JP2024046956A - 配線回路基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】配線支持部が周囲の部材と接触してしまうことを抑制できる配線回路基板を提供する。【解決手段】配線回路基板１は、絶縁層１２と、厚み方向における第１絶縁層１２の一方側に配置される導体パターン１３と、厚み方向における第１絶縁層１２の他方側に配置される金属支持層１１とを備える。金属支持層１１は、導体パターン１３の端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃを支持する端子支持部１１１Ａと、導体パターン１３の配線１３３Ａを支持する配線支持部１１２Ａと、導体パターン１３の配線１３３Ｂを支持する配線支持部１１２Ｂとを有する。配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂのそれぞれの厚みＴ２は、端子支持部１１１Ａの厚みＴ１よりも薄い。【選択図】図２
Description
本発明は、配線回路基板に関する。
従来、ヒートシンクとして機能する金属系支持層を備える配線回路基板において、第１連結体と、第１連結体から離れて配置される第２連結体と、第１連結体と第２連結体との間に配置され、互いに間隔を隔てて並ぶ複数の配線体とを設けて、放熱性の向上を図ることが提案されている（例えば、下記特許文献１参照。）。
上記した特許文献１に記載されるような配線回路基板において、配線体が第１連結体と第２連結体との間で動いた場合、配線体の金属系支持層が周囲の部材と接触してしまう可能性がある。
本発明は、配線支持部が周囲の部材と接触してしまうことを抑制できる配線回路基板を提供する。
本発明［１］は、絶縁層と、前記厚み方向における前記絶縁層の一方側に配置され、第１端子と、第２端子と、前記第１端子と接続される第１配線と、前記第２端子と接続され、前記第１配線と間隔を隔てて並ぶ第２配線とを有する導体パターンと、前記厚み方向における前記絶縁層の他方側に配置され、前記第１端子および前記第２端子を支持する端子支持部と、前記第１配線を支持する第１配線支持部と、前記第２配線を支持し、前記第１配線支持部と間隔を隔てて並ぶ第２配線支持部とを有する金属支持層とを備え、前記第１配線支持部および前記第２配線支持部のそれぞれの厚みが、前記端子支持部の厚みよりも薄い、配線回路基板を含む。
このような構成によれば、第１配線支持部および第２配線支持部のそれぞれの厚みが、端子支持部の厚みよりも薄い。
そのため、配線支持部が周囲の部材と接触してしまうことを抑制できる。
本発明［２］は、前記金属支持層が、第１金属支持層と、前記厚み方向において前記第１金属支持層と前記絶縁層との間に配置される第２金属支持層とを有し、前記第１配線支持部および前記第２配線支持部のそれぞれの前記第２金属支持層の厚みが、前記端子支持部の前記第２金属支持層の厚みよりも薄い、上記［１］の配線回路基板を含む。
このような構成によれば、第１配線支持部および第２配線支持部のそれぞれの第２金属支持層の厚みを端子支持部の第２金属支持層の厚みよりも薄くすることにより、第１配線支持部および第２配線支持部のそれぞれの厚みを端子支持部の厚みよりも薄くして、配線支持部が周囲の部材と接触してしまうことを抑制できる。
本発明［３］は、前記端子支持部が、第１金属支持層と、前記厚み方向において前記第１金属支持層と前記絶縁層との間に配置される第２金属支持層とを有し、前記第１配線支持部および前記第２配線支持部のそれぞれが、前記第１金属支持層を有し、前記第２金属支持層を有さない、上記［１］の配線回路基板を含む。
このような構成によれば、第１配線支持部および第２配線支持部のそれぞれに第２金属支持層を設けないことにより、第１配線支持部および第２配線支持部のそれぞれの厚みを端子支持部の厚みよりも薄くして、配線支持部が周囲の部材と接触してしまうことを抑制できる。
本発明［４］は、前記端子支持部が、第１金属支持層と、前記厚み方向において前記第１金属支持層と前記絶縁層との間に配置される第２金属支持層と、前記厚み方向において前記第２金属支持層と前記絶縁層との間に配置される第３金属支持層とを有し、前記第１配線支持部および前記第２配線支持部のそれぞれが、前記第１金属支持層および前記第３金属支持層を有し、前記第２金属支持層を有さない、上記［１］の配線回路基板を含む。
このような構成によれば、第１配線支持部および第２配線支持部のそれぞれに第２金属支持層を設けないことにより、第１配線支持部および第２配線支持部のそれぞれの厚みを端子支持部の厚みよりも薄くして、配線支持部が周囲の部材と接触してしまうことを抑制できる。
本発明の配線回路基板によれば、配線支持部が周囲の部材と接触してしまうことを抑制できる。
１．配線回路基板
図１から図３を参照して、配線回路基板１について説明する。
図１から図３を参照して、配線回路基板１について説明する。
図１に示すように、配線回路基板１は、２つの端子配置部２Ａ，２Ｂと、複数の接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃとを有する。端子配置部２Ａ，２Ｂは、第１方向において、互いに間隔を隔てて配置される。第１方向は、配線回路基板１の厚み方向と直交する。端子配置部２Ａ，２Ｂのそれぞれは、第２方向に延びる。第２方向は、第１方向および厚み方向の両方と直交する。端子配置部２Ａには、後述する導体パターン１３の端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃが配置される。端子配置部２Ｂには、後述する導体パターン１３の端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃが配置される。
接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃは、端子配置部２Ａと端子配置部２Ｂとを繋ぐ。接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃは、第１方向において、端子配置部２Ａと端子配置部２Ｂとの間に配置される。本実施形態では、接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれは、第１方向に延びる。第１方向における接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれの一端部は、端子配置部２Ａと接続される。第１方向における接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれの他端部は、端子配置部２Ｂと接続される。なお、接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれの形状は、限定されない。接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれは、直線形状であってもよいし、湾曲していてもよい。接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃは、第２方向において、互いに間隔を隔てて並ぶ。言い換えると、接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃは、接続部３Ａが延びる方向と直交する方向において、互いに間隔を隔てて並ぶ。接続部３Ａには、後述する導体パターン１３の配線１３３Ａが配置される。接続部３Ｂには、後述する導体パターン１３の配線１３３Ｂが配置される。接続部３Ｃには、後述する導体パターン１３の配線１３３Ｃが配置される。
