JP2002111174A - 配線回路基板の製造方法 - Google Patents
配線回路基板の製造方法Info
- Publication number
- JP2002111174A JP2002111174A JP2000293897A JP2000293897A JP2002111174A JP 2002111174 A JP2002111174 A JP 2002111174A JP 2000293897 A JP2000293897 A JP 2000293897A JP 2000293897 A JP2000293897 A JP 2000293897A JP 2002111174 A JP2002111174 A JP 2002111174A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- hole
- insulating layer
- base
- polyimide resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
上に絶縁層を積層しても、その絶縁層に凹凸を生じるこ
とが少なく、しかも、薄層で形成することのできる、配
線回路基板の製造方法を提供すること。 【解決手段】 ベース絶縁層2に、ベース絶縁層2を貫
通しない第1の孔4を、所定の回路パターンとして形成
するとともに、ベース絶縁層2の厚さ方向を貫通する第
2の孔5を、回路パターンを積層方向に導通させるため
に形成して、第1の孔4および第2の孔5に導体を充填
することによって、ベース側導体層6を、ベース絶縁層
2の表面と、ベース側導体層6の表面とが、実質的に面
一となるように形成する。
Description
として好適に用いられる配線回路基板の製造方法に関す
る。
として形成される導体層を有する配線回路基板であっ
て、例えば、ベース基板上に絶縁層を形成した後、この
絶縁層上に、導体層が、サブトラクティブ法、セミアデ
ィティブ法、アディティブ法などの公知のパターンニン
グ形成方法によって、所定の回路パターンとして形成さ
れており、通常、導体層が、さらに絶縁層によって被覆
されるとともに、ベース基板がエッチングなどによって
除去されることにより形成されている。
板にあっては、導体層上に、さらに、絶縁層および導体
層が交互に積層されることにより、形成されている。
線回路基板では、導体層が、所定の回路パターンとして
形成されるので、その上に絶縁層を積層すると、絶縁層
が、導体層のある部分と導体層のない部分とに積層され
るので、積層された絶縁層に、そのような導体層の有無
に起因する凹凸を生じ、とりわけ、多層配線回路基板に
あっては、層間の接続信頼性に支障をきたす場合があ
る。
って、配線回路基板の軽薄化がますます要求されるよう
になってきている。
もので、その目的とするところは、所定の回路パターン
として形成される導体層上に絶縁層を積層しても、その
絶縁層に凹凸を生じることが少なく、しかも、薄層で形
成することのできる、配線回路基板の製造方法を提供す
ることにある。
に、本発明の配線回路基板の製造方法は、厚さ方向の深
さが異なる複数の孔を有するベース絶縁層を形成する工
程、および前記孔に導体を充填して、ベース側導体層を
形成する工程を含んでいることを特徴としている。
さが異なる複数の孔を有するベース絶縁層を形成する工
程が、ベース基板上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体層
を形成する工程、前記感光性ポリイミド樹脂前駆体層
を、露光および現像することにより、この感光性ポリイ
ミド樹脂前駆体層に、厚さ方向の深さが異なる複数の孔
を形成する工程、前記感光性ポリイミド樹脂前駆体層を
イミド化して、ポリイミド樹脂層からなるベース絶縁層
を形成する工程を含んでいることが好ましい。
は、さらに、前記ベース絶縁層および前記ベース側導体
層上に、厚さ方向の深さが異なる複数の孔を有する積層
絶縁層を形成する工程、および前記孔に導体を充填し
て、積層側導体層を形成する工程を含んでいてもよい。
縁層および前記ベース側導体層上に、厚さ方向の深さが
異なる複数の孔を有する積層絶縁層を形成する工程が、
前記ベース絶縁層および前記ベース側導体層上に、感光
性ポリイミド樹脂前駆体層を形成する工程、前記感光性
ポリイミド樹脂前駆体層を、露光および現像することに
より、この感光性ポリイミド樹脂前駆体層に、厚さ方向
の深さが異なる複数の孔を形成する工程、前記感光性ポ
リイミド樹脂前駆体層をイミド化して、ポリイミド樹脂
層からなる積層絶縁層を形成する工程を含んでいること
が好ましい。
成するための回路パターン用孔と、前記回路パターンを
積層方向に導通させるための導通用孔と、を含んでいる
ことが好ましく、また、前記孔が、厚さ方向を貫通しな
い未貫通孔と、厚さ方向を貫通する貫通孔と、を含んで
いることが好ましい。
層を、露光および現像する工程においては、部分的に光
透過量の異なる領域を有するフォトマスクを用いて、前
記感光性ポリイミド樹脂前駆体層を露光することによ
り、厚さ方向の深さが異なる複数の孔を形成することが
好ましい。
の一実施形態を図1〜図4を参照して説明する。この方
法では、まず、図1(a)に示すように、厚さ方向の深
さが異なる複数の孔4および5を有するベース絶縁層2
を形成する。
ず、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエー
テルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、エポキ
シ樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレ
ンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの公知の
合成樹脂のフィルムが用いられる。
ば、図1(a)に示すように、ベース基板1上に、塗工
あるいはドライフィルムの積層により形成すればよく、
また、厚さ方向の深さが異なる複数の孔4および5を形
成するには、例えば、ドリル加工、レーザ加工、あるい
は、エッチングなどの公知の開口方法により、厚さ方向
の深さがそれぞれ異なる複数の孔4および5を形成すれ
ばよい。
別途形成された配線回路基板などが用いられる。金属箔
としては、例えば、ステンレス、42アロイ、ニッケ
ル、銅などの薄板または箔などが用いられ、また、その
厚さが、10〜1000μm、さらには、15〜200
μmのものが好ましい。また、別途形成された配線回路
基板をベース基板1として、その上に、配線回路基板を
ビルドアップするようにしてもよい。
具体的には、後述するように、所定の回路パターンとし
て形成されるベース絶縁層を貫通しない第1の孔4と、
回路パターンを積層方向に導通させるためにベース絶縁
層2の厚さ方向を貫通する第2の孔5とを形成する。
は、感光性樹脂、とりわけ、感光性ポリイミド樹脂前駆
体を用いて、図2に示すように、ベース基板1上に、感
光性ポリイミド樹脂前駆体層2pを形成した後、これ
を、露光および現像することにより、厚さ方向の深さが
異なる複数の孔4および5を形成し、次いで、感光性ポ
リイミド樹脂前駆体層2pをイミド化して、ポリイミド
樹脂層からなるベース絶縁層2を形成することが好まし
い。
すように、まず、ベース基板1上に、感光性ポリイミド
樹脂前駆体層2pを形成する。
ック酸樹脂に、感光剤が配合されてなるものであって、
ポリアミック酸樹脂は、酸二無水物とジアミンとを反応
させることによって得ることができる。
4,4’−オキシジフタル酸二無水物(ODPA)、
3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物、ピロメリット酸二無水物、2,2−ビス(3,4
−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無
水物(6FDA)、3,3’,4,4’−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)が好ましく用
いられ、また、ジアミンとして、例えば、p−フェニレ
ンジアミン(PPD)、1,3−ビス(3−アミノフェ
ノキシ)ベンゼン、ビスアミノプロピルテトラメチルジ
シロキサン(APDS)、4,4’−ジアミノジフェニ
ルエーテル(DDE)が好ましく用いられる。
二無水物とジアミンとを、実質的に等モル比となるよう
な割合で、適宜の有機溶媒、例えば、N−メチル−2−
ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−
ジメチルホルムアミドなどの極性溶媒中で、常温常圧の
下、所定の時間反応させることよって、ポリアミック酸
樹脂の溶液として得ることができる。さらに、このよう
なポリアミック酸樹脂には、必要に応じて、エポキシ樹
脂、ビスアリルナジックイミド、マレイミドなどを配合
してもよい。
ロピリジン誘導体が好ましく用いられ、とりわけ、1−
エチル−3,5−ジメトキシカルボニル−4−(2−ニ
トロフェニル)−1,4−ジヒドロピリジンが好ましく
用いられる。また、このような感光剤は、酸二無水物と
ジアミンとの合計、すなわち、ポリアミック酸1モルに
対して、通常、0.1〜1.0モルの範囲で配合され
る。
ミド樹脂前駆体層2pを形成するには、例えば、ベース
基板1上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体を一定の厚さ
で公知の方法により塗工した後、乾燥させるようにする
か、あるいは、予め、感光性ポリイミド樹脂前駆体を一
定の厚さでドライフィルムとして形成しておき、このド
ライフィルムをベース基板1上に積層すればよい。
ように、感光性ポリイミド樹脂前駆体層2pを、フォト
マスク3を介して露光させ、次いで、図2(c)に示す
ように、必要により露光部分を所定の温度に加熱した
後、現像することにより、感光性ポリイミド樹脂前駆体
層2pに、厚さ方向の深さがそれぞれ異なる第1の孔4
と第2の孔5とを形成する。
300〜450nm、さらには、350〜420nmで
あることが好ましく、その露光積算光量が、100〜3
000mJ/cm2、さらには、200〜1500mJ
/cm2であることが好ましい。
駆体層2pの露光部分は、例えば、130℃以上150
℃未満で加熱することにより、次の現像処理において可
溶化(ポジ型)し、また、例えば、150℃以上180
℃以下で加熱することにより、次の現像処理において不
溶化(ネガ型)する。また、現像は、例えば、アルカリ
現像液などの公知の現像液を用いて、浸漬法やスプレー
法などの公知の方法により行なえばよい。なお、この方
法においては、ネガ型で第1の孔4と第2の孔5とを形
成することが好ましく、図2においては、ネガ型でパタ
ーンニングする態様として示されている。
ス側導体層6を回路パターンとして形成するための回路
パターン用孔であって、感光性ポリイミド樹脂前駆体層
2pの厚さ方向を貫通しない未貫通孔として、所定の回
路パターンとして形成される。また、第2の孔5は、例
えば、次に形成するベース側導体層6の回路パターンを
積層方向に導通させるための導通用孔(ビアホール)で
あって、感光性ポリイミド樹脂前駆体層2pの厚さ方向
を貫通する貫通孔として形成される。
第1の孔4および第2の孔5を形成するには、より具体
