JP2024046954A - 配線回路基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】配線支持部のファインピッチ化を図ることができる配線回路基板の製造方法、および、配線回路基板を提供する。【解決手段】配線回路基板１の製造方法は、基材Ｓを準備する準備工程と、厚み方向における基材Ｓの一方側に金属層Ｍを形成する金属層形成工程と、厚み方向における金属層Ｍの一方側に第１絶縁層１４を形成する第１パターニング工程と、厚み方向における第１絶縁層１４の一方側に導体パターン１５を形成する第２パターニング工程と、基材Ｓを除去して金属層Ｍを露出させる除去工程と、厚み方向における金属層Ｍの他方側に金属を堆積させて第１金属支持層１１を形成する堆積工程とを含む。第１金属支持層１１は、導体パターン１５の端子１５１Ａ，１５１Ｂを支持する端子支持部１１１Ａと、導体パターン１５の配線１５３Ａを支持する配線支持部１１２Ａと、導体パターン１５の配線１５３Ｂを支持する配線支持部１１２Ｂとを有する。【選択図】図５
Description
本発明は、配線回路基板の製造方法に関する。
従来、ヒートシンクとして機能する金属系支持層を備える配線回路基板において、第１連結体と、第１連結体から離れて配置される第２連結体と、第１連結体と第２連結体との間に配置され、互いに間隔を隔てて並ぶ複数の配線体とを設けて、放熱性の向上を図ることが提案されている（例えば、下記特許文献１参照。）。
上記した特許文献１に記載されるような配線回路基板において、配線体のさらなるファインピッチ化が要望されている。
本発明は、配線支持部のファインピッチ化を図ることができる配線回路基板の製造方法を提供する。
本発明［１］は、第１金属からなる基材を準備する準備工程と、厚み方向における前記基材の一方側に、前記第１金属と異なる第２金属からなる金属層を形成する金属層形成工程と、前記厚み方向における前記金属層の一方側に、絶縁層を形成する第１パターニング工程と、前記厚み方向における前記絶縁層の一方側に、第１端子と、第２端子と、前記第１端子と接続される第１配線と、前記第２端子と接続され、前記第１配線と間隔を隔てて並ぶ第２配線とを有する導体パターンを形成する第２パターニング工程と、前記第２パターニング工程の後、前記基材を除去して、前記金属層の少なくとも一部を露出させる除去工程と、前記除去工程の後、前記厚み方向における前記金属層の他方側に金属を堆積させて、前記第１端子および前記第２端子を支持する端子支持部と、前記第１配線を支持する第１配線支持部と、前記第２配線を支持し、前記第１配線支持部と間隔を隔てて並ぶ第２配線支持部とを有する第１金属支持層を形成する堆積工程とを含む、配線回路基板の製造方法を含む。
このような方法によれば、金属を堆積させることにより、第１金属支持層を、所定の形状（端子支持部と、第１配線支持部と、第２配線支持部とを有する形状）にパターニングする。
そのため、エッチングなどの方法によって金属を除去することにより第１金属支持層をパターニングする場合と比べて、金属を過度に除去してしまうことなく、所望の形状の第１金属支持層を、安定に得ることができる。
その結果、配線支持部のファインピッチ化を図ることができる。
本発明［２］は、前記堆積工程の後、前記金属層をエッチングして、前記第１金属支持層と前記絶縁層との間に配置される第２金属支持層を形成するエッチング工程を、さらに含む、上記［１］の配線回路基板の製造方法を含む。
このような方法によれば、第１金属支持層を所望の形状に形成した後、簡易な方法で第２金属支持層をパターニングできる。
本発明［３］は、前記除去工程の後、前記堆積工程の前に、前記金属層の厚みを薄くする薄層化工程を、さらに含む、上記［１］の配線回路基板の製造方法を含む。
このような方法によれば、エッチング工程において、薄層化された金属層をエッチングすることにより、第２金属支持層を形成できる。
そのため、エッチング工程を短縮することができる。
本発明［４］は、前記基材は、前記端子支持部が形成される第１領域と、前記第１配線支持部および前記第２配線支持部が形成される第２領域とを有し、前記除去工程では、前記第１領域を除去せずに、前記第２領域を除去する、上記［１］の配線回路基板の製造方法を含む。
このような方法によれば、端子を支持する第１領域の剛性を低下させずに、エッチング工程を短縮することができる。
本発明の配線回路基板の製造方法によれば、配線支持部のファインピッチ化を図ることができる。
１．配線回路基板
図１から図３を参照して、配線回路基板１について説明する。
図１から図３を参照して、配線回路基板１について説明する。
図１に示すように、配線回路基板１は、２つの端子配置部２Ａ，２Ｂと、複数の接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃとを有する。端子配置部２Ａ，２Ｂは、第１方向において、互いに間隔を隔てて配置される。第１方向は、配線回路基板１の厚み方向と直交する。端子配置部２Ａ，２Ｂのそれぞれは、第２方向に延びる。第２方向は、第１方向および厚み方向の両方と直交する。端子配置部２Ａには、後述する導体パターン１５の端子１５１Ａ，１５１Ｂ，１５１Ｃが配置される。端子配置部２Ｂには、後述する導体パターン１５の端子１５２Ａ，１５２Ｂ，１５２Ｃが配置される。
