JP2001525600A - 集積型可融リンクを有するプリント回路板アセンブリ - Google Patents
集積型可融リンクを有するプリント回路板アセンブリInfo
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Abstract
Description
板アセンブリに関する。 (発明の背景) 従来のプリント回路(「PC」)板は、概して電気絶縁基板の薄板構成、導電
層および接着剤を含む。接着剤は、導電層を絶縁体基板に接合する。例えば、銅
クラッディングは、通常以下の材料、すなわちFR−4、エポキシ、セラミック
、ガラス−エポキシ混合物、ポリイミド、メラミンおよび電気絶縁体ポリマーの
いずれかで形成される絶縁基板の表面を覆う。PC板の製造業者らは、多様な技
術を用いて、導電層の一部を腐食させ、所望の電気回路ジオメトリを規定する導
電トレースを残す。
部品を、これらの導電トレースに取り付けおよび相互接続させ、回路モジュール
、アセンブリ、あるいはサブアセンブリを形成してきた。これらの個別に表面上
に設置された電子部品は、典型的には導電トレースにはんだ付け、あるいは電気
接続される。しかしながら、今日のアプリケーションの多くは、小型化条件がP
C板のデザインを決定する。PC板には、平面状基板の「実装可能面積(rea
l estate)」が最小限であり得る単一PC板アプリケーション、および
複数のPC板が垂直にスタックされなければならないマルチボードアプリケーシ
ョンが含まれる。従って、規定された回路ジオメトリを保護するために、直接回
路ジオメトリに集積されている薄膜電気ヒューズ、あるいは導電トレースを有す
るPC板アセンブリが必要とされている。
にデザインされたものである。
護を提供することを目的とする。
こともまた目的とする。
規定する、導電トレースを備えたPC板アセンブリが提供される。PC板上の薄
膜ヒューズは、導電トレースの第1の部分と第2部分とを電気的に接続する。こ
の薄膜ヒューズは、第1の導電層および第2の導電層を含む可融リンクを有する
。第2の導電層は、第1の導電層を構成する材料以外の材料により構成される。
に有する、電気的絶縁基板を含む電気的アセンブリが提供される。これらの導電
トレースは、それらに接続する電気部品を有するように構成されている。可融リ
ンクは基板の第1の表面上に形成され、第1および第2の導電トレースを電気的
に接続する。この可融リンクは、第1および第2の導電層を含み、第2の導電層
は第1の導電層を構成する材料以外の材料により構成される。保護コーティング
が可融リンクを覆っている。
する方法が提供される。この電気的アセンブリは、その第1の表面上の電気的回
路ジオメトリを規定する導電トレースを有する、電気的絶縁基板を含む。この方
法は、電気的絶縁基板を露出するように導電トレースの一部を除去し、第1およ
び第2の回路トレースを形成する工程を含む。第1の導電層は露出された基板上
に堆積され、第1の回路トレースと第2の回路トレースとを接続する。第2の導
電層は第1の導電層上に堆積され、可融リンクを形成する。
する方法が提供される。この方法は、絶縁基板の表面を調整して、基板表面を導
電層と結合しやすくする工程を含む。第1の導電層(すなわち可融要素)は、絶
縁基板の粗い表面上に付与される。導電トレースは、絶縁基板に積層されて、可
融要素がそれらの導電トレースを電気的に接続する。第2の導電層は、第1の導
電層上に付与され、可融リンクを形成する。最後に、保護層が可融リンクに付与
される。
する方法もまた提供される。PC板アセンブリは、基板の表面に取り付けられた
第1の導電層を有する、電気的絶縁基板を備える。この製造方法は、導電層の一
部を除去し、回路ジオメトリを規定する工程を含む。第2の導電層は、回路ジオ
メトリに付与され、可融リンクを形成する。最終工程において、保護コーティン
グが可融リンクに付与される。
となる。
発明を説明する。
明の原理の例示と見なされ、図示説明する実施形態に本発明の広範な局面を限定
することを意図するものではないという理解のもと、本発明の実施形態を図に示
し、本明細書において詳細に説明する。
、本発明による電気的アセンブリ10は、第1の表面20を有する電気的絶縁基
板15を含む。第1の表面20上には、第1および第2の導電トレース25、3
0があり、追加の電気的要素を接続するように適合されている。第1の表面20
上には、可融性のリンク35があり、第1および第2の導電トレース25、30