接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれの幅Ｗ０は、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。幅Ｗ０は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上である。
なお、「幅」とは、接続部が延びる方向と厚み方向との両方と直交する方向における最大の長さである。例えば、接続部３Ａの「幅」とは、接続部３Ａが延びる方向と厚み方向との両方と直交する方向における最大の長さである。本実施形態では、「幅」とは、第２方向における最大の長さである。
接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれの間隔Ｄ１は、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。間隔Ｄ１は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上である。
図２Ａおよび図２Ｂに示すように、配線回路基板１は、金属支持層１１と、絶縁層の一例としての第１絶縁層１２と、導体パターン１３と、第２絶縁層１４とを備える。
（１）金属支持層
金属支持層１１は、第１絶縁層１２、導体パターン１３とおよび第２絶縁層１４を支持する。金属支持層１１は、厚み方向において、第１絶縁層１２の他方側に配置される。
金属支持層１１は、第１絶縁層１２、導体パターン１３とおよび第２絶縁層１４を支持する。金属支持層１１は、厚み方向において、第１絶縁層１２の他方側に配置される。
図３に示すように、金属支持層１１は、２つの端子支持部１１１Ａ，１１１Ｂと、複数の配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃとを有する。
端子支持部１１１Ａは、端子配置部２Ａ（図１参照）の金属支持層１１である。端子支持部１１１Ａは、導体パターン１３のうちの少なくとも端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃを支持する。端子支持部１１１Ａは、導体パターン１３のうちの配線１３３Ａ，１３３Ｂ，１３３Ｃのそれぞれの一部を支持してもよい。
端子支持部１１１Ｂは、端子配置部２Ｂ（図１参照）の金属支持層１１である。端子支持部１１１Ｂは、第１方向において、端子支持部１１１Ａと間隔を隔てて配置される。端子支持部１１１Ｂは、導体パターン１３のうちの少なくとも端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃを支持する。端子支持部１１１Ｂは、導体パターン１３のうちの配線１３３Ａ，１３３Ｂ，１３３Ｃのそれぞれの一部を支持してもよい。
配線支持部１１２Ａは、接続部３Ａ（図１参照）の金属支持層１１である。配線支持部１１２Ａは、端子支持部１１１Ａと端子支持部１１１Ｂとを繋ぐ。配線支持部１１２Ａは、第１方向において、端子支持部１１１Ａと端子支持部１１１Ｂとの間に配置される。配線支持部１１２Ａは、第１方向に延びる。第１方向における配線支持部１１２Ａの一端部は、端子支持部１１１Ａと接続される。第１方向における配線支持部１１２Ａの他端部は、端子支持部１１１Ｂと接続される。配線支持部１１２Ａは、配線１３３Ａ（図１参照）を支持する。
配線支持部１１２Ｂは、接続部３Ｂ（図１参照）の金属支持層１１である。配線支持部１１２Ｂは、端子支持部１１１Ａと端子支持部１１１Ｂとを繋ぐ。配線支持部１１２Ｂは、第１方向において、端子支持部１１１Ａと端子支持部１１１Ｂとの間に配置される。配線支持部１１２Ｂは、第１方向に延びる。第１方向における配線支持部１１２Ｂの一端部は、端子支持部１１１Ａと接続される。第１方向における配線支持部１１２Ｂの他端部は、端子支持部１１１Ｂと接続される。配線支持部１１２Ｂは、配線１３３Ｂ（図１参照）を支持する。配線支持部１１２Ｂは、第２方向において、配線支持部１１２Ａと間隔を隔てて並ぶ。
配線支持部１１２Ｃは、接続部３Ｃ（図１参照）の金属支持層１１である。配線支持部１１２Ｃは、端子支持部１１１Ａと端子支持部１１１Ｂとを繋ぐ。配線支持部１１２Ｃは、第１方向において、端子支持部１１１Ａと端子支持部１１１Ｂとの間に配置される。配線支持部１１２Ｃは、第１方向に延びる。第１方向における配線支持部１１２Ｃの一端部は、端子支持部１１１Ａと接続される。第１方向における配線支持部１１２Ｃの他端部は、端子支持部１１１Ｂと接続される。配線支持部１１２Ｃは、配線１３３Ｃ（図１参照）を支持する。配線支持部１１２Ｃは、第２方向において、配線支持部１１２Ｂと間隔を隔てて並ぶ。
図２Ａに示すように、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの厚みＴ１は、端子支持部１１１Ａ，１１１Ｂのそれぞれの厚みＴ２よりも薄い。厚みＴ１は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、例えば、２５０μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。厚みＴ２は、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。厚みＴ１が厚みＴ２よりも薄いため、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃは、端子支持部１１１Ａ，１１１Ｂよりも周囲の部材と接触しにくい。そのため、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃが周囲の部材と接触してしまうことを抑制できる。
図２Ａおよび図２Ｂに示すように、金属支持層１１は、複数の金属層からなる。本実施形態では、金属支持層１１は、複数の金属層として、第１金属支持層１１Ａと、第２金属支持層１１Ｂと、密着層１１Ｃとを有する。