接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃは、端子配置部２Ａと端子配置部２Ｂとを繋ぐ。接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃは、第１方向において、端子配置部２Ａと端子配置部２Ｂとの間に配置される。本実施形態では、接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれは、第１方向に延びる。第１方向における接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれの一端部は、端子配置部２Ａと接続される。第１方向における接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれの他端部は、端子配置部２Ｂと接続される。なお、接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれの形状は、限定されない。接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれは、直線形状であってもよいし、湾曲していてもよい。接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃは、第２方向において、互いに間隔を隔てて並ぶ。言い換えると、接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃは、接続部３Ａが延びる方向と直交する方向において、互いに間隔を隔てて並ぶ。接続部３Ａには、後述する導体パターン１５の配線１５３Ａが配置される。接続部３Ｂには、後述する導体パターン１５の配線１５３Ｂが配置される。接続部３Ｃには、後述する導体パターン１５の配線１５３Ｃが配置される。
接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれの幅Ｗ０は、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。幅Ｗ０は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上である。
なお、「幅」とは、接続部が延びる方向および厚み方向の両方と直交する方向における最大の長さである。例えば、接続部３Ａの「幅」とは、接続部３Ａが延びる方向および厚み方向の両方と直交する方向における最大の長さである。本実施形態では、「幅」とは、第２方向における最大の長さである。
接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれの間隔Ｄ１は、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。間隔Ｄ１は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上である。
図２Ａおよび図２Ｂに示すように、配線回路基板１は、第１金属支持層１１と、第２金属支持層１２と、密着層１３と、絶縁層の一例としての第１絶縁層１４と、導体パターン１５と、第２絶縁層１６とを備える。
（１）第１金属支持層
第１金属支持層１１は、第２金属支持層１２とともに、第１絶縁層１４、導体パターン１５とおよび第２絶縁層１６を支持する。第１金属支持層１１は、厚み方向において、第１絶縁層１４の他方側に配置される。第１金属支持層１１は、厚み方向において、第１絶縁層１４から離れて配置される。第１金属支持層１１は、金属からなる。第１金属支持層１１の材料として、例えば、銅、ニッケル、コバルト、鉄、および、これらの合金が挙げられる。合金として、例えば、銅合金が挙げられる。第１金属支持層１１の材料として、好ましくは、銅合金が挙げられる。
第１金属支持層１１は、第２金属支持層１２とともに、第１絶縁層１４、導体パターン１５とおよび第２絶縁層１６を支持する。第１金属支持層１１は、厚み方向において、第１絶縁層１４の他方側に配置される。第１金属支持層１１は、厚み方向において、第１絶縁層１４から離れて配置される。第１金属支持層１１は、金属からなる。第１金属支持層１１の材料として、例えば、銅、ニッケル、コバルト、鉄、および、これらの合金が挙げられる。合金として、例えば、銅合金が挙げられる。第１金属支持層１１の材料として、好ましくは、銅合金が挙げられる。
第１金属支持層１１の厚みＴ１は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。第１金属支持層１１は、好ましくは、第２金属支持層１２よりも厚い。
第２金属支持層１２の厚みＴ２に対する第１金属支持層１１の厚みＴ１の比率（Ｔ１／Ｔ２）は、例えば、１．５以上、好ましくは、２以上、より好ましくは、４以上であり、例えば、２０以下、好ましくは、１０以下である。
図３に示すように、第１金属支持層１１は、２つの端子支持部１１１Ａ，１１１Ｂと、複数の配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃとを有する。
端子支持部１１１Ａは、端子配置部２Ａ（図１参照）の第１金属支持層１１である。端子支持部１１１Ａは、導体パターン１５のうちの少なくとも端子１５１Ａ，１５１Ｂ，１５１Ｃを支持する。端子支持部１１１Ａは、導体パターン１５のうちの配線１５３Ａ，１５３Ｂ，１５３Ｃのそれぞれの一部を支持してもよい。
