JPH08153456A - 電流保護素子 - Google Patents
電流保護素子Info
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- JPH08153456A JPH08153456A JP6296455A JP29645594A JPH08153456A JP H08153456 A JPH08153456 A JP H08153456A JP 6296455 A JP6296455 A JP 6296455A JP 29645594 A JP29645594 A JP 29645594A JP H08153456 A JPH08153456 A JP H08153456A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】消費電力を抑制でき、さらに保護素子の保護に
優れた電流保護素子を提供すること。 【構成】樹脂系基板上に導体を形成した電流保護素子で
あって、その導体パターンが、導体幅を小さくすること
によって形成された少なくとも３つ以上の奇数の高抵抗
部分と、高抵抗部分間に接続された低抵抗部分とからな
り、高抵抗部分の１つがパターンの中央に位置し、他の
高抵抗部分が中央の高抵抗部分を中心に対称に形成され
ていること。
優れた電流保護素子を提供すること。 【構成】樹脂系基板上に導体を形成した電流保護素子で
あって、その導体パターンが、導体幅を小さくすること
によって形成された少なくとも３つ以上の奇数の高抵抗
部分と、高抵抗部分間に接続された低抵抗部分とからな
り、高抵抗部分の１つがパターンの中央に位置し、他の
高抵抗部分が中央の高抵抗部分を中心に対称に形成され
ていること。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電流保護素子に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】電流保護素子は、電子機器の過電流保護
に使用されるものである。本発明で言う電流保護素子
は、電気回路と直列につなぎ、過電流が流れた時に保護
素子内の配線が溶断され、それ以降の電流を遮断するこ
とによって機器の保護を行うものである。このような素
子は、一般的な名称としてヒューズと言われているが、
ヒューズと言うためには、各種規格に定められた特性を
満たす必要がある。しかし、電子機器の多用化に伴い、
従来の規格と異なる電流保護素子も現れてきている。従
って本発明は、ヒューズを含め上に述べたような作動機
構を行う電流保護素子に用いるパターン及びそのパター
ンを設けた電流保護素子に関するものである。過電流保
護装置には、上記のような電流保護素子に限らずサイリ
スタやトランジスタを用いた電子スイッチを使用するこ
ともあるが、回路部品が増加し、あるいは、その保護回
路によって消費される電力も機器が小形化され、電池で
作動させるものについては大変な負担となるものであ
る。従って、基板上に電流保護素子をはんだ付けした
り、あるいは電流保護素子止め具をはんだ付けしたりし
て使用していたが、どんなに小形化しても電流保護素子
の搭載に占める面積は大きく、小形化のネックとなって
いた。
に使用されるものである。本発明で言う電流保護素子
は、電気回路と直列につなぎ、過電流が流れた時に保護
素子内の配線が溶断され、それ以降の電流を遮断するこ
とによって機器の保護を行うものである。このような素
子は、一般的な名称としてヒューズと言われているが、
ヒューズと言うためには、各種規格に定められた特性を
満たす必要がある。しかし、電子機器の多用化に伴い、
従来の規格と異なる電流保護素子も現れてきている。従
って本発明は、ヒューズを含め上に述べたような作動機
構を行う電流保護素子に用いるパターン及びそのパター
ンを設けた電流保護素子に関するものである。過電流保
護装置には、上記のような電流保護素子に限らずサイリ
スタやトランジスタを用いた電子スイッチを使用するこ
ともあるが、回路部品が増加し、あるいは、その保護回
路によって消費される電力も機器が小形化され、電池で
作動させるものについては大変な負担となるものであ
