JP2022007187A - 配線回路基板集合体シートおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】厚さの異なる複数種類の配線ごとに厚さのばらつきを抑制しつつ形成するのに適した配線回路基板集合体シート、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】集合体シートＸ（配線回路基板集合体シート）は、基材１０と、配線パターン３０と、ダミー配線パターン４０とを備える。基材１０は、製品領域Ｒ１、および、当該製品領域Ｒ１と隣り合うフレーム領域Ｒ２を含む。配線パターン３０は、製品領域Ｒ１において基材１０の厚さ方向一方側に位置し、第１配線３１と、当該第１配線３１より厚い第２配線３４とを含む。ダミー配線パターン４０は、フレーム領域Ｒ２において厚さ方向一方側に位置し、第１ダミー配線４１と、当該第１ダミー配線４１より厚い第２ダミー配線４２とを含む。
【選択図】図２

Description

本発明は、配線回路基板集合体シートおよびその製造方法に関する。

ハードディスクドライブなどに組み付けられる回路付きサスペンション基板などの配線回路基板の製造においては、その製造過程に含まれる各工程が、製造効率の観点から、いわゆるロールトゥロール方式で実施されることがある。配線回路基板をロールトゥロール方式で製造する場合、配線回路形成プロセスが施される所定の長尺の基材が用いられ、この長尺基材から、複数の配線回路基板を実質的に含む集合体シートが作製される。ロールトゥロール方式での配線回路基板の製造方法に関する技術については、例えば下記の特許文献１に記載されている。

特開２００５－８５９４４号公報

配線回路基板の製造過程では、基材の各製品領域（基材が有するフレーム領域から切り離されることによって単一配線回路基板の基材となる部分）に配線パターンが形成される。配線パターンは、アディティブ法やセミアディティブ法など、配線パターン形成用の導体材料をメッキ法で堆積させる工程を経る手法によって、所定の設計厚さで形成される。

しかしながら、従来、単一の配線パターン形成工程（単一のメッキ工程を含む）によって形成された配線パターンであっても、当該配線パターンをなす配線の厚さにばらつきを有することがある。具体的には、各製品領域内に形成された配線パターンにおいて、その最外に位置する配線（最外配線）は、内側に位置する配線（内側配線）よりも、厚いことがある。各製品領域では、配線パターン形成工程において、最外配線の更にその外側には配線が同時に形成されず、内側配線よりも、最外配線の方が、周りに同時に形成される配線が少ない。最外配線と内側配線のこのような相違から、上記メッキ工程では、用いるメッキ液において、最外配線近傍の導体材料濃度が局所的に高くなり、内側配線よりも最外配線の方が、導体材料堆積量が多くなる。そのため、形成される配線パターンに含まれる配線の厚さには、ばらつきが生じる。

一方、配線回路基板においては、厚さの異なる複数種類の配線を含む配線パターンを有することが求められる場合がある。この場合、当該配線パターンに含まれる所定の設計厚さの配線ごとに、上述の厚さばらつきを抑制することが求められる。

本発明は、厚さの異なる複数種類の配線ごとに厚さのばらつきを抑制しつつ配線パターンを形成するのに適した配線回路基板集合体シート、およびその製造方法を提供する。

本発明［１］は、製品領域、および、当該製品領域と隣り合うフレーム領域、を含む基材と、前記製品領域において前記基材の厚さ方向一方側に位置する、第１配線と当該第１配線より厚い第２配線とを含む配線パターンと、前記フレーム領域において前記厚さ方向一方側に位置する、第１ダミー配線と当該第１ダミー配線より厚い第２ダミー配線とを含むダミー配線パターンと、を備える配線回路基板集合体シートを含む。

このような構成の配線回路基板集合体シートは、その製造過程にて、基材における製品領域上の上記第１配線とフレーム領域上の上記第１ダミー配線とを併行して形成する第１の工程と、製品領域上の上記第２配線（第１配線より厚い）とフレーム領域上の上記第２ダミー配線（第１ダミー配線より厚い）とを併行して形成する第２の工程とを、別々に実施して、第１および第２配線のそれぞれの厚さばらつきを抑制するのに適する。

具体的には、第１の工程は、製品領域上に形成される第１配線のうち最外に位置する第１配線（最外第１配線）の更にその外側の、前記製品領域と隣り合うフレーム領域上に、第１ダミー配線を形成しつつ、前記製品領域上に第１配線を形成するのに適する。このような第１の工程は、配線形成用の導体材料をメッキ法によって堆積させる場合に、用いるメッキ液において、最外第１配線形成箇所とその近傍の導体材料濃度が局所的に高くなることを抑制して、最外第１配線の導体材料堆積量が他の第１配線の導体材料堆積量よりも多くなることを抑制するのに適する。同様に、上述の第２の工程は、製品領域上に形成される第２配線のうち最外に位置する第２配線（最外第２配線）の更にその外側の、前記製品領域と隣り合うフレーム領域上に、第２ダミー配線を形成しつつ、前記製品領域上に第２配線を形成するのに適し、従って、用いるメッキ液において、最外第２配線形成箇所とその近傍の導体材料濃度が局所的に高くなることを抑制して、最外第２配線の導体材料堆積量が他の第２配線の導体材料堆積量よりも多くなることを抑制するのに適する。

