JP7538912B2 - 配線回路基板、および配線回路基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線回路基板、および配線回路基板の製造方法に関する。

金属製の支持基材と、支持基材上の絶縁層と、絶縁層上の配線パターンとを備える配線回路基板が知られている。当該配線回路基板では、例えば、配線パターンにおいて良好な特性を確保するために、支持基材は多層構造を有する。このような配線回路基板に関する技術については、例えば下記の特許文献１に記載されている。特許文献１に記載の配線回路基板の支持基材は、金属支持基板と、当該基板の配線パターン側に配置された金属箔とを含む多層構造を有する。

特開２００７－１５７８３６号公報

特許文献１の配線回路基板の支持基材は、金属箔形成用の金属薄膜を、金属支持基板と金属箔との間に有する。金属薄膜は、金属箔を形成するためのめっきシード層である。特許文献１に具体的に記載されている一の配線回路基板では、金属支持基板はステンレス製であり、金属箔は銅製であり、金属薄膜はクロム製である。

しかしながら、このような配線回路基板の製造過程では、単一のウェットエッチング処理によって効率よく支持基材をパターン加工できない（支持基材のパターン加工は、例えば、支持基材の外形加工時に実施される）。支持基材に含まれるステンレス製の金属支持基板および銅製の金属箔に対するエッチング液と、クロム製の金属薄膜に対するエッチング液とが、異なるからである。

一方、配線回路基板では、絶縁層を厚さ方向に貫通して支持基材と配線パターンとに接続しているビアが、設けられることがある。当該ビアを介して、支持基材と配線パターンとが電気的に接続される。このような配線回路基板では、支持基材と配線パターンとの間の電気的接続について、低抵抗化の要求がある。

本発明は、金属支持基板と、当該基板上の絶縁層上に形成される配線層との間において、低抵抗の電気的接続を実現するのに適するとともに、金属支持基板を効率よくパターン加工するのに適した、配線回路基板、および配線回路基板の製造方法を提供する。

本発明［１］は、金属支持基板と、第１金属薄膜と、絶縁層と、第２金属薄膜と、導体層とを、厚さ方向一方側に向かって順に備え、前記金属支持基板は、金属支持層と、当該金属支持層の厚さ方向一方面上に配置され且つ前記金属支持層より導電率が高い表面金属層とを備え、前記絶縁層は、当該絶縁層を厚さ方向に貫通する貫通孔を有し、前記導体層は、前記貫通孔に配置され且つ前記金属支持基板と電気的に接続されているビア部を有する、配線回路基板を含む。

本発明［２］は、前記金属支持層が、ステンレス鋼、銅合金、アルミニウム、ニッケル、およびチタンからなる群より選択される少なくとも一種を含む、上記［１］に記載の配線回路基板を含む。

本発明［３］は、前記表面金属層が、金、銀、および銅からなる群より選択される少なくとも一種を含む、上記［１］または［２］に記載の配線回路基板を含む。

本発明［４］は、前記ビア部が、前記第１金属薄膜および前記第２金属薄膜を介して前記金属支持基板と電気的に接続されている、上記［１］から［３］のいずれか一つに記載の配線回路基板を含む。

本発明［５］は、前記第１金属薄膜が、前記貫通孔に沿って開口する開口部を有し、前記ビア部が、前記第２金属薄膜を介して前記金属支持基板と電気的に接続されている、上記［１］から［３］のいずれか一つに記載の配線回路基板を含む。

本発明［６］は、金属支持層と、当該金属支持層の厚さ方向一方面上に配置され且つ前記金属支持層より導電率が高い表面金属層と、を備える金属支持基板の厚さ方向一方面上に第１金属薄膜を形成する、第１金属薄膜形成工程と、前記第１金属薄膜の厚さ方向一方面上に、貫通孔を有する絶縁層を形成する、絶縁層形成工程と、前記絶縁層の厚さ方向一方面上、および、前記貫通孔にて露出している前記第１金属薄膜の部分の上に、第２金属薄膜を形成する、第２金属薄膜形成工程と、前記第２金属薄膜の厚さ方向一方面上に、前記貫通孔に配置されるビア部を含む導体層を形成する、導体層形成工程と、を含む配線回路基板の製造方法を含む。

