミド樹脂が求めら
れており、そこで、例えば、分子中にフッ素原子を導入
したフッ素化ポリイミド樹脂が種々、開発されている。
しかし、従来より知られているそのようなフッ素化ポリ
イミド樹脂は、一般に、熱線膨張係数が高い。例えば、
T. Matsuura et al., Macromolecules, 26, 419, 1993)
に記載されているように、2,2'−ジ（トリフルオロメ
チル）−4,4'−ジアミノビフェニルと2,2−ビス（3,４
−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンを反
応させて得られるフッ素化ポリイミド樹脂は、誘電率は
2.8 と低いが、熱線膨張係数は４５ｐｐｍと高い。

【０００６】特に、回路基板についていえば、近年、半
導体の高密度実装や高速信号処理を目的とした薄膜多層
回路基板として、金属箔にポリイミド樹脂からなる絶縁
層を設けてなる回路基板が用いられるようになってい
る。しかし、従来、一般に、絶縁材料として用いられて
いるポリイミド樹脂は、このように、熱線膨張係数が種
々の金属箔よりも大きいので、回路基板に反りが生じた
り、また、樹脂層に割れが生じたり、樹脂層が剥離した
りする。

【０００７】そこで、2,2'−ジ（トリフルオロメチル）
−4,4'−ジアミノビフェニルと無水ピロメリット酸を反
応させて、熱線膨張係数が０ｐｐｍと低いフッ素化ポリ
イミド樹脂も得られているが、しかし、誘電率が 3.2
と高い。

【０００８】また、コンピュータやその周辺機器である
記憶装置は、容量の向上の一方で、小型化や低価格化が
求められており、このような要望を背景として、なかで
も、ハードディスクドライブの技術が著しい進歩をみせ
ている。磁気ヘッドにおいても、従来からのメタルイン
ギャップ（ＭＩＧ）に対して、最近では、コイル部分を
薄膜化した薄膜磁気ヘッド（ＴＦＨ）や、更には、読み
書き兼用で且つ記憶容量も飛躍的に大きい薄膜−磁気抵
抗複合ヘッド（ＭＲ）の開発が急がれている。

【０００９】しかしながら、従来のように、所要の配線
をサスペンション基板上に導線を引き回して構成する技
術によっては、その導線がサスペンションの弾性率に影
響を与えて、前記浮上量の変動を招来し、場合によって
は、磁気ディスクとの接触によって、磁気ディスク装置
の耐久性を低下させることもある。

【００１０】そこで、近年、ヘッドを実装するサスペン
ション基板上に直接、電気回路を形成してなるサスペン
ションが実用化されるに至っている。しかし、前述した
ように、従来、絶縁層としてポリイミド樹脂が用いられ
ている回路基板によれば、最終的に得られるサスペンシ
ョンも、ポリイミド樹脂が金属箔基材よりも熱線膨張係
数が大きいことに起因して、絶縁不良や反りが生じて、
性能不良を起こすことがある。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、第１の側面
として、従来のポリイミド樹脂における上述したような
問題を解決するためになされたものであって、ポリイミ
ド樹脂が本来、有するすぐれた特性に加えて、熱線膨張
係数、誘電率が共に低い新規なポリイミド樹脂と、その
ようなポリイミド樹脂を与えるポリアミド酸を提供する
ことを目的とする。

【００１２】更に、本発明は、第２の側面として、従来
の金属箔上にポリイミド樹脂からなる絶縁層を有する回
路基板とそれを用いる回路付きサスペンション基板にお
ける上述したような問題を解決するためになされたもの
であって、熱線膨張係数、誘電率が共に低く、特に、熱
線膨張係数が種々の金属箔に近接しているポリイミド樹
脂からなる絶縁層を金属箔上に有し、従って、樹脂層に
割れが生じたり、樹脂層が剥離したりせず、また、反り
が生じない回路基板を提供することを目的とし、更に、
そのような回路基板を用いてなる回路付きサスペンショ
ン基板を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、一般式
（Ｉ）

【００１４】

【化１９】

【００１５】（式中、Ｘは式（ａ）

【００１６】

【化２０】

【００１７】又は式（ｂ）

【００１８】

【化２１】

【００１９】又は式（ｃ）

【００２０】

【化２２】

【００２１】で表される４価の有機基を示し、Ｙは式
（ｄ）

【００２２】

【化２３】

【００２３】（式中、Ｒはフッ素原子又はメトキシ基を
示す。）、又は式（ｅ）

【００２４】

【化２４】

【００２５】（式中、Ｚは水素原子又はフッ素原子を示
す。）、又は式（ｆ）

【００２６】

【化２５】

【００２７】又は式（ｇ）

【００２８】

【化２６】

【００２９】又は式（ｈ）

【００３０】

【化２７】

【００３１】で表される２価の有機基を示す。）で表さ
れる繰返し単位からなり、Ｘのうち、式（ａ）又は式
（ｂ）で表される有機基が２０〜９９モル％を占め、式
（ｃ）で表される有機基が８０〜１モル％を占め、Ｙの
うち、式（ｄ）で表される有機基が２０〜９９モル％を
占め、式（ｅ）、式（ｆ）、式（ｇ）又は式（ｈ）で表
される有機基が８０〜１モル％を占め、重量平均分子量
が２００００〜１０００００の範囲にあるポリアミド酸
が提供される。

【００３２】また、本発明によれば、一般式（II）

【００３３】

【化２８】

【００３４】（式中、Ｘは式（ａ）

【００３５】

【化２９】

【００３６】又は式（ｂ）

【００３７】

【化３０】

【００３８】又は式（ｃ）

【００３９】

【化３１】

【００４０】で表される４価の有機基を示し、Ｙは式
（ｄ）

【００４１】

【化３２】

【００４２】（式中、Ｒはフッ素原子又はメトキシ基を
示す。）、又は式（ｅ）

【００４３】

【化３３】

【００４４】（式中、Ｚは水素原子又はフッ素原子を示
す。）、又は式（ｆ）

【００４５】

【化３４】

【００４６】又は式（ｇ）

【００４７】

【化３５】

【００４８】又は式（ｈ）

【００４９】

【化３６】

【００５０】で表される２価の有機基を示す。）で表さ
れる繰返し単位からなり、Ｘのうち、式（ａ）又は式
（ｂ）で表される有機基が２０〜９９モル％を占め、式
（ｃ）で表される有機基が８０〜１モル％を占め、Ｙの
うち、式（ｄ）で表される有機基が２０〜９９モル％を
占め、式（ｅ）、式（ｆ）、式（ｇ）又は式（ｈ）で表
される有機基が８０〜１モル％を占め、重量平均分子量
が２００００〜１０００００の範囲にあるポリイミド樹
脂が提供される。

【００５１】更に、本発明によれば、金属箔基材上に上
記ポリイミド樹脂からなる絶縁層を有する回路基板が提
供される。

【００５２】また、本発明によれば、金属箔基材上に上
記ポリイミド樹脂からなる絶縁層を有し、その上に導体
層からなるパターン回路を有する回路付きサスペンショ
ン基板が提供される。

【００５３】

【発明の実施の形態】先ず、本発明の第１の側面とし
て、本発明によるポリアミド酸とそれより得られるポリ
イミド樹脂について説明する。

【００５４】本発明によるポリアミド酸は、前記一般式
（Ｉ）で表される繰返し単位からなり、Ｘのうち、式
（ａ）又は式（ｂ）で表される有機基が２０〜９９モル
％、好ましくは、４０〜９５モル％を占め、式（ｃ）で表
される有機基が８０〜１モル％、好ましくは、６０〜５モ
ル％を占め、Ｙのうち、式（ｄ）で表される有機基が２
０〜９９モル％、好ましくは、４０〜９５モル％を占め、
式（ｅ）、式（ｆ）、式（ｇ）又は式（ｈ）で表される
有機基が８０〜１モル％、好ましくは、６０〜５モル％を
占め、重量平均分子量が２００００〜１０００００の範
囲にある。

【００５５】このようなポリアミド酸は、無水ピロメリ
ット酸（ａ')

【００５６】

【化３７】

【００５７】と3,3',4,4'−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物（ｂ')

【００５８】

【化３８】

【００５９】とから選ばれる第１の酸無水物と、第２の
酸無水物としての2,２−ビス（3,4−ジカルボキシフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン（ｃ')

【００６０】

【化３９】

【００６１】とからなる酸無水物成分と、一般式（ｄ')

【００６２】

【化４０】

【００６３】（式中、Ｒはフッ素原子又はメトキシ基を
示す。）で表される第１の芳香族ジアミンとしての2,2'
−ジ置換−4,4'−ジアミノビフェニル類と、一般式
（ｅ')

【００６４】

【化４１】

【００６５】（式中、Ｚは水素原子又はフッ素原子を示
す。）で表される2,2−ビス（４−アミノフェノキシフ
ェニル）プロパン類と、式（ｆ')

【００６６】

【化４２】

【００６７】で表される1,１−ビス（４−（４−アミノ
フェノキシ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル）
ブタンと、式（ｇ')

【００６８】

【化４３】

【００６９】で表される2,２−ビス（３−アミノ−４−
メチルフェニル）ヘキサフルオロプロパンと、一般式
（ｈ')