的には、部分的に光透過量の異なる領域を有するフォト
マスク3を用いて、感光性ポリイミド樹脂前駆体層2p
を露光することが好ましい。このようなフォトマスク3
を用いれば、階調露光によって、簡易かつ確実に、第1
の孔4および第2の孔5を同時に形成することができ
る。
ターンニングする場合には、感光性ポリイミド樹脂前駆
体層2pにおける第1の孔4を形成する部分への光の照
射量を低減させるための半透過部3aと、感光性ポリイ
ミド樹脂前駆体層2pにおける第2の孔5を形成する部
分への光の照射を遮光するための遮光部3bとを有する
フォトマスク3を用いて、このフォトマスク3を、半透
過部3aが第1の孔4を形成する部分に、また、遮光部
3bが第2の孔5を形成する部分に、それぞれ対応する
ように配置して、フォトマスク3を介して感光性ポリイ
ミド樹脂前駆体層2pを露光すればよい。
ォトマスク3において、その半透過部3aは、例えば、
フォトマスク3における第1の孔4に対応する部分の表
面を微細に荒らすことにより、その表面での乱反射成分
を増加させて、その部分における透過光成分を減少させ
るように構成するか、あるいは、例えば、フォトマスク
3における第1の孔4に対応する部分の表面に、照射光
を吸収するフィルムを貼着して、その部分における透過
光成分を減少させるように構成するか、あるいは、例え
ば、フォトマスク3における第1の孔4に対応する部分
の表面に、光透過部分および遮光部分のパターンを形成
して、その部分における透過光成分を減少させるように
構成すればよい。
における第2の孔5に対応する部分において、照射光が
遮光される構成であればよく、公知の方法によって形成
することができる。
ォトマスク3において、第2の孔5に対応する部分に、
照射光を遮光する金属薄膜を形成することにより、遮光
部3bを形成するとともに、第1の孔4に対応する部分
に、上記の金属薄膜よりも厚みの薄い金属薄膜を形成す
ることにより、半透過部3aを形成して、その部分にお
ける透過光成分を減少させるように構成してもよい。す
なわち、このようなフォトマスク3は、例えば、第2の
孔5に対応する部分に金属薄膜が形成されている透明板
からなるフォトマスク3(従来のフォトマスク)におい
て、第1の孔4に対応する部分のみが露出するように、
そのフォトマスク3上にレジストを形成して、上記の金
属薄膜より厚みが薄いクロムなどの金属薄膜を蒸着また
はめっきにより形成し、その後、レジストを剥離するこ
とにより形成することができる。
有するフォトマスク3を用いれば、1回の露光により、
確実に、第1の孔4に対応する部分の露光量を低減する
ことができるとともに、第2の孔5に対応する部分の照
射光を遮光して、簡易かつ確実に、第1の孔4および第
2の孔5を形成することができる。
は、半透過部3aを、光透過部分および遮光部分のパタ
ーンとして形成するものが好ましく用いられる。このよ
うなパターンは、例えば、ガラスなどの透明板からなる
フォトマスク3に、まず、透明板の全面にクロムなどの
金属薄膜を蒸着またはめっきした後、次いで、その金属
薄膜をレーザーや電子ビームなどを用いてパターン化す
ることにより形成することができる。例えば、半透過部
3aとして、光透過部分および遮光部分の金属薄膜のパ
ターンを、6μm以下のピッチ(各光透過部分および各
遮光部分の幅)の縞状の繰り返しパターンとして形成す
るとともに、遮光部3bを、照射光を遮光する金属薄膜
によって形成する。ピッチが6μm以下であると、露光
波長が、上記したように300〜450nmの場合に
は、その照射光が第1の孔4を形成する部分に均一に照
射され、第1の孔4の深さを均一にすることができる。
なお、半透過部3aの平均透過率は、10〜80%、好
ましくは、15〜50%とされる。
は、フォトマスク3を、照射光を遮光する遮光板によっ
て構成し、第2の孔5に対応する部分では、照射光をす
べて透過させるとともに、第1の孔4に対応する部分で
は、照射光を所定の割合で透過させるように構成すれば
よい。
成する方法としては、上記した以外に、例えば、パター
ンが異なる複数のフォトマスクを用いて、感光性ポリイ
ミド樹脂前駆体層2pにおける第2の孔5を形成する部
分を常に遮光しつつ、第1の孔4を形成する部分を、露
光する時と、露光しない時との、少なくとも2回以上の
露光を順次行なうようにしてもよい。
ように、感光性ポリイミド樹脂前駆体層2pをイミド化
して、ポリイミド樹脂層からなるベース絶縁層2を形成
する。イミド化は、感光性ポリイミド樹脂前駆体層2p
を、例えば、最終的に300℃以上に加熱することによ
って硬化させればよい。これによって、第1の孔4が、
深さ方向を貫通しない所定の回路パターンとして、ま
た、第2の孔5が、深さ方向を貫通するビアホールとし
てそれぞれ形成される、ポリイミド樹脂層からなるベー
ス絶縁層2が形成される。
を用いて、ベース絶縁層2の形成と同時に第1の孔4お
よび第2の孔5を形成すれば、一度にファインピッチで
第1の孔4および第2の孔5を精密に形成することがで
きる。
縁層2の厚みは、例えば、2〜30μm、好ましくは、
5〜20μmである。そして、ベース絶縁層2における
第1の孔4が形成される部分の厚みは、通常、第1の孔
4が形成されていない部分の厚みの10〜80%であ
り、例えば、3〜20μmであることが好ましい。
ように、第1の孔4および第2孔5に導体を充填して、
ベース側導体層6を形成する。
銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが
用いられ、好ましくは、銅が用いられる。また、第1の
孔4および第2孔5に導体を充填して、ベース側導体層
6を形成する方法も、特に制限されず、公知の方法が用