端子支持部１１１Ｂは、端子配置部２Ｂ（図１参照）の第１金属支持層１１である。端子支持部１１１Ｂは、第１方向において、端子支持部１１１Ａと間隔を隔てて配置される。端子支持部１１１Ｂは、導体パターン１５のうちの少なくとも端子１５２Ａ，１５２Ｂ，１５２Ｃを支持する。端子支持部１１１Ｂは、導体パターン１５のうちの配線１５３Ａ，１５３Ｂ，１５３Ｃのそれぞれの一部を支持してもよい。
配線支持部１１２Ａは、接続部３Ａ（図１参照）の第１金属支持層１１である。配線支持部１１２Ａは、端子支持部１１１Ａと端子支持部１１１Ｂとを繋ぐ。配線支持部１１２Ａは、第１方向において、端子支持部１１１Ａと端子支持部１１１Ｂとの間に配置される。配線支持部１１２Ａは、第１方向に延びる。第１方向における配線支持部１１２Ａの一端部は、端子支持部１１１Ａと接続される。第１方向における配線支持部１１２Ａの他端部は、端子支持部１１１Ｂと接続される。配線支持部１１２Ａは、配線１５３Ａ（図１参照）を支持する。
配線支持部１１２Ｂは、接続部３Ｂ（図１参照）の第１金属支持層１１である。配線支持部１１２Ｂは、端子支持部１１１Ａと端子支持部１１１Ｂとを繋ぐ。配線支持部１１２Ｂは、第１方向において、端子支持部１１１Ａと端子支持部１１１Ｂとの間に配置される。配線支持部１１２Ｂは、第１方向に延びる。第１方向における配線支持部１１２Ｂの一端部は、端子支持部１１１Ａと接続される。第１方向における配線支持部１１２Ｂの他端部は、端子支持部１１１Ｂと接続される。配線支持部１１２Ｂは、配線１５３Ｂ（図１参照）を支持する。配線支持部１１２Ｂは、第２方向において、配線支持部１１２Ａと間隔を隔てて並ぶ。
配線支持部１１２Ｃは、接続部３Ｃ（図１参照）の第１金属支持層１１である。配線支持部１１２Ｃは、端子支持部１１１Ａと端子支持部１１１Ｂとを繋ぐ。配線支持部１１２Ｃは、第１方向において、端子支持部１１１Ａと端子支持部１１１Ｂとの間に配置される。配線支持部１１２Ｃは、第１方向に延びる。第１方向における配線支持部１１２Ｃの一端部は、端子支持部１１１Ａと接続される。第１方向における配線支持部１１２Ｃの他端部は、端子支持部１１１Ｂと接続される。配線支持部１１２Ｃは、配線１５３Ｃ（図１参照）を支持する。配線支持部１１２Ｃは、第２方向において、配線支持部１１２Ｂと間隔を隔てて並ぶ。
図２Ｂに示すように、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの幅Ｗ１は、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの幅Ｗ１は、好ましくは、接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれの幅Ｗ０（図１参照）よりも狭い。配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの幅Ｗ１は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上である。
配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの幅Ｗ１に対する第１金属支持層１１の厚みＴ１の比率（Ｔ１／Ｗ１）は、例えば、１以上、好ましくは、５以上である。比率（Ｔ１／Ｗ１）が上記下限値以上であると、放熱性の向上を図ることができる。比率（Ｔ１／Ｗ１）は、例えば、３０以下、好ましくは、１０以下である。比率（Ｔ１／Ｗ１）が上記上限値以下であると、支持強度の低下を抑制できる。
配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの間隔Ｄ２は、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。間隔Ｄ２は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上である。間隔Ｄ２は、好ましくは、間隔Ｄ１（図１参照）よりも長い。間隔Ｄ２が間隔Ｄ１よりも長いことにより、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの間からの放熱性を確保できる。
（２）第２金属支持層
図２Ａおよび図２Ｂに示すように、第２金属支持層１２は、厚み方向において、第１絶縁層１４の他方側に配置される。第２金属支持層１２は、厚み方向における第１絶縁層１４の他方面上に配置される。第２金属支持層１２は、厚み方向において、第１金属支持層１１と第１絶縁層１４との間に配置される。第２金属支持層１２は、金属からなる。第２金属支持層１２の材料として、例えば、ニッケル、クロム、コバルト、タングステン、および、チタンが挙げられる。第２金属支持層１２の材料は、第１金属支持層１１の材料と同じでもよく、異なっていてもよい。第２金属支持層１２の材料として、好ましくは、クロムが挙げられる。
図２Ａおよび図２Ｂに示すように、第２金属支持層１２は、厚み方向において、第１絶縁層１４の他方側に配置される。第２金属支持層１２は、厚み方向における第１絶縁層１４の他方面上に配置される。第２金属支持層１２は、厚み方向において、第１金属支持層１１と第１絶縁層１４との間に配置される。第２金属支持層１２は、金属からなる。第２金属支持層１２の材料として、例えば、ニッケル、クロム、コバルト、タングステン、および、チタンが挙げられる。第２金属支持層１２の材料は、第１金属支持層１１の材料と同じでもよく、異なっていてもよい。第２金属支持層１２の材料として、好ましくは、クロムが挙げられる。