【００７０】

【化４４】

【００７１】で表されるα,α'−ビス（４−アミノフェ
ニル）ジイソプロピルベンゼン類とから選ばれる第２の
芳香族ジアミンとからなる芳香族ジアミン成分とを有機
溶媒中で反応させることによって得ることができる。

【００７２】上記第２の芳香族ジアミン成分のうち、上
記一般式（ｅ')で表される2,２−ビス（４−アミノフェ
ノキシフェニル）プロパン類の具体例としては、2,２−
ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパンや2,２
−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパンを挙げることができ、また、上記一般式
（ｈ')で表されるα,α'−ビス（４−アミノフェニル）
ジイソプロピルベンゼン類の好ましい具体例として、例
えば、α,α'−ビス（４−アミノフェニル）−1,４−ジ
イソプロピルベンゼンやα,α'−ビス（４−アミノフェ
ニル）−1,３−ジイソプロピルベンゼン等を挙げること
ができる。

【００７３】本発明によれば、上記ポリアミド酸の製造
において、上記酸無水物成分のうち、第１の酸無水物、
即ち、無水ピロメリット酸（ａ')と3,3',4,4'−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物（ｂ')から選ばれるいず
れかの酸無水物の割合は２０〜９９モル％の範囲であ
り、好ましくは、４０〜９５モル％の範囲であり、第２
の酸無水物である2,2 −ビス（3,4−ジカルボキシフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン（ｃ')の割合は８０〜１
モル％の範囲であり、好ましくは、６０〜５モル％の範
囲である。

【００７４】また、上記芳香族ジアミン成分のうち、第
１の芳香族ジアミン（即ち、上記一般式（ｄ')で表され
る2,2'−ジ置換−4,4'−ジアミノビフェニル類）の割合
は、２０〜９９モル％の範囲であり、好ましくは、４０
〜９５モル％の範囲である。他方、上記芳香族ジアミン
成分のうち、第２の芳香族ジアミン（即ち、上記一般式
（ｅ')で表される2,２−ビス（４−アミノフェノキシフ
ェニル）プロパン類と、上記式（ｆ')で表される1,１−
ビス（４−（４−アミノフェノキシ）−３−ｔ−ブチル
−６−メチルフェニル）ブタンと、上記式（ｇ')で表さ
れる2,２−ビス（３−アミノ−４−メチルフェニル）ヘ
キサフルオロプロパンと、上記一般式（ｈ')で表される
α,α'−ビス（４−アミノフェニル）ジイソプロピルベ
ンゼン類とから選ばれるいずれかの芳香族ジアミン）の
割合は８０〜１モル％の範囲であり、好ましくは、６０
〜５モル％の範囲である。

【００７５】ここに、上記第１の酸無水物のモル数を
ａ、上記第２の酸無水物のモル数をｂとするとき、第１
の酸無水物の割合（モル％）は（ａ／（ａ＋ｂ））×１
００で定義され、上記第２の酸無水物の割合（モル％）
は（ｂ／（ａ＋ｂ））×１００で定義される。

【００７６】同様に、上記第１の芳香族ジアミンのモル
数をｃ、上記第２の芳香族ジアミンのモル数をｄとする
とき、上記第１の芳香族ジアミンの割合（モル％）は
（ｃ／（ｃ＋ｄ））×１００で定義され、上記第２の芳
香族ジアミンの割合（モル％）は（ｄ／（ｃ＋ｄ））×
１００で定義される。

【００７７】上記酸無水物成分と芳香族ジアミン成分と
の反応に用いる有機溶媒は、これら酸無水物成分と芳香
族ジアミン成分とを溶解させると共に、得られるポリア
ミド酸を溶解させるものであれば、任意のものが用いら
れるが、好ましくは、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセ
トアミド、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラ
ン、1,４−ジオキサン、ヘキサメチルホスホルアミド、
Ｎ−メチル−ε−カプロラクタム等が用いられる。これ
らの溶媒は単独で、又は２種以上の混合物として用いら
れる。

【００７８】上記酸無水物成分と芳香族ジアミン成分と
の反応において、このような有機溶媒中における酸無水
物成分と芳香族ジアミン成分の合計量の濃度は、特に限
定されるものではないが、通常、１〜５０重量％、好ま
しくは、５〜３０重量％の範囲である。

【００７９】本発明によれば、前記一般式（Ｉ）で表さ
れるポリアミド酸は、上記酸無水物成分と芳香族ジアミ
ン成分とを上述したような有機溶媒中、２５０℃以下の
温度、好ましくは、室温（２５℃）から８０℃の範囲の
温度で反応させることによって得ることができる。反応
時間は、用いる酸無水物成分と芳香族ジアミン成分やそ
の割合のほか、有機溶媒、反応温度等によるが、通常、
２〜４８時間の範囲である。

【００８０】本発明によれば、このようにして、通常、
得られたポリアミド酸が室温にて有機溶媒に溶解してい
る溶液を得ることができ、この溶液をポリアミド酸を溶
解しない貧溶媒中に加えて、ポリアミド酸を沈殿させ、
粉末として得ることができる。また、このように粉末と
して得たポリアミド酸は、これを上述したような有機溶
媒に加えて、溶解させることができる。

【００８１】このようにして得られるポリアミド酸は、
通常、数平均分子量が１００００〜５００００の範囲に
あり、重量平均分子量が２００００〜１０００００の範
囲にある。

【００８２】本発明によれば、上記ポリアミド酸の溶液
を適宜の基材上にキャストし、適宜の雰囲気下、３００
〜４００℃の温度に数時間加熱して、ポリアミド酸を閉
環、イミド化させることによって、ポリイミド樹脂フィ
ルムを得ることができる。必要に応じて、上記加熱に先
立って、３０〜３００℃程度の温度まで予熱してもよ
い。このような予熱は、一定の昇温速度で３００℃程度
まで行ってもよいし、また、３００℃程度まで段階的に
昇温して行ってもよい。上記加熱時の雰囲気としては、
特に限定されるものではなく、空気雰囲気、窒素のよう
な不活性ガス雰囲気、真空雰囲気等のいずれでもよい。

【００８３】このようにして得られるポリイミド樹脂も
また、その前駆体であるポリアミド酸と同様、通常、数
平均分子量が１００００〜５００００の範囲にあり、重
量平均分子量が２００００〜１０００００の範囲にあ
る。

【００８４】本発明によれば、このようにして得られる
ポリイミド樹脂は、熱線膨張係数、誘電率が共に低く、
通常、熱線膨張係数が５〜３０ｐｐｍの範囲にあり、誘
電率が2.８〜3.２の範囲にあり、かくして、半導体にお
ける種々の保護膜や層間絶縁膜、液晶表示素子の配向
膜、フレキシブルプリント配線板のベースフィルム、ガ
ス透過膜、耐熱性接着剤等に好適に用いることができ
る。特に、本発明によるポリイミド樹脂は、コンピュー
タ等において、信号の高速伝送化を実現するための種々
の電子部品の製造、特に、回路付きサスペンション基板
の絶縁層として、好適に用いることができる。

【００８５】次に、本発明の第２の側面として、上述し
たポリイミド樹脂からなる絶縁層を金属箔基材上に有す
る回路基板と、そのような回路基板上に導体層からなる
パターン回路を設けた回路付きサスペンション基板につ
いて説明する。

【００８６】本発明による回路基板は、金属箔基材上に
上述したポリイミド樹脂からなる絶縁層を有するもので
ある。

【００８７】即ち、本発明による回路基板は、金属箔基
材上にポリイミド樹脂からなる絶縁層を有する回路基板
において、上記ポリイミド樹脂が一般式（II）

【００８８】

【化４５】

【００８９】（式中、Ｘは式（ａ）

【００９０】

【化４６】

【００９１】又は式（ｂ）

【００９２】

【化４７】

【００９３】又は式（ｃ）

【００９４】

【化４８】

【００９５】で表される４価の有機基を示し、Ｙは式
（ｄ）

【００９６】

【化４９】

【００９７】（式中、Ｒはフッ素原子又はメトキシ基を
示す。）、又は式（ｅ）

【００９８】

【化５０】

【００９９】（式中、Ｚは水素原子又はフッ素原子を示
す。）、又は式（ｆ）

【０１００】

【化５１】

【０１０１】又は式（ｇ）

【０１０２】

【化５２】

【０１０３】又は式（ｈ）

【０１０４】

【化５３】

【０１０５】で表される２価の有機基を示す。）で表さ
れる繰返し単位からなり、Ｘのうち、式（ａ）又は式
（ｂ）で表される有機基が２０〜９９モル％を占め、式
（ｃ）で表される有機基が８０〜１モル％を占め、Ｙの
うち、式（ｄ）で表される有機基が２０〜９９モル％を
占め、式（ｅ）、式（ｆ）、式（ｇ）又は式（ｈ）で表
される有機基が８０〜１モル％を占め、重量平均分子量
が２００００〜１０００００の範囲にある。

【０１０６】このようなポリイミド樹脂は、前述したよ
うに、無水ピロメリット酸と 3,3',4,4'−ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物とから選ばれる第１の酸無水物
と、第２の酸無水物としての 2,2−ビス（3,４−ジカル
ボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物とか
らる酸無水物成分と、前記一般式（ｄ')で表される第１
の芳香族ジアミンとしての2,2'−ジ置換−4,4'−ジアミ
ノビフェニル類と、前記一般式（ｅ')で表される2,２−
ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン類と前
記式（ｆ')で表される1,１−ビス（４−（４−アミノフ
ェノキシ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル）ブ
タンと前記式（ｇ')で表される2,２−ビス（３−アミノ
−４−メチルフェニル）ヘキサフルオロプロパンと前記
一般式（ｈ')で表されるα,α'−ビス（４−アミノフェ
ニル）ジイソプロピルベンゼン類とから選ばれる第２の
芳香族ジアミンとからなる芳香族ジアミン成分との反応
によって得られるものである。