る。従って、基板上に電流保護素子をはんだ付けした
り、あるいは電流保護素子止め具をはんだ付けしたりし
て使用していたが、どんなに小形化しても電流保護素子
の搭載に占める面積は大きく、小形化のネックとなって
いた。
【０００３】そこで、特開昭６０−１４３５４４号公報
にも開示されているように、セラミック基板に、第１層
に銀または銀−パラジウム、第２層にニッケル層、第３
層にはんだまたは錫の３層の導電層を形成し、半田付け
時の溶断特性を向上したものが知られ、導電層表面をシ
リコン樹脂等の不燃性樹脂で被覆することも開示されて
いる。また、特開平５−１６６４５４号公報には、セラ
ミック基板の代わりにガラス布基材フッ素樹脂基板を用
いたものが開示されている。
にも開示されているように、セラミック基板に、第１層
に銀または銀−パラジウム、第２層にニッケル層、第３
層にはんだまたは錫の３層の導電層を形成し、半田付け
時の溶断特性を向上したものが知られ、導電層表面をシ
リコン樹脂等の不燃性樹脂で被覆することも開示されて
いる。また、特開平５−１６６４５４号公報には、セラ
ミック基板の代わりにガラス布基材フッ素樹脂基板を用
いたものが開示されている。
【０００４】絶縁基板の端面において、ほぼ半円筒形状
に窪みを有する構造は、実公昭５５−２５６５号公報に
チップ状抵抗素子の電極を構成するために用いることが
知られている。
に窪みを有する構造は、実公昭５５−２５６５号公報に
チップ状抵抗素子の電極を構成するために用いることが
知られている。
【０００５】従来、このような電流保護素子用のパター
ンとしては、図５の（Ａ）〜（Ｃ）に示すような形状を
とっていた。図５（Ａ）に示すパターンは、一般的なパ
ターン形状でパターンの一部に狭小部を設け、定格電流
付近では放熱大にして溶断せず、過電流に対しては断熱
的に狭小部のみの急激な温度上昇により瞬時に溶断する
ようになっている。図５（Ｂ）及び（Ｃ）に示すパター
ンは、均一なパターン幅でパターン長さを大きくしたも
ので抵抗値が大きく、発熱量も大きいため低電流でも溶
断することができる低定格電流タイプ用である。
ンとしては、図５の（Ａ）〜（Ｃ）に示すような形状を
とっていた。図５（Ａ）に示すパターンは、一般的なパ
ターン形状でパターンの一部に狭小部を設け、定格電流
付近では放熱大にして溶断せず、過電流に対しては断熱
的に狭小部のみの急激な温度上昇により瞬時に溶断する
ようになっている。図５（Ｂ）及び（Ｃ）に示すパター
ンは、均一なパターン幅でパターン長さを大きくしたも
ので抵抗値が大きく、発熱量も大きいため低電流でも溶
断することができる低定格電流タイプ用である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述しように、保護回
路によって消費される電力を低減するために、電流保護
素子の消費電力も小さいものが強く要求されている。低
定格電流タイプでは発熱量が小さいために、図５（Ａ）
に示すパターンのような形状では、狭小部からの放熱量
が大きく低電流で溶断するパターンの設計は不可能であ
る。
路によって消費される電力を低減するために、電流保護
素子の消費電力も小さいものが強く要求されている。低
定格電流タイプでは発熱量が小さいために、図５（Ａ）
に示すパターンのような形状では、狭小部からの放熱量
が大きく低電流で溶断するパターンの設計は不可能であ
る。
【０００７】また、図５（Ｂ）及び（Ｃ）に示すパター
ンのような形状では、抵抗値が大きく電流保護素子とし
ての消費電力が大きいものになってしまうという課題が
ある。
ンのような形状では、抵抗値が大きく電流保護素子とし
ての消費電力が大きいものになってしまうという課題が
ある。
【０００８】さらに、図５（Ｂ）及び（Ｃ）に示すパタ
ーンのような形状では、パターンが形成される部分全体
を加熱する形状となるため、例えば、ガラス布基材エポ
キシ樹脂基板のような樹脂系基板の上にパターン形成し
た場合、著しい発煙を起こし、電流保護素子自体はもち
ろん素子を搭載した回路板をも破損に至らしめるという
課題がある。
ーンのような形状では、パターンが形成される部分全体
を加熱する形状となるため、例えば、ガラス布基材エポ
