JP2002060490A - ポリアミド酸とそれより得られるポリイミド樹脂とそれらの回路基板への利用 - Google Patents

ポリアミド酸とそれより得られるポリイミド樹脂とそれらの回路基板への利用

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JP2002060490A JP2000267636A JP2000267636A JP2002060490A JP 2002060490 A JP2002060490 A JP 2002060490A JP 2000267636 A JP2000267636 A JP 2000267636A JP 2000267636 A JP2000267636 A JP 2000267636A JP 2002060490 A JP2002060490 A JP 2002060490A
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孝博 福岡
Shu Mochizuki
周 望月
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直記 倉田
Naotaka Kaneshiro
直隆 金城
Toshihiko Omote
利彦 表
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】熱線膨張係数、誘電率が共に低い新規なポリイ
ミド樹脂と、そのようなポリイミド樹脂を与えるポリア
ミド酸を提供する。 【解決手段】ポリアミド酸は、無水ピロメリット酸と2,
２−ビス（3,４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパンとからなる酸無水物成分と、第１の芳香族ジ
アミンとしての2,2'−ジ置換−4,4'−ジアミノビフェニ
ル類と、2,２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）
プロパン類と1,１−ビス（４−（４−アミノフェノキ
シ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル）ブタンと
2,２−ビス（３−アミノ−４−メチルフェニル）ヘキサ
フルオロプロパンとα,α'−ビス（４−アミノフェニ
ル）ジイソプロピルベンゼン類とから選ばれる第２の芳
香族ジアミンのいずれかの芳香族ジアミン成分とを有機
溶媒中で反応させることによって得ることができる。ポ
リイミド樹脂は、このようなポリアミド酸の溶液を加熱
することによって得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ポリイミド樹脂と
それを与えるポリアミド酸とそのポリイミド樹脂を用い
てなる回路基板と回路付きサスペンション基板に関す
る。詳しくは、本発明は、線膨張係数、誘電率が共に低
く、半導体における種々の保護膜や層間絶縁膜、液晶表
示素子の配向膜、フレキシブルプリント配線板のベース
フィルム、ガス透過膜、耐熱性接着剤等に好適に用いる
ことができる新規なポリイミド樹脂と、そのようなポリ
イミド樹脂を与えるポリアミド酸に関する。
【０００２】更に、本発明は、上記ポリイミド樹脂から
なる絶縁層を金属箔基材上に有する回路基板と、そのよ
うな回路基板上に導体層からなるパターン回路を設けた
回路付きサスペンション基板に関する。
【０００３】例えば、コンピュータ等の外部記憶装置と
して用いられるハードディスク装置等の磁気ディスク装
置において、磁気記録や再生を行なうには、上記磁気デ
ィスクと磁気ヘッドとを相対的に走行させ、これによっ
て生じる空気流に抗して、磁気ヘッドを磁気ディスクに
弾性的に押し付けて、磁気ヘッドと磁気ディスクとの間
に一定の微小な間隔を保つことが必要である。このよう
に、磁気ヘッドを空気流に抗して磁気ディスクに弾性的
に押し付ける磁気ヘッド支持装置がサスペンションであ
る。本発明は、そのような回路付きサスペンション基板
を製造するために好適に用いることができる回路基板
と、そのような回路基板上に導体層からなる回路をパタ
ーニング技術によって形成してなるパターン回路付きサ
スペンション基板に関する。
【０００４】
【従来の技術】ポリイミド樹脂は、その高い耐熱性に加
え、機械的強度や電気絶縁性にすぐれた特性を活かし
て、電気、電子分野において広く用いられている。しか
し、従来より知られているポリイミド樹脂は、一般に、
有機溶媒への溶解性が悪いので、例えば、ポリイミド樹
脂フィルムを得るには、その前駆体のポリアミド酸を極
性有機溶媒に溶解し、この溶液をキャストした後、３０
０℃以上の高温に加熱して、閉環、イミド化させてい
る。
【０００５】他方、近年においては、高速信号処理を実
現するために、誘電率の小さいポリイミド樹脂が求めら
れており、そこで、例えば、分子中にフッ素原子を導入
したフッ素化ポリイミド樹脂が種々、開発されている。
しかし、従来より知られているそのようなフッ素化ポリ
イミド樹脂は、一般に、熱線膨張係数が高い。例えば、
T. Matsushita et al., Macromolecules, 26, 419, 199
3)に記載されているように、2,2'−ジ（トリフルオロメ
チル）−4,4'−ジアミノビフェニルと2,２−ビス（3,４
−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンを反
応させて得られるフッ素化ポリイミド樹脂は、誘電率は
2.８と低いが、熱線膨張係数は４５ｐｐｍと高い。
【０００６】特に、回路基板についていえば、近年、半
導体の高密度実装や高速信号処理を目的とした薄膜多層
回路基板として、金属箔にポリイミド樹脂からなる絶縁
層を設けてなる回路基板が用いられるようになってい
る。しかし、従来、一般に、絶縁材料として用いられて
いるポリイミド樹脂は、このように、熱線膨張係数が種
々の金属箔よりも大きいので、回路基板に反りが生じた
り、また、樹脂層に割れが生じたり、樹脂層が剥離した
りする。
【０００７】そこで、2,2'−ジ（トリフルオロメチル）
−4,4'−ジアミノビフェニルと無水ピロメリット酸を反
応させて、線膨張係数が０ｐｐｍと低いフッ素化ポリイ
ミド樹脂も得られているが、しかし、誘電率が3.２と高
い。
【０００８】また、コンピュータやその周辺機器である
記憶装置は、容量の向上の一方で、小型化や低価格が求
められており、このような要望を背景として、なかで
も、ハードディスクドライブの技術が著しい進歩をみせ
ている。磁気ヘッドにおいても、従来からのメタルイン
ギャップ（ＭＩＧ）に対して、最近では、コイル部分を
薄膜化した薄膜磁気ヘッド（ＴＦＨ）や、更には、読み
書き兼用で且つ記憶容量も飛躍的に大きい薄膜−磁気抵
抗複合ヘッド（ＭＲ）の開発が急がれている。
【０００９】しかしながら、従来のように、所要の配線
をサスペンション基板上に導線を引き回して構成する技
術によっては、その導線がサスペンションの弾性率に影
響を与えて、前記浮上量の変動を招来し、場合によって
は、磁気ディスクとの接触によって、磁気ディスク装置
の耐久性を低下させることもある。
【００１０】そこで、近年、ヘッドを実装するサスペン
ション基板上に直接、電気回路を形成してなるサスペン
ションが実用化されるに至っている。しかし、前述した
ように、従来、絶縁層としてポリイミド樹脂が用いられ
ている回路基板によれば、最終的に得られるサスペンシ
ョンも、ポリイミド樹脂が金属箔基材よりも熱線膨張係
数が大きいことに起因して、絶縁不良や反りが生じて、
性能不良を起こすことがある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、第１の側面
として、従来のポリイミド樹脂における上述したような
問題を解決するためになされたものであって、ポリイミ
ド樹脂が本来、有するすぐれた特性に加えて、熱線膨張
係数、誘電率が共に低い新規なポリイミド樹脂と、その
ようなポリイミド樹脂を与えるポリアミド酸を提供する
ことを目的とする。
【００１２】更に、本発明は、第２の側面として、従来
の金属箔上にポリイミド樹脂からなる絶縁層を有する回
路基板とそれを用いる回路付きサスペンション基板にお
ける上述したような問題を解決するためになされたもの
であって、熱線膨張係数、誘電率が共に低く、特に、熱
線膨張係数が種々の金属箔に近接しているポリイミド樹
脂からなる絶縁層を金属箔上に有し、従って、樹脂層に
割れが生じたり、樹脂層が剥離したりせず、また、反り
が生じない回路基板を提供することを目的とし、更に、
そのような回路基板を用いてなる回路付きサスペンショ
ン基板を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、一般式
（Ｉ）
【００１４】
【化１７】
【００１５】（式中、Ｘは式（ａ）
【００１６】
【化１８】
【００１７】又は式（ｂ）
【００１８】
【化１９】
【００１９】で表わされる４価の有機基を示し、Ｙは式
（ｃ）
【００２０】
【化２０】
【００２１】（式中、Ｚは水素原子又はフッ素原子を示
す。）、又は式（ｄ）
【００２２】
【化２１】
【００２３】（式中、Ｚは水素原子又はフッ素原子を示
す。）、又は式（ｅ）
【００２４】
【化２２】
【００２５】又は式（ｆ）
【００２６】
【化２３】
【００２７】又は式（ｇ）
【００２８】
【化２４】
【００２９】で表わされる２価の有機基を示す。）で表
わされる繰返し単位からなり、Ｘのうち、式（ａ）で表
わされる有機基が２０〜９９モル％を占め、式（ｂ）で
表わされる有機基が８０〜１モル％を占め、Ｙのうち、
式（ｃ）で表わされる有機基が２０〜９９モル％を占
め、式（ｄ）、式（ｅ）、式（ｆ）又は式（ｇ）で表わ
される有機基が８０〜１モル％を占め、重量平均分子量
が２００００〜１０００００の範囲にあるポリアミド酸
が提供される。