【０１０７】同様に、本発明による回路付きサスペンシ
ョンは、金属箔基材上にポリイミド樹脂からなる絶縁層
を有し、その上に導体層からなるパターン回路を有する
回路付きサスペンション基板において、上記ポリイミド
樹脂が前記一般式（II）で表される繰返し単位からなる
ものである。

【０１０８】より詳細には、本発明による回路基板と回
路付きサスペンション基板において用いる上記ポリイミ
ド樹脂は、無水ピロメリット酸（ａ')と3,3',4,4'−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物（ｂ')とから選ばれ
る第１の酸無水物と、前記式（ｃ')で表される第２の酸
無水物としての2,2−ビス（3,4−ジカルボキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパンとからなる酸無水物と、前
記式（ｄ')で表される第１の芳香族ジアミンとしての2,
2'−ジ置換−4,4'−ジアミノビフェニル類と、前記一般
式（ｅ')で表される2,２−ビス（４−アミノフェノキシ
フェニル）プロパン類と前記式（ｆ')で表される1,１−
ビス（４−（４−アミノフェノキシ）−３−ｔ−ブチル
−６−メチルフェニル）ブタンと前記式（ｇ')で表され
る2,２−ビス（３−アミノ−４−メチルフェニル）ヘキ
サフルオロプロパンと前記一般式（ｈ')で表されるα,
α'−ビス（４−アミノフェニル）ジイソプロピルベン
ゼン類とから選ばれる第２の芳香族ジアミンとからなる
芳香族ジアミン成分との反応によって得られるポリアミ
ド酸、即ち、ポリイミド樹脂前駆体に感光剤の存在下で
紫外線を照射した後、加熱して得られるものである。

【０１０９】上記ポリアミド酸は、前述したように、前
記酸無水物成分と芳香族ジアミン成分とを有機溶媒中で
反応させることによって得ることができ、ここに、上記
酸無水物成分と芳香族ジアミン成分におけるそれぞれの
成分の割合、反応に用いる有機溶媒、反応温度、反応時
間等は、前述したとおりであり、従って、このようにし
て得られるポリアミド酸は、通常、数平均分子量が１０
０００〜５００００の範囲にあり、重量平均分子量が２
００００〜１０００００の範囲にあることも、前述した
とおりである。

【０１１０】本発明によれば、このようにして、芳香族
ジアミン成分と酸無水物成分とを用いてポリアミド酸の
溶液を得、これに感光剤を配合して、感光性ポリアミド
酸溶液とし、これに紫外線を照射した後、加熱すること
によって、熱線膨張係数と誘電率が共に低いポリイミド
樹脂を得ることができる。このようにして得られるポリ
イミド樹脂は、通常、熱線膨張係数が５〜３０ｐｐｍの
範囲にあり、誘電率が2.６〜3.２の範囲にある。

【０１１１】本発明において、回路基板に用いる金属箔
基材は、特に、限定されるものではないが、通常、ステ
ンレス箔、銅箔、アルミニウム箔、銅−ベリリウム箔、
リン青銅箔、４２アロイ箔等が用いられる。更に、本発
明によれば、このような金属箔基材は、長尺物が好まし
く用いられる。即ち、長尺の金属箔基材にポリイミド樹
脂からなる絶縁層を一定のパターンを繰り返すようにし
て設け、それぞれパターン化した絶縁層の上にそれぞれ
導体層からなる所要のパターン回路を形成し、かくし
て、最終的に、個々のパターン回路ごとに金属箔基材を
裁断すれば、個々の回路付きサスペンション基板を得る
ことができる。

【０１１２】そこで、本発明によれば、回路基板は、好
ましくは、長尺の金属箔基材、通常、長尺のステンレス
箔上に上記感光性ポリアミド酸溶液を塗布し、乾燥させ
て、被膜を形成した後、この被膜を所定のパターンを有
するマスクを介して、紫外線に露光させ、加熱（露光後
加熱）し、現像し、この後、加熱硬化（ポリアミド酸の
ポリイミド化）を行って、ポリイミド樹脂からなる所定
のパターンを形成させて、これを絶縁層とすることによ
って得ることができる。

【０１１３】上記感光性ポリアミド酸溶液は、前述した
ように、前記芳香族ジアミン成分と前記酸無水物成分と
を実質的に等モル比にて前記有機溶媒中で反応させて、
ポリアミド酸（ポリアミック酸）を生成させ、これに感
光剤を配合してなる溶液状組成物である。

【０１１４】本発明において、上記感光剤としては、そ
の詳細が特開平６−７５３７６号公報に記載されている
ように、一般式（III)

【０１１５】

【化５４】

【０１１６】（式中、Ｘ₁からＸ₄はそれぞれ独立に水
素原子、フッ素原子、ニトロ基、メトキシル基、アミノ
基、ジアルキルアミノ基、シアノ基又はフッ化アルキル
基を示し、Ｙ₁はシアノ基又は一般式−ＣＯＲ₃を示
し、Ｙ₂はシアノ基又は一般式−ＣＯＲ₄を示し、ここ
に、Ｒ₃及びＲ₄はそれぞれ独立に炭素数１〜４のアル
キル基若しくはアルコキシ基、アニリノ基、トルイジノ
基、ベンジルオキシ基、アミノ基又はジアルキルアミノ
基を示し、Ｒ₁、Ｒ₂及びＲ₅はそれぞれ独立に水素原
子又は炭素数１〜３のアルキル基を示す。Ｒ₁とＲ₃、
Ｒ₂とＲ₄は、ケト基を含む５員環、６員環又は複素環
の形成可能な員環となることができる。）で表されるジ
ヒドロピリジン誘導体が用いられる。

【０１１７】具体例としては、例えば、４−ｏ−ニトロ
フェニル−3,５−ジメトキシカルボニル−2,６−ジメチ
ル−1,４−ジヒドロピリジン（以下、ニフェジピンとい
う。）、４−ｏ−ニトロフェニル−3,５−ジメトキシカ
ルボニル−2,６−ジメチル−１−メチル−４−ヒドロピ
リジン（以下、Ｎ−メチル体という。）、４−ｏ−ニト
ロフェニル−3,５−ジアセチル−1,４−ジヒドロピリジ
ン（以下、単にアセチル体という。）等を挙げることが
できる。これらは単独で、又は２種以上の混合物として
用いられる。必要に応じて、現像剤に対する溶解助剤と
して、イミダゾールが適当量用いられる。

【０１１８】本発明においては、上記ジヒドロピリジン
誘導体は、前記芳香族ジアミン成分と酸無水物成分の合
計量１モル部に対して、通常、0.０５〜0.５モル部の範
囲で用いられる。イミダゾールも、必要に応じて、芳香
族ジアミン成分を含むジアミン成分（「ジアミン成分」
なる用語については、後述する。）と酸無水物成分の合
計量１モル部に対して、通常、0.０５〜0.５モル部の範
囲で用いられる。

【０１１９】本発明によれば、このような感光性ポリア
ミド酸溶液を適宜の基材上に塗布し、乾燥させ、これに
紫外線を照射して露光（紫外線照射）させた後、加熱
（露光後加熱）することによって、ポジ型又はネガ型の
潜像を形成し、これを現像して、ポジ型又はネガ型の画
像、即ち、所要のパターンを得る。そこで、これを最終
的に高温に加熱して、ポリアミド酸をイミド化すれば、
ポリイミド樹脂からなるパターン被膜を得ることができ
る。

【０１２０】より詳細には、上記感光性ポリアミド酸
は、用いる感光剤の種類によって幾らか異なるものの、
露光後加熱の温度が１４０℃前後の比較的低温であると
きは、露光部が現像剤に溶解して、ポジ型画像を形成
し、他方、上記露光後加熱の温度が約１７０℃以上の比
較的高温であるときは、未露光部が現像剤に溶解して、
ネガ型画像を形成する。

【０１２１】ここに、上記現像剤としては、通常、水酸
化テトラメチルアンモニウム等のような有機アルカリの
水溶液や、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機
アルカリの水溶液が用いられる。アルカリ濃度は、通
常、２〜５重量％の範囲が適当である。必要に応じて、
上記アルカリ水溶液には、メタノール、エタノール、ｎ
−プロパノール、イソプロパノール等の低級脂肪族アル
コールを加えてもよい。アルコールの添加量は、通常、
５０重量％以下である。また、現像温度は、通常、２５
〜５０℃の範囲が適当である。

【０１２２】本発明において用いる上記感光性ポリアミ
ド酸によれば、露光後加熱の温度が１４０℃前後の比較
的低温であるときは、未露光部においては、前記ジヒド
ロピリジン誘導体の１位置のイミノ基水素とポリアミド
酸のカルボキシル基との間に水素結合を形成して、ポリ
イミド樹脂の親水性と被膜の現像液への拡散速度とが低
下し、結果として、被膜の現像剤への溶解速度が低下
し、他方、露光部においては、露光によって、中性化合
物である前記ジヒドロピリジン誘導体が塩基性のピリジ
ン化合物に変化し、これがポリアミド酸と弱い塩構造を
形成し、その結果として、被膜の親水性が増大し、現像
剤への溶解速度が増す。このように、露光部の現像剤へ
の溶解速度が未露光部よりも大きいために、露光、露光
後加熱及び現像後の被膜は、ポジ型画像を与える。