いられる。例えば、導電ペーストを充填して焼成する方
法、金属薄膜の下地層を形成した後めっきする方法、蒸
着により厚膜を形成する方法などが用いられる。
は、例えば、上記した導体の微粒子をバインダーに配合
した導電ペーストを、スクリーン印刷法などによって、
実質的にベース絶縁層2の表面と同じ位置まで、第1の
孔4および第2孔5に充填し、これを焼成すればよい。
きする方法では、例えば、まず、第1の孔4および第2
孔5を含むベース絶縁層2の表面の全面に、スパッタ蒸
着法および真空蒸着法、あるいは、無電解めっきなどに
より、クロムや銅などの金属薄膜の下地層を形成し、次
いで、第1の孔4および第2孔5が形成されていない下
地層上に、ドライフィルムレジストなどを用いてめっき
レジストを形成し、その後、第1の孔4内および第2孔
5内に、めっきにより、実質的にベース絶縁層2の表面
と同じ位置まで、ベース側導体層6を形成する。めっき
は、電解めっき、無電解めっきのいずれでもよいが、電
解めっきが好ましく用いられる。そして、めっきレジス
トおよびめっきレジストが形成されていた下地層を、化
学エッチング(ウェットエッチング)など公知のエッチ
ング法により除去すればよい。
ば、第1の孔4および第2孔5に、上記したスパッタ蒸
着法や真空蒸着法などによって、そのまま、実質的にベ
ース絶縁層2の表面と同じ位置まで、厚膜を形成すれば
よい。
時において、ベース絶縁層2における第1の孔4および
第2孔5以外の部分に、導体が不必要に付着した場合に
は、エッチングや機械研磨などによって除去すればよ
い。
6は、第1の孔4内に形成される所定のベース側回路パ
ターン7と、第2の孔5内に形成される層間を導通する
ベース側導通層8とを有しており、その表面が、ベース
絶縁層2における第1の孔4および第2の孔5が形成さ
れている部分以外の表面と実質的に同じ位置、つまり、
ベース絶縁層2における第1の孔4および第2の孔5が
形成されている部分以外の表面と、ベース側導体層6の
表面とが、実質的に面一となるように形成される。
のみによって構成される単層配線回路基板を得るには、
例えば、図1(c−1)に示すように、ベース絶縁層2
およびベース側導体層6上に、カバー絶縁層9を形成し
た後、図1(d−1)に示すように、必要によりベース
基板1を除去すればよい。
に、カバー絶縁層9を形成するには、特に制限はない
が、例えば、上記と同様の方法によって、実質的に面一
とされたベース絶縁層2およびベース側導体層6の表面
に、ポリイミド樹脂前駆体層を形成し、次いで、露光お
よび現像することにより、オープニング10を形成した
後、これを、例えば、最終的に300℃以上に加熱硬化
すればよい。
学エッチング(ウェットエッチング)など公知のエッチ
ング法により除去すればよい。なお、ベース基板1は、
完全に除去してもよいが、部分的に残して、回路パター
ンやサスペンション基板として用いてもよい。回路パタ
ーンとして用いる場合には、さらに、その回路パターン
を被覆するためのカバー絶縁層を形成することが好まし
い。
ープニング10内に、例えば、金めっきなどによって、
端子層11を形成する。なお、ベース基板1を除去した
後に露出するベース側導通層8は、そのまま端子として
用いてもよく、また、図1(e−1)に示すように、例
えば、そのベース側導通層8をエッチング後、金めっき
などによって端子層11を形成してもよい。
板は、ベース絶縁層2の表面と、ベース側導体層6の表
面とが、実質的に面一となるように形成されているの
で、その上にカバー絶縁層9を形成しても、凹凸の少な
い均一な層で、カバー絶縁層9を形成することができ
る。また、ベース側回路パターン7がベース絶縁層2の
第1の孔4内に形成されるので、全体として、単層配線
回路基板の厚みを薄く形成することができる。したがっ
て、均一かつ軽薄な単層配線回路基板を形成することが
できる。
層配線回路基板を得るには、例えば、図3(c−2)に
示すように、ベース絶縁層2およびベース側導体層6上
に、さらに、厚さ方向の深さがそれぞれ異なる第3の孔
13および第4の孔14を有する積層絶縁層12を形成
して、図3(d−2)に示すように、それら第3の孔1
3および第4の孔14に導体を充填して積層側導体層1
5を形成した後、図3(e−2)に示すように、積層絶
縁層12および積層側導体層15上に、カバー絶縁層1
9を形成し、図3(f−2)に示すように、必要により
ベース基板1を除去すればよい。
に、積層絶縁層12を形成するには、特に制限はない
が、例えば、図4(a)に示すように、まず、上記と同
様の方法により、ベース絶縁層2およびベース側導体層
6の表面に、感光性ポリイミド樹脂前駆体層12pを形
成した後、次いで、図4(b)に示すように、上記と同
様の方法により、感光性ポリイミド樹脂前駆体層12p
における第3の孔13を形成する部分への光の照射量を
低減させるための半透過部21aと、感光性ポリイミド
樹脂前駆体層12pにおける第4の孔14を形成する部
分への光の照射を遮光するための遮光部21bとを有す
るフォトマスク21を用いて、このフォトマスク21
を、半透過部21aが第3の孔13を形成する部分に、
また、遮光部21bが第4の孔14を形成する部分に、
それぞれ対応するように配置して、このフォトマスク2
1を介して感光性ポリイミド樹脂前駆体層12pを露光
した後、図4(c)に示すように、上記と同様の方法に
より、現像することにより、この感光性ポリイミド樹脂
前駆体層12pに、厚さ方向の深さがそれぞれ異なる第
3の孔13および第4の孔14を形成する。
層側導体層15を回路パターンとして形成するための回
路パターン用孔であって、感光性ポリイミド樹脂前駆体