本発明［２］は、前記第２配線は、前記第１配線よりも大きな配線幅を有し、且つ、前記第２ダミー配線は、前記第１ダミー配線よりも大きな配線幅を有する、上記［１］に記載の配線回路基板集合体シートを含む。

このような構成は、第１および第２配線のそれぞれの厚さばらつきを抑制するのに適する。

本発明［３］は、前記ダミー配線パターンは、前記製品領域に沿って延びる複数の第１ダミー配線と、前記製品領域に沿って延びる複数の第２ダミー配線とを含み、当該複数の第１ダミー配線および複数の第２ダミー配線は、これらの延び方向と直交する方向において、交互に位置する、上記［１］または［２］に記載の配線回路基板集合体シートを含む。

このような構成は、フレーム領域における第１ダミー配線の配置の均等化と第２ダミー配線の配置の均等化とを、両立させるのに適する。

本発明［４］は、前記ダミー配線パターンは、前記第１ダミー配線と前記第２ダミー配線とが前記厚さ方向において互いに積み重なる部分を含む、上記［１］から［３］のいずれか一つに記載の配線回路基板集合体シートを含む。

このような構成は、フレーム領域におけるダミー配線パターン形成箇所面積を低減するのに適する。

本発明［５］は、製品領域、および、当該製品領域と隣り合うフレーム領域、を含む基材を用意する工程と、前記フレーム領域における前記基材の厚さ方向一方側に第１ダミー配線を形成しつつ、前記製品領域における前記厚さ方向一方側に第１配線を形成する工程と、前記フレーム領域における前記厚さ方向一方側に、前記第１ダミー配線より厚い第２ダミー配線を形成しつつ、前記製品領域における前記厚さ方向一方側に、前記第１配線より厚い第２配線を形成する工程と、を含む配線回路基板集合体シートの製造方法を含む。
本製造方法は、上述の配線回路基板集合体シートに関して上述したのと同様の理由から、厚さの異なる複数種類の配線ごとに厚さのばらつきを抑制しつつ配線パターンを形成するのに適する。

本発明の配線回路基板集合体シートの一実施形態の部分平面図である。 図１に示す配線回路基板集合体シートの部分拡大平面図である。 図２に示すIII-III断面の断面図である。 図１に示す配線回路基板集合体シートの一変形例の部分拡大平面図である。 図１に示す配線回路基板集合体シートの製造方法における一部の工程を、図３に相当する断面の変化として表す。図５Ａは用意工程を表し、図５Ｂは第１の絶縁層形成工程を表し、図５Ｃは第１の導体層形成工程を表す。 図５に示す工程の後に続く工程を表す。図６Ａは第２の導体層形成工程を表し、図６Ｂは第２の絶縁層形成工程を表し、図６Ｃは、金属基材に開口部を形成する工程を表す。 配線回路基板集合体シートの変形例の部分断面図である。各変形例のダミー配線パターンは、第１ダミー配線と第２ダミー配線とが厚さ方向に積み重なる部分を含む形態を有する。

図１から図３は、本発明の配線回路基板集合体シートの一実施形態である集合体シートＸを表す。図１は、集合体シートＸの部分平面図である。図２は、集合体シートＸの部分拡大平面図である。図３は、集合体シートＸにおける図２に示すIII-III断面の断面図である。

集合体シートＸは、基材１０と、ベース絶縁層２１と、カバー絶縁層２２と、配線パターン３０と、ダミー配線パターン４０とを備える。

基材１０は、本実施形態では金属製のフレキシブル基材であり、一方向（図１に示す第１方向Ｄ１）に延びる長尺シート形状を有する。第１方向Ｄ１における基材１０の長さは、例えば１～５００ｍである。第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２（幅方向）における基材１０の長さ（即ち幅）は、例えば１～１００ｃｍである。基材１０の厚さ（第１方向Ｄ１および第２方向Ｄ２に直交する方向の長さ）は、例えば１０μｍ以上、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは５０μｍ以上であり、また、例えば５００μｍ以下、好ましくは３００μｍ以下である。

基材１０は、複数の製品領域Ｒ１と、各製品領域Ｒ１周りの枠体をなすフレーム領域Ｒ２とを含む。基材１０において、各製品領域Ｒ１とフレーム領域Ｒ２とは、隣り合い、且つ所定数の連結部（図示略）を介して連結されている。各製品領域Ｒ１は、フレーム領域Ｒ２から切り離されることによって単一配線回路基板の基材となる部分であり、製造目的物である配線回路基板の設計に応じた平面視形状を有する（図１では、各製品領域Ｒ１が平面視において矩形である場合を例示的に図示する）。