【００３０】また、本発明によれば、一般式（II）
【００３１】
【化２５】
【００３２】（式中、Ｘは式（ａ）
【００３３】
【化２６】
【００３４】又は式（ｂ）
【００３５】
【化２７】
【００３６】で表わされる４価の有機基を示し、Ｙは式
（ｃ）
【００３７】
【化２８】
【００３８】（式中、Ｚは水素原子又はフッ素原子を示
す。）、又は式（ｄ）
【００３９】
【化２９】
【００４０】（式中、Ｚは水素原子又はフッ素原子を示
す。）、又は式（ｅ）
【００４１】
【化３０】
【００４２】又は式（ｆ）
【００４３】
【化３１】
【００４４】又は式（ｇ）
【００４５】
【化３２】
【００４６】で表わされる２価の有機基を示す。）で表
わされる繰返し単位からなり、Ｘのうち、式（ａ）で表
わされる有機基が２０〜９９モル％を占め、式（ｂ）で
表わされる有機基が８０〜１モル％を占め、Ｙのうち、
式（ｃ）で表わされる有機基が２０〜９９モル％を占
め、式（ｄ）、式（ｅ）、式（ｆ）又は式（ｇ）で表わ
される有機基が８０〜１モル％を占め、重量平均分子量
が２００００〜１０００００の範囲にあるポリイミド樹
脂が提供される。
【００４７】更に、本発明によれば、金属箔基材上に上
記ポリイミド樹脂からなる絶縁層を有する回路基板が提
供される。
【００４８】また、本発明によれば、金属箔基材上に上
記ポリイミド樹脂からなる絶縁層を有し、その上に導体
層からなるパターン回路を有する回路付きサスペンショ
ン基板が提供される。
【００４９】
【発明の実施の形態】先ず、本発明の第１の側面とし
て、本発明によるポリアミド酸とそれより得られるポリ
イミド樹脂について説明する。
【００５０】本発明によるポリアミド酸は、前記一般式
（Ｉ）で表わされる繰返し単位からなり、Ｘのうち、式
（ａ）で表わされる有機基が２０〜９９モル％を占め、
式（ｂ）で表わされる有機基が８０〜１モル％を占め、
Ｙのうち、式（ｃ）で表わされる有機基が２０〜９９モ
ル％を占め、式（ｄ）、式（ｅ）、式（ｆ）又は式
（ｇ）で表わされる有機基が８０〜１モル％を占め、重
量平均分子量が２００００〜１０００００の範囲にあ
る。
【００５１】このようなポリアミド酸は、無水ピロメリ
ット酸（ａ')
【００５２】
【化３３】
【００５３】と2,２−ビス（3,４−ジカルボキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン（ｂ')
【００５４】
【化３４】
【００５５】とからなる酸無水物成分と、一般式（ｃ')
【００５６】
【化３５】
【００５７】（式中、Ｚは水素原子又はフッ素原子を示
す。）で表わされる第１の芳香族ジアミンとしての2,2'
−ジ置換−4,4'−ジアミノビフェニル類と、一般式
（ｄ')
【００５８】
【化３６】
【００５９】（式中、Ｚは水素原子又はフッ素原子を示
す。）で表わされる2,２−ビス（４−アミノフェノキシ
フェニル）プロパン類と、式（ｅ')
【００６０】
【化３７】
【００６１】で表わされる1,１−ビス（４−（４−アミ
ノフェノキシ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニ
ル）ブタンと、式（ｆ')
【００６２】
【化３８】
【００６３】で表わされる2,２−ビス（３−アミノ−４
−メチルフェニル）ヘキサフルオロプロパンと、一般式
（ｇ')
【００６４】
【化３９】
【００６５】で表わされるα,α'−ビス（４−アミノフ
ェニル）ジイソプロピルベンゼン類とから選ばれる第２
の芳香族ジアミンとしてのいずれかの芳香族ジアミン成
分とを有機溶媒中で反応させることによって得ることが
できる。
【００６６】上記一般式（ｃ')で表わされる第１の芳香
族ジアミンとしての2,2'−ジ置換−4,4'−ジアミノビフ
ェニル類の具体例としては、2,2'−ジメチル−4,4'−ジ
アミノビフェニルと2,2'−ジ（トリフルオロメチル）−
4,4'−ジアミノビフェニルを挙げることができる。
【００６７】上記第２の芳香族ジアミンのうち、上記一
般式（ｄ')で表わされる2,２−ビス（４−アミノフェノ
キシフェニル）プロパン類の具体例としては、2,２−ビ
ス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパンと2,２−
ビス（４−アミノフェノキシフェニル）ヘキサフルオロ
プロパンを挙げることができ、また、上記一般式（ｇ')
で表わされるα,α'−ビス（４−アミノフェニル）ジイ
ソプロピルベンゼン類の好ましい具体例として、例え
ば、α,α'−ビス（４−アミノフェニル）−1,４−ジイ
ソプロピルベンゼンとα,α'−ビス（４−アミノフェニ
ル）−1,３−ジイソプロピルベンゼンを挙げることがで
きる。
【００６８】本発明によれば、上記ポリアミド酸の製造
において、上記酸無水物成分のうち、無水ピロメリット
酸の割合は２０〜９９モル％の範囲であり、好ましく
は、６０〜９５モル％の範囲であり、2,２−ビス（3,４
−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンの割
合は８０〜１モル％の範囲であり、好ましくは、４０〜
５モル％の範囲である。
【００６９】また、上記芳香族ジアミン成分のうち、第
１の芳香族ジアミン（即ち、上記一般式（ｃ')で表わさ
れる2,2'−ジ置換−4,4'−ジアミノビフェニル類）の割
合は、２０〜９９モル％の範囲であり、好ましくは、６
０〜９５モル％の範囲である。他方、上記芳香族ジアミ
ン成分のうち、第２の芳香族ジアミン（即ち、上記一般
式（ｄ')で表わされる2,２−ビス（４−アミノフェノキ
シフェニル）プロパン類と、上記式（ｅ')で表わされる
1,１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）−３−ｔ−
ブチル−６−メチルフェニル）ブタンと、上記式（ｆ')
で表わされる2,２−ビス（３−アミノ−４−メチルフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパンと、上記一般式（ｇ')で
表わされるα,α'−ビス（４−アミノフェニル）ジイソ
プロピルベンゼン類とから選ばれるいずれかの芳香族ジ
アミン）の割合は８０〜１モル％の範囲であり、好まし
くは、４０〜５モル％の範囲である。
【００７０】ここに、無水ピロメリット酸のモル数を
ａ、2,２−ビス（3,４−ジカルボキシフェニル）ヘキサ
フルオロプロパンのモル数をｂとするとき、ピロメリッ
ト酸の割合（モル％）は（ａ／（ａ＋ｂ））×１００で
定義され、2,２−ビス（3,４−ジカルボキシフェニル）
ヘキサフルオロプロパンの割合（モル％）は（ｂ／（ａ
＋ｂ））×１００で定義される。
【００７１】同様に、上記第１の芳香族ジアミンのモル
数をｃ、上記第２の芳香族ジアミンのモル数をｄとする
とき、上記第１の芳香族ジアミンの割合（モル％）は
（ｃ／（ｃ＋ｄ））×１００で定義され、上記第２の芳
香族ジアミンの割合（モル％）は（ｄ／（ｃ＋ｄ））×
１００で定義される。
【００７２】上記酸無水物成分と芳香族ジアミン成分と
の反応に用いる有機溶媒は、これら酸無水物成分と芳香
族ジアミン成分とを溶解させると共に、得られるポリア
ミド酸を溶解させるものであれば、任意のものが用いら
れるが、好ましくは、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセ
トアミド、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラ
ン、1,４−ジオキサン、ヘキサメチルホスホルアミド、
Ｎ−メチル−ε−カプロラクタム等が用いられる。これ
らの溶媒は単独で、又は２種以上の混合物として用いら
れる。
【００７３】上記酸無水物成分と芳香族ジアミン成分と
の反応において、このような有機溶媒中における酸無水
物成分と芳香族ジアミン成分の合計量の濃度は、特に限
定されるものではないが、通常、１〜５０重量％、好ま
しくは、５〜３０重量％の範囲である。
【００７４】本発明によれば、前記一般式（Ｉ）で表わ
されるポリアミド酸は、上記酸無水物成分と芳香族ジア
ミン成分とを上述したような有機溶媒中、２５０℃以下
の温度、好ましくは、室温（２５℃）から８０℃の範囲
の温度で反応させることによって得ることができる。反
応時間は、用いる酸無水物成分と芳香族ジアミン成分や
その割合のほか、有機溶媒、反応温度等によるが、通
常、２〜４８時間の範囲である。
【００７５】本発明によれば、このようにして、通常、
得られたポリアミド酸が室温にて有機溶媒に溶解してい
る溶液を得ることができ、この溶液をポリアミド酸を溶
解しない貧溶媒中に加えて、ポリアミド酸を沈殿させ、
粉末として得ることができる。また、このように粉末と
して得たポリアミド酸は、これを上述したような有機溶
媒に加えて、溶解させることができる。
【００７６】このようにして得られるポリアミド酸は、
通常、数平均分子量が１００００〜５００００の範囲に
あり、重量平均分子量が２００００〜１０００００の範
囲にある。
【００７７】本発明によれば、上記ポリアミド酸の溶液
を適宜の基材上にキャストし、適宜の雰囲気下、３００
〜４００℃の温度に数時間加熱して、ポリアミド酸を閉
環、イミド化させることによって、ポリイミド樹脂フィ
ルムを得ることができる。必要に応じて、上記加熱に先
立って、３０〜３００℃程度の温度まで予熱してもよ
い。このような予熱は、一定の昇温速度で３００℃程度
まで行なってもよいし、また、３００℃程度まで段階的
に昇温して行なってもよい。上記加熱時の雰囲気として
は、特に限定されるものではなく、空気雰囲気、窒素の
ような不活性ガス雰囲気、真空雰囲気等のいずれでもよ
い。
【００７８】このようにして得られるポリイミド樹脂も
また、その前駆体であるポリアミド酸と同様、通常、数
平均分子量が１００００〜５００００の範囲にあり、重
量平均分子量が２００００〜１０００００の範囲にあ