に電気的に接続されている。可融性のリンク35は、第1の導電層40および第
2の導電層45を含む。第2の導電層45は、第1の導電層40上に堆積され、
第1の導電層40に含まれる材料以外の材料から構成される。保護被覆50が、
可融性のリンク35を覆い、可融性のリンク35を衝撃および酸化から保護する
。
アセンブリ10を示す。PCボード15aは、その表面、即ち、可融性のリンク
35を介して接続された導電トレース25、30に集積ヒューズ保護を有する。
可融性のリンクは、第1および第2の導電層40、45を含む。保護被膜50が
可融性のリンク35を覆う。PCボード15bは、PCボード15a上に垂直に
スタックされている。最終的に、PCボード15a、15bは積層されて、単一
のアセンブリを形成する。PCボード15bは、PCボード15aに接続された
、可融性のリンク35を含む、電子的要素への電気的アクセスを可能にする開口
51、52を有する。本発明が、図2に示すような複数の垂直スタックされたP
Cボードから構成される電気的アセンブリを想定していることを理解されたい。
ための2つの好適な方法を説明する。第1の好適な方法では、既存の回路の一部
を除去し、PCボードの絶縁基板を露出する。次に、従来の鍍金技術を用いて、
絶縁基板上に薄膜ヒューズを形成する。この方法は、本明細書において「直接堆
積法」と称する。第2の好適な方法では、既存の回路にヒューズを直接エッチン
グすることにより、薄膜ヒューズがPCボードに直接集積される。この方法は、
本明細書において「直接エッチング法」と称する。
工程を図3A〜図3Kを参照しながら説明する。図3Aおよび図3Bに図示する
ように、導電性被覆面65を有するPC板60をフォトレジスト材料70で被覆
する。典型的には、PC板60は、電気絶縁性基板(例えば、セラミック、ガラ
スエポキシ、電気絶縁性ポリマー、およびFR4エポキシ)と、接着剤と、導電
性箔との積層体である。複数の導電性トレース120は、当該分野においては周
知であるように、マスクまたはフォトリソグラフィ技術を用いてPC板60上に
イメージングする。導電性トレース120の所望のジオメトリ(geometr
y)を形成する非マスクフォトレジスト材料71を硬化する。
未硬化フォトレジスト材料を除去して、導電性トレース120を規定する導電性
被覆面65を露出させる。図3Dに示す次の工程において、好ましくは層65を
塩化鉄(III)溶液に供することにより露出した導電性被覆面65をエッチング除
去し、これにより、PC板60の絶縁性基板87を露出させて、導電性トレース
120のジオメトリを、硬化したフォトレジスト71によって保護された状態で
後に残す。
ぼ等しい)を剥離し、これにより、導電性トレース120の中央部分121を露
出させる。部分121を塩化鉄(III)溶液に供することにより露出した中央部分
121をエッチング除去し、これにより、導電性トレース120の各部分間にお
いて電気絶縁性基板87を露出させる。導電性トレース120の各部分間におい
て露出した電気絶縁性基板87上に導電性層を堆積することによって、可融リン
クが形成されるので、この絶縁性基板87の表面に接着剤が存在しないようにす
ることが重要である。これにより、堆積された可融リンクと露出した絶縁性基板
87とが確実に接続されるようになる。その後、導電性トレース120を被覆す
る残りの硬化したフォトレジストを除去し、これにより、複数の第1および第2
の回路トレース125、130を形成する(図3F)。
び第2の回路トレース125、130をそれぞれ接続する。好適な方法において
、第1の導電性層135は、銅を含み、従来の無電解めっき技術を用いて基板上
にめっきされる。
レースを規定するのと同様に行われる(図3A〜図3Dを参照)。図3H〜図3
Jを参照して、フォトレジスト材料70を、第1の導電性層135に塗布する。
可融リンクのジオメトリを、当該分野においては周知であるように、マスクまた
はフォトリソグラフィ技術を用いてフォトレジスト材料70上にイメージングす
る。可融リンクのジオメトリを保護している非マスクフォトレジスト材料71を
硬化する。硬化したフォトレジスト71を現像し、これにより、未硬化フォトレ
ジスト材料を除去して、第1の導電性層135の部分を露出させる。好ましくは
塩化鉄(III)溶液によって、第1の導電性層135の露出した部分をエッチング
除去する。硬化したフォトレジスト材料71によって保護されるこの可融リンク
のジオメトリは、後に残る(図3I)。