（１－１）第１金属支持層
第１金属支持層１１Ａは、厚み方向において、第１絶縁層１２から離れて配置される。第１金属支持層１１Ａは、金属からなる。第１金属支持層１１Ａの材料として、例えば、銅、ニッケル、コバルト、鉄、および、これらの合金が挙げられる。合金として、例えば、銅合金が挙げられる。第１金属支持層１１Ａの材料として、好ましくは、銅合金が挙げられる。
第１金属支持層１１Ａは、厚み方向において、第１絶縁層１２から離れて配置される。第１金属支持層１１Ａは、金属からなる。第１金属支持層１１Ａの材料として、例えば、銅、ニッケル、コバルト、鉄、および、これらの合金が挙げられる。合金として、例えば、銅合金が挙げられる。第１金属支持層１１Ａの材料として、好ましくは、銅合金が挙げられる。
端子支持部１１１Ａ，１１１Ｂ、および、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃにおいて、第１金属支持層１１Ａの厚みＴ１１は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。好ましくは、端子支持部１１１Ａ，１１１Ｂの第１金属支持層１１Ａの厚みは、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃの第１金属支持層１１Ａの厚みと同じである。なお、「同じ」とは、互いの寸法に差が全く無い場合だけでなく、許容できる寸法公差の範囲内で寸法に差が生じている場合も、「同じ」とみなすという意味である。
第１金属支持層１１Ａは、好ましくは、第２金属支持層１１Ｂよりも厚い。詳しくは、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃにおいて、第２金属支持層１１Ｂの厚みＴ１２２に対する第１金属支持層１１Ａの厚みＴ１１の比率（Ｔ１１／Ｔ１２２）は、例えば、１．５以上、好ましくは、２以上、より好ましくは、４以上であり、例えば、２０以下、好ましくは、１０以下である。
図２Ｂに示すように、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの第１金属支持層１１Ａの幅Ｗ１は、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの第１金属支持層１１Ａの幅Ｗ１は、好ましくは、接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれの幅Ｗ０（図１参照）よりも狭い。配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの第１金属支持層１１Ａの幅Ｗ１は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上である。
配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれにおいて、第１金属支持層１１Ａの幅Ｗ１に対する第１金属支持層１１Ａの厚みＴ１１の比率（Ｔ１１／Ｗ１）は、例えば、１以上、好ましくは、５以上である。比率（Ｔ１１／Ｗ１）が上記下限値以上であると、放熱性の向上を図ることができる。比率（Ｔ１１／Ｗ１）は、例えば、３０以下、好ましくは、１０以下である。比率（Ｔ１１／Ｗ１）が上記上限値以下であると、支持強度の低下を抑制できる。
配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの第１金属支持層１１Ａの間隔Ｄ２は、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。間隔Ｄ２は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上である。間隔Ｄ２は、好ましくは、間隔Ｄ１よりも長い。間隔Ｄ２が間隔Ｄ１よりも長いことにより、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの間からの放熱性を確保できる。
（２）第２金属支持層
図２Ａに示すように、第２金属支持層１１Ｂは、厚み方向において、第１絶縁層１２の他方側に配置される。第２金属支持層１１Ｂは、厚み方向における第１絶縁層１２の他方面上に配置される。第２金属支持層１１Ｂは、厚み方向において、第１金属支持層１１Ａと第１絶縁層１２との間に配置される。第２金属支持層１１Ｂは、金属からなる。第２金属支持層１１Ｂの材料として、例えば、銅、銅合金、ステンレス、ニッケル、チタン、および４２アロイが挙げられる。第２金属支持層１１Ｂの材料は、第１金属支持層１１Ａの材料と同じでもよく、異なっていてもよい。第２金属支持層１１Ｂの材料として、好ましくは、銅合金が挙げられる。
図２Ａに示すように、第２金属支持層１１Ｂは、厚み方向において、第１絶縁層１２の他方側に配置される。第２金属支持層１１Ｂは、厚み方向における第１絶縁層１２の他方面上に配置される。第２金属支持層１１Ｂは、厚み方向において、第１金属支持層１１Ａと第１絶縁層１２との間に配置される。第２金属支持層１１Ｂは、金属からなる。第２金属支持層１１Ｂの材料として、例えば、銅、銅合金、ステンレス、ニッケル、チタン、および４２アロイが挙げられる。第２金属支持層１１Ｂの材料は、第１金属支持層１１Ａの材料と同じでもよく、異なっていてもよい。第２金属支持層１１Ｂの材料として、好ましくは、銅合金が挙げられる。
端子支持部１１１Ａ，１１１Ｂのそれぞれの第２金属支持層１１Ｂの厚みＴ１２１は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。
配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの第２金属支持層１１Ｂの厚みＴ１２２は、端子支持部１１１Ａ，１１１Ｂのそれぞれの第２金属支持層１１Ｂの厚みＴ１２１よりも薄い。配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの第２金属支持層１１Ｂの厚みＴ１２２は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下である。
厚みＴ１２１に対する厚みＴ１２２の比率（Ｔ１２２／Ｔ１２１）は、例えば、０．１以上、好ましくは、０．２以上であり、例えば、１以下、好ましくは、０．５以下である。
図２Ｂに示すように、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの第２金属支持層１１Ｂの幅Ｗ２は、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの第２金属支持層１１Ｂの幅Ｗ２は、好ましくは、接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれの幅Ｗ０以下である。