る。
【００７９】本発明によれば、このようにして得られる
ポリイミド樹脂は、熱線膨張係数、誘電率が共に低く、
通常、熱線膨張係数が５〜３０ｐｐｍの範囲にあり、誘
電率が2.８〜3.２の範囲にあり、かくして、半導体にお
ける種々の保護膜や層間絶縁膜、液晶表示素子の配向
膜、フレキシブルプリント配線板のベースフィルム、ガ
ス透過膜、耐熱性接着剤等に好適に用いることができ
る。特に、本発明によるポリイミド樹脂は、コンピュー
タ等において信号の高速電送化を実現するための種々の
電子部品の製造、特に、回路付きサスペンション基板の
絶縁層として、好適に用いることができる。
【００８０】次に、本発明の第２の側面として、上述し
たポリイミド樹脂からなる絶縁層を金属箔基材上に有す
る回路基板と、そのような回路基板上に導体層からなる
パターン回路を設けた回路付きサスペンション基板につ
いて説明する。
【００８１】本発明による回路基板は、金属箔基材上に
上述したポリイミド樹脂からなる絶縁層を有するもので
ある。
【００８２】即ち、本発明による回路基板は、金属箔基
材上にポリイミド樹脂からなる絶縁層を有する回路基板
において、上記ポリイミド樹脂が一般式（II）
【００８３】
【化４０】
【００８４】（式中、Ｘは式（ａ）
【００８５】
【化４１】
【００８６】又は式（ｂ）
【００８７】
【化４２】
【００８８】で表わされる４価の有機基を示し、Ｙは式
（ｃ）
【００８９】
【化４３】
【００９０】（式中、Ｚは水素原子又はフッ素原子を示
す。）、又は式（ｄ）
【００９１】
【化４４】
【００９２】（式中、Ｚは水素原子又はフッ素原子を示
す。）、又は式（ｅ）
【００９３】
【化４５】
【００９４】又は式（ｆ）
【００９５】
【化４６】
【００９６】又は式（ｇ）
【００９７】
【化４７】
【００９８】で表わされる２価の有機基を示す。）で表
わされる繰返し単位からなり、Ｘのうち、式（ａ）で表
わされる有機基が２０〜９９モル％を占め、式（ｂ）で
表わされる有機基が８０〜１モル％を占め、Ｙのうち、
式（ｃ）で表わされる有機基が２０〜９９モル％を占
め、式（ｄ）、式（ｅ）、式（ｆ）又は式（ｇ）で表わ
される有機基が８０〜１モル％を占め、重量平均分子量
が２００００〜１０００００の範囲にある。
【００９９】このようなポリイミド樹脂は、前述したよ
うに、無水ピロメリット酸と2,２−ビス（3,４−ジカル
ボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物とか
らなる酸無水物成分と、前記一般式（ｃ')で表わされる
第１の芳香族ジアミンとしての2,2'−ジ置換−4,4'−ジ
アミノビフェニル類と前記一般式（ｄ')で表わされる2,
２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン類
と前記式（ｅ')で表わされる1,１−ビス（４−（４−ア
ミノフェノキシ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニ
ル）ブタンと前記式（ｆ')で表わされる2,２−ビス（３
−アミノ−４−メチルフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ンと前記一般式（ｇ')で表わされるα,α'−ビス（４−
アミノフェニル）ジイソプロピルベンゼン類とから選ば
れる第２の芳香族ジアミンとしてのいずれかの芳香族ジ
アミンからなる芳香族ジアミン成分との反応によって得
られるものである。
【０１００】同様に、本発明による回路付きサスペンシ
ョンは、金属箔基材上にポリイミド樹脂からなる絶縁層
を有し、その上に導体層からなるパターン回路を有する
回路付きサスペンション基板において、上記ポリイミド
樹脂が前記一般式（II）で表わされる繰返し単位からな
るものである。
【０１０１】より詳細には、本発明による回路基板と回
路付きサスペンション基板において用いる上記ポリイミ
ド樹脂は、無水ピロメリット酸と2,２−ビス（3,４−ジ
カルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物
とからなる酸無水物成分と、前記一般式（ｃ')で表わさ
れる第１の芳香族ジアミンとしての2,2'−ジ置換−4,4'
−ジアミノビフェニル類と前記一般式（ｄ')で表わされ
る2,２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパ
ン類と前記式（ｅ')で表わされる1,１−ビス（４−（４
−アミノフェノキシ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフ
ェニル）ブタンと前記式（ｆ')で表わされる2,２−ビス
（３−アミノ−４−メチルフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパンと前記一般式（ｇ')で表わされるα,α'−ビス
（４−アミノフェニル）ジイソプロピルベンゼン類とか
ら選ばれる第２の芳香族ジアミンとしてのいずれかの芳
香族ジアミン成分との反応によって得られるポリアミド
酸、即ち、ポリイミド樹脂前駆体に感光剤の存在下で紫
外線を照射した後、加熱して得られるものである。
【０１０２】上記ポリアミド酸は、前述したように、前
記酸無水物成分と芳香族ジアミン成分とを有機溶媒中で
反応させることによって得ることができ、ここに、上記
酸無水物成分と芳香族ジアミン成分におけるそれぞれの
成分の割合、反応に用いる有機溶媒、反応温度、反応時
間等は、前述したとおりであり、従って、このようにし
て得られるポリアミド酸は、通常、数平均分子量が１０
０００〜５００００の範囲にあり、重量平均分子量が２
００００〜１０００００の範囲にあることも、前述した
とおりである。
【０１０３】本発明によれば、このようにして、芳香族
ジアミン成分と酸無水物成分とを用いてポリアミド酸の
溶液を得、これに感光剤を配合して、感光性ポリアミド
酸溶液とし、これに紫外線を照射した後、加熱すること
によって、熱線膨張係数と誘電率が共に低いポリイミド
樹脂を得ることができる。このようにして得られるポリ
イミド樹脂は、通常、熱線膨張係数が５〜３０ｐｐｍの
範囲にあり、誘電率が2.８〜3.２の範囲にある。
【０１０４】本発明において、回路基板に用いる金属箔
基材は、特に、限定されるものではないが、通常、ステ
ンレス箔、銅箔、アルミニウム箔、銅−ベリリウム箔、
リン青銅箔、４２アロイ箔等が用いられる。更に、本発
明によれば、このような金属箔基材は、長尺物が好まし
く用いられる。即ち、長尺の金属箔基材にポリイミド樹
脂からなる絶縁層を一定のパターンを繰り返すようにし
て設け、それぞれパターン化した絶縁層の上にそれぞれ
導体層からなる所要のパターン回路を形成し、かくし
て、最終的に、個々のパターン回路ごとに金属箔基材を
裁断すれば、個々の回路付きサスペンション基板を得る
ことができる。
【０１０５】そこで、本発明によれば、回路基板は、好
ましくは、長尺の金属箔基材、通常、長尺のステンレス
箔上に上記感光性ポリアミド酸溶液を塗布し、乾燥させ
て、被膜を形成した後、この被膜を所定のパターンを有
するマスクを介して、紫外線に露光させ、加熱（露光後
加熱）し、現像し、この後、加熱硬化（ポリアミド酸の
ポリイミド化）を行なって、ポリイミド樹脂からなる所
定のパターンを形成させて、これを絶縁層とすることに
よって得ることができる。
【０１０６】上記感光性ポリアミド酸溶液は、前述した
ように、芳香族ジアミン成分と酸無水物成分とを実質的
に等モル比にて前記有機溶媒中で反応させて、ポリアミ
ド酸（ポリアミック酸）を生成させ、これに感光剤を配
合してなる溶液状組成物である。
【０１０７】本発明において、上記感光剤としては、そ
の詳細が特開平６−７５３７６号公報に記載されている
ように、一般式（III)
【０１０８】
【化４８】
【０１０９】（式中、Ｘ1 からＸ4 はそれぞれ独立に水
素原子、フッ素原子、ニトロ基、メトキシ基、アミノ
基、ジアルキルアミノ基、シアノ基又はフッ化アルキル
基を示し、Ｙ1 はシアノ基又は一般式−ＣＯＲ3 を示
し、Ｙ2 はシアノ基又は一般式−ＣＯＲ4 を示し、ここ
に、Ｒ3 及びＲ4 はそれぞれ独立に炭素数１〜４のアル
キル基若しくはアルコキシ基、アニリノ基、トルイジノ
基、ベンジルオキシ基、アミノ基又はジアルキルアミノ
基を示し、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ5 はそれぞれ独立に水素原
子又は炭素数１〜３のアルキル基を示す。Ｒ1 とＲ3 、
Ｒ2 とＲ4 は、ケト基を含む５員環、６員環又は複素環
の形成可能な員環となることができる。）で表わされる
ジヒドロピリジン誘導体が用いられる。
【０１１０】具体例としては、例えば、４−ｏ−ニトロ
フェニル−3,５−ジメトキシカルボニル−2,６−ジメチ
ル−1,４−ジヒドロピリジン（以下、ニフェジピンとい
う。）、４−ｏ−ニトロフェニル−3,５−ジメトキシカ
ルボニル−2,６−ジメチル−１−メチル−４−ヒドロピ
リジン（以下、Ｎ−メチル体という。）、４−ｏ−ニト
ロフェニル−3,５−ジアセチル−1,４−ジヒドロピリジ
ン（以下、単にアセチル体という。）等を挙げることが
できる。これらは単独で、又は２種以上の混合物として
用いられる。必要に応じて、現像剤に対する溶解助剤と
して、イミダゾールが適当量用いられる。
【０１１１】本発明においては、上記ジヒドロピリジン
誘導体は、前記芳香族ジアミン成分と酸無水物成分の合
計量１モル部に対して、通常、0.０５〜0.５モル部の範
囲で用いられる。イミダゾールも、必要に応じて、芳香
族ジアミン成分を含むジアミン成分（「ジアミン成分」
なる用語については、後述する。）と酸無水物成分の合
計量１モル部に対して、通常、0.０５〜0.５モル部の範
囲で用いられる。
【０１１２】本発明によれば、このような感光性ポリア