層12pの厚さ方向を貫通しない未貫通孔として、所定
の回路パターンとして形成される。また、第4の孔14
は、例えば、次に形成する積層側導体層15の回路パタ
ーンを積層方向に導通させるための導通用孔(ビアホー
ル)であって、感光性ポリイミド樹脂前駆体層12pの
厚さ方向を貫通する貫通孔として形成される。
同様の方法により、感光性ポリイミド樹脂前駆体層12
pをイミド化して、積層絶縁層12を形成する。これに
よって、第3の孔13が、深さ方向を貫通しない所定の
回路パターンとして、また、第4の孔14が、深さ方向
を貫通するビアホールとしてそれぞれ形成される、ポリ
イミド樹脂からなる積層絶縁層12が形成される。な
お、このようにして形成される積層絶縁層12の厚み
は、上記したベース絶縁層2の厚みとほぼ同じであって
よい。
記と同様の方法により、第3の孔13および第4孔14
に導体を充填して、積層側導体層15を形成する。積層
側導体層15は、第3の孔13内に形成される所定の積
層側回路パターン16と、第4の孔14内に形成される
層間を導通する積層側導通層17とを有しており、その
表面が、積層絶縁層12における第3の孔13および第
4の孔14が形成されている部分以外の表面と実質的に
同じ位置、つまり、積層絶縁層12における第3の孔1
3および第4の孔14が形成されている部分以外の表面
と、積層側導体層15の表面とが、実質的に面一となる
ように形成される。
うに、積層絶縁層12および積層側導体層15上に、上
記と同様の方法により、所定の位置にオープニング18
が形成されるカバー絶縁層19を形成した後、図3(f
−2)に示すように、上記と同様の方法により、必要に
よりベース基板1を除去し、図3(g−2)に示すよう
に、上記と同様の方法により、端子20を形成すること
により、多層配線回路基板を形成することができる。
板は、積層絶縁層12およびカバー絶縁層19を、凹凸
の少ない均一な層で形成することができ、また、積層側
回路パターン16が積層絶縁層12の第3の孔13内に
形成されるので、全体として、多層配線回路基板の厚み
を薄く形成することができる。したがって、積層絶縁層
12の凹凸に起因する層間の接続信頼性の低下を招くこ
とがなく、均一かつ軽薄な多層配線回路基板として得る
ことができる。
は、特に限定されず、各種の電子機器の配線回路基板と
して用いることができ、例えば、ハードディスクドライ
ブ用の回路付サスペンション基板などとしても、好適に
用いることができる。
を、2層配線回路基板を例にとって説明したが、その層
数は特に限定されず、上記と同様の方法によって、積層
絶縁層の形成と、その積層絶縁層内における積層側導体
層の形成を順次繰り返して、2層以上の多層配線回路基
板として得るようにしてもよい。
ベース基板1上に形成したが、目的および用途によって
は、ベース基板1を用いずに、ベース絶縁層2を形成し
てもよい。
板の製造方法によれば、導体層上に形成される絶縁層
を、凹凸の少ない均一な層で形成することができるとと
もに、全体として配線回路基板の厚みを薄く形成するこ
とができる。したがって、接続信頼性が良好で、均一か
つ軽薄な配線回路基板を形成することができる。
の工程を示す断面図であって、(a)は、厚さ方向の深
さが異なる複数の孔を有するベース絶縁層を形成する工
程、(b)は、第1の孔および第2孔に導体を充填し
て、ベース側導体層を形成する工程、(c−1)は、ベ
ース絶縁層およびベース側導体層上に、カバー絶縁層を
形成する工程、(d−1)は、ベース基板を除去する工
程、(e−1)は、端子層を形成する工程を示す。
用いて形成する工程を示す断面図であって、(a)は、
ベース基板上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体層を形成
する工程、(b)は、感光性ポリイミド樹脂前駆体層を
フォトマスクを介して階調露光する工程、(c)は、感
光性ポリイミド樹脂前駆体層を現像する工程、(d)
は、感光性ポリイミド樹脂前駆体層をイミド化する工程
を示す。
2)は、ベース絶縁層およびベース側導体層上に、さら
に、厚さ方向の深さがそれぞれ異なる第3の孔および第
4の孔を有する積層絶縁層を形成する工程、(d−2)
は、第3の孔および第4の孔に導体を充填して積層側導
体層を形成する工程、(e−2)は、積層絶縁層および
積層側導体層上に、カバー絶縁層を形成する工程、(f
−2)は、ベース基板を除去する工程、(g−2)は、
端子を形成する工程を示す。
いて形成する工程を示す断面図であって、(a)は、ベ
ース絶縁層およびベース側導体層の表面に、感光性ポリ
イミド樹脂前駆体層を形成する工程、(b)は、感光性
ポリイミド樹脂前駆体層をフォトマスクを介して階調露
光する工程、(c)は、感光性ポリイミド樹脂前駆体層
を現像する工程、(d)は、感光性ポリイミド樹脂前駆
体層をイミド化する工程を示す。
Claims (7)
- 【請求項1】 厚さ方向の深さが異なる複数の孔を有す
るベース絶縁層を形成する工程、および前記孔に導体を
充填して、ベース側導体層を形成する工程を含んでいる
ことを特徴とする、配線回路基板の製造方法。 - 【請求項2】 厚さ方向の深さが異なる複数の孔を有す
るベース絶縁層を形成する工程が、 ベース基板上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体層を形成
する工程、 前記感光性ポリイミド樹脂前駆体層を、露光および現像
することにより、この感光性ポリイミド樹脂前駆体層
に、厚さ方向の深さが異なる複数の孔を形成する工程、 前記感光性ポリイミド樹脂前駆体層をイミド化して、ポ
リイミド樹脂層からなるベース絶縁層を形成する工程を