配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの第２金属支持層１１Ｂの幅Ｗ２は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上である。
配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれにおいて、第２金属支持層１１Ｂの幅Ｗ２は、第１金属支持層１１Ａの幅Ｗ１よりも広い。
（３）密着層
図２Ａに示すように、密着層１１Ｃは、必要により、厚み方向において、第１金属支持層１１Ａと第２金属支持層１１Ｂとの間に配置される。密着層１１Ｃは、厚み方向において、第２金属支持層１１Ｂの他方面上に配置される。密着層１１Ｃは、厚み方向において、第１金属支持層１１Ａの一方面と接触する。密着層１１Ｃは、第２金属支持層１１Ｂに対する第１金属支持層１１Ａの密着性を確保する。密着層１１Ｃは、金属からなる。密着層１１Ｃの材料として、例えば、銅、クロム、ニッケル、および、コバルトが挙げられる。
図２Ａに示すように、密着層１１Ｃは、必要により、厚み方向において、第１金属支持層１１Ａと第２金属支持層１１Ｂとの間に配置される。密着層１１Ｃは、厚み方向において、第２金属支持層１１Ｂの他方面上に配置される。密着層１１Ｃは、厚み方向において、第１金属支持層１１Ａの一方面と接触する。密着層１１Ｃは、第２金属支持層１１Ｂに対する第１金属支持層１１Ａの密着性を確保する。密着層１１Ｃは、金属からなる。密着層１１Ｃの材料として、例えば、銅、クロム、ニッケル、および、コバルトが挙げられる。
密着層１１Ｃの厚みは、例えば、０．０５μｍ以上、好ましくは、０．１μｍ以上であり、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。
（４）絶縁層
第１絶縁層１２は、厚み方向において、第２金属支持層１１Ｂの一方側に配置される。第１絶縁層１２は、厚み方向において、第２金属支持層１１Ｂの一方面上に配置される。第１絶縁層１２は、第２金属支持層１１Ｂと導体パターン１３との間に配置される。第１絶縁層１２は、第２金属支持層１１Ｂと導体パターン１３とを絶縁する。第１絶縁層１２は、樹脂からなる。樹脂として、例えば、ポリイミド、マレイミド、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール、および、ポリエステルが挙げられる。
第１絶縁層１２は、厚み方向において、第２金属支持層１１Ｂの一方側に配置される。第１絶縁層１２は、厚み方向において、第２金属支持層１１Ｂの一方面上に配置される。第１絶縁層１２は、第２金属支持層１１Ｂと導体パターン１３との間に配置される。第１絶縁層１２は、第２金属支持層１１Ｂと導体パターン１３とを絶縁する。第１絶縁層１２は、樹脂からなる。樹脂として、例えば、ポリイミド、マレイミド、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール、および、ポリエステルが挙げられる。
（５）導体パターン
導体パターン１３は、厚み方向において、第１絶縁層１２の一方側に配置される。導体パターン１３は、厚み方向における第１絶縁層１２の一方面上に配置される。導体パターン１３は、厚み方向において、第１絶縁層１２に対して、金属支持層１１の反対側に配置される。導体パターン１３は、金属からなる。金属として、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、クロム、および、それらの合金が挙げられる。良好な電気特性を得る観点から、好ましくは、銅が挙げられる。導体パターン１３の形状は、限定されない。
導体パターン１３は、厚み方向において、第１絶縁層１２の一方側に配置される。導体パターン１３は、厚み方向における第１絶縁層１２の一方面上に配置される。導体パターン１３は、厚み方向において、第１絶縁層１２に対して、金属支持層１１の反対側に配置される。導体パターン１３は、金属からなる。金属として、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、クロム、および、それらの合金が挙げられる。良好な電気特性を得る観点から、好ましくは、銅が挙げられる。導体パターン１３の形状は、限定されない。
図１に示すように、導体パターン１３は、複数の端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃと、複数の端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃと、複数の配線１３３Ａ，１３３Ｂ，１３３Ｃとを有する。
端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃは、端子配置部２Ａに配置される。端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃのそれぞれは、角ランド形状を有する。端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃは、互いに間隔を隔てて第２方向に並ぶ。
端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃは、端子配置部２Ｂに配置される。端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃのそれぞれは、角ランド形状を有する。端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃは、互いに間隔を隔てて第２方向に並ぶ。
配線１３３Ａは、端子１３１Ａと端子１３２Ａとを電気的に接続する。配線１３３Ａの一端部は、端子１３１Ａと接続される。配線１３３Ａの他端部は、端子１３２Ａと接続される。配線１３３Ａの少なくとも一部は、接続部３Ａに配置される。
配線１３３Ｂは、端子１３１Ｂと端子１３２Ｂとを電気的に接続する。配線１３３Ｂの一端部は、端子１３１Ｂと接続される。配線１３３Ｂの他端部は、端子１３２Ｂと接続される。配線１３３Ｂの少なくとも一部は、接続部３Ｂに配置される。配線１３３Ｂは、第２方向において、配線１３３Ａと間隔を隔てて並ぶ。
配線１３３Ｃは、端子１３１Ｃと端子１３２Ｃとを電気的に接続する。配線１３３Ｃの一端部は、端子１３１Ｃと接続される。配線１３３Ｃの他端部は、端子１３２Ｃと接続される。配線１３３Ｃの少なくとも一部は、接続部３Ｃに配置される。配線１３３Ｃは、第２方向において、配線１３３Ｂと間隔を隔てて並ぶ。
（６）第２絶縁層
