JP2003273498A - プリント配線板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダミーパターン除去のための特別な工程を付
加する必要なく、厚みばらつきの小さい配線パターンを
備えたプリント配線板を低コストに製造できるプリント
配線板の製造方法を提供する。 【解決手段】 支持基板１の一方の面に所定パターンの
絶縁層２を形成し、次に、該絶縁層２上に配線パターン
６を形成するとともに、支持基板１の一方の面内の絶縁
層２が形成されていない領域にダミーパターン７を形成
した後、支持基板１の、その上に絶縁層２および配線パ
ターン６が形成されていない不要部分を溶解除去して、
当該支持基板１の不要部分とともにダミーパターン７を
溶解除去する。
加する必要なく、厚みばらつきの小さい配線パターンを
備えたプリント配線板を低コストに製造できるプリント
配線板の製造方法を提供する。 【解決手段】 支持基板１の一方の面に所定パターンの
絶縁層２を形成し、次に、該絶縁層２上に配線パターン
６を形成するとともに、支持基板１の一方の面内の絶縁
層２が形成されていない領域にダミーパターン７を形成
した後、支持基板１の、その上に絶縁層２および配線パ
ターン６が形成されていない不要部分を溶解除去して、
当該支持基板１の不要部分とともにダミーパターン７を
溶解除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプリント配線板の製
造方法に関し、詳しくは、配線パターンの厚みばらつき
を軽減できるプリント配線板の製造方法に関する。
造方法に関し、詳しくは、配線パターンの厚みばらつき
を軽減できるプリント配線板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電気機器または電子機器の小型化
および高集積化に伴い、プリント配線板における配線パ
ターンのピッチが小さくなってきている。そこで、配線
パターンのピッチ（隣接するパターン間の間隔）が約７
５μｍ以下の小さいピッチ（ファインピッチ）の場合に
は、アディティブ法、セミアディティブ法等の方法によ
り、配線パターンを形成している。
および高集積化に伴い、プリント配線板における配線パ
ターンのピッチが小さくなってきている。そこで、配線
パターンのピッチ（隣接するパターン間の間隔）が約７
５μｍ以下の小さいピッチ（ファインピッチ）の場合に
は、アディティブ法、セミアディティブ法等の方法によ
り、配線パターンを形成している。
【０００３】アディティブ法においては、例えば、絶縁
基板上にレジストパターンを形成し、レジストパターン
以外の領域に、メッキにより銅からなる導体層を形成し
た後、レジストパターンを除去する。このようにしてレ
ジストパターン以外の領域に配線パターンが形成され
る。
基板上にレジストパターンを形成し、レジストパターン
以外の領域に、メッキにより銅からなる導体層を形成し
た後、レジストパターンを除去する。このようにしてレ
ジストパターン以外の領域に配線パターンが形成され
る。
【０００４】一方、セミアディティブ法では、まず、絶
縁基板上にメッキ、蒸着等によりＣｒ等の下地金属層を
形成し、該下地金属層上にレジストパターンを形成す
る。続いて、レジストパターン以外の領域の下地金属層
上にメッキによりＣｕ層を形成した後、レジストパター
ンを除去することにより配線パターンを形成する。さら
に、該配線パターンをマスクとして下地金属層をエッチ
ングする。このようにして、レジストパターン以外の領
域に配線パターンが形成される。セミアディティブ法に
より製造したプリント配線板においては、配線パターン
がＣｒ層等の下地金属層を介して絶縁基板上に形成され
るため、配線パターンを構成する金属イオンが絶縁基板
へ溶出するいわゆるイオンマイグレーションを防止する
ことができる。
縁基板上にメッキ、蒸着等によりＣｒ等の下地金属層を
形成し、該下地金属層上にレジストパターンを形成す
る。続いて、レジストパターン以外の領域の下地金属層
上にメッキによりＣｕ層を形成した後、レジストパター
ンを除去することにより配線パターンを形成する。さら
に、該配線パターンをマスクとして下地金属層をエッチ
ングする。このようにして、レジストパターン以外の領
域に配線パターンが形成される。セミアディティブ法に
より製造したプリント配線板においては、配線パターン
がＣｒ層等の下地金属層を介して絶縁基板上に形成され
るため、配線パターンを構成する金属イオンが絶縁基板
へ溶出するいわゆるイオンマイグレーションを防止する
ことができる。
【０００５】ところで、アディティブ法やセミアディテ
ィブ法によるプリント配線板の製造においては、配線パ
ターンの厚みばらつきが問題になっている。すなわち、
配線パターンの、個々のパターンが密集する中央領域に
在るパターンと、その外側にパターンが存在しない外周
領域に在るパターンでは、メッキ時の電流密度が異な
り、それによって、同じ工程で形成されているにもかか
わらず、中央領域に在るパターンと外周領域に在るパタ
ーン間で厚みが異なってくる。従って、この問題を解消
するために、従来から、配線パターンの外側にダミーパ
ターンを形成することが行われている。
ィブ法によるプリント配線板の製造においては、配線パ
ターンの厚みばらつきが問題になっている。すなわち、
配線パターンの、個々のパターンが密集する中央領域に
在るパターンと、その外側にパターンが存在しない外周
領域に在るパターンでは、メッキ時の電流密度が異な
り、それによって、同じ工程で形成されているにもかか
わらず、中央領域に在るパターンと外周領域に在るパタ
ーン間で厚みが異なってくる。従って、この問題を解消
するために、従来から、配線パターンの外側にダミーパ
ターンを形成することが行われている。
【０００６】図９(a)〜図９(c)はかかるダミーパターン
の具体例を示している。図９(a)は配線パターンの近傍
にベタのダミーパターンを配置した態様、図９(b)は配
線パターンの周りをベタのダミーパターンで囲んだ態
