JPH09510824A - 表面実装型ヒューズデバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 ２つの材料のサブアセンブリを有する薄膜表面実装型ヒューズ(58)。第１のサブアセンブリは、ヒュージブルリンク(42)、その支持基板(13)、および、複数のターミナルパッド(34，36)を含む。第２のサブアセンブリは、ヒュージブルリンク(42)上に、衝撃および酸化を防ぐための保護を提供するように横たわる１つの保護層(56)を含む。保護層(56)は、好適には、重合体材料によって形成される。最も好適な重合体材料は、ポリカーボネイトの接着剤である。更に、最も好適な支持基板(13)は、FR-4エポキシ樹脂またはポリイミドである。

Description

【発明の詳細な説明】 表面実装型ヒューズデバイス 技術分野 本発明は、一般に、プリント回路板の電気回路の保護のために取り付けられる 、表面実装可能なヒューズに関する。 発明の背景 あらゆる種類の電気および電子装置において、プリント回路（PC）板は、ます ます使用されている。従来の、より大きいスケールの電気回路においてもそうで あるように、これらのプリント回路板の上に形成される電気回路は、電気的な過 負荷を防ぐための保護を必要とする。この保護は、典型的には、プリント回路板 に物理的に固定される超小型のヒューズによって提供される。 そのような超小型の表面実装型のヒューズの１つの例は、米国特許第5,166,65 6号（'656特許）に開示されている。この表面実装型のヒューズのヒュージブル リンク（fusible link，可融連結部）は、パッシベーション（不動態化）層（pa ssivation layer）、絶縁被覆、そして、絶縁被覆にパッシベーション層を接着 するためのエポキシ樹脂を含む３層の複合物で覆われているものとして開示され ている。'656特許、第６欄、第４〜７行を参照。典型的には、上記のパッシベー ション層は、化学的に蒸着したシリカ(silica)またはプリントされたガラスの厚 い層である。'656特許、第３欄、第39〜41行を参照。絶縁被覆は、ガラス製のカ バーであってもよい。'656特許、第４欄、第43〜46行を参照。対照的に、本発明 では、そのヒュージブルリンクを３層ではなく１層だけで保護する。 発明の要約 本発明は、２つの材料のサブアセンブリを含む、薄膜の表面実装型ヒューズで ある。第１のサブアセンブリは、ヒュージブルリンク、それを支持する基板、お よび、複数のターミナルパッドを含む。第２のサブアセンブリは、ヒュージブル リンクの上に横に広がって、衝撃および酸化を防ぐように保護するための保護層 を含む。 保護層は、好適には重合体材料によって形成されている。最も好適な重合体材 料は、ポリカーボネイトの接着剤である。加えて、最も好適な支持基板は、FR-4 エポキシ樹脂またはポリイミドである。 本発明の第２の形態は、薄膜の表面実装型ヒューズである。このヒューズは、 伝導性の金属によって形成されているヒュージブルリンクを有する。第１の伝導 性の金属は、好適には、しかし、これに限らないが、銅、銀、ニッケル、チタン 、アルミニウム、または、これらの伝導性の金属の合金を含むグループから選択 される。第１の伝導性の金属と異なる第２の伝導性の金属は、このヒュージブル リンクの表面上にデポジット（deposit）される。この発明の表面実装型ヒュー ズのための１つの好適な金属は、銅である。第２に好適な伝導性の金属は、すず である。 上記の第２の伝導性の金属は、ヒュージブルリンクの上に、長方形、円型、ま たは、いくつかの他のいずれかの形（例えば、しかし、これに限らないが、Ｓ字 型または曲がりくねった構成でもよい）でデポジットされてもよい。長方形また は環状の構成が使われるならば、上記の第２の伝導性の金属は、好適には、ヒュ ージブルリンクの中央の部分に沿ってデポジットされる。 ヒュージブルリンクの、非常に小さく、入り組んだ、複雑な幾何学的構造を形 成するために、フォトリソグラフィーの技術、機械的な技術、そして、レーザー 加工による技術が使われてもよい。上記 の機能は、電気化学的および物理的な蒸着技術（electrochemical and physical vapor deposition，PVD）により形成される非常に薄いフィルムコーティングと 組み合わせられるとき、これらの超小型のヒューズが、その要素の溶融可能な領 域を制御することを可能にし、マイクロアンペアおよびアンペアのレンジの電流 が通る回路を保護することを可能にする。これらの高電流における保護を提供す る従来のヒューズがフィラメントワイヤによって作られていたという点で、上記 の技術は他に類がないものである。そのようなフィラメントワイヤのヒューズの 製造においては、取り扱いに難があった。 本発明のヒューズの基板のタップにおけるヒュージブルリンクの位置は、高精 度二次加工としてレーザー加工方法を使用することを可能にする。この方法によ って、ヒューズエェメントの最終的な抵抗値を微調整することができる。 図面の簡単な説明 図１は、本発明による超小型の表面実装型ヒューズを作るために使われる銅メ ッキされたFR-4エポキシ樹脂シートの透視図である。 図２は、図１の線２〜２に沿って見た、図１のシートの一部分の図である。 図３は、そのシートを４つの区分に分けた各区分内で掘り出された、各々幅W および長さL を有する複数のスロットを有する、図１のFR-4エポキシ樹脂シート の（上記の銅メッキをはぎ取った）透視図である。 図４は、図２のスロットが掘り出された(routed)シートの部分の拡大透視図で ある。ただし、ここでは、銅メッキ層は再形成されている。 図５は、再メッキされた銅シートの水平な上向きの表面のいくつかの部分の（ それらの部分の各々が紫外線不透明材料の正方形のパネルで覆われた後の）平面 図である。 図６は、図５の裏側の（図５の再メッキされたシートから銅メッキの帯（スト リップ）状の部分を除去した後の）透視図である。 図７は、図６のストリップ26の上側38の透視図であり、点線によって示される 線形の領域40を図示している。 図８は、銅メッキ浴への浸漬に続くニッケルメッキ浴への浸漬によってターミ ナルパッドの銅ベース層の上に銅およびニッケルの層が形成された後の１つのス トリップ26の図である。 図９は、図８のストリップの（ただし、紫外光硬化処理前の）透視図である。 ここでは、対紫外線不透明材料によって覆われるヒュージブルリンク42の中央の 部分50を示している。 図10は、図９のストリップの（ただし、すずメッキ浴への浸漬して上記の銅お よびニッケル層の上にもうひとつの層を形成し、ヒュージブルリンクの中央の部 分の上にすずを堆積させた後の）図である。 図11は、（ただし、上記のストリップ２６の上に熱可塑性樹脂接着剤の層を加 えた）図10のストリップを示す。 図12は、本発明による個々のヒューズの、それが最終的に作られる構成を、そ して、いわゆるダイシング操作（dicing operation，そこでは、これらの個々の 表面実装型ヒューズを形成するために上記のストリップを平行の線に沿って切る ためにダイヤモンドソー(diamond saw)が使われる）の後の構成を示す。 好適な実施例の詳細な説明 本発明は多くの異なる形で実施することができるが、ここでは、 図面を参照して本発明の好適な実施例について詳細に説明する。以下に説明する 実施例が本発明の原理を具体化するものと見なされることは理解されるであろう 。ここでの説明は、本発明の幅広い範囲を図示された実施例に制限することを意 図するものではない。 本発明の１つの好適な実施例は図12に示される。この薄膜表面実装型のヒュー ズは、プリント回路板上または厚膜ハイブリッド回路上の表面実装型の構成にお いて使われる超小型のヒューズである。典型的には、これらのヒューズは、この 技術分野においてＡケースヒューズ（A case fuse）として知られている。これ らのヒューズに対する工業規格サイズは、長さ125ミル、幅60ミルである。その ようなヒューズは、1206ヒューズとして略称される。しかし、本発明は、上記の ようなヒューズの全ての他の標準のサイズ（例えば、1210、0805、0603、そして 、0402のようなヒューズ）、および、非標準サイズでも使用され得ることは理解 されるであろう。 もっとも幅広い概念において、本発明は、２つの材料のサブアセンブリを有す る。