び第2の導電性トレース125、130の上に部分的に重なる端子パッド137
を接続する薄い可融要素136を含み、これにより、それぞれ、確実な電気的接
続状態を確保する。集積フューズおよび電気的アセンブリの所望の用途および定
格に応じて、全体的な寸法を含む可融リンクのジオメトリが変わることが理解さ
れるべきである。
料71の部分を剥離し、これにより、第1の導電性層135を露出させる。好ま
しくは錫または錫/鉛合金である第2の導電性層138を、可融リンク139を
形成する薄い可融要素136の露出部分に塗布する。残りの硬化したフォトレジ
スト材料を、端子パッド137および薄い可融要素136から剥離し、これによ
り、第1の導電性層135を露出させる。図3Kに示す最終工程において、保護
コーティング140を、可融リンク139に塗布する。好ましくは、保護コーテ
ィングはポリマー性材料である。ポリカーボネートフィルムは、保護コーティン
グ140としての使用に非常に適している。
、厚さtctを有する。導電性層135が無電解めっきされた銅であり、回路トレ
ース125、130が典型的に銅箔である好適な実施形態においては、tflはt ct 未満である。
において、絶縁基板150が提供される。絶縁基板の表面は、メッキ性を高める
ために予め調整してあり、あるいは粗くされる。表面は、MnO4に曝すことに より化学的に調整されてもよく、あるいはサンドブラスト加工などにより機械的
に調整されてもよい。第1の導電層135が、絶縁基板150の処理面に付与さ
れる(図4B)。導電層は、例えば積層または無電解メッキなどの任意の従来技
術によって付与され得る。好ましくは、第1の導電層135は無電解メッキされ
た銅を含んでなる。
的に接続されるように、回路トレース125、130を絶縁基板150に積層す
る。第2の導電層138を第1の導電層135に付与することにより、可融リン
ク139(図4D)を形成する。図4Eに示す最後の工程において、保護コーテ
ィング140を可融リンク139に付与することにより、可融リンク139を酸
化物の形成および機械的応力の印加から保護する。
、図5A〜5Hを参照して説明する。図5Aにおいて、直接エッチング法は、回
路ジオメトリが規定されていない外側の第1導電層65を有する、従来の「バー
ジン」PC板60上に行われる。典型的には、PC板60は電気的に絶縁性の基
板(例えばセラミック、ガラスエポキシ、電気的に絶縁性のポリマー、およびF
R4エポキシ)、接着剤、および導電性箔の積層体である。直接エッチング法は
また、既に回路ジオメトリが規定されたPC板上にも行い得ることが、当業者に
は理解される。
回路ジオメトリを第1の導電層65にエッチングする。まず図5Bを参照して、
PC板60をフォトレジスト材料70で覆う。上述のマスクまたはフォトリソグ
ラフィ技術を用いて、回路トレース125、130および可融要素85を基板6
0上にイメージングする。マスクされていないフォトレジスト材料71(すなわ
ち回路トレース125、130を保護する材料および可融要素85を保護する材
料)を硬化する。
フォトレジスト材料は除去されて、それによりPC板60の第1の導電層65が
露出する。硬化したフォトレジスト材料は71は、さらなる処理工程中に、回路
トレース125、130および可融要素85を規定し、かつ保護する。PC板6
0の露出した第1の導電層65は、好適には露出した第1の導電層65を塩化鉄
(III)溶液に曝すことによって、エッチングにより除去され、それによりP
C板60の絶縁基板87が露出する(図5D)。
法の場合は、回路トレース125、130および可融要素85が同一の構造物、
すなわち第1の導電層65から形成される(図6と図7とを比較されたい)。従
来のPC板の場合、この構造物は概して金属箔、典型的には銅である。ヒューズ
をとばせるために、可融要素85は好適には、回路トレース125、130の幅
よりも小さい幅を有する。可融要素85および回路トレース125、130のデ
ィメンションは、図5Bに関して上述したようにイメージング工程中に制御され
得る。
る。可融要素85に対する第2の導電層138の付与は、可融リンク139の融
点を、回路トレース125、130の融点よりも低下させる。これは、一般にM
効果として知られている。
、錫、鉛またはそれらの合金を含む、好適な実施形態において、導電トレース1
25、130と可融リンク139との間の融点の差は、約1250°Fである。
可融リンク139の融点を低下させることにより、集積ヒューズの定格が制御さ