図２Ｂに示すように、第２絶縁層１４は、全ての配線１３３Ａ，１３３Ｂ，１３３Ｃを覆う。第２絶縁層１４は、厚み方向において、第１絶縁層１２の上に配置される。なお、第２絶縁層１４は、図１および図２Ａに示すように、端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ、および、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃを覆わない。第２絶縁層１４は、樹脂からなる。樹脂としては、例えば、ポリイミド、マレイミド、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール、および、ポリエステルが挙げられる。
図２Ｂに示すように、第２絶縁層１４は、全ての配線１３３Ａ，１３３Ｂ，１３３Ｃを覆う。第２絶縁層１４は、厚み方向において、第１絶縁層１２の上に配置される。なお、第２絶縁層１４は、図１および図２Ａに示すように、端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ、および、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃを覆わない。第２絶縁層１４は、樹脂からなる。樹脂としては、例えば、ポリイミド、マレイミド、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール、および、ポリエステルが挙げられる。
２．配線回路基板の製造方法
次に、図４Ａから図６を参照して、配線回路基板１の製造方法について説明する。
次に、図４Ａから図６を参照して、配線回路基板１の製造方法について説明する。
配線回路基板１の製造方法は、準備工程（図４Ａ参照）と、第１パターニング工程（図４Ｂ参照）と、第２パターニング工程（図４Ｃ参照）と、第３パターニング工程（図４Ｄ参照）と、薄層化工程（図５Ａ参照）と、密着層形成工程（図５Ｂ参照）と、堆積工程（図５Ｃ参照）と、エッチング工程（図５Ｄ参照）とを含む。なお、密着層形成工程は、必要により実施される。
（１）準備工程
図４Ａに示すように、準備工程では、基材Ｓを準備する。本実施形態では、基材Ｓは、金属箔のロールから引き出された金属箔である。基材Ｓの材料は、第２金属支持層１１Ｂ（図２Ｂ参照）の材料と同じである。
図４Ａに示すように、準備工程では、基材Ｓを準備する。本実施形態では、基材Ｓは、金属箔のロールから引き出された金属箔である。基材Ｓの材料は、第２金属支持層１１Ｂ（図２Ｂ参照）の材料と同じである。
（２）第１パターニング工程
図４Ｂに示すように、第１パターニング工程では、厚み方向における基材Ｓの一方側に、第１絶縁層１２を形成する。第１パターニング工程では、厚み方向における基材Ｓの一方面上に、第１絶縁層１２を形成する。
図４Ｂに示すように、第１パターニング工程では、厚み方向における基材Ｓの一方側に、第１絶縁層１２を形成する。第１パターニング工程では、厚み方向における基材Ｓの一方面上に、第１絶縁層１２を形成する。
第１絶縁層１２を形成するには、まず、基材Ｓの上に感光性樹脂の溶液（ワニス）を塗布して乾燥し、感光性樹脂の塗膜を形成する。次に、感光性樹脂の塗膜を露光および現像する。これにより、第１絶縁層１２が、基材Ｓの上に、所定のパターンで形成される。
（３）第２パターニング工程
図４Ｃに示すように、第２パターニング工程では、電解メッキにより、厚み方向における第１絶縁層１２の一方側に、導体パターン１３を形成する。
図４Ｃに示すように、第２パターニング工程では、電解メッキにより、厚み方向における第１絶縁層１２の一方側に、導体パターン１３を形成する。
詳しくは、まず、第１絶縁層１２および基材Ｓの表面にシード層を形成する。シード層は、例えば、スパッタリングにより形成される。シード層の材料としては、例えば、クロム、銅、ニッケル、チタン、および、これらの合金が挙げられる。
次に、シード層が形成された第１絶縁層１２および基材Ｓの上に、メッキレジストを貼り合わせて、導体パターン１３が形成される部分を遮光した状態で、メッキレジストを露光する。
次に、露光されたメッキレジストを現像する。すると、遮光された部分のメッキレジストが除去され、導体パターン１３が形成される部分にシード層が露出する。なお、露光された部分、すなわち、導体パターン１３が形成されない部分のメッキレジストは、残る。
次に、露出したシード層の上に、電解メッキにより、導体パターン１３を形成する。
電解メッキが終了した後、メッキレジストは、剥離される。その後、メッキレジストによって覆われていたシード層を、エッチングにより除去する。
（４）第３パターニング工程
次に、図４Ｄに示すように、第３パターニング工程では、第１絶縁層１２および導体パターン１３の上に、第１絶縁層１２と同様にして、第２絶縁層１４を形成する。
次に、図４Ｄに示すように、第３パターニング工程では、第１絶縁層１２および導体パターン１３の上に、第１絶縁層１２と同様にして、第２絶縁層１４を形成する。
以上により、厚み方向における基材Ｓの一方面上に回路パターンが形成される。なお、第３パターニング工程の後、密着層形成工程の前に、端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ、および、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃを保護するための図示しない端子保護レジストを形成する。端子保護レジストは、端子配置部２Ａ，２Ｂが形成される部分に形成され、エッチング工程（図５Ｄ参照）が終了するまで剥離されない。
（５）薄層化工程
次に、図５Ａに示すように、薄層化工程では、堆積工程の前に、基材Ｓの厚みを薄くする。堆積工程の前に密着層形成工程を実施する場合、薄層化工程は、密着層形成工程の前に実施される。
次に、図５Ａに示すように、薄層化工程では、堆積工程の前に、基材Ｓの厚みを薄くする。堆積工程の前に密着層形成工程を実施する場合、薄層化工程は、密着層形成工程の前に実施される。
薄層化工程では、図６に示すように、基材Ｓのうち、端子支持部１１１Ａ，１１１Ｂが形成される第１領域Ａ１の厚みを薄くせずに、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃが形成される第２領域Ａ２の厚みを薄くする。言い換えると、基材Ｓは、端子支持部１１１Ａ，１１１Ｂが形成される第１領域Ａ１と、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃが形成される第２領域Ａ２とを有し、薄層化工程では、第１領域Ａ１の厚みを薄くせずに、第２領域Ａ２の厚みを薄くする。
詳しくは、薄層化工程において、まず、厚み方向における基材Ｓの一方面に、回路パターンの全部を覆うようにメッキレジストＲ１を形成し、厚み方向における基材Ｓの他方面に、第１領域Ａ１を覆い、第２領域Ａ２を露出するように、エッチングレジストＲ２を形成する。次に、厚み方向における基材Ｓの他方側から、基材Ｓの第２領域Ａ２を、ウェットエッチングする。これにより、基材Ｓの第２領域Ａ２の厚みを薄くする。