キシ樹脂基板のような樹脂系基板の上にパターン形成し
た場合、著しい発煙を起こし、電流保護素子自体はもち
ろん素子を搭載した回路板をも破損に至らしめるという
課題がある。
【０００９】本発明は、消費電力を抑制でき、さらに保
護素子の保護に優れた電流保護素子を提供することを目
的とする。
護素子の保護に優れた電流保護素子を提供することを目
的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の電流保護素子
は、樹脂系基板上に導体を形成した電流保護素子であっ
て、その導体パターンが、導体幅を小さくすることによ
って形成された少なくとも３つ以上の奇数の高抵抗部分
と、高抵抗部分間に接続された低抵抗部分とからなり、
高抵抗部分の１つがパターンの中央に位置し、他の高抵
抗部分が中央の高抵抗部分を中心に対称に形成されてい
ることを特徴とする。
は、樹脂系基板上に導体を形成した電流保護素子であっ
て、その導体パターンが、導体幅を小さくすることによ
って形成された少なくとも３つ以上の奇数の高抵抗部分
と、高抵抗部分間に接続された低抵抗部分とからなり、
高抵抗部分の１つがパターンの中央に位置し、他の高抵
抗部分が中央の高抵抗部分を中心に対称に形成されてい
ることを特徴とする。
【００１１】中央に位置する高抵抗部分の抵抗値は、高
抵抗部分の抵抗値の総和の２０〜４０％の範囲であるこ
とが好ましい。
抵抗部分の抵抗値の総和の２０〜４０％の範囲であるこ
とが好ましい。
【００１２】導体パターンは、金属箔のエッチングによ
って形成することもでき、また、金属のめっきによって
形成することもできる。この導体材料には、銅を用いる
ことが経済的であり好ましい。
って形成することもでき、また、金属のめっきによって
形成することもできる。この導体材料には、銅を用いる
ことが経済的であり好ましい。
【００１３】本発明の電流保護素子用パターンの一例を
図１に示すように、電流保護素子１は、樹脂系基板４の
上に導体を形成するものであり、その形状は、直線状の
一部の導体幅を小さくすることによって形成された少な
くとも３つ以上の奇数個の高抵抗部分３−ａと、その高
抵抗部分の間に位置する低抵抗部分３−ｂとからなるも
のであり、高抵抗部分３−ａの１つがパターン３の中央
に位置し、他の高抵抗部分３−ａが中央の高抵抗部分３
−ａを中心に対称に位置するものであり、中央以外の高
抵抗部分３−ａは、対称であれば図１に示した以外に複
数設けることもできる。
図１に示すように、電流保護素子１は、樹脂系基板４の
上に導体を形成するものであり、その形状は、直線状の
一部の導体幅を小さくすることによって形成された少な
くとも３つ以上の奇数個の高抵抗部分３−ａと、その高
抵抗部分の間に位置する低抵抗部分３−ｂとからなるも
のであり、高抵抗部分３−ａの１つがパターン３の中央
に位置し、他の高抵抗部分３−ａが中央の高抵抗部分３
−ａを中心に対称に位置するものであり、中央以外の高
抵抗部分３−ａは、対称であれば図１に示した以外に複
数設けることもできる。
【００１４】また、導体パターン３の厚さは３〜８μ
ｍ、高抵抗部分３−ａのパターン幅は３０〜７０μｍ、
１個のパターン長さは１００〜３００μｍ、低抵抗部分
３−ｂのパターン幅は１５０〜２００μｍ、１個のパタ
ーン長さは２００〜４００μｍとし、さらに、パターン
３の中央に位置する高抵抗部分３−ａの抵抗値が、高抵
抗部分３−ａの全抵抗値の２０〜４０％になるようにす
ることが好ましい。この範囲を外れると、抵抗値が低く
なって消費電力が大きくなったり、抵抗値が大きくなっ
て電流保護素子ではなく抵抗として動作し、電源を供給
する回路が正常に動作しないことがある。
ｍ、高抵抗部分３−ａのパターン幅は３０〜７０μｍ、
１個のパターン長さは１００〜３００μｍ、低抵抗部分
３−ｂのパターン幅は１５０〜２００μｍ、１個のパタ
ーン長さは２００〜４００μｍとし、さらに、パターン
３の中央に位置する高抵抗部分３−ａの抵抗値が、高抵
抗部分３−ａの全抵抗値の２０〜４０％になるようにす
ることが好ましい。この範囲を外れると、抵抗値が低く
なって消費電力が大きくなったり、抵抗値が大きくなっ
て電流保護素子ではなく抵抗として動作し、電源を供給