れ得る。さらに、PC板からの付着の存在によって起こる炭素のトラッキングお
よび焦げが回避され得る。
5から剥離して第1の導電層65を露出させることにより、第2の導電層138
が可融要素85に付与される。その後、第2の導電層138が、任意の従来の堆
積法(例えば、蒸着、スパッタリング、メッキ)により、第1の導電層65の露
出した部分に付与されて、可融リンク139を形成する。
5と第2の導電層138とを含む。可融リンク139の融点を低下させるために
、第2の導電層138は、第1の導電層65を構成する材料以外の材料を含む。
例えば、第2の導電層138は、半田、錫、鉛またはそれらの合金を含み、第1
の導電層65は、銅、銀、ニッケル、チタン、アルミニウムおよびそれらの合金
からなる群より選択される金属を含む。
30および可融要素85から剥離され、保護コーティング140が可融リンク1
39上に堆積されて、リンク139を衝撃および酸化から保護する。好適には、
保護コーティング140はポリマー材料である。ポリカーボネート膜140が保
護コーティング140として用いられるに適している。
である。図7は、本発明の直接エッチング法によって製造された電気アセンブリ
10の前面図である。図6および図7には、単一の集積ヒューズ150のみが示
されており、図3A〜3K、図4A〜図4E、および図5A〜図5Fの様々なプ
ロセス工程は限定された数の集積ヒューズに対して実施されるが、当業者には、
本発明の電気アセンブリ10は複数の集積ヒューズを有し得ることが理解される
べきである。
現化されることが理解される。従って、本実施例および実施形態は、すべての局
面で例としてのものであり本発明を限定しないと考えられるべきであり、本発明
は本明細書に示された詳細によって限定されることはない。
図である。
図である。
である。
である。
である。
である。
である。
である。
である。
である。
である。
である。
である。
である。
である。
である。
である。
である。
示す図である。
示す図である。
示す図である。
示す図である。
示す図である。
示す図である。
ある。
Claims (41)
- 【請求項1】 電気アセンブリであって、 第1の表面上に第1のおよび第2の回路トレースを有する電気的に絶縁性の基
板であって、該複数の回路トレースが、厚さtctを有する第1の導電材料から構
成され、それに接続された電気コンポーネントを有するように調節された、電気
的に絶縁性の基板と、 該基板の該第1の表面および該第1および第2の回路トレースのいくつかの部
分の上に配置され、且つ、該第1および第2の回路トレースを電気的に接続する
可融リンクであって、該可融リンクは第1の導電層および第2の導電層を含み、
該可融リンクの該第1の導電層はtctよりも小さな厚さtclを有し、該第2の導
電層は、該第1の導電層を構成する材料とは異なる材料から構成される、可融リ
ンクと、 を含む電気アセンブリ。 - 【請求項2】 前記可融リンクは、第1および第2の端子パッドを含み、該
第1および第2の端子パッドは物理的且つ電気的に該可融リンクを前記回路トレ
ースに接続する、請求項1に記載の電気アセンブリ。 - 【請求項3】 前記電気的に絶縁性の基板は、前記第1の表面上に複数の第
1および第2の回路トレースを含み、該複数の第1および第2の回路トレースは
、複数の可融リンクによってそれぞれ接続される、請求項1に記載の電気アセン
ブリ。 - 【請求項4】 前記可融リンクの前記第1の導電層は、前記第1および第2
の回路トレースと同じ金属から構成される、請求項1に記載の電気アセンブリ。 - 【請求項5】 前記複数の可融リンクの各々は、第1および第2の端子パッ
ドを含み、該第1および第2の端子パッドの各々は、それぞれの可融リンクで、
前記複数の第1および第2の回路トレースの1つと接続される、請求項3に記載
の電気アセンブリ。 - 【請求項6】 前記可融リンクの前記第1の導電層は、前記第1の回路トレ
ースを前記第2の回路トレースに接続する、請求項1に記載の電気アセンブリ。 - 【請求項7】 前記可融リンクの前記第1の導電層は、銅、銀、ニッケル、
チタン、アルミニウム、およびそれらの合金からなる群より選択された金属から
構成される、請求項1に記載の電気アセンブリ。 - 【請求項8】 前記可融リンクを覆う保護コーティングを含む、請求項1に
記載の電気アセンブリ。 - 【請求項9】 前記保護コーティングはポリマー性材料を含む、請求項8に
記載の電気アセンブリ。 - 【請求項10】 前記ポリマー性材料はポリカーボネートを含む、請求項9