図示されるように、第１のサブアセンブリは、ヒューズエレメントまたはヒ ュージブルリンク42、その支持基板またはコア13、そして、ヒューズ58をプリン ト回路板に接続するためのターミナルパッド34および36を含む。第２のサブアセ ンブリは、自動組立の間に起こるかもしれない衝撃を防ぐための保護、そして、 使用中の酸化を防ぐための保護を提供するように、ヒュージブルリンク42、およ び、そのヒューズの上部の本質的な部分の上に横たわる保護層56である。 第１のサブアセンブリは、２つの金属電極またはパッドおよび可溶エレメント （これらは両方が１つの連続したフィルムとして上記の基板に接着される）を含 み、且つ、支持する。これらのパッドは上記の基板またはコアの底および側面に 位置する、一方、ヒュージ ブルリンクはその基板またはコアの上部に位置する。 図示されるように、好適な実施例においては、パッドは銅ベース層、補足の銅 層、ニッケル層、および、すず層を含むいくつかの層によって形成されている。 (1)例えば、好適な実施例において以下に記述されるメッキのような電気化学的 なプロセスによるか、或は、(2)PVDによって、上記のパッドの銅ベース層および 薄膜ヒュージブルリンクは同時にデポジットされる。このような同時デポジット によって、ヒュージブルリンクおよびターミナルパッドの間に良好な伝導性のパ スが確実に形成される。また、このタイプの形成によって製造は容易になり、ヒ ュージブルリンクの厚さを非常に正確に制御できるようになる。 初めに基板またはコアの上にヒュージブルリンクおよび銅ベース部を配置した 後、伝導性の金属の付加層はターミナルパッドの上に形成される。これらの付加 層は、フォトリトグラフィーおよびデポジット技術によって、それぞれ、これら のパッドの上に限定して形成され得る。 このヒューズは、以下のプロセスによって作られてもよい。図１および２にお いて示されるのは、銅メッキ12を施したFR-4エポキシ樹脂のソリッドシート10で ある。このソリッドシート10の銅メッキ12およびFR-4エポキシ樹脂コア13は、図 ２において最もよく示されている。この銅メッキされたFR-4エポキシ樹脂シート 10は、Allied Signal Laminate Systems、Hoosick Falls、New Yorkからパーツ No．0200BED130C1／C1GFN0200 C1／C1A2Cとして入手可能である。FR-4エポキシ 樹脂が好適な材料であるが、互換性を有する材料、すなわち、化学的、物理的、 そして、構造的に同様の性質を有する材料であって、それよりプリント回路板が 作られる材料であるならば、他の適当な材料として含まれる。こうして、このソ リッドシー ト10のためのもう１つの適当な材料として、ポリイミドがある。FR-4エポキシ樹 脂およびポリイミドは、プリント回路板産業において使われる標準の基板材料と ほぼ全く同一の物理的特性を有する材料のクラスに属する。この結果、本発明の ヒューズ、および、このヒューズが固定されるプリント回路板は、非常に適合し た熱的および機械的性質を有する。本発明のヒューズの基板は、また、所望のア ークトラッキング特性（arc-tracking characteristics）を提供し、同時に十分 な機械的な耐屈曲性を示し、アーキング（arcing）に関連して急速なエネルギー の放出にさらされても非損傷であり続ける。 本発明のヒューズを製作するプロセスの次のステップにおいて、銅メッキ12は 、従来のエッチングプロセスによってエッチング（食刻）され、ソリッドシート 10から剥がされる。この従来のエッチングプロセスにおいて、その銅は、塩化（ 第二）鉄（ferric chloride）溶液によってエッチング（食刻）され、その基板 から剥がされる。 理解されるであろうが、このステップの完了の後、図２の銅層12の全てはエッ チングによってこのソリッドシート10のFR-4エポキシ樹脂コア13からはがされる が、このFR-4エポキシ樹脂シート10の残りのエポキシ樹脂コア13は、最初に銅メ ッキされなかった「きれいな」FR-4エポキシ樹脂のシートとは異なる。特に、化 学的にエッチングされた表面処置は、銅層12がエッチングによって取り除かれた 後もエポキシ樹脂コア13の表面に残る。エポキシ樹脂コア13の、この処置された 表面は、現在の表面実装型の超小型のヒューズの製造において必要な次の操作に 対して、より受容性がある。 それから、この処置された、銅のない表面を有するFR-4エポキシ樹脂シート10 は、図３から見とられ得るように、シート10の４区分 に沿ってスロット14を形成するために、掘り出されるか、あるいは、穴をあけら れる。図３においては、点線によって視覚的にこれらの４区分を切り離して示し ている。スロット14（図４）の幅W は、約0.0625インチである。スロット14（図 ３）の各々の長さL は、約5.125インチである。 その掘り出し、または、穿孔が完了されたとき、上記のエッチングされ、そし て、掘り出され、或は、穴をあけられたシート10（図３において示される）は、 再び銅によってメッキされる。この銅再メッキは、図３のエッチングされ掘り出 されたシートを非電気的な銅のメッキ浴に浸けることにより行われる。この銅メ ッキ方法は、当該技術分野においては、よく知られている。 この銅メッキのステップによって、結果として、シート10の露出された表面の 各々に沿って均一の厚さを有する銅層が形成される。例えば、図４に示されるよ うに、このステップによる銅メッキ18は、(1)シート10の上側の水平な表面、そ して、(2)スロット14の少くとも１つの部分の境界を定める垂直なすき間の領域1 6の両方を被覆する。これらのすき間の領域16は銅メッキされなければならない 。なぜならば、これらのすき間の領域16は、最終的には、完成品のヒューズのタ ーミナルパッドの１部分を形づくることになるからである。 この銅メッキの均一の厚さは、ユーザーのニーズに依存するであろう。特に、 図４に示されるように、1/16アンペアで開放するべく意図されたヒューズでは、 銅メッキ18は、2,500オングストロウムの厚さを有する。５アンペアで開放する べく意図されたヒューズでは、銅メッキ18は、およそ75,000オングストロウムの 厚さを有する。 メッキが完了した後、図４の銅メッキされた構造に到達するため に、この構造の露出された表面全体は、いわゆるフォトレジスト重合体で覆われ る。 再メッキされた銅シート20がそのフォトレジストで覆われた後、「他は透明な 」マスク（otherwise clear mask）が、再メッキされた銅シート20の上に置かれ る。複数の正方形のパネルは、このクリアマスクの一部であり、このクリアマス クを横切って等間隔に置かれる。これらの正方形のパネルは対紫外線不透明材料 から作られており、図５に示される長方形30のサイズに対応するサイズを有する 。本質的には、これらのパネルを有するこのマスクを再メッキされた銅シート20 の上に置くことによって、再メッキされた銅シート20の水平な上向きの表面22の いくつかの部分は、効果的に紫外光の影響からシールドされる。 本質的に、これらの正方形のパネルがこのヒューズの上部22の上のいわゆるヒ ュージブルリンク42および広いターミナル領域60および62の形状およびサイズを 決めるであろうことは、以下の議論から理解されるであろう。ヒュージブルリン ク42は、広いターミナル領域60および62と電気的に通じている。ヒュージブルリ ンク42およびこれらの広いターミナル領域60および62の両方の形状およびサイズ が、これらの紫外光不透明体パネルのサイズおよび形状を変更することによって 変えられることは、理解されるであろう。 更に、そのシートの裏側はフォトレジスト材料で覆われており、そのフォトレ ジストで覆われた後の再メッキされた銅シート20の上に、１つの「他は透明な」 マスクが置かれる。長方形のパネルは、このクリアマスクの部品の一部である。 長方形のパネルは、対紫外線不透明材料から作られており、図６に示されたパネ ル28のサイズに対応するサイズを有する。本質的には、これらのパネルを有する このマスクを再メッキされた銅シート20の上に置くによって、再メ ッキされた銅シート20の水平な下向きの表面28のいくつかのストリップは、効果 的に紫外光の影響からシールドされる。 本質的に、長方形のパネルは、ストリップ26の下側の、下部中央部分28の上の 広いターミナル領域34および36の形状およびサイズを決めるであろう。 