【０１２３】他方、本発明において用いる感光性ポリア
ミド酸によれば、露光後加熱の温度が約１７０℃以上の
比較的高温であるときは、未露光部は、露光後加熱の温
度が１４０℃前後の比較的低温であるときと同様に、被
膜の現像剤への溶解速度が低下するが、他方、露光部に
おいては、前記ジヒドロピリジン誘導体が露光によって
塩基性のピリジン化合物に変化し、これがポリアミド酸
のポリイミド化を促進し、被膜の現像剤への溶解速度を
低下させると同時に、上記ピリジン化合物自身も露光後
加熱によって更に不溶性の環化化合物に変化すると共
に、ポリアミド酸のポリイミド化を促進し、その結果と
して、露光部の被膜の現像剤に対する溶解性が上記未露
光部に比べて一層低下する。このように、露光後の上記
加熱温度が約１７０℃以上の比較的高温であるときは、
露光部の現像剤への溶解速度が未露光部に比べて著しく
小さいので、露光、露光後加熱及び現像後の被膜は、ネ
ガ型画像を与える。

【０１２４】本発明によれば、長尺の金属箔基材上に上
述したような感光性ポリアミド酸溶液を塗布し、加熱乾
燥させて、ポリアミド酸の被膜を形成し、これにマスク
を介して紫外線を照射して所定のパターンを露光させ、
露光後加熱し、現像し、好ましくは、所定のパターンを
有するネガ画像を形成した後、これを加熱硬化して、イ
ミド化反応を起こさせることによって、ポリイミド樹脂
からなる絶縁層を形成して、本発明による回路基板を得
ることができる。このように、ポリアミド酸を加熱して
ポリイミド化するには、好ましくは、その被膜を真空下
又は不活性ガス雰囲気下に３００〜４００℃程度に数時
間、加熱するのが好ましい。

【０１２５】この後、この絶縁層の上に常法に従って所
定のパターンを有する導体層からなる所定の回路を形成
すると共に、所要の端子を形成し、次いで、長尺の金属
箔基材を所要の形状に化学的に切り抜くことによって、
本発明による回路付きサスペンション基板を得ることが
できる。

【０１２６】本発明によれば、得られるポリイミド樹脂
の基材に対する接着性を向上させるために、必要に応じ
て、前記芳香族ジアミン成分の一部をアミノ基含有２官
能性ポリシロキサンに置換してもよい。このようなアミ
ノ基含有２官能性ポリシロキサンの具体例として、例え
ば、一般式（IV）

【０１２７】

【化５５】

【０１２８】（式中、Ｒ₁は炭素数１〜１８のアルキレ
ン基、Ｒ₂は炭素数１〜１８のアルキル基を示し、ｎは
１〜１００の整数である。）で表されるポリシロキサン
を挙げることができる。

【０１２９】前記芳香族ジアミン成分と上記アミノ基含
有２官能性ポリシロキサンとからなる成分をジアミン成
分とするとき、上記アミノ基含有２官能性ポリシロキサ
ンは、このジアミン成分の１０モル％以下の割合で用い
られる。

【０１３０】従って、本発明において、上記アミノ基含
有２官能性ポリシロキサンの割合（モル％）は、前記第
１の芳香族ジアミン成分のモル数をａ、前記第２の芳香
族ジアミン成分のモル数をｂ、アミノ基含有２官能性ポ
リシロキサンのモル数をｅとするとき、（ｅ／（ａ＋ｂ
＋ｅ））×１００で定義される。

【０１３１】特に、本発明においては、上記一般式（I
V）において、Ｒ₁は炭素数１〜７のアルキレン基であ
ることが好ましく、具体例として、例えば、メチレン、
エチレン、プロピレン、ブチレン、ヘキシレン等のアル
キレン基を挙げることができる。Ｒ₂は炭素数１〜７の
アルキル基であることが好ましく、具体例として、例え
ば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル等の
アルキル基を挙げることができる。また、ｎは好ましく
は１〜４０である。なかでも、アミノ基含有２官能性ポ
リシロキサンとして、ビス（アミノプロピル）テトラメ
チルジシロキサンが好ましく用いられる。

【０１３２】次に、本発明によれば、前述したようにし
て、回路基板を製造した後、パターニング技術の常法に
従って、上述したポリイミド樹脂からなる絶縁層の上に
導体層からなるパターン回路を形成すると共に、所要の
端子を形成した後、最終的に前記絶縁層を含む所要の形
状にステンレス箔を化学的に切り抜くことによって、個
々の回路付きサスペンション基板を得ることができる。

【０１３３】このようにして、本発明によれば、ポリイ
ミド樹脂の有する熱線膨張係数が種々の金属箔に近接し
て小さいので、金属箔の上にこのようなポリイミド樹脂
からなる絶縁層を形成して回路基板としても、樹脂層に
割れが生じたり、樹脂層が剥離したりすることがなく、
更に、反りが生じない。従って、このような回路基板の
上に導体層からなるパターン回路を設けた回路付きサス
ペンション基板においても、絶縁不良等の性能不良を起
こすことがない。

【０１３４】しかも、本発明によれば、前述したよう
に、高感度高コントラストにて精密なパターニング加工
を行うことができるので、回路付きサスペンション基板
の高容量小型化が可能である。

【０１３５】以下に、図面に基づいて本発明による回路
付きサスペンション基板及びその製造について詳細に説
明する。

【０１３６】図１は、本発明による回路付きサスペンシ
ョン基板１の一例を示す斜視図であり、ステンレス箔基
材２の上にポリイミド樹脂からなる絶縁層（図示せず）
を有し、その上に銅導体層３からなる所定のパターン回
路が薄膜として形成されている。先端には、基材への切
込みによって、ジンバル４が基材に一体に形成されてお
り、この上に磁気ヘッドを有するスライダ（図示せず）
が固定される。前後の端部にはそれぞれ所要の端子５及
び６が形成されている。但し、図１においては、基板の
表面を被覆保護する被覆層（カバー・レイ）が剥離され
ている状態を示す。

【０１３７】図２は、図１において、Ａ−Ａ線に沿う断
面図であり、ステンレス箔基材２の上にポリイミド樹脂
からなる絶縁層７を有し、その上にクロム薄膜２３を介
して銅導体層３からなる所定のパターン回路が薄膜とし
て形成されている。この導体層は、ニッケル薄膜２８か
らなる被覆にて保護されており、更に、その上に端子５
が形成されている。端子を除く全表面は、被覆層８によ
って被覆保護されている。

【０１３８】図３は、図１において、Ｂ−Ｂ線に沿う断
面図であり、ステンレス箔基材２の上にポリイミド樹脂
からなる絶縁層７を有し、その上にクロム薄膜２３を介
して銅導体層３からなる所定のパターン回路が薄膜とし
て形成されている。この導体層は、ニッケル薄膜２８か
らなる被覆にて保護されており、更に、被覆層８によっ
て被覆保護されている。

【０１３９】長尺のステンレス箔基材２としては、通
常、その厚みが１０〜６０μｍ、好ましくは、振動特性
の観点から、１５〜３０μｍで、幅が５０〜５００ｍ
ｍ、好ましくは、１２５〜３００ｍｍの範囲のものが用
いられる。しかし、これらに限定されるものではない。

【０１４０】図４から図５は、本発明による回路基板の
製造工程を示し、図６から図１６は、本発明による回路
付きサスペンションの製造工程を示す。

【０１４１】先ず、図４に示すように、上述したような
ステンレス箔基材２の全面に、得られる樹脂層の厚みが
２〜２０μｍ、好ましくは、５〜１０μｍとなるよう
に、感光性ポリアミド酸溶液を塗布し、６０〜１５０
℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱して、上記感光
性ポリアミド酸の被膜２１を形成する。

【０１４２】次に、この感光性ポリアミド酸の被膜に適
宜のマスクを介して紫外線を照射し、所定のパターンに
露光させる。ここに、露光積算光量は、１００〜１００
０ｍＪ／ｃｍ²、好ましくは、２００〜７００ｍＪ／ｃ
ｍ²の範囲であり、露光波長は、通常、３００〜４５０
ｎｍ、好ましくは、３５０〜４２０ｎｍの範囲である。
この露光の後、被膜を８０〜２００℃、好ましくは、１
２０〜１８０℃の温度で約２〜１０分程度加熱（露光後
加熱）し、次いで、現像処理を行う。本発明において
は、ネガ型画像を得るのが好ましい。この後、このよう
にして得られたポリアミド酸のパターン被膜を高温に加
熱して、ポリイミド化し、かくして、図５に示すよう
に、ステンレス箔基材２上にポリイミド樹脂からなるパ
ターン化した絶縁層２２を形成して、本発明による回路
基板を得る。