に記載の電気アセンブリ。 - 【請求項11】 前記可融リンクの前記第2の導電層は、該可融リンクの前
記第1の導電層の融点温度よりも低い融点温度を有する、請求項1に記載の電気
アセンブリ。 - 【請求項12】 前記可融リンクの前記第2の導電層は錫を含む、請求項1
に記載の電気アセンブリ。 - 【請求項13】 前記可融リンクの前記第2の導電層は錫と鉛との混合物を
含む、請求項1に記載の電気アセンブリ。 - 【請求項14】 前記可融リンクの前記第1の導電層は銅を含み、該可融リ
ンクの前記第2の導電層は錫を含む、請求項1に記載の電気アセンブリ。 - 【請求項15】 前記電気的に絶縁層の基板は、セラミック、ガラスエポキ
シ、および電気的に絶縁性のポリマーからなる群より選択された材料から構成さ
れる、請求項1に記載の電気アセンブリ。 - 【請求項16】 プリント回路板アセンブリであって、 絶縁層および導電層から構成されるプリント回路板と、 該プリント回路板の第1の表面上に電気回路ジオメトリを規定する導電性トレ
ースであって、該導電性トレースは、厚さtctを有し、且つ、該プリント回路板
の該導電層から形成され、この材料が除去されて第1および第2の回路トレース
が規定される、導電性トレースと、 第1の導電層および第2の導電層を含む可融リンクを有する薄膜ヒューズであ
って、該可融リンクの該第1の導電層が、該プリント回路板の該絶縁層上に配置
され、且つ、該第1および第2の回路トレースに重なり、該可融リンクの該第1
の導電層が、tctよりも小さな厚さtclを有し、且つ、該可融リンクの該第2の
導電層を構成する材料とは異なる材料から構成される、薄膜ヒューズと、 を含むプリント回路板アセンブリ。 - 【請求項17】 前記可融リンクは、前記導電性トレースの前記第1および
第2の回路トレースを電気的に接続する第1および第2の端子パッドを含む、請
求項16に記載のプリント回路板アセンブリ。 - 【請求項18】 前記プリント回路板は、複数の電気回路ジオメトリを規定
する複数の導電性トレースを含み、各導電性トレースは第1および第2の回路ト
レースをそれぞれ有し、 複数の薄膜ヒューズは、第1の導電層および第2の導電層を含む可融リンクを
有し、各可融リンクの該第1の導電層は該プリント回路板の前記絶縁層上に配置
され、且つ、該第1および第2の回路トレースの1つにそれぞれ重なり、 各可融リンクの該第1の導電層は、tctよりも小さな厚さtclを有し、且つ、
各可融リンクの前記第2の導電層を構成する材料とは異なる材料とは異なる材料
から構成される、 請求項16に記載のプリント回路板アセンブリ。 - 【請求項19】 前記導電性トレースが金属箔を含む、請求項16に記載の
プリント回路板アセンブリ。 - 【請求項20】 前記可融リンクの前記第1の導電層は銅を含む、請求項1
6に記載のプリント回路板アセンブリ。 - 【請求項21】 前記プリント回路板の前記導電層は金属箔から構成され、
前記可融リンクの前記第1の導電層は無電解メッキされた金属から構成される、
請求項16に記載のプリント回路板アセンブリ。 - 【請求項22】 前記金属箔および前記無電解メッキされた金属は、銅であ
る、請求項21に記載のプリント回路板アセンブリ。 - 【請求項23】 電気回路ジオメトリを規定するように、第1の表面上に導
電性トレースを有する電気的に絶縁性の基板から構成される電気アセンブリを製
造する方法であって、 該導電性トレースの一部を除去して、該電気的に絶縁性の基板を露出させて、
第1および第2の回路トレースを形成するステップと、 該露出された基板上に第1の導電層を堆積するステップであって、該第1の導
電層が該第1および第2の回路トレースに電気的に接続する、ステップと、 第2の導電層を該第1の導電層上に堆積して、可融リンクを形成するステップ
と、 を含む方法。 - 【請求項24】 前記第1の導電層は、前記第2の導電層を構成する材料と
は異なる材料から構成される、請求項23に記載の方法。 - 【請求項25】 前記可融リンクに保護コーティングを付与するステップを
含む、請求項23に記載の方法。 - 【請求項26】 前記導電性トレースの一部分を除去して、前記電気的に絶
縁性の基板を露出させて、第1および第2の回路トレースを形成するステップが
、 該導電性トレースの一部がマスキングされずに残るように、該導電性トレース
の第1および第2の部分をマスキングするステップと、 該導電性トレースの該マスキングされなかった部分を除去して、該絶縁性の基