ストリップ26の下側の部分からの銅メッキは、フォトレジストマスクによって 境界を決められる。特に、ストリップ26の下側の、下部中央部分28からの銅メッ キは取り除かれる。ストリップ26の下側の、下部中央部分28は、クリアなエポキ シ樹脂の領域30のすぐ下の線に沿ったストリップのその部分である。この再メッ キされたシート20の、このセクションの透視図は、図６に示されている。 再メッキされ、フォトレジストで覆われたシート20全体、すなわち、そのシー トの上、底、および、側面は、それから、紫外光に曝される。再メッキされたシ ート20は、そのマスクの前記正方形のパネルおよび長方形のストリップによって カバーされないフォトレジストの全てにおいてキュアリング（硬化処理）が保証 されるに十分な時間、紫外光に曝される。その後、これらの正方形のパネルおよ び長方形のストリップを含むこのマスクは、再メッキされたシート20から取り外 される。それまで、これらの正方形のパネルの下にあったフォトレジストは、硬 化処理されずに残る。こうして、この硬化処理されないフォトレジストは、依然 、液体であり、再メッキされたシート20から洗い流され得る。 再メッキされたシート20の残りの部分の上の硬化処理されたフォトレジストは 、このプロセスにおける次のステップに対する保護を提供する。特に、硬化処理 されたフォトレジストは、硬化処理されたフォトレジストの領域の下にある銅の 除去を妨げる。それまでは上記の正方形のパネルの下にあったそれらの領域には 、硬化処理さ れないフォトレジストを有するので、そのような保護はない。こうして、それら の領域の銅は、エッチングによって除去され得る。このエッチングは、塩化（第 二）鉄（ferric chloride）溶液を用いて実行される。 その銅が除去された後は、図５および６に示されるように、以前、前記マスク の正方形のパネルおよび長方形のストリップの下にあった領域は、全くカバーさ れない。むしろ、それらの領域は、今や、クリアなエポキシ樹脂の領域28および 30を含む。 その後、再メッキされたシート20は、化学薬品の液に浸けられ、そのシート20 の以前に硬化処理された領域から、残っている硬化されたフォトレジストの全て が除去される。 本明細書の目的のために、隣接するスロット14の間のシート20の部分は、スト リップ26として知られている。このストリップは、図４に示されるように、その デバイスの長さを決定する寸法Ｄを有する。本明細書において記述されるいくつ かの操作の完了の後、このストリップ26は、最終的に複数の断片に切り分けられ るであろう。そして、これらの断片の各々は、本発明によるヒューズになる。 また、図６に示されるように、ストリップ26の下側32は、依然銅メッキを含む その周辺に沿った領域を有する。ストリップ26の下側32のこれらの周辺領域34お よび36はパッドの部分を形づくる。これらのパッドは、最終的には、完成したヒ ューズ全体をプリント回路板に固定するための手段として使用される。 図７は、図６のストリップ26の上部38の透視図である。これらのストリップ26 の、下部中央部分28に直接対向し一致するのは、この上部38の上の線形の領域40 である。これらの線形の領域40は、図７の点線によって示される。 図７は、本発明の製造における次のステップと関連して参照され る。この次のステップにおいて、フォトレジスト重合体は、ストリップ26の上部 38の線形の領域40の各々に沿って置かれる。これらの線形の領域40の被覆によっ て、フォトレジスト重合体もまた、ヒュージブルリンク42を含むであろう比較的 に細い部分に沿って置かれる。これらのヒュージブルリンク42は、伝導性の金属 （ここでは銅）によって形成される。それから、フォトレジスト重合体は紫外光 で処理され、線形の領域40およびそのヒュージブルリンク42の上の重合体を硬化 させる。 この線形の領域40およびそのヒュージブルリンク42の上の重合体の硬化の結果 、ストリップ26がメッキ目的のための金属を含んでいる電解浴に浸けられるとき 、この線形の領域40には金属は固着しないであろう。 また、上において説明されたように、ストリップ26の下側32の中央部分28もま た、ストリップ26が電解質のメッキ浴に浸けられてもメッキされないであろう。 以前にこの金属部分をカバーしていた銅の金属は除去され、このシート20のベー ス部分を形づくる裸のエポキシ樹脂をあらわにする。金属はこの裸のエポキシ樹 脂に固着せず、また、電解質のメッキ工程を使用してもこの裸のエポキシ樹脂上 がメッキされることはないであろう。 ストリップ26全体は、電解質の銅のメッキ浴、そして次に、電解質のニッケル メッキ浴に浸けられる。この結果、図８に示されるように、銅46およびニッケル 層48は、銅ベース層44上に形成される。これらの銅46およびニッケル層48の形成 の後、上記の線形の領域40の上の硬化されたフォトレジスト重合体は、ヒュージ ブルリンク42の上のフォトレジスト重合体と共に、その領域40から除去される。 それから、フォトレジスト重合体は、線形の領域40全体に沿って、直ちに再適 用される。しかし、図９に示されるように、ヒュージ ブルリンク42は、その中央において対紫外線不透明材料でマスクされた部分を有 する。そして、線形の領域40全体は紫外光に曝され、その結果、ヒュージブルリ ンク42のマスクをした中央の部分50を除いて、その領域全体でフォトレジスト重 合体が硬化する。そのマスクはヒュージブルリンクの中央の部分50から除去され 、そして、そのストリップは濯がれる。この濯ぎの結果、ヒュージブルリンク42 の中央の部分50の上の硬化されないフォトレジストは、ヒュージブルリンクから 除去される。しかし、線形の領域40の残りに沿った硬化されたフォトレジストは 残る。 硬化されたフォトレジストによってカバーされるストリップ26の部分は、金属 のメッキされないであろう。しかし、そのヒュージブルリンク42の中央の部分50 にフォトレジストがないために、金属はこの中央の部分50の上にメッキされ得る 。図９において示されるストリップが電解質のすずメッキ浴に浸けられるとき、 銅46およびニッケル層48の上にさらに、すず層52（図10）が形成される。すずの スポット54もまた、ヒュージブルリンク42の表面上に形成される。すなわち、本 質的に、電解質のメッキ工程によってヒュージブルリンク42の中央の部分50の上 に形成される。この電解質のメッキ工程は、本質的に薄膜析出プロセスである。 しかし、このすずは、また、写真蝕刻法によって、或は、例えば、高真空蒸着チ ェンバー内のスパッタリングまたは蒸発のようなＰＶＤ法プロセスによって、ヒ ュージブルリンク42の表面に付加されてもよいことは理解されるであろう、 このスポット54は、第２の伝導性の金属、すなわち、ヒュージブルリンク42の 銅の金属と異なるすずからなる。この第２の伝導性の金属は、すずのスポット54 の形で、ヒュージブルリンク42の上へ長方形の形で付着される。 ヒュージブルリンク42の上のすずのスポット54は、そのリンク42にある種の利 点を提供する。第１に、すずのスポット54は電流過負荷状態において溶けて、す ず- 銅合金になるヒュージブルリンク42を作る。このすず- 銅合金によって、す ずまたは銅の単体より低い溶解温度を有するヒュージブルリンク42になる。より 低い溶解温度によって、本発明のヒューズデバイスの動作温度は低下され、その 結果、デバイスの性能が改善される。 この例では、すずが銅のヒュージブルリンク42上に付着されるが、ヒュージブ ルリンク42の溶解温度を低下させるためには他の伝導性の金属をヒュージブルリ ンク42上に付着してもよいこと、そして、ヒュージブルリンク42自身も銅以外の 他の伝導性の金属から作られてもよいことは、当業者には理解されるであろう。 加えて、ヒュージブルリンク42上に付着されるすずまたは他の金属が、長方形の 形状である必要はなく、多数の付加構成を採用することができる。 上記の第２の伝導性の金属は、上記のリンクにおける、穴または凹み、或は、 そのリンクの刻み目をつけられたセクションに付着されてもよい。平行して複数 のヒューズ結合を設けることもまた可能である。この耐屈曲性の結果、最終ユー ザーの変化しているニーズに応ずるように、そのヒューズに特定の電気的特性を 持たせるように設計され得る。上に示されるように、可能なヒュージブルリンク 構成の１つは、曲がりくねった構成である。