ミド酸溶液を適宜の基材上に塗布し、乾燥させ、これに
紫外線を照射して露光（紫外線照射）させた後、加熱
（露光後加熱）することによって、ポジ型又はネガ型の
潜像を形成し、これを現像して、ポジ型又はネガ型の画
像、即ち、所要のパターンを得る。そこで、これを最終
的に高温に加熱して、ポリアミド酸をイミド化すれば、
ポリイミド樹脂からなるパターン被膜を得ることができ
る。
【０１１３】より詳細には、上記感光性ポリアミド酸
は、用いる感光剤の種類によって幾らか異なるものの、
露光後加熱の温度が１４０℃前後の比較的低温であると
きは、露光部が現像剤に溶解して、ポジ型画像を形成
し、他方、上記露光後加熱の温度が約１７０℃以上の比
較的高温であるときは、未露光部が現像剤に溶解して、
ネガ型画像を形成する。
【０１１４】ここに、上記現像剤としては、通常、水酸
化テトラメチルアンモニウム等のような有機アルカリの
水溶液や、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機
アルカリの水溶液が用いられる。アルカリ濃度は、通
常、２〜５重量％の範囲が適当である。必要に応じて、
上記アルカリ水溶液には、メタノール、エタノール、ｎ
−プロパノール、イソプロパノール等の低級脂肪族アル
コールを加えてもよい。アルコールの添加量は、通常、
５０重量％以下である。また、現像温度は、通常、２５
〜５０℃の範囲が適当である。
【０１１５】本発明において用いる上記感光性ポリアミ
ド酸によれば、露光後加熱の温度が１４０℃前後の比較
的低温であるときは、未露光部においては、前記ジヒド
ロピリジン誘導体の１位置のイミノ基水素とポリアミド
酸のカルボキシル基との間に水素結合を形成して、ポリ
イミド樹脂の親水性と被膜の現像液への拡散速度とが低
下し、結果として、被膜の現像剤への溶解速度が低下
し、他方、露光部においては、露光によって、中性化合
物である前記ジヒドロピリジン誘導体が塩基性のピリジ
ン化合物に変化し、これがポリアミド酸と弱い塩構造を
形成し、その結果として、被膜の親水性が増大し、現像
剤への溶解速度が増す。このように、露光部の現像剤へ
の溶解速度が未露光部よりも大きいために、露光、露光
後加熱及び現像後の被膜は、ポジ型画像を与える。
【０１１６】他方、本発明において用いる感光性ポリア
ミド酸によれば、露光後加熱の温度が約１７０℃以上の
比較的高温であるときは、未露光部は、露光後加熱の温
度が１４０℃前後の比較的低温であるときと同様に、被
膜の現像剤への溶解速度が低下するが、他方、露光部に
おいては、前記ジヒドロピリジン誘導体が露光によって
塩基性のピリジン化合物に変化し、これがポリアミド酸
のポリイミド化を促進し、被膜の現像剤への溶解速度を
低下させると同時に、上記ピリジン化合物自身も露光後
加熱によって更に不溶性の環化化合物に変化すると共
に、ポリアミド酸のポリイミド化を促進し、その結果と
して、露光部の被膜の現像剤に対する溶解性が上記未露
光部に比べて一層低下する。このように、露光後の上記
加熱温度が約１７０℃以上の比較的高温であるときは、
露光部の現像剤への溶解速度が未露光部に比べて著しく
小さいので、露光、露光後加熱及び現像後の被膜は、ネ
ガ型画像を与える。
【０１１７】本発明によれば、長尺の金属箔基材上に上
述したような感光性ポリアミド酸溶液を塗布し、加熱乾
燥させて、ポリアミド酸の被膜を形成し、これにマスク
を介して紫外線を照射して所定のパターンを露光させ、
露光後加熱し、現像し、好ましくは、所定のパターンを
有するネガ画像を形成した後、これを加熱硬化して、イ
ミド化反応を起こさせることによって、ポリイミド樹脂
からなる絶縁層を形成して、本発明による回路基板を得
ることができる。このように、ポリアミド酸を加熱して
ポリイミド化するには、好ましくは、その被膜を真空下
又は不活性ガス雰囲気下に３００〜４００℃程度に数時
間、加熱するのが好ましい。
【０１１８】この後、この絶縁層の上に常法に従って所
定のパターンを有する導体層からなる所定の回路を形成
すると共に、所要の端子を形成し、次いで、長尺の金属
箔基材を所要の形状に化学的に切り抜くことによって、
本発明による回路付きサスペンション基板を得ることが
できる。
【０１１９】本発明によれば、得られるポリイミド樹脂
の基材に対する接着性を向上させるために、必要に応じ
て、前記芳香族ジアミン成分の一部をアミノ基含有２官
能性ポリシロキサンに置換してもよい。このようなアミ
ノ基含有２官能性ポリシロキサンの具体例として、例え
ば、一般式（IV）
【０１２０】
【化４９】
【０１２１】（式中、Ｒ1 は炭素数１〜１８のアルキレ
ン基、Ｒ2 は炭素数１〜１８のアルキル基を示し、ｎは
１〜１００の整数である。）で表わされるポリシロキサ
ンを挙げることができる。
【０１２２】前記芳香族ジアミン成分と上記アミノ基含
有２官能性ポリシロキサンとからなる成分をジアミン成
分とするとき、上記アミノ基含有２官能性ポリシロキサ
ンは、このジアミン成分の１０モル％以下の割合で用い
られる。
【０１２３】従って、本発明において、上記アミノ基含
有２官能性ポリシロキサンの割合（モル％）は、前記第
１の芳香族ジアミン成分のモル数をａ、前記第２の芳香
族ジアミン成分のモル数をｂ、アミノ基含有２官能性ポ
リシロキサンのモル数をｅとするとき、（ｅ／（ａ＋ｂ
＋ｅ））×１００で定義される。
【０１２４】特に、本発明においては、上記一般式
（Ｉ）において、Ｒ1 は炭素数１〜７のアルキレン基で
あることが好ましく、具体例として、例えば、メチレ
ン、エチレン、プロピレン、ブチレン、ヘキシレン等の
アルキレン基を挙げることができる。Ｒ2 は炭素数１〜
７のアルキル基であることが好ましく、具体例として、
例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル
等のアルキル基を挙げることができる。また、ｎは好ま
しくは１〜４０である。なかでも、アミノ基含有２官能
性ポリシロキサンとして、ビス（アミノプロピル）テト
ラメチルジシロキサンが好ましく用いられる。
【０１２５】次に、本発明によれば、前述したようにし
て、回路基板を製造した後、パターニング技術の常法に
従って、上述したポリイミド樹脂からなる絶縁層の上に
導体層からなるパターン回路を形成すると共に、所要の
端子を形成した後、最終的に前記絶縁層を含む所要の形
状にステンレス箔を化学的に切り抜くことによって、個
々の回路付きサスペンション基板を得ることができる。
【０１２６】このようにして、本発明によれば、ポリイ
ミド樹脂の有する熱線膨張係数が種々の金属箔に近接し
て小さいので、金属箔の上にこのようなポリイミド樹脂
からなる絶縁層を形成して回路基板としても、樹脂層に
割れが生じたり、樹脂層が剥離したりすることがなく、
更に、反りが生じない。従って、このような回路基板の
上に導体層からなるパターン回路を設けた回路付きサス
ペンション基板においても、絶縁不良等の性能不良を起
こすことがない。
【０１２７】しかも、本発明によれば、前述したよう
に、高感度高コントラストにて精密なパターニング加工
を行なうことができるので、回路付きサスペンション基
板の高容量小型化が可能である。
【０１２８】以下に、図面に基づいて本発明による回路
付きサスペンション基板及びその製造について詳細に説
明する。
【０１２９】図１は、本発明による回路付きサスペンシ
ョン基板１の一例を示す斜視図であり、ステンレス箔基
材２の上にポリイミド樹脂からなる絶縁層（図示せず）
を有し、その上に銅導体層３からなる所定のパターン回
路が薄膜として形成されている。先端には、基材への切
込みによって、ジンバル４が基材に一体に形成されてお
り、この上に磁気ヘッドを有するスライダ（図示せず）
が固定される。前後の端部にはそれぞれ所要の端子５及
び６が形成されている。但し、図１においては、基板の
表面を被覆保護する被覆層（カバー・レイ）が剥離され
ている状態を示す。
【０１３０】図２は、図１において、Ａ−Ａ線に沿う断
面図であり、ステンレス箔基材２の上にポリイミド樹脂
からなる絶縁層７を有し、その上にクロム薄膜２３を介
して銅導体層３からなる所定のパターン回路が薄膜とし
て形成されている。この導体層は、ニッケル薄膜２８か
らなる被覆にて保護されており、更に、その上に端子５
が形成されている。端子を除く全表面は、被覆層８によ
って被覆保護されている。
【０１３１】図３は、図１において、Ｂ−Ｂ線に沿う断
面図であり、ステンレス箔基材２の上にポリイミド樹脂
からなる絶縁層７を有し、その上にクロム薄膜２３を介
して銅導体層３からなる所定のパターン回路が薄膜とし
て形成されている。この導体層は、ニッケル薄膜２８か
らなる被覆にて保護されており、更に、被覆層８によっ
て被覆保護されている。
【０１３２】長尺のステンレス箔基材２としては、通
常、その厚みが１０〜６０μｍ、好ましくは、振動特性
の観点から、１５〜３０μｍで、幅が５０〜５００ｍ
ｍ、好ましくは、１２５〜３００ｍｍの範囲のものが用
いられる。しかし、これらに限定されるものではない。
【０１３３】図４から図５は、本発明による回路基板の
製造工程を示し、図６から図１６は、本発明による回路
付きサスペンションの製造工程を示す。
【０１３４】先ず、図４に示すように、上述したような
ステンレス箔基材２の全面に、得られる樹脂層の厚みが
２〜２０μｍ、好ましくは、５〜１０μｍとなるよう
に、感光性ポリアミド酸溶液を塗布し、６０〜１５０
℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱して、上記感光
性ポリアミド酸の被膜２１を形成する。
【０１３５】次に、この感光性ポリアミド酸の被膜に適
宜のマスクを介して紫外線を照射し、所定のパターンに
露光させる。ここに、露光積算光量は、１００〜１００
０ｍＪ／ｃｍ2 、好ましくは、２００〜７００ｍＪ／ｃ
ｍ2 の範囲であり、露光波長は、通常、３００〜４５０