【０１４３】次いで、図６に示すように、パターン化し
たポリイミドの絶縁層２２を有するステンレス箔基材２
の全面にクロム薄膜２３と銅薄膜２４とをスパッタリン
グにて連続して順次に形成する。クロム薄膜２３は、ポ
リイミドからなる絶縁層２２上に銅薄膜２４を密着させ
るのに有用である。ここに、膜厚は、クロム薄膜が１０
０〜６００オングストローム、銅薄膜が５００〜２００
０オングストロームの範囲が好ましい。このようにして
得られる銅薄膜の表面抵抗は、通常、0.６Ω／□以下で
ある。

【０１４４】この後、図７に示すように、上記銅薄膜２
４の上に厚さ２〜１５μｍ程度の電解銅めっきを行っ
て、銅からなる導体層２５を形成する。図７において
は、前記クロム薄膜は図示されていない。

【０１４５】次いで、図８及び図９に示すように、常法
に従って、液状フォトレジスト２６又はドライフィルム
ラミネートを用いるパターニング技術によって、露光及
び現像処理を行った後、非パターン部の銅導体層２５を
エッチングにて除去し、かくして、前記ポリイミド樹脂
からなる絶縁層２２の上に上記銅からなる所定の導体パ
ターン２７を形成する。ここに、銅のエッチングにはア
ルカリエッチングによることが好ましい。

【０１４６】このような非パターン部の銅導体層のエッ
チング除去の後、更に、前記クロム薄膜２３をエッチン
グ除去して、図１０に示すように、前記ポリイミド樹脂
からなる絶縁層２２の上に所定の導体パターン２７を得
る。クロム薄膜２３のエッチングには、例えば、フェリ
シアン化カリウム系のエッチング液や、このほか、過マ
ンガン酸カリウム、メタケイ酸ナトリウム系等のエッチ
ング液が用いられる。

【０１４７】このようにして、基材上の不必要なクロム
薄膜を除去した後、無電解ニッケルめっきを行って、図
１１に示すように、上記銅導体層２７とステンレス箔基
材２の表面に硬質のニッケル薄膜２８を形成して、銅導
体層の表面を被覆、保護する。従って、このニッケルめ
っきの膜厚は、下層の銅導体層が露出しない程度であれ
ばよく、通常、0.０５〜0.１μｍの範囲である。

【０１４８】この後、配線部分の導体パターン２７を前
記した感光性ポリアミド酸を用いて被覆保護すると共
に、所要の端子部には端子を形成し、これを残して、表
面を同様に被覆保護して、被覆層（カバー・レイ）を形
成する。図１２以下において、基材の左側は配線部の形
成を示し、右側は端子部の形成を示す。

【０１４９】即ち、図１２に示すように、配線部では、
ポリイミド樹脂２９にて導体パターン２７を被覆し、端
子部では、パターニングによって、端子部を残すと共
に、端子を電解めっきにて形成するためのリード部３０
を残して、前記感光性ポリアミド酸を用いて、前記同様
の塗布、露光、露光後加熱、現像及び加熱硬化（イミド
化）を行って、ポリイミド樹脂にて被覆し、被覆層３１
を形成する。

【０１５０】次いで、図１３に示すように、端子部にお
いては、先ず、導体パターン２７の表面を保護していた
無電解ニッケルめっき薄膜２８（図１１参照）を剥離
し、同時に、ステンレス箔基材２上の無電解ニッケルめ
っき薄膜２８も除去する。この後に、常法に従って、通
常のフォトレジストを用いる方法によって、端子部のみ
を残して、ステンレス箔基材、導体パターン２７及びポ
リイミド樹脂被覆層３１をレジストにて被覆した後、上
記端子部に電解ニッケルめっき３２と電解金めっき３３
を順次に行って、端子３４を形成する。ここに、電解ニ
ッケルめっきと電解金めっきの厚さは、いずれも、１〜
５μｍ程度が適当である。この後、上記レジストを除去
する。

【０１５１】次いで、図１４に示すように、端子３４を
形成した導体パターン２７において、上記電解めっきに
用いたリード部３０（図１２参照）を化学エッチングに
て除去する。リード部の銅及びクロムの除去は、前述し
たと同じ方法によればよい。

【０１５２】このようにして、リード部を除去した後、
ステンレス箔基材２を化学エッチングによって所要の形
状に切り抜くために、常法に従って、フォトレジスト３
５又はドライフィルムラミネートを用いて、露光、現像
を行って、図１５に示すように、ステンレス箔基材２上
に所要のパターンを形成した後、ステンレス箔基材をエ
ッチングにて所要の形状に切り抜く。ここに、エッチン
グ液としては、例えば、塩化第二鉄、塩化第二銅等の水
溶液が用いられる。

【０１５３】このエッチング処理の後、純水にて洗浄
し、乾燥すれば、図１６に示すように、本発明による回
路付きサスペンション基板１を得ることができる。即
ち、この回路付きサスペンション基板は、ステンレス箔
基材２上にポリイミド樹脂からなる絶縁層２２を有し、
その上に導体層の薄膜からなる導体パターン２７、即
ち、パターン回路を有し、端子３４を除いて、全表面が
ポリイミド樹脂からなる被覆層３１にて被覆保護されて
いる。

【０１５４】

【発明の効果】本発明によるポリイミド樹脂は、カルボ
ン酸成分として、前記第１の酸無水物、即ち、無水ピロ
メリット酸と3,3',4,4'−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物とから選ばれる第１の酸無水物と、前記第２の
酸無水物成分としての2,2 −ビス（3,4−ジカルボキシ
フェニル）ヘキサフルオロプロパンとからなる酸無水物
成分を有すると共に、芳香族ジアミン成分として、前記
第１の芳香族ジアミン、即ち、2,2'−ジ置換−4,4'−ジ
アミノビフェニル類と、前記第２の芳香族ジアミンとし
ての前記2,2−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）
プロパン類と前記1,１−ビス（４−（４−アミノフェノ
キシ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル）ブタン
と前記2,２−ビス（３−アミノ−４−メチルフェニル）
ヘキサフルオロプロパンと前記α,α'−ビス（４−アミ
ノフェニル）ジイソプロピルベンゼン類とから選ばれる
いずれかからなる芳香族ジアミン成分を有し、熱線膨張
係数、誘電率共に低い特徴を有する。

【０１５５】更に、本発明による回路基板は、金属箔基
材の上にこのようなポリイミド樹脂の層を絶縁層として
有し、このポリイミド樹脂が金属箔に近接した熱線膨張
係数を有するので、樹脂層に割れが生じたり、樹脂層が
剥離したりせず、更に、反りが生じない。従って、本発
明による回路付きサスペンション基板においても、樹脂
層に割れが生じたり、樹脂層が剥離したりせず、更に、
反りが生じないので、性能不良を起こすことがない。

【０１５６】以上のほか、本発明による回路基板や回路
付きサスペンション基板は、これらに含まれるポリイミ
ド樹脂が熱線膨張係数が低いのみならず、誘電率も低い
ので、一層の高速信号処理を可能とする種々の電子部品
の製造に好適に用いることができる。

【０１５７】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではな
い。実施例及び比較例において用いた測定装置は次のと
おりである。

【０１５８】熱線膨張係数：セイコー電子（株）製サー
マルメカニカルアナリシス装置ＴＭＡ／ＳＳ１００誘電率：横河・ヒューレット・パッカード（株）製ＨＰ
１６４５１Ｂ誘電体測定装置回転粘度：東京計器（株）製Ｂ型粘度計ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）装
置：東ソー（株）製ＨＬＣ８０２０（カラムは東ソー
（株）製ＧＭＨ_XL＋ＧＭＨ_XL-＋Ｇ２５００Ｈ_XL

【０１５９】実施例１攪拌装置を備えた５００ｍＬ容量四つ口フラスコに2,2'
−ジメトキシ−4,4'−ジアミノビフェニル9.８ｇ（４0.
０ｍｍｏｌ）、1,１−ビス（４−（４−アミノフェノキ
シ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル）ブタン３
3.６ｇ（６0.０ｍｍｏｌ）とＮ−メチル−２−ピロリド
ン３２７ｇとを仕込み、室温で攪拌して、溶液とした。
次に、この溶液に3,3',4,4'−ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物１1.８ｇ（４0.０ｍｍｏｌ）と2,２−ビス
（3,４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン２6.６ｇ（６0.０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間攪
拌した後、５０℃で１８時間攪拌した。そこで、加熱を
止め、室温まで放冷して、ポリアミド酸の溶液を得た。
このポリアミド酸の分子量をＧＰＣ法にて測定した結
果、数平均分子量は１３０００であり、重量平均分子量
は３６０００であった。

【０１６０】上記ポリアミド酸の溶液をガラス板上にキ
ャストして、減圧下、室温から３６０℃まで２時間かけ
て昇温した後、３６０℃で２時間加熱して、ポリイミド
樹脂フィルムを得た。このポリイミド樹脂フィルムの熱
線膨張係数は２９ｐｐｍであり、誘電率は2.８７であっ
た。

【０１６１】上記ポリアミド酸の溶液を熱線膨張係数１
７ｐｐｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔の表面にキャ
ストし、減圧下、室温から３６０℃まで２時間かけて昇
温した後、３６０℃で２時間加熱し、閉環、イミド化さ
せて、ポリイミド樹脂フィルムとした。この後、室温に
戻したとき、ステンレス箔が弯曲するようなことはなか
った。以下、これをポリアミド酸のフィルム化試験とい
う。