曲がりくねった構成を使用するによ って、そのリンクの両端のターミナルの間の距離が同じでも、ヒュージブルリン クの実効長は増加され得る。 このようにして、曲がりくねった構成は、そのヒューズ自身の寸法を増やすこ となく、より長いヒュージブルリンクを提供する。 本発明のデバイスの製造における次のステップは、ストリップ26の上部38全体 の長さを横切って、保護層56（図11）を配置すること である。この保護層56は、このヒューズの第２のサブアセンブリであって、そし てヒュージブルリンク42を含むストリップ26の上部38を覆って相対的にしっかり と密閉する。このようにして、保護層56は、その実用寿命の間、ヒュージブルリ ンク42の腐食を防止する。保護層56は、また、プリント回路板への取り付けの間 においても、酸化および衝撃を防ぐための保護を提供する。この保護層は、また 、真空捕捉（ピックアップ）工具を使用する拾い上げおよび取り付けの操作のた めの場所を提供する手段としても有用である。 この保護層56は、電流過負荷状態の間にヒュージブルリンク42で起こるイオン 化およびアーク発生を制御する際の助けとなる。保護層56または被覆塗装材料（ cover coat material）は、特にヒュージブルリンク42が不通の際に重要な所望 のアーク消去特性を提供する。 保護層56は、重合体（好適にはポリカーボネイトの接着剤）を含んでもよい。 好適なポリカーボネイトの接着剤は、LOCTITE 3981である。他の同様な接着剤も 本発明に適する。重合体に加えて、保護層56は、また、プラスチック、コンフォ ーマルコーティングおよびエポキシ樹脂を含んでもよい。 この保護層56は、金型（die）を使用してストリップ26に適用される。特に、 その金型は、ストリップ26の幅に対応する開口部を有する。ポリカーボネイトの 接着剤はその金型開口部の境界の範囲内で適用される。それによってストリップ 26のみをカバーする。それから、ストリップ26およびその金型は、紫外光チェン バー内におよそ７分間置かれる。上記７分間の終わりには、ポリカーボネイトの 接着剤は凝固して、保護層56を形づくる。 無色透明のポリカーボネイトの接着剤が美学的に好ましいが、代替の型の接着 剤が使われてもよい。例えば、有色の透明な接着剤が 使われてもよい。これらの有色の接着剤は、透明なポリカーボネイトの接着剤に 染料を添加することによって簡単に製作してもよい。カラーコーディングは、こ れらの有色の接着剤の使用によって達成されてもよい。言い換えると、接着剤の 異なる色を異なるアンペア数に対応させることができる。もし、ユーザーが与え られたヒューズのアンペア数を決定するための手近な手段を持っているならば、 これら両方のコーティングの解り易さによって、そのヒューズが使われる電子デ バイスにおいて、取り付けに先立って、そして、使用の間に、ヒュージブルリン ク42をユーザーが視覚的に調べることが可能となる。この保護層56の使用は、い わゆる、キャッピング法（capping method）という従来技術を含む従来の技術よ り重要な利点を有する。ヒューズ本体の上部38全体を覆う保護層56を配置したた めに、ヒュージブルリンク42の位置に対する保護層の相対的な位置は重大でない 。 この時、ストリップ26は、いわゆるダイシング操作の用意ができている。ダイ シング操作によって、これらのストリップ26は個々のヒューズに分けられる。こ のダイシング操作においては、ダイヤモンドソー等が使用され、平行線57（図11 ）に沿ってストリップ26を個々の薄膜表面実装型のヒューズ58（図12）に切り分 ける。上記の切り分けによって、薄膜銅パターンの前記の広いターミナル領域60 および62は２分される。これらの広いターミナル領域60および62は、ヒュージブ ルリンク42の両側に現れる。 この切断操作によって、本発明の薄膜表面実装型ヒューズ58（図12）の製造は 完了する。 本発明によるヒューズは、従来デバイスの定格より大きい電圧およびアンペア 数と評価される。本発明によるヒューズがＡＣ60ボルトのヒューズ電圧定格、お よび、1/16アンペアおよび５アンペアの 間のヒューズアンペア数定格を有するであろうことを試験結果は示している。本 発明によるヒューズは、幅広いレンジのアンペア数定格の回路を保護することが できるけれども、これらのヒューズの実際の物理的サイズは一定のままである。 要するに、本発明のヒューズは、ヒュージブルリンク42を横切る電圧降下を統 制することによってフュージング特性に対する制御を改善する。(1)デポジショ ンおよびフォトリトグラフィープロセスを通して、ヒュージブルリンク42および 広いターミナル60および62のその寸法および形状を制御する能力によって、そし て、(2)ヒュージブルリンク42の材料の適当な選択によって、一貫したクリア時 間(clearing time)が保証される。基板13および保護層56のための材料の選択を 最適化することによって、再起電（restriking）の傾向は最小にされる。 特定の実施例について図示され記述されたが、本発明の精神から逸脱しない範 囲で多数の改良が想起される。そして、保護の範囲は添付の請求の範囲によって のみ制限される。

【手続補正書】特許法第１８４条の７第１項 【提出日】１９９５年１１月１４日 【補正内容】 請求の範囲 ６．２つの材料のサブアセンブリを有する薄膜表面実装型ヒューズであって、 ａ．第１のサブアセンブリは、ヒュージブルリンク、支持基板、および、複数 の伝導性のターミナルパッド層を有する複数のターミナルパッドを含み、前記支 持基板は、上部表面、下部表面、および、対向する側表面を有し、 前記複数の伝導性のターミナルパッド層の第１の層、および、前記ヒュージブ ルリンクは、１つの連続した層として形成され、前記支持基板の前記上部表面を 横切って広がり、 前記複数の伝導性のターミナルパッド層の前記第１の層は、前記側表面の少な くとも一部を越えてさらに広がり、前記基板の前記下部表面上で終端し、 ｂ．第２のサブアセンブリは、前記ヒュージブルリンク上に、衝撃および酸化 を防ぐための保護を提供するように横たわる１つの保護層を含むことを特徴とす る薄膜表面実装型ヒューズ。 ７．前記保護層が重合体材料によって形成される請求項６に記載の表面実装型 ヒューズ。 ８．前記保護層がポリカーボネイトの接着剤によって形成される請求項６に記 載の表面実装型ヒューズ。 ９．前記支持基板がFR-4エポキシ樹脂またはポリイミドによって形成される請 求項６に記載の表面実装型ヒューズ。 10．前記重合体材料が透明で無色である請求項７に記載の表面実装型ヒューズ 。 11．前記重合体材料が透明で有色である請求項７に記載の表面実装型ヒューズ 。 12．薄膜表面実装型ヒューズの製造方法であって、 ａ．上部、底、および、対向する側面を有する支持基板を設けるステップ、 ｂ．前記基板の前記上部、底、および、前記対向する側面の少なくとも一部の 上にデポジットするステップであって、第１の伝導性の層は、ヒュージブルリン ク、および、該ヒュージブルリンクの両端に位置する複数のターミナルパッドを 同時に形成し、前記ターミナルパッドは、前記基板の前記上部から前記基板の前 記側面の少なくとも一部に沿って広がり、前記基板の前記底の上で終端し、前記 ヒュージブルリンクおよび前記ターミナルパッドが電気的に接続されているよう にするステップ、そして ｃ．前記ターミナルパッドの上部に第２の伝導性の層をデポジットするステッ プを有することを特徴とする薄膜表面実装型ヒューズ。 14．前記ヒュージブルリンクおよび前記ターミナルパッドを形成する前記第１ の伝導性の層が蒸着によってデポジットされる請求項12の方法。 15．前記ヒュージブルリンクおよび前記ターミナルパッドを形成する前記第１ の伝導性の層が電気化学的にデポジットされる請求項12の方法。 16．ヒュージブルリンクおよび複数のターミナルパッドを有する薄膜表面実装 型ヒューズを保護する方法であって、 前記ターミナルパッドは複数の伝導性のターミナルパッド層を有し、前記基板 は上部、底、および、対向する側表面を有し、前記複数の伝導性のターミナルパ ッド層の第１の層、および、前記ヒュージブルリンクは、前記基板の前記上部表 面を横切って広がる１つの連続したフィルムを形成し、 前記複数の伝導性のターミナルパッド層の第１の層は、前記対向する側表面の 少なくとも一部を越えて広がり、前記基板の前記下部表面の上で終端し、 前記方法が、前記基板の上部表面全体の上を覆う１つの保護層を設けることを 含むことを特徴とする方法。 