ｎｍ、好ましくは、３５０〜４２０ｎｍの範囲である。
この露光の後、被膜を８０〜２００℃、好ましくは、１
２０〜１８０℃の温度で約２〜１０分程度加熱（露光後
加熱）し、次いで、現像処理を行なう。本発明において
は、ネガ型画像を得るのが好ましい。この後、このよう
にして得られたポリアミド酸のパターン被膜を高温に加
熱して、ポリイミド化し、かくして、図５に示すよう
に、ステンレス箔基材２上にポリイミド樹脂からなるパ
ターン化した絶縁層２２を形成して、本発明による回路
基板を得る。
【０１３６】次いで、図６に示すように、パターン化し
たポリイミドの絶縁層２２を有するステンレス箔基材２
の全面にクロム薄膜２３と銅薄膜２４とをスパッタリン
グにて連続して順次に形成する。クロム薄膜２３は、ポ
リイミドからなる絶縁層２２上に銅薄膜２４を密着させ
るのに有用である。ここに、膜厚は、クロム薄膜が１０
０〜６００オングストローム、銅薄膜が５００〜２００
０オングストロームの範囲が好ましい。このようにして
得られる銅薄膜の表面抵抗は、通常、0.６Ω／□以下で
ある。
【０１３７】この後、図７に示すように、上記銅薄膜２
４の上に厚さ２〜１５μｍ程度の電解銅めっきを行なっ
て、銅からなる導体層２５を形成する。図７において
は、前記クロム薄膜は図示されていない。
【０１３８】次いで、図８及び図９に示すように、常法
に従って、液状フォトレジスト２６又はドライフィルム
ラミネートを用いるパターニング技術によって、露光及
び現像処理を行なった後、非パターン部の銅導体層２５
をエッチングにて除去し、かくして、前記ポリイミド樹
脂からなる絶縁層２２の上に上記銅からなる所定の導体
パターン２７を形成する。ここに、銅のエッチングには
アルカリエッチングによることが好ましい。
【０１３９】このような非パターン部の銅導体層のエッ
チング除去の後、更に、前記クロム薄膜２３をエッチン
グ除去して、図１０に示すように、前記ポリイミド樹脂
からなる絶縁層２２の上に所定の導体パターン２７を得
る。クロム薄膜２３のエッチングには、例えば、フェリ
シアン化カリウム系のエッチング液や、このほか、過マ
ンガン酸カリウム、メタケイ酸ナトリウム系等のエッチ
ング液が用いられる。
【０１４０】このようにして、基材上の不必要なクロム
薄膜を除去した後、無電解ニッケルめっきを行なって、
図１１に示すように、上記銅導体層２７とステンレス箔
基材２の表面に硬質のニッケル薄膜２８を形成して、銅
導体層の表面を被覆、保護する。従って、このニッケル
めっきの膜厚は、下層の銅導体層が露出しない程度であ
ればよく、通常、0.０５〜0.１μｍの範囲である。
【０１４１】この後、配線部分の導体パターン２７を前
記した感光性ポリアミド酸を用いて被覆保護すると共
に、所要の端子部には端子を形成し、これを残して、表
面を同様に被覆保護して、被覆層（カバー・レイ）を形
成する。図１２以下において、基材の左側は配線部の形
成を示し、右側は端子部の形成を示す。
【０１４２】即ち、図１２に示すように、配線部では、
ポリイミド樹脂２９にて導体パターン２７を被覆し、端
子部では、パターニングによって、端子部を残すと共
に、端子を電解めっきにて形成するためのリード部３０
を残して、前記感光性ポリアミド酸を用いて、前記同様
の塗布、露光、露光後加熱、現像及び加熱硬化（イミド
化）を行なって、ポリイミド樹脂にて被覆し、被覆層３
１を形成する。
【０１４３】次いで、図１３に示すように、端子部にお
いては、先ず、導体パターン２７の表面を保護していた
無電解ニッケルめっき薄膜２８（図１１参照）を剥離
し、同時に、ステンレス箔基材２上の無電解ニッケルめ
っき薄膜２８も除去する。この後に、常法に従って、通
常のフォトレジストを用いる方法によって、端子部のみ
を残して、ステンレス箔基材、導体パターン２７及びポ
リイミド樹脂被覆層３１をレジストにて被覆した後、上
記端子部に電解ニッケルめっき３２と電解金めっき３３
を順次に行なって、端子３４を形成する。ここに、電解
ニッケルめっきと電解金めっきの厚さは、いずれも、１
〜５μｍ程度が適当である。この後、上記レジストを除
去する。
【０１４４】次いで、図１４に示すように、端子３４を
形成した導体パターン２７において、上記電解めっきに
用いたリード部３０（図１２参照）を化学エッチングに
て除去する。リード部の銅及びクロムの除去は、前述し
たと同じ方法によればよい。
【０１４５】このようにして、リード部を除去した後、
ステンレス箔基材２を化学エッチングによって所要の形
状に切り抜くために、常法に従って、フォトレジスト３
５又はドライフィルムラミネートを用いて、露光、現像
を行なって、図１５に示すように、ステンレス箔基材２
上に所要のパターンを形成した後、ステンレス箔基材を
エッチングにて所要の形状に切り抜く。ここに、エッチ
ング液としては、例えば、塩化第二鉄、塩化第二銅等の
水溶液が用いられる。
【０１４６】このエッチング処理の後、純水にて洗浄
し、乾燥すれば、図１６に示すように、本発明による回
路付きサスペンション基板１を得ることができる。即
ち、この回路付きサスペンション基板は、ステンレス箔
基材２上にポリイミド樹脂からなる絶縁層２２を有し、
その上に導体層の薄膜からなる導体パターン２７、即
ち、パターン回路を有し、端子３４を除いて、全表面が
ポリイミド樹脂からなる被覆層３１にて被覆保護されて
いる。
【０１４７】
【発明の効果】本発明によるポリイミド樹脂は、カルボ
ン酸成分として、所定の割合の無水ピロメリット酸と2,
２−ビス（3,４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパンとを有すると共に、芳香族ジアミン成分とし
て、前記第１の芳香族ジアミン、即ち、前記2,2'−ジ置
換−4,4'−ジアミノビフェニルと、前記第２の芳香族ジ
アミン、即ち、前記2,２−ビス（４−アミノフェノキシ
フェニル）プロパン類と、1,１−ビス（４−（４−アミ
ノフェノキシ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニ
ル）ブタンと2,２−ビス（３−アミノ−４−メチルフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパンとα,α'−ビス（４−ア
ミノフェニル）ジイソプロピルベンゼン類とから選ばれ
るいずれかを有し、熱線膨張係数、誘電率共に低い特徴
を有する。更に、本発明による回路基板は、金属箔基材
の上にこのようなポリイミド樹脂の層を絶縁層として有
し、このポリイミド樹脂が金属箔に近接した熱線膨張係
数を有するので、樹脂層に割れが生じたり、樹脂層が剥
離したりせず、更に、反りが生じない。従って、本発明
による回路付きサスペンション基板においても、樹脂層
に割れが生じたり、樹脂層が剥離したりせず、更に、反
りが生じないので、性能不良を起こすことがない。
【０１４８】以上のほか、本発明による回路基板や回路
付きサスペンション基板は、これらに含まれるポリイミ
ド樹脂が熱線膨張係数が低いのみならず、誘電率も低い
ので、一層の高速信号処理を可能とする種々の電子部品
の製造に好適に用いることができる。
【０１４９】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではな
い。実施例及び比較例において用いた測定装置は次のと
おりである。 熱線膨張係数：セイコー電子（株）製サーマルメカニカ
ルアナリシス装置ＴＭＡ／ＳＳ１００ 誘電率：横河・ヒューレット・パッカード（株）製ＨＰ
１６４５１Ｂ誘電体測定装置 回転粘度：東京計器（株）製Ｂ型粘度計 ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）装
置：東ソー（株）製ＨＬＣ８０２０（カラムは東ソー
（株）製ＧＭＨXL＋ＧＭＨXL-＋Ｇ２５００ＨXL
【０１５０】実施例１ 攪拌装置を備えた５００ｍＬ容量四つ口フラスコに2,2'
−ジメチル−4,4'−ジアミノビフェニル１8.７ｇ（８8.
０ｍｍｏｌ）、2,２−ビス（４−アミノフェノキシフェ
ニル）プロパン9.０ｇ（２2.０ｍｍｏｌ）とＮ−メチル
−２−ピロリドン２２７ｇとを仕込み、室温で攪拌し
て、溶液とした。次に、この溶液に無水ピロメリット酸
１9.２ｇ（８8.０ｍｍｏｌ）と2,２−ビス（3,４−ジカ
ルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン9.８ｇ（２
2.０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間攪拌した後、５０
℃で１８時間攪拌した。そこで、加熱を止め、室温まで
放冷して、ポリアミド酸の溶液を得た。このポリアミド
酸の溶液の回転粘度は３００ポイズであった。また、こ
のポリアミド酸の分子量をＧＰＣ法にて測定した結果、
数平均分子量は１３０００であり、重量平均分子量は３
６０００であった。
【０１５１】上記ポリアミド酸の溶液をガラス板上にキ
ャストして、減圧下、室温から３６０℃まで２時間かけ
て昇温した後、３６０℃で２時間加熱して、ポリイミド
樹脂フィルムを得た。このポリイミド樹脂フィルムの熱
線膨張係数は１８ｐｐｍであり、誘電率は3.２０であっ
た。
【０１５２】上記ポリアミド酸の溶液を熱線膨張係数１
７ｐｐｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔の表面にキャ
ストし、減圧下、室温から３６０℃まで２時間かけて昇
温した後、３６０℃で２時間加熱し、閉環、イミド化さ
せて、ポリイミド樹脂フィルムとした。この後、室温に
戻したとき、ステンレス箔が弯曲するようなことはなか
った。以下、これをポリアミド酸のフィルム化試験とい
う。
【０１５３】実施例２ 攪拌装置を備えた５００ｍＬ容量四つ口フラスコに2,2'
−ジメチル−4,4'−ジアミノビフェニル１8.７ｇ（８8.