本発明［７］は、金属支持層と、当該金属支持層の厚さ方向一方面上に配置され且つ前記金属支持層より導電率が高い表面金属層と、を備える金属支持基板の厚さ方向一方面上に第１金属薄膜を形成する、第１金属薄膜形成工程と、前記第１金属薄膜の厚さ方向一方面上に貫通孔を有する絶縁層を形成する、絶縁層形成工程と、前記貫通孔にて露出している前記第１金属薄膜の部分を除去し、前記貫通孔にて前記金属支持基板を露出させる、除去工程と、前記絶縁層の厚さ方向一方面上、および、前記貫通孔にて露出している前記金属支持基板の部分の上に、第２金属薄膜を形成する、第２金属薄膜形成工程と、前記第２金属薄膜の厚さ方向一方面上に、前記貫通孔に配置されるビア部を含む導体層を形成する、導体層形成工程と、を含む配線回路基板の製造方法を含む。

本発明の配線回路基板においては、上記のように、金属支持基板が、金属支持層と、当該金属支持層の厚さ方向一方面上に配置され且つ金属支持層より導電率が高い表面金属層とを備える。このような構成は、金属支持基板の厚さ方向一方側に配置される導体層と、金属支持基板との間において、低抵抗の電気的接続を実現するのに適する。

本発明の配線回路基板においては、上記のように、金属支持層より導電率が高い表面金属層が、金属支持層の厚さ方向一方面上に配置されている。金属支持層と表面金属層とが他の層を介さずに直接的に接する当該構成は、金属支持基板に対する単一の処理（例えばウェットエッチング処理）によって当該金属支持基板を効率よくパターン加工するのに適する。

本発明の配線回路基板の製造方法は、このような配線回路基板を製造するのに適する。

本発明の配線回路基板の一実施形態の部分断面図である。 図１に示す配線回路基板の一部拡大断面図である。 図１に示す配線回路基板の製造方法における一部の工程を表す。図３Ａは、用意工程を表し、図３Ｂは、第１金属薄膜形成工程を表し、図３Ｃは、ベース絶縁層形成工程を表す。 図３に示す工程の後に続く工程を表す。図４Ａは、第２金属薄膜形成工程を表し、図４Ｂは、導体層形成工程を表し、図４Ｃは、エッチング工程を表し、図４Ｄは、カバー絶縁層形成工程を表す。 本発明の配線回路基板の他の実施形態の部分断面図である。 図５に示す配線回路基板の一部拡大断面図である。 図５に示す配線回路基板の製造方法における一部の工程を表す。図７Ａは、除去工程を表し、図７Ｂは、第２金属薄膜形成工程を表し、図７Ｃは、導体層形成工程を表す。 図７に示す工程の後に続く工程を表す。図８Ａは、エッチング工程を表し、図８Ｂは、カバー絶縁層形成工程を表す。

本発明の配線回路基板の一実施形態としての配線回路基板Ｘ１は、図１および図２に示すように、金属支持基板１０と、第１金属薄膜２１と、ベース絶縁層としての絶縁層２２と、第２金属薄膜２３と、導体層２４と、カバー絶縁層としての絶縁層２５とを、厚さ方向一方側に向かって順に備える。配線回路基板Ｘ１は、厚さ方向と直交する方向（面方向）に広がり、所定の平面視形状を有する。

金属支持基板１０は、金属支持層１１と、表面金属層１２とを備える。

金属支持層１１は、配線回路基板Ｘ１の強度を確保するための基材である。金属支持層１１の材料としては、例えば、ステンレス鋼、銅、銅合金、アルミニウム、ニッケル、チタン、および４２アロイが挙げられる。ステンレス鋼としては、例えば、ＡＩＳＩ（米国鉄鋼協会）の規格に基づくＳＵＳ３０４が挙げられる。金属支持層１１の強度の観点からは、金属支持層１１は、好ましくは、ステンレス鋼、銅合金、アルミニウム、ニッケル、およびチタンからなる群より選択される少なくとも一種を含み、より好ましくは、ステンレス鋼、銅合金、アルミニウム、ニッケル、およびチタンからなる群より選択される少なくとも一種からなる。金属支持層１１の強度と導電性との両立の観点からは、金属支持層１１は、好ましくは銅合金よりなる。金属支持層１１の厚さは、例えば１５μｍ以上である。金属支持層１１の厚さは、例えば５００μｍ以下、好ましくは２５０μｍ以下である。