その後、メッキレジストＲ１を剥離しないで、エッチングレジストＲ２を剥離する。
（６）密着層形成工程
次に、図５Ｂに示すように、密着層形成工程では、堆積工程の前に、厚み方向における基材Ｓの他方面上に、密着層１１Ｃを形成する。
次に、図５Ｂに示すように、密着層形成工程では、堆積工程の前に、厚み方向における基材Ｓの他方面上に、密着層１１Ｃを形成する。
密着層１３は、例えば、電解メッキまたはスパッタリングにより形成される。密着層１３を電解メッキにより形成する場合、メッキレジストＲ１を剥離しないで、電解メッキにより、厚み方向における基材Ｓの他方面全部に、密着層１１Ｃを形成する。密着層１３をスパッタリングにより形成する場合、上記した密着層１３の材料からなるターゲットを用いて、スパッタリングにより、厚み方向における基材Ｓの他方面全部に、密着層１３を形成する。
（７）堆積工程
次に、図５Ｃに示すように、堆積工程では、第２パターニング工程の後、厚み方向における基材Ｓの他方側に金属を堆積させて、第１金属支持層１１Ａを形成する。詳しくは、密着層１１Ｃの上に第１金属支持層１１Ａを形成する。堆積工程では、例えば、電解メッキによって金属を堆積させて、第１金属支持層１１Ａを形成する。
次に、図５Ｃに示すように、堆積工程では、第２パターニング工程の後、厚み方向における基材Ｓの他方側に金属を堆積させて、第１金属支持層１１Ａを形成する。詳しくは、密着層１１Ｃの上に第１金属支持層１１Ａを形成する。堆積工程では、例えば、電解メッキによって金属を堆積させて、第１金属支持層１１Ａを形成する。
詳しくは、メッキレジストＲ１を剥離しないで、まず、密着層１１Ｃの上に、メッキレジストＲ３を貼り合わせて、第１金属支持層１１Ａが形成される部分を遮光した状態で、メッキレジストＲ３を露光する。
次に、露光されたメッキレジストＲ３を現像する。すると、遮光された部分のメッキレジストが除去され、第１金属支持層１１Ａが形成される部分に密着層１１Ｃが露出する。なお、露光された部分、すなわち、第１金属支持層１１Ａが形成されない部分のメッキレジストＲ３は、残る。
次に、露出した密着層１１Ｃの上に、電解メッキにより、金属を堆積させる。これにより、密着層１１Ｃの上に第１金属支持層１１Ａが形成される。
（８）エッチング工程
次に、図５Ｄに示すように、エッチング工程では、堆積工程の後、基材Ｓをエッチングして、第２金属支持層１２を形成する。
次に、図５Ｄに示すように、エッチング工程では、堆積工程の後、基材Ｓをエッチングして、第２金属支持層１２を形成する。
詳しくは、メッキレジストＲ３を剥離しないで、メッキレジストＲ１を剥離して、厚み方向における基材Ｓの一方側から、基材Ｓおよび密着層１１Ｃをウェットエッチングする。
すると、第１絶縁層１２、第２絶縁層１４、および、端子保護レジストがエッチングマスクとして機能し、第１絶縁層１２、第２絶縁層１４、および、端子保護レジストが形成されていない部分の基材Ｓおよび密着層１１Ｃが、除去される。
これにより、第２金属支持層１１Ｂが形成される。
その後、メッキレジストＲ３が剥離される。
３．作用効果
（１）配線回路基板１によれば、図２Ａに示すように、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの厚みＴ２が、端子支持部１１１Ａ，１１１Ｂの厚みＴ１よりも薄い。
（１）配線回路基板１によれば、図２Ａに示すように、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの厚みＴ２が、端子支持部１１１Ａ，１１１Ｂの厚みＴ１よりも薄い。
そのため、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃが周囲の部材と接触してしまうことを抑制できる。
例えば、配線回路基板１が電子装置に実装された状態では、配線支持部１１２Ａが固定された状態で、配線支持部１１２Ｂが移動する場合がある。このとき、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃが、配線支持部１１２Ｂの移動に従って移動して、周囲の部材と接触してしまう可能性がある。
しかし、配線回路基板１では、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの厚みＴ２が端子支持部１１１Ａ，１１１Ｂの厚みＴ１よりも薄いので、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃが周囲の部材と接触してしまうことを抑制できる。
（２）配線回路基板１によれば、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの第２金属支持層１１Ｂの厚みＴ１２２が、端子支持部１１１Ａ，１１１Ｂの第２金属支持層１１Ｂの厚みＴ１２１よりも薄い。
そのため、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの第２金属支持層１１Ｂの厚みＴ１２２を端子支持部１１１Ａ，１１１Ｂの第２金属支持層１１Ｂの厚みＴ１２１よりも薄くすることにより、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの厚みＴ２を端子支持部１１１Ａ，１１１Ｂの厚みＴ１よりも薄くして、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃが周囲の部材と接触してしまうことを抑制できる。
４．変形例
次に、変形例について説明する。変形例において、上記した実施形態と同様の部材には同じ符号を付し、説明を省略する。
次に、変形例について説明する。変形例において、上記した実施形態と同様の部材には同じ符号を付し、説明を省略する。
（１）図７に示すように、端子支持部１１１Ａ，１１１Ｂが第１金属支持層１１Ａと第２金属支持層１１Ｂとを有し、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれが第１金属支持層１１Ａを有し、第２金属支持層１１Ｂを有さなくてもよい。
変形例（１）の配線回路基板１によれば、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれに第２金属支持層１１Ｂを設けないことにより、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの厚みＴ２を端子支持部１１１Ａ，１１１Ｂの厚みＴ１よりも薄くして、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃが周囲の部材と接触してしまうことを抑制できる。