様、図９(c)は配線パターンの近傍に配線パターンと同
一形状のダミーパターンを並べた態様、である。
の具体例を示している。図９(a)は配線パターンの近傍
にベタのダミーパターンを配置した態様、図９(b)は配
線パターンの周りをベタのダミーパターンで囲んだ態
様、図９(c)は配線パターンの近傍に配線パターンと同
一形状のダミーパターンを並べた態様、である。
【０００７】しかし、ダミーパターンはプリント配線板
にとって本来不要なものであり、最終的にはダミーパタ
ーンを除去する必要がある。そのため、例えば、上記の
例の場合、配線パターン（ダミーパターン）の形成後、
エッチング等の方法で、ダミーパターンを除去してい
た。つまり、ダミーパターンを設けるが故に、ダミーパ
ターンの除去工程を付加する必要があり、これが、プリ
ント配線板の製造コストを高くする原因になっていた。
にとって本来不要なものであり、最終的にはダミーパタ
ーンを除去する必要がある。そのため、例えば、上記の
例の場合、配線パターン（ダミーパターン）の形成後、
エッチング等の方法で、ダミーパターンを除去してい
た。つまり、ダミーパターンを設けるが故に、ダミーパ
ターンの除去工程を付加する必要があり、これが、プリ
ント配線板の製造コストを高くする原因になっていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記事情に鑑み、本発
明は、ダミーパターン除去のための特別な工程を必要と
せず、ダミーパターンが除去され、かつ、厚みばらつき
の小さい配線パターンを有するプリント配線板を製造で
きるプリント配線板の製造方法を提供することを目的と
する。
明は、ダミーパターン除去のための特別な工程を必要と
せず、ダミーパターンが除去され、かつ、厚みばらつき
の小さい配線パターンを有するプリント配線板を製造で
きるプリント配線板の製造方法を提供することを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下の特徴を有する。 （１）支持基板の一方の面に所定パターンの絶縁層を形
成し、次に、該絶縁層上に配線パターンを形成するとと
もに、支持基板の一方の面内の絶縁層が形成されていな
い領域にダミーパターンを形成した後、支持基板の、そ
の上に絶縁層および配線パターンが形成されていない不
要部分を溶解除去して、当該支持基板の不要部分ととも
にダミーパターンを溶解除去することを特徴とするプリ
ント配線板の製造方法。 （２）ダミーパターンのパターン幅が２００μｍ以下で
ある上記（１）記載のプリント配線板の製造方法。
に、本発明は以下の特徴を有する。 （１）支持基板の一方の面に所定パターンの絶縁層を形
成し、次に、該絶縁層上に配線パターンを形成するとと
もに、支持基板の一方の面内の絶縁層が形成されていな
い領域にダミーパターンを形成した後、支持基板の、そ
の上に絶縁層および配線パターンが形成されていない不
要部分を溶解除去して、当該支持基板の不要部分ととも
にダミーパターンを溶解除去することを特徴とするプリ
ント配線板の製造方法。 （２）ダミーパターンのパターン幅が２００μｍ以下で
ある上記（１）記載のプリント配線板の製造方法。
【００１０】
【作用】本発明においては、従来のように、同一平面内
に配線パターンとダミーパターンを形成せず、予めその
一部をウエットエッチングで除去することを予定する支
持基板（金属箔や金属薄板等）を使用して、該支持基板
の一方の面内の所定領域に絶縁層を形成し、当該絶縁層
上に配線パターンを形成すると同時に、ダミーパターン
を支持基板の一方の面内における前記絶縁層を形成して
ない領域に形成する。これにより、支持基板の、その上
に絶縁層および配線パターンが有してない不要部分をウ
エットエッチングで除去することで、ダミーパターンが
支持基板と同時に除去され、従来のように、ダミーパタ
ーン除去のための工程が不要になる。
に配線パターンとダミーパターンを形成せず、予めその
一部をウエットエッチングで除去することを予定する支
持基板（金属箔や金属薄板等）を使用して、該支持基板
の一方の面内の所定領域に絶縁層を形成し、当該絶縁層
上に配線パターンを形成すると同時に、ダミーパターン
を支持基板の一方の面内における前記絶縁層を形成して
ない領域に形成する。これにより、支持基板の、その上
に絶縁層および配線パターンが有してない不要部分をウ
エットエッチングで除去することで、ダミーパターンが
支持基板と同時に除去され、従来のように、ダミーパタ
ーン除去のための工程が不要になる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のプリント配線板の製造方法は、下記の第１工程
〜第３工程を含むことを特徴とする。 第１工程：支持基板の一方の面に所定パターンの絶縁層
を形成する。 第２工程：上記絶縁層の上に配線パターンを形成すると
ともに、上記支持基板の一方の面内の絶縁層が形成され
ていない領域にダミーパターンを形成する。 第３工程：支持基板における、その上に絶縁層および配
線パターンを有していない不要部分（ダミーパターンを
有する部分）を溶解除去する。
本発明のプリント配線板の製造方法は、下記の第１工程
〜第３工程を含むことを特徴とする。 第１工程：支持基板の一方の面に所定パターンの絶縁層
を形成する。 第２工程：上記絶縁層の上に配線パターンを形成すると
ともに、上記支持基板の一方の面内の絶縁層が形成され
ていない領域にダミーパターンを形成する。 第３工程：支持基板における、その上に絶縁層および配
線パターンを有していない不要部分（ダミーパターンを
有する部分）を溶解除去する。
【００１２】本発明のプリント配線板の製造方法は、
「アディティブ法」および「セミアディティブ法」の両
方を包含するが、以下に、セミアディティブ法によるプ
リント配線板の製造工程の一例を示して本発明をより具
体的に説明する。
「アディティブ法」および「セミアディティブ法」の両
方を包含するが、以下に、セミアディティブ法によるプ