表面金属層１２は、金属支持層１１の厚さ方向一方面上に配置されている（表面金属層１２は、金属支持層１１に接する）。本実施形態では、表面金属層１２は、金属支持層１１の厚さ方向一方側の全面に配置されている。表面金属層１２としては、例えば、スパッタリング法によって成膜された膜（スパッタ膜）、メッキ法によって形成された膜（メッキ膜）、および、真空蒸着法によって成膜された膜（真空蒸着膜）が挙げられる。

表面金属層１２は、金属支持層１１より導電率が高い。表面金属層１２の導電性の観点から、表面金属層１２は、好ましくは、金、銀、および銅からなる群より選択される少なくとも一種を含み、より好ましくは、金、銀、および銅からなる群より選択される少なくとも一種からなる。金属支持層１１が銅合金製である場合における表面金属層１２の成膜性の観点から、表面金属層１２は、好ましくは銅よりなる。

表面金属層１２の厚さは、好ましくは０.５μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上である。

第１金属薄膜２１は、金属支持基板１０の厚さ方向一方面上に配置されている。本実施形態では、第１金属薄膜２１は、金属支持基板１０の厚さ方向一方側の全面に配置されている。

第１金属薄膜２１は、金属支持基板１０に対する絶縁層２２の密着性を確保するための層である。第１金属薄膜２１としては、例えば、スパッタリング法によって成膜された膜（スパッタ膜）、メッキ法によって成膜された膜（メッキ膜）、および、真空蒸着法によって成膜された膜（真空蒸着膜）が挙げられる。

第１金属薄膜２１の材料としては、例えば、クロム、ニッケル、およびチタンが挙げられる。第１金属薄膜２１の材料は、クロム、ニッケル、およびチタンからなる群より選択される２以上の金属を含む合金であってもよい。第１金属薄膜２１の材料としては、好ましくはクロムが用いられる。

第１金属薄膜２１の厚さは、例えば１ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは２０ｎｍ以上である。第１金属薄膜２１の厚さは、例えば１００００ｎｍ以下、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは５００ｎｍ以下である。

絶縁層２２は、第１金属薄膜２１の厚さ方向一方面上に配置されている。絶縁層２２の材料としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、およびポリ塩化ビニルなどの樹脂材料が挙げられる（後述の絶縁層２５の材料としても、同様の樹脂材料が挙げられる）。絶縁層２２の厚さは、例えば１μｍ以上、好ましくは３μｍ以上である。絶縁層２２の厚さは、例えば３５μｍ以下である。

絶縁層２２は、当該絶縁層２２を厚さ方向に貫通する貫通孔２２ａを有する。貫通孔２２ａは、平面視において例えば略円形状を有する。貫通孔２２ａは、本実施形態では、傾斜した内壁面２２ｂを有する。内壁面２２ｂは、金属支持基板１０に近い部分ほど内側に配置されるように傾斜している。すなわち、内壁面２２ｂは、金属支持基板１０に近い部分ほど貫通孔２２ａの開口断面積が小さくなるように、傾斜している。第１金属薄膜２１は、貫通孔２２ａに臨む部分２１ａを有する。

第２金属薄膜２３は、本実施形態では、絶縁層２２の厚さ方向一方面上と、貫通孔２２ａの内壁面２２ｂ上と、貫通孔２２ａに臨む第１金属薄膜２１の部分２１ａの上とに、連続して配置されている。第２金属薄膜２３は、貫通孔２２ａ外に配置されている第２金属薄膜２３Ａと、貫通孔２２ａ内に配置されている第２金属薄膜２３Ｂとを含む。第２金属薄膜２３Ｂは、例えば図２に示す縦断面において、凹形状を有する。絶縁層２２上において、第２金属薄膜２３Ａは、所定のパターン形状を有する。貫通孔２２ａにおいて、第２金属薄膜２３Ｂは、第１金属薄膜２１と接続されている。第２金属薄膜２３Ａと第２金属薄膜２３Ｂとは、繋がっている。