第２金属支持層１２の厚みＴ２は、例えば、０．０５μｍ以上、好ましくは、０．１μｍ以上であり、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。
接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれにおける第２金属支持層１２の幅Ｗ２は、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれの第２金属支持層１２の幅Ｗ２は、好ましくは、接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれの幅Ｗ０以下である。
接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれにおける第２金属支持層１２の幅Ｗ２は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上である。
接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれにおける第２金属支持層１２の幅Ｗ２は、好ましくは、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの幅Ｗ１よりも広い。つまり、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの上において、第２金属支持層１２の幅Ｗ２は、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのそれぞれの幅Ｗ１よりも広い。
（３）密着層
密着層１３は、必要により、厚み方向において、第１金属支持層１１と第２金属支持層１２との間に配置される。密着層１３は、厚み方向において、第２金属支持層１２の他方面上に配置される。密着層１３は、厚み方向において、第１金属支持層１１の一方面と接触する。密着層１３は、第２金属支持層１２に対する第１金属支持層１１の密着性を確保する。密着層１３は、金属からなる。密着層１３の材料として、例えば、銅、クロム、ニッケル、および、コバルトが挙げられる。
密着層１３は、必要により、厚み方向において、第１金属支持層１１と第２金属支持層１２との間に配置される。密着層１３は、厚み方向において、第２金属支持層１２の他方面上に配置される。密着層１３は、厚み方向において、第１金属支持層１１の一方面と接触する。密着層１３は、第２金属支持層１２に対する第１金属支持層１１の密着性を確保する。密着層１３は、金属からなる。密着層１３の材料として、例えば、銅、クロム、ニッケル、および、コバルトが挙げられる。
密着層１３の厚みは、例えば、０．０５μｍ以上、好ましくは、０．１μｍ以上であり、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。
（４）絶縁層
第１絶縁層１４は、厚み方向において、第２金属支持層１２の一方側に配置される。第１絶縁層１４は、厚み方向において、第２金属支持層１２の一方面上に配置される。第１絶縁層１４は、第２金属支持層１２と導体パターン１５との間に配置される。第１絶縁層１４は、第２金属支持層１２と導体パターン１５とを絶縁する。第１絶縁層１４は、樹脂からなる。樹脂として、例えば、ポリイミド、マレイミド、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール、および、ポリエステルが挙げられる。
第１絶縁層１４は、厚み方向において、第２金属支持層１２の一方側に配置される。第１絶縁層１４は、厚み方向において、第２金属支持層１２の一方面上に配置される。第１絶縁層１４は、第２金属支持層１２と導体パターン１５との間に配置される。第１絶縁層１４は、第２金属支持層１２と導体パターン１５とを絶縁する。第１絶縁層１４は、樹脂からなる。樹脂として、例えば、ポリイミド、マレイミド、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール、および、ポリエステルが挙げられる。
（５）導体パターン
導体パターン１５は、厚み方向において、第１絶縁層１４の一方側に配置される。導体パターン１５は、厚み方向における第１絶縁層１４の一方面上に配置される。導体パターン１５は、厚み方向において、第１絶縁層１４に対して、第１金属支持層１１および第２金属支持層１２の反対側に配置される。導体パターン１５は、金属からなる。金属として、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、クロム、および、それらの合金が挙げられる。良好な電気特性を得る観点から、好ましくは、銅が挙げられる。導体パターン１５の形状は、限定されない。
導体パターン１５は、厚み方向において、第１絶縁層１４の一方側に配置される。導体パターン１５は、厚み方向における第１絶縁層１４の一方面上に配置される。導体パターン１５は、厚み方向において、第１絶縁層１４に対して、第１金属支持層１１および第２金属支持層１２の反対側に配置される。導体パターン１５は、金属からなる。金属として、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、クロム、および、それらの合金が挙げられる。良好な電気特性を得る観点から、好ましくは、銅が挙げられる。導体パターン１５の形状は、限定されない。