する回路が正常に動作しないことがある。
【００１５】本発明のパターン３を設ける樹脂系基板４
としては、耐熱性と加工時の形状を医事するために、フ
ッ素樹脂と強化繊維とからなる基板であることが好まし
く、強化繊維は、ガラス布、ガラス紙、アミド布、アミ
ド紙から選択されたものであることが好ましい。
としては、耐熱性と加工時の形状を医事するために、フ
ッ素樹脂と強化繊維とからなる基板であることが好まし
く、強化繊維は、ガラス布、ガラス紙、アミド布、アミ
ド紙から選択されたものであることが好ましい。
【００１６】基板４に本発明のパターン３を形成する方
法としては、金属箔のエッチングあるいは金属箔のめっ
きのどちらを行ってもよい。
法としては、金属箔のエッチングあるいは金属箔のめっ
きのどちらを行ってもよい。
【００１７】さらにまた、電流保護素子１は不燃性の樹
脂で被覆されていることが好ましい。
脂で被覆されていることが好ましい。
【００１８】
【作用】本発明のパターン３において、高抵抗部分３−
ａの１つを中央に配し、他の高抵抗部分３−ａを中央の
高抵抗部分３−ａを中心に対称に配することにより、通
電時に中央の高抵抗部分３−ａの温度が図２に示すよう
に最も高くなり、過電流が流れた時も中央の高抵抗部分
３−ａで必ず溶断するようになる。
ａの１つを中央に配し、他の高抵抗部分３−ａを中央の
高抵抗部分３−ａを中心に対称に配することにより、通
電時に中央の高抵抗部分３−ａの温度が図２に示すよう
に最も高くなり、過電流が流れた時も中央の高抵抗部分
３−ａで必ず溶断するようになる。
【００１９】また、中央の高抵抗部分３−ａを中心に対
称に配された他の高抵抗部分３−ａの抵抗値を中央の高
抵抗部分３−ａの抵抗値より大きくすると、中央の高抵
抗部分３−ａの放熱が小さくなるため溶断しやすくな
る。逆に、中央以外の高抵抗部分３−ａの抵抗値を小さ
くすると、中央の高抵抗部分３−ａの放熱が大きくなる
ため溶断しにくくなる。このように中央の高抵抗部分３
−ａを中心に対称に配された他の高抵抗部分３−ａの抵
抗値により溶断特性を制御することができる。
称に配された他の高抵抗部分３−ａの抵抗値を中央の高
抵抗部分３−ａの抵抗値より大きくすると、中央の高抵
抗部分３−ａの放熱が小さくなるため溶断しやすくな
る。逆に、中央以外の高抵抗部分３−ａの抵抗値を小さ
くすると、中央の高抵抗部分３−ａの放熱が大きくなる
ため溶断しにくくなる。このように中央の高抵抗部分３
−ａを中心に対称に配された他の高抵抗部分３−ａの抵
抗値により溶断特性を制御することができる。
【００２０】
実施例１ 図３（ａ）に示すように、１５μｍの厚さの第１の銅層
５−ａと、５μｍの厚さの第２の銅層５−ｃと、その２
つの銅層の中間層として０．２μｍの厚さのＮｉ−Ｐ合
金層５−ｂを有する三層構造の金属箔５を準備した。こ
の金属箔５は、特開平４−２１７８１５号公報にも示さ
れている公知のものである。この金属箔５を、図３
（ｂ）に示すように第２の銅層５−ｃが接触するように
一方に、他方には通常の１８μｍ銅箔５を貼り合わせ基
板４を作製した。この基板４の基材には、ガラス布強化
フッ素樹脂プリプレグを用い、プレス条件として温度３
８５℃、圧力２０ｋｇｆ／ｃｍ2、時間９０分で圧着し
た。次に、図３（ｃ）に示すように、直径０．８mmの穴
６をあけ、図３（ｄ）に示すように１５μｍの厚さの無
電解銅めっき７を行った。
５−ａと、５μｍの厚さの第２の銅層５−ｃと、その２
つの銅層の中間層として０．２μｍの厚さのＮｉ−Ｐ合
金層５−ｂを有する三層構造の金属箔５を準備した。こ
の金属箔５は、特開平４−２１７８１５号公報にも示さ
れている公知のものである。この金属箔５を、図３
（ｂ）に示すように第２の銅層５−ｃが接触するように
一方に、他方には通常の１８μｍ銅箔５を貼り合わせ基
板４を作製した。この基板４の基材には、ガラス布強化
フッ素樹脂プリプレグを用い、プレス条件として温度３
８５℃、圧力２０ｋｇｆ／ｃｍ2、時間９０分で圧着し
た。次に、図３（ｃ）に示すように、直径０．８mmの穴
６をあけ、図３（ｄ）に示すように１５μｍの厚さの無
電解銅めっき７を行った。
【００２１】銅めっき７を形成した後、穴６の周りに電