第２金属薄膜２３は、導体層２４を形成するためのシード層である。第２金属薄膜２３としては、例えば、スパッタ膜、メッキ膜、および真空蒸着膜が挙げられる。

第２金属薄膜２３の材料としては、例えば、クロム、銅、ニッケル、およびチタンが挙げられる。第２金属薄膜２３の材料は、クロム、銅、ニッケル、およびチタンからなる群より選択される２以上の金属を含む合金であってもよい。第２金属薄膜２３の材料としては、好ましくはクロムが用いられる。第２金属薄膜２３は、単層構造を有してもよく、２層以上の多層構造を有してもよい。第２金属薄膜２３が多層構造を有する場合、当該第２金属薄膜２３は、例えば、下層としてのクロム層と、当該クロム層上の銅層とからなる。

第２金属薄膜２３の厚さは、例えば１ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上である。第２金属薄膜２３の厚さは、例えば５００ｎｍ以下、好ましくは２００ｎｍ以下である。

導体層２４は、第２金属薄膜２３の厚さ方向一方面上に配置されている。導体層２４は、貫通孔２２ａ外に配置されている配線部２４Ａと、貫通孔２２ａ内に配置されているビア部２４Ｂとを含む。配線部２４Ａとビア部２４Ｂとは、繋がっている。配線部２４Ａは、所定のパターン形状を有する。ビア部２４Ｂは、例えば図２に示す縦断面において、凹形状を有する。ビア部２４Ｂは、傾斜した周側面２４ｂを有する。周側面２４ｂは、金属支持基板１０に近い部分ほど内側に配置されるように傾斜している。すなわち、周側面２４ｂは、金属支持基板１０に近い部分ほどビア部２４Ｂの横断面積が小さくなるように、傾斜している。

導体層２４の材料としては、例えば、銅、ニッケル、および金が挙げられる。導体層２４の材料は、銅、ニッケル、および金からなる群より選択される２以上の金属を含む合金であってもよい。導体層２４の材料としては、好ましくは銅が用いられる。

絶縁層２２上において、第２金属薄膜２３Ａと、第２金属薄膜２３Ａ上の配線部２４Ａとが、所定のパターン形状を有する配線層３１を形成する。貫通孔２２ａにおいて、第１金属薄膜２１の部分２１ａと、第２金属薄膜２３Ｂと、第２金属薄膜２３Ｂ上のビア部２４Ｂとが、ビア３２を形成する。ビア３２は、金属支持基板１０において金属支持層１１より高導電率の表面金属層１２と接続されている。金属支持基板１０と配線層３１とは、ビア３２を介して電気的に接続されている。配線層３１は、ビア３２および金属支持基板１０を介してグラウンド接続可能である。

配線層３１の厚さは、例えば３μｍ以上、好ましくは５μｍ以上である。配線層３１の厚さは、例えば５０μｍ以下、好ましくは３０μｍ以下である。配線層３１の幅（配線層３１の延び方向と直交する方向の寸法）は、例えば５μｍ以上、好ましくは８μｍ以上である。配線層３１の幅は、例えば１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下である。

絶縁層２５は、絶縁層２２の厚さ方向一方側において配線層３１およびビア３２を覆うように配置されている。絶縁層２５は、配線層３１および／またはビア３２を部分的に露出させる開口部を有してもよい。すなわち、絶縁層２５が開口部を有し、当該開口部にて配線層３１および／またはビア３２が露出していてもよい。配線層３１および／またはビア３２において当該開口部にて露出する部分は、例えば、配線回路基板Ｘ１の端子部として機能できる。このような絶縁層２５の厚さは、例えば４μｍ以上、好ましくは６μｍ以上である。絶縁層の厚さは、例えば６０μｍ以下、好ましくは４０μｍ以下である。

図３および図４は、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態として、配線回路基板Ｘ１の製造方法を表す。図３および図４は、本製造方法を、図１に相当する断面の変化として表す。

本製造方法では、まず、図３Ａに示すように、金属支持基板１０を用意する（用意工程）。金属支持基板１０は、基材としての金属支持層１１の上に表面金属層１２を形成することによって用意できる。表面金属層１２の形成方法としては、例えば、スパッタリング法、メッキ法、および真空蒸着法が挙げられる。表面金属層１２は、好ましくはメッキ法によって形成される。

次に、図３Ｂに示すように、金属支持基板１０上に第１金属薄膜２１を形成する（第１金属薄膜形成工程）。第１金属薄膜２１の形成方法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、およびメッキ法が挙げられる。メッキ法としては、電解メッキ法および無電解メッキ法が挙げられる。第１金属薄膜２１は、好ましくはスパッタリング法によって形成される。