図１に示すように、導体パターン１５は、複数の端子１５１Ａ，１５１Ｂ，１５１Ｃと、複数の端子１５２Ａ，１５２Ｂ，１５２Ｃと、複数の配線１５３Ａ，１５３Ｂ，１５３Ｃとを有する。
端子１５１Ａ，１５１Ｂ，１５１Ｃは、端子配置部２Ａに配置される。端子１５１Ａ，１５１Ｂ，１５１Ｃのそれぞれは、角ランド形状を有する。端子１５１Ａ，１５１Ｂ，１５１Ｃは、互いに間隔を隔てて第２方向に並ぶ。
端子１５２Ａ，１５２Ｂ，１５２Ｃは、端子配置部２Ｂに配置される。端子１５２Ａ，１５２Ｂ，１５２Ｃのそれぞれは、角ランド形状を有する。端子１５２Ａ，１５２Ｂ，１５２Ｃは、互いに間隔を隔てて第２方向に並ぶ。
配線１５３Ａは、端子１５１Ａと端子１５２Ａとを電気的に接続する。配線１５３Ａの一端部は、端子１５１Ａと接続される。配線１５３Ａの他端部は、端子１５２Ａと接続される。配線１５３Ａの少なくとも一部は、接続部３Ａに配置される。
配線１５３Ｂは、端子１５１Ｂと端子１５２Ｂとを電気的に接続する。配線１５３Ｂの一端部は、端子１５１Ｂと接続される。配線１５３Ｂの他端部は、端子１５２Ｂと接続される。配線１５３Ｂの少なくとも一部は、接続部３Ｂに配置される。配線１５３Ｂは、第２方向において、配線１５３Ａと間隔を隔てて並ぶ。
配線１５３Ｃは、端子１５１Ｃと端子１５２Ｃとを電気的に接続する。配線１５３Ｃの一端部は、端子１５１Ｃと接続される。配線１５３Ｃの他端部は、端子１５２Ｃと接続される。配線１５３Ｃの少なくとも一部は、接続部３Ｃに配置される。配線１５３Ｃは、第２方向において、配線１５３Ｂと間隔を隔てて並ぶ。
（６）第２絶縁層
図２Ｂに示すように、第２絶縁層１６は、全ての配線１５３Ａ，１５３Ｂ，１５３Ｃを覆う。第２絶縁層１６は、厚み方向において、第１絶縁層１４の上に配置される。なお、第２絶縁層１６は、図１および図２Ａに示すように、端子１５１Ａ，１５１Ｂ，１５１Ｃ、および、端子１５２Ａ，１５２Ｂ，１５２Ｃを覆わない。第２絶縁層１７は、樹脂からなる。樹脂としては、例えば、ポリイミド、マレイミド、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール、および、ポリエステルが挙げられる。
図２Ｂに示すように、第２絶縁層１６は、全ての配線１５３Ａ，１５３Ｂ，１５３Ｃを覆う。第２絶縁層１６は、厚み方向において、第１絶縁層１４の上に配置される。なお、第２絶縁層１６は、図１および図２Ａに示すように、端子１５１Ａ，１５１Ｂ，１５１Ｃ、および、端子１５２Ａ，１５２Ｂ，１５２Ｃを覆わない。第２絶縁層１７は、樹脂からなる。樹脂としては、例えば、ポリイミド、マレイミド、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール、および、ポリエステルが挙げられる。
２．配線回路基板の製造方法
次に、図４Ａから図５Ｄを参照して、配線回路基板１の製造方法について説明する。
次に、図４Ａから図５Ｄを参照して、配線回路基板１の製造方法について説明する。
配線回路基板１の製造方法は、準備工程（図４Ａ参照）と、金属層形成工程（図４Ｂ参照）と、第１パターニング工程（図４Ｃ参照）と、第２パターニング工程（図４Ｄ参照）と、第３パターニング工程（図４Ｅ参照）と、除去工程（図５Ａ参照）と、密着層形成工程（図５Ｂ参照）と、堆積工程（図５Ｃ参照）と、エッチング工程（図５Ｄ参照）とを含む。なお、密着層形成工程は、必要により実施される。
（１）準備工程
図４Ａに示すように、準備工程では、基材Ｓを準備する。本実施形態では、基材Ｓは、金属箔のロールから引き出された金属箔である。基材Ｓは、第１金属からなる。第１金属として、例えば、銅、銅合金、ステンレス、ニッケル、チタン、および４２アロイが挙げられる。第１金属として、好ましくは、銅合金が挙げられる。
図４Ａに示すように、準備工程では、基材Ｓを準備する。本実施形態では、基材Ｓは、金属箔のロールから引き出された金属箔である。基材Ｓは、第１金属からなる。第１金属として、例えば、銅、銅合金、ステンレス、ニッケル、チタン、および４２アロイが挙げられる。第１金属として、好ましくは、銅合金が挙げられる。
（２）金属層形成工程
図４Ｂに示すように、厚み方向における基材Ｓの一方側に、金属層Ｍを形成する。金属層Ｍは、第２金属からなる。金属層Ｍは、第２金属支持層１２（図２Ａおよび図２Ｂ参照）になる。そのため、第２金属は、第２金属支持層１２の材料と同じである。第２金属は、第１金属と異なる。
図４Ｂに示すように、厚み方向における基材Ｓの一方側に、金属層Ｍを形成する。金属層Ｍは、第２金属からなる。金属層Ｍは、第２金属支持層１２（図２Ａおよび図２Ｂ参照）になる。そのため、第２金属は、第２金属支持層１２の材料と同じである。第２金属は、第１金属と異なる。
金属層Ｍは、例えば、電解メッキまたはスパッタリングにより形成される。金属層Ｍを電解メッキにより形成する場合、厚み方向における基材Ｓの他方面にメッキレジストを形成し、電解メッキにより、厚み方向における基材Ｓの一方面全部に、金属層Ｍを形成する。電解メッキが終了した後、メッキレジストを剥離する。金属層Ｍをスパッタリングにより形成する場合、上記した金属層Ｍの材料からなるターゲットを用いて、スパッタリングにより、厚み方向における基材Ｓの一方面全部に、金属層Ｍを形成する。
（３）第１パターニング工程
図４Ｃに示すように、第１パターニング工程では、厚み方向における金属層Ｍの一方側に、第１絶縁層１４を形成する。第１パターニング工程では、厚み方向における金属層Ｍの一方面上に、第１絶縁層１４を形成する。