17．薄膜表面実装型ヒューズであって、 ａ．基板、 ｂ．両方が、銅、銀、ニッケル、チタン、アルミニウムまたはこれらの合金を 含むグループから選択される１つの金属によって形成される、ヒュージブルリン ク、および、前記基板上に配置される１つの連続した層として形成された第１の ターミナルパッド層、 ｃ．前記第１のターミナルパッド層の上に配置され、前記第１の層と同じ金属 によって形成される、第２のターミナルパッド層、 ｄ．前記第２のターミナルパッド層の上に配置され、ニッケルによって形成さ れる第３のターミナルパッド層、そして、 ｅ．前記第３のターミナルパッド層の上に配置され、すずによって形成される 第４のターミナルパッド層を有することを特徴とする薄膜表面実装型ヒューズ。 18．前記ヒュージブルリンクが中央部分を有し、該中央部分の上にすずのスポ ットが配置される請求項17に記載の表面実装型ヒューズ。 19．保護コーティングが前記ヒュージブルリンクを覆って適用される請求項18 に記載の表面実装型ヒューズ。 20．保護コーティングが前記第４のターミナルパッド層の一部分をも覆って適 用される請求項19に記載の表面実装型ヒューズ。 21．薄膜表面実装型ヒューズであって、 ａ．上部表面を有する基板、 ｂ．前記基板の前記上部表面の上にデポジットされ、第１の伝導性の金属によ って形成されるヒュージブルリンク、 ｃ．前記ヒュージブルリンクの表面上にデポジットされる、前記第１の伝導性 の金属以外の第２の伝導性の金属、そして ｄ．前記ヒュージブルリンクに電気的に接続され、複数の伝導性の層を有する 複数のターミナルパッドであって、前記複数の伝導性の層の第１の層および前記 ヒュージブルリンクが１つの連続したフィルムを形成するターミナルパッドを有 することを特徴とする薄膜表面実装型ヒューズ。 22．前記複数の伝導性の層の第２の層が、前記複数の伝導性の層の前記第１の 層の上にデポジットされ、前記第１の伝導性の金属と同じ金属によって形成され る請求項21のデバイス。 23．前記複数の伝導性の層の第３の層が、前記複数の伝導性の層の前記第２の 層の上にデポジットされ、ニッケルによって形成される請求項22のデバイス。 24．前記複数の伝導性の層の第４の層が、前記複数の伝導性の層の前記第３の 層の上にデポジットされ、すずによって形成される請求項23のデバイス。 25．前記第１の伝導性の金属が、銅、銀、ニッケル、チタン、アルミニウムま たはこれらの合金を含むグループから選択される請求項24に記載の表面実装型ヒ ューズ。 26．前記第２の伝導性の金属がすずである請求項25に記載の表面実装型ヒュー ズ。 27．前記第２の伝導性の金属が前記ヒュージブルリンクの上に長方形の形でデ ポジットされる請求項26に記載の表面実装型ヒューズ。 28．前記ヒュージブルリンクが中央部分を有し、前記長方形は前 記ヒュージブルリンクの前記中央部分に沿ってデポジットされる請求項27に記載 の表面実装型ヒューズ。 29．薄膜表面実装型ヒューズであって、 ａ．基板、 ｂ．前記基板上にデポジットされた第１の伝導性の金属によって形成されるヒ ュージブルリンク、 ｃ．前記ヒュージブルリンクの表面上にデポジットされる、前記第１の伝導性 の金属以外の第２の伝導性の金属、そして ｄ．前記ヒュージブルリンクに電気的に接続され、複数の伝導性の層を有する 複数のターミナルパッドであって、前記複数の伝導性の層の第１の層および前記 ヒュージブルリンクが１つの連続したフィルムを形成し、前記複数の伝導性の層 の第２の層が、前記複数の伝導性の層の前記第１の層の上にデポジットされ、前 記第１の伝導性の金属と同じ金属によって形成されるターミナルパッドを有する ことを特徴とする薄膜表面実装型ヒューズ。 30．前記複数の伝導性の層の第３の層が、前記複数の伝導性の層の前記第２の 層の上にデポジットされ、ニッケルによって形成される請求項29のデバイス。 31．前記複数の伝導性の層の第４の層が、前記複数の伝導性の層の前記第３の 層の上にデポジットされ、すずによって形成される請求項30のデバイス。 32．前記第１の伝導性の金属が、銅、銀、ニッケル、チタン、アルミニウムま たはこれらの合金を含むグループから選択される請求項31に記載の表面実装型ヒ ューズ。 33．前記第２の伝導性の金属がすずである請求項32に記載の表面実装型ヒュー ズ。 34．前記第２の伝導性の金属が前記ヒュージブルリンクの上に長 方形の形でデポジットされる請求項33に記載の表面実装型ヒューズ。 35．前記ヒュージブルリンクが中央部分を有し、該長方形は前記ヒュージブル リンクの前記中央部分に沿ってデポジットされる請求項34に記載の表面実装型ヒ ューズ。 36．前記ヒュージブルリンクの上に金属的スポットをデポジットするステップ を更に含む請求項13に記載の方法。 37．前記第２の伝導性の層の上に第３の伝導性の層をデポジットするステップ を更に含む請求項13に記載の方法。 38．前記第３の伝導性の層の上に第４の伝導性の層をデポジットするステップ を更に含む請求項37に記載の方法。 39．前記ヒュージブルリンクの上に金属的スポットをデポジットするステップ を更に含む請求項38に記載の方法。 40．前記ヒュージブルリンクを保護層で覆うステップを更に含む請求項39に記 載の方法。 【手続補正書】特許法第１８４条の８ 【提出日】１９９６年４月８日 【補正内容】 発明の背景 あらゆる種類の電気および電子装置において、プリント回路（PC）板は、ます ます使用されている。従来の、より大きいスケールの電気回路においてもそうで あるように、これらのプリント回路板の上に形成される電気回路は、電気的な過 負荷を防ぐための保護を必要とする。この保護は、典型的には、プリント回路板 に物理的に固定される超小型のヒューズによって提供される。 そのような超小型の表面実装型のヒューズの１つの例は、米国特許第5,166,65 6号（'656特許）に開示されている。この表面実装型のヒューズのヒュージブル リンク（fusible link，可融連結部）は、パッシベーション（不動態化）層(pas sivation layer)、絶縁被覆、そして、絶縁被覆にパッシベーション層を接着す るためのエポキシ樹脂を含む３層の複合物で覆われているものとして開示されて いる。'656特許、第６欄、第４〜７行を参照。典型的には、上記のパッシベーシ ョン層は、化学的に蒸着したシリカ(silica)またはプリントされたガラスの厚い 層である。'656特許、第３欄、第39〜41行を参照。絶縁被覆は、ガラス製のカバ ーであってもよい。'656特許、第４欄、第43〜46行を参照。対照的に、本発明で は、そのヒュージブルリンクを３層ではなく１層だけで保護する。 EP-A-0 270 954は、ヒュージブルリンク、支持基板、および、１つの伝導性の ターミナルパッド層を含むターミナルパッドを有するチップタイプのヒューズを 開示する。この支持基板は、上部表面、下部表面、および、対向する側表面を有 する。伝導性のターミナルパッド層とヒュージブルリンクとは互いに接続され、 支持基板の上部表面を横切って広がる。伝導性のターミナルパッド層は、上記の 対向する側表面の少なくとも一部を越えて広がり、上記基板の上記下部表面の上 で終端する。１つの保護層が上記ヒュージブルリンク の上に横たわる。 EP-A-0 270 954が本発明と異なる点は、EP-A-0 270 954が以下の要素を有する デバイスを開示しないことである。(1)複数の伝導性のターミナルパッド層、お よび、(2)そのヒュージブルリンクと第１の伝導性のターミナルパッド層とが１ つの連続した層として形成されること。本発明によるテバイスは、(1)および(2) の両方を含むため、EP-A-0 270 954に比較して高い信頼性を有していると考えら れる。 GB-A-1,604,820は、複数の伝導性のターミナルパッド層を有する電気的安全ヒ ューズを開示する。更に、GB-A-1,604,820のヒュージブルリンクと第１の伝導性 のターミナルパッド層とは、１つの連続した層として形成される。 GB-A-1,604,820が本発明と異なる点は、GB-A-1,604,820が表面実装型のデバイ スではないことと、直接に回路板にはんだ付けできないことである。むしろ、こ のデバイスは、回路板にはり付けるためのエンドキャップ、あるいは、それに等 価なものと共に使用される他ないと考えられる。これは、最も外側の層がはんだ 付けできない材料であるアルミニウムによって形成されているという事実によっ て裏書きされている。 