次に、図３Ｃに示すように、第１金属薄膜２１の厚さ方向一方面上に絶縁層２２を形成する（ベース絶縁層形成工程）。本工程では、例えば次のようにして、絶縁層２２を形成する。まず、第１金属薄膜２１上に、感光性樹脂の溶液（ワニス）を塗布して塗膜を形成する。次に、この塗膜を加熱によって乾燥させる。次に、塗膜に対して、所定のマスクを介しての露光処理と、その後の現像処理と、その後に必要に応じてベイク処理とを施す。例えば以上のようにして、貫通孔２２ａを有する絶縁層２２を第１金属薄膜２１上に形成できる。貫通孔２２ａには、第１金属薄膜２１の部分２１ａが露出している。

次に、図４Ａに示すように、第２金属薄膜２３を形成する（第２金属薄膜形成工程）。本工程において、第２金属薄膜２３は、絶縁層２２の厚さ方向一方面上と、貫通孔２２ａの内壁面２２ｂ上と、貫通孔２２ａにて露出している第１金属薄膜２１の部分２１ａの上とに、連続して形成される（第２金属薄膜２３は、貫通孔２２ａ外の第２金属薄膜２３Ａと、貫通孔２２ａ内の第２金属薄膜２３Ｂとを含む）。第２金属薄膜２３の形成方法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、およびメッキ法が挙げられる。メッキ法としては、電解メッキ法および無電解メッキ法が挙げられる。第２金属薄膜２３は、好ましくはスパッタリング法によって形成される。

次に、図４Ｂに示すように、第２金属薄膜２３の厚さ方向一方面上に導体層２４を形成する（導体層形成工程）。具体的には、例えば次のとおりである。

まず、第２金属薄膜２３上にレジストパターンを形成する。レジストパターンは、導体層２４のパターン形状に相当する形状の開口部を有する。レジストパターンの形成においては、まず、感光性のレジストフィルムを第２金属薄膜２３上に貼り合わせてレジスト膜を形成する。次に、レジスト膜に対し、所定マスクを介しての露光処理と、その後の現像処理と、その後に必要に応じてベイク処理とを施す。導体層２４の形成においては、次に、例えば電解メッキ法により、レジストパターンの開口部内の第２金属薄膜２３上に上記した金属を成長させる。次に、レジストパターンを除去する。例えば以上のようにして、第２金属薄膜２３の厚さ方向一方面上に、所定パターンの導体層２４を形成できる（導体層２４は、第２金属薄膜２３Ａ上の配線部２４Ａと、第２金属薄膜２３Ｂ上のビア部２４Ｂとを含む）。

本製造方法では、次に、図４Ｃに示すように、第２金属薄膜２３において、導体層２４で覆われていない部分を、エッチングにより除去する（エッチング工程）。これにより、配線層３１（配線部２４Ａ，第２金属薄膜２３Ａ）およびビア３２（ビア部２４Ｂ，第２金属薄膜２３Ｂ，部分２１ａ）が形成される。本工程の後、例えば無電解メッキ法または電解メッキ法により、配線層３１の表面にニッケル被膜を形成してもよい。

次に、図４Ｄに示すように、絶縁層２２上に、配線層３１およびビア３２を覆うように絶縁層２５を形成する（カバー絶縁層形成工程）。本工程では、例えば次のようにして、絶縁層２２を形成する。まず、絶縁層２２上、配線層３１およびビア３２上に、感光性樹脂の溶液（ワニス）を塗布して塗膜を形成する。次に、この塗膜を乾燥させる。次に、塗膜に対して、所定のマスクを介しての露光処理と、その後の現像処理と、その後に必要に応じてベイク処理とを施す。例えば以上のようにして、カバー絶縁層としての絶縁層２２を形成できる。

本実施形態では、次に、金属支持基板１０に対するエッチング処理により、金属支持基板１０をパターン加工する。このパターン加工には、例えば、金属支持基板１０の外形（平面視における外郭形状）を形成する加工、および、金属支持基板１０において周囲から離隔する例えばアイランド部を形成する加工が含まれる。例えば本工程の後、金属支持基板１０の露出表面に、電解メッキ法または無電解メッキ法によって金メッキ膜を形成してもよい。金属支持基板１０の露出表面には、具体的には、金属支持基板１０の厚さ方向一方面（表面金属層１２）において絶縁層２５によって覆われていない表面、金属支持基板１０の側面、および、金属支持基板１０の厚さ方向他方面（図中下面）が含まれる。