【０１６２】実施例２攪拌装置を備えた５００ｍＬ容量四つ口フラスコに2,2'
−ジフルオロ−4,4'−ジアミノビフェニル１6.５ｇ（７
5.０ｍｍｏｌ）、2,２−ビス（３−アミノ−４−メチル
フェニル）ヘキサフルオロプロパン１9.１ｇ（７5.０ｍ
ｍｏｌ）とＮ−メチル−２−ピロリドン３６３ｇとを仕
込み、室温で攪拌して、溶液とした。次に、この溶液に
3,3',4,4'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２2.
１ｇ（７5.０ｍｍｏｌ）と2,２−ビス（3,４−ジカルボ
キシフェニル）ヘキサフルオロプロパン３3.３ｇ（７5.
０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間攪拌した後、５０℃
で１８時間攪拌した。そこで、加熱を止め、室温まで放
冷して、ポリアミド酸の溶液を得た。このポリアミド酸
の分子量をＧＰＣ法にて測定した結果、数平均分子量は
１３０００であり、重量平均分子量は３６０００であっ
た。

【０１６３】上記ポリアミド酸の溶液をガラス板上にキ
ャストして、実施例１と同様にして、ポリイミド樹脂フ
ィルムを得た。このポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張
係数は２７ｐｐｍであり、誘電率は2.５７であった。

【０１６４】上記ポリアミド酸のフィルム化試験におい
て、ステンレス箔の弯曲はみられなかった。

【０１６５】実施例３攪拌装置を備えた５００ｍＬ容量四つ口フラスコに2,2'
−ジフルオロ−4,4'−ジアミノビフェニル１9.８ｇ（９
0.０ｍｍｏｌ）、α,α'−ビス（４−アミノフェニル）
−1,４−ジイソプロピルベンゼン２0.６ｇ（６0.０ｍｍ
ｏｌ）とＮ−メチル−２−ピロリドン３４６ｇとを仕込
み、室温で攪拌して、溶液とした。次に、この溶液に無
水ピロメリット酸１9.４ｇ（９0.０ｍｍｏｌ）と2,２−
ビス（3,４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン２6.６ｇ（６0.０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時
間攪拌した後、５０℃で１８時間攪拌した。そこで、加
熱を止め、室温まで放冷して、ポリアミド酸の溶液を得
た。このポリアミド酸の分子量をＧＰＣ法にて測定した
結果、数平均分子量は１３０００であり、重量平均分子
量は３６０００であった。

【０１６６】上記ポリアミド酸の溶液をガラス板上にキ
ャストして、実施例１と同様にして、ポリイミド樹脂フ
ィルムを得た。このポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張
係数は２５ｐｐｍであり、誘電率は2.６５であった。

【０１６７】上記ポリアミド酸のフィルム化試験におい
て、ステンレス箔の弯曲はみられなかった。

【０１６８】実施例４攪拌装置を備えた５００ｍＬ容量四つ口フラスコに2,2'
−ジメキトシ−4,4'−ジアミノビフェニル２5.６ｇ（１
０5.０ｍｍｏｌ）とα,α'−ビス（４−アミノフェニ
ル）−1,３−ジイソプロピルベンゼン１5.５ｇ（４5.０
ｍｍｏｌ）とＮ−メチル−２−ピロリドン３３５ｇとを
仕込み、室温で攪拌して、溶液とした。次に、この溶液
に無水ピロメリット酸２2.７ｇ（１０5.０ｍｍｏｌ）と
2,２−ビス（3,４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフル
オロプロパン２0.０ｇ（４5.０ｍｍｏｌ）を加え、室温
で１時間攪拌した後、５０℃で１８時間攪拌した。そこ
で、加熱を止め、室温まで放冷して、ポリアミド酸の溶
液を得た。このポリアミド酸の分子量をＧＰＣ法にて測
定した結果、数平均分子量は１３０００であり、重量平
均分子量は３６０００であった。

【０１６９】上記ポリアミド酸の溶液をガラス板上にキ
ャストして、実施例１と同様にして、ポリイミド樹脂フ
ィルムを得た。このポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張
係数は２１ｐｐｍであり、誘電率は2.９１であった。

【０１７０】上記ポリアミド酸のフィルム化試験におい
て、ステンレス箔の弯曲はみられなかった。

【０１７１】実施例５攪拌装置を備えた５００ｍＬ容量四つ口フラスコに2,2'
−ジフルオロ−4,4'−ジアミノビフェニル２6.４ｇ（１
２0.０ｍｍｏｌ）とα,α'−ビス（４−アミノフェニ
ル）−1,４−ジイソプロピルベンゼン１0.３ｇ（３0.０
ｍｍｏｌ）とＮ−メチル−２−ピロリドン３４１ｇとを
仕込み、室温で攪拌して、溶液とした。次に、この溶液
に3,3',4,4'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物３
5.３ｇ（１２0.０ｍｍｏｌ）と2,２−ビス（3,４−ジカ
ルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン１3.３ｇ
（３0.０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間攪拌した後、
５０℃で１８時間攪拌した。そこで、加熱を止め、室温
まで放冷して、ポリアミド酸の溶液を得た。このポリア
ミド酸の分子量をＧＰＣ法にて測定した結果、数平均分
子量は１３０００であり、重量平均分子量は３６０００
であった。

【０１７２】上記ポリアミド酸の溶液をガラス板上にキ
ャストして、実施例１と同様にして、ポリイミド樹脂フ
ィルムを得た。このポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張
係数は１７ｐｐｍであり、誘電率は2.７０であった。

【０１７３】上記ポリアミド酸のフィルム化試験におい
て、ステンレス箔の弯曲はみられなかった。

【０１７４】実施例６攪拌装置を備えた５００ｍＬ容量四つ口フラスコに2,2'
−ジメトキシ−4,4'−ジアミノビフェニル３2.９ｇ（１
３5.０ｍｍｏｌ）と2,２−ビス（４−アミノフェノキシ
フェニル）プロパン5.２ｇ（１5.０ｍｍｏｌ）とＮ−メ
チル−２−ピロリドン２９６ｇとを仕込み、室温で攪拌
して、溶液とした。次に、この溶液に無水ピロメリット
酸２9.２ｇ（１３5.０ｍｍｏｌ）と2,２−ビス（3,４−
ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン6.７ｇ
（１5.０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間攪拌した後、
５０℃で１８時間攪拌した。そこで、加熱を止め、室温
まで放冷して、ポリアミド酸の溶液を得た。このポリア
ミド酸の分子量をＧＰＣ法にて測定した結果、数平均分
子量は１３０００であり、重量平均分子量は３６０００
であった。

【０１７５】上記ポリアミド酸の溶液をガラス板上にキ
ャストして、実施例１と同様にして、ポリイミド樹脂フ
ィルムを得た。このポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張
係数は１５ｐｐｍであり、誘電率は2.９６であった。

【０１７６】上記ポリアミド酸のフィルム化試験におい
て、ステンレス箔の弯曲はみられなかった。

【０１７７】実施例７攪拌装置を備えた５００ｍＬ容量四つ口フラスコに2,2'
−ジフルオロ−4,4'−ジアミノビフェニル３1.４ｇ（１
４2.５ｍｍｏｌ）と2,２−ビス（４−アミノフェノキシ
フェニル）プロパン2.６ｇ（7.５ｍｍｏｌ）とＮ−メチ
ル−２−ピロリドン２７２ｇとを仕込み、室温で攪拌し
て、溶液とした。次に、この溶液に無水ピロメリット酸
３0.８ｇ（１４2.５ｍｍｏｌ）と2,２−ビス（3,４−ジ
カルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン3.３ｇ
（7.５ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間攪拌した後、５
０℃で１８時間攪拌した。そこで、加熱を止め、室温ま
で放冷して、ポリアミド酸の溶液を得た。このポリアミ
ド酸の分子量をＧＰＣ法にて測定した結果、数平均分子
量は１３０００であり、重量平均分子量は３６０００で
あった。

【０１７８】上記ポリアミド酸の溶液をガラス板上にキ
ャストして、実施例１と同様にして、ポリイミド樹脂フ
ィルムを得た。このポリイミド樹脂フィルムの線膨張係
数は１３ｐｐｍであり、誘電率は2.７６であった。

【０１７９】上記ポリアミド酸のフィルム化試験におい
て、ステンレス箔の弯曲はみられなかった。

【０１８０】比較例１攪拌装置を備えた５００ｍＬ容量四つ口フラスコにα,
α'−ビス（４−アミノフェニル）−1,４−ジイソプロ
ピルベンゼン３4.４ｇ（１０0.０ｍｍｏｌ）とＮ−メチ
ル−２−ピロリドン３１５ｇとを仕込み、室温で攪拌し
て、溶液とした。次に、この溶液に2,２−ビス（3,４−
ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン４4.４
ｇ（１０0.０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間攪拌した
後、５０℃で１８時間攪拌した。そこで、加熱を止め、
室温まで放冷して、ポリアミド酸の溶液を得た。このポ
リアミド酸の分子量をＧＰＣ法にて測定した結果、数平
均分子量は１３０００であり、重量平均分子量は３６０
００であった。

【０１８１】上記ポリアミド酸の溶液をガラス板上にキ
ャストして、実施例１と同様にして、ポリイミド樹脂フ
ィルムを得た。このポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張
係数は６０ｐｐｍであり、誘電率は2.５４であった。