板を露出させるステップと、 該導電性トレースの該第1および第2の部分から該マスキングを除去して、該
第1および第2の回路トレースを規定するステップと、 をさらに含む、請求項23に記載の方法。 - 【請求項27】 前記露出された基板上に第1の導電層を堆積して、前記第
1および第2の回路トレースを電気的に接続するステップは、 前記露出された基板および該第1および第2の回路トレースのいくつかの部分
に導電性材料を付与するステップと、 該導電性材料をマスキングするステップと、 該導電性材料の一部をマスクせずに残すステップと、 該マスキングされなかった導電性材料を除去して、第1および第2の端子パッ
ドおよびヒューズエレメントを規定するステップと、 をさらに含む、請求項23に記載の方法。 - 【請求項28】 前記第1の導電層は、無電解メッキによって、前記露出さ
れた基板上に堆積される、請求項23に記載の方法。 - 【請求項29】 前記第1の導電層は銅を含む、請求項23に記載の方法。
- 【請求項30】 前記第1の導電層上に第2の導電層を堆積して、可融リン
クを形成するステップは、 該第1の導電層ならびに前記第1および第2の回路トレースのいくつかの部分
をマスキングするステップと、 第1の導電層の一部を露出させるステップと、 該第1の導電層の該露出された部分上に該第2の導電層を堆積するステップと
、 該第1の導電層ならびに該第1および第2の回路トレースの該いくつかの部分
から該マスキングを除去するステップと、 をさらに含む、請求項23に記載の方法。 - 【請求項31】 その上に堆積された導電性回路ジオメトリおよび該導電性
回路ジオメトリに集積された少なくとも1つの可融リンクを有する電気的に絶縁
性の基板を含む電気アセンブリを製造する方法であって、該方法は、 該絶縁性基板を調整するステップと、 該絶縁基板上に第1の導電層を堆積するステップと、 第1および第2の導電性トレースを該第1の導電層に電気的に接続して、該導
電性回路ジオメトリを形成するステップと、 該第1の導電層に第2の導電層を付与して、可融リンクを形成するステップと
、 を含む方法。 - 【請求項32】 前記可融リンクを保護コーティングで覆うステップをさら
に含む、請求項31に記載の方法。 - 【請求項33】 前記第1および第2の導電性トレースは、前記絶縁性の基
板上に堆積され、該第1および第2の導電性トレースの一部は、前記第1の導電
層上に堆積される、請求項31に記載の方法。 - 【請求項34】 前記第1および第2の導電性トレースは、前記第1の導電
層の厚さよりも大きな厚さを有する、請求項31に記載の方法。 - 【請求項35】 前記第1の導電層は、前記絶縁性の基板上に無電解メッキ
によって堆積される、請求項31に記載の方法。 - 【請求項36】 前記第1の導電層は銅である、請求項31に記載の方法。
- 【請求項37】 表面上に規定された電気回路ジオメトリを有する電気的に
絶縁性の基板から構成される電気アセンブリを製造する方法であって、該方法は
、 第1の表面に取り付けられた第1の導電層を有する電気的に絶縁性の基板を提
供するステップであって、該第1の導電層が所望の回路ジオメトリを規定する、
ステップと、 該第1の導電層内に、第1および第2の回路トレースを形成するステップと、 該第1の導電層内に可融エレメントを形成するステップであって、該可融エレ
メントは、該第1および第2の回路トレースを電気的に接続する、ステップと、 第2の導電層を該第1の導電層に付与して、可融リンクを形成するステップと
、 を含む方法。 - 【請求項38】 前記第1の導電層は、銅、銀、ニッケル、チタン、アルミ
ニウム、およびそれらの合金からなる群より選択された金属で構成される、請求
項37に記載の方法。 - 【請求項39】 前記第2の導電層は、錫、はんだ、鉛、およびそれらの合
金からなる群より選択された材料で構成される、請求項37に記載の方法。 - 【請求項40】 前記第1および第2の回路トレースおよび可融エレメント
を形成するステップは、 前記第1の導電層のいくつかの部分をマスキングするステップと、 該第1の導電層のマスキングされなかった部分をエッチング除去するステップ
と、 によって実行される、請求項37に記載の方法。 - 【請求項41】 前記第1および第2の回路トレースは幅W1を有し、前記 可融エレメントは幅W2を有し、W1はW2よりも大きい、請求項37に記載の方 法。
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