極部となる直径１．２ｍｍのランド２を形成する。ここ
では、前記の銅めっき７を形成した基板４全面に、感光
性レジストフィルム８をラミネートし、さらにその上面
にランド形成用のネガフィルム（図示せず）を貼り付
け、露光して硬化した。次いで、ネガフィルムを取り除
き、さらに現像して硬化していない部分の感光性レジス
トフィルムを除去して、レジスト膜８を形成した。その
後、図３（ｅ）に示すように、アルカリエッチング液で
レジスト膜８を形成したランド部以外の第１の銅層５−
ａ（１５μｍの銅めっき付）及び他面の１８μｍ銅層５
を除去した。さらに、硝酸及び過酸化水素を主成分とす
る組成のエッチング液で、中間層であるＮｉ−Ｐの合金
層５−ｂを、図３（ｆ）に示すように、エッチング除去
した。この後、濃度５重量％のＮａＯＨ溶液で硬化して
いる感光性レジストフィルム８を剥離し、電極となるラ
ンド部２を形成した。
極部となる直径１．２ｍｍのランド２を形成する。ここ
では、前記の銅めっき７を形成した基板４全面に、感光
性レジストフィルム８をラミネートし、さらにその上面
にランド形成用のネガフィルム（図示せず）を貼り付
け、露光して硬化した。次いで、ネガフィルムを取り除
き、さらに現像して硬化していない部分の感光性レジス
トフィルムを除去して、レジスト膜８を形成した。その
後、図３（ｅ）に示すように、アルカリエッチング液で
レジスト膜８を形成したランド部以外の第１の銅層５−
ａ（１５μｍの銅めっき付）及び他面の１８μｍ銅層５
を除去した。さらに、硝酸及び過酸化水素を主成分とす
る組成のエッチング液で、中間層であるＮｉ−Ｐの合金
層５−ｂを、図３（ｆ）に示すように、エッチング除去
した。この後、濃度５重量％のＮａＯＨ溶液で硬化して
いる感光性レジストフィルム８を剥離し、電極となるラ
ンド部２を形成した。
【００２２】次に、本発明の電流保護素子用パターン３
を形成した。ここでは、まずラミネータにより感光性レ
ジストフィルム８をラミネートした。その後、その上面
に本発明のパターンと同形状に透明な部分を形成したネ
ガフィルム（図示せず）を貼り付け露光し、ネガフィル
ムを取り除いた後、現像、エッチング除去、レジストフ
ィルム剥離の各工程を経て、図３（ｇ）に示すように、
導体パターン３を形成した基板を得た。
を形成した。ここでは、まずラミネータにより感光性レ
ジストフィルム８をラミネートした。その後、その上面
に本発明のパターンと同形状に透明な部分を形成したネ
ガフィルム（図示せず）を貼り付け露光し、ネガフィル
ムを取り除いた後、現像、エッチング除去、レジストフ
ィルム剥離の各工程を経て、図３（ｇ）に示すように、
導体パターン３を形成した基板を得た。
【００２３】次に、形成した導体パターン３及び基板４
の上部露出面に、印刷法によりシリコン樹脂（東レダウ
コーニング社製、商品名ＳＥ−１７００）を６０μｍの
厚さに塗布し、オーブン中で１３０℃、１５分間硬化さ
せ、図３（ｈ）に示すように、シリコン保護膜９を形成
した。
の上部露出面に、印刷法によりシリコン樹脂（東レダウ
コーニング社製、商品名ＳＥ−１７００）を６０μｍの
厚さに塗布し、オーブン中で１３０℃、１５分間硬化さ
せ、図３（ｈ）に示すように、シリコン保護膜９を形成
した。
【００２４】このようにして作成した電流保護素子基板
を、穴６の箇所で電流保護素子単位となるようにダイヤ
モンドカッターで切断した。この電流保護素子は電流保
護素子の抵抗値が約１９０〜２１０ｍΩであった。その
抵抗値のばらつきは１０％以内であり、同じ電流値での
溶断時間は、いずれも１０％以内であった。
を、穴６の箇所で電流保護素子単位となるようにダイヤ
モンドカッターで切断した。この電流保護素子は電流保
護素子の抵抗値が約１９０〜２１０ｍΩであった。その
抵抗値のばらつきは１０％以内であり、同じ電流値での
溶断時間は、いずれも１０％以内であった。
【００２５】実施例２ ガラス布基材フッ素樹脂基板を全面にエッチングして、
銅層を取り除いた図４（ａ）に示すように、基板４を作
成した。次に、図４（ｂ）に示すように、直径０．８ｍ
ｍの穴６をあけ、さらに感光性レジストフィルム８を基
板の両面にラミネートし、両面に穴６の周りのランド形
成用のポジ型フィルム（図示せず）を貼り付け露光し、