【０１８２】上記ポリアミド酸のフィルム化試験によれ
ば、ステンレス箔が弯曲した。

【０１８３】比較例２攪拌装置を備えた５００ｍＬ容量四つ口フラスコに2,2'
−ジメトキシ−4,4'−ジアミノビフェニル２4.４ｇ（１
０0.０ｍｍｏｌ）とＮ−メチル−２−ピロリドン２１５
ｇとを仕込み、室温で攪拌して、溶液とした。次に、こ
の溶液に3,3',4,4'−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物２9.４ｇ（１０0.０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時
間攪拌した後、５０℃で１８時間攪拌した。そこで、加
熱を止め、室温まで放冷して、ポリアミド酸の溶液を得
た。このポリアミド酸の分子量をＧＰＣ法にて測定した
結果、数平均分子量は１３０００であり、重量平均分子
量は３６０００であった。

【０１８４】上記ポリアミド酸の溶液をガラス板上にキ
ャストして、実施例１と同様にして、ポリイミド樹脂フ
ィルムを得た。このポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張
係数は３ｐｐｍであったが、誘電率は高く、3.２９であ
った。

【０１８５】上記ポリアミド酸のフィルム化試験によれ
ば、ステンレス箔が弯曲した。

【０１８６】比較例３攪拌装置を備えた５００ｍＬ容量四つ口フラスコに2,２
−ジフルオロ−4,4'−ジアミノビフェニル3.３ｇ（１5.
０ｍｍｏｌ）とα,α'−ビス（４−アミノフェニル）−
1,３−ジイソプロピルベンゼン２9.２ｇ（８5.０ｍｍｏ
ｌ）とＮ−メチル−２−ピロリドン２９４ｇとを仕込
み、室温で攪拌して、溶液とした。次に、この溶液に無
水ピロメリット酸3.２ｇ（１5.０ｍｍｏｌ）と2,2 −ビ
ス（3,4−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロ
パン３7.７ｇ（８5.０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間
攪拌した後、５０℃で１８時間攪拌した。そこで、加熱
を止め、室温まで放冷して、ポリアミド酸の溶液を得
た。このポリアミド酸の分子量をＧＰＣ法にて測定した
結果、数平均分子量は１３０００であり、重量平均分子
量は３６０００であった。

【０１８７】上記ポリアミド酸の溶液をガラス板上にキ
ャストして、実施例１と同様にして、ポリイミド樹脂フ
ィルムを得た。このポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張
係数は５４ｐｐｍであり、誘電率は高く、2.５４であっ
た。

【０１８８】上記ポリアミド酸のフィルム化試験によれ
ば、ステンレス箔が弯曲した。

【０１８９】比較例４攪拌装置を備えた５００ｍＬ容量四つ口フラスコに2,２
−ジフルオロ−4,4'−ジアミノビフェニル3.３ｇ（１5.
０ｍｍｏｌ）と2,２−ビス（４−アミノフェノキシフェ
ニル）プロパン２9.４ｇ（８5.０ｍｍｏｌ）とＮ−メチ
ル−２−ピロリドン２９９ｇとを仕込み、室温で攪拌し
て、溶液とした。次に、この溶液に3,3',4,4'−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物4.４ｇ（１5.０ｍｍｏ
ｌ）と2,2−ビス（3,４−ジカルボキシフェニル）ヘキ
サフルオロプロパン３7.７ｇ（８5.０ｍｍｏｌ）を加
え、室温で１時間攪拌した後、５０℃で１８時間攪拌し
た。そこで、加熱を止め、室温まで放冷して、ポリアミ
ド酸の溶液を得た。このポリアミド酸の分子量をＧＰＣ
法にて測定した結果、数平均分子量は１３０００であ
り、重量平均分子量は３６０００であった。

【０１９０】上記ポリアミド酸の溶液をガラス板上にキ
ャストして、実施例１と同様にして、ポリイミド樹脂フ
ィルムを得た。このポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張
係数は６５ｐｐｍであり、誘電率は高く、2.７７であっ
た。

【０１９１】上記ポリアミド酸のフィルム化試験によれ
ば、ステンレス箔が弯曲した。

【０１９２】実施例８実施例１で得られたポリアミド酸の溶液にニフェジピン
２4.５ｇ（７8.０ｍｍｏｌ）とアセチル体１6.４ｇ（４
7.２ｍｍｏｌ）を加えて、感光性ポリアミド酸溶液を調
製した。

【０１９３】厚み２５μｍのステンレス（ＳＵＳ３０
４）箔上に上記感光性ポリアミド酸溶液を連続コーター
にて長尺塗布した後、１２０℃で２分間加熱乾燥して、
感光性ポリアミド酸の被膜を形成した。次いで、マスク
を介して、露光量７００ｍＪ／ｃｍ²にて紫外線照射
し、１８０℃で３分間加熱した後、現像処理して、ネガ
型画像を形成し、更に、0.０１ｔｏｒｒの真空下、４０
０℃に加熱して、パターン化したポリイミド樹脂フィル
ムからなる絶縁層（膜厚６μｍ）を形成して、回路基板
を得た。

【０１９４】このポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張係
数は２９ｐｐｍであり、誘電率は2.８７であった。ま
た、上記ＳＵＳ３０４ステンレス箔の熱線膨張係数は１
７ｐｐｍであった。ここに、熱線膨張係数は、幅２ｍ
ｍ、厚さ６μｍ、長さ３０ｍｍの試料について、ＴＭＡ
法（サーマルメカニカルアナリシス法）にて、昇温速度
１０℃／分、荷重５ｇで測定した。

【０１９５】次に、このような回路基板のポリイミドか
らなる絶縁層上に連続スパッタリング処理によってクロ
ムと銅をそれぞれ５００オングストローム及び１０００
オングストロームの膜厚で薄膜形成した。銅薄膜の表面
抵抗は0.３〜0.４Ω／□であった。

【０１９６】次いで、ステンレス基材の裏面に軽粘着シ
ートをめっきマスクとして貼着した後、上記銅薄膜の全
面に硫酸銅電解めっきを行って、膜厚１０μｍの銅めっ
きからなる導体層を形成した。

【０１９７】この後、常法に従って、市販のドライフィ
ルムラミネートを１１０℃で導体層上にラミネートした
後、露光量８０ｍＪ／ｃｍ²にてこれを露光させ、現像
し、非パターン部の銅導体層をアルカリエッチングし
て、配線部と端子部と共に電解めっきのリード部を残す
ように導体層をパターン化し、この後、レジストを除去
した。次いで、このように処理したステンレス箔をフエ
リシアン化カリウムと水酸化ナトリウムの混合水溶液に
２５℃で浸漬し、不必要な前記クロム薄膜を除去した。

【０１９８】この後、このステンレス基材に通常の無電
解めっきを施し、膜厚約0.５μｍのニッケル薄膜を導体
層及び絶縁層を含むステンレス箔の全面上に形成した。
次いで、前述したように、ステンレス箔上の導体層の配
線部及び端子部に、前記と同様にして、感光性ポリアミ
ド酸を用いて、所要の被覆層を形成した。次いで、基材
を硝酸系剥離剤に室温で浸漬して、端子部及びステンレ
ス箔上の前記無電解めっき薄膜を除去した。

【０１９９】この後、常法に従って、上記端子部を除い
て、通常のフォトレジストて被覆した後、上記端子部に
電解ニッケルめっきと電解金めっきを順次に行って、そ
れぞれ膜厚１μｍのめっき層を形成し、端子を形成し
た。この後、上記レジストを剥離した。このめっき処理
に続いて、めっきに用いたリード部を導体層から除去す
るために、銅アルカリエッチングとクロムエッチングを
前述したのと同様の方法で行った。

【０２００】このようにして、導体層からめっきリード
部を除去した後、ステンレス箔基材を所要の形状に切り
抜くために、常法に従って、フォトレジスト又はドライ
フィルムラミネートを用いて、露光、現像を行って、ス
テンレス箔上に所要のパターンを形成した後、ステンレ
ス箔基材を塩化第二鉄エッチング液に４５℃で浸漬し
て、所要の形状に切り抜いた。これを純水にて十分に洗
浄した後、乾燥して、個々に切り抜かれた回路付きサス
ペンション基板を得た。

【０２０１】このようにして得られた回路付きサスペン
ション基板によれば、ポリイミド樹脂が小さい熱線膨張
係数を有するので、樹脂層に割れが発生したり、基材と
の間で層間剥離を生じたりすることがなかった。また、
信頼性が高く、しかも、反りが生じないので、性能不良
等を起こすこともなかった。

【０２０２】実施例９実施例２で得られたポリアミド酸溶液にニフェジピン２
7.３ｇ（８6.８ｍｍｏｌ）、アセチル体１8.２ｇ（５2.
５ｍｍｏｌ）及びイミダゾール3.９ｇ（５7.４ｍｍｏ
ｌ）を加えて、感光性ポリアミド酸溶液を調製した。

【０２０３】実施例８におけると同様にして、厚み２５
μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔上に上記感光性ポ
リアミド酸溶液を塗布し、加熱乾燥して、感光性ポリア
ミド酸の被膜を形成した後、パターニング処理して、パ
ターン化したポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁層
（膜厚６μｍ）を形成して、回路基板を得た。

【０２０４】実施例８におけると同様の測定の結果、こ
のポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張係数は２７ｐｐｍ
であり、誘電率は2.５７であった。