リント配線板の製造工程の一例を示して本発明をより具
体的に説明する。
【００１３】図１〜６は本発明の方法でプリント配線板
が製造される過程を模式的に示した断面図である。先
ず、図１に示すように、支持基板１の一方の面（上面）
１Ａ上に所定パターンの絶縁層２を形成する。ここで、
支持基板１としては、各種金属よる金属箔や金属薄板が
使用できるが、そのなかでも、耐腐食性や反発弾性（バ
ネ性）等の点から、ステンレス、４２アロイ（４２％Ｎ
i−Ｆe合金）に代表されるＮｉ−Ｆe系合金、銅、アル
ミニウム、銅−ベリリウム、リン青銅等による金属箔や
金属薄板が好適であり、これらの中でもステンレス、４
２アロイが好適である。該支持基板１の厚さは、後述す
る支持基板の溶解除去（ウエットエッチング）の際の除
去効率とプリント配線板の振動特性を両立する観点か
ら、１０〜６０μｍ程度が好ましく、特に好ましくは１
５〜３０μｍである。また、その幅は通常５０〜５００
ｍｍ程度、好ましくは１２５〜３００ｍｍ程度である。
ここで「支持基板の幅」とは、外形が矩形（正方形、長
方形）の基板である場合は、直交する２つの辺のそれぞ
れの長さであり、外形が、円、楕円またはこれらに近似
する形状の基板である場合、直径、長径、短径に相当す
る。
が製造される過程を模式的に示した断面図である。先
ず、図１に示すように、支持基板１の一方の面（上面）
１Ａ上に所定パターンの絶縁層２を形成する。ここで、
支持基板１としては、各種金属よる金属箔や金属薄板が
使用できるが、そのなかでも、耐腐食性や反発弾性（バ
ネ性）等の点から、ステンレス、４２アロイ（４２％Ｎ
i−Ｆe合金）に代表されるＮｉ−Ｆe系合金、銅、アル
ミニウム、銅−ベリリウム、リン青銅等による金属箔や
金属薄板が好適であり、これらの中でもステンレス、４
２アロイが好適である。該支持基板１の厚さは、後述す
る支持基板の溶解除去（ウエットエッチング）の際の除
去効率とプリント配線板の振動特性を両立する観点か
ら、１０〜６０μｍ程度が好ましく、特に好ましくは１
５〜３０μｍである。また、その幅は通常５０〜５００
ｍｍ程度、好ましくは１２５〜３００ｍｍ程度である。
ここで「支持基板の幅」とは、外形が矩形（正方形、長
方形）の基板である場合は、直交する２つの辺のそれぞ
れの長さであり、外形が、円、楕円またはこれらに近似
する形状の基板である場合、直径、長径、短径に相当す
る。
【００１４】絶縁層２の材料（絶縁体）としては、特に
限定されないが、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹
脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン
樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレン
ナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等の合成樹脂が
好ましい。これらのなかでも、ポリイミド樹脂が好まし
く、また、ポリイミド樹脂にジヒドロピリジン誘導体等
の感光剤を含有させて感光性を付与した（すなわち、露
光、現像によりパターニングができる）ポリイミド樹脂
が耐熱性、機械的強度および寸法安定性が優れる点から
特に好ましい。なお、感光性を有しない樹脂を使用する
場合、適当な方法で所定形状のフィルムに成形したもの
を、接着剤（熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤等）で支
持基板１の一方の面１Ａに貼り付ける等して、支持基板
の一方の面１Ａに所定パターンの絶縁層２を形成する。
限定されないが、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹
脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン
樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレン
ナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等の合成樹脂が
好ましい。これらのなかでも、ポリイミド樹脂が好まし
く、また、ポリイミド樹脂にジヒドロピリジン誘導体等
の感光剤を含有させて感光性を付与した（すなわち、露
光、現像によりパターニングができる）ポリイミド樹脂
が耐熱性、機械的強度および寸法安定性が優れる点から
特に好ましい。なお、感光性を有しない樹脂を使用する
場合、適当な方法で所定形状のフィルムに成形したもの
を、接着剤（熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤等）で支
持基板１の一方の面１Ａに貼り付ける等して、支持基板
の一方の面１Ａに所定パターンの絶縁層２を形成する。
【００１５】絶縁層２の厚みは電気絶縁性の点から、２
〜２０μｍが好ましく、特に好ましくは５〜１５μｍで
ある。
〜２０μｍが好ましく、特に好ましくは５〜１５μｍで
ある。
【００１６】以下に、所定パターンの絶縁層２を、感光
性を有するポリイミド樹脂で形成する方法を詳しく説明
する。まず、支持基板の一方の面の全面に、ポリイミド
前駆体溶液を塗布した後、例えば、６０〜１５０℃、好
ましくは８０〜１２０℃で乾燥して、ポリイミド前駆体
の被膜を形成する。次に、かかる被膜にフォトマスクを
介して露光し、露光（光照射された）部分を加熱した
後、現像して、被膜を所定パターンにパターニングす
る。
性を有するポリイミド樹脂で形成する方法を詳しく説明
する。まず、支持基板の一方の面の全面に、ポリイミド
前駆体溶液を塗布した後、例えば、６０〜１５０℃、好
ましくは８０〜１２０℃で乾燥して、ポリイミド前駆体
の被膜を形成する。次に、かかる被膜にフォトマスクを
介して露光し、露光（光照射された）部分を加熱した
後、現像して、被膜を所定パターンにパターニングす
る。
【００１７】上記露光のための照射光は、その露光波長