以上のようにして、配線回路基板Ｘ１を製造できる。

配線回路基板Ｘ１においては、上述のように、金属支持基板１０が、金属支持層１１と、当該金属支持層１１の厚さ方向一方面上に配置され且つ金属支持層１１より導電率が高い表面金属層１２とを備える。ビア３２は、金属支持基板１０において金属支持層１１より高導電率の表面金属層１２と接続されている。したがって、配線回路基板Ｘ１は、金属支持基板１０の厚さ方向一方側に配置される配線層３１と、金属支持基板１０との間において、低抵抗の電気的接続を実現するのに適する。

また、配線回路基板Ｘ１においては、上述のように、金属支持層１１より導電率が高い表面金属層１２が、金属支持層１１の厚さ方向一方面上に配置されている。金属支持層１１と表面金属層１２とが、めっきシード層としてのＣｒ層など他の層を介さずに直接的に接する当該構成は、金属支持基板１０に対する単一の処理によって当該金属支持基板１０を効率よくパターン加工するのに適する。

以上のように、配線回路基板Ｘ１は、金属支持基板１０と、金属支持基板１０上の絶縁層２２上に形成される配線層３１との間において、低抵抗の電気的接続を実現するのに適するとともに、金属支持基板１０を効率よくパターン加工するのに適する。

図５および図６は、本発明の配線回路基板の他の実施形態としての配線回路基板Ｘ２を表す。配線回路基板Ｘ２は、金属支持基板１０と、第１金属薄膜２１と、ベース絶縁層としての絶縁層２２と、第２金属薄膜２３と、導体層２４と、カバー絶縁層としての絶縁層２５とを、厚さ方向一方側に向かって順に備える。配線回路基板Ｘ２では、第１金属薄膜２１が開口部２１ｂを有し、且つ、開口部２１ｂにおいて第２金属薄膜２３が第１金属薄膜２１と接続されている。このこと以外について、配線回路基板Ｘ２は、配線回路基板Ｘ１と同じ構成を有する。

配線回路基板Ｘ２において、第１金属薄膜２１の開口部２１ｂは、第１金属薄膜２１を厚さ方向に貫通する。開口部２１ｂは、平面視において例えば略円形状を有する。開口部２１ｂは、絶縁層２２の貫通孔２２ａに沿って開口している。すなわち、貫通孔２２ａと開口部２１ｂとは、平面視において重なる。貫通孔２２ａと開口部２１ｂとは、貫通孔Ｈを形成する。

配線回路基板Ｘ２において、第２金属薄膜２３は、絶縁層２２の厚さ方向一方面上と、貫通孔Ｈに臨む第１金属薄膜２１の部分２１ａの上とに、連続して配置されている（第２金属薄膜２３は、貫通孔Ｈ外の第２金属薄膜２３Ａと、貫通孔Ｈ内の第２金属薄膜２３Ｂとを含む）。開口部Ｈにおいて、第２金属薄膜２３Ｂは、金属支持基板１０と直接に接続されている。

本実施形態では、貫通孔Ｈにおいて、第２金属薄膜２３Ｂと、第２金属薄膜２３Ｂ上のビア部２４Ｂとが、ビア３２を形成する。ビア３２は、金属支持基板１０において金属支持層１１より高導電率の表面金属層１２と接続されている。金属支持基板１０と配線層３１とは、ビア３２を介して電気的に接続されている。配線層３１は、ビア３２および金属支持基板１０を介してグラウンド接続可能である。

図７および図８は、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態として、配線回路基板Ｘ２の製造方法における一部の工程を表す。図７および図８は、本製造方法を、図５に相当する断面の変化として表す。

本製造方法では、まず、図３Ａから図３Ｃを参照して上述したのと同様に、用意工程と、第１金属薄膜形成工程と、ベース絶縁層形成工程とを実施する。

次に、絶縁層２２の貫通孔２２ａにて露出している第１金属薄膜２１の部分２１ａを除去する。これにより、図７Ａに示すように、貫通孔２２ａにて金属支持基板１０の一部（部分１０ａ）を露出させる（除去工程）。本工程では、第１金属薄膜２１において、部分２１ａの除去によって開口部２１ｂが形成される（開口部２１ｂは、貫通孔２２ａに沿って開口し、貫通孔２２ａと開口部２１ｂとによって開口部Ｈが形成される）。