複数の製品領域Ｒ１は、基材１０において整列配置されている。本実施形態では、所定数の製品領域Ｒ１が第２方向Ｄ２に互いに間隔を空けて一列に配置されて製品領域列Ｌをなし、複数の製品領域列Ｌが、第１方向Ｄ１に互いに間隔を空けて並列に配置されている。製品領域Ｒ１の第１方向Ｄ１の長さは、例えば１～１００ｍｍである。製品領域Ｒ１の第２方向Ｄ２の長さは、例えば１～１００ｍｍである。また、製品領域列Ｌをなす製品領域Ｒ１の数は、例えば１～５００である。

フレーム領域Ｒ２は、製品領域列Ｌに沿って第２方向Ｄ２に延びる複数の延び部１１（第１延び部）を含む。各延び部１１は、第１方向Ｄ１において開口部Ｇを介して製品領域Ｒ１と隣り合う。本実施形態では、製品領域列Ｌと延び部１１とが、第１方向Ｄ１に間隔を空けて交互に位置する。第１方向Ｄ１における延び部１１の長さ（即ち、延び部１１の幅）は、例えば０.１～５０ｍｍである。また、第１方向Ｄ１における製品領域Ｒ１と延び部１１との間の開口部Ｇの長さ（製品領域Ｒ１と延び部１１との間の離隔距離）は、例えば０.０１～１０ｍｍである。

フレーム領域Ｒ２は、第１方向Ｄ１に延びる複数の延び部１２（第２延び部）を含む。複数の延び部１２は、第２方向Ｄ２における基材１０の両端に位置する２本の延び部１２ａと、当該延び部１２ａ間に位置する延び部１２ｂとを含む。各延び部１２は、第２方向Ｄ２において開口部Ｇを介して製品領域Ｒ１と隣り合う。第２方向Ｄ２における延び部１２ａの長さ（即ち、延び部１２ａの幅）は、例えば０.１～５０ｍｍである。第２方向Ｄ２における延び部１２ｂの長さ（即ち、延び部１２ｂの幅）は、例えば０.１～５０ｍｍである。好ましくは、延び部１２ａの幅は、延び部１２ｂの幅よりも大きい。また、第２方向Ｄ２における製品領域Ｒ１と延び部１２との間の開口部Ｇの長さ（製品領域Ｒ１と延び部１２との間の離隔距離）は、例えば０.０１～１０ｍｍである。

基材１０の材料としては、例えば金属箔が挙げられる。金属箔の金属材料としては、例えば、銅、銅合金、ステンレス鋼、および４２アロイが挙げられる。ステンレス鋼としては、例えば、ＡＩＳＩ（米国鉄鋼協会）の規格に基づくＳＵＳ３０４が挙げられる。

ベース絶縁層２１は、図３に示すように、基材１０の厚さ方向一方面上に位置する。ベース絶縁層２１は、本実施形態では、製品領域Ｒ１およびフレーム領域Ｒ２の全体にわたって設けられている。

ベース絶縁層２１の材料としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、およびポリ塩化ビニルなどの樹脂材料が挙げられる（後述のカバー絶縁層２２の材料としても、同様の樹脂材料が挙げられる）。ベース絶縁層２１の厚さは、例えば１μｍ以上、好ましくは３μｍ以上であり、また、例えば３５μｍ以下、好ましくは１５μｍ以下である。

配線パターン３０は、各製品領域Ｒ１において、基材１０の厚さ方向一方側であってベース絶縁層２１上に位置し、第１配線パターン３０Ａと第２配線パターン３０Ｂとを含む。

第１配線パターン３０Ａは、ベース絶縁層２１上において所定のパターン形状を有し、図２によく表れているように、第１配線３１と、その一端に位置する第１端子部３２と、第１配線３１の他端に位置する第２端子部３３とを含む（第１配線３１が第２方向Ｄ２に直線的に延び、第１端子部３２と第２端子部３３とが第２方向Ｄ２に離隔している形態を、例示的に図示する）。

第１配線３１の厚さは、例えば３μｍ以上、好ましくは５μｍ以上であり、また、例えば５０μｍ以下、好ましくは３０μｍ以下である。第１配線３１の幅（第１配線３１の延び方向と直交する方向の寸法）は、例えば５μｍ以上、好ましくは８μｍ以上であり、また、例えば１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下である。