０ｍｍｏｌ）、2,２−ビス（４−アミノフェノキシフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン１1.４ｇ（２2.０ｍｍｏ
ｌ）とＮ−メチル−２−ピロリドン２３６ｇとを仕込
み、室温で攪拌して、溶液とした。次に、この溶液に無
水ピロメリット酸１9.２ｇ（８8.０ｍｍｏｌ）と2,２−
ビス（3,４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン9.８ｇ（２2.０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間
攪拌した後、５０℃で１８時間攪拌した。そこで、加熱
を止め、室温まで放冷して、ポリアミド酸の溶液を得
た。このポリアミド酸の溶液の回転粘度は２６０ポイズ
であった。また、このポリアミド酸の分子量を測定した
結果、数平均分子量は１３０００であり、重量平均分子
量は３６０００であった。
【０１５４】上記ポリアミド酸の溶液をガラス板上にキ
ャストして、実施例１と同様にして、ポリイミド樹脂フ
ィルムを得た。このポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張
係数は２２ｐｐｍであり、誘電率は3.１７であった。
【０１５５】上記ポリアミド酸のフィルム化試験におい
て、ステンレス箔の弯曲はみられなかった。
【０１５６】実施例３ 攪拌装置を備えた５００ｍＬ容量四つ口フラスコに2,2'
−ジ（トリフルオロメチル）−4,4'−ジアミノビフェニ
ル２8.２ｇ（８8.０ｍｍｏｌ）、1,１−ビス（４−（４
−アミノフェノキシ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフ
ェニル）ブタン１2.４ｇ（２2.０ｍｍｏｌ）とＮ−メチ
ル−２−ピロリドン２７８ｇとを仕込み、室温で攪拌し
て、溶液とした。次に、この溶液に無水ピロメリット酸
１9.２ｇ（８8.０ｍｍｏｌ）と2,２−ビス（3,４−ジカ
ルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン9.８ｇ（２
2.０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間攪拌した後、５０
℃で１８時間攪拌した。そこで、加熱を止め、室温まで
放冷して、ポリアミド酸の溶液を得た。このポリアミド
酸の溶液の回転粘度は２４０ポイズであった。また、こ
のポリアミド酸の分子量をＧＰＣ法にて測定した結果、
数平均分子量は１９０００であり、重量平均分子量は４
８０００であった。
【０１５７】上記ポリアミド酸の溶液をガラス板上にキ
ャストして、実施例１と同様にして、ポリイミド樹脂フ
ィルムを得た。このポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張
係数は１７ｐｐｍであり、誘電率は2.８８であった。
【０１５８】上記ポリアミド酸のフィルム化試験におい
て、ステンレス箔の弯曲はみられなかった。
【０１５９】実施例４ 攪拌装置を備えた５００ｍＬ容量四つ口フラスコに2,2'
−ジメチル−4,4'−ジアミノビフェニル１8.７ｇ（８8.
０ｍｍｏｌ）、1,１−ビス（４−（４−アミノフェノキ
シ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル）ブタン１
2.４ｇ（２2.０ｍｍｏｌ）とＮ−メチル−２−ピロリド
ン２４０ｇとを仕込み、室温で攪拌して、溶液とした。
次に、この溶液に無水ピロメリット酸１9.２ｇ（８8.０
ｍｍｏｌ）と2,２−ビス（3,４−ジカルボキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン9.８ｇ（２2.０ｍｍｏｌ）
を加え、室温で１時間攪拌した後、５０℃で１８時間攪
拌した。そこで、加熱を止め、室温まで放冷して、ポリ
アミド酸の溶液を得た。このポリアミド酸の溶液の回転
粘度は４２０ポイズであった。また、このポリアミド酸
の分子量をＧＰＣ法にて測定した結果、数平均分子量は
１８０００であり、重量平均分子量は４７０００であっ
た。
【０１６０】上記ポリアミド酸の溶液をガラス板上にキ
ャストして、実施例１と同様にして、ポリイミド樹脂フ
ィルムを得た。このポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張
係数は２０ｐｐｍであり、誘電率は2.９５であった。
【０１６１】上記ポリアミド酸のフィルム化試験におい
て、ステンレス箔の弯曲はみられなかった。
【０１６２】実施例５ 攪拌装置を備えた５００ｍＬ容量四つ口フラスコに2,2'
−ジメチル−4,4'−ジアミノビフェニル１3.６ｇ（６4.
０ｍｍｏｌ）と2,２−ビス（３−アミノ−４−メチルフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン5.８ｇ（１6.０ｍｍｏ
ｌ）をＮ−メチル−２−ピロリドン１６２ｇと共に仕込
み、室温で攪拌して、溶液とした。次に、この溶液に無
水ピロメリット酸１4.０ｇ（６4.０ｍｍｏｌ）と2,２−
ビス（3,４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン7.１１ｇ（１6.０ｍｍｏｌ）を加え、室温で６時
間攪拌した後、５０℃で１７時間攪拌した。そこで、加
熱を止め、室温まで放冷して、ポリアミド酸の溶液を得
た。このポリアミド酸の溶液の回転粘度は１7.４Ｐａ・
ｓであった。また、このポリアミド酸の分子量をＧＰＣ
法にて測定した結果、数平均分子量は１３４００であ
り、重量平均分子量は３５０００であった。
【０１６３】上記ポリアミド酸の溶液をガラス板上にキ
ャストして、実施例１と同様にして、ポリイミド樹脂フ
ィルムを得た。このポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張
係数は２１ｐｐｍであり、誘電率は2.９４であった。
【０１６４】上記ポリアミド酸のフィルム化試験におい
て、ステンレス箔の弯曲はみられなかった。
【０１６５】実施例６ 攪拌装置を備えた５００ｍＬ容量四つ口フラスコに2,2'
−ジメチル−4,4'−ジアミノビフェニル１3.６ｇ（６4.
０ｍｍｏｌ）とα,α'−ビス（４−アミノフェニル）−
1,４−ジイソプロピルベンゼン5.５１ｇ（１6.０ｍｍｏ
ｌ）をＮ−メチル−２−ピロリドン２２７ｇと共に仕込
み、室温で攪拌して、溶液とした。次に、この溶液に無
水ピロメリット酸１4.０ｇ（６4.０ｍｍｏｌ）と2,２−
ビス（3,４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン7.１１ｇ（１6.０ｍｍｏｌ）を加え、室温で６時
間攪拌した後、５０℃で１７時間攪拌した。そこで、加
熱を止め、室温まで放冷して、ポリアミド酸の溶液を得
た。このポリアミド酸の溶液の回転粘度は8.６Ｐａ・ｓ
であった。また、このポリアミド酸の分子量をＧＰＣ法
にて測定した結果、数平均分子量は６６００であり、重
量平均分子量は２１９００であった。
【０１６６】上記ポリアミド酸の溶液をガラス板上にキ
ャストして、実施例１と同様にして、ポリイミド樹脂フ
ィルムを得た。このポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張
係数は１８ｐｐｍであり、誘電率は2.９７であった。
【０１６７】上記ポリアミド酸のフィルム化試験におい
て、ステンレス箔の弯曲はみられなかった。
【０１６８】実施例７ 攪拌装置を備えた５００ｍＬ容量四つ口フラスコに2,2'
−ジメチル−4,4'−ジアミノビフェニル１3.６ｇ（６4.
０ｍｍｏｌ）とα,α'−ビス（４−アミノフェニル）−
1,３−ジイソプロピルベンゼン5.５１ｇ（１6.０ｍｍｏ
ｌ）をＮ−メチル−２−ピロリドン１６１ｇと共に仕込
み、室温で攪拌して、溶液とした。次に、この溶液に無
水ピロメリット酸１4.０ｇ（６4.０ｍｍｏｌ）と2,２−
ビス（3,４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン7.１１ｇ（１6.０ｍｍｏｌ）を加え、室温で６時
間攪拌した後、５０℃で１７時間攪拌した。そこで、加
熱を止め、室温まで放冷して、ポリアミド酸の溶液を得
た。このポリアミド酸の溶液の回転粘度は8.２Ｐａ・ｓ
であった。また、このポリアミド酸の分子量を測定した
結果、数平均分子量は７３００であり、重量平均分子量
は２３４００であった。
【０１６９】上記ポリアミド酸の溶液をガラス板上にキ
ャストして、実施例１と同様にして、ポリイミド樹脂フ
ィルムを得た。このポリイミド樹脂フィルムの線膨張係
数は２０ｐｐｍであり、誘電率は2.９４であった。
【０１７０】上記ポリアミド酸のフィルム化試験におい
て、ステンレス箔の弯曲はみられなかった。
【０１７１】比較例１ 攪拌装置を備えた５００ｍＬ容量四つ口フラスコに2,２
−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン５1.８ｇ（１００ｍｍｏｌ）とＮ−メチル−
２−ピロリドン３８５ｇとを仕込み、室温で攪拌して、
溶液とした。次に、この溶液に2,２−ビス（3,４−ジカ
ルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン４4.４ｇ
（１００ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間攪拌した後、
５０℃で１８時間攪拌した。そこで、加熱を止め、室温
まで放冷して、ポリアミド酸の溶液を得た。
【０１７２】このポリアミド酸の溶液をガラス板上にキ
ャストして、実施例１と同様にして、ポリイミド樹脂フ
ィルムを得た。このポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張
係数は７５ｐｐｍであり、誘電率は2.７７であった。
【０１７３】上記ポリアミド酸のフィルム化試験によれ
ば、ステンレス箔が弯曲した。
【０１７４】比較例２ 攪拌装置を備えた５００ｍＬ容量四つ口フラスコに1,１
−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）−３−ｔ−ブチ
ル−６−メチルフェニル）ブタン５6.５ｇ（１００ｍｍ
ｏｌ）とＮ−メチル−２−ピロリドン３８５ｇとを仕込
み、室温で攪拌して、溶液とした。次に、この溶液に2,
２−ビス（3,４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン４4.４ｇ（１００ｍｍｏｌ）を加え、室温で
１時間攪拌した後、５０℃で１８時間攪拌した。そこ
で、加熱を止め、室温まで放冷して、ポリアミド酸の溶
液を得た。
【０１７５】このポリアミド酸の溶液をガラス板上にキ
ャストして、実施例１と同様にして、ポリイミド樹脂フ
ィルムを得た。このポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張
係数は５４ｐｐｍであり、誘電率は2.５７であった。
【０１７６】上記ポリアミド酸のフィルム化試験によれ