が３００〜４５０ｎｍが好ましく、特に好ましくは３５
０〜４２０ｎｍである。また、露光積算光量は１００〜
１０００ｍＪ／ｃｍ2が好ましく、特に好ましくは２０
０〜７００ｍＪ／ｃｍ2である。
が３００〜４５０ｎｍが好ましく、特に好ましくは３５
０〜４２０ｎｍである。また、露光積算光量は１００〜
１０００ｍＪ／ｃｍ2が好ましく、特に好ましくは２０
０〜７００ｍＪ／ｃｍ2である。
【００１８】被膜の光照射された部分は、例えば、１３
０℃以上、１５０℃未満の温度で加熱することにより、
現像において可溶化し（光照射されていない部分が不溶
化する）（ポジ型）、１５０℃以上、１８０℃以下の温
度で加熱することで、現像において不溶化する（光照射
されていない部分が可溶化する）（ネガ型）。現像は、
アルカリ現像液等の公知の現像液を用い、浸漬法、スプ
レー法等の公知の方法で行われる。
０℃以上、１５０℃未満の温度で加熱することにより、
現像において可溶化し（光照射されていない部分が不溶
化する）（ポジ型）、１５０℃以上、１８０℃以下の温
度で加熱することで、現像において不溶化する（光照射
されていない部分が可溶化する）（ネガ型）。現像は、
アルカリ現像液等の公知の現像液を用い、浸漬法、スプ
レー法等の公知の方法で行われる。
【００１９】次に、上記のようにしてパターニングされ
た被膜を、２５０℃以上（好ましくは２５０〜４００
℃）に加熱することによって、硬化（イミド化）させ、
これによって、ポリイミド樹脂からなる所定パターンの
絶縁層２を得る。このように、ポリイミド樹脂で所定パ
ターンの絶縁層２を形成する場合、その厚みは２〜２０
μｍが好ましく、５〜１５μｍがより好ましい。
た被膜を、２５０℃以上（好ましくは２５０〜４００
℃）に加熱することによって、硬化（イミド化）させ、
これによって、ポリイミド樹脂からなる所定パターンの
絶縁層２を得る。このように、ポリイミド樹脂で所定パ
ターンの絶縁層２を形成する場合、その厚みは２〜２０
μｍが好ましく、５〜１５μｍがより好ましい。
【００２０】以上が第１工程であり、このようにして、
所定のパターンの絶縁層２を形成した後、以下の作業
で、配線パターンを形成する（第２工程を行う）。
所定のパターンの絶縁層２を形成した後、以下の作業
で、配線パターンを形成する（第２工程を行う）。
【００２１】先ず、図２に示すように、支持基板１の一
方の面１Ａの全面に対して、絶縁層２を覆うように導電
層３を形成する。導電層３の形成材料（導電体）として
は、特に限定されないが、例えば、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、
Ｔｉ、Ｎｉ−Ｃｒ合金等が挙げられ、これらのうちでも
絶縁層２との密着性の点から、Ｃｒ、Ｃｕが好ましい。
また、かかる導電層３は単一層でも、互いに異なる金属
からなる２以上の層（膜）を積層して構成してもよい。
かかる２以上の層（膜）を積層して構成する場合、強固
に密着させる点から、Ｃｒ層（膜）とＣｕ層（膜）をこ
の順に積層したものが好ましい。導電層３の厚みは、特
に限定されないが、密着性の向上の点から、６００〜６
０００Å程度が好ましく、特に好ましくは１３００〜３
７００Å程度である。なお、上記のＣｒ層（膜）とＣｕ
層（膜）の積層構成とする場合、Ｃｒ層（膜）の厚みは
１００〜１０００Åが好ましく（特に好ましくは３００
〜７００Å）、Ｃｕ層（膜）の厚みは５００〜５０００
Åが好ましい（特に好ましくは１０００〜３０００
Å）。
方の面１Ａの全面に対して、絶縁層２を覆うように導電
層３を形成する。導電層３の形成材料（導電体）として
は、特に限定されないが、例えば、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、
Ｔｉ、Ｎｉ−Ｃｒ合金等が挙げられ、これらのうちでも
絶縁層２との密着性の点から、Ｃｒ、Ｃｕが好ましい。
また、かかる導電層３は単一層でも、互いに異なる金属
からなる２以上の層（膜）を積層して構成してもよい。
かかる２以上の層（膜）を積層して構成する場合、強固
に密着させる点から、Ｃｒ層（膜）とＣｕ層（膜）をこ
の順に積層したものが好ましい。導電層３の厚みは、特
に限定されないが、密着性の向上の点から、６００〜６
０００Å程度が好ましく、特に好ましくは１３００〜３
７００Å程度である。なお、上記のＣｒ層（膜）とＣｕ
層（膜）の積層構成とする場合、Ｃｒ層（膜）の厚みは
１００〜１０００Åが好ましく（特に好ましくは３００
〜７００Å）、Ｃｕ層（膜）の厚みは５００〜５０００
Åが好ましい（特に好ましくは１０００〜３０００
Å）。
【００２２】導電層３の形成方法は特に限定されず、例
えば、無電解メッキ法、スパッタ蒸着法等が挙げられ
る。
えば、無電解メッキ法、スパッタ蒸着法等が挙げられ
る。
【００２３】次に、図３に示すように、上記導電層３上
に配線パターンおよびダミーパターン形成用のレジスト
パターン４を形成する。当該レジストパターン４の形成
に用いるレジストは、例えば、ドライフィルムレジス
ト、液状レジストが挙げられるが、製造コスト等の点か
らドライフィルムレジストが好適である。また、ドライ
フィルムレジストの中でも、アクリル系のドライフィル
ムレジストが耐酸性の点で好ましい。液状レジストにお
いては、スクリーン印刷、スピンコーター等の方法でレ
ジスト膜を形成する。ドライフィルムレジストの場合
は、適当なローラーで加圧して導電層３上に定着させ
る。
に配線パターンおよびダミーパターン形成用のレジスト
パターン４を形成する。当該レジストパターン４の形成
に用いるレジストは、例えば、ドライフィルムレジス
ト、液状レジストが挙げられるが、製造コスト等の点か
らドライフィルムレジストが好適である。また、ドライ
フィルムレジストの中でも、アクリル系のドライフィル
ムレジストが耐酸性の点で好ましい。液状レジストにお
いては、スクリーン印刷、スピンコーター等の方法でレ
ジスト膜を形成する。ドライフィルムレジストの場合
は、適当なローラーで加圧して導電層３上に定着させ
る。