硬化した。次いで、現像を行い、図４（ｃ）に示すよう
に、レジスト膜８を形成した。
銅層を取り除いた図４（ａ）に示すように、基板４を作
成した。次に、図４（ｂ）に示すように、直径０．８ｍ
ｍの穴６をあけ、さらに感光性レジストフィルム８を基
板の両面にラミネートし、両面に穴６の周りのランド形
成用のポジ型フィルム（図示せず）を貼り付け露光し、
硬化した。次いで、現像を行い、図４（ｃ）に示すよう
に、レジスト膜８を形成した。
【００２６】レジスト膜８形成後、下記組成及び条件で
無電解銅めっき７を行い、図４（ｄ）に示すように、ラ
ンド２を形成した。 ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ ：１０ｇ／ｌ ＥＤＴＡ・４Ｎａ ：４０ｇ／ｌ ｐＨ ：１２．３ ３７％ＣＨ2Ｏ ：３ｍｌ／ｌ めっき液添加剤 ：少量 めっき液温度 ：７０℃ めっき膜厚 ：５μｍ
無電解銅めっき７を行い、図４（ｄ）に示すように、ラ
ンド２を形成した。 ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ ：１０ｇ／ｌ ＥＤＴＡ・４Ｎａ ：４０ｇ／ｌ ｐＨ ：１２．３ ３７％ＣＨ2Ｏ ：３ｍｌ／ｌ めっき液添加剤 ：少量 めっき液温度 ：７０℃ めっき膜厚 ：５μｍ
【００２７】次に、レジスト膜８を剥離後、再度基板４
の両面に感光性レジスト８をラミネートし、片面にラン
ド間に形成する本発明のパターン用のポジ型フィルム
（図示せず）を貼り付け、もう片面には全面を露光でき
るフィルム（図示せず）を貼り付け露光した。次いで現
像を行い、図４（ｅ）に示すように、レジスト膜８を形
成した。
の両面に感光性レジスト８をラミネートし、片面にラン
ド間に形成する本発明のパターン用のポジ型フィルム
（図示せず）を貼り付け、もう片面には全面を露光でき
るフィルム（図示せず）を貼り付け露光した。次いで現
像を行い、図４（ｅ）に示すように、レジスト膜８を形
成した。
【００２８】レジスト膜８形成後、実施例１と同様の無
電解銅めっき条件で、図４（ｆ）及び（ｇ）に示すよう
に、導体パターン３を形成した。
電解銅めっき条件で、図４（ｆ）及び（ｇ）に示すよう
に、導体パターン３を形成した。
【００２９】銅めっき後、実施例１と同様に、感光性レ
ジストフィルム８を取り除き、図４（ｈ）に示すよう
に、パターン形成面上部にシリコン保護膜９を形成し、
ダイヤモンドカッターで切断し電流保護素子を得た。こ
の電流保護素子は実施例１で記したと同じ抵抗値、溶断
特性を示すものである。
ジストフィルム８を取り除き、図４（ｈ）に示すよう
に、パターン形成面上部にシリコン保護膜９を形成し、
ダイヤモンドカッターで切断し電流保護素子を得た。こ
の電流保護素子は実施例１で記したと同じ抵抗値、溶断
特性を示すものである。
【００３０】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によって
過電流が流れた時、中央の高抵抗部分で必ず溶断するの
で、非常に安定した溶断特性を持つ電流保護素子が得ら
れる。また、面積の小さい中央の高抵抗部分でしか溶断
しないので、基板の破損の程度が小さく、著しい発煙や
素子を搭載した基板を破損させる心配もなくなった。さ
らに、中央の高抵抗部分以外の高抵抗部分の抵抗値を変
えるだけで溶断特性を制御できるので、低定格電流タイ
プの電流保護素子を容易に設計できるようになった。
過電流が流れた時、中央の高抵抗部分で必ず溶断するの
で、非常に安定した溶断特性を持つ電流保護素子が得ら
れる。また、面積の小さい中央の高抵抗部分でしか溶断
しないので、基板の破損の程度が小さく、著しい発煙や
素子を搭載した基板を破損させる心配もなくなった。さ
らに、中央の高抵抗部分以外の高抵抗部分の抵抗値を変
えるだけで溶断特性を制御できるので、低定格電流タイ
プの電流保護素子を容易に設計できるようになった。
【図１】本発明の一実施例を示す上面図である。
【図２】本発明の一実施例の作用を説明するための、導
体パターンの動作時の温度分布を示す線図である。
体パターンの動作時の温度分布を示す線図である。
【図３】（ａ）〜（ｈ）は、それぞれ本発明の他の実施