ば、ステンレス箔が弯曲した。
【０１７７】比較例３ 攪拌装置を備えた５００ｍＬ容量四つ口フラスコに2,２
−ビス（３−アミノ−４−メチルフェニル）ヘキサフル
オロプロパン３6.２３ｇ（１００ｍｍｏｌ）とＮ−メチ
ル−２−ピロリドン３８５ｇとを仕込み、室温で攪拌し
て、溶液とした。次に、この溶液に2,２−ビス（3,４−
ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン４4.４
ｇ（１００ｍｍｏｌ）を加え、室温で２０時間攪拌し
て、ポリアミド酸の溶液を得た。
【０１７８】このポリアミド酸の溶液をガラス板上にキ
ャストして、実施例１と同様にして、ポリイミド樹脂フ
ィルムを得た。このポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張
係数は５７ｐｐｍであり、誘電率は2.５であった。
【０１７９】上記ポリアミド酸のフィルム化試験におい
ては、ステンレス箔が弯曲した。
【０１８０】実施例８ 実施例１で得られたポリアミド酸の溶液にニフェジピン
１7.０ｇ（４9.１ｍｍｏｌ）、アセチル体１1.３ｇ（３
6.１ｍｍｏｌ）及びイミダゾール2.４４ｇ（３5.８ｍｍ
ｏｌ）を加えて、感光性ポリアミド酸溶液を調製した。
【０１８１】厚み２５μｍのステンレス（ＳＵＳ３０
４）箔上に上記感光性ポリアミド酸溶液を連続コーター
にて長尺塗布した後、１２０℃で２分間加熱乾燥して、
感光性ポリアミド酸の被膜を形成した。次いで、マスク
を介して、露光量７００ｍＪ／ｃｍ2 にて紫外線照射
し、１６０℃で３分間加熱した後、現像処理して、ネガ
型画像を形成し、更に、0.０１ｔｏｒｒの真空下、４０
０℃に加熱して、パターン化したポリイミド樹脂フィル
ムからなる絶縁層（膜厚６μｍ）を形成して、回路基板
を得た。
【０１８２】このポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張係
数は１８ｐｐｍであり、誘電率は3.２０であった。ま
た、上記ＳＵＳ３０４ステンレス箔の熱線膨張係数は１
７ｐｐｍであった。ここに、熱線膨張係数は、幅２ｍ
ｍ、厚さ６μｍ、長さ３０ｍｍの試料について、ＴＭＡ
法（サーマルメカニカルアナリシス法）にて、昇温速度
１０℃／分、荷重５ｇで測定した。
【０１８３】次に、このような回路基板のポリイミドか
らなる絶縁層上に連続スパッタリング処理によってクロ
ムと銅をそれぞれ５００オングストローム及び１０００
オングストロームの膜厚で薄膜形成した。銅薄膜の表面
抵抗は0.３〜0.４Ω／□であった。
【０１８４】次いで、ステンレス基材の裏面に軽粘着シ
ートをめっきマスクとして貼着した後、上記銅薄膜の全
面に硫酸銅電解めっきを行なって、膜厚１０μｍの銅め
っきからなる導体層を形成した。
【０１８５】この後、常法に従って、市販のドライフィ
ルムラミネートを１１０℃導体層上にラミネートした
後、露光量８０ｍＪ／ｃｍ2 にてこれを露光させ、現像
し、非パターン部の銅導体層をアルカリエッチングし
て、配線部と端子部と共に電解めっきのリード部を残す
ように導体層をパターン化し、この後、レジストを除去
した。次いで、このように処理したステンレス箔をフエ
リシアン化カリウムと水酸化ナトリウムの混合水溶液に
２５℃で浸漬し、不必要な前記クロム薄膜を除去した。
【０１８６】この後、このステンレス基材に通常の無電
解めっきを施し、膜厚約0.５μｍのニッケル薄膜を導体
層及び絶縁層を含むステンレス箔の全面上に形成した。
次いで、前述したように、ステンレス箔上の導体層の配
線部及び端子部に、前記と同様にして、感光性ポリアミ
ド酸を用いて、所要の被覆層を形成した。次いで、基材
を硝酸系剥離剤に室温で浸漬して、端子部及びステンレ
ス箔上の前記無電解めっき薄膜を除去した。
【０１８７】この後、常法に従って、上記端子部を除い
て、通常のフォトレジストて被覆した後、上記端子部に
電解ニッケルめっきと電解金めっきを順次に行なって、
それぞれ膜厚１μｍのめっき層を形成し、端子を形成し
た。この後、上記レジストを剥離した。このめっき処理
に続いて、めっきに用いたリード部を導体層から除去す
るために、銅アルカリエッチングとクロムエッチングを
前述したのと同様の方法で行なった。
【０１８８】このようにして、導体層からめっきリード
部を除去した後、ステンレス箔基材を所要の形状に切り
抜くために、常法に従って、フォトレジスト又はドライ
フィルムラミネートを用いて、露光、現像を行なって、
ステンレス箔上に所要のパターンを形成した後、ステン
レス箔基材を塩化第二鉄エッチング液に４５℃で浸漬し
て、所要の形状に切り抜いた。これを純水にて十分に洗
浄した後、乾燥して、個々に切り抜かれた回路付きサス
ペンション基板を得た。
【０１８９】このようにして得られた回路付きサスペン
ション基板によれば、ポリイミド樹脂が小さい熱線膨張
係数を有するので、樹脂層に割れが発生したり、基材と
の間で層間剥離を生じたりすることがなかった。また、
信頼性が高く、しかも、反りが生じないので、性能不良
等を起こすこともなかった。
【０１９０】実施例９ 実施例２で得られたポリアミド酸溶液にニフェジピン１
7.７ｇ（５1.２ｍｍｏｌ）、アセチル体１1.８ｇ（３7.
６ｍｍｏｌ）及びイミダゾール2.５４ｇ（３7.３ｍｍｏ
ｌ）を加えて、感光性ポリアミド酸溶液を調製した。
【０１９１】実施例８におけると同様にして、厚み２５
μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔上に上記感光性ポ
リアミド酸溶液を塗布し、加熱乾燥して、感光性ポリア
ミド酸の被膜を形成した後、パターニング処理して、パ
ターン化したポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁層
（膜厚６μｍ）を形成して、回路基板を得た。
【０１９２】実施例８におけると同様の測定の結果、こ
のポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張係数は２２ｐｐｍ
であり、誘電率は3.１７であった。
【０１９３】次いで、この回路基板を用いて、実施例８
と同じ手順によって、実施例８によるものと同じく高性
能の回路付きサスペンション基板を得た。
【０１９４】実施例１０ 攪拌装置を備えた５００ｍＬ容量四つ口フラスコに2,2'
−ジメチル−4,4'−ジアミノビフェニル１6.４ｇ（７7.
０ｍｍｏｌ）、2,２−ビス（４−アミノフェノキシフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン１1.４ｇ（２2.０ｍｍｏ
ｌ）、ビス（アミノプロピル）テトラメチルジシロキサ
ン2.７０ｇ（１1.０ｍｍｏｌ）とＮ−メチル−２−ピロ
リドン２３６ｇとを仕込み、室温で攪拌して、溶液とし
た。次に、この溶液に無水ピロメリット酸１9.２ｇ（８
8.０ｍｍｏｌ）と2,２−ビス（3,４−ジカルボキシフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン9.８ｇ（２2.０ｍｍｏ
ｌ）を加え、室温で１時間攪拌した後、５０℃で１８時
間攪拌した。そこで、加熱を止め、室温まで放冷して、
ポリアミド酸の溶液を得た。このポリアミド酸の溶液の
回転粘度は２６０ポイズであった。また、このポリアミ
ド酸の分子量を測定した結果、数平均分子量は１３００
０であり、重量平均分子量は３６０００であった。
【０１９５】次に、上記ポリアミド酸溶液にニフェジピ
ン１7.７ｇ（５1.２ｍｍｏｌ）、アセチル体１1.８ｇ
（３7.６ｍｍｏｌ）及びイミダゾール2.５４ｇ（３7.３
ｍｍｏｌ）を加えて、感光性ポリアミド酸溶液を調製し
た。
【０１９６】実施例８におけると同様にして、厚み２５
μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔上に上記感光性ポ
リアミド酸溶液を塗布し、加熱乾燥して、感光性ポリア
ミド酸の被膜を形成した後、パターニング処理して、パ
ターン化したポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁層
（膜厚６μｍ）を形成して、回路基板を得た。
【０１９７】実施例８におけると同様の測定の結果、こ
のポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張係数は２３ｐｐｍ
であり、誘電率は3.１５であった。
【０１９８】次いで、この回路基板を用いて、実施例８
と同じ手順によって、実施例８によるものと同じく高性
能の回路付きサスペンション基板を得た。
【０１９９】実施例１１ 実施例３で得られたポリアミド酸の溶液にニフェジピン
２0.９ｇ（６0.３ｍｍｏｌ）、アセチル体１3.９ｇ（４
4.３ｍｍｏｌ）及びイミダゾール2.９９ｇ（４4.０ｍｍ
ｏｌ）を加えて、感光性ポリアミド酸溶液を調製した。
【０２００】実施例８におけると同様にして、厚み２５
μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔上に上記感光性ポ
リアミド酸溶液を塗布し、加熱乾燥して、感光性ポリア
ミド酸の被膜を形成した後、パターニング処理して、パ
ターン化したポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁層
（膜厚６μｍ）を形成して、回路基板を得た。
【０２０１】実施例８におけると同様の測定の結果、こ
のポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張係数は１７ｐｐｍ
であり、誘電率は2.８８であった。
【０２０２】次いで、この回路基板を用いて、実施例８
と同じ手順によって、実施例８によるものと同じく高性
能の回路付きサスペンション基板を得た。
【０２０３】実施例１２ 実施例４で得られたポリアミド酸溶液にニフェジピン１
8.０ｇ（５2.１ｍｍｏｌ）、アセチル体１2.０ｇ（３8.
２ｍｍｏｌ）及びイミダゾール2.５８ｇ（３8.０ｍｍｏ
ｌ）を加えて、感光性ポリアミド酸溶液を調製した。
【０２０４】実施例８におけると同様にして、厚み２５
μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔上に上記感光性ポ
リアミド酸溶液を塗布し、加熱乾燥して、感光性ポリア
ミド酸の被膜を形成した後、パターニング処理して、パ
ターン化したポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁層
（膜厚６μｍ）を形成して、回路基板を得た。
【０２０５】実施例８におけると同様の測定の結果、こ
のポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張係数は２０ｐｐｍ
であり、誘電率は2.９５であった。
【０２０６】次いで、この回路基板を用いて、実施例８
と同じ手順によって、実施例８によるものと同じく高性
能の回路付きサスペンション基板を得た。
【０２０７】実施例１３ 攪拌装置を備えた５００ｍＬ容量四つ口フラスコに2,2'
−ジメチル−4,4'−ジアミノビフェニル１6.４ｇ（７7.