図４Ｃに示すように、第１パターニング工程では、厚み方向における金属層Ｍの一方側に、第１絶縁層１４を形成する。第１パターニング工程では、厚み方向における金属層Ｍの一方面上に、第１絶縁層１４を形成する。
第１絶縁層１４を形成するには、まず、金属層Ｍの上に感光性樹脂の溶液（ワニス）を塗布して乾燥し、感光性樹脂の塗膜を形成する。次に、感光性樹脂の塗膜を露光および現像する。これにより、第１絶縁層１４が、金属層Ｍの上に、所定のパターンで形成される。
（４）第２パターニング工程
図４Ｄに示すように、第２パターニング工程では、電解メッキにより、厚み方向における第１絶縁層１４の一方側に、導体パターン１５を形成する。
図４Ｄに示すように、第２パターニング工程では、電解メッキにより、厚み方向における第１絶縁層１４の一方側に、導体パターン１５を形成する。
詳しくは、まず、第１絶縁層１４および金属層Ｍの表面にシード層を形成する。シード層は、例えば、スパッタリングにより形成される。シード層の材料としては、例えば、クロム、銅、ニッケル、チタン、および、これらの合金が挙げられる。
次に、シード層が形成された第１絶縁層１４および金属層Ｍの上に、メッキレジストを貼り合わせて、導体パターン１５が形成される部分を遮光した状態で、メッキレジストを露光する。
次に、露光されたメッキレジストを現像する。すると、遮光された部分のメッキレジストが除去され、導体パターン１５が形成される部分にシード層が露出する。なお、露光された部分、すなわち、導体パターン１５が形成されない部分のメッキレジストは、残る。
次に、露出したシード層の上に、電解メッキにより、導体パターン１５を形成する。
電解メッキが終了した後、メッキレジストは、剥離される。その後、メッキレジストによって覆われていたシード層を、エッチングにより除去する。
（５）第３パターニング工程
次に、図４Ｅに示すように、第３パターニング工程では、第１絶縁層１４および導体パターン１５の上に、第１絶縁層１４と同様にして、第２絶縁層１６を形成する。
次に、図４Ｅに示すように、第３パターニング工程では、第１絶縁層１４および導体パターン１５の上に、第１絶縁層１４と同様にして、第２絶縁層１６を形成する。
以上により、厚み方向における金属層Ｍの一方面上に回路パターンが形成される。なお、第３パターニング工程の後、除去工程の前に、端子１５１Ａ，１５１Ｂ，１５１Ｃ、および、端子１５２Ａ，１５２Ｂ，１５２Ｃを保護するための図示しない端子保護レジストを形成する。端子保護レジストは、端子配置部２Ａ，２Ｂが形成される部分に形成され、エッチング工程（図５Ｄ参照）が終了するまで剥離されない。
（６）除去工程
次に、図５Ａに示すように、除去工程では、第２パターニング工程の後、基材Ｓを除去して、金属層Ｍの少なくとも一部を露出させる。
次に、図５Ａに示すように、除去工程では、第２パターニング工程の後、基材Ｓを除去して、金属層Ｍの少なくとも一部を露出させる。
基材Ｓを除去するには、まず、回路パターンの全部を覆うように、厚み方向における金属層Ｍの一方面にメッキレジストＲ１を形成する。次に、厚み方向における基材Ｓの他方側から、基材Ｓをウェットエッチングする。ウェットエッチングでは、第１金属を溶解し、第２金属を溶解しないエッチング液が使用される。例えば、基材Ｓが銅合金からなり、金属層Ｍがニッケルまたはクロムからなる場合、エッチング液として、塩化第二鉄溶液が使用される。
（７）密着層形成工程
次に、図５Ｂに示すように、密着層形成工程では、堆積工程の前に、厚み方向における金属層Ｍの他方面上に、密着層１３を形成する。
次に、図５Ｂに示すように、密着層形成工程では、堆積工程の前に、厚み方向における金属層Ｍの他方面上に、密着層１３を形成する。
密着層１３は、例えば、電解メッキまたはスパッタリングにより形成される。密着層１３を電解メッキにより形成する場合、メッキレジストＲ１を剥離しないで、電解メッキにより、厚み方向における金属層Ｍの他方面全部に、密着層１３を形成する。密着層１３をスパッタリングにより形成する場合、上記した密着層１３の材料からなるターゲットを用いて、スパッタリングにより、厚み方向における基材Ｓの他方面全部に、密着層１３を形成する。
（８）堆積工程
次に、図５Ｃに示すように、堆積工程では、除去工程の後、厚み方向における金属層Ｍの他方側に金属を堆積させて、第１金属支持層１１を形成する。詳しくは、密着層１３の上に第１金属支持層１１を形成する。堆積工程では、例えば、電解メッキによって金属を堆積させて、第１金属支持層１１を形成する。
次に、図５Ｃに示すように、堆積工程では、除去工程の後、厚み方向における金属層Ｍの他方側に金属を堆積させて、第１金属支持層１１を形成する。詳しくは、密着層１３の上に第１金属支持層１１を形成する。堆積工程では、例えば、電解メッキによって金属を堆積させて、第１金属支持層１１を形成する。
詳しくは、メッキレジストＲ１を剥離しないで、まず、密着層１３の上に、メッキレジストＲ２を貼り合わせて、第１金属支持層１１が形成される部分を遮光した状態で、メッキレジストＲ２を露光する。
次に、露光されたメッキレジストＲ２を現像する。すると、遮光された部分のメッキレジストが除去され、第１金属支持層１１が形成される部分に密着層１３が露出する。なお、露光された部分、すなわち、第１金属支持層１１が形成されない部分のメッキレジストＲ２は、残る。
次に、露出した密着層１３の上に、電解メッキにより、金属を堆積させる。これにより、密着層１３の上に第１金属支持層１１が形成される。