【００２４】レジストパターン４の厚みは、後述の配線
パターンおよびダミーパターンを電解メッキで形成する
際のメッキ金属の堆積のしやすさおよび最終的な配線パ
ターンの厚みを考慮して、１〜５０μｍ程度が好まし
く、特に好ましくは２０〜４０μｍ程度である。
パターンおよびダミーパターンを電解メッキで形成する
際のメッキ金属の堆積のしやすさおよび最終的な配線パ
ターンの厚みを考慮して、１〜５０μｍ程度が好まし
く、特に好ましくは２０〜４０μｍ程度である。
【００２５】レジストパターン４の形成方法（レジスト
膜に開口を形成する方法）としては、レーザー加工、フ
ォトリソグラフィー加工等が挙げられるが、寸法精度、
加工コストの点から、フォトリソグラフィー加工（すな
わち、フォトマスクを介して露光した後、現像して開口
を形成する。）が好ましい。配線パターン形成用の開口
５Ａの幅（＝後述の配線パターン６のパターン幅）は一
般に１〜２０００μｍの範囲、好ましくは５〜２００μ
ｍの範囲である。一方、ダミーパターン形成用の開口５
Ｂの幅（＝後述のダミーパターン７のパターン幅）は２
００μｍ以下にするのが好ましく、特に好ましくは１０
〜６０μｍである。かかる好ましい幅とすることで、後
述の支持基板の溶解除去工程（ウエットエッチング）に
おいて、ダミーパターンをより確実に溶解、除去するこ
とができる。なお、図３では、ダミーパターン形成用の
開口５Ｂを２つ形成しているが、開口の数および形状は
特に限定されず、これらは、配線パターンの形状、数、
レイアウト等に応じて適宜変更できる。
膜に開口を形成する方法）としては、レーザー加工、フ
ォトリソグラフィー加工等が挙げられるが、寸法精度、
加工コストの点から、フォトリソグラフィー加工（すな
わち、フォトマスクを介して露光した後、現像して開口
を形成する。）が好ましい。配線パターン形成用の開口
５Ａの幅（＝後述の配線パターン６のパターン幅）は一
般に１〜２０００μｍの範囲、好ましくは５〜２００μ
ｍの範囲である。一方、ダミーパターン形成用の開口５
Ｂの幅（＝後述のダミーパターン７のパターン幅）は２
００μｍ以下にするのが好ましく、特に好ましくは１０
〜６０μｍである。かかる好ましい幅とすることで、後
述の支持基板の溶解除去工程（ウエットエッチング）に
おいて、ダミーパターンをより確実に溶解、除去するこ
とができる。なお、図３では、ダミーパターン形成用の
開口５Ｂを２つ形成しているが、開口の数および形状は
特に限定されず、これらは、配線パターンの形状、数、
レイアウト等に応じて適宜変更できる。
【００２６】図７（ａ）〜図７（ｃ）はダミーパターン
形成用の開口（すなわち、ダミーパターン）のパターン
バリエーションの具体例を示している。図７（ａ）は、
直線状の開口５Ｂ−１を一つ形成した例、図７（ｂ）
は、直線状の開口５Ｂ−１を複数形成した例、図７
（ｃ）は、格子状のダミーパターン形成用の開口５Ｂ−
２を形成した例である。
形成用の開口（すなわち、ダミーパターン）のパターン
バリエーションの具体例を示している。図７（ａ）は、
直線状の開口５Ｂ−１を一つ形成した例、図７（ｂ）
は、直線状の開口５Ｂ−１を複数形成した例、図７
（ｃ）は、格子状のダミーパターン形成用の開口５Ｂ−
２を形成した例である。
【００２７】ダミーパターン形成用開口の形状として
は、直線状（図７（ａ）、図７（ｂ））、曲線状、鋸歯
型の線状（ジグザク）等の線状、格子状（前記の図７
（ｃ））、円形、楕円、多角形およびこれらが複合した
形状等が挙げられる。なお、図７（ｃ）に示すような格
子状の場合、線状の開口が交差する部分のレジスト部の
形状は、特に限定されず、矩形、円、楕円等のいずれの
形状でもよい。
は、直線状（図７（ａ）、図７（ｂ））、曲線状、鋸歯
型の線状（ジグザク）等の線状、格子状（前記の図７
（ｃ））、円形、楕円、多角形およびこれらが複合した
形状等が挙げられる。なお、図７（ｃ）に示すような格
子状の場合、線状の開口が交差する部分のレジスト部の
形状は、特に限定されず、矩形、円、楕円等のいずれの
形状でもよい。
【００２８】本発明において、ダミーパターン形成用の
開口の幅（＝ダミーパターンのパターン幅）とは、開口
の形状が線状または格子状の場合はその線幅（格子状の
場合、格子を成す線の線幅）であり、例えば、前記図７
（ａ）〜図７（ｃ）の例の場合、図中の符号Ｗ１が当該
開口の幅（＝ダミーパターンのパターン幅）である。開
口の形状が円の場合は直径であり、開口の形状が楕円の
場合はその短径であり、開口の形状が多角形の場合はそ
の最小幅部の幅を意味する。ここでの「多角形の最小幅
部」とは、奇数の頂点を有する多角形（三角形、五角
形、・・・）の場合、各頂点から対向する辺に垂線を下
ろし、全ての垂線のうちの、最小長さの垂線（が通ると
ころ）を多角形の最小幅部とする。また、偶数の頂点を
有する多角形（四角形、六角形・・・）の場合、各辺の
中点にその辺に対する垂線を引き、このようにして得ら
れた全ての辺の垂線のうちの、辺の中点と、垂線の向か
い合う辺との交点との間の距離が最小となる垂線（が通
るところ）を多角形の最小幅部とする。
開口の幅（＝ダミーパターンのパターン幅）とは、開口
の形状が線状または格子状の場合はその線幅（格子状の
場合、格子を成す線の線幅）であり、例えば、前記図７
（ａ）〜図７（ｃ）の例の場合、図中の符号Ｗ１が当該
開口の幅（＝ダミーパターンのパターン幅）である。開
口の形状が円の場合は直径であり、開口の形状が楕円の
場合はその短径であり、開口の形状が多角形の場合はそ
の最小幅部の幅を意味する。ここでの「多角形の最小幅
部」とは、奇数の頂点を有する多角形（三角形、五角
形、・・・）の場合、各頂点から対向する辺に垂線を下
ろし、全ての垂線のうちの、最小長さの垂線（が通ると
ころ）を多角形の最小幅部とする。また、偶数の頂点を
有する多角形（四角形、六角形・・・）の場合、各辺の
中点にその辺に対する垂線を引き、このようにして得ら
れた全ての辺の垂線のうちの、辺の中点と、垂線の向か
い合う辺との交点との間の距離が最小となる垂線（が通