含んでいることを特徴とする、請求項1に記載の配線回
路基板の製造方法。 - 【請求項3】 さらに、 前記ベース絶縁層および前記ベース側導体層上に、厚さ
方向の深さが異なる複数の孔を有する積層絶縁層を形成
する工程、および前記孔に導体を充填して、積層側導体
層を形成する工程を含んでいることを特徴とする、請求
項1または2に記載の配線回路基板の製造方法。 - 【請求項4】 前記ベース絶縁層および前記ベース側導
体層上に、厚さ方向の深さが異なる複数の孔を有する積
層絶縁層を形成する工程が、 前記ベース絶縁層および前記ベース側導体層上に、感光
性ポリイミド樹脂前駆体層を形成する工程、 前記感光性ポリイミド樹脂前駆体層を、露光および現像
することにより、この感光性ポリイミド樹脂前駆体層
に、厚さ方向の深さが異なる複数の孔を形成する工程、 前記感光性ポリイミド樹脂前駆体層をイミド化して、ポ
リイミド樹脂層からなる積層絶縁層を形成する工程を含
んでいることを特徴とする、請求項3に記載の配線回路
基板の製造方法。 - 【請求項5】 前記孔が、所定の回路パターンを形成す
るための回路パターン用孔と、前記回路パターンを積層
方向に導通させるための導通用孔と、を含んでいること
を特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の配線回
路基板の製造方法。 - 【請求項6】 前記孔が、厚さ方向を貫通しない未貫通
孔と、厚さ方向を貫通する貫通孔と、を含んでいること
を特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の配線回
路基板の製造方法。 - 【請求項7】 前記感光性ポリイミド樹脂前駆体層を、
露光および現像する工程において、 部分的に光透過量の異なる領域を有するフォトマスクを
用いて、前記感光性ポリイミド樹脂前駆体層を露光する
ことにより、厚さ方向の深さが異なる複数の孔を形成す
ることを特徴とする、請求項2または4に記載の配線回
路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000293897A JP2002111174A (ja) | 2000-09-27 | 2000-09-27 | 配線回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000293897A JP2002111174A (ja) | 2000-09-27 | 2000-09-27 | 配線回路基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002111174A true JP2002111174A (ja) | 2002-04-12 |
Family
ID=18776604
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000293897A Pending JP2002111174A (ja) | 2000-09-27 | 2000-09-27 | 配線回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002111174A (ja) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009094412A (ja) * | 2007-10-11 | 2009-04-30 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 配線基板の製造方法、表示装置および薄膜能動素子基板 |
JP2009528677A (ja) * | 2006-02-27 | 2009-08-06 | エドワーズ ライフサイエンシーズ コーポレイション | 電極作製のフレックス回路技術を使用する方法および装置 |
JP2010129997A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 埋込みパターンを持つプリント基板及びその製造方法 |
JP2010141164A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 多層配線基板の製造方法 |
WO2012008686A2 (en) * | 2010-07-15 | 2012-01-19 | Lg Innotek Co., Ltd. | Printing plate and method of manufacturing the same |
JP2012074092A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-12 | Dainippon Printing Co Ltd | サスペンション用基板、サスペンション用基板の製造方法、サスペンション、素子付サスペンションおよびハードディスクドライブ |
WO2013001801A1 (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-03 | 住友ベークライト株式会社 | 基板、金属膜、基板の製造方法および金属膜の製造方法 |
KR101235168B1 (ko) * | 2010-07-15 | 2013-02-20 | 엘지이노텍 주식회사 | 인쇄판 및 그 제조방법 |
CN102986311A (zh) * | 2010-07-08 | 2013-03-20 | Lg伊诺特有限公司 | 印刷电路板及其制造方法 |
KR101375178B1 (ko) * | 2008-11-14 | 2014-03-17 | 삼성테크윈 주식회사 | 인쇄 회로 기판의 제조 방법 |