（７）エッチング工程
次に、図５Ｄに示すように、エッチング工程では、堆積工程の後、金属層Ｍをエッチングして、第２金属支持層１２を形成する。
次に、図５Ｄに示すように、エッチング工程では、堆積工程の後、金属層Ｍをエッチングして、第２金属支持層１２を形成する。
詳しくは、メッキレジストＲ２を剥離しないで、メッキレジストＲ１を剥離して、厚み方向における金属層Ｍの一方側から、金属層Ｍおよび密着層１３をウェットエッチングする。
すると、第１絶縁層１４、第２絶縁層１６、および、端子保護レジストがエッチングマスクとして機能し、第１絶縁層１４、第２絶縁層１６、および、端子保護レジストが形成されていない部分の金属層Ｍおよび密着層１３が、除去される。
これにより、第２金属支持層１２が形成される。
その後、メッキレジストＲ２が剥離される。
３．作用効果
（１）配線回路基板１の方法によれば、図５Ｃに示すように、電解メッキによって金属を堆積させることにより、第１金属支持層１１を、所定の形状（端子支持部１１１Ａと、複数の配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃとを有する形状、図３参照）にパターニングする。
（１）配線回路基板１の方法によれば、図５Ｃに示すように、電解メッキによって金属を堆積させることにより、第１金属支持層１１を、所定の形状（端子支持部１１１Ａと、複数の配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃとを有する形状、図３参照）にパターニングする。
そのため、エッチングなどの方法によって金属を除去することにより第１金属支持層１１をパターニングする場合と比べて、金属を過度に除去してしまうことなく、所望の形状の第１金属支持層１１を、安定に得ることができる。
その結果、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのファインピッチ化を図ることができる。
（２）配線回路基板１の方法によれば、図５Ｄに示すように、堆積工程の後、金属層Ｍをエッチングして、第２金属支持層１２を形成する。
そのため、第１金属支持層１１を所望の形状に形成した後、簡易な方法で第２金属支持層１２をパターニングできる。
（３）配線回路基板１によれば、図２Ｂに示すように、厚み方向における第１絶縁層１４の他方側に、第２金属支持層１２と、第２金属支持層１２よりも厚い第１金属支持層１１とからなる金属支持層を有する。
これにより、配線回路基板１の放熱性を確保できる。
さらに、このような構成の配線回路基板１は、上記した製造方法を使って製造できるので、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃのファインピッチ化を図ることもできる。
（４）配線回路基板１によれば、図２Ｂに示すように、接続部３Ａにおいて、第２金属支持層１２の幅Ｗ２が、配線支持部１１２Ａの幅Ｗ１よりも広い。
そのため、接続部３Ａにおいて、第２金属支持層１２で配線支持部１１２Ａを安定に支えることができる。
４．変形例
次に、変形例について説明する。変形例において、上記した実施形態と同様の部材には同じ符号を付し、説明を省略する。
次に、変形例について説明する。変形例において、上記した実施形態と同様の部材には同じ符号を付し、説明を省略する。
（１）図６Ａに示すように、除去工程（図５Ａ参照）の後、堆積工程（図６Ｃ参照）の前に、金属層Ｍの厚みを薄くする薄層化工程を含んでもよい。堆積工程の前に密着層形成工程（図６Ｂ参照）を実施する場合、薄層化工程は、密着層形成工程の前に実施される。
詳しくは、薄層化工程では、メッキレジストＲ１を剥離しないで、厚み方向における金属層Ｍの他方側から、厚み方向における金属層Ｍの一部を、ウェットエッチングする。これにより、金属層Ｍの厚みを薄くする。
次に、上記した実施形態と同様に、図６Ｂに示すように、厚み方向における基材Ｓの他方面上に密着層１３を形成し（密着層形成工程）、図６Ｃに示すように、密着層１３の上に金属を堆積させて第１金属支持層１１を形成し（堆積工程）、その後、図６Ｄに示すように、金属層Ｍをエッチングする（エッチング工程）。
この変形例では、エッチング工程において、薄層化された金属層Ｍをエッチングすることにより、第２金属支持層１２を形成できる。
そのため、エッチング工程を短縮することができる。
（２）図７Ａに示すように、除去工程において、基材Ｓのうち、端子支持部１１１Ａ，１１１Ｂが形成される第１領域Ａ１を除去せずに、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃが形成される第２領域Ａ２を除去してもよい。言い換えると、基材Ｓは、端子支持部１１１Ａ，１１１Ｂが形成される第１領域Ａ１と、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃが形成される第２領域Ａ２とを有し、除去工程では、第１領域Ａ１を除去せずに、第２領域Ａ２を除去する。
詳しくは、この変形例では、除去工程において、まず、回路パターンの全部を覆うように、厚み方向における金属層Ｍの一方面にメッキレジストＲ１を形成し、第１領域Ａ１を覆い、第２領域Ａ２を露出するように、厚み方向における基材Ｓの他方面にメッキレジストＲ３を形成する。次に、厚み方向における基材Ｓの他方側から、基材Ｓの第２領域Ａ２を、ウェットエッチングする。これにより、基材Ｓの第２領域Ａ２を除去する。