るところ）を多角形の最小幅部とする。
【００２９】前記したように、本発明においてはダミー
パターン形成用の開口の幅（＝ダミーパターンのパター
ン幅）を２００μｍ以下にすることが重要であり、これ
によって、支持基板とともにダミーパターンをエッチン
グによって確実に溶解、除去できる。ダミーパターンが
楕円や多角形の場合、短径が２００μｍ以下、または、
多角形の最小幅部が２００μｍ以下の形状にすれば、そ
の部分のレジストとの界面からダミーパターン全体（の
レジストとの界面）に向けてエッチングが進行し、ダミ
ーパターンが除去される。
パターン形成用の開口の幅（＝ダミーパターンのパター
ン幅）を２００μｍ以下にすることが重要であり、これ
によって、支持基板とともにダミーパターンをエッチン
グによって確実に溶解、除去できる。ダミーパターンが
楕円や多角形の場合、短径が２００μｍ以下、または、
多角形の最小幅部が２００μｍ以下の形状にすれば、そ
の部分のレジストとの界面からダミーパターン全体（の
レジストとの界面）に向けてエッチングが進行し、ダミ
ーパターンが除去される。
【００３０】上記のようにして、配線パターンおよびダ
ミーパターン形成用の開口を形成した後、以下の手順で
配線パターンおよびダミーパターンを形成する。すなわ
ち、上記のレジストパターン４による配線パターン形成
用の開口５Ａおよびダミーパターン形成用の開口５Ｂ内
に電解メッキにより配線用金属（合金）を堆積させて、
配線パターン６およびダミーパターン７を形成する（図
４）。配線用金属（合金）としては、Ｃｕ、Ａｕ、ステ
ンレス鋼、Ａｌ、Ｎｉ等の金属、またはこれらの金属に
Ｂｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｃｒ等を添加した合金
が好適である。これらの中でも、強度、弾性率等の機械
的特性および導電率等の電気的特性から、Ｃｕが特に好
ましい。配線パターン６の厚みは、２〜３０μｍとする
のが好ましく、５〜２０μｍがより好ましい。
ミーパターン形成用の開口を形成した後、以下の手順で
配線パターンおよびダミーパターンを形成する。すなわ
ち、上記のレジストパターン４による配線パターン形成
用の開口５Ａおよびダミーパターン形成用の開口５Ｂ内
に電解メッキにより配線用金属（合金）を堆積させて、
配線パターン６およびダミーパターン７を形成する（図
４）。配線用金属（合金）としては、Ｃｕ、Ａｕ、ステ
ンレス鋼、Ａｌ、Ｎｉ等の金属、またはこれらの金属に
Ｂｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｃｒ等を添加した合金
が好適である。これらの中でも、強度、弾性率等の機械
的特性および導電率等の電気的特性から、Ｃｕが特に好
ましい。配線パターン６の厚みは、２〜３０μｍとする
のが好ましく、５〜２０μｍがより好ましい。
【００３１】次に、例えばアルカリ系溶液等を用いたウ
エットエッチングでレジストパターン４を除去した後、
さらに導電層３の不要部分を除去する（図５）。導電層
３の不要部分の除去は、特に限定されないが、例えば、
支持基板１の露出部全体、配線パターン６全体およびダ
ミーパターン７の一部をマスクした後、ウエットエッチ
ングを施す方法等で行う。当該方法では、例えば、アク
リル系ドライフィルムレジストからなるマスクを使用
し、エッチング液としてフェリシアン化カリウム系、過
マンガン酸カリウム系、メタケイ酸ナトリウム系等の水
溶液を使用するのが好ましい。
エットエッチングでレジストパターン４を除去した後、
さらに導電層３の不要部分を除去する（図５）。導電層
３の不要部分の除去は、特に限定されないが、例えば、
支持基板１の露出部全体、配線パターン６全体およびダ
ミーパターン７の一部をマスクした後、ウエットエッチ
ングを施す方法等で行う。当該方法では、例えば、アク
リル系ドライフィルムレジストからなるマスクを使用
し、エッチング液としてフェリシアン化カリウム系、過
マンガン酸カリウム系、メタケイ酸ナトリウム系等の水
溶液を使用するのが好ましい。
【００３２】以上が第２工程であり、上記のようにし
て、配線パターン６およびダミーパターン７を形成した
後、以下の作業により、支持基板１の不要部分とともに
ダミーパターン７を除去する（第３工程）。
て、配線パターン６およびダミーパターン７を形成した
後、以下の作業により、支持基板１の不要部分とともに
ダミーパターン７を除去する（第３工程）。
【００３３】図６（ａ）に示すように、支持基板１の一
方の面（上面）１Ａ側において、導電層２、配線パター
ン６およびダミーパターン７の全てをレジスト（膜）８
で多い、さらに、支持基板１の他方の面（下面）１Ｂの
全面をレジスト（膜）９で覆う。ここで、レジスト
（膜）８、９には、例えば、ドライフィルムレジスト、
液状レジスト等が好適に使用されるが、ドライフィルム
レジストが特に好ましく、ドライフィルムレジストのな
かでもアクリル系ドライフィルムレジストが耐酸性の点
でとりわけ好ましい。
方の面（上面）１Ａ側において、導電層２、配線パター
ン６およびダミーパターン７の全てをレジスト（膜）８
で多い、さらに、支持基板１の他方の面（下面）１Ｂの
全面をレジスト（膜）９で覆う。ここで、レジスト
（膜）８、９には、例えば、ドライフィルムレジスト、
液状レジスト等が好適に使用されるが、ドライフィルム
レジストが特に好ましく、ドライフィルムレジストのな
かでもアクリル系ドライフィルムレジストが耐酸性の点
でとりわけ好ましい。
【００３４】次に、図６（ｂ）に示すように、支持基板
１の他方の面（下面）１Ｂの全面を覆うレジスト（膜）
９にフォトリソグラフィー加工を施して、支持基板１の
その上に絶縁層２および配線パターン６を有していない
不要部分（ダミーパターン７を有する部分）Ｄを露出さ
せる。
１の他方の面（下面）１Ｂの全面を覆うレジスト（膜）
９にフォトリソグラフィー加工を施して、支持基板１の
その上に絶縁層２および配線パターン６を有していない
不要部分（ダミーパターン７を有する部分）Ｄを露出さ