第１端子部３２および第２端子部３３の厚さは、本実施形態では第１配線３１の厚さと同じであり、例えば３μｍ以上、好ましくは５μｍ以上であり、また、例えば５０μｍ以下、好ましくは３０μｍ以下である。第１配線３１の延び方向（図１および図２では第２方向Ｄ２）における第１端子部３２および第２端子部３３の寸法は、それぞれ、例えば１１０μｍ以上、好ましくは１５μｍ以上であり、また、例えば１５００μｍ以下、好ましくは１０００μｍ以下である。第１配線３１の幅方向（図１および図２では第１方向Ｄ１）における第１端子部３２および第２端子部３３の寸法は、それぞれ、好ましくは第１配線３１の幅より大きく、例えば１０μｍ以上、好ましくは１５μｍ以上であり、また、例えば１０００μｍ以下、好ましくは７５０μｍ以下である。

第１配線パターン３０Ａの材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの導体材料が挙げられ、好ましくは銅が用いられる（後述の第２配線パターン３０Ｂ、第１ダミー配線４１、および第２ダミー配線４２の材料についても同様である）。

第２配線パターン３０Ｂは、ベース絶縁層２１上において所定のパターン形状を有し、図２によく表れているように、第２配線３４と、その一端に位置する第３端子部３５と、第２配線３４の他端に位置する第４端子部３６とを含む（第２配線３４が第２方向Ｄ２に直線的に延び、第３端子部３５と第４端子部３６とが第２方向Ｄ２に離隔している形態を、例示的に図示する。また、第１配線パターン３０Ａと第２配線パターン３０Ｂとが第１方向Ｄ１に交互に位置して並列する形態を例示的に図示する）。

第２配線３４は、第１配線３１より厚い。第２配線３４の厚さは、第１配線３１の厚さより大きい限りにおいて、例えば４μｍ以上、好ましくは６μｍ以上であり、また、例えば６０μｍ以下、好ましくは４０μｍ以下である。第１配線３１の厚さに対する第２配線３４の厚さの比率は、例えば１.０５以上、好ましくは１.１以上、より好ましくは１.２以上であり、また、例えば１０以下、好ましくは５以下、より好ましくは３以下である。

第２配線３４の幅（第２配線３４の延び方向と直交する方向の寸法）は、好ましくは、第１配線３１の幅より大きい。すなわち、第２配線３４は、第１配線３１よりも大きな配線幅を有するのが好ましい。第２配線３４の幅は、例えば６μｍ以上、好ましくは９μｍ以上であり、また、例えば１１０μｍ以下、好ましくは６０μｍ以下である。第１配線３１の幅に対する第２配線３４の幅の比率は、例えば１.０５以上、好ましくは１.１以上、より好ましくは１.２以上であり、また、例えば１０以下、好ましくは７.５以下、より好ましくは５以下である。

第３端子部３５および第４端子部３６の厚さは、本実施形態では第２配線３４の厚さと同じであり、例えば４μｍ以上、好ましくは６μｍ以上であり、また、例えば６０μｍ以下、好ましくは４０μｍ以下である。第２配線３４の延び方向（図１および図２では第２方向Ｄ２）における第３端子部３５および第４端子部３６の寸法は、それぞれ、例えば１０μｍ以上、好ましくは１５μｍ以上であり、また、例えば１５００μｍ以下、好ましくは１０００μｍ以下である。第２配線３４の幅方向（図１および図２では第１方向Ｄ１）における第３端子部３５および第４端子部３６の寸法は、それぞれ、好ましくは第２配線３４の幅より大きく、例えば１０μｍ以上、好ましくは１５μｍ以上であり、また、例えば１０００μｍ以下、好ましくは７５０μｍ以下である。

配線パターン３０において、隣り合う第１配線３１および第２配線３４の間の離隔距離（図１および図２では第１方向Ｄ１の離隔距離）は、例えば３μｍ以上、好ましくは５μｍ以上であり、また、例えば５００μｍ以下、好ましくは２５０μｍ以下である。

カバー絶縁層２２は、製品領域Ｒ１ごとに、ベース絶縁層２１の厚さ方向一方面上において第１配線３１および第２配線３４を覆うように配置され、所定のパターン形状を有する（カバー絶縁層２２が製品領域Ｒ１ごとに矩形である場合を例示的に図示する。また、図１および図２では、第１配線３１および第２配線３４においてカバー絶縁層２２で覆われた部分を破線で示す）。カバー絶縁層２２は、第１端子部３２、第２端子部３３、第３端子部３５、および第４端子部３６を覆わず、これら端子部は露出している。

ベース絶縁層２１からのカバー絶縁層２２の高さ（ベース絶縁層２１からカバー絶縁層２２の図３中上端までの距離）は、第１配線３１および第２配線３４の厚さより大きい限りにおいて、例えば５μｍ以上、好ましくは７μｍ以上であり、また、例えば７０μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下である。