WO2014054921A1 (en) | 2012-10-04 | 2014-04-10 | Lg Innotek Co., Ltd. | The printed circuit board and the method for manufacturing the same |
JP2020202278A (ja) * | 2019-06-10 | 2020-12-17 | 凸版印刷株式会社 | 配線基板及び配線基板の製造方法 |
JP2021082840A (ja) * | 2018-08-30 | 2021-05-27 | 日亜化学工業株式会社 | 配線基板の製造方法および配線基板 |
JP2021093434A (ja) * | 2019-12-10 | 2021-06-17 | 日東電工株式会社 | 配線回路基板の製造方法 |
US11058002B2 (en) | 2017-09-29 | 2021-07-06 | Nitto Denko Corporation | Method of producing a wired circuit board |
-
2000
- 2000-09-27 JP JP2000293897A patent/JP2002111174A/ja active Pending
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009528677A (ja) * | 2006-02-27 | 2009-08-06 | エドワーズ ライフサイエンシーズ コーポレイション | 電極作製のフレックス回路技術を使用する方法および装置 |
JP2009094412A (ja) * | 2007-10-11 | 2009-04-30 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 配線基板の製造方法、表示装置および薄膜能動素子基板 |
KR101375178B1 (ko) * | 2008-11-14 | 2014-03-17 | 삼성테크윈 주식회사 | 인쇄 회로 기판의 제조 방법 |
JP2010129997A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 埋込みパターンを持つプリント基板及びその製造方法 |
US8191249B2 (en) | 2008-11-26 | 2012-06-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method of manufacturing a printed circuit board |
JP2010141164A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 多層配線基板の製造方法 |
CN102986311A (zh) * | 2010-07-08 | 2013-03-20 | Lg伊诺特有限公司 | 印刷电路板及其制造方法 |
US9491866B2 (en) | 2010-07-08 | 2016-11-08 | Lg Innotek Co., Ltd. | Method for manufacturing a printed circuit board |
CN102986311B (zh) * | 2010-07-08 | 2016-05-04 | Lg伊诺特有限公司 | 印刷电路板及其制造方法 |
JP2013532390A (ja) * | 2010-07-08 | 2013-08-15 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 印刷回路基板及びその製造方法 |
WO2012008686A3 (en) * | 2010-07-15 | 2012-04-26 | Lg Innotek Co., Ltd. | Printing plate and method of manufacturing the same |
KR101235168B1 (ko) * | 2010-07-15 | 2013-02-20 | 엘지이노텍 주식회사 | 인쇄판 및 그 제조방법 |
WO2012008686A2 (en) * | 2010-07-15 | 2012-01-19 | Lg Innotek Co., Ltd. | Printing plate and method of manufacturing the same |
JP2012074092A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-12 | Dainippon Printing Co Ltd | サスペンション用基板、サスペンション用基板の製造方法、サスペンション、素子付サスペンションおよびハードディスクドライブ |
WO2013001801A1 (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-03 | 住友ベークライト株式会社 | 基板、金属膜、基板の製造方法および金属膜の製造方法 |
KR20140044034A (ko) * | 2012-10-04 | 2014-04-14 | 엘지이노텍 주식회사 | 인쇄회로기판 및 그의 제조 방법 |
CN104718802A (zh) * | 2012-10-04 | 2015-06-17 | Lg伊诺特有限公司 | 印刷电路板及其制造方法 |
WO2014054921A1 (en) | 2012-10-04 | 2014-04-10 | Lg Innotek Co., Ltd. | The printed circuit board and the method for manufacturing the same |