本工程での除去方法としては、ウェットエッチングおよびドライエッチングが挙げられ、ウェットエッチングが好ましい。当該ウェットエッチングのためのエッチング液としては、例えば、硝酸第二セリウムアンモニウム溶液、苛性ソーダ水溶液、過マンガン酸カリウム溶液、およびメタケイ酸ナトリウム溶液が挙げられ、好ましくは、硝酸第二セリウムアンモニウム溶液が用いられる。当該ウェットエッチングにおけるエッチング液の温度は、例えば２０℃以上であり、好ましくは３０℃以上である。同エッチング液温度は、例えば８０℃以下であり、好ましくは６５℃以下である。当該ウェットエッチングにおけるエッチング時間（浸漬時間）は、例えば１分以上である。同エッチング時間は、例えば１５分以下であり、好ましくは１０分以下である。

次に、図７Ｂに示すように、第２金属薄膜２３を形成する（第２金属薄膜形成工程）。本工程において、第２金属薄膜２３は、絶縁層２２の厚さ方向一方面上、および、貫通孔Ｈにて露出している金属支持基板１０の部分１０ａの上に、連続して形成される（第２金属薄膜２３は、貫通孔２２ａ外の第２金属薄膜２３Ａと、貫通孔２２ａ内の第２金属薄膜２３Ｂとを含む）。第２金属薄膜２３の形成方法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、およびメッキ法が挙げられる。メッキ法としては、電解メッキ法および無電解メッキ法が挙げられる。第２金属薄膜２３は、好ましくはスパッタリング法によって形成される。

次に、図７Ｃに示すように、第２金属薄膜２３の厚さ方向一方面上に導体層２４を形成する（導体層形成工程）。具体的には、図４Ｂを参照して上述した導体形成工程と同様である。

次に、図８Ａに示すように、第２金属薄膜２３において、導体層２４で覆われていない部分を、エッチングにより除去する（エッチング工程）。これにより、配線層３１（配線部２４Ａ，第２金属薄膜２３Ａ）およびビア３２（ビア部２４Ｂ，第２金属薄膜２３Ｂ）が形成される。

次に、図８Ｂに示すように、絶縁層２２上に、配線層３１およびビア３２を覆うように絶縁層２５を形成する（カバー絶縁層形成工程）。具体的には、図４Ｄを参照して上述したカバー絶縁層形成工程と同様である。

本実施形態では、次に、金属支持基板１０に対するエッチング処理により、金属支持基板１０をパターン加工する。このパターン加工には、例えば、金属支持基板１０の外形（平面視における外郭形状）を形成する加工、および、金属支持基板１０において周囲から離隔する例えばアイランド部を形成する加工が含まれる。

以上のようにして、配線回路基板Ｘ２を製造できる。

本製造方法では、ベース絶縁層形成工程（図３Ｃに示す）より後に、除去工程（図７Ａに示す）が実施される。除去工程では、第１金属薄膜２１の部分２１ａが除去され、貫通孔２２ａにて金属支持基板１０が露出される。このような除去工程では、第１金属薄膜２１において貫通孔２２ａに臨む部分２１ａ（図３Ｃに示される）の表面が仮に酸化されている場合であっても、酸化膜付きの当該部分２１ａを除去できる。その後の第２金属薄膜形成工程（図７Ｂに示す）では、貫通孔２２ａに臨む金属支持基板１０の部分１０ａの上に第２金属薄膜２３Ｂが形成される。そして、導体層形成工程（図７Ｃに示す）では、第２金属薄膜２３Ｂ上にビア部２４Ｂが形成される。これにより、貫通孔２２ａ内にビア３２（第２金属薄膜２３Ｂ，ビア部２４Ｂ）が形成される。

このように、本製造方法によると、第１金属薄膜２１を介さずに金属支持基板１０と接続されるビア３２が形成される。したがって、本製造方法は、金属支持基板１０と、配線層３１との間において、低抵抗の電気的接続を実現するのに適する。