ダミー配線パターン４０は、フレーム領域Ｒ２において、基材１０の厚さ方向一方側であってベース絶縁層２１上に位置し、第１ダミー配線４１と第２ダミー配線４２とを含む。本実施形態では、ダミー配線パターン４０は、フレーム領域Ｒ２の延び部１１上に位置する。具体的には、延び部１１上において、第１ダミー配線４１および第２ダミー配線４２は、それぞれ、製品領域Ｒ１に沿って第２方向Ｄ２に延びる。また、第１ダミー配線４１および第２ダミー配線４２は、第１方向Ｄ１において、離隔して交互に位置し、並列する（３本の第１ダミー配線４１と２本の第２ダミー配線４２とが交互に位置して並列する形態を例示的に図示する）。

第１ダミー配線４１は、後述のように第１配線３１と併行して形成された導体層であり、第１配線３１と対応づけられる。第１ダミー配線４１は、好ましくは、ベース絶縁層２１を貫通する導電連絡部としてのビア（図示略）を介して、金属製の基材１０と電気的に接続されている。このような構成は、集合体シートＸの製造過程において、第１ダミー配線４１の表面（ベース絶縁層２１とは接していない表面）に電解メッキ法または無電解メッキ法によってＮｉメッキ膜など保護メッキ膜を形成するのに適する。

また、第１配線３１と第１ダミー配線４１とは、好ましくは、電気的に接続されている。第１配線３１と第１ダミー配線４１とは、金属製の基材１０を介して電気的に接続可能である。具体的には、第１配線３１と基材１０とを電気的に接続する第１の導電連絡部（図示略）を設け、且つ、第１ダミー配線４１と基材１０とを電気的に接続する第２の導電連絡部（図示略）を設けることにより、第１ダミー配線４１と第１配線３１とを金属製の基材１０を介して電気的に接続可能である（第１の導電連絡部は、配線回路基板の製造過程で切断される）。

第１ダミー配線４１の設計厚さは、第１配線３１の設計厚さと同じである。第１ダミー配線４１の厚さは、例えば３μｍ以上、好ましくは５μｍ以上であり、また、例えば５０μｍ以下、好ましくは３０μｍ以下である。第１ダミー配線４１の幅（第１ダミー配線４１の延び方向と直交する方向の寸法）は、好ましくは、第１配線３１の幅と同じである。第１ダミー配線４１の幅は、例えば５μｍ以上、好ましくは８μｍ以上であり、また、例えば１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下である。

第２ダミー配線４２は、後述のように第２配線３４と併行して形成された導体層であり、第２配線３４と対応づけられる。第２ダミー配線４２は、好ましくは、ベース絶縁層２１を貫通する導電連絡部としてのビア（図示略）を介して、金属製の基材１０と電気的に接続されている。このような構成は、集合体シートＸの製造過程において、第２ダミー配線４２の表面（ベース絶縁層２１とは接していない表面）に電解メッキ法または無電解メッキ法によってＮｉメッキ膜など保護メッキ膜を形成するのに適する。

また、第２配線３４と第２ダミー配線４２とは、好ましくは、電気的に接続されている。第２配線３４と第２ダミー配線４２とは、金属製の基材１０を介して電気的に接続可能である。具体的には、第２配線３４と基材１０とを電気的に接続する第３の導電連絡部（図示略）を設け、且つ、第２ダミー配線４２と基材１０とを電気的に接続する第４の導電連絡部（図示略）を設けることにより、第２ダミー配線４２と第２配線３４とを金属製の基材１０を介して電気的に接続可能である（第３の導電連絡部は、配線回路基板の製造過程で切断される）。

第２ダミー配線４２の設計厚さは、第２配線３４の設計厚さと同じである。また、第２ダミー配線４２は、第１ダミー配線４１より厚い。第２ダミー配線４２の厚さは、例えば４μｍ以上、好ましくは６μｍ以上であり、また、例えば６０μｍ以下、好ましくは４０μｍ以下である。第１ダミー配線４１の厚さに対する第２ダミー配線４２の厚さの比率は、例えば１.０５以上、好ましくは１.１以上、より好ましくは１.２以上であり、また、例えば１０以下、好ましくは５以下、より好ましくは３以下である。

第２ダミー配線４２の幅（第２ダミー配線４２の延び方向と直交する方向の寸法）は、好ましくは、第２配線３４の幅と同じである。第２ダミー配線４２の幅は、例えば６μｍ以上、好ましくは９μｍ以上であり、また、例えば１１０μｍ以下、好ましくは６０μｍ以下である。第１ダミー配線４１の幅に対する第２ダミー配線４２の幅の比率は、例えば１.０５以上、好ましくは１.１以上、より好ましくは１.２以上であり、また、例えば１０以下、好ましくは７.５以下、より好ましくは５以下である。

隣り合う第１ダミー配線４１と第２ダミー配線４２との間の離隔距離は、例えば５μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上であり、また、例えば１０００μｍ以下、好ましくは５００μｍ以下である。