GB-A-1,604,820が本発明と更に異なる点は、その特定の層が、このデバイスの ブローする性質(blowing characteristics)を助長するために選択されることで ある。逆に、本発明の層は、デバイスの製造し易さを改善するのに加えて、デバ イスがはんだ付けし易くなるように助けるように選択される。 請求の範囲 ６．２つの材料のサブアセンブリを有する薄膜表面実装型ヒューズ(58)であっ て、 ａ．第１のサブアセンブリは、ヒュージブルリンク(42)、支持基板(13)、およ び、複数の伝導性のターミナルパッド層を有する複数のターミナルパッド(34，3 6)を含み、 前記支持基板(13)は、上部表面、下部表面、および、対向する側表面を有し、 前記複数の伝導性のターミナルパッド層の第１の層(44)、および、前記ヒュー ジブルリンク(42)は、１つの連続した層として形成され、前記支持基板(13)の前 記上部表面を横切って広がり、 前記複数の伝導性のターミナルパッド層の前記第１の層(44)は、前記側表面の 少なくとも一部を越えてさらに広がり、前記基板(13)の前記下部表面上で終端し 、 前記複数の伝導性の層の最も外側の層は前記第１の伝導性の層(44)の上方に横 たわって、ソルダリング可能であり、 ｂ．第２のサブアセンブリは、前記ヒュージブルリンク(42)上に、衝撃および 酸化を防ぐための保護を提供するように横たわる１つの保護層(56)を含むことを 特徴とする薄膜表面実装型ヒューズ(58)。 ７．前記保護層(56)が重合体材料によって形成される請求項６に記載の表面実 装型ヒューズ(58)。 ８．前記保護層(56)がポリカーボネイトの接着剤によって形成される請求項６ に記載の表面実装型ヒューズ(58)。 ９．前記支持基板(13)がFR-4エポキシ樹脂またはポリイミドによって形成され る請求項６に記載の表面実装型ヒューズ(58)。 10．前記重合体材料が透明で無色である請求項７に記載の表面実装型ヒューズ (58)。 11．前記重合体材料が透明で有色である請求項７に記載の表面実装型ヒューズ (58)。 12．薄膜表面実装型ヒューズ(58)の製造方法であって、 ａ．上部、底、および、対向する側面を有する支持基板(13)を設けるステップ 、 ｂ．前記基板(13)の前記上部、底、および、前記対向する側面の少なくとも一 部の上にデポジットするステップであって、第１の伝導性の層(44)は、ヒュージ ブルリンク(42)、および、該ヒュージブルリンク(42)の両端に位置する複数のタ ーミナルパッドを同時に形成し、前記ターミナルパッドは、前記基板(13)の前記 上部から前記基板(13)の前記側面の少なくとも一部に沿って広がり、前記基板(1 3)の前記底の上で終端し、前記ヒュージブルリンク(42)および前記ターミナルパ ッドが電気的に接続されているようにするステップ、そして ｃ．前記ターミナルパッドの上部に第２の伝導性の層をデポジットするステッ プであって、前記第２の伝導性の層は、ソルダリング可能であるステップを有す ることを特徴とする薄膜表面実装型ヒューズ(58)。 14．前記ヒュージブルリンク(42)および前記ターミナルパッド(34，36)を形成 する前記第１の伝導性の層が蒸着によってデポジットされる請求項12の方法。 15．前記ヒュージブルリンク(42)および前記ターミナルパッド(34，36)を形成 する前記第１の伝導性の層が電気化学的にデポジットされる請求項12の方法。 16．ヒュージブルリンク(42)および複数のターミナルパッド(34, 36)を有する薄膜表面実装型ヒューズ(58)を保護する方法であって、 前記ターミナルパッド(34，36)は複数の伝導性のターミナルパッド層を有し、 前記基板(13)は上部、底、および、対向する側表面を有し、前記複数の伝導性の ターミナルパッド層の第１の層(44)、および、前記ヒュージブルリンク(42)は、 前記基板(13)の前記上部表面を横切って広がる１つの連続したフィルムを形成し 、 前記複数の伝導性のターミナルパッド層の第１の層(44)は、前記対向する側表 面の少なくとも一部を越えて広がり、前記基板(13)の前記下部表面の上で終端し 、 前記複数の伝導性の層の最も外側の層は前記第１の伝導性の層の上方に横たわ って、ソルダリング可能であり、 前記方法が、前記基板(13)の上部表面全体の上を覆う１つの保護層(56)を設け ることを含むことを特徴とする方法。 17．薄膜表面実装型ヒューズ(58)であって、 ａ．基板(13)、 ｂ．両方が、銅、銀、ニッケル、チタン、アルミニウムまたはこれらの合金を 含むグループから選択される１つの金属によって形成される、ヒュージブルリン ク(42)、および、前記基板(13)上に配置される１つの連続した層として形成され た第１のターミナルパッド層(44)、 ｃ．前記第１のターミナルパッド層(44)の上に配置され、前記第１の層と同じ 金属によって形成される、第２のターミナルパッド層(46)、 ｄ．前記第２のターミナルパッド層(46)の上に配置され、ニッケルによって形 成される第３のターミナルパッド層(48)、そして、 ｅ．前記第３のターミナルパッド層(48)の上に配置され、すずに よって形成される第４のターミナルパッド層(52)を有することを特徴とする薄膜 表面実装型ヒューズ(58)。 18．前記ヒュージブルリンク(42)が中央部分(50)を有し、該中央部分(50)の上 にすずのスポット(54)が配置される請求項17に記載の表面実装型ヒューズ(58)。 19．保護コーティング(56)が前記ヒュージブルリンク(42)を覆って適用される 請求項18に記載の表面実装型ヒューズ(58)。 20．保護コーティング(56)が前記第４のターミナルパッド層(52)の一部分をも 覆って適用される請求項19に記載の表面実装型ヒューズ(58)。 21．薄膜表面実装型ヒューズ(58)であって、 ａ．上部表面を有する基板(13)、 ｂ．前記基板(13)の前記上部表面の上にデポジットされ、第１の伝導性の金属 によって形成されるヒュージブルリンク(42)、 ｃ．前記ヒュージブルリンク(42)の表面上にデポジットされる、前記第１の伝 導性の金属以外の第２の伝導性の金属、そして ｄ．前記ヒュージブルリンク(42)に電気的に接続され、複数の伝導性の層を有 する複数のターミナルパッド(34，36)であって、前記複数の伝導性の層の第１の 層(44)および前記ヒュージブルリンク(42)が１つの連続したフィルムを形成する ターミナルパッド(34，36)を有することを特徴とする薄膜表面実装型ヒューズ(5 8)。 22．前記複数の伝導性の層の第２の層(46)が、前記複数の伝導性の層の前記第 １の層(44)の上にデポジットされ、前記第１の伝導性の金属と同じ金属によって 形成される請求項21のデバイス(58)。 23．前記複数の伝導性の層の第３の層(48)が、前記複数の伝導性の層の前記第 ２の層(46)の上にデポジットされ、ニッケルによって形成される請求項22のデバ イス(58)。 24．前記複数の伝導性の層の第４の層(52)が、前記複数の伝導性の層の前記第 ３の層(48)の上にデポジットされ、すずによって形成される請求項23のデバイス (58)。 25．前記第１の伝導性の金属が、銅、銀、ニッケル、チタン、アルミニウムま たはこれらの合金を含むグループから選択される請求項24に記載の表面実装型ヒ ューズ(58)。 26．前記第２の伝導性の金属がすずである請求項25に記載の表面実装型ヒュー ズ(58)。 27．前記第２の伝導性の金属が前記ヒュージブルリンク(42)の上に長方形の形 でデポジットされる請求項26に記載の表面実装型ヒューズ(58)。 28．前記ヒュージブルリンク(42)が中央部分(50)を有し、前記長方形は前記ヒ ュージブルリンク(42)の前記中央部分(50)に沿ってデポジットされる請求項27に 記載の表面実装型ヒューズ(58)。 29．薄膜表面実装型ヒューズ(58)であって、 ａ．基板(13)、 ｂ．前記基板(13)上にデポジットされた第１の伝導性の金属によって形成され るヒュージブルリンク(42)、 ｃ．前記ヒュージブルリンク(42)の表面上にデポジットされる、前記第１の伝 導性の金属以外の第２の伝導性の金属、そして ｄ．