変形例（１）の配線回路基板１を製造するには、例えば、上記した薄層化工程（図５Ａおよび図６参照）を実施せず、密着層形成工程（図５Ｂ）の後に、エッチング工程を実施する。
詳しくは、変形例（１）の配線回路基板１の製造方法は、準備工程（図４Ａ参照）と、第１パターニング工程（図４Ｂ参照）と、第２パターニング工程（図４Ｃ参照）と、第３パターニング工程（図４Ｄ参照）と、密着層形成工程（図５Ｂ参照）と、エッチング工程（８Ａ参照）と、堆積工程（図８Ｂ参照）とを含む。なお、密着層形成工程は、必要により実施される。
エッチング工程では、まず、図９に示すように、基材Ｓの両面にエッチングレジストＲ１１を形成する。エッチングレジストＲ１１は、基材Ｓのうち、端子支持部１１１Ａ，１１１Ｂが形成される第１領域Ａ１を覆い、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃが形成される第２領域Ａ２を覆わない。
次に、厚み方向における基材Ｓの両側から、基材Ｓの第２領域Ａ２をウェットエッチングする。
すると、第１絶縁層１２、第２絶縁層１４、および、エッチングレジストＲ１１がマスクとして機能し、第２領域Ａ２の基材Ｓおよび密着層１１Ｃが除去される。なお、エッチング工程では、図８Ａに示すように、第２領域Ａ２の基材Ｓおよび密着層１１Ｃを完全に除去する。これにより、第１領域Ａ２に第２金属支持層１１Ｂが形成され、第２領域Ａ２には、第２金属支持層１１Ｂが形成されない。
次に、図８Ｂに示すように、堆積工程を実施する。
詳しくは、まず、エッチングレジストＲ１１（図９参照）を剥離しないで、エッチング工程によって露出した第１絶縁層１２の厚み方向他方面に、シード層を形成する。シード層は、例えば、スパッタリングにより形成される。シード層の材料としては、例えば、クロム、銅、ニッケル、チタン、および、これらの合金が挙げられる。
シード層が形成された後、エッチングレジストＲ１１は、剥離される。
次に、第１絶縁層１２および第２金属支持層１１Ｂの上に、シード層および密着層１１Ｃを覆うようにメッキレジストＲ１２を貼り合わせて、第１金属支持層１１Ａが形成される部分を遮光した状態で、メッキレジストＲ１２を露光する。
次に、露光されたメッキレジストＲ１２を現像する。すると、遮光された部分のメッキレジストＲ１２が除去され、第１金属支持層１１Ａが形成される部分に、シード層または密着層１１Ｃが露出する。なお、露光された部分、すなわち、第１金属支持層１１Ａが形成されない部分のメッキレジストＲ１２は、残る。
なお、厚み方向におけるメッキレジスト１２の一方側には、回路パターンの全部を覆うように、メッキレジストＲ１３が形成される。
次に、露出したシード層または密着層１１Ｃの上に、電解メッキにより、金属を堆積させる。これにより、シード層の上に第１金属支持層１１Ａが形成される。
その後、メッキレジストＲ１２，Ｒ１３を剥離し、メッキレジストＲ１２によって覆われていたシード層を、エッチングにより除去する。
これにより、変形例（１）の配線回路基板を得る。
（２）図１０に示すように、端子支持部１１１Ａ，１１１Ｂが、第１金属支持層１１Ａと、第２金属支持層１１Ｂと、厚み方向において第２金属支持層１１Ｂと絶縁層との間に配置される第３金属支持層１１Ｄとを有し、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれが、第１金属支持層１１Ａおよび第３金属支持層１１Ｄを有し、第２金属支持層１１Ｂを有さなくてもよい。
変形例（２）の配線回路基板１も、変形例（１）の配線回路基板１と同様に、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれに第２金属支持層１１Ｂを設けないことにより、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの厚みＴ１を端子支持部１１１Ａ，１１１Ｂの厚みＴ２よりも薄くして、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃが周囲の部材と接触してしまうことを抑制できる。
変形例（２）の配線回路基板１の製造方法は、準備工程（図１１Ａ参照）と、金属層形成工程（図１１Ｂ参照）と、第１パターニング工程（図１１Ｃ参照）と、第２パターニング工程（図１１Ｄ参照）と、第３パターニング工程（図１１Ｅ参照）と、除去工程（図１２Ａ参照）と、密着層形成工程（図１２Ｂ参照）と、堆積工程（図１２Ｃ参照）と、エッチング工程（図１２Ｄ参照）とを含む。なお、密着層形成工程は、必要により実施される。
図１１Ａに示すように、準備工程では、上記した実施形態の準備工程と同様に、基材Ｓを準備する。
次に、図１１Ｂに示すように、金属層形成工程では、厚み方向における基材Ｓの一方側に、金属層Ｍを形成する。金属層Ｍは、基材Ｓと異なる金属からなる。金属層Ｍの材料として、例えば、ニッケル、クロム、コバルト、タングステン、および、チタンが挙げられる。
金属層Ｍは、例えば、電解メッキまたはスパッタリングにより形成される。金属層Ｍを電解メッキにより形成する場合、厚み方向における基材Ｓの他方面にメッキレジストを形成し、電解メッキにより、厚み方向における基材Ｓの一方面全部に、金属層Ｍを形成する。電解メッキが終了した後、メッキレジストを剥離する。金属層Ｍをスパッタリングにより形成する場合、上記した金属層Ｍの材料からなるターゲットを用いて、スパッタリングにより、厚み方向における基材Ｓの一方面全部に、金属層Ｍを形成する。
次に、図１１Ｃに示すように、第１パターニング工程では、厚み方向における金属層Ｍの一方面上に、上記した実施形態の第１パターニング工程と同様にして、第１絶縁層１２を形成する。
次に、図１１Ｄに示すように、第２パターニング工程では、上記した実施形態の第２パターニング工程と同様にして、厚み方向における第１絶縁層１２の一方側に、導体パターン１３を形成する。
次に、図１１Ｅに示すように、第３パターニング工程では、上記した実施形態の第３パターニング工程と同様にして、第１絶縁層１２および導体パターン１３の上に、第１絶縁層１２と同様にして、第２絶縁層１４を形成する。
次に、図１２Ａに示すように、除去工程では、第２パターニング工程の後、基材Ｓを除去して、金属層Ｍの少なくとも一部を露出させる。
基材Ｓを除去するには、図１３に示すように、まず、回路パターンの全部を覆うように、厚み方向における金属層Ｍの一方面にメッキレジストＲ２１を形成し、第１領域Ａ１を覆い、第２領域Ａ２を露出するように、厚み方向における基材Ｓの他方面にエッチングレジストＲ２２を形成する。次に、厚み方向における基材Ｓの他方側から、基材Ｓの第２領域Ａ２を、ウェットエッチングする。これにより、基材Ｓの第２領域Ａ２を除去する。