せる。
【００３５】次に、図６（ｃ）に示すように、支持基板
１の他方の面（下面）１Ｂ側からウエットエッチングを
施して、支持基板の不要部分Ｄを除去すると同時に、ダ
ミーパターン７も除去する。当該ウエットエッチングの
エッチング液としては、支持基板１およびダミーパター
ン７（配線パターン６）の材料によっても異なるが、塩
化第二鉄、塩化第二銅等の水溶液等が好適である。そし
て、この後、レジスト（膜）８、９を完全に除去する
と、図６（ｄ）に示す、プリント配線板１００が完成す
る。
１の他方の面（下面）１Ｂ側からウエットエッチングを
施して、支持基板の不要部分Ｄを除去すると同時に、ダ
ミーパターン７も除去する。当該ウエットエッチングの
エッチング液としては、支持基板１およびダミーパター
ン７（配線パターン６）の材料によっても異なるが、塩
化第二鉄、塩化第二銅等の水溶液等が好適である。そし
て、この後、レジスト（膜）８、９を完全に除去する
と、図６（ｄ）に示す、プリント配線板１００が完成す
る。
【００３６】以上図１〜６を参照して説明したプリント
配線板１００の製造例は、セミアディティブ法による製
造例であるが、アディティブ法で配線板を製造する場
合、上記の導電層３の形成作業を行わない以外、基本的
に同様の作業によって行われる。
配線板１００の製造例は、セミアディティブ法による製
造例であるが、アディティブ法で配線板を製造する場
合、上記の導電層３の形成作業を行わない以外、基本的
に同様の作業によって行われる。
【００３７】なお、本発明の製造方法によって製造され
るプリント配線板は、支持基板（金属箔、金属薄板）１
上に絶縁層（のパターン）２を有し、該絶縁層２上に配
線パターン６が形成された構造であることから、従来の
絶縁基板上に配線パターンが形成されたものに比べて、
良好な反発弾性（バネ性）を有すると共に、曲げ加工が
可能であるという利点がある。
るプリント配線板は、支持基板（金属箔、金属薄板）１
上に絶縁層（のパターン）２を有し、該絶縁層２上に配
線パターン６が形成された構造であることから、従来の
絶縁基板上に配線パターンが形成されたものに比べて、
良好な反発弾性（バネ性）を有すると共に、曲げ加工が
可能であるという利点がある。
【００３８】
【実施例】以下、実施例を示して本発明をより具体的に
説明する。 （実施例１）厚さ２０μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０
４ Ｈ−ＴＡ）の上に、感光性を有するポリアミド樹脂
前駆体の溶液を、乾燥後の厚みが２４μｍとなるように
塗布した後、１３０℃で乾燥することにより、ポリイミ
ド樹脂前駆体の被膜を形成した。
説明する。 （実施例１）厚さ２０μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０
４ Ｈ−ＴＡ）の上に、感光性を有するポリアミド樹脂
前駆体の溶液を、乾燥後の厚みが２４μｍとなるように
塗布した後、１３０℃で乾燥することにより、ポリイミ
ド樹脂前駆体の被膜を形成した。
【００３９】次に、かかる被膜にフォトマスクを介して
露光し（波長：４０５ｎｍ、露光積算光量：７００ｍＪ
／ｃｍ2）、露光部分を１８０℃に加熱した後、アルカ
リ現像液を用いて現像して、当該被膜をネガ型の画像で
パターニングした。次いで、該パターニングされたポリ
イミド樹脂前駆体の被膜を、３５０℃で加熱して硬化
（イミド化）し、これによって、厚さ１０μｍのポリイ
ミド樹脂からなる所定パターンのベース層（絶縁層）を
形成した。
露光し（波長：４０５ｎｍ、露光積算光量：７００ｍＪ
／ｃｍ2）、露光部分を１８０℃に加熱した後、アルカ
リ現像液を用いて現像して、当該被膜をネガ型の画像で
パターニングした。次いで、該パターニングされたポリ
イミド樹脂前駆体の被膜を、３５０℃で加熱して硬化
（イミド化）し、これによって、厚さ１０μｍのポリイ
ミド樹脂からなる所定パターンのベース層（絶縁層）を
形成した。
【００４０】次に、ステンレス箔と該ベース層（絶縁
層）の全面に、厚さ３００ÅのＣｒ薄膜と厚さ７００Å
のＣｕ薄膜をこの順にスパッタ蒸着法によって形成し
た。次に、上記Ｃｕ薄膜上に厚み３０μｍのアクリル系
ドライフィルムレジストを貼り合わせた。
層）の全面に、厚さ３００ÅのＣｒ薄膜と厚さ７００Å
のＣｕ薄膜をこの順にスパッタ蒸着法によって形成し
た。次に、上記Ｃｕ薄膜上に厚み３０μｍのアクリル系
ドライフィルムレジストを貼り合わせた。
【００４１】次に、上記ドライフィルムレジストにフォ
トリソグラフィー加工により、配線パターン形成用とダ
ミーパターン形成用の開口パターンを空けた。かかる配
線パターン形成用の開口パターンは幅１５〜１５００μ
ｍで、４本１組とし、ピッチ３ｍｍで８４組並べ、ダミ
ーパターン形成用の開口パターンは幅５０μｍの直線状
で、ピッチ１２０μｍで複数本並べた。配線パターンか
ら１００μｍ〜５ｍｍ離れた位置に形成した。次に、電
解メッキ法により、上記の開口パターン内にＣｕを堆積
させて、厚み１４μｍの配線パターンおよびダミーパタ
ーンを形成した。図８はこの配線パターン６とダミーパ
ターン７のレイアウト図である。
トリソグラフィー加工により、配線パターン形成用とダ
ミーパターン形成用の開口パターンを空けた。かかる配
線パターン形成用の開口パターンは幅１５〜１５００μ
ｍで、４本１組とし、ピッチ３ｍｍで８４組並べ、ダミ
ーパターン形成用の開口パターンは幅５０μｍの直線状
で、ピッチ１２０μｍで複数本並べた。配線パターンか
ら１００μｍ〜５ｍｍ離れた位置に形成した。次に、電
解メッキ法により、上記の開口パターン内にＣｕを堆積
させて、厚み１４μｍの配線パターンおよびダミーパタ
ーンを形成した。図８はこの配線パターン６とダミーパ
ターン７のレイアウト図である。
【００４２】上記ドライレジストフィルムを化学エッチ
ング（エッチャント：アルカリ水溶液）で完全に除去し
た後、導体パターンの全てとダミーパターンの一部をア
クリル系ドライフィルムレジストでマスクした後、ウエ