例１を説明するための各工程毎の図であり、（ａ）〜
（ｆ）及び（ｈ）は、断面図であり、（ｇ）は、上面図
である。
例１を説明するための各工程毎の図であり、（ａ）〜
（ｆ）及び（ｈ）は、断面図であり、（ｇ）は、上面図
である。
【図４】（ａ）〜（ｈ）は、それぞれ本発明の他の実施
例２を説明するための各工程毎の図であり、（ａ）〜
（ｆ）及び（ｈ）は、断面図であり、（ｇ）は、上面図
である。
例２を説明するための各工程毎の図であり、（ａ）〜
（ｆ）及び（ｈ）は、断面図であり、（ｇ）は、上面図
である。
【図５】（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ従来例を示す上面
図である。
図である。
１．電流保護素子 ２．電極またはランド ３．導体パターン ３−ａ．抵抗部分 ３−ｂ．抵抗部分 ４．基板 ５．金属箔または銅箔 ５−ａ．第１の銅層 ５−ｂ．Ｎｉ−Ｐ合金層 ５−ｃ．第２の銅層 ６．穴 ７．無電解銅めっき ８．感光性レジストフィルムまたはレジスト層 ９．シリコン保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷口 ▲穣▼ 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館工場内 (72)発明者 鉄▲砲▼塚 三夫 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館工場内 (72)発明者 清水 亘 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館工場内 (72)発明者 小堀 久爾 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館工場内 (72)発明者 高田 孝輔 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館工場内
Claims (9)
- 【請求項１】樹脂系基板上に導体を形成した電流保護素
子であって、その導体パターンが、導体幅を小さくする
ことによって形成された少なくとも３つ以上の奇数の高
抵抗部分と、高抵抗部分間に接続された低抵抗部分とか
らなり、高抵抗部分の１つがパターンの中央に位置し、
他の高抵抗部分が中央の高抵抗部分を中心に対称に形成
されていることを特徴とする電流保護素子。 - 【請求項２】中央に位置する高抵抗部分の抵抗値が、高
抵抗部分の抵抗値の総和の２０〜４０％の範囲であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の電流保護素子。 - 【請求項３】導体パターンが、金属箔のエッチングによ
って形成されたことを特徴とする請求項１または２に記
載の電流保護素子。 - 【請求項４】導体パターンが、金属のめっきによって形
成されたことを特徴とする請求項１または２に記載の電
流保護素子。 - 【請求項５】導体が、銅であることを特徴とする請求項
１から４のうちいずれかに記載の電流保護素子。 - 【請求項６】導体の厚さが、３〜８μｍであり、高抵抗
部分のパターン幅が３０〜７０μｍ、１個のパターン長
さが１００〜３００μｍ、低抵抗部分のパターン幅が１
５０〜２００μｍ、及びパターン長さが２００〜４００
μｍであることを特徴とする請求項１から５のうちいず
れかに記載の電流保護素子。 - 【請求項７】導通抵抗値の総和が８０〜３００ｍΩの範
囲であることを特徴とする請求項１から６のうちいずれ
かに記載の電流保護素子。 - 【請求項８】樹脂系基板が、フッ素樹脂と強化繊維とか
らなることを特徴とする請求項１から７のうちいずれか
に記載の電流保護素子。 - 【請求項９】強化繊維が、ガラス布、ガラス紙、アミド
布、アミド紙から選択されたものであることを特徴とす
る請求項８に記載の電流保護素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6296455A JPH08153456A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 電流保護素子 |