上述のカバー絶縁層２２は、例えば図４に示すように、ベース絶縁層２１の厚さ方向一方面上において第１ダミー配線４１および第２ダミー配線４２を覆う部分を有するように配置されてもよい（図４では、カバー絶縁層２２で覆われた第１ダミー配線４１および第２ダミー配線４２を破線で示す）。

以上の構成を有する集合体シートＸは、基材１０において配線パターン３０およびダミー配線パターン４０が形成されている側の面が例えば外径側に位置する態様で巻き回された、ロールの形態をとりうる。集合体シートＸは、ロールの形態で、搬送可能であり、保管可能である。

図５および図６は、集合体シートＸの製造方法の一例を表す。図５および図６は、本製造方法を、図３に相当する断面の変化として表す。本製造方法では、ロールの形態をとるワークに対してロールトゥロール方式で以下の各種の処理および加工が実施されて、集合体シートＸが製造される。

本製造方法では、まず、図５Ａに示すように、開口部Ｇが形成されておらず未加工の基材１０を用意する（用意工程）。この基材１０は、加工が施される第１面１０ａと、これとは反対側の第２面１０ｂとを有し、後の開口部Ｇの形成によって分離して隣り合う製品領域Ｒ１とフレーム領域Ｒ２とを含む。本工程では、このような基材１０がロールの形態で用意される。

次に、図５Ｂに示すように、基材１０の第１面１０ａ上に、ベース絶縁層２１をパターン形成する（第１の絶縁層形成工程）。本工程では、まず、基材１０の第１面１０ａ上において、感光性樹脂の溶液（ワニス）を塗布して乾燥し、塗膜を形成する。次に、基材１０上の当該塗膜に対して、所定マスクを介しての露光処理と、その後の現像処理と、その後に必要に応じてベイク処理とを施す。このようにして、基材１０の製品領域Ｒ１上およびフレーム領域Ｒ２上においてベース絶縁層２１を形成する。

次に、図５Ｃに示すように、ベース絶縁層２１上に、第１配線パターン３０Ａ（第１配線３１，第１端子部３２，第２端子部３３）と第１ダミー配線４１とを形成する（第１の導体層形成工程，第１の工程）。本工程では、フレーム領域Ｒ２における基材１０の厚さ方向一方側に第１ダミー配線４１を形成しつつ、製品領域Ｒ１における前記厚さ方向一方側に、第１配線３１を含む第１配線パターン３０Ａを形成する。

具体的には、まず、基材１０の第１面１０ａとその上のベース絶縁層２１とを覆うように、シード層を、例えばスパッタリング法により形成する。シード層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、およびこれらの合金が挙げられる（後記のシード層の材料としても同様の材料が挙げられる）。次に、シード層上にレジストパターンを形成する。レジストパターンは、第１配線パターン３０Ａおよび第１ダミー配線４１のパターン形状に相当する形状の開口部を有する。レジストパターンの形成においては、例えば、感光性のレジストフィルムをシード層上に貼り合わせてレジスト膜を形成した後、当該レジスト膜に対し、所定マスクを介しての露光処理と、その後の現像処理と、その後に必要に応じてベイク処理とを施す（後記のレジストパターンの形成においても同様である）。次に、電解メッキ法により、メッキ液を用いて、レジストパターンの開口部内に銅などの導体材料を堆積させる。次に、レジストパターンをエッチングにより除去する。次に、シード層においてレジストパターン除去によって露出した部分を、エッチングにより除去する。以上のようにして、第１配線パターン３０Ａ（第１配線３１，第１端子部３２，第２端子部３３）と、第１ダミー配線４１とを、併行して形成することができる。

本工程では、製品領域Ｒ１上に形成される第１配線３１のうち最外に位置する第１配線３１（最外第１配線３１ａ）の更にその外側の、製品領域Ｒ１と隣り合うフレーム領域Ｒ２上に、第１ダミー配線４１を形成しつつ、製品領域Ｒ１上に第１配線３１を形成する。このような工程は、上記電解メッキ法に用いるメッキ液において、最外第１配線３１ａの形成箇所とその近傍の導体材料濃度が局所的に高くなることを抑制して、最外第１配線３１ａの導体材料堆積量が他の第１配線３１の導体材料堆積量よりも多くなることを抑制するのに適する。すなわち、本工程は、第１配線３１の厚さばらつきを抑制しつつ、第１配線３１を形成するのに適する。

本製造方法では、次に、図６Ａに示すように、ベース絶縁層２１上に、第２配線パターン３０Ｂ（第２配線３４，第３端子部３５，第４端子部３６）と第２ダミー配線４２とを形成する（第２の導体層形成工程）。本工程では、フレーム領域Ｒ２における基材１０の厚さ方向一方側に、第１ダミー配線４１より厚い第２ダミー配線４２を形成しつつ、製品領域Ｒ１における前記厚さ方向一方側に、第１配線３１より厚い、第２配線３４を含む第２配線パターン３０Ｂを形成する。