【０２０５】次いで、この回路基板を用いて、実施例８
と同じ手順によって、実施例８によるものと同じく高性
能の回路付きサスペンション基板を得た。

【０２０６】実施例１０実施例３で得られたポリアミド酸溶液にニフェジピン２
6.０ｇ（８2.６ｍｍｏｌ）、アセチル体１7.３ｇ（５0.
０ｍｍｏｌ）及びイミダゾール3.７ｇ（５4.７ｍｍｏ
ｌ）を加えて、感光性ポリアミド酸溶液を調製した。

【０２０７】実施例８におけると同様にして、厚み２５
μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔上に上記感光性ポ
リアミド酸溶液を塗布し、加熱乾燥して、感光性ポリア
ミド酸の被膜を形成した後、パターニング処理して、パ
ターン化したポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁層
（膜厚６μｍ）を形成して、回路基板を得た。

【０２０８】実施例８におけると同様の測定の結果、こ
のポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張係数は２５ｐｐｍ
であり、誘電率は2.６５であった。

【０２０９】次いで、この回路基板を用いて、実施例８
と同じ手順によって、実施例８によるものと同じく高性
能の回路付きサスペンション基板を得た。

【０２１０】実施例１１実施例４で得られたポリアミド酸溶液にニフェジピン２
5.１ｇ（７9.９ｍｍｏｌ）、アセチル体１6.８ｇ（４8.
４ｍｍｏｌ）及びイミダゾール3.６ｇ（５2.９ｍｍｏ
ｌ）を加えて、感光性ポリアミド酸溶液を調製した。

【０２１１】実施例８におけると同様にして、厚み２５
μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔上に上記感光性ポ
リアミド酸溶液を塗布し、加熱乾燥して、感光性ポリア
ミド酸の被膜を形成した後、パターニング処理して、パ
ターン化したポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁層
（膜厚６μｍ）を形成して、回路基板を得た。

【０２１２】実施例８におけると同様の測定の結果、こ
のポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張係数は２１ｐｐｍ
であり、誘電率は2.９１であった。

【０２１３】次いで、この回路基板を用いて、実施例８
と同じ手順によって、実施例８によるものと同じく高性
能の回路付きサスペンション基板を得た。

【０２１４】実施例１２実施例５で得られたポリアミド酸溶液にニフェジピン２
5.６ｇ（８1.４ｍｍｏｌ）、アセチル体１7.１ｇ（４9.
３ｍｍｏｌ）及びイミダゾール3.７ｇ（５3.９ｍｍｏ
ｌ）を加えて、感光性ポリアミド酸溶液を調製した。

【０２１５】実施例８におけると同様にして、厚み２５
μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔上に上記感光性ポ
リアミド酸溶液を塗布し、加熱乾燥して、感光性ポリア
ミド酸の被膜を形成した後、パターニング処理して、パ
ターン化したポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁層
（膜厚６μｍ）を形成して、回路基板を得た。

【０２１６】実施例８におけると同様の測定の結果、こ
のポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張係数は１７ｐｐｍ
であり、誘電率は2.７０であった。

【０２１７】次いで、この回路基板を用いて、実施例８
と同じ手順によって、実施例８によるものと同じく高性
能の回路付きサスペンション基板を得た。

【０２１８】実施例１３実施例６で得られたポリアミド酸溶液にニフェジピン２
2.２ｇ（７0.６ｍｍｏｌ）、アセチル体１4.８ｇ（４2.
７ｍｍｏｌ）及びイミダゾール3.２ｇ（４6.７ｍｍｏ
ｌ）を加えて、感光性ポリアミド酸溶液を調製した。

【０２１９】実施例８におけると同様にして、厚み２５
μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔上に上記感光性ポ
リアミド酸溶液を塗布し、加熱乾燥して、感光性ポリア
ミド酸の被膜を形成した後、パターニング処理して、パ
ターン化したポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁層
（膜厚６μｍ）を形成して、回路基板を得た。

【０２２０】実施例８におけると同様の測定の結果、こ
のポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張係数は１５ｐｐｍ
であり、誘電率は2.９６であった。

【０２２１】次いで、この回路基板を用いて、実施例８
と同じ手順によって、実施例８によるものと同じく高性
能の回路付きサスペンション基板を得た。

【０２２２】実施例１４実施例７で得られたポリアミド酸溶液にニフェジピン２
0.４ｇ（６5.０ｍｍｏｌ）、アセチル体１3.６ｇ（３9.
３ｍｍｏｌ）及びイミダゾール2.９ｇ（４3.０ｍｍｏ
ｌ）を加えて、感光性ポリアミド酸溶液を調製した。

【０２２３】実施例８におけると同様にして、厚み２５
μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔上に上記感光性ポ
リアミド酸溶液を塗布し、加熱乾燥して、感光性ポリア
ミド酸の被膜を形成した後、パターニング処理して、パ
ターン化したポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁層
（膜厚６μｍ）を形成して、回路基板を得た。

【０２２４】実施例８におけると同様の測定の結果、こ
のポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張係数は１３ｐｐｍ
であり、誘電率は2.９３であった。

【０２２５】次いで、この回路基板を用いて、実施例８
と同じ手順によって、実施例８によるものと同じく高性
能の回路付きサスペンション基板を得た。

【図面の簡単な説明】

【図１】は、本発明による回路付きサスペンション基板
の一例を示す斜視図である。

【図２】は、図１において、Ａ−Ａ線に沿う断面図であ
る。

【図３】は、図１において、Ｂ−Ｂ線に沿う断面図であ
る。

【図４】、

【図５】、

【図６】、

【図７】、

【図８】、

【図９】、

【図１０】、

【図１１】、

【図１２】、

【図１３】、

【図１４】、

【図１５】及び

【図１６】は、本発明による回路付きサスペンション基
板の製造工程を示す要部部分断面図である。

【符号の説明】

１…回路付きサスペンション基板２…ステンレス箔基材３…導体層４…ジンバル５及び６…端子７…絶縁層８…被覆層２１…感光性ポリアミド酸からなる被膜２２…ポリイミド樹脂からなる絶縁層２３…クロム薄膜２４…銅薄膜２５…導体層２６…フォトレジスト２７…導体パターン２８…ニッケル薄膜２９…ポリイミド樹脂３０…リード部３１…ポリイミド樹脂被覆層３３…電解金めっき薄膜３４…端子３５…フォトレジスト

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者福岡孝博大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内 (72)発明者近藤隆大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内Ｆターム(参考） 4J043 PA01 QB26 RA34 SA06 SA44 SA54 SA72 SB03 TA22 TB03 UA122 UA131 UA132 UA141 UA151 UB011 UB021 UB061 UB062 UB131 UB401 UB402 XB11 XB27 XB28 ZA35 ZA42 ZB50 5E315 AA03 BB05 BB16 CC01 GG13

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一般式（Ｉ）【化１】（式中、Ｘは式（ａ）【化２】又は式（ｂ）【化３】又は式（ｃ）【化４】で表される４価の有機基を示し、Ｙは式（ｄ）【化５】（式中、Ｒはフッ素原子又はメトキシ基を示す。）、又
は式（ｅ）【化６】（式中、Ｚは水素原子又はフッ素原子を示す。）、又は
式（ｆ）【化７】又は式（ｇ）【化８】又は式（ｈ）【化９】で表される２価の有機基を示す。）で表される繰返し単
位からなり、Ｘのうち、式（ａ）又は式（ｂ）で表され
る有機基が２０〜９９モル％を占め、式（ｃ）で表され
る有機基が８０〜１モル％を占め、Ｙのうち、式（ｄ）
で表される有機基が２０〜９９モル％を占め、式
（ｅ）、式（ｆ）、式（ｇ）又は式（ｈ）で表される有
機基が８０〜１モル％を占め、重量平均分子量が２００
００〜１０００００の範囲にあるポリアミド酸。
【請求項２】一般式（II）【化１０】（式中、Ｘは式（ａ）【化１１】又は式（ｂ）【化１２】又は式（ｃ）【化１３】で表される４価の有機基を示し、Ｙは式（ｄ）【化１４】（式中、Ｒはフッ素原子又はメトキシ基を示す。）、又
は式（ｅ）【化１５】（式中、Ｚは水素原子又はフッ素原子を示す。）、又は
式（ｆ）【化１６】又は式（ｇ）【化１７】又は式（ｈ）【化１８】で表される２価の有機基を示す。）で表される繰返し単
位からなり、Ｘのうち、式（ａ）又は式（ｂ）で表され
る有機基が２０〜９９モル％を占め、式（ｃ）で表され
る有機基が８０〜１モル％を占め、Ｙのうち、式（ｄ）
で表される有機基が２０〜９９モル％を占め、式
（ｅ）、式（ｆ）、式（ｇ）又は式（ｈ）で表される有
機基が８０〜１モル％を占め、重量平均分子量が２００
００〜１０００００の範囲にあるポリイミド樹脂。
【請求項３】金属箔基材上にポリイミド樹脂からなる絶
縁層を有する回路基板において、上記ポリイミド樹脂が
請求項２に記載のポリイミド樹脂であることを特徴とす
る回路基板。
【請求項４】金属箔基材上にポリイミド樹脂からなる絶
縁層を有し、その上に導体層からなるパターン回路を有
する回路付きサスペンション基板において、上記ポリイ
ミド樹脂が請求項２に記載のポリイミド樹脂であること
を特徴とする回路付きサスペンション基板。