ットエッチング（エッチング液：過マンガン酸カリウム
水溶液）によりＣｒ薄膜とＣｕ薄膜を除去した。
ング（エッチャント：アルカリ水溶液）で完全に除去し
た後、導体パターンの全てとダミーパターンの一部をア
クリル系ドライフィルムレジストでマスクした後、ウエ
ットエッチング（エッチング液：過マンガン酸カリウム
水溶液）によりＣｒ薄膜とＣｕ薄膜を除去した。
【００４３】次に、ステンレス箔の上面側および下面側
から、ステレス箔、配線パターン、ベース層およびダミ
ーパターンの露出面全面をアクリル系ドライフィルムレ
ジストで覆った後、フォトリソグラフィー加工により、
ステンレス箔の不要部分（ベース層および配線パターン
を有していない不要部分）を露出させた。
から、ステレス箔、配線パターン、ベース層およびダミ
ーパターンの露出面全面をアクリル系ドライフィルムレ
ジストで覆った後、フォトリソグラフィー加工により、
ステンレス箔の不要部分（ベース層および配線パターン
を有していない不要部分）を露出させた。
【００４４】次に、エッチング液として塩化第二鉄水溶
液を使用して、ステンレス箔の下面側から、ウエットエ
ッチングを施して、ステンレス箔の不要部分とダミーパ
ターンを除去した。そして、残存するレジストフィルム
を除去してプリント配線板を完成させた。
液を使用して、ステンレス箔の下面側から、ウエットエ
ッチングを施して、ステンレス箔の不要部分とダミーパ
ターンを除去した。そして、残存するレジストフィルム
を除去してプリント配線板を完成させた。
【００４５】
【発明の効果】以上の説明により明らかなように、本発
明のプリント配線板の製造方法によれば、ダミーパター
ン除去のための特別な工程が設ける必要がないので、従
来よりも工程数を削減でき、その結果、厚みばらつきの
小さい、配線パターンを備えたプリント配線板を低コス
トに製造することができる。また、配線パターンの形状
に依存せずダミーパターンを形成することができるの
で、ダミーパターンの形状設計も容易であるという利点
がある。
明のプリント配線板の製造方法によれば、ダミーパター
ン除去のための特別な工程が設ける必要がないので、従
来よりも工程数を削減でき、その結果、厚みばらつきの
小さい、配線パターンを備えたプリント配線板を低コス
トに製造することができる。また、配線パターンの形状
に依存せずダミーパターンを形成することができるの
で、ダミーパターンの形状設計も容易であるという利点
がある。
【図１】本発明の製造方法によるプリント配線板の一製
造例における支持基板上に所定パターンの絶縁層を形成
した状態の模式断面図である。
造例における支持基板上に所定パターンの絶縁層を形成
した状態の模式断面図である。
【図２】図１の状態の後、支持基板の一方の面の全面に
対して絶縁層を覆うように導電層を形成した状態の模式
断面図である。
対して絶縁層を覆うように導電層を形成した状態の模式
断面図である。
【図３】図２の状態の後、配線パターンおよびダミーパ
ターン形成用のレジストパターンを形成した状態の模式
断面図である。
ターン形成用のレジストパターンを形成した状態の模式
断面図である。
【図４】図３の状態の後、レジストパターンの開口に配
線用金属を堆積して配線パターンおよびダミーパターン
を形成した状態の模式断面図である。
線用金属を堆積して配線パターンおよびダミーパターン
を形成した状態の模式断面図である。
【図５】図４の状態の後、レジストパターン４を除去
し、さらに導電層の不要部分を除去した状態の模式断面
図である。
し、さらに導電層の不要部分を除去した状態の模式断面
図である。
【図６】図６（ａ）〜図６（ｄ）は、図５の状態の後、
ダミーパターンを支持基板の不要部分とともにウエット
エッチングで除去するための、一連の作業を模式的に示
した断面図である。
ダミーパターンを支持基板の不要部分とともにウエット
エッチングで除去するための、一連の作業を模式的に示
した断面図である。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｃ）はダミーパターン形成
用の開口のパターンバリエーションを示した図である。
用の開口のパターンバリエーションを示した図である。
【図８】実施例における配線パターンとダミーパターン
とのレイアウト図である。
とのレイアウト図である。
【図９】図９（ａ）〜図９（ｃ）は従来のプリント配線
板における配線パターンとダミーパターンの位置関係を
模式的に示した図である。
板における配線パターンとダミーパターンの位置関係を
模式的に示した図である。
１ 支持基板
２ 絶縁層
３ 導電層
４ レジストパターン
６ 配線パターン
７ ダミーパターン
１００ プリント配線板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ▲吉▼見 武
大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東
電工株式会社内
(72)発明者 森田 成紀
大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東
電工株式会社内
Ｆターム(参考） 5E343 AA18 BB23 BB24 BB28 BB43
BB44 DD43 DD63 ER22 FF17
GG06 GG08
Claims (2)
- 【請求項１】 支持基板の一方の面に所定パターンの絶
縁層を形成し、次に、該絶縁層上に配線パターンを形成
するとともに、支持基板の一方の面内の絶縁層が形成さ
れていない領域にダミーパターンを形成した後、支持基
板の、その上に絶縁層および配線パターンが形成されて
いない不要部分を溶解除去して、当該支持基板の不要部
分とともにダミーパターンを溶解除去することを特徴と
するプリント配線板の製造方法。 - 【請求項２】 ダミーパターンのパターン幅が２００μ
ｍ以下である請求項１記載のプリント配線板の製造方
法。
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