具体的には、まず、基材１０の第１面１０ａと、その上のベース絶縁層２１、第１配線パターン３０Ａ、および第１ダミー配線４１とを覆うように、例えばスパッタリング法によってシード層を形成する。次に、シード層上にレジストパターンを形成する。レジストパターンは、第２配線パターン３０Ｂおよび第２ダミー配線４２のパターン形状に相当する形状の開口部を有する。次に、電解メッキ法により、レジストパターンの開口部内に銅などの導体材料を堆積させる。次に、レジストパターンをエッチングにより除去する。次に、シード層においてレジストパターン除去によって露出した部分を、エッチングにより除去する。以上のようにして、第２配線パターン３０Ｂ（第２配線３４，第３端子部３５，第４端子部３６）と、第２ダミー配線４２とを、併行して形成することができる。

本工程では、製品領域Ｒ１上に形成される第２配線３４のうち最外に位置する第２配線３４（最外第２配線３４ａ）の更にその外側の、製品領域Ｒ１と隣り合うフレーム領域Ｒ２上に、第２ダミー配線４２を形成しつつ、製品領域Ｒ１上に第２配線３４を形成する。このような工程は、上記電解メッキ法に用いるメッキ液において、最外第２配線３４ａの形成箇所とその近傍の導体材料濃度が局所的に高くなることを抑制して、最外第２配線３４ａの導体材料堆積量が他の第２配線３４の導体材料堆積量よりも多くなることを抑制するのに適する。すなわち、本工程は、第２配線３４の厚さばらつきを抑制しつつ、第２配線３４を形成するのに適する。

次に、図６Ｂに示すように、ベース絶縁層２１上において、配線パターン３０（第１配線パターン３０Ａ，第２配線パターン３０Ｂ）を覆うカバー絶縁層２２を形成する（第２の絶縁層形成工程）。本工程では、まず、基材１０の第１面１０ａ側に、感光性樹脂の溶液（ワニス）を塗布して乾燥し、塗膜を形成する。次に、当該塗膜に対して、所定マスクを介しての露光処理と、その後の現像処理と、その後に必要に応じてベイク処理とを施す。このようにして、製品領域Ｒ１ごとにカバー絶縁層２２を形成することができる。

次に、図６Ｃに示すように、基材１０に開口部Ｇを形成する。本工程では、基材１０に対する所定のエッチングマスクを介してのエッチング処理により、金属製の基材１０において開口部Ｇを形成する。エッチング処理のためのエッチング液としては、例えば塩化第二鉄を使用する。

例えば以上のような工程を経ることにより、集合体シートＸを製造することができる。本製造方法では、第２の導体層形成工程を、第１の導体層形成工程より前に実施してもよい。製造された集合体シートＸにおいては、所定の製品領域Ｒ１とフレーム領域Ｒ２との間を連結する上述の連結部（図示略）を切断することにより、当該製品領域Ｒ１を配線回路基板として集合体シートＸから切り離すことができる。

集合体シートＸは、上述のように、基材１０と、配線パターン３０と、ダミー配線パターン４０とを備え、配線パターン３０は、基材１０の製品領域Ｒ１の厚さ方向一方側に位置して第１配線３１と第２配線３４（第１配線３１より厚い）とを含み、且つ、ダミー配線パターン４０は、基材１０のフレーム領域Ｒ２の厚さ方向一方側に位置して第１ダミー配線４１と第２ダミー配線４２（第１ダミー配線４１より厚い）とを含む。

このような構成の集合体シートＸは、その製造過程において、上述のように、基材１０の製品領域Ｒ１上の第１配線３１とフレーム領域Ｒ２上の第１ダミー配線４１とを併行して形成する第１の導体層形成工程と、製品領域Ｒ１上の第２配線３４（第１配線３１より厚い）とフレーム領域Ｒ２上の第２ダミー配線４２（第１ダミー配線４１より厚い）とを併行して形成する第２の導体層形成工程とを、別々に実施して、第１配線３１および第２配線３４のそれぞれの厚さばらつきを抑制するのに適する。すなわち、集合体シートＸは、厚さの異なる複数種類の配線（第１配線３１，第２配線３４）ごとに厚さのばらつきを抑制しつつ、配線パターン３０を形成するのに適する。

集合体シートＸでは、好ましくは、第２配線３４は、第１配線３１よりも大きな配線幅を有し、且つ、第２ダミー配線４２は、第１ダミー配線４１よりも大きな配線幅を有する。このような構成は、第１配線３１および第２配線３４のそれぞれの厚さばらつきを抑制するのに適する。