| US08/562,185 US5929741A (en) | 1994-11-30 | 1995-11-22 | Current protector |
| TW084112500A TW280923B (ja) | 1994-11-30 | 1995-11-23 | |
| SG1995001954A SG70951A1 (en) | 1994-11-30 | 1995-11-28 | Current protector |
| KR1019950044994A KR100191186B1 (ko) | 1994-11-30 | 1995-11-29 | 전류보호기 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6296455A JPH08153456A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 電流保護素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08153456A true JPH08153456A (ja) | 1996-06-11 |
Family
ID=17833778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6296455A Pending JPH08153456A (ja) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 電流保護素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08153456A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11120853A (ja) * | 1997-10-16 | 1999-04-30 | Nippon Technica Kk | 電源用サーマルプロテクタ |
| JP2001076611A (ja) * | 1999-09-06 | 2001-03-23 | Koa Corp | 回路保護素子 |
| JP2001525600A (ja) * | 1997-12-02 | 2001-12-11 | リッテルフューズ インコーポレイテッド | 集積型可融リンクを有するプリント回路板アセンブリ |
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| CN107484337A (zh) * | 2017-08-22 | 2017-12-15 | 刘蓉 | 一种过电流保护线路板 |
| WO2019065727A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 株式会社村田製作所 | チップ型ヒューズ |
-
1994
- 1994-11-30 JP JP6296455A patent/JPH08153456A/ja active Pending
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| CN107484337B (zh) * | 2017-08-22 | 2023-09-08 | 胜蓝科技股份有限公司 | 一种过电流保护线路板 |
| WO2019065727A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 株式会社村田製作所 | チップ型ヒューズ |
| JPWO2019065727A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2020-07-09 | 株式会社村田製作所 | チップ型ヒューズ |
| US11211221B2 (en) | 2017-09-29 | 2021-12-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Chip-type fuse |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050222 |