ウェットエッチングでは、基材Ｓを溶解し、金属層Ｍを溶解しないエッチング液が使用される。例えば、基材Ｓが銅合金からなり、金属層Ｍがニッケルまたはクロムからなる場合、エッチング液として、塩化第二鉄溶液が使用される。
次に、図１２Ｂに示すように、密着層形成工程では、上記した実施形態の密着層形成工程と同様にして、堆積工程の前に、厚み方向における金属層Ｍの他方面上に、密着層１１Ｃを形成する。
次に、図１２Ｃに示すように、堆積工程では、上記した実施形態の堆積工程と同様にして、密着層１１Ｃの上に第１金属支持層１１Ａを形成する。
次に、図１２Ｄに示すように、エッチング工程では、堆積工程の後、上記した実施形態のエッチング工程と同様にして、金属層Ｍをエッチングして、第３金属支持層１１Ｄを形成する。
これにより、変形例（２）の配線回路基板を得る。
（３）エッチング工程後の第２金属支持層１１Ｂの形状は、限定されない。エッチング工程後の第２金属支持層１１Ｂは、例えば、図５Ｄに示すように、厚み方向において第１金属支持層１１Ａに近づくにつれて幅が狭くなるテーパ形状を有してもよいし、図１４Ａに示すように、厚み方向における第２金属支持層１１Ｂの中央部分の幅が、厚み方向における第２金属支持層１１Ｂの一端部および他端部の幅よりも狭くなるくびれ形状を有してもよい。
エッチング工程後の第２金属支持層１１Ｂがくびれ形状を有している場合、図１４Ｂに示すように、厚み方向における第２金属支持層１１Ｂの他端部の幅は、第１金属支持層１１Ａの幅Ｗ１よりも広くてもよい。また、配線回路基板１が密着層１１Ｃを有する場合、密着層１１Ｃの幅は、第１金属支持層１１Ａの幅Ｗ１よりも広くてもよい。
（４）密着層形成工程において、厚み方向における基材Ｓ（図５Ｂ参照）または、金属層Ｍ（図１２Ｂ参照）の他方面全部に密着層１１Ｃを形成しなくてもよい。密着層１１Ｃは、堆積工程において第１金属支持層１１Ａが形成される部分に、パターン形成されていてもよい。
詳しくは、図１５Ａに示すように、密着層形成工程において、メッキレジストＲ１を剥離しないで、厚み方向における基材Ｓ（または金属層Ｍ）の他方面に、上記したメッキレジストＲ３を形成する。
次に、メッキレジストＲ３から露出した基材Ｓ（または金属層Ｍ）の他方面上に密着層１１Ｃを形成する。
次に、図１５Ｂに示すように、メッキレジストＲ１、Ｒ３を剥離しないで、密着層１１Ｃの上に金属を堆積させて、密着層１１Ｃの上に第１金属支持層１１Ａを形成する。
（５）変形例（１）から（４）においても、上記した実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
１ 配線回路基板
１１ 金属支持層
１２ 第１絶縁層（絶縁層の一例）
１３ 導体パターン
１１１Ａ 端子支持部
１１２Ａ 配線支持部（第１配線支持部の一例）
１１２Ｂ 配線支持部（第２配線支持部の一例）
１１Ａ 第１金属支持層
１１Ｂ 第２金属支持層
１１Ｄ 第３金属支持層
１３１Ａ 端子（第１端子の一例）
１３１Ｂ 端子（第２端子の一例）
１３３Ａ 配線（第１配線の一例）
１３３Ｂ 配線（第２配線の一例）
Ｓ 基材
１１ 金属支持層
１２ 第１絶縁層（絶縁層の一例）
１３ 導体パターン
１１１Ａ 端子支持部
１１２Ａ 配線支持部（第１配線支持部の一例）
１１２Ｂ 配線支持部（第２配線支持部の一例）
１１Ａ 第１金属支持層
１１Ｂ 第２金属支持層
１１Ｄ 第３金属支持層
１３１Ａ 端子（第１端子の一例）
１３１Ｂ 端子（第２端子の一例）
１３３Ａ 配線（第１配線の一例）
１３３Ｂ 配線（第２配線の一例）
Ｓ 基材
Claims (4)
- 絶縁層と、
前記厚み方向における前記絶縁層の一方側に配置され、第１端子と、第２端子と、前記第１端子と接続される第１配線と、前記第２端子と接続され、前記第１配線と間隔を隔てて並ぶ第２配線とを有する導体パターンと、
前記厚み方向における前記絶縁層の他方側に配置され、前記第１端子および前記第２端子を支持する端子支持部と、前記第１配線を支持する第１配線支持部と、前記第２配線を支持し、前記第１配線支持部と間隔を隔てて並ぶ第２配線支持部とを有する金属支持層と、
を備え、
前記第１配線支持部および前記第２配線支持部のそれぞれの厚みは、前記端子支持部の厚みよりも薄い、配線回路基板。 - 前記金属支持層は、
第１金属支持層と、
前記厚み方向において前記第１金属支持層と前記絶縁層との間に配置される第２金属支持層と
を有し、
前記第１配線支持部および前記第２配線支持部のそれぞれの前記第２金属支持層の厚みは、前記端子支持部の前記第２金属支持層の厚みよりも薄い、請求項１に記載の配線回路基板。 - 前記端子支持部は、
第１金属支持層と、
前記厚み方向において前記第１金属支持層と前記絶縁層との間に配置される第２金属支持層と
を有し、
前記第１配線支持部および前記第２配線支持部のそれぞれは、前記第１金属支持層を有し、前記第２金属支持層を有さない、請求項１に記載の配線回路基板。 - 前記端子支持部は、
第１金属支持層と、
前記厚み方向において前記第１金属支持層と前記絶縁層との間に配置される第２金属支持層と、
前記厚み方向において前記第２金属支持層と前記絶縁層との間に配置される第３金属支持層と
を有し、
前記第１配線支持部および前記第２配線支持部のそれぞれは、前記第１金属支持層および前記第３金属支持層を有し、前記第２金属支持層を有さない、請求項１に記載の配線回路基板。
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| JP2022152346A JP2024046956A (ja) | 2022-09-26 | 2022-09-26 | 配線回路基板 |
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|---|---|---|---|
| JP2022152346A JP2024046956A (ja) | 2022-09-26 | 2022-09-26 | 配線回路基板 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022152346A Pending JP2024046956A (ja) | 2022-09-26 | 2022-09-26 | 配線回路基板 |
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2023
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|---|---|
| US20240107683A1 (en) | 2024-03-28 |
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| CN117769111A (zh) | 2024-03-26 |
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