前記ヒュージブルリンク(42)に電気的に接続され、複数の伝導性の層を有 する複数のターミナルパッド(34，36)であって、前記複数の伝導性の層の第１の 層(44)および前記ヒュージブルリンク(42)が１つの連続したフィルムを形成し、 前記複数の伝導性の層の第２の層(46)が、前記複数の伝導性の層の前記第１の層 (44)の上にデポジットされ、前記第１の伝導性の金属と同じ金属によって形成さ れるターミナルパッド(34，36)を有することを特徴とする薄膜表面 実装型ヒューズ(58)。 30．前記複数の伝導性の層の第３の層(48)が、前記複数の伝導性の層の前記第 ２の層(46)の上にデポジットされ、ニッケルによって形成される請求項29のデバ イス(58)。 31．前記複数の伝導性の層の第４の層(52)が、前記複数の伝導性の層の前記第 ３の層(48)の上にデポジットされ、すずによって形成される請求項30のデバイス (58)。 32．前記第１の伝導性の金属が、銅、銀、ニッケル、チタン、アルミニウムま たはこれらの合金を含むグループから選択される請求項31に記載の表面実装型ヒ ューズ(58)。 33．前記第２の伝導性の金属がすずである請求項32に記載の表面実装型ヒュー ズ(58)。 34．前記第２の伝導性の金属が前記ヒュージブルリンク(42)の上に長方形の形 でデポジットされる請求項33に記載の表面実装型ヒューズ(58)。 35．前記ヒュージブルリンク(42)が中央部分(50)を有し、該長方形は前記ヒュ ージブルリンク(42)の前記中央部分(50)に沿ってデポジットされる請求項34に記 載の表面実装型ヒューズ(58)。 36．前記ヒュージブルリンク(42)の上に金属的スポット(54)をデポジットする ステップを更に含む請求項13に記載の方法。 37．前記第２の伝導性の層(46)の上に第３の伝導性の層(48)をデポジットする ステップを更に含む請求項13に記載の方法。 38．前記第３の伝導性の層(48)の上に第４の伝導性の層(52)をデポジットする ステップを更に含む請求項37に記載の方法。 39．前記ヒュージブルリンク(42)の上に金属的スポット(54)をデポジットする ステップを更に含む請求項38に記載の方法。 40．前記ヒュージブルリンク(42)を保護層(56)で覆うステップを 更に含む請求項39に記載の方法。 【手続補正書】 【提出日】１９９７年３月４日 【補正内容】 (1) 明細書 明細書第９頁第４行 「「他は透明な」マスク(otherwise clear mask)」との記載を、 『「他は透明な」マスク（以下に述べる複数の正方形のパネルを置く部分以 外は透明なマスク）』と補正する。 (2) 請求の範囲を添付別紙のとおりに補正する。 請求の範囲 １．２つの材料のサブアセンブリを有する薄膜表面実装型ヒューズ(58)であっ て、 ａ．第１のサブアセンブリは、ヒュージブルリンク(42)、支持基板(13)、およ び、複数の伝導性のターミナルパッド層を有する複数のターミナルパッド(34，3 6)を含み、 前記支持基板(13)は、上部表面、下部表面、および、対向する側表面を有し、 前記複数の伝導性のターミナルパッド層の第１の層(44)、および、前記ヒュー ジブルリンク(42)は、１つの連続した層として形成され、前記支持基板(13)の前 記上部表面を横切って広がり、 前記複数の伝導性のターミナルパッド層の前記第１の層(44)は、前記側表面の 少なくとも一部を越えてさらに広がり、前記基板(13)の前記下部表面上で終端し 、 前記複数の伝導性の層の最も外側の層は前記第１の伝導性の層(44)の上方に横 たわって、ソルダリング可能であり、 ｂ．第２のサブアセンブリは、前記ヒュージブルリンク(42)上に、衝撃および 酸化を防ぐための保護を提供するように横たわる１つの保護層(56)を含むことを 特徴とする薄膜表面実装型ヒューズ。 ２．前記保護層(56)が重合体材料によって形成される請求項１に記載の薄膜表 面実装型ヒューズ。 ３．前記保護層(56)がポリカーボネイトの接着剤によって形成される請求項１ に記載の薄膜表面実装型ヒューズ。 ４．前記支持基板(13)がFR-4エポキシ樹脂またはポリイミドによって形成され る請求項１に記載の薄膜表面実装型ヒューズ。 ５．前記重合体材料が透明で無色である請求項２に記載の薄膜表面実装型ヒュ ーズ。 ６．前記重合体材料が透明で有色である請求項２に記載の薄膜表面実装型ヒュ ーズ。 ７．薄膜表面実装型ヒューズ(58)の製造方法であって、 ａ．上部、底、および、対向する側面を有する支持基板(13)を設けるステップ 、 ｂ．前記基板(13)の前記上部、底、および、前記対向する側面の少なくとも一 部の上にデポジットするステップであって、第１の伝導性の層(44)は、ヒュージ ブルリンク(42)、および、該ヒュージブルリンク(42)の両端に位置する複数のタ ーミナルパッドを同時に形成し、前記ターミナルパッドは、前記基板(13)の前記 上部から前記基板(13)の前記側面の少なくとも一部に沿って広がり、前記基板(1 3)の前記底の上で終端し、前記ヒュージブルリンク(42)および前記ターミナルパ ッドが電気的に接続されているようにするステップ、そして ｃ．前記ターミナルパッドの上部に第２の伝導性の層をデポジットするステッ プであって、前記第２の伝導性の層は、ソルダリング可能であるステップを有す ることを特徴とする薄膜表面実装型ヒューズ(58)の製造方法。 ８．前記ヒュージブルリンク(42)および前記ターミナルパッド(34，36)を形成 する前記第１の伝導性の層が蒸着によってデポジットされる請求項７に記載の方 法。 ９．前記ヒュージブルリンク(42)および前記ターミナルパッド(34，36)を形成 する前記第１の伝導性の層が電気化学的にデポジットされる請求項７に記載の方 法。 10．ヒュージブルリンク(42)および複数のターミナルパッド(34，36)を有する 薄膜表面実装型ヒューズ(58)を保護する方法であって、 前記ターミナルパッド(34，36)は複数の伝導性のターミナルパッド層を有し、 前記基板(13)は上部、底、および、対向する側表面を有し、前記複数の伝導性の ターミナルパッド層の第１の層(44)、および、前記ヒュージブルリンク(42)は、 前記基板(13)の前記上部表面を横切って広がる１つの連続したフィルムを形成し 、 前記複数の伝導性のターミナルパッド層の第１の層(44)は、前記対向する側表 面の少なくとも一部を越えて広がり、前記基板(13)の前記下部表面の上で終端し 、 前記複数の伝導性の層の最も外側の層は前記第１の伝導性の層の上方に横たわ って、ソルダリング可能であり、 前記方法が、前記基板(13)の上部表面全体の上を覆う１つの保護層(56)を設け ることを含むことを特徴とする方法。 11．薄膜表面実装型ヒューズ(58)であって、 ａ．基板(13)、 ｂ．両方が、銅、銀、ニッケル、チタン、アルミニウムまたはこれらの合金を 含むグループから選択される１つの金属によって形成される、ヒュージブルリン ク(42)、および、前記基板(13)上に配置される１つの連続した層として形成され た第１のターミナルパッド層(44)、 ｃ．前記第１のターミナルパッド層(44)の上に配置され、前記第１の層と同じ 金属によって形成される、第２のターミナルパッド層(46)、 ｄ．前記第２のターミナルパッド層(46)の上に配置され、ニッケルによって形 成される第３のターミナルパッド層(48)、そして、 ｅ．前記第３のターミナルパッド層(48)の上に配置され、すずによって形成さ れる第４のターミナルパッド層(52)を有することを特徴とする薄膜表面実装型ヒ ューズ。 12．前記ヒュージブルリンク(42)が中央部分(50)を有し、該中央部分(50)の上 にすずのスポット(54)が配置される請求項11に記載の薄膜表面実装型ヒューズ。 13．保護コーティング(56)が前記ヒュージブルリンク(42)を覆って適用される 請求項12に記載の薄膜表面実装型ヒューズ。 14．保護コーティング(56)が前記第４のターミナルパッド層(52)の一部分をも 覆って適用される請求項13に記載の薄膜表面実装型ヒューズ。 15．薄膜表面実装型ヒューズ(58)であって、 ａ．上部表面を有する基板(13)、 ｂ．前記基板(13)の前記上部表面の上にデポジットされ、第１の伝導性の金属 によって形成されるヒュージブルリンク(42)、 ｃ．前記ヒュージブルリンク(42)の表面上にデポジットされる、前記第１の伝 導性の金属以外の第２の伝導性の金属、そして ｄ．前記ヒュージブルリンク(42)に電気的に接続され、複数の伝導性の層を有 する複数のターミナルパッド(34，36)であって、前記複数の伝導性の層の第１の 層(44)および前記ヒュージブルリンク(42)が１つの連続したフィルムを形成する ターミナルパッド(34，36)を有することを特徴とする薄膜表面実装型ヒューズ。 