０ｍｍｏｌ）、1,１−ビス（４−（４−アミノフェノキ
シ）−３−ｔ−ブチル−６−メチルフェニル）ブタン１
2.４ｇ（２2.０ｍｍｏｌ）、ビス（アミノプロピル）テ
トラメチルジシロキサン2.７０ｇ（１1.０ｍｍｏｌ）と
Ｎ−メチル−２−ピロリドン２４０ｇとを仕込み、室温
で攪拌して、溶液とした。次に、この溶液に無水ピロメ
リット酸１9.２ｇ（８8.０ｍｍｏｌ）と2,２−ビス（3,
４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン9.
８ｇ（２2.０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間攪拌した
後、５０℃で１８時間攪拌した。そこで、加熱を止め、
室温まで放冷して、ポリアミド酸の溶液を得た。このポ
リアミド酸の溶液の回転粘度は４２０ポイズであった。
また、このポリアミド酸の分子量を測定した結果、数平
均分子量は１８０００であり、重量平均分子量は４７０
００であった。
【０２０８】次に、上記ポリアミド酸溶液にニフェジピ
ン１8.０ｇ（５2.１ｍｍｏｌ）、アセチル体１2.０ｇ
（３8.２ｍｍｏｌ）及びイミダゾール2.５８ｇ（３8.０
ｍｍｏｌ）を加えて、感光性ポリアミド酸溶液を調製し
た。
【０２０９】実施例８におけると同様にして、厚み２５
μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔上に上記感光性ポ
リアミド酸溶液を塗布し、加熱乾燥して、感光性ポリア
ミド酸の被膜を形成した後、パターニング処理して、パ
ターン化したポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁層
（膜厚６μｍ）を形成して、回路基板を得た。
【０２１０】実施例８におけると同様の測定の結果、こ
のポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張係数は２１ｐｐｍ
であり、誘電率は3.００であった。
【０２１１】次いで、この回路基板を用いて、実施例８
と同じ手順によって、実施例８によるものと同じく高性
能の回路付きサスペンション基板を得た。
【０２１２】実施例１４ 実施例５で得られたポリアミド酸の溶液にニフェジピン
１2.１２ｇ（３5.０ｍｍｏｌ）、アセチル体8.０８ｇ
（２5.７ｍｍｏｌ）及びイミダゾール1.７４ｇ（２5.５
ｍｍｏｌ）を加えて、感光性ポリアミド酸溶液を調製し
た。
【０２１３】実施例８におけると同様にして、厚み２５
μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔上に上記感光性ポ
リアミド酸溶液を塗布し、加熱乾燥して、感光性ポリア
ミド酸の被膜を形成した後、パターニング処理して、パ
ターン化したポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁層
（膜厚６μｍ）を形成して、回路基板を得た。
【０２１４】実施例８におけると同様の測定の結果、こ
のポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張係数は２１ｐｐｍ
であり、誘電率は2.９４であった。
【０２１５】次いで、この回路基板を用いて、実施例８
と同じ手順によって、実施例８によるものと同じく高性
能の回路付きサスペンション基板を得た。
【０２１６】実施例１５ 実施例６で得られたポリアミド酸の溶液にニフェジピン
１2.１ｇ（３4.８ｍｍｏｌ）、アセチル体8.０４ｇ（２
5.６ｍｍｏｌ）及びイミダゾール1.７３ｇ（２5.４ｍｍ
ｏｌ）を加えて、感光性ポリアミド酸溶液を調製した。
【０２１７】実施例８におけると同様にして、厚み２５
μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔上に上記感光性ポ
リアミド酸溶液を塗布し、加熱乾燥して、感光性ポリア
ミド酸の被膜を形成した後、パターニング処理して、パ
ターン化したポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁層
（膜厚６μｍ）を形成して、回路基板を得た。
【０２１８】実施例８におけると同様の測定の結果、こ
のポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張係数は１８ｐｐｍ
であり、誘電率は2.９７であった。
【０２１９】次いで、この回路基板を用いて、実施例８
と同じ手順によって、実施例８によるものと同じく高性
能の回路付きサスペンション基板を得た。
【０２２０】実施例１６ 実施例７で得られたポリアミド酸溶液にニフェジピン１
2.１ｇ（３4.８ｍｍｏｌ）、アセチル体8.０４ｇ（２5.
６ｍｍｏｌ）及びイミダゾール1.７３ｇ（２5.４ｍｍｏ
ｌ）を加えて、感光性ポリアミド酸溶液を調製した。
【０２２１】実施例８におけると同様にして、厚み２５
μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔上に上記感光性ポ
リアミド酸溶液を塗布し、加熱乾燥して、感光性ポリア
ミド酸の被膜を形成した後、パターニング処理して、パ
ターン化したポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁層
（膜厚６μｍ）を形成して、回路基板を得た。
【０２２２】実施例８におけると同様の測定の結果、こ
のポリイミド樹脂フィルムの熱線膨張係数は２０ｐｐｍ
であり、誘電率は2.９４であった。
【０２２３】次いで、この回路基板を用いて、実施例８
と同じ手順によって、実施例８によるものと同じく高性
能の回路付きサスペンション基板を得た。
【図面の簡単な説明】
【図１】は、本発明による回路付きサスペンション基板
の一例を示す斜視図である。
【図２】は、図１において、Ａ−Ａ線に沿う断面図であ
る。
【図３】は、図１において、Ｂ−Ｂ線に沿う断面図であ
る。
【図４】、
【図５】、
【図６】、
【図７】、
【図８】、
【図９】、
【図１０】、
【図１１】、
【図１２】、
【図１３】、
【図１４】、
【図１５】及び
【図１６】は、本発明による回路付きサスペンション基
板の製造工程を示す要部部分断面図である。
【符号の説明】
１…回路付きサスペンション基板 ２…ステンレス箔基材 ３…導体層 ４…ジンバル ５及び ６…端子 ７…絶縁層 ８…被覆層 ２１…感光性ポリアミド酸からなる被膜 ２２…ポリイミド樹脂からなる絶縁層 ２３…クロム薄膜 ２４…銅薄膜 ２５…導体層 ２６…フォトレジスト ２７…導体パターン ２８…ニッケル薄膜 ２９…ポリイミド樹脂 ３０…リード部 ３１…ポリイミド樹脂被覆層 ３３…電解金めっき薄膜 ３４…端子 ３５…フォトレジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平11−352328 (32)優先日 平成11年12月10日(1999．12．10) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願2000−148613(P2000−148613) (32)優先日 平成12年５月16日(2000．5．16) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願2000−148614(P2000−148614) (32)優先日 平成12年５月16日(2000．5．16) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願2000−171993(P2000−171993) (32)優先日 平成12年６月５日(2000．6．5) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 倉田 直記 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 金城 直隆 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 表 利彦 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 Ｆターム(参考） 4F100 AB01A AB04A AK49B AK49K BA02 EH46 EJ05 EJ42 EJ59 GB43 JA02 JG05 JL04 4J043 PA05 PA06 PA08 QB31 RA02 RA23 RA34 SA06 SA43 SA54 SB03 TA47 TA71 TB03 UA122 UA131 UA132 UA141 UA151 UB052 UB061 UB062 UB122 VA022 VA062 XA15 XA16 YA13 ZA35 ZA43 ZB50

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｘは式（ａ） 【化２】 又は式（ｂ） 【化３】 で表わされる４価の有機基を示し、Ｙは式（ｃ） 【化４】 （式中、Ｚは水素原子又はフッ素原子を示す。）、又は
    式（ｄ） 【化５】 （式中、Ｚは水素原子又はフッ素原子を示す。）、又は
    式（ｅ） 【化６】 又は式（ｆ） 【化７】 又は式（ｇ） 【化８】 で表わされる２価の有機基を示す。）で表わされる繰返
    し単位からなり、Ｘのうち、式（ａ）で表わされる有機
    基が２０〜９９モル％を占め、式（ｂ）で表わされる有
    機基が８０〜１モル％を占め、Ｙのうち、式（ｃ）で表
    わされる有機基が２０〜９９モル％を占め、式（ｄ）、
    式（ｅ）、式（ｆ）又は式（ｇ）で表わされる有機基が
    ８０〜１モル％を占め、重量平均分子量が２００００〜
    １０００００の範囲にあるポリアミド酸。
  2. 【請求項２】一般式（II） 【化９】 （式中、Ｘは式（ａ） 【化１０】 又は式（ｂ） 【化１１】 で表わされる４価の有機基を示し、Ｙは式（ｃ） 【化１２】 （式中、Ｚは水素原子又はフッ素原子を示す。）、又は
    式（ｄ） 【化１３】 （式中、Ｚは水素原子又はフッ素原子を示す。）、又は
    式（ｅ） 【化１４】 又は式（ｆ） 【化１５】 又は式（ｇ） 【化１６】 で表わされる２価の有機基を示す。）で表わされる繰返
    し単位からなり、Ｘのうち、式（ａ）で表わされる有機
    基が２０〜９９モル％を占め、式（ｂ）で表わされる有
    機基が８０〜１モル％を占め、Ｙのうち、式（ｃ）で表
    わされる有機基が２０〜９９モル％を占め、式（ｄ）、
    式（ｅ）、式（ｆ）又は式（ｇ）で表わされる有機基が
    ８０〜１モル％を占め、重量平均分子量が２００００〜
    １０００００の範囲にあるポリイミド樹脂。
  3. 【請求項３】金属箔基材上にポリイミド樹脂からなる絶
    縁層を有する回路基板において、上記ポリイミド樹脂が
    請求項２に記載のポリイミド樹脂であることを特徴とす
    る回路基板。
  4. 【請求項４】金属箔基材上にポリイミド樹脂からなる絶
    縁層を有し、その上に導体層からなるパターン回路を有
    する回路付きサスペンション基板において、上記ポリイ
    ミド樹脂が請求項２に記載のポリイミド樹脂であること
    を特徴とする回路付きサスペンション基板。
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