配線回路基板Ｘ２においては、配線回路基板Ｘ１と同様に、金属支持基板１０が、金属支持層１１の厚さ方向一方面上に配置され且つ金属支持層１１より導電率が高い表面金属層１２を備える。また、ビア３２は、金属支持基板１０において金属支持層１１より高導電率の表面金属層１２と接続されている。そのため、配線回路基板Ｘ２は、配線回路基板Ｘ１と同様に、金属支持基板１０と配線層３１との間において、低抵抗の電気的接続を実現するのに適するとともに、金属支持基板１０を効率よくパターン加工するのに適する。

Ｘ１，Ｘ２ 配線回路基板
１０ 金属支持基板
１１ 金属支持層
１２ 表面金属層
２１ 第１金属薄膜
２１ｂ 開口部
２２ 絶縁層
２２ａ，Ｈ 貫通孔
２２ｂ 内壁面
２３，２３Ａ，２３Ｂ 第２金属薄膜
２４ 導体層
２４Ａ 配線部
２４Ｂ ビア部
２４ｂ 周側面
２５ 絶縁層
３１ 配線層
３２ ビア

Claims (6)

1. 金属支持基板と、第１金属薄膜と、絶縁層と、第２金属薄膜と、導体層とを、厚さ方向一方側に向かって順に備え、
   前記金属支持基板は、金属支持層と、当該金属支持層の厚さ方向一方面上に配置され且つ前記金属支持層より導電率が高い表面金属層とを備え、
   前記金属支持層は、ステンレス鋼、銅合金、ニッケル、およびチタンからなる群より選択される少なくとも一種を含み、
   前記絶縁層は、当該絶縁層を厚さ方向に貫通する貫通孔を有し、
   前記導体層は、前記貫通孔に配置され且つ前記金属支持基板と電気的に接続されているビア部を有する、配線回路基板。
2. 前記表面金属層が、金、銀、および銅からなる群より選択される少なくとも一種を含む、請求項１に記載の配線回路基板。
3. 前記ビア部が、前記第１金属薄膜および前記第２金属薄膜を介して前記金属支持基板と電気的に接続されている、請求項１または２に記載の配線回路基板。
4. 前記第１金属薄膜が、前記貫通孔に沿って開口する開口部を有し、
   前記ビア部が、前記第２金属薄膜を介して前記金属支持基板と電気的に接続されている、請求項１または２に記載の配線回路基板。
5. 金属支持層と、当該金属支持層の厚さ方向一方面上に配置され且つ前記金属支持層より導電率が高い表面金属層と、を備える金属支持基板であって、前記金属支持層が、ステンレス鋼、銅合金、ニッケル、およびチタンからなる群より選択される少なくとも一種を含む金属支持基板の厚さ方向一方面上に、第１金属薄膜を形成する、第１金属薄膜形成工程と、
   前記第１金属薄膜の厚さ方向一方面上に、貫通孔を有する絶縁層を形成する、絶縁層形成工程と、
   前記絶縁層の厚さ方向一方面上、および、前記貫通孔にて露出している前記第１金属薄膜の部分の上に、第２金属薄膜を形成する、第２金属薄膜形成工程と、
   前記第２金属薄膜の厚さ方向一方面上に、前記貫通孔に配置されるビア部を含む導体層を形成する、導体層形成工程と、を含む配線回路基板の製造方法。
6. 金属支持層と、当該金属支持層の厚さ方向一方面上に配置され且つ前記金属支持層より導電率が高い表面金属層と、を備える金属支持基板であって、前記金属支持層が、ステンレス鋼、銅合金、ニッケル、およびチタンからなる群より選択される少なくとも一種を含む金属支持基板の厚さ方向一方面上に、第１金属薄膜を形成する、第１金属薄膜形成工程と、
   前記第１金属薄膜の厚さ方向一方面上に貫通孔を有する絶縁層を形成する、絶縁層形成工程と、
   前記貫通孔にて露出している前記第１金属薄膜の部分を除去し、前記貫通孔にて前記金属支持基板を露出させる、除去工程と、
   前記絶縁層の厚さ方向一方面上、および、前記貫通孔にて露出している前記金属支持基板の部分の上に、第２金属薄膜を形成する、第２金属薄膜形成工程と、
   前記第２金属薄膜の厚さ方向一方面上に、前記貫通孔に配置されるビア部を含む導体層を形成する、導体層形成工程と、を含む配線回路基板の製造方法。

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