US9888569B2 (en) | 2012-10-04 | 2018-02-06 | Lg Innotek Co., Ltd. | Printed circuit board having buried circuit pattern and method for manufacturing the same |
TWI621377B (zh) * | 2012-10-04 | 2018-04-11 | Lg伊諾特股份有限公司 | 印刷電路板及其製造方法 |
KR101987374B1 (ko) * | 2012-10-04 | 2019-06-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 인쇄회로기판 및 그의 제조 방법 |
US11058002B2 (en) | 2017-09-29 | 2021-07-06 | Nitto Denko Corporation | Method of producing a wired circuit board |
US11627661B2 (en) | 2017-09-29 | 2023-04-11 | Nitto Denko Corporation | Wired circuit board and imaging device |
JP2021082840A (ja) * | 2018-08-30 | 2021-05-27 | 日亜化学工業株式会社 | 配線基板の製造方法および配線基板 |
JP2020202278A (ja) * | 2019-06-10 | 2020-12-17 | 凸版印刷株式会社 | 配線基板及び配線基板の製造方法 |
JP7375274B2 (ja) | 2019-06-10 | 2023-11-08 | Toppanホールディングス株式会社 | 配線基板及び配線基板の製造方法 |
JP2021093434A (ja) * | 2019-12-10 | 2021-06-17 | 日東電工株式会社 | 配線回路基板の製造方法 |
JP7019657B2 (ja) | 2019-12-10 | 2022-02-15 | 日東電工株式会社 | 配線回路基板の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6591491B2 (en) | Method for producing multilayer circuit board | |
JP2002111174A (ja) | 配線回路基板の製造方法 | |
JP2001044589A (ja) | 回路基板 | |
JP3541697B2 (ja) | フレキシブル配線板の製造方法 | |
US20060102383A1 (en) | Method of fabricating high density printed circuit board | |
JPH09298362A (ja) | ビルドアップ多層印刷回路基板の製造方法 | |
JP2003273498A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
TW200412205A (en) | Double-sided printed circuit board without via holes and method of fabricating the same | |
JPH0590756A (ja) | リジツドフレキ基板の製造方法 | |
JP4448610B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
TWI432117B (zh) | 電路板之製作方法 | |
JP2006310689A (ja) | ダブルアクセス型可撓性回路基板の製造方法 | |
JP4316786B2 (ja) | 配線回路基板およびその製造方法 | |
JP2003124637A (ja) | 多層配線板 | |
KR20020050720A (ko) | 다층 플렉시블 배선판의 제조 방법 | |
JPH09232760A (ja) | 多層プリント配線板およびその製造方法 | |
JP3969902B2 (ja) | チップサイズパッケージ用インターポーザーの製造方法 | |
JP2002271026A (ja) | 多層型プリント配線基板及び多層型プリント配線基板の製造方法 | |
JP4199957B2 (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
JP4570799B2 (ja) | 配線回路基板の製造方法 | |
JP3048360B1 (ja) | 両面プリント配線板およびその製造方法 | |
KR20140039921A (ko) | 인쇄회로기판의 제조 방법 | |
JPH05267810A (ja) | 両面基板およびその製造方法 | |
JP2003008205A (ja) | 配線回路基板およびその製造方法 | |
JP4067313B2 (ja) | 薄膜多層配線基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061106 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090305 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090427 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090709 |