集合体シートＸでは、上述のように、ダミー配線パターン４０は、製品領域Ｒ１に沿って延びる複数の第１ダミー配線４１および複数の第２ダミー配線４２を含み、第１ダミー配線４１および第２ダミー配線４２は、これらの延び方向と直交する方向（図１および図２では第１方向Ｄ１）において、交互に位置する。このような構成は、フレーム領域Ｒ２における第１ダミー配線４１の配置の均等化と第２ダミー配線４２の配置の均等化とを、両立させるのに適する。

集合体シートＸにおけるダミー配線パターン４０は、第１ダミー配線４１と第２ダミー配線４２とが厚さ方向において互いに積み重なる部分を含んでもよい。このような構成は、フレーム領域Ｒ２におけるダミー配線パターン４０形成箇所面積を低減するのに適する。図７Ａから図７Ｆは、第１ダミー配線４１と第２ダミー配線４２とが厚さ方向に積み重なる部分をダミー配線パターン４０が含む場合における当該部分の積層構造のバリエーションを示す。

図７Ａおよび図７Ｂに示す例では、第１ダミー配線４１は、ベース絶縁層２１の厚さ方向一方面上に位置し、第２ダミー配線４２は、第１ダミー配線４１の厚さ方向一方面上に位置する。図７Ａに示す例では、第２ダミー配線４２において第１ダミー配線４１上に位置する部分の幅は、第１ダミー配線４１の幅に等しい。図７Ｂに示す例では、第２ダミー配線４２において第１ダミー配線４１上に位置する部分の幅は、第１ダミー配線４１の幅より小さい。

図７Ｃに示す例では、第１ダミー配線４１は、ベース絶縁層２１の厚さ方向一方面上に位置し、第２ダミー配線４２は、ベース絶縁層２１の厚さ方向一方側において第１ダミー配線４１を覆うように第１ダミー配線４１に積み重なる。

図７Ｄおよび図７Ｅに示す例では、第２ダミー配線４２は、ベース絶縁層２１の厚さ方向一方面上に位置し、第１ダミー配線４１は、第２ダミー配線４２の厚さ方向一方面上に位置する。図７Ｄに示す例では、第１ダミー配線４１において第２ダミー配線４２上に位置する部分の幅は、第２ダミー配線４２の幅に等しい。図７Ｅに示す例では、第１ダミー配線４１において第２ダミー配線４２上に位置する部分の幅は、第２ダミー配線４２の幅より小さい。

図７Ｆに示す例では、第２ダミー配線４２は、ベース絶縁層２１の厚さ方向一方面上に位置し、第１ダミー配線４１は、ベース絶縁層２１の厚さ方向一方側において第２ダミー配線４２を覆うように第２ダミー配線４２に積み重なる。

Ｘ 集合体シート（配線回路基板集合体シート）
１０ 基材
Ｒ１ 製品領域
Ｒ２ フレーム領域
２１ ベース絶縁層
２２ カバー絶縁層
３０ 配線パターン
３１ 第１配線
３２ 第２配線
４０ ダミー配線パターン
４１ 第１ダミー配線
４２ 第２ダミー配線

Claims (5)

1. 製品領域、および、当該製品領域と隣り合うフレーム領域、を含む基材と、
   前記製品領域において前記基材の厚さ方向一方側に位置する、第１配線と当該第１配線より厚い第２配線とを含む配線パターンと、
   前記フレーム領域において前記厚さ方向一方側に位置する、第１ダミー配線と当該第１ダミー配線より厚い第２ダミー配線とを含むダミー配線パターンと、を備えることを特徴とする、配線回路基板集合体シート。
2. 前記第２配線は、前記第１配線よりも大きな配線幅を有し、且つ、前記第２ダミー配線は、前記第１ダミー配線よりも大きな配線幅を有することを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板集合体シート。
3. 前記ダミー配線パターンは、前記製品領域に沿って延びる複数の第１ダミー配線と、前記製品領域に沿って延びる複数の第２ダミー配線とを含み、当該複数の第１ダミー配線および複数の第２ダミー配線は、これらの延び方向と直交する方向において、交互に位置することを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板集合体シート。
4. 前記ダミー配線パターンは、前記第１ダミー配線と前記第２ダミー配線とが前記厚さ方向において互いに積み重なる部分を含むことを特徴とする、請求項１から３のいずれか一つに記載の配線回路基板集合体シート。
5. 製品領域、および、当該製品領域と隣り合うフレーム領域、を含む基材を用意する工程と、
   前記フレーム領域における前記基材の厚さ方向一方側に第１ダミー配線を形成しつつ、前記製品領域における前記厚さ方向一方側に第１配線を形成する工程と、
   前記フレーム領域における前記厚さ方向一方側に、前記第１ダミー配線より厚い第２ダミー配線を形成しつつ、前記製品領域における前記厚さ方向一方側に、前記第１配線より厚い第２配線を形成する工程と、を含むことを特徴とする、配線回路基板集合体シートの製造方法。

Images