次に、メッキレジストＲ３を剥離して、上記した変形例（１）と同様に、図５Ｂに示すように、厚み方向における基材Ｓの他方面上に密着層１３を形成し（密着層形成工程）、図５Ｃに示すように、密着層１３の上に金属を堆積させて第１金属支持層１１を形成し（堆積工程）、その後、図５Ｄに示すように、基材Ｓをエッチングする（エッチング工程）。
この変形例では、端子１５１Ａ，１５１Ｂ，１５１Ｃを支持する第１領域Ａ１の剛性を確保できる。
なお、この変形例で得られた配線回路基板１では、図７Ｂに示すように、接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃの金属支持層の厚みＴ１２（第１金属支持層１１、第２金属支持層１２および密着層１３の総厚み）が、端子配置部２Ａ，２Ｂの金属支持層の厚みＴ１１よりも薄い。
（３）エッチング工程後の第２金属支持層１２の形状は、限定されない。エッチング工程後の第２金属支持層１２は、例えば、図５Ｄに示すように、厚み方向において第１金属支持層１１に近づくにつれて幅が狭くなるテーパ形状を有してもよいし、図８Ａに示すように、厚み方向における第２金属支持層１２の中央部分の幅が、厚み方向における第２金属支持層１２の一端部および他端部の幅よりも狭くなるくびれ形状を有してもよい。
エッチング工程後の第２金属支持層１２がくびれ形状を有している場合、図８Ｂに示すように、厚み方向における第２金属支持層１２の他端部の幅は、第１金属支持層１１の幅Ｗ１よりも広くてもよい。また、配線回路基板１が密着層１３を有する場合、密着層１３の幅は、第１金属支持層１１の幅Ｗ１よりも広くてもよい。
（４）密着層形成工程において、厚み方向における基材Ｓの他方面全部に密着層１３を形成しなくてもよい。密着層１３は、堆積工程において第１金属支持層１１が形成される部分に、パターン形成されていてもよい。
詳しくは、図９Ａに示すように、密着層形成工程において、上記したメッキレジストＲ１を剥離しないで、厚み方向における金属層Ｍの他方面に上記したメッキレジストＲ２を形成する。
次に、メッキレジストＲ２から露出した金属層Ｍの他方面上に密着層１３を形成する。
次に、図９Ｂに示すように、メッキレジストＲ１、Ｒ２を剥離しないで、密着層１３の上に金属を堆積させて、密着層１３の上に第１金属支持層１１を形成する。
（５）変形例（１）から（４）においても、上記した実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
１ 配線回路基板
１１ 第１金属支持層
１２ 第２金属支持層
１４ 第１絶縁層（絶縁層の一例）
１５ 導体パターン
１１１Ａ 端子支持部
１１２Ａ 配線支持部（第１配線支持部の一例）
１１２Ｂ 配線支持部（第２配線支持部の一例）
１５１Ａ 端子（第１端子の一例）
１５１Ｂ 端子（第２端子の一例）
１５３Ａ 配線（第１配線の一例）
１５３Ｂ 配線（第２配線の一例）
Ａ１ 第１領域
Ａ２ 第２領域
Ｓ 基材
Ｍ 金属層
１１ 第１金属支持層
１２ 第２金属支持層
１４ 第１絶縁層（絶縁層の一例）
１５ 導体パターン
１１１Ａ 端子支持部
１１２Ａ 配線支持部（第１配線支持部の一例）
１１２Ｂ 配線支持部（第２配線支持部の一例）
１５１Ａ 端子（第１端子の一例）
１５１Ｂ 端子（第２端子の一例）
１５３Ａ 配線（第１配線の一例）
１５３Ｂ 配線（第２配線の一例）
Ａ１ 第１領域
Ａ２ 第２領域
Ｓ 基材
Ｍ 金属層
Claims (4)
- 第１金属からなる基材を準備する準備工程と、
厚み方向における前記基材の一方側に、前記第１金属と異なる第２金属からなる金属層を形成する金属層形成工程と、
前記厚み方向における前記金属層の一方側に、絶縁層を形成する第１パターニング工程と、
前記厚み方向における前記絶縁層の一方側に、第１端子と、第２端子と、前記第１端子と接続される第１配線と、前記第２端子と接続され、前記第１配線と間隔を隔てて並ぶ第２配線とを有する導体パターンを形成する第２パターニング工程と、
前記第２パターニング工程の後、前記基材を除去して、前記金属層の少なくとも一部を露出させる除去工程と、
前記除去工程の後、前記厚み方向における前記金属層の他方側に金属を堆積させて、前記第１端子および前記第２端子を支持する端子支持部と、前記第１配線を支持する第１配線支持部と、前記第２配線を支持し、前記第１配線支持部と間隔を隔てて並ぶ第２配線支持部とを有する第１金属支持層を形成する堆積工程と
を含む、配線回路基板の製造方法。 - 前記堆積工程の後、前記金属層をエッチングして、前記第１金属支持層と前記絶縁層との間に配置される第２金属支持層を形成するエッチング工程を、さらに含む、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
- 前記除去工程の後、前記堆積工程の前に、前記金属層の厚みを薄くする薄層化工程を、さらに含む、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
- 前記基材は、前記端子支持部が形成される第１領域と、前記第１配線支持部および前記第２配線支持部が形成される第２領域とを有し、
前記除去工程では、前記第１領域を除去せずに、前記第２領域を除去する、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
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