16．前記複数の伝導性の層の第２の層(46)が、前記複数の伝導性の層の前記第 １の層(44)の上にデポジットされ、前記第１の伝導性の金属と同じ金属によって 形成される請求項15に記載の薄膜表面実装型ヒューズ。 17．前記複数の伝導性の層の第３の層(48)が、前記複数の伝導性の層の前記第 ２の層(46)の上にデポジットされ、ニッケルによって形成される請求項16に記載 の薄膜表面実装型ヒューズ。 18．前記複数の伝導性の層の第４の層(52)が、前記複数の伝導性の層の前記第 ３の層(48)の上にデポジットされ、すずによって形成される請求項17に記載の薄 膜表面実装型ヒューズ。 19．前記第１の伝導性の金属が、銅、銀、ニッケル、チタン、アルミニウムま たはこれらの合金を含むグループから選択される請求項18に記載の薄膜表面実装 型ヒューズ。 20．前記第２の伝導性の金属がすずである請求項19に記載の薄膜表面実装型ヒ ューズ。 21．前記第２の伝導性の金属が前記ヒュージブルリンク(42)の上に長方形の形 でデポジットされる請求項20に記載の薄膜表面実装型ヒューズ。 22．前記ヒュージブルリンク(42)が中央部分(50)を有し、前記長方形は前記ヒ ュージブルリンク(42)の前記中央部分(50)に沿ってデポジットされる請求項21に 記載の薄膜表面実装型ヒューズ。 23．薄膜表面実装型ヒューズ(58)であって、 ａ．基板(13)、 ｂ．前記基板(13)上にデポジットされた第１の伝導性の金属によって形成され るヒュージブルリンク(42)、 ｃ．前記ヒュージブルリンク(42)の表面上にデポジットされる、前記第１の伝 導性の金属以外の第２の伝導性の金属、そして ｄ．前記ヒュージブルリンク(42)に電気的に接続され、複数の伝導性の層を有 する複数のターミナルパッド(34，36)であって、前記複数の伝導性の層の第１の 層(44)および前記ヒュージブルリンク(42)が１つの連続したフィルムを形成し、 前記複数の伝導性の層の第２の層(46)が、前記複数の伝導性の層の前記第１の層 (44)の上にデポジットされ、前記第１の伝導性の金属と同じ金属によって形成さ れるターミナルパッド(34，36)を有することを特徴とする薄膜表面実装型ヒューズ。 24．前記複数の伝導性の層の第３の層(48)が、前記複数の伝導性の層の前記第 ２の層(46)の上にデポジットされ、ニッケルによって形成される請求項23に記載 の薄膜表面実装型ヒューズ。 25．前記複数の伝導性の層の第４の層(52)が、前記複数の伝導性の層の前記第 ３の層(48)の上にデポジットされ、すずによって形成される請求項24に記載の薄 膜表面実装型ヒューズ。 26．前記第１の伝導性の金属が、銅、銀、ニッケル、チタン、アルミニウムま たはこれらの合金を含むグループから選択される請求項25に記載の薄膜表面実装 型ヒューズ。 27．前記第２の伝導性の金属がすずである請求項26に記載の薄膜表面実装型ヒ ューズ。 28．前記第２の伝導性の金属が前記ヒュージブルリンク(42)の上に長方形の形 でデポジットされる請求項27に記載の薄膜表面実装型ヒューズ。 29．前記ヒュージブルリンク(42)が中央部分(50)を有し、該長方形は前記ヒュ ージブルリンク(42)の前記中央部分(50)に沿ってデポジットされる請求項28に記 載の薄膜表面実装型ヒューズ。 30．前記ヒュージブルリンク(42)の上に金属的スポット(54)をデポジットする ステップを更に含む請求項７に記載の方法。 31．前記第２の伝導性の層(46)の上に第３の伝導性の層(48)をデポジットする ステップを更に含む請求項７に記載の方法。 32．前記第３の伝導性の層(48)の上に第４の伝導性の層(52)をデポジットする ステップを更に含む請求項31に記載の方法。 33．前記ヒュージブルリンク(42)の上に金属的スポット(54)をデポジットする ステップを更に含む請求項32に記載の方法。 34．前記ヒュージブルリンク(42)を保護層(56)で覆うステップを更に含む請求 項33に記載の方法。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，Ｍ Ｃ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ， ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ)， ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，Ｃ Ｈ，ＣＮ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ ，ＧＥ，ＨＵ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ， ＬＫ，ＬＲ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＮ，Ｍ Ｗ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ ，ＳＥ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＺ，ＶＮ (72)発明者 ノーハルフェン，アンドリュー ジェイ. アメリカ合衆国，イリノイ 60102，アル ゴンクイン，サウス メイン ストリート 308 (72)発明者 オンケン，ダニエル ビー. アメリカ合衆国，イリノイ 62801，セン トラリア，セスナ ドライブ 35

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．薄膜表面実装型ヒューズであって、 ａ．第１の伝導性の金属によって形成されるヒュージブルリンク、および ｂ．前記第１の伝導性の金属以外のものであって、前記ヒュージブルリンクの 表面上にデポジットされる第２の伝導性の金属を有することを特徴とする薄膜表 面実装型ヒューズ。 ２．前記第１の伝導性の金属は、銅、銀、ニッケル、チタン、アルミニウムま たはこれらの合金を含むグループから選択される請求項１に記載の表面実装型ヒ ューズ。 ３．前記第２の伝導性の金属がすずである請求項１に記載の表面実装型ヒュー ズ。 ４．前記第２の伝導性の金属が前記ヒュージブルリンクの上に長方形の形でデ ポジットされる請求項３に記載の表面実装型ヒューズ。 ５．前記長方形が前記ヒュージブルリンクの中央部分に沿ってデポジットされ る請求項４に記載の表面実装型ヒューズ。 ６．２つの材料のサブアセンブリを有する薄膜表面実装型ヒューズであって、 ａ．第１のサブアセンブリは、ヒュージブルリンク、その支持基板、および、 複数のターミナルパッドを含み、 ｂ．第２のサブアセンブリは、前記ヒュージブルリンクの上に、衝撃および酸 化を防ぐための保護を提供するように横たわる保護層を含むことを特徴とする薄 膜表面実装型ヒューズ。 ７．前記保護層が重合体材料によって形成される請求項６に記載の表面実装型 ヒューズ。 ８．前記保護層がポリカーボネイトの接着剤によって形成される請求項６に記 載の表面実装型ヒューズ。 ９．前記支持基板がFR-4エポキシ樹脂またはポリイミドによって形成される請 求項６に記載の表面実装型ヒューズ。 10．前記重合体材料が透明で無色である請求項７に記載の表面実装型ヒューズ 。 11．前記重合体材料が透明で有色である請求項７に記載の表面実装型ヒューズ 。 12．基板の上部、ヒュージブルリンク、および、前記ヒュージブルリンクの両 端の広いターミナル上に同時にデポジットすることを含むことを特徴とする薄膜 表面実装型ヒューズの製造方法。 13．さらに、基板の側面および底にデポジットすることを含み、前記広いター ミナルと電気的に導通している複数のターミナルパッドを有し、前記パッドは、 前記表面実装型ヒューズをプリント回路板と接続するためのものである請求項12 に記載の方法。 14．前記ヒュージブルリンクおよび広いターミナルは、蒸着によってデポジッ トされる請求項12に記載の方法。 15．前記ヒュージブルリンクおよび広いターミナルは、電気化学的にデポジッ トされる請求項12に記載の方法。 16．基板の上部表面上にヒュージブルリンクを有する薄膜表面実装型ヒューズ を保護する方法であって、 前記方法は、前記基板の上部表面全体を覆う保護層を設けることを含むことを 特徴とする薄膜